JPH1074718A - Semiconductor polishing system - Google Patents

Semiconductor polishing system

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Publication number
JPH1074718A
JPH1074718A JP22846196A JP22846196A JPH1074718A JP H1074718 A JPH1074718 A JP H1074718A JP 22846196 A JP22846196 A JP 22846196A JP 22846196 A JP22846196 A JP 22846196A JP H1074718 A JPH1074718 A JP H1074718A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
protective tape
polishing
tape
foreign matter
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Application number
JP22846196A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunao Arai
一尚 荒井
Masatoshi Nanjo
雅俊 南條
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a semiconductor wafer from being broken due to the mixing of a foreign substance in the wafer in a polishing system for polishing the rear side of the semiconductor wafer with a plurality of circuits, such as ICs, formed on the surface side. SOLUTION: In a semiconductor wafer polishing system having at least a protective tape pasting process, in which a protective tape 4 is pasted on the surface of a semiconductor wafer 2, and a polishing process, in which the rear of the wafer pasted with the tape 4 after the protective tape pasting process is polished, a tape etching process (10 to 16) for inspecting the presence and absence of a foreign substance 17 on the side, where is pasted with the protective tape, of the wafer 2 is provided between the above protective tape pasting process and the polishing process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、IC等の
回路が表面側に複数形成された半導体ウェーハの裏面側
を研磨する研磨システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing system for polishing a back surface of a semiconductor wafer having a plurality of circuits, such as ICs, formed on the front surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、この種の回路が形成された半導
体ウェーハは、各回路毎にダイシング装置によってダイ
ス状に切断する前に、放熱効果等を高めるために薄く研
磨されている。
2. Description of the Related Art In general, a semiconductor wafer having such a circuit formed thereon is polished thinly in order to enhance a heat radiation effect or the like before being cut into dice by a dicing device for each circuit.

【0003】その半導体ウェーハを研磨するには、該半
導体ウェーハの表面には回路が形成されているので、こ
の表面側に保護テープを貼着し、該保護テープが貼着さ
れた表面側を研磨装置のチャックテーブルに当接させて
吸着支持し、半導体ウェーハの裏面側を研磨装置の研磨
砥石により研磨することで、半導体ウェーハを薄く仕上
げている。
In order to polish the semiconductor wafer, since a circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, a protective tape is adhered to this surface, and the surface on which the protective tape is adhered is polished. The semiconductor wafer is thinly finished by being brought into contact with a chuck table of the apparatus to be suction-supported and polishing the back side of the semiconductor wafer by a polishing grindstone of a polishing apparatus.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェーハを取り扱う工場内は高度に清浄化されたクリー
ンルームとなっているが、それでも頭髪または若干の塵
埃等が存在することは避けられず、更に、前記保護テー
プ貼着後の切断時に切り屑が発生することもある。この
ような頭髪または切り屑等の異物が、保護テープ貼着工
程において、前記保護テープと半導体ウェーハの表面と
の間に侵入したり、該保護テープの表面に付着したりす
るおそれがある。
However, although the interior of a factory that handles semiconductor wafers is a highly-cleaned clean room, it is still inevitable that hair or some dust is present. Chips may be generated when cutting after attaching the protective tape. Such foreign matter such as hair or chips may enter between the protective tape and the surface of the semiconductor wafer or adhere to the surface of the protective tape in the protective tape attaching step.

【0005】そして、半導体ウェーハに保護テープを貼
着した後に、前記頭髪または切り屑等の異物が付着した
ままの状態で半導体ウェーハが研磨工程に移送され、保
護テープが貼着されている半導体ウェーハの表面側が研
磨装置のチャックテーブルに載置されることになり、研
磨による押圧力が加わると、前記異物の存在により平面
度が損なわれ、局部的に押圧が集中するようになって、
一部に剪断力が生じて半導体ウェーハが割れてしまう、
と言う問題がある。
After the protective tape is adhered to the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is transferred to a polishing step in a state in which the foreign matter such as the hair or the chips remains attached, and the semiconductor wafer to which the protective tape is adhered is attached. Will be placed on the chuck table of the polishing apparatus, and when a pressing force is applied by polishing, the flatness is impaired due to the presence of the foreign matter, and the pressing is locally concentrated.
A semiconductor wafer breaks due to shearing force in part,
There is a problem to say.

【0006】このように、従来の半導体ウェーハの研磨
システムは、頭髪または保護テープの切り屑等の異物の
混入によって生ずる半導体ウェーハの割れを防止するこ
とに解決すべき課題を有している。
As described above, the conventional semiconductor wafer polishing system has a problem to be solved in preventing cracking of the semiconductor wafer caused by entry of foreign matter such as hair or chips of a protective tape.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウェ
ーハの研磨システムの上記課題を解決するための要旨
は、半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護
テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程の後に保護テ
ープが貼着された半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨
工程と、を少なくとも有する半導体ウェーハの研磨シス
テムにおいて、前記保護テープ貼着工程と研磨工程との
間に、半導体ウェーハの保護テープ貼着側における異物
の有無を検査するテープチェック工程を設けたことであ
る。
The gist of the present invention for solving the above problems of the semiconductor wafer polishing system according to the present invention is to provide a protective tape attaching step of attaching a protective tape to the surface of a semiconductor wafer, and the protective tape attaching step. A polishing step of polishing the back surface of the semiconductor wafer to which the protective tape has been attached after the attaching step, and a semiconductor wafer polishing system having at least, between the protective tape attaching step and the polishing step, the semiconductor wafer That is, a tape check step for inspecting the presence or absence of foreign matter on the side where the protective tape is attached is provided.

【0008】前記テープチェック工程のチェック手段
は、光学手段と、光学手段を介して画像を取り込んで電
気信号に変換して出力する撮像手段と、撮像手段の出力
を入力して数値化して出力するA/D変換手段と、A/
D変換手段の出力を入力して2値化して出力する画像処
理手段と、画像手段からの出力を入力して異物の有無を
判別する判定手段とから構成されていること、;前記テ
ープチェック工程におけるチェック手段は、保護テープ
貼着工程の貼着装置または研磨工程の研磨装置に配設さ
れるか、若しくは独立して存在すること、;前記テープ
チェック工程では、検査テーブルに載置した半導体ウェ
ーハの保護テープ貼着側に、検査用照明手段で斜め方向
から照射することである。
The checking means in the tape checking step includes an optical means, an image pickup means for taking in an image via the optical means, converting the image into an electric signal, and outputting the electric signal, and inputting the output of the image pickup means into a numerical value and outputting it. A / D conversion means,
An image processing means for inputting the output of the D conversion means and binarizing the output, and a determination means for inputting the output from the image means to determine the presence / absence of a foreign substance; The checking means in (1) is provided in an attaching device in a protective tape attaching process or a polishing device in a polishing process, or exists independently; in the tape checking process, a semiconductor wafer placed on an inspection table Irradiation is performed from the oblique direction to the side where the protective tape is adhered by the illumination device for inspection.

【0009】本発明に係る半導体ウェーハの研磨システ
ムによれば、研磨工程に移る前に、半導体ウェーハの保
護テープ貼着側に異物が付着しているか否かを検出し、
異物が付着している場合にはそれを判別して異物有りと
して研磨工程への移送ラインから排除することができ、
研磨工程には異物が付着していない半導体ウェーハのみ
が移送されるようになり、半導体ウェーハが異物混入で
割れるのを未然に防止できるようになる。
According to the semiconductor wafer polishing system of the present invention, before moving to the polishing step, it is detected whether or not foreign matter is attached to the protective tape side of the semiconductor wafer.
If foreign matter is attached, it can be determined and removed from the transfer line to the polishing process as foreign matter present,
In the polishing step, only the semiconductor wafer to which the foreign matter is not attached is transferred, so that the semiconductor wafer can be prevented from being broken by the foreign matter.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る半導体ウェー
ハの研磨システムの実施形態について図面を参照して詳
細に説明する。まず、研磨に供される半導体ウェーハ1
は、図1に示すように、その表面側にIC等の回路2が
複数形成された円盤状を呈するものであり、その半導体
ウェーハ1の裏面側を研磨するに際して、表面側に保護
テープが貼着される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a semiconductor wafer polishing system according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the semiconductor wafer 1 to be polished
As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 1 has a disk shape with a plurality of circuits 2 such as ICs formed on the front surface thereof. When polishing the back surface of the semiconductor wafer 1, a protective tape is attached to the front surface. Be worn.

【0011】この保護テープ貼着工程では、図2乃至図
5に示したように、貼着装置Aが使用され、半導体ウェ
ーハ1を、貼着装置Aにおけるチャックテーブル3に、
該半導体ウェーハ1のIC等の回路2が形成された表面
側を上にして載置する。
In this protective tape attaching step, as shown in FIGS. 2 to 5, an attaching device A is used, and the semiconductor wafer 1 is placed on the chuck table 3 of the attaching device A.
The semiconductor wafer 1 is placed with its front side on which circuits 2 such as ICs are formed facing up.

【0012】貼着装置Aは、接着剤付の保護テープ4を
巻装している供給ローラ5と、該供給ローラから引き出
した保護テープ4を巻取る巻取りローラ6と、保護テー
プ4を半導体ウェーハ1に対して押し付けることにより
貼着させる貼着ローラ7とを装備しており、供給ローラ
5から接着面を下向きにして引き出された保護テープ4
は、巻取りローラ6との間で貼着ローラ7により半導体
ウェーハ1の表面に押しつけられ、更に、矢印aの方向
に貼着ローラ7を転動させることにより、前記半導体ウ
ェーハ1の表面側に保護テープ4が貼着される。
The attaching device A includes a supply roller 5 on which a protective tape 4 with an adhesive is wound, a winding roller 6 for winding the protective tape 4 drawn from the supply roller, and a semiconductor device comprising And a sticking roller 7 for sticking by pressing against the wafer 1, and the protective tape 4 pulled out from the supply roller 5 with the adhesive surface downward.
Is pressed against the surface of the semiconductor wafer 1 by the bonding roller 7 between the winding roller 6 and the surface of the semiconductor wafer 1 by rolling the bonding roller 7 in the direction of arrow a. The protection tape 4 is stuck.

【0013】又、貼着装置Aは、貼着された保護テープ
4の切断手段を装備しており、該切断手段は、矢印bで
示した上下方向に移動すると共に矢印cで示した方向に
回転する支持軸8と、該支持軸8の先端に取り付けられ
た横方向に突出したカッター保持部材8aと、該カッタ
ー保持部材8aに取り付けられたカッター9とから構成
されている。
Further, the sticking device A is provided with a cutting means for the bonded protective tape 4, and the cutting means moves up and down as shown by arrow b and moves in the direction shown by arrow c. It comprises a rotating support shaft 8, a laterally protruding cutter holding member 8a attached to the tip of the support shaft 8, and a cutter 9 attached to the cutter holding member 8a.

【0014】そして、図3に示すように、前記貼着ロー
ラ7を半導体ウェーハ1の上から他の場所へ待避させ、
前記支持部材8を所定位置に降下させてカッター9を保
護テープ4に突き刺し、前記支持部材8を矢印c方向に
一回転させて、上方に引き上げる。
Then, as shown in FIG. 3, the sticking roller 7 is retracted from above the semiconductor wafer 1 to another place,
The support member 8 is lowered to a predetermined position, the cutter 9 is pierced into the protective tape 4, and the support member 8 is rotated once in the direction of arrow c and pulled up.

【0015】これにより、図4(イ)に示すように、チ
ャックテーブル3に載置された半導体ウェーハ1の表面
側に貼着された保護テープ4aと、前記供給ローラ5及
び巻取りローラ6とで保持されている保護テープ4とが
切断・分離され、図4(ロ)に示すように、保護テープ
4には前記保護テープ4aが切り取られた後の孔4bが
できる。
Thus, as shown in FIG. 4A, the protective tape 4a adhered to the front side of the semiconductor wafer 1 placed on the chuck table 3, the supply roller 5 and the winding roller 6, and Then, the protective tape 4 is cut and separated, and as shown in FIG. 4B, a hole 4b is formed in the protective tape 4 after the protective tape 4a is cut off.

