JPH1050578A - Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイス - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイスInfo
- Publication number
- JPH1050578A JPH1050578A JP20574696A JP20574696A JPH1050578A JP H1050578 A JPH1050578 A JP H1050578A JP 20574696 A JP20574696 A JP 20574696A JP 20574696 A JP20574696 A JP 20574696A JP H1050578 A JPH1050578 A JP H1050578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- ray
- mask structure
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な膜厚を有しかつ光透過性に優れた高精
度のＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供し、ＳＲ
光源を用いたステッパー等による転写焼付け精度および
性能を向上させる。 【解決手段】 本発明によって、Ｘ線リソグラフィーに
用いられるマスク構造体であって、構造体を構成するマ
スクメンブレンがＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法で
成膜された同じ素材の膜体の積層体から構成されている
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法およ
び半導体デバイスが提供される。
度のＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供し、ＳＲ
光源を用いたステッパー等による転写焼付け精度および
性能を向上させる。 【解決手段】 本発明によって、Ｘ線リソグラフィーに
用いられるマスク構造体であって、構造体を構成するマ
スクメンブレンがＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法で
成膜された同じ素材の膜体の積層体から構成されている
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法およ
び半導体デバイスが提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体等のデバイス
を製造するためのリソグラフィーにおいて用いられるマ
スク構造体およびマスク構造体の製造方法に関する。
を製造するためのリソグラフィーにおいて用いられるマ
スク構造体およびマスク構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィー技術を用いて被加工材表
面を部分的に変質せしめることにより各種製品を製造す
ることが工業上特に電子工業の分野において広く利用さ
れており、この方法によればパターンが同一の表面変質
部を有する製品を大量に製造出来る。被加工材料の表面
変質は各種エネルギー線の照射により行なわれ、この際
のパターン形成には、部分的にエネルギー遮断材を配置
してなるマスクが用いられている。このようなマスクと
しては、照射エネルギーが可視光および紫外光の場合に
は、ガラスまたは石英等の透明基板上に、銀、クロム等
の黒色の不透明パターンを設けたものが用いられる様に
なった。
面を部分的に変質せしめることにより各種製品を製造す
ることが工業上特に電子工業の分野において広く利用さ
れており、この方法によればパターンが同一の表面変質
部を有する製品を大量に製造出来る。被加工材料の表面
変質は各種エネルギー線の照射により行なわれ、この際
のパターン形成には、部分的にエネルギー遮断材を配置
してなるマスクが用いられている。このようなマスクと
しては、照射エネルギーが可視光および紫外光の場合に
は、ガラスまたは石英等の透明基板上に、銀、クロム等
の黒色の不透明パターンを設けたものが用いられる様に
なった。
【０００３】しかし近年、より微細なパターン形成が求
められ、さらにより短時間でのリソグラフィー加工が求
められるにつれて、照射エネルギー線として電子線、イ
オン線等の粒子線、更にはＸ線が注目される様になって
きた。
められ、さらにより短時間でのリソグラフィー加工が求
められるにつれて、照射エネルギー線として電子線、イ
オン線等の粒子線、更にはＸ線が注目される様になって
きた。
【０００４】これらのエネルギー線は、上記の可視光お
よび紫外光の場合において、マスク基板部材として用い
られてきたガラスや石英板では、エネルギー線を通過せ
しめることが出来ず、マスクの基板材料として適してい
ない。粒子線、特にＸ線を用いるリソグラフィーにおい
ては、各種の無機薄膜、例えばシリコン、チッカシリコ
ン、炭化シリコン等のセラミックス薄膜、あるいはポリ
イミド、ポリアミド、ポリエステル等の有機高分子薄
膜、更にはこれらの積層薄膜をエネルギー線透過体とし
て用い、これらの膜面上に金、白金、タングステン等の
金属をエネルギー線吸収体としてパターン状に形成して
マスクを作成している。このマスクは自己保形性が無い
為、適宜の保持体に支持される。保持体としては、通
常、環状保持基板が用いられる。即ち、エネルギー線吸
収体のマスク材のパターンを片面に形成したエネルギー
線透過性の保持薄膜の周辺部を、環状保持基板の一端面
に接着せしめることにより、マスク構造体が形成されて
いる。
よび紫外光の場合において、マスク基板部材として用い
られてきたガラスや石英板では、エネルギー線を通過せ
しめることが出来ず、マスクの基板材料として適してい
ない。粒子線、特にＸ線を用いるリソグラフィーにおい
ては、各種の無機薄膜、例えばシリコン、チッカシリコ
ン、炭化シリコン等のセラミックス薄膜、あるいはポリ
イミド、ポリアミド、ポリエステル等の有機高分子薄
膜、更にはこれらの積層薄膜をエネルギー線透過体とし
て用い、これらの膜面上に金、白金、タングステン等の
金属をエネルギー線吸収体としてパターン状に形成して
マスクを作成している。このマスクは自己保形性が無い
為、適宜の保持体に支持される。保持体としては、通
常、環状保持基板が用いられる。即ち、エネルギー線吸
収体のマスク材のパターンを片面に形成したエネルギー
線透過性の保持薄膜の周辺部を、環状保持基板の一端面
に接着せしめることにより、マスク構造体が形成されて
いる。
【０００５】ところで、上記のマスク構造体を使用して
リソグラフィーを行なうには、従来はＸ線源としてパラ
