JPH1064806A - Aligner - Google Patents

Aligner

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JPH1064806A
JPH1064806A JP8235881A JP23588196A JPH1064806A JP H1064806 A JPH1064806 A JP H1064806A JP 8235881 A JP8235881 A JP 8235881A JP 23588196 A JP23588196 A JP 23588196A JP H1064806 A JPH1064806 A JP H1064806A
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JP
Japan
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image
optical system
substrate
magnification
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP8235881A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahito Kumazawa
雅人 熊澤
Kinya Kato
欣也 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH1064806A publication Critical patent/JPH1064806A/en
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the occurrence of a focusing error caused by the difference between the image forming magnifications of two surface position detecting optical systems. SOLUTION: An aligner is provided with first and second projection optical systems PO1 and PO2 which project a first light pattern upon first and second substrates 1 and 2 from oblique directions and first and second image forming optical systems 4-6 and 9 which form the images of first and second light patterns at first and second image forming magnifications. The device is also provided with control means 8 and 10 which maintain the interval between the two substrates nearly constantly based on the positional information of the images of the first and second light patterns and a correcting means 9P1 which corrects the interval error between the two substrates which occurs due to the difference between the two image forming magnifications.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関し、特
に露光装置における2つの大型基板の露光用投影光学系
に対する焦点合わせに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly to a method of focusing two large substrates on an exposure projection optical system in the exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】等倍の露光用投影光学系に対してマスク
とプレートとを相対移動させながら露光を行うことによ
って、大型のマスクに形成されたパターンを大型のプレ
ート上に一括的に転写する走査型の露光装置が知られて
いる。このような走査型の露光装置では、マスクとプレ
ートとの間隔を一定に保持することにより、露光用投影
光学系に対するマスクおよびプレートの焦点合わせをす
ることができる。本出願人の出願にかかる特開平7−2
21012号公報には、マスクを介してセンサ上に形成
された投影スリット像とプレートを介してセンサ上に形
成された投影スリット像との間隔を一定に保つことによ
り、マスクとプレートとの間隔を一定に保持する焦点合
わせ系を備えた露光装置が開示されている。
2. Description of the Related Art A pattern formed on a large mask is collectively transferred onto a large plate by performing exposure while relatively moving a mask and a plate with respect to a projection optical system for exposure at the same magnification. A scanning type exposure apparatus is known. In such a scanning type exposure apparatus, the mask and the plate can be focused on the projection optical system for exposure by keeping the distance between the mask and the plate constant. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-2 filed by the present applicant
Japanese Patent No. 21012 discloses that the distance between the mask and the plate is kept constant by keeping the distance between the projected slit image formed on the sensor via the mask and the projected slit image formed on the sensor via the plate constant. An exposure apparatus having a focusing system for holding constant is disclosed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示の従来
の焦点合わせ系では、マスクを介してセンサ上に形成さ
れた投影スリット像の位置に基づいてマスク面の位置を
検出するためのマスク面位置検出光学系と、プレートを
介してセンサ上に形成された投影スリット像の位置に基
づいてプレート面の位置を検出するためのプレート面位
置検出光学系とを備えている。したがって、マスク面位
置検出光学系における結像倍率とプレート面位置検出光
学系における結像倍率とが製造誤差などに起因して互い
に異なる場合、センサ上に形成された2つの投影スリッ
ト像の間隔を一定に保っても、マスクとプレートとの間
隔を一定に保持することはできない。その結果、従来の
露光装置では、2つの面位置検出光学系の結像倍率の差
に起因してマスクとプレートとの間隔の誤差すなわち焦
点合わせ誤差が発生するという不都合があった。
In the conventional focusing system disclosed in the above publication, a mask surface for detecting a position of a mask surface based on a position of a projection slit image formed on a sensor via a mask. A position detecting optical system is provided, and a plate surface position detecting optical system for detecting the position of the plate surface based on the position of the projection slit image formed on the sensor via the plate. Therefore, when the imaging magnification in the mask surface position detection optical system and the imaging magnification in the plate surface position detection optical system are different from each other due to a manufacturing error or the like, the distance between the two projection slit images formed on the sensor is changed. Even if the distance is kept constant, the distance between the mask and the plate cannot be kept constant. As a result, in the conventional exposure apparatus, there is a disadvantage that an error in the interval between the mask and the plate, that is, a focusing error occurs due to a difference in imaging magnification between the two surface position detecting optical systems.

【0004】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、2つの面位置検出光学系の結像倍率の差に起
因した焦点合わせ誤差の発生を回避することのできる露
光装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides an exposure apparatus capable of avoiding occurrence of a focusing error due to a difference in imaging magnification between two surface position detecting optical systems. The purpose is to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、第1基板上に形成されたパター
ンをほぼ等倍の露光用投影光学系を介して感光性の第2
基板上に転写する露光装置において、前記第1基板上に
所定形状の第1の光パターンを斜方向から投射するため
の第1投射光学系と、前記第1の光パターンからの光を
集光して、第1の結像倍率のもとで前記第1の光パター
ンの像を形成するための第1結像光学系と、前記第2基
板上に所定形状の第2の光パターンを斜方向から投射す
るための第2投射光学系と、前記第2の光パターンから
の光を集光して、前記第1の結像倍率とほぼ等しい第2
の結像倍率のもとで前記第2の光パターンの像を形成す
るための第2結像光学系と、前記第1および第2の光パ
ターンの像を受光し、前記第1の光パターンの像の位置
情報および前記第2の光パターンの像の位置情報を出力
するための受光手段と、前記第1の光パターンの像の位
置情報と前記第2の光パターンの像の位置情報とに基づ
いて、前記第1基板と前記第2基板との間隔をほぼ一定
に保つための制御手段と、前記第1の結像倍率と前記第
2の結像倍率との差に起因して発生する前記第1基板と
前記第2基板との間隔の誤差を補正するための補正手段
と、を備えていることを特徴とする露光装置を提供す
る。
In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a pattern formed on a first substrate is exposed to a light-sensitive second image through a projection optical system for exposure of approximately equal magnification.
In an exposure apparatus for transferring onto a substrate, a first projection optical system for projecting a first light pattern of a predetermined shape on the first substrate from an oblique direction, and condensing light from the first light pattern Then, a first imaging optical system for forming an image of the first light pattern at a first imaging magnification and a second light pattern having a predetermined shape on the second substrate are inclined. A second projection optical system for projecting light from the second direction, and a second projection optical system for condensing light from the second light pattern so as to be substantially equal to the first imaging magnification.
A second imaging optical system for forming an image of the second light pattern at an imaging magnification of; and receiving the images of the first and second light patterns, the first light pattern Light receiving means for outputting position information of the image of the second light pattern and position information of the image of the second light pattern; position information of the image of the first light pattern and position information of the image of the second light pattern; Control means for keeping the distance between the first substrate and the second substrate substantially constant, based on a difference between the first imaging magnification and the second imaging magnification. And a correcting means for correcting an error in the distance between the first substrate and the second substrate.

