JPH1045687A - 2−インダニリデン−n−フェニルアミン及び2−フェニルアミノインダンの製造方法 - Google Patents

2−インダニリデン−n−フェニルアミン及び2−フェニルアミノインダンの製造方法

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JPH1045687A
JPH1045687A JP8202398A JP20239896A JPH1045687A JP H1045687 A JPH1045687 A JP H1045687A JP 8202398 A JP8202398 A JP 8202398A JP 20239896 A JP20239896 A JP 20239896A JP H1045687 A JPH1045687 A JP H1045687A
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indanone
phenylamine
indanilidene
aniline
water
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JP8202398A
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Toshiki Sasaki
俊樹 佐々木
Atsushi Kawada
敦志 川田
Tadataka Ishikawa
維孝 石川
Shuichi Mitamura
修一 三田村
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Nippon Steel Corp
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
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Nippon Steel Corp
Nippon Steel Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】2−インダニリデン−N−フェニルアミン及び
2−フェニルアミノインダンの工業的製造方法として、
製造コストが安価なプロセスを提供する。 【解決手段】 一般式(1) 【化1】 (式中、R及びR’は水素原子、ホルミル基、アセチル
基又はプロピオニル基を示し、RとR’が同一であって
もよい)で示されるインダンジオール類と水を酸の存在
下で加熱することにより2−インダノンを生成させ、生
成した2−インダノンを水と共に留出させ、この留出物
を直接アニリンと接触させて2−インダノンとアニリン
を反応させる、式(2) 【化2】 で示される2−インダニリデン−N−フェニルアミンの
製造方法。上記2−インダニリデン−N−フェニルアミ
ンと、不均一系水素添加触媒の存在下、水素又は水素供
与体とを反応させる式(3) 【化4】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2−インダニリデ
ン−N−フェニルアミン及び2−フェニルアミノインダ
ンの製造方法に関するものであり、これらの化合物は、
医薬、農薬、機能性色素、液晶、増感剤等の原料として
利用できる。
【0002】
【従来の技術】従来、2−インダニリデン−N−フェニ
ルアミンの如き炭素ー窒素二重結合を有する化合物の製
造方法としては、ケトン類とアミン類を反応させる方法
が知られている(例えば実験化学講座 第4版 20巻
366〜369頁)。この方法により2−インダニリ
デン−N−フェニルアミンを得ようとする場合は、2−
インダノンとアニリンを作用させる。しかし、原料とし
て用いる2−インダノンが不安定なために高純度の2−
インダノンを安定かつ安価に入手することは困難であ
り、2−インダニリデン−N−フェニルアミンを工業的
に製造する際に、品質や生産歩留の変動をもたらしてい
た。
【0003】また、2−フェニルアミノインダンの製造
方法としては、1)2−インダノンとアニリンをアルコ
ール中で作用させて2−インダニリデン−N−フェニル
アミンを得た後、これを水素化ホウ素ナトリウムで還元
する方法、2)2−インダノールとメタンスルホン酸を
作用させることによりメタンスルホン酸エステルを得た
後、これとアニリンを作用させる方法、3)1−シアノ
インダン−2−オンとアニリンを作用させた後、脱シア
ノ化を行なう方法(いずれも、特公昭48−1071号
公報)が知られている。この内、方法1)が原料の2−
インダノンがインデンから容易に製造できる点で2−フ
ェニルアミノインダンの製造方法として適している。し
かし、この方法では、還元の際に高価な水素化ホウ素ナ
トリウムを多量に必要とし、かつ、反応時間が長いこ
と、さらに、多量に用いる水素化ホウ素ナトリウムを失
