JPH1064314A - 無電極ランプアセンブリおよび耐火性のブロック - Google Patents
無電極ランプアセンブリおよび耐火性のブロックInfo
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- JPH1064314A JPH1064314A JP9170090A JP17009097A JPH1064314A JP H1064314 A JPH1064314 A JP H1064314A JP 9170090 A JP9170090 A JP 9170090A JP 17009097 A JP17009097 A JP 17009097A JP H1064314 A JPH1064314 A JP H1064314A
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- notch
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- groove
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 伝送線路上でのブロックの位置決めが正確で
あり、伝送線路の働きを妨害する位置に配置しなくてよ
い、無電極ランプカプセルを支持するための耐火性のブ
ロックを提供する。 【解決手段】 無電極ランプカプセル２０と、上面およ
び底面および縁部を有する基板３０と、前記ランプカプ
セル２０に電気エネルギを接続するためのアプリケータ
１８，１９と、切欠きを備えた上壁と溝を備えた側壁と
を有する耐火性の支持ブロック５０とが設けられてお
り、前記ランプカプセル２０が、前記切欠きに固定され
ており、前記基板３０の縁部が前記溝に固定されてお
り、この場合、前記ランプカプセル２０が、前記支持ブ
ロック５０によって前記基板３０の上方に支持されてい
る。
あり、伝送線路の働きを妨害する位置に配置しなくてよ
い、無電極ランプカプセルを支持するための耐火性のブ
ロックを提供する。 【解決手段】 無電極ランプカプセル２０と、上面およ
び底面および縁部を有する基板３０と、前記ランプカプ
セル２０に電気エネルギを接続するためのアプリケータ
１８，１９と、切欠きを備えた上壁と溝を備えた側壁と
を有する耐火性の支持ブロック５０とが設けられてお
り、前記ランプカプセル２０が、前記切欠きに固定され
ており、前記基板３０の縁部が前記溝に固定されてお
り、この場合、前記ランプカプセル２０が、前記支持ブ
ロック５０によって前記基板３０の上方に支持されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電極高輝度放電
ランプ、特に無電極高輝度放電ランプ内の基板の上方に
無電極ランプカプセルを支持するための耐火性のブロッ
クに関する。
ランプ、特に無電極高輝度放電ランプ内の基板の上方に
無電極ランプカプセルを支持するための耐火性のブロッ
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】無電極高輝度放電ランプ（ＨＩＤ）は、
従来技術に広く記載されている。一般的に、無電極ＨＩ
Ｄランプは、揮発性の充填材料および始動ガスを含んだ
無電極ランプカプセルを有している。ランプカプセル
は、高周波電力をランプカプセルに接続するために構成
された固定部材に取り付けられている。高周波電力は、
ランプカプセル内に発光プラズマ放電を生ぜしめる。数
十ワットの範囲で働くランプカプセルへのマイクロ波の
付与における最近の進歩は、１９９１年１２月３日にラ
パトビッチに発行された米国特許第５０７０２７７号明
細書、１９９２年５月１２日にラパトビッチその他に発
行された米国特許第５１１３１２１号明細書、１９９２
年６月１４日にラパトビッチその他に発行された米国特
許第５１３０６１２号明細書、１９９２年９月１日にバ
トラーその他に発行された米国特許第５１４４２０６号
明細書、および１９９３年８月３１日にラパトビッチそ
の他に発行された米国特許第５２４１２４６号明細書に
開示されている。その結果、コンパクトな無電極ＨＩＤ
ランプおよび関連したアプリケータが実用化された。
従来技術に広く記載されている。一般的に、無電極ＨＩ
Ｄランプは、揮発性の充填材料および始動ガスを含んだ
無電極ランプカプセルを有している。ランプカプセル
は、高周波電力をランプカプセルに接続するために構成
された固定部材に取り付けられている。高周波電力は、
ランプカプセル内に発光プラズマ放電を生ぜしめる。数
十ワットの範囲で働くランプカプセルへのマイクロ波の
付与における最近の進歩は、１９９１年１２月３日にラ
パトビッチに発行された米国特許第５０７０２７７号明
細書、１９９２年５月１２日にラパトビッチその他に発
行された米国特許第５１１３１２１号明細書、１９９２
年６月１４日にラパトビッチその他に発行された米国特
許第５１３０６１２号明細書、１９９２年９月１日にバ
トラーその他に発行された米国特許第５１４４２０６号
明細書、および１９９３年８月３１日にラパトビッチそ
の他に発行された米国特許第５２４１２４６号明細書に
開示されている。その結果、コンパクトな無電極ＨＩＤ
ランプおよび関連したアプリケータが実用化された。
【０００３】前記明細書には小型の円筒状のランプカプ
セルが開示されており、この場合、高周波エネルギが、
ランプカプセルの対向した端部に移相が１８０゜ずれて
接続される。付与された電界は、一般的に、ランプカプ
