JPH10242040A - Projection aligner - Google Patents

Projection aligner

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JPH10242040A
JPH10242040A JP9056914A JP5691497A JPH10242040A JP H10242040 A JPH10242040 A JP H10242040A JP 9056914 A JP9056914 A JP 9056914A JP 5691497 A JP5691497 A JP 5691497A JP H10242040 A JPH10242040 A JP H10242040A
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JP
Japan
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substrate
mask
distance
optical system
photosensitive
Prior art date
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Withdrawn
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JP9056914A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Katamata
義之 片又
Masanobu Ito
真信 伊藤
Eiji Goto
英司 後藤
Masamitsu Yanagihara
政光 柳原
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable controlling substrate carrying speed and prealignment pin driving speed, by detecting the substrate thickness, on the basis of a least one out of outputs of a means measuring the distance between a sensitized substrate and a mask in the optical axis direction, and a means moving the sensitized substrate to an image position. SOLUTION: In the state that a sensitized substrate 6 is not held, the distance in the optical axis direction of a projection optical system 7 between the surface of a substrate stage 4 and a mask 5 is measured with autofocus sensors 10A-10D. When the sensitized substrate 6 is mounted on the substrate stage 4, the distance in the optical axis direction of the projection optical system 7 between the surface of the sensitized substrate 6 and the mask 5 is again measured with the autofocus sensors 10A-10D. In a plate carrying speed control part 21 and a prealignment pin speed control part 22, a distance as the difference between the interval corresponding to the stored distance between the substrate stage and the mask and the interval corresponding to the distance between the sensitized substrate and the mask is obtained, and the thickness of the sensitized substrate 6 is obtained on the basis of the obtained distance.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置あるい
は液晶表示装置を製造する際に用いられる投影露光装置
に関し、特に自動焦点調節機能を有する投影露光装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display, and more particularly to a projection exposure apparatus having an automatic focus adjusting function.

【0002】[0002]

【従来の技術】投影露光装置は、マスク及び感光基板を
投影光学系を介して対面するように保持した状態でマス
クに照明光を照射し、マスクを通過した照明光によるマ
スクのパターン像を投影光学系を介して感光基板上に結
像投影して感光基板を露光するようになっている。
2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus irradiates illumination light onto a mask while holding the mask and a photosensitive substrate so as to face each other via a projection optical system, and projects a pattern image of the mask by the illumination light passing through the mask. An image is projected on a photosensitive substrate via an optical system to expose the photosensitive substrate.

【0003】通常、この種の投影露光装置には、投影光
学系の光軸方向(焦点方向)におけるマスク及び感光基
板の感光面の位置をそれぞれ個別に検出し、検出結果に
基づいて感光基板の感光面が投影光学系の焦点位置に位
置するように所定の補正動作を行う機能(自動焦点調整
機能)が設けられており、これにより安定した結像性能
を得ることができるようになっている。
Normally, this type of projection exposure apparatus detects the positions of the mask and the photosensitive surface of the photosensitive substrate individually in the optical axis direction (focal direction) of the projection optical system, and based on the detection results, detects the position of the photosensitive substrate. A function of performing a predetermined correction operation (automatic focus adjustment function) is provided so that the photosensitive surface is located at the focal position of the projection optical system, whereby stable imaging performance can be obtained. .

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような投影露光装
置によりマスクのパターン像が露光される感光基板の例
として、液晶表示装置に用いられるガラス基板がある。
近年、液晶表示パネルの大型化、薄型化が進み、それに
伴って、投影露光装置で露光されるガラス基板も大型
化、薄型化され、例えば、大きいもので500mm×6
00mm程度の基板面積を有し、基板厚さは1.1mm
厚あるいは0.7mm厚のものがよく用いられている。
このように基板面積に比して、厚さが極めて薄いガラス
基板を搬送して基板載置面に載置して、安定した露光精
度で所定の露光動作を行わせるには、ガラス基板の厚さ
に応じた投影露光装置の制御が必要になってくる。
A glass substrate used in a liquid crystal display device is an example of a photosensitive substrate on which a pattern image of a mask is exposed by such a projection exposure apparatus.
In recent years, liquid crystal display panels have become larger and thinner, and accordingly, glass substrates exposed by a projection exposure apparatus have also become larger and thinner.
It has a substrate area of about 00 mm and a substrate thickness of 1.1 mm
Thickness or 0.7 mm thick is often used.
In order to transport a glass substrate whose thickness is extremely thin compared to the substrate area and place the glass substrate on the substrate mounting surface and perform a predetermined exposure operation with stable exposure accuracy, the thickness of the glass substrate is required. It is necessary to control the projection exposure apparatus accordingly.

