JPH10340935A - Checking apparatus - Google Patents

Checking apparatus

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JPH10340935A
JPH10340935A JP9149231A JP14923197A JPH10340935A JP H10340935 A JPH10340935 A JP H10340935A JP 9149231 A JP9149231 A JP 9149231A JP 14923197 A JP14923197 A JP 14923197A JP H10340935 A JPH10340935 A JP H10340935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
unit
inspection apparatus
stage
learning
Prior art date
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Pending
Application number
JP9149231A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshimitsu Mugibayashi
利光 麦林
Sanenori Katayama
実紀 片山
Yoko Miyazaki
陽子 宮▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP9149231A priority Critical patent/JPH10340935A/en
Publication of JPH10340935A publication Critical patent/JPH10340935A/en
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  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a checking apparatus which automatically checks defects without fail and with efficiency. SOLUTION: A wafer 2 which has defects and for which the approximate positions of the defects which have been grasped by a preliminary checking machine 8, is placed on a stage 1. A learning unit 11c commands a stage controller 6 to have the wafer 2 moved, so that the defect is brought into focus by a camera 3 for picking up the defects. The move and the magnification increase of the camera 3 are performed alternately to correct the position of the defect with accuracy. With respect to the defects whose positions have been corrected with high accuracy, analysis of components is conducted by an analyzer 12, and laser works are conducted by a processor 16. The images obtained by the camera 3, the results of the component analysis and the effects, if any of the laser processes, are correspondingly learned by the learning unit 11c. Based on the results of the learning, the learning unit 11c determines whether to perform the component analysis and the laser works with respect to new defect that exists on the wafer 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板に存在
する欠陥の検査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for inspecting a defect on a semiconductor substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイス又はディスプレイ基板等
の欠陥を検査する前には、まず欠陥の存在する位置を知
らなければならない。この位置に基づいて観察、分析又
は断面の加工等を行うことによって、欠陥の検査がなさ
れる。
2. Description of the Related Art Before inspecting a defect in a semiconductor device or a display substrate, it is necessary to know a position where the defect exists. Defect inspection is performed by performing observation, analysis, cross section processing, or the like based on this position.

【0003】欠陥の位置は、従来の検査装置によって探
索され情報として出力される。断面の加工等を行う場合
には、欠陥の位置に関する情報は正確でなければならな
い。しかし、従来の検査装置によって得られる情報は正
確性に欠けている。そこで、情報によって示されている
位置を中心に、手動で実際の欠陥の位置を探さねばなら
なかった。
The position of a defect is searched for by a conventional inspection device and output as information. When processing a cross section or the like, information on the position of a defect must be accurate. However, information obtained by the conventional inspection apparatus lacks accuracy. Therefore, it was necessary to manually find the position of the actual defect around the position indicated by the information.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】手動によって欠陥の位
置を探すことは非常に手間及び時間のかかる作業であ
り、検査の効率が悪くなってしまうという問題点があ
る。また、検査の効率が悪いために、検査を行うことが
できる製品の数が限られてしまう。これによって、開発
試作品又は製作治具等の特に重要である製品のみしか検
査することができず、販売目的又は使用目的の為に量産
される製品に対して欠陥の検査を行うことができないと
いう制約を受けるという問題点がある。
Searching for the position of a defect manually is a very laborious and time-consuming operation, and has the problem that the inspection efficiency is reduced. In addition, the number of products that can be inspected is limited due to poor inspection efficiency. As a result, only products that are particularly important, such as development prototypes or manufacturing jigs, can be inspected, and defects cannot be inspected for products mass-produced for sale or use. There is a problem of being restricted.

【0005】本発明は以上の問題点に鑑み、欠陥を自動
的に、確実且つ効率良く検査する検査装置を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an inspection apparatus for automatically, reliably and efficiently inspecting for defects.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の検査装
置は、被検査体である半導体基板が有する欠陥の位置を
抽出する抽出手段と、前記欠陥の拡大及び観察を行う観
察手段と、抽出された前記位置を前記観察手段の観察視
野に収める収納動作を、前記半導体基板と該観察手段と
の相対的な移動によって、前記拡大に並行して遂行する
制御手段と、前記相対的な移動の学習を行い、学習済の
該相対的な移動を新たな欠陥に対して再現することを前
記制御手段に指示する学習手段とを備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an inspection apparatus for extracting a position of a defect of a semiconductor substrate to be inspected, an observation unit for enlarging and observing the defect, Control means for performing, in parallel with the enlargement, a housing operation for storing the extracted position in the observation field of view of the observation means by relative movement between the semiconductor substrate and the observation means; And learning means for instructing the control means to reproduce the learned relative movement for a new defect.

【0007】請求項2に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記学習は、前記相対的な移
動の向き及び量を記憶することによってなされる。
According to a second aspect of the present invention, in the inspection apparatus according to the first aspect, the learning is performed by storing a direction and an amount of the relative movement.

【0008】請求項3に記載の検査装置は、請求項2に
記載の検査装置であって、前記向き及び前記量は、前記
検査装置の電源が切られているときにも続けて記憶され
る。
According to a third aspect of the present invention, in the inspection apparatus according to the second aspect, the orientation and the amount are continuously stored even when the power of the inspection apparatus is turned off. .

【0009】請求項4に記載の検査装置は、請求項1、
請求項2または請求項3に記載の検査装置であって、前
記欠陥の成分を分析して分析結果を得る分析手段を更に
備え、前記観察手段は、前記欠陥の画像情報を取り込
み、前記学習手段は、前記分析結果と前記画像情報との
対応付けによる学習に基づき、新たな画像情報を与える
前記新たな欠陥の種別を判別し、前記新たな欠陥に対し
て前記分析手段が稼動するか否かを決定する。
[0009] The inspection apparatus according to the fourth aspect is characterized in that:
4. The inspection apparatus according to claim 2, further comprising an analysis unit that analyzes a component of the defect to obtain an analysis result, wherein the observation unit captures image information of the defect, and the learning unit. Determines the type of the new defect that provides new image information based on learning by associating the analysis result with the image information, and determines whether the analysis unit operates on the new defect. To determine.

【0010】請求項5に記載の検査装置は、請求項4に
記載の検査装置であって、前記新たな欠陥の補修を行う
補修手段を更に備え、前記学習手段は、前記対応付けに
よって判別された前記種別に応じて、前記補修手段が稼
動するか否かを決定する。
The inspection apparatus according to a fifth aspect is the inspection apparatus according to the fourth aspect, further comprising repair means for repairing the new defect, wherein the learning means is determined by the association. It is determined whether or not the repair means operates according to the type.

【0011】請求項6に記載の検査装置は、請求項5に
記載の検査装置であって、前記半導体基板はディスプレ
イ用の基板である。
According to a sixth aspect of the present invention, in the inspection apparatus of the fifth aspect, the semiconductor substrate is a display substrate.

【0012】請求項7に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記抽出手段と前記観察手段
とは、互いに別個であり、前記半導体基板は、前記半導
体基板における相対的な位置の基準となる第1及び第2
のポインタそれぞれの位置である第1及び第2の位置を
前記抽出手段によって抽出され、前記第1及び第2の位
置を前記抽出手段によって抽出された後に、前記制御手
段によって動きを制御されるステージ上に載置され、前
記観察手段は、前記ステージ上に載置された前記半導体
基板に関して、前記第1及び第2の位置を抽出し、前記
学習手段は、前記半導体基板が前記ステージ上に正しく
載置されている場合の仮想的な前記第1及び第2の位置
と、前記観察手段によって抽出された前記第1及び第2
の位置とをそれぞれ比較することによって、該半導体基
板と該ステージとの位置関係のズレを認識し、前記ズレ
が解消される前記ステージの移動を前記制御手段に指示
する。
According to a seventh aspect of the present invention, in the inspection apparatus according to the first aspect, the extracting means and the observing means are separate from each other, and the semiconductor substrate is a counterpart of the semiconductor substrate. 1st and 2nd which become the reference of the general position
A stage whose movement is controlled by the control means after the first and second positions, which are the respective positions of the pointers, are extracted by the extraction means, and the first and second positions are extracted by the extraction means. Mounted on the stage, the observation unit extracts the first and second positions with respect to the semiconductor substrate mounted on the stage, and the learning unit corrects the semiconductor substrate on the stage. The virtual first and second positions when mounted, and the first and second positions extracted by the observation means.
By comparing the positions with each other, a shift in the positional relationship between the semiconductor substrate and the stage is recognized, and the control unit is instructed to move the stage in which the shift is eliminated.

【0013】請求項8に記載の検査装置は、請求項1に
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記欠陥が
前記観察視野内にて観察不可能であることを検知する
と、前記観察手段には倍率の引き下げを指示し、前記制
御手段には、前記半導体基板における相対的な位置の基
準となるポインタが前記引き下げ後の前記観察視野に収
納されることを指示し、前記観察手段は、前記観察視野
に収納された前記ポインタの位置である基準位置を抽出
し、前記学習手段は、前記抽出手段によって得られてい
る前記ポインタの位置と前記欠陥の位置との間の相対的
な位置の分の移動を、前記基準位置を始点として行うこ
とを前記制御手段に指示する。
An inspection apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the inspection apparatus according to the first aspect, wherein the learning unit detects that the defect cannot be observed in the observation visual field. The observation means is instructed to reduce the magnification, and the control means is instructed that a pointer serving as a reference for a relative position on the semiconductor substrate is stored in the observation field of view after the reduction, Extracts a reference position that is the position of the pointer stored in the observation field of view, and the learning unit sets a relative position between the position of the pointer and the position of the defect obtained by the extraction unit. The control unit is instructed to move the position by the reference position starting from the reference position.

【0014】請求項9に記載の検査装置は、請求項8に
記載の検査装置であって、前記学習手段は、前記基準位
置が抽出された後であり、前記基準位置を始点として前
記相対的な位置の分の移動を行うことを指示するよりも
前に、前記観察手段に前記倍率の引き上げを指示する。
According to a ninth aspect of the present invention, in the inspection apparatus according to the eighth aspect, the learning means is configured to extract the reference position after the reference position is extracted, and to set the relative position starting from the reference position. Before instructing to perform a movement of a certain position, the observation means is instructed to increase the magnification.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.本実施の形態においては、欠陥を自動的
に検査する検査装置の構成を示す。図1は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
本実施の形態の検査装置は、ウェーハ2が有する表面的
な又は内部的な欠陥の有無の検査を散乱光を用いて行う
装置である。図2は、本実施の形態の検査装置の処理動
作を順に例示するフローチャートである。欠陥の検査
は、ステップS1において開始される。
Embodiment 1 FIG. In the present embodiment, a configuration of an inspection apparatus for automatically inspecting for defects is shown. FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an inspection device according to the present embodiment.
The inspection apparatus of the present embodiment is an apparatus that inspects the presence or absence of a superficial or internal defect of the wafer 2 using scattered light. FIG. 2 is a flowchart sequentially illustrating processing operations of the inspection device of the present embodiment. The defect inspection is started in step S1.

【0016】次にステップS2において、被検査体であ
るウェーハ2の欠陥の位置を表す座標を抽出する。本実
施の形態の検査装置には図1に例示されるように、ウェ
ーハ2の欠陥の位置に関する座標を抽出する、予備検査
機8が備えられている。まず、検査者自身がウェーハ2
を予備検査機8へと持ち込む。予備検査機8は周知の構
成をしており、持ち込まれたウェーハ2に存在する欠陥
を自動的に捜し当て、欠陥の座標を抽出する。存在する
欠陥が複数である場合にも、全ての欠陥に関して座標の
抽出が行われる。
Next, in step S2, coordinates representing the position of a defect on the wafer 2 as an object to be inspected are extracted. As illustrated in FIG. 1, the inspection apparatus according to the present embodiment includes a preliminary inspection machine 8 that extracts coordinates relating to the position of a defect on the wafer 2. First, the inspector himself has the wafer 2
To the preliminary inspection machine 8. The preliminary inspection machine 8 has a well-known configuration, and automatically searches for a defect existing in the brought wafer 2 and extracts the coordinates of the defect. Even when there are a plurality of defects, coordinates are extracted for all the defects.

【0017】抽出された座標は、座標用信号線9を介し
て学習部11へと伝達され、学習部11に備わる図示を
省略されている記憶回路において保持される。予備検査
機8による座標の抽出が完了された後に、検査者はウェ
ーハ2を予備検査機8から移動させ、X−Yステージ1
上に載置する。X−Yステージ1は、ステージ制御部6
によって動きを制御されており、ウェーハ2が載置され
る面内において互いに直交するX方向及びY方向を含む
平面方向における動きと、この平面方向に直交する、ウ
ェーハ2を観察するカメラ3に接近したり離れたりする
上下方向であるZ方向における動きと、Z軸を中心とし
て回転する動きと、X−YステージとZ軸とがなす角度
を変更する動き(X−Yステージを傾ける動き)とが可
能となっている。
The extracted coordinates are transmitted to the learning unit 11 via the coordinate signal line 9 and are stored in a storage circuit (not shown) provided in the learning unit 11. After the coordinate extraction by the preliminary inspection device 8 is completed, the inspector moves the wafer 2 from the preliminary inspection device 8 and the XY stage 1
Place on top. The XY stage 1 includes a stage control unit 6
The movement is controlled in the plane direction including the X direction and the Y direction orthogonal to each other in the plane on which the wafer 2 is placed, and the camera approaches the camera 3 for observing the wafer 2 orthogonal to the plane direction. Movement in the Z direction, which is the vertical direction in which the XY stage moves up and down, movement that rotates around the Z axis, and movement that changes the angle between the XY stage and the Z axis (movement that tilts the XY stage) Is possible.

