JPH1035008A - Image forming apparatus - Google Patents

Image forming apparatus

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Publication number
JPH1035008A
JPH1035008A JP19088696A JP19088696A JPH1035008A JP H1035008 A JPH1035008 A JP H1035008A JP 19088696 A JP19088696 A JP 19088696A JP 19088696 A JP19088696 A JP 19088696A JP H1035008 A JPH1035008 A JP H1035008A
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JP
Japan
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layer
type
image
semiconductor laser
image forming
Prior art date
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Application number
JP19088696A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Ueki
伸明 植木
Hiroki Otoma
広己 乙間
Akemi Murakami
朱実 村上
Yasuji Seko
保次 瀬古
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
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Publication of JPH1035008A publication Critical patent/JPH1035008A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a stable intermediate gradation image with high quality by a method wherein an optical means that introduces a plurality of light beams selectively outputted from a semiconductor laser element to an image forming face of a photosensitive body so as to form one pixel thereby is provided and an electrostatic latent image is formed on the face of the photosensitive body in accordance with image information. SOLUTION: A lower clad layer 2 consisting of n type Al0.6 Ga0.4 As is formed on an n type Ga As substrate 1. A quantum well active layer 3 consisting of an undoped Al0.11 Ga0.89 quantum well layer and an Al0.3 Ga0.7 As barrier layer, an upper clad layer 4 consisting of a p type Al0.6 Ga0.4 As barrier layer and p type GaAs contact layer 5 are sequentially laminated thereon. A high resistance region 6 is partially formed by injecting proton in order to limit an emission area. A p type electrode 7 having two layer structure of Cr and Au is formed on a portion above each of the emission section an n type electrode 8 having two layer structure of Au-Ge and Au is formed on the rear face thereof. As a result, it is possible to obtain the high resolution image with high quality.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、走査型画像形成装
置に係り、特に、レーザプリンタ、レーザビーム複写機
など、感光体面上を露光走査して画像を形成する装置に
使用され、特に1画素単位で露光領域の面積を可変に
し、階調記録を可能にする走査型画像形成装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning type image forming apparatus, and more particularly to a scanning type image forming apparatus such as a laser printer or a laser beam copying machine which forms an image by exposing and scanning a photosensitive member surface. The present invention relates to a scanning type image forming apparatus in which the area of an exposure region can be changed in units to enable gradation recording.

【0002】[0002]

【従来の技術】階調表現のなされた画像情報をディザ法
により処理し、複数のレーザ発生源からのレーザ光を感
光体面上にビームスポットとして集光することにより結
像光学系とを具備し、1画素を複数のスポットにより形
成するビーム記録を行う複写装置が提案されている(特
開昭63ー173074号)。この装置では、図11に
示すように複数の半導体レーザ素子を1列に配列したレ
ーザ発生源101と、このレーザ発生源から放射された
複数のレーザ光を集光レンズ102により平行ビームと
して、回転多面鏡103とfθレンズ104により感光
体105上に結像させ、露光走査を行う。また、レーザ
光の一部を反射鏡106を用いて光検出器107へ導
き、露光走査のための画像書き出しタイミングを決定す
る。
2. Description of the Related Art An image forming optical system is provided by processing image information on which gradation is expressed by a dither method, and condensing laser beams from a plurality of laser sources as beam spots on a photosensitive member surface. 2. Description of the Related Art A copying apparatus for performing beam recording in which one pixel is formed by a plurality of spots has been proposed (JP-A-63-173074). In this apparatus, as shown in FIG. 11, a laser source 101 in which a plurality of semiconductor laser elements are arranged in a line, and a plurality of laser beams emitted from the An image is formed on the photoconductor 105 by the polygon mirror 103 and the fθ lens 104, and exposure scanning is performed. In addition, a part of the laser light is guided to the photodetector 107 by using the reflecting mirror 106, and an image writing timing for exposure scanning is determined.

