JPH103663A - Production of magnetic recording medium - Google Patents

Production of magnetic recording medium

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Publication number
JPH103663A
JPH103663A JP15136396A JP15136396A JPH103663A JP H103663 A JPH103663 A JP H103663A JP 15136396 A JP15136396 A JP 15136396A JP 15136396 A JP15136396 A JP 15136396A JP H103663 A JPH103663 A JP H103663A
Authority
JP
Japan
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magnetic
sputtering
web
film
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP15136396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junji Nakada
純司 中田
Makoto Kashiwatani
誠 柏谷
Makoto Nagao
信 長尾
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP15136396A priority Critical patent/JPH103663A/en
Publication of JPH103663A publication Critical patent/JPH103663A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a flexible thin film type magnetic recording medium which has high coercive force and good magnetic characteristics of a uniform coercive force distribution in the circumferential direction of a disk. SOLUTION: The production of the magnetic recording medium formed by sputtering and forming the film of a nonmagnetic ground surface layer on a transported and supported continuous web W of 10 to 200μm thick and forming a magnetic layer having intra-surface magnetic anisotropy by sputtering on this nonmagnetic ground surface layer is executed in this process. The web W transported in the vacuum is heat treated at a base treating temp. (Tv) in a range of 0.6×Tl<=Tv<=Ti (where Ti is the serviceable temp. of the nonmagnetic base) and, thereafter, the nonmagnetic ground surface layer is formed by sputtering thereon in the state of heating the web at the base temp. (Tu) in a range of 0.5×Tl<=Tu<=Tl. In addition, the magnetic layer is formed by sputtering on the web W in the sate of heating the web at the base temp. (Tm) is a range of 0.4×Tl<=Tm<=Tl in succession to the forming of the nonmagnetic ground surface layer by sputtering.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープ、磁気
ディスク、磁気カード等の磁気記録媒体に関し、特に超
高密度記録に適した薄膜型の磁気記録媒体の製造方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium such as a magnetic tape, a magnetic disk, and a magnetic card, and more particularly to a method of manufacturing a thin-film magnetic recording medium suitable for ultra-high density recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、音声・映像情報のディジタル化、
コンピューター等の情報処理装置の発展とマルチメディ
ア化、それらを包含する情報ネットワークの構築・進展
に伴い、情報処理装置の記録メディアは記録容量、記録
再生速度、コスト、小型化、信頼性等の各性能の向上が
求められている。
2. Description of the Related Art In recent years, digitalization of audio / video information,
With the development of information processing devices such as computers and the development of multimedia, and the construction and development of information networks that include them, recording media for information processing devices have various requirements such as recording capacity, recording and playback speed, cost, miniaturization, and reliability. There is a demand for improved performance.

【0003】特に、磁気ディスク装置は高密度記録に適
した外部記録装置である。磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体としては、酸化物磁性体の粉末を支持体
上に塗布した塗布型磁気記録媒体と、金属磁性体の薄膜
を基板上に蒸着あるいはスパッタリングにより作成した
薄膜型磁気記録媒体とが知られている。塗布型磁気記録
媒体は主に、フロッピィディスク装置に使用されてい
る。薄膜型磁気記録媒体は、前記塗布型磁気記録媒体に
比べて記録膜中の磁性体の密度が高いため、より高記録
密度化に適しており、固定磁気ディスク装置(ハードデ
ィスク装置)や可搬型の固定磁気ディスク装置(リムー
バブルハードディスク装置)に多く用いられている。
In particular, a magnetic disk device is an external recording device suitable for high-density recording. A magnetic recording medium used in a magnetic disk drive includes a coating type magnetic recording medium in which a powder of an oxide magnetic material is applied on a support, and a thin film type magnetic material in which a thin film of a metal magnetic material is formed on a substrate by vapor deposition or sputtering. Recording media are known. The coating type magnetic recording medium is mainly used for a floppy disk device. The thin-film type magnetic recording medium has a higher density of the magnetic substance in the recording film than the coating type magnetic recording medium, and therefore is suitable for higher recording density, such as a fixed magnetic disk device (hard disk device) or a portable type. It is widely used in fixed magnetic disk devices (removable hard disk devices).

【0004】上述の如き、固定磁気ディスク装置に用い
る薄膜型磁気記録媒体である固定磁気ディスクの一般的
な構造としては、基板上に下地層、磁性層、保護層を順
次形成したものが良く知られている。固定磁気ディスク
装置の記録容量を増大するためには、薄膜型磁気記録媒
体の保磁力を高くすることと、ビット境界からの反磁界
を小さくするために、磁気記録媒体の残留磁化値と磁性
層の厚さの積、いわゆるBr×dを小さくすること、さ
らに、媒体ノイズを低減することが必要である。
As described above, as a general structure of a fixed magnetic disk which is a thin-film magnetic recording medium used in a fixed magnetic disk device, a structure in which an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer are sequentially formed on a substrate is well known. Have been. In order to increase the recording capacity of the fixed magnetic disk drive, the coercive force of the thin-film magnetic recording medium must be increased, and the residual magnetization value of the magnetic recording medium and the magnetic layer must be increased in order to reduce the demagnetizing field from the bit boundary. It is necessary to reduce the product of the thicknesses, that is, Br × d, and to reduce the medium noise.

【0005】前記固定磁気ディスクに用いる薄膜型磁気
記録媒体の基板は、従来からAl−Mg合金が多く用い
られている。そして、ディスク状基板の表面にNiPメ
ッキ層を形成し、その後、ポリッシング加工を施すこと
で、記録・再生時のエラーとなる基体表面の欠陥をなく
している。さらに、ポリッシング加工を施した基板表面
に極めて微細な条痕パターン(溝)や凹凸を付与するテ
クスチャー加工により、CSS動作(コンタクトスター
トストップ)の際の磁気ディスクと磁気ヘッド間の摩擦
係数を低下させ、かつ、磁気ディスクの円周方向の磁気
特性、特に、保磁力Hc、角型比S、保磁力角型比S*
の向上を図っている。又、可搬型の固定磁気ディスク装
置では、磁気ディスクの耐衝撃性の要求が強く、Al−
Mg合金基板の他に、ガラス、銅、チタン、ジルコニ
ア、カルシア、カーボンまたはシリコン等で形成された
基板を使用することも出来る。
[0005] Al-Mg alloys are often used as substrates for thin-film magnetic recording media used in the fixed magnetic disk. Then, a NiP plating layer is formed on the surface of the disk-shaped substrate, and thereafter, a polishing process is performed to eliminate defects on the surface of the base which cause errors during recording and reproduction. Furthermore, the friction coefficient between the magnetic disk and the magnetic head at the time of the CSS operation (contact start / stop) is reduced by texture processing for providing an extremely fine streak pattern (groove) or unevenness on the polished substrate surface. And magnetic characteristics in the circumferential direction of the magnetic disk, in particular, coercive force Hc, squareness ratio S, and coercive force squareness ratio S *.
Is being improved. In a portable fixed magnetic disk drive, the magnetic disk has a strong demand for shock resistance, and the
In addition to the Mg alloy substrate, a substrate formed of glass, copper, titanium, zirconia, calcia, carbon, silicon, or the like can be used.

【0006】固定磁気ディスクに用いる一般的な薄膜型
磁気記録媒体は、基板上にCrなどの下地膜をスパッタ
成膜し、そして、CoCrPtまたは、CoCrTaな
どの金属磁性体をスパッタ成膜して薄膜磁性膜を形成し
た後、保護膜としてカーボンをスパッタ成膜、あるい
は、ダイヤモンド状カーボン(DLC)をプラズマCV
D法により形成し、最後にパーフロロポリエーテルなど
のようなフッ素系の潤滑層を塗布して完成する。
A general thin-film type magnetic recording medium used for a fixed magnetic disk is formed by depositing a base film such as Cr on a substrate by sputtering and then depositing a metallic magnetic material such as CoCrPt or CoCrTa by sputtering. After forming the magnetic film, carbon is formed as a protective film by sputtering or diamond-like carbon (DLC) is formed by plasma CV.
It is formed by the method D, and is finally completed by applying a fluorine-based lubricating layer such as perfluoropolyether.

【0007】また、高記録密度化を実現するために、磁
気ディスク装置に関しては、磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ド(MRヘッド)の開発が進められている。また、ヘッ
ド−メディアインターフェイスの問題は、記録媒体−磁
気ヘッド間のスペーシングを低下させる必要があり、固
定磁気ディスク装置の場合、磁気ヘッドの浮上量を小さ
くすることを試みるが、反面磁気ヘッドが磁気ディスク
と接触する確率が高くなる。又、可撓性支持体を用いる
フロッピィディスク装置などでは、支持体の平面性は上
述のAl−Mg合金基板等に比べ劣るため、磁気ヘッド
と磁気ディスクが摺動する頻度が高くなり、また、場合
により常時摺動することも考えられる。
[0007] In order to realize a higher recording density, a magnetic head device (MR head) of a magnetoresistive effect type has been developed for a magnetic disk device. In addition, a problem with the head-media interface is that it is necessary to reduce the spacing between the recording medium and the magnetic head. In the case of a fixed magnetic disk device, an attempt is made to reduce the flying height of the magnetic head. The probability of contact with the magnetic disk increases. Further, in a floppy disk device or the like using a flexible support, the flatness of the support is inferior to that of the above-described Al-Mg alloy substrate or the like, so the frequency of sliding between the magnetic head and the magnetic disk increases, and In some cases, it is possible to always slide.

【0008】一般に、固定磁気ディスク用薄膜型磁気記
録媒体の製造方法においては、保磁力Hcを高くし媒体
ノイズを低減するために、前述したAl−Mg合金基板
(Ni−Pメッキ)のポリッシング加工やテクスチャー
加工に加えて、基板加熱条件が重要である。即ち、基板
加熱を行うことで磁性膜を構成する結晶粒子を各々磁気
的に分離させ、かつその結晶粒を小さくすることができ
る。尚、Al−Mg合金基板(Ni−Pメッキ)の加熱
温度は、一般的に200℃〜300℃程度である。
In general, in a method of manufacturing a thin film type magnetic recording medium for a fixed magnetic disk, the above-mentioned Al-Mg alloy substrate (Ni-P plating) is polished in order to increase coercive force Hc and reduce medium noise. In addition to texture and texture processing, substrate heating conditions are important. That is, by heating the substrate, crystal grains constituting the magnetic film can be magnetically separated from each other, and the crystal grains can be reduced. The heating temperature of the Al-Mg alloy substrate (Ni-P plating) is generally about 200C to 300C.