【0018】次に、図2のステップS3においては、学
習部11は自身に備わる記憶回路において保持されてい
る欠陥の座標のうちの1つを読み出す。引き続くステッ
プS4においては、学習部11は、読み出された座標に
よって表される位置がウェーハ2の欠陥を観察するカメ
ラ3の焦点に一致するように、移動用信号線10bを介
してステージ制御部6にX−Yステージ1の移動を指示
する。移動後のX−Yステージ1の位置は、学習部11
に備わる記憶回路にて保持される。尚、カメラ3の焦点
は、X−Yステージ1の平面方向(X方向及びY方向を
含む方向)においてはカメラ3の視野の中心に位置す
る。
Next, in step S3 in FIG. 2, the learning unit 11 reads one of the coordinates of the defect stored in its own storage circuit. In a succeeding step S4, the learning unit 11 controls the stage control unit via the moving signal line 10b so that the position represented by the read coordinates coincides with the focus of the camera 3 that observes a defect on the wafer 2. 6 is instructed to move the XY stage 1. The position of the XY stage 1 after the movement is determined by the learning unit 11.
Are stored in the storage circuit provided in the storage device. The focal point of the camera 3 is located at the center of the field of view of the camera 3 in the plane direction of the XY stage 1 (the direction including the X direction and the Y direction).

【0019】以上のような移動によって、カメラ3の焦
点と、欠陥が存在する位置とは、互いに一致するはずで
ある。しかし、予備検査機8によって抽出された座標の
精度は、ステップS4における移動によって欠陥の位置
と焦点とが完全に一致するほどには高くない。また、予
備検査機8とステージ制御部6との間には、固有のズレ
が存在している。これらの理由によって、焦点と欠陥の
実際の位置とはどうしてもずれてしまう。従って、ステ
ップS4におけるX−Yステージ1の移動のすぐ後に欠
陥を観察しようとしてカメラ3を高倍率にすると、ズレ
によって欠陥がカメラ3の視野から外れてしまう。
By the above movement, the focal point of the camera 3 and the position where the defect exists should coincide with each other. However, the accuracy of the coordinates extracted by the preliminary inspection machine 8 is not so high that the position of the defect and the focus completely match by the movement in step S4. In addition, there is an inherent deviation between the preliminary inspection machine 8 and the stage control unit 6. For these reasons, the focal point and the actual location of the defect will inevitably deviate. Therefore, if the camera 3 is set to a high magnification in order to observe the defect immediately after the movement of the XY stage 1 in step S4, the defect will be out of the field of view of the camera 3 due to the displacement.

【0020】そこで、このズレを補正するために、引き
続くステップS5においてカメラ3によって欠陥の撮像
を行う。撮像の際のカメラ3の倍率は、欠陥を確実に視
野内に収めるために、視野の中心から予想されるズレの
分だけずれた欠陥が視野の中に入る程度に低く設定して
おく。
Therefore, in order to correct the deviation, the camera 3 takes an image of a defect in the subsequent step S5. The magnification of the camera 3 at the time of imaging is set low enough that a defect shifted by the expected deviation from the center of the field of view enters the field of view in order to ensure that the defect is within the field of view.

【0021】撮像によって得られた画像は、図1の画像
信号線5を介して画像処理部4へと送られる。画像処理
部4においては、ステップS6における動作として、受
け取った画像に処理を施し、背景からの分離によって欠
陥を抽出する。そして、抽出された欠陥に関して、欠陥
の座標、シルエット、大きさ、表面粗さ及び背景に対す
るコントラスト等の情報を収集する。欠陥の座標は、座
標用信号線10aを介して学習部11に送られる。
The image obtained by the imaging is sent to the image processing section 4 via the image signal line 5 in FIG. In the image processing unit 4, as the operation in step S6, the received image is processed and a defect is extracted by separating the image from the background. Then, with respect to the extracted defect, information such as the coordinates, silhouette, size, surface roughness, and contrast with respect to the background of the defect is collected. The coordinates of the defect are sent to the learning unit 11 via the coordinate signal line 10a.

【0022】カメラ3の精度は予備検査機8よりも高い
ものであり、ステップS6において得られた欠陥の座標
はステップS2において得られた座標よりも正確であ
る。尚、ステップS6において得られる欠陥のシルエッ
ト等の情報は、カメラ3の倍率の不足及びカメラ3の焦
点と欠陥の位置との不一致によって、欠陥の種類等を把
握するには不十分である。
The accuracy of the camera 3 is higher than that of the preliminary inspection machine 8, and the coordinates of the defect obtained in step S6 are more accurate than the coordinates obtained in step S2. It should be noted that the information such as the silhouette of the defect obtained in step S6 is insufficient for grasping the type of the defect due to the insufficient magnification of the camera 3 and the mismatch between the focus of the camera 3 and the position of the defect.

【0023】そこで、高倍率に欠陥の撮像を行うために
ステップS6において得られた欠陥の座標とカメラ3の
焦点とが一致するように、欠陥の座標を入力された学習
部11はステップS4と同様のX−Yステージ1の移動
を再度行うようにステージ制御部6に指示する。この移
動によって達成される欠陥の位置の高精度な補正(ステ
ップS7)によって、カメラ3とステージ制御部6との
間の固有のズレによって生じてしまう、カメラ3の倍率
を引き上げた際に欠陥が視野から外れてしまうという問
題が解消される。
Therefore, the learning unit 11 having inputted the coordinates of the defect so that the coordinates of the defect obtained in the step S6 and the focus of the camera 3 coincide with each other in order to image the defect at a high magnification, performs the steps S4 and S4. It instructs the stage control unit 6 to perform the same movement of the XY stage 1 again. Due to the highly accurate correction of the position of the defect achieved by this movement (step S7), the defect occurs when the magnification of the camera 3 is raised, which is caused by an inherent deviation between the camera 3 and the stage control unit 6. The problem of being out of view is eliminated.

【0024】次に、ステップS8においては、倍率が十
分に高いか否かを判断する。“NO”と判断された場合
には、ステップS9においてカメラ3の倍率を引き上
げ、この後にステップS5に引き返す。このような構成
によって、十分に高い倍率となるまで、ステップS9に
おける倍率の引き上げ及びステップS7における欠陥の
位置の高精度な補正が交互に繰り返されることになる。
従って、欠陥の情報が十分詳細に得られる倍率となる以
前に欠陥が視野から外れてしまうことはない。
Next, in step S8, it is determined whether or not the magnification is sufficiently high. If "NO" is determined, the magnification of the camera 3 is increased in step S9, and thereafter, the process returns to step S5. With such a configuration, the magnification increase in step S9 and the highly accurate correction of the defect position in step S7 are alternately repeated until the magnification becomes sufficiently high.
Therefore, the defect does not fall out of the field of view before the magnification at which the information on the defect can be obtained in sufficient detail.

【0025】ステップS8において倍率が十分に高いと
して“YES”と判断された場合には、ステップS10
に移行する。ステップS10においては、フラグが立っ
ているか否かを判断する。フラグを立てることについて
はステップS15において説明を行うが、現時点ではフ
ラグは立てられておらず、“NO”と判断される。
If it is determined in step S8 that the magnification is sufficiently high and "YES" is determined, the process proceeds to step S10.
Move to In step S10, it is determined whether a flag is set. The setting of the flag will be described in step S15, but the flag is not set at this time, and it is determined as “NO”.

【0026】次に、ステップS11においては、ステッ
プS5〜ステップS9において複数回処理が繰り返され
ることに応じてステップS7において複数回行われた、
高精度補正をなすためのX−Yステージ1の移動の積分
を行う。移動の積分は、ステップS4における移動後の
X−Yステージ1の位置と、ステップS11の時点にお
けるX−Yステージ1の位置との座標の差異を減算によ
って求めることによって行われる。積分の際には、3成
分の座標(X座標、Y座標及びZ座標)についてそれぞ
れ減算がなされる。
Next, in step S11, the processing is repeated a plurality of times in step S7 in response to the processing being repeated a plurality of times in steps S5 to S9.
The integration of the movement of the XY stage 1 for performing high-precision correction is performed. The integration of the movement is performed by obtaining the difference in coordinates between the position of the XY stage 1 after the movement in step S4 and the position of the XY stage 1 at the time of step S11 by subtraction. At the time of integration, subtraction is performed for each of the three component coordinates (X coordinate, Y coordinate, and Z coordinate).

【0027】ステップS7における高精度な補正のため
に複数回行われたX−Yステージ1の移動は、予備検査
機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の
固有のズレを、ステップS9における倍率の引き上げと
ステップS7における高精度な補正との繰り返しによっ
て修正するために行われたものである。従って、ステッ
プS11における積分によって得られた積分値とは即
ち、検査機8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6
との間の固有のズレ自体を表すものである。積分値とし
て学習された固有のズレは、学習部11に備わる記憶回
路において保持される。
The movement of the XY stage 1 performed a plurality of times for high-precision correction in step S7 reduces the inherent deviation between each of the preliminary inspection machine 8 and the camera 3 and the stage control unit 6. The correction is performed by repeating the increase of the magnification in S9 and the highly accurate correction in step S7. Therefore, the integrated value obtained by the integration in step S11 means that each of the inspection device 8 and the camera 3 and the stage control unit 6
Represents the inherent deviation itself from. The inherent deviation learned as an integral value is held in a storage circuit provided in the learning unit 11.

【0028】次に、ステップS12においては、欠陥の
観察が行われる。欠陥の観察は、図1に例示される画像
処理部4において収集された、欠陥の座標、シルエッ
ト、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト等
の情報に基づいて行われる。画像処理部4には図示を省
略されたモニタが接続されており、検査者はモニタによ
って欠陥の情報を確認できる。
Next, in step S12, a defect is observed. Observation of a defect is performed based on information such as coordinates, a silhouette, a size, a surface roughness, and a contrast with respect to the background of the defect, which are collected by the image processing unit 4 illustrated in FIG. A monitor (not shown) is connected to the image processing unit 4 so that the inspector can check defect information on the monitor.

【0029】次に、ステップS13においては、画像処
理部4内にステップS12における観察の済んでいない
欠陥が残っているか、即ち、観察すべき欠陥が有るか否
かを判断する。欠陥が無いとして“NO”と判断された
場合には、ステップS14において欠陥の検査を終了す
る。“YES”と判断された場合には、ステップS15
に移行する。
Next, in step S13, it is determined whether or not the defect not observed in step S12 remains in the image processing unit 4, that is, whether or not there is a defect to be observed. When it is determined that there is no defect and “NO”, the inspection of the defect is ended in step S14. If "YES" is determined, the process proceeds to step S15.
Move to

【0030】ステップS15においては、ステップS1
2において欠陥の観察が少なくとも1回は行われた合図
として、フラグが立てられる。フラグは、検査機8及び
カメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有のズ
レがステップS11における移動の積分によって学習済
であることを示すために立てられるものである。
In step S15, step S1
At 2, a flag is set as a signal that the defect has been observed at least once. The flag is set to indicate that the inherent deviation between each of the inspection machine 8 and the camera 3 and the stage control unit 6 has been learned by integrating the movement in step S11.

【0031】観察が済んでいない他の欠陥の観察を行う
ためには、図1に例示されるカメラ3の倍率を引き下げ
ておかなければならない。そこで、ステップS16にお
いて倍率の引き下げが行われる。ただし、引き下げ後の
倍率は、ステップS3において欠陥の座標の読み出しが
行われたときの倍率よりも高くて良い。このように倍率
を比較的高めに設定しておける理由については、後に説
明を行う。
In order to observe other defects that have not been observed, the magnification of the camera 3 illustrated in FIG. 1 must be reduced. Therefore, the magnification is reduced in step S16. However, the magnification after the reduction may be higher than the magnification when the coordinates of the defect are read in step S3. The reason why the magnification can be set relatively high will be described later.

【0032】次に、ステップS3における欠陥の座標の
読み出しと同様の読み出しが、観察されていない欠陥に
対してステップS3aにおいて行われる。引き続きステ
ップS4aにおいて、ステップS4におけるX−Yステ
ージ1の移動と同様の移動が、新たに座標が読み出され
た欠陥に対して行われる。しかし、同様とはいっても、
この際のX−Yステージ1の移動は、読み出された座標
がカメラ3の焦点に位置する移動に、更にステップS1
1において得られた移動の積分値が足されたものであ
る。このような移動は、学習部11がステージ制御部6
に指示を行うことによってなされる。
Next, the same reading as the reading of the coordinates of the defect in step S3 is performed in step S3a for the defect that has not been observed. Subsequently, in step S4a, the same movement as the movement of the XY stage 1 in step S4 is performed on the defect whose coordinates have been newly read. However, although similar,
The movement of the XY stage 1 at this time is a movement in which the read coordinates are located at the focal point of the camera 3 and further a step S1.
1 is the sum of the integral values of the movement obtained in step 1. Such a movement is performed by the learning unit 11 by the stage control unit 6.
This is done by giving instructions.

【0033】既述のように、移動の積分値は、検査機8
及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固有
のズレを表すものである。従って、ステップS11にお
いて得られた積分値を付加してX−Yステージ1の移動
を行うことによって、既に行われた固有のズレに対する
補正が再現される。これによって、座標を焦点に位置さ
せる移動を行うことに並行して固有のズレに対する補正
が行われることになり、ズレが補正済の状態にて新たな
欠陥がカメラ3の焦点に位置することになる。
As described above, the integral value of the movement is determined by the inspection machine 8.
And the inherent deviation between each of the cameras 3 and the stage control unit 6. Therefore, by moving the XY stage 1 by adding the integral value obtained in step S11, the correction for the inherent deviation already performed is reproduced. As a result, in parallel with the movement for positioning the coordinates at the focal point, the correction for the inherent deviation is performed, and a new defect is located at the focal point of the camera 3 in a state where the deviation has been corrected. Become.

