JPH10340851A - Clean bench for substrate treatment equipment - Google Patents

Clean bench for substrate treatment equipment

Info

Publication number
JPH10340851A
JPH10340851A JP9165221A JP16522197A JPH10340851A JP H10340851 A JPH10340851 A JP H10340851A JP 9165221 A JP9165221 A JP 9165221A JP 16522197 A JP16522197 A JP 16522197A JP H10340851 A JPH10340851 A JP H10340851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
air
impurity removing
mat
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9165221A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Senba
教雄 千場
Junichi Kitano
淳一 北野
Takayuki Katano
貴之 片野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP9165221A priority Critical patent/JPH10340851A/en
Priority to TW087107717A priority patent/TW420829B/en
Priority to EP98109169A priority patent/EP0879997A3/en
Priority to KR1019980018498A priority patent/KR19980087295A/en
Priority to US09/083,096 priority patent/US6333003B1/en
Publication of JPH10340851A publication Critical patent/JPH10340851A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply clean air to a wafer treatment equipment which removes alkali components, such as ammonia and the like, generated in the treatment equipment and cleaning the air without the use of chemical filters. SOLUTION: Air, recovered from an equipment for treating resist, is taken from an intake 111 and flows from down to up in an air flow path. A first impurity removal section 130 and a second impurity removal section 150 are arranged above and below in a multistage. Pure water from spray nozzles 131a and 151a is sprayed uniformly to distribution mats 132 and 152 via air- water contact spaces M1 and M2 , and seeps uniformly into the distribution mats 132 and 152. The recovered air makes contact with the pure water in the distribution mats 132 and 152 and the air-water contact spaces M1 and M2 , and impurities such as alkali component and the like are removed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
て所定の空間内で所定の処理を行う基板処理装置におけ
る当該所定の空間内に清浄な空気を供給する、基板処理
装置用の清浄空気供給装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for a substrate processing apparatus for supplying clean air to a predetermined space in a substrate processing apparatus for performing a predetermined processing on a substrate to be processed in a predetermined space. The present invention relates to an air supply device.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるレジ
スト処理工程においては、半導体ウエハ(以下、「ウエ
ハ」という)などの被処理基板の表面にレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、所定のパターンで露光した
後に現像液で現像処理しているが、このような一連の処
理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理装置が用
いられている。
2. Description of the Related Art For example, in a resist processing step in a semiconductor manufacturing process, a resist liquid is applied to a surface of a substrate to be processed such as a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") to form a resist film, and a predetermined pattern is formed. After the exposure, development processing is performed with a developer. In performing such a series of processing, a coating and developing apparatus has conventionally been used.

【0003】従来の一般的なこの種の塗布現像処理装置
は、塗布現像処理システムとも呼ばれるように、異なっ
た処理を行う複数の処理ユニットを集約させた形で備え
ており、各個々の処理ユニットにおいて、前記したレジ
スト処理工程における各種の処理をウエハ毎に行うよう
になっている。
A conventional general coating / developing apparatus of this type is provided with a plurality of processing units for performing different processes in an aggregated form, which is also called a coating / developing processing system. In the above, various kinds of processing in the resist processing step are performed for each wafer.

【0004】このような塗布現像処理装置はクリーンル
ーム内に設置されているが、各処理をより清浄な雰囲気
で行い、また処理ユニットで発生する有機溶剤の雰囲気
でクリーンルーム内を汚染しないように、前記塗布現像
処理装置の周囲や上部はさらに適宜のケーシングやパネ
ル等で囲まれ、さらに塗布現像処理装置の上部にはファ
ン・フィルタ・ユニット(FFU)などの清浄化空気供
給ユニットが設けられており、前記各処理ユニットは、
このFFUからの清浄化された空気のダウンフローの下
に配置されている。そして塗布現像処理装置内の雰囲気
中のアンモニアなどのアルカリ成分などを除去するた
め、既述のFFUなどの清浄化空気供給ユニットの上流
側には、さらにケミカルフィルタが設けられている。
[0004] Such a coating and developing apparatus is installed in a clean room. However, it is necessary to carry out each processing in a cleaner atmosphere and not to contaminate the clean room with an atmosphere of an organic solvent generated in the processing unit. The periphery and upper portion of the coating and developing device are further surrounded by a suitable casing and panel, and a cleaning air supply unit such as a fan filter unit (FFU) is provided at the upper portion of the coating and developing device. Each of the processing units,
It is located below the downflow of purified air from this FFU. In order to remove an alkali component such as ammonia in the atmosphere in the coating and developing apparatus, a chemical filter is further provided on the upstream side of the cleaning air supply unit such as the above-mentioned FFU.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、今日では半
導体デバイスの高集積化に伴い、パターンの線幅の微細
化に対応するため、レジスト材料としていわゆる化学増
幅型のレジスト材料が使用されているが、この化学増幅
型のレジスト材料は、雰囲気中のアンモニアと反応する
と難溶性や不溶性の中和層が被処理基板の表面に形成さ
れてしまい、事後の処理にとって好ましくない。そのた
め前記塗布現像処理装置内の雰囲気中のアンモニアなど
のアルカリ成分を極力少量に抑える必要があり、発明者
らの知見によれば、その値を例えば1ppb以下に制御
する事で中和層の形成を防ぐことができる。
By the way, in order to cope with miniaturization of the line width of a pattern with high integration of a semiconductor device, a so-called chemically amplified resist material is used as a resist material today. When this chemically amplified resist material reacts with ammonia in the atmosphere, a hardly soluble or insoluble neutralizing layer is formed on the surface of the substrate to be processed, which is not preferable for subsequent processing. For this reason, it is necessary to minimize the amount of alkali components such as ammonia in the atmosphere in the coating and developing treatment apparatus as much as possible. Can be prevented.

