JPH1065236A - マルチチャンネルrf励起ガス放電レーザ - Google Patents
マルチチャンネルrf励起ガス放電レーザInfo
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0975—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser using inductive or capacitive excitation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
目的としたもので、単一のレーザビームを使用する装置
に比べて、より高速なマーキング速度を得る。 【解決手段】 マルチチャンネルRF励起ガスレーザ装
置に関し、この装置は細長い管状誘電体ハウジング1を
有する。このハウジング1は、その内部に、誘電体ハウ
ジング1の内側表面に近接して設けた共通の細長い接地
電極2と、接地電極に沿って延伸し且つ当該接地電極の
内部に画定された複数のレーザチャンネル4と、を有す
る。レーザガスは、誘電体ハウジング1の内部に提供さ
れ、また、複数のRF電極が誘電体ハウジング1の外側
表面に沿って延伸し且つ当該外側表面に近接して配置さ
れている。各々のRF電極はレーザチャンネル4の1つ
に対して位置決めして配置されている。
Description
RF励起ガス放電レーザに係り、とくに、レーザマーキ
ング/コーディング装置に応用できるマルチチャンネル
RF励起ガス放電レーザに関する。
Sutterは、ガスレーザに使用するための電極の構成を教
示しており、これによれば、複数の電極を誘電体管の材
料の周囲に配置してレーザの横励起を可能にする種々の
構成を示している。この特許と同一の発明者による米国
特許第4891819号には、内側に折り曲げた共振器
を設け、スロットを形成した円筒状キャビティの中にR
F励起が外部から結合できるようにしたRF励起レーザ
が示されている。固定反射手段を設けることにより、コ
ンパクトなガスレーザエネルギ源を提供することができ
る。また、米国特許第5095490号には、RF励起
ガスレーザの電極の非対称な構成が開示されている。こ
れは、大きな非対称の接地電極を狭く”ホット(ho
t)”なRF電極とともに使用して円筒状の誘電体管に
ガスレーザを放電させるものである。
板の表面にマーキング印または耐久性のある変質をもた
らすために、固定反射器、ビーム管、および焦点レンズ
とともに複数のコヒーレントなレーザビームを使用する
という開示がある。
ビームを発生させるときの改善を目的としたもので、単
一のレーザビームを使用する装置に比べて、より高速な
マーキング速度を得ることができるようにしたものであ
る。
RF励起ガスレーザを使用したマルチチャンネル(デジ
タル)ガスレーザ・マーキング/コーディング装置を生
産するとき、その主要なコストは、小形でマルチの精密
に画定された光学的誘電体管の研磨およびそれらの誘電
体管を相互間で正確に位置決めする費用に関係する。本
発明はまた、この問題を解決することを目的とする。
るマルチチャンネルRF励起ガスレーザ装置は、細長い
管状の誘電体ハウジングと、前記誘電体ハウジングの内
部に前記内側表面に近接して設けられた細長い接地電極
と、前記接地電極に沿って延伸し且つ当該接地電極の内
部に画定された複数のレーザチャンネルと、前記誘電体
ハウジングの内部に提供されたレーザガスと、前記誘電
体ハウジングの前記外側表面に沿って延伸し且つ当該外
側表面に近接して配置された複数のRF電極であって、
各々のRF電極が前記レーザチャンネルの各々のチャン
ネルに対して位置決めして配置されている複数のRF電
極と、を備える。
状として、多数の様々な断面形状、例えば円形状、矩形
状、およびその他の多角形の断面形状の中のいずれか一
つに形成できるが、好ましくは、誘電体ハウジングは実
質的にD字型の断面形状を有する。
用した場合、前記接地電極はハウジングの平面側面上に
備えられ、かつ、その接地電極の表面内部に機械加工さ
れた複数のレーザチャンネルを有し、この接地電極は高
周波の電気的接地機能を果たし、かつ、発生するレーザ
ビームのためのレーザチャンネルを提供する。かかる構
成によって、精度が保証され、再現可能な機械加工面を
確実に提供できるようになる。これによって、レーザビ
ーム出力のコンシステンシー(一貫性)が確保される。
内部に互いに平行に形成することができるが、好適に
は、誘電体ハウジングの一方の端部からもう一方の端部
にかけて相互に角度を有するように形成される。角度を
付ける構成は、とくに、レーザマーキング/コーディン
グ装置において、レーザビームを個別に集束することの
代替構成として有益であり、単一の焦点レンズを利用す
ることができるようになる。角度を付けたレーザチャン
ネルを用いると、レーザビームは直接、単一のビーム集
束システムによって集束させることができる。平行レー
ザチャンネルを使用すると、レーザビームを集束レンズ
に向け直すには、さらに、個別のミラーまたはレンズを
使用することが必要になる。
ハウジング1を有し、この誘電体ハウジング1は、図1
Bおよび1Cに最も良く表されるように実質的にD字型
の断面の壁14を有する。別の構成によれば、このハウ
ジングの断面を矩形状にすることができる。誘電体ハウ
