JPH104057A - Exposure method and system - Google Patents

Exposure method and system

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Publication number
JPH104057A
JPH104057A JP8175840A JP17584096A JPH104057A JP H104057 A JPH104057 A JP H104057A JP 8175840 A JP8175840 A JP 8175840A JP 17584096 A JP17584096 A JP 17584096A JP H104057 A JPH104057 A JP H104057A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure
processing information
carrier
exposure substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP8175840A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuuki Yoshikawa
勇希 吉川
Takeshi Naraki
剛 楢木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8175840A priority Critical patent/JPH104057A/en
Publication of JPH104057A publication Critical patent/JPH104057A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable exposure substrates to be enhanced in throughput and automatically exposed to light by a method wherein a mark which represents processing data is inscribed on the surface of the exposure substrate, the processing data are read out from the mark inscribed on the substrate, and the takeout height position and transfer speed of the substrate are set based on dimension data out of the processing data as to the substrate. SOLUTION: An exposure system 31 reads out optically processing data mark inscribed on a substrate 30 inside a substrate carrier 6 placed on a substrate carrier table 5 with a processing data reading section 32. The exposure system 31 sets a substrate takeout height position and a substrate transfer speed such that a substrate matching arithmetic processor 33 is optimal for a substrate 30 on the basis of the processing data as to the substrate 30 read out by the reading section 32 and the material data as to the substrate 30 stored in a data memory 34. Then, the exposure system 31 moves a carrier arm 8 to a substrate takeout position optimal for the substrate 30, takes out the substrate 30 from the substrate carrier 6, transfers it to a loading arm 10 through a delivery section 9, and carries and places it in a stage pad 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及び露光装
置に関し、例えば液晶表示基板を生産する場合に適用し
て好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus, and is suitably applied to, for example, a case where a liquid crystal display substrate is produced.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、パソコンや電話機及びその他の携
帯型機器の普及に伴つて液晶表示基板を軽量化する必要
性が増大している。また、製造段階における液晶表示基
板においても大面積化された薄型基板が益々増加しつつ
ある。例えば、過去においては液晶表示基板の厚みはほ
とんどが 1.1〔mm〕であつたのに対して、現在は 0.7
〔mm〕の厚みでなる薄型の液晶表示基板の需要が益々増
大する傾向にある。
2. Description of the Related Art Conventionally, with the spread of personal computers, telephones and other portable devices, the necessity of reducing the weight of liquid crystal display substrates has been increasing. Also, in the liquid crystal display substrate in a manufacturing stage, a thin substrate having a large area is increasing more and more. For example, in the past, the thickness of liquid crystal display substrates was mostly 1.1 mm, but now it is 0.7 mm.
The demand for thin liquid crystal display substrates having a thickness of [mm] tends to increase more and more.

【0003】また、液晶表示基板の耐熱性、耐熱衝撃
性、耐薬品性、機械的性質等の諸特性に対する技術開発
の進展に伴つて、液晶表示基板に使用される材質及び種
類も増加しつつある。今後益々、液晶表示基板のサイズ
(幅、長さ、厚み)や材質及び種類を含めて液晶表示基
板の多様化が進むことは容易に予測される。このような
液晶表示基板の多種多様化によつて、液晶表示基板用露
光装置(以下、これを露光装置とする)には種々の対応
が迫られている。次に、この露光装置の全体構成を図7
に示す。
Further, with the development of technology for various properties such as heat resistance, thermal shock resistance, chemical resistance, and mechanical properties of the liquid crystal display substrate, materials and types used for the liquid crystal display substrate are increasing. is there. It is easily predicted that the diversification of the liquid crystal display substrate, including the size (width, length, thickness), material, and type of the liquid crystal display substrate will further increase in the future. Due to such diversification of liquid crystal display substrates, various correspondences are required for an exposure apparatus for a liquid crystal display substrate (hereinafter, referred to as an exposure apparatus). Next, the overall configuration of this exposure apparatus is shown in FIG.
Shown in

【0004】図7に示すように、露光装置1はCPU2
が露光光学部3及び基板供給部4を制御して基板に所定
のパターンを露光するようになされている。すなわち、
露光装置1は基板供給部4の基板キヤリアテーブル5上
に載置された基板キヤリア6内に収納されている液晶表
示基板用露光基板(以下、これを単に基板という)7を
キヤリアアーム8によつて基板キヤリア6から引き出
し、キヤリアアーム8上において基板7をプリアライメ
ントした後、受け渡し部9を介してローデイングアーム
10に移し、該ローデイングアーム10によつてステー
ジ台11まで搬送して、ステージ12上に基板7を載置
する。
As shown in FIG. 7, an exposure apparatus 1 includes a CPU 2
Controls the exposure optical unit 3 and the substrate supply unit 4 to expose a predetermined pattern on the substrate. That is,
The exposure apparatus 1 controls a liquid crystal display substrate exposure substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) 7 housed in a substrate carrier 6 placed on a substrate carrier table 5 of a substrate supply unit 4 by a carrier arm 8. After the substrate 7 is pulled out from the substrate carrier 6 and the substrate 7 is pre-aligned on the carrier arm 8, the substrate 7 is transferred to the loading arm 10 via the transfer section 9, and is conveyed to the stage table 11 by the loading arm 10. The substrate 7 is placed on the substrate 12.

【0005】次に露光装置1は、ステージ12上に載置
した基板7を吸着することによつて所定の位置に位置決
めし、露光光学部3によつて露光する。続いて、露光装
置1は所定の露光が終了した基板7をアンローデイング
アーム13によつてステージ12から受け渡し部9まで
搬送する。そして、露光装置1は受け渡し部9に移され
た基板7を除電処理部14によつて所定の除電処理を施
した後、キヤリアアーム8によつて基板キヤリア6内に
戻して処理を終了する。
Next, the exposure apparatus 1 positions the substrate 7 placed on the stage 12 at a predetermined position by sucking the substrate 7, and performs exposure by the exposure optical unit 3. Subsequently, the exposure apparatus 1 transports the substrate 7 on which the predetermined exposure has been completed from the stage 12 to the transfer unit 9 by the unloading arm 13. Then, the exposure apparatus 1 subjects the substrate 7 transferred to the transfer section 9 to a predetermined static elimination process by the static elimination processing section 14, and then returns the substrate 7 to the inside of the substrate carrier 6 by the carrier arm 8 to complete the processing.

【0006】このような露光装置1においては、液晶表
示基板のサイズ(幅、長さ、厚み)や材質及び種類を含
めた液晶表示基板の多様化が進むにつれて、基板の剛性
(撓み量)の変化、強度の変化及び基板が受けたプロセ
ス(感光膜塗布等)の変化に対する種々の対応が迫られ
ており、これらの対応を3つに区分して以下に説明す
る。
In such an exposure apparatus 1, as the size (width, length, thickness), material, and type of the liquid crystal display substrate become more diversified, the rigidity (bending amount) of the substrate increases. Various responses to changes, changes in intensity, and changes in processes (such as application of a photosensitive film) received by the substrate are imminent, and these responses will be divided into three and will be described below.