【0005】例えば、薄い基板と厚い基板とでは、基板
搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を異ならせ
る必要がある。薄い基板に対して基板搬送速度やプリア
ライメント・ピン駆動速度を高速にし過ぎると、基板に
与える衝撃が大きくなったり、それに伴って振動が生じ
たりして、安定した露光精度が得られないことがある。
そのため、従来では基板厚さの異なるガラス基板を搬
送、プリアライメントする際には、基板厚さ毎に基板搬
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度を変更するた
めのパラメータをその都度変更しなければならないとい
う手間がかかっていた。
For example, it is necessary to make the substrate transfer speed and the pre-alignment pin drive speed different between a thin substrate and a thick substrate. If the substrate transfer speed or the pre-alignment pin drive speed is too high for a thin substrate, the impact on the substrate may increase or vibration may occur, resulting in inability to obtain stable exposure accuracy. is there.
Therefore, conventionally, when a glass substrate having a different substrate thickness is transported and pre-aligned, a parameter for changing the substrate transport speed or the pre-alignment pin driving speed must be changed for each substrate thickness. It took time and effort.

【0006】本発明の目的は、基板厚を検出して基板搬
送速度やプリアライメント・ピン駆動速度の速度制御が
行える投影露光装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus capable of detecting the thickness of a substrate and controlling the speed of the substrate transfer speed and the pre-alignment / pin driving speed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】一実施の形態を表す図1
に対応付けて説明すると上記目的は、パターンが描画さ
れたマスク(5)を保持して移動するマスクステージ
(3)と、パターンの像を感光基板(6)に投影する投
影光学系(7)と、感光基板(6)を保持してマスクス
テージ(3)と同期して移動する基板ステージ(4)
と、投影光学系(7)の光軸方向に関する感光基板
(6)とマスク(5)との間の距離を測定する測定手段
(10A〜10D)と、マスクステージ(3)と基板ス
テージ(4)との少なくとも一方を投影光学系(7)の
光軸方向に移動して、感光基板(6)を投影光学系
(7)の結像位置に移動させる移動手段(20)とを有
する投影露光装置(1)において、測定手段(10A〜
10D)と移動手段(20)との少なくとも一方の出力
に基づいて、基板の厚さを検出する検出手段(21、2
2)を備えたことを特徴とする投影露光装置によって達
成される。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
The object is to provide a mask stage (3) that moves while holding a mask (5) on which a pattern is drawn, and a projection optical system (7) that projects an image of the pattern onto a photosensitive substrate (6). And a substrate stage (4) holding the photosensitive substrate (6) and moving in synchronization with the mask stage (3)
Measuring means (10A to 10D) for measuring the distance between the photosensitive substrate (6) and the mask (5) in the optical axis direction of the projection optical system (7); the mask stage (3) and the substrate stage (4) And a moving means (20) for moving at least one of them in the optical axis direction of the projection optical system (7) to move the photosensitive substrate (6) to the image forming position of the projection optical system (7). In the device (1), the measuring means (10A ~
10D) and detecting means (21, 2) for detecting the thickness of the substrate based on the output of at least one of the moving means (20).
This is attained by a projection exposure apparatus characterized by having the above 2).

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による投影
露光装置を図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本
実施の形態による投影露光装置1の概略の構成を示して
いる。図1において、断面がコ字状に形成されたキャリ
ッジ2の第1の側壁部2Aの内側にマスクステージ3が
配設され、キャリッジ2の第2の側壁部2Bの内側にレ
ベリングステージ構成の基板ステージ4が配設され、こ
れらマスクステージ3及び基板ステージ4によりマスク
5及び感光基板6が投影光学系7を挟んで対面するよう
に保持される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A projection exposure apparatus according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus 1 according to the present embodiment. In FIG. 1, a mask stage 3 is disposed inside a first side wall 2A of a carriage 2 having a U-shaped cross section, and a substrate having a leveling stage configuration is provided inside a second side wall 2B of the carriage 2. A stage 4 is provided, and the mask stage 3 and the substrate stage 4 hold the mask 5 and the photosensitive substrate 6 so as to face each other with the projection optical system 7 interposed therebetween.

【0009】キャリッジ2の第1の側壁部2Aの外側に
は、第1の側壁部2Aに形成された開口部(図示せ
ず)、マスクステージ3の開口部(図示せず)及びマス
ク5を順次介して投影光学系7と対向するように照明光
学系8が配設されており、照明光学系8から出射した照
明光でマスク5を照明し、マスク5を通過した照明光で
得られるマスク5のパターン像を投影光学系7を介して
感光基板6の感光面6A上に結像投影するようになって
いる。本実施の形態による走査型露光装置1の投影光学
系7は、マスク5のパターン像を正立正像等倍で感光基
板6の感光面6A上に投影するようになっている。キャ
リッジ2は、図示しない駆動機構により投影光学系7及
び照明光学系8に対して矢印aで示すキャリッジ2の長
手方向に移動できるようになっている。
An opening (not shown) formed in the first side wall 2A, an opening (not shown) of the mask stage 3, and a mask 5 are provided outside the first side wall 2A of the carriage 2. An illumination optical system 8 is provided so as to face the projection optical system 7 in order, and illuminates the mask 5 with illumination light emitted from the illumination optical system 8, and a mask obtained by illumination light passing through the mask 5. The pattern image No. 5 is formed and projected on a photosensitive surface 6A of a photosensitive substrate 6 via a projection optical system 7. The projection optical system 7 of the scanning exposure apparatus 1 according to the present embodiment projects the pattern image of the mask 5 on the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 at the same magnification of the erect image. The carriage 2 can be moved in the longitudinal direction of the carriage 2 indicated by an arrow a with respect to the projection optical system 7 and the illumination optical system 8 by a drive mechanism (not shown).

