JPH10503402A - 生体への一体化を促進するための生体活性セラミックのイオンビーム改質 - Google Patents

生体への一体化を促進するための生体活性セラミックのイオンビーム改質

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JPH10503402A
JPH10503402A JP8506624A JP50662496A JPH10503402A JP H10503402 A JPH10503402 A JP H10503402A JP 8506624 A JP8506624 A JP 8506624A JP 50662496 A JP50662496 A JP 50662496A JP H10503402 A JPH10503402 A JP H10503402A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、セラミックインプラントをイオンビームにより処理し、セラミックの表面を改質することによって、組織−インプラント間により強固な結合をより速やかに形成するものである。表面を改質することによって、使用するイオンの種類及び特定のセラミックに応じて向上したイオン交換特性がセラミックにもたらされる。好ましい態様では、整形外科用、歯科用又は軟組織用の生体活性セラミックインプラントにカチオンビームを照射する。生体に移植されると、表面の改質によって、セラミックインプラントの表面から重要なイオン、例えばカルシウムイオン又はリンイオンの放出量が増大するため、インプラント−組織結合の形成が促進される。イオン交換反応の機構及び割合(又は速度)、並びにセラミックによって放出されるイオンの種類及び品質は、(a)イオン照射のエネルギー又はイオンビームに対するセラミック表面の角度を変えることによってイオン透過深さを変えること;(b)イオンビームのフルエンス(又は単位面積当りのイオン量)を変えること;並びに(c)使用するイオンの種類及び組合せを変えることによって調節することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 生体への一体化を促進するための生体活性セラミックのイオンビーム改質発明の属する技術分野 本発明は、生体活性セラミックス並びに生体活性セラミックスを処理してその 生体活性を向上させ、生体への一体化(biointegration)を向上させる方法に関す る。好ましい態様においては、酸化物系のセラミック製の整形外科用、歯科用又 は軟組織用インプラント、特に生体活性セラミック製の部材の処理にイオンビー ムを用いて、インビボにおけるインプラント−組織間の結合を促進する。発明の背景 生体活性材料とは、生体組織と化学的結合を形成する材料であると定義される 。セラミックインプラント材料、例えば、アルミナ及びリン酸カルシウムを基材 とするセラミックは、その組成によって、生体不活性であったり、生分解性であ ったり、吸収性であったり、或いは生体活性であったりする。骨と人工材料との 間に真の結合が認められるのは、限られたセラミックの群、例えば、バイオグラ ス(BI0GLASS)(登録商標)の系列、セラ−ヴァイタル(CERA-VITAL)(登録商標) 及びアパタイト−ウォラストナイト等に限られており、これらはすべて酸化物系 のセラミック配合物である。 生体活性セラミック材料が骨に結合するのは、生体活性セラミック材料中に酸 化物又はある割合の酸化物が存在することにより、軟組織又は骨の近くの体液中 への移植によって触発されるイオン交換反応によって、セラミック表面の動力学 的性質が時間に依存して改質されるためであると考えられている。移植の際に、 セラミックの表面に生物学的に活性なカルシウムヒドロカーボネートアパタイト (calcium hydrocarbonate apatite)(HA)層が形成される。このHA層は、骨 の中の無機相と化学的及び結晶学的に同等のものである。セラミックHA層と骨 との間に同等性があることが、セラミックインプラントと骨若しくは軟組織との 間の界面の結合の基になっていると考えられている。生体活性ガラスセラミック ス材料に特有のことであるが、カチオンの外部への拡散と、電荷を中性に維持す るためのホスフェート若しくはシリケートイオンのいずれかの外部への拡散とを バランスさせる必要によって、アパタイト−ウォラストナイトからのカルシウム の放出速度は通常拘束される。 軟組織又は硬組織への移植及び負荷のかかる用途への生体活性材料の広範な使 用を妨げる2つの問題点が現在存在する。これらの問題点は、(1)移植後にお ける硬組織又は軟組織−セラミック間のかなりの程度の結合に要する時間が長い こと、及び(2)得られる最終的な結合強度である。これらの問題点は、インプ ラントに用いられる材料が、非晶質生体活性材料、例えばバイオガラス(登録商 標)系列のものであるか、又は結晶質若しくは半結晶質材料、例えばセラ−ヴァ イタル(登録商標)若しくはアパタイト−ウォラストナイトであるかに拘らず存 在する。