ジング1は、アルミナ(多結晶質のサファイア−Al2
O3)が好ましいが、強化ガラス(SiO2基材)、失透
ガラス(ガラスセラミックス)、または酸化金属(Be
O、TiO2など)といったガス不透過性の誘電体材料
から形成される。ハウジング1の材料は、励起源として
使用されるRFエネルギの周波数に一致する1.0MH
zから1.0GHzの帯域(純アルミナを使った場合)
のRFエネルギに対して低損失を示すことが要求され
る。ここに示したハウジング1は、長さが50cm、幅
が10cm、そして深さが5cmであり、公称壁厚が4
〜5mmである。別の構成によれば、壁厚は実質的に上
記と同程度であることが好適であるが、壁の寸法を大き
く変えることも可能である。
の場合、純アルミニウムまたはアルミニウム合金)が、
レーザハウジング1の壁または両端の2つのエンドプレ
ートの一方に接着により、または機械的に取り付けるこ
とで、平坦な内側表面3上に設けられている。この接地
電極2にはほかの金属を使用してもよく、それらの金属
には、銅、真鍮、または銅を真空めっきしたり、アルミ
ニウム、ニッケル、もしくは金をめっきした鋼鉄(例え
ばステンレス、インバー(Invar)またはコバー(Kova
r))などが含まれる。複数の細長い光学レーザチャン
ネル4は接地電極2の表面5に機械加工または鋳造さ
れ、この表面5はハウジング1の平坦な内側表面3に当
接している。図1Aに最良に示されるように、レーザチ
ャンネル4は、半径が約2〜2.5mmであり、およそ
0.5°の相対的な角形成にて互いに向けて角度が付け
られている。しかし、平行チャンネルを使った別の構成
を採用することもできる。上述よりも長い接地電極を備
えた別の構成の場合、レーザチャンネル間の角度を減ら
すことができ、チャンネルの最低半径は接地電極の長さ
の平方根に比例して拡大することができる。同様に、レ
ーザチャンネルが最も密に配置されている端部において
レーザチャンネルの間隔を適合させるために接地電極の
長さを長くした場合、接地電極の幅が増加するため、レ
ーザハウジングの幅も広げる必要があることもある。
バラストが提供され、また、個々のRF電極7は誘電体
ハウジング1の外部に沿って延伸し、そのハウジング1
の外側の平面状表面8上に、レーザチャンネル4に対し
て位置決めした状態で配置されている。一連の小さいな
孔(直径は1〜3mm)をレーザチャンネルの長さ方向
に沿って、2〜5cmずつ離して設けることができ、こ
れにより、レーザチャンネルとバラスト容積との間のガ
スの換気が生じるようにしてもよい。これらの孔はガス
がバラスト容積からレーザチャンネルに流れることがで
きるように機能し、その結果、パルスモード動作でのレ
ーザ出力パワーを上げることができる。好適には、連続
発振の炭酸ガスレーザ出力中のレーザガスの混合割合
は、波長10.6μmで、概略、二酸化炭素が12%、
窒素および/または一酸化炭素が12%、キセノンが5
%、ヘリウム71%である。二酸化炭素の割合を上げる
ことによりこの混合比を変えて、パルスレーザの動作に
最適なパフォーマンスを得ることができる。レーザガス
は、密封可能な管16を通して導入され、この密封可能
な管16を挟んで締め付けるか又は適当な弁17によっ
て弁締めして、レーザハウジングが密封される。別の構
成としては、ハウジング1のもう一方の端に第2のガス
出口を付加し、装置内でガス流を使用できるようにする
ことができる。装置内でのガス圧は典型的には、60ト
ル(Torr)であり、レーザチャンネルの半径に逆比例し
て変わる。
には、レーザ光学マウント9が従来の方法で取り付けら
れている。このエンドプレート15の少なくとも一方は
電気的に接地電極2に結合されている。このエンドプレ
ート15はアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成
しているが、その代わりとしては、銅、真鍮、または銅
を真空めっきしたり、アルミニウム、ニッケル、もしく
は金をめっきした鋼鉄(例えばステンレス、インバー
(Invar)またはコバー(Kovar))で形成することがで
きる。このエンドプレート15は、合成ゴム性のまたは
金属性のシール(図示せず)によりハウジング1に封止
される。好適には、これらエンドプレートはビトン(Vi
ton)(エラストマー)または金属インジウム合金で形
成される。この両エンドプレート15は、適当なクラン
プデバイスまたは長く捩じ切りしたロッド(図示せず)
によってハウジング1にボルト締めされており、それら
のデバイスやロッドがハウジングに高い圧縮力を与え
て、確実にエンドプレートの密封を行う。その代わり
に、この両エンドプレート15はニッケルメッキのコバ
ー(Kovar)で形成し、このプレートをアルミナ製のハ
ウジング1に高温でろう付けしてもよい。
0、10’を有しており、この反射ミラーは装置の両端
で互いに異なるものである。一方の端の反射ミラーは、
レーザ照射に対して実質的に100%の反射を呈するも
ので、例えば、所望の波長で反射率を最適化(波長1
0.6μmで反射率が99%より大)するために、反射
強化コーティング膜を有する研磨シリコンで形成される
一方、その大体の寸法は直径6mmで、厚さ3mmに形
成されている。このコーティング膜を変えて、一酸化炭