【0006】本発明の好ましい態様によれば、前記補正
手段は、前記第1の結像倍率と前記第2の結像倍率との
差を補正するために、前記第1結像光学系および前記第
2結像光学系のうちの少なくとも一方の結像光学系に設
けられた倍率補正手段であり、前記制御手段は、前記第
1の光パターンの像と前記第2の光パターンの像との間
隔をほぼ一定に保つことによって、前記第1基板と前記
第2基板との間隔をほぼ一定に制御する。この場合、前
記第1結像光学系および前記第2結像光学系のうちの少
なくとも一方の結像光学系は、光軸に沿って固定された
第1部分系と光軸に沿って移動可能な第2部分系とを有
し、前記倍率補正手段は、前記第2部分系を光軸に沿っ
て所定距離だけ移動させることによって、前記第1の結
像倍率と前記第2の結像倍率との差を補正することが好
ましい。また、本発明の別の好ましい態様によれば、前
記補正手段は、前記第1の結像倍率と前記第2の結像倍
率との差に基づいて、前記第1の光パターンの像の位置
情報および前記第2の光パターンの像の位置情報のうち
の少なくとも一方の位置情報を補正するための位置情報
補正手段であり、前記制御手段は、前記位置情報補正手
段を介して補正された前記第1の光パターンの像の位置
情報と前記第2の光パターンの像の位置情報とに基づい
て、前記第1基板と前記第2基板との間隔をほぼ一定に
制御する。
According to a preferred aspect of the present invention, the correcting means corrects the difference between the first image forming magnification and the second image forming magnification by using the first image forming optical system and the first image forming optical system. Magnification correction means provided in at least one of the second imaging optical systems, wherein the control means is configured to control an image of the first light pattern and an image of the second light pattern. By keeping the distance substantially constant, the distance between the first substrate and the second substrate is controlled to be substantially constant. In this case, at least one of the first imaging optical system and the second imaging optical system is movable along the optical axis with the first subsystem fixed along the optical axis. A second subsystem, wherein the magnification correction means moves the second subsystem by a predetermined distance along the optical axis, thereby providing the first imaging magnification and the second imaging magnification. It is preferable to correct the difference. Further, according to another preferred aspect of the present invention, the correction unit is configured to determine a position of an image of the first light pattern based on a difference between the first imaging magnification and the second imaging magnification. Position information correcting means for correcting position information of at least one of information and position information of an image of the second light pattern, wherein the control means corrects the position information via the position information correcting means. The distance between the first substrate and the second substrate is controlled to be substantially constant based on the position information of the image of the first light pattern and the position information of the image of the second light pattern.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】図2は、本発明における面位置検
出の原理を説明する図である。図2において、図示を省
略した投射光学系を介して入射角θで基板面1に入射し
た光線R11は、基板面1上の位置PAF1にスリット
像を形成する。基板面1に形成されたスリット像からの
反射光線R12は、基板面1側にテレセントリックな結
像光学系5を介して光線R13となり、イメージセンサ
7上の位置PPS1にスリット像を再形成する。ここ
で、結像光学系5の結像倍率をβとすると、イメージセ
ンサ7上の位置PPS1には、基板面1上の位置PAF
1に形成されたスリット像の倍率βの投影スリット像が
形成されることになる。
FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of surface position detection according to the present invention. In FIG. 2, a light beam R11 incident on the substrate surface 1 at an incident angle θ via a projection optical system (not shown) forms a slit image at a position PAF1 on the substrate surface 1. The reflected light beam R12 from the slit image formed on the substrate surface 1 becomes a light beam R13 via the telecentric imaging optical system 5 on the substrate surface 1 side, and re-forms the slit image at the position PPS1 on the image sensor 7. Here, assuming that the imaging magnification of the imaging optical system 5 is β, the position PPS1 on the image sensor 7 is replaced by the position PAF on the substrate surface 1.
A projection slit image having a magnification β of the slit image formed in 1 is formed.

【0008】基板面1が図中破線で示すようにδだけ下
方に移動すると、投射光学系を介して入射角θで基板面
1に入射した光線R11は、基板面1上の位置PAF
1’に到達し、基板面1からの反射光線R12’は、結
像光学系5を介して光線R13’となり、イメージセン
サ7上において位置PPS1から距離Δだけ間隔を隔て
た位置PPS1’にスリット像を再形成する。
When the substrate surface 1 moves downward by δ as shown by a broken line in the figure, the light beam R11 incident on the substrate surface 1 at an incident angle θ via the projection optical system is moved to a position PAF on the substrate surface 1.
1 ', the reflected light beam R12' from the substrate surface 1 becomes a light beam R13 'via the imaging optical system 5, and is slit on the image sensor 7 at a position PPS1' separated from the position PPS1 by a distance Δ. Recreate the image.

【0009】基板面1の移動量δと、イメージセンサ7
上におけるスリット像の形成位置の移動量Δとの間に
は、次の式(1)に示す関係が成立する。
The movement amount δ of the substrate surface 1 and the image sensor 7
The relationship shown in the following equation (1) is established between the above and the movement amount Δ of the slit image formation position.

【数1】δ=Δ/(2β sinθ) (1) このように、図2に示す面位置検出光学系では、イメー
ジセンサ7上におけるスリット像の形成位置の移動量Δ
に基づいて、検出面である基板面1の移動量δを、ひい
ては基板面1の面位置を検出することができる。
Δ = Δ / (2β sin θ) (1) As described above, in the surface position detection optical system shown in FIG. 2, the movement amount Δ of the slit image formation position on the image sensor 7
, The amount of movement δ of the substrate surface 1 as the detection surface, and thus the surface position of the substrate surface 1 can be detected.