【0034】固有のズレの補正を上述の如き付加によっ
て予め行っておくことによって、ステップS9における
倍率の引き上げを低倍率から繰り返すことに並行して行
わなければならない複数回のステップS7における高精
度な補正を省くことが可能となる。従って、ステップS
5〜ステップS9において複数回処理が繰り返される分
だけ、欠陥の検査に要する時間が短縮されることにな
る。また、ステップS16における引き下げ後の倍率が
ステップS3における倍率よりも高く設定されていて
も、固有のズレの補正が予め行われていることによっ
て、欠陥はカメラ3の視野から外れてしまうことはな
い。
By correcting the inherent deviation in advance by the addition as described above, the high-precision multiple steps S7 must be performed in parallel with the repetition of the magnification increase in the step S9 from the low magnification. Correction can be omitted. Therefore, step S
The time required for defect inspection is shortened by the amount of time the processing is repeated a plurality of times in Step 5 to Step S9. Further, even if the magnification after the reduction in step S16 is set to be higher than the magnification in step S3, the defect does not go out of the field of view of the camera 3 because the inherent deviation is corrected in advance. .

【0035】本実施の検査装置においては、予備検査機
8及びカメラ3それぞれとステージ制御部6との間の固
有のズレは、移動の積分値である移動前後の座標の差と
して記憶及び読み出しされる。成分毎の座標の差の集合
はベクトルであり、このベクトルによって移動の向き及
び量が表される。固有のズレがベクトルを表す値として
認識されることによって、補正の再現は精度良く確実に
行われる。
In the inspection apparatus of this embodiment, the inherent deviation between each of the preliminary inspection machine 8 and the camera 3 and the stage control unit 6 is stored and read out as a difference between coordinates before and after the movement, which is an integrated value of the movement. You. A set of coordinate differences for each component is a vector, which represents the direction and amount of movement. By recognizing the inherent deviation as a value representing the vector, the reproduction of the correction is performed accurately and reliably.

【0036】ステップS4aの後にはステップS5へと
移行し、カメラ3の倍率が十分高いと判断される(ステ
ップS8)まで、ステップS5〜ステップS9の処理が
繰り返される。ステップS8において倍率が十分高いと
判断された後には、ステップS10においてフラグが立
っているか否かが判断される。フラグがたっっている場
合には、既にステップS11において移動の積分によっ
て固有のズレが学習済であるので、ステップS11を飛
ばしてステップS12へと移行する。ステップS12に
おいて欠陥の観察が行われた後にステップS13におい
て観察すべき欠陥が有ると判断された場合には、ステッ
プS15以降の処理が引き続き行われる。
After step S4a, the process proceeds to step S5, and the processes of steps S5 to S9 are repeated until it is determined that the magnification of the camera 3 is sufficiently high (step S8). After it is determined in step S8 that the magnification is sufficiently high, it is determined in step S10 whether a flag is set. If the flag is set, the inherent deviation has already been learned by the integration of the movement in step S11, and the process skips step S11 and proceeds to step S12. If it is determined in step S13 that there is a defect to be observed after the defect has been observed in step S12, the processing from step S15 is continued.

【0037】この場合にも、上述の理由によって、ステ
ップS3における倍率よりも高い倍率から処理を開始す
ることができ、更に、ステップS11における移動の積
分が再び行われてしまうことを回避できる。従って、欠
陥の検査が迅速に行われる。
Also in this case, for the above-mentioned reason, the processing can be started from a magnification higher than the magnification in step S3, and further, the integration of the movement in step S11 can be prevented from being performed again. Therefore, the inspection of the defect is performed quickly.

【0038】一方、ステップS13において全ての欠陥
に対して観察が行われたとして観察すべき欠陥が無いと
判断された場合には、ステップS14において検査を終
了する。
On the other hand, if it is determined in step S13 that all defects have been observed and there is no defect to be observed, the inspection is terminated in step S14.

【0039】上述の説明においては、X−Yステージ1
がステージ制御部6によって移動を制御される例が用い
られている。しかし、カメラ3をX−Yステージ1上の
ウェーハ2に対して移動させる構成を採用しても良い。
In the above description, the XY stage 1
The movement of which is controlled by the stage control unit 6 is used. However, a configuration in which the camera 3 is moved with respect to the wafer 2 on the XY stage 1 may be adopted.

【0040】予備検査機8及びカメラ3それぞれとステ
ージ制御部6との間の固有のズレは、これらの組み合わ
せ毎に定まっている。従って、本実施の形態の検査装置
の電源がオフされたときにも、学習部11に備わる記憶
回路が、ステップS11において得られた積分値とステ
ップS15におけるフラグが立てられている状態とを記
憶したままにしておけばよい。このような構成によっ
て、電源がオフされる前に学習された固有のズレをその
まま活かして、電源が新たにオンされた後に迅速に欠陥
の検査を行うことが可能となる。
The inherent deviation between each of the preliminary inspection machine 8 and the camera 3 and the stage control unit 6 is determined for each of these combinations. Therefore, even when the power of the inspection apparatus of the present embodiment is turned off, the storage circuit provided in the learning unit 11 stores the integrated value obtained in step S11 and the state in which the flag is set in step S15. You can leave it as it is. With such a configuration, it is possible to perform a defect inspection promptly after the power is newly turned on, by making use of the inherent deviation learned before the power is turned off.

【0041】この場合には、図2のフローチャートに例
示される処理動作に対して、図3に例示されるようにス
テップS17を付け加えれば良い。ステップS17はス
テップS2に引き続いて行われる処理であり、ステップ
S17においてはステップS10と同様に、フラグが立
っているか否かが判断される。フラグが立っていない場
合には“NO”と判断され、ステップS3へと移行す
る。この場合には、ステップS3以降の処理がなされ、
ステップS11において移動の積分が行われることによ
って固有のズレが把握される。
In this case, step S17 may be added to the processing operation illustrated in the flowchart of FIG. 2 as illustrated in FIG. Step S17 is processing performed subsequent to step S2. In step S17, it is determined whether or not a flag is set, as in step S10. If the flag is not set, "NO" is determined, and the routine goes to Step S3. In this case, processing after step S3 is performed,
By performing the integration of the movement in step S11, the inherent deviation is grasped.

【0042】一方、ステップS17において、学習部1
1の記憶回路に保持されているフラグに基づき“YE
S”と判断されたときには、ステップS3aへと移行す
る。この場合には、電源がオフされる前に学習された固
有のズレが活かされ、比較的高い倍率から処理が開始さ
れる。
On the other hand, in step S17, the learning unit 1
"YE" based on the flag held in the storage circuit No. 1
If it is determined to be S ", the process proceeds to step S3a. In this case, the inherent deviation learned before the power is turned off is utilized, and the process is started from a relatively high magnification.

【0043】尚、カメラ3としては、光学顕微鏡を用い
ることが可能である。しかし、レーザー顕微鏡、電子顕
微鏡又はAFM(原子間力顕微鏡)をカメラ3の代わり
に用いることも可能である。また、画像としては、暗視
野画像を撮影しても、明視野画像を撮影しても良い。
Note that an optical microscope can be used as the camera 3. However, it is also possible to use a laser microscope, an electron microscope or an AFM (atomic force microscope) instead of the camera 3. As the image, a dark field image or a bright field image may be taken.

【0044】実施の形態2.以下、既に説明の行われた
ものと同一の構成には同一の参照符号を付し、説明は省
略する。本実施の形態においては、欠陥の成分の分析を
行う分析手段を備えており、分析結果と画像情報を結び
付けることによって迅速に欠陥の観察を行う検査装置を
示す。
Embodiment 2 Hereinafter, the same components as those already described are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In the present embodiment, there is shown an inspection apparatus that includes an analysis unit that analyzes a component of a defect and that quickly observes a defect by associating an analysis result with image information.

【0045】図4は、本実施の形態に従う検査装置の構
成を例示するブロック図である。同図に示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11aに置き換えられ、更に成分
分析部12が取り付けられたものである。その他の部分
の構成は、そのままである。学習部11aは、実施の形
態1の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実
施の形態の機能が加えられたものである。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of an inspection apparatus according to the present embodiment. In the inspection device shown in FIG. 1, the learning unit 11 provided in the inspection device of the first embodiment illustrated in FIG. 1 is replaced with a learning unit 11a, and a component analysis unit 12 is further attached. The configuration of the other parts is the same. The learning unit 11a has the same functions as those of the learning unit 11 according to the first embodiment, but further includes the functions of the present embodiment.

【0046】図5は、本実施の形態の検査装置が行う処
理動作を例示するフローチャートである。同図に示され
るステップS18〜ステップS20は、図2に例示され
るステップS8とステップS10との間に挿入される処
理である。以下、実施の形態1との相違点について説明
を行う。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a processing operation performed by the inspection apparatus according to the present embodiment. Steps S18 to S20 shown in the figure are processes inserted between step S8 and step S10 illustrated in FIG. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.

【0047】ステップS8において倍率が十分であると
判断された後に、学習部11aはステップS18におい
て、図2のステップS6において収集した欠陥のシルエ
ット、大きさ、表面粗さ及び背景に対するコントラスト
等の情報の組み合わせが既知のものであるか、即ち欠陥
が既知であるか否かを判断する。欠陥が既知であるかど
うかの判断は、学習部11aにおいて、後述のステップ
S20における対応付けの結果が記憶されているか否か
に基づいて判断される。尚、欠陥が既知であるか否かの
判断は、欠陥の種類が既知であるか否かを基準としてい
る。
After it is determined in step S8 that the magnification is sufficient, the learning unit 11a in step S18 obtains information such as the silhouette, size, surface roughness, and contrast with the background of the defect collected in step S6 in FIG. Is known, that is, whether or not the defect is known. The determination as to whether the defect is known is made by the learning unit 11a based on whether or not the result of the association in step S20 described later is stored. The determination as to whether or not the defect is known is based on whether or not the type of the defect is known.

【0048】ステップS18において既知の欠陥ではな
い(“NO”)と判断された場合には、ステップS19
に移行する。ステップS19においては、図4に例示さ
れる成分分析部12を用いて、欠陥の成分の分析を行
う。成分分析器12の構成は周知であり、例えばエネル
ギー分散型X線(EDX)分析を行う機器を用いること
ができる。成分分析の結果は、分析結果用信号線10c
を介して学習部11aへと与えられる。
If it is determined in step S18 that the defect is not a known defect ("NO"), step S19
Move to In step S19, the component of the defect is analyzed using the component analyzer 12 illustrated in FIG. The configuration of the component analyzer 12 is well known, and for example, an instrument for performing energy dispersive X-ray (EDX) analysis can be used. The result of the component analysis is represented by an analysis result signal line 10c.
Is provided to the learning unit 11a via the.

【0049】学習部11aは、ステップS20におい
て、受け取った成分分析の結果と、シルエット等に関す
る図2のステップS6において収集した欠陥の情報とを
対応付ける。換言すると、ある特定の情報を与える欠陥
が、どのような成分からなっているかを学習していく。
このようにしてなされた学習(対応付け)の結果は、学
習部11a内に記憶され、ため込まれていく。ステップ
S20における処理が終了すると、図2に例示されるス
テップS10へと移行し、既述の処理が以降行われる。
ステップS12においては、図4においては図示を省略
されているモニタに、欠陥の情報と成分分析の結果とが
表示される。
The learning unit 11a associates the result of the component analysis received in step S20 with the information on the defect and the like regarding the silhouette and the like collected in step S6 in FIG. 2 in FIG. In other words, it learns what kind of component a defect that gives certain information has.
The result of the learning (association) performed in this way is stored in the learning unit 11a and accumulated. When the process in step S20 ends, the process proceeds to step S10 illustrated in FIG. 2, and the above-described process is performed thereafter.
In step S12, the information of the defect and the result of the component analysis are displayed on a monitor not shown in FIG.

【0050】次に、図2に例示されるステップS13に
おいて観察すべき欠陥有りと判断され、ステップS15
以降の処理が新たな欠陥に対して行われる場合について
説明を行う。この新たな欠陥は、図5のステップS20
における分析結果と欠陥の情報との対応付けが既に行わ
れており、シルエット等の情報によって成分が把握でき
る既知の欠陥であるとする。
Next, it is determined that there is a defect to be observed in step S13 illustrated in FIG.
A case where the subsequent processing is performed on a new defect will be described. This new defect is identified in step S20 of FIG.
It is assumed that the analysis result and the defect information have already been associated with each other, and that the defect is a known defect whose component can be grasped from information such as a silhouette.

【0051】図2のステップS15〜ステップS8の処
理が行われた後に図5のステップS18に移行したとき
には、新たな欠陥は学習部11aによって学習済の既知
の欠陥である(“YES”)と判断される。学習済の欠
陥に対しては、成分と情報とを学習する必要はない。そ
こで、学習済であるので不要であるステップS19及び
ステップS20の処理を飛ばし、すぐさま図2のステッ
プS10へと移行する。ステップS12においては、図
4においては図示を省略されているモニタに、欠陥の情
報と、成分分析の結果のうちこの欠陥の情報と対応付け
られているものとが表示される。
When the process proceeds to step S18 in FIG. 5 after the processes in steps S15 to S8 in FIG. 2 are performed, it is determined that the new defect is a known defect that has been learned by the learning unit 11a (“YES”). Is determined. There is no need to learn components and information for learned defects. Therefore, the processes in steps S19 and S20, which are unnecessary because they have been learned, are skipped, and the process immediately proceeds to step S10 in FIG. In step S12, the information of the defect and the result of the component analysis that are associated with the information of the defect are displayed on a monitor not shown in FIG.

【0052】上述の如き処理動作によって、学習済の欠
陥に対してはステップS19及びステップS20におい
てそれぞれ行われる成分分析及び対応付けを行うこと無
く欠陥の観察を行うことが可能である。これによって、
欠陥の検査が迅速に行われる。更に、学習済の欠陥に対
しては成分分析を行わないため、エネルギー分散型X線
分析によってウェーハ2にダメージが与えられてしまう
ことが回避される。
By the processing operation as described above, it is possible to observe a defect for a learned defect without performing component analysis and association performed in steps S19 and S20, respectively. by this,
Inspection of defects is performed quickly. Further, since the component analysis is not performed on the learned defect, it is possible to prevent the wafer 2 from being damaged by the energy dispersive X-ray analysis.