セルの軸線と同一線上にあり、ランプカプセル内にほぼ
直線状の放電を生ぜしめる。高周波エネルギをランプカ
プセルに接続するための固定部材は、ランプカプセルの
向き合った端部に位置決めされた、らせん、カップまた
はループ等の電界アプリケータを備えた、マイクロスト
リップ伝送線路等の平面伝送線路を有している。マイク
ロストリップ伝送線路は、高周波電力を１８０゜だけ移
相をずらして電界アプリケータに接続する。ランプカプ
セルは、典型的には、マイクロストリップ伝送線路の基
板に設けられたギャップに通常位置決めされており、基
板の面の上方に数ミリメートルの間隔をおいて配置され
ているので、ランプカプセルの軸線は電界アプリケータ
の軸線と同一線上に位置している。
セルが開示されており、この場合、高周波エネルギが、
ランプカプセルの対向した端部に移相が１８０゜ずれて
接続される。付与された電界は、一般的に、ランプカプ
セルの軸線と同一線上にあり、ランプカプセル内にほぼ
直線状の放電を生ぜしめる。高周波エネルギをランプカ
プセルに接続するための固定部材は、ランプカプセルの
向き合った端部に位置決めされた、らせん、カップまた
はループ等の電界アプリケータを備えた、マイクロスト
リップ伝送線路等の平面伝送線路を有している。マイク
ロストリップ伝送線路は、高周波電力を１８０゜だけ移
相をずらして電界アプリケータに接続する。ランプカプ
セルは、典型的には、マイクロストリップ伝送線路の基
板に設けられたギャップに通常位置決めされており、基
板の面の上方に数ミリメートルの間隔をおいて配置され
ているので、ランプカプセルの軸線は電界アプリケータ
の軸線と同一線上に位置している。
【０００４】前記米国特許第５０７０２７７号明細書お
よび第５１１３１２１号明細書に開示されているよう
に、ランプカプセルは、誘電性のＶ字形ブロックによっ
て電界アプリケータに対して位置決めされていてよい。
無電極ランプの従来技術では、ランプカプセルはＶ字形
ブロックに接合されており、Ｖ字形ブロックはマイクロ
ストリップ伝送線路の面に接合されている。しかし、伝
送線路上でのＶ字形ブロックの位置決めは正確でない。
なぜならば、Ｖ字形ブロックが接着剤の肉盛りに浮いて
しまうからである。さらに、Ｖ字形ブロックは、伝送線
路の導体の上または近くに位置していると、伝送線路の
働きを妨害するおそれがある。ランプアセンブリの寸法
およびジオメトリのために、Ｖ字形ブロックは、伝送線
路の働きの妨害を回避するように配置することができな
い。
よび第５１１３１２１号明細書に開示されているよう
に、ランプカプセルは、誘電性のＶ字形ブロックによっ
て電界アプリケータに対して位置決めされていてよい。
無電極ランプの従来技術では、ランプカプセルはＶ字形
ブロックに接合されており、Ｖ字形ブロックはマイクロ
ストリップ伝送線路の面に接合されている。しかし、伝
送線路上でのＶ字形ブロックの位置決めは正確でない。
なぜならば、Ｖ字形ブロックが接着剤の肉盛りに浮いて
しまうからである。さらに、Ｖ字形ブロックは、伝送線
路の導体の上または近くに位置していると、伝送線路の
働きを妨害するおそれがある。ランプアセンブリの寸法
およびジオメトリのために、Ｖ字形ブロックは、伝送線
路の働きの妨害を回避するように配置することができな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、前記欠点を改良して、伝送線路上でのブロック
の位置決めが正確であり、伝送線路の働きを妨害する位
置に配置しなくてよい、無電極ランプカプセルを支持す
るための耐火性のブロックを提供することである。
課題は、前記欠点を改良して、伝送線路上でのブロック
の位置決めが正確であり、伝送線路の働きを妨害する位
置に配置しなくてよい、無電極ランプカプセルを支持す
るための耐火性のブロックを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、無電極ランプカプセルと、上面お
よび底面および縁部を有する基板と、前記ランプカプセ
ルに電気エネルギを接続するためのアプリケータと、切
欠きを備えた上壁と、溝を備えた側壁とを有する耐火性
の支持ブロックとが設けられており、前記ランプカプセ
ルが、前記切欠きに固定されており、前記基板の縁部が
前記溝に固定されており、この場合、前記ランプカプセ
ルが、前記支持ブロックによって前記基板の上方に支持
されているようにした。
に本発明の構成では、無電極ランプカプセルと、上面お
よび底面および縁部を有する基板と、前記ランプカプセ
ルに電気エネルギを接続するためのアプリケータと、切
欠きを備えた上壁と、溝を備えた側壁とを有する耐火性
の支持ブロックとが設けられており、前記ランプカプセ
ルが、前記切欠きに固定されており、前記基板の縁部が
前記溝に固定されており、この場合、前記ランプカプセ
ルが、前記支持ブロックによって前記基板の上方に支持
されているようにした。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば無電極ランプアセンブリ
が提供されている。ランプアセンブリは、無電極ランプ
カプセルと、上面と底面と縁部とを有する基板と、ラン
プカプセルに電気エネルギを接続するためのアプリケー
タと、耐火性の支持ブロックとから成っている。支持ブ
ロックは、切欠きを備えた上壁と、溝を備えた側壁とを
有している。ランプカプセルは、切欠きに固定されてお
り、基板の縁部は溝に固定されている。ランプカプセル
は、支持ブロックによって基板の上方に支持されてい
る。
