JPH103869A - Light emitting element and image display device - Google Patents
Light emitting element and image display deviceInfo
- Publication number
- JPH103869A JPH103869A JP7286297A JP7286297A JPH103869A JP H103869 A JPH103869 A JP H103869A JP 7286297 A JP7286297 A JP 7286297A JP 7286297 A JP7286297 A JP 7286297A JP H103869 A JPH103869 A JP H103869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- emitting device
- phosphor
- electrode
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子から
放出される電子線を用いて蛍光体を発光させる発光素子
及び、これを用いた画像表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device for emitting a phosphor using an electron beam emitted from an electron emitting device, and an image display device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、簡単な構造で電子の放出が得られ
る素子として、例えば、エム アイエリンソン（Ｍ．
Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によって発表された冷陰極素子
が知られている［ラジオ エンジニアリング エレクト
ロン フィジックス］（Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ．Ｐｈｙｓ．）第１０巻、１２９０〜１２９６
頁、１９６５年］。2. Description of the Related Art Conventionally, as a device capable of emitting electrons with a simple structure, for example, MI Elinson (M.
I. A cold cathode device disclosed by Elinson et al. Is known [Radio Engineering Electron Physics] (Radio Eng. Elec).
tron. Phys. ) Volume 10, 1290-1296
P. 1965].
【０００３】これは、基板上に形成された小面積の薄膜
に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生
ずる現象を利用するもので、一般には表面伝導形電子放
出素子と呼ばれている。[0003] This utilizes the phenomenon that electron emission occurs when a current flows in a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface, and is generally called a surface conduction electron-emitting device. Have been.
【０００４】この表面伝導形電子放出素子としては、前
記エリンソン等により開発されたＳｎＯ2 （Ｓｂ）薄膜
を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー
“スイン ソリド フィルムス”（Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅ
ｒ：“Ｔｈｉｎ ＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ”），９巻，３
１７頁，（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの［エ
ム ハートウェル アンド シージーフォンスタッド
“アイイーイーイートランス”イーディーコンファレン
（Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔ
ａｄ：“ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．”）
５１９頁，（１９７５年）］カーボン薄膜によるもの
［荒木久他：“真空”，第２６巻、第１号，２２頁，
（１９８３年）］などが報告されている。As the surface conduction electron-emitting device, a device using a SnO 2 (Sb) thin film developed by Elinson et al., A device using an Au thin film [G. Dittmer “Sin Solid Films” (G. Dittme)
r: “Thin SolidFilms”), Volume 9, 3
17, (1972)], using an ITO thin film [M Hartwell and C.G.Fonst]
ad: "IEEE Trans. ED Conf.")
519, (1975)] By carbon thin film [Hisashi Araki et al .: "Vacuum", Vol. 26, No. 1, p. 22,
(1983)].
【０００５】これらの表面伝導形電子放出素子の典型的
な素子構成を図１０及び図１１に示す。尚、図１０は素
子の平面図、図１１は図１０中のＡ−Ａ’面における断
面図である。これらの図において、２０１及び２０２は
電気的接続を得るための電極、２０３は電子放出材料で
形成される薄膜、２０４は基板、２０５は電子放出部で
ある。[0005] FIGS. 10 and 11 show typical element configurations of these surface conduction electron-emitting devices. 10 is a plan view of the device, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. In these figures, 201 and 202 are electrodes for obtaining electrical connection, 203 is a thin film formed of an electron-emitting material, 204 is a substrate, and 205 is an electron-emitting portion.
【０００６】従来、これらの表面伝導形電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に予めフォーミングと呼ば
れる通電加熱処理によって電子放出部を形成する。即
ち、前記電極２０１と電極２０２の間に電圧を印加する
事により、薄膜２０３に通電しこれにより発生するジュ
ール熱で薄膜２０３を局所的に破壊、変形もしくは変質
せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部２０５
を形成することにより電子放出機能を得ている。Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, before emitting electrons, an electron-emitting portion is formed in advance by an electric heating process called forming. That is, when a voltage is applied between the electrode 201 and the electrode 202, the thin film 203 is energized, and the thin film 203 is locally destroyed, deformed or deteriorated by Joule heat generated by the application of the voltage. Electron emission unit 205
The electron emission function is obtained by forming.
【０００７】また、本発明者等は、電極間に微粒子から
なる電子放出体を配置し、これに通電処理を施すことに
より電子放出部を設ける表面伝導形電子放出素子を技術
開示した（特開平１−２７９５４２号公報，特開平１−
３２０７２５号公報等）。図１２は、この表面伝導形電
子放出素子の素子断面を示す図であり、２２１は基板、
２２２は基板上に配置された電極で、相互に近接して電
極間隔２２４を形成している。２２５は電子放出材であ
り、少なくとも電極間隔２２４内に配置されている。具
体的には、例えば、電極２２２として厚み約１０００Å
のＮｉ薄膜、電子放出材２２５としてはＳｎＯ2 又はＰ
ｄ微粒子膜、基板２２１としてはガラス、電極間隔２２
４は幅２μｍ，長さ３００μｍとしている。The present inventors have also disclosed a surface conduction electron-emitting device in which an electron-emitting body made of fine particles is arranged between electrodes and an electron-emitting portion is provided by applying an electric current to the electron-emitting body (JP-A-Hei. Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-279542,
No. 320725). FIG. 12 is a diagram showing an element cross section of this surface conduction electron-emitting device.
Reference numerals 222 denote electrodes arranged on the substrate, forming electrode intervals 224 close to each other. Reference numeral 225 denotes an electron emission material, which is arranged at least within the electrode interval 224. Specifically, for example, the electrode 222 has a thickness of about 1000
Ni thin film and SnO 2 or P
d Fine particle film, glass as substrate 221, electrode spacing 22
Reference numeral 4 denotes a width of 2 μm and a length of 300 μm.
【０００８】この電子放出素子に電圧を印加する際、初
回の電圧印加時に電子放出材２２５であるＳｎＯ2 又は
Ｐｄ微粒子膜が通電処理されて、微粒子が島となって不
連続状態膜化され、電子放出部が形成される。この後、
電極間隔２２４に約１４Ｖの電圧を印加すると電子が放
出されるものである。When a voltage is applied to the electron-emitting device, the SnO 2 or Pd fine particle film, which is the electron-emitting material 225, is subjected to an electric current treatment at the first voltage application, and the fine particles are turned into islands to form a discontinuous film. An electron emission portion is formed. After this,
When a voltage of about 14 V is applied to the electrode interval 224, electrons are emitted.
【０００９】また、従来、電子線による蛍光体発光を用
いた発光素子及び平面型表示装置として、極微細突起表
面からの電界放出電子を蛍光体へ加速照射し発光するも
のが研究開発されてきている。Conventionally, as a light emitting element and a flat display device using phosphor light emission by an electron beam, those which emit light by accelerating irradiation of field emission electrons from the surface of a microscopic projection onto a phosphor have been researched and developed. I have.
【００１０】かかる手段としては、従来Ｉｎｆｏｒｍａ
ｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ １／８９ Ｐ１７〜Ｐ１９
“Ａｄｖａｎｃｅｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｌａｔ
ｃｏｌｄ−ｃａｔｈｏｄｅ ＣＲＴｓ”に記載されて
いるように、基板上に金属から成る極微細突起とそこへ
高電界を与えるためのゲート電極を１μｍ以下の寸法に
近接して配置する構造となっている。[0010] As such means, the conventional Informa
Tion Display 1/89 P17 ~ P19
“Advanced technology flat
As described in "Cold-Cathode CRTs", a micro-projection made of metal and a gate electrode for applying a high electric field thereto are arranged close to a dimension of 1 μm or less on a substrate.
【００１１】かかる構成は、図１３に示すように、基板
２４１上に厚さ約３／４μｍの絶縁層２４２、その上に
約１μｍ径の開口を有したゲート電極２４３を設け、更
に、金属から成る極微細突起２４４をゲート電極２４３
の開口径中心に配置し、ゲート電極２４３に印加した電
圧により高電界を生じさせ、極微細突起２４４より電子
流を生じさせるものである。In this configuration, as shown in FIG. 13, an insulating layer 242 having a thickness of about ／ μm is provided on a substrate 241 and a gate electrode 243 having an opening having a diameter of about 1 μm is provided thereon. The ultrafine projection 244 is
, A high electric field is generated by the voltage applied to the gate electrode 243, and an electron flow is generated from the microscopic projection 244.
【００１２】また、かかる構成の素子に対し、図１４に
示すように基板２４１上方に、基板上あるいは対向板２
５１上に設けた柱状のスペーサー２５２を介して、対向
板２５１に蛍光体面２５３を配置することで発光素子と
することができる。ここでアノード電極２５４に電圧を
印加し、極微細突起２４４より放出された電子を蛍光体
面２５３へ加速照射し、蛍光体面を発光させることがで
きる。尚、図中蛍光体は便宜上、楕円で示している。In addition, as shown in FIG. 14, an element having such a structure is provided above the substrate 241 on the substrate or the opposite plate 2.
By arranging the phosphor surface 253 on the opposing plate 251 via the columnar spacer 252 provided on the 51, a light emitting element can be obtained. Here, a voltage is applied to the anode electrode 254, and the electrons emitted from the microscopic projections 244 are accelerated and irradiated to the phosphor surface 253, so that the phosphor surface can emit light. In the drawings, the phosphors are indicated by ellipses for convenience.
【００１３】更には、図１３の構成を有する素子を、図
１５に示すように複数個設けて、一つの画面を形成する
電子源とすることができる。図中、２６１は極微細突起
２４４の裏面に接続している水平走査電極、２６２は図
１３のゲート電極２４３に相当する垂直信号電極であ
る。今、水平走査電極２６１と垂直信号電極２６２に適
当な電圧を印加すると、極微細突起２４４より電子が任
意，選択的に放出される。この放出電子を、真空容器と
した対向板の蛍光体面２５３へ電圧印加により加速照射
し、画像表示を行うことができる。また、真空容器は、
蛍光体面２５３と極微細突起２４４との空間をスペーサ
ー２５２によって形成し、耐大気圧構造としている。Further, a plurality of elements having the configuration shown in FIG. 13 can be provided as shown in FIG. 15 to provide an electron source for forming one screen. In the figure, reference numeral 261 denotes a horizontal scanning electrode connected to the back surface of the microscopic projection 244, and reference numeral 262 denotes a vertical signal electrode corresponding to the gate electrode 243 in FIG. Now, when an appropriate voltage is applied to the horizontal scanning electrode 261 and the vertical signal electrode 262, electrons are arbitrarily and selectively emitted from the microprojections 244. The emitted electrons are accelerated and irradiated by applying a voltage to the phosphor surface 253 of the opposing plate, which is a vacuum container, and an image can be displayed. The vacuum vessel is
A space between the phosphor surface 253 and the ultrafine projections 244 is formed by the spacer 252 to provide an anti-atmospheric pressure structure.
【００１４】スペーサー２５２の寸法は５０μｍ×５０
μｍ×高さ１００μｍであり、蛍光体面２５３への印加
電圧が１ｋＶまでならば、スペーサー２５２での沿面耐
圧は保たれ、異常放電することはない。The dimensions of the spacer 252 are 50 μm × 50.
If the height is 100 μm × 100 μm and the voltage applied to the phosphor surface 253 is up to 1 kV, the creepage withstand voltage at the spacer 252 is maintained, and abnormal discharge does not occur.
【００１５】また、カラー画像表示をする場合は、図１
５における蛍光体面２５２をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ
（青）の３原色のカラー蛍光体に塗り分けている。In the case of displaying a color image, FIG.
5 are R (red), G (green), B
The color phosphors of the three primary colors (blue) are separately applied.