【0053】従来の検査装置においては、検査の前に予
め学習部に検査者が対応付けを学習させておくという構
成がとられていた。しかし、この従来の検査装置は予め
学習させられた対応付けに対してのみ有効であり、検査
者が学習させなかった成分分析の結果と情報との組み合
わせに対しては、欠陥に関して有効な情報を提供するこ
とができない。
In the conventional inspection apparatus, a configuration is adopted in which an inspector previously learns the association by a learning unit before the inspection. However, this conventional inspection apparatus is effective only for the correspondence learned in advance, and for the combination of the result of the component analysis and the information that the inspector did not learn, effective information regarding the defect is provided. Can not provide.

【0054】一方、本実施の形態の検査装置において
は、未学習の欠陥に対しては成分分析及び対応付けが行
われ、この結果が記憶される。即ち、学習部11aの能
力は検査装置を使用すればするほど向上していく。ま
た、検査者が予め学習部に学習を行わなければならない
という煩わしさが無く、検査者の負担が軽減される。
On the other hand, in the inspection apparatus of the present embodiment, component analysis and association are performed for unlearned defects, and the results are stored. That is, the ability of the learning unit 11a improves as the inspection device is used. In addition, there is no need for the inspector to perform learning in the learning section in advance, and the burden on the inspector is reduced.

【0055】実施の形態3.本実施の形態においては、
検査された欠陥に対して補修を行う機能を有する検査装
置を示す。図6は、本実施の形態に従う検査装置の構成
を例示するブロック図である。同図に示される検査装置
は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わる
光学的なカメラ3が、電子顕微鏡14に置き換えられた
ものである。また、図1の学習部11は学習部11bに
置き換えられおり、更に集束イオンビーム(FIB)光
学系15が取り付けられている。これら以外の部分の構
成は、そのままである。学習部11bは、実施の形態1
の学習部11の有する機能はそのままに、更に本実施の
形態の機能が加えられたものである。
Embodiment 3 In the present embodiment,
1 shows an inspection apparatus having a function of repairing an inspected defect. FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of the inspection apparatus according to the present embodiment. In the inspection device shown in FIG. 3, the optical camera 3 provided in the inspection device of the first embodiment illustrated in FIG. 1 is replaced with an electron microscope 14. The learning unit 11 in FIG. 1 is replaced with a learning unit 11b, and a focused ion beam (FIB) optical system 15 is further attached. The configuration of the other parts is the same. The learning unit 11b according to the first embodiment
The function of the present embodiment is added to the function of the learning unit 11 as it is.

【0056】図7は、本実施の形態の検査装置が行う処
理を例示するフローチャートである。同図に示されるス
テップS21〜ステップS6aは、図2に例示される実
施の形態1のステップS10又はステップS11とステ
ップS12との間に挿入される処理である。以下、実施
の形態1との相違点について説明を行う。
FIG. 7 is a flowchart illustrating a process performed by the inspection apparatus according to the present embodiment. Steps S21 to S6a shown in the figure are processes inserted between step S10 or step S11 and step S12 of the first embodiment illustrated in FIG. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.

【0057】図2のステップS5においては欠陥の撮像
は図6の電子顕微鏡14によってなされ、ステップS6
において画像処理部4は撮像によって得られたデータか
ら欠陥を抽出する。そして、図2及び図7に例示される
ステップS10又はステップS11の処理の後に、本実
施の形態の処理が行われる。
In step S5 in FIG. 2, the image of the defect is taken by the electron microscope 14 in FIG.
In, the image processing unit 4 extracts a defect from data obtained by imaging. Then, after the processing of step S10 or step S11 exemplified in FIGS. 2 and 7, the processing of the present embodiment is performed.

【0058】ステップS21においては、図2のステッ
プS6において抽出された欠陥の情報に基づき、欠陥の
補修が図6の集束イオンビーム光学系15によって行わ
れる。詳細には、図2のステップS7において高精度に
位置が補正された欠陥に対して集束イオンビームが照射
されるように、学習部11bは集束イオンビーム光学系
15に指示する。照射によって、異物の除去、配線の短
絡部の切断又は配線消失部の再形成等を行う。更に、こ
のような加工のみに限られず、欠陥が生じている部分を
避けて予備の回路に切り替えること等も行われる。
In step S21, the repair of the defect is performed by the focused ion beam optical system 15 in FIG. 6 based on the information on the defect extracted in step S6 in FIG. Specifically, the learning unit 11b instructs the focused ion beam optical system 15 to irradiate the focused ion beam to the defect whose position has been corrected with high accuracy in step S7 of FIG. Irradiation removes foreign matter, cuts short-circuited portions of wiring, or re-forms lost portions of wiring. Further, the present invention is not limited to such processing, and switching to a spare circuit may be performed while avoiding a portion where a defect occurs.

【0059】本実施の形態の検査装置は、実施の形態1
と同じ構成によって欠陥の位置を正確に把握し、この後
に欠陥の補修を行う。従って、集束イオンビームは欠陥
から外れることはなく、補修が正確に行われる。また、
従来には手動指示でしか為し得なかった欠陥がある部分
のみに対して補修を行うことが可能となる。欠陥の補修
がなされた後に、ステップS5aへと移行する。
The inspection apparatus of the present embodiment is similar to that of the first embodiment.
With the same configuration as described above, the position of the defect is accurately grasped, and thereafter the defect is repaired. Therefore, the focused ion beam does not deviate from the defect, and the repair is performed accurately. Also,
It is possible to repair only a portion having a defect which could only be performed by a manual instruction in the past. After the defect has been repaired, the process proceeds to step S5a.

【0060】ステップS5a及びステップS6aにおい
ては、図2のステップS5及びステップS6と同様に、
補修済の欠陥の撮像が行われ、これによって得られた情
報に基づき欠陥が抽出される。引き続きステップS12
においては、欠陥の観察が行われる。このときにモニタ
に表示されるのは補修済の欠陥に関するデータであり、
検査者は欠陥の補修が適切になされたかどうかを確認す
ることができる。
In steps S5a and S6a, as in steps S5 and S6 in FIG.
The repaired defect is imaged, and the defect is extracted based on the information obtained thereby. Continue with step S12
In, the defect is observed. At this time, what is displayed on the monitor is the data on the repaired defect.
The inspector can confirm that the defect has been properly repaired.

【0061】実施の形態4.本実施の形態においては、
実施の形態2及び実施の形態3のそれぞれの処理を組み
合わせた構成について説明を行う。図8は、本実施の形
態に従う検査装置の構成を例示するブロック図である。
同図に示される検査装置は、欠陥を撮像する手段として
カメラ3を用いており欠陥の補修を行う手段としてレー
ザー加工機16を用いている点が、実施の形態3の検査
装置と異なっている。しかし、用いられている機器が異
なるのみであり、撮像する機能及び補修する機能を果た
すという点では変わりはない。また、実施の形態2及び
実施の形態3の学習部11a,11bの機能を合わせ持
つ学習部11cがこれらの代わりに備えられている。
Embodiment 4 In the present embodiment,
A configuration in which the respective processes of the second and third embodiments are combined will be described. FIG. 8 is a block diagram illustrating a configuration of the inspection device according to the present embodiment.
The inspection apparatus shown in the figure differs from the inspection apparatus of the third embodiment in that a camera 3 is used as a means for imaging a defect and a laser processing machine 16 is used as a means for repairing the defect. . However, there is no difference in that only the equipment used is different, and it fulfills the function of imaging and the function of repairing. A learning unit 11c having the functions of the learning units 11a and 11b according to the second and third embodiments is provided instead.

【0062】図9は、本実施の形態の検査装置の処理を
例示するフローチャートである。同図に示される処理
は、図5及び図7にそれぞれ例示される実施の形態2及
び実施の形態3の処理を組み合わせ、これに本実施の形
態の処理を加えたものである。本実施の形態の処理は、
実施の形態3のステップS21の前及びステップS6a
の後に各々挿入されている。挿入された処理によって、
実施の形態2及び実施の形態3の処理の組み合わせが有
効になされる。以下に説明を行う。
FIG. 9 is a flowchart illustrating the processing of the inspection apparatus according to the present embodiment. The processing shown in the figure is a combination of the processing of the second embodiment and the processing of the third embodiment illustrated in FIGS. 5 and 7, respectively, to which the processing of the present embodiment is added. The processing of the present embodiment
Before step S21 and step S6a of the third embodiment
After each is inserted. Depending on the inserted process,
The combination of the processes of the second and third embodiments is effectively performed. This will be described below.

【0063】図9に例示される実施の形態2の処理が終
了した時には、ステップS18において既知の欠陥であ
ると判断されたこと、又はステップS19において成分
分析が行われたことによって、検査対象となっている欠
陥の成分は既知となっている。
When the processing according to the second embodiment illustrated in FIG. 9 is completed, it is determined that the defect is a known defect in step S18, or the component analysis is performed in step S19. The component of the defective defect is known.

【0064】ステップS10又はステップS11の後に
挿入された本実施の形態のステップS22においては、
欠陥の成分の把握を行う。成分の把握とは、ステップS
18において既知の欠陥であると判断された場合には、
欠陥の画像情報に対応する欠陥の成分を図8の学習部1
1cに備わる記憶回路から読み出すことである。一方、
既知の欠陥でないとしてステップS19において成分分
析が行われた場合には、成分分析の結果を保持し続ける
ことである。
In step S22 of the present embodiment inserted after step S10 or step S11,
Determine the components of the defect. Understanding the components means step S
If determined to be a known defect at 18,
The component of the defect corresponding to the image information of the defect is represented by the learning unit 1 in FIG.
1c is to be read from the storage circuit provided in 1c. on the other hand,
If the component analysis is performed in step S19 as not a known defect, the result of the component analysis is to be kept.

【0065】本実施の形態の検査装置に備わる図8のレ
ーザー加工機16は、自身から発するレーザー光によっ
て、図6に例示される実施の形態3の集束イオンビーム
光学系15と同様にして欠陥の補修を行う。しかし、欠
陥の成分によっては、レーザー光によって蒸発等をさせ
ることが不可能である又は不向きである場合がある。こ
の場合にレーザー加工機16を用いて欠陥にレーザー光
を照射しても、照射の手間及びこれに要する時間が無駄
になってしまう。
The laser beam machine 16 shown in FIG. 8 provided in the inspection apparatus according to the present embodiment uses laser light emitted from the laser beam machine 16 in the same manner as the focused ion beam optical system 15 according to the third embodiment illustrated in FIG. Perform repairs. However, depending on the component of the defect, it may be impossible or unsuitable to cause the laser beam to evaporate or the like. In this case, even if the defect is irradiated with laser light using the laser processing machine 16, the trouble of irradiation and the time required for the irradiation are wasted.

【0066】そこで、ステップS22に引き続くステッ
プS23においては、欠陥が補修可能であるか否かを判
断する。判断は、ステップS22において把握されてい
る欠陥の成分に基づいて行われる。欠陥の成分がレーザ
ー光線によって蒸発等させることができるものであると
して補修可能である(“YES”)と判断された場合に
はステップS21に移行する。また、補修可能であるか
判断できない場合、即ち、その成分が補修可能であるか
不可能であるかについて未知の場合にも、とりあえず
“YES”と判断する。ステップS21以降において
は、実施の形態3の処理、即ち欠陥の補修及びこれの後
の欠陥の撮像等が行われる。
In step S23 following step S22, it is determined whether the defect can be repaired. The determination is made based on the component of the defect ascertained in step S22. If it is determined that the defect component can be evaporated or the like by the laser beam and can be repaired ("YES"), the process proceeds to step S21. Also, if it is not possible to judge whether the component can be repaired, that is, if it is unknown whether the component is repairable or impossible, it is determined to be “YES” for the time being. After step S21, the processing of the third embodiment, that is, the repair of the defect and the imaging of the defect thereafter are performed.

【0067】ステップS21における補修が効果的に行
われた場合、即ち、レーザー光によって欠陥の蒸発等が
生じた場合には、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等はステップS21における補修の前後
において変化する。一方、レーザー光による蒸発等が生
ぜず、補修の効果が無かった場合には、欠陥のシルエッ
ト等はステップS21における補修の前後において変化
しない。そこで、ステップS6aにおいて抽出された欠
陥のシルエット等の変化の有無に基づくことによって、
補修の効果の有無を判断することが可能となる。
When the repair in step S21 is performed effectively, that is, when the defect evaporates due to the laser beam, the silhouette etc. of the defect extracted in step S6a are obtained before and after the repair in step S21. Change. On the other hand, when the evaporation or the like by the laser beam does not occur and the effect of the repair is not obtained, the silhouette of the defect does not change before and after the repair in step S21. Therefore, based on the presence or absence of a change in the silhouette or the like of the defect extracted in step S6a,
It is possible to determine whether or not the repair is effective.

【0068】本実施の形態の処理を行うステップS24
においては、ステップS6aにおいて得られた情報の変
化の有無に基づいて補修の効果の有無を学習部11cが
自動的に判断する。学習部は更に判断結果と欠陥の成分
との対応付けを行い、自身に備わる記憶回路に対応付け
の結果を記憶させる。欠陥の成分とはステップS22に
おいて把握された成分を指し、この対応付けによって、
成分が把握されれば自動的に補修の効果の有無がわかる
ことになる。
Step S24 for performing the processing of this embodiment
In, the learning unit 11c automatically determines whether or not there is a repair effect based on whether or not there is a change in the information obtained in step S6a. The learning unit further associates the determination result with the defect component, and stores the association result in a storage circuit provided therein. The defect component refers to the component identified in step S22, and by this association,
If the components are grasped, the presence or absence of the effect of the repair will be automatically known.

【0069】ステップS24において行われた対応付け
は、図9及び図2に例示されるステップS13において
“YES”と判断させる原因となる新たな欠陥に対して
利用される。利用について詳細に説明すると、この新た
な欠陥に対して図9のステップS22における成分の把
握が行われた後にステップS23において補修可能であ
るか否かが判断される際に、この対応付けが記憶回路か
ら読み出され、補修可能の是非の判断材料となるという
ことである。
The association performed in step S24 is used for a new defect that causes “YES” to be determined in step S13 illustrated in FIGS. The use will be described in detail. When it is determined whether the new defect can be repaired in step S23 after the components are grasped in step S22 in FIG. 9, this association is stored. That is, it is read out from the circuit and is used as a material for determining whether repair is possible.