が提供されている。ランプアセンブリは、無電極ランプ
カプセルと、上面と底面と縁部とを有する基板と、ラン
プカプセルに電気エネルギを接続するためのアプリケー
タと、耐火性の支持ブロックとから成っている。支持ブ
ロックは、切欠きを備えた上壁と、溝を備えた側壁とを
有している。ランプカプセルは、切欠きに固定されてお
り、基板の縁部は溝に固定されている。ランプカプセル
は、支持ブロックによって基板の上方に支持されてい
る。
【０００８】支持ブロックが直方体から成っていると有
利である。上壁に設けられた切欠きは、Ｖ字形切欠きま
たは半円形切欠きから成っていてよい。１つの構成で
は、切欠きの長手方向軸線は、溝の長手方向軸線に対し
て垂直である。支持ブロックは、耐熱性で非金属性の材
料から製造されていると有利である。
利である。上壁に設けられた切欠きは、Ｖ字形切欠きま
たは半円形切欠きから成っていてよい。１つの構成で
は、切欠きの長手方向軸線は、溝の長手方向軸線に対し
て垂直である。支持ブロックは、耐熱性で非金属性の材
料から製造されていると有利である。
【０００９】本発明の別の観点によれば、基板の上方に
ランプカプセルを支持するための耐火性のブロックが提
供されている。耐火性のブロックは、耐火性の材料から
製造された直方体から成っており、上壁と複数の側壁と
を有している。上壁は、ランプカプセルを収容するため
に切欠きを有しており、側壁のうちの１つは、基板の縁
部を収容するために溝を有している。
ランプカプセルを支持するための耐火性のブロックが提
供されている。耐火性のブロックは、耐火性の材料から
製造された直方体から成っており、上壁と複数の側壁と
を有している。上壁は、ランプカプセルを収容するため
に切欠きを有しており、側壁のうちの１つは、基板の縁
部を収容するために溝を有している。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
につき詳しく説明する。
につき詳しく説明する。
【００１１】本発明による無電極高輝度放電ランプの実
施例が図１に示されている。ランプシステムは、無電極
ランプアセンブリ１０と高周波源１２とを有している。
高周波源１２からの高周波電力は、たとえば同軸ケーブ
ルであってよい伝送線路１４を介して無電極ランプアセ
ンブリ１０に接続される。無電極ランプアセンブリ１０
は、平面伝送線路１６と、電界アプリケータ１８，１９
と、ランプカプセル２０とを有しており、このランプカ
プセル２０は、ランプ充填材料を含む取り囲まれた容量
を有している。ランプカプセル２０は、始動ガスと、高
周波電力によって発光状態へ励起可能な化学的ドーパン
ト材料との混合物を含んでいる。
施例が図１に示されている。ランプシステムは、無電極
ランプアセンブリ１０と高周波源１２とを有している。
高周波源１２からの高周波電力は、たとえば同軸ケーブ
ルであってよい伝送線路１４を介して無電極ランプアセ
ンブリ１０に接続される。無電極ランプアセンブリ１０
は、平面伝送線路１６と、電界アプリケータ１８，１９
と、ランプカプセル２０とを有しており、このランプカ
プセル２０は、ランプ充填材料を含む取り囲まれた容量
を有している。ランプカプセル２０は、始動ガスと、高
周波電力によって発光状態へ励起可能な化学的ドーパン
ト材料との混合物を含んでいる。
【００１２】平面伝送線路１６は基板３０を有してお
り、この基板３０は、高周波コネクタ３６に結合され
た、パターン化された導体３４を有している。高周波コ
ネクタ３６は、伝送線路１４を介して高周波源１２に結
合されている。導体３４は、高周波源１２の周波数でア
プリケータ１８と１９との間に１８０゜の移相のずれを
生ぜしめるように構成されており、さらに同調突出部３
５を有していてよい。基板３０の反対側の面は導電性の
基礎面（図１には図示せず）で被覆されている。基板３
０にはギャップ３８が設けられており、このギャップ３
８にはランプカプセル２０が取り付けられている。ラン
プカプセル２０は、基板３０の面の上方に間隔を置いて
配置されており、電界アプリケータ１８，１９と整合し
ている。導電線４０，４２は、ランプカプセル２０の領
域において電界を対称にするためにギャップ３８の対向
した端部の間に結合されていてよい。
り、この基板３０は、高周波コネクタ３６に結合され
た、パターン化された導体３４を有している。高周波コ
ネクタ３６は、伝送線路１４を介して高周波源１２に結
合されている。導体３４は、高周波源１２の周波数でア
プリケータ１８と１９との間に１８０゜の移相のずれを
生ぜしめるように構成されており、さらに同調突出部３
５を有していてよい。基板３０の反対側の面は導電性の
基礎面（図１には図示せず）で被覆されている。基板３
０にはギャップ３８が設けられており、このギャップ３
８にはランプカプセル２０が取り付けられている。ラン
プカプセル２０は、基板３０の面の上方に間隔を置いて
配置されており、電界アプリケータ１８，１９と整合し
ている。導電線４０，４２は、ランプカプセル２０の領
域において電界を対称にするためにギャップ３８の対向
した端部の間に結合されていてよい。
【００１３】ランプカプセル２０は、耐火性の支持ブロ
ック５０によって基板３０の面の上方に機械的に支持さ
れている。ランプカプセル２０は、放電部分５２とこの
放電部分５２の一方の端部から延びたランプステム５４
とを有している。ランプステム５４は、ランプカプセル
２０が電界アプリケータ１８，１９と整合しながら基板
３０の上方に間隔を置いて配置されるように、支持ブロ