尤も、材料が主として結晶質構造を有する生体活性ガラスセラミックス 材料である場合に、この問題点は特に重要である。ガラスセラミックスは、ガラ ス状の対応品に比べて、強度がより高く、負荷のかかる用途により適しているが 、生体活性は著しく劣る。 イオン交換反応の動力学、即ち、生物学的に活性なHA層を形成するために必 要とされる重要なイオン(Ca、Si、Mg、Na,P等)の放出の速度は、硬 組織又は軟組織−セラミック間の結合速度及び得られる結合の強度の双方に直接 関連すると考えられている。体液中に存在するホスフェートイオンはカルシウム と反応してHAを形成し得るので、セラミックの骨との一体化及び結合について の重要な要件はカルシウムの放出であると考えられている。 一般に、結晶性材料は、非晶質材料とは対照的に、より強い原子結合及び向上 した安定性を有する。その結果、結晶質又は半結晶質材料のイオン交換反応の速 度は、同じ条件下において、多くの非晶質材料よりも著しく遅い。この著しく遅 いイオン交換反応に起因して、ガラスセラミックスは非晶質材料よりも低い生体 活性を有する。 このイオン交換反応の速度を向上させる方法を見出すことができれば、組織と 、結晶質及び非晶質セラミックの両者との間の結合の速度を向上させることがで き る。これによって、バイオグラス(登録商標)及びより強度の高い生体活性ガラ スセラミックスの生体活性を更に向上させ、生体活性ガラスセラミックスを荷重 のかかる特定の用途に適するようにすることができる。これらの重要なイオンの 交換反応の速度を向上させることにより、患者の回復の期間を短縮する結果もも たらされ、移植のより高い成功率及びセラミックインプラントのより長い寿命が 導かれる。 発明の概要 本発明は、セラミックインプラントをイオンビームにより処理して、セラミッ クの表面を改質することによって、組織−インプラント間のより速やかでより強 固な結合を提供するものである。表面を改質することにより、使用するイオンの 種類及び特定のセラミックに応じて向上したイオン交換特性がセラミックに付与 される。好ましい態様では、整形外科用、歯科用又は軟組織用の生体活性セラミ ックインプラントにカチオンビームを照射する。生体に移植した場合に、表面が 改質されていることによって、セラミックインプラントの表面から重要なイオン 、例えばカルシウムイオン又はリンイオンの放出が増加するため、インプラント −組織結合の形成が促進される。イオン交換反応の機構及び速度並びにセラミッ クによって放出されるイオンの種類及び品質の調節は、 (a)イオン照射のエネルギー又はイオンビームに対するセラミック表面の角度 を変えることによってイオンの透過深さを変えること; (b)イオンビームの照射線量(又は単位面積当りのイオン量)を変えること; 並びに (c)使用するイオンの種類及び組合せを変えること によって行うことができる。 発明の詳細な説明 本発明により、イオンビームを用いてインプラント表面を改質し、生体活性セ ラミックの生体活性を向上させることによって、組織−インプラント間の結合の 形成速度及び強度を向上させる特定の方法を説明する。本発明はいずれか特定の 理論又は作用機構に限定されないが、イオンビーム、特に陽イオン又はカチオン 、 例えばプロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオン及び/又はリ ンイオンのビームを用いる改質によって、結合を形成するカルシウムの放出を極 めて有利に行う非平衡をセラミック基材中に形成すると考えられる。本発明にお いて使用するのが好ましいイオンはカルシウムイオンである。 本発明は、セラミックの生体活性を向上させるようにイオンビームに曝された あらゆるセラミックインプラントを対象とするものである。イオンビーム改質を 行うことによって、セラミック表面の生体活性を以下のように多様に向上させる ことができる: (1)インプラント表面に原子の不規則さを形成し、それによってインプラント 表面における重要なイオンの交換反応を向上させること、 (2)インプラント表面にカチオンを打ち込み、イオンの放出量を増加させ及び 電荷を中性に保持すること、及び (3)カルシウムを打ち込むことによって、結合に必要とされるHA層を形成す るためのカルシウムの放出量を増加させること。 セラミックインプラントの生体への一体性を向上させ、生体活性を向上させる 好ましい方法には、多くの可能性のある用途の実質的にすべての生体活性セラミ ック材料の生体活性を向上させるイオン照射又はイオンインプランテーション( implantation、イオン打ち込み)技術の使用が含まれる。生体活性の向上の程度 及び品質は、材料の照射に用いるイオンの種類及びセラミック材料の種類に応じ て変わり得る。 本発明は、一部又は全体がセラミック材料からなり、適度な荷重がかかるイン プラント及び無荷重のインプラントを処理するのに有用であり、一部又は全体が 生体活性ガラスセラミック、例えば、バイオグラス(登録商標)、セラ−ヴァイ タル(登録商標)又はアパタイト−ウォラストナイト等からなる荷重のかかるイ ンプラント、例えば整形外科用又は歯科用インプラントに特に有用である。