【0070】対応付けに基づいてステップS23におい
て欠陥の成分がレーザー光線による補修に不向きである
として“NO”と判断された場合には、ステップS21
〜ステップS24という欠陥の補修等を行う実施の形態
3及び本実施の形態の処理を飛び越して、ステップS1
2に移行する。このようにして、補修の効果が無いと予
めわかっている欠陥に対して補修等が行われることを未
然に回避することができ、検査時間の短縮が達成され
る。ステップS23において“YES”と判断された場
合には、ステップS21以降の処理が行われる。
If it is determined in step S23 that the defect component is unsuitable for laser beam repair based on the association and the determination is "NO", step S21 is performed.
Steps S24 to S24 in which the process of the third embodiment for repairing a defect and the like and the process of the present embodiment are skipped.
Move to 2. In this manner, it is possible to prevent the repair or the like from being performed on a defect that is known in advance as having no repair effect, thereby shortening the inspection time. If "YES" is determined in the step S23, the processes after the step S21 are performed.

【0071】上述の説明においては、レーザー加工機1
6を用いて欠陥の補修を行う例を用いている。しかし、
他の構成を用いて欠陥の補修を行うことも勿論可能であ
る。例えば、異物の除去は、異物を吸着又は挟持する
機構、気体、液体又は固体を異物に向けて噴射するノ
ズル、異物に向けて電子線を照射する機構等を用いて
行うことが可能である。これらは異物の除去を行う補修
に関するが、例えば、ガス雰囲気中でレーザー光線又
はマイクロ波等の照射によるエネルギを利用する機構を
用いて成膜を行うこと、によって補修を行うことも可能
である。
In the above description, the laser processing machine 1
6 is used to repair a defect. But,
It is of course possible to repair the defect using another configuration. For example, the foreign matter can be removed by using a mechanism for adsorbing or holding the foreign matter, a nozzle for ejecting a gas, a liquid, or a solid toward the foreign matter, a mechanism for irradiating the foreign matter with an electron beam, or the like. These are related to repair for removing foreign substances. For example, repair can be performed by forming a film using a mechanism using energy by irradiation with a laser beam or a microwave in a gas atmosphere.

【0072】実施の形態5.図10は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図1に例示される実施の形態1
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として明示的に図示されている。これに
係る部分以外の部分は、そのままである。
Embodiment 5 FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration of the inspection apparatus according to the present embodiment. The inspection apparatus shown in FIG. 1 is a first embodiment illustrated in FIG.
The preliminary inspection machine 8 and the coordinate signal line 9 provided in the inspection apparatus of FIG. 1 have been removed, and the monitor connected to the image processing unit 4 is explicitly shown as a monitor 17. Portions other than those relating to this remain unchanged.

【0073】図1に例示される予備検査機8は、図2に
例示されるステップS2における欠陥の座標の抽出を行
わせるために検査機に備えられているものである。この
予備検査機8が取り除かれていることに伴い、本実施の
形態においては、検査者がウェーハ2の欠陥の位置を探
り当てねばならない。
The preliminary inspection machine 8 illustrated in FIG. 1 is provided in the inspection machine for extracting the coordinates of the defect in step S2 illustrated in FIG. With the removal of the preliminary inspection machine 8, in the present embodiment, the inspector must find the position of the defect on the wafer 2.

【0074】図11は、本実施の形態の検査装置を用い
ることによってなされる検査の手順を例示するフローチ
ャートである。本実施の形態の検査手順においては、図
2に例示される処理のうち、実施の形態1の予備検査機
8が行う図2のステップS2が省かれており、代わりに
本実施の形態のステップS2aが挿入されている。ステ
ップS2aにおいては、欠陥の座標の抽出及び保持に関
与するのは検査者、カメラ3及び画像処理部4である。
以下、実施の形態1と相違する部分について説明を行
う。
FIG. 11 is a flowchart illustrating an inspection procedure performed by using the inspection apparatus of the present embodiment. In the inspection procedure of the present embodiment, among the processes illustrated in FIG. 2, step S2 of FIG. 2 performed by the preliminary inspection machine 8 of the first embodiment is omitted, and instead, the steps of the present embodiment are performed. S2a is inserted. In step S2a, it is the inspector, the camera 3, and the image processing unit 4 that are involved in extracting and holding the coordinates of the defect.
Hereinafter, portions different from the first embodiment will be described.

【0075】ステップS2aにおいて検査者は、図10
に例示されるX−Yステージ1上にウェーハ2を載置し
た後に、カメラ3によって得られモニタ17に映し出さ
れている画像を目視しつつ欠陥の出現を待つ。検査者が
モニタ17を目視する間、ステージ制御部6はX−Yス
テージ1をX方向又はY方向に移動させており、この移
動によってウェーハ2の表面は一通りカメラ3によって
走査される。カメラ3は逐次ウェーハ2の表面を写し取
り、この画像を画像信号線5を介して画像処理部4に送
信する。画像処理部4は、カメラ3からの画像を画像信
号線5aを介してモニタ17に与える。モニタ17に表
示されるウェーハ2の表面の様子は、ウェーハ2のうち
カメラ3が写し取っている部分とモニタ17に表示され
ている部分とが相違しないように、常に更新されてい
る。
In step S2a, the examiner checks the state shown in FIG.
After the wafer 2 is placed on the XY stage 1 illustrated in FIG. 1, the appearance of a defect is waited while the image obtained by the camera 3 and displayed on the monitor 17 is visually observed. While the inspector looks at the monitor 17, the stage control unit 6 moves the XY stage 1 in the X direction or the Y direction, and the surface of the wafer 2 is scanned by the camera 3 by this movement. The camera 3 sequentially captures the surface of the wafer 2 and transmits this image to the image processing unit 4 via the image signal line 5. The image processing unit 4 gives an image from the camera 3 to the monitor 17 via the image signal line 5a. The state of the surface of the wafer 2 displayed on the monitor 17 is constantly updated so that the portion of the wafer 2 captured by the camera 3 does not differ from the portion displayed on the monitor 17.

【0076】検査者は、モニタ17に欠陥が映し出され
た際に、画像処理部4に指令を出す。画像処理部4はこ
の指令を受け取ると、指令が出された時の画像に対して
処理を行い、背景から欠陥を抽出してその座標を特定す
る。このようにして抽出された座標は、座標用信号線1
0aを介して学習部11に与えられ、これに備えられて
いる記憶回路において保持される。
The inspector issues a command to the image processing section 4 when a defect is displayed on the monitor 17. Upon receiving this command, the image processing unit 4 processes the image at the time the command is issued, extracts a defect from the background, and specifies its coordinates. The coordinates extracted in this way are the coordinate signal line 1
0a is provided to the learning unit 11 and is stored in a storage circuit provided therein.

【0077】以上のような座標の抽出及び保持は、ウェ
ーハ2の表面が一通り走査され終えるまで続けられる。
走査に要する時間を短縮するために、カメラ3の倍率は
欠陥の有無がわかる程度に低くしておくことが好まし
い。ステップS2aにおける処理が終了した後には、実
施の形態1と相違無いステップS3に移行する。
The extraction and holding of the coordinates as described above are continued until the scanning of the surface of the wafer 2 is completed.
In order to reduce the time required for scanning, it is preferable that the magnification of the camera 3 is set low enough to indicate the presence or absence of a defect. After the process in step S2a ends, the process proceeds to step S3 which is not different from the first embodiment.

【0078】本実施の形態においては、図1に例示され
る実施の形態1の予備検査機8を用意しなくとも、カメ
ラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座標の抽出及び保持
を行えることを例示した。予備検査機8を用いようが、
カメラ3及びモニタ17を用いようが、学習部11にお
いて欠陥の座標が保持されるという結果には変わりがな
く、ステップS3以降の処理は実施の形態1そのままに
行われる。尚、以上の例においてはモニタ17が用いら
れているが、代わりに接眼鏡を用いることも可能であ
る。
In the present embodiment, it is possible to extract and hold the coordinates of a defect using the camera 3 and the monitor 17 without preparing the preliminary inspection machine 8 of the first embodiment illustrated in FIG. Illustrated. Whether or not to use the preliminary inspection machine 8,
Whether the camera 3 or the monitor 17 is used, the result that the coordinates of the defect are held in the learning unit 11 remains the same, and the processing after step S3 is performed as it is in the first embodiment. Although the monitor 17 is used in the above example, an eyepiece can be used instead.

【0079】実施の形態6.図12は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。同図
に示される検査装置は、図4に例示される実施の形態2
の検査装置に備わる予備検査機8及び座標用信号線9が
取り除かれており、画像処理部4に接続されているモニ
タがモニタ17として図示されている。この変更に係る
部分以外の部分は、そのままである。即ちこの変更は、
図1に例示される実施の形態1の検査装置の図10に例
示される実施の形態5の検査装置への変更と同じであ
る。
Embodiment 6 FIG. FIG. 12 is a block diagram illustrating a configuration of the inspection apparatus according to the present embodiment. The inspection apparatus shown in the figure is a second embodiment illustrated in FIG.
The monitor 17 connected to the image processing unit 4 is shown as a monitor 17 from which the preliminary inspection machine 8 and the coordinate signal line 9 provided in the inspection apparatus of FIG. Portions other than the portion related to this change remain unchanged. That is, this change
This is the same as the change of the inspection apparatus of the first embodiment illustrated in FIG. 1 to the inspection apparatus of the fifth embodiment illustrated in FIG.

【0080】図13は、本実施の形態の検査装置を用い
てなす検査の手順を例示するフローチャートである。同
図に例示される検査の手順は、図11に例示される実施
の形態5のステップS8とステップS10との間に、図
5に例示される実施の形態2のステップS18〜ステッ
プS20が挿入されたものである。尚、ステップS10
より後の図示は省略している。
FIG. 13 is a flowchart illustrating an inspection procedure performed using the inspection apparatus according to the present embodiment. In the inspection procedure illustrated in FIG. 11, steps S18 to S20 of the second embodiment illustrated in FIG. 5 are inserted between steps S8 and S10 of the fifth embodiment illustrated in FIG. It was done. Step S10
Illustrations after that are omitted.

【0081】以上の構成から理解されるように、実施の
形態5の構成と本実施の形態の構成との相違点とは、実
施の形態1の構成と実施の形態2の構成との相違点と同
じである。即ち、図2に例示される実施の形態2のステ
ップS2が図11に例示される実施の形態5のステップ
S2aに置き換えられただけである。実施の形態5に対
して本実施の形態において特に得られる効果は、実施の
形態1に対して実施の形態2において特に得られる効果
と同じである。
As can be understood from the above configuration, the difference between the configuration of the fifth embodiment and the configuration of the present embodiment is the difference between the configuration of the first embodiment and the configuration of the second embodiment. Is the same as That is, step S2 of the second embodiment illustrated in FIG. 2 is simply replaced with step S2a of the fifth embodiment illustrated in FIG. The effects obtained particularly in the present embodiment with respect to the fifth embodiment are the same as the effects obtained particularly in the second embodiment with respect to the first embodiment.

【0082】本実施の形態の構成から、実施の形態5と
同様に、図4に例示される実施の形態2の予備検査機8
を用意せず、カメラ3及びモニタ17を用いて欠陥の座
標の抽出及び保持を行っても、実施の形態2の効果が得
られることに支障はないことが理解される。
According to the structure of the present embodiment, similar to the fifth embodiment, the preliminary inspection machine 8 of the second embodiment illustrated in FIG.
It is understood that the effect of Embodiment 2 can be obtained even if the coordinates of the defect are extracted and held using the camera 3 and the monitor 17 without preparing.

【0083】実施の形態7.図14は、本実施の形態に
従う検査装置の構成を例示するブロック図である。図8
に例示される実施の形態4の検査装置に備わるカメラ3
及びレーザー加工機16がそれぞれ電子顕微鏡14及び
集束イオンビーム光学系15に置き換えられているが、
果たす機能は同じであり、実質的な変更はなされていな
い。また、図8に例示される予備検査機8及び座標用信
号線9は、実施の形態5の場合と同様に省かれている。
実施の形態5の場合と同様に、モニタ17が図示されて
いる。
Embodiment 7 FIG. FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration of an inspection device according to the present embodiment. FIG.
Camera 3 provided in the inspection device of Embodiment 4 exemplified in FIG.
And the laser beam machine 16 are replaced by an electron microscope 14 and a focused ion beam optical system 15, respectively.
The function performed is the same, with no substantial changes. Further, the preliminary inspection device 8 and the coordinate signal line 9 illustrated in FIG. 8 are omitted as in the case of the fifth embodiment.
The monitor 17 is illustrated as in the case of the fifth embodiment.

【0084】図15及び図16は、本実施の形態の検査
装置を用いてなす検査の手順を例示する1つのフローチ
ャートを一体として示す図である。両図は、“A”が丸
で囲まれた記号の部分において接続している。具体的に
は、図15に例示されるステップS20に引き続いて
は、図16に例示されているステップS10の処理が行
われる。
FIGS. 15 and 16 are diagrams integrally showing one flowchart exemplifying a procedure of an inspection performed by using the inspection apparatus of the present embodiment. In both figures, "A" is connected at the portion of the symbol surrounded by a circle. Specifically, subsequent to step S20 illustrated in FIG. 15, the process of step S10 illustrated in FIG. 16 is performed.

【0085】図15及び図16に例示されるフローチャ
ートは、実施の形態4のステップS2が本実施の形態の
ステップS2bに置き換えられているだけであり、その
他の部分は実施の形態4の検査手順と同じである。ステ
ップS2bは、図11に例示される実施の形態5のステ
ップS2aと同様の処理を行うステップであり、実施の
形態5のステップS2aにおいてカメラ3が果たす機能
を本実施の形態のステップS2bにおいては電子顕微鏡
14が代わりに果たしている点が異なっているのみであ
る。
The flowcharts illustrated in FIGS. 15 and 16 are the same as those of the fourth embodiment except that step S2 of the fourth embodiment is replaced with step S2b of the present embodiment. Is the same as Step S2b is a step of performing the same processing as step S2a of the fifth embodiment illustrated in FIG. 11, and the function performed by the camera 3 in step S2a of the fifth embodiment is performed in step S2b of the present embodiment. The only difference is that the electron microscope 14 plays instead.