活させる工程が必要になること、さらに、原料として用
いる2−インダノンが不安定なことから高純度の2−イ
ンダノンを安定的に入手することが困難な場合があるこ
とから、2−フェニルアミノインダンの低コスト製造を
行なうという観点で改善が必要であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、2−インダニリデン−N−フェニルアミン及び
2−フェニルアミノインダンの工業的製造方法として、
製造コストが安価なプロセスを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(1)
【化5】 (式中、R及びR’は水素原子、ホルミル基、アセチル
基又はプロピオニル基を示し、RとR’が同一であって
もよい)で示されるインダンジオール類と水を酸の存在
下で加熱することにより2−インダノンを生成させ、生
成した2−インダノンを水と共に留出させ、この留出物
を直接アニリンと接触させて2−インダノンとアニリン
を反応させることを特徴とする式(2)
【化6】 で示される2−インダニリデン−N−フェニルアミンの
製造方法である。
【0006】また、本発明は、上記式(2)で示される
2−インダニリデン−N−フェニルアミンと、不均一系
水素添加触媒の存在下、水素又は水素供与体とを反応さ
せることを特徴とする式(3)
【化7】 で示される2−フェニルアミノインダンの製造方法であ
る。
【0007】さらにまた、本発明は、上記式(2)で示
される2−インダニリデン−N−フェニルアミンとし
て、上記の製造方法で得られた2−インダニリデン−N
−フェニルアミンを使用することを特徴とする2−フェ
ニルアミノインダンの製造方法である。
【0008】式(2)で示される2−インダニリデン−
N−フェニルアミンは、2−インダノンとアニリンとを
メタノール等の溶媒中で混合することにより容易に得る
ことができる。しかし、この方法では、2−インダノン
が不安定なことから、高純度の2−インダノンを安定的
に入手することが困難な場合があるため、ときとして式
(2)で示される2−インダニリデン−N−フェニルア
ミンの収率や品質の低下が生ずることがある。この問題
点の解決として、以下に示す、インダンジオール類を原
料とする本発明記載の方法を用いることができる。
【0009】本発明において、2−インダニリデン−N
−フェニルアミンを得る際の原料として用いる一般式
(1)で示されるインダンジオール類は、インデンから
容易に製造することができ、例えば、インデンをギ酸、
酢酸、プロピオン酸等の有機カルボン酸類の存在下で過
酸化水素で酸化し、必要ならば、引き続き加水分解条件
に付することにより得ることができる(例えば、Org. S
ynth. Coll. Vol. V, pp647-649 )。この操作によって
得られるインダンジオール類としては、反応の際に用い
る有機カルボン酸の種類及び加水分解の有無さらに加水
分解条件によっても異なるが、一般式(1)で示される
ものが得られる。このとき、R及びR’として水素原
子、ホルミル基、アセチル基又はプロピオニル基を有し
ており、RとR’は同一であっても異なってもよい。ま
た、当然のことながら他の方法によってよって得られる
インダンジオール類であってもよい。
【0010】本発明では、このようなインダンジオール
類と水を酸の存在下で加熱することにより、2−インダ
ノンを生成させる。このとき用いる酸としては、硫酸、
リン酸の如き不揮発性の鉱酸が好ましく、通常0.5 N〜
20N、好ましくは1 〜10Nの水溶液として用い、その使
用量はインダンジオール類に対して0.2 〜50倍量、好ま
しくは1 〜10倍量である。加熱温度は50℃から沸騰温度
までであり、生成した2−インダノンを水と共に反応容
器から連続的に留出させるのが好ましい実施様態であ
る。この際、反応容器内の水が留出により減少するの
で、これを補う必要があるが、水蒸気として反応容器に
吹き込む、いわゆる、水蒸気蒸留法が操作上好ましい。
水蒸気としては、通常使用されている工業用スチームで
よく、特に温度管理をする必要はないが100 ℃〜150 ℃
のスチームが好ましい。水と2−インダノンの混合物か
ら成る留出物の状態は、気相状態、液相状態、両者の混
合系のいずれでもよいが、留出物を2−インダノンの融
点以下に冷却すると2−インダノンの結晶が冷却管内で
析出してしまうために好ましくなく、70℃以上に保つ
ほうが好ましい。
【0011】この留出物を、2−インダノンを単離する
ことなく、2−インダノンと水の混合物となっている留
出液を直接そのまま、アニリンと接触させて反応させる
ことがよい。このとき、無溶媒、すなわち、アニリン中
に2−インダノンと水からなる留出物を添加することに
よっても実施可能であるが、製造コストの低減等の観点