【００１６】この時、カラー蛍光体の発光効率が各々異
なるため、各色均一輝度のカラー画像を得るために、各
々蛍光体へ衝突する電子線の量を水平走査電極２６１と
垂直信号電極２６２の電圧駆動を複雑に調節制御してい
る。At this time, since the luminous efficiencies of the color phosphors are different from each other, in order to obtain a color image with uniform brightness of each color, the amount of the electron beam impinging on each phosphor is determined by the voltage of the horizontal scanning electrode 261 and the vertical signal electrode 262 The drive is complicatedly adjusted and controlled.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１４
及び図１５に示したような発光素子及び画像表示装置で
は、真空容器内に電圧印加に対し沿面耐圧のあるスペー
サー２５２を配置して空間を形成し、耐大気圧構造とす
る必要があるため、次のような欠点があった。 １）沿面耐圧のあるスペーサーは高アスペクト比の柱状
形が必要であり、製作工数が多く、極微細突起等の電子
放出素子あるいは蛍光体の劣化を防止しながら、これら
の基板上にスペーサーを形成することが難しい。 ２）カラー画像表示装置において、赤、緑、青の３原色
に塗り分けたカラー蛍光体対向板を、各々対応する基板
上の極微細突起等の電子放出素子領域上方に精密な位置
合わせを行ない封着固定しなければならず、高精細画素
では、封着時にズレが発生し易く色ズレが発生する。 ３）カラー画像表示において、赤、緑、青の３原色のカ
ラー蛍光体の発光効率が異なるため、均一なカラー画像
を得るためには、複雑な電圧駆動制御が必要である。 ４）電子放出素子と蛍光体間の空間が大きく、放出電子
の飛翔広がりが発生するため、発光蛍光体の輝点スポッ
トを極めて小さくすることが難しい。However, FIG.
Further, in the light emitting element and the image display device as shown in FIG. 15, it is necessary to arrange a spacer 252 having a surface withstand voltage with respect to voltage application in a vacuum vessel to form a space and to have an atmospheric pressure resistant structure. There were the following disadvantages. 1) Spacer with creeping pressure resistance requires a columnar shape with a high aspect ratio, requires many man-hours, and forms spacers on these substrates while preventing deterioration of electron-emitting devices such as microprojections or phosphors. Difficult to do. 2) In the color image display device, the color phosphor facing plates painted in the three primary colors of red, green, and blue are precisely aligned above the electron-emitting device regions such as the microscopic projections on the corresponding substrates. Sealing must be fixed, and in high-definition pixels, misalignment is likely to occur during sealing, causing color misalignment. 3) In color image display, since the luminous efficiencies of the three primary color red, green, and blue color phosphors are different, complicated voltage drive control is required to obtain a uniform color image. 4) Since the space between the electron-emitting device and the phosphor is large and the emitted electrons fly and spread, it is difficult to make the luminescent spot of the light-emitting phosphor extremely small.
【００１８】従来の発光素子あるいは画像表示装置では
上記のような欠点を有するため、製作工程が煩雑であ
り、高精細化、大画面化することが困難であった。The conventional light emitting device or image display device has the above-mentioned drawbacks, so that the manufacturing process is complicated, and it has been difficult to achieve high definition and a large screen.
【００１９】本発明の目的は、製造が容易で、且つ高精
細・大面積の画像表示が可能な発光素子及びこれを用い
た画像表示装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a light-emitting element which is easy to manufacture and can display a high-definition, large-area image, and an image display device using the same.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は、以下の通りである。The structure of the present invention to achieve the above object is as follows.
【００２１】すなわち、本発明第１は、基板上に配置さ
れた電子放出素子と、該電子放出素子より放出される電
子の照射を受ける蛍光体と、フェースプレートとを有す
る発光素子において、蛍光体が、電子放出素子の電子放
出部を覆って積層されていることを特徴とする発光素子
にある。That is, a first aspect of the present invention is a light emitting device having an electron emitting device disposed on a substrate, a phosphor receiving irradiation of electrons emitted from the electron emitting device, and a face plate. Are stacked so as to cover the electron-emitting portion of the electron-emitting device.
【００２２】本発明第１の発光素子は、さらにその特徴
として、「前記電子放出素子の電子放出部と蛍光体との
間に真空領域が存在する」こと、「前記電子放出素子は
開口部を有すると共に、該開口部に電子放出部を形成し
ており、且つ、前記蛍光体の粒径は該開口部寸法よりも
大きく、電子放出部と蛍光体との間に真空領域が存在す
る」こと、「前記電子放出素子の電気的駆動を行ない、
蛍光体を電気泳動法により該電子放出素子上に配置し
た」こと、「前記基板とフェースプレートは真空容器を
形成しており、且つ、前記蛍光体層の厚みと同等の寸法
を有するビーズ或いはフィラー状のスペーサーを真空容
器内に分散配置している」こと、「前記基板とフェース
プレートは真空容器を形成しており、且つ、前記電子放
出素子の構成部材の一部が基板とフェースプレートとの
スペーサーとなる凸部を形成している」こと、「電子放
出部上に開口を有するアノード電極を具備する複数の電
子放出素子を有し、複数種類の蛍光体が各電子放出素子
のアノード電極上に選別配置されており、同種類の蛍光
体が配置されているアノード電極は電気的に接続されて
おり、且つ、異種類の蛍光体が配置されているアノード
電極とは絶縁されている」こと、「前記基板とフェース
プレートは加熱接着により真空容器を形成しており、前
記蛍光体と電気的接続を有する電極の少なくとも表面層
に、該電極の主材料と合金を構成する金属を有し、該金
属の酸化物の電気伝導率が該電極の主材料の酸化物の電
気伝導率より大きい」こと、「前記電極の主材料がＮｉ
であり、前記金属がＡｇである」こと、「前記電極の主
材料がＣｒであり、前記金属がＴｉである」こと、をも
含むものである。The first light-emitting device of the present invention further has a feature that "a vacuum region exists between the electron-emitting portion of the electron-emitting device and the phosphor" and "the electron-emitting device has an opening. Having an electron-emitting portion in the opening, and the particle size of the phosphor is larger than the size of the opening, and a vacuum region exists between the electron-emitting portion and the phosphor. ""Electrically drive the electron-emitting device,
"A phosphor is arranged on the electron-emitting device by electrophoresis", "beads or fillers having a size equivalent to the thickness of the phosphor layer, wherein the substrate and the face plate form a vacuum vessel. Spacers are dispersed and arranged in a vacuum container "," the substrate and the face plate form a vacuum container, and a part of the constituent members of the electron-emitting device is formed between the substrate and the face plate. A plurality of electron-emitting devices having an anode electrode having an opening on the electron-emitting portion, and a plurality of types of phosphors are formed on the anode electrode of each electron-emitting device. The anode electrodes on which the same kind of phosphors are arranged are electrically connected, and are insulated from the anode electrodes on which different kinds of phosphors are arranged. The substrate and the face plate form a vacuum vessel by heat bonding, and at least a surface layer of an electrode having electrical connection with the phosphor is coated with a metal constituting an alloy and a main material of the electrode. And that the electrical conductivity of the oxide of the metal is greater than the electrical conductivity of the oxide of the main material of the electrode. "
And that the metal is Ag "and that" the main material of the electrode is Cr and the metal is Ti ".
【００２３】また、本発明第２は、本発明第１の発光素
子を用いて画像表示を行なう画像表示装置にある。A second aspect of the present invention is an image display apparatus for displaying an image using the first light emitting device of the present invention.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２５】図１は本発明の発光素子の特徴を最も良く
表わす素子断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of the light emitting device of the present invention, which best shows the features of the device.
【００２６】同図に於いて、１１１は基板であり、１１
２ａ，ｂは基板１１１上に形成され、対向した間隔を有
する電極であり、１１３は対向した電極の片側の電極１
１２ｂ上に形成された絶縁層、１１４は微粒子から成る
電子放出材である。１１５はガラスビーズから成り基板
１１１上に分散配置されたスペーサーであり、１１６は
真空容器を形成するためのフェースプレートであり、基
板１１１とフェースプレート１１６の空間は、スペーサ
ー１１５により一定に保たれている。１１７は蛍光体で
あり、基板１１１上に支持され、電子放出材１１４の電
子放出部を覆う様にフェースプレート１１６との空間に
配置されている。蛍光体１１７は便宜上、楕円で示して
いる。In the figure, reference numeral 111 denotes a substrate,
Reference numerals 2a and 2b denote electrodes formed on the substrate 111 and having an opposing interval, and 113 denotes an electrode 1 on one side of the opposing electrodes.
The insulating layer 114 formed on the surface 12b is an electron emitting material composed of fine particles. Reference numeral 115 denotes a spacer made of glass beads and dispersed on the substrate 111. Reference numeral 116 denotes a face plate for forming a vacuum vessel. The space between the substrate 111 and the face plate 116 is kept constant by the spacer 115. I have. Reference numeral 117 denotes a phosphor, which is supported on the substrate 111 and is disposed in a space with the face plate 116 so as to cover an electron emission portion of the electron emission material 114. The phosphor 117 is indicated by an ellipse for convenience.
【００２７】基板１１１上の電極１１２ａ，ｂ及び電子
放出材１１４から構成されている部分は、図１２に示し
たような表面伝導形電子放出素子を構成している。本素
子に於いて、電極１１２ａ，ｂの間に電圧を印加する
と、電極間に電流が流れる。この電圧を１０数Ｖにする
と電極間に位置した電子放出部１１４より電子放出が行
なわれる。ここで、電子の放出角度は様々な成分があ
り、蛍光体１１７へ電子が照射、衝突し、蛍光体１１７
の発光が生じる。The portion composed of the electrodes 112a and 112b and the electron-emitting material 114 on the substrate 111 constitutes a surface conduction electron-emitting device as shown in FIG. In this device, when a voltage is applied between the electrodes 112a and 112b, a current flows between the electrodes. When this voltage is set at about 10 V, electrons are emitted from the electron emitting portion 114 located between the electrodes. Here, the electron emission angle has various components, and the electrons are irradiated and collide with the phosphor 117, and the phosphor 117 is emitted.
Light emission occurs.
【００２８】蛍光体１１７に衝突した電子は、電極１１
２ａを通じて流れ、蛍光体がチャージアップすることは
無い。Electrons that collided with the phosphor 117 are
It flows through 2a and the phosphor does not charge up.
【００２９】絶縁層１１３は電極間に印加された電圧に
よって流れる電流の電極間に配置された蛍光体１１７に
よって生ずるリーク成分を無くするために形成されてい
る。The insulating layer 113 is formed in order to eliminate a leak component generated by the phosphor 117 disposed between the electrodes of the current flowing by the voltage applied between the electrodes.
【００３０】本発明の発光素子に用いられる電子放出素
子は、上記で示した表面伝導形電子放出素子（図１２参
照）に限定されるものではなく、図１３に示したような
極微細突起表面からの電界放出によって電子を放出する
スピント型電子放出素子及び、絶縁層を金属層で挟んだ
ＭＩＭ型電子放出素子等を用いることができる。The electron-emitting device used in the light-emitting device of the present invention is not limited to the surface conduction electron-emitting device described above (see FIG. 12). A Spindt-type electron-emitting device that emits electrons by field emission from a semiconductor device, a MIM-type electron-emitting device in which an insulating layer is sandwiched between metal layers, or the like can be used.
【００３１】また、本発明の発光素子の電子放出素子に
上記の表面伝導形電子放出素子やスピント型電子放出素
子の様に、電極間隙やゲート電極開口の様な開口部に電
子放出部を形成している素子を用いる場合には、上記開
口寸法よりも大きな粒径を有する蛍光体を用い、電子放
出部と蛍光体との間に微小空間を有する事が好ましい。
これにより、蛍光体が上記開口部内に堆積することが無
く、電極間に印加された電圧によって流れる電流の蛍光
体によって生ずるリーク成分を確実に無くすることが可
能である。In the electron-emitting device of the light-emitting device of the present invention, an electron-emitting portion is formed in an opening such as an electrode gap or a gate electrode opening, like the above-mentioned surface conduction electron-emitting device or Spindt-type electron-emitting device. In the case of using such a device, it is preferable to use a phosphor having a particle size larger than the above opening size and to have a minute space between the electron emitting portion and the phosphor.
Accordingly, the phosphor is not deposited in the opening, and it is possible to reliably eliminate a leak component caused by the phosphor of the current flowing by the voltage applied between the electrodes.
【００３２】本発明に於いて、電子放出素子と蛍光体の
位置関係が重要である。以下、この点について説明す
る。In the present invention, the positional relationship between the electron-emitting device and the phosphor is important. Hereinafter, this point will be described.