【0010】本実施の形態による走査型露光装置1は、
動作時において、マスク5及び感光基板6がキャリッジ
2を介して一体に矢印a方向に移動することにより、マ
スク5のパターン像を順次部分的に感光基板6の感光面
6A上に結像投影し、これにより感光基板6の感光面6
Aの全面をマスク5のパターンに応じて露光できるよう
になっている。
The scanning exposure apparatus 1 according to the present embodiment
During operation, the mask 5 and the photosensitive substrate 6 move integrally in the direction of the arrow a via the carriage 2 so that the pattern image of the mask 5 is formed and projected on the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 sequentially and partially. Thus, the photosensitive surface 6 of the photosensitive substrate 6
The entire surface of A can be exposed according to the pattern of the mask 5.

【0011】この走査型露光装置1のキャリッジ2の走
査動作には高い精度が要求される。高い走査精度を維持
するには、走査範囲における感光基板6の感光面6Aに
対する傾き(倒れ)が常に微小量であることが必須であ
り、このため本実施の形態による走査型露光装置1で
は、様々な角度から感光基板6の感光面6Aの状態を検
出できるように投影光学系7に4組のフォーカスセンサ
10A〜10Dが設けられている。
The scanning operation of the carriage 2 of the scanning type exposure apparatus 1 requires high accuracy. In order to maintain high scanning accuracy, it is essential that the inclination (tilt) of the photosensitive substrate 6 with respect to the photosensitive surface 6A in the scanning range is always a very small amount. Therefore, in the scanning exposure apparatus 1 according to the present embodiment, Four sets of focus sensors 10A to 10D are provided in the projection optical system 7 so that the state of the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 can be detected from various angles.

【0012】この場合、各フォーカスセンサ10A〜1
0Dは、それぞれ図2に示すように、第1及び第2の光
源(例えばLED)11A及び11Bから発射された第
1及び第2の光ビームL1A及びL1Bをそれぞれスリ
ット(図示せず)を介して所定ビーム幅に整形し、これ
をマスク5上又は感光基板6の感光面6A上に集光する
と共に、第1の光ビームL1Aがマスク5において反射
して得られた第1の反射光L2Aと、第2の光ビームL
1Bが感光基板6の感光面6Aにおいて反射して得られ
た第2の反射光L2Bとを、それぞれプリズム12の対
応する反射面12A、12Bを順次介して検出器13の
受光面13Aに平行に導入して結像させるようになって
いる。
In this case, each of the focus sensors 10A-1A
2D, as shown in FIG. 2, respectively, first and second light beams L1A and L1B emitted from first and second light sources (eg, LEDs) 11A and 11B through slits (not shown), respectively. To form a predetermined beam width, which is focused on the mask 5 or the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6, and the first reflected light L2A obtained by reflecting the first light beam L1A on the mask 5. And the second light beam L
1B is reflected by the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 and the second reflected light L2B is parallel to the light receiving surface 13A of the detector 13 via the corresponding reflecting surfaces 12A and 12B of the prism 12, respectively. It is designed to be introduced and imaged.

【0013】検出器13としては、CCD(Charg
e Coupled Device)イメージセンサや
MOS(Metal Oxide Semicondu
ctor)リニアイメージセンサ等の光位置検出器が用
いられており、これにより後述のように、検出器13の
受光面13Aにおける第1及び第2の反射光L2A及び
L2Bの入射位置P1及びP2を、マスク5及び感光基
板6の傾斜の影響を受けることなくそれぞれ精度良く検
出できるようになっている。
As the detector 13, a CCD (Charg) is used.
e Coupled Device) image sensor and MOS (Metal Oxide Semiconductor)
ctor) A light position detector such as a linear image sensor is used, and as described later, the incident positions P1 and P2 of the first and second reflected lights L2A and L2B on the light receiving surface 13A of the detector 13 are determined. , Without being affected by the inclination of the mask 5 and the photosensitive substrate 6.

【0014】検出器13から出力される、図3に示すよ
うな第1反射光L2Aで発生する第1のピークPA10
と、第2の反射光L2Bで発生する第2のピークPA1
1とが形成されたセンサ信号S1は、図1に示すフォー
カス制御部20に供給されるようになっている。
A first peak PA10 generated from the first reflected light L2A as shown in FIG.
And a second peak PA1 generated in the second reflected light L2B
1 is supplied to the focus control unit 20 shown in FIG.

【0015】フォーカス制御部20では、各オートフォ
ーカスセンサ10A〜10Dからそれぞれ供給されるセ
ンサ信号S1に基づいて、ソフトウエア処理により第1
及び第2のピークPA10及びPA11(図3)のエッ
ジとスライスレベルSL10(図3)との交点からこれ
ら第1及び第2のピークPA10及びPA11の中心C
10及びC11をそれぞれ算出し、さらに当該算出結果
から第1及び第2ピークPA10及びPA11間の間隔
K(検出器13の検出面における第1及び第2の反射光
L2A及びL2B間の距離に相当)を検出する。
The focus control unit 20 performs first processing by software processing based on the sensor signal S1 supplied from each of the autofocus sensors 10A to 10D.
And the center C of the first and second peaks PA10 and PA11 from the intersection of the edge of the second peak PA10 and PA11 (FIG. 3) with the slice level SL10 (FIG. 3).
10 and C11, respectively, and based on the calculation result, the distance K between the first and second peaks PA10 and PA11 (corresponding to the distance between the first and second reflected lights L2A and L2B on the detection surface of the detector 13). ) Is detected.