ジウム、ロジウム等の金属ターゲットに電子線を作用さ
せて発生せしめる、所謂、管球Ｘ線源が主流として考え
られてきたが、近年シンクロトロンから発生する放射光
を利用する、所謂、ＳＲリソグラフィーが注目されてき
ている。
リソグラフィーを行なうには、従来はＸ線源としてパラ
ジウム、ロジウム等の金属ターゲットに電子線を作用さ
せて発生せしめる、所謂、管球Ｘ線源が主流として考え
られてきたが、近年シンクロトロンから発生する放射光
を利用する、所謂、ＳＲリソグラフィーが注目されてき
ている。
【０００６】しかし、ＳＲリソグラフィーを採用しよう
とすると、従来考えられなかった問題が浮上してきた。
すなわち、Ｘ線の波長が４Åから１０Åに変り、照射強
度が二桁以上上昇し、発生する熱の上昇等による問題が
生じた。これらの問題に対応するために種々の対策が考
えられてきた。例えば、ポリイミド等の有機膜から、熱
伝導の良い熱膨張係数の小さいＳｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣ等
の無機膜へ、膜厚は８μｍから２μｍ程度に、照射光に
平行性があるので、転写の線幅が０．８μｍから０．２
μｍ以下への期待が寄せられてきている。一方、Ｘ線吸
収体に関しても同様に対応を求められてきており、それ
は低熱膨張、低応力の材料、そしてプロセスの安定性の
向上等である。
とすると、従来考えられなかった問題が浮上してきた。
すなわち、Ｘ線の波長が４Åから１０Åに変り、照射強
度が二桁以上上昇し、発生する熱の上昇等による問題が
生じた。これらの問題に対応するために種々の対策が考
えられてきた。例えば、ポリイミド等の有機膜から、熱
伝導の良い熱膨張係数の小さいＳｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣ等
の無機膜へ、膜厚は８μｍから２μｍ程度に、照射光に
平行性があるので、転写の線幅が０．８μｍから０．２
μｍ以下への期待が寄せられてきている。一方、Ｘ線吸
収体に関しても同様に対応を求められてきており、それ
は低熱膨張、低応力の材料、そしてプロセスの安定性の
向上等である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線リソグラフィーに
用いるＸ線マスクメンブレン材料として挙げられる中
で、無機材料として実用化に近い位置にあるものとして
は、Ｓｉ，ＢＮ，ＳｉＮ，ＳｉＣを挙げることができ
る。このなかで最近注目されているものの一つがＳｉＣ
である。ＳｉＣはセラミックス材料の中で最も化学的に
安定であって、機械的強度にすぐれており、更に熱膨張
係数がＳｉに近く熱伝導性にも優れている。ＳｉＣ膜の
成膜方法としてはＣＶＤ法が代表的である。成膜された
膜について調べてみると未だ数々の問題点が残されてお
り、製法あるいは付加手段を講じて改良に勧めてはいる
ものの本当の解決には至っていない。
用いるＸ線マスクメンブレン材料として挙げられる中
で、無機材料として実用化に近い位置にあるものとして
は、Ｓｉ，ＢＮ，ＳｉＮ，ＳｉＣを挙げることができ
る。このなかで最近注目されているものの一つがＳｉＣ
である。ＳｉＣはセラミックス材料の中で最も化学的に
安定であって、機械的強度にすぐれており、更に熱膨張
係数がＳｉに近く熱伝導性にも優れている。ＳｉＣ膜の
成膜方法としてはＣＶＤ法が代表的である。成膜された
膜について調べてみると未だ数々の問題点が残されてお
り、製法あるいは付加手段を講じて改良に勧めてはいる
ものの本当の解決には至っていない。
【０００８】すなわち、問題点を列挙してみると、表
面状態が悪い（結晶の異常成長による）、光の透過性
が悪い（固有吸収、膜内および表面での光散乱）、膜
厚の不均一（面内、ロット内、ロット間コントロールが
難しい）等がある。これまでに講じられてきた対策とし
ては、の膜表面の研磨、の光増透膜の採用であり、
に関しては打つ手だてが無く単に分別するにすぎなか
った。この場合、同じ膜厚のメンブレンとして採用でき
る割合は２０％以下と低く、生産性が大きな問題となっ
ている。
面状態が悪い（結晶の異常成長による）、光の透過性
が悪い（固有吸収、膜内および表面での光散乱）、膜
厚の不均一（面内、ロット内、ロット間コントロールが
難しい）等がある。これまでに講じられてきた対策とし
ては、の膜表面の研磨、の光増透膜の採用であり、
に関しては打つ手だてが無く単に分別するにすぎなか
った。この場合、同じ膜厚のメンブレンとして採用でき
る割合は２０％以下と低く、生産性が大きな問題となっ
ている。
【０００９】従来の考え方からすると、膜厚の変化はア
ライメント光の光透過率に影響を与えるので、増透膜を
設けることにより解決出来ると考えられた。しかしなが
ら、製造ロット内での膜厚の差が２０％以上も生じるこ
とは、実際のリソグラフィーにおいて焼き付け光量に影
響を与え、強いては総合的歩留の低下に寄与する。
ライメント光の光透過率に影響を与えるので、増透膜を
設けることにより解決出来ると考えられた。しかしなが
ら、製造ロット内での膜厚の差が２０％以上も生じるこ
とは、実際のリソグラフィーにおいて焼き付け光量に影
響を与え、強いては総合的歩留の低下に寄与する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために鋭意検討した結果、マスク構造体の製造に
あたり、ＣＶＤ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥ
ＰＯＳＩＴ）法およびＳＰ（ＳＰＡＴＴＥＲ ＤＥＰＯ
ＳＩＴ）法の採用により解決しうることを見出して本発
明に到達した。
決するために鋭意検討した結果、マスク構造体の製造に
あたり、ＣＶＤ（ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥ
ＰＯＳＩＴ）法およびＳＰ（ＳＰＡＴＴＥＲ ＤＥＰＯ
ＳＩＴ）法の採用により解決しうることを見出して本発
明に到達した。
【００１１】すなわち、本発明は、Ｘ線リソグラフィー
に用いられるマスク構造体であって、構造体を構成する
マスクメンブレンがＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法
で成膜された同じ素材の膜体の積層体から構成されてい
ることを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスク構造体
を提供するものである。
に用いられるマスク構造体であって、構造体を構成する
マスクメンブレンがＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法
で成膜された同じ素材の膜体の積層体から構成されてい
ることを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスク構造体