【0086】尚、図16においては、ステップS13よ
り後の処理は図1と同じであるとして図示を省略してい
る。実施の形態5及び実施の形態6に関する説明から明
らかであるように、予備検査機8を用いなくとも実施の
形態4の効果を得ることができる。
In FIG. 16, the processing after step S13 is the same as in FIG. 1, and is not shown. As is clear from the description of the fifth and sixth embodiments, the effects of the fourth embodiment can be obtained without using the preliminary inspection machine 8.

【0087】図14においては、検査対象として、ディ
スプレイ用の薄膜トランジスタ(TFT)基板2aがX
−Yステージ1上に載置されている。TFT基板2aは
図15及び図16に例示される検査の手順によって検査
され、実施の形態4と同様に、ステップS21において
欠陥の補修が高精度に行われる。
In FIG. 14, a thin film transistor (TFT) substrate 2a for a display is X
-It is mounted on the Y stage 1. The TFT substrate 2a is inspected according to the inspection procedure illustrated in FIGS. 15 and 16, and repair of the defect is performed with high accuracy in step S21 as in the fourth embodiment.

【0088】ディスプレイ用の基板は一般に、広い表示
面積を必要とされる。広い面積を有する基板は、面積が
広い分、1つの基板中に欠陥が存在してしまう確率は高
くなる。すると、例えばただ1つの欠陥によってディス
プレイ用の基板が不良品であるとされてしまう確率が高
くなってしまう。
In general, a substrate for a display needs a large display area. The larger the area of a substrate having a large area, the higher the probability that a defect exists in one substrate. Then, for example, the probability that the display substrate is determined to be defective due to only one defect increases.

【0089】しかし、本実施の形態の検査装置はステッ
プS21において欠陥の補修を高精度に行うため、ディ
スプレイ用の基板は確実に救済され、有効に活用され
る。
However, since the inspection apparatus of this embodiment repairs a defect with high accuracy in step S21, the display substrate is reliably rescued and used effectively.

【0090】実施の形態8.実施の形態1〜実施の形態
7に記載の検査装置においては、解消できない問題点が
残ったままとなっている。本実施の形態においては、こ
のような問題点を解決する検査装置の構成について以下
に説明を行う。
Embodiment 8 FIG. In the inspection apparatus described in the first to seventh embodiments, problems that cannot be solved remain. In the present embodiment, a configuration of an inspection device that solves such a problem will be described below.

【0091】まず、第1の未解決の問題点について説明
する。図1に例示される実施の形態1の予備検査機8か
らX−Yステージ1上へとウェーハ2が移動させられた
場合には、載置する際にどうしてもX−Yステージ1と
ウェーハ2との間に位置のズレが生じてしまう。学習部
11は予備検査機8によって抽出された座標を用いてX
−Yステージ1の移動を行いカメラ3によって欠陥の撮
像を行わせるために、このような初期的なズレを放置し
たままではカメラ3の視野内に欠陥が収まらないという
不都合が生じてしまう。そこで、このような初期的なズ
レを予め解消しておくことが欠陥の検査においては望ま
しい。このために、本実施の形態においては、以下に説
明する構成を用いる。
First, the first unsolved problem will be described. When the wafer 2 is moved from the preliminary inspection machine 8 of the first embodiment illustrated in FIG. 1 onto the XY stage 1, the XY stage 1 and the wafer 2 are inevitably mounted. The position shift occurs between them. The learning unit 11 uses the coordinates extracted by the preliminary inspection machine 8 to execute X
Since the -Y stage 1 is moved and the camera 3 takes an image of a defect, there is an inconvenience that the defect does not fit within the field of view of the camera 3 while leaving such an initial deviation. Therefore, it is desirable to eliminate such initial deviation in advance in defect inspection. For this purpose, the present embodiment uses the configuration described below.

【0092】図17は、本実施の形態の検査装置の構成
を例示するブロック図である。同図に例示される検査装
置は、図1に例示される実施の形態1の検査装置に備わ
る学習部11が学習部11dに置き換えられたものであ
る。その他の部分の構成は、そのままである。学習部1
1dは、実施の形態1の学習部11の有する機能はその
ままに、更に本実施の形態の機能が加えられたものであ
る。
FIG. 17 is a block diagram illustrating the configuration of the inspection apparatus according to the present embodiment. In the inspection device illustrated in FIG. 3, the learning unit 11 included in the inspection device of the first embodiment illustrated in FIG. 1 is replaced with a learning unit 11d. The configuration of the other parts is the same. Learning unit 1
1d is a function obtained by adding the function of the present embodiment while keeping the function of the learning unit 11 of the first embodiment.

【0093】図18は、本実施の形態の検査装置が行う
処理動作を例示するフローチャートである。本実施の形
態に従う処理動作は、図2に例示される実施の形態1の
ステップS2とステップS3との間に新たな処理が付け
加えられたものである。図示の簡便のために、ステップ
S2とステップS3との間のみの処理を図18に例示し
ている。このように新たに挿入された処理は、本実施の
形態の学習部11dに特有の機能としてなされる。以
下、実施の形態1との相違点について説明を行う。
FIG. 18 is a flowchart illustrating a processing operation performed by the inspection apparatus according to the present embodiment. In the processing operation according to the present embodiment, new processing is added between step S2 and step S3 of the first embodiment illustrated in FIG. For simplicity of illustration, FIG. 18 illustrates a process only between steps S2 and S3. The newly inserted processing is performed as a function unique to the learning unit 11d according to the present embodiment. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.

【0094】ステップS2において欠陥の座標の抽出及
び保持が予備検査機8によって行われウェーハ2がX−
Yステージ1上に載置された後に、ステップS25にお
いて、原点マークに関する処理が行われる。
In step S2, the coordinates of the defect are extracted and held by the preliminary inspection machine 8, and the wafer 2
After being placed on the Y stage 1, in step S25, processing relating to the origin mark is performed.

【0095】原点マークとは、ウェーハ2の表面におけ
る相対的な位置の基準となる点をいう。ウェーハ2に配
置されている複数のチップには、集積されている素子の
種類に応じて、ある特定の形状をしている部分があった
り、又はチップ内の特定の位置を示す標識が設けられて
いたりする。このようなウェーハ2(チップ)内におけ
る位置の目印となる特定の場所である原点マークは、ス
テップS2における処理の際にその座標を抽出され保持
されている。
The origin mark is a point which is a reference for a relative position on the surface of the wafer 2. A plurality of chips arranged on the wafer 2 may have a part having a specific shape or a mark indicating a specific position in the chip, depending on the type of the integrated element. Or The coordinates of the origin mark, which is a specific location serving as a mark of the position in the wafer 2 (chip), are extracted and held during the processing in step S2.

【0096】ステップS25においては、ステップS2
において複数抽出されている原点マークのうちのいずれ
かである第1の原点マークの座標に基づいてX−Yステ
ージ1の移動を行い、第1の原点マークをカメラ3の視
野内に収める。このような第1の原点マークの撮像のた
めのX−Yステージ1の移動は、学習部11dによって
ステージ制御部6へと指示される。引き続くステップS
26においては、第1の原点マークの撮像をカメラ3を
用いて行い、X−Yステージ1上における原点マークの
座標の抽出及び保持を行う。
In step S25, step S2
The XY stage 1 is moved based on the coordinates of the first origin mark, which is one of the plurality of origin marks extracted in the above, and the first origin mark is set within the field of view of the camera 3. Such movement of the XY stage 1 for imaging the first origin mark is instructed by the learning unit 11d to the stage control unit 6. Subsequent step S
In 26, the first origin mark is imaged using the camera 3, and the coordinates of the origin mark on the XY stage 1 are extracted and held.

【0097】次に、ステップS27においては、残る原
点マークのうちのいずれかである第2の原点マークの座
標に基づき、第1の原点マークの場合と同様に、第2の
原点マークが視野内に収まるようにX−Yステージ1の
移動を行う。そして、ステップS26と同様にステップ
S28において、第2の原点マークの撮像、座標の抽出
及び保持を行う。
Next, in step S27, based on the coordinates of the second origin mark, which is one of the remaining origin marks, the second origin mark is positioned within the visual field in the same manner as in the case of the first origin mark. The XY stage 1 is moved so as to fall within the range. Then, similarly to step S26, in step S28, imaging of the second origin mark, extraction of coordinates, and holding are performed.

【0098】ステップS29においては、ステップS2
6及びステップS28においてそれぞれ抽出された第1
及び第2の原点マークの座標と、ウェーハ2が予備検査
機8からX−Yステージ1へと移動された際に予定通り
の位置に載置されたとした場合の仮想的な第1及び第2
の原点マークの座標とを、それぞれ比較する。そして、
この比較の結果から、現実のウェーハ2と仮想的なウェ
ーハ2との位置のズレが計算される。
In step S29, step S2
6 and the first extracted in step S28, respectively.
And the coordinates of the second origin mark and the virtual first and second positions when the wafer 2 is placed at the expected position when the wafer 2 is moved from the preliminary inspection machine 8 to the XY stage 1.
Are compared with the coordinates of the origin mark. And
From the result of this comparison, the positional deviation between the actual wafer 2 and the virtual wafer 2 is calculated.

【0099】学習部11dは、計算によって求められた
ズレ量が解消される分だけX−Yステージ1が移動され
るように、ステージ制御部6に指示を行う。このような
X−Yステージ1の移動によってズレは補正され、ステ
ップS3以降における欠陥の検査は、初期的な位置のズ
レ無しに良好に行われる。
The learning unit 11d instructs the stage control unit 6 to move the XY stage 1 by the amount by which the displacement amount obtained by the calculation is eliminated. The displacement is corrected by such movement of the XY stage 1, and the defect inspection in step S3 and subsequent steps is performed satisfactorily without initial position displacement.

【0100】原点マークを2つ用いる理由について説明
を行う。1つの原点マークのみを用いる場合には、その
原点マークの実際の位置と仮想的な位置とを一致させる
ようにX−Yステージ1の移動を行ったとしても、ウェ
ーハ2はその原点マークを中心とする回転方向のズレを
まだ許容されている。そこで、他の原点マークの位置を
も決定することによって、ウェーハ2のこのようなズレ
を完全にシャットアウトして補正の信頼性を向上させて
いる。
The reason why two origin marks are used will be described. When only one origin mark is used, even if the XY stage 1 is moved so that the actual position of the origin mark coincides with the virtual position, the wafer 2 is centered on the origin mark. Is still allowed. Therefore, by determining the position of the other origin mark, such a deviation of the wafer 2 is completely shut out, and the reliability of the correction is improved.

【0101】尚、上述の説明においては、チップ内の標
識等を原点マークとする例が示されている。しかし、ス
テップS2において抽出された2つの欠陥の各々の座標
を原点マークとして用いることによっても、上述の如き
補正を行うことは可能である。
In the above description, an example is shown in which a mark or the like in a chip is used as an origin mark. However, the above-described correction can be performed by using the coordinates of each of the two defects extracted in step S2 as the origin mark.

【0102】次に、第2の未解決の問題点について説明
を行う。図17に例示される学習部11dからステージ
制御部6へと指示されるX−Yステージ1の移動の向き
及び量と、実際にX−Yステージ1が移動する向き及び
量との間には、どうしても誤差が生じてしまう。欠陥を
次々と検査するためにステップS7における高精度補正
としてのX−Yステージ1の移動を繰り返す場合には、
このような誤差が累積されて大きなズレとなり、結果的
に、カメラ3の視野内に収められる筈の欠陥が視野から
外れてしまうという事態が生じてしまう。この場合には
ステップS5における撮像を行うことができず、欠陥の
検査を適切に行うことができなくなってしまう。
Next, a second unsolved problem will be described. The direction and amount of movement of the XY stage 1 instructed from the learning unit 11d to the stage control unit 6 illustrated in FIG. 17 and the direction and amount of movement of the XY stage 1 actually Inevitably, an error occurs. When repeating the movement of the XY stage 1 as high-precision correction in step S7 in order to inspect for defects one after another,
Such errors are accumulated and result in a large deviation, and as a result, a defect that should be contained in the field of view of the camera 3 may be out of the field of view. In this case, the imaging in step S5 cannot be performed, and the defect inspection cannot be performed properly.

【0103】また、予備検査機8は散乱光を検知して欠
陥の座標を抽出を行う装置であるため、微小な欠陥でも
光の散乱という拡大の効果によって、図18のステップ
S2においては十分に検知することができる。一方、カ
メラ3等の光学的手段を用いる場合には上述のような拡
大の効果はなく、欠陥の座標を抽出するためにはステッ
プS6における倍率が高くなければならない。このこと
は、図6に例示される電子顕微鏡14を用いる場合にも
当てはまる。しかし、ステップS6における倍率を高く
設定すると、欠陥が撮像視野から外れてしまう確率はど
うしても高くなってしまう。
Further, since the preliminary inspection device 8 is a device for detecting the scattered light and extracting the coordinates of the defect, even in the case of a minute defect, the preliminary inspection device 8 has a sufficient effect in step S2 in FIG. Can be detected. On the other hand, when the optical means such as the camera 3 is used, the above-described enlargement effect is not obtained, and the magnification in step S6 must be high in order to extract the coordinates of the defect. This applies to the case where the electron microscope 14 illustrated in FIG. 6 is used. However, if the magnification in step S6 is set to be high, the probability that the defect will be out of the field of view will inevitably increase.

【0104】以上のようなジレンマによって、撮像視野
内に欠陥を収める倍率と微小な欠陥を確実に撮像する倍
率との間には開きがあり、撮像によって欠陥を確実に捉
えることは、実施の形態1の構成のままでは不可能であ
る。
Due to the dilemma described above, there is a gap between the magnification at which a defect is accommodated in the field of view and the magnification at which a minute defect is imaged reliably. It is impossible with the configuration of FIG.