【0016】またフォーカス制御部20は、この検出結
果に基づいて第1及び第2のピークPA10及びPA1
1間の間隔Kが常に所定値にあるように制御信号S2
(図1)を順次生成し、これを基板ステージ4の駆動機
構(図示せず)に送出することにより、必要に応じて感
光基板6を投影光学系7の光軸方向に移動させる。
Further, the focus control unit 20 determines the first and second peaks PA10 and PA1 based on the detection result.
Control signal S2 so that the interval K between the two is always at a predetermined value.
(FIG. 1) are sequentially generated and sent to a drive mechanism (not shown) of the substrate stage 4 to move the photosensitive substrate 6 in the optical axis direction of the projection optical system 7 as necessary.

【0017】これにより走査型露光装置1においては、
投影露光の際に、マスク5を基準として、マスク5と感
光基板6の感光面6Aとの距離を常に一定に保つことが
でき、感光基板6の感光面6Aを常に投影光学系7の焦
点位置に位置させることができるようになっている。
As a result, in the scanning exposure apparatus 1,
At the time of projection exposure, the distance between the mask 5 and the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 can always be kept constant with respect to the mask 5, and the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 is always positioned at the focal position of the projection optical system 7. It can be located at.

【0018】このように本実施の形態による投影露光装
置における感光基板の感光面を投影光学系の焦点位置に
位置させる方法は、マスク及び感光基板の感光面にそれ
ぞれ第1又は第2の光ビームを照射し、これら第1及び
第2の光ビームのマスク又は感光基板の感光面における
第1または第2の反射光を平行に受光素子の受光面に導
入すると共に、当該受光素子の受光面における第1及び
第2の反射光の距離を受光素子の出力に基づいて検出
し、当該距離が常に所定値となるように感光基板を投影
光学系の光軸方向に移動させるようになっている。この
場合、受光素子の受光面における第1及び第2の反射光
の距離は、光軸素子から出力される第1の反射光に対応
する第1のピークの中心と、第2の反射光に対応する第
2のピークの中心との間の間隔として算出する。
As described above, the method of positioning the photosensitive surface of the photosensitive substrate at the focal position of the projection optical system in the projection exposure apparatus according to the present embodiment uses the first and second light beams on the photosensitive surfaces of the mask and the photosensitive substrate, respectively. Irradiating the first and second light beams on the light-receiving surface of the light-receiving element in parallel with the first or second reflected light on the light-receiving surface of the light-receiving element. The distance between the first and second reflected lights is detected based on the output of the light receiving element, and the photosensitive substrate is moved in the optical axis direction of the projection optical system so that the distance always becomes a predetermined value. In this case, the distance between the first and second reflected lights on the light receiving surface of the light receiving element is determined by the distance between the center of the first peak corresponding to the first reflected light output from the optical axis element and the second reflected light. It is calculated as the distance between the center of the corresponding second peak.

【0019】また図1に示すようにフォーカス制御部2
0には、プレート搬送速度制御部21、およびプリアラ
イメント・ピン速度制御部22が接続されている。フォ
ーカス制御部20は、プレート搬送速度制御部21、お
よびプリアライメント・ピン速度制御部22に対してそ
れらの速度制御のための制御情報として、第1及び第2
ピークPA10及びPA11間の間隔K(以下、間隔K
という)を送出するようになっている。なお、プレート
搬送速度制御部21、およびプリアライメント・ピン速
度制御部22に、フォーカス制御部20を介さずにオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dから直接センサ信号
S1を入力して、これらの速度制御部21、22で間隔
Kを算出するようにしてももちろんよい。
Also, as shown in FIG.
0 is connected to a plate transport speed control unit 21 and a pre-alignment / pin speed control unit 22. The focus controller 20 controls the plate transport speed controller 21 and the pre-alignment / pin speed controller 22 as first and second control information for controlling the speeds thereof.
The interval K between the peaks PA10 and PA11 (hereinafter, interval K
). The sensor signal S1 is directly input from the autofocus sensors 10A to 10D to the plate transport speed control unit 21 and the pre-alignment / pin speed control unit 22 without passing through the focus control unit 20, and these speed control units 21 , 22 may be used to calculate the interval K.

【0020】プレート搬送速度制御部21、およびプリ
アライメント・ピン速度制御部22では、入力された間
隔Kに基づいて基板の厚さを検出し、得られた基板の厚
さに基づいて基板搬送の速度およびプリアライメント・
ピンの速度を制御する。図2および図5、図6を用いて
プレート搬送速度制御部21、およびプリアライメント
・ピン速度制御部22での動作を説明する。
The plate transport speed controller 21 and the pre-alignment / pin speed controller 22 detect the thickness of the substrate based on the input interval K, and based on the obtained thickness of the substrate, the substrate transport speed is controlled. Speed and pre-alignment
Control the speed of the pin. The operations of the plate transport speed control unit 21 and the pre-alignment / pin speed control unit 22 will be described with reference to FIGS.

