JPH10509508A - 干渉法スペクトル画像処理を用いる薄膜厚マップ測定方法 - Google Patents

干渉法スペクトル画像処理を用いる薄膜厚マップ測定方法

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JPH10509508A JP8505769A JP50576996A JPH10509508A JP H10509508 A JPH10509508 A JP H10509508A JP 8505769 A JP8505769 A JP 8505769A JP 50576996 A JP50576996 A JP 50576996A JP H10509508 A JPH10509508 A JP H10509508A
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Abstract

(57)【要約】 支持体(14)に重なる薄膜(14)の厚さマップを測定する方法。この方法は、異なる角度から同時に薄膜(10)を照射すること及び薄膜(14)上の各点によって反射された照射光のスペクトル輝度を分析することを含む。この分析は、薄膜(14)から反射された照射光を集めること、各ピクセルから放射する照射光のスペクトル輝度の一次結合の所定セットに対応する被変調照射光を出力する干渉計(16)を通して照射光を通過させること、各ピクセルに対して干渉計(16)内に生じる光路差を同時に、そして個別にスキャンすること、干渉計(16)から出力された照射光を検出アレイ上に集束すること、及び各ピクセルのスペクトル輝度を測定しスペクトル輝度分布を得るために、検出アレイの出力を処理することによって行われる。最後に、この方法は、薄膜(16)の厚さの立体的な分布を測定するために、スペクトル輝度分布をさらに処理することを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 干渉法スペクトル画像処理を用いる薄膜厚マップ測定方法 発明の分野及び背景 本発明は、薄膜厚を測定する目的で、画像のスペクトル分析を行う方法及び 装置、特に、シリコン・ウエハあるいは他の同類の材料(例えば、フラットパネ ル・ディスプレイ)の表面に施されたコーティングの薄膜厚を立体的に解析する 方法及び装置に関する。 反射分光法による薄膜厚測定はよく知られている。例えば、「可視反射スペ クトルの分析による多結晶シリコン薄膜厚測定」(P.S.Hauge,"Polycrystall ine silicon film thickness measurement from analysis of visible reflecta nce spectra",J.Opt.Soc.Am.,No.8,August 1979)及び「薄膜の材料科学 」(Milton Ohring: "The material science of thin films",Academic Press Ltd.,1992)を参照。今日のマイクロエレクトロニクス機器の製造行程において は、ウエハ上に被覆される薄膜の均一性が重要性を増している。それは、優れた 均一性が出来上がった製品チップの一体性を保証するからである。また、チップ の大きさが小さくなっているため、その均一性への許容範囲はより厳しくなって いる。さらに、高い歩止まり(少ない不合格品)と効率的な(低コストの)生産 を保証するために、ウエハ点検には、より高度な自動化が必要で、より短時間で 、より高精度に、より広範囲の厚さ測定が要求される。 その結果、ウエハの薄膜厚マップは、製造中に行われる多くの点検項目の一 つとして、非常に多くのポイント(テスト位置)で広い範囲の厚さに対して、迅 速に正確になされなければならない。 今日、薄膜厚マッピング計測器は、楕円偏光法あるいは反射分光法に基づい ている。ここでは後者だけに言及し、この分野における従来の技術の例として、 プロメトリクス(Prometrix)のスペクトラマップ(SpectraMap)SM-300 及び F T-500 をあげる。一枚の厚さマップを完成するために、ウエハを移動ステージ上 で動かすことによって一点一点スペクトルが測定される。これは、時間を要し、 立体的な高い解像度が要求されるため、高い移動精度も必要であり、ウエハの操 作を増すため、ウエハがメッキ室の外にある場合にだけ実用的である(従って、 本来の場所において行うことが不可能である)。実際、薄膜厚装置の製造業者が 言及する最も高速な厚さマッピングは、数秒間で何百ポイント程度を行うもので ある。 