ック５０に結合されている。
ック５０によって基板３０の面の上方に機械的に支持さ
れている。ランプカプセル２０は、放電部分５２とこの
放電部分５２の一方の端部から延びたランプステム５４
とを有している。ランプステム５４は、ランプカプセル
２０が電界アプリケータ１８，１９と整合しながら基板
３０の上方に間隔を置いて配置されるように、支持ブロ
ック５０に結合されている。
【００１４】支持ブロック５０が図２および図３に詳し
く示されている。支持ブロック５０は耐火性の材料から
製造されており、ほぼ直方体の形状を有していてよい。
支持ブロック５０は、切欠き６２を備えた上面６０と、
側壁６４，６５，６６，６７とを有している。側壁６４
には溝７０が形成されている。溝７０は、基板３０の縁
部７２を収容するように寸法決めおよび成形されてい
る。切欠き６２は、ランプステム５４を収容するように
寸法決めおよび成形されている。完成したランプアセン
ブリにおいては、基板３０の縁部７２は溝７０に位置決
めされ、所定の位置に接合されている。前述のように、
ランプステム５４は、剛性のアセンブリを形成するため
に切欠き６２に接合されている。製造時には、支持ブロ
ック５０は、溝７０の長手方向軸線７６に対して平行な
方向に、基板３０の縁部７２に沿って移動させられてよ
い。さらに、ランプステム５４は、切欠き６２の長手方
向軸線７８に対して平行に、支持ブロック５０に対して
移動させられてよい。この構造により、ランプカプセル
２０が固定位置に接合される前に、ランプカプセル２０
の位置を調整することができる。
く示されている。支持ブロック５０は耐火性の材料から
製造されており、ほぼ直方体の形状を有していてよい。
支持ブロック５０は、切欠き６２を備えた上面６０と、
側壁６４，６５，６６，６７とを有している。側壁６４
には溝７０が形成されている。溝７０は、基板３０の縁
部７２を収容するように寸法決めおよび成形されてい
る。切欠き６２は、ランプステム５４を収容するように
寸法決めおよび成形されている。完成したランプアセン
ブリにおいては、基板３０の縁部７２は溝７０に位置決
めされ、所定の位置に接合されている。前述のように、
ランプステム５４は、剛性のアセンブリを形成するため
に切欠き６２に接合されている。製造時には、支持ブロ
ック５０は、溝７０の長手方向軸線７６に対して平行な
方向に、基板３０の縁部７２に沿って移動させられてよ
い。さらに、ランプステム５４は、切欠き６２の長手方
向軸線７８に対して平行に、支持ブロック５０に対して
移動させられてよい。この構造により、ランプカプセル
２０が固定位置に接合される前に、ランプカプセル２０
の位置を調整することができる。
【００１５】図２および図３の実施例では、溝７０の長
手方向軸線７６は切欠き６２の長手方向軸線７８に対し
て垂直である。耐火性の支持ブロック５０の別の構成が
本発明の範囲に含まれている。たとえば、溝７０の長手
方向軸線は、切欠き６２の長手方向軸線に対して平行で
あってもよい。この構成の場合には、溝７０は側壁６６
または６７の一方に形成されていてよい。切欠き６２と
溝７０との相対的な位置は、基板の構成とランプカプセ
ル２０の所望の取付け位置とに依存する。溝７０と切欠
き６２との間の間隔が、基板３０とランプカプセル２０
との間隔を規定する。切欠き６２は所望の形状を有して
いていよい。図２の実施例では、切欠き６２はＶ字形の
切欠きとして形成されている。図４には、耐火性の支持
ブロックの別の構成が示されている。耐火性の支持ブロ
ック８０は、半円形の切欠きとして形成された切欠き８
２を有している。溝７０は、基板３０の厚さよりも僅か
に大きな幅Ｗと、基板３０の縁部７２への支持ブロック
５０の確実な装着を可能にするのに十分な深さＤとを有
している。支持ブロック５０は、典型的には平坦な基板
３０と共に使用される。しかしながら、本発明の支持ブ
ロックは、どのような形状の基板と共に使用してもよ
い。溝７０は、基板３０の輪郭に適合するように成形さ
れる。たとえば、基板が曲率半径を有している場合に
は、溝７０は対応した曲率半径で形成される。
手方向軸線７６は切欠き６２の長手方向軸線７８に対し
て垂直である。耐火性の支持ブロック５０の別の構成が
本発明の範囲に含まれている。たとえば、溝７０の長手
方向軸線は、切欠き６２の長手方向軸線に対して平行で
あってもよい。この構成の場合には、溝７０は側壁６６
または６７の一方に形成されていてよい。切欠き６２と
溝７０との相対的な位置は、基板の構成とランプカプセ
ル２０の所望の取付け位置とに依存する。溝７０と切欠
き６２との間の間隔が、基板３０とランプカプセル２０
との間隔を規定する。切欠き６２は所望の形状を有して
いていよい。図２の実施例では、切欠き６２はＶ字形の
切欠きとして形成されている。図４には、耐火性の支持
ブロックの別の構成が示されている。耐火性の支持ブロ
ック８０は、半円形の切欠きとして形成された切欠き８
２を有している。溝７０は、基板３０の厚さよりも僅か
に大きな幅Ｗと、基板３０の縁部７２への支持ブロック
５０の確実な装着を可能にするのに十分な深さＤとを有
している。支持ブロック５０は、典型的には平坦な基板
３０と共に使用される。しかしながら、本発明の支持ブ
ロックは、どのような形状の基板と共に使用してもよ
い。溝７０は、基板３０の輪郭に適合するように成形さ
れる。たとえば、基板が曲率半径を有している場合に
は、溝７０は対応した曲率半径で形成される。
【００１６】本発明の支持ブロックは、耐熱性で電気的
に絶縁性の材料から製造されており、４００゜Ｃまでの