【0007】まず、基板の剛性の変化に対する露光装置
1の対応について説明する。基板供給部4の基板キヤリ
アテーブル5に載置された基板キヤリア6内に収納され
ている基板7は、図8に示すように、その両端が基板キ
ヤリア6の左右の仕切棚T及びUを支点としてそれぞれ
単純支持されており、仕切棚T及びUの両支点を結ぶ方
向(基板の長手方向)に沿つて基板7の自重により撓み
量h分だけ撓んでいる。
First, the response of the exposure apparatus 1 to changes in the rigidity of the substrate will be described. As shown in FIG. 8, the substrate 7 accommodated in the substrate carrier 6 placed on the substrate carrier table 5 of the substrate supply unit 4 has both ends supported by left and right partition shelves T and U of the substrate carrier 6. Respectively, and is bent by the amount of bending h by the weight of the substrate 7 along the direction (longitudinal direction of the substrate) connecting the two fulcrums of the partition shelves T and U.

【0008】この撓み量hは、重力加速度をgとしたと
きに次式
The amount of deflection h is given by the following equation, where g is the gravitational acceleration.

【数1】 で示されるように、基板7の厚みt、長手方向寸法L、
材質(ヤング率Eと密度ρとポアソン比σ)等によつて
変化する。つまり、基板7の厚さの多様化は撓み量hに
変化をもたらすことになるので、露光装置1ではキヤリ
アアーム8と基板7との上下方向の相対的な高さ位置を
撓み量hに応じて調整することが望ましい。このよう
に、露光装置1は基板7の剛性の変化に対する対応が求
められている。
(Equation 1) , The thickness t of the substrate 7, the longitudinal dimension L,
It changes depending on the material (Young's modulus E, density ρ, and Poisson's ratio σ). That is, since the diversification of the thickness of the substrate 7 causes a change in the amount of deflection h, the exposure apparatus 1 determines the relative height position of the carrier arm 8 and the substrate 7 in the vertical direction according to the amount of deflection h. It is desirable to adjust it. As described above, the exposure apparatus 1 is required to deal with a change in the rigidity of the substrate 7.

【0009】次に、基板7の強度変化に対する露光装置
1の対応について説明する。基板7の薄型化は基板7の
強度を低下させるため、薄型基板に対しては、破損に対
する配慮が今まで以上に必要となる。例えば、基板供給
部4の基板プリアライメント機構部を示す図9におい
て、アライメントアーム21、22が基板7を位置決め
ピン23、24の方向に押し付ける場合に、アライメン
トアーム21、22と基板7との衝突による基板7の破
損を防止するために、薄型基板に対してはアライメント
アーム21、22の動作速度(叩き速度)をより低速に
する必要がある。このように、露光装置1は基板7の強
度変化に対する対応も必要となる。
Next, how the exposure apparatus 1 responds to a change in the intensity of the substrate 7 will be described. Since reducing the thickness of the substrate 7 lowers the strength of the substrate 7, consideration must be given to damage to the thin substrate more than ever. For example, in FIG. 9 showing the substrate pre-alignment mechanism of the substrate supply unit 4, when the alignment arms 21, 22 press the substrate 7 in the direction of the positioning pins 23, 24, the collision between the alignment arms 21, 22 and the substrate 7 occurs. In order to prevent the substrate 7 from being damaged by the above, it is necessary to lower the operating speed (hitting speed) of the alignment arms 21 and 22 for a thin substrate. As described above, the exposure apparatus 1 also needs to cope with a change in the intensity of the substrate 7.

【0010】最後に、基板7が受けたプロセスの変化に
対する露光装置1の対応について説明する。一般に、基
板7は露光工程において、ステージ12等から離される
とき、あるいは空気との摩擦等によつて帯電するが、該
帯電の程度は基板7の受けたプロセスによつて様々に変
化する。従つて、露光装置1では基板7が受けたプロセ
スに合わせて所定の基準を満たした除電処理を行うこと
が必要となると共に、短時間に除電処理をすることが望
まれる。このように、露光装置1は基板7の受けたプロ
セスの変化に対する対応も必要となる。
Finally, a description will be given of how the exposure apparatus 1 responds to a change in the process received by the substrate 7. Generally, in the exposure step, the substrate 7 is charged when it is separated from the stage 12 or the like, or by friction with air, etc., but the degree of the charging varies variously depending on the process of receiving the substrate 7. Therefore, in the exposure apparatus 1, it is necessary to perform the static elimination process satisfying a predetermined criterion in accordance with the process received by the substrate 7, and it is desired that the static elimination process be performed in a short time. As described above, the exposure apparatus 1 also needs to cope with a change in the process received by the substrate 7.

【0011】次に、基板7を露光する従来の露光処理手
順を図10に示すフローチヤートに基づいて説明する。
露光装置1においては、処理手順RT1の開始ステツプ
から入つてステツプSP1に移る。ステツプSP1にお
いて、露光装置1では基板7の剛性と強度に応じて作業
者がキヤリアアーム8及びアライメントアーム21、2
2の動作速度を設定した後、露光装置1を起動させる。
これ以降、露光装置1はCPU2の命令を受けて各部が
動作する。
Next, a conventional exposure processing procedure for exposing the substrate 7 will be described with reference to a flowchart shown in FIG.
In the exposure apparatus 1, the process proceeds from the start step of the processing procedure RT1 to the step SP1. In step SP1, in the exposure apparatus 1, the operator moves the carrier arm 8 and the alignment arms 21 and 2 in accordance with the rigidity and strength of the substrate 7.
After setting the operation speed of 2, the exposure apparatus 1 is started.
Thereafter, each unit of the exposure apparatus 1 operates in response to a command from the CPU 2.

【0012】ステツプSP2において、CPU2はキヤ
リアアーム8によつて基板キヤリア6内の基板7を引き
出す。ステツプSP3において、CPU2はアライメン
トアーム21、22によつて基板7を位置決めピン2
3、24に、設定された所定の速度で押し付けて基板7
をプリアライメントする。ステツプSP4において、C
PU2はローデイングアーム10によつてキヤリアアー
ム8上の基板7を受け取り、該基板7をステージ台11
まで搬送する。ステツプSP5において、CPU2はロ
ーデイングアーム10によつて基板7をステージ12上
に載置して位置決めする。
In step SP2, the CPU 2 pulls out the substrate 7 in the substrate carrier 6 by the carrier arm 8. In step SP3, the CPU 2 uses the alignment arms 21 and 22 to position the substrate 7 on the positioning pins 2.
3 and 24 are pressed at a predetermined speed to set the substrate 7
Is pre-aligned. In step SP4, C
The PU 2 receives the substrate 7 on the carrier arm 8 by the loading arm 10 and transfers the substrate 7 to the stage table 11.
Transport to In step SP5, the CPU 2 places the substrate 7 on the stage 12 by the loading arm 10 and positions it.

【0013】ステツプSP6において、CPU2は露光
光学部3によつて基板7に所定のパターンを露光する。
ステツプSP7において、CPU2はアンローデイング
アーム13によつて露光された基板7をステージ12か
ら取り出す。ステツプSP8において、CPU2はアン
ローデイングアーム13によつて露光された基板7を受
け渡し部9まで搬送する。ステツプSP9において、C
PU2は除電処理部14によつて基板7に帯電した静電
気に対して所定の除電処理、すなわち、基板7の種類に
関係なく一律に定められた基準に従つた除電処理を施
す。
In step SP6, the CPU 2 exposes a predetermined pattern on the substrate 7 by the exposure optical unit 3.
In step SP7, the CPU 2 takes out the substrate 7 exposed by the unloading arm 13 from the stage 12. In step SP8, the CPU 2 transfers the substrate 7 exposed by the unloading arm 13 to the transfer section 9. In step SP9, C
The PU 2 performs a predetermined static elimination process on the static electricity charged on the substrate 7 by the static elimination processing unit 14, that is, a static elimination process according to a uniform standard regardless of the type of the substrate 7.