より速く、より高い立体的解像度(より多くのテスト位置)で、テスト位置 から他のテスト位置へ移るときに計測器に対してウエハを動かす必要がなく(よ り高精度及び、本来の場所での監視を可能にするより少ないウエハ操作)、可能 な限り最も広い範囲の厚さを容易に測定可能な、支持体に重なる薄膜の厚さの立 体的な分布を測定するための方法及び装置の必要性が認められると共に、それら 方法及び装置をもつことは非常に有利であろう。 本発明は、シリコン・ウエハあるいは同類の支持体上の、薄膜厚をマップす るための方法と装置とに関する。本発明によれば、ウエハを動かすことを必要と しないため(測定結果をより速く、また立体的により正確に、そして潜在的に本 来の場所において行われることが可能であり)、(現在のカタログに述べられる 何百ではなく)数秒間で何万ピクセルにも到達し、(下記の)他の潜在的に競合 する方法と同時に、より広い範囲の厚さを測定可能である。 分光計は、光を受け入れ、それをその構成波長へ分離し(分散し) スペクトルを検出するようにデザインされた装置である。結像分光計は、シーン (scene)からの入射光を集め、そのシーンの各ピクセルのスペクトル輝度を測 定するために入射光を分析するものである。 前者は、一点だけにおけるスペクトルを測るため、このような計測器では、 計測器に対してウエハが一点ごとに動かされなくてはならず、先に述べたように 、測定時間が長い、また位置精度を確保し難いという欠点を有する。 後者、すなわち、結像分光計あるいはスペクトル・イメージャ(spectral i mager)としては、異なるタイプのものが可能であり、飛行機や人工衛星から地 表の資源をマップするために用いられる技術に類似したものが、薄膜厚マッピン グのために用いられることも可能である(例えば、「地球及び惑星の遠隔探知の ための結像分光計」J.B. Wellman,Imaging Spectrometers for Terrestrial and Planetary Remote Sensing,SPIE Proceedings,Vol.: 750,p.140(1987 )を参照)。しかしながら、この技術は光を分光的に分散する格子技術に基づい ているため、次の欠点をもたらす。 格子には高次の回折があり、それをスペクトル測定に役立てるためには、ス ペクトル範囲を、波長の「オクターブ」と呼ばれる範囲の外側の波長をふさぐこ とによって限定してやらなければならない。例えば、0.4から0.8μ。従って 、回折格子に基づく計測器は、高い波長と低い波長との間の割合が2より大きく なってしまう広い波長範囲を有することは不可能である。この問題は、異なるオ クターブを格子を異なる角度に回転させることによって、あるいは同時にいくつ かの格子を用いることによって別個に測定することによって解決できる。しかし ながら、これらの解決方法は、測定時間を増やす、あるいは計測器の光学系を複 雑にするものである。これと同じ問題は、液晶や音 響光学結晶チューナブルフィルターによっても見られる。この波長範囲は、計測 器によって測定される薄膜厚範囲に関係する重要な点である。事実、光学文献に よく述べられているように、高精度の薄膜厚測定は、薄膜の厚みtが(λ/4) nより少ない場合、反射分光分析法によって行うことが難しい。この場合、λは 計測器感度範囲における最小波長であり、nは薄膜の屈折率である。したがって 、計測器が感知できる波長範囲が広ければ広いほど、測定可能な厚さの範囲は広 くなる。 干渉計にはこの制限がなく、そのため、より広い範囲の厚みをもっと容易に 測定できることもよく知られている(例えば、著書「導入的フーリエ変換分光分 析法」R.J.Bell,"Introductory Fourier Transform Spectroscopy",Academi c Press 1972 を参照)。 ここに参照として含まれる、我々の米国特許第 5,539,517 号は、シーン(s cene)の各ピクセルのスペクトル輝度を測定するために、シーンの光学的画像を 分析する方法を明らかにしている。この方法は、シーンから、入射光を集め、各 ピクセルから放射される光のスペクトル輝度の一次結合の所定セットに対応する 被変調光(modulated light)を出力する干渉計を通してその光を通過させ、そ のシーンのすべてのピクセルに対して干渉計内に生じる光路差(OPD)を別個に また同時にスキャンするために、干渉計へ入る光線を干渉計に対してスキャンし 、あるいは干渉計自体をスキャンし、干渉計から出力された光を検出アレイ上に 集束させ、各ピクセルのスペクトル輝度を測定するために検出アレイの出力を処 理するということを含んでいる。 上記に参照された特許出願は、他の既存の計測器と比較し、薄膜厚測定時間 をかなり減少させ、立体的解像度をより高め、そして厚さの動的範囲(dynamic range)を増すために、画像の収集された入射光 から利用可能なすべての情報をより良く利用する画像のスペクトル分析のための 方法と装置とを提供する。