から溶媒を用いることが好ましい。これに用いる溶媒と
しては、アニリン及び2−インダノン及び2−インダニ
リデン−N−フェニルアミンと反応しないものであれば
よいが、2−インダノン及びアニリンが溶解し、生成す
る2−インダニリデン−N−フェニルアミンが溶解しな
い溶媒を用いると、生成する2−インダニリデン−N−
フェニルアミンを濾取により容易に単離することができ
るため有利である。このような溶媒としては、例えば、
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、n
−プロパノール等のアルコール類やベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ヘキサン、オクタ
ン、デカン等の脂肪族系炭化水素を例示することができ
る。
【0012】アニリンの使用量は、通常2−インダノン
に対して過剰量用いるが、経済的観点及び速やかに反応
を進行させるという観点から、1〜3倍モル量が好まし
い。また、2−インダノンとアニリンを反応させる際の
温度は、0℃以上100℃未満が好ましい。
【0013】この反応は、2−インダノンがほぼ消失す
るまで行うことが好ましいが、通常は2−インダノンの
留出が律速となるので、2−インダノンの生成が終了し
たら、2−インダノンの生成反応を行なっている反応器
に導入している水蒸気の吹き込みを止め、留出が止まっ
てしばらしくして2−インダニリデン−N−フェニルア
ミンの生成反応を行なっている反応器を冷却して、反応
を終了することがよい。
【0014】反応により生成した2−インダニリデン−
N−フェニルアミンを単離する際、2−インダニリデン
−N−フェニルアミンが反応溶媒中で未溶解となってい
る場合は、濾取により単離する。単離後、その後の工程
に応じて乾燥してもよい、本発明記載の2−フェニルア
ミノインダンを製造する際の原料として用いる場合は、
未乾燥、すなわち、結晶中に反応溶媒や水分が残留して
いる状態で用いることも可能である。溶解している場合
は、溶媒を留去して2−インダニリデン−N−フェニル
アミンを残留物として得る。しかしながら、その後の工
程に応じて単離することなく利用することも可能な場合
は、この限りではない。また、必要に応じて、蒸留、カ
ラムクロマトグラフィー、再結晶等の常法に従い精製を
を行なうこともできる。
【0015】本発明において式(3)で示される2−フ
ェニルアミノインダンは、不均一系水素添加触媒の存在
下、式(2)で示される2−インダニリデン−N−フェ
ニルアミンと水素又は水素供与体とを反応させることに
より得ることができる。この反応に使用する2−インダ
ニリデン−N−フェニルアミンは、任意の方法で製造さ
れたものを使用することができるが、上記のようにして
インダンジオール類から製造されたものを使用すること
が有利であり、特に水分や溶媒が残留するものをそのま
ま使用することが有利である。ここで、水素供与体と
は、テトラリンやデカリン、あるいはギ酸のように、反
応条件下で水素を発生する化合物をいう。その使用量
は、これを単独で用いる場合には、2−インダニリデン
−N−フェニルアミンに対して、過剰量用いるのが好ま
しい。また、水素を用いる場合も過剰量用いることがよ
いが、その圧力は、触媒の使用量や反応温度によっても
異なるが、通常、常圧〜100atm であり、常圧〜30
atm で反応が進行する場合が多い。
【0016】本発明で用いる不均一系水素添加触媒とし
ては、通常の不均一系触媒による水素添加で用いられて
いるものが使用でき、好ましくはVIII族の金属又は金属
酸化物であり、詳細には、後述するニッケル系、パラジ
ウム系、白金系触媒や、ラネーコバルト、還元コバル
ト、漆原コバルトの如きコバルト系、銅−クロメ−ト
系、酸化ルテニウムやルテニウム炭素の如きルテニウム
系、ロジウムアルミナやロジウム炭素の如きロジウム系
触媒を示すことができる。
【0017】ニッケル系触媒としては、ラネーニッケ
ル、スポンジニッケル、漆原ニッケル、還元ニッケル、
ニッケル−ケイソウ土等が例示できる。その使用量は、
通常、2−インダニリデン−N−フェニルアミンの重量
に対して、0. 01〜10倍量、好ましくは0. 1〜5
倍量である。少量の場合は、反応が遅く副反応が優先す
るようになり、また大過剰用いても、反応成績は大幅に
は改善されず、経済的ではない。ニッケル系触媒は、通
常、エタノールやメタノール等のプロトン性溶媒に懸濁
して用いる。
【0018】パラジウム系触媒としては、金属パラジウ
ムの微粒子(いわゆるパラジウムブラック)や、金属パ
ラジウム微粒子を活性炭、アルミナ、あるいは硫酸バリ
ウムに担持したもの(いわゆるパラジウム炭素、パラジ
ウムアルミナ、Pd/BaSO4 )や、酸化パラジウム
等が例示できる。使用量はパラジウムの含有量で異なる
が、5%Pd−Cの場合、通常、2−インダニリデン−