処理 されたセラミック材料の生体活性が向上することによって、治癒及び患者の回復 が大きく改善されることになる。上述のように、生体活性ガラスセラミックイン プラントをイオンにより照射することによって、ガラスセラミックの生体活性が 向上するので、ガラスセラミックは骨−インプラント間の強固な結合を迅速に形 成することができる荷重のかかるインプラントとして使用するのに適するものと なる。 イオン照射には、いずれかの標準的な装置を使用することができる。装置には 、処理の間、セラミック部材を水分子から隔離し、清浄な状態に保つのに役立つ 真空チャンバーが含まれることが好ましい。セラミック部材は、非水性の清浄化 溶液、好ましくはアセトンを用いて清浄化する。続いて、その部材を真空チャン バー内に載置する。好ましくは、真空チャンバーを約10-6torr以下のベー ス圧まで脱気する。真空チャンバー内に載置した後、最終的に部材が結合するこ とになる組織の種類又は用途に応じて、セラミック部材を種々のイオン種により 照射することができる。同様に、使用するイオン種及び所望する表面不規則性の 程度に応じて、照射エネルギー及び照射線量も変化させる。 生体活性部材が、整形外科用、歯科用又は軟組織用インプラントに用いる酸化 物系セラミックである場合、その部材を、約50〜1000kV、好ましくは約 200〜1000keVの範囲のエネルギーにて、陽イオン、好ましくは、プロ トン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオン及び/若しくはリンイオ ン又はそれらの組合せを用いて照射することによって、所望する表面不規則性の 種類及び程度を達成することができる。セラミック部材の照射に、より原子量の 大きい生体適合性イオン、例えばチタンイオンを使用することもできるが、しか しながら、そのようなより原子量の大きいイオンを使用する場合には、同程度の レベルの表面不規則性を達成するために必要なエネルギーのレベルが増大するこ とになる。例えば、酸化物系セラミック部材の照射にチタンイオンを用いる場合 、約50keVにおけるプロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイ オン及び/又はリンイオンと実質的に同程度の表面不規則性を達成するためには 、エネルギーレベルを少なくとも約200keVまで増大する必要がある。セラ ミックの照射に用いるイオンとは無関係に、エネルギーレベルは少なくとも約5 0keV以上とすることが好ましい。 所定のレベルの表面不規則性を達成するために必要な照射線量又はフルエンス (fluence、一種の放射線量)は、表面の照射に用いるイオンの大きさによって 変化させる。原子量のより小さいイオンを使用する場合には、必要なフルエンス は増大する。例えば、原子量が比較的小さいプロトン又はヘリウムイオンを約5 0keVのエネルギーにて使用する場合、所望するレベルの表面不規則性を達成 するために必要なフルエンスは、約1016イオン/cm2以上となる。原子量の より大きなイオンを使用する場合には、同程度のレベルの表面不規則性を達成す るのに必要なフルエンスは減少する。例えば、チタンイオンを使用して、約50 keVにおける約1016プロトン/cm2の場合と実質的に同程度の表面不規則 性を達成することを目標とする場合を仮定する。同程度のレベルの表面不規則性 を達成するためにチタンイオンは、約200keVのエネルギー及び約2×1015 イオン/cm2のフルエンスを有する必要がある。特定のエネルギーおよび照 射線量とは無関係に、出力密度は約0.1〜0.5ワット/cm2の範囲に維持す る必要がある。 好ましい態様において、好ましくは45S5バイオグラス(登録商標)製の整 形外科用または歯科用ガラスセラミックインプラントが用いられる。45S5バ イオグラス(登録商標)の調製は、エム・アール・ティ・フィルゲラス(M.R.T .Fi1guerras)らの「ソリューション・エフェクツ・オン・ザ・サーフェス・リ アクションズ・オブ・スリー・バイオアクティブ・ガラス・コンポジションズ(S olution Effects on the Surface Reactions of Three Bioactive G1ass Compos itions)」、ジャーナル・オブ・バイオメディカル・マテリアルズ・リサーチ(J .Biom.Mat.Res.)、27号:1485〜93頁(1993年)に記載されて おり、その内容を参照することによって本明細書に包含する。上述のようにして 、インプラントを清浄化し、約100〜1000keVの範囲、好ましくは約4 00keVのエネルギーで、約1×1013〜1×1017イオン/cm2、好まし くは約1×1013イオン/cm2の照射線量にて、カルシウムイオンにより照射 する。 試験体の生体活性の向上の測定は、この技術分野において周知の標準的なイン ビトロ試験方法を用いて行うことができる。