【００３３】例えば、表面伝導形電子放出素子の電子放
出は、電極間電圧が１４Ｖである場合、放出された電子
線も最高で１４ｅＶ程度のエネルギーを持つと考えられ
る。更に、放出された電子線の放出角度は、従来より電
子放出素子から或る距離にあるアノード電極を有する蛍
光板の輝点形状の観察により、様々な方向に放出されて
いると考えられている。従って、電子放出材から成る電
子放出部から放出された電子は、１４ｅＶ近くのエネル
ギーを有して様々な角度に渡って放出され、電子放出部
を覆って電極間隔上に配置された蛍光体へ照射衝突す
る。ここで、蛍光体の発光閾値電圧が１０ｅＶ程度以下
であれば、充分に発光することが可能である。これに相
当する蛍光体としては、蛍光表示管用のＺｎＯ：Ｚｎに
代表される低速電子線励起蛍光体がある。蛍光体は電子
放出素子を覆って近傍に配置されるが、この間隔は、電
極の厚みと蛍光体の粒径によって調整することが可能で
ある。For example, in the electron emission of the surface conduction electron-emitting device, when the voltage between the electrodes is 14 V, the emitted electron beam is considered to have an energy of about 14 eV at the maximum. Further, it has been considered that the emission angle of the emitted electron beam is conventionally emitted in various directions by observing the shape of a bright spot of a phosphor plate having an anode electrode at a certain distance from the electron-emitting device. Therefore, the electrons emitted from the electron emitting portion made of the electron emitting material are emitted at various angles with an energy of about 14 eV, and the electrons are emitted to the fluorescent material disposed over the electrode interval and covering the electron emitting portion. Irradiation collision. Here, if the light emission threshold voltage of the phosphor is about 10 eV or less, it is possible to emit light sufficiently. As a phosphor corresponding to this, there is a slow electron beam excited phosphor represented by ZnO: Zn for a fluorescent display tube. The phosphor is disposed in the vicinity of the electron-emitting device so as to cover the electron-emitting device. The distance can be adjusted by the thickness of the electrode and the particle size of the phosphor.
【００３４】次に、スピント型電子放出素子では、電子
放出の駆動は、例えば極微細突起の電位を−２０Ｖ、ゲ
ート電極の電位を＋２０Ｖとしている。従って、放出さ
れた電子線は最高で４０ｅＶ程度のエネルギーを持つと
考えられる。今、図１４に示したような従来例の発光素
子のアノード電極２５４が無い場合、放出電子の電子軌
道は電界に沿って進行してゲート電極２４３へ照射衝突
する。しかしながら、図１に示したような本発明の発光
素子にスピント型電子放出素子を用いた場合でも、蛍光
体がゲート電極上に電子放出部である極微細突起を覆う
ように配置されれば、アノード電極へ照射される電子線
のいくつかの軌道が蛍光体位置と交差し、電子線が蛍光
体に４０ｅＶ程度以下のエネルギーを有して照射衝突し
発光する。In the Spindt-type electron-emitting device, the electron emission is driven by, for example, setting the potential of the ultrafine projection to -20 V and the potential of the gate electrode to +20 V. Therefore, it is considered that the emitted electron beam has an energy of about 40 eV at the maximum. Now, when the anode electrode 254 of the conventional light emitting element as shown in FIG. 14 is not provided, the electron trajectory of the emitted electrons travels along the electric field and collides with the gate electrode 243 for irradiation. However, even when the Spindt-type electron-emitting device is used for the light-emitting device of the present invention as shown in FIG. 1, if the phosphor is arranged on the gate electrode so as to cover the microscopic projections serving as the electron-emitting portions, Some orbits of the electron beam irradiated on the anode electrode intersect with the position of the phosphor, and the electron beam irradiates the phosphor with energy of about 40 eV or less to emit light.
【００３５】また、先に述べた、低速電子線励起蛍光体
は、従来、蛍光体の電気抵抗によるアノード電圧の電圧
降下を抑えるため、３０μｍ程度の膜厚の蛍光体層の抵
抗値を５００Ω／ｃｍ2 までに低くしている。従って、
蛍光体が、ゲート電極と電気的に接続していれば低抵抗
である蛍光体表面の電位がゲート電極電位＋２０Ｖにま
で近くなり、放出電子が蛍光体に照射衝突する確率は大
幅に高まり、より効率良く発光することができる。In addition, the low-speed electron beam-excited phosphor described above conventionally has a resistance value of a phosphor layer having a thickness of about 30 μm of 500 Ω / cm 2 in order to suppress the voltage drop of the anode voltage due to the electric resistance of the phosphor. They are low in up to cm 2. Therefore,
If the phosphor is electrically connected to the gate electrode, the potential of the low-resistance phosphor surface becomes close to the gate electrode potential +20 V, and the probability that emitted electrons collide with the phosphor is greatly increased. Light can be emitted efficiently.
【００３６】また、図１に示したような本発明の発光素
子にＭＩＭ型電子放出素子を用いる場合は、上層の金属
層上に蛍光体を配置すれば良い。下層金属層と上層金属
層間の高電界によって、絶縁層，上層金属層を突き抜け
てきた電子は、低加速励起蛍光体を発光させるに充分な
エネルギーを有して、蛍光体に衝突し、発光させること
ができる。When a MIM-type electron-emitting device is used as the light-emitting device of the present invention as shown in FIG. 1, a phosphor may be disposed on the upper metal layer. Due to the high electric field between the lower metal layer and the upper metal layer, electrons penetrating through the insulating layer and the upper metal layer have sufficient energy to cause the low-acceleration excited phosphor to emit light, and collide with the phosphor to emit light. be able to.
【００３７】本発明の発光素子では、蛍光体発光による
輝点寸法は、電子放出部と発光蛍光体が接近しているた
めに、電子放出部の長さに相当した配列された蛍光体の
寸法とほぼ同じになる。従って、従来の様に電子放出部
と発光蛍光体までの空間が大きい場合に生じていた電子
光学的な電子の飛翔広がりを極端に小さくおさえること
ができる。In the light emitting device of the present invention, the size of the bright spot due to the phosphor emission is determined by the size of the arranged phosphor corresponding to the length of the electron emitting portion because the electron emitting portion and the light emitting phosphor are close to each other. Is almost the same as Therefore, it is possible to extremely suppress the electron-optical spread of electrons, which has occurred when the space between the electron emission portion and the light emitting phosphor is large as in the related art.
【００３８】ここで、電子の放出点（電子放出部）と蛍
光体が接触している場合でも、電子が蛍光体へ注入され
発光すれば良いことが理解される。特に、電子放出に係
わる２端子電極構成では、電子の放出点と蛍光体が接触
していても発光することが可能である。また、電子放出
の変調や、ＯＮ／ＯＦＦを行なう電極を追加した３端子
以上の電極構成であれば、電子の蛍光体への注入に異常
が生じない様な、電気的な絶縁を部分的に形成すれば良
い。Here, it is understood that even when the emission point of the electrons (electron emission portion) is in contact with the phosphor, it is sufficient that the electrons are injected into the phosphor and emit light. In particular, in a two-terminal electrode configuration related to electron emission, light can be emitted even when an electron emission point is in contact with a phosphor. In addition, if the electrode configuration has three or more terminals in which an electrode that performs electron emission modulation and ON / OFF is added, electrical insulation is partially prevented so that no abnormality occurs in the injection of electrons into the phosphor. It may be formed.
【００３９】従って、図１に示したような本発明の発光
素子において、電子放出材１１４が、蛍光体１１７に接
触している場合でも、電子の蛍光体への注入、発光が可
能である。Therefore, in the light emitting device of the present invention as shown in FIG. 1, even when the electron emitting material 114 is in contact with the phosphor 117, electrons can be injected into the phosphor and emit light.
【００４０】また、本発明によれば、蛍光体が、基板と
フェースプレートの間に挟まれて保持されているため
に、従来、空間を有して対向板に蛍光体が配置されてい
た場合に発生していた蛍光体の脱落による発光欠陥は発
生しない。Further, according to the present invention, since the phosphor is sandwiched and held between the substrate and the face plate, conventionally, when the phosphor is arranged on the opposed plate with a space. No light-emitting defect due to the drop of the phosphor that has occurred during the period is generated.
【００４１】以上述べたように、蛍光体は素子基板上に
支持されて配置されるため、従来、柱状のスペーサーに
より形成していた対向板までの大きな真空空間が不用と
なり、必要な蛍光体層の厚み分だけの小さな真空空間を
形成すれば良いことになる。従って、従来、電子線蛍光
発光型平面画像表示装置では画素欠陥発生のため、あま
り積極的に使用されてこなかったビーズやフィラー状の
ばらまきスペーサーの分散配置を大きな画素欠陥無く、
用いることができる。As described above, since the phosphor is supported and arranged on the element substrate, a large vacuum space up to the opposing plate conventionally formed by the columnar spacer is not required, and the necessary phosphor layer is required. It is only necessary to form a vacuum space as small as the thickness of the vacuum space. Therefore, conventionally, due to the occurrence of pixel defects in the electron beam fluorescent light emitting flat image display device, the dispersed arrangement of beads and filler-like dispersing spacers that have not been used so much without large pixel defects.
Can be used.
【００４２】すなわち、蛍光体層の厚みを仮に２０μｍ
とすると、直径２０μｍのガラスビーズスペーサーを用
いれば良い。また、電子放出素子の電極部開口寸法の例
として表面伝導形電子放出素子では、電子放出材を挟む
電極間隔が幅２μｍ長さ３００μｍで画像表示装置の１
画素を形成している場合、直径２０μｍのガラスビーズ
スペーサーが電子放出部である電極開口部に分散配置さ
れたとしても、電子放出長の約７％が未放出部となるだ
けで済む。また、スピント型電子放出素子の場合は、ゲ
ート電極開口が直径１μｍとし画像表示装置の１画素を
タテ３００μｍ，ヨコ１５０μｍとして面状に電子放出
素子を複数配列して形成した場合、直径２０μｍのガラ
スビーズスペーサーが画素内の電子放出素子の電子放出
を妨げても、画素面積の１％以下が未放出部となるだけ
で済む。もし、従来例のように１００μｍの空間を形成
するために直径１００μｍのガラスビーズスペーサーを
用いれば、表面伝導形電子放出素子で約３３％、スピン
ト型電子放出素子で約１８％の画素中に未放出部が発生
し、画素欠陥となってしまう。That is, if the thickness of the phosphor layer is assumed to be 20 μm
Then, a glass bead spacer having a diameter of 20 μm may be used. As an example of the electrode opening size of the electron-emitting device, in the case of the surface conduction type electron-emitting device, the distance between the electrodes sandwiching the electron-emitting material is 2 μm in width, 300 μm in length and 1 μm in the image display device.
In the case of forming pixels, even if glass bead spacers having a diameter of 20 μm are dispersed and arranged in the electrode openings, which are electron emission portions, only the electron emission length is about 7% of the electron emission length. In the case of a Spindt-type electron-emitting device, when a gate electrode opening is 1 μm in diameter, one pixel of an image display device is 300 μm in length, and 150 μm in width, and a plurality of electron-emitting devices are arranged in a plane, a glass of 20 μm in diameter is formed. Even if the bead spacer prevents electron emission of the electron-emitting device in the pixel, only 1% or less of the pixel area is a non-emission portion. If a glass bead spacer with a diameter of 100 μm is used to form a space of 100 μm as in the conventional example, about 33% of the surface conduction type electron-emitting devices and about 18% of the Spindt type electron-emitting devices do not exist in the pixel. An emission part is generated, resulting in a pixel defect.
【００４３】更には、ガラスビーズやフィラー状のスペ
ーサーの他に例えば蛍光体層の厚み２０μｍに対し同等
厚みで基板上に薄膜でスペーサーを形成することも充分
可能となる。Further, in addition to the spacers in the form of glass beads or fillers, it is possible to form a spacer as a thin film on a substrate with a thickness equivalent to, for example, a phosphor layer having a thickness of 20 μm.