【0014】ステツプSP10において、CPU2は除
電処理された基板7をキヤリアアーム8によつて受け取
らせてプレートキヤリア6内に収納する。ステツプSP
11において、CPU2は次に露光処理すべき基板7が
他にあるか否かを判定する。ここで、未だ露光処理すべ
き基板7が他に存在する場合にCPU2は肯定結果を得
て再度ステツプSP2以降の処理を繰り返す。また、露
光処理すべき基板7が他に存在しないときにCPU2は
否定結果を得てステツプSP12に移つて全ての処理を
終了する。
In step SP10, the CPU 2 causes the substrate 7 subjected to the charge removal processing to be received by the carrier arm 8 and stored in the plate carrier 6. Step SP
At 11, the CPU 2 determines whether there is another substrate 7 to be exposed next. Here, if there is still another substrate 7 to be subjected to the exposure processing, the CPU 2 obtains a positive result and repeats the processing from step SP2 again. When there is no other substrate 7 to be exposed, the CPU 2 obtains a negative result and proceeds to step SP12 to end all the processes.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
露光装置1においては、基板7の剛性の変化と基板7の
強度変化と基板7が受けたプロセスの変化に対する種々
の対応が必要となるが、ここで、従来の基板7、露光方
法及び露光装置1の各々について説明する。最初に、従
来の基板7について説明する。従来の基板7には、基板
サイズ、基板搬送速度及び基板7の受けたプロセス等の
種々の処理情報を表す手段は何ら備えていなかつた。従
つて、基板露光工程において必要とされる基板の処理情
報は、作業者が生産管理情報の中から取得していた。そ
して、多様化する基板へは以下に説明する方法により対
応していた。
By the way, in the exposure apparatus 1 having such a configuration, various measures are required for a change in the rigidity of the substrate 7, a change in the strength of the substrate 7, and a change in the process received by the substrate 7. Here, each of the conventional substrate 7, the exposure method, and the exposure apparatus 1 will be described. First, the conventional substrate 7 will be described. The conventional substrate 7 does not include any means for indicating various kinds of processing information such as the substrate size, the substrate transfer speed, and the process of receiving the substrate 7. Therefore, the processing information of the substrate required in the substrate exposure process has been obtained by the operator from the production management information. The diversified substrates have been dealt with by the method described below.

【0016】まず基板7の厚みの変化に対して露光装置
1は、上述のように基板7の剛性の変化に対する対応
と、基板7の強度の変化に対する対応とが必要になる
が、これらの各変化に対して従来の露光装置1は次に説
明する対応を行つていた。まず、基板7の剛性の変化に
対して従来の露光装置1は、上述のようにキヤリアアー
ム8と基板7との上下方向の相対的な高さ位置の調整、
すなわち、キヤリアアーム8と基板キヤリア6との上下
方向の相対的な高さ位置の調整が望まれるが、従来の基
板供給部4には高さ位置を自動的に調整するような手段
は備えておらず、高さ位置の調整は行われていなかつ
た。
First, the exposure apparatus 1 needs to deal with a change in the rigidity of the substrate 7 and a change in the strength of the substrate 7 as described above with respect to a change in the thickness of the substrate 7. The conventional exposure apparatus 1 responds to the change as described below. First, the conventional exposure apparatus 1 adjusts the relative height position of the carrier arm 8 and the substrate 7 in the vertical direction as described above with respect to the change in the rigidity of the substrate 7.
That is, it is desired to adjust the relative height position of the carrier arm 8 and the substrate carrier 6 in the vertical direction. However, the conventional substrate supply unit 4 is provided with a means for automatically adjusting the height position. No adjustment of the height position has been made.

【0017】また、基板7が薄型の場合に、キヤリアア
ーム8が基板キヤリア6内に進入するときにキヤリアア
ーム8の振動によつてもたらされる基板7とキヤリアア
ーム8との接触や衝突を防止するためには、作業者が手
動でキヤリアアーム8の動作速度を低速に設定すること
によつて対応していた。さらに、基板7の強度の変化に
対して従来の露光装置1は、上述のようにアライメント
アーム21、22と基板7との衝突による基板7の破損
を防止するために、基板7が薄型の場合にはアライメン
トアーム21、22の動作速度(叩き速度)を従来より
も低速にする必要があるが、この場合に作業者が前記叩
き速度を手動で低速に設定して対応していた。
Further, when the substrate 7 is thin, the contact and collision between the substrate 7 and the carrier arm 8 caused by the vibration of the carrier arm 8 when the carrier arm 8 enters the substrate carrier 6 is prevented. For this purpose, an operator manually sets the operation speed of the carrier arm 8 to a low speed. Furthermore, the conventional exposure apparatus 1 is designed to prevent the substrate 7 from being damaged by the collision between the alignment arms 21 and 22 and the substrate 7 as described above. Requires that the operating speed (hitting speed) of the alignment arms 21 and 22 be lower than in the past. In this case, an operator manually sets the hitting speed to a lower speed.

【0018】次に、基板7が受けたプロセスの変化に対
して従来の露光装置1は、上述のようにプロセスに合わ
せて所定の基準を満たした除電処理を施すことが必要と
なると共に、短時間に除電処理を施すことが望まれてい
る。ところが、従来の露光装置1は基板7のプロセスに
関係なく、一律に定められた除電処理を施していた。
Next, in response to the change in the process received by the substrate 7, the conventional exposure apparatus 1 needs to perform a charge elimination process that satisfies a predetermined standard according to the process as described above. It is desired that a static elimination process be performed at a time. However, the conventional exposure apparatus 1 performs a predetermined static elimination process regardless of the process of the substrate 7.

【0019】このように、かかる構成の露光装置1にお
いては、異なる種類の基板が混流した状態で露光する場
合、剛性の小さな基板に対してキヤリアアーム8と基板
キヤリア6との上下方向の相対的な高さ位置の調整、キ
ヤリアアーム8のプレートキヤリア6内に進入するとき
の速度を落とす設定、また基板をプリアライメントする
時のアライメントアーム21、22の叩き速度の設定を
作業者の手動によつて行つていたため、露光する基板の
スループツトの向上と自動化の進展とを阻害する要因と
なつていた。
As described above, in the exposure apparatus 1 having such a configuration, when exposure is performed in a state where different types of substrates are mixed, the vertical direction of the carrier arm 8 and the substrate carrier 6 with respect to a substrate having a small rigidity. The operator manually adjusts the height position, sets the speed at which the carrier arm 8 enters the plate carrier 6 to reduce the speed, and sets the tapping speed of the alignment arms 21 and 22 when pre-aligning the substrate. This has been a factor that hinders the improvement of the throughput of the substrate to be exposed and the progress of automation.