N−フェニルアミンの重量に対して、0. 01〜5倍
量、好ましくは0. 05〜2倍量である。これらのパラ
ジウム系触媒は、広範な有機溶媒を反応溶媒に用いるこ
とができるが、特に、メタノール、エタノール、酢酸、
酢酸エチル等の中性ないしは酸性溶媒が好適に使用でき
る。この際、塩化水素や硫酸のような酸性化合物を、2
−インダニリデン−N−フェニルアミンに対して、等モ
ル〜10倍モル量程度添加することも好ましい。
【0019】白金系触媒としては、酸化白金、白金微粒
子(いわゆるプラチナブラック)や白金微粒子を活性炭
に担持したもの(いわゆるプラチナ炭素)等が例示で
き、その使用量や用いる反応溶媒は、パラジウム系触媒
の場合に準ずることができる。
【0020】2−インダニリデン−N−フェニルアミン
を水素添加触媒の存在下、水素又は水素供与体と反応さ
せる際の反応温度は、用いる反応溶媒や触媒の種類、水
素圧等の反応条件によって異なるが、通常、0℃から2
00℃の範囲である。また、反応時間も反応条件によっ
て左右されるが、通常、10分から100時間の間で反
応は終了する。反応終了後、得られる反応溶液から触媒
を濾別した後、反応溶媒を留去することにより目的の2
−フェニルアミノインダンを含む混合物を得ることがで
きる。この混合物を必要に応じて、蒸留、カラムクロマ
トグラフィー、再結晶等の常法に従い、単離精製を行な
う。
【0021】
【実施例】
実施例1 温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌機を付けた500ml の
4口フラスコに85%ギ酸299 g及びインデン69.6g(0.
6 モル)を入れ、この溶液の内温を35〜40℃に保ち、撹
拌しながら滴下ロートを用いて31%過酸化水素水72g
(0.66モル)を滴下した。滴下終了後、2時間、内温を
35〜40℃に保ちながら撹拌した。反応液を500ml のナス
フラスコに移し、ギ酸及び水を減圧下留去し、インダン
ジオールモノギ酸エステルを得た。
【0022】得られたインダンジオールモノギ酸エステ
ルを温度計、水蒸気導入管、蒸留冷却管、撹拌機を付け
た2000mlの4口フラスコに入れ、7 %硫酸1200mlを加え
水蒸気蒸留し、留出物を蒸留冷却管により冷却し、得ら
れた留出液をそのまま直接、あらかじめアニリン106.14
g(1.2 モル)及びメタノール500ml を入れた反応器
に、インダノンの留出が終わるまで導入した。得られた
結晶を濾取することにより、水分16.7%を含んだ2−イ
ンダニリデン−N−フェニルアミンの粗結晶111.3 gを
得た。収率77.4%。
【0023】実施例2 温度計、ガス導入管、冷却管、撹拌機を付けた300ml の
4口フラスコに実施例1により得られた水分16.7%を含
んだ2−インダニリデン−N−フェニルアミンの粗結晶
12.42 g(0.05モル)、ラネーニッケル5 g及び2-プロ
パノール100mlを入れ撹拌しながら内温を70℃に加温し
てガス導入管より水素ガスを5 時間導入した。ラネーニ
ッケルを濾別し、得られる液を減圧下留去して粗生成物
9.2 gをを得た。この粗生成物9.2 gを減圧蒸留し、2
−フェニルアミノインダン6.67g(0.032 モル)を得
た。収率64%。
【0024】実施例3 実施例1で得られた水分16.7%を含んだ2−インダニリ
デン−N−フェニルアミンの粗結晶を減圧下室温で乾燥
させ、得られた結晶10.35 gを実施例2と同様に反応さ
せ2−フェニルアミノインダン6.26g(0.030 モル)を
得た。収率64%。
【0025】実施例4 磁気かき混ぜ装置の付いた200ml のオートクレーブに実
施例1で得られた水分16.7%を含んだ2−インダニリデ
ン−N−フェニルアミンの粗結晶12.42 g(0.050 モ
ル)、ラネーニッケル5 g及び2−プロパノール100ml
を入れ水素圧を10気圧にして、内温を70℃としかき混ぜ
た。5時間後、ラネーニッケルを濾別し、得られた液を
減圧下留去することにより粗生成物9.3 gを得た。この
粗生成物9.3 gを減圧蒸留し2−フェニルアミノインダ
ン6.29g(0.030 モル)を得た。収率60%。
【0026】実施例5 磁気かき混ぜ装置の付いた200ml のオートクレーブに実
施例1で得られた水分16.7%を含んだ2−インダニリデ
ン−N−フェニルアミンの粗結晶12.42 g(0.05モ
ル)、0.5 %パラジウム付炭素1g及び2−プロパノー
ル100ml を入れ水素圧を10気圧にして、内温を70℃とし
かき混ぜた。5時間後、パラジウム付炭素を濾別し、得
られた液を減圧下留去することにより粗生成物8.3 gを
得た。この粗生成物8.3 gを減圧蒸留し2−フェニルア
ミノインダン2.59g(0.012 モル)を得た。収率24%。
【0027】実施例6 磁気かき混ぜ装置の付いた200ml のオートクレーブに実