素ガスレーザおよび炭酸ガスレーザ用のほかの波長(5
〜12μm)も最適化できる。もう一方の端に設けた別
の対向するミラーは、上述と同様のサイズに形成され、
所望の波長で部分反射し(反射率90%〜95%)、そ
して反射強化コーティング膜を有するセレン化亜鉛で形
成されている。ほかに適用可能な材料は、ゲルマニウ
ム、テルル化カドミウム、およびシリコンであり、全て
反射強化コーティング膜を備えるものである。これらの
ミラーはレーザアセンブリに取り付けられ、取付けねじ
(好適にはミラー毎に3または4個)を備える光学保持
装置を使って各レーザチャンネルに対して整列させる。
これらのミラー10は、エラストマー性(例えばビトン
(Viton))または金属性(例えばインジウム金属合
金)のシールに圧縮され、各エンドプレート15に気密
に接着されるマウント9上でこのシールが支持され、こ
れにより、反射器光学系の整列用の基準面が提供され
る。
供する回路を示している。このRF励起は、RF電極7
上の高周波、高電圧の電場を使って各レーザチャンネル
4に高電圧電場を生成することで得られ、かかる高周
波、高電圧の電場は、RF発生器18で発生され、50
オームRFケーブル19を通して供給され、そして、整
合用ネットワークを介してその信号が高電圧電源に変換
されて成る200〜250ワットのRF信号によって与
えられる。その整合用ネットワークは、直列のインダク
タンス21および並列のコンデンサ22を備える。接地
電極2に接続されるエンドプレート15は、整合ネット
ワークに接地される。
ザ装置は、およそ10.6μmの波長で10〜20ワッ
トのレーザパワーを出力するように設計されている。
幾何学的形状を示しており、他のコンポーネントの構造
も対応して変更されている。同一の参照符号が用いられ
ているが、例えば、誘電体ハウジングが円形状である図
2では、接地電極2も同様に形状的に管状で、その円周
部分にわたって光学レーザチャンネル4が設けられ、ま
たは形成されていることが分かる。誘電体ハウジングが
矩形形状を示す図3の場合は図1A〜Dのものにもっと
類似しており、接地電極2が、矩形状の誘電体ハウジン
グの長い側の壁の一方と境を接する一方の平面状表面に
形成されているレーザチャンネル4を有する。
チチャンネル・レーザ装置の1つの重要な特徴は、ビー
ム集束装置を有していることである。図4は本発明にお
いて使用可能なビーム集束装置の1つの実施例を示して
おり、図5は別の実施例を示している。使用されている
レンズの幾何学的形状及び構成並びに焦点距離により、
レーザチャンネルから放射されたレーザが生成すること
ができるマークのドットサイズおよびドット間隔が決め
られ、また、ドットの分離は、集束レンズの位置におけ
るレーザビーム間の角度を変えることにより、個別に又
はグループ毎に調節することができる。図4は、対象物
13に入射するマルチビーム11を集束させるため、単
一の最終集束レンズ12を使用した第1の構成を示して
いる。図5は、同一の目的を達成するために、複数の最
終集束レンズ12を使用する例を示している。
う)を使用する幾何学的形状を示すもので、このレンズ
12はレーザチャンネル4の光学的端部から距離D1の
位置が焦点距離fであり、このレンズは集束レンズから
距離D2の位置でほぼ面状の表面に一連の集束レーザス
ポットを形成する。
ビームの内の1対の近接レーザビームについて、その光
学的構成を示すもので、回折効果を示している。図7に
おいて、レーザビームの隣接対は相互に角度φを有し、
最も接近した位置の中心間で距離Yだけ離れている。各
レーザ開口(内径W1)を出射する各レーザビームはそ
の出射開口の遠視野中に角度θで広がり、焦点距離fの
レンズによって直径W 2のスポットに集束され、隣接レ
ーザビーム11によって形成された隣接スポットから距
離Sだけ離れる。
標準的な光学理論に従えば、以下のように計算できる。
・ビームウエスト”W1”を有するレーザ開口から出射
するレーザビームのレーザビーム拡り角が与えられ、そ
れは、
する光の波長であり、πは3.14159で近似される
物理定数である。
ームの場合、掲題の大抵の標準テキストで見ることがで
きる以下の関係式が容易に導出される。すなわち、 W2 =[(1/W1 2)(1−(D1/f))2 +(1/(fθ))2]-1/2 (式2) および、 D2=f+[(D1−f)f2] /[(D1−f)2+((πW1 2)/(4λ))2] (式3) である。
いという標準条件を導入すると、”tan(φ)”の値
は”φ”に等しいと近似でき、簡単な幾何学的関係
的関係のパラメータ(”W1”,”D1”,およびφ)な
らびに光学的パラメータ(”f”および”λ”)の組が
与えれたとき、集束されたスポットサイズ”W2”、ス
ポット分離”S”を導出することができる。
レーザの波長) ”f” = 5.0cm ”W1”= 0.40cm ”D1”= 130cm ”φ” = 0.01ラジアン このため、これらの値から以下の値を導出できる。
さに対して典型的な値であり、その場合、文字高さ”
H”は、 H=(N−1)S+W2 に等しい。ここで、”N”はマークの高さを成すドット
数である。
明すると、送信されたマルチレーザビームはマルチ集束
用レンズ12によって対象物13上に集束させることが
できる。このレンズの幾何学的形状及び構成並びに焦点