【0105】そこで、本実施の形態の学習部11dは、
図19に例示される、本実施の形態に特有の処理を行
う。以下、これらの処理について説明を行う。図19
は、本実施の形態の検査装置が行う処理動作を例示する
フローチャートである。本実施の形態に従う処理動作
は、図2に例示される実施の形態1のステップS6とス
テップS7との間に新たな処理が付け加えられたもので
ある。図示の簡便のために、ステップS4とステップS
8との間のみの処理を図19に例示している。
Therefore, the learning section 11d of the present embodiment
Processing unique to the present embodiment, as illustrated in FIG. 19, is performed. Hereinafter, these processes will be described. FIG.
5 is a flowchart illustrating a processing operation performed by the inspection device of the present embodiment. In the processing operation according to the present embodiment, a new process is added between steps S6 and S7 of the first embodiment illustrated in FIG. For simplicity of illustration, steps S4 and S4
FIG. 19 exemplifies the processing only between the steps 8 and 8.

【0106】ステップS5における撮像の際に欠陥が撮
像処理から外れてしまっていたこと、又は欠陥が小さす
ぎることのいずれかの原因によって、ステップS6にお
いて欠陥の抽出を行うことができなかったことを欠陥の
抽出の失敗であるとする。
The fact that the defect could not be extracted in step S6 due to either the defect being out of the image pickup processing at the time of imaging in step S5 or the defect being too small. It is assumed that extraction of a defect has failed.

【0107】ステップS6に引き続くステップS30に
おいては、ステップS6における欠陥の抽出が成功か否
かを判断する。“YES”と判断された場合には本実施
の形態に特有の処理を行う必要無しとしてステップS7
へと移行し、以降は実施の形態1の処理がそのまま行わ
れる。
In step S30 following step S6, it is determined whether or not the defect extraction in step S6 is successful. If “YES” is determined, it is determined that there is no need to perform a process specific to the present embodiment, and step S7 is performed.
Then, the processing of the first embodiment is performed as it is.

【0108】一方、“NO”と判断された場合には、ス
テップS31に移行する。上述のように、欠陥の抽出を
失敗させる原因には撮像視野からのはみ出し及び微小さ
の2種類があるが、ステップS31〜ステップS33に
おいてはまず、微小さによって失敗が生じた場合の対処
を行う。ステップS31〜ステップS33における対処
によってもまだ欠陥が抽出できない場合には、失敗の原
因がはみ出しであるとしてステップS36以降の処理を
行う。このように処理を2段階に設けることによって、
いずれの失敗原因をも解消することが可能となってい
る。
On the other hand, if "NO" is determined, the flow shifts to step S31. As described above, there are two causes for the failure of the defect extraction: protruding from the imaging field of view and minuteness. In steps S31 to S33, first, a measure is taken when a failure occurs due to the minuteness. . If a defect cannot be extracted by the measures in steps S31 to S33, the failure is caused by protruding, and the processing from step S36 is performed. By thus providing the processing in two stages,
It is possible to eliminate any cause of failure.

【0109】ステップS31においては、ステップS9
と同様に、倍率の引き上げを行う。そして、ステップS
32及びステップS33それぞれにおいて、ステップS
5及びステップS6と同様に欠陥の撮像及び抽出を行
う。ステップS6における抽出の失敗の原因が微小さで
ある場合には、ステップS31の倍率の引き上げによっ
て、ステップS33における欠陥の抽出は成功するはず
である。
In step S31, step S9
The magnification is increased in the same manner as described above. And step S
32 and step S33, step S
Image pickup and extraction of defects are performed in the same manner as in step 5 and step S6. If the cause of the extraction failure in step S6 is minute, the extraction of the defect in step S33 should succeed by increasing the magnification in step S31.

【0110】ステップS34においてはステップS30
と同様に、ステップS33における欠陥の抽出が成功し
たか否かが判断される。“YES”と判断された場合に
はステップS7へと移行し、実施の形態1の処理がその
まま行われる。
In step S34, step S30
Similarly to the above, it is determined whether or not the defect extraction in step S33 has succeeded. If "YES" is determined, the process shifts to step S7, and the process of the first embodiment is performed as it is.

【0111】“NO”と判断された場合には、失敗の原
因は微小さではなくはみ出しであるということで、ステ
ップS35へと移行する。ステップS35においては、
図18のステップS2において予備検査機8によって抽
出された原点マークのうち、検査対象となっている欠陥
に最も近いものをピックアップする。そしてこの原点マ
ークの座標に基づき、この原点マークをカメラ3の視野
内へと移動させるように、学習部11dからステージ制
御部6へと指示がなされる。
If "NO" is determined, the cause of the failure is not minute but protruding, and the flow shifts to step S35. In step S35,
Among the origin marks extracted by the preliminary inspection machine 8 in step S2 of FIG. 18, the one closest to the defect to be inspected is picked up. Then, based on the coordinates of the origin mark, the learning unit 11d instructs the stage control unit 6 to move the origin mark into the field of view of the camera 3.

【0112】ステップS36においては、ステップS3
7における原点マークの撮像に先立ち、原点マークが確
実に視野内に収められるように、カメラ3の倍率の引き
下げが行われる。これによって、カメラ3の実質的な視
野が拡大される。
In step S36, step S3
Prior to the imaging of the origin mark in step 7, the magnification of the camera 3 is reduced so that the origin mark is surely contained within the field of view. Thereby, the substantial visual field of the camera 3 is expanded.

【0113】ステップS38においては、ステップS3
7において撮像された原点マークの抽出が行われ、その
実際の座標が既知となる。すると、検査対象となってい
る欠陥とこの原点マークとの間の位置の差異は図18の
ステップS2の処理によって既知となっており、原点マ
ークの実際の座標を始点として位置の相対的な差異の分
だけの移動をX−Yステージ1に行わせた場合には、検
査対象である欠陥がカメラ3の視野内に丁度収まるはず
である。そこで、ステップS39においては、原点マー
クの実際の座標を始点とする相対的な移動をX−Yステ
ージ1に行わせる。
In step S38, step S3
In step 7, the origin mark imaged is extracted, and its actual coordinates become known. Then, the difference between the position of the defect to be inspected and the origin mark is known by the processing in step S2 in FIG. 18, and the relative difference in position with the actual coordinates of the origin mark as the starting point. When the X-Y stage 1 is moved by the amount of, the defect to be inspected should exactly fall within the field of view of the camera 3. Therefore, in step S39, the XY stage 1 is caused to perform a relative movement starting from the actual coordinates of the origin mark.

【0114】ステップS39における相対的な移動によ
って視野に対する欠陥のズレが補正された場合には、ス
テップS5における撮像の後のステップS6において、
欠陥は抽出されるはずである。尚、ステップS39とス
テップS5との間に倍率の引き上げを行うステップS4
0を挟み込んでおくことによって、ステップS36にお
いて引き下げられた倍率から欠陥の検査を行わなければ
ならないという不都合を回避することが可能となる。ス
テップS40において引き上げられた後の倍率として
は、ステップS36において引き下げられる直前の倍率
を学習部11dの記憶回路に記憶させておいて用いれば
十分である。
When the deviation of the defect with respect to the visual field is corrected by the relative movement in step S39, in step S6 after the imaging in step S5,
The defect should be extracted. Step S4 for increasing the magnification between step S39 and step S5.
By sandwiching 0, it is possible to avoid the inconvenience that the defect must be inspected from the magnification reduced in step S36. As the magnification after being raised in step S40, it is sufficient that the magnification immediately before being reduced in step S36 is stored in the storage circuit of the learning unit 11d and used.

【0115】以上のような構成によって、ステップS6
における欠陥の抽出が失敗した場合にも失敗の原因を補
って、欠陥の抽出を再度ステップS6において適切に行
うことが可能となる。これによって、実施の形態1〜実
施の形態7に記載の構成を用いる場合よりも、欠陥の検
査の信頼性が向上される。
With the above configuration, step S6
In the case where the extraction of the defect has failed, the cause of the failure can be compensated for and the defect can be appropriately extracted again in step S6. Thereby, the reliability of defect inspection is improved as compared with the case where the configuration described in the first to seventh embodiments is used.

【0116】ステップS39における相対的な移動行っ
てもステップS6における抽出が失敗する場合には、ス
テップS5、ステップS34及びステップS35を経由
するループによって、1つの欠陥に対して無限に処理が
続けられてしまうという事態が生じ得る。そこで、ある
1つの欠陥に対してこのループの処理がなされた回数を
カウントし、このカウント値がある設定値まで達したら
その欠陥の観察を諦め、図2に例示されるステップS3
aへと移行して次の欠陥の観察を行うという構成を採用
しても良い。ループの処理回数をカウントする構成の他
に、1つの欠陥に対して要した処理時間がある設定時間
を越えたらステップS3aへと移行するという構成を用
いても良い。
If the extraction in step S6 fails even after the relative movement in step S39, the processing is continued indefinitely for one defect by a loop through steps S5, S34 and S35. May occur. Therefore, the number of times this loop process is performed for a certain defect is counted, and when this count value reaches a certain set value, the observation of the defect is abandoned, and step S3 illustrated in FIG.
A configuration may be adopted in which the process shifts to a and the next defect is observed. In addition to the configuration for counting the number of times the loop is processed, a configuration may be used in which the processing shifts to step S3a when the processing time required for one defect exceeds a certain set time.

【0117】この場合には、自動的に検査を行うことが
できなかった欠陥は、後で手動にて検査を行わなければ
ならない。そこで、自動的に検査を行うことができなか
った欠陥の座標を例えば専用のファイル等に記憶させて
おく構成を採用すると良い。このような構成を採用する
ことによって、手動で検査を行わなければならない欠陥
のみを知ることができ、効率的である。
In this case, a defect that cannot be automatically inspected must be manually inspected later. Therefore, it is preferable to adopt a configuration in which the coordinates of defects that could not be inspected automatically are stored in, for example, a dedicated file. By adopting such a configuration, it is possible to know only the defects that need to be manually inspected, which is efficient.

【0118】本実施の検査装置を用いることによって、
1回目の撮像で検査を行えなかった欠陥に対して、倍率
及び撮像位置という条件が変えられた撮像が何度か行わ
れる。これによって、欠陥の抽出がより確実に行われ、
検査の信頼性が向上される。
By using the inspection apparatus of the present embodiment,
For a defect that could not be inspected in the first imaging, imaging is performed several times with the conditions of magnification and imaging position changed. This allows for more reliable defect extraction,
Inspection reliability is improved.

【0119】このような効果は、特に電子顕微鏡等を用
いる場合、即ち、観察のためにX−Yステージ1のXY
平面に対する角度を変化させながら観察を行う場合に顕
著となる。というのは、X−Yステージ1の角度を変化
させる場合にはX−Yステージ1中のある軸を中心とし
てX−Yステージ1を回転させるため、同じX−Yステ
ージ1の位置であっても、中心軸からの距離の違いによ
って回転の際の移動量は異なってしまうからである。
Such an effect is obtained particularly when an electron microscope or the like is used, that is, when the XY stage 1 is used for observation.
This is noticeable when observation is performed while changing the angle with respect to the plane. This is because when the angle of the XY stage 1 is changed, the XY stage 1 is rotated about a certain axis in the XY stage 1, so that the position of the XY stage 1 is the same. This is also because the amount of movement during rotation differs depending on the distance from the central axis.

【0120】中心軸付近の欠陥ならば回転の角度に若干
の誤差が生じていても撮像視野内に収まるが、離れた欠
陥ならばこの誤差によって生ずる位置の狂いが大きくな
ってしまい、視野内に収まらなくなってしまう。しか
し、本実施の形態の構成は、視野内に収まらなくなって
しまった欠陥を視野内へと収めて再び撮像を行うもので
あり、有用である。同様の理由によって、X−Yステー
ジ1をXY平面にて(Z軸を中心にして)回転させて観
察する場合にも回転中心から離れた位置の欠陥はズレが
大きくなってしまうため、本実施の形態の構成にて有効
に対処できる。
If the defect is located near the central axis, even if there is a slight error in the rotation angle, it can be settled within the field of view of the image. It will not fit. However, the configuration according to the present embodiment is useful for capturing an image of a defect that has ceased to fit within the field of view and re-imaging the image, and is useful. For the same reason, when the XY stage 1 is rotated on the XY plane (with the Z axis as the center) for observation, a defect located at a position distant from the center of rotation increases the displacement. It is possible to deal effectively with the configuration of the embodiment.

【0121】以上のような理由によって、X−Yステー
ジ1を回転させた前後にて観察の条件は変わってしま
う。従って、図2に例示されるステップS11において
得られた変化前のX−Yステージ1の移動の積分値を変
化後にも用いて、ステップS4aにおける「移動の積分
値が付加されたX−Yステージ1の移動」を行うことは
不適切である。このような不都合に対処するためには、
ステップS34における状態からステップS39におけ
る相対的な移動後の状態までの移動量の積分を行い、こ
の積分値をステップS11の積分値の代わりに記憶させ
ておけば良い。このような構成によって、変化後の条件
に適した積分値がステップS4aにおいて用いられるこ
とになる。
For the reasons described above, the observation conditions are changed before and after the XY stage 1 is rotated. Therefore, using the integrated value of the movement of the XY stage 1 before the change obtained in step S11 illustrated in FIG. 2 also after the change, the “XY stage to which the integrated value of the movement is added” in step S4a is used. It is inappropriate to do "1 move". To address these inconveniences,
The movement amount from the state in step S34 to the state after the relative movement in step S39 is integrated, and this integrated value may be stored instead of the integrated value in step S11. With such a configuration, an integrated value suitable for the changed condition is used in step S4a.