を提供するものである。
【００１２】本発明はまた、Ｘ線リソグラフィーに用い
られるマスク構造体の製造方法であって、構造体を構成
するマスクメンブレンをＣＶＤ法およびＳＰ法により同
一素材による積層膜としてＳｉ等の支持基板上に形成し
て後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法
により除去することを特徴とするマスク構造体の製造方
法を提供するものである。
られるマスク構造体の製造方法であって、構造体を構成
するマスクメンブレンをＣＶＤ法およびＳＰ法により同
一素材による積層膜としてＳｉ等の支持基板上に形成し
て後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法
により除去することを特徴とするマスク構造体の製造方
法を提供するものである。
【００１３】更に本発明は、上記Ｘ線リソグラフィー用
マスク構造体を介してＸ線等の放射光によりレジスト感
光体上に転写形成するデバイスの製造方法およいデバイ
スをも提供するものである。
マスク構造体を介してＸ線等の放射光によりレジスト感
光体上に転写形成するデバイスの製造方法およいデバイ
スをも提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】上記した本発明のＸ線リソグラフ
ィー用マスク構造体において、マスクメンブレンはＣＶ
Ｄ法ＳｉＣおよびＳＰ法ＳｉＣの積層膜で構成されるこ
とが好ましく、更にＣＶＤ法ＳｉＣ膜の片面または両面
にＳＰ法ＳｉＣ膜が積層されていることが好ましい。
ィー用マスク構造体において、マスクメンブレンはＣＶ
Ｄ法ＳｉＣおよびＳＰ法ＳｉＣの積層膜で構成されるこ
とが好ましく、更にＣＶＤ法ＳｉＣ膜の片面または両面
にＳＰ法ＳｉＣ膜が積層されていることが好ましい。
【００１５】上記したマスク構造体において、積層され
たＣＶＤ法ＳｉＣ膜およびＳＰ法ＳｉＣ膜の合計膜厚
は、リソグラフィーに用いるアライメント光に対してｄ
＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数）の式に対応した厚さであるこ
とが好ましい。この場合において、積層膜をＳｉ等の支
持基板上に形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去してマスク構造体とするこ
とが好ましく、更に積層膜をＳｉ等の支持基板上に形成
して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング
法により除去し、更に裏面より前記の式に対応した厚さ
までＳＰ法で成膜してマスク構造体とすることが好まし
い。
たＣＶＤ法ＳｉＣ膜およびＳＰ法ＳｉＣ膜の合計膜厚
は、リソグラフィーに用いるアライメント光に対してｄ
＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数）の式に対応した厚さであるこ
とが好ましい。この場合において、積層膜をＳｉ等の支
持基板上に形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去してマスク構造体とするこ
とが好ましく、更に積層膜をＳｉ等の支持基板上に形成
して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング
法により除去し、更に裏面より前記の式に対応した厚さ
までＳＰ法で成膜してマスク構造体とすることが好まし
い。
【００１６】また、積層膜をＳｉ支持基板上に形成して
後、Ａｕ，Ｐｔ、Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群
から選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体
パターンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去して成るマスク構造体であ
ることが好ましい。
後、Ａｕ，Ｐｔ、Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群
から選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体
パターンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去して成るマスク構造体であ
ることが好ましい。
【００１７】前記したマスク構造体の製造方法において
は、積層膜をＳｉ等の支持基板上に形成して後、Ｘ線マ
スク領域の支持基板をバックエッチング法により除去
し、更に裏面より前記の式に対応した厚さまでＳＰ法で
成膜することが好ましい。
は、積層膜をＳｉ等の支持基板上に形成して後、Ｘ線マ
スク領域の支持基板をバックエッチング法により除去
し、更に裏面より前記の式に対応した厚さまでＳＰ法で
成膜することが好ましい。
【００１８】また、積層膜をＳｉ支持基板上に形成して
後、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群
から選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体
パターンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去することが好ましい。
後、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群
から選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体
パターンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去することが好ましい。
【００１９】また、前記ＣＶＤ法で成膜された膜体とＳ
Ｐ法で成膜された膜体の素材が、Ｓｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣ
Ｎ，ＢＮ，Ａ１Ｎ，ダイヤモンドおよびダイヤモンドラ
イクカーボンからなる群から選ばれたものであるマスク
構造体が好ましい。
Ｐ法で成膜された膜体の素材が、Ｓｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣ
Ｎ，ＢＮ，Ａ１Ｎ，ダイヤモンドおよびダイヤモンドラ
イクカーボンからなる群から選ばれたものであるマスク
構造体が好ましい。
【００２０】更に、ＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法
で成膜された膜体の表面、裏面または両面にＳＰ法によ