この点から、我々の方法がいかに数秒間で何万ピクセ ルもの厚さマップを提供することができるのかが理解できる。現時点で利用可能 な検出マトリクスは、16,384(128 x 128)ピクセルを有し、それらは 1,000 フ レーム/秒(16 mHz)でスキャンされる。結果として、各フレームが画像の各 ピクセルの OPD についての個々の、そして同時の情報を提供する(フーリエ変 換によるスペクトルの情報に等しい)ため、1秒後には、必要なすべてのスペク トル情報がすべてのピクセルについて集められる。 本発明の要約 本発明によれば、支持体に重なる薄膜の厚さマップを測定する方法が提供さ れる。この方法は、(a)異なる角度から同時に薄膜を照らすステップ、(b) 薄膜上の各点によって反射された照射光(radiation)のスペクトル輝度を分析 するステップ、この分析は、(A)フィルムから反射された照射光を集め、(B )この照射光を、各ピクセルから放射される照射光のスペクトル輝度の一次結合 の所定セットに対応する被変調照射光(modulated radiation)を出力する干渉 計を通して通過させ、(C)各ピクセルに対して干渉計内に生じる光路差を同時 に、そして別個にスキャンし、(D)干渉計から出力される照射光を検出アレイ 上に集束させ、そして(E)各ピクセルのスペクトル輝度を測定しスペクトル輝 度分布を得るために、検出アレイの出力を処理することによって行われ、(c) 薄膜の厚さの立体的分布を測定するために、さらにスペクトル輝度分布を処理す るステップからなる。 また、本発明によれば、支持体に重なる薄膜の厚さマップを測定するための 装置が提供される。この装置は、(a)異なる角度から同時 に薄膜を照らすための手段と、(b)薄膜から反射された照射光を集める手段と 、(c)干渉計と、(d)干渉計が、各ピクセルから放射される照射光のスペク トル輝度の一次結合の所定セットに対応する被変調照射光を出力するように、照 射光を干渉計を通して通過させる手段と、(e)検出アレイと、(f)各ピクセ ルに対して干渉計内に生じる光路差を同時に、そして別個にスキャンするための 手段と、(g)干渉計から出力された照射光を検出アレイ上に集束するための手 段と、(h)各ピクセルのスペクトル輝度を測定しスペクトル輝度分布を得るた めに検出アレイの出力を処理するための手段と、(i)他の可能な方法よりも、 ウエハの移動無しでより速くそしてより広い厚さ範囲ですべての上記ピクセルに 対し薄膜厚の立体的分布を測定するために、スペクトル輝度分布をさらに処理す る手段とからなる。 下記の本発明の実施例における特徴によれば、このさらなる処理には、一定 角度反射干渉分光分析法の技術(CARIS、上記 Ohring 参照)あるいは他のスペ クトル分析アルゴリズムを用いることが含まれる。 また、下記実施例におけるさらなる特徴によれば、このさらなる処理には、 異なる入射角の照射光に対する補正も含まれる。 本発明は、より速く、より正確で、ウエハの移動を必要としない、より広い 厚さ範囲に有効な薄膜厚マッピングのための方法及び装置を提供することによっ て、現時点における既知の機器構成の欠点を示すものである。 図面の簡単な説明 本発明は、添付の図面を参照として、例としてのみ、ここに説明される。 図1は、本発明による装置と方法とを概略的に描写するものであり、 スペクトル・イメージャとしては、米国特許第 5,539,517 号に説明された種々 のタイプのいずれを用いてもよい。 図2は、照明輝度のドリフトに対するリアルタイム補正を提供する四つの反 射率基準に囲まれたウエハを示す。 実施例の説明 本発明は、スペクトル結像を用いてウエハあるいは他の光学的材料の支持体 上に薄膜厚の立体的な分布を測るための装置及び方法に関するものである。 本発明による装置及び方法の原理と作動については、図面とその説明とを参 照することによってより良く理解することができる。 さて、図面を参照すると、図1には、本発明による装置及びシステムが概略 的に描写されている。適当な照射光源10、好ましくはハロゲン・ランプ等の光 源からの光が拡散器12を通過する。この光は、光源10から拡散器12へ光フ ァイバー(図示せず)を介して導かれてもよい。 拡散器12を通過した光がウエハ14に当たり、その上の薄膜厚分布が測定 される。拡散器12からウエハ14への、法線に対する光の入射角は変化する。 この入射角の変化は、薄膜の立体的な厚さ分布を測定するためのデータ処理にお いて明らかにされるのが好ましい。 ウエハ14上の薄膜から出る光のある部分が、スペクトル結像システム16 (スペクトル・イメージャ)へ入る。このシステム16は、薄膜の光学的画像を 分析し各ピクセルのスペクトル輝度を測定すると共にスペクトル輝度分布を作り 出すものである。 