【0009】また、固定磁気ディスク(ハードディス
ク)の金属薄膜の層構成が、Crなどの下地層と、Co
CrPtまたはCoCrTaなどの磁性層との2層構成
になっている理由は、Co系合金薄膜の面内保磁力を高
めるためである。Co系合金薄膜は、一般に、膜垂直方
向に磁化容易軸を有する薄膜に成り易い。一方、ある成
膜条件下で、Cr薄膜を基板に形成し、その上に直接C
o系合金薄膜を形成すれば、CrとCo合金とは格子定
数が近いので、Cr膜上にCo系合金膜がヘテロエピタ
キシャル的に成長することとなる。その結果、Co系合
金薄膜の磁化容易軸が、基板面方向に傾斜して成長し、
面内に高い保磁力を発生させることができる。すなわ
ち、Cr下地層は、Co系合金薄膜の面内保磁力Hcを
始めとする磁気特性を特徴付ける役割を果しており、そ
の成膜条件を適切に設定することが重要であることも、
公知である。
Further, the layer structure of the metal thin film of the fixed magnetic disk (hard disk) includes an underlayer such as Cr,
The reason for having a two-layer structure with a magnetic layer such as CrPt or CoCrTa is to increase the in-plane coercive force of the Co-based alloy thin film. In general, a Co-based alloy thin film tends to be a thin film having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to the film. On the other hand, under a certain film forming condition, a Cr thin film is formed on a substrate, and C
If an o-based alloy thin film is formed, the Co-based alloy film grows heteroepitaxially on the Cr film because Cr and the Co alloy have similar lattice constants. As a result, the axis of easy magnetization of the Co-based alloy thin film grows inclined to the substrate surface direction,
A high coercive force can be generated in the plane. That is, the Cr underlayer plays a role in characterizing magnetic properties such as the in-plane coercive force Hc of the Co-based alloy thin film, and it is important to appropriately set the film forming conditions.
It is known.

【0010】一方、記録メディアの大容量化、小型化、
低コスト化、可搬性の要求から、厚さ10μm〜100
μmの高分子フィルムを支持体とし、その上に金属磁性
体の薄膜を形成したフレキシブルな薄膜型磁気記録媒体
の開発が進められている。この媒体は、フロッピィディ
スクの持つ耐衝撃性、可搬性、軽量性(記録メディア本
体および回転機構の重量)などの特徴と、薄膜型磁気記
録媒体の高記録密度、低ノイズ特性を共有した性能の実
現が期待されている。
On the other hand, recording media having a large capacity, a small size,
10 μm to 100 μm in thickness due to cost reduction and portability requirements
A flexible thin-film type magnetic recording medium in which a polymer film of μm is used as a support and a thin film of a metallic magnetic material is formed thereon is being developed. This medium has the characteristics of a floppy disk, such as shock resistance, portability, and lightness (the weight of the recording medium body and rotating mechanism), and the performance that shares the high recording density and low noise characteristics of thin-film magnetic recording media. Realization is expected.

【0011】そして、ポリエチレンテレフタレート(P
ET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等よりな
る高分子フィルムを支持体として用いたフレキシブルな
薄膜型磁気記録媒体の製造方法は、いくつかの方法が考
えられている。例えば、前記高分子フィルムを予めディ
スク状に打ち抜き、基板ホルダーにセットした状態で、
従来の固定磁気ディスクと同様の枚葉式スパッタ装置で
成膜する方法や、複数の基板ホルダーをパレットに装填
し、それが大面積のスパッタターゲット上を通過するこ
とで成膜を行う、パレット通過型スパッタ方法がある。
その他に、生産性が高くコスト的に有利な方法として、
ウェブ搬送連続成膜方法がある。これは、送り出し/巻
き取り装置を有したスパッタリング装置において、高分
子フィルムを連続ウェブとして搬送しつつ、そのウェブ
上にCrなどの下地膜と、CoCrPtなどの磁性膜を
スパッタ成膜して薄膜磁性膜を形成する方法である。
Then, polyethylene terephthalate (P
ET), a flexible thin film type magnetic recording medium using a polymer film made of polyethylene naphthalate (PEN) or the like as a support, several methods are considered. For example, in a state where the polymer film is punched in a disk shape in advance and set in a substrate holder,
A method of forming a film with a single-wafer sputtering apparatus similar to a conventional fixed magnetic disk, or a method of loading a plurality of substrate holders on a pallet and passing it over a large area sputter target to form a film, a pallet passing There is a mold sputtering method.
In addition, as a highly productive and cost-effective method,
There is a web transfer continuous film forming method. This is a sputtering device with a feeding / rewinding device, where a polymer film is transported as a continuous web, and a base film such as Cr and a magnetic film such as CoCrPt are formed on the web by sputtering. This is a method of forming a film.

【0012】即ち、高分子フィルムを連続ウェブとして
搬送しつつそのウェブ上にCrなどの下地層と、CoC
rPtなどの磁性層とを形成するウェブ搬送連続成膜方
法では、一般に、スパッタリングカソードを、搬送され
るウェブ表面に対向する位置に設置する。長方形形状を
有し、当該スパッタリングカソード上に設置され、当該
ウェブ表面と対向するCr,CoCrPtなどからなる
スパッタリングターゲットは、その長手方向が、ウェブ
幅方向に一致する。当該ウェブは、当該スパッタリング
ターゲット表面を通過しつつ、その表面に下地層、磁性
層が形成される。その後、前記下地層及び磁性層が形成
されたウェブに保護層及び潤滑層を形成した後、円盤形
状に打ち抜き、円盤形状の薄膜型磁気記録媒体とする。
That is, while a polymer film is transported as a continuous web, an underlayer such as Cr,
In a web transporting continuous film forming method for forming a magnetic layer such as rPt, generally, a sputtering cathode is provided at a position facing a surface of a transported web. The sputtering target made of Cr, CoCrPt, or the like, which has a rectangular shape and is provided on the sputtering cathode and faces the web surface, has a longitudinal direction corresponding to the web width direction. As the web passes through the surface of the sputtering target, an underlayer and a magnetic layer are formed on the surface. Thereafter, after forming a protective layer and a lubricating layer on the web on which the underlayer and the magnetic layer are formed, the web is punched into a disk shape to obtain a disk-shaped thin-film magnetic recording medium.

【0013】従って、このような製法で作成されたフロ
ッピィディスクは、基板の円周方向のテクスチャー加工
はなく、且つ、磁性体の成膜方法も、円周方向の磁気特
性の均一性の確保を考慮したものになっていない。ま
た、前述の如きウェブ状の高分子フィルムを支持体とし
て用いた場合、一枚一枚のディスクのポリッシング加工
や円周方向のテクスチャー加工を施すことは難しい。
Therefore, the floppy disk manufactured by such a manufacturing method does not have the texture processing in the circumferential direction of the substrate, and the method of forming the magnetic material also ensures the uniformity of the magnetic properties in the circumferential direction. Not taken into account. When a web-like polymer film as described above is used as a support, it is difficult to carry out polishing and circumferential texturing of individual disks.

【0014】更に、前述したように、固定磁気ディスク
における薄膜磁性膜の保磁力の向上や、低ノイズ化のた
めには、基板加熱が重要な手段であったが、基板となる
高分子支持体は、当然であるが、Al−Mg合金基板と
いった金属に比べて加熱できる温度の制約は大きく、ま
た、その温度は高分子支持体の種類により異なる。従っ
て、ウェブ状の高分子フィルムを支持体として用い、フ
レキシブルな薄膜型磁気記録媒体を作成する場合、従来
の固定磁気ディスクの製造方法をそのまま活用すること
はできない。
Further, as described above, heating of the substrate is an important means for improving the coercive force of the thin film magnetic film and reducing noise in the fixed magnetic disk. As a matter of course, the temperature at which heating can be performed is more restricted than that of a metal such as an Al—Mg alloy substrate, and the temperature varies depending on the type of the polymer support. Therefore, when a flexible thin-film magnetic recording medium is produced using a web-like polymer film as a support, the conventional method for manufacturing a fixed magnetic disk cannot be used as it is.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本願発明者等
は、高分子フィルムを連続ウェブとして搬送しつつ、そ
のウェブ上にCrなどの下地膜と、CoCrPtなどの
磁性膜をスパッタ成膜して薄膜磁性膜を形成する方法
で、フレキシブルな薄膜型磁気記録媒体を作成すること
を試みた。具体的には、送り出し/巻き取り装置を有し
た連続スパッタリング装置を用いて、厚さ10μm〜2
00μmのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート等の高分子フィルムを、連続ウェブとして
搬送しつつ、ウェブをスパッタリングターゲットに対向
させ、且つ、空間を搬送させた状態(スパッタ成膜され
るウェブの裏面側に支持機構がない状態)で、外部から
ウェブを加熱することなくCrなどの下地層をスパッタ
成膜し、引き続いて同様のウェブの状態にてCoPtC
r磁性層をスパッタ成膜した。その後、サンプルを直径
3.5インチの円盤形状に打ち抜くことでフロッピィデ
ィスクを作成し、保磁力や円周方向の保磁力分布を測定
した。
Therefore, the inventors of the present invention sputtered a base film such as Cr and a magnetic film such as CoCrPt on the web while conveying the polymer film as a continuous web. An attempt was made to create a flexible thin-film magnetic recording medium by a method of forming a thin-film magnetic film. Specifically, using a continuous sputtering device having a feeding / winding device, a thickness of 10 μm to 2
A state in which a polymer film such as polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate of 00 μm is conveyed as a continuous web, the web is opposed to a sputtering target, and the space is conveyed (supported on the back side of the sputtered web). (Without mechanism), an underlayer of Cr or the like is sputter-deposited without externally heating the web, and subsequently CoPtC
An r magnetic layer was formed by sputtering. Thereafter, a floppy disk was prepared by punching the sample into a disk shape having a diameter of 3.5 inches, and the coercive force and the coercive force distribution in the circumferential direction were measured.