温度に耐えることが要求されてよい。支持ブロックは、
パイレックスガラスまたは溶融シリカ等のガラスから研
磨されるか、またはウルテム（Ultem ）等の耐熱重合体
から成形または機械加工されるか、多結晶アルミナ等の
セラミックから焼結されるか、またはマコール（Macor
）等の機械加工可能なセラミックから製造される。耐
火性の材料は、高い機械的強度を有しており、耐熱性で
あり、非金属性でかつ成形可能であることが望ましい。
有利な材料はマコール（Macor ）である。なぜならば容
易に機械加工することができるからである。しかしなが
ら、本発明の範囲内で別の材料を使用してもよい。
に絶縁性の材料から製造されており、４００゜Ｃまでの
温度に耐えることが要求されてよい。支持ブロックは、
パイレックスガラスまたは溶融シリカ等のガラスから研
磨されるか、またはウルテム（Ultem ）等の耐熱重合体
から成形または機械加工されるか、多結晶アルミナ等の
セラミックから焼結されるか、またはマコール（Macor
）等の機械加工可能なセラミックから製造される。耐
火性の材料は、高い機械的強度を有しており、耐熱性で
あり、非金属性でかつ成形可能であることが望ましい。
有利な材料はマコール（Macor ）である。なぜならば容
易に機械加工することができるからである。しかしなが
ら、本発明の範囲内で別の材料を使用してもよい。
【００１７】１つの有利な構成では、耐火性のブロック
は、約０．２インチ（約５．０８ｍｍ）の幅、約０．１
２５インチ（約３．１８ｍｍ）の厚さおよび約０．２８
インチ（約７．１１ｍｍ）の高さを有している。溝７０
は、０．０７インチ（１．７８ｍｍ）の幅Ｗと約０．０
６３インチ（約１．６ｍｍ）の深さＤとを有している。
支持ブロックは、３５ワットランプカプセルを支持する
ために使用され、このランプカプセルは、２ｍｍの内径
に１０ｍｍの内部長さを有しており、ランプ軸線と同一
線上に装着された支持管を備えている。ランプステム
は、１ｍｍの内径と、２ｍｍの外径と、約１２ｍｍの長
さとを有している。
は、約０．２インチ（約５．０８ｍｍ）の幅、約０．１
２５インチ（約３．１８ｍｍ）の厚さおよび約０．２８
インチ（約７．１１ｍｍ）の高さを有している。溝７０
は、０．０７インチ（１．７８ｍｍ）の幅Ｗと約０．０
６３インチ（約１．６ｍｍ）の深さＤとを有している。
支持ブロックは、３５ワットランプカプセルを支持する
ために使用され、このランプカプセルは、２ｍｍの内径
に１０ｍｍの内部長さを有しており、ランプ軸線と同一
線上に装着された支持管を備えている。ランプステム
は、１ｍｍの内径と、２ｍｍの外径と、約１２ｍｍの長
さとを有している。
【００１８】図５には、本発明による無電極ランプアセ
ンブリの第２の構成が示されている。見やすくするため
に図５では電界アプリケータを省略した。伝送線路は、
基礎面９０とマイクロストリップ線路９２とを有してお
り、これらはそれぞれ金属であってよい。マイクロスト
リップ線路９２は、絶縁支持部材９４によって基礎面９
０から間隔を置いて配置されている。無電極ランプカプ
セル９６は、耐火性の支持ブロック９８によってマイク
ロストリップ線路９２の上方に位置決めされている。ラ
ンプカプセル９６のランプステム１００は、支持ブロッ
ク９８に設けられた切欠き１０２に接合されている。基
礎面９０の縁部１０４は、支持ブロック９８に設けられ
た溝１０６に接合されている。支持ブロック９８は、図
２および図３に示しかつ前述したような構造を有してい
てよい。
ンブリの第２の構成が示されている。見やすくするため
に図５では電界アプリケータを省略した。伝送線路は、
基礎面９０とマイクロストリップ線路９２とを有してお
り、これらはそれぞれ金属であってよい。マイクロスト
リップ線路９２は、絶縁支持部材９４によって基礎面９
０から間隔を置いて配置されている。無電極ランプカプ
セル９６は、耐火性の支持ブロック９８によってマイク
ロストリップ線路９２の上方に位置決めされている。ラ
ンプカプセル９６のランプステム１００は、支持ブロッ
ク９８に設けられた切欠き１０２に接合されている。基
礎面９０の縁部１０４は、支持ブロック９８に設けられ
た溝１０６に接合されている。支持ブロック９８は、図
２および図３に示しかつ前述したような構造を有してい
てよい。
【００１９】図６には本発明のさらに別の構成が示され
ている。無電極ランプカプセル１２０が、反射器１２２
とワイヤメッシュスクリーン１２４とによって仕切られ
た空隙内に位置決めされている。ランプカプセル１２０
のランプステム１２６は、反射器１２２を貫通して支持
ブロック１３０にまで延びている。ランプステム１２６
は、前述のように、支持ブロック１３０に設けられた切
欠きに接合されている。電気エネルギは、ループ状の結
合器１３４で終わった同軸伝送線路１３２によってラン
プカプセルに供給される。支持ブロック１３０は、基板
１３６の縁部に固定されており、この基板１３６は伝送
線路１３２に取り付けられている。
ている。無電極ランプカプセル１２０が、反射器１２２
とワイヤメッシュスクリーン１２４とによって仕切られ
た空隙内に位置決めされている。ランプカプセル１２０
のランプステム１２６は、反射器１２２を貫通して支持
ブロック１３０にまで延びている。ランプステム１２６
は、前述のように、支持ブロック１３０に設けられた切
欠きに接合されている。電気エネルギは、ループ状の結
合器１３４で終わった同軸伝送線路１３２によってラン
プカプセルに供給される。支持ブロック１３０は、基板