スペクトル結像システム16には、参照としてこれに含まれたところの米国 特許第 5,539,517 号において明らかにされたタイプのものが 好ましい。手短かに述べれば、スペクトル結像システムは、薄膜からの入射光を 集める手段と、干渉計、好ましくは、サグナック(Sagnac)、ファブリ−ペロー (Fabry - Perot)あるいはマイケルソン(Michelson)干渉計と、各ピクセルか ら放射された光のスペクトル輝度の一次結合の所定セットに対応する被変調光( modulated light)を出力するように、干渉計を通して光を通過させ、シーンの すべてのピクセルに対して生じる光路差(OPD)を別個に、そして同時にスキャ ンするために、干渉計へ入る光線を干渉計に相対的にスキャンあるいは干渉計そ れ自体をスキャンするための手段と、検出アレイと、干渉計から出力される光を 検出アレイ上に集束するための手段と、各ピクセルのスペクトル輝度を測定しス ペクトル輝度分布を得るために、検出アレイの出力を処理する手段とを含む。 スペクトル結像システム16によって生成されたスペクトルの輝度分布は、 薄膜の厚みの立体的な分布を得るために、例えば、適当なコンピュータを用いて さらに処理される。 本発明による装置と方法とは、ウエハ面上の薄膜厚を立体的に解析する目的 で、シリコン・ウエハ上のスペクトル結像を行うために用いられてもよい。 本発明による装置と方法とを用いるに、むき出しのシリコン・ウエハ、すな わち、その面上に薄膜を持たないシリコン・ウエハから始めてもよい。このむき 出しのウエハを、適当な位置決めされたウエハの上に置き、そして光源を、ウエ ハ面上に可能なかぎりの最良な均一性を提供するように合わせる。 ウエハ上の単一点からあるいはすべての点から計られたスペクトル測定は、 全体、あるいは一点毎の根拠として、システムのスペクトル反応を明らかにする ための「白色較正」として役立つ。この較正後に、 むき出しのウエハを、薄膜厚測定を行うべき実際のウエハで置き代える。 得られたスペクトル・データを有意義な厚さ情報に変換するために種々の処 理技術が利用可能である。最も単純なものの一つは、一定角度反射干渉分光分析 法(CARIS)の技術である(例えば、「薄膜の材料科学」M.Ohring,"The Mater ial Science of Thin Films"Academic Press,1991,ch.6.2 を参照)。この技 術を用いるためには、薄膜の厚さは、少なくとも二つの干渉最小値が計測器のス ペクトル範囲内に観察されるようでなければならない。測定されたスペクトル範 囲内に二つより多くの最小値が観察された場合は、平均dがとられ、そして異な るnが最小値の各ペアに対して入れられる。最小値がない場合には、他のアルゴ リズムが適当であると思われる。 本発明による装置及び方法の精度は、ウエハの照明の均一性を増すことによ って高められ得る。入射光の入射角における立体的な変化を考慮することによっ て、さらに性能を高めることも可能である。同様に、干渉最小値のスペクトル位 置を算定するには、適した最小値を用いるよりも、むしろより洗練された放物線 による適応型を用いる方が良いであろう。 本発明による装置及び方法の性能をさらに高めるために、上記一定角度反射 干渉分光分析法技術よりも優れた計算技術が用いられてもよい。一点一点による 干渉写真のフーリエ変換によって得られたスペクトルに頼る、ここに説明された 薄膜厚を計算するための技術と異なり、スペクトルからよりもむしろ干渉写真か ら薄膜厚の直接的な計算を行うことにより、より正確な結果を得ることが可能で ある。このような技術は、単一層以上の場合の薄膜厚計算に特に役立つ。 さらに、本発明による装置及び方法は、照明輝度のドリフトに対す るリアルタイム補正を行うために、好ましくは四つの反射率基準18(図2)を 提供することによって、さらに改善され得る。これらの基準は、スペクトル・イ メージャの視野の四角に置かれるのが好ましく、小さないくつかのシリコン・ウ エハでもよい。反射率基準18のスペクトル画像がウエハのそれと同時に検出さ れるため、光源、光学素子、エレクトロニクス等の、どのようなシステム・パラ メータに対しても経時変動のリアルタイム補正が可能であり、測定精度と反復精 度とが改善される。 最後に、二つのスペクトル画像間における、ピクセル毎の、そして波長毎の スペクトル差に基づくアルゴリズムは、半導体素子の点検に役立つ。コーティン グの位置合わせを行う、または、不完全あるいは狂い、汚染、あるいは他の欠陥 を見つけるために、二つのスペクトル画像の差異を、標準とする基準素子に製造 中の素子を比較するために用いることができる。 