距離により、対象物におけるマークのドットサイズおよ
びドット間隔が決まる。ドットの分離は、集束用レンズ
位置でのレーザチャンネルの角形成(アンギュレーショ
ン)を変化させることにより、個別にまたはグループ毎
に調整することができる。この実施例におけるスポット
サイズおよびスポット分離の計算は、ビーム集束の実施
例#1(上述の式2および4参照)で既に説明した同一
の光学的理論に従って行うことができる。
る。
である。
である。
ある。
供給回路の概略構成図である。
る。
との幾何学的関係を説明する図である。
との幾何学的関係を説明する図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 内側表面および外側表面を有する細長い
管状の誘電体ハウジングと、 前記誘電体ハウジングの内部に、前記内側表面に近接し
て設けられた細長い接地電極と、 前記接地電極に沿って延伸し且つ当該接地電極の内部に
画定された複数のレーザチャンネルと、 前記誘電体ハウジングの内部に提供されたレーザガス
と、 前記誘電体ハウジングの前記外側表面に沿って延伸し且
つ当該外側表面に近接して配置された複数のRF電極で
あって、各々のRF電極が前記レーザチャンネルの各々
のチャンネルに対して位置決めして配置されている複数
のRF電極と、を備えたマルチチャンネルRF励起ガス
レーザ装置。 - 【請求項2】 前記管状誘電体ハウジングは多角形の断
面形状を有する請求項1記載のレーザ装置。 - 【請求項3】 前記管状誘電体ハウジングは矩形の断面
形状を有する請求項2記載のレーザ装置。 - 【請求項4】 前記管状誘電体ハウジングは円形の断面
形状を有する請求項1記載のレーザ装置。 - 【請求項5】 前記管状誘電体ハウジングは、平面側面
と湾曲側面を有する実質的にD字型の断面形状を有する
請求項1記載のレーザ装置。 - 【請求項6】 前記接地電極は、前記ハウジングの前記
平面側面上に備えられ、かつ、前記側面に機械加工され
た複数のレーザチャンネルを有し、 前記接地電極は、高周波の電気的接地機能を有し、か
つ、発生するレーザビームのためのレーザチャンネルを
提供する請求項5記載のレーザ装置。 - 【請求項7】 前記レーザチャンネルは、前記接地電極
の内部で互いに平行に配置される請求項1記載のレーザ
装置。 - 【請求項8】 前記レーザチャンネルは、前記誘電体ハ
ウジングの一方の端部から他方の端部に向けて、相互に
角度をもって配置される請求項1記載のレーザ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9607959.5A GB9607959D0 (en) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | Multi-channel RF-Excited gas discharge laser |
GB9607959.5 | 1996-04-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1065236A true JPH1065236A (ja) | 1998-03-06 |
JP3841921B2 JP3841921B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=10792219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13271697A Expired - Fee Related JP3841921B2 (ja) | 1996-04-17 | 1997-04-17 | マルチチャンネルrf励起ガス放電レーザ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5854806A (ja) |
EP (1) | EP0802593B1 (ja) |
JP (1) | JP3841921B2 (ja) |
DE (1) | DE69707343T2 (ja) |
GB (1) | GB9607959D0 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6312166B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-11-06 | Nuvonyx, Inc. | Laser diode arrays and systems including structures for permitting optical power measurement therefrom |
US7400796B1 (en) * | 2003-07-08 | 2008-07-15 | Oewaves, Inc. | Whispering-gallery-mode resonator architectures and manufacturing processes |
US7046709B2 (en) * | 2003-11-18 | 2006-05-16 | Coherent, Inc. | CO2 waveguide laser with beryllium oxide waveguides |