【0003】このように構成された従来の走査型画像形
成装置では、複数のビームを用いて1画素の濃度を変
え、階調表現を行うから、点灯時間を変える方式(パル
ス幅変調方式)と組み合わせることで、記録スピードを
早くしても階調数をあげると共に、解像度を向上させる
ことができるとしている。
In the conventional scanning image forming apparatus configured as described above, since the density of one pixel is changed by using a plurality of beams and gradation expression is performed, a method of changing a lighting time (pulse width modulation method). It is stated that the combination can increase the number of gradations and improve the resolution even when the recording speed is increased.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な走査型画像形成装置では、複数のビームスポットを1
画素内に閉じこめるという要請から、レーザアレイの出
射点間隔に応じて結像光学系の集光倍率を一意的に決め
る必要がある。ところがこの場合集光倍率を、画素の大
きさに合わせてあらかじめ調整しておかなければならな
い。これら3者の組み合わせによっては画素内に隙間が
出来たり、適用可能な画素密度に限界が生じたりする恐
れがある。またレーザ素子や光学系は熱、振動などによ
って経時的変化を生じるから、初期設定が半永久的に保
持される保証はない。
However, in such a scanning type image forming apparatus, a plurality of beam spots are set to one.
Due to the requirement of being confined within a pixel, it is necessary to uniquely determine the light-converging magnification of the imaging optical system according to the emission point interval of the laser array. However, in this case, the light collection magnification must be adjusted in advance according to the size of the pixel. Depending on the combination of these three, there is a possibility that a gap may be formed in the pixel or that the applicable pixel density may be limited. In addition, since the laser element and the optical system change over time due to heat, vibration, and the like, there is no guarantee that the initial settings will be maintained semi-permanently.

【0005】このように従来型の走査型画像形成装置は
初期設定のマージンが小さく手間がかかることに加え、
経時的な変化によっても画質の低下が懸念され、装置実
現の大きな障害となっていた。
[0005] As described above, the conventional scanning image forming apparatus has a small initial setting margin and is troublesome.
There is a concern that the image quality may be deteriorated due to a change over time, which has been a major obstacle to realizing the apparatus.

【0006】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、安定で高画質の中間調画像を得ることのできる画像
形成装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an image forming apparatus capable of obtaining a stable and high-quality halftone image.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、複数
の光ビームを取り出すことができるように構成された半
導体レーザで1画素を構成し、これらの光ビームの内任
意の数の光ビームを取り出すことができるように構成
し、階調表現を可能にしたことを特徴とする。
Therefore, according to the present invention, one pixel is constituted by a semiconductor laser configured to extract a plurality of light beams, and an arbitrary number of these light beams are formed. It is characterized in that it is constructed so that it can be taken out and that gradation expression is made possible.

【0008】すなわち本発明の第1の特徴は、複数の光
ビームを独立して出力することができるように構成され
た半導体レーザ素子と、画像情報に応じて前記半導体レ
ーザ素子から選択的に出力された複数の光ビームによっ
て1画素を構成するように、感光体の画像形成面まで導
く光学手段とを具備し、前記画像情報に応じて、感光体
面上に静電潜像を形成するようにしたことにある。
That is, a first feature of the present invention is that a semiconductor laser device configured to be capable of independently outputting a plurality of light beams, and selectively output from the semiconductor laser device according to image information. Optical means for guiding to the image forming surface of the photoconductor so that one pixel is constituted by the plurality of light beams thus formed, and an electrostatic latent image is formed on the photoconductor surface in accordance with the image information. I did it.

【0009】本発明の第2の特徴は、複数の光ビームを
独立して出力することができるように構成された半導体
レーザ素子を多数個アレイ状に配列してなる光源部と、
画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって1画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、
前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことにある。
A second feature of the present invention is that a light source section includes a large number of semiconductor laser elements arranged in an array so as to be capable of independently outputting a plurality of light beams;
Optical means for guiding to an image forming surface of a photoreceptor so as to constitute one pixel by a plurality of light beams selectively output from the semiconductor laser element according to image information,
According to another aspect of the present invention, an electrostatic latent image is formed on the photoconductor surface in accordance with the image information.