【0016】しかし、上記方法で作成したサンプルは、
面内保磁力が、目標最下限値である1000Oe未満と低
く、且つ、ディスクの円周方向の保磁力分布は極めてバ
ラツキが大きいことがわかった。従って、この様な方法
では、保磁力が高く且つ、ディスクの円周方向の保磁力
分布が均一なフレキシブルな薄膜型磁気記録媒体を作成
することが困難であった。即ち、本発明の目的は上記課
題を解消することに係り、保磁力が高く、且つ、ディス
クの円周方向の保磁力分布が均一である良好な磁気特性
を備えたフレキシブルな薄膜型磁気記録媒体を得ること
ができる磁気記録媒体の製造方法を提供することであ
る。
However, the sample created by the above method is
It was found that the in-plane coercive force was as low as less than 1000 Oe, which is the target lower limit, and that the coercive force distribution in the circumferential direction of the disk was extremely large. Therefore, with such a method, it has been difficult to produce a flexible thin-film magnetic recording medium having a high coercive force and a uniform coercive force distribution in the circumferential direction of the disk. That is, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and a flexible thin-film magnetic recording medium having good magnetic properties, which has a high coercive force and a uniform coercive force distribution in the circumferential direction of a disk. To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium capable of obtaining the following.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、搬
送支持される厚さ10μm〜200μmの非磁性支持体
よりなる連続ウェブ上に、非磁性下地層をスパッタ成膜
した後、前記非磁性下地層上に面内磁気異方性を有する
磁性層をスパッタ成膜して成る磁気記録媒体の製造方法
において、真空中を搬送される前記ウェブは、0.6×
Tl≦Tv≦Tl(但し、Tlは非磁性支持体の使用可
能温度)の範囲の支持体処理温度(Tv)で加熱処理さ
れた後、0.5×Tl≦Tu≦Tlの範囲の支持体温度
(Tu)で加熱した状態で前記非磁性下地層がスパッタ
成膜されると共に、前記非磁性下地層のスパッタ成膜に
連続して、前記ウェブが0.4×Tl≦Tm≦Tlの範
囲の支持体温度(Tm)で加熱した状態で前記磁性層が
スパッタ成膜されることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法により達成される。
The object of the present invention is to form a non-magnetic underlayer by sputtering on a continuous web of a non-magnetic support having a thickness of 10 μm to 200 μm which is conveyed and supported. In a method for manufacturing a magnetic recording medium comprising a magnetic layer having in-plane magnetic anisotropy formed by sputtering on a magnetic underlayer, the web conveyed in a vacuum is 0.6 ×
After being heat-treated at a support treatment temperature (Tv) in the range of Tl ≦ Tv ≦ Tl (where Tl is the usable temperature of the nonmagnetic support), the support in the range of 0.5 × Tl ≦ Tu ≦ Tl The non-magnetic underlayer is sputter-deposited while being heated at a temperature (Tu), and the web is formed in a range of 0.4 × Tl ≦ Tm ≦ Tl following the sputter deposition of the non-magnetic underlayer. The magnetic layer is formed by sputtering while being heated at the support temperature (Tm).

【0018】尚、前記非磁性下地層をスパッタ成膜した
後に前記磁性層をスパッタ成膜するまでの保持時間をt
i (sec)、前記非磁性下地層をスパッタ成膜した後
に前記磁性層をスパッタ成膜するまで保持される空間の
圧力をPi (Torr)とすると、これら保持時間ti
及び圧力Pi が、ti ×Pi ≦600、好ましくはt i
×Pi ≦400、より好ましくはti ×Pi ≦200の
範囲に設定されることが好ましい。ti ×Pi が、この
ような条件範囲になることについての詳細は後述する。
又、好ましくは前記連続ウェブが、成膜ドラムに沿った
状態で搬送支持されると共に、該成膜ドラムで加熱され
ながら前記非磁性下地層及び前記磁性層をスパッタ成膜
される。更に、前記ウェブを真空中で搬送し、前記非磁
性下地層或いは前記磁性層をスパッタ成膜する時の張力
Ts(kgf/m)は、1≦Ts≦50、好ましくは3
≦Ts≦20の範囲に設定されることが好ましい。張力
が1kgf/m以下では、支持体と成膜ドラムとの機械
的な密着が不十分であり、支持体を所望の温度に加熱で
きない。また、張力が50kgf/mを越えてしまう
と、支持体にしわが入ったり、塑性変形が起きやすくな
ってしまう。
The nonmagnetic underlayer was formed by sputtering.
The holding time until the magnetic layer is formed by sputtering later is t
i(Sec) after forming the nonmagnetic underlayer by sputtering
Of the space held until the magnetic layer is formed by sputtering.
Pressure is Pi(Torr), these holding times ti
And pressure PiIs ti× Pi≦ 600, preferably t i
× Pi≦ 400, more preferably ti× Pi≦ 200
It is preferable to set the range. ti× PiBut this
Details of the condition range will be described later.
Also, preferably, the continuous web extends along a film forming drum.
While being transported and supported in a state, it is heated by the film forming drum.
Forming the nonmagnetic underlayer and the magnetic layer by sputtering
Is done. Further, the web is conveyed in a vacuum and the non-magnetic
Tension during sputter deposition of the conductive underlayer or the magnetic layer
Ts (kgf / m) is 1 ≦ Ts ≦ 50, preferably 3
It is preferable to set the range of ≦ Ts ≦ 20. tension
Is less than 1 kgf / m, the machine between the support and the film forming drum
Inadequate close contact, heating the support to the desired temperature
I can't. Also, the tension exceeds 50 kgf / m
When the support is wrinkled or plastic deformation is likely to occur
I will.

【0019】尚、前記非磁性支持体の使用可能温度(T
l)とは、長時間使用時の耐熱性を表す温度のことであ
る。文献(「工業用プラスチックフィルム」 加工技術
研究会編 第208頁)に示されているように、一般
に、高分子支持体を高温に保った時、熱分解、加水分
解、酸化分解あるいは架橋などの化学反応で劣化が進
み、物性が限界値以下に低下してくる。この度合いを、
長時間耐久性と呼び、磁気記録媒体、特に蒸着、スパッ
タ等におけるような高分子支持体が高温に晒されるプロ
セスでは、この長時間耐久性を判断する温度を使用可能
温度として、支持体の選定基準、プロセス条件を決定す
る要因としている。
The usable temperature of the nonmagnetic support (T
l) is a temperature indicating heat resistance during long-term use. As shown in the literature ("Industrial Plastic Film", Processing Technology Research Group, p. 208), generally, when a polymer support is kept at a high temperature, thermal decomposition, hydrolysis, oxidative decomposition or cross-linking occurs. Deterioration progresses due to a chemical reaction, and the physical properties decrease below the limit value. This degree,
In a process where a polymer support is exposed to high temperatures, such as in a magnetic recording medium, especially in vapor deposition, sputtering, etc., the temperature for judging the long-term durability is used as the usable temperature and the support is selected. It is a factor that determines standards and process conditions.

【0020】前記使用可能温度は、具体的には文献
(「飽和ポリエステル樹脂ハンドブック」 日刊工業新
聞社 第736頁)に記載されているように、プラスチ
ックの耐熱性の指標として一般的に用いられている、上
記長時間使用時の寿命を示す耐熱性の観点で規定された
IEC85の電気絶縁材料耐熱区分の長期耐熱温度を用
いている。当該文献(875頁)では、PENとPET
の比較図において、PENで区分Fの155℃、PET
で区分Eの120℃を示しているが、これが当該耐熱温
度を使用可能温度としている例である。例えばポリエチ
レンテレフタレート(PET),ポリエチレンナフタレ
ート(PEN),アラミド,ポリイミドの高分子フィル
ムの使用可能温度は、それぞれ120℃,155℃,1
80℃,210℃である。
The usable temperature is generally used as an index of the heat resistance of plastics as described in the literature (“Saturated Polyester Resin Handbook”, Nikkan Kogyo Shimbun, p. 736). The long-term heat resistance of the IEC85 electrical insulation material heat-resistant category, which is defined from the viewpoint of heat resistance indicating the life when used for a long time, is used. In this reference (p. 875), PEN and PET
In the comparison diagram of PEN, at 155 ° C, PET
Indicates 120 ° C. of the category E, which is an example in which the heat-resistant temperature is set as the usable temperature. For example, the usable temperatures of polymer films of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), aramid, and polyimide are 120 ° C., 155 ° C., and 1, respectively.
80 ° C and 210 ° C.

【0021】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
おけるスパッタリング工程で使用するスパッタリングガ
スは、Ar,Kr,XeまたはRn等の中から適宜選択
されるが、特にArが好ましい。本発明の磁気記録媒体
の製造方法及び製造装置を利用して製造される磁気記録
媒体は、非磁性支持体となる高分子フィルム上に、非磁
性下地層、磁性層、保護層及び潤滑層を順次形成した一
般的構造であることが好ましい。
The sputtering gas used in the sputtering step in the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention is appropriately selected from Ar, Kr, Xe, Rn, and the like, but Ar is particularly preferred. A magnetic recording medium manufactured using the method and apparatus for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention includes a nonmagnetic underlayer, a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating layer on a polymer film serving as a nonmagnetic support. It is preferable to have a general structure formed sequentially.

【0022】本発明の磁気記録媒体で使用する非磁性支
持体としては、フレキシブルな厚さ10μm〜200μ
mのポリエチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタ
レート,ポリイミド,ポリアミド,ポリアミドイミド等
の高分子フィルムが好ましい。また、支持体の内部また
は表面に微粉体(フィラー)を含有し、この支持体の表
面に凹凸を形成したものでも良い。さらには、前記高分
子フィルムの表面にシリカ等の無機下塗り層を有したも
のを用いても良い。非磁性支持体の厚さを10μm〜2
00μmとしたのは主として、支持体の剛性を勘案した
からである。厚さが10μm未満といった、剛性の低い
支持体の場合ではスパッタ成膜中に支持体にしわが発生
し易く、その部分がロスとなる可能性がある。逆に厚さ
が200μmを越えた、剛性の高い支持体の場合、磁気
記録媒体のフレキシビリティー(可撓性)が低下するた
めヘッドと磁気記録媒体間に異物が噛込んでも支持体が
変形することで対応できるといった可能性が失われてし
まう。また、支持体の厚みが増すということは、送出/
巻取ロールの長さが短くなることであり、本願発明で用
いるウェブ搬送連続成膜方式のように、真空槽内に送出
/巻取ロールが設置され、連続成膜処理中にロールを交
換することのできない方式では、生産性の観点からも好
ましくない。
The non-magnetic support used in the magnetic recording medium of the present invention has a flexible thickness of 10 μm to 200 μm.
m is preferably a polymer film of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, polyamide, polyamideimide or the like. Further, a fine powder (filler) may be contained inside or on the surface of the support, and irregularities may be formed on the surface of the support. Further, a polymer film having an inorganic undercoat layer such as silica on the surface of the polymer film may be used. The thickness of the non-magnetic support is 10 μm to 2
The reason why the thickness is set to 00 μm is mainly due to the rigidity of the support. In the case of a support having a low rigidity such as a thickness of less than 10 μm, wrinkles are likely to be generated in the support during the film formation by sputtering, and the portion may be lost. Conversely, in the case of a highly rigid support having a thickness exceeding 200 μm, the flexibility (flexibility) of the magnetic recording medium is reduced, so that the support is deformed even when a foreign substance is caught between the head and the magnetic recording medium. By doing so, the possibility of being able to respond is lost. Also, an increase in the thickness of the support means that the delivery /
This means that the length of the take-up roll is shortened. As in the case of the continuous web transfer film formation method used in the present invention, a delivery / take-up roll is installed in a vacuum chamber and the roll is changed during the continuous film formation process. A method that cannot perform this method is not preferable from the viewpoint of productivity.