り形成される膜よりも低光屈折率である膜を形成してな
るマスク構造体であることがより好ましい。
で成膜された膜体の表面、裏面または両面にＳＰ法によ
り形成される膜よりも低光屈折率である膜を形成してな
るマスク構造体であることがより好ましい。
【００２１】上記したＣＶＤ法によって成膜されるＳｉ
Ｃ膜は、２．０μｍの膜厚を目標に行った場合におい
て、１．８μｍから２．１μｍの範囲である。
Ｃ膜は、２．０μｍの膜厚を目標に行った場合におい
て、１．８μｍから２．１μｍの範囲である。
【００２２】この発明は、ＣＶＤ法によって成膜され
たＳｉＣ膜の膜厚は厳密に制御できない、アライメン
ト光の光り透過性は、ｄ＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数）の式
に従って干渉による効果が変化することから透過率のピ
ーク値を何らかの手段で制御すれば良いことを見出し、
ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉＣ膜と同種または同
一材料の膜を制御良く成膜してピーク値に近い光り透過
性を得る為にＳＰ法によりＳｉＣ膜を積層するものであ
る。λ＝６３３ｎｍの場合、ｎ＝２．６３としてピーク
値を得ることが出来る膜厚は、１．８０５、１．９２
５、２．０４５、２．１６６μｍ等である。
たＳｉＣ膜の膜厚は厳密に制御できない、アライメン
ト光の光り透過性は、ｄ＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数）の式
に従って干渉による効果が変化することから透過率のピ
ーク値を何らかの手段で制御すれば良いことを見出し、
ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉＣ膜と同種または同
一材料の膜を制御良く成膜してピーク値に近い光り透過
性を得る為にＳＰ法によりＳｉＣ膜を積層するものであ
る。λ＝６３３ｎｍの場合、ｎ＝２．６３としてピーク
値を得ることが出来る膜厚は、１．８０５、１．９２
５、２．０４５、２．１６６μｍ等である。
【００２３】
【実施例】次に実施例を示して本発明を更に詳述する。 実施例１ 図−１に示す様に、ＬＰ−ＣＶＤ法で成膜されたＳｉＣ
膜１が１．９７０μｍ付いた３インチφ、厚さ２ｍｍの
シリコン基板２を用意した。
膜１が１．９７０μｍ付いた３インチφ、厚さ２ｍｍの
シリコン基板２を用意した。
【００２４】この膜厚は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光、λ＝
６３３ｎｍに対して透過率Ｔ＝４０％と良くないので、
ＳＰ−ＳｉＣ膜３を付加して膜厚を２．０４５μｍ程度
にすることによる透過率の改善を試みた。
６３３ｎｍに対して透過率Ｔ＝４０％と良くないので、
ＳＰ−ＳｉＣ膜３を付加して膜厚を２．０４５μｍ程度
にすることによる透過率の改善を試みた。
【００２５】成膜装置にはＳＢＲスパッター装置（アル
バック社製）を用いた。スパッターターゲットとしてＳ
ｉＣの焼結体、スパッターガスとして純アルゴンガスを
用意した。スパッター率は、予め０．０２５μｍ／分で
あることを確認して後、３分間スパッターを行った。基
板背面のマスク領域４は、２５Ｘ２５ｍｍのＳｉＣ膜を
ドライエッチング法により除去して後、ＳｉＣ膜をマス
クにＳｉ基板を３０ｗｔ％ＫＯＨのアルカリ水溶液で１
１０℃、６時間バックエッチング処理してＳｉＣマスク
メンブレンを作成した。出来上がった膜を分光光度計で
測定したところ、波長６３３ｎｍで透過率６０％を示し
た。以上のようにＳＰ−ＳｉＣ膜の付加により良好な光
透過性のＳｉＣマスクメンブレンを得ることが出来た。 実施例２ 実施例１に於て、付加形成したＳｉＣマスクメンブレン
上にタングステンとモリブデンの合金（Ｗ：Ｍｏ＝９
５：５）のターゲットを用いてＳＰ法を用いて膜厚０．
５μｍの合金膜５を成膜した。これによりＸ線吸収体付
きマスクメンブレンを作成した。［図−２参照。］ 実施例３ 実施例１に於て、予め基板背面のマスク領域４の２５Ｘ
２５ｍｍのＳｉＣ膜をドライエッチング法により除去し
て後、ＳｉＣ膜をマスクにＳｉ基板を３０ｗｔ％ＫＯＨ
アルカリ水溶液で１１０℃、６時間バックエッチング処
理して、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみのマスクメンブレンを作
成した。出来上がった膜を分光光度計で測定したとこ
ろ、波長６３３ｎｍで透過率４０％を示した。そこで同
様にＳＰ−ＳｉＣ膜の付加による光透過性の改良を試み
た。今回は裏面のバックエッチング面４からのＳＰ−Ｓ
ｉＣ膜の３’の付加を実施例１と同様の条件で行った。
出来上がった膜を分光光度計で測定したところ、波長６
３３ｎｍで透過率６０％を示した。以上のようにＳＰ−
ＳｉＣ膜の付加により同様に光透過性良好なＳｉＣマス
クメンブレンを得ることが出来た。［図−３参照。］ 実施例４ 次にマスクパターン形成プロセスを経てＸ線リソグラフ
ィー用マスク構造体を作成する方法を説明する。
バック社製）を用いた。スパッターターゲットとしてＳ
ｉＣの焼結体、スパッターガスとして純アルゴンガスを
用意した。スパッター率は、予め０．０２５μｍ／分で
あることを確認して後、３分間スパッターを行った。基
板背面のマスク領域４は、２５Ｘ２５ｍｍのＳｉＣ膜を
ドライエッチング法により除去して後、ＳｉＣ膜をマス
クにＳｉ基板を３０ｗｔ％ＫＯＨのアルカリ水溶液で１
１０℃、６時間バックエッチング処理してＳｉＣマスク
メンブレンを作成した。出来上がった膜を分光光度計で
測定したところ、波長６３３ｎｍで透過率６０％を示し
た。以上のようにＳＰ−ＳｉＣ膜の付加により良好な光
透過性のＳｉＣマスクメンブレンを得ることが出来た。 実施例２ 実施例１に於て、付加形成したＳｉＣマスクメンブレン
上にタングステンとモリブデンの合金（Ｗ：Ｍｏ＝９
５：５）のターゲットを用いてＳＰ法を用いて膜厚０．
５μｍの合金膜５を成膜した。これによりＸ線吸収体付
きマスクメンブレンを作成した。［図−２参照。］ 実施例３ 実施例１に於て、予め基板背面のマスク領域４の２５Ｘ
２５ｍｍのＳｉＣ膜をドライエッチング法により除去し
て後、ＳｉＣ膜をマスクにＳｉ基板を３０ｗｔ％ＫＯＨ
アルカリ水溶液で１１０℃、６時間バックエッチング処
理して、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみのマスクメンブレンを作
成した。出来上がった膜を分光光度計で測定したとこ
ろ、波長６３３ｎｍで透過率４０％を示した。そこで同
様にＳＰ−ＳｉＣ膜の付加による光透過性の改良を試み
た。今回は裏面のバックエッチング面４からのＳＰ−Ｓ
ｉＣ膜の３’の付加を実施例１と同様の条件で行った。
出来上がった膜を分光光度計で測定したところ、波長６