【0016】この後、前記供給ローラ5と巻取りローラ
6とを回転させて、保護テープ4を巻取り方向に移動さ
せて次の貼着に備えると共に、図5に示すように、保護
テープ4aが表面側に貼着された半導体ウェーハ1を、
チャックテーブル3から取り出して、次のテープチェッ
ク工程に移送させる。
Thereafter, the supply roller 5 and the take-up roller 6 are rotated to move the protective tape 4 in the take-up direction to prepare for the next application, and as shown in FIG. Is attached to the front side of the semiconductor wafer 1,
It is taken out from the chuck table 3 and transferred to the next tape check step.

【0017】テープチェック工程における検査装置Bの
構成は、図6に示すように、半導体ウェーハ1の表面を
斜め方向から照射する検査用照明手段である照明器10
と、接眼レンズ等を備えた光学手段11と、例えばCC
Dカメラ等からなる撮像手段12と、A/D変換手段1
3と、画像処理手段14と、異物の有無を判断する判定
手段15と、画像を表示するモニター16とからなるも
のである。
As shown in FIG. 6, the configuration of the inspection apparatus B in the tape check step is as follows: an illuminator 10 serving as an inspection illumination means for irradiating the surface of the semiconductor wafer 1 from an oblique direction.
And an optical unit 11 having an eyepiece and the like, for example, CC
Imaging means 12 including a D camera and the like, and A / D conversion means 1
3, an image processing means 14, a determining means 15 for determining the presence or absence of a foreign substance, and a monitor 16 for displaying an image.

【0018】このテープチェック工程に移送された半導
体ウェーハ1は、チャックテーブル3aに載置され、前
記照明器10で斜めに照射されて、例えば、異物が前記
半導体ウェーハ1の保護テープ4aに付着していたりウ
ェーハ表面と保護テープ4aとの間に侵入していたりし
た場合に、その異物および異物の陰影が拡大されて大き
く出現し、それが前記撮像手段12を介して画像処理手
段14で、0または1の2値化された信号に変換され
る。
The semiconductor wafer 1 transferred to the tape check step is placed on a chuck table 3a and is irradiated obliquely by the illuminator 10 so that, for example, foreign matter adheres to the protective tape 4a of the semiconductor wafer 1. In the case where the foreign matter or the foreign matter has entered between the surface of the wafer and the protective tape 4a, the foreign matter and the shadow of the foreign matter are enlarged and largely appear. Alternatively, it is converted into a binary signal of 1.

【0019】前記画像処理手段14は、例えば、256
×256画素を2値化して、例えば、10〜20μmの
小さな異物の存在を0または1の数値にして抽出できる
ものである。
The image processing means 14 comprises, for example, 256
X256 pixels are binarized, and the presence of a small foreign substance of, for example, 10 to 20 μm can be extracted as a numerical value of 0 or 1.

【0020】そして、前記判定手段15において、前記
半導体ウェーハ1に異物が付着してるか否かを判別し、
仮に、異物有りと判断されるとその半導体ウェーハ1は
排除されて、別ルート、例えば、異物排除工程へと移送
される。また、異物無しと判断された半導体ウェーハ1
は、次の研磨工程へと移送される。
Then, the determining means 15 determines whether or not foreign matter is attached to the semiconductor wafer 1,
If it is determined that foreign matter is present, the semiconductor wafer 1 is removed and transferred to another route, for example, a foreign matter removing step. Further, the semiconductor wafer 1 determined to have no foreign matter
Is transferred to the next polishing step.