【0006】この点、従来の塗布現像処理装置に設置さ
れていたケミカルフィルタの場合は、塗布現像処理装置
内の湿度やアルカリ成分の量、および該ケミカルフィル
タを通過する空気の単位時間当たりの流量によって、そ
の寿命が左右されていた。またケミカルフィルタの性質
上、装置の稼働時間にともなってフィルタの能力も低下
して行くが、劣化した際のフィルタの交換時期が予測し
にくいという問題もあった。さらには交換の際に塗布現
像処理装置全体を停止させる必要があるので、結果的に
スループットの低下を招くことも否定できない。そのう
えケミカルフィルタは高価であり、ランニングコストの
高騰にもつながっていた。
In this regard, in the case of a chemical filter installed in a conventional coating and developing apparatus, the amount of humidity and alkali components in the coating and developing apparatus, and the flow rate of air passing through the chemical filter per unit time The lifespan was affected by Also, due to the nature of the chemical filter, the performance of the filter decreases with the operating time of the apparatus, but there is also a problem that it is difficult to predict when the filter should be replaced when the filter has deteriorated. Further, since it is necessary to stop the entire coating and developing apparatus at the time of replacement, it cannot be denied that the throughput is reduced as a result. Moreover, chemical filters are expensive, leading to high running costs.

【0007】このような点を改善するため、発明者らは
上記ケミカルフィルタに代えて純水などの不純物除去液
を用い、当該不純物除去液と塗布現像処理装置から回収
した空気をいわば気液接触させて清浄化し、これによっ
てアルカリ成分を除去し、その後再び塗布現像処理装置
へと戻すことを試みた。
In order to improve such a point, the present inventors use an impurity removing liquid such as pure water instead of the above-mentioned chemical filter, and contact the impurity removing liquid and the air collected from the coating and developing processing apparatus in a so-called gas-liquid contact. Then, it was tried to remove the alkali component, and then returned to the coating and developing apparatus again.

【0008】ところが単純に気液接触させるだけでは、
前記塗布現像処理装置内の雰囲気中に含まれるアルカリ
成分や有機成分などの不純物の除去効率が低く、所定の
清浄度を達成することが難しい。さらに気液接触の際に
用いる例えば純水などの不純物除去液にかかるランニン
グコストも無視できない。
[0008] However, simply by gas-liquid contact,
The efficiency of removing impurities such as alkali components and organic components contained in the atmosphere in the coating and developing apparatus is low, and it is difficult to achieve a predetermined cleanliness. Further, the running cost of an impurity removing liquid such as pure water used for gas-liquid contact cannot be ignored.