【0010】図3は、従来技術において2つの面位置検
出光学系の結像倍率の差に起因して発生する焦点合わせ
誤差について説明する図である。図3において、図示を
省略した投射光学系を介してマスク面のような基板面1
に入射角θで入射した光線R11は、基板面1上の位置
PAF1にスリット像を形成する。基板面1に形成され
たスリット像からの反射光線R12は、反射鏡4、結像
光学系5および直角反射プリズム6を介して光線R13
となり、イメージセンサ7上の位置PPS1にスリット
像を再形成する。すなわち、イメージセンサ7上の位置
PPS1には、基板面1上の位置PAF1に形成された
スリット像の倍率β1(結像光学系5の結像倍率)の投
影スリット像が形成される。
FIG. 3 is a view for explaining a focusing error which occurs in the prior art due to a difference in imaging magnification between two surface position detecting optical systems. In FIG. 3, a substrate surface 1 such as a mask surface is connected via a projection optical system (not shown).
Incident on the substrate surface 1 at an incident angle θ forms a slit image at a position PAF1 on the substrate surface 1. The reflected light R12 from the slit image formed on the substrate surface 1 passes through the reflecting mirror 4, the imaging optical system 5, and the right-angle reflecting prism 6 to form a light R13.
And a slit image is re-formed at the position PPS1 on the image sensor 7. That is, at the position PPS1 on the image sensor 7, a projection slit image having the magnification β1 (imaging magnification of the imaging optical system 5) of the slit image formed at the position PAF1 on the substrate surface 1 is formed.

【0011】基板面1が図中破線で示すようにδ1だけ
上方に移動すると、投射光学系を介して入射角θで基板
面1に入射した光線R11は、基板面1上の位置PAF
1’に到達し、基板面1からの反射光線R12’は、反
射鏡4、結像光学系5および直角反射プリズム6を介し
て光線R13’となり、イメージセンサ7上において位
置PPS1から図中上方にΔ1だけ移動した位置PPS
1’にスリット像を再形成する。
When the substrate surface 1 moves upward by δ1 as shown by a broken line in the figure, the light beam R11 incident on the substrate surface 1 at an incident angle θ via the projection optical system is moved to a position PAF on the substrate surface 1.
1 ', the reflected light beam R12' from the substrate surface 1 becomes a light beam R13 'via the reflecting mirror 4, the imaging optical system 5, and the right-angle reflecting prism 6, and becomes upward from the position PPS1 on the image sensor 7 in the figure. Position PPS moved by Δ1
Re-form the slit image at 1 '.

【0012】一方、図示を省略した別の投射光学系を介
してプレート面のような基板面2に入射角θで入射した
光線R21は、基板面2上の位置PAF2にスリット像
を形成する。基板面2に形成されたスリット像からの反
射光線R22は、反射鏡4’、結像光学系5’および直
角反射プリズム6を介して光線R23となり、イメージ
センサ7上の位置PPS2にスリット像を再形成する。
すなわち、イメージセンサ7上の位置PPS2には、基
板面2上の位置PAF2に形成されたスリット像の倍率
β2(結像光学系5’の結像倍率)の投影スリット像が
形成される。
On the other hand, the light ray R21 incident on the substrate surface 2 such as a plate surface at an incident angle θ via another projection optical system (not shown) forms a slit image at a position PAF2 on the substrate surface 2. The reflected light beam R22 from the slit image formed on the substrate surface 2 becomes a light beam R23 via the reflecting mirror 4 ', the imaging optical system 5' and the right-angle reflecting prism 6, and the slit image is formed at the position PPS2 on the image sensor 7. Reshape.
That is, at the position PPS2 on the image sensor 7, a projection slit image having a magnification β2 (imaging magnification of the imaging optical system 5 ′) of the slit image formed at the position PAF2 on the substrate surface 2 is formed.

【0013】基板面2が図中破線で示すようにδ2だけ
下方に移動すると、投射光学系を介して入射角θで基板
面2に入射した光線R21は、基板面2上の位置PAF
2’に到達し、基板面2からの反射光線R22’は、反
射鏡4’、結像光学系5’および直角反射プリズム6を
介して光線R23’となり、イメージセンサ7上におい
て位置PPS2から図中下方にΔ2だけ移動した位置P
PS2’スリット像を再形成する。
When the substrate surface 2 moves downward by δ2 as shown by the broken line in the figure, the light beam R21 incident on the substrate surface 2 at the incident angle θ via the projection optical system is moved to the position PAF on the substrate surface 2.
2 ', the reflected light beam R22' from the substrate surface 2 becomes a light beam R23 'via a reflecting mirror 4', an imaging optical system 5 'and a right-angle reflecting prism 6, and is reflected from the position PPS2 on the image sensor 7. Position P moved by Δ2 in the middle and lower direction
The PS2 'slit image is re-formed.

【0014】このように、基板面1および基板面2がそ
れぞれ図中実線で示す位置にあるとき、イメージセンサ
7上に形成される2つのスリット像の間隔はΔ12であ
る。しかしながら、図中破線で示すように、基板面1が
δ1だけ上方へ移動し基板面2がδ2だけ下方へ移動す
ると、イメージセンサ7上に形成される2つのスリット
像の間隔はΔ12’に広がる。イメージセンサ7上にお
ける2つのスリット像の間隔の変化量δΔは、次の式
(2)で表される。
As described above, when the substrate surface 1 and the substrate surface 2 are respectively located at positions shown by solid lines in the drawing, the interval between the two slit images formed on the image sensor 7 is Δ12. However, when the substrate surface 1 moves upward by δ1 and the substrate surface 2 moves downward by δ2 as shown by a broken line in the drawing, the interval between the two slit images formed on the image sensor 7 increases to Δ12 ′. . The change amount δΔ of the interval between the two slit images on the image sensor 7 is represented by the following equation (2).