【００４４】また、大画面表示装置では、素子の駆動電
圧が配線抵抗の電圧降下によって低下することを防ぐた
めに、膜厚の厚い電極配線が用いられる。ここで、電極
配線の膜厚を２０μｍとして低抵抗配線とし、この凸状
の配線部をそのままフェースプレートとのスペーサーと
して用いることも可能である。ここで電極配線の形成方
法は薄膜に限られるものではなく、メッキ法、印刷法等
が用いられる。In a large-screen display device, a thick electrode wiring is used in order to prevent the drive voltage of the element from being reduced by a voltage drop of the wiring resistance. Here, it is also possible to set the film thickness of the electrode wiring to 20 μm to form a low-resistance wiring, and to use this convex wiring portion as it is as a spacer with the face plate. Here, the method of forming the electrode wiring is not limited to a thin film, and a plating method, a printing method, or the like is used.
【００４５】図７は本発明の発光素子の別の態様を示す
素子断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment of the light emitting device of the present invention.
【００４６】図１に示した本発明の発光素子には図１４
の従来例で示したような対向板２５１に設けられたアノ
ード電極２５４は用いていないが、図７に示した発光素
子では、電子放出部１１４上に開口を有するゲート電極
１４２及びアノード電極１７２を素子電極１１２上に各
々層間絶縁層１４１，１７１を介して形成している。The light emitting device of the present invention shown in FIG.
Although the anode electrode 254 provided on the opposed plate 251 as shown in the conventional example of FIG. 1 is not used, the gate electrode 142 and the anode electrode 172 having an opening on the electron emission portion 114 are formed in the light emitting element shown in FIG. It is formed on the device electrode 112 via the interlayer insulating layers 141 and 171 respectively.
【００４７】またフェースプレート１１６と基板１１１
から成る真空容器の内部空間は、アノード配線１７３の
厚み方向によって形成されており、アノード配線１７３
がスペーサーとして利用されている。また１７４は絶縁
層である。上記の様な本発明第３の発光素子を用いて、
カラー画像表示を行う場合、複数種類の蛍光体を各電子
放出素子のアノード電極上に選別配置し、各々の蛍光体
の輝度を均一化するために、各々の蛍光体に合ったアノ
ード電位に制御することが必要となる。本発明では、同
種類の蛍光体が配置されているアノード電極を電気的に
接続し、異種類の蛍光体が配置されているアノード電極
とは絶縁することによって任意のアノード電極を任意の
電位に制御することも可能にしている。The face plate 116 and the substrate 111
Is formed by the thickness direction of the anode wiring 173.
Is used as a spacer. 174 is an insulating layer. Using the third light emitting device of the present invention as described above,
When displaying a color image, a plurality of types of phosphors are selectively arranged on the anode electrode of each electron-emitting device, and controlled to an anode potential suitable for each phosphor in order to equalize the brightness of each phosphor. It is necessary to do. According to the present invention, an arbitrary anode electrode is electrically connected to an anode electrode on which the same type of phosphor is disposed, and is electrically insulated from an anode electrode on which a different type of phosphor is disposed, so that an arbitrary anode electrode has an arbitrary potential. It is also possible to control.
【００４８】本発明の発光素子において、電子放出素子
を構成する電極の材料は特に限定されるものではない
が、蛍光体と電気的接続を有する電極の少なくとも表面
層には、電極の主材料と合金を構成する金属であってそ
の酸化物の電気伝導率が電極の主材料の酸化物の電気伝
導率より大きい金属材料を用いるのが好ましい。In the light-emitting device of the present invention, the material of the electrode constituting the electron-emitting device is not particularly limited, but at least the surface layer of the electrode having electrical connection with the phosphor has the main material of the electrode. It is preferable to use a metal material which is a metal constituting the alloy and whose electric conductivity of the oxide is larger than that of the oxide of the main material of the electrode.
【００４９】すなわち、電極の表面層が酸化物となった
場合に電極材単体よりも低抵抗となる合金材料を用いる
ことにより、真空容器の封着加熱工程を経た電極の表面
が酸化し高抵抗となり、接触している蛍光体との導通が
不良となることを防止するためである。もし蛍光体と電
極の電気的導通が不良となると、電子放出素子より注入
された電子により蛍光体がチャージアップしてしまい、
一時的に過電流が流れ、素子の破壊が生じる場合があ
る。That is, by using an alloy material having a lower resistance than the electrode material alone when the surface layer of the electrode becomes an oxide, the surface of the electrode which has passed through the sealing and heating step of the vacuum vessel is oxidized and has a high resistance. This is to prevent the conduction with the phosphor in contact with the electrode from becoming defective. If the electrical conduction between the phosphor and the electrode becomes poor, the phosphor is charged up by electrons injected from the electron-emitting device,
Overcurrent may flow temporarily, and the element may be destroyed.
【００５０】例えば、電極の主材料がＮｉである場合
に、電極の表面層にはＡｇを１０ｍｏｌ％添加したＮｉ
合金を用いると、真空容器封着時の加熱接着工程によ
り、電極の表面層が酸化してＡｇ添加されたＮｉＯとな
っても、その比抵抗は１Ω・ｃｍ程度である。これに比
べ、Ｎｉの理想的な定比性の酸化膜の比抵抗は１０13Ω
・ｃｍ以上の絶縁性を示し、ＮｉとＯの定比性からのず
れが最大に近いＮｉ0.995Ｏでも１０3 Ω・ｃｍとな
り、一般的には１０5 Ω・ｃｍ以上の高抵抗を示す。For example, in the case where the main material of the electrode is Ni, the surface layer of the electrode is made of Ni containing 10 mol% of Ag.
If an alloy is used, even if the surface layer of the electrode is oxidized into Ag-added NiO by the heat bonding step at the time of sealing the vacuum vessel, the specific resistance is about 1 Ω · cm. By comparison, the specific resistance of an ideal stoichiometric oxide film of Ni is 10 13 Ω.
· Insulation of not less than · cm, and Ni 0.995 O, whose deviation from the stoichiometry of Ni and O is almost the maximum, is 10 3 Ω · cm, and generally shows high resistance of 10 5 Ω · cm or more.
【００５１】この様に、電極材単体の場合、封着熱工程
によって電極表面が酸化され高抵抗化する。この酸化膜
の電気伝導が、例えばＰ型半導体、Ｎ型半導体、金属型
のいずれかを示した場合、適当な添加物を加えることに
よって、ホール濃度、伝導電子濃度、酸素イオン濃度を
各々増加させ、電気伝導度を増し、比抵抗を小さくでき
る。As described above, in the case of the electrode material alone, the surface of the electrode is oxidized by the heat treatment for sealing to increase the resistance. If the electrical conductivity of the oxide film indicates, for example, any of a P-type semiconductor, an N-type semiconductor, and a metal type, the hole concentration, the conduction electron concentration, and the oxygen ion concentration are increased by adding appropriate additives. In addition, the electric conductivity can be increased and the specific resistance can be reduced.
【００５２】上記電極及び電極の表面層の材料として
は、電極の主材料がＮｉの場合には、５〜２０ｍｏｌ％
のＡｇ又はＬｉを添加して、ＮｉＯ表面層のＰ型半導体
にホール濃度を増加させるもの。また、電極の主材料が
Ｚｎの場合には、１〜４ｍｏｌ％のＡｌを添加してＺｎ
Ｏ表面層のＮ型半導体に伝導電子濃度を増加させるもの
や、５〜２０ｍｏｌ％のＣａ又はＧｄ等を添加してＺｎ
Ｏ2 表面層の金属型伝導層に酸素イオン濃度を増加させ
るもの。更には、電極の主材料がＣｒの場合には、０．
３５〜１．４ｍｏｌ％のＴｉか又は、１．２５〜５ｍｏ
ｌ％のＮｉを添加してＣｒＯ2 表面層の金属型伝導層に
酸素イオン濃度を増加させ、電気伝導度を増し、比抵抗
を小さくできるもの等がある。The material of the electrode and the surface layer of the electrode is 5 to 20 mol% when the main material of the electrode is Ni.
Ag or Li is added to increase the hole concentration in the P-type semiconductor in the NiO surface layer. When the main material of the electrode is Zn, 1 to 4 mol% of Al is added and Zn is added.
An N-type semiconductor in the O surface layer, which increases the concentration of conduction electrons, or 5 to 20 mol% of Ca or Gd or the like added to Zn
One that increases the oxygen ion concentration in the metal-type conductive layer on the O 2 surface layer. Further, when the main material of the electrode is Cr, the amount of 0.1.
35 to 1.4 mol% of Ti or 1.25 to 5 mo
In some cases, 1% of Ni is added to the metal-type conductive layer on the CrO 2 surface layer to increase the oxygen ion concentration, increase the electrical conductivity, and reduce the specific resistance.
【００５３】尚、上記合金材料として添加する金属の濃
度が上記範囲未満の場合は、蛍光体と接触する電極の表
面層が高抵抗となり、蛍光体との導通が不良が発生し易
くなり前述の目的を十分達成することができず、また、
上記範囲内では添加量と共にその合金の酸化物の電気伝
導率は上昇するが上記範囲を超えると低下する傾向にあ
る。When the concentration of the metal added as the alloy material is less than the above range, the surface layer of the electrode in contact with the phosphor has a high resistance, and the conduction with the phosphor is apt to be poor, so that the above-mentioned problem is caused. The goal cannot be achieved sufficiently,
Within the above range, the electric conductivity of the oxide of the alloy increases with the addition amount, but tends to decrease when the amount exceeds the above range.
【００５４】上記電極の表面層の形成方法としては、電
極の主材料を真空堆積法により必要な厚みまで堆積した
後、続けてかかる材料に加えて合金金属材を同時蒸着す
ることによって必要な表面層の厚みまで堆積する方法を
用いることができる。これ以外に電極を真空堆積し、そ
の上層に電極材を除いた合金金属材を数１０Åの極薄膜
で堆積し、封着加熱工程時の温度により合金化して表面
層を形成することも材料の合金開始温度により可能であ
る。更には、電極材全てを合金としても良いことは言う
までもない。The electrode surface layer is formed by depositing the main material of the electrode to a required thickness by a vacuum deposition method, and then simultaneously depositing an alloy metal material on the required surface in addition to the material. A method of depositing to the thickness of the layer can be used. In addition, an electrode may be vacuum deposited, an alloy metal material excluding the electrode material may be deposited as an extremely thin film having a thickness of several tens of mm on the upper layer, and the surface layer may be formed by alloying at a temperature during the sealing heating step. This is possible depending on the alloy starting temperature. Further, it goes without saying that all of the electrode materials may be alloyed.
【００５５】本発明に於いて、蛍光体の配置方法として
は、蛍光体が電子放出素子上に配置されることを利用し
て、電子放出素子の電極を電気的に駆動し、電気泳動法
により電子放出素子上へ蛍光体を配置する方法を用いる
ことができる。これにより蛍光体の塗り分けが可能とな
りカラー蛍光体の配置が可能となる。また、低抵抗蛍光
体を用いる場合では、隣接した電子放出素子間の蛍光体
が互いに接触することがなくなり、蛍光体を介しての電
子放出素子の電流リークを防止することができる。In the present invention, as a method of disposing the phosphor, the electrode of the electron-emitting device is electrically driven by utilizing the fact that the phosphor is disposed on the electron-emitting device, and the electrophoresis method is used. A method of disposing a phosphor on the electron-emitting device can be used. Thus, the phosphors can be separately applied, and the color phosphors can be arranged. When a low-resistance phosphor is used, phosphors between adjacent electron-emitting devices do not come into contact with each other, and current leakage of the electron-emitting devices through the phosphor can be prevented.
【００５６】また、蛍光体が照射された電子を、接続し
ている近傍の電極に電流として流し、蛍光体自身がチャ
ージアップしない程度の抵抗値を有する高抵抗蛍光体の
場合、隣接した電子放出素子間の蛍光体により電流リー
クを非常に小さくすることができるため、基板上の全面
に蛍光体を配置しても良い。この場合、蛍光体の配置は
蛍光体の分散溶液中へ基板を静置する沈降法を用いて、
容易に行なうことができる。In addition, in the case of a high resistance phosphor having a resistance value such that the phosphor itself does not charge up, electrons emitted by the phosphor are caused to flow as current to a nearby electrode to which the phosphor is connected. Since the current leak can be made very small by the phosphor between the elements, the phosphor may be arranged on the entire surface of the substrate. In this case, the arrangement of the phosphor is settled using a sedimentation method in which the substrate is allowed to stand in a dispersion solution of the phosphor,
It can be done easily.