【0021】まず、感光基板6を保持しない状態で基板
ステージ4の表面とマスク5との間の投影光学系7の光
軸方向の距離である基板ステージ−マスク間距離をオー
トフォーカスセンサ10A〜10Dにより測定する。感
光基板6を保持しない状態での基板ステージ−マスク間
距離は、次の感光基板の基板ステージ4への搬送および
載置に備えて基板ステージ4が下降しているので、露光
時の基板ステージ−マスク間距離より長くなっている。
First, the distance between the surface of the substrate stage 4 and the mask 5 in the direction of the optical axis of the projection optical system 7 between the surface of the substrate stage 4 and the mask 5 without holding the photosensitive substrate 6 is determined by the auto-focus sensors 10A to 10D. Measured by The distance between the substrate stage and the mask in a state in which the photosensitive substrate 6 is not held is such that the substrate stage 4 is lowered in preparation for the next photosensitive substrate to be transported and placed on the substrate stage 4. It is longer than the distance between masks.

【0022】すなわちオートフォーカスセンサ10A〜
10Dでの第1及び第2ピークPA10及びPA11間
の間隔Kは露光時の所定値より広くなっている。この状
態でオートフォーカスセンサ10A〜10Dの第2の光
源11Bから出射された第2の光ビームの経路L1Bお
よびL2Bを図2に実線で示している。第2の光源11
Bから出射した第2の光ビームは、2個の反射鏡16
a、16bで反射されて基板ステージ4表面で反射し、
その反射光は反射鏡16cで反射され、さらにプリズム
12の反射面12Bで反射されて検出器13に入射す
る。
That is, the auto focus sensors 10A-
The interval K between the first and second peaks PA10 and PA11 in 10D is wider than a predetermined value at the time of exposure. In this state, the paths L1B and L2B of the second light beams emitted from the second light sources 11B of the autofocus sensors 10A to 10D are shown by solid lines in FIG. Second light source 11
The second light beam emitted from B is reflected by two reflecting mirrors 16
a, reflected at 16b and reflected at the surface of the substrate stage 4,
The reflected light is reflected by the reflecting mirror 16c, further reflected by the reflecting surface 12B of the prism 12, and enters the detector 13.

【0023】一方、第1の光源11Aから出射された第
1の光ビームは、2個の反射鏡17a、17bで反射さ
れてマスク5表面で反射し、その反射光は反射鏡17c
で反射され、さらにプリズム12の反射面12Aで反射
されて検出器13に入射する。この状態でのオートフォ
ーカスセンサ10A〜10Dのそれぞれからのセンサ信
号S1に基づいて得られた間隔Kがフォーカス制御部2
0を介してプレート搬送速度制御部21、およびプリア
ライメント・ピン速度制御部22に入力され記憶され
る。
On the other hand, the first light beam emitted from the first light source 11A is reflected by the two reflecting mirrors 17a and 17b and reflected by the surface of the mask 5, and the reflected light is reflected by the reflecting mirror 17c.
The light is further reflected by the reflecting surface 12A of the prism 12 and enters the detector 13. In this state, the interval K obtained based on the sensor signal S1 from each of the autofocus sensors 10A to 10D is the focus control unit 2
0 to the plate transport speed control unit 21 and the pre-alignment / pin speed control unit 22 and stored.

【0024】次に、感光基板6が搬送されて基板ステー
ジ4に載置されると、再び感光基板6の表面とマスク5
との間の投影光学系7の光軸方向の距離である感光基板
−マスク間距離をオートフォーカスセンサ10A〜10
Dにより測定する。この状態でオートフォーカスセンサ
10A〜10Dの第2の光源11Bから出射された第2
の光ビームの経路L1BおよびL2Bを図2に二点鎖線
で示している。第2の光源11Bから出射した第2の光
ビームは、2個の反射鏡16a、16bで反射されて感
光基板6表面に入射するが、その反射光は、感光基板6
がない場合に比較して感光基板6の厚さ分だけ反射光路
がずらされる。
Next, when the photosensitive substrate 6 is conveyed and placed on the substrate stage 4, the surface of the photosensitive substrate 6 and the mask 5
And the distance between the photosensitive substrate and the mask, which is the distance in the optical axis direction of the projection optical system 7 between the autofocus sensors 10A to 10A.
Measure according to D. In this state, the second light emitted from the second light source 11B of the autofocus sensors 10A to 10D
The light beam paths L1B and L2B are indicated by two-dot chain lines in FIG. The second light beam emitted from the second light source 11B is reflected by the two reflecting mirrors 16a and 16b and enters the surface of the photosensitive substrate 6, and the reflected light is
The reflected light path is shifted by the thickness of the photosensitive substrate 6 as compared with the case where there is no light.