【0023】本発明の磁気記録媒体で使用する非磁性下
地層は、Cr系合金膜からなり、Ti,Mo,Si,
V,Cu,W,Ta,NbまたはP等を2原子%〜25
原子%の範囲で含有することが好ましい。この下地層の
厚さは、通常、10nm〜200nm、好ましくは30
nm〜100nmである。前述したように、Cr下地層
は、磁性層であるCo系合金薄膜層の結晶構造を決める
機能を有するが、厚さが10nm未満では、Cr合金層
自体の結晶成長が不十分であり、機能を果たすことがで
きない。また、厚さが200nmを越えると、結晶成長
が過度となり、ノイズの発生、面内保磁力の低下といっ
た影響が生じる。
The non-magnetic underlayer used in the magnetic recording medium of the present invention is made of a Cr-based alloy film and includes Ti, Mo, Si,
V, Cu, W, Ta, Nb, P, or the like is 2 atomic% to 25.
It is preferable to contain it in the range of atomic%. The thickness of the underlayer is usually 10 nm to 200 nm, preferably 30 nm.
nm to 100 nm. As described above, the Cr underlayer has a function of determining the crystal structure of the Co-based alloy thin film layer as the magnetic layer. However, if the thickness is less than 10 nm, the crystal growth of the Cr alloy layer itself is insufficient, and Can not fulfill. On the other hand, if the thickness exceeds 200 nm, the crystal growth becomes excessive, which causes effects such as generation of noise and reduction of in-plane coercive force.

【0024】本発明の磁気記録媒体で使用する面内磁気
異方性を有する磁性層としては、CoCr,CoNi,
CoCrX,CoNiX等で代表されるCo系合金が好
ましい。X元素は、0原子%〜30原子%の範囲で、L
i、Si、Ca、Yi、V、Cr、Ni、As、Y、Z
r、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Pt、Ta、Pt
Ta、PtSi、PtB、またはTaB等であり、Co
CrX、CoNiXとして少なくとも1つの元素が適宜
選択され含有されるが、好ましくは、Si、Cr、N
i、Pt、Ta、PtTa、PtSiまたはPtB、特
に好ましくはCr、PtまたはTaが選択される。この
磁性層の厚さは、通常10nm〜200nmの範囲で、
磁気記録媒体の目的、用途に応じて適宜選択すればよい
が、厚さが10nm未満では、保磁力が著しく劣化し、
磁気記録媒体としての機能が付与できず、厚さが200
nmを越えると、結晶粒子サイズが大きくなりすぎ、電
磁変換特性上問題となるノイズの原因となる。
The magnetic layer having in-plane magnetic anisotropy used in the magnetic recording medium of the present invention includes CoCr, CoNi,
Co-based alloys such as CoCrX and CoNiX are preferred. The element X is L in the range of 0 to 30 atomic%.
i, Si, Ca, Yi, V, Cr, Ni, As, Y, Z
r, Nb, Mo, Ru, Rh, Ag, Pt, Ta, Pt
Ta, PtSi, PtB, TaB or the like;
At least one element is appropriately selected and contained as CrX and CoNiX, and preferably, Si, Cr, N
i, Pt, Ta, PtTa, PtSi or PtB, particularly preferably Cr, Pt or Ta are selected. The thickness of this magnetic layer is usually in the range of 10 nm to 200 nm,
It may be appropriately selected according to the purpose and use of the magnetic recording medium, but if the thickness is less than 10 nm, the coercive force is significantly deteriorated,
The function as a magnetic recording medium cannot be provided, and the thickness is 200
If it exceeds nm, the crystal grain size becomes too large, which causes noise which causes a problem in electromagnetic conversion characteristics.

【0025】本発明の磁気記録媒体で使用する保護層
は、ダイヤモンドライクカーボン,グラファイトライク
カーボン,アモルファスカーボン,WC,WMoC,Z
rNbN,B4 C,SiO2 ,ZrO2 等の中から適宜
選択されるが、ダイヤモンドライクカーボンが特に好ま
しい。この保護層の厚さは、通常、2nm〜30nm、
好ましくは5nm〜20nmである。これは、厚さが2
nm未満では、膜強度が弱く、保護層としての機能を果
たすことができない、また、厚さが30nmを越える
と、磁性層と記録再生用のヘッドとの距離が遠くなり、
所謂スペーシングロスが大きくなるからである。これら
の保護層は、公知のCVD、PVD法により形成され
る。
The protective layer used in the magnetic recording medium of the present invention is diamond-like carbon, graphite-like carbon, amorphous carbon, WC, WMoC, Z
It is appropriately selected from rNbN, B 4 C, SiO 2 , ZrO 2 and the like, and diamond-like carbon is particularly preferable. The thickness of this protective layer is usually 2 nm to 30 nm,
Preferably it is 5 nm to 20 nm. This means that the thickness is 2
If it is less than nm, the film strength is weak and it cannot function as a protective layer. If the thickness exceeds 30 nm, the distance between the magnetic layer and the recording / reproducing head becomes long,
This is because the so-called spacing loss increases. These protective layers are formed by a known CVD or PVD method.

【0026】上記本例の磁気記録媒体で使用する潤滑層
は、炭化水素系潤滑剤として、ステアリン酸、オレイン
酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル
類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸
モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリンア
ルコール、オレインアルコール等のアルコール類、ステ
アリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、またはステア
リルアミン等のアミン類などが好ましい。さらに、フッ
化系潤滑剤として上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の
一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフル
オロポリエーテル基で置換した潤滑剤がより好ましい。
これらの潤滑層の厚さは、0.5nm〜4.0nm、よ
り好ましくは1.0nm〜2.0nmである。これは、
0.5nm未満では、膜強度として不十分であり潤滑層
としての機能を果たせず、4.0nmを越えると保護層
で生じるのと同様なスペーシングロスの問題が発生する
からである。これらの潤滑層は、公知のバー型塗布法、
ディップコート法、グラビアコート法、スプレーコート
法、スピンコート法等で形成される。
The lubricating layer used in the magnetic recording medium of the present embodiment is composed of hydrocarbon-based lubricants such as carboxylic acids such as stearic acid and oleic acid, esters such as butyl stearate, and sulfonic acids such as octadecylsulfonic acid. Phosphoric acid esters such as monooctadecyl phosphate, alcohols such as stearin alcohol and olein alcohol, carboxylic acid amides such as stearic acid amide, and amines such as stearylamine are preferred. Further, as the fluorinated lubricant, a lubricant in which part or all of the alkyl group of the hydrocarbon lubricant is substituted with a fluoroalkyl group or a perfluoropolyether group is more preferable.
The thickness of these lubricating layers is 0.5 nm to 4.0 nm, more preferably 1.0 nm to 2.0 nm. this is,
If the thickness is less than 0.5 nm, the film strength is insufficient and the function as a lubricating layer cannot be performed. If the thickness exceeds 4.0 nm, the same problem of spacing loss as occurs in the protective layer occurs. These lubricating layers are formed by a known bar-type coating method,
It is formed by dip coating, gravure coating, spray coating, spin coating, or the like.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の一実施形態における磁気記録媒体の製造方法を詳細に
説明する。図1は、本発明に係る連続スパッタリング装
置1の概略構成図であり、図示しない真空排気装置によ
りスパッタ室15内を1.0×10-5Torr以下まで
真空排気可能であり、且つ図示せぬマスフローコントロ
ーラを通じてAr等のスパッタガスをスパッタガス導入
管16より導入し、6×10-4〜1×10-2Torrの
範囲の任意のスパッタ圧力に設定可能である。それは、
スパッタ圧力が下限値の6×10-4Torrより低くな
ると、スパッタリングカソードのグロー放電を安定維持
することが困難となり、スパッタ圧力が上限値の1×1
-2Torrより高い条件はガス導入系/真空排気系の
装置の要因により困難となるからである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a magnetic recording medium according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a continuous sputtering apparatus 1 according to the present invention. The inside of the sputtering chamber 15 can be evacuated to 1.0 × 10 −5 Torr or less by a vacuum exhaust device (not shown), and is not shown. A sputtering gas such as Ar is introduced from a sputtering gas introduction pipe 16 through a mass flow controller, and can be set to an arbitrary sputtering pressure in a range of 6 × 10 −4 to 1 × 10 −2 Torr. that is,
If the sputtering pressure is lower than the lower limit of 6 × 10 −4 Torr, it is difficult to stably maintain the glow discharge of the sputtering cathode, and the sputtering pressure is lower than the upper limit of 1 × 1 -4 Torr.
This is because conditions higher than 0 -2 Torr are difficult due to factors of the gas introduction / evacuation system equipment.

【0028】図1に示した如く、連続スパッタリング装
置1において、非磁性支持体である厚さ10μm〜20
0μmの高分子フィルム(PET,PEN等)よりなる
連続ウェブWは、送り出し軸2より送り出され、複数の
送り出し側パスローラー3と送り出し側ダンサーロール
4を介して、一対の加熱ドラム21,22から成膜ドラ
ムである2基のメインドラム(表面成膜用)5及びメイ
ンドラム(裏面成膜用)35へ搬送されている。さらに
連続ウェブWは、メインドラム5及びメインドラム35
の周面に沿って搬送支持された後、複数の巻取り側パス
ローラ6と巻取り側ダンサーロール7を介して、巻取り
軸8に巻き取られている。また、搬送される際の連続ウ
ェブWの張力は、送り出し側ダンサーロール4及び巻取
り側ダンサーロール7により、一定に保持されている。
なお、送り出し軸2、加熱ドラム21,22、メインド
ラム5,35及び巻取り軸8は、それぞれ図示せぬ駆動
装置により回転駆動されている。従って、当該装置にお
いては、必要に応じて支持体の表裏の両面にスパッタ成
膜することが可能である。
As shown in FIG. 1, in the continuous sputtering apparatus 1, a nonmagnetic support having a thickness of 10 μm to 20 μm
A continuous web W made of a 0 μm polymer film (PET, PEN, etc.) is fed from a feed shaft 2, and is sent from a pair of heating drums 21 and 22 through a plurality of feed-side pass rollers 3 and a feed-side dancer roll 4. It is transported to two main drums (for surface film formation) 5 and a main drum (for back surface film formation) 35 which are film formation drums. Further, the continuous web W includes the main drum 5 and the main drum 35.
After being conveyed and supported along the peripheral surface of the roller, it is wound around a winding shaft 8 via a plurality of winding path rollers 6 and a winding dancer roll 7. Further, the tension of the continuous web W when being conveyed is kept constant by the feed-out dancer roll 4 and the take-up dancer roll 7.
The feed shaft 2, the heating drums 21 and 22, the main drums 5 and 35, and the winding shaft 8 are each rotationally driven by a driving device (not shown). Therefore, in this apparatus, it is possible to form a sputter film on both the front and back surfaces of the support as needed.