【数2】 δΔ=Δ12’−Δ12 =2(β1δ1−β2δ2) sinθ (2)Δ = Δ12′−Δ12 = 2 (β1δ1-β2δ2) sinθ (2)

【0015】また、結像光学系5の結像倍率β1と結像
光学系5’の結像倍率β2との差すなわち倍率誤差dβ
(dβ=β2−β1)を用いて、上述の式(2)を次の
式(3)のように変形することができる。
The difference between the imaging magnification β1 of the imaging optical system 5 and the imaging magnification β2 of the imaging optical system 5 ', that is, a magnification error dβ
Using (dβ = β2−β1), the above equation (2) can be modified to the following equation (3).

【数3】 δΔ=2{β1δ1−(β1+dβ)δ2} sinθ =2{β1(δ1−δ2)−dβδ2} sinθ (3)ΔΔ = 2 β1δ1- (β1 + dβ) δ2} sinθ = 2 {β1 (δ1-δ2) -dβδ2} sinθ (3)

【0016】上述の式(3)を参照すると、δΔ=0と
なる条件は、次の式(4)に示す関係が成立することで
ある。
Referring to the above equation (3), the condition for δΔ = 0 is that the relationship shown in the following equation (4) is established.

【数4】δ1−δ2=dβδ2/β1 (4)Δ1−δ2 = dβδ2 / β1 (4)

【0017】上述の式(4)において、倍率誤差dβ=
0であれば、δ1−δ2=0となる。すなわち、2つの
結像光学系5と5’との間に結像倍率の差がなければ、
イメージセンサ7上における2つのスリット像の間隔Δ
12を一定に保つことにより、2つの基板面1と2との
間隔を一定に保持することができる。しかしながら、2
つの結像光学系5と5’との間に結像倍率の差がある場
合、イメージセンサ7上における2つのスリット像の間
隔Δ12を一定に保ったとしても、2つの基板面1と2
との間隔にはdβδ2/β1の誤差が発生することにな
る。
In the above equation (4), the magnification error dβ =
If 0, δ1−δ2 = 0. That is, if there is no difference in imaging magnification between the two imaging optical systems 5 and 5 ',
Distance Δ between two slit images on image sensor 7
By keeping 12 constant, the distance between the two substrate surfaces 1 and 2 can be kept constant. However, 2
When there is a difference in the imaging magnification between the two imaging optical systems 5 and 5 ′, even if the distance Δ12 between the two slit images on the image sensor 7 is kept constant, the two substrate surfaces 1 and 2
An error of dβδ2 / β1 occurs in the interval between.

【0018】そこで、本発明では、2つの結像倍率の差
に起因して発生する2つの基板の間隔の誤差を補正する
ための補正手段を備えている。補正手段は、たとえば2
つの結像倍率の差を補正するために、一方の結像光学系
に設けられた倍率補正手段であり、2つの光パターン
(たとえばスリット像)の像の間隔をほぼ一定に保つこ
とによって、2つの基板の間隔をほぼ一定に制御する。
さらに具体的には、一方の結像光学系は、光軸に沿って
固定された第1部分系と光軸に沿って移動可能な第2部
分系とを有する。そして、倍率補正手段は、第2部分系
を光軸に沿って所定距離だけ移動させることによって、
2つの結像倍率の差を補正する。また、補正手段は、た
とえば2つの結像倍率の差に基づいて、少なくとも一方
の光パターンの像の位置情報を補正する位置情報補正手
段であり、2つの光パターンの像の補正された位置情報
に基づいて、2つの基板の間隔をほぼ一定に制御する。
In view of the above, the present invention includes a correcting means for correcting an error in the interval between the two substrates caused by the difference between the two imaging magnifications. The correction means is, for example, 2
Magnification correction means provided in one of the imaging optical systems to correct the difference between the two imaging magnifications, and by keeping the distance between the images of two light patterns (for example, slit images) substantially constant, The distance between the two substrates is controlled to be substantially constant.
More specifically, one of the imaging optical systems includes a first subsystem fixed along the optical axis and a second subsystem movable along the optical axis. Then, the magnification correction means moves the second subsystem by a predetermined distance along the optical axis,
The difference between the two imaging magnifications is corrected. The correction means is position information correction means for correcting the position information of at least one of the light pattern images based on, for example, a difference between the two imaging magnifications. , The distance between the two substrates is controlled to be substantially constant.

【0019】なお、露光用投影光学系に対して2つの大
型基板を所定方向に沿って相対移動させながらパターン
転写を行う走査型の露光装置に本発明を適用することも
できる。この場合、走査露光中において2つの基板の間
隔を常にほぼ一定に保つことができる。以上のように、
本発明では、倍率の補正や像位置情報の補正によって、
2つの結像倍率の差に起因した2つの基板の間隔の誤差
の発生を抑える。その結果、2つの基板の間隔をほぼ一
定に保持した状態で露光を行うことができ、転写パター
ンの焦点ずれを実質的に回避することができる。
The present invention can also be applied to a scanning type exposure apparatus which transfers a pattern while relatively moving two large substrates along a predetermined direction with respect to an exposure projection optical system. In this case, the interval between the two substrates can be always kept substantially constant during the scanning exposure. As mentioned above,
In the present invention, by correcting the magnification and correcting the image position information,
An occurrence of an error in the interval between the two substrates due to the difference between the two imaging magnifications is suppressed. As a result, exposure can be performed with the distance between the two substrates kept substantially constant, and defocusing of the transfer pattern can be substantially avoided.

【0020】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の要
部の構成を概略的に示す図である。図1において、第2
基板であるプレート2の露光面の法線方向にY軸を、プ
レート2の露光面内において図1の紙面に平行にX軸
を、プレート2の露光面内において図1の紙面に垂直に
Z軸をそれぞれ設定している。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the second
The X axis is parallel to the plane of FIG. 1 in the exposure plane of the plate 2, and the Z axis is perpendicular to the plane of FIG. 1 in the exposure plane of the plate 2. Each axis is set.