【００５７】蛍光体の配置方法としては、上記方法以外
にスラリー法や印刷法等の一般的な配置方法を用いるこ
ともできる。As a method for disposing the phosphor, a general disposition method such as a slurry method or a printing method can be used in addition to the above method.
【００５８】以上説明したように本発明の発光素子で
は、蛍光体が電子放出素子上に積層されるために、フェ
ースプレートと基板上の電子放出部との精密な位置合わ
せが不要となった。また、発光蛍光体の輝点スポット寸
法を極微小にすることが可能となり、更にはガラスビー
ズの分散配置や電子放出素子の凸部をスペーサーとして
利用するという簡易な方法で真空容器を形成することが
できるため、発光素子及び画像表示装置をより簡易な方
法で作製することができ、高精細化、大面積化が可能と
なる。As described above, in the light emitting device of the present invention, since the phosphor is laminated on the electron emitting device, precise positioning between the face plate and the electron emitting portion on the substrate is unnecessary. In addition, it is possible to make the spot size of the bright spot of the light-emitting phosphor extremely small, and furthermore, it is possible to form a vacuum container by a simple method of using a dispersed arrangement of glass beads and a convex portion of the electron-emitting device as a spacer. Therefore, a light emitting element and an image display device can be manufactured by a simpler method, and high definition and a large area can be realized.
【００５９】尚、蛍光体の発光効率は一般に粒径が大き
いほど高い。しかし蛍光体の塗布配置面の質を考慮して
実際に市販実用されているものはφ５〜７μｍである。
この寸法は本発明の発光素子で充分使用できる範囲であ
り、更に粒径を大きくして発光効率を上げることも可能
である。The luminous efficiency of the phosphor generally increases as the particle size increases. However, those which are actually used in the market in consideration of the quality of the coating arrangement surface of the phosphor are φ5 to 7 μm.
This size is within a range that can be sufficiently used in the light emitting device of the present invention, and it is possible to further increase the luminous efficiency by increasing the particle size.
【００６０】[0060]
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳述する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to embodiments.
【００６１】（実施例１）本実施例では、図１に示した
ような本発明の発光素子及びこれを用いて図２に示され
るような画像表示装置を作製した。Example 1 In this example, a light emitting device of the present invention as shown in FIG. 1 and an image display device as shown in FIG. 2 were produced using the same.
【００６２】以下、本実施例の発光素子及び画像表示装
置の製造方法について説明する。Hereinafter, a method for manufacturing the light emitting element and the image display device of this embodiment will be described.
【００６３】先ず、良く洗浄、脱脂した厚さ１．１ｍｍ
のガラス材から成る基板１１１上にリフトオフ法により
真空蒸着によって厚み５０ÅのＴｉを下引き層として成
膜した。First, a well-cleaned and degreased thickness of 1.1 mm
A Ti film having a thickness of 50 ° was formed as a subbing layer by vacuum evaporation using a lift-off method on a substrate 111 made of the above glass material.
【００６４】次に、電極１１２ａ，１１２ｂとなる厚み
１０００ÅのＮｉと絶縁層１１３としての厚み１０００
ÅのＳｉＯ2 を電極形状に形成した。Next, Ni of thickness 1000 ° serving as electrodes 112a and 112b and thickness 1000 of insulating layer 113 are formed.
( 2 ) SiO2 was formed in an electrode shape.
【００６５】次に、対向した片側の電極１１２ａ上面及
び電極間隔部の絶縁層をフォトリソエッチング法により
取り除いた。Next, the upper surface of the opposing electrode 112a on one side and the insulating layer at the electrode interval were removed by photolithography.
【００６６】次に、電極１１２ａ，１１２ｂ間の幅２μ
ｍの間隔部に、リフトオフ法により、有機Ｐｄ溶液（奥
野製薬工業社製キャタペーストＣＣＰ）をスピンコート
し、３００℃，１２分焼成して得たＰｄ微粒子膜を形成
した。Next, the width between the electrodes 112a and 112b is 2 μm.
An organic Pd solution (Catapaste CCP manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was spin-coated at intervals of m by a lift-off method, and baked at 300 ° C. for 12 minutes to form a Pd fine particle film.
【００６７】次に、蛍光体の電気泳動電着液としてＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）４０リットルに対し、１
ｇの硝酸アルミニウム電解質を溶解し、粒径約５μｍの
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００ｇを分散させた。Next, IP was used as the electrophoretic electrodeposition solution for the phosphor.
For 40 liters of A (isopropyl alcohol), 1
g of aluminum nitrate electrolyte was dissolved, and 100 g of ZnO: Zn phosphor having a particle size of about 5 μm was dispersed.
【００６８】この電着液中に上記基板１１１と電着用対
向電極を浸漬して、基板１１１上の電極と、電着用対向
電極間に１５Ｖの電圧を５分間印加して電気泳動法によ
り蛍光体１１７を絶縁層１１３の無い電極１１２ａ上，
電極間隔部及びこれらの近傍に電着配置した。The substrate 111 and the facing electrode for electrodeposition are immersed in the electrodeposition solution, and a voltage of 15 V is applied for 5 minutes between the electrode on the substrate 111 and the facing electrode for electrodeposition, and the phosphor is electrophoresed. 117 on the electrode 112a without the insulating layer 113,
Electrodeposition was arranged at the electrode interval and in the vicinity thereof.
【００６９】次に、粒径約φ２０μｍのガラスビーズを
ＩＰＡに分散した分散液を電着液より取り出した基板１
１１上に噴霧し、ガラスビーズ１１５を分散配置した。Next, the substrate 1 obtained by removing a dispersion of glass beads having a particle diameter of about 20 μm in IPA from the electrodeposition liquid
11 and the glass beads 115 were dispersed and arranged.
【００７０】次に、フェースプレート１１６を基板１１
１上に乗せ、図２に示されるように周辺部をフリットガ
ラス１２１により封着して容器を形成し、この容器内を
１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空に排気して封止し真空容器と
した。Next, the face plate 116 is
2 and the periphery is sealed with frit glass 121 to form a container as shown in FIG. 2, and the inside of the container is evacuated to a vacuum of about 10 -6 Torr and sealed to form a vacuum container. .
【００７１】以上の工程により、図１及び図２の発光素
子及び画像表示装置を得ることができた。Through the above steps, the light emitting device and the image display device shown in FIGS. 1 and 2 were obtained.
【００７２】以上説明したように本実施例では、フェー
スプレート１１６と基板１１１との間に柱状の高アスペ
クト比スペーサーを形成配置する必要はなく、より簡易
に発光素子及び画像表示装置を作製することができた。As described above, in this embodiment, it is not necessary to form and arrange a columnar high aspect ratio spacer between the face plate 116 and the substrate 111, and the light emitting element and the image display device can be manufactured more easily. Was completed.
【００７３】本実施例の発光素子の電極１１２ａ，１１
２ｂ間に、電圧１４Ｖを印加すると、微粒子から成る電
子放出材１１４より電子が放出され蛍光体１１７が発光
する。The electrodes 112a and 112 of the light emitting device of this embodiment
When a voltage of 14 V is applied between 2b, electrons are emitted from the electron emission material 114 composed of fine particles, and the phosphor 117 emits light.
【００７４】更に、図２の画像表示装置において、複数
個配列された電極１１２ａ，１１２ｂ間のうち任意の電
極間に電圧を印加して選択的に任意の電極間隔上の蛍光
体を発光させることができ、平面型画像表示装置とする
ことができた。Further, in the image display device shown in FIG. 2, a voltage is applied between any of the electrodes 112a and 112b arranged in plural to selectively emit the phosphor at an arbitrary electrode interval. And a flat image display device was obtained.
【００７５】（実施例２）本実施例では、図３に示され
るような本発明の発光素子を作製した。Example 2 In this example, a light emitting device of the present invention as shown in FIG. 3 was manufactured.
【００７６】本図において基板１１１、電極１１２ａ，
１１２ｂ、電子放出材１１４、フェースプレート１１
６、蛍光体１１７は実施例１と同様である。１３１は電
極１１２ｂ上にメッキ法で形成したＣｕ材から成る厚み
約２０μｍの電極配線であり、１１３は電極１１２ｂ及
び電極配線１３１上に液体コーティング材の塗布、焼成
によって形成したＳｉＯ2 材から成る厚み約５０００Å
の絶縁層である。In the figure, a substrate 111, electrodes 112a,
112b, electron emission material 114, face plate 11
6. The phosphor 117 is the same as in the first embodiment. Reference numeral 131 denotes an electrode wiring having a thickness of about 20 μm made of a Cu material formed on the electrode 112b by a plating method, and 113 represents a thickness made of a SiO 2 material formed by applying and firing a liquid coating material on the electrode 112b and the electrode wiring 131. About 5000Å
Is an insulating layer.
【００７７】本実施例ではフェースプレート１１６と基
板１１１から成る真空容器の内部空間は電極配線１３１
の厚み方向によって形成されており、電極配線１３１が
スペーサーとして利用されている。In the present embodiment, the inner space of the vacuum vessel composed of the face plate 116 and the substrate 111 has the electrode wiring 131.
The electrode wiring 131 is used as a spacer.
【００７８】真空容器とした後、電極１１２ａ，１１２
ｂ間に電圧１４Ｖを印加したところ、蛍光体１１７を発
光させることができた。After forming the vacuum chamber, the electrodes 112a, 112
When a voltage of 14 V was applied between b, the phosphor 117 was able to emit light.
【００７９】本実施例の発光素子の構造を元にして、３
００ｍｍ角の基板上に電子放出素子及び蛍光体を配置
し、フェースプレートと封着した画像表示装置を作製し
た。この時、画面内全域に渡り均一な発光を得ることが
できた。Based on the structure of the light emitting device of this embodiment, 3
An electron-emitting device and a phosphor were arranged on a 00 mm square substrate, and an image display device sealed with a face plate was produced. At this time, uniform light emission was obtained over the entire area of the screen.
【００８０】（実施例３）本実施例では、図４に示され
るような本発明の発光素子及びこれを用いて図５及び図
６に示されるような画像表示装置を作製した。尚、図４
は発光素子の断面図であり、図５及び図６は画像表示装
置の縦横断面図である。Example 3 In this example, a light emitting device of the present invention as shown in FIG. 4 and an image display device as shown in FIGS. 5 and 6 were produced using the same. FIG.
Is a cross-sectional view of a light emitting element, and FIGS. 5 and 6 are vertical and horizontal cross-sectional views of an image display device.
【００８１】基板１１１、電極１１２、電子放出材１１
４、フェースプレート１１６、フリットガラス１２１は
実施例１と同様である。１４１はＳｉＯ2 材から成る厚
み約５μｍの層間絶縁層であり、電極１１２の上に真空
堆積法、フォトリソエッチング法により形成されてお
り、電極１１２の間隔上に３μｍ幅の開口を有してい
る。１４２はＮｉ材から成る厚み約５０００Åのゲート
電極であり、層間絶縁層１４１の上に真空堆積法、フォ
トリソエッチング法により形成されている。１４３はゲ
ート電極１４２上にメッキ法で形成したＣｕ材から成る
厚み約２０μｍのゲート配線であり、１４４はゲート配
線１４３上に真空堆積法によって形成されたＳｉＯ2 か
ら成る厚み約２０００Åの絶縁層であり、１１５Ｒ，１
１５Ｇ，１１５Ｂは、粒径約７μｍの３種類の低速電子
線励起カラー蛍光体であり、電気泳動法によりゲート電
極上に選択的に電着配置した。The substrate 111, the electrode 112, the electron emitting material 11
4. The face plate 116 and the frit glass 121 are the same as in the first embodiment. Reference numeral 141 denotes an interlayer insulating layer made of SiO 2 and having a thickness of about 5 μm, which is formed on the electrodes 112 by a vacuum deposition method or a photolithographic etching method, and has an opening having a width of 3 μm at intervals between the electrodes 112. . Reference numeral 142 denotes a gate electrode made of a Ni material and having a thickness of about 5000 °, and is formed on the interlayer insulating layer 141 by a vacuum deposition method or a photolithographic etching method. Reference numeral 143 denotes a gate wiring having a thickness of about 20 μm made of a Cu material formed on the gate electrode 142 by a plating method, and 144 denotes an insulating layer having a thickness of about 2000 ° made of SiO 2 formed on the gate wiring 143 by a vacuum deposition method. Yes, 115R, 1
15G and 115B are three kinds of low-speed electron-beam-excited color phosphors having a particle size of about 7 μm, and are selectively electrodeposited on the gate electrode by electrophoresis.