１３６の縁部に固定されており、この基板１３６は伝送
線路１３２に取り付けられている。
【００２０】電界アプリケータ１８，１９は、前記米国
特許第５０７０２７７号明細書に開示されているような
らせん状の結合器、前記米国特許第５２４１２４６号明
細書に開示されているような端部カップアプリケータ、
前記米国特許第５１３０６１２号明細書に開示されてい
るようなループ状のアプリケータ、またはその他の適切
な電界アプリケータから成っていてよい。一般的に、電
界アプリケータは、ランプカプセルの取り囲まれた容量
内に高輝度電界を生ぜしめるので、付与された高周波電
力はプラズマ放電によって吸収される。
特許第５０７０２７７号明細書に開示されているような
らせん状の結合器、前記米国特許第５２４１２４６号明
細書に開示されているような端部カップアプリケータ、
前記米国特許第５１３０６１２号明細書に開示されてい
るようなループ状のアプリケータ、またはその他の適切
な電界アプリケータから成っていてよい。一般的に、電
界アプリケータは、ランプカプセルの取り囲まれた容量
内に高輝度電界を生ぜしめるので、付与された高周波電
力はプラズマ放電によって吸収される。
【００２１】本発明の高輝度放電ランプは、大きな電力
を生ぜしめることができる１３メガヘルツ〜２０ギガヘ
ルツの範囲内の任意の周波数で働くことができる。動作
周波数は、典型的にはＩＳＭ帯の１つに選択される。９
１５メガヘルツおよび２．４５ギガヘルツの周辺に集中
した周波数が特に適当である。
を生ぜしめることができる１３メガヘルツ〜２０ギガヘ
ルツの範囲内の任意の周波数で働くことができる。動作
周波数は、典型的にはＩＳＭ帯の１つに選択される。９
１５メガヘルツおよび２．４５ギガヘルツの周辺に集中
した周波数が特に適当である。
【００２２】平面伝送線路１６は、動作周波数で電界ア
プリケータ１８，１９に、位相を１８０゜ずらして高周
波電力を接続するように構成されている。高周波電力を
伝送するための平面伝送線路の構成及び構造は、当業者
には公知である。平面伝送線路の基板３０は、ほぼ２．
５〜１０．０の比誘電率を有し、かつ０．０３０インチ
〜０．０６２インチ（０．７６〜１．５７ｍｍ）の厚さ
を有するガラス、マイクロファイバ強化テフロン、複合
積層品またはＢＥＯ等の誘電性の材料である。導電体３
４は、基板の表面にパターン化されており、基板の反対
側の面には基礎面導電体が形成されている。適切な平面
伝送線路の例には、ストリップ伝送線路およびマイクロ
ストリップ伝送線路が含まれている。
プリケータ１８，１９に、位相を１８０゜ずらして高周
波電力を接続するように構成されている。高周波電力を
伝送するための平面伝送線路の構成及び構造は、当業者
には公知である。平面伝送線路の基板３０は、ほぼ２．
５〜１０．０の比誘電率を有し、かつ０．０３０インチ
〜０．０６２インチ（０．７６〜１．５７ｍｍ）の厚さ
を有するガラス、マイクロファイバ強化テフロン、複合
積層品またはＢＥＯ等の誘電性の材料である。導電体３
４は、基板の表面にパターン化されており、基板の反対
側の面には基礎面導電体が形成されている。適切な平面
伝送線路の例には、ストリップ伝送線路およびマイクロ
ストリップ伝送線路が含まれている。
【図１】本発明による無電極高輝度放電ランプの第１実
施例を概略的に示す図である。
施例を概略的に示す図である。
【図２】本発明による耐火性の支持ブロックの第１実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図３】耐火性の支持ブロックを示す、図１のランプア
センブリの部分的な横断面である。
センブリの部分的な横断面である。
【図４】本発明による耐火性の支持ブロックの第２実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図５】本発明による無電極高輝度放電ランプの第２実
施例を概略的に示す図である。
施例を概略的に示す図である。
【図６】本発明による無電極高輝度放電ランプの第３実
施例を概略的に示す図である。
施例を概略的に示す図である。
１０ 無電極ランプアセンブリ、 １２ 高周波源、
１４ 伝送線路、 １６ 平面伝送線路、 １８，１９
電界アプリケータ、 ２０ ランプカプセル、 ３０
基板、 ３６ 高周波コネクタ、 ３８ ギャップ、
４０，４２導電ワイヤ、 ５０ 支持ブロック、 ５
４ ランプステム、 ６０ 上面、６２ 切欠き、 ６
４，６５，６６，６７ 側壁、 ７０ 溝、 ７２ 縁
部、７６，７８ 長手方向軸線、 ８０ 支持ブロッ
ク、 ８２ 切欠き、 ９０基礎面、 ９２ マイクロ
ストリップ線路、 ９４ 絶縁支持部材、 ９６無電極
ランプカプセル、 ９８ 支持ブロック、 １００ ラ
ンプステム、 １０２ 切欠き、 １０４ 縁部、 １
０６ 溝、 １２０ 無電極ランプカプセル、 １２２
反射器、 １２４ ワイヤメッシュスクリーン、 １
２６ ランプステム、 １３０ 支持ブロック、 １３
２ 伝送線路、 １３４ 結合器、１３６ 基板、 Ｗ
幅、 Ｄ 深さ
１４ 伝送線路、 １６ 平面伝送線路、 １８，１９
電界アプリケータ、 ２０ ランプカプセル、 ３０
基板、 ３６ 高周波コネクタ、 ３８ ギャップ、
４０，４２導電ワイヤ、 ５０ 支持ブロック、 ５
４ ランプステム、 ６０ 上面、６２ 切欠き、 ６
４，６５，６６，６７ 側壁、 ７０ 溝、 ７２ 縁
部、７６，７８ 長手方向軸線、 ８０ 支持ブロッ
ク、 ８２ 切欠き、 ９０基礎面、 ９２ マイクロ