【0029】前記加熱ドラム21,22としては、蒸気
等を用いるジャケット式ドラム、或いは誘導加熱方式ド
ラム等が適宜選択され、温度制御により加熱ドラム2
1,22の表面温度を25℃〜180℃までの範囲の任
意の温度に調節可能となっている。また、高分子フィル
ムよりなる連続ウェブWの支持体処理温度(Tv)は、
支持体幅方向において、加熱ドラム設定温度に対して、
±1℃の範囲内にあることを赤外線方式放射温度計及
び、接触式熱電対にて確認したので、加熱ドラム設定温
度をもって、連続ウェブWの表面温度、即ち支持体処理
温度(Tv)としてよい。更に、前記メインドラム5,
35の温度制御方式、設定温度、高分子フィルムの温度
との関係も、前記加熱ドラム21,22の場合と同様で
ある。
As the heating drums 21 and 22, a jacket type drum using steam or the like, an induction heating type drum, or the like is appropriately selected.
The surface temperatures 1 and 22 can be adjusted to any temperature in the range of 25 ° C to 180 ° C. The support processing temperature (Tv) of the continuous web W made of a polymer film is as follows:
In the support width direction, with respect to the heating drum set temperature,
Since it was confirmed by using an infrared radiation thermometer and a contact thermocouple that the temperature was within the range of ± 1 ° C., the surface temperature of the continuous web W, that is, the support processing temperature (Tv) may be obtained by setting the heating drum set temperature. . Further, the main drum 5,
The relationship between the temperature control method, the set temperature, and the temperature of the polymer film is the same as that of the heating drums 21 and 22.

【0030】送り出し側で前記メインドラム5に対向し
た位置(図中右側)には、メインドラム5の周面に沿わ
せた状態の連続ウェブWの表面にCr膜等よりなる非磁
性下地層をスパッタ成膜するためのスパッタリングター
ゲット9を備えたスパッタリングカソード13が配設さ
れている。このスパッタリングターゲット9には、直流
スパッタリング電源10が接続されており、例えば、直
流スパッタリング電源10から8kWのスパッタパワー
をスパッタリングターゲット9に印加することで、連続
ウェブWの表面上に厚み約100nmのCr膜等よりな
る非磁性下地層をスパッタ成膜する。
A non-magnetic underlayer made of a Cr film or the like is formed on the surface of the continuous web W along the peripheral surface of the main drum 5 at a position (the right side in the figure) facing the main drum 5 on the delivery side. A sputtering cathode 13 having a sputtering target 9 for forming a film by sputtering is provided. A DC sputtering power supply 10 is connected to the sputtering target 9. For example, when a sputtering power of 8 kW is applied to the sputtering target 9 from the DC sputtering power supply 10, a Cr having a thickness of about 100 nm is formed on the surface of the continuous web W. A non-magnetic underlayer made of a film or the like is formed by sputtering.

【0031】巻取り側で前記メインドラム5に対向した
位置(図中左側)には、メインドラム5の周面に沿わせ
た状態の連続ウェブWの表面にCo系合金等よりなる面
内磁気異方性を有する磁性層をスパッタ成膜するための
スパッタリングターゲット11を備えたスパッタリング
カソード14が配設されている。このスパッタリングタ
ーゲット11には、直流スパッタリング電源12が接続
されており、例えば、直流スパッタリング電源12から
約3kWのスパッタパワーをスパッタリングターゲット
11に印加することで、連続ウェブW表面上に形成され
た非磁性下地層上にさらに厚み約30nmのCo系合金
等よりなる磁性層をスパッタ成膜する。
At a position facing the main drum 5 on the winding side (the left side in the figure), an in-plane magnet made of a Co-based alloy or the like is formed on the surface of the continuous web W along the peripheral surface of the main drum 5. A sputtering cathode 14 having a sputtering target 11 for forming a magnetic layer having anisotropy by sputtering is provided. A DC sputtering power supply 12 is connected to the sputtering target 11. For example, when a sputtering power of about 3 kW is applied to the sputtering target 11 from the DC sputtering power supply 12, a non-magnetic On the underlayer, a magnetic layer made of a Co-based alloy or the like having a thickness of about 30 nm is further formed by sputtering.

【0032】送り出し側で前記メインドラム35に対向
した位置(図中右側)には、メインドラム35の周面に
沿わせた状態の連続ウェブWの裏面にCr膜等よりなる
非磁性下地層をスパッタ成膜するためのスパッタリング
ターゲット29を備えたスパッタリングカソード33が
配設されており、例えば、直流スパッタリング電源30
から8kWのスパッタパワーをスパッタリングターゲッ
ト29に印加することで、連続ウェブWの裏面上に厚み
約100nmのCr膜等よりなる非磁性下地層をスパッ
タ成膜する。
At a position (the right side in the figure) facing the main drum 35 on the sending side, a non-magnetic underlayer made of a Cr film or the like is provided on the back surface of the continuous web W along the peripheral surface of the main drum 35. A sputtering cathode 33 provided with a sputtering target 29 for sputtering film formation is provided.
By applying a sputtering power of 8 to 8 kW to the sputtering target 29, a nonmagnetic underlayer made of a Cr film or the like having a thickness of about 100 nm is formed on the back surface of the continuous web W by sputtering.

【0033】また、巻取り側で前記メインドラム35に
対向した位置(図中左側)には、メインドラム35の周
面に沿わせた状態の連続ウェブWの裏面にCo系合金等
よりなる面内磁気異方性を有する磁性層をスパッタ成膜
するためのスパッタリングターゲット31を備えたスパ
ッタリングカソード34が配設されており、例えば、直
流スパッタリング電源32から約3kWのスパッタパワ
ーをスパッタリングターゲット31に印加することで、
連続ウェブW裏面上に形成された非磁性下地層上にさら
に厚み約30nmのCo系合金等よりなる磁性層をスパ
ッタ成膜する。
At the position facing the main drum 35 on the winding side (left side in the figure), a surface made of a Co-based alloy or the like is provided on the back surface of the continuous web W along the peripheral surface of the main drum 35. A sputtering cathode 34 having a sputtering target 31 for forming a magnetic layer having internal magnetic anisotropy by sputtering is provided. For example, a sputtering power of about 3 kW is applied to the sputtering target 31 from a DC sputtering power supply 32. by doing,
On the nonmagnetic underlayer formed on the back surface of the continuous web W, a magnetic layer made of a Co-based alloy or the like having a thickness of about 30 nm is further formed by sputtering.

【0034】この際、前記加熱ドラム21,22は、真
空中を搬送される前記ウェブWの支持体処理温度(T
v)が、 0.6×Tl≦Tv≦Tl (但し、Tlは非磁性支持体の使用可能温度)となるよ
うに設定される。また、前記メインドラム5,35は、
前記下地層をスパッタ成膜する時の前記ウェブWの支持
体温度(Tu)が、 0.5×Tl≦Tu≦Tl となるように設定されると共に、前記非磁性下地層のス
パッタ成膜に連続して前記磁性層をスパッタ成膜する時
の前記ウェブWの支持体温度(Tm)が、 0.4×Tl≦Tm≦Tl となるように設定される。
At this time, the heating drums 21 and 22 carry the support processing temperature (T) of the web W conveyed in vacuum.
v) is set so that 0.6 × Tl ≦ Tv ≦ T1 (where Tl is the usable temperature of the nonmagnetic support). The main drums 5, 35 are
The support temperature (Tu) of the web W at the time of forming the underlayer by sputtering is set so as to satisfy 0.5 × Tl ≦ Tu ≦ Tl. The support temperature (Tm) of the web W when the magnetic layer is continuously formed by sputtering is set such that 0.4 × Tl ≦ Tm ≦ Tl.

【0035】これらの温度条件は、所望の磁気特性と支
持体の熱による影響を勘案して、目的・用途に応じて適
宜設定されるが、磁気特性という観点からは、より具体
的には、 0.8×Tl≦Tv≦Tl 0.7×Tl≦Tu≦Tl 0.6×Tl≦Tm≦Tl が望ましい。更に、好ましくは前記非磁性下地層及び前
記磁性層をスパッタ成膜する時の前記ウェブWの張力T
s(kgf/m)が、1≦Ts≦50、好ましくは3≦
Ts≦20の範囲に設定される。
These temperature conditions are appropriately set according to the purpose and application in consideration of desired magnetic characteristics and the influence of heat of the support. From the viewpoint of magnetic characteristics, more specifically, 0.8 × Tl ≦ Tv ≦ Tl 0.7 × Tl ≦ Tu ≦ Tl 0.6 × Tl ≦ Tm ≦ Tl Further, preferably, the tension T of the web W when the nonmagnetic underlayer and the magnetic layer are formed by sputtering.
s (kgf / m) is 1 ≦ Ts ≦ 50, preferably 3 ≦
It is set in the range of Ts ≦ 20.

【0036】即ち、本実施形態の連続スパッタリング装
置1によれば、真空中で前記ウェブWを前記加熱ドラム
21,22により加熱処理した後、該ウェブWの表面と
裏面とに連続して非磁性下地層及び磁性層を成膜するこ
とができる。勿論、本発明はこれに限定されるものでは
なく、前記ウェブWの加熱処理、表面及び裏面への成膜
は、連続させず別々に行うこともできる。
That is, according to the continuous sputtering apparatus 1 of the present embodiment, after the web W is subjected to the heat treatment by the heating drums 21 and 22 in a vacuum, the non-magnetic An underlayer and a magnetic layer can be formed. Of course, the present invention is not limited to this, and the heat treatment of the web W and the film formation on the front surface and the back surface can be performed separately without being continuous.

【0037】尚、製造する磁気記録媒体の用途に応じ
て、磁性層のスパッタ成膜後に保護層や潤滑層を形成す
る工程が追加される。また、上記実施形態においては、
非磁性下地層のスパッタ成膜工程と磁性層のスパッタ成
膜工程を連続して行っているが、これらの工程を連続さ
せず別々に行うこともできる。但し、前記非磁性下地層
をスパッタ成膜した後に前記磁性層をスパッタ成膜する
までの時間、即ち保持時間をti (sec)、前記非磁
性下地層をスパッタ成膜した後に前記磁性層をスパッタ
成膜するまで保持される空間の圧力をPi (Torr)
とすると、好ましくはこれら保持時間ti 及び圧力Pi
が、ti ×Pi ≦600、好ましくはti ×Pi ≦40
0、より好ましくはti×Pi ≦200の範囲に設定さ
れる。
Note that, depending on the use of the magnetic recording medium to be manufactured, a step of forming a protective layer or a lubricating layer after the magnetic layer is formed by sputtering is added. In the above embodiment,
Although the sputter deposition process of the nonmagnetic underlayer and the sputter deposition process of the magnetic layer are performed continuously, these processes can be performed separately without being continuous. However, the time from when the nonmagnetic underlayer is formed by sputtering to when the magnetic layer is formed by sputtering, that is, the holding time is t i (sec), and after the nonmagnetic underlayer is formed by sputtering, the magnetic layer is formed. The pressure in the space held until the film is formed by sputtering is P i (Torr)
Then, preferably, the holding time t i and the pressure P i
But t i × P i ≦ 600, preferably t i × P i ≦ 40
0, more preferably in the range of t i × P i ≦ 200.