【0010】上記構成によれば、画素幅に対応した光ス
ポットによって1画素単位で感光体面上の露光領域の面
積を変化させることが容易に可能となり、これによって
安定して高画質の階調表現を行うことが可能となる。
According to the above arrangement, it is possible to easily change the area of the exposure area on the surface of the photoreceptor in units of one pixel by the light spot corresponding to the pixel width, thereby stably expressing a high quality gradation. Can be performed.

【0011】なお前記構成によれば、複数の光ビームの
中心間距離が最大でも1画素の幅より大きくならないよ
うに構成され、画像データに応じて前記複数本の光ビー
ムの内、任意の数の光ビームを選択することにより、露
光領域の面積を可変にすることができ、階調表現を良好
に行うようにしている。
According to the above arrangement, the distance between the centers of the plurality of light beams is configured not to be larger than the width of one pixel at a maximum, and an arbitrary number of the plurality of light beams is selected according to image data. By selecting this light beam, the area of the exposure region can be made variable, and good gradation expression can be achieved.

【0012】又、複数の半導体レーザ素子をアレイ状に
配列して光源を形成し、感光体幅分の露光領域を形成す
ることができるようにすれば、副走査方向での機械的走
査が不要となり、容易に高精度の中間調画像を形成する
ことが可能となる。又この光源は1枚の基板上に一体的
に形成され一方の電極のみを分割電極として形成するよ
うにすれば、小型で製造が容易でかつ信頼性の高い光源
を得ることが可能となる。さらにまた、複数のビームス
ポットを1画素内に導く際、元々の光源の光スポット間
隔を画素幅に合わせ、等倍率の結像光学系を用いて実現
することができ、スポット系や結像光学系の集光倍率
を、画素の大きさに合わせて調整する初期設定の手間を
大幅に簡略化することが可能となる。また機械的な走査
駆動系を用いなくてもよいため、振動などに起因する経
時的な光学系の変化に対しても、影響を受けにくく安定
で再現性の高い階調表現を行うことが可能となる。
In addition, if a plurality of semiconductor laser elements are arranged in an array to form a light source so that an exposure area corresponding to the width of the photoreceptor can be formed, mechanical scanning in the sub-scanning direction is unnecessary. Thus, a high-precision halftone image can be easily formed. If this light source is formed integrally on one substrate and only one of the electrodes is formed as a divided electrode, it is possible to obtain a light source that is small, easy to manufacture, and highly reliable. Furthermore, when guiding a plurality of beam spots into one pixel, the light spot interval of the original light source can be adjusted to the pixel width and realized by using an imaging optical system of the same magnification. It is possible to greatly simplify the work of initial setting for adjusting the light collection magnification of the system according to the size of the pixel. In addition, since there is no need to use a mechanical scanning drive system, it is possible to perform stable and highly reproducible gradation expression that is not easily affected by changes in the optical system over time due to vibration or the like. Becomes

【0013】なお、このような半導体レーザ素子を走査
光学系の光源として用い、半導体レーザ素子の光を走査
することにより、感光体上に静電潜像を順次形成してい
くようにしてもよい。
[0013] It should be noted that such a semiconductor laser element may be used as a light source of a scanning optical system, and an electrostatic latent image may be sequentially formed on the photosensitive member by scanning the light of the semiconductor laser element. .