【0025】この反射光は反射鏡16cで反射され、さ
らにプリズム12の反射面12Bで反射されて検出器1
3に入射する。検出器13での第2の光源からの光ビー
ムの位置は、基板がないときの位置に対して感光基板6
の基板厚分だけずれている。図2中、この位置のずれ幅
を距離15で示している。一方、第1の光源11Aから
出射された第1の光ビームの検出器13での位置は変化
しない。この状態でのオートフォーカスセンサ10A〜
10Dのそれぞれからのセンサ信号S1に基づく間隔
K’がフォーカス制御部20を介してプレート搬送速度
制御部21、およびプリアライメント・ピン速度制御部
22に入力され記憶される。
This reflected light is reflected by the reflecting mirror 16c and further reflected by the reflecting surface 12B of the prism 12, and
3 is incident. The position of the light beam from the second light source at the detector 13 is different from the position of the light source
Is shifted by the thickness of the substrate. In FIG. 2, the shift width of this position is indicated by a distance 15. On the other hand, the position of the first light beam emitted from the first light source 11A on the detector 13 does not change. In this state, the autofocus sensor 10A-
The interval K ′ based on the sensor signal S1 from each of the 10Ds is input to the plate transport speed control unit 21 and the pre-alignment / pin speed control unit 22 via the focus control unit 20 and stored.

【0026】プレート搬送速度制御部21、およびプリ
アライメント・ピン速度制御部22では、記憶した基板
ステージ−マスク間距離に対応する間隔Kと、感光基板
−マスク間距離に対応する間隔K’との差である距離1
5を計算し、それに基づいて感光基板6の基板厚を求め
る。
The plate transport speed controller 21 and the pre-alignment / pin speed controller 22 determine the distance K corresponding to the stored distance between the substrate stage and the mask and the distance K ′ corresponding to the distance between the photosensitive substrate and the mask. Distance 1 which is the difference
5 is calculated, and the substrate thickness of the photosensitive substrate 6 is obtained based on the calculated value.

【0027】以上は、プレート搬送速度制御部21、お
よびプリアライメント・ピン速度制御部22で共通の動
作であるが、次に、それぞれの処理の流れを図4および
図5を用いて説明する。初めに、図4を用いてプレート
搬送速度制御部21の処理の流れを説明する。まずステ
ップS1において、上述の検出器13からの2つのセン
サ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出力さ
れた2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する(フ
ォーカスセンシング)。
The above is the operation common to the plate transport speed control unit 21 and the pre-alignment / pin speed control unit 22. Next, the flow of each process will be described with reference to FIGS. First, the flow of processing of the plate transport speed control unit 21 will be described with reference to FIG. First, in step S1, the thickness of the substrate is calculated from the two intervals K and K 'output from the focus control unit 20 based on the two sensor signals S1 from the detector 13 (focus sensing).

【0028】次に、得られた基板厚が所定範囲内にある
かどうかを判断する(ステップS2)。得られた基板厚
が所定範囲を超えている場合にはエラー処理を行って処
理を終了する(ステップS3)。基板厚が所定範囲内で
あれば、基板厚が例えば0.7mmか1.1mmの何れ
であるか判断し(ステップS4)、基板厚が1.1mm
の場合は、ステップS5に移行してプレート搬送の速度
を高速にするように指示する。基板厚が0.7mmの場
合は、ステップS6に移行してプレート搬送の速度を低
速にするように指示する。
Next, it is determined whether or not the obtained substrate thickness is within a predetermined range (step S2). If the obtained substrate thickness exceeds the predetermined range, an error process is performed and the process ends (step S3). If the substrate thickness is within the predetermined range, it is determined whether the substrate thickness is, for example, 0.7 mm or 1.1 mm (step S4).
In the case of (1), the process proceeds to step S5, and an instruction is made to increase the speed of plate conveyance. If the substrate thickness is 0.7 mm, the process proceeds to step S6, and an instruction is issued to reduce the speed of plate conveyance.

【0029】このように本実施の形態によるプレート搬
送速度制御部21によれば、プレート搬送時に、厚いプ
レートに対しては搬送速度を上げ、薄いプレートに対し
ては速度を下げることにより、安全に安定して基板を搬
送することができるようになる。例えば、1ロット単位
の基板処理において、基板の厚さが分からない1枚目に
ついては、遅い速度で搬送させ、上述のプレート搬送速
度制御部21により1枚目の基板の厚さを計測し終わっ
たら、2枚目以降の基板については適切な搬送速度で搬
送させることができるようになる。
As described above, according to the plate transfer speed control unit 21 according to the present embodiment, during plate transfer, the transfer speed is increased for a thick plate and reduced for a thin plate, so that the plate can be safely transferred. The substrate can be stably transported. For example, in the processing of a substrate in units of one lot, the first substrate whose thickness is not known is transported at a low speed, and the plate transport speed control unit 21 finishes measuring the thickness of the first substrate. Then, the second and subsequent substrates can be transported at an appropriate transport speed.