【0009】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、基本的には塗布現像処理装置などの基板処理装置
から回収した空気を不純物除去液による気液接触によっ
て清浄化して、再び基板処理装置へと供給する構成を採
るが、不純物の除去効率が良好で、所定の清浄度を達成
することが容易であり、また不純物除去の際に用いる不
純物除去液に要するコストも下げることが可能な基板処
理装置用の清浄空気供給装置を提供することをその目的
としている。
The present invention has been made in view of the above points, and basically, air collected from a substrate processing apparatus such as a coating and developing processing apparatus is cleaned by gas-liquid contact with an impurity removing liquid, and the substrate is processed again. Although a configuration for supplying to the apparatus is adopted, the efficiency of removing impurities is good, it is easy to achieve a predetermined cleanliness, and the cost required for the impurity removing liquid used in removing impurities can be reduced. It is an object of the present invention to provide a clean air supply device for a substrate processing apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項1の基板処理装置用の清浄空気供給装置は、
被処理基板に対して所定の処理を行う空間内の空気の少
なくとも一部を回収して、当該回収空気を下方から上方
へと通過させる流路と、この流路中に設けられた不純物
除去部とを有している。そして前記不純物除去部は、織
布又は不織布からなるマット状の分散マットと、前記流
路内における下流側から前記分散マットに対して間隔を
空けて離れた位置から不純物除去液を噴霧するノズル
と、前記ノズルの下流側に位置し、繊維径が前記分散マ
ットよりも小さい径を有する織布又は不織布からなる液
滴除去用フィルタとを有していることを特徴としてい
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a clean air supply apparatus for a substrate processing apparatus.
A channel for collecting at least a part of air in a space for performing a predetermined process on the substrate to be processed, and passing the collected air upward from below, and an impurity removing unit provided in the channel. And The impurity removing unit is a mat-shaped dispersion mat made of a woven or non-woven fabric, and a nozzle that sprays an impurity removing liquid from a position spaced apart from the dispersion mat from a downstream side in the flow path. And a filter for removing liquid droplets, which is located on the downstream side of the nozzle and has a fiber diameter smaller than that of the dispersion mat, made of a woven or nonwoven fabric.

【0011】かかる特徴を有する基板処理装置用の清浄
空気供給装置によれば、まずノズルから噴霧された不純
物除去液は一旦分散マットでトラップされ、その後分散
マット中を滴り落ちていくが、この分散マットは織布や
不織布からなるマット状であるから、不純物除去液は分
散されながら均等に滴下していく。したがって回収した
空気は、まずこの分散マットを通過する際に、不純物除
去液と接触して空気中の不純物が除去される。このとき
分散マット中には、不純物除去液が均等に分散されてい
るので、どの部分を通過する空気も均等に除去される。
そして分散マットを通過した空気は、今度はノズルによ
って噴霧されている不純物除去液の液体粒子と接触し
て、不純物の除去が行われる。いわばノズルによって噴
霧された不純物除去液が有効に利用されるのである。し
たがって、回収した空気の不純物除去効率は良好であ
る。
According to the clean air supply apparatus for a substrate processing apparatus having such a feature, first, the impurity removing liquid sprayed from the nozzle is once trapped by the dispersion mat, and then drops down in the dispersion mat. Since the mat is in the form of a mat made of a woven fabric or a nonwoven fabric, the impurity removing liquid is uniformly dropped while being dispersed. Therefore, when the recovered air first passes through the dispersion mat, it comes into contact with the impurity removing liquid to remove impurities in the air. At this time, since the impurity removing liquid is evenly dispersed in the dispersion mat, the air passing through any part is evenly removed.
Then, the air that has passed through the dispersion mat comes into contact with the liquid particles of the impurity removing liquid sprayed by the nozzles to remove impurities. In other words, the impurity removing liquid sprayed by the nozzle is effectively used. Therefore, the impurity removal efficiency of the recovered air is good.

【0012】ノズルを通過した空気はそのような液体粒
子を含有しているが、下流側の繊維径が前記分散マット
よりも小さい径の織布や不織布からなる液滴除去用フィ
ルタを通過する際、液体粒子は慣性衝突によって液滴除
去用フィルタによって捕集される。したがって、液滴除
去用フィルタを通過した後の空気には液体粒子が殆どな
い極めて清浄な空気であり、その後の温湿度調整も容易
である。
The air that has passed through the nozzle contains such liquid particles, but when passing through a droplet removing filter made of a woven or nonwoven fabric having a downstream fiber diameter smaller than that of the dispersion mat. The liquid particles are trapped by the filter for removing liquid droplets by inertial collision. Therefore, the air after passing through the droplet removing filter is very clean air with almost no liquid particles, and the temperature and humidity can be easily adjusted thereafter.

【0013】かかるような特徴を有する基板処理装置用
の清浄空気供給装置において、請求項2に記載したよう
に、各不純物除去部における分散マットの下方、すなわ
ち空気の上流側に、分散マットを通過して滴下してきた
液滴を貯留する貯留部を設け、この貯留部に、回収空気
を下方から上方に通過させる通過孔を形成し、さらに当
該通過孔の上方に、当該通過孔を覆う形態のキャップを
配置してもよい。
[0013] In the clean air supply apparatus for a substrate processing apparatus having such a feature, as described in claim 2, the dispersion mat is passed below the dispersion mat in each impurity removing section, that is, upstream of the air. A storage portion for storing the droplets dropped and formed is provided, and in this storage portion, a passage hole for allowing the recovered air to pass upward from below is formed, and further above the passage hole, the passage hole is covered. A cap may be provided.