【００８２】本実施例ではフェースプレート１１６と基
板１１１から成る真空容器の内部空間はゲート配線１４
３の厚み方向によって形成されており、ゲート配線１４
３がスペーサーとして利用されている。In this embodiment, the internal space of the vacuum vessel comprising the face plate 116 and the
3 is formed in the thickness direction of the gate wiring 14.
3 is used as a spacer.
【００８３】また、図５及び図６において、電極１１２
とゲート電極１４２は、各々複数の電子放出素子部を一
列に接続し、これが各々複数本平行して配列している
が、電極１１２とゲート電極１４２の各平行配列は相互
に直交した配置となっている。In FIGS. 5 and 6, the electrode 112
And the gate electrode 142 each connect a plurality of electron-emitting device sections in a line, and a plurality of these are arranged in parallel. Each parallel arrangement of the electrode 112 and the gate electrode 142 is orthogonal to each other. ing.
【００８４】すなわち、図５では、電極１１２は紙面横
方向の左右に直線的に配置され、電子放出材１１４が３
ケ所に配置されており、且つ３ケ所の電子放出素子部１
１４が一列に接続している。これに対し、ゲート電極は
紙面垂直方向の奥と手前に直線的に電子放出素子上に配
置され、紙面横方向に隣接したゲート電極同志は接続さ
れていない。That is, in FIG. 5, the electrodes 112 are linearly arranged on the left and right sides in the lateral direction of the paper, and the electron emission material 114 is
And three electron-emitting devices 1
14 are connected in a line. On the other hand, the gate electrodes are linearly arranged on the electron-emitting device in the depth direction and the front direction in the direction perpendicular to the plane of the paper, and the gate electrodes adjacent to each other in the lateral direction of the plane of the paper are not connected.
【００８５】図６は、図５と直交する面における断面図
であり、ゲート電極１１４が紙面横方向の左右に、電極
１１２は紙面垂直方向の奥と手前に配置されている。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along a plane orthogonal to FIG. 5, in which the gate electrodes 114 are arranged on the left and right sides in the horizontal direction on the paper, and the electrodes 112 are arranged on the back and near sides in the vertical direction on the paper.
【００８６】また、図５から判るように、カラー蛍光体
１５１Ｒ（赤），１５１Ｇ（緑），１５１Ｂ（青）が各
々独立して配置されている。これは蛍光体を電気泳動法
で電着する際、任意の単色カラー蛍光体の分散液内で、
任意のゲート電極ラインのみに電圧を印加して、各々単
色のカラー蛍光体を配置することによって得ている。As can be seen from FIG. 5, the color phosphors 151R (red), 151G (green), and 151B (blue) are independently arranged. This is because, when the phosphor is electrodeposited by electrophoresis, in a dispersion liquid of any single color phosphor,
It is obtained by applying a voltage only to an arbitrary gate electrode line and disposing a single color phosphor.
【００８７】本発光素子の電極１１２の任意のラインに
電圧１４Ｖを印加すると、この選択されたラインに接続
する電子放出素子部から電子が放出される。ここで、こ
のラインに直交しているゲート電極１４２の任意のライ
ンに−３０Ｖを印加すると、このライン同志の交点の電
子放出素子部上の蛍光体へは放出電子が到達できず、発
光は生じない。逆にゲート電極１４２の任意のラインに
＋３０Ｖを印加すると、このライン同志の交点の電子放
出素子部上の蛍光体へ放出電子が到達し発光が生じる。
このように電極１１２とゲート電極１４２の各直交した
任意のラインへ電圧印加を行なうことにより、任意の交
点及び発光色を選択して表示することができ、カラー画
像表示装置として使用することができる。When a voltage of 14 V is applied to an arbitrary line of the electrode 112 of the present light emitting element, electrons are emitted from the electron emitting element portion connected to the selected line. Here, when -30 V is applied to an arbitrary line of the gate electrode 142 orthogonal to this line, the emitted electrons cannot reach the phosphor on the electron emission element portion at the intersection of the lines, and light emission occurs. Absent. Conversely, when +30 V is applied to an arbitrary line of the gate electrode 142, the emitted electrons reach the phosphor on the electron-emitting device at the intersection of the lines to emit light.
By applying a voltage to each orthogonal line of the electrode 112 and the gate electrode 142 in this manner, an arbitrary intersection and an emission color can be selected and displayed, and the device can be used as a color image display device. .
【００８８】本実施例では低速電子線励起カラー蛍光体
材料として１５１Ｒ（赤）として（Ｚｎ0.2 ，Ｃｄ
0.8 ）Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ＋Ｉｎ2 Ｏ3 蛍光体、１５１Ｇ
（緑）としてＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、１５１Ｂ（青）とし
てＺｎＳ：［Ｚｎ］＋Ｉｎ2 Ｏ3 蛍光体を用いた。In this embodiment, 151R (red) is used as the slow electron beam excitation color phosphor material (Zn 0.2 , Cd
0.8 ) S: Ag, Cl + In 2 O 3 phosphor, 151G
ZnO: Zn phosphor was used as (green), and ZnS: [Zn] + In 2 O 3 phosphor was used as 151B (blue).
【００８９】以上説明したように、本実施例では任意の
カラー蛍光体を基板上に配置できるため、フェースプレ
ートと基板封着時の精密なアライメントが不用である。As described above, in this embodiment, since any color phosphor can be arranged on the substrate, precise alignment when sealing the face plate and the substrate is unnecessary.
【００９０】また、本実施例の発光素子の構造を元にし
て、電子放出素子の配列ピッチをタテ，ヨコ各５０μｍ
として、２５ｍｍ角内に配置した画像表示装置を作製し
た。この時、カラー蛍光体の発光に対し色ズレは生じな
かった。Further, based on the structure of the light emitting device of this embodiment, the arrangement pitch of the electron emitting devices was set to 50 μm each for the vertical and horizontal directions.
An image display device arranged within a 25 mm square was manufactured. At this time, no color shift occurred with respect to the emission of the color phosphor.
【００９１】（実施例４）本実施例では、図７の断面図
に示されるような本発明の発光素子を作製した。Example 4 In this example, a light emitting device of the present invention as shown in the sectional view of FIG. 7 was manufactured.
【００９２】本図において基板１１１、電極１１２、電
子放出材１１４、フェースプレート１１６、層間絶縁層
１４１、ゲート電極１４２、カラー蛍光体１１７は実施
例３と同様である。１７１はＳｉＯ2 材から成る厚み約
５μｍの層間絶縁層であり、ゲート電極１４２上に真空
堆積法、フォトリソエッチング法により形成されてお
り、電極１１２の間隔上に４μｍ幅の開口を有してい
る。１７２はＮｉ材から成る厚み５０００Åのアノード
電極であり、層間絶縁層１７１上に真空堆積法、フォト
リソエッチング法により形成されている。１７３はアノ
ード電極１７２上にメッキ法で形成したＣｕ材から成る
厚み約２０μｍのアノード配線であり、１７４はアノー
ド配線１７３上に真空堆積法によって形成されたＳｉＯ
2 から成る厚み約２０００Åの絶縁層である。本実施例
において、複数の電子放出素子を配列した場合も含めア
ノード電極１７２は、全素子に対して＋５０Ｖの共通電
位とした。In this figure, a substrate 111, an electrode 112, an electron emitting material 114, a face plate 116, an interlayer insulating layer 141, a gate electrode 142, and a color phosphor 117 are the same as in the third embodiment. Reference numeral 171 denotes an interlayer insulating layer made of a SiO 2 material and having a thickness of about 5 μm, which is formed on the gate electrode 142 by a vacuum deposition method or a photolithographic etching method, and has an opening having a width of 4 μm on the space between the electrodes 112. . Reference numeral 172 denotes a 5000-nm-thick anode electrode made of a Ni material, which is formed on the interlayer insulating layer 171 by a vacuum deposition method or a photolithographic etching method. Reference numeral 173 denotes an anode wiring having a thickness of about 20 μm made of a Cu material formed on the anode electrode 172 by a plating method, and 174 denotes an SiO wiring formed on the anode wiring 173 by a vacuum deposition method.
2 is an insulating layer having a thickness of about 2000 °. In this embodiment, the anode electrode 172 has a common potential of +50 V with respect to all the elements even when a plurality of electron-emitting devices are arranged.
【００９３】本素子の電極１１２間に実施例３と同様に
して０Ｖ又は＋１４Ｖ、ゲート電極１４２に−３０Ｖ又
は＋３０Ｖを印加することにより蛍光体の発光を制御
し、発光素子及び画像表示装置とすることができた。By applying 0 V or +14 V between the electrodes 112 of this element and -30 V or +30 V to the gate electrode 142 in the same manner as in the third embodiment, the light emission of the phosphor is controlled, and a light emitting element and an image display device are obtained. I was able to.
【００９４】本実施例では、蛍光体１１７に接続したア
ノード電極１７２の電位が＋５０Ｖであるため、実質、
蛍光体１１７に衝突する電子のエネルギーが５０ｅＶ近
く以下であると考えられる。このアノード電位は常に共
通電位のまま、印加状態にあれば良く、画像表示にとも
なうＯＮ／ＯＦＦ制御は必要ない。従って複雑な駆動を
必要とせず、より発光開始電圧の高い蛍光体を利用でき
るようになった。更には、発光開始電圧の低い蛍光体で
あれば、より高い輝度を得ることもできた。In this embodiment, since the potential of the anode electrode 172 connected to the phosphor 117 is +50 V, substantially
It is considered that the energy of the electrons colliding with the phosphor 117 is close to 50 eV or less. The anode potential may be always applied as it is at the common potential, and there is no need for ON / OFF control for displaying an image. Therefore, it is possible to use a phosphor having a higher emission start voltage without requiring complicated driving. Furthermore, with a phosphor having a low light emission starting voltage, higher luminance could be obtained.
【００９５】本実施例では、複数の電子放出素子に対す
るアノード電極の電位を共通としたが、これに限られる
ものではない。In this embodiment, the potential of the anode electrode is made common to a plurality of electron-emitting devices, but the present invention is not limited to this.
【００９６】例えば、３種類のカラー蛍光体を用いた場
合、各々の蛍光体の輝度を均一化するために、各々の蛍
光体に合わせたアノード電位を制御することも可能であ
った。For example, when three kinds of color phosphors are used, it is possible to control the anode potential according to each phosphor in order to make the luminance of each phosphor uniform.
【００９７】すなわち、アノード電極及びアノード配線
を複数の電子放出素子上に一列のライン状に形成し、こ
れを複数ライン平行して配列する。電気泳動法によって
各々のカラー蛍光体を電着し塗り分けた。こうして駆動
時に、各アノード電極ライン上のカラー蛍光体に合わせ
たアノード電圧を印加することができた。That is, the anode electrode and the anode wiring are formed in a line on a plurality of electron-emitting devices, and the plurality of lines are arranged in parallel. Each color phosphor was electrodeposited by electrophoresis and separately applied. Thus, at the time of driving, it was possible to apply an anode voltage corresponding to the color phosphor on each anode electrode line.
【００９８】この場合、放出電子は各蛍光体画素ごとに
層間絶縁層１４１，１７１、ゲート電極１４２、アノー
ド電極１７２によって囲まれた空間を進行するため、隣
接したアノード電極の電位が異なっていても電子光学的
な補正は必要なかった。In this case, since the emitted electrons travel in the space surrounded by the interlayer insulating layers 141 and 171, the gate electrode 142 and the anode electrode 172 for each phosphor pixel, even if the potentials of the adjacent anode electrodes are different. No electro-optical correction was required.
【００９９】以上説明したように本実施例では、複雑な
電圧駆動や電子光学的な補正をせずに、各々の蛍光体に
合わせて蛍光体発光を行なうことができた。As described above, in this embodiment, it was possible to emit phosphor in accordance with each phosphor without complicated voltage driving or electro-optical correction.