【0021】本実施例の露光装置では、転写すべきパタ
ーンが形成された第1基板であるマスク1を照明光学系
(不図示)により照明する。マスク1を透過した光は、
等倍正立の露光用投影光学系3を介して、感光性の第2
基板であるプレート2にマスクパターン像を形成する。
こうして、露光用投影光学系3に対してマスク1とプレ
ート2とを一体的にZ軸方向に沿って相対移動させるこ
とによって、マスク1のパターン領域の全体に形成され
たパターンを、プレート2の露光領域の全体に亘って一
括的に転写することができる。なお、プレート2は、Y
方向に沿って移動可能なプレートステージ10に支持さ
れている。
In the exposure apparatus of the present embodiment, the mask 1, which is the first substrate on which the pattern to be transferred is formed, is illuminated by an illumination optical system (not shown). The light transmitted through the mask 1 is
Through the exposure optical system 3 for exposure at the same magnification, the second photosensitive
A mask pattern image is formed on a plate 2 serving as a substrate.
In this way, the mask 1 and the plate 2 are integrally moved relative to the exposure projection optical system 3 along the Z-axis direction, so that the pattern formed over the entire pattern area of the mask 1 is It is possible to collectively transfer the entire exposure area. The plate 2 is Y
It is supported on a plate stage 10 that can move along the direction.

【0022】上述したように、露光用投影光学系3は、
等倍の光学系である。したがって、マスク1が+Y方向
にΔYだけ移動すると、露光用投影光学系3を介して形
成されるマスクパターン像の結像位置は+Y方向にΔY
だけ移動する。すなわち、等倍の露光用投影光学系を用
いた露光装置では、マスク1とプレート2との間隔を一
定に保ちながら露光を行うことによって、転写パターン
の焦点ずれを回避することができる。
As described above, the exposure projection optical system 3
It is a 1 × optical system. Therefore, when the mask 1 moves by ΔY in the + Y direction, the image forming position of the mask pattern image formed via the projection optical system 3 for exposure is ΔY in the + Y direction.
Just move. That is, in the exposure apparatus using the projection optical system for exposure at the same magnification, by performing exposure while keeping the distance between the mask 1 and the plate 2 constant, it is possible to avoid the defocus of the transfer pattern.

【0023】そこで、本実施例の露光装置は、マスク1
とプレート2との間隔を一定に保持するための焦点合わ
せ系(オートフォーカス系)AFを備えている。焦点合
わせ系AFにおいて、光源11から射出された光は、レ
ンズ12を介してスリット板SL1を照明する。スリッ
ト板SL1には、図1の紙面に垂直に延びたスリット状
の開口部が形成されている。スリット板SL1の開口部
を介した光線R11は、レンズ13を介して、マスク1
のパターン面 (図中下側の面)に入射角θで斜入射す
る。こうして、マスク1のパターン面上の位置PAF1
には、スリット板SL1の開口部の像すなわちスリット
像が形成される。このように、光源11、レンズ12、
スリット板SL1およびレンズ13は、マスク1のパタ
ーン面上にスリット像のような所定形状の光パターンを
斜方向から投射するための投射光学系PO1を構成して
いる。
Therefore, the exposure apparatus of the present embodiment uses the mask 1
A focusing system (autofocus system) AF for keeping the distance between the lens and the plate 2 constant. In the focusing AF, light emitted from the light source 11 illuminates the slit plate SL1 via the lens 12. The slit plate SL1 has a slit-shaped opening extending perpendicularly to the plane of FIG. The light beam R11 passing through the opening of the slit plate SL1 passes through the lens 13 through the mask 1
Obliquely incident on the pattern surface (lower surface in the figure) at an incident angle θ. Thus, the position PAF1 on the pattern surface of the mask 1
, An image of the opening of the slit plate SL1, that is, a slit image is formed. Thus, the light source 11, the lens 12,
The slit plate SL1 and the lens 13 constitute a projection optical system PO1 for projecting a light pattern of a predetermined shape such as a slit image on the pattern surface of the mask 1 from an oblique direction.

【0024】マスク1のパターン面に形成されたスリッ
ト像からの反射光線R12は、反射鏡4で図中下方へ反
射された後、物体側(マスク1側)にテレセントリック
な結像光学系5に入射する。結像光学系5を介した光線
R12は、結像光学系5の後側焦点位置に位置決めされ
た開口絞りAP1を介して、直角反射プリズム6に入射
する。直角反射プリズム6で図中右側へ反射された光
は、光線R13となり、イメージセンサ7上の位置PP
S1にスリット像を再形成する。すなわち、イメージセ
ンサ7上の位置PPS1には、マスク1のパターン面上
の位置PAF1に形成されたスリット像の倍率βm(マ
スク側の結像光学系5の結像倍率)の投影スリット像
(光パターンの像)が形成される。
The reflected light beam R12 from the slit image formed on the pattern surface of the mask 1 is reflected downward by the reflecting mirror 4 in the figure, and then is reflected by the imaging optical system 5 which is telecentric toward the object side (mask 1 side). Incident. The light beam R12 passing through the imaging optical system 5 enters the right-angle reflecting prism 6 via the aperture stop AP1 positioned at the rear focal position of the imaging optical system 5. The light reflected to the right side in the figure by the right-angle reflecting prism 6 becomes a light ray R13, and the position PP
A slit image is re-formed at S1. That is, at the position PPS1 on the image sensor 7, a projection slit image (light) of magnification βm (imaging magnification of the imaging optical system 5 on the mask side) of the slit image formed at the position PAF1 on the pattern surface of the mask 1 is formed. An image of the pattern) is formed.

【0025】一方、光源11’から射出された光は、レ
ンズ12’を介してスリット板SL2を照明する。スリ
ット板SL2には、図1の紙面に垂直に延びたスリット
状の開口部が形成されている。スリット板SL2の開口
部を介した光は、レンズ13’を介して、プレート2の
露光面(図中上側の面)に入射角θで斜入射する。こう
して、プレート2の露光面上の位置PAF2には、スリ
ット板SL2の開口部の像すなわちスリット像が形成さ
れる。このように、光源11’、レンズ12’、スリッ
ト板SL2およびレンズ13’は、プレート2の露光面
上にスリット像のような所定形状の光パターンを斜方向
から投射するための投射光学系PO2を構成している。
On the other hand, the light emitted from the light source 11 'illuminates the slit plate SL2 via the lens 12'. The slit plate SL2 has a slit-shaped opening extending perpendicularly to the plane of FIG. The light passing through the opening of the slit plate SL2 obliquely enters the exposure surface (upper surface in the drawing) of the plate 2 at an incident angle θ via the lens 13 ′. Thus, an image of the opening of the slit plate SL2, that is, a slit image is formed at the position PAF2 on the exposure surface of the plate 2. As described above, the light source 11 ′, the lens 12 ′, the slit plate SL 2 and the lens 13 ′ are provided with the projection optical system PO 2 for projecting a light pattern having a predetermined shape such as a slit image on the exposure surface of the plate 2 from an oblique direction. Is composed.