【0038】更に、上記実施形態の連続スパッタリング
装置1においては、スパッタ成膜される連続ウェブWが
加熱手段としてのメインドラム5,35に沿った状態で
搬送支持されているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、加熱手段は接触、非接触方式を問わず、例え
ば赤外線ヒータといった方式でも良く、該加熱工程は何
ら支持体を支持する機構を有しなくとも良い。
Further, in the continuous sputtering apparatus 1 of the above embodiment, the continuous web W on which the sputter film is formed is conveyed and supported along the main drums 5 and 35 as heating means. However, the heating means may be a contact or non-contact method, for example, a method such as an infrared heater, and the heating step may not have any mechanism for supporting the support.

【0039】[0039]

【実施例】以下、実施例に基づき本発明の効果を明らか
にする。本実施例における連続スパッタリング装置とし
ては、上記実施形態における連続スパッタリング装置1
を使用した。前記加熱ドラム21,22は、それぞれ直
径:400mm、材質:SUS304、表面をハードク
ロムメッキ0.8S仕上げし、内部は公知の誘導加熱方
式として温度制御可能とした。前記メインドラム5,3
5は、それぞれ直径:600mm、材質:SUS30
4、表面をハードクロムメッキ0.8S仕上げし、内部
は公知の誘導加熱方式として温度制御可能とした。
EXAMPLES The effects of the present invention will be clarified below based on examples. As the continuous sputtering apparatus in the present embodiment, the continuous sputtering apparatus 1 in the above embodiment is used.
It was used. The heating drums 21 and 22 each have a diameter of 400 mm, a material of SUS304, and a surface finished with hard chrome plating 0.8S, and the inside can be controlled in temperature by a known induction heating method. The main drums 5, 3
5 are each 600 mm in diameter, material: SUS30
4. The surface was finished with hard chrome plating 0.8S, and the inside could be temperature controlled by a known induction heating method.

【0040】前記真空排気装置は、図示しない複数のロ
ータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、クライ
オポンプより構成した。前記スパッタリングターゲット
9,29としてはCrを用い、これらターゲットのメイ
ンドラム5,35との最短距離はそれぞれ100mmと
され、これらスパッタリングターゲット9,29の大き
さは、幅(ウェブ搬送方向長さ)140mm,長さ(ウ
ェブ幅方向)400mm,肉厚4mmとした。前記スパ
ッタリングターゲット11,31としてはCo68Cr20
Pt12膜(Co系合金の磁性層)を用い、これらターゲ
ットのメインドラム5,35との最短距離はそれぞれ1
00mmとされ、これらスパッタリングターゲット1
1,31の大きさは、幅(ウェブ搬送方向長さ)140
mm,長さ(ウェブ幅方向)400mm,肉厚4mmと
した。
The vacuum evacuation device was composed of a plurality of rotary pumps (not shown), a mechanical booster pump, and a cryopump. Cr was used as the sputtering targets 9 and 29, the shortest distance between the targets and the main drums 5 and 35 was 100 mm, respectively, and the size of these sputtering targets 9 and 29 was 140 mm in width (length in the web transport direction). , Length (web width direction) 400 mm, and wall thickness 4 mm. As the sputtering targets 11 and 31, Co 68 Cr 20
A Pt 12 film (a magnetic layer of a Co-based alloy) was used.
00 mm, and these sputtering targets 1
The size of 1, 31 is the width (length in the web transport direction) 140
mm, length (web width direction) 400 mm, and wall thickness 4 mm.

【0041】前記メインドラム5,35と各スパッタリ
ングターゲット9,11,29,31との間には、長さ
(ウェブ幅方向)180mm,幅(ウェブ搬送方向長
さ)250mmの開口部を有すると共に、内部に冷却水
が循環する構造のマスク(図示せず)を配置した。該マ
スクは、材質:SUS304から成る。前記スパッタガ
スとしてはArガスを用い、図示しないマスフローコン
トローラーを通じてスパッタリングターゲット周辺部に
供給した。
Between the main drums 5, 35 and each of the sputtering targets 9, 11, 29, 31 there is an opening having a length (web width direction) of 180 mm and a width (web transport direction length) of 250 mm. A mask (not shown) having a structure in which cooling water circulates therein was disposed. The mask is made of SUS304. Ar gas was used as the sputtering gas and supplied to the periphery of the sputtering target through a mass flow controller (not shown).

【0042】そして、フレキシブルな非磁性支持体であ
る連続ウェブWを幅310mm、長さ500m、厚さ9
0μmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム
とし、該連続ウェブWの原反を送り出し軸2にセットし
た状態で、各真空排気ポンプを用いて、スパッタ室15
内を1.0×10-5Torr以下まで真空排気を行なっ
た。
Then, the continuous web W, which is a flexible non-magnetic support, is formed to have a width of 310 mm, a length of 500 m, and a thickness of 9 mm.
A sputter chamber 15 was formed using a vacuum evacuation pump with a 0 μm polyethylene naphthalate (PEN) film and the web of the continuous web W set on the feed shaft 2.
The inside was evacuated to 1.0 × 10 −5 Torr or less.

【0043】これらの準備が整った段階で、以下の実験
を行った。 〔実験1〕前記連続ウェブWを搬送速度1m/分、張力
6kgf/幅の条件で送り出し、前記加熱ドラム21,
22の温度(支持体処理温度Tv)を25℃、90℃、
100℃、150℃、170℃に設定して該連続ウェブ
Wの加熱処理を行った後、引き続いて前記メインドラム
5,35の温度(支持体温度Tu,Tm)をそれぞれ1
50℃に固定し、厚み100nmのCr膜(Crの非磁
性下地層)と厚み30nmのCo68Cr20Pt12膜(C
o系合金の磁性層)を前記連続ウェブWの両面に形成し
た。但し、スパッタリングガスとしてはArガスを用
い、Arガスを供給した時のスパッタ圧力は8×10-4
Torrに設定した。
When these preparations were completed, the following experiment was conducted. [Experiment 1] The continuous web W was sent out under the conditions of a conveying speed of 1 m / min and a tension of 6 kgf / width.
22 (support processing temperature Tv) at 25 ° C, 90 ° C,
After the continuous web W was heated at 100 ° C., 150 ° C., and 170 ° C., the temperatures of the main drums 5 and 35 (support temperature Tu, Tm) were respectively set to 1
Fixed at 50 ° C., a 100 nm thick Cr film (Cr nonmagnetic underlayer) and a 30 nm thick Co 68 Cr 20 Pt 12 film (C
An o-based alloy magnetic layer) was formed on both sides of the continuous web W. However, Ar gas was used as the sputtering gas, and the sputtering pressure when the Ar gas was supplied was 8 × 10 −4.
Set to Torr.

【0044】そして、前記加熱ドラム21,22の温度
(支持体処理温度Tv)を25℃、90℃、100℃、
150℃、170℃に変えて連続ウェブWの両面に形成
した各試料における磁性層の磁気特性を測定した。該磁
気特性は、VSM装置(「VIBRATING SAM
PLE MAGUNETOMETER」 東英工業株式
会社製 VSM−P−7型)により、ウェブの搬送方向
と平行な方向及び垂直な方向の面内保磁力Hc(Oe)を
測定した。その結果を図2に示す。尚、図中の白抜き印
はウェブの搬送方向と平行な方向の面内保磁力Hcの値
を示し、黒印はウェブの搬送方向と垂直な方向の面内保
磁力Hcの値を示す。
Then, the temperatures of the heating drums 21 and 22 (support processing temperature Tv) are set to 25 ° C., 90 ° C., 100 ° C.
The magnetic properties of the magnetic layer of each sample formed on both sides of the continuous web W at 150 ° C. and 170 ° C. were measured. The magnetic characteristics are determined by the VSM device (“VIBRATING SAM”).
PLE MAGUNETOMETER ”VSM-P-7 manufactured by Toei Industry Co., Ltd.) to measure the in-plane coercive force Hc (Oe) in a direction parallel to and perpendicular to the web transport direction. The result is shown in FIG. In the drawings, white marks indicate values of in-plane coercive force Hc in a direction parallel to the web transport direction, and black marks indicate values of in-plane coercive force Hc in a direction perpendicular to the web transport direction.

【0045】図2から明らかなように、加熱ドラム2
1,22の温度(支持体処理温度Tv)が25℃及び9
0℃の場合は、面内保磁力Hcが1000Oe以下と極め
て低く、且つ、ウェブの搬送方向と平行な方向及び垂直
な方向の面内保磁力Hcのバラツキが±10%以上と極
めて大きかった。これに対し、加熱ドラム21,22の
温度が100℃及び150℃の場合は、面内保磁力Hc
が1500Oe以上と向上し、同じく、面内保磁力Hcの
バラツキは±5%未満であった。又、加熱ドラム21,
22を170℃まで加熱すると、加熱処理後のウェブW
の搬送シワが著しく、平滑な試料を作成することが困難
であった。
As is apparent from FIG.
The temperature of 1 and 22 (support processing temperature Tv) is 25 ° C. and 9
In the case of 0 ° C., the in-plane coercive force Hc was extremely low at 1000 Oe or less, and the in-plane coercive force Hc in the direction parallel to and perpendicular to the web transport direction was extremely large, ± 10% or more. On the other hand, when the temperatures of the heating drums 21 and 22 are 100 ° C. and 150 ° C., the in-plane coercive force Hc
Increased to 1500 Oe or more, and similarly, the variation of the in-plane coercive force Hc was less than ± 5%. Also, the heating drum 21,
22 is heated to 170 ° C., the web W after the heat treatment is heated.
Was extremely wrinkled, and it was difficult to produce a smooth sample.