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しつつ説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1は本発明の第1の実施例の画像形成装
置に用いられる分割ストライプ型半導体レーザ装置を示
す断面説明図である。
FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a divided stripe type semiconductor laser device used in an image forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【0016】この分割ストライプ型半導体レーザ装置
は、n型ガリウムヒ素(GaAs)基板1上に形成され
たn型のAl0.6Ga0.4Asからなる下部クラッド層2
と、この下部クラッド層2上に形成されたアンドープの
Al0.11Ga0.89量子井戸層とアンドープのAl0.3
0.7As障壁層とからなる量子井戸活性層3と、p型
のAl0.6Ga0.4Asからなる上部クラッド層4と、p
型GaAsコンタクト層5が順次積層せしめられ、発光
個所を限定するためにプロトン注入により高抵抗領域6
が部分的に形成されている。そしてプロトン注入を施さ
なかった個所の下方の活性領域が発光部となる。また各
々の発光部の上方には、活性層に電流を注入するために
複数に分割形成されたCr/Auの2層構造からなるp
側電極7が形成され、裏面にはAu−Ge/Auの2層
構造からなるn側電極8が形成されている。
This split stripe type semiconductor laser device comprises a lower cladding layer 2 made of n-type Al 0.6 Ga 0.4 As formed on an n-type gallium arsenide (GaAs) substrate 1.
And an undoped Al 0.11 Ga 0.89 quantum well layer formed on the lower cladding layer 2 and an undoped Al 0.3 G
a quantum well active layer 3 comprising an a 0.7 As barrier layer; an upper cladding layer 4 comprising p-type Al 0.6 Ga 0.4 As;
Type GaAs contact layers 5 are sequentially laminated, and the high-resistance regions 6
Are partially formed. The active region below the portion where the proton injection was not performed becomes the light emitting portion. Above each light-emitting portion, a p-layer having a two-layer structure of Cr / Au divided into a plurality of portions for injecting current into the active layer is formed.
A side electrode 7 is formed, and an n-side electrode 8 having a two-layer structure of Au—Ge / Au is formed on the back surface.

【0017】ここでは、3つの発光点で1画素を形成す
るように構成されており、1画素の幅は装置に要求され
る画素密度によって決り、例えば画素密度1200dp
iではこの幅が21.17μmとなり、従って3つの発
光点間隔は約7μmとする必要がある。
Here, one pixel is formed by three light emitting points, and the width of one pixel is determined by the pixel density required for the device. For example, the pixel density is 1200 dp.
In i, the width is 21.17 μm, and therefore, the interval between the three light emitting points needs to be about 7 μm.

【0018】次に、このレーザ装置の動作について説明
する。この装置では図2に示すように3つの分割電極7
A,7B,7Cに対応する発光点を選択することによ
り、露光領域の面積を変化させることが可能となり、4
階調を得ることができるものである。この発光点の選択
とそれによって得られる発光パターンとの関係を表1に
示す。
Next, the operation of the laser device will be described. In this device, as shown in FIG.
By selecting the light emitting points corresponding to A, 7B, and 7C, the area of the exposure region can be changed.
A gradation can be obtained. Table 1 shows the relationship between the selection of the light emitting point and the light emitting pattern obtained thereby.

【0019】この電極に一定の電圧を印加することによ
って対応するレーザを駆動することができる。
By applying a constant voltage to this electrode, a corresponding laser can be driven.

【0020】 ここでON/しきい値電流以上,OFF/しきい値電流
以下 この図にあるパターン1からパターン3に加えていずれ
のレーザも駆動させない場合を加えて4通りの発光パタ
ーンを得ることができる。
[0020] In this case, four types of light emission patterns can be obtained by adding the case where none of the lasers is driven in addition to the patterns 1 to 3 shown in FIG.

【0021】この光を結像光学系を用いて感光体面上に
導入することで露光領域の面積を変化させることが可能
となり、画像形成において4階調を得ることができるこ
とになる。
By introducing this light onto the photoreceptor surface using an imaging optical system, the area of the exposure region can be changed, and four gradations can be obtained in image formation.