３３ｎｍで透過率６０％を示した。以上のようにＳＰ−
ＳｉＣ膜の付加により同様に光透過性良好なＳｉＣマス
クメンブレンを得ることが出来た。［図−３参照。］ 実施例４ 次にマスクパターン形成プロセスを経てＸ線リソグラフ
ィー用マスク構造体を作成する方法を説明する。
【００２６】実施例２の吸収体付きマスクメンブレン上
に抵抗加熱式蒸着装置を用いてＣｒ膜６を０．０５μｍ
積層した。続いてＥＢ用レジスト（ＯＥＢＲ−１００、
東京応化製）７をスピンコーターを用いて０．４μｍ塗
工した。所定のプリベークの後、ＥＢ描画装置を用いて
０．２５μｍのパターンを描画した。所定の現象プロセ
スを経て線幅０．２５μｍのレジストパターンを形成し
た。続いてドライエッチング装置（ＤＥＭ−４５１、ア
ネルバ製）にエッチングガスとしてＣｌ2を用いて、レ
ジストパターン７をマスクに０．２５μｍのＣｒの中間
マスクパターン６を形成した。
に抵抗加熱式蒸着装置を用いてＣｒ膜６を０．０５μｍ
積層した。続いてＥＢ用レジスト（ＯＥＢＲ−１００、
東京応化製）７をスピンコーターを用いて０．４μｍ塗
工した。所定のプリベークの後、ＥＢ描画装置を用いて
０．２５μｍのパターンを描画した。所定の現象プロセ
スを経て線幅０．２５μｍのレジストパターンを形成し
た。続いてドライエッチング装置（ＤＥＭ−４５１、ア
ネルバ製）にエッチングガスとしてＣｌ2を用いて、レ
ジストパターン７をマスクに０．２５μｍのＣｒの中間
マスクパターン６を形成した。
【００２７】続いてＯ2ガスプラズマでレジストを除去
して後、ＳＦ6ガスプラズマによりタングステン層をパ
ターンエッチングし、かくして０．２５μｍ線幅、高さ
０．５μｍのＷ−Ｍｏ合金材のＸ線吸収体パターン５’
を製作した。次にＳｉ基板の裏面のバックエッチングを
行った。予め前もって設けているＳｉＣ膜の窓の部分に
３０ｗｔ％ＫＯＨアルカリ水溶液を１１０℃で作用させ
てエッチング処理を行った。なお表面のＸ線吸収体パタ
ーン部分はエッチング液が作用しない様に完全にシール
ドを行った。２ｍｍ厚のＳｉ基板をエッチングするのに
約６時間要した。最後に３インチφ、厚さ８ｍｍのパイ
レックスガラス製のドーナッツ状フレーム板８をエポシ
キ系接着剤９を用いて接着し、Ｘ線リソグラフィー用マ
スク構造体を作成した。［図−４参照。］ 実施例５ Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体を作成する目的で、
３インチφ厚さ２ｍｍのシリコン基板上に、ＣＶＤ法に
より約１．８６μｍのＳｉＣが形成されている基板を選
択した。同様にＳＰ法を用いてＳｉＣ膜を約０．１８μ
ｍ積層成膜した。実施例１と同様の工程を経てＸ線リソ
グラフィー用のマスク構造体を作成した。前もって、基
板裏面には、バックエッチング窓の為の２０Ｘ２０ｍｍ
のマスク板を設けておいたので、裏面の板周辺部のＳｉ
Ｃ膜をマスクに、中心部を上記実施例２と同様の条件で
Ｓｉバックエッチングを行い、６３３ｎｍ光の透過性に
優れた散乱の少ない良好なメンブレン膜のマスク構造体
を作成することが出来た。 実施例６ ＳＲ光源ＡとＸ線ステッパーを用いて実施例３で作成し
たマスクのパターン転写を説明する。
して後、ＳＦ6ガスプラズマによりタングステン層をパ
ターンエッチングし、かくして０．２５μｍ線幅、高さ
０．５μｍのＷ−Ｍｏ合金材のＸ線吸収体パターン５’
を製作した。次にＳｉ基板の裏面のバックエッチングを
行った。予め前もって設けているＳｉＣ膜の窓の部分に
３０ｗｔ％ＫＯＨアルカリ水溶液を１１０℃で作用させ
てエッチング処理を行った。なお表面のＸ線吸収体パタ
ーン部分はエッチング液が作用しない様に完全にシール
ドを行った。２ｍｍ厚のＳｉ基板をエッチングするのに
約６時間要した。最後に３インチφ、厚さ８ｍｍのパイ
レックスガラス製のドーナッツ状フレーム板８をエポシ
キ系接着剤９を用いて接着し、Ｘ線リソグラフィー用マ
スク構造体を作成した。［図−４参照。］ 実施例５ Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体を作成する目的で、
３インチφ厚さ２ｍｍのシリコン基板上に、ＣＶＤ法に
より約１．８６μｍのＳｉＣが形成されている基板を選
択した。同様にＳＰ法を用いてＳｉＣ膜を約０．１８μ
ｍ積層成膜した。実施例１と同様の工程を経てＸ線リソ
グラフィー用のマスク構造体を作成した。前もって、基
板裏面には、バックエッチング窓の為の２０Ｘ２０ｍｍ
のマスク板を設けておいたので、裏面の板周辺部のＳｉ
Ｃ膜をマスクに、中心部を上記実施例２と同様の条件で
Ｓｉバックエッチングを行い、６３３ｎｍ光の透過性に
優れた散乱の少ない良好なメンブレン膜のマスク構造体
を作成することが出来た。 実施例６ ＳＲ光源ＡとＸ線ステッパーを用いて実施例３で作成し
たマスクのパターン転写を説明する。
【００２８】シリコンウエハー上にＸ線リソグラフィー
用レジスト（ＳＡＬ−６０１。Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）Ｆ
をスピンコーターを用いて０．５μｍ塗工した。規定の
条件でプリベークを行って後、Ｘ線ステッパーに装填
し、マスクＥとレジストＦとの間隔３０μｍギャップで
ステッピング露光を行った。規定の露光後ベーク（Ｐｏ
ｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）を行った後、専用
の現像液で現像処理を行い、線幅０．２５μｍ、高さ
０．５μｍのネガ型のレジストパターンをシリコンウエ
ハー上に形成出来た。［図−５参照。］図において、Ｂ
はＳＲビーム（Ｘ線）、Ｃはミラー、Ｄはシャッターで
ある。 実施例７ 実施例１から実施例６と同様のプロセスを経てメンブレ
ン膜材料にＳｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＢＮ，Ａ１Ｎ，ダ
イヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボン等のＣＶ
Ｄ膜とＳＰ付加膜との積層により、光透過性に優れた一
定膜厚のＸ線リソグラフィー用マスクおよびマスク構造
体を得ることができた。 実施例８ 実施例１から実施例８で作成されたＸ線リソグラフィー
用マスク構造体の膜の表面または裏面、および両面に、
光増透膜としてＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＳｉＣＮ，Ａ１Ｎ，
等のＳｉＣよりも屈折率の低い物質の薄膜を規定の厚さ
付与することにより、更に光透過率を５から１５％向上
することができた。従来の方法では、光の透過率の向上
が認められても、マスクメンブレン膜厚がまちまちであ
る為に、Ｘ線透過率が異なり、ステッパーでの焼き付け
にバラツキを生じさせ、しいては生産性の低下に大きな