【０１００】また、モノクロ表示の場合、蛍光体の配置
に沈降法を用いれば絶縁層上にも形成できる。従って、
図７におけるアノード電極１７２をフェースプレート１
１６の真空容器内面側にＩＴＯの様な透明電極として設
ければ、同様に蛍光体電位を上げられ、より輝度を上げ
ることができる。In the case of a monochrome display, a phosphor can be formed on an insulating layer by using a sedimentation method for disposing phosphors. Therefore,
The anode electrode 172 in FIG.
If a transparent electrode such as ITO is provided on the inner surface side of the vacuum vessel 16, the phosphor potential can be similarly increased, and the luminance can be further increased.
【０１０１】（実施例５）本実施例では、図７の断面図
に示されるような本発明の発光素子において、アノード
電極１７２をＮｉに１０ｍｏｌ％のＡｇを添加した厚み
５０００ÅのＮｉ合金とした以外は実施例４と同様にし
て素子を作製した。Embodiment 5 In this embodiment, in the light emitting device of the present invention as shown in the cross-sectional view of FIG. 7, the anode electrode 172 is made of a Ni alloy having a thickness of 5,000.degree. A device was fabricated in the same manner as in Example 4 except for the above.
【０１０２】本実施例の発光素子は、実施例４と同様に
駆動することができ、また、真空容器となるために、４
５０℃，１時間の熱処理を行ないフリットガラスによる
封着を行なった。この熱処理により合金Ｎｉ電極の表面
層の比抵抗は、約１Ω・ｃｍ程度となり、蛍光体との電
気的導通は充分にとることができた。The light-emitting device of this embodiment can be driven in the same manner as in Embodiment 4, and is a vacuum vessel.
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 1 hour, and sealing with frit glass was performed. By this heat treatment, the specific resistance of the surface layer of the alloy Ni electrode was about 1 Ω · cm, and electrical conduction with the phosphor was sufficiently achieved.
【０１０３】また、アノード電極１７２を＋５０Ｖの電
位としても、蛍光体がチャージアップして一時的に過電
流が流れることは無く、これによる素子の破壊も発生し
なかった。Also, even when the potential of the anode electrode 172 was set to +50 V, the phosphor was charged up, and no temporary overcurrent flowed, and the element was not destroyed.
【０１０４】更に、アノード電極１７２の材料として、
Ｃｒに２．５ｍｏｌ％のＮｉを添加したＣｒ合金を用い
た場合も、同様に一時的に過電流が流れるようなことは
無かった。Further, as a material of the anode electrode 172,
Similarly, when a Cr alloy in which 2.5 mol% of Ni was added to Cr was used, there was no temporary overcurrent.
【０１０５】更にはまた、Ｎｉ合金において、Ａｇの添
加量が５ｍｏｌ％から２０ｍｏｌ％の範囲内では、一時
的な過電流が生じることはなく、Ｌｉを上記範囲内で添
加した場合も同様であった。Furthermore, in the Ni alloy, when the amount of Ag added is in the range of 5 mol% to 20 mol%, no temporary overcurrent occurs, and the same applies when Li is added in the above range. Was.
【０１０６】また、Ｃｒ合金において、Ｎｉの添加量が
１．２５ｍｏｌ％から５ｍｏｌ％の範囲内及びＴｉの添
加量が０．３５ｍｏｌ％から１．４ｍｏｌ％の範囲内で
も、一時的な過電流が生じることは無かった。In the case of the Cr alloy, even if the amount of Ni added is in the range of 1.25 mol% to 5 mol% and the amount of Ti added is in the range of 0.35 mol% to 1.4 mol%, a temporary overcurrent occurs. It did not occur.
【０１０７】（実施例６）本実施例では、図８の断面図
に示されるようなスピント型電子放出素子を用いた本発
明の発光素子を作製した。(Example 6) In this example, a light emitting device of the present invention using a Spindt-type electron-emitting device as shown in the sectional view of FIG. 8 was manufactured.
【０１０８】本図中、１１１はガラスから成る基板、１
８１はストライプ状のＣｒ堆積膜から成る水平走査電
極、１８２はＳｉＯ2 堆積膜から成る絶縁層、１８３は
Ｃｒ堆積膜から成る垂直信号電極である。垂直信号電極
１８３はホトリソエッチング法により直径約１μｍの開
口を有しており、絶縁層１８２も同様に開口を有してい
る。１８４は真空堆積によって得られたＭｏから成る極
微細突起である。上記構成において、水平走査電極１８
１に−２０Ｖ、垂直信号電極１８３に＋２０Ｖの電圧を
印加することにより、極微細突起１８４より電子が放出
される。In this figure, reference numeral 111 denotes a substrate made of glass;
Reference numeral 81 denotes a horizontal scanning electrode made of a striped Cr deposited film, 182 denotes an insulating layer made of a SiO 2 deposited film, and 183 denotes a vertical signal electrode made of a Cr deposited film. The vertical signal electrode 183 has an opening having a diameter of about 1 μm by a photolithographic etching method, and the insulating layer 182 also has an opening. Numeral 184 is an ultrafine projection made of Mo obtained by vacuum deposition. In the above configuration, the horizontal scanning electrode 18
By applying a voltage of −20 V to 1 and a voltage of +20 V to the vertical signal electrode 183, electrons are emitted from the microscopic projection 184.
【０１０９】１１７は粒径５〜７μｍのＺｎＯ：Ｚｎを
主成分とする低速電子線励起蛍光体であり、沈降法によ
り垂直信号電極１８３及びその開口上に配置してある。
１１６はガラスから成るフェースプレートであり、基板
１１１と共に真空容器を形成している。Reference numeral 117 denotes a low-energy electron-beam-excited phosphor mainly composed of ZnO: Zn having a particle size of 5 to 7 μm, and is disposed on the vertical signal electrode 183 and its opening by a sedimentation method.
Reference numeral 116 denotes a face plate made of glass, which forms a vacuum container together with the substrate 111.
【０１１０】本実施例の発光素子に於て、電子放出素子
より電子を放出させると、蛍光体１１７に放出電子が注
入されて発光し、フェースプレート１１６側から観察す
ることができた。In the light emitting device of this example, when electrons were emitted from the electron emitting device, the emitted electrons were injected into the phosphor 117 to emit light, which could be observed from the face plate 116 side.
【０１１１】（実施例７）本実施例では、図９の断面図
に示されるようなＭＩＭ型電子放出素子を用いた本発明
の発光素子を作製した。Example 7 In this example, a light emitting device of the present invention using an MIM type electron-emitting device as shown in the sectional view of FIG. 9 was manufactured.
【０１１２】本図中、１１１はガラスから成る基板、１
９１は抵抗加熱真空蒸着法によって堆積されたＡｌから
成る下層メタル、１９２はＡｌを０．１％Ｈ3 ＢＯ4 電
解液中で低成長速度で陽極酸化した高密度Ａｌ2 Ｏ3 か
ら成る絶縁層である。絶縁層１９２の酸化前に、中央の
電子放出領域１９３はエッチングにより凹部が形成さ
れ、更に、酸化時にレジストで保護した工程を加えた２
度の陽極酸化を行うことにより、他領域よりも絶縁層厚
みを薄くした。１９４は抵抗加熱真空蒸着法によって堆
積されたＡｕから成る上層メタルである。各メタル１９
１，１９４は、リボン状に形成され互いに直交した構造
とした。上記構成において、絶縁層１９２の厚み１００
Å、上層メタル１９４の厚み１００Å、放出領域１９３
の径φ１００μｍとして、印加電圧７．０Ｖにより電子
放出量０．３６μＡを得た。In this figure, reference numeral 111 denotes a substrate made of glass;
Reference numeral 91 denotes a lower metal layer made of Al deposited by resistance heating vacuum evaporation, and 192 denotes an insulating layer made of high-density Al 2 O 3 obtained by anodizing Al at a low growth rate in a 0.1% H 3 BO 4 electrolyte. It is. Before the oxidation of the insulating layer 192, a recess is formed in the central electron emission region 193 by etching, and a step of protecting with a resist at the time of oxidation is added.
The thickness of the insulating layer was made thinner than in other regions by performing the anodic oxidation to a certain degree. Reference numeral 194 denotes an upper metal layer made of Au deposited by a resistance heating vacuum evaporation method. Each metal 19
Nos. 1 and 194 had a structure formed in a ribbon shape and orthogonal to each other. In the above structure, when the thickness of the insulating layer 192 is 100
Å, thickness of upper metal layer 194 100Å, emission region 193
With a diameter φ of 100 μm, an electron emission amount of 0.36 μA was obtained with an applied voltage of 7.0 V.
【０１１３】１１７はＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体であり沈降法
により上層メタル１９４の上に配置してある。１１６は
ガラスから成るフェースプレートであり、基板１１１と
共に真空容器を形成している。Reference numeral 117 denotes a ZnO: Zn phosphor, which is disposed on the upper metal layer 194 by a sedimentation method. Reference numeral 116 denotes a face plate made of glass, which forms a vacuum container together with the substrate 111.
【０１１４】本実施例の発光素子に於て、電子放出素子
より電子を放出させると、蛍光体１１７に放出電子が注
入されて発光し、フェースプレート１１６側から観察す
ることができた。In the light emitting device of this example, when electrons were emitted from the electron emitting device, the emitted electrons were injected into the phosphor 117 to emit light, which could be observed from the face plate 116 side.
【０１１５】[0115]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
及び画像表示装置によれば、以下の効果を奏する。 真空容器のフェースプレートと、電子放出素子基板と
の精密な位置合わせが不要となった。 放出された電子が蛍光体へ衝突するまでの距離、すな
わち電子光学的空間が非常に小さくなるため、放出電子
の空間広がりを非常に小さくして蛍光体の輝点スポット
寸法を極微小にすることが可能となり、高解像の画像表
示装置を作製可能である。 電子光学的空間が非常に小さく、放出電子の飛翔空間
が蛍光体膜と基板上の電子放出点で形成される空間であ
り、従来のような、フェースプレートと電子放出素子基
板との空間が不要であるため、スペーサーは蛍光体を含
めた構造体を大気圧から保護する機能を有するのみで良
いことになり、従来に比べスペーサー高さが蛍光体厚み
程度と非常に小さく、パネルの構造が簡易であり、製造
が容易となった。 電極の少なくとも表面層が、酸化物となった場合に、
電極材単体の酸化物よりもより低抵抗となる合金材料と
することによって、真空容器の封着加熱工程を経ても、
電極表面の高抵抗化を防ぎ、蛍光体と電極間での電気的
接続を充分に行なうことができ、蛍光体のチャージアッ
プが生じない。 高精細、大面積の画像表示装置が実現される。As described above, according to the light emitting device and the image display device of the present invention, the following effects can be obtained. Precise alignment between the face plate of the vacuum vessel and the electron-emitting device substrate is no longer required. Since the distance until the emitted electrons collide with the phosphor, i.e., the electron optical space, becomes very small, the spatial spread of the emitted electrons must be made very small to minimize the size of the bright spot spot on the phosphor. And a high-resolution image display device can be manufactured. The electron-optical space is very small, and the emission space of emitted electrons is the space formed by the phosphor film and the electron emission point on the substrate, eliminating the need for the conventional space between the face plate and the electron-emitting device substrate. Therefore, the spacer only needs to have the function of protecting the structure including the phosphor from the atmospheric pressure, and the height of the spacer is extremely small, about the thickness of the phosphor, compared to the past, and the panel structure is simple. Therefore, the production became easy. When at least the surface layer of the electrode becomes an oxide,
By using an alloy material that has a lower resistance than the oxide of the electrode material alone, even after passing through the sealing heating step of the vacuum vessel,
It is possible to prevent the resistance of the electrode surface from being increased, and to make a sufficient electrical connection between the phosphor and the electrode, so that the phosphor is not charged up. A high-definition, large-area image display device is realized.
【図１】本発明の発光素子の一実施例を示す素子断面図
である。FIG. 1 is an element cross-sectional view showing one embodiment of a light emitting element of the present invention.
【図２】図１の素子を真空容器内に形成したときの断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view when the device of FIG. 1 is formed in a vacuum vessel.
【図３】本発明の発光素子の他の実施例を示す素子断面
図である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the light emitting device of the present invention.