ストリップ線路、 ９４ 絶縁支持部材、 ９６無電極
ランプカプセル、 ９８ 支持ブロック、 １００ ラ
ンプステム、 １０２ 切欠き、 １０４ 縁部、 １
０６ 溝、 １２０ 無電極ランプカプセル、 １２２
反射器、 １２４ ワイヤメッシュスクリーン、 １
２６ ランプステム、 １３０ 支持ブロック、 １３
２ 伝送線路、 １３４ 結合器、１３６ 基板、 Ｗ
幅、 Ｄ 深さ
Claims (8)
- 【請求項１】 無電極ランプアセンブリにおいて、無電
極ランプカプセルと；上面および底面および縁部を有す
る基板と；前記ランプカプセルに電気エネルギを接続す
るためのアプリケータと；切欠きを備えた上壁と、溝を
備えた側壁とを有する耐火性の支持ブロックとが設けら
れており、前記ランプカプセルが、前記切欠きに固定さ
れており、前記基板の縁部が前記溝に固定されており、
この場合、前記ランプカプセルが、前記支持ブロックに
よって前記基板の上方に支持されていることを特徴とす
る、無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項２】 前記支持ブロックが、直方体から成って
いる、請求項１記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項３】 前記切欠きが、Ｖ字形切欠きから成って
いる、請求項２記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項４】 前記切欠きが、半円形の切欠きから成っ
ている、請求項２記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項５】 前記切欠きおよび前記溝がそれぞれ長手
方向軸線を有しており、この場合、前記切欠きの長手方
向軸線が、前記溝の長手方向軸線に対して垂直である、
請求項２記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項６】 前記ランプカプセルが、ランプステムを
有しており、この場合、前記切欠きが、前記ランプステ
ムを収容するように寸法を決めて、成形されている、請
求項２記載の無電極ランプアセンブリ。 - 【請求項７】 基板の上方にランプカプセルを支持する
ための耐火性のブロックにおいて、耐火性の材料から製
造された、上壁と複数の側壁とを有する直方体から成っ
ており、前記上壁が、ランプカプセルを収容するために
切欠きを有しており、前記側壁の１つが、基板の縁部を
収容するために溝を有していることを特徴とする、耐火
性のブロック。 - 【請求項８】 無電極高輝度放電ランプアセンブリであ
って、無電極ランプカプセルが設けられており、該無電
極ランプカプセルが、始動ガスと、高周波電力によって
発光状態に励起可能な化学的ドーパント材料との混合物
を含んだ取り囲まれた容量を有しており、第１の電界ア
プリケータと第２の電界アプリケータとが設けられてお
り、基板を備えた伝送線路が設けられており、前記基板
が、高周波電力を入力部から前記第１および第２の電界
アプリケータに接続するために、パターン化された導電
体を第１の面に有しており、さらに第２の面に基礎面を
有しており、耐火性の支持ブロックが設けられており、
該耐火性の支持ブロックが、切欠きを備えた上壁と、溝
を備えた側壁とを有しており、前記ランプカプセルが、
前記切欠きに固定されており、前記基板の縁部が前記溝
に固定されており、この場合前記ランプカプセルが、前
記第１および第２の電界アプリケータの間に前記支持ブ
ロックによって位置決めされていることを特徴とする、
無電極高輝度放電ランプ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/670,870 US5821698A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Refractory block for supporting electrodeless lamp capsule |
| US08/670870 | 1996-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064314A true JPH1064314A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=24692232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9170090A Pending JPH1064314A (ja) | 1996-06-26 | 1997-06-26 | 無電極ランプアセンブリおよび耐火性のブロック |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5821698A (ja) |
| EP (1) | EP0817240B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1064314A (ja) |
| CA (1) | CA2208881C (ja) |
| DE (1) | DE69708525T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861706A (en) * | 1997-06-10 | 1999-01-19 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless high intensity discharge medical lamp |