本発明は、限られた数の実施例に関して説明されたが、本発明について多く の変形、改良及び他の適用が行なわれ得ることは明らかである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.支持体に重なる薄膜の厚さマップを測定するための方法であって、 (a)薄膜を異なる角度から同時に照らすステップと、 (b)この薄膜上の各点から反射した照射光(radiation)のスペクトル輝度 を分析するステップと、この分析は、 (A)前記薄膜から反射された照射光を集めること、 (B)各ピクセルから放射されたこの照射光のスペクトル輝度の一次結合 の所定セットに対応する被変調照射光(modulated radiation)を出力する干渉 計を通して前記照射光を通過させること、 (C)前記各ピクセルに対して前記干渉計内に生じる光路差を同時に、そ して個別にスキャンすること、 (D)前記干渉計から出力された前記照射光を検出アレイ上に集束するこ と、及び (E)各ピクセルのスペクトル輝度を測定しスペクトル輝度分布を得るた めに、前記検出アレイの出力を処理することから行われ、 (c)前記薄膜の厚さの立体的分布を測定するために、前記スペクトル輝度分 布をさらに処理するステップとからなる方法。 2.前記干渉計が、サグナック(Sagnac)、ファブリ−ペロー(Fabry - Perot )及びマイケルソン(Michelson)干渉計からなるグループから選択されること を特徴とする請求項1に記載の方法。 3.拡散器を介して前記薄膜の照明方向を調節して、異なる入射角度が得られる ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 4.さらに、前記薄膜上への入射の前に、前記照射光を拡散することからなる請 求項1に記載の方法。 5.さらに、基準ウエハを測ることによって追加のスペクトル画像を得ることか らなり、前記のさらなる処理が、視野内での計測器反応の相違及び前記薄膜の異 なる領域ついての照明の変化を補正するために、前記追加のスペクトル画像に基 づく一点毎の正規化を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 6.前記のさらなる処理が、前記照射光の異なる入射角に対する補正を含むこと を特徴とする請求項1に記載の方法。 7.前記干渉計が可動タイプであることを特徴とする請求項1に記載の方法。 8.前記検出アレイが二次元であることを特徴とする請求項1に記載の方法。 9.支持体に重なる薄膜の厚さマップを測定するための装置であって、 (a)異なる角度から同時に薄膜を照らすための手段と、 (b)この薄膜から反射した照射光を集めるための手段と、 (c)可動タイプの干渉計と、 (d)この干渉計が、各ピクセルから放射された照射光のスペクトル輝度の一 次結合の所定セットに対応する被変調照射光を出力するように、前記干渉計を通 して前記照射光を通過させる手段と、 (e)二次元の検出アレイと、 (f)前記各ピクセルに対して前記干渉計内に生じた光路差を同時に、そして 個別にスキャンするための手段と、 (g)前記干渉計から出力された照射光を前記検出アレイ上に集束するための 手段と、 (h)各ピクセルのスペクトル輝度を測定しスペクトルの輝度分布を得るため に前記検出アレイの出力を処理するための手段と、 (i)前記薄膜の厚さの立体的な分布を測定するために、前記スペクトル輝度 分布をさらに処理するための手段とからなる装置。 10.前記の異なる角度が、照射光の通路に位置する拡散器によって起こされる ことを特徴とする請求項9に記載の装置。 11.前記干渉計が、サグナック(Sagnac)、ファブリ−ペロー(Fabry - Pero t)及びマイケルソン(Michelson)干渉計からなるグループから選択されること を特徴とする請求項9に記載の装置。 12.さらなる処理のための前記手段が、一定角度反射干渉分光分析法技術を行 うための手段を含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。 13.さらなる処理のための前記手段が、前記照射光の異なる入射角に対し補正 を行うための手段を含むことを特徴とする請求項9に記載の装置。 14.さらに、照射輝度、検出器反応及び電子偏流に対するリアルタイム補正を 提供するための複数の反射率基準からなることを特徴とする請求項9に記載の装 置。 15.前記干渉計が可動タイプであることを特徴とする請求項9に記載の装置。 16.前記検出アレイが二次元であることを特徴とする請求項9に記載の装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011522260A (ja) * 2008-05-29 2011-07-28 ノースイースタン ユニヴァーシティ 細胞疾患の検出に有用な細胞スペクトルを再構成する方法