影響を及ぼしてきた。しかし乍ら、上記のような本発明
の実施により、一定のマスクメンブレンの膜厚での安定
した焼付けが可能となり、高生産性が期待、実現出来る
ようになった。 実施例９ つぎに上記Ｘ線マスク構造体を利用した半導体デバイス
の製造方法の実施例を説明する。
用レジスト（ＳＡＬ−６０１。Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）Ｆ
をスピンコーターを用いて０．５μｍ塗工した。規定の
条件でプリベークを行って後、Ｘ線ステッパーに装填
し、マスクＥとレジストＦとの間隔３０μｍギャップで
ステッピング露光を行った。規定の露光後ベーク（Ｐｏ
ｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）を行った後、専用
の現像液で現像処理を行い、線幅０．２５μｍ、高さ
０．５μｍのネガ型のレジストパターンをシリコンウエ
ハー上に形成出来た。［図−５参照。］図において、Ｂ
はＳＲビーム（Ｘ線）、Ｃはミラー、Ｄはシャッターで
ある。 実施例７ 実施例１から実施例６と同様のプロセスを経てメンブレ
ン膜材料にＳｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，ＢＮ，Ａ１Ｎ，ダ
イヤモンドおよびダイヤモンドライクカーボン等のＣＶ
Ｄ膜とＳＰ付加膜との積層により、光透過性に優れた一
定膜厚のＸ線リソグラフィー用マスクおよびマスク構造
体を得ることができた。 実施例８ 実施例１から実施例８で作成されたＸ線リソグラフィー
用マスク構造体の膜の表面または裏面、および両面に、
光増透膜としてＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＳｉＣＮ，Ａ１Ｎ，
等のＳｉＣよりも屈折率の低い物質の薄膜を規定の厚さ
付与することにより、更に光透過率を５から１５％向上
することができた。従来の方法では、光の透過率の向上
が認められても、マスクメンブレン膜厚がまちまちであ
る為に、Ｘ線透過率が異なり、ステッパーでの焼き付け
にバラツキを生じさせ、しいては生産性の低下に大きな
影響を及ぼしてきた。しかし乍ら、上記のような本発明
の実施により、一定のマスクメンブレンの膜厚での安定
した焼付けが可能となり、高生産性が期待、実現出来る
ようになった。 実施例９ つぎに上記Ｘ線マスク構造体を利用した半導体デバイス
の製造方法の実施例を説明する。
【００２９】図−６は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等の半導体デバイスの
製造フロ−を示す。ステップ１（回路設計）で半導体デ
バイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計した回路パターンを形成したＸ線マスク構造体
を製造する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシ
リコン等の材料を用いてウエハーを製造する。ステップ
４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記のよう
に用意したＸ線マスク構造体とウエハーを用いて、リソ
グラフィー技術によってウエハー上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって製造されたウエハーを用いて半導体
をチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これがステップ７（出荷）される。
プ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等の半導体デバイスの
製造フロ−を示す。ステップ１（回路設計）で半導体デ
バイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）
では設計した回路パターンを形成したＸ線マスク構造体
を製造する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシ
リコン等の材料を用いてウエハーを製造する。ステップ
４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記のよう
に用意したＸ線マスク構造体とウエハーを用いて、リソ
グラフィー技術によってウエハー上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって製造されたウエハーを用いて半導体
をチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これがステップ７（出荷）される。
【００３０】図−７は上記ウエハー製造工程の詳細なフ
ローを示す。ステップ１１（酸化）でウエハーの表面を
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステップ１４（イオン打込み）で
はウエハーにイオンを打込む。ステップ１５（レジスト
処理）ではウエハー上にＸ線レジストを塗工する。ステ
ップ１６（露光）ではさきに説明したＸ線（ＳＲ）露光
方法によってＸ線マスクの回路パターンをウエハー上の
レジスト膜上に焼付け露光する。ステップ１７（現像）
では露光したウエハー上のレジストを現像する。この工
程では予め化学増幅型レジストに特有なＰＥＢ（Ｐｏｓ
ｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）工程を含む。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハー
上に多重に回路パターンが形成される。本発明の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することが出来る。
ローを示す。ステップ１１（酸化）でウエハーの表面を
酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表面
に絶縁膜を形成する。ステップ１４（イオン打込み）で
はウエハーにイオンを打込む。ステップ１５（レジスト
処理）ではウエハー上にＸ線レジストを塗工する。ステ
ップ１６（露光）ではさきに説明したＸ線（ＳＲ）露光
方法によってＸ線マスクの回路パターンをウエハー上の
レジスト膜上に焼付け露光する。ステップ１７（現像）
では露光したウエハー上のレジストを現像する。この工
程では予め化学増幅型レジストに特有なＰＥＢ（Ｐｏｓ
ｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）工程を含む。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハー
上に多重に回路パターンが形成される。本発明の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することが出来る。
【００３１】
【発明の効果】この発明により均一な膜厚を有しかつ光
透過性に優れた高精度のＸ線リソグラフィー用のマスク
構造体を提供することが出来る。
透過性に優れた高精度のＸ線リソグラフィー用のマスク
構造体を提供することが出来る。
【００３２】さらにＳＲ光源を用いたステッパー等によ
る転写焼付けの精度および性能を向上することが可能と
なり半導体素子の製造の効率化に寄与することが認めら
れた。
る転写焼付けの精度および性能を向上することが可能と
なり半導体素子の製造の効率化に寄与することが認めら
れた。
【図１】実施例１に示すＳｉＣマスク構造体の断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例２に示すＸ線吸収体付きマスクメンブレ
ンの断面図である。
ンの断面図である。
【図３】実施例３に示す裏面にＳＰ−ＳｉＣ膜を設けた
マスクメンブレン。
マスクメンブレン。
【図４】実施例４に示すマスク構造体の断面図である。
【図５】実施例５に示すＳＲ光源を用いたパターン転写
焼付けの説明。
焼付けの説明。
【図６】実施例７に示すマスク構造体を用いた半導体デ
バイスの製造フロー。
バイスの製造フロー。
【図７】実施例７に示すウエハープロセスのフロー。
１ ＣＶＤ−ＳｉＣ膜 ２ シリコンマスク基板 ３ ＳＰ−ＳｉＣ膜 ４ マスク領域 ５ Ｘ線吸収体膜 ６ Ｃｒ中間マスク ７ ＥＢレジスト ８ フレーム ９ 接着剤
Claims (16)
- 【請求項１】 Ｘ線リソグラフィーに用いられるマスク
構造体であって、構造体を構成するマスクメンブレンが
ＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法で成膜された同じ素
材の膜体の積層体から構成されていることを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体。 - 【請求項２】 マスクメンブレンがＣＶＤ法ＳｉＣおよ
びＳＰ法ＳｉＣの積層膜で構成されていることを特徴と
する請求項２記載のマスク構造体。 - 【請求項３】 ＣＶＤ法ＳｉＣ膜の片面または両面にＳ
Ｐ法ＳｉＣ膜が積層されていることを特徴とする請求項
３記載のマスク構造体。 - 【請求項４】 積層されたＣＶＤ法ＳｉＣ膜およびＳＰ
法ＳｉＣ膜の合計膜厚がリソグラフィーに用いるアライ
メント光に対してｄ＝ｍλ／２ｎ（ｍは整数）の式に対
応した厚さであることを特徴とする請求項１または２記
載のマスク構造体。 - 【請求項５】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して後、
Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法により
除去して成ることを特徴とする請求項１〜４の何れかに
記載のマスク構造体。 - 【請求項６】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して後、
Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法により
除去し、更に裏面より前記の式に対応した厚さまでＳＰ
法で成膜してなることを特徴とする請求項１〜３の何れ
かに記載のマスク構造体。 - 【請求項７】 積層膜を形成して後、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔ
ａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群から選ばれた重金属
の単体または合金のＸ線吸収体パターンを形成して成る
請求項６記載のマスク構造体。 - 【請求項８】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して後、
Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群から
選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体パタ
ーンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバック
エッチング法により除去して成ることを特徴とする請求
項７記載のマスク構造体。 - 【請求項９】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して後、
Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法により
除去することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載
のマスク構造体の製造方法。 - 【請求項１０】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して
後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバックエッチング法に
より除去し、更に裏面より前記の式に対応した厚さまで
ＳＰ法で成膜することを特徴とする請求項１〜３の何れ
かに記載のマスク構造体の製造方法。 - 【請求項１１】 積層膜を形成して後、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔ
ａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群から選ばれた重金属
の単体または合金によりＸ線吸収体パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のマスク
構造体の製造方法。 - 【請求項１２】 積層膜をＳｉ支持基板上に形成して
後、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，ＭｏおよびＮｉからなる群
から選ばれた重金属の単体または合金によりＸ線吸収体
パターンを形成して後、Ｘ線マスク領域の支持基板をバ
ックエッチング法により除去することを特徴とする請求
項６に記載のマスク構造体の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１１または１２に記載のＸ線リ
ソグラフィー用マスク構造体を介してＸ線放射光により
レジスト感光体上に転写形成することを特徴とする半導
体用デバイスの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の半導体デバイスの