【0026】プレート2の露光面に形成されたスリット
像からの反射光線R22は、反射鏡4’で図中上方へ反
射された後、物体側(プレート2側)にテレセントリッ
クな結像光学系9に入射する。なお、結像光学系9は、
光軸に沿って移動可能な部分系9P1と光軸に沿って固
定された部分系9P2とから構成されている。結像光学
系9を介した光線R22は、結像光学系9の後側焦点位
置に位置決めされた開口絞りAP2を介して、直角反射
プリズム6に入射する。直角反射プリズム6で図中右側
へ反射された光は、光線R23となり、イメージセンサ
7上の位置PPS2にスリット像を再形成する。すなわ
ち、イメージセンサ7上の位置PPS2には、プレート
2の露光面上の位置PAF2に形成されたスリット像の
倍率βp(プレート側の結像光学系9の結像倍率)の投
影スリット像(光パターンの像)が形成される。
The reflected light beam R22 from the slit image formed on the exposure surface of the plate 2 is reflected upward by a reflecting mirror 4 'in the figure, and then is telecentrically formed on the object side (plate 2 side). Incident on. The imaging optical system 9 is
It is composed of a subsystem 9P1 movable along the optical axis and a subsystem 9P2 fixed along the optical axis. The light beam R22 passing through the imaging optical system 9 enters the right-angle reflecting prism 6 via the aperture stop AP2 positioned at the rear focal position of the imaging optical system 9. The light reflected to the right side in the figure by the right-angle reflecting prism 6 becomes a ray R23, and re-forms a slit image at the position PPS2 on the image sensor 7. That is, at the position PPS2 on the image sensor 7, a projected slit image (light) of the magnification βp (imaging magnification of the plate-side imaging optical system 9) of the slit image formed at the position PAF2 on the exposure surface of the plate 2 An image of the pattern) is formed.

【0027】イメージセンサ7は、2つのスリット像が
形成される位置PPS1とPPS2との間隔に関する情
報を制御系8に供給する。制御系8は、イメージセンサ
7からの位置情報に基づいて、不図示の駆動系を介して
プレートステージ10をY軸方向に沿って適宜駆動し、
マスク1のパターン面とプレート2の露光面との間隔L
が露光中ほぼ一定になるように制御する。
The image sensor 7 supplies to the control system 8 information on the interval between the positions PPS1 and PPS2 where two slit images are formed. The control system 8 appropriately drives the plate stage 10 along the Y-axis direction via a drive system (not shown) based on the position information from the image sensor 7,
Distance L between pattern surface of mask 1 and exposure surface of plate 2
Is controlled to be substantially constant during exposure.

【0028】前述したように、本実施例では、プレート
側の結像光学系9が光軸に沿って移動可能な部分系9P
1と光軸に沿って固定された部分系9P2とから構成さ
れている。したがって、マスク側の結像光学系5の結像
倍率βmとプレート側の結像光学系9の結像倍率βpと
の間に、たとえば製造誤差に起因する倍率誤差があって
も、部分系9P1を光軸に沿って(Y軸方向に沿って)
適宜移動させることによって、2つの結像光学系の倍率
誤差を補正することができる。そして、2つの結像光学
系の倍率誤差を補正した状態においてイメージセンサ7
上における2つのスリット像の間隔を一定に保つことに
より、マスク1のパターン面とプレート2の露光面との
間隔Lを常に一定に保持することができる。その結果、
転写パターンの焦点ずれのない高精度な露光が可能とな
る。
As described above, in the present embodiment, the image forming optical system 9 on the plate side is a subsystem 9P that can move along the optical axis.
1 and a subsystem 9P2 fixed along the optical axis. Therefore, even if there is a magnification error due to, for example, a manufacturing error between the imaging magnification βm of the imaging optical system 5 on the mask side and the imaging magnification βp of the imaging optical system 9 on the plate side, the subsystem 9P1 Along the optical axis (along the Y-axis direction)
By appropriately moving, the magnification error between the two imaging optical systems can be corrected. Then, in a state where the magnification error between the two imaging optical systems is corrected, the image sensor 7
By keeping the interval between the two upper slit images constant, the interval L between the pattern surface of the mask 1 and the exposure surface of the plate 2 can be always kept constant. as a result,
High-precision exposure without defocusing of the transfer pattern becomes possible.

【0029】なお、上述の実施例において、マスク1の
図中上側の面(パターン面とは反対側の裏面)での反射
光に基づいてイメージセンサ7上で形成されるスリット
像の位置が位置PPS1よりも図中上側になるととも
に、プレート2の図中下側の面(露光面とは反対側の裏
面)での反射光に基づいてイメージセンサ7上で形成さ
れるスリット像の位置が位置PPS2よりも図中下側に
なるように、直角反射プリズム6の反射偏向方向を規定
することが望ましい。
In the above-described embodiment, the position of the slit image formed on the image sensor 7 based on the reflected light on the upper surface of the mask 1 (the back surface opposite to the pattern surface) in the figure is determined. The position of the slit image formed on the image sensor 7 based on the reflected light on the lower surface of the plate 2 (the back surface opposite to the exposure surface) in FIG. It is desirable to define the reflection deflection direction of the right-angle reflection prism 6 so as to be lower than the PPS 2 in the figure.