そのようなインビトロアッセイは、 エル・エル・ヘンチ(L.L.Hench)及びジー・ピー・ラトレ(G.P.Latorre)の、 「リアクション・キネティクス・オブ・バイオアクティブ・セラミックス・パー ト・フォー:エフェクト・オブ・ガラス・オン・ソリューション・コンポジショ ン(Reaction Kinetics of Bioactive Ceramics Part 4: Effect of G1ass on So 1ution Composition)」、バイオセラミクス(Bioceramics)5号、(高分子刊行会 出版(Kobunshi Kankokai Pub1ishers)、京都、1992年)、第67〜74頁に 記載されており、その内容を参照することによって本明細書に包含する。要約す ると、直径10mmおよび厚さ3mmの直円柱状試験セルを、37℃の恒温浴内 の疑似体液(SBF)中に吊り下げてソークする。SBFもこの技術分野におい て周知であり、エル・エル・ヘンチらのバイオセラミックス5号:67〜74頁 に記載されている。試験体は、(所望する測定の程度に応じて数分〜数日にわた る)所定の時間ソークした後、系統立てて取り出す。試験セル及び得られる溶液 を特性決定して生体活性を測定する。 生体活性の程度は、このインビトロアッセイを用いて2通りの方法で測定する ことができる。その方法の1つは、材料表面の種々の化学種の組成を調べるフー リエ変換赤外分光分析(FTIR)である。FTIRはこの技術分野において周 知であって、エル・エル・ヘンチらのバイオセラミックス5号:67〜74頁に 記載されており、その内容を参照することによって本明細書に包含する。この場 合、FTIRは試験体表面における結晶質ヒドロキシアパタイト(HA)の生成 を検出することができる。インビトロ試験において表面におけるHAが検出され るのが早い程、試験体の生体活性は高い。例えば、HAが、処理した試験体のF TIR分光分析においては約1時間で認められ、未処理の試験体のFTIR分光 分析においては約6時間まで認められない場合、処理した試験体は未処理の試験 体に比べてより高い生体活性を有している。 生体活性の向上を調べるもう1つの方法は、イオン照射の後に行うインビトロ 試験において試験体をソークするのに用いた試験溶液中のイオン種を測定する方 法である。用いた特性決定方法は、誘導結合プラズマ発光分析法(ICP)であ る。ICPはこの技術分野において周知であって、ティ・コクボ(T.Kokubo)ら のジャーナル・オブ・マテリアルズ・サイエンス(J.Materia1s Science)、マテ リアルズ・アンド・メディスン(Materials and Medicine)3号(1992年)7 9〜83頁に記載されており、その内容を参照することによって本明細書に包含 する。溶液中における種々のイオン種の濃度は、起っているイオン交換反応の相 対的な動力学的現象(相対的な速度)を示しており、従って、基材の生体活性を 表わす。例えば、一連の処理した試験体及び未処理の試験体を、37℃の恒温浴 内のSBF中に6時間ソークし、その際、1時間毎に試験を停止する。ICPに よって、カルシウムイオンが、未処理の試験体の周囲の溶液中に認められるよう になるよりも速やかに、処理した試験体の周囲の溶液中に認められるようになる 場合、処理した試験体は未処理の試験体よりも高い生体活性を有している。 本発明において、「生体活性が向上する」ということは、未処理の試験体上に HAが生成するよりも少なくとも5分前、好ましくは少なくとも1時間前に、処 理した試験体の表面にHAが生成すること、若しくは処理した試験体の周囲のS BF中においてカルシウムレベルが上昇すること、又は未処理の試験体のSBF 中においてより低いカルシウム濃度が測定されることを意味する。 前述のインビトロ分析はインビボにおいて予期し得る結果と関連性がある。F TIR及び/又はICPによって、処理した試験体の生体活性が向上することが 示される場合には、インビボ試験においても、処理したインプラントが生体活性 の向上を示すことが表されることになる。処理した試験体及び未処理の試験体の インビボ移植の後では、所定の時間の経過後において、インプラントと骨等との 間の結合強度を測定することによって生体活性の程度が測定される。この結合強 度は、ティ・フジウ(T.Fugiu)及びエム・オギノ(M.Ogino)の、ジャーナル・オ ブ・バイオメディカル・マテリアルズ・リサーチ、第18号、第845頁(19 86年)に記載されたものと同様の「プッシュアウト・テスト(pushout test)」 によって一般に測定され、その内容を参照することによって本明細書に包含する 。生体活性のより高い試験体は、より短い時間でより高い強度の結合を形成する 。 試験例1 この実施例には、この試験のために発明者の1人が特別に作成した、直径10 mmおよび厚さ3mmの直円柱状45S5バイオガラス(登録商標)試験セルを 用いたが、同様の試験セルは、ユー・エス・バイオマテリアルズ(U.S.Biomate rials)(米国フロリダ州、アラチュア(Alachua))から入手することができる。 