【図４】本発明の発光素子の他の実施例を示す素子断面
図である。FIG. 4 is an element cross-sectional view showing another embodiment of the light emitting element of the present invention.
【図５】図４の素子を真空容器内に形成したときの一断
面図である。5 is a cross-sectional view when the device of FIG. 4 is formed in a vacuum container.
【図６】図４の素子を真空容器内に形成したときの一断
面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view when the device of FIG. 4 is formed in a vacuum container.
【図７】本発明の発光素子の他の実施例を示す素子断面
図である。FIG. 7 is an element cross-sectional view showing another embodiment of the light emitting element of the present invention.
【図８】本発明の発光素子の他の実施例を示す素子断面
図である。FIG. 8 is an element sectional view showing another embodiment of the light emitting element of the present invention.
【図９】本発明の発光素子の他の実施例を示す素子断面
図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図１０】従来例の電子放出素子の構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram of a conventional electron-emitting device.
【図１１】図１０のＡ−Ａ’断面図である。11 is a sectional view taken along the line A-A 'of FIG.
【図１２】従来例の電子放出素子の断面図である。FIG. 12 is a sectional view of a conventional electron-emitting device.
【図１３】従来例の電子放出素子の断面図である。FIG. 13 is a sectional view of a conventional electron-emitting device.
【図１４】従来例の発光素子の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device.
【図１５】従来例の発光素子を用いた画像表示装置の構
成図である。FIG. 15 is a configuration diagram of an image display device using a light emitting element of a conventional example.
１１１ 基板 １１２，１１２ａ，１１２ｂ 電極 １１３ 絶縁層 １１４ 電子放出材 １１５ スペーサー １１６ フェースプレート １１７ 蛍光体 １２１ フリットガラス １３１ 電極配線 １４１ 層間絶縁層 １４２ ゲート電極 １４３ ゲート配線 １４４ 絶縁層 １５１Ｒ 蛍光体（赤） １５１Ｇ 蛍光体（緑） １５１Ｂ 蛍光体（青） １７１ 層間絶縁層 １７２ アノード電極 １７３ アノード配線 １７４ 絶縁層 １８１ 水平走査電極 １８２ 絶縁層 １８３ 垂直信号電極 １８４ 極微細突起 １９１ 下層メタル １９２ 絶縁層 １９３ 電子放出領域 １９４ 上層メタル ２０１，２０２ 電極 ２０３ 薄膜 ２０４ 基板 ２０５ 電子放出部 ２２１ 基板 ２２２ 電極 ２２４ 電極間隔 ２２５ 電子放出材 ２４１ 基板 ２４２ 絶縁層 ２４３ ゲート電極 ２４４ 極微細突起 ２５１ 対向板 ２５２ スペーサー ２５３ 蛍光体 ２５４ アノード電極 ２６１ 水平走査電極 ２６２ 垂直信号電極 111 substrate 112, 112a, 112b electrode 113 insulating layer 114 electron emitting material 115 spacer 116 faceplate 117 phosphor 121 frit glass 131 electrode wiring 141 interlayer insulating layer 142 gate electrode 143 gate wiring 144 insulating layer 151R fluorescent (red) 151G fluorescent Body (green) 151B Phosphor (blue) 171 Interlayer insulating layer 172 Anode electrode 173 Anode wiring 174 Insulating layer 181 Horizontal scanning electrode 182 Insulating layer 183 Vertical signal electrode 184 Micro projection 191 Lower metal 192 Insulating layer 193 Electron emitting area 194 Upper layer Metal 201, 202 Electrode 203 Thin film 204 Substrate 205 Electron emission part 221 Substrate 222 Electrode 224 Electrode spacing 225 Electron emission material 241 Substrate 242 Insulating layer 243 Gate electrode 244 Fine projection 251 Opposite plate 252 Spacer 253 Phosphor 254 Anode electrode 261 Horizontal scanning electrode 262 Vertical signal electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 尚人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 岩井 久美 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 武田 俊彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoto Nakamura 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Kumi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Kia Within Non Corporation (72) Inventor Toshihiko Takeda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Corporation
Claims (11)
電子放出素子より放出される電子の照射を受ける蛍光体
と、フェースプレートとを有する発光素子において、 蛍光体が、電子放出素子の電子放出部を覆って積層され
ていることを特徴とする発光素子。1. A light emitting device having an electron emitting device disposed on a substrate, a phosphor receiving irradiation of electrons emitted from the electron emitting device, and a face plate, wherein the phosphor is an electron emitting device. A light-emitting element which is stacked so as to cover an electron-emitting portion.
との間に真空領域が存在することを特徴とする請求項１
に記載の発光素子。2. The device according to claim 1, wherein a vacuum region exists between the electron-emitting portion of the electron-emitting device and the phosphor.
The light-emitting device according to item 1.
に、該開口部に電子放出部を形成しており、且つ、前記
蛍光体の粒径は該開口部寸法よりも大きく、電子放出部
と蛍光体との間に真空領域が存在することを特徴とする
請求項１に記載の発光素子。3. The electron-emitting device has an opening and an electron-emitting portion formed in the opening, and the particle size of the phosphor is larger than the size of the opening. The light emitting device according to claim 1, wherein a vacuum region exists between the phosphor and the phosphor.
い、蛍光体を電気泳動法により該電子放出素子上に配置
したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
発光素子。4. The light-emitting device according to claim 1, wherein the electron-emitting device is electrically driven, and a phosphor is disposed on the electron-emitting device by electrophoresis.
を形成しており、且つ、前記蛍光体層の厚みと同等の寸
法を有するビーズ或いはフィラー状のスペーサーを真空
容器内に分散配置していることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の発光素子。5. The substrate and the face plate form a vacuum container, and beads or filler spacers having dimensions equivalent to the thickness of the phosphor layer are dispersed in the vacuum container. Claims 1 to
4. The light emitting device according to any one of 3.
を形成しており、且つ、前記電子放出素子の構成部材の
一部が基板とフェースプレートとのスペーサーとなる凸
部を形成していることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の発光素子。6. The method according to claim 1, wherein the substrate and the face plate form a vacuum container, and a part of the constituent members of the electron-emitting device forms a convex portion serving as a spacer between the substrate and the face plate. The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is a light-emitting device.
３に記載の発光素子において、該電子放出素子は電子放
出部上に開口を有するアノード電極を具備し、複数種類
の蛍光体が各電子放出素子のアノード電極上に選別配置
されており、同種類の蛍光体が配置されているアノード
電極は電気的に接続されており、且つ、異種類の蛍光体
が配置されているアノード電極とは絶縁されていること
を特徴とする発光素子。7. A semiconductor device comprising a plurality of electron-emitting devices.
3. The light-emitting device according to item 3, wherein the electron-emitting device has an anode electrode having an opening on the electron-emitting portion, and a plurality of types of phosphors are selectively disposed on the anode electrode of each electron-emitting device. A light emitting element, wherein the anode electrode on which the phosphors are arranged is electrically connected and insulated from the anode electrode on which different kinds of phosphors are arranged.
子において、前記基板とフェースプレートは加熱接着に
より真空容器を形成しており、前記蛍光体と電気的接続
を有する電極の少なくとも表面層に、該電極の主材料と
合金を構成する金属を有し、該金属の酸化物の電気伝導
率が該電極の主材料の酸化物の電気伝導率より大きいこ
とを特徴とする発光素子。8. The light emitting device according to claim 1, wherein the substrate and the face plate form a vacuum container by heating and bonding, and at least a surface of an electrode having electrical connection with the phosphor. A light-emitting element, wherein the layer includes a metal that forms an alloy with the main material of the electrode, and the electric conductivity of an oxide of the metal is higher than the electric conductivity of the oxide of the main material of the electrode.
記電極の主材料がＮｉであり、前記金属がＡｇであるこ
とを特徴とする発光素子。9. The light emitting device according to claim 8, wherein a main material of said electrode is Ni and said metal is Ag.
前記電極の主材料がＣｒであり、前記金属がＴｉである
ことを特徴とする発光素子。10. The light emitting device according to claim 8, wherein
A light emitting device, wherein a main material of the electrode is Cr and the metal is Ti.
素子を用いて画像表示を行なう画像表示装置。11. An image display device for displaying an image using the light emitting device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072862A JP2992932B2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | Light emitting device, image display device, and method of manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072862A JP2992932B2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | Light emitting device, image display device, and method of manufacturing light emitting device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19456492A Division JP3023734B2 (en) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Electron emitting device and image display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103869A true JPH103869A (en) | 1998-01-06 |
| JP2992932B2 JP2992932B2 (en) | 1999-12-20 |
Family
ID=13501588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9072862A Expired - Fee Related JP2992932B2 (en) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | Light emitting device, image display device, and method of manufacturing light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2992932B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064934A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | National Institute For Materials Science | Field electron emission element and process for producing the same, electron emission method using this element, luminescent/display device using field electron emission element and process for producing the same |
| JP2006172796A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | Electron emission element having atmospheric electron emission characteristic, its manufacturing method and electron emission method using it |
| CN101826433A (en) * | 2010-05-27 | 2010-09-08 | 福州大学 | Field-emission display structure by utilizing fluorescent powder grain as insulator |
| DE102006013223B4 (en) * | 2005-07-26 | 2011-05-05 | Industrial Technology Research Institute Taiwanese Body Corporate | Field emission display device and method of operating the same |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP9072862A patent/JP2992932B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006064934A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | National Institute For Materials Science | Field electron emission element and process for producing the same, electron emission method using this element, luminescent/display device using field electron emission element and process for producing the same |
| JP2006172796A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | National Institute For Materials Science | Electron emission element having atmospheric electron emission characteristic, its manufacturing method and electron emission method using it |
| US7759662B2 (en) | 2004-12-14 | 2010-07-20 | National Institute For Materials Science | Field electron emission element, a method of manufacturing the same and a field electron emission method using such an element as well as an emission/display device employing such a field electron emission element and a method of manufacturing the same |
| JP4608692B2 (en) * | 2004-12-14 | 2011-01-12 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Electron emitting device having electron emission characteristics in the atmosphere, manufacturing method thereof, and electron emitting method using this device |
| DE102006013223B4 (en) * | 2005-07-26 | 2011-05-05 | Industrial Technology Research Institute Taiwanese Body Corporate | Field emission display device and method of operating the same |
| CN101826433A (en) * | 2010-05-27 | 2010-09-08 | 福州大学 | Field-emission display structure by utilizing fluorescent powder grain as insulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2992932B2 (en) | 1999-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6759802B2 (en) | Image forming apparatus | |
| EP0493804B1 (en) | Image forming apparatus | |
| US6761606B2 (en) | Method of producing spacer and method of manufacturing image forming apparatus | |
| JP2992932B2 (en) | Light emitting device, image display device, and method of manufacturing light emitting device | |
| JP3919676B2 (en) | High voltage image display device | |
| JP3592070B2 (en) | Image forming device | |
| US7067171B1 (en) | Manufacturing method of electron beam apparatus and spacer, and electron beam apparatus | |
| Suzuki et al. | Field-emission display based on nonformed MIM-cathode array | |
| JP4810010B2 (en) | Electron emitter | |
| JPH0620590A (en) | Electron emission element, light emission element and image display | |
| JPH087809A (en) | Image forming device | |
| JP3397738B2 (en) | Electron source and image forming apparatus | |
| JP2961426B2 (en) | Image forming device | |
| JPH0973869A (en) | Field emission display, its manufacture, and its driving method | |
| JP2981765B2 (en) | Electron beam generator and image forming apparatus using the same | |
| JP2001023553A (en) | Display | |
| JP3305169B2 (en) | Electron beam generator and image forming apparatus using the same | |
| JP3305168B2 (en) | Electron beam generator and image forming apparatus using the same | |
| JPH0945266A (en) | Image forming device | |
| JP2715314B2 (en) | Image forming apparatus and driving method thereof | |
| JP2000251801A (en) | Flat image display device | |
| JP2000251785A (en) | Electron beam device, and image display device | |
| JP3000479B2 (en) | Electron beam generator, image forming apparatus and optical signal donating apparatus using the same | |
| JP2727304B2 (en) | Image forming device | |
| JP2001023510A (en) | Thin-film electron source, display, and electronic line drawing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990921 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |