JPH10340861A - 不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置 - Google Patents
不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置Info
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- JPH10340861A JPH10340861A JP25017297A JP25017297A JPH10340861A JP H10340861 A JPH10340861 A JP H10340861A JP 25017297 A JP25017297 A JP 25017297A JP 25017297 A JP25017297 A JP 25017297A JP H10340861 A JPH10340861 A JP H10340861A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
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- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度な不純物濃度分布を算出する不純物シ
ミュレーション方法および不純物シミュレーション装置
を提供すること。 【解決手段】 本発明は、データベース１よりＳＩＭＳ
測定等の不純物濃度分布測定データを取り込み、この不
純物濃度分布測定データに基づきパラメータ抽出プログ
ラム３にてシミュレーションパラメータを抽出する。次
いで抽出したシミュレーションパラメータが打ち込みド
ーズ量、打ち込み角度、基板上の膜厚、打ち込みエネル
ギーに対して連続的な値となるようなデータ処理をデー
タ処理プログラム２で行い、そのデータ処理後のシミュ
レーションパラメータを用いて基板深さに対する不純物
濃度分布を不純物シミュレータ６にて算出する。また、
不純物濃度分布形状が不連続となる場合は、各種条件間
に新たなシミュレーションパラメータを設定している。
ミュレーション方法および不純物シミュレーション装置
を提供すること。 【解決手段】 本発明は、データベース１よりＳＩＭＳ
測定等の不純物濃度分布測定データを取り込み、この不
純物濃度分布測定データに基づきパラメータ抽出プログ
ラム３にてシミュレーションパラメータを抽出する。次
いで抽出したシミュレーションパラメータが打ち込みド
ーズ量、打ち込み角度、基板上の膜厚、打ち込みエネル
ギーに対して連続的な値となるようなデータ処理をデー
タ処理プログラム２で行い、そのデータ処理後のシミュ
レーションパラメータを用いて基板深さに対する不純物
濃度分布を不純物シミュレータ６にて算出する。また、
不純物濃度分布形状が不連続となる場合は、各種条件間
に新たなシミュレーションパラメータを設定している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物シミュレー
タにおいて不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、このシミュレータパラメータ
に対してデータ処理を施して所定の不純物濃度分布を算
出する不純物シミュレーション方法および不純物シミュ
レーション装置に関する。
タにおいて不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、このシミュレータパラメータ
に対してデータ処理を施して所定の不純物濃度分布を算
出する不純物シミュレーション方法および不純物シミュ
レーション装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板等に打ち込まれる不
純物の深さ方向に対する不純物濃度をシミュレーション
する場合には、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectro
scopy）測定等によって得られた不純物の基板深さ方向
に対する不純物濃度分布データや、モンテカルロイオン
注入シミュレーション等の物理現象を高精度にモデル化
した計算によって求められる不純物の基板深さ方向に対
する不純物濃度分布データより、最小自乗法（Levenber
g-Marquart法等）を用いて不純物イオンシミュレータに
内蔵されている所定関数を表すシミュレーションパラメ
ータの抽出を行い、この抽出したシミュレーションパラ
メータを用いて不純物濃度分布を算出している。
純物の深さ方向に対する不純物濃度をシミュレーション
する場合には、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectro
scopy）測定等によって得られた不純物の基板深さ方向
に対する不純物濃度分布データや、モンテカルロイオン
注入シミュレーション等の物理現象を高精度にモデル化
した計算によって求められる不純物の基板深さ方向に対
する不純物濃度分布データより、最小自乗法（Levenber
g-Marquart法等）を用いて不純物イオンシミュレータに
内蔵されている所定関数を表すシミュレーションパラメ
ータの抽出を行い、この抽出したシミュレーションパラ
メータを用いて不純物濃度分布を算出している。
【０００３】ＳＩＭＳ測定法等の測定によって得られた
不純物濃度分布データやモンテカルロイオン注入シミュ
レーション等の計算によって得られた不純物濃度分布デ
ータからシミュレーションパラメータを抽出するには、
先に示したように最小自乗法を用いており、上記不純物
濃度分布データから不純物シミュレーション方法および
不純物シミュレーション装置のイオン注入計算に用いる
所定の関数のパラメータを求めている。
不純物濃度分布データやモンテカルロイオン注入シミュ
レーション等の計算によって得られた不純物濃度分布デ
ータからシミュレーションパラメータを抽出するには、
先に示したように最小自乗法を用いており、上記不純物
濃度分布データから不純物シミュレーション方法および
不純物シミュレーション装置のイオン注入計算に用いる
所定の関数のパラメータを求めている。
【０００４】例えば、上記所定の関数がDual-Pearson関
数の場合には、９つのシミュレーションパラメータ（Ｒ
p1、σ1 、γ1 、β1 、Ｒp2、σ2 、γ2 、β2 、Ｒ）
が必要となるため、上記不純物濃度分布データからこれ
ら９つのシミュレーションパラメータを抽出することに
なる。
数の場合には、９つのシミュレーションパラメータ（Ｒ
p1、σ1 、γ1 、β1 、Ｒp2、σ2 、γ2 、β2 、Ｒ）
が必要となるため、上記不純物濃度分布データからこれ
ら９つのシミュレーションパラメータを抽出することに
なる。
【０００５】不純物シミュレーション方法や不純物シミ
ュレーション装置に用いられる所定の関数としては、Du
al-Pearson関数の他にGauss 関数、Pearson 関数等があ
るが、Dual-Pearson関数は基板へのイオン注入による不
純物の基板深さ方向の不純物濃度分布を高精度に再現で
きるメリットがある。
ュレーション装置に用いられる所定の関数としては、Du
al-Pearson関数の他にGauss 関数、Pearson 関数等があ
るが、Dual-Pearson関数は基板へのイオン注入による不
純物の基板深さ方向の不純物濃度分布を高精度に再現で
きるメリットがある。
【０００６】また、近年の不純物シミュレーション方法
や不純物シミュレーション装置におけるイオン注入計算
では、不純物の打ち込みエネルギー依存性、打ち込みド
ーズ量依存性、打ち込み角度依存性、基板上の多層膜の
膜厚依存性が考慮されている。このため、各依存性毎に
所定の関数のシミュレーションパラメータを抽出し、不
純物濃度分布を算出している。
や不純物シミュレーション装置におけるイオン注入計算
では、不純物の打ち込みエネルギー依存性、打ち込みド
ーズ量依存性、打ち込み角度依存性、基板上の多層膜の
膜厚依存性が考慮されている。このため、各依存性毎に
所定の関数のシミュレーションパラメータを抽出し、不
純物濃度分布を算出している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳＩＭＳ測定
等によって得られる不純物濃度分布データは、測定条
件、測定誤差、測定メカニズムによる影響等によりその
値にばらつきが生じている。例えば、ＳＩＭＳ測定の場
合、スパッタリングにおける初期効果や測定ノイズ、検
出限界によるノイズ等の影響によって値がばらついてお
り、また、モンテカルロイオン注入シミュレーション等
の計算によって得られる不純物濃度分布データは計算モ
デルの限界や計算条件による影響等により値がばらつい
ている。
等によって得られる不純物濃度分布データは、測定条
件、測定誤差、測定メカニズムによる影響等によりその
値にばらつきが生じている。例えば、ＳＩＭＳ測定の場
合、スパッタリングにおける初期効果や測定ノイズ、検
出限界によるノイズ等の影響によって値がばらついてお
り、また、モンテカルロイオン注入シミュレーション等
の計算によって得られる不純物濃度分布データは計算モ
デルの限界や計算条件による影響等により値がばらつい
ている。
【０００８】したがって、このようなばらつきの生じた
不純物濃度分布データから抽出するシミュレーションパ
ラメータの値にもばらつきが生じることになる。
不純物濃度分布データから抽出するシミュレーションパ
ラメータの値にもばらつきが生じることになる。
【０００９】また、不純物の打ち込みエネルギーや打ち
込みドーズ量、打ち込み角度、多層膜の膜厚等による依
存性毎に求められるシミュレーションパラメータの値が
ばらついていると、このパラメータを用いて求められる
各依存性に対する不純物濃度分布の形状が不連続となっ
てしまう。
込みドーズ量、打ち込み角度、多層膜の膜厚等による依
存性毎に求められるシミュレーションパラメータの値が
ばらついていると、このパラメータを用いて求められる
各依存性に対する不純物濃度分布の形状が不連続となっ
てしまう。
【００１０】この不純物濃度分布の形状の不連続性は、
打ち込みドーズ量に対するシミュレーション、打ち込み
角度に対するシミュレーション、多層膜の膜厚に対する
シミュレーションおよび打ち込みエネルギーに対するシ
ミュレーションの精度低下を招くことになり、接合位置
の計算、プロセス・デバイスシミュレーションによる電
気的特性の計算においてイオン注入の条件振りを行った
場合に悪影響を及ぼすことになる。
打ち込みドーズ量に対するシミュレーション、打ち込み
角度に対するシミュレーション、多層膜の膜厚に対する
シミュレーションおよび打ち込みエネルギーに対するシ
ミュレーションの精度低下を招くことになり、接合位置
の計算、プロセス・デバイスシミュレーションによる電
気的特性の計算においてイオン注入の条件振りを行った
場合に悪影響を及ぼすことになる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された不純物シミュレーション方
法および不純物シミュレーション装置である。
題を解決するために成された不純物シミュレーション方
法および不純物シミュレーション装置である。
【００１２】すなわち、本発明の不純物シミュレーショ
ン方法は、基板への打ち込みドーズ量、または打ち込み
角度、または基板上の膜厚に応じた基板深さに対する不
純物濃度分布データに基づき所定のシミュレーションパ
ラメータを抽出し、このシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出する方法
であり、先ず、不純物濃度分布データに基づきシミュレ
ーションパラメータを抽出し、次いで、抽出したシミュ
レーションパラメータが打ち込みドーズ量、または打ち
込み角度、または膜厚、または打ち込みエネルギーに対
して連続的な値となるようなデータ処理を行い、その
後、データ処理後のシミュレーションパラメータを用い
て基板深さに対する不純物濃度分布を算出している。
ン方法は、基板への打ち込みドーズ量、または打ち込み
角度、または基板上の膜厚に応じた基板深さに対する不
純物濃度分布データに基づき所定のシミュレーションパ
ラメータを抽出し、このシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出する方法
であり、先ず、不純物濃度分布データに基づきシミュレ
ーションパラメータを抽出し、次いで、抽出したシミュ
レーションパラメータが打ち込みドーズ量、または打ち
込み角度、または膜厚、または打ち込みエネルギーに対
して連続的な値となるようなデータ処理を行い、その
後、データ処理後のシミュレーションパラメータを用い
て基板深さに対する不純物濃度分布を算出している。
【００１３】さらに、シミュレーションパラメータが打
ち込みドーズ量、または打ち込み角度、または膜厚、ま
たは打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるよう
なデータ処理を行った後、そのデータ処理後のシミュレ
ーションパラメータによって算出する不純物濃度分布の
形状が打ち込みドーズ量、または打ち込み角度、または
膜厚、または打ち込みエネルギーに対して連続的に変化
するよう新たなシミュレーションパラメータを設定する
不純物シミュレーション方法でもある。
ち込みドーズ量、または打ち込み角度、または膜厚、ま
たは打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるよう
なデータ処理を行った後、そのデータ処理後のシミュレ
ーションパラメータによって算出する不純物濃度分布の
形状が打ち込みドーズ量、または打ち込み角度、または
膜厚、または打ち込みエネルギーに対して連続的に変化
するよう新たなシミュレーションパラメータを設定する
不純物シミュレーション方法でもある。
【００１４】このような不純物シミュレーション方法で
は、不純物濃度分布データから抽出したシミュレーショ
ンパラメータを打ち込みドーズ量、または打ち込み角
度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギーに
対して連続的な値となるようデータ処理を行っているた
め、不純物濃度分布の打ち込みドーズ量、または打ち込
み角度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギ
ーに対する変化を正確にとらえることができるようにな
る。
は、不純物濃度分布データから抽出したシミュレーショ
ンパラメータを打ち込みドーズ量、または打ち込み角
度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギーに
対して連続的な値となるようデータ処理を行っているた
め、不純物濃度分布の打ち込みドーズ量、または打ち込
み角度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギ
ーに対する変化を正確にとらえることができるようにな
る。
【００１５】また、本発明の不純物シミュレーション装
置は、基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき
所定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、シミュレーションパラメータが打ち込みドーズ量、
または打ち込み角度、または基板上の膜厚、または打ち
込みエネルギーに対して連続的な値となるようデータ処
理を行うデータ補間手段と、連続的な値となったシミュ
レーションパラメータを用いて不純物の振る舞いまたは
最終的な基板深さに対する不純物濃度分布を見積もる算
出手段とを備えている。
置は、基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき
所定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、シミュレーションパラメータが打ち込みドーズ量、
または打ち込み角度、または基板上の膜厚、または打ち
込みエネルギーに対して連続的な値となるようデータ処
理を行うデータ補間手段と、連続的な値となったシミュ
レーションパラメータを用いて不純物の振る舞いまたは
最終的な基板深さに対する不純物濃度分布を見積もる算
出手段とを備えている。
【００１６】さらに、データ補間手段によるデータ処理
後のシミュレーションパラメータによって算出する不純
物濃度分布の形状が打ち込みドーズ量、または打ち込み
角度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギー
に対して連続的に変化するよう新たなシミュレーション
パラメータを設定するパラメータ設定手段を備えている
不純物シミュレーション装置でもある。
後のシミュレーションパラメータによって算出する不純
物濃度分布の形状が打ち込みドーズ量、または打ち込み
角度、または基板上の膜厚、または打ち込みエネルギー
に対して連続的に変化するよう新たなシミュレーション
パラメータを設定するパラメータ設定手段を備えている
不純物シミュレーション装置でもある。
【００１７】このような不純物シミュレーション装置で
は、抽出手段によって抽出したシミュレーションパラメ
ータをデータ補間手段によって打ち込みドーズ量、また
は打ち込み角度、または基板上の膜厚に対して連続的な
値となるよう処理を行い、さらに、不純物濃度分布形状
が連続的となるようシミュレーションパラメータ間に新
たなシミュレーションパラメータを設定する処理を行う
ため、算出手段によってこの連続的な値となったシミュ
レーションパラメータを用いて不純物の振る舞いや、最
終的な基板深さに対する不純物濃度分布を正確に算出で
きるようになる。
は、抽出手段によって抽出したシミュレーションパラメ
ータをデータ補間手段によって打ち込みドーズ量、また
は打ち込み角度、または基板上の膜厚に対して連続的な
値となるよう処理を行い、さらに、不純物濃度分布形状
が連続的となるようシミュレーションパラメータ間に新
たなシミュレーションパラメータを設定する処理を行う
ため、算出手段によってこの連続的な値となったシミュ
レーションパラメータを用いて不純物の振る舞いや、最
終的な基板深さに対する不純物濃度分布を正確に算出で
きるようになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の不純物シミュレ
ーション方法および不純物シミュレーション装置におけ
る実施の形態を図に基づいて説明する。
ーション方法および不純物シミュレーション装置におけ
る実施の形態を図に基づいて説明する。
【００１９】図１は第１実施形態における不純物シミュ
レーション装置のブロック構成図、図２〜図３は第１実
施形態で適用される不純物シミュレーション方法の主要
部であるデータ処理プログラムを説明するフローチャー
トである。
レーション装置のブロック構成図、図２〜図３は第１実
施形態で適用される不純物シミュレーション方法の主要
部であるデータ処理プログラムを説明するフローチャー
トである。
【００２０】本実施形態における不純物シミュレーショ
ン方法および不純物シミュレーション装置は、主として
コンピュータ（パーソナルコンピュータ、ワークステー
ション等）による論理形式のプログラム処理で実現する
ものである。
ン方法および不純物シミュレーション装置は、主として
コンピュータ（パーソナルコンピュータ、ワークステー
ション等）による論理形式のプログラム処理で実現する
ものである。
【００２１】先ず、図１に基づいて第１実施形態におけ
る不純物シミュレーション装置を説明する。すなわち、
この不純物シミュレーション装置は、ＳＩＭＳ測定等に
よって得られる不純物濃度分布データを蓄積するデータ
ベース１と、各種データの処理を行うためのデータ処理
プログラム２と、シミュレーションパラメータを抽出す
るためのパラメータ抽出プログラム３と、抽出したシミ
ュレーションパラメータを示すイオン注入レンジ表を表
示するイオン注入レンジ表表示部４と、イオン注入レン
ジ表を不純物シミュレータ６に渡すためのイオン注入レ
ンジ表出力部５とから構成されている。
る不純物シミュレーション装置を説明する。すなわち、
この不純物シミュレーション装置は、ＳＩＭＳ測定等に
よって得られる不純物濃度分布データを蓄積するデータ
ベース１と、各種データの処理を行うためのデータ処理
プログラム２と、シミュレーションパラメータを抽出す
るためのパラメータ抽出プログラム３と、抽出したシミ
ュレーションパラメータを示すイオン注入レンジ表を表
示するイオン注入レンジ表表示部４と、イオン注入レン
ジ表を不純物シミュレータ６に渡すためのイオン注入レ
ンジ表出力部５とから構成されている。
【００２２】第１実施形態の不純物シミュレーション装
置では、このデータ処理プログラム２に設けられた不純
物濃度分布データ処理プログラム２ａによってデータベ
ース３１内のＳＩＭＳ測定データを処理し、打ち込みエ
ネルギーに対して連続な補間を行うプログラム２ｂによ
ってイオン注入レンジ表の各シミュレーションパラメー
タを打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるよう
な処理を行い、打ち込みドーズ量に対して連続な補間を
行うプログラム２ｃによってイオン注入レンジ表の各シ
ミュレーションパラメータを打ち込みドーズ量に対して
連続的な値となるような処理を行う。
置では、このデータ処理プログラム２に設けられた不純
物濃度分布データ処理プログラム２ａによってデータベ
ース３１内のＳＩＭＳ測定データを処理し、打ち込みエ
ネルギーに対して連続な補間を行うプログラム２ｂによ
ってイオン注入レンジ表の各シミュレーションパラメー
タを打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるよう
な処理を行い、打ち込みドーズ量に対して連続な補間を
行うプログラム２ｃによってイオン注入レンジ表の各シ
ミュレーションパラメータを打ち込みドーズ量に対して
連続的な値となるような処理を行う。
【００２３】また、打ち込み角度に対して連続な補間を
行うプログラム２ｄによってイオン注入レンジ表の各シ
ミュレーションパラメータを打ち込み角度に対して連続
的な値となるような処理を行い、基板上の膜の膜厚に対
して連続な補間を行うプログラム２ｅによってイオン注
入レンジ表の各シミュレーションパラメータを基板上の
膜の膜厚に対して連続な値となるよう処理を行ってい
る。
行うプログラム２ｄによってイオン注入レンジ表の各シ
ミュレーションパラメータを打ち込み角度に対して連続
的な値となるような処理を行い、基板上の膜の膜厚に対
して連続な補間を行うプログラム２ｅによってイオン注
入レンジ表の各シミュレーションパラメータを基板上の
膜の膜厚に対して連続な値となるよう処理を行ってい
る。
【００２４】このデータ処理プログラム２によって、イ
オン注入レンジ表出力部５には、不純物の打ち込みエネ
ルギー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜
の膜厚に対して連続な値となるシミュレーションパラメ
ータが出力され、不純物シミュレータ６によって打ち込
みエネルギー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板
上の膜の膜厚に対して連続的に変化する不純物濃度分布
を精度良く算出できるようになる。
オン注入レンジ表出力部５には、不純物の打ち込みエネ
ルギー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜
の膜厚に対して連続な値となるシミュレーションパラメ
ータが出力され、不純物シミュレータ６によって打ち込
みエネルギー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板
上の膜の膜厚に対して連続的に変化する不純物濃度分布
を精度良く算出できるようになる。
【００２５】第１実施形態における不純物シミュレーシ
ョン装置では、この補間の施された不純物濃度分布デー
タに基づくパラメータ抽出プログラム３で所定の関数の
パラメータを抽出している。所定の関数としては、例え
ばDual-Pearson関数が適用されている。
ョン装置では、この補間の施された不純物濃度分布デー
タに基づくパラメータ抽出プログラム３で所定の関数の
パラメータを抽出している。所定の関数としては、例え
ばDual-Pearson関数が適用されている。
【００２６】Dual-Pearson関数は、イオン注入時のチャ
ネリングによる濃度分布を精度良く反映した分布関数で
あり、次式で表される。
ネリングによる濃度分布を精度良く反映した分布関数で
あり、次式で表される。
【００２７】Ｆ（ｘ）＝ＤＯＳＥ×Ｒ×ｆ1 （ｘ，Ｒp
1，σ1 ，γ1 ，β1 ）＋ＤＯＳＥ×（１−Ｒ）×ｆ2
（ｘ，Ｒp2，σ2 ，γ2 ，β2 ）
1，σ1 ，γ1 ，β1 ）＋ＤＯＳＥ×（１−Ｒ）×ｆ2
（ｘ，Ｒp2，σ2 ，γ2 ，β2 ）
【００２８】ここで、Ｆ（ｘ）はDual-Pearson関数、ｘ
は基板の深さ方向の座標、ｆ1 、ｆ2 は規格化された２
つのPearson 関数、ＤＯＳＥはイオン注入の打ち込みド
ーズ量、Ｒは打ち込みドーズに示すｆ1 の割合を示すパ
ラメータである。
は基板の深さ方向の座標、ｆ1 、ｆ2 は規格化された２
つのPearson 関数、ＤＯＳＥはイオン注入の打ち込みド
ーズ量、Ｒは打ち込みドーズに示すｆ1 の割合を示すパ
ラメータである。
【００２９】また、Ｒp1，σ1 ，γ1 ，β1 は第１Pear
son 関数ｆ1 の分布形状を決定するパラメータ、Ｒp2，
σ2 ，γ2 ，β2 は第２Pearson 関数ｆ2 の分布形状を
決定するパラメータを表している。具体的には、Ｒp1，
Ｒp2がイオン注入の投影飛程、σ1 ，σ2 が分布の標準
偏差、γ1 ，γ2 が分布の偏り（歪み）、β1 ，β2が
ピーク付近の分布形状（尖り）を表すのパラメータであ
る。
son 関数ｆ1 の分布形状を決定するパラメータ、Ｒp2，
σ2 ，γ2 ，β2 は第２Pearson 関数ｆ2 の分布形状を
決定するパラメータを表している。具体的には、Ｒp1，
Ｒp2がイオン注入の投影飛程、σ1 ，σ2 が分布の標準
偏差、γ1 ，γ2 が分布の偏り（歪み）、β1 ，β2が
ピーク付近の分布形状（尖り）を表すのパラメータであ
る。
【００３０】このように、Dual-Pearson関数Ｆ（ｘ）
は、第１Pearson 関数ｆ1 と第２Pearson 関数ｆ2 とか
ら構成されており、第１Pearson 関数ｆ1 はランダムに
散乱された不純物の濃度分布を表し、第２Pearson 関数
ｆ2 は基板格子間のチャネリングした不純物の濃度分布
を表している。
は、第１Pearson 関数ｆ1 と第２Pearson 関数ｆ2 とか
ら構成されており、第１Pearson 関数ｆ1 はランダムに
散乱された不純物の濃度分布を表し、第２Pearson 関数
ｆ2 は基板格子間のチャネリングした不純物の濃度分布
を表している。
【００３１】そして、この２つのPearson 関数ｆ1 ，ｆ
2 が組み合わされることで、他のGauss 関数、Pearson
関数では再現が難しいイオン注入時の基板深さ方向にお
ける不純物濃度分布のチャネリングテールを高精度に表
現できるようになっている。また、異なる打ち込みドー
ズ量間で、第１Pearson 関数ｆ1 の占める割合Ｒを注入
ドーズに応じて変化させることで、チャネリングの度合
いの打ち込みドーズ依存性を再現できるようになってい
る。
2 が組み合わされることで、他のGauss 関数、Pearson
関数では再現が難しいイオン注入時の基板深さ方向にお
ける不純物濃度分布のチャネリングテールを高精度に表
現できるようになっている。また、異なる打ち込みドー
ズ量間で、第１Pearson 関数ｆ1 の占める割合Ｒを注入
ドーズに応じて変化させることで、チャネリングの度合
いの打ち込みドーズ依存性を再現できるようになってい
る。
【００３２】次に、このような装置を用いた不純物シミ
ュレーション方法を説明する。先ず、図１に示すデータ
ベース１からＳＩＭＳ測定等によって得られた不純物濃
度分布データをデータ処理プログラム２内に取り込む。
ュレーション方法を説明する。先ず、図１に示すデータ
ベース１からＳＩＭＳ測定等によって得られた不純物濃
度分布データをデータ処理プログラム２内に取り込む。
【００３３】この取り込んだ不純物濃度分布データに
は、測定ノイズ、測定による初期効果等があるため、図
１に示すデータ処理プログラム２の不純物濃度分布デー
タ処理プログラム２ａによって、取り込んだ不純物濃度
分布データからノイズ等のばらつきを緩和するデータ処
理を行う。
は、測定ノイズ、測定による初期効果等があるため、図
１に示すデータ処理プログラム２の不純物濃度分布デー
タ処理プログラム２ａによって、取り込んだ不純物濃度
分布データからノイズ等のばらつきを緩和するデータ処
理を行う。
【００３４】このデータ処理としては、不純物濃度分布
データの深さ方向の範囲指定や、不純物濃度の範囲指
定、不純物濃度分布データの合成、複数の不純物濃度分
布の平均化、スムージング、データの平均化、主観的な
修正等によって、取り込んだ不純物濃度分布データのば
らつきを緩和する。
データの深さ方向の範囲指定や、不純物濃度の範囲指
定、不純物濃度分布データの合成、複数の不純物濃度分
布の平均化、スムージング、データの平均化、主観的な
修正等によって、取り込んだ不純物濃度分布データのば
らつきを緩和する。
【００３５】不純物濃度分布データの深さ方向の範囲指
定による修正は、ＳＩＭＳ測定等の測定データ（不純物
濃度分布データ）の深さ方向に対する所定範囲を指定す
ることで、シミュレーションパラメータの抽出において
測定データの初期効果部分やテール部分のばらつきを考
慮しないようにするデータ処理である。
定による修正は、ＳＩＭＳ測定等の測定データ（不純物
濃度分布データ）の深さ方向に対する所定範囲を指定す
ることで、シミュレーションパラメータの抽出において
測定データの初期効果部分やテール部分のばらつきを考
慮しないようにするデータ処理である。
【００３６】また、不純物濃度の範囲指定による修正
は、ＳＩＭＳ測定等の測定データの濃度に対する所定範
囲を指定することで、シミュレーションパラメータの抽
出において測定データのテール部分等のばらつきを考慮
しないようにするデータ処理である。
は、ＳＩＭＳ測定等の測定データの濃度に対する所定範
囲を指定することで、シミュレーションパラメータの抽
出において測定データのテール部分等のばらつきを考慮
しないようにするデータ処理である。
【００３７】さらに、不純物濃度分布データの合成は、
例えば２つの測定データを部分的に合成するものであ
り、一の測定データにおける深さの浅い部分と、他の測
定データにおける深さの浅い部分以外の部分とを合成す
ることで、測定データの初期効果やばらつきを緩和する
データ処理である。
例えば２つの測定データを部分的に合成するものであ
り、一の測定データにおける深さの浅い部分と、他の測
定データにおける深さの浅い部分以外の部分とを合成す
ることで、測定データの初期効果やばらつきを緩和する
データ処理である。
【００３８】また、複数の不純物濃度分布の平均化は、
例えば２つの測定データの平均をとることで処理後デー
タを算出するデータ処理である。これによって、測定誤
差等が緩和する状態となり、シミュレーションパラメー
タの抽出における信頼性が向上することになる。
例えば２つの測定データの平均をとることで処理後デー
タを算出するデータ処理である。これによって、測定誤
差等が緩和する状態となり、シミュレーションパラメー
タの抽出における信頼性が向上することになる。
【００３９】また、スムージングは、測定データにノイ
ズが乗っている場合に例えば平均化処理することでスム
ージングを行い、滑らかな処理後データを得るようにし
ている。
ズが乗っている場合に例えば平均化処理することでスム
ージングを行い、滑らかな処理後データを得るようにし
ている。
【００４０】不純物濃度分布データの平均化は、測定デ
ータにおける深さ方向の分解能を粗くすることで平坦化
し、ノイズレベルを低下させるデータ処理である。
ータにおける深さ方向の分解能を粗くすることで平坦化
し、ノイズレベルを低下させるデータ処理である。
【００４１】さらに、主観的な修正は、測定データにお
いて経験的に測定誤差が現れることが分かっている部
分、例えば初期効果部分やテール部分をオペレータが自
ら修正するデータ処理である。
いて経験的に測定誤差が現れることが分かっている部
分、例えば初期効果部分やテール部分をオペレータが自
ら修正するデータ処理である。
【００４２】測定データに対してこのようなデータ処理
を施すことにより、ＳＩＭＳ測定等によって得た測定デ
ータのばらつきを緩和することができ、シミュレーショ
ンパラメータの抽出を正確に行うことができるようにな
る。
を施すことにより、ＳＩＭＳ測定等によって得た測定デ
ータのばらつきを緩和することができ、シミュレーショ
ンパラメータの抽出を正確に行うことができるようにな
る。
【００４３】このようなデータ処理を行った後、処理後
の不純物濃度分布データに基づき、図１に示すパラメー
タ抽出プログラム３によってDual-Pearson関数のパラメ
ータ抽出を行う。パラメータ抽出は、データ処理後の不
純物濃度分布データより、例えば最小自乗法を用いて行
う。
の不純物濃度分布データに基づき、図１に示すパラメー
タ抽出プログラム３によってDual-Pearson関数のパラメ
ータ抽出を行う。パラメータ抽出は、データ処理後の不
純物濃度分布データより、例えば最小自乗法を用いて行
う。
【００４４】抽出されたパラメータは、イオン注入レン
ジ表（シミュレーションパラメータが打ち込みエネルギ
ー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜厚毎
にそれぞれ示されたもの）に反映され、イオン注入レン
ジ表表示部４にて、各パラメータの打ち込みエネルギー
に対する連続性、各パラメータの打ち込みドーズ量に対
する連続性、各パラメータの注入角度に対する連続性、
各パラメータの基板上の膜の膜厚に対する連続性の確認
のため、抽出に用いた不純物濃度分布と抽出したパラメ
ータによる分布形状の一覧の表示と、各パラメータ値と
を表示する。そして、各パラメータの連続性や分布形状
の連続性に問題がある場合には、このパラメータ値の補
間を行う。
ジ表（シミュレーションパラメータが打ち込みエネルギ
ー、打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜厚毎
にそれぞれ示されたもの）に反映され、イオン注入レン
ジ表表示部４にて、各パラメータの打ち込みエネルギー
に対する連続性、各パラメータの打ち込みドーズ量に対
する連続性、各パラメータの注入角度に対する連続性、
各パラメータの基板上の膜の膜厚に対する連続性の確認
のため、抽出に用いた不純物濃度分布と抽出したパラメ
ータによる分布形状の一覧の表示と、各パラメータ値と
を表示する。そして、各パラメータの連続性や分布形状
の連続性に問題がある場合には、このパラメータ値の補
間を行う。
【００４５】以下、この補間処理を図２〜図３のフロー
チャートに沿って説明する。先ず、ステップＳ１１にお
いて、処理を行うイオン注入レンジ表を選択し、ステッ
プＳ１２において、打ち込みエネルギーによる依存性、
打ち込みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依
存性、基板上の膜の膜厚の依存性の中から処理を行う依
存性を選択する。
チャートに沿って説明する。先ず、ステップＳ１１にお
いて、処理を行うイオン注入レンジ表を選択し、ステッ
プＳ１２において、打ち込みエネルギーによる依存性、
打ち込みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依
存性、基板上の膜の膜厚の依存性の中から処理を行う依
存性を選択する。
【００４６】次に、ステップＳ１３において、上記選択
されたイオン注入レンジ表による分布形状とそれに対応
した不純物濃度分布とを表示し、選択された依存性につ
いて一致具合を確認する。
されたイオン注入レンジ表による分布形状とそれに対応
した不純物濃度分布とを表示し、選択された依存性につ
いて一致具合を確認する。
【００４７】次いで、ステップＳ１４において、選択さ
れたイオン注入レンジ表の各パラメータ（Ｒp1，σ1 ，
γ1 ，β1 ，Ｒp2，σ2 ，γ2 ，β2 ，Ｒ）を表示し、
各パラメータの連続性を確認する。ステップＳ１５で
は、処理を行うパラメータを選択し、ステップＳ１６に
おいて補間を行う際の基準となるデータを指定する。
れたイオン注入レンジ表の各パラメータ（Ｒp1，σ1 ，
γ1 ，β1 ，Ｒp2，σ2 ，γ2 ，β2 ，Ｒ）を表示し、
各パラメータの連続性を確認する。ステップＳ１５で
は、処理を行うパラメータを選択し、ステップＳ１６に
おいて補間を行う際の基準となるデータを指定する。
【００４８】次に、ステップＳ１７において、直線補
間、スプライン補間、関数補間のいずれかの補間方法を
選択し、選択された補間方法によりステップＳ１８〜Ｓ
２０の各補間を行う。
間、スプライン補間、関数補間のいずれかの補間方法を
選択し、選択された補間方法によりステップＳ１８〜Ｓ
２０の各補間を行う。
【００４９】補間を行った後は、ステップＳ２１におい
て補間後のシミュレーションパラメータに基づき新しい
イオン注入レンジ表を作成し、図３に示すステップＳ２
２において、新しいイオン注入レンジ表による分布形状
とそれに対応した不純物濃度分布を表示して、その一致
具合を確認する。
て補間後のシミュレーションパラメータに基づき新しい
イオン注入レンジ表を作成し、図３に示すステップＳ２
２において、新しいイオン注入レンジ表による分布形状
とそれに対応した不純物濃度分布を表示して、その一致
具合を確認する。
【００５０】次いで、ステップＳ２３において再度補間
を行うか否かの判断を行い、行わない場合にはＮｏとな
って処理を終了し、再度補間を行う場合にはＹｅｓとな
ってステップＳ２４へ進む。ステップＳ２４では、補間
のやり直しを行うか否かの判断を行い、行う場合にはス
テップＳ２５において補間前のイオン注入レンジ表を選
択し、ステップＳ１２の依存性の選択へ戻り、以降の処
理を行う。また、補間のやり直しを行わない場合はステ
ップＳ２６において補間後のイオン注入レンジ表を選択
し、ステップＳ１２の依存性の選択へ戻る。
を行うか否かの判断を行い、行わない場合にはＮｏとな
って処理を終了し、再度補間を行う場合にはＹｅｓとな
ってステップＳ２４へ進む。ステップＳ２４では、補間
のやり直しを行うか否かの判断を行い、行う場合にはス
テップＳ２５において補間前のイオン注入レンジ表を選
択し、ステップＳ１２の依存性の選択へ戻り、以降の処
理を行う。また、補間のやり直しを行わない場合はステ
ップＳ２６において補間後のイオン注入レンジ表を選択
し、ステップＳ１２の依存性の選択へ戻る。
【００５１】このステップＳ１２〜Ｓ２６の処理を繰り
返すことで、打ち込みエネルギーによる依存性、打ち込
みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依存性、
基板上の膜の膜厚の依存性に対して各シミュレーション
パラメータの値が連続な分布形状となるイオン注入レン
ジ表を作成できるようになる。
返すことで、打ち込みエネルギーによる依存性、打ち込
みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依存性、
基板上の膜の膜厚の依存性に対して各シミュレーション
パラメータの値が連続な分布形状となるイオン注入レン
ジ表を作成できるようになる。
【００５２】第１実施形態の不純物シミュレーション装
置では、この補間後のイオン注入レンジ表を図１に示す
イオン注入レンジ表出力部５から不純物シミュレータ６
へ渡す。これによって、各々の依存性に対して高精度な
不純物濃度分布を算出できるようになる。
置では、この補間後のイオン注入レンジ表を図１に示す
イオン注入レンジ表出力部５から不純物シミュレータ６
へ渡す。これによって、各々の依存性に対して高精度な
不純物濃度分布を算出できるようになる。
【００５３】図４は第１実施形態における不純物シミュ
レーション装置の他の例を説明するブロック構成図であ
る。この例では、主としてデータベース１’がＳＩＭＳ
測定７とモンテカルロイオン注入シミュレーション８と
によって構成されている点に特徴がある。
レーション装置の他の例を説明するブロック構成図であ
る。この例では、主としてデータベース１’がＳＩＭＳ
測定７とモンテカルロイオン注入シミュレーション８と
によって構成されている点に特徴がある。
【００５４】この不純物シミュレーション装置でも、先
に説明したものと同様に、不純物濃度分布データ処理プ
ログラム２ａ、打ち込みエネルギーに対して連続な補間
を行うプログラム２ｂ、打ち込みドーズ量に対して連続
な補間を行うプログラム２ｃ、打ち込み角度に対して連
続な補間を行うプログラム２ｄ、基板上の膜の膜厚に対
して連続な補間を行うプログラム２ｅを備えたデータ処
理プログラム２と、シミュレーションパラメータを抽出
するためのパラメータ抽出プログラム３と、抽出したシ
ミュレーションパラメータを打ち込みエネルギー毎に表
示するイオン注入レンジ表表示部４と、イオン注入レン
ジ表を不純物シミュレータ６に渡すためのイオン注入レ
ンジ表出力部５とを備えている。
に説明したものと同様に、不純物濃度分布データ処理プ
ログラム２ａ、打ち込みエネルギーに対して連続な補間
を行うプログラム２ｂ、打ち込みドーズ量に対して連続
な補間を行うプログラム２ｃ、打ち込み角度に対して連
続な補間を行うプログラム２ｄ、基板上の膜の膜厚に対
して連続な補間を行うプログラム２ｅを備えたデータ処
理プログラム２と、シミュレーションパラメータを抽出
するためのパラメータ抽出プログラム３と、抽出したシ
ミュレーションパラメータを打ち込みエネルギー毎に表
示するイオン注入レンジ表表示部４と、イオン注入レン
ジ表を不純物シミュレータ６に渡すためのイオン注入レ
ンジ表出力部５とを備えている。
【００５５】他の例における不純物シミュレーション装
置では、データベース１’をＳＩＭＳ測定７およびモン
テカルロイオン注入シミュレーション８によって構成す
ることで、パラメータ抽出プログラム３によるパラメー
タ抽出対象の不純物濃度分布データが増えることにな
り、より高精度なパラメータを得ることができ不純物シ
ミュレータ６による高精度の不純物濃度分布の算出を実
現できるようになる。
置では、データベース１’をＳＩＭＳ測定７およびモン
テカルロイオン注入シミュレーション８によって構成す
ることで、パラメータ抽出プログラム３によるパラメー
タ抽出対象の不純物濃度分布データが増えることにな
り、より高精度なパラメータを得ることができ不純物シ
ミュレータ６による高精度の不純物濃度分布の算出を実
現できるようになる。
【００５６】次に、本発明の第２実施形態の説明を行
う。図５は第２実施形態における不純物シミュレーショ
ン装置のブロック構成図、図６〜図７は第２実施形態で
適用される不純物シミュレーション方法の主要部である
パラメータ設定プログラムを説明するフローチャートで
ある。
う。図５は第２実施形態における不純物シミュレーショ
ン装置のブロック構成図、図６〜図７は第２実施形態で
適用される不純物シミュレーション方法の主要部である
パラメータ設定プログラムを説明するフローチャートで
ある。
【００５７】本実施形態における不純物シミュレーショ
ン方法および不純物シミュレーション装置も第１実施形
態と同様に、主としてコンピュータ（パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション等）による論理形式のプロ
グラム処理で実現するものである。
ン方法および不純物シミュレーション装置も第１実施形
態と同様に、主としてコンピュータ（パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション等）による論理形式のプロ
グラム処理で実現するものである。
【００５８】第２実施形態では、先に説明した第１実施
形態によって抽出したシミュレーションパラメータを用
いて不純物分布のシミュレーションを行い、その分布形
状に各種依存性に対する連続性を持たせるよう新たなシ
ミュレーションパラメータの設定を行う点に特徴があ
る。
形態によって抽出したシミュレーションパラメータを用
いて不純物分布のシミュレーションを行い、その分布形
状に各種依存性に対する連続性を持たせるよう新たなシ
ミュレーションパラメータの設定を行う点に特徴があ
る。
【００５９】つまり、シミュレーションパラメータが連
続的となっていても、その与えられたシミュレーション
パラメータ間の注入条件においては与えられたシミュレ
ーションパラメータを用いて補間計算を行っていること
から、不純物分布の形状が連続的に変化しないことがあ
る。第２実施形態では、シミュレーションパラメータ間
に新たなシミュレーションパラメータを設定すること
で、不純物分布の形状が連続的に変化するようにしてい
る。
続的となっていても、その与えられたシミュレーション
パラメータ間の注入条件においては与えられたシミュレ
ーションパラメータを用いて補間計算を行っていること
から、不純物分布の形状が連続的に変化しないことがあ
る。第２実施形態では、シミュレーションパラメータ間
に新たなシミュレーションパラメータを設定すること
で、不純物分布の形状が連続的に変化するようにしてい
る。
【００６０】先ず、図５に基づいて第２実施形態におけ
る不純物シミュレーション装置を説明する。この不純物
シミュレーション装置は、各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０を得て、新たな注入条件が追加された
各注入条件のシミュレーションパラメータ３０を生成し
て不純物シミュレータ６へ渡すパラメータ設定プログラ
ム２０を備えている。
る不純物シミュレーション装置を説明する。この不純物
シミュレーション装置は、各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０を得て、新たな注入条件が追加された
各注入条件のシミュレーションパラメータ３０を生成し
て不純物シミュレータ６へ渡すパラメータ設定プログラ
ム２０を備えている。
【００６１】各注入条件のシミュレーションパラメータ
１０としては、先に説明した第１実施形態における不純
物シミュレーション装置および不純物シミュレーション
方法によって得たものを使用する。
１０としては、先に説明した第１実施形態における不純
物シミュレーション装置および不純物シミュレーション
方法によって得たものを使用する。
【００６２】また、パラメータ設定プログラム２０は、
各注入条件のシミュレーションパラメータ１０につい
て、各依存性におけるパラメータや不純物濃度分布を表
示する表示部２０ａと、打ち込みエネルギーに対して分
布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設定プ
ログラム２０ｂと、打ち込みドーズ量に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム２０ｃと、打ち込み角度に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム２０ｄ
と、基板上の膜厚に対して分布形状を連続にするシミュ
レーションパラメータ設定プログラム２０ｅと、新たに
注入条件が追加された各注入条件のシミュレーションパ
ラメータを出力する出力部２０ｆとを備えている。
各注入条件のシミュレーションパラメータ１０につい
て、各依存性におけるパラメータや不純物濃度分布を表
示する表示部２０ａと、打ち込みエネルギーに対して分
布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設定プ
ログラム２０ｂと、打ち込みドーズ量に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム２０ｃと、打ち込み角度に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム２０ｄ
と、基板上の膜厚に対して分布形状を連続にするシミュ
レーションパラメータ設定プログラム２０ｅと、新たに
注入条件が追加された各注入条件のシミュレーションパ
ラメータを出力する出力部２０ｆとを備えている。
【００６３】つまり、このパラメータ設定プログラム２
０の表示部２０ａに各注入条件の変化に対するシミュレ
ーションパラメータや、そのシミュレーションパラメー
タを用いた不純物シミュレータ６による各注入条件の変
化に対する不純物濃度分布を表示させ、その連続性の確
認を行い、連続性が損なわれている場合には、打ち込み
エネルギーに対して分布形状を連続にするシミュレーシ
ョンパラメータ設定プログラム２０ｂ、または打ち込み
ドーズ量に対して分布形状を連続にするシミュレーショ
ンパラメータ設定プログラム２０ｃ、または打ち込み角
度に対して分布形状を連続にするシミュレーションパラ
メータ設定プログラム２０ｄ、または基板上の膜厚に対
して分布形状を連続にするシミュレーションパラメータ
設定プログラム２０ｅによって各注入条件の変化に対し
て不純物濃度分布の形状変化が連続となるよう各注入条
件のシミュレーションパラメータ１０の注入条件間に新
たな注入条件のシミュレーションパラメータを設定して
いる。
０の表示部２０ａに各注入条件の変化に対するシミュレ
ーションパラメータや、そのシミュレーションパラメー
タを用いた不純物シミュレータ６による各注入条件の変
化に対する不純物濃度分布を表示させ、その連続性の確
認を行い、連続性が損なわれている場合には、打ち込み
エネルギーに対して分布形状を連続にするシミュレーシ
ョンパラメータ設定プログラム２０ｂ、または打ち込み
ドーズ量に対して分布形状を連続にするシミュレーショ
ンパラメータ設定プログラム２０ｃ、または打ち込み角
度に対して分布形状を連続にするシミュレーションパラ
メータ設定プログラム２０ｄ、または基板上の膜厚に対
して分布形状を連続にするシミュレーションパラメータ
設定プログラム２０ｅによって各注入条件の変化に対し
て不純物濃度分布の形状変化が連続となるよう各注入条
件のシミュレーションパラメータ１０の注入条件間に新
たな注入条件のシミュレーションパラメータを設定して
いる。
【００６４】このパラメータ設定プログラム２０によっ
て、新たな注入条件が追加された各注入条件のシミュレ
ーションパラメータ３０が出力され、不純物シミュレー
タ６によって打ち込みエネルギー、打ち込みドーズ量、
打ち込み角度、基板上の膜厚に対して連続的に変化する
不純物濃度分布を精度良く算出できるようになる。
て、新たな注入条件が追加された各注入条件のシミュレ
ーションパラメータ３０が出力され、不純物シミュレー
タ６によって打ち込みエネルギー、打ち込みドーズ量、
打ち込み角度、基板上の膜厚に対して連続的に変化する
不純物濃度分布を精度良く算出できるようになる。
【００６５】なお、第２実施形態における不純物シミュ
レーション装置では、第１実施形態と同様に不純物濃度
分布データに基づくシミュレーションパラメータの抽出
で使用する関数として、Dual-Pearson関数を適用してい
る。
レーション装置では、第１実施形態と同様に不純物濃度
分布データに基づくシミュレーションパラメータの抽出
で使用する関数として、Dual-Pearson関数を適用してい
る。
【００６６】次に、このような装置を用いた不純物シミ
ュレーション方法を説明する。処理の概略としては、先
ず、図５に示す各注入条件のシミュレーションパラメー
タ１０をパラメータ設定プログラム２０内に取り込む。
ュレーション方法を説明する。処理の概略としては、先
ず、図５に示す各注入条件のシミュレーションパラメー
タ１０をパラメータ設定プログラム２０内に取り込む。
【００６７】続いて、この取り込んだ各注入条件のシミ
ュレーションパラメータ１０に従い、表示部２０ａにお
いて、打ち込みエネルギー依存性、打ち込みドーズ量依
存性、打ち込み角度依存性、基板上の膜厚依存性におけ
る各シミュレーションパラメータの連続性と、不純物濃
度分布の形状の連続性とを確認し、シミュレーションパ
ラメータの注入条件間において連続性が損なわれている
場合には、その注入条件間に新たな注入条件の追加が必
要な依存性を選択してパラメータ設定処理を行う。
ュレーションパラメータ１０に従い、表示部２０ａにお
いて、打ち込みエネルギー依存性、打ち込みドーズ量依
存性、打ち込み角度依存性、基板上の膜厚依存性におけ
る各シミュレーションパラメータの連続性と、不純物濃
度分布の形状の連続性とを確認し、シミュレーションパ
ラメータの注入条件間において連続性が損なわれている
場合には、その注入条件間に新たな注入条件の追加が必
要な依存性を選択してパラメータ設定処理を行う。
【００６８】以下、このパラメータ設定処理を図６〜図
７のフローチャートに沿って説明する。先ず、ステップ
Ｓ１０１において、打ち込みエネルギー依存性、打ち込
みドーズ量依存性、打ち込み角度依存性、基板上の膜厚
依存性の中から処理を行う依存性を選択する。
７のフローチャートに沿って説明する。先ず、ステップ
Ｓ１０１において、打ち込みエネルギー依存性、打ち込
みドーズ量依存性、打ち込み角度依存性、基板上の膜厚
依存性の中から処理を行う依存性を選択する。
【００６９】次に、ステップＳ１０２において、選択さ
れた依存性における各シミュレーションパラメータの連
続性を表示し、次のステップＳ１０３において、選択さ
れた依存性における不純物濃度分布の形状を表示し、シ
ミュレーションパラメータの連続性と分布形状の連続性
とを確認する。
れた依存性における各シミュレーションパラメータの連
続性を表示し、次のステップＳ１０３において、選択さ
れた依存性における不純物濃度分布の形状を表示し、シ
ミュレーションパラメータの連続性と分布形状の連続性
とを確認する。
【００７０】次いで、ステップＳ１０４において、追加
する注入条件の入力を行い、ステップＳ１０５におい
て、追加する注入条件の前後の注入条件のシミュレーシ
ョンパラメータを用いて補間を行うことにより、追加す
る注入条件のシミュレーションパラメータを求める。
する注入条件の入力を行い、ステップＳ１０５におい
て、追加する注入条件の前後の注入条件のシミュレーシ
ョンパラメータを用いて補間を行うことにより、追加す
る注入条件のシミュレーションパラメータを求める。
【００７１】補間を行った後は、ステップＳ１０６にお
いて各シミュレーションパラメータの連続性を表示し、
ステップＳ１０７において不純物濃度分布の形状の連続
性を確認する。
いて各シミュレーションパラメータの連続性を表示し、
ステップＳ１０７において不純物濃度分布の形状の連続
性を確認する。
【００７２】次に、ステップＳ１０８において、分布形
状の不連続性の原因となるシミュレーションパラメータ
を選択し、ステップＳ１０９においてそのシミュレーシ
ョンパラメータの変更を行い、ステップＳ１１０で各シ
ミュレーションパラメータの連続性を確認し、さらにス
テップＳ１１１において不純物濃度分布の形状の連続性
を確認する。
状の不連続性の原因となるシミュレーションパラメータ
を選択し、ステップＳ１０９においてそのシミュレーシ
ョンパラメータの変更を行い、ステップＳ１１０で各シ
ミュレーションパラメータの連続性を確認し、さらにス
テップＳ１１１において不純物濃度分布の形状の連続性
を確認する。
【００７３】すなわち、先のステップＳ１０５において
行った補間計算でシミュレーションパラメータを得た場
合、その補間で得たシミュレーションパラメータを用い
て各注入条件での不純物濃度分布を生成すると、必ずし
も分布形状の連続性を満足しない場合がある。ステップ
Ｓ１０８〜ステップＳ１１０では、この分布形状が連続
性を満たすようシミュレーションパラメータの変更を行
う。
行った補間計算でシミュレーションパラメータを得た場
合、その補間で得たシミュレーションパラメータを用い
て各注入条件での不純物濃度分布を生成すると、必ずし
も分布形状の連続性を満足しない場合がある。ステップ
Ｓ１０８〜ステップＳ１１０では、この分布形状が連続
性を満たすようシミュレーションパラメータの変更を行
う。
【００７４】次いで、ステップＳ１１２において、再度
シミュレーションパラメータの変更を行うか否かの判断
を行い、行わない場合にはＮｏとなってステップＳ１１
３へ進み、行う場合にはＹｅｓとなってステップＳ１０
９へ進んでシミュレーションパラメータの変更および以
降の処理を行う。
シミュレーションパラメータの変更を行うか否かの判断
を行い、行わない場合にはＮｏとなってステップＳ１１
３へ進み、行う場合にはＹｅｓとなってステップＳ１０
９へ進んでシミュレーションパラメータの変更および以
降の処理を行う。
【００７５】ステップＳ１１３では、他のシミュレーシ
ョンパラメータの変更を行うか否かを判断を行う。行わ
ない場合にはＮｏとなってステップＳ１１４へ進み、行
う場合にはＹｅｓとなってステップＳ１０８へ進んで調
整を行うシミュレーションパラメータの選択および以降
の処理を行う。
ョンパラメータの変更を行うか否かを判断を行う。行わ
ない場合にはＮｏとなってステップＳ１１４へ進み、行
う場合にはＹｅｓとなってステップＳ１０８へ進んで調
整を行うシミュレーションパラメータの選択および以降
の処理を行う。
【００７６】ステップＳ１１４では、他に注入条件の追
加をするか否かの判断を行う。追加しない場合はＮｏと
なってステップＳ１１５へ進み、追加する場合はステッ
プＳ１０４へ進んで追加する注入条件の入力および以降
の処理を行う。
加をするか否かの判断を行う。追加しない場合はＮｏと
なってステップＳ１１５へ進み、追加する場合はステッ
プＳ１０４へ進んで追加する注入条件の入力および以降
の処理を行う。
【００７７】ステップＳ１１５では、他の依存性におけ
る調整を行うか否かの判断を行い、行う場合にはＹｅｓ
となってステップＳ１０１へ戻って依存性の選択以降の
処理を行う。また、他の依存性における調整を行わない
場合にはＮｏとなって処理を終了する。
る調整を行うか否かの判断を行い、行う場合にはＹｅｓ
となってステップＳ１０１へ戻って依存性の選択以降の
処理を行う。また、他の依存性における調整を行わない
場合にはＮｏとなって処理を終了する。
【００７８】このステップＳ１０１〜Ｓ１１５の処理を
繰り返すことで、打ち込みエネルギーによる依存性、打
ち込みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依存
性、基板上の膜の膜厚による依存性に対して不純物濃度
分布の形状が連続的に変化する各注入条件でのシミュレ
ーションパラメータを得ることができるようになる。
繰り返すことで、打ち込みエネルギーによる依存性、打
ち込みドーズ量による依存性、打ち込み角度による依存
性、基板上の膜の膜厚による依存性に対して不純物濃度
分布の形状が連続的に変化する各注入条件でのシミュレ
ーションパラメータを得ることができるようになる。
【００７９】第２実施形態の不純物シミュレーション装
置では、各依存性において不純物濃度分布の形状が連続
となるような新たな注入条件が追加された各注入条件の
シミュレーションパラメータ３０（図１参照）を不純物
シミュレータ６へ渡すようになり、各依存性に対して高
精度な不純物濃度分布を算出できるようになる。
置では、各依存性において不純物濃度分布の形状が連続
となるような新たな注入条件が追加された各注入条件の
シミュレーションパラメータ３０（図１参照）を不純物
シミュレータ６へ渡すようになり、各依存性に対して高
精度な不純物濃度分布を算出できるようになる。
【００８０】図８は第２実施形態における不純物シミュ
レーション装置の他の例を説明するブロック構成図であ
る。この例では、主として各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０に、実測（ＳＩＭＳ測定等）やモンテ
カルロイオン注入シミュレータ等より求められたシミュ
レーションパラメータ５０から新たに追加できる構成と
なっている。
レーション装置の他の例を説明するブロック構成図であ
る。この例では、主として各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０に、実測（ＳＩＭＳ測定等）やモンテ
カルロイオン注入シミュレータ等より求められたシミュ
レーションパラメータ５０から新たに追加できる構成と
なっている。
【００８１】この不純物シミュレーション装置でも、先
に説明したものと同様に、各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０を得て、新たな注入条件が追加された
各注入条件のシミュレーションパラメータ３０を生成し
て不純物シミュレータ６へ渡すパラメータ設定プログラ
ム２０を備えている。
に説明したものと同様に、各注入条件のシミュレーショ
ンパラメータ１０を得て、新たな注入条件が追加された
各注入条件のシミュレーションパラメータ３０を生成し
て不純物シミュレータ６へ渡すパラメータ設定プログラ
ム２０を備えている。
【００８２】また、パラメータ設定プログラム２０は、
各注入条件のシミュレーションパラメータ１０につい
て、各依存性におけるパラメータや不純物濃度分布を表
示する表示部２０ａと、打ち込みエネルギーに対して分
布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設定プ
ログラム２０ｂと、打ち込みドーズ量に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム２０ｃと、打ち込み角度に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム２０ｄ
と、基板上の膜厚に対して分布形状を連続にするシミュ
レーションパラメータ設定プログラム２０ｅと、新たに
注入条件が追加された各注入条件のシミュレーションパ
ラメータを出力する出力部２０ｆとを備えている。
各注入条件のシミュレーションパラメータ１０につい
て、各依存性におけるパラメータや不純物濃度分布を表
示する表示部２０ａと、打ち込みエネルギーに対して分
布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設定プ
ログラム２０ｂと、打ち込みドーズ量に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム２０ｃと、打ち込み角度に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム２０ｄ
と、基板上の膜厚に対して分布形状を連続にするシミュ
レーションパラメータ設定プログラム２０ｅと、新たに
注入条件が追加された各注入条件のシミュレーションパ
ラメータを出力する出力部２０ｆとを備えている。
【００８３】他の例における不純物シミュレーション装
置では、パラメータ設定プログラム２０において、新た
な注入条件の追加を行うにあたり、実測（ＳＩＭＳ測定
等）やモンテカルロイオン注入シミュレータ等より求め
られたシミュレーションパラメータ５０を用いて追加で
きるようになっている。
置では、パラメータ設定プログラム２０において、新た
な注入条件の追加を行うにあたり、実測（ＳＩＭＳ測定
等）やモンテカルロイオン注入シミュレータ等より求め
られたシミュレーションパラメータ５０を用いて追加で
きるようになっている。
【００８４】すなわち、表示部２０ａに表示される各注
入条件の変化に対するシミュレーションパラメータや、
そのシミュレーションパラメータを用いた不純物シミュ
レータ６による不純物濃度分布が連続性を損なっている
場合、先に説明したように依存性の選択を行い、新たな
注入条件を追加してそのシミュレーションパラメータの
変更を行うが、この際、実測（ＳＩＭＳ測定等）やモン
テカルロイオン注入シミュレータ等より求められたシミ
ュレーションパラメータ５０を用いて追加を行うこと
で、新たな注入条件が追加された各注入条件のシミュレ
ーションパラメータ３０として、ＳＩＭＳ測定等の実測
やモンテカルロイオン注入シミュレータから得られたシ
ミュレーションパラメータを反映させることができ、注
入条件の範囲の拡大およびシミュレーションパラメータ
の高精度化を図ることが可能となる。
入条件の変化に対するシミュレーションパラメータや、
そのシミュレーションパラメータを用いた不純物シミュ
レータ６による不純物濃度分布が連続性を損なっている
場合、先に説明したように依存性の選択を行い、新たな
注入条件を追加してそのシミュレーションパラメータの
変更を行うが、この際、実測（ＳＩＭＳ測定等）やモン
テカルロイオン注入シミュレータ等より求められたシミ
ュレーションパラメータ５０を用いて追加を行うこと
で、新たな注入条件が追加された各注入条件のシミュレ
ーションパラメータ３０として、ＳＩＭＳ測定等の実測
やモンテカルロイオン注入シミュレータから得られたシ
ミュレーションパラメータを反映させることができ、注
入条件の範囲の拡大およびシミュレーションパラメータ
の高精度化を図ることが可能となる。
【００８５】なお、上記説明した各実施形態では、パラ
メータ抽出の対象となる不純物濃度分布データをＳＩＭ
Ｓ測定、モンテカルロイオン注入シミュレーションによ
り得ることを説明したが、他の方法による測定や他の方
法によるシミュレーションから得るようにしても同様で
ある。また、本実施形態では、不純物シミュレータ６で
用いる関数としてDual-Pearson関数を例として説明した
が、これ以外の関数であっても同様である。
メータ抽出の対象となる不純物濃度分布データをＳＩＭ
Ｓ測定、モンテカルロイオン注入シミュレーションによ
り得ることを説明したが、他の方法による測定や他の方
法によるシミュレーションから得るようにしても同様で
ある。また、本実施形態では、不純物シミュレータ６で
用いる関数としてDual-Pearson関数を例として説明した
が、これ以外の関数であっても同様である。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の不純物シ
ミュレーション方法および不純物シミュレーション装置
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明で
は、ＳＩＭＳ測定等によって得られた不純物濃度分布デ
ータから抽出したシミュレーションパラメータを打ち込
みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚、打ち込
みエネルギーに対して連続な値にすることができるた
め、算出される不純物濃度分布も打ち込みエネルギー、
打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚に
対して高精度に連続したものを得ることが可能となる。
ミュレーション方法および不純物シミュレーション装置
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明で
は、ＳＩＭＳ測定等によって得られた不純物濃度分布デ
ータから抽出したシミュレーションパラメータを打ち込
みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚、打ち込
みエネルギーに対して連続な値にすることができるた
め、算出される不純物濃度分布も打ち込みエネルギー、
打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚に
対して高精度に連続したものを得ることが可能となる。
【００８７】また、シミュレーションパラメータの補間
によって生じた各依存性に対する不純物濃度分布の形状
の不連続性を解消することができ、生成する不純物濃度
分布の形状も打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上
の膜の膜厚、打ち込みエネルギーに対して高精度に連続
したものを得ることが可能となる。
によって生じた各依存性に対する不純物濃度分布の形状
の不連続性を解消することができ、生成する不純物濃度
分布の形状も打ち込みドーズ量、打ち込み角度、基板上
の膜の膜厚、打ち込みエネルギーに対して高精度に連続
したものを得ることが可能となる。
【００８８】これによって、不純物の打ち込みドーズ
量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚、打ち込みエネル
ギーを変化させた際の不純物濃度分布シミュレーション
の精度を向上でき、半導体素子の設計に寄与することが
可能となる。
量、打ち込み角度、基板上の膜の膜厚、打ち込みエネル
ギーを変化させた際の不純物濃度分布シミュレーション
の精度を向上でき、半導体素子の設計に寄与することが
可能となる。
【図１】第１実施形態における不純物シミュレーション
装置を説明するブロック構成図である。
装置を説明するブロック構成図である。
【図２】第１実施形態における不純物シミュレーション
方法を説明するフローチャート（その１）である。
方法を説明するフローチャート（その１）である。
【図３】第１実施形態における不純物シミュレーション
方法を説明するフローチャート（その２）である。
方法を説明するフローチャート（その２）である。
【図４】第１実施形態の他の例における不純物シミュレ
ーション装置を説明するブロック構成図である。
ーション装置を説明するブロック構成図である。
【図５】第２実施形態における不純物シミュレーション
装置を説明するブロック構成図である。
装置を説明するブロック構成図である。
【図６】第２実施形態における不純物シミュレーション
方法を説明するフローチャート（その１）である。
方法を説明するフローチャート（その１）である。
【図７】第２実施形態における不純物シミュレーション
方法を説明するフローチャート（その２）である。
方法を説明するフローチャート（その２）である。
【図８】第２実施形態の他の例における不純物シミュレ
ーション装置を説明するブロック構成図である。
ーション装置を説明するブロック構成図である。
１…データベース、２…データ処理プログラム、２ａ…
不純物濃度分布データ処理プログラム、２ｂ…打ち込み
エネルギーに対して連続な補間を行うプログラム、２ｃ
…打ち込みドーズ量に対して連続な補間を行うプログラ
ム、２ｄ…打ち込み角度に対して連続な補間を行うプロ
グラム、２ｅ…基板上の膜の膜厚に対して連続な補間を
行うプログラム、３…パラメータ抽出プログラム、４…
イオン注入レンジ表表示部、５…イオン注入レンジ表出
力部、６…不純物シミュレータ、１０…各注入条件のシ
ミュレーションパラメータ、２０…パラメータ設定プロ
グラム、２０ａ…表示部、２０ｂ…打ち込みエネルギー
に対して分布形状を連続にするシミュレーションパラメ
ータ設定プログラム、２０ｃ…打ち込みドーズ量に対し
て分布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設
定プログラム、２０ｄ…打ち込み角度に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム、２０ｅ…基板上の膜厚に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム、２０ｆ
…出力部、３０…新たな注入条件が追加された各注入条
件のシミュレーションパラメータ
不純物濃度分布データ処理プログラム、２ｂ…打ち込み
エネルギーに対して連続な補間を行うプログラム、２ｃ
…打ち込みドーズ量に対して連続な補間を行うプログラ
ム、２ｄ…打ち込み角度に対して連続な補間を行うプロ
グラム、２ｅ…基板上の膜の膜厚に対して連続な補間を
行うプログラム、３…パラメータ抽出プログラム、４…
イオン注入レンジ表表示部、５…イオン注入レンジ表出
力部、６…不純物シミュレータ、１０…各注入条件のシ
ミュレーションパラメータ、２０…パラメータ設定プロ
グラム、２０ａ…表示部、２０ｂ…打ち込みエネルギー
に対して分布形状を連続にするシミュレーションパラメ
ータ設定プログラム、２０ｃ…打ち込みドーズ量に対し
て分布形状を連続にするシミュレーションパラメータ設
定プログラム、２０ｄ…打ち込み角度に対して分布形状
を連続にするシミュレーションパラメータ設定プログラ
ム、２０ｅ…基板上の膜厚に対して分布形状を連続にす
るシミュレーションパラメータ設定プログラム、２０ｆ
…出力部、３０…新たな注入条件が追加された各注入条
件のシミュレーションパラメータ
Claims (16)
- 【請求項１】 基板への打ち込みドーズ量に応じた基板
深さに対する不純物濃度分布データに基づき所定のシミ
ュレーションパラメータを抽出し、該シミュレーション
パラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を
算出する不純物シミュレーション方法であって、 先ず、前記不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、 次に、抽出した前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込みドーズ量に対して連続的な値となるようなデー
タ処理を行い、 次いで、データ処理後のシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出すること
を特徴とする不純物シミュレーション方法。 - 【請求項２】 前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込みドーズ量に対して連続的な値となるようなデー
タ処理を行った後、そのデータ処理後のシミュレーショ
ンパラメータによって算出する前記不純物濃度分布の形
状が前記打ち込みドーズ量に対して連続的に変化するよ
う新たなシミュレーションパラメータを設定することを
特徴とする請求項１記載の不純物シミュレーション方
法。 - 【請求項３】 基板への打ち込み角度に応じた基板深さ
に対する不純物濃度分布データに基づき所定のシミュレ
ーションパラメータを抽出し、該シミュレーションパラ
メータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出
する不純物シミュレーション方法であって、 先ず、前記不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、 次に、抽出した前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込み角度に対して連続的な値となるようなデータ処
理を行い、 次いで、データ処理後のシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出すること
を特徴とする不純物シミュレーション方法。 - 【請求項４】 前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込み角度に対して連続的な値となるようなデータ処
理を行った後、そのデータ処理後のシミュレーションパ
ラメータによって算出する前記不純物濃度分布の形状が
前記打ち込み角度に対して連続的に変化するよう新たな
シミュレーションパラメータを設定することを特徴とす
る請求項３記載の不純物シミュレーション方法。 - 【請求項５】 基板上に該基板と異なる材質の膜が存在
し、該膜の膜厚に応じた基板深さに対する不純物濃度分
布データに基づき所定のシミュレーションパラメータを
抽出し、該シミュレーションパラメータを用いて基板深
さに対する不純物濃度分布を算出する不純物シミュレー
ション方法であって、 先ず、前記不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、 次に、抽出した前記シミュレーションパラメータが前記
基板と異なる材質の膜の膜厚に対して連続的な値となる
ようなデータ処理を行い、 次いで、データ処理後のシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出すること
を特徴とする不純物シミュレーション方法。 - 【請求項６】 前記シミュレーションパラメータが前記
基板と異なる材質の膜の膜厚に対して連続的な値となる
ようなデータ処理を行った後、そのデータ処理後のシミ
ュレーションパラメータによって算出する前記不純物濃
度分布の形状が前記基板と異なる材質の膜の膜厚に対し
て連続的に変化するよう新たなシミュレーションパラメ
ータを設定することを特徴とする請求項５記載の不純物
シミュレーション方法。 - 【請求項７】 基板への打ち込みエネルギーに応じた基
板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所定のシ
ミュレーションパラメータを抽出し、該シミュレーショ
ンパラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布
を算出する不純物シミュレーション方法であって、 先ず、前記不純物濃度分布データに基づきシミュレーシ
ョンパラメータを抽出し、 次に、抽出した前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるようなデ
ータ処理を行い、 次いで、データ処理後のシミュレーションパラメータを
用いて基板深さに対する不純物濃度分布を算出すること
を特徴とする不純物シミュレーション方法。 - 【請求項８】 前記シミュレーションパラメータが前記
打ち込みエネルギーに対して連続的な値となるようなデ
ータ処理を行った後、そのデータ処理後のシミュレーシ
ョンパラメータによって算出する前記不純物濃度分布の
形状が前記打ち込みエネルギーに対して連続的に変化す
るよう新たなシミュレーションパラメータを設定するこ
とを特徴とする請求項７記載の不純物シミュレーション
方法。 - 【請求項９】 基板への打ち込みドーズ量に応じた基板
深さに対する不純物濃度分布データに基づき所定のシミ
ュレーションパラメータを抽出し、該シミュレーション
パラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分布を
算出する不純物シミュレーション装置であって、 前記基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所
定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、 前記シミュレーションパラメータが前記打ち込みドーズ
量に対して連続的な値となるようデータ処理を行うデー
タ補間手段と、 前記連続的な値となったシミュレーションパラメータを
用いて不純物の振る舞いまたは最終的な基板深さに対す
る不純物濃度分布を見積もる算出手段とを備えているこ
とを特徴とする不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１０】 前記データ補間手段によるデータ処理
後のシミュレーションパラメータによって算出する前記
不純物濃度分布の形状が前記打ち込みドーズ量に対して
連続的に変化するよう新たなシミュレーションパラメー
タを設定するパラメータ設定手段を備えていることを特
徴とする請求項９記載の不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１１】 基板への打ち込み角度に応じた基板深
さに対する不純物濃度分布データに基づき所定のシミュ
レーションパラメータを抽出し、該シミュレーションパ
ラメータを用いて不純物の振る舞いまたは基板深さに対
する不純物濃度分布を算出する不純物シミュレーション
装置であって、 前記基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所
定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、 前記シミュレーションパラメータが前記打ち込み角度に
対して連続的な値となるようデータ処理を行うデータ補
間手段と、 前記連続的な値となったシミュレーションパラメータを
用いて不純物の振る舞いまたは最終的な基板深さに対す
る不純物濃度分布を見積もる算出手段とを備えているこ
とを特徴とする不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１２】 前記データ補間手段によるデータ処理
後のシミュレーションパラメータによって算出する前記
不純物濃度分布の形状が前記打ち込み角度に対して連続
的に変化するよう新たなシミュレーションパラメータを
設定するパラメータ設定手段を備えていることを特徴と
する請求項１１記載の不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１３】 基板上に該基板と異なる材質の膜が存
在し、該膜の膜厚に応じた基板深さに対する不純物濃度
分布データに基づき所定のシミュレーションパラメータ
を抽出し、該シミュレーションパラメータを用いて不純
物の振る舞いまたは基板深さに対する不純物濃度分布を
算出する不純物シミュレーション装置であって、 前記基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所
定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、 前記シミュレーションパラメータが前記膜の膜厚に対し
て連続的な値となるようデータ処理を行うデータ補間手
段と、 前記連続的な値となったシミュレーションパラメータを
用いて不純物の振る舞いまたは最終的な基板深さに対す
る不純物濃度分布を見積もる算出手段とを備えているこ
とを特徴とする不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１４】 前記データ補間手段によるデータ処理
後のシミュレーションパラメータによって算出する前記
不純物濃度分布の形状が前記膜の膜厚に対して連続的に
変化するよう新たなシミュレーションパラメータを設定
するパラメータ設定手段を備えていることを特徴とする
請求項１３記載の不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１５】 基板への打ち込みエネルギーに応じた
基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所定の
シミュレーションパラメータを抽出し、該シミュレーシ
ョンパラメータを用いて基板深さに対する不純物濃度分
布を算出する不純物シミュレーション装置であって、 前記基板深さに対する不純物濃度分布データに基づき所
定のシミュレーションパラメータを抽出する抽出手段
と、 前記シミュレーションパラメータが前記打ち込みエネル
ギーに対して連続的な値となるようデータ処理を行うデ
ータ補間手段と、 前記連続的な値となったシミュレーションパラメータを
用いて不純物の振る舞いまたは最終的な基板深さに対す
る不純物濃度分布を見積もる算出手段とを備えているこ
とを特徴とする不純物シミュレーション装置。 - 【請求項１６】 前記データ補間手段によるデータ処理
後のシミュレーションパラメータによって算出する前記
不純物濃度分布の形状が前記打ち込みエネルギーに対し
て連続的に変化するよう新たなシミュレーションパラメ
ータを設定するパラメータ設定手段を備えていることを
特徴とする請求項１５記載の不純物シミュレーション装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25017297A JPH10340861A (ja) | 1997-04-09 | 1997-09-16 | 不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-90400 | 1997-04-09 | ||
| JP9040097 | 1997-04-09 | ||
| JP25017297A JPH10340861A (ja) | 1997-04-09 | 1997-09-16 | 不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340861A true JPH10340861A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=26431885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25017297A Pending JPH10340861A (ja) | 1997-04-09 | 1997-09-16 | 不純物シミュレーション方法および不純物シミュレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340861A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311444A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Keio Gijuku | イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP25017297A patent/JPH10340861A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311444A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Keio Gijuku | イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ |
| US7800053B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-09-21 | Keio University | Method of evaluating ion irradiation effect, process simulator and device simulator |
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