上述のようにして、試験セルを清浄化し、以下の条件にてそれぞれのイオンを用 いて両側を照射した: 表面の処理によるバイオグラス(登録商標)試験セルの生体活性の向上につい て調べるため、前述のインビトロアッセイ並びにFTIR及びICP分析を行っ て未処理の試験体の生体活性を改質した試験体の生体活性と比較した。蓋付きの ポリエチレン製容器中のSBFの中に試験セルの試験体を吊るした。そのような 実験に用いる容器は反応性を有さない材料で形成されており、好ましくはガラス 製のものではない。容器を恒温浴中37℃で保持した。試験体を種々の間隔の時 間、例えば2分、10分、60分、180分及び360分で取り出し、FTIR 及びICP分析を行った。 分析により、HAの生成は、未処理の試験体よりも、処理した試験体の方が速 かったことが示された。同時に、試験体に由来するSBF試験溶液中のカルシウ ムレベルの上昇は、未処理の試験体からの場合よりも処理した試験体からの場合 の方が速いことが認められた。生体活性において最も驚くべき向上は、カルシウ ムイオンにより処理した試料において観察された。同様の試験を、他のバイオグ ラス(登録商標)部材、セラ−ヴァイタル(登録商標)、及びアパタイト−ウォ ラストナイトガラスセラミックスについて行っている。これらの他のセラミック に ついても同様の結果が得られることが期待される。 部材の最終的な用途を考慮すると、当業者であれば、イオンの種類、セラミッ クの種類、フルエンス及び照射のエネルギーを好適に決めることができる。当業 者には、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明について多様な 変更を行い得るということが認識できるであろう。本明細書に記載した態様例は 発明を説明するためのものであって、それによって本発明を限定すると解釈して はならない。本発明は以下の請求の範囲により規定される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランクフォード,ジェイムズ・ジュニア アメリカ合衆国78229テキサス州 サン・ アントニオ、キング・リチャード5415番

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.生体活性セラミックインプラントの生体活性を向上させ、生体への一体化 を向上させる方法であって、真空中において、生体活性セラミックインプラント の生体活性を向上させるのに十分な照射線量及びエネルギーにて、イオンにより 該セラミックインプラントを処理することを含んでなる方法。 2.生体活性の向上が、対照標準の表面にHAが生成するよりも少なくとも約 5分早く該インプラントの表面にHAが生成することを含む請求の範囲1記載の 方法。 3.生体活性の向上が、対照標準の表面にHAが生成するよりも少なくとも約 1時間早く該インプラントの表面にHAが生成することを含む請求の範囲1記載 の方法。 4.エネルギー及び照射線量が、約0.1〜0.5ワット/cm2の範囲の出力 密度及び少なくとも10-5torrの真空度を維持するレベルにある請求の範囲 1記載の方法。 5.エネルギー及び照射線量が、約0.1〜0.5ワット/cm2の範囲の出力 密度及び少なくとも10-5torrの真空度を維持するレベルにある請求の範囲 2記載の方法。 6.エネルギー及び照射線量が、約0.1〜0.5ワット/cm2の範囲の出力 密度及び少なくとも10-5torrの真空度を維持するレベルにある請求の範囲 3記載の方法。 7.エネルギーが少なくとも約50keVであり、真空度が少なくとも10-5 torrである請求の範囲1記載の方法。 8.エネルギーが少なくとも約50keVであり、真空度が少なくとも10-5 torrである請求の範囲2記載の方法。 9.エネルギーが少なくとも約50keVであり、真空度が少なくとも10-5 torrである請求の範囲3記載の方法。 10.セラミックインプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセ ラミックを含んでなる請求の範囲1記載の方法。 11.セラミックインプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセ ラミックを含んでなる請求の範囲2記載の方法。 12.セラミックインプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセ ラミックを含んでなる請求の範囲3記載の方法。 13.セラミックインプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセ ラミックを含んでなる請求の範囲6記載の方法。 14.セラミックインプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセ ラミックを含んでなる請求の範囲9記載の方法。 15.