【0122】[0122]

【発明の効果】請求項1に記載の構成によれば、制御手
段毎の相対的な移動の癖が学習によって把握され、新た
な欠陥に対して相対的な移動が行われる際にこの癖が反
映される。これによって、観察視野から欠陥が外れてし
まうことを回避するために拡大と相対的な移動とを繰り
返すことを省略することが可能となる。即ち、検査に要
する時間が短縮され、開発試作品及び製作治具のみなら
ず、販売又は使用目的のために量産される製品の検査を
行うことが可能となる。
According to the first aspect of the present invention, the relative movement habit of each control means is grasped by learning, and the relative movement habit is determined when a new defect is moved. Will be reflected. This makes it possible to omit the repetition of enlargement and relative movement in order to prevent the defect from deviating from the observation visual field. That is, the time required for the inspection is shortened, and it becomes possible to inspect not only the development prototype and the manufacturing jig, but also products mass-produced for the purpose of sale or use.

【0123】請求項2に記載の構成によれば、向き及び
量という2つのパラメータによって制御手段の癖が把握
される。これらのパラメータは、そのままの値にて記憶
及び読み出しを行うことが可能である。従って、向き及
び量に基づいて行われる相対的な移動は再現性が高くな
り、欠陥は観察視野の中に好適に位置したままとなる。
According to the configuration of the second aspect, the habit of the control means is grasped by the two parameters of the direction and the amount. These parameters can be stored and read with their values as they are. Therefore, the relative movement performed based on the orientation and the amount is highly reproducible, and the defect remains properly located in the observation field of view.

【0124】請求項3に記載の構成によれば、検査装置
の電源が投入される度に相対的な移動の学習を行わなけ
ればならない必要がなくなる。これによって、学習に要
する時間が不要となり、請求項1に記載の構成による効
果に加え、検査に要する時間が更に短縮される。
According to the configuration of the third aspect, it is not necessary to learn the relative movement every time the power of the inspection apparatus is turned on. As a result, the time required for the learning becomes unnecessary, and the time required for the inspection is further reduced in addition to the effect of the configuration according to the first aspect.

【0125】請求項4に記載の構成によれば、欠陥の種
別のうち画像情報と分析結果とが対応付けられていない
もののみが分析手段の対象となる。これによって、対応
付けが行われている種別に対して分析が行われてしまう
という無駄が省かれ、検査に要する時間が短縮される。
According to the fourth aspect of the present invention, only the defect types in which the image information and the analysis result are not associated with each other are the targets of the analysis means. This eliminates the waste of performing the analysis for the type to which the association has been made, and reduces the time required for the inspection.

【0126】更に、未学習の画像情報に対して対応付け
が逐次行われることによって、学習済の種別が増加して
いく。このような構成は、検査を行う前に予め対応付け
の学習が行われた欠陥のみ種別の判別が行われるとい
う、使用時には学習を行わない従来の構成とは異なり、
使用者の手間を取ることなく使用に並行して検査装置の
性能が向上される。
Further, the association with the unlearned image information is successively performed, so that the types that have been learned increase. Such a configuration is different from a conventional configuration in which learning is not performed during use, in which the type is determined only for defects for which learning of association has been performed in advance before performing inspection.
The performance of the inspection device is improved in parallel with use without taking the trouble of the user.

【0127】請求項5に記載の構成によれば、補修手段
によっては補修することが不可能である種別の欠陥に対
して補修手段が稼動するという無駄が省かれる。
According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to eliminate the waste that the repairing means operates for a defect of a type that cannot be repaired by the repairing means.

【0128】請求項6に記載の構成によれば、広い面積
の中に存在するただ1つの欠陥のみによって不良品とさ
れてしまうディスプレイ用の基板が、請求項5に記載の
構成によって検査及び補修される。従来ならば量産品の
欠陥の検査及び補修が行えないことによって無駄になっ
ていたディスプレイ用の基板が請求項5に記載の構成に
よって救済されることによって活用することが可能とな
り、ディスプレイの生産性が向上される。
According to the structure of claim 6, a display substrate which is determined to be defective due to only one defect existing in a wide area is inspected and repaired by the structure of claim 5. Is done. A display substrate which has been wasted because inspection and repair of a defect in a mass-produced product could not be performed in the past can be utilized by being relieved by the configuration according to claim 5, and the display productivity can be improved. Is improved.

【0129】請求項7に記載の構成によれば、ステージ
上に半導体基板が正しく載置されたことになる。これに
よって、制御手段による収納動作が失敗なく行われ、欠
陥の観察を確実に行うことが可能となる。
According to the structure of the seventh aspect, the semiconductor substrate is correctly mounted on the stage. As a result, the storage operation by the control means is performed without failure, and it is possible to reliably observe the defect.

【0130】請求項8に記載の構成によれば、観察視野
から外れてしまった欠陥が観察視野内へと収納される。
これによって、この新たな欠陥に対する検査を確実に行
うことが可能となる。
According to the configuration of the eighth aspect, a defect which has deviated from the observation visual field is stored in the observation visual field.
As a result, it is possible to reliably perform the inspection for the new defect.

【0131】請求項9に記載の構成によれば、引き下げ
後の倍率から欠陥の観察を行い始めなければならないと
いう手間が省かれる。これによって、観察手段によって
行われる欠陥の拡大及び観察の何段階か分の時間が短縮
され、検査の効率が向上される。
According to the configuration of the ninth aspect, the trouble of having to start observing the defect from the magnification after the reduction is eliminated. As a result, the time for several stages of defect enlargement and observation performed by the observation means is reduced, and the inspection efficiency is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施の形態1に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a first embodiment.

【図2】 実施の形態1に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the first embodiment.

【図3】 実施の形態1に従う検査装置を用いる際の処
理手順の他例を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing another example of the processing procedure when using the inspection device according to the first embodiment.

【図4】 実施の形態2に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a second embodiment.

【図5】 実施の形態2に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the second embodiment.

【図6】 実施の形態3に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a third embodiment.

【図7】 実施の形態3に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the third embodiment.

【図8】 実施の形態4に従う検査装置の構成の一例を
示すブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a fourth embodiment.

【図9】 実施の形態4に従う検査装置を用いる際の処
理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the fourth embodiment.

【図10】 実施の形態5に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a fifth embodiment.

【図11】 実施の形態5に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the fifth embodiment.

【図12】 実施の形態6に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a sixth embodiment.

【図13】 実施の形態6に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 13 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the sixth embodiment.

【図14】 実施の形態7に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to a seventh embodiment.

【図15】 実施の形態7に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 15 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the seventh embodiment.

【図16】 実施の形態7に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 16 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the seventh embodiment.

【図17】 実施の形態8に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。
FIG. 17 is a block diagram showing an example of a configuration of an inspection device according to an eighth embodiment.

【図18】 実施の形態8に従う検査装置を用いる際の
処理手順の一例を示すフローチャートである。
FIG. 18 is a flowchart showing an example of a processing procedure when using the inspection device according to the eighth embodiment.

【図19】 実施の形態8に従う検査装置を用いる際の
処理手順の他例を示すフローチャートである。
FIG. 19 is a flowchart showing another example of the processing procedure when using the inspection device according to the eighth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 X−Yステージ、2 ウェーハ、2a 薄膜トラン
ジスタ(TFT)基板、3 カメラ、4 画像処理部、
5 画像信号線、5a 画像信号線、6 ステージ制御
部、7 制御信号線、8 予備検査機、9,10a 座
標用信号線、10b 移動用信号線、10c 分析結果
用信号線、10d 補修用信号線、11,11a〜11
d 学習部、12 成分分析部、14 電子顕微鏡、1
5 集束イオンビーム光学系、16 レーザー加工機、
17 モニタ。
1 XY stage, 2 wafers, 2a thin film transistor (TFT) substrate, 3 cameras, 4 image processing units,
5 image signal line, 5a image signal line, 6 stage control section, 7 control signal line, 8 preliminary inspection machine, 9, 10a coordinate signal line, 10b movement signal line, 10c analysis result signal line, 10d repair signal Lines, 11, 11a-11
d Learning unit, 12 component analysis unit, 14 electron microscope, 1
5 focused ion beam optical system, 16 laser beam machine,
17 Monitor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G06T 7/00 G06F 15/62 405A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G06T 7/00 G06F 15/62 405A

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査体である半導体基板が有する欠陥
の位置を抽出する抽出手段と、 前記欠陥の拡大及び観察を行う観察手段と、 抽出された前記位置を前記観察手段の観察視野に収める
収納動作を、前記半導体基板と該観察手段との相対的な
移動によって、前記拡大に並行して遂行する制御手段
と、 前記相対的な移動の学習を行い、学習済の該相対的な移
動を新たな欠陥に対して再現することを前記制御手段に
指示する学習手段とを備える、検査装置。
1. An extracting means for extracting a position of a defect of a semiconductor substrate to be inspected, an observing means for enlarging and observing the defect, and the extracted position is contained in an observation field of view of the observing means. Control means for performing the storing operation in parallel with the enlargement by relative movement between the semiconductor substrate and the observation means; learning of the relative movement; An inspection apparatus comprising: a learning unit that instructs the control unit to reproduce a new defect.
【請求項2】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記学習は、前記相対的な移動の向き及び量を記憶する
ことによってなされる、検査装置。
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the learning is performed by storing a direction and an amount of the relative movement.
【請求項3】 請求項2に記載の検査装置であって、 前記向き及び前記量は、前記検査装置の電源が切られて
いるときにも続けて記憶される、検査装置。
3. The inspection apparatus according to claim 2, wherein the orientation and the amount are continuously stored even when the power of the inspection apparatus is turned off.
【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3に記
載の検査装置であって、 前記欠陥の成分を分析して分析結果を得る分析手段を更
に備え、 前記観察手段は、前記欠陥の画像情報を取り込み、 前記学習手段は、 前記分析結果と前記画像情報との対応付けによる学習に
基づき、新たな画像情報を与える前記新たな欠陥の種別
を判別し、 前記新たな欠陥に対して前記分析手段が稼動するか否か
を決定する、検査装置。
4. The inspection apparatus according to claim 1, further comprising an analysis unit for analyzing a component of the defect to obtain an analysis result, wherein the observation unit is configured to detect the defect. The learning means determines the type of the new defect that gives new image information based on learning by associating the analysis result with the image information. An inspection device that determines whether the analysis unit operates.
【請求項5】 請求項4に記載の検査装置であって、 前記新たな欠陥の補修を行う補修手段を更に備え、 前記学習手段は、前記対応付けによって判別された前記
種別に応じて、前記補修手段が稼動するか否かを決定す
る、検査装置。
5. The inspection device according to claim 4, further comprising a repair unit that repairs the new defect, wherein the learning unit is configured to perform the repair in accordance with the type determined by the association. An inspection device that determines whether the repair means operates.
【請求項6】 請求項5に記載の検査装置であって、前
記半導体基板はディスプレイ用の基板である、検査装
置。
6. The inspection apparatus according to claim 5, wherein the semiconductor substrate is a display substrate.
【請求項7】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記抽出手段と前記観察手段とは、互いに別個であり、 前記半導体基板は、 前記半導体基板における相対的な位置の基準となる第1
及び第2のポインタそれぞれの位置である第1及び第2
の位置を前記抽出手段によって抽出され、 前記第1及び第2の位置を前記抽出手段によって抽出さ
れた後に、前記制御手段によって動きを制御されるステ
ージ上に載置され、 前記観察手段は、前記ステージ上に載置された前記半導
体基板に関して、前記第1及び第2の位置を抽出し、 前記学習手段は、 前記半導体基板が前記ステージ上に正しく載置されてい
る場合の仮想的な前記第1及び第2の位置と、前記観察
手段によって抽出された前記第1及び第2の位置とをそ
れぞれ比較することによって、該半導体基板と該ステー
ジとの位置関係のズレを認識し、 前記ズレが解消される前記ステージの移動を前記制御手
段に指示する、検査装置。
7. The inspection device according to claim 1, wherein the extraction unit and the observation unit are separate from each other, and the semiconductor substrate is a reference for a relative position on the semiconductor substrate. 1
The first and second pointers,
Is extracted by the extraction unit, and after the first and second positions are extracted by the extraction unit, the extraction unit is placed on a stage whose movement is controlled by the control unit. With respect to the semiconductor substrate mounted on a stage, the first and second positions are extracted, and the learning unit is configured to perform the virtual second processing when the semiconductor substrate is correctly mounted on the stage. By comparing the first and second positions with the first and second positions extracted by the observation means, respectively, the positional relationship between the semiconductor substrate and the stage is recognized, and An inspection apparatus for instructing the control means to move the stage to be canceled.
【請求項8】 請求項1に記載の検査装置であって、 前記学習手段は、前記欠陥が前記観察視野内にて観察不
可能であることを検知すると、 前記観察手段には倍率の引き下げを指示し、 前記制御手段には、前記半導体基板における相対的な位
置の基準となるポインタが前記引き下げ後の前記観察視
野に収納されることを指示し、 前記観察手段は、前記観察視野に収納された前記ポイン
タの位置である基準位置を抽出し、 前記学習手段は、前記抽出手段によって得られている前
記ポインタの位置と前記欠陥の位置との間の相対的な位
置の分の移動を、前記基準位置を始点として行うことを
前記制御手段に指示する、検査装置。
8. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the learning unit, when detecting that the defect is not observable in the observation visual field, reduces a magnification of the observation unit. The control means instructs that a pointer serving as a reference for a relative position on the semiconductor substrate is stored in the observation field of view after the pull-down, and the observation means is stored in the observation field of view. Extracting a reference position, which is the position of the pointer, wherein the learning unit moves the relative position between the position of the pointer and the position of the defect obtained by the extraction unit, An inspection apparatus for instructing the control unit to perform the process with a reference position as a starting point.
【請求項9】 請求項8に記載の検査装置であって、 前記学習手段は、前記基準位置が抽出された後であり、
前記基準位置を始点として前記相対的な位置の分の移動
を行うことを指示するよりも前に、前記観察手段に前記
倍率の引き上げを指示する、検査装置。
9. The inspection device according to claim 8, wherein the learning unit is after the reference position is extracted,
An inspection apparatus for instructing the observation means to increase the magnification before instructing to move the relative position starting from the reference position.
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