【0021】なお、前記異物排除工程に移送された半導
体ウェーハ1は、異物排除後に再度前記テープチェック
工程に移送され、前記異物排除によって異物の付着が取
り除かれると、異物無しとして次の研磨工程に半導体ウ
ェーハ1が移送されるものである。また、異物が半導体
ウェーハ1と保護テープ4との間に介在している場合は
テープを剥がし、異物を取り除いた後、テープ貼着工程
に移送され新たなテープが貼着された後、テープチェッ
ク工程に移送される。
The semiconductor wafer 1 transferred to the foreign matter removing step is transferred again to the tape check step after the foreign matter is removed, and when the foreign matter is removed by the foreign matter removal, it is determined that there is no foreign matter, and the next polishing step is performed. The semiconductor wafer 1 is transferred. If foreign matter is present between the semiconductor wafer 1 and the protective tape 4, the tape is peeled off, the foreign matter is removed, and then the tape is transferred to a tape attaching step where a new tape is attached. Transferred to the process.

【0022】特に、モニター16には、前記撮像手段1
2で捕らえた半導体ウェーハ1の表面側、即ち、保護テ
ープ4が貼着された側の映像が映し出され、保護テープ
の切り屑や空気中の塵埃や頭髪などの異物17等が視認
されるものである。
In particular, the monitor 16 is provided with
2. The image of the front side of the semiconductor wafer 1 captured by the step 2, ie, the side on which the protective tape 4 is adhered, is displayed, and foreign materials 17 such as chips of the protective tape, dust in the air, and hair are visually recognized. It is.

【0023】次に、半導体ウェーハ1において異物無し
と判断されたものは、図7に示すように、研磨工程へと
移送され、研磨装置Cによって研磨される。
Next, the semiconductor wafer 1 determined to be free of foreign matter is transferred to a polishing step and polished by the polishing apparatus C as shown in FIG.

【0024】この研磨装置Cは、一般的に使用されてい
るものであって、例えば、作業テーブル18上に起立し
て設けられた支持部材19と、該支持部材19に上下動
自在に設けられた駆動部20の下部に突出した回転軸2
0aに取り付けられたホイール21と、該ホイール21
に取り付けられた研磨用の砥石(研磨部材)22と、前
記作業テーブル18上で、且つ、前記砥石22と対峙し
て設けられたチャックテーブル23とから概ね構成され
ている。
The polishing apparatus C is a commonly used one. For example, a support member 19 provided upright on a work table 18 and a vertically movable movable member are provided on the support member 19. Shaft 2 protruding below the drive unit 20
0a, and the wheel 21
And a chuck table 23 provided on the work table 18 so as to face the grindstone 22.

【0025】そして、研磨工程に移送されてきた半導体
ウェーハ1は、チャックテーブル23上に、当該半導体
ウェーハ1の前記保護テープ4aが貼着されている表面
側を下にして載置され、吸着支持される。
Then, the semiconductor wafer 1 transferred to the polishing step is placed on the chuck table 23 with the front side of the semiconductor wafer 1 to which the protective tape 4a is adhered facing down. Is done.

【0026】この状態で一般に行われているように、駆
動部20によりホイール21を回転させ、前記チャック
テーブル23も回転して、半導体ウェーハ1の裏面側を
研磨して、該半導体ウェーハ1を薄くするものである。
その後、半導体ウェーハ1はダイシング装置で各回路毎
にダイシングされる。
As is generally performed in this state, the wheel 21 is rotated by the drive unit 20, the chuck table 23 is also rotated, and the back side of the semiconductor wafer 1 is polished to make the semiconductor wafer 1 thin. Is what you do.
Thereafter, the semiconductor wafer 1 is diced for each circuit by a dicing apparatus.

【0027】このように、研磨工程の前にテープチェッ
ク工程を介在させたことで、研磨工程には異物の混入・
付着のない半導体ウェーハ1のみが移送されるようにな
り、該異物による半導体ウェーハの割れが生じないよう
になるものである。
As described above, since the tape check step is interposed before the polishing step, foreign matter is not mixed in the polishing step.
Only the semiconductor wafer 1 having no adhesion is transferred, so that the semiconductor wafer is not cracked by the foreign matter.