【0030】なお、上述の実施例においては、マスク側
の結像光学系5の結像倍率βmとプレート側の結像光学
系9の結像倍率βpとを一致させた状態で、マスク1の
パターン面とプレート2の露光面との間隔Lを常に一定
に保持している。すなわち、2つの結像光学系の倍率誤
差を補正した状態で、間隔Lを常に一定に保持してい
る。しかしながら、2つの結像光学系の倍率誤差を残留
させた状態で、マスク1のパターン面とプレート2の露
光面との間隔Lを常に一定に保持することも可能であ
る。以下、倍率誤差を補正することなく、像の形成位置
情報を補正することによって間隔Lを常に一定に保持す
る方法について説明する。
In the above-described embodiment, the mask 1 with the imaging magnification βm of the imaging optical system 9 on the mask side and the imaging magnification βp of the imaging optical system 9 on the plate side are matched. The distance L between the pattern surface and the exposure surface of the plate 2 is always kept constant. That is, the interval L is always kept constant while the magnification error between the two imaging optical systems is corrected. However, it is also possible to always keep the distance L between the pattern surface of the mask 1 and the exposure surface of the plate 2 constant while the magnification error of the two imaging optical systems remains. Hereinafter, a description will be given of a method of keeping the interval L constant by correcting the image formation position information without correcting the magnification error.

【0031】まず、マスク1を所定距離δ1だけY方向
に沿って移動させたときのイメージセンサ7上でのスリ
ット像の移動量Δ1を検出する。そして、マスク1の移
動量δ1とイメージセンサ7上でのスリット像の移動量
Δ1との関係から上述の式(1)にしたがって、マスク
側の結像光学系5の結像倍率βmを求める。同様に、プ
レート2を所定距離δ2だけY方向に沿って移動させた
ときのイメージセンサ7上でのスリット像の移動量Δ2
を検出する。そして、プレート2の移動量δ2とイメー
ジセンサ7上でのスリット像の移動量Δ2との関係から
上述の式(1)にしたがって、プレート側の結像光学系
9の結像倍率βpを求める。
First, the moving amount Δ1 of the slit image on the image sensor 7 when the mask 1 is moved along the Y direction by a predetermined distance δ1 is detected. Then, based on the relationship between the movement amount δ1 of the mask 1 and the movement amount Δ1 of the slit image on the image sensor 7, the image forming magnification βm of the image forming optical system 5 on the mask side is obtained according to the above equation (1). Similarly, the moving amount Δ2 of the slit image on the image sensor 7 when the plate 2 is moved along the Y direction by a predetermined distance δ2
Is detected. Then, the imaging magnification βp of the plate-side imaging optical system 9 is obtained from the relationship between the movement amount δ2 of the plate 2 and the movement amount Δ2 of the slit image on the image sensor 7 according to the above-described equation (1).

【0032】結像光学系5の結像倍率βmと結像光学系
9の結像倍率βpとが異なる場合、たとえばイメージセ
ンサ7上でのスリット像の実際の移動量Δ2に補正係数
を乗じることにより、結像光学系9の結像倍率βpが結
像光学系5の結像倍率βmと一致している理想状態にお
ける補正移動量Δ2’を求める。こうして、制御系8で
は、マスク1の移動に伴うスリット像の実際移動量Δ1
とプレート2の移動に伴うスリット像の補正移動量Δ
2’とが一致するように制御することにより、マスク1
のパターン面とプレート2の露光面との間隔Lを常に一
定に保持することができる。
When the imaging magnification βm of the imaging optical system 5 is different from the imaging magnification βp of the imaging optical system 9, for example, the actual movement amount Δ2 of the slit image on the image sensor 7 is multiplied by a correction coefficient. Thus, the correction movement amount Δ2 ′ in the ideal state where the imaging magnification βp of the imaging optical system 9 matches the imaging magnification βm of the imaging optical system 5 is obtained. Thus, in the control system 8, the actual movement amount Δ1 of the slit image accompanying the movement of the mask 1
And correction amount Δ of slit image due to movement of plate 2
By controlling so that 2 ′ coincides, the mask 1
The distance L between the pattern surface and the exposure surface of the plate 2 can always be kept constant.

【0033】なお、上述の実施例では、等倍の露光用投
影光学系に対して大型のマスクと大型のプレートとを相
対移動させながら露光を行うことによってマスクパター
ンをプレート上に一括的に転写する走査型の露光装置に
本発明を適用している。しかしながら、等倍の露光用投
影光学系を有する非走査型の露光装置に対して本発明を
適用することもできる。また、上述の実施例では、各基
板面上において所定方向に延びたスリット像を形成して
いるが、一般に所定形状を有する光パターンを斜方向か
ら投射してもよいことは明らかである。
In the above-described embodiment, the mask pattern is collectively transferred onto the plate by performing exposure while relatively moving the large mask and the large plate with respect to the projection optical system for exposure at the same magnification. The present invention is applied to a scanning type exposure apparatus. However, the present invention can also be applied to a non-scanning type exposure apparatus having a 1 × exposure optical system. In the above-described embodiment, a slit image extending in a predetermined direction is formed on each substrate surface. However, it is apparent that a light pattern having a predetermined shape may be generally projected from an oblique direction.

【0034】[0034]

【効果】以上説明したように、本発明では、倍率の補正
や像位置情報の補正により2つの結像倍率の差に起因し
た2つの基板の間隔の誤差の発生を抑えることによっ
て、2つの基板の間隔をほぼ一定に保持した状態で露光
を行うことができ、転写パターンの焦点ずれを実質的に
回避することができる。
As described above, according to the present invention, by correcting the magnification and correcting the image position information, the occurrence of an error in the interval between the two substrates due to the difference between the two imaging magnifications is suppressed. Exposure can be performed in a state in which the distance between them is kept substantially constant, and defocus of the transfer pattern can be substantially avoided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の要部の構成
を概略的に示す図である。
FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明における面位置検出の原理を説明する図
である。
FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of surface position detection according to the present invention.