施例1で得られた水分16.7%を含んだ2−インダニリデ
ン−N−フェニルアミンの粗結晶12.42 g(0.05モ
ル)、安定化ニッケル2.5 g及び2−プロパノール100m
l を入れ水素圧を10気圧にして、内温を70℃としかき混
ぜた。5時間後、安定化ニッケルを濾別し、得られた液
を減圧下留去することにより粗生成物9.4 gを得た。こ
の粗生成物9.4 gを減圧蒸留し、2−フェニルアミノイ
ンダン1.22g(0.006 モル)を得た。収率24%。
【0028】比較例1 温度計、撹拌機を付けた、1000mlの3口フラスコに2−
インダノン20g(0.15モル)、アニリン28.56 g(0.31
モル)、メタノール170ml を入れ、室温で2時間撹拌し
た。この反応混合液の一部を採取し、ガスクロマトグラ
フィーにより分析した結果、2−インダニリデン−N−
フェニルアミンが収率92%で生成していることがわかっ
た。この反応混合液の内温を0℃に冷却した後、水素化
ホウ素ナトリウム28.5g(0.75モル)を加え、内温を20
℃以下に維持しながら撹拌した。18時間後、水素化ホウ
素ナトリウム28.5g(0.75モル)を追加し、内温を20℃
以下に維持しながら更に撹拌した。18時間後、反応溶液
に水200ml を注加し、トルエンで生成物である2−フェ
ニルアミノインダンを抽出した(150ml ×2回)。この
溶液からをトルエンを減圧留去した。得られる残渣を減
圧蒸留することにより、2−フェニルアミノインダン1
0.7gを得た。収率34%。
【0029】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、医薬、農
薬、機能性色素、液晶、増感剤等の原料として有用な2
−インダニリデン−N−フェニルアミン及び2−フェニ
ルアミノインダンを、高価な原料及び副原料を用いず
に、また、比較的簡単な設備で、比較的高収率で製造す
ることができ、安価に製造することが可能となり、工業
的かつ実用的価値は大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 209/52 9451−4H C07C 249/02 249/02 9451−4H 251/20 251/20 C07B 61/00 300 // C07B 61/00 300 B01J 23/74 321X (72)発明者 石川 維孝 神奈川県川崎市中原区井田1618番地、新日 本製鐵株式会社技術開発本部内 (72)発明者 三田村 修一 神奈川県川崎市中原区井田1618番地、新日 本製鐵株式会社技術開発本部内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、R及びR’は水素原子、ホルミル基、アセチル
    基又はプロピオニル基を示し、RとR’が同一であって
    もよい)で示されるインダンジオール類と水を酸の存在
    下で加熱することにより2−インダノンを生成させ、生
    成した2−インダノンを水と共に留出させ、この留出物
    を直接アニリンと接触させて2−インダノンとアニリン
    を反応させることを特徴とする式(2) 【化2】 で示される2−インダニリデン−N−フェニルアミンの
    製造方法。
  2. 【請求項2】 式(2) 【化3】 で示される2−インダニリデン−N−フェニルアミン
    と、不均一系水素添加触媒の存在下、水素又は水素供与
    体とを反応させることを特徴とする式(3) 【化4】 で示される2−フェニルアミノインダンの製造方法
  3. 【請求項3】 請求項1記載の製造方法で得られた2−
    インダニリデン−N−フェニルアミンと、水素又は水素
    供与体とを不均一系水素添加触媒の存在下で反応させる
    ことを特徴とする2−フェニルアミノインダンの製造方
    法。
JP8202398A 1996-07-31 1996-07-31 2−インダニリデン−n−フェニルアミン及び2−フェニルアミノインダンの製造方法 Pending JPH1045687A (ja)

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JP8202398A JPH1045687A (ja) 1996-07-31 1996-07-31 2−インダニリデン−n−フェニルアミン及び2−フェニルアミノインダンの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110227464A (zh) * 2019-06-06 2019-09-13 中南民族大学 一种镍基催化剂的制备方法及其应用于腈类和胺类化合物制备亚胺类化合物的方法

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