【0028】前記した実施例において、テープチェック
工程を、保護テープ貼着工程と研磨工程とから独立させ
たものとして説明したが、このテープチェック工程を、
例えば、保護テープ貼着工程の貼着装置Aに設けたり、
研磨装置Cに設けたりすることができるのである。これ
により、工程経路を短縮することができる。要するに、
研磨工程の前に、テープチェック工程が組み込まれるよ
うにしたシステムに本発明の要旨が存するのである。
In the above embodiment, the tape checking step has been described as being independent of the protective tape attaching step and the polishing step.
For example, provided in the sticking device A in the protective tape sticking step,
It can be provided in the polishing apparatus C. Thereby, the process path can be shortened. in short,
The gist of the present invention resides in a system in which a tape check step is incorporated before the polishing step.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの研磨システムは、保護テープ貼着工程と研
磨工程との間に、半導体ウェーハの保護テープ貼着側に
おける異物の有無を検査するテープチェック工程を設け
たので、異物の有無が事前にチェックされ、研磨工程で
の半導体ウェーハの割れが未然に防止されると言う優れ
た効果を奏する。
As described above, the semiconductor wafer polishing system according to the present invention inspects the presence or absence of foreign matter on the side where the protective tape is attached to the semiconductor wafer between the protective tape attaching step and the polishing step. Since the tape check step is provided, the presence or absence of foreign matter is checked in advance, and an excellent effect that cracking of the semiconductor wafer in the polishing step is prevented is prevented.

【0030】また、テープチェック工程において検査テ
ーブルに載置した半導体ウェーハの保護テープ貼着側
に、検査用照明手段で斜め方向から照射するようにする
ことで、異物の陰影が大きく拡大されて、異物の発見が
容易となって、異物の混入等を高精度に排除することが
できると言う優れた効果を奏する。
In addition, by irradiating the semiconductor wafer mounted on the inspection table on the protective tape attaching side in the tape check step from an oblique direction with the inspection illuminating means, the shadow of the foreign matter is greatly enlarged. This has an excellent effect that foreign matter can be easily found and foreign matter can be eliminated with high accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体ウェーハの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor wafer.

【図2】保護テープ貼着工程における、保護テープ4を
半導体ウェーハ1の表面に貼着させる状態の説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory view showing a state in which a protective tape 4 is adhered to a surface of a semiconductor wafer 1 in a protective tape attaching step.

【図3】同保護テープ貼着工程における、半導体ウェー
ハに貼着された保護テープをカッターで切断する様子を
示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which the protective tape attached to the semiconductor wafer is cut by a cutter in the protective tape attaching step.

【図4】同保護テープ貼着工程における、保護テープ切
断後の説明図(イ)と、保護テープに半導体ウェーハ部
分に対応した孔が開けられた状態を示す説明図(ロ)で
ある。
FIG. 4 is an explanatory view (a) after cutting the protective tape in the protective tape attaching step, and an explanatory view (b) showing a state in which holes corresponding to the semiconductor wafer portion are formed in the protective tape.

【図5】同保護テープ貼着工程から、表面に保護テープ
が貼着された半導体ウェーハを次のテープチェック工程
に移送する様子を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which the semiconductor wafer having the protective tape adhered to the surface is transferred to the next tape check step from the protective tape attaching step.

【図6】本発明に係るテープチェック工程の構成を示す
概略構成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a tape check step according to the present invention.