【0020】また、基板7が受けたプロセスの変化に対
して露光装置1は、基板7が受けたプロセスとは無関係
に一律に定められた除電処理を施していたために除電処
理の効果が有効でない場合が多く、また多くの基板に対
して比効率的であり、露光する基板のスループツトの向
上を阻害する要因となつていた。
In addition, the exposure apparatus 1 performs a predetermined static elimination process irrespective of the process that the substrate 7 has received in response to a change in the process that the substrate 7 has undergone, so that the effect of the static elimination process is not effective. In many cases, the efficiency is relatively high for many substrates, and this is a factor that hinders the improvement of the throughput of the substrate to be exposed.

【0021】さらに、露光装置1では常に一定した吸着
圧力で基板7を吸着して位置決めしていたため、基板7
が薄い場合に吸着口に当たる部分が吸着圧力により変形
してしまつて、パターンの焼き付け精度が悪くなるとい
う問題があつた。
Further, in the exposure apparatus 1, since the substrate 7 is always positioned by suction at a constant suction pressure, the substrate 7
When the thickness is small, the portion corresponding to the suction port is deformed by the suction pressure, and the printing accuracy of the pattern is deteriorated.

【0022】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、露光する露光基板のスループツトの向上と自動化を
進展させ得る露光方法及び露光装置を提案しようとする
ものである。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to propose an exposure method and an exposure apparatus which can improve the throughput of an exposure substrate to be exposed and advance automation.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、基板収納部(6)に収納された露
光基板(30)を取り出してステージ(12)まで搬送
し、該ステージ(12)上に露光基板(30)を吸着し
た後にパターンを露光する場合、露光基板(30)には
該露光基板(30)の処理情報を表すマーク(M)が表
記され、該マーク(M)から処理情報を読み取り、読み
取つた処理情報に含まれる露光基板(30)の寸法デー
タに基づいて露光基板取り出し高さ位置及び露光基板搬
送速度を設定するようにする。
According to the present invention, an exposure substrate (30) stored in a substrate storage section (6) is taken out and transported to a stage (12). When the pattern is exposed after the exposure substrate (30) is sucked onto the exposure substrate (30), a mark (M) indicating processing information of the exposure substrate (30) is written on the exposure substrate (30). The processing information is read, and the exposure substrate take-out height position and the exposure substrate transport speed are set based on the dimension data of the exposure substrate (30) included in the read processing information.

【0024】かくして本発明によれば、個々の露光基板
(30)に対して最適な露光基板取り出し高さ位置及び
露光基板搬送速度を自動的に設定して処理することがで
きる。
Thus, according to the present invention, it is possible to automatically set an optimum exposure substrate take-out height position and an exposure substrate transport speed for each exposure substrate (30) for processing.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0026】図1は、本発明に適用する基板30の構成
を示す。この基板30は、側面の所定位置に基板31の
材質、寸法、処理プロセス等の基板30に関する処理情
報を表す処理情報マークMがバーコードで表記されてい
る。この基板30に液晶表示基板用のパターンを露光す
る露光装置31の構成を図2に示す。
FIG. 1 shows the structure of a substrate 30 applied to the present invention. The substrate 30 is provided with a bar code at a predetermined position on a side surface of the substrate 30 with a processing information mark M representing processing information on the substrate 30, such as the material, dimensions, and processing of the substrate 31. FIG. 2 shows a configuration of an exposure apparatus 31 for exposing a pattern for a liquid crystal display substrate to the substrate 30.

【0027】図6との対応部分に同一符号を付して示す
図2において、31は本発明による露光装置の全体構成
を示す。露光装置31は、CPU2が露光光学部3及び
基板供給部4を制御して所定のパターンを基板30に露
光するようになされている。すなわち、露光装置31は
基板キヤリアテーブル5上に載置された基板キヤリア6
内に収納されている基板30に形成された処理情報マー
クMを処理情報読取り部32で光学的に読み取る。そし
て、露光装置31は読み取つた基板の処理情報とデータ
記憶部34に記憶されている基板の材質データとに基づ
いて設定手段としての基板対応演算処理部33が基板3
0にとつて最適な種々の供給条件及び除電処理パターン
を自動的に設定するようになされている。
In FIG. 2, in which parts corresponding to those in FIG. 6 are assigned the same reference numerals, reference numeral 31 denotes the overall configuration of an exposure apparatus according to the present invention. In the exposure device 31, the CPU 2 controls the exposure optical unit 3 and the substrate supply unit 4 to expose a predetermined pattern to the substrate 30. That is, the exposure device 31 is configured to mount the substrate carrier 6 placed on the substrate carrier table 5.
A processing information reading section 32 optically reads a processing information mark M formed on a substrate 30 housed therein. Then, the exposure device 31 sets the substrate-corresponding arithmetic processing unit 33 as a setting unit based on the read processing information of the substrate and the material data of the substrate stored in the data storage unit 34.
Various optimum supply conditions and static elimination processing patterns for 0 are automatically set.

【0028】ここで、基板収納部としての基板キヤリア
6内に収納されている基板30と情報読取り手段として
の処理情報読取り部32との位置関係を図3を用いて説
明する。基板キヤリア6には、処理情報読み取り部32
と対向する位置に所定径の穴Hが形成されている。これ
により、基板キヤリア6内に設けられた左右の仕切棚T
及びUを支点として単純支持された基板30の基板情報
マークMを、穴Hを通して処理情報読取り部32が読み
取れるようになされている。
Here, the positional relationship between the substrate 30 stored in the substrate carrier 6 as the substrate storage unit and the processing information reading unit 32 as information reading means will be described with reference to FIG. The substrate carrier 6 includes a processing information reading unit 32
A hole H having a predetermined diameter is formed at a position opposed to. Thereby, the left and right partition shelves T provided in the substrate carrier 6 are provided.
The processing information reading unit 32 can read the substrate information mark M of the substrate 30 simply supported with the fulcrum and U as the fulcrum through the hole H.

【0029】次に、露光装置31は基板情報マークMか
ら読み取つた処理情報に基づいて、基板30に対して最
適な種々の供給条件及び除電処理パターンの設定をし終
えると、キヤリアアーム8によつて基板キヤリア6内の
基板30を引き出すに対して撓み量hに応じた最適な基
板取り出し高さ位置にキヤリアアーム8を移動させてか
ら基板30を引き出し、キヤリアアーム8上において基
板30をプリアライメントした後、受け渡し部9を介し
てローデイングアーム10に移し、該ローデイングアー
ム10によつてステージ台11まで搬送して、ステージ
12上に基板30を載置するようになされている。
Next, the exposure apparatus 31 completes the setting of various optimum supply conditions and static elimination processing patterns for the substrate 30 based on the processing information read from the substrate information mark M. When the substrate 30 in the substrate carrier 6 is pulled out, the carrier arm 8 is moved to an optimum substrate take-out height position corresponding to the amount of deflection h, and then the substrate 30 is pulled out, and the substrate 30 is pre-aligned on the carrier arm 8. Thereafter, the substrate is transferred to a loading arm 10 via the transfer section 9, transferred to the stage table 11 by the loading arm 10, and the substrate 30 is placed on the stage 12.

【0030】この場合、図4に示すようにステージ12
は基板30を載置する表面に矩形状の溝12Aが複数形
成されており、当該溝12Aの中央部に設けられた空気
穴12B及び調圧弁35を介して真空ポンプ36に接続
されている。さらに、ステージ12の表面にはモータ3
7に接続された4個の押し上げピン38〜41が下から
突き上げられるように設けられている。
In this case, as shown in FIG.
A plurality of rectangular grooves 12A are formed on the surface on which the substrate 30 is mounted, and are connected to a vacuum pump 36 via an air hole 12B provided in the center of the groove 12A and a pressure regulating valve 35. Further, the motor 3 is provided on the surface of the stage 12.
Four push-up pins 38 to 41 connected to 7 are provided so as to be pushed up from below.