【0046】〔実験2〕前記加熱ドラム21,22の温
度(支持体処理温度Tv)を100℃として連続ウェブ
Wの加熱処理を行った後、引き続いて前記メインドラム
5,35の温度(支持体温度Tu)を25℃、70℃、
90℃、150℃、170℃に設定し、連続ウェブWの
両面に厚み100nmのCr膜(Crの非磁性下地層)
を形成し、該連続ウェブWを巻取り軸8に巻き取った。
その後、直ちに逆転搬送により巻取り軸8から送り出し
軸2に向けて連続ウェブWを送り出し、前記メインドラ
ム5,35の温度(支持体温度Tm)を150℃として
厚み30nmのCo68Cr 20Pt12膜(Co系合金の磁
性層)を前記連続ウェブWの両面に形成した。但し、そ
の他の条件は上記実験1と同様とした。そして、Cr膜
を成膜する際の前記メインドラム5,35の温度(支持
体温度Tu)を25℃、70℃、90℃、150℃、1
70℃に変えて連続ウェブWの両面に形成した各試料に
おける磁性層の磁気特性(ウェブの搬送方向と平行な方
向及び垂直な方向の面内保磁力Hc)を測定した。その
結果を図3に示す。
[Experiment 2] Temperature of the heating drums 21 and 22
Continuous web with temperature (support processing temperature Tv) of 100 ° C
After the heat treatment of W, the main drum
The temperature of 5, 35 (support temperature Tu) is 25 ° C, 70 ° C,
90 ° C., 150 ° C., 170 ° C.
100 nm thick Cr film on both surfaces (Cr nonmagnetic underlayer)
And the continuous web W was wound around a winding shaft 8.
Immediately thereafter, it is sent out from the winding shaft 8 by reverse conveyance.
The continuous web W is sent out toward the axis 2, and the main drive
Assuming that the temperature of the chambers 5 and 35 (support temperature Tm) is 150 ° C.
30 nm thick Co68Cr 20Pt12Film (Co-based alloy magnetic
Layers) were formed on both sides of the continuous web W. However,
The other conditions were the same as those in Experiment 1. And Cr film
The temperature of the main drums 5 and 35 when forming
Body temperature Tu) is 25 ° C, 70 ° C, 90 ° C, 150 ° C, 1
70 ° C. for each sample formed on both sides of continuous web W
Properties of the magnetic layer (in the direction parallel to the web transport direction)
The in-plane coercive force Hc) in the vertical and vertical directions was measured. That
The results are shown in FIG.

【0047】図3から明らかなように、Cr下地層を成
膜する際の前記メインドラム5,35の温度(支持体温
度Tu)が25℃及び70℃の場合は、面内保磁力Hc
が1000Oe以下と極めて低く、且つ、ウェブの搬送方
向と平行な方向及び垂直な方向の面内保磁力Hcのバラ
ツキが±10%以上と極めて大きかった。これに対し、
前記メインドラム5,35の温度(支持体温度Tu)が
90℃及び150℃の場合は、面内保磁力Hcが150
0Oe以上と向上し、同じく、面内保磁力Hcのバラツキ
は±5%未満であった。又、前記メインドラム5,35
を170℃まで加熱すると、成膜処理後のウェブWの搬
送シワが著しく、平滑な試料を作成することが困難であ
った。
As is apparent from FIG. 3, when the temperatures of the main drums 5 and 35 (support member temperature Tu) when forming the Cr underlayer are 25 ° C. and 70 ° C., the in-plane coercive force Hc
Was extremely low at 1000 Oe or less, and the variation in the in-plane coercive force Hc in a direction parallel to and perpendicular to the web transport direction was extremely large at ± 10% or more. In contrast,
When the temperatures of the main drums 5 and 35 (support member temperature Tu) are 90 ° C. and 150 ° C., the in-plane coercive force Hc is 150 ° C.
0 Oe or more, and similarly, the variation of the in-plane coercive force Hc was less than ± 5%. The main drums 5, 35
When heated to 170 ° C., the transport wrinkles of the web W after the film forming process were remarkable, and it was difficult to prepare a smooth sample.

【0048】〔実験3〕前記加熱ドラム21,22の温
度(支持体処理温度Tv)を150℃として連続ウェブ
Wの加熱処理を行った後、引き続いて前記メインドラム
5,35の温度(支持体温度Tu)を90℃として連続
ウェブWの両面に厚み100nmのCr膜(Crの非磁
性下地層)を形成し、該連続ウェブWを巻取り軸8に巻
き取った。その後、直ちに逆転搬送により巻取り軸8か
ら送り出し軸2に向けて連続ウェブWを送り出し、前記
メインドラム5,35の温度(支持体温度Tm)を25
℃、50℃、70℃、150℃、170℃に設定し、厚
み30nmのCo68Cr20Pt12膜(Co系合金の磁性
層)を前記連続ウェブWの両面に形成した。但し、その
他の条件は上記実験1と同様とした。そして、Co68
20Pt12膜を成膜する際の前記メインドラム5,35
の温度(支持体温度Tm)を25℃、50℃、70℃、
150℃、170℃に変えて連続ウェブWの両面に形成
した各試料における磁性層の磁気特性(ウェブの搬送方
向と平行な方向及び垂直な方向の面内保磁力Hc)を測
定した。その結果を図4に示す。
[Experiment 3] After heating the continuous web W by setting the temperature of the heating drums 21 and 22 (support processing temperature Tv) to 150 ° C., the temperature of the main drums 5 and 35 (support At a temperature Tu) of 90 ° C., a Cr film (Cr nonmagnetic underlayer) having a thickness of 100 nm was formed on both surfaces of the continuous web W, and the continuous web W was wound around the winding shaft 8. Then, the continuous web W is immediately sent out from the winding shaft 8 to the sending shaft 2 by reverse conveyance, and the temperature of the main drums 5 and 35 (support temperature Tm) is set to 25.
℃, 50 ℃, 70 ℃, 150 ℃, set at 170 ° C., a Co 68 Cr 20 Pt 12 film having a thickness of 30 nm (magnetic layer of Co-based alloy) were formed on both surfaces of the continuous web W. However, other conditions were the same as those in Experiment 1. And Co 68 C
The main drums 5 and 35 for forming the r 20 Pt 12 film
(Support temperature Tm) at 25 ° C, 50 ° C, 70 ° C,
The magnetic properties (in-plane coercive force Hc in the direction parallel to and perpendicular to the web transport direction) of the magnetic layer in each sample formed on both surfaces of the continuous web W at 150 ° C. and 170 ° C. were measured. FIG. 4 shows the results.

【0049】図4から明らかなように、磁性層を成膜す
る際の前記メインドラム5,35の温度(支持体温度T
m)が25℃及び50℃の場合は、面内保磁力Hcが1
000Oe以下と極めて低く、且つ、ウェブの搬送方向と
平行な方向及び垂直な方向の面内保磁力Hcのバラツキ
が±10%以上と極めて大きかった。これに対し、前記
メインドラム5,35の温度(支持体温度Tm)が70
℃及び150℃の場合は、面内保磁力Hcが1500Oe
以上と向上し、同じく、面内保磁力Hcのバラツキは±
5%未満であった。又、前記メインドラム5,35を1
70℃まで加熱すると、成膜処理後のウェブWの搬送シ
ワが著しく、平滑な試料を作成することが困難であっ
た。
As is clear from FIG. 4, the temperature of the main drums 5 and 35 (the support temperature T
m) is 25 ° C. and 50 ° C., the in-plane coercive force Hc is 1
000 Oe or less, and the variation of the in-plane coercive force Hc in the direction parallel to and perpendicular to the web transport direction was extremely large, ± 10% or more. On the other hand, the temperature of the main drums 5 and 35 (support temperature Tm) is 70
° C and 150 ° C, the in-plane coercive force Hc is 1500 Oe
As described above, the variation of the in-plane coercive force Hc is also ±
It was less than 5%. Also, the main drums 5, 35 are
When heated to 70 ° C., the transport wrinkles of the web W after the film forming process were remarkable, and it was difficult to prepare a smooth sample.

【0050】〔実験4〕前記加熱ドラム21,22の温
度(支持体処理温度Tv)を150℃として連続ウェブ
Wの加熱処理を行った後、引き続いて前記メインドラム
5,35の温度(支持体温度Tu)を150℃として連
続ウェブWの両面に厚み100nmのCr膜(Crの非
磁性下地層)を形成し、該連続ウェブWを巻取り軸8に
巻き取った。その後、巻取り軸8に保持した保持時間を
i (sec)、保持される空間の圧力をPi (Tor
r)として逆転搬送により巻取り軸8から送り出し軸2
に向けて連続ウェブWを送り出し、前記メインドラム
5,35の温度(支持体温度Tm)を150℃として厚
み30nmのCo68Cr20Pt12膜(Co系合金の磁性
層)を前記連続ウェブWの両面に形成した。但し、その
他の条件は上記実験1と同様とした。そして、保持条件
である(ti ×Pi )をパラメーターとして連続ウェブ
Wの両面に形成した各試料における磁性層の磁気特性
(ウェブの搬送方向と平行な方向及び垂直な方向の面内
保磁力Hc)を測定した。その結果を図5に示す。
[Experiment 4] After the continuous web W was heated at a temperature of 150.degree. C. (supporting temperature Tv) of the heating drums 21 and 22, the temperature of the main drums 5 and 35 (supporting temperature) was subsequently measured. A Cr film (nonmagnetic underlayer of Cr) having a thickness of 100 nm was formed on both sides of the continuous web W at a temperature Tu) of 150 ° C., and the continuous web W was wound around the winding shaft 8. Thereafter, the holding time held on the winding shaft 8 is t i (sec), and the pressure of the held space is P i (Torr).
r) the unwinding shaft 2 from the winding shaft 8 by reverse conveyance
The continuous web W is sent out toward the main web 5 and the temperature of the main drums 5 and 35 (support temperature Tm) is set to 150 ° C., and a Co 68 Cr 20 Pt 12 film (magnetic layer of Co-based alloy) having a thickness of 30 nm is coated on the continuous web W. Formed on both sides. However, other conditions were the same as those in Experiment 1. The magnetic properties of the magnetic layer (in-plane coercive force in a direction parallel to the web transport direction and in a direction perpendicular to the web transport direction) in each sample formed on both surfaces of the continuous web W, using the retention condition (t i × P i ) as a parameter. Hc) was measured. The result is shown in FIG.

【0051】図5に示すように、パラメータが600近
傍で面内保磁力に著しい変化が起きることを確認した。
従って、先に説明したように、面内保磁力の目標下限値
は約1000Oeであるから、パラメータは600以下と
することが好ましい。もっとも、図5より明らかなよう
に、パラメータとして600というのは、かなりクリテ
ィカルな条件であり、本願発明を工業上安定に実施する
という観点から、より低い値、好ましくは200以下に
することがよい。
As shown in FIG. 5, it was confirmed that the in-plane coercive force significantly changed when the parameter was around 600.
Therefore, as described above, since the target lower limit of the in-plane coercive force is about 1000 Oe, the parameter is preferably set to 600 or less. However, as is evident from FIG. 5, the parameter 600 is a very critical condition, and is preferably set to a lower value, preferably 200 or less, from the viewpoint of industrially stably implementing the present invention. .