DE102008012505B4 (de) | 2008-03-04 | 2019-02-21 | Krones Aktiengesellschaft | Streckblasmaschine mit Druckeinrichtung |
CN104009372A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-08-27 | 西华大学 | 一种相位锁定多通道板条放电阵列二氧化碳激光器 |
EP3747089B1 (en) * | 2018-01-29 | 2024-03-06 | Idea Machine Development Design & Production Ltd. | Compact coaxial laser |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4455658A (en) * | 1982-04-20 | 1984-06-19 | Sutter Jr Leroy V | Coupling circuit for use with a transversely excited gas laser |
US4464760A (en) * | 1982-04-20 | 1984-08-07 | Sutter Jr Leroy V | Elongated chambers for use in combination with a transversely excited gas laser |
US4618961A (en) * | 1982-12-16 | 1986-10-21 | Sutter Jr Leroy V | Configuration of electrodes for transversely excited gas lasers |
US4652722A (en) * | 1984-04-05 | 1987-03-24 | Videojet Systems International, Inc. | Laser marking apparatus |
US4589114A (en) * | 1984-06-19 | 1986-05-13 | Sutter Jr Leroy V | Optical mode control for a gas laser |
US4891819A (en) * | 1989-01-17 | 1990-01-02 | Sutter Jr Leroy V | RF excited laser with internally folded resonator |
US5029173A (en) * | 1990-03-19 | 1991-07-02 | Seguin Herb J J | Laser system with multiple radial discharge channels |
US5095490A (en) * | 1990-06-22 | 1992-03-10 | Directed Energy, Inc. | Asymmetric rf excited gas laser electrode configuration |
US5648980A (en) * | 1993-12-14 | 1997-07-15 | Seguin; Herb Joseph John | Excitation system for multi-channel lasers |
JPH0832155A (ja) * | 1993-12-14 | 1996-02-02 | Herb Joseph John Seguin | 複数個チャンネル レーザーの励起装置 |
-
1996
- 1996-04-17 GB GBGB9607959.5A patent/GB9607959D0/en active Pending
-
1997
- 1997-04-08 EP EP97302394A patent/EP0802593B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-08 DE DE69707343T patent/DE69707343T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-10 US US08/837,315 patent/US5854806A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-17 JP JP13271697A patent/JP3841921B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0802593A1 (en) | 1997-10-22 |
US5854806A (en) | 1998-12-29 |
EP0802593B1 (en) | 2001-10-17 |
DE69707343D1 (de) | 2001-11-22 |
JP3841921B2 (ja) | 2006-11-08 |
DE69707343T2 (de) | 2002-05-02 |
GB9607959D0 (en) | 1996-06-19 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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