【0022】実際の感光ドラム24面上での露光の状態
を図3に示す。画素区画28には前述した4つのパター
ンでレーザスポット27が照射され、露光がなされる。
なおこの画素区画28は仮想的なものである。
FIG. 3 shows the actual state of exposure on the surface of the photosensitive drum 24. The pixel section 28 is irradiated with the laser spot 27 in the above-described four patterns, and is exposed.
Note that this pixel section 28 is virtual.

【0023】次にこの分割ストライプ型半導体レーザ装
置の製造工程について説明する。
Next, a description will be given of a manufacturing process of the divided stripe type semiconductor laser device.

【0024】まず、図4に示すように、有機金属気相成
長(MOCVD)法により、n型ガリウムヒ素(GaA
s)(100)基板1上に、n型のAl0.6Ga0.4As
からなる下部クラッド層2と、アンドープのAl0.11
0.89量子井戸層とアンドープのAl0.3Ga0.7As障
壁層とからなる量子井戸活性層3と、 p型のAl0.6
0.4Asからなる上部クラッド層4と、 p型GaAs
コンタクト層5とを順次積層する。そして基板を成長室
から取出し、レジストを塗布しフォトリソグラフィ技術
により、図5に示すように、レジストマスク9を形成す
る。そしてこのレジストマスク9を介してプロトン注入
を行いp型の上部クラッド層4半ばまで到達するように
高抵抗領域6を形成する。この後再びフォトレジスト1
0を塗布し、一旦有機系溶剤の一種であるモノクロロベ
ンゼン中に基板を浸すことにより、レジスト10の表面
の一部を硬化せしめ、図6に示すように硬化部分11を
形成する。
First, as shown in FIG. 4, n-type gallium arsenide (GaAs) is formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
s) On the (100) substrate 1, an n-type Al 0.6 Ga 0.4 As
Lower cladding layer 2 of undoped Al 0.11 G
a quantum well active layer 3 comprising an a 0.89 quantum well layer and an undoped Al 0.3 Ga 0.7 As barrier layer; and a p-type Al 0.6 G
an upper cladding layer 4 made of a 0.4 As and p-type GaAs
The contact layers 5 are sequentially laminated. Then, the substrate is taken out of the growth chamber, a resist is applied, and a resist mask 9 is formed by photolithography as shown in FIG. Then, proton implantation is performed through the resist mask 9 to form the high-resistance region 6 so as to reach the middle of the p-type upper cladding layer 4. After that, the photoresist 1 again
Then, the substrate is once immersed in monochlorobenzene, which is a kind of organic solvent, to harden a part of the surface of the resist 10 and form a hardened portion 11 as shown in FIG.

【0025】そしてこの後図7に示すように、フォトリ
ソグラフィを行いレジストパターンを形成することによ
り硬化部分がエッチングされにくく、表面に傘状の部分
12を有するレジストパターン10が得られる。
Then, as shown in FIG. 7, the resist pattern is formed by photolithography, whereby the hardened portion is hardly etched, and a resist pattern 10 having an umbrella-shaped portion 12 on the surface is obtained.

【0026】この後、図8に示すように、この上層に電
子ビーム蒸着法により、Cr/Auからなるp側電極7
を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 8, a p-side electrode 7 made of Cr / Au is formed on the upper layer by electron beam evaporation.
To form

【0027】そしてリフトオフによりレジストパターン
10を除去し図9に示すように表面に分割電極7A、7
B、7Cを形成する。さらに、裏面には一体的にAu−
Ge/Auからなるn側電極8を形成する。
Then, the resist pattern 10 is removed by lift-off, and as shown in FIG.
B and 7C are formed. Furthermore, the back side is integrally Au-
An n-side electrode 8 made of Ge / Au is formed.

【0028】このようにして得られたレーザ基板をへき
開してキャビティを形成しヒートシンクモジュールなど
にダイボンディングすれば、端面発光タイプの分割スト
ライプ型半導体レーザ素子を得ることができる。
The laser substrate thus obtained is cleaved to form a cavity and die-bonded to a heat sink module or the like to obtain an edge-emitting type split stripe type semiconductor laser device.