【図7】研磨工程における研磨装置で半導体ウェーハを
薄く研磨する様子を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state where a semiconductor wafer is thinly polished by a polishing apparatus in a polishing step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 IC等の回路、2 半導体ウェーハ、3 チャック
テーブル、4 保護テープ、4a 切り取られた保護テ
ープ、5 供給ローラ、6 巻取りローラ、7 貼着ロ
ーラ、8 支持部材、9 カッター、10 照明器、1
1 光学手段、12 撮像手段、13 A/D変換手
段、14 画像処理手段、15 判定手段、16 モニ
ター、17 異物、18 作業テーブル、19 支持部
材、20 駆動部、20a 回転軸、21 ホイール、
22 砥石、23 チャックテーブル、A 貼着装置、
B 検査装置、C 研磨装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit of IC etc., 2 Semiconductor wafer, 3 Chuck table, 4 Protective tape, 4a Cut-off protective tape, 5 Supply roller, 6 Take-up roller, 7 Sticking roller, 8 Support member, 9 Cutter, 10 Illuminator, 1
Reference Signs List 1 optical means, 12 imaging means, 13 A / D conversion means, 14 image processing means, 15 determination means, 16 monitor, 17 foreign matter, 18 work table, 19 support member, 20 drive section, 20a rotation axis, 21 wheel,
22 whetstone, 23 chuck table, A sticking device,
B inspection device, C polishing device.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハの表面に保護テープを貼
着する保護テープ貼着工程と、該保護テープ貼着工程の
後に保護テープが貼着された半導体ウェーハの裏面を研
磨する研磨工程と、を少なくとも有する半導体ウェーハ
の研磨システムにおいて、 前記保護テープ貼着工程と研磨工程との間に、半導体ウ
ェーハの保護テープ貼着側における異物の有無を検査す
るテープチェック工程を設けたこと、 を特徴とする半導体ウェーハの研磨システム。
1. A protective tape attaching step of attaching a protective tape to a surface of a semiconductor wafer, and a polishing step of polishing a back surface of the semiconductor wafer to which the protective tape is attached after the protective tape attaching step. In a semiconductor wafer polishing system having at least a tape check step for inspecting the presence or absence of foreign matter on the protective tape sticking side of the semiconductor wafer is provided between the protective tape sticking step and the polishing step. Polishing system for semiconductor wafers.
【請求項2】 テープチェック工程のチェック手段は、
光学手段と、光学手段を介して画像を取り込んで電気信
号に変換して出力する撮像手段と、撮像手段の出力を入
力して数値化して出力するA/D変換手段と、A/D変
換手段の出力を入力して2値化して出力する画像処理手
段と、画像手段からの出力を入力して異物の有無を判別
する判定手段とから構成されていること、を特徴とする
請求項1に記載の半導体ウェーハの研磨システム。
2. The checking means in the tape checking step,
An optical unit, an imaging unit that captures an image via the optical unit, converts the image into an electric signal, and outputs the signal, an A / D conversion unit that inputs an output of the imaging unit, quantifies the output, and outputs the numerical value, and an A / D conversion unit 2. An image processing means for inputting the output of the image processing unit and binarizing the output, and outputting the output, and determining means for inputting the output from the image processing unit and determining the presence or absence of a foreign substance. A polishing system for a semiconductor wafer as described in the above.
【請求項3】 テープチェック工程におけるチェック手
段は、保護テープ貼着工程の貼着装置または研磨工程の
研磨装置に配設されるか、若しくは独立して存在するこ
と、 を特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェーハ
の研磨システム。
3. The checking means in the tape checking step is provided in a sticking device in the protective tape sticking step or a polishing device in the polishing step, or is present independently. Or a polishing system for a semiconductor wafer according to item 2.
【請求項4】 テープチェック工程において検査テーブ
ルに載置した半導体ウェーハの保護テープ貼着側に、検
査用照明手段で斜め方向から照射すること、 を特徴とする請求項1,2または3に記載の半導体ウェ
ーハの研磨システム。
4. The inspection device according to claim 1, wherein the semiconductor tape mounted on the inspection table in the tape check step is irradiated from an oblique direction to the protective tape sticking side by an inspection illumination means. Semiconductor wafer polishing system.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038049A (en) * 2001-11-08 2003-05-16 삼성전자주식회사 Chuck table of wafer back grinding equipment & method for wafer back grinding
JP2010137346A (en) * 2008-12-15 2010-06-24 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding machine
JP2012006090A (en) * 2010-06-22 2012-01-12 Disco Corp Grinding device
JP2013222712A (en) * 2012-04-12 2013-10-28 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device

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