【0014】このように貯留部を設けたことで、分散マ
ットから滴下してきた不純物除去液を回収することが容
易になり、また通過孔の存在により、回収した空気を下
方から上方へと通流させることができる。なお当該通過
孔は、均等に分散させて配置することが好ましい。そし
て通過孔の上方にはキャップが配置されているので、分
散マットから滴下した不純物除去液が通過孔からそのま
ま落下することはなく、他方回収空気はこのキャップに
衝突した後、周囲に拡散される。したがって、分散マッ
トを通過する際の空気は局部的に集中することなく均等
に分散マットを通過する。その結果処理対象である回収
空気は、偏りなく均一に不純物除去が除去される。
By providing the storage section in this manner, it becomes easy to collect the impurity removing liquid dropped from the dispersion mat, and the presence of the passage holes allows the collected air to flow upward from below. Can be done. In addition, it is preferable that the passage holes are uniformly dispersed. And since the cap is arranged above the passage hole, the impurity removing liquid dropped from the dispersion mat does not fall from the passage hole as it is, while the collected air collides with this cap and is diffused around. . Therefore, the air when passing through the dispersing mat uniformly passes through the dispersing mat without being locally concentrated. As a result, impurities are removed from the recovered air to be treated uniformly without bias.

【0015】以上のような構成を有する基板処理装置用
の清浄空気供給装置において、請求項3に記載したよう
に、回収空気の流れに沿って、不純物除去部を上下多段
に直列に配置すれば、さらに高い不純物除去能力が得ら
れる。この場合、液滴除去フィルタは最上段に位置する
不純物除去部の下流側に配置すればよく、各段の不純物
除去部にそれぞれ設置する必要はない。
In the clean air supply apparatus for a substrate processing apparatus having the above-described structure, the impurity removing units may be arranged in series in upper and lower stages along the flow of the recovered air. And higher impurity removal ability can be obtained. In this case, the droplet removing filter may be disposed downstream of the uppermost impurity removing section, and need not be provided in each of the impurity removing sections.

【0016】さらに請求項4に記載したように、不純物
除去部におけるノズルから噴霧される不純物除去液の少
なくとも一部に、分散マットを通過した後の不純物除去
液を回収したものを使用すれば、即ち再使用すれば、不
純物除去液の有効利用が図れ、消費量の節約ができる。
According to a fourth aspect of the present invention, when at least a portion of the impurity removing liquid sprayed from the nozzle in the impurity removing section is obtained by collecting the impurity removing liquid after passing through the dispersion mat, That is, when reused, the impurity removing solution can be effectively used, and the consumption can be reduced.

【0017】請求項5によれば、被処理基板に対して所
定の空間内で処理を行う基板処理装置の当該所定の空間
に、清浄化した空気を供給する装置であって、前記所定
の空間内の空気の少なくとも一部を回収して、当該回収
空気を水平方向に通過させる流路と、この流路中に設け
られた不純物除去部とを有し、前記不純物除去部は、回
収空気の流れと平行に設置されかつ織布又は不織布から
なるマット状の分散マットと、前記分散マットに対して
所定間隔離れた位置から回収空気の流れと直角方向に不
純物除去液を噴霧するノズルと、前記ノズルの下流側に
位置し、繊維径が前記分散マットよりも小さい径を有す
る織布又は不織布からなる液滴除去用フィルタとを有し
ていることを特徴とする、基板処理装置用の清浄空気供
給装置が提供される。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for supplying purified air to a predetermined space of a substrate processing apparatus for performing processing on a substrate to be processed in a predetermined space, wherein the predetermined space is provided. A channel that collects at least a part of the air inside and allows the collected air to pass in the horizontal direction, and an impurity removing unit provided in the channel, and the impurity removing unit includes A mat-shaped dispersion mat installed in parallel with the flow and made of a woven or non-woven fabric, and a nozzle for spraying an impurity removing liquid in a direction perpendicular to the flow of the collected air from a position spaced a predetermined distance from the dispersion mat; Clean air for a substrate processing apparatus, comprising: a filter for removing a droplet made of a woven or nonwoven fabric having a fiber diameter smaller than the dispersion mat, which is located downstream of the nozzle. Supply equipment is provided .

【0018】この請求項5の基板処理装置用の清浄空気
供給装置は、流路内を流れる回収空気に対して、ノズル
から噴霧された不純物除去液との気液接触、並びに分散
マットから滴下する不純物除去液との気液接触によっ
て、空気中の不純物が除去される。そして下流側に位置
する液滴除去用フィルタによって、不純物が除去された
空気中に存在する液体粒子は捕集される。また液滴除去
用フィルタを通過した後の空気に対する温湿度調整も容
易である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a clean air supply apparatus for a substrate processing apparatus, wherein the recovered air flowing in the flow path is brought