【図3】従来技術において2つの面位置検出光学系の結
像倍率の差に起因して発生する焦点合わせ誤差について
説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a focusing error generated due to a difference in imaging magnification between two surface position detection optical systems in the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マスク 2 プレート 3 露光用投影光学系 4、4’反射鏡 5、5’、9 結像光学系 6 直角反射プリズム 7 イメージセンサ 8 制御系 9P1、9P2 部分系 10 プレートステージ 11、11’光源 12、13、12’、13’ レンズ SL1、SL2 スリット板 PO1、PO2 投射光学系 AP1、AP2 開口絞り L 2つの基板の間隔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask 2 Plate 3 Exposure projection optical system 4, 4 'reflective mirror 5, 5', 9 Imaging optical system 6 Right angle reflection prism 7 Image sensor 8 Control system 9P1, 9P2 Subsystem 10 Plate stage 11, 11 'Light source 12 , 13, 12 ', 13' Lens SL1, SL2 Slit plate PO1, PO2 Projection optical system AP1, AP2 Aperture stop L Distance between two substrates

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1基板上に形成されたパターンをほぼ
等倍の露光用投影光学系を介して感光性の第2基板上に
転写する露光装置において、 前記第1基板上に所定形状の第1の光パターンを斜方向
から投射するための第1投射光学系と、 前記第1の光パターンからの光を集光して、第1の結像
倍率のもとで前記第1の光パターンの像を形成するため
の第1結像光学系と、 前記第2基板上に所定形状の第2の光パターンを斜方向
から投射するための第2投射光学系と、 前記第2の光パターンからの光を集光して、前記第1の
結像倍率とほぼ等しい第2の結像倍率のもとで前記第2
の光パターンの像を形成するための第2結像光学系と、 前記第1および第2の光パターンの像を受光し、前記第
1の光パターンの像の位置情報および前記第2の光パタ
ーンの像の位置情報を出力するための受光手段と、 前記第1の光パターンの像の位置情報と前記第2の光パ
ターンの像の位置情報とに基づいて、前記第1基板と前
記第2基板との間隔をほぼ一定に保つための制御手段
と、 前記第1の結像倍率と前記第2の結像倍率との差に起因
して発生する前記第1基板と前記第2基板との間隔の誤
差を補正するための補正手段と、 を備えていることを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus for transferring a pattern formed on a first substrate onto a photosensitive second substrate via a projection optical system for exposure at approximately the same magnification, wherein the first substrate has a predetermined shape. A first projection optical system for projecting a first light pattern from an oblique direction, and condensing light from the first light pattern to form the first light under a first imaging magnification. A first imaging optical system for forming an image of a pattern, a second projection optical system for projecting a second light pattern of a predetermined shape on the second substrate from an oblique direction, and the second light The light from the pattern is condensed to form the second image under a second image magnification substantially equal to the first image magnification.
A second imaging optical system for forming an image of the light pattern; receiving the images of the first and second light patterns; positional information of the image of the first light pattern; and the second light A light receiving unit for outputting position information of an image of a pattern; and a first substrate and the second substrate based on position information of an image of the first light pattern and position information of an image of the second light pattern. Control means for keeping the distance between the two substrates substantially constant; and the first substrate and the second substrate generated due to a difference between the first imaging magnification and the second imaging magnification. An exposure apparatus, comprising: a correction unit configured to correct an error in the interval of (d).
【請求項2】 前記補正手段は、前記第1の結像倍率と
前記第2の結像倍率との差を補正するために、前記第1
結像光学系および前記第2結像光学系のうちの少なくと
も一方の結像光学系に設けられた倍率補正手段であり、 前記制御手段は、前記第1の光パターンの像と前記第2
の光パターンの像との間隔をほぼ一定に保つことによっ
て、前記第1基板と前記第2基板との間隔をほぼ一定に
制御することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the correction unit corrects the difference between the first imaging magnification and the second imaging magnification.
Magnification correction means provided in at least one of the imaging optical system and the second imaging optical system, wherein the control means controls the image of the first light pattern and the second
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the distance between the first substrate and the second substrate is controlled to be substantially constant by keeping the distance between the image of the light pattern and the image of the light pattern substantially constant.
【請求項3】 前記第1結像光学系および前記第2結像
光学系のうちの少なくとも一方の結像光学系は、光軸に
沿って固定された第1部分系と光軸に沿って移動可能な
第2部分系とを有し、 前記倍率補正手段は、前記第2部分系を光軸に沿って所
定距離だけ移動させることによって、前記第1の結像倍
率と前記第2の結像倍率との差を補正することを特徴と
する請求項2に記載の露光装置。
3. An image forming optical system according to claim 1, wherein at least one of said first image forming optical system and said second image forming optical system has a first subsystem fixed along an optical axis and a second optical system fixed along an optical axis. A movable second subsystem, wherein the magnification correction means moves the second subsystem by a predetermined distance along the optical axis, thereby providing the first imaging magnification and the second imaging power. The exposure apparatus according to claim 2, wherein a difference from an image magnification is corrected.
【請求項4】 前記補正手段は、前記第1の結像倍率と
前記第2の結像倍率との差に基づいて、前記第1の光パ
ターンの像の位置情報および前記第2の光パターンの像
の位置情報のうちの少なくとも一方の位置情報を補正す
るための位置情報補正手段であり、 前記制御手段は、前記位置情報補正手段を介して補正さ
れた前記第1の光パターンの像の位置情報と前記第2の
光パターンの像の位置情報とに基づいて、前記第1基板
と前記第2基板との間隔をほぼ一定に制御することを特
徴とする請求項1に記載の露光装置。
4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the correction unit is configured to determine position information of an image of the first light pattern and the second light pattern based on a difference between the first imaging magnification and the second imaging magnification. Position information correction means for correcting at least one of the position information of the image of the image of the first light pattern of the image of the first light pattern corrected through the position information correction means 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein an interval between the first substrate and the second substrate is controlled to be substantially constant based on position information and position information of an image of the second light pattern. 3. .
【請求項5】 前記制御手段は、前記露光用投影光学系
に対して前記第1基板と前記第2基板とを所定方向に沿
って相対移動させながら前記第1基板のパターン転写を
行う走査露光時において、前記第1基板と前記第2基板
との間隔を常にほぼ一定に保つことを特徴とする請求項
1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
5. The scanning exposure device according to claim 1, wherein the control unit performs a pattern transfer of the first substrate while relatively moving the first substrate and the second substrate along a predetermined direction with respect to the projection optical system for exposure. 5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a distance between the first substrate and the second substrate is always kept substantially constant.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190010652A (en) * 2016-05-31 2019-01-30 상하이 마이크로 일렉트로닉스 이큅먼트(그룹) 컴퍼니 리미티드 Focusing and leveling measuring apparatus and method

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