| KR20100109500A (ko) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 무전극 가스 방전 램프들의 동작을 위한 장 어플리케이터들에 대한 콤팩트한 지연 라인 구조들 |
| US11705321B2 (en) * | 2019-06-12 | 2023-07-18 | Topanga Asia Limited | Electrodeless plasma lamps, transmission lines and radio frequency systems |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2488169A (en) * | 1946-02-20 | 1949-11-15 | Benjamin B Schneider | Neon-type sign |
| US5070277A (en) * | 1990-05-15 | 1991-12-03 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodless hid lamp with microwave power coupler |
| US5113121A (en) * | 1990-05-15 | 1992-05-12 | Gte Laboratories Incorporated | Electrodeless HID lamp with lamp capsule |
| EP0457242B1 (en) * | 1990-05-15 | 1995-08-30 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless HID lamp with microwave power coupler |
| US5144206A (en) * | 1991-09-10 | 1992-09-01 | Gte Products Corporation | Electrodeless HID lamp coupling structure with integral matching network |
| US5241246A (en) * | 1991-09-10 | 1993-08-31 | Gte Laboratories Incorporated | End cup applicators for high frequency electrodeless lamps |
| US5130612A (en) * | 1991-09-11 | 1992-07-14 | Gte Products Corporation | Loop applicator for high frequency electrodeless lamps |
| JPH0643557A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-18 | Sharp Corp | 露光装置 |
| JPH0682932A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Sharp Corp | 画像形成装置の露光装置 |
| US5299100A (en) * | 1992-12-29 | 1994-03-29 | Gte Products Corporation | Microwave powered vehicle lamp |
-
1996
- 1996-06-26 US US08/670,870 patent/US5821698A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-12 EP EP97109526A patent/EP0817240B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 DE DE69708525T patent/DE69708525T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-24 CA CA002208881A patent/CA2208881C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-26 JP JP9170090A patent/JPH1064314A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5821698A (en) | 1998-10-13 |
| DE69708525D1 (de) | 2002-01-10 |
| EP0817240B1 (en) | 2001-11-28 |
| DE69708525T2 (de) | 2002-05-02 |
| EP0817240A2 (en) | 1998-01-07 |
| CA2208881C (en) | 2005-09-06 |
| CA2208881A1 (en) | 1997-12-26 |
| EP0817240A3 (en) | 1998-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040408 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060809 |