【0052】上記実験1乃至3から明らかなように、真
空中を搬送される前記ウェブは、0.6×Tl≦Tv≦
Tl(但し、Tlは非磁性支持体の使用可能温度)の範
囲の支持体処理温度(Tv)で加熱処理された後、0.
5×Tl≦Tu≦Tlの範囲の支持体温度(Tu)で加
熱した状態で前記非磁性下地層がスパッタ成膜されると
共に、前記非磁性下地層のスパッタ成膜に連続して、前
記ウェブが0.4×Tl≦Tm≦Tlの範囲の支持体温
度(Tm)で加熱した状態で前記磁性層がスパッタ成膜
されるされることにより、フレキシブルな非磁性支持体
である連続ウェブW上に面内保磁力Hcが高く、且つ、
ウェブの搬送方向と平行な方向及び垂直な方向の保磁力
分布が均一である良好な磁気特性を備えた磁性層を安定
的に形成することができた。
As is clear from the above Experiments 1 to 3, the web conveyed in a vacuum was 0.6 × Tl ≦ Tv ≦
After heat treatment at a support processing temperature (Tv) in the range of Tl (where Tl is the usable temperature of the non-magnetic support), the heat treatment is performed at 0.
The nonmagnetic underlayer is formed by sputtering while being heated at a support temperature (Tu) in the range of 5 × Tl ≦ Tu ≦ Tl, and the web is continuously formed by sputtering the nonmagnetic underlayer. Is heated at a support temperature (Tm) in the range of 0.4 × Tl ≦ Tm ≦ Tl, so that the magnetic layer is sputter-deposited on the continuous web W as a flexible non-magnetic support. The in-plane coercive force Hc is high, and
It was possible to stably form a magnetic layer having good magnetic properties and uniform coercive force distribution in the direction parallel to and perpendicular to the web transport direction.

【0053】又、上記実験4から明らかなように、前記
非磁性下地層をスパッタ成膜した後に前記磁性層をスパ
ッタ成膜するまでの保持時間をti (sec)、前記非
磁性下地層をスパッタ成膜した後に前記磁性層をスパッ
タ成膜するまで保持される空間の圧力をPi (Tor
r)とした際、これら保持時間ti 及び圧力Pi が、t
i ×Pi ≦600の範囲に設定されることにより、フレ
キシブルな非磁性支持体である連続ウェブW上に面内保
磁力Hcが高く、且つ、ウェブの搬送方向と平行な方向
及び垂直な方向の保磁力分布が均一である良好な磁気特
性を備えた磁性層を安定的に形成することができた。
As is apparent from the above Experiment 4,
After forming a nonmagnetic underlayer by sputtering, the magnetic layer is
T is the holding time until film formation.i(Sec), the non-
After forming a magnetic underlayer by sputtering, the magnetic layer is sputtered.
The pressure in the space held until the film formationi(Tor
r), these holding times tiAnd pressure PiIs t
i× Pi≦ 600,
In-plane protection on continuous web W, which is a non-magnetic support that can be fixed
Direction in which the magnetic force Hc is high and parallel to the web transport direction
Good magnetic characteristics with uniform coercive force distribution in the vertical direction
The magnetic layer having the property was formed stably.

【0054】[0054]

【発明の効果】上述した如き本発明の磁気記録媒体の製
造方法によれば、搬送支持される厚さ10μm〜200
μmの非磁性支持体よりなる連続ウェブ上にスパッタ成
膜される磁性層は、面内保磁力が高く、ウェブの搬送方
向と平行な方向及び垂直な方向の保磁力分布が均一であ
る良好な磁気特性を備える。そこで、下地層と磁性層と
の2層構成を備えた金属薄膜を高分子フィルムから成る
連続ウェブ上に成膜し、高記録密度、低ノイズ特性を有
するフレキシブルな薄膜型磁気記録媒体を得ることがで
きる。従って、フロッピィディスクの持つ耐衝撃性、可
搬性、軽量性などの特徴と、薄膜型磁気記録媒体の高記
録密度、低ノイズ特性とを共有した性能の磁気記録媒体
の実現が可能となる。
According to the method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention as described above, the thickness of the conveyed and supported 10 .mu.m to 200 .mu.m.
The magnetic layer formed by sputtering on a continuous web made of a non-magnetic support having a thickness of μm has a high in-plane coercive force and a uniform coercive force distribution in a direction parallel to and perpendicular to the transport direction of the web. It has magnetic properties. Therefore, a thin metal film having a two-layer structure of an underlayer and a magnetic layer is formed on a continuous web of a polymer film to obtain a flexible thin-film magnetic recording medium having high recording density and low noise characteristics. Can be. Therefore, it is possible to realize a magnetic recording medium having the characteristics of the floppy disk, such as impact resistance, portability, and light weight, and the high recording density and low noise characteristics of the thin-film magnetic recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の磁気記録媒体の製造装置に係る連続ス
パッタリング装置の一例を示す製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram showing an example of a continuous sputtering apparatus according to a magnetic recording medium manufacturing apparatus of the present invention.

【図2】実験1における支持体処理温度と面内保磁力と
の関係を示す分布図である。
FIG. 2 is a distribution diagram showing a relationship between a support processing temperature and an in-plane coercive force in Experiment 1.

【図3】実験2におけるCr膜形成時の支持体温度と面
内保磁力との関係を示す分布図である。
FIG. 3 is a distribution diagram showing a relationship between a support temperature and an in-plane coercive force when forming a Cr film in Experiment 2.

【図4】実験3におけるCo68Cr20Pt12膜形成時の
支持体温度と面内保磁力との関係を示す分布図である。
FIG. 4 is a distribution diagram showing the relationship between the support temperature and the in-plane coercive force when forming a Co 68 Cr 20 Pt 12 film in Experiment 3.

【図5】実験4におけるパラメータ(ti ×Pi )と面
内保磁力との関係を示す分布図である。
FIG. 5 is a distribution diagram showing a relationship between a parameter (t i × P i ) and an in-plane coercive force in Experiment 4.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 連続スパッタリング装置 2 送り出し軸 3 送り出し側パスローラ 4 送り出し側ダンサーローラ 5,35 メインドラム 6 巻取り側パスローラ 7 巻取り側ダンサーローラ 8 巻取り軸 9,29 スパッタリングターゲット 10,30 直流電源スパッタリング電源 11,31 スパッタリングターゲット 12,32 直流スパッタリング電源 13,33 スパッタリングカソード 14,34 スパッタリングカソード 15 スパッタ室 16 スパッタガス導入管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Continuous sputtering apparatus 2 Sending shaft 3 Sending side pass roller 4 Sending side dancer roller 5, 35 Main drum 6 Winding side pass roller 7 Winding side dancer roller 8 Winding shaft 9, 29 Sputtering target 10, 30 DC power source Sputtering power source 11, 31 Sputtering target 12, 32 DC sputtering power supply 13, 33 Sputtering cathode 14, 34 Sputtering cathode 15 Sputter chamber 16 Sputter gas introduction pipe

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 搬送支持される厚さ10μm〜200μ
mの非磁性支持体よりなる連続ウェブ上に、非磁性下地
層をスパッタ成膜した後、前記非磁性下地層上に面内磁
気異方性を有する磁性層をスパッタ成膜して成る磁気記
録媒体の製造方法において、 真空中を搬送される前記ウェブは、0.6×Tl≦Tv
≦Tl(但し、Tlは非磁性支持体の使用可能温度)の
範囲の支持体処理温度(Tv)で加熱処理された後、
0.5×Tl≦Tu≦Tlの範囲の支持体温度(Tu)
で加熱した状態で前記非磁性下地層がスパッタ成膜され
ると共に、前記非磁性下地層のスパッタ成膜に連続し
て、前記ウェブが0.4×Tl≦Tm≦Tlの範囲の支
持体温度(Tm)で加熱した状態で前記磁性層がスパッ
タ成膜されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
1. A thickness of 10 μm to 200 μm which is transported and supported.
A magnetic recording method comprising: forming a nonmagnetic underlayer by sputtering on a continuous web of a nonmagnetic support of m; and forming a sputtered magnetic layer having in-plane magnetic anisotropy on the nonmagnetic underlayer. In the method for producing a medium, the web conveyed in a vacuum is 0.6 × Tl ≦ Tv
After heat treatment at a support processing temperature (Tv) in the range of ≦ Tl (where Tl is the usable temperature of the non-magnetic support),
Support temperature (Tu) in the range of 0.5 × Tl ≦ Tu ≦ Tl
The non-magnetic underlayer is sputter-deposited in the state where the substrate is heated at a temperature in the range of 0.4 × Tl ≦ Tm ≦ Tl. The method for manufacturing a magnetic recording medium, wherein the magnetic layer is formed by sputtering while being heated at (Tm).
【請求項2】 前記非磁性下地層をスパッタ成膜した後
に前記磁性層をスパッタ成膜するまでの保持時間をti
(sec)、前記非磁性下地層をスパッタ成膜した後に
前記磁性層をスパッタ成膜するまで保持される空間の圧
力をPi (Torr)とすると、これら保持時間ti
び圧力Pi が、ti ×Pi ≦600の範囲に設定される
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体の製造方
法。
2. A holding time t i after forming the non-magnetic underlayer by sputtering until the magnetic layer is formed by sputtering.
(Sec) Assuming that a pressure in a space held until the magnetic layer is formed by sputtering after the nonmagnetic underlayer is formed by sputtering is P i (Torr), the holding time t i and the pressure P i are as follows: 2. The method according to claim 1, wherein t i × P i ≦ 600 is set.
【請求項3】 前記連続ウェブが、成膜ドラムに沿った
状態で搬送支持されると共に、該成膜ドラムで加熱され
ながら前記非磁性下地層及び前記磁性層をスパッタ成膜
されることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記録
媒体の製造方法。
3. The continuous web is transported and supported along a film forming drum, and the non-magnetic underlayer and the magnetic layer are formed by sputtering while being heated by the film forming drum. 3. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein:
【請求項4】 前記ウェブを真空中で搬送し、前記非磁
性下地層或いは前記磁性層をスパッタ成膜する時の張力
Ts(kgf/m)が、5≦Ts≦50の範囲に設定さ
れることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に
記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. The tension Ts (kgf / m) when the web is conveyed in a vacuum and the nonmagnetic underlayer or the magnetic layer is formed by sputtering is set in a range of 5 ≦ Ts ≦ 50. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4726930A (en) * 1983-10-01 1988-02-23 Toyo Soda Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for chromatographic analysis
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JP2020527195A (en) * 2017-07-21 2020-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Heat treatment equipment for vacuum chambers, deposition equipment for depositing materials on flexible substrates, heat treatment methods for flexible substrates in vacuum chambers, and methods for processing flexible substrates.

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