【0031】そして、この調圧弁35及びモータ37
は、CPU2によつて制御され、処理情報読取り部32
で読み取つた処理情報に基づいて調圧弁35の開閉量を
調整して、基板30をステージ12上に吸着させる吸着
圧力を制御するようになされている。これにより、露光
装置31は薄型の基板30を用いる場合、吸着圧力を弱
くして基板30の変形を抑えることができ、かくしてパ
ターンの焼き付け精度を向上させることができる。さら
に、露光装置31はパターンを基板30に露光した後
に、4個の押し上げピン38〜41を下から突き上げさ
せて基板30をアンローデイングアーム13に移すよう
になされている。
The pressure regulating valve 35 and the motor 37
Are controlled by the CPU 2 and the processing information reading unit 32
The opening / closing amount of the pressure regulating valve 35 is adjusted based on the processing information read in step (1) to control the suction pressure at which the substrate 30 is sucked onto the stage 12. Accordingly, when the exposure apparatus 31 uses the thin substrate 30, the suction pressure can be reduced to suppress the deformation of the substrate 30, and thus the pattern printing accuracy can be improved. Further, after exposing the pattern to the substrate 30, the exposure device 31 moves the substrate 30 to the unloading arm 13 by pushing up four push-up pins 38 to 41 from below.

【0032】このようにして、露光装置31はステージ
12上に載置した基板30をステージ12によつて所定
の吸着圧力で所定位置に位置決めし、露光光学部3によ
つて所定のパターンを露光する。続いて、露光装置31
は所定の露光が終了した基板30をアンローデイングア
ーム13によつてステージ12から受け渡し部9まで搬
送する。露光装置31は、受け渡し部9に移された基板
30を除電処理部14によつて基板30の受ける処理の
プロセス及び基板材質に応じた最適な除電処理基準で除
電処理した後、キヤリアアーム8によつて基板キヤリア
6内に戻して処理を終了するようになされている。
As described above, the exposure device 31 positions the substrate 30 placed on the stage 12 at a predetermined position by the stage 12 at a predetermined suction pressure, and exposes a predetermined pattern by the exposure optical unit 3. I do. Subsequently, the exposure device 31
Transports the substrate 30 after the predetermined exposure from the stage 12 to the transfer unit 9 by the unloading arm 13. The exposure device 31 removes the substrate 30 transferred to the transfer unit 9 by the charge removing unit 14 according to the process of the processing received by the substrate 30 and the optimal charge removing process standard according to the substrate material. Accordingly, the processing is returned to the inside of the substrate carrier 6 to end the processing.

【0033】これら一連の露光処理手順を図5のフロー
チヤートを用いて説明する。露光装置31においては、
処理手順RT2の開始ステツプから入つてステツプSP
21に移る。ステツプSP21においては、まず露光装
置31を起動させる。これ以降、露光装置1はCPU2
の命令を受けて各部が動作する。
The sequence of the exposure process will be described with reference to the flowchart of FIG. In the exposure device 31,
Step SP from the start step of the processing procedure RT2
Move on to 21. In step SP21, first, the exposure device 31 is activated. After that, the exposure apparatus 1
Each part operates in response to the instruction of.

【0034】ステツプSP22において、CPU2は処
理情報読み取り部32に対して基板30の処理情報を読
み取るように命令し、処理情報読み取り部32はこの命
令に従つて読み取つた処理情報を処理情報信号として基
板対応演算処理部33に送出する。
In step SP22, the CPU 2 instructs the processing information reading section 32 to read the processing information of the substrate 30, and the processing information reading section 32 uses the processing information read in accordance with the instruction as a processing information signal. It is sent to the corresponding arithmetic processing unit 33.

【0035】ステツプSP23において、基板対応演算
処理部33はデータ記憶部34に記憶されている基板材
質のヤング率E、密度ρ、ポアソン比σ等の材質データ
を参照し、該材質データと基板情報信号に含まれる基板
30の寸法データ(厚みt、長手方向寸法L)とに基づ
いて、基板キヤリア6内における基板30の撓み量h
と、該撓み量hに応じたキヤリアアーム8と基板30と
の上下方向の相対的な基板取り出し高さ位置、すなわ
ち、キヤリアアーム8に対する基板キヤリア6の上下方
向の基板取り出し高さ位置補正量、キヤリアアーム8、
ローデイングアーム10及びアンローデイングアーム1
3が基板30を搬送するときの基板搬送速度、基板30
をプリアライメントするアライメントアーム21、22
の基板叩き速度、及びステージ12上に位置決めする際
の吸着圧力を所定の基準に基づいて算出すると共に、基
板30が受けたプロセスに応じて除電処理部14が基板
30の静電気を除去する除電処理パターンを選定し、こ
れらの算出及び選定した諸データの補正信号をCPU2
に出力する。
In step SP23, the board processing unit 33 refers to the material data such as the Young's modulus E, the density ρ, and the Poisson's ratio σ of the board material stored in the data storage unit 34, and refers to the material data and the board information. Based on the dimension data (thickness t, longitudinal dimension L) of the substrate 30 included in the signal, the amount of deflection h of the substrate 30 in the substrate carrier 6
The vertical relative position of the substrate arm between the carrier arm 8 and the substrate 30 in accordance with the amount of deflection h, ie, the vertical position of the substrate carrier 6 with respect to the carrier arm 8, Carrier arm 8,
Loading arm 10 and unloading arm 1
3 is a substrate transfer speed when the substrate 30 is transferred,
Arms 21 and 22 for pre-alignment
The substrate tapping speed and the suction pressure at the time of positioning on the stage 12 are calculated based on a predetermined standard, and the charge removing unit 14 removes static electricity from the substrate 30 according to the process received by the substrate 30. A pattern is selected, and a correction signal of these calculations and the selected data is sent to the CPU 2.
Output to

【0036】ステツプSP24において、CPU2は、
基板対応演算処理部33から入力した諸データの補正信
号を露光装置31の各部を制御する制御信号に変換して
基板キヤリア6の上下方向の相対的な基板取り出し高さ
位置、基板搬送速度及び基板叩き速度、吸着圧力及び除
電処理パターンを新たに設定する。ここまでの各ステツ
プが、本発明による処理情報に基づいた新たな諸条件を
設定するステツプである。
At step SP24, the CPU 2
The correction signal of various data input from the substrate processing unit 33 is converted into a control signal for controlling each part of the exposure apparatus 31, and the relative position of the substrate carrier 6 in the vertical direction of the substrate carrier 6, the substrate transport speed, and the substrate The hitting speed, suction pressure, and static elimination pattern are newly set. The steps so far are steps for setting new conditions based on the processing information according to the present invention.

【0037】次に、ステツプSP25において、CPU
2はキヤリアアーム8によつて基板キヤリア6内の基板
30を引き出すに対して撓み量hに応じた最適な基板取
り出し高さ位置にキヤリアアーム8を移動させてから基
板30を引き出させる。ステツプSP26において、C
PU2はアライメントアーム21、22によつて基板3
0を位置決めピン23、24に、設定した最適の速度で
押し付けることによつて基板30を破損させることなく
プリアライメントさせる。
Next, in step SP25, the CPU
Reference numeral 2 denotes that the substrate 30 is pulled out after the carrier arm 8 is moved to an optimum substrate take-out height position corresponding to the amount of deflection h when the substrate 30 in the substrate carrier 6 is pulled out by the carrier arm 8. In step SP26, C
PU2 is mounted on the substrate 3 by the alignment arms 21 and 22.
0 is pressed against the positioning pins 23 and 24 at the set optimum speed, thereby pre-aligning the substrate 30 without damaging it.

【0038】ステツプSP27において、CPU2はロ
ーデイングアーム10によつてキヤリアアーム8上の基
板30を受け取り、該基板30をステージ台11まで搬
送させる。ステツプSP28において、CPU2はロー
デイングアーム10によつて基板30をステージ12上
に載置して、基板の厚さに応じた最適の吸着圧力で所定
の位置に位置決めさせる。
In step SP 27, the CPU 2 receives the substrate 30 on the carrier arm 8 by the loading arm 10 and transports the substrate 30 to the stage 11. In step SP28, the CPU 2 places the substrate 30 on the stage 12 by the loading arm 10 and positions the substrate 30 at a predetermined position with an optimum suction pressure according to the thickness of the substrate.

【0039】ステツプSP29において、CPU2は露
光光学部3によつて基板30に所定のパターンを露光す
る。ステツプSP30において、CPU2はアンローデ
イングアーム13によつて露光された基板30をステー
ジ12から取り出す。ステツプSP31において、CP
U2はアンローデイングアーム13によつて基板30を
受け渡し部9まで搬送させる。
In step SP29, the CPU 2 exposes a predetermined pattern on the substrate 30 by the exposure optical unit 3. In step SP30, the CPU 2 takes out the substrate 30 exposed by the unloading arm 13 from the stage 12. In step SP31, the CP
U2 transfers the substrate 30 to the transfer unit 9 by the unloading arm 13.

【0040】ステツプSP32において、CPU2は除
電処理部14によつて基板30に対して新たに設定した
所定の除電処理パターン、すなわち、基板30が受けた
プロセス及び基板材質に応じて設定した最適な除電処理
基準に従つて除電処理を施す。ステツプSP33におい
て、CPU2は除電処理された基板30をキヤリアアー
ム8によつて受け取らせ、基板キヤリア6内に収納させ
る。
In step SP32, the CPU 2 sets the predetermined static electricity removal processing pattern newly set for the substrate 30 by the static electricity removal processing section 14, that is, the optimum static electricity removal set according to the process received by the substrate 30 and the substrate material. The static elimination process is performed according to the processing standard. In step SP33, the CPU 2 causes the carrier arm 8 to receive the substrate 30 subjected to the charge removal processing, and stores the substrate 30 in the substrate carrier 6.

【0041】ステツプSP34において、CPU2は次
に露光処理すべき基板30が他にあるか否かを判定す
る。ここで、未だ露光処理すべき基板30が他に存在す
る場合にCPU2は肯定結果を得て再度ステツプSP2
2以降の処理を繰り返させる。また、露光処理すべき基
板30が他に存在しないときにCPU2は否定結果を得
てステツプSP35に移つて全ての処理を終了する。
In step SP34, the CPU 2 determines whether there is another substrate 30 to be exposed next. Here, if there is still another substrate 30 to be subjected to the exposure processing, the CPU 2 obtains a positive result and returns to step SP2.
The second and subsequent processes are repeated. When there is no other substrate 30 to be exposed, the CPU 2 obtains a negative result and moves to step SP35 to end all the processes.

【0042】以上の構成において、露光装置31は処理
情報読取り部32が基板キヤリア6内に収納されている
基板30の処理情報マークMを読取り、基板対応演算処
理部33がデータ記憶部34に記憶されている基板材質
のヤング率E、密度ρ、ポアソン比σ等の材質データを
参照し、該材質データと処理情報に含まれる基板30の
寸法データ(厚みt、長手方向寸法L)とに基づいて、
基板キヤリア6内における基板30の撓み量hと、該撓
み量hに応じた基板キヤリア6に対するキヤリアアーム
8の上下方向の基板取り出し高さ位置補正量、キヤリア
アーム8、ローデイングアーム10及びアンローデイン
グアーム13が基板30を搬送するときの基板搬送速
度、基板30をプリアライメントするアライメントアー
ム21、22の基板叩き速度、及びステージ12上に位
置決めする際の吸着圧力を所定の基準に基づいて算出す
ると共に、基板30が受けたプロセスに応じて除電処理
部14が基板30の静電気を除去する除電処理パターン
を選定し、これらの算出及び選定した諸データの補正信
号をCPU2に出力する。
In the above configuration, in the exposure apparatus 31, the processing information reading section 32 reads the processing information mark M of the substrate 30 housed in the substrate carrier 6, and the substrate corresponding arithmetic processing section 33 stores it in the data storage section 34. With reference to the material data such as Young's modulus E, density ρ, Poisson's ratio σ of the substrate material, and based on the material data and the dimension data (thickness t, longitudinal dimension L) of the substrate 30 included in the processing information. hand,
The amount h of deflection of the substrate 30 in the substrate carrier 6, the amount of vertical position removal of the substrate arm 6 relative to the substrate carrier 6 in accordance with the amount h of deflection, the correction amount of the carrier arm 8, the loading arm 10, and the unloading. The substrate transfer speed when the arm 13 transfers the substrate 30, the substrate hitting speed of the alignment arms 21 and 22 for pre-aligning the substrate 30, and the suction pressure when positioning the substrate 30 on the stage 12 are calculated based on predetermined criteria. At the same time, the charge removal processing unit 14 selects a charge removal processing pattern for removing static electricity from the substrate 30 in accordance with the process received by the substrate 30, and outputs a correction signal of the calculation and the selected data to the CPU 2.

【0043】CPU2は、基板対応演算処理部33から
入力した諸データの補正信号を露光装置31の各部を制
御する制御信号に変換して基板キヤリア6に対する上下
方向の相対的な基板取り出し高さ位置、基板搬送速度及
び基板叩き速度、及び吸着圧力を新たに設定すると共
に、新たな除電処理パターンを設定し、新たな設定基準
に基づいて基板30を供給して除電処理を施す。
The CPU 2 converts a correction signal of various data input from the substrate processing section 33 into a control signal for controlling each section of the exposure apparatus 31 and a relative position of the substrate carrier 6 in the vertical direction relative to the substrate carrier 6. In addition, the substrate transfer speed, the substrate tapping speed, and the suction pressure are newly set, a new charge removal processing pattern is set, and the charge removal processing is performed by supplying the substrate 30 based on the new set reference.

【0044】このようにして、露光装置31は基板キヤ
リア6内に収納されている基板30の撓み量hに応じ
て、基板キヤリア6に対するキヤリアアーム8の上下方
向の基板取り出し高さ位置を補正することができる。か
くして、露光装置31はキヤリアアーム8を基板キヤリ
ア6内に収納されている基板の中で次に引き出される基
板と該基板の下の段に収納されている基板との間の空間
を2等分する位置に向けて進入させることができる。か
くして、露光装置31は基板30が大きく撓んだ場合に
おいてもキヤリアアーム8の進入速度を落とすことな
く、安全に基板キヤリア6内に進入させることができ
る。
In this manner, the exposure apparatus 31 corrects the vertical position of the substrate arm 6 with respect to the substrate carrier 6 in accordance with the amount of deflection h of the substrate 30 accommodated in the substrate carrier 6. be able to. Thus, the exposure device 31 divides the space between the next substrate to be drawn out of the substrates stored in the substrate carrier 6 and the substrate stored in the lower stage of the substrate into two equal parts. Can be approached to the position where Thus, even when the substrate 30 is greatly bent, the exposure apparatus 31 can safely enter the substrate carrier 6 without reducing the approach speed of the carrier arm 8.

【0045】また、露光装置31はアライメントアーム
21、22によつて基板30をプリアライメントする場
合、基板30の強度に応じて基板叩き速度を自動的に最
適な速度に設定することができるため、基板露光の自動
化を進展させることができる。さらに、露光装置31は
基板30が受けたプロセスに応じた除電処理パターンを
自動的に設定して除電処理を施すことによつて、多種類
の基板に対する除電処理時間を短縮することができる。
さらに、露光装置31では基板30の処理情報マークM
から読取つた寸法データに基づいて新たに設定した吸着
圧力で基板30を位置決めすることにより、基板7が薄
い場合においても吸着口に当たる部分が吸着圧力により
変形してしまうことがなく、パターンを精度良く焼き付
けることができる。
When the exposure apparatus 31 pre-aligns the substrate 30 with the alignment arms 21 and 22, the substrate hitting speed can be automatically set to an optimum speed according to the strength of the substrate 30. Automation of substrate exposure can be advanced. Further, the exposure apparatus 31 automatically sets a charge removal processing pattern according to the process received by the substrate 30 and performs the charge removal processing, thereby shortening the charge removal processing time for various types of substrates.
Further, in the exposure apparatus 31, the processing information mark M
By positioning the substrate 30 with the newly set suction pressure based on the dimensional data read from, even if the substrate 7 is thin, the portion corresponding to the suction port is not deformed by the suction pressure, and the pattern can be accurately formed. Can be burned.

【0046】続いて、露光装置31ではローデイングア
ーム10及びアンローデイングアーム13が基板30を
搬送する基板搬送速度に関しても、基板30の剛性に応
じた搬送速度、すなわち、基板搬送時に基板30が受け
る空気抵抗と基板30を搬送するローデイングアーム1
0及びアンローデイングアーム13の動作に伴う振動等
による基板30の撓みにより、搬送される基板30に近
接する部材に基板30が接触したり衝突することなく、
また、基板30が浮き上がつたりすることのない可能な
限り高速な搬送速度を自動的に設定することができる。
Subsequently, in the exposure device 31, the substrate transport speed at which the loading arm 10 and the unloading arm 13 transport the substrate 30 also depends on the rigidity of the substrate 30, that is, the substrate 30 receives during the substrate transport. Loading arm 1 for transporting air resistance and substrate 30
Due to the deflection of the substrate 30 due to vibrations and the like accompanying the operation of the zero and unloading arms 13, the substrate 30 does not come into contact with or collide with a member close to the substrate 30 being conveyed.
In addition, it is possible to automatically set the highest possible transport speed without causing the substrate 30 to float.

【0047】以上の構成によれば、露光装置31は基板
処理情報読取り部32によつて基板30の処理情報マー
クMを読取り、読み取つた処理情報に基づいて自動的に
設定した最適な基板供給条件及び除電処理パターンで処
理することができる。従つて、露光装置31は異なる種
類の基板が混流した状態においても、基板ごとに異なる
基板供給条件及び除電処理パターンを処理情報マークM
から読み取つて、その基板にあつた最適な基板供給条件
及び除電処理パターンで処理することができ、かくして
従来のような作業者の手動による諸条件の設定に比べて
自動化した分だけ処理時間を短縮し得、スループツトの
向上を図ることができる。
According to the above configuration, the exposure apparatus 31 reads the processing information mark M on the substrate 30 by the substrate processing information reading section 32, and automatically sets the optimal substrate supply conditions automatically set based on the read processing information. And a charge removal pattern. Therefore, even in a state where different types of substrates are mixed, the exposure apparatus 31 sets different substrate supply conditions and different static elimination processing patterns for each substrate in the processing information mark M.
, And processing can be performed with the optimal substrate supply conditions and static elimination pattern applied to the substrate.Thus, the processing time is reduced by the amount automated as compared to the conventional setting of various conditions manually by the operator. Therefore, the throughput can be improved.

【0048】また、露光装置1は基板処理情報読取り部
32によつて基板30の処理情報マークMを読取ること
により、基板30に応じた最適な除電処理パターンを設
定することができ、かくして自動化によつて効率良く個
々の基板に最適な除電処理を施してスループツトを向上
させることができる。
Further, the exposure apparatus 1 can set an optimal charge removal processing pattern according to the substrate 30 by reading the processing information mark M on the substrate 30 by the substrate processing information reading section 32, thus enabling automation. Thus, the optimum static elimination process can be efficiently performed on each substrate to improve the throughput.

【0049】なお、上述の実施例においては、基板30
の側面にバーコードで表記した処理情報マークMを処理
情報読取り部32によつて光学的に読み取るようにした
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、処理情
報マークMを磁気的、又は電気的に読み取るようにして
も良い。また、基板30の側面に処理情報マークMを表
記するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、基板の露光面上に処理情報マークMを表記す
るようにしても良い。
In the above embodiment, the substrate 30
Although the processing information mark M described by a bar code is optically read by the processing information reading unit 32 on the side surface of the present invention, the present invention is not limited to this. Or you may make it read electrically. Further, the case where the processing information mark M is described on the side surface of the substrate 30 has been described, but the present invention is not limited to this, and the processing information mark M may be described on the exposure surface of the substrate.

【0050】例えば、図6(A)、(B)に示すよう
に、基板42の露光面の所定位置に磁気的に表記した処
理情報磁気マークN(図6(A))を基板処理情報磁気
読み取り部43によつて磁気的に読み取る場合、処理情
報磁気読み取り部43は基板キヤリア6内に進入して処
理情報磁気マークNを読み取り(図6(B))、読み取
つた後に基板キヤリア6から退出するように制御され
る。この場合にも、上述の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
For example, as shown in FIGS. 6A and 6B, a processing information magnetic mark N (FIG. 6A) magnetically written at a predetermined position on the exposed surface of the substrate 42 is used. When magnetically read by the reading unit 43, the processing information magnetic reading unit 43 enters the substrate carrier 6 to read the processing information magnetic mark N (FIG. 6B), and after reading, exits from the substrate carrier 6. Is controlled. In this case, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

【0051】さらに、上述の実施例においては、本発明
を液晶表示基板を生産する場合に適用するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、プラズマ
デイスプレイパネルを生産する場合に適用するようにし
ても良い。
Further, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the case of producing a liquid crystal display substrate has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to the case of producing a plasma display panel. You may make it apply.

【0052】[0052]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、基板収納
部に収納された露光基板を取り出してステージまで搬送
し、該ステージ上に露光基板を吸着した後にパターンを
露光する場合、露光基板には該露光基板の処理情報を表
すマークが表記され、該マークから処理情報を読み取
り、読み取つた処理情報に含まれる露光基板の寸法デー
タに基づいて露光基板取り出し高さ位置及び露光基板搬
送速度を設定することにより、個々の露光基板に対して
最適な露光基板取り出し高さ位置及び露光基板搬送速度
を自動的に設定して処理することができ、かくして露光
する露光基板のスループツトの向上と自動化を進展させ
ることができる。
As described above, according to the present invention, when an exposure substrate stored in a substrate storage section is taken out, transported to a stage, and a pattern is exposed after adsorbing the exposure substrate on the stage, the exposure substrate A mark representing the processing information of the exposed substrate is written on the exposed substrate, the processing information is read from the mark, and the exposed substrate take-out height position and the exposed substrate transport speed are determined based on the dimension data of the exposed substrate included in the read processing information. By setting, the optimum exposure substrate take-out height position and exposure substrate transport speed can be automatically set and processed for each exposure substrate, thus improving the throughput and automation of the exposure substrate to be exposed. You can make progress.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例による処理情報の表記された
基板を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a substrate on which processing information is written according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による露光装置の構成を示す
ブロツク図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例による基板キヤリア内の基板
と処理情報読取り部との位置関係を示す断面的略線図で
ある。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a positional relationship between a substrate in a substrate carrier and a processing information reading unit according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例によるステージの構成を示す
ブロツク図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a stage according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例による露光処理手順を示すフ
ローチヤートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an exposure processing procedure according to an embodiment of the present invention.

【図6】他の実施例による基板キヤリア内の基板と基板
処理情報読取り部との位置関係を示す断面的略線図であ
る。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a positional relationship between a substrate in a substrate carrier and a substrate processing information reading unit according to another embodiment.

【図7】従来の露光装置の構成を示すブロツク図であ
る。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional exposure apparatus.

【図8】従来の基板キヤリア内の基板を示す断面的略線
図である。
FIG. 8 is a schematic sectional view showing a substrate in a conventional substrate carrier.

【図9】従来の基板キヤリア上の基板プリアライメント
部の構成を示す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a conventional substrate pre-alignment unit on a substrate carrier.

【図10】従来の露光処理手順を示すフローチヤートで
ある。
FIG. 10 is a flowchart showing a conventional exposure processing procedure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、31……露光装置、2……CPU、3……露光光学
部、4……基板供給部、5……基板キヤリアテーブル、
6……基板キヤリア、7、30、42……基板、8……
キヤリアアーム、9……受け渡し部、10……ローデイ
ングアーム、11……ステージ台、12……ステージ、
13……アンローデイングアーム、14……除電処理
部、21、22……アライメントアーム、23、24…
…位置決めピン、32、43……処理情報読取り部、3
3……基板対応演算処理部、34……データ記憶部、3
8〜41……押し上げピン。
1, 31 exposure apparatus, 2 CPU, 3 exposure optical unit, 4 substrate supply unit, 5 substrate carrier table,
6 ... board carrier, 7, 30, 42 ... board, 8 ...
Carrier arm, 9 Transfer section, 10 Loading arm, 11 Stage stage, 12 Stage
13: unloading arm, 14: static eliminator, 21, 22 ... alignment arm, 23, 24 ...
... Positioning pins, 32, 43 ... Processing information reading section, 3
3 .... board processing unit, 34 ... data storage unit, 3
8-41 ... push-up pin.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 515G ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical indication H01L 21/30 515G

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板収納部に収納された露光基板を取り出
してステージまで搬送し、該ステージ上に前記露光基板
を吸着した後にパターンを露光する露光方法において、 前記露光基板には該露光基板の処理情報を表すマークが
表記され、該マークから前記処理情報を読み取る情報読
取り工程と、 読み取つた前記処理情報に含まれる前記露光基板の寸法
データに基づいて露光基板取り出し高さ位置及び露光基
板搬送速度を設定する設定工程とを備えることを特徴と
する露光方法。
1. An exposure method for taking out an exposure substrate stored in a substrate storage part, transporting the exposure substrate to a stage, and exposing a pattern after adsorbing the exposure substrate on the stage, wherein the exposure substrate includes A mark representing processing information is written thereon, an information reading step of reading the processing information from the mark, and an exposure substrate take-out height position and an exposure substrate transport speed based on the dimensional data of the exposure substrate included in the read processing information. An exposure method, comprising:
【請求項2】前記設定工程は、前記露光基板の寸法デー
タに基づいて前記露光基板の吸着圧力を設定することを
特徴とする請求項1に記載の露光方法。
2. The exposure method according to claim 1, wherein in the setting step, the suction pressure of the exposure substrate is set based on dimensional data of the exposure substrate.
【請求項3】前記設定工程は、前記露光基板の寸法デー
タ及び前記処理情報に含まれる材質データに基づいて、
前記露光基板が受ける処理の過程に応じた除電処理パタ
ーンを設定することを特徴とする請求項1に記載の露光
方法。
3. The method according to claim 1, wherein the setting step is performed based on dimensional data of the exposure substrate and material data included in the processing information.
2. The exposure method according to claim 1, wherein a charge removal processing pattern is set according to a process of the exposure substrate.
【請求項4】基板収納部に収納された露光基板を取り出
してステージまで搬送し、該ステージ上に前記露光基板
を吸着した後にパターンを露光する露光装置において、 前記露光基板には該露光基板の処理情報を表すマークが
表記され、該マークから前記処理情報を読み取る情報読
取り手段と、 前記情報読取り手段によつて読み取つた前記処理情報に
含まれる前記露光基板の寸法データに基づいて露光基板
取り出し高さ位置及び露光基板搬送速度を設定する設定
手段とを備えることを特徴とする露光装置。
4. An exposure apparatus for taking out an exposure substrate stored in a substrate storage section, transporting the substrate to a stage, and exposing a pattern after adsorbing the exposure substrate on the stage, wherein the exposure substrate includes A mark indicating processing information is written thereon; information reading means for reading the processing information from the mark; and an exposure substrate take-out height based on the dimension data of the exposure substrate included in the processing information read by the information reading means. An exposure apparatus comprising: a setting unit configured to set a position and a transfer speed of an exposure substrate.
【請求項5】前記設定手段は、前記露光基板の寸法デー
タに基づいて前記露光基板の吸着圧力を設定することを
特徴とする請求項4に記載の露光装置。
5. An exposure apparatus according to claim 4, wherein said setting means sets an attraction pressure of said exposure substrate based on dimensional data of said exposure substrate.
【請求項6】前記設定手段は、前記露光基板の寸法デー
タ及び前記処理情報に含まれる材質データに基づいて、
前記露光基板が受ける処理の過程に応じた除電処理パタ
ーンを設定することを特徴とする請求項4に記載の露光
装置。
6. The method according to claim 1, wherein the setting unit is configured to determine a size of the exposed substrate based on material data included in the processing information.
The exposure apparatus according to claim 4, wherein a charge elimination pattern is set according to a process of the exposure substrate.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004044630A1 (en) * 2002-11-13 2004-05-27 Nikon Corporation Optical multilayer film filter and method of producing the same
JP2008076187A (en) * 2006-09-20 2008-04-03 Oht Inc Circuit pattern inspection device
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JP2016135386A (en) * 2016-04-28 2016-07-28 株式会社三洋物産 Game machine

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