【0030】特に、薄い基板を低速で搬送させることに
より、基板の振動を抑え安定して搬送することができる
ようになる。図4におけるステップS4およびステップ
S5での速度の制御は、電気回路的に速度指令値(D/
Aコンバータの値)をソフトウエアで切り替えるように
しても、予め2段階(若しくは多段階)の速度設定を用
意しておいて、ソフトウエアでスイッチの切替を行うよ
うにしてもよい。
In particular, by transporting a thin substrate at a low speed, the vibration of the substrate can be suppressed and the substrate can be transported stably. The speed control in step S4 and step S5 in FIG.
The value of the A-converter) may be switched by software, or two-stage (or multi-stage) speed settings may be prepared in advance, and the switch may be switched by software.

【0031】次に、図5を用いてプリアライメント・ピ
ン駆動速度制御部22の処理の流れを説明する。まずス
テップS10において、上述の検出器13からの2つの
センサ信号S1に基づいてフォーカス制御部20から出
力された2つの間隔K、K’から基板の厚さを計算する
(フォーカスセンシング)。次に、得られた基板厚が所
定範囲内にあるかどうかを判断する(ステップS1
1)。得られた基板厚が所定範囲を超えている場合には
エラー処理を行って処理を終了させる(ステップS1
2)。
Next, the processing flow of the pre-alignment / pin drive speed control unit 22 will be described with reference to FIG. First, in step S10, the thickness of the substrate is calculated from the two intervals K and K 'output from the focus control unit 20 based on the two sensor signals S1 from the detector 13 (focus sensing). Next, it is determined whether or not the obtained substrate thickness is within a predetermined range (step S1).
1). If the obtained substrate thickness exceeds the predetermined range, error processing is performed and the processing is terminated (step S1).
2).

【0032】基板厚が所定範囲内であれば、基板厚が例
えば0.7mmか1.1mmの何れであるか判断し(ス
テップS13)、基板厚が1.1mmの場合は、ステッ
プS14に移行してプリアライメント・ピンの駆動速度
を高速にする駆動指令を発する。基板厚が0.7mmの
場合は、ステップS15に移行してプリアライメント・
ピンの駆動速度を低速にする駆動指令を発する。
If the substrate thickness is within the predetermined range, it is determined whether the substrate thickness is, for example, 0.7 mm or 1.1 mm (step S13). If the substrate thickness is 1.1 mm, the process proceeds to step S14. Then, a drive command for increasing the drive speed of the pre-alignment pin is issued. If the substrate thickness is 0.7 mm, the process proceeds to step S15, where the pre-alignment
A drive command for lowering the drive speed of the pin is issued.

【0033】このように本実施の形態によるプリアライ
メント・ピン駆動速度制御部22によれば、プリアライ
メント時のプリアライメント・ピンの押し当て速度を、
厚い基板に対しては速度を上げて、薄い基板に対しては
速度を遅くすることにより、基板に必要以上の衝撃を与
えることなく、確実で安全にプリアライメントを実行す
ることができるようになる。図5におけるステップS1
4およびステップS15での速度の制御も、プレート搬
送速度制御部21での制御と同様に行うことができる。
As described above, according to the pre-alignment pin driving speed control unit 22 according to the present embodiment, the pre-alignment pin pressing speed at the time of pre-alignment is
By increasing the speed for thick substrates and slowing for thin substrates, pre-alignment can be performed reliably and safely without impacting the substrate more than necessary. . Step S1 in FIG.
The speed control in step 4 and step S15 can be performed in the same manner as the control in the plate transport speed control unit 21.

【0034】以上説明したプレート搬送速度制御部21
およびプリアライメント・ピン駆動速度制御部22での
動作が終了したら、フォーカス制御部20は制御信号S
2を出力して、基板ステージ4を投影光学系7の光軸方
向に移動させて感光基板−マスク間距離が所定値(すな
わち、第1及び第2のピークPA10及びPA11間の
間隔Kが常に所定値)になるように制御して露光を開始
する準備が完了する。
The plate transport speed control unit 21 described above
When the operation of the pre-alignment / pin drive speed control unit 22 is completed, the focus control unit 20 outputs the control signal S
2 and the substrate stage 4 is moved in the optical axis direction of the projection optical system 7 so that the distance between the photosensitive substrate and the mask is a predetermined value (that is, the distance K between the first and second peaks PA10 and PA11 is always constant). (Predetermined value), and preparation for starting exposure is completed.

【0035】このように本実施の形態による投影露光装
置によれば、マスク5と感光基板6との距離を一定に保
つためのオートフォーカスセンサ10A〜10Dからの
センサ信号を利用して、基板の厚さを測定することがで
きる。そして、この測定された基板厚さの情報を利用し
て、搬送されてくる感光基板の厚さに応じて基板搬送速
度を制御することができるようになり、またプリアライ
メント・ピンの速度を制御することができるようになる
ので、安定した露光精度が得られるようになる。
As described above, according to the projection exposure apparatus of the present embodiment, the sensor signal from the auto-focus sensors 10A to 10D for keeping the distance between the mask 5 and the photosensitive substrate 6 constant is used. The thickness can be measured. Using the measured substrate thickness information, the substrate transport speed can be controlled according to the thickness of the photosensitive substrate being transported, and the speed of the pre-alignment pins can be controlled. , And stable exposure accuracy can be obtained.