JP2017146288A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 信越半導体株式会社 膜厚分布測定方法
WO2017141299A1 (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 信越半導体株式会社 膜厚分布測定方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL119520A0 (en) * 1996-10-30 1997-01-10 Applied Spectral Imaging Ltd Method for interferometer based spectral imaging of moving objects
DE19757706C2 (de) * 1997-12-23 2002-01-24 Jandratek Gmbh Substrat, Vorrichtung und Verfahren zur schnellen Auswertung von Bindungsreaktionen durch interferometrische Schichtdickenmessung
HU229699B1 (en) * 2007-05-23 2014-05-28 Mta Termeszettudomanyi Kutatokoezpont Mta Ttk Imaging optical checking device with pinhole camera (reflectometer, polarimeter, ellipsicmeter)
JP5576993B2 (ja) 2012-05-30 2014-08-20 パナソニック株式会社 画像計測装置、画像計測方法及び画像計測システム
US20220290974A1 (en) * 2021-03-11 2022-09-15 Applied Materials Israel Ltd. Optical metrology models for in-line film thickness measurements

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4815856A (en) * 1986-06-05 1989-03-28 Storage Technology Partners Ii Method and apparatus for measuring the absolute thickness of dust defocus layers
JPH0224502A (ja) * 1988-07-12 1990-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定方法
US5289266A (en) * 1989-08-14 1994-02-22 Hughes Aircraft Company Noncontact, on-line determination of phosphate layer thickness and composition of a phosphate coated surface
DE69021813T2 (de) * 1989-09-25 1996-05-23 Mitsubishi Electric Corp Apparat und Verfahren für die Ausmessung von dünnen mehrschichtigen Lagen.
US5286313A (en) * 1991-10-31 1994-02-15 Surface Combustion, Inc. Process control system using polarizing interferometer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011522260A (ja) * 2008-05-29 2011-07-28 ノースイースタン ユニヴァーシティ 細胞疾患の検出に有用な細胞スペクトルを再構成する方法
JP2017146288A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 信越半導体株式会社 膜厚分布測定方法
WO2017141299A1 (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 信越半導体株式会社 膜厚分布測定方法

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