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲1記載の方法。 16.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲2記載の方法。 17.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲3記載の方法。 18.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲10記載の方法。 19.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲11記載の方法。 20.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲12記載の方法。 21.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲13記載の方法。 22.イオンがカチオンであり、照射のエネルギーが約50〜1000keV の範囲であり、及びイオン照射線量が少なくとも約1015/cm2である請求の 範囲14記載の方法。 23.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲6記載の方法。 24.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲11記載の方法。 25.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲12記載の方法。 26.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲13記載の方法。 27.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲14記載の方法。 28.セラミックインプラントが、整形外科用及び歯科用インプラントからな る群から選ばれる請求の範囲22記載の方法。 29.カチオンが、プロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオ ン、リンイオン及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求の範囲14記載 の方法。 30.カチオンが、プロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオ ン、リンイオン及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求の範囲15記載 の方法。 31.カチオンが、プロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオ ン、リンイオン及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求の範囲16記載 の方法。 32.カチオンが、プロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオ ン、リンイオン及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求の範囲17記載 の方法。 33.カチオンが、プロトン、ヘリウムイオン、窒素イオン、カルシウムイオ ン、リンイオン及びそれらの組合せからなる群から選ばれる請求の範囲22記載 の方法。 34.酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセラミックからなる整形外科用 若しくは歯科用インプラントの生体活性を向上させる方法であって、少なくとも 10-5torrの真空中において、該インプラントの生体活性を向上させるのに 十分な照射線量が得られるように、少なくとも約50keVのエネルギー及び約 1015カチオン/cm2にて該インプラントを照射する方法。 35.真空中において、イオン交換能を向上させるのに十分な照射線量及びエ ネルギーにて、イオンビームにより生体活性セラミックインプラントを処理する ことによって向上した生体活性を有することを特徴とする生体活性セラミックイ ンプラント。 36.イオンビームによる処理が、約0.1〜0.5ワット/cm2の範囲の出 力密度及び少なくとも10-5torrの真空度を維持するのに十分なエネルギー 及び照射線量にてイオンをセラミックインプラントに照射する請求の範囲35記 載のセラミックインプラント。 37.エネルギーが少なくとも約50keVであり、真空度が少なくとも10-5 torrである請求の範囲35記載のセラミックインプラント。 38.インプラントが、酸化物系の非晶質セラミック又はガラスセラミックを 含んでなり、整形外科用又は歯科用インプラントからなる群から選ばれる請求の 範囲35記載のセラミックインプラント。
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