製造方法により製造された半導体用デバイス。 - 【請求項１５】 ＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法で
成膜された膜体の素材が、Ｓｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣＮ，Ｂ
Ｎ，Ａ１Ｎ、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボ
ンであることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載
のマスク構造体。 - 【請求項１６】 ＣＶＤ法で成膜された膜体とＳＰ法で
成膜された膜体の表面、裏面または両面にＳＰ法により
形成される膜よりも低光屈折率である膜を形成してなる
請求項１〜８の何れかに記載のマスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574696A JPH1050578A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20574696A JPH1050578A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050578A true JPH1050578A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16511978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20574696A Pending JPH1050578A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050578A (ja) |
-
1996
- 1996-08-05 JP JP20574696A patent/JPH1050578A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6048652A (en) | Backside polish EUV mask and method of manufacture | |
| US6833223B2 (en) | Multilayer-film reflective mirrors and optical systems comprising same | |
| US20060251973A1 (en) | Reflective-type mask blank for EUV lithography and method for producing the same | |
| EP2600388B1 (en) | Substrate provided with reflecting layer for euv lithography, and reflective mask blank for euv lithography | |
| US6377655B1 (en) | Reflective mirror for soft x-ray exposure apparatus | |
| US6737201B2 (en) | Substrate with multilayer film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and production method thereof as well as production method of semiconductor device | |
| US20120225375A1 (en) | Optical member for euv lithography | |
| JPH0720293A (ja) | Ｘ線ミラー及びこれを用いたｘ線露光装置とデバイス製造方法 | |
| JP2006093454A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 | |
| US20060141370A1 (en) | Photomasks and methods of manufacturing the same | |
| JP2011077552A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 | |
| JPH0868897A (ja) | 反射鏡およびその製造方法 | |
| KR100211012B1 (ko) | 리소그래픽마스크구조체와 그 생산방법 및 디바이스제조방법 | |
| US5882826A (en) | Membrane and mask, and exposure apparatus using the mask, and device producing method using the mask | |
| JPH1050578A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体、その製造方法および構造体を用いた半導体デバイス | |
| JP2005099571A (ja) | 多層膜反射鏡、反射多層膜の成膜方法、成膜装置及び露光装置 | |
| JPH09326347A (ja) | 微細パターン転写方法およびその装置 | |
| JP3266994B2 (ja) | 反射型マスク | |
| JPH11329918A (ja) | 軟ｘ線投影露光装置 | |
| US6947519B2 (en) | X-ray exposure apparatus and method, semiconductor manufacturing apparatus, and microstructure | |
| JP3219619B2 (ja) | Ｘ線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法 | |
| JPH0936016A (ja) | メンブレン及びマスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| WO2022149417A1 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付基板、マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH08236425A (ja) | 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 | |
| JP2004186369A (ja) | 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 |