【0036】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において
は、感光基板6の感光面6Aを投影光学系7の焦点位置
に位置させる手段として、感光基板6を載置する基板ス
テージ4を投影光学系7の光軸方向に移動させるように
した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マ
スク5を載置するマスクステージ3を投影光学系7の光
軸方向に移動させ、又はマスク5及び感光基板6を投影
光学系7の光軸方向に移動させるようにすることももち
ろん可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above-described embodiment, as means for positioning the photosensitive surface 6A of the photosensitive substrate 6 at the focal position of the projection optical system 7, the substrate stage 4 on which the photosensitive substrate 6 is mounted is moved in the optical axis direction of the projection optical system 7. However, the present invention is not limited to this, and the mask stage 3 on which the mask 5 is placed is moved in the optical axis direction of the projection optical system 7 or the mask 5 and the photosensitive substrate 6 are moved. Of course, it is also possible to move the projection optical system 7 in the optical axis direction.

【0037】また、上記実施の形態では、本発明を基板
搬送速度の制御およびプリアライメント・ピンの駆動速
度の制御に適用したが、本発明はこれに限られず、例え
ば、基板を基板載置面で真空吸着させる際の吸着力を基
板の厚さに応じて適正な値に設定するために本発明を適
用することができる。この場合には、薄い基板に対して
高い吸着力で吸着すると吸着部領域がたわんでしまい、
露光精度が低下してしまうという問題を解決することが
できるようになる。
In the above-described embodiment, the present invention is applied to the control of the substrate transfer speed and the control of the driving speed of the pre-alignment pins. However, the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to set the suction force at the time of vacuum suction to an appropriate value according to the thickness of the substrate. In this case, if a thin substrate is suctioned with a high suction force, the suction area is bent,
The problem that the exposure accuracy is reduced can be solved.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、基板厚を
判断して基板搬送速度やプリアライメント・ピン駆動速
度の速度制御が行える投影露光装置を実現できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to realize a projection exposure apparatus capable of judging the substrate thickness and controlling the substrate transfer speed and the pre-alignment / pin drive speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による投影露光装置の概
略の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態による投影露光装置で使
用するフォーカスセンサの構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a focus sensor used in the projection exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図3】検出器から出力されるセンサ信号の波形を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing a waveform of a sensor signal output from a detector.

【図4】本発明の一実施の形態による投影露光装置にお
けるプレート搬送速度制御部での処理の流れを示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing a processing flow in a plate transport speed control unit in the projection exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態による投影露光装置にお
けるプリアライメント・ピン速度制御部での処理の流れ
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a flow of processing in a pre-alignment / pin speed control unit in the projection exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 走査型露光装置 2 キャリッジ 3 マスクステージ 4 基板ステージ 5 マスク 6 感光基板 6A 感光面 7 投影光学系 8 照明光学系 10A〜10D フォーカスセンサ 11A、11B 光源 13 検出器 13A 受光面 20 制御部 C10、C11 中心 K 距離 L1A、L1B 光ビーム L2A、L2B 反射光 PA11 ピーク S1 センサ信号 S2 制御信号 W10、W11 ピーク幅 SL10 スライスレベル SLB ベースレベル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Scanning exposure apparatus 2 Carriage 3 Mask stage 4 Substrate stage 5 Mask 6 Photosensitive substrate 6A Photosensitive surface 7 Projection optical system 8 Illumination optical system 10A-10D Focus sensor 11A, 11B Light source 13 Detector 13A Light receiving surface 20 Control part C10, C11 Center K distance L1A, L1B Light beam L2A, L2B Reflected light PA11 Peak S1 Sensor signal S2 Control signal W10, W11 Peak width SL10 Slice level SLB Base level

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳原 政光 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Masamitsu Yanagihara Nikon Corporation 3-2-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パターンが描画されたマスクを保持して移
動するマスクステージと、 前記パターンの像を感光基板に投影する投影光学系と、 前記感光基板を保持して前記マスクステージと同期して
移動する基板ステージと、 前記投影光学系の光軸方向に関する前記感光基板と前記
マスクとの間の距離を測定する測定手段と、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
一方を前記投影光学系の光軸方向に移動して、前記感光
基板を前記投影光学系の結像位置に移動させる移動手段
とを有する投影露光装置において、 前記測定手段と前記移動手段との少なくとも一方の出力
に基づいて、前記基板の厚さを検出する検出手段を備え
たことを特徴とする投影露光装置。
1. A mask stage that moves while holding a mask on which a pattern is drawn, a projection optical system that projects an image of the pattern onto a photosensitive substrate, and a mask stage that holds the photosensitive substrate and synchronizes with the mask stage. A moving substrate stage, measuring means for measuring a distance between the photosensitive substrate and the mask in an optical axis direction of the projection optical system, and at least one of the mask stage and the substrate stage is connected to the projection optical system. In a projection exposure apparatus having a moving unit that moves in the optical axis direction and moves the photosensitive substrate to an image forming position of the projection optical system, based on at least one output of the measuring unit and the moving unit, A projection exposure apparatus comprising a detection unit for detecting the thickness of the substrate.
【請求項2】請求項1記載の投影露光装置において、 前記投影光学系は、正立正像等倍の光学系であることを
特徴とする投影露光装置。
2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the projection optical system is an optical system for erecting an equal-magnification image.
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