【0029】このようにして形成された分割ストライプ
型半導体レーザ装置を用いた走査型画像形成装置につい
て説明する。この装置は図10(a)および(b)にそれぞれ
側面図および平面図を示すように、前述した半導体レー
ザ素子21の出射端の先にレーザビーム25のスポット
径を制御するスリット22を配設し、結像レンズ23を
介してレーザビーム25を感光体ドラム24に導くよう
に構成されている。
A scanning type image forming apparatus using the divided stripe type semiconductor laser device thus formed will be described. In this apparatus, a slit 22 for controlling the spot diameter of a laser beam 25 is provided at the end of the emitting end of the semiconductor laser element 21 as shown in a side view and a plan view in FIGS. The laser beam 25 is guided to the photosensitive drum 24 via the imaging lens 23.

【0030】この装置では半導体レーザ素子21は感光
体ドラム24の横幅の長さに相当する発光領域を有する
から、結像レンズ23の倍率は等倍でよい。また、端面
発光型レーザを用いた場合、感光体ドラム面での光スポ
ット形状は主走査方向が長手方向となる楕円になり、階
調を表現するのに必ずしも適当出ないから、スリット2
2をつかって副走査方向に長手方向を有する楕円に変換
しておくとよい。
In this apparatus, since the semiconductor laser element 21 has a light emitting area corresponding to the width of the photosensitive drum 24, the magnification of the imaging lens 23 may be the same. When an edge-emitting laser is used, the light spot shape on the photosensitive drum surface becomes an ellipse whose longitudinal direction is the main scanning direction, which is not necessarily suitable for expressing gradation.
It is preferable to convert to an ellipse having a longitudinal direction in the sub-scanning direction by using 2.

【0031】感光体ドラムの有効幅を297mmとすれ
ば,1200dpiの画素密度で1画素に対して3スポ
ットを対応させて書き込みを行う場合、素子全体のスポ
ット数は必ずしもすべてのスポットを同時に光らせる必
要はないから、例えば1画素のための3スポットの駆動
を走査方向へ順次移動させていくようにしてもよい。な
お、前記実施例では各半導体層は有機金属気相成長法で
形成したが、これに限定されることなく分子線エピタキ
シー(MBE)法などによっても良い。
Assuming that the effective width of the photosensitive drum is 297 mm, when writing is performed with three spots corresponding to one pixel at a pixel density of 1200 dpi, the number of spots on the entire element is not necessarily required to light all the spots simultaneously. Therefore, for example, driving of three spots for one pixel may be sequentially moved in the scanning direction. In the above embodiment, each semiconductor layer is formed by metal organic chemical vapor deposition. However, the present invention is not limited to this, and molecular beam epitaxy (MBE) may be used.

【0032】また、前記実施例では、量子井戸活性層を
構成する材料としてGaAs/AlGaAs系半導体を
用いたが、これに限定されることなく、例えば量子井戸
活性層にGaInP/AlGaInP系半導体を用いる
ことも可能である。画像形成のために用いられるレーザ
の波長は感光体ドラムの波長特性によって決まり、通常
は880nm以下の波長の光が用いられる。 また、本
発明の第2の実施例として、図1に示したような半導体
レーザ素子または半導体レーザ素子アレイを走査光学系
の光源として用い、図11に示した構成で用いることが
可能である事はいうまでもない。
In the above-described embodiment, a GaAs / AlGaAs-based semiconductor is used as a material for forming the quantum well active layer. However, the material is not limited to this. For example, a GaInP / AlGaInP-based semiconductor is used for the quantum well active layer. It is also possible. The wavelength of the laser used for image formation is determined by the wavelength characteristics of the photosensitive drum, and usually, light having a wavelength of 880 nm or less is used. Further, as a second embodiment of the present invention, the semiconductor laser device or the semiconductor laser device array as shown in FIG. 1 can be used as a light source of a scanning optical system and can be used in the configuration shown in FIG. Needless to say.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、高解像度で高品質の画像を得ることが可能となる。
As described above, according to the present invention, a high-resolution and high-quality image can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明実施例の分割ストライプ型半導体レーザ
装置を示す図
FIG. 1 is a diagram showing a divided stripe type semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同半導体レーザ装置の動作例を示す図FIG. 2 is a diagram showing an operation example of the semiconductor laser device.

【図3】同半導体レーザ装置を用いて1画素を形成する
ための方法を示す説明図
FIG. 3 is an explanatory view showing a method for forming one pixel by using the semiconductor laser device.

【図4】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図5】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図6】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図7】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 7 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図8】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 8 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図9】同半導体レーザ装置の製造工程図FIG. 9 is a manufacturing process diagram of the semiconductor laser device.

【図10】本発明実施例の分割ストライプ型半導体レー
ザ装置を用いた画像形成装置を示す説明図
FIG. 10 is an explanatory view showing an image forming apparatus using the divided stripe type semiconductor laser device according to the embodiment of the present invention;

【図11】画像形成装置を示す図FIG. 11 illustrates an image forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 n型ガリウムひ素(GaAs)基板 2 n型下部クラッド層 3 量子井戸活性層 4 p型上部クラッド層 5 p型GaAsコンタクト層 6 高抵抗領域 7 p側電極 8 n側電極 9 レジストマスク 10 レジストマスク 11 硬化部分 12 レジストの傘部 Reference Signs List 1 n-type gallium arsenide (GaAs) substrate 2 n-type lower cladding layer 3 quantum well active layer 4 p-type upper cladding layer 5 p-type GaAs contact layer 6 high-resistance region 7 p-side electrode 8 n-side electrode 9 resist mask 10 resist mask 11 hardened part 12 resist umbrella

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬古 保次 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yasuji Seko 430 Sakai, Nakai-cho, Ashigara-gun, Kanagawa Green Tech Nakai Inside Fuji Xerox Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の光ビームを独立して出力すること
ができるように構成された半導体レーザ素子と、 画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって1画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、 前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことを特徴とする画像形成装置。
A semiconductor laser device configured to independently output a plurality of light beams; and a plurality of light beams selectively output from the semiconductor laser device according to image information. Image forming means for forming pixels, wherein an optical means for guiding to an image forming surface of the photoconductor is provided, and an electrostatic latent image is formed on the photoconductor surface in accordance with the image information. apparatus.
【請求項2】 複数の光ビームを独立して出力すること
ができるように構成された半導体レーザ素子を多数個ア
レイ状に配列してなる光源部と、 画像情報に応じて前記半導体レーザ素子から選択的に出
力された複数の光ビームによって1画素を構成するよう
に、感光体の画像形成面まで導く光学手段とを具備し、 前記画像情報に応じて、感光体面上に静電潜像を形成す
るようにしたことを特徴とする画像形成装置。
2. A light source unit comprising a large number of semiconductor laser elements arranged so as to be capable of independently outputting a plurality of light beams, and a light source unit comprising: Optical means for guiding to the image forming surface of the photoreceptor so that one pixel is constituted by a plurality of light beams selectively output, and an electrostatic latent image is formed on the photoreceptor surface according to the image information. An image forming apparatus characterized in that it is formed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7742067B2 (en) 2007-05-14 2010-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having a exposure control unit capable of changing an exposure ratio between a first exposure ratio and a second exposure ratio different from the first exposure ratio when a first exposure unit or second exposure unit exposes an image carrier on the basis of image data for forming an image with a certain density

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7742067B2 (en) 2007-05-14 2010-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus having a exposure control unit capable of changing an exposure ratio between a first exposure ratio and a second exposure ratio different from the first exposure ratio when a first exposure unit or second exposure unit exposes an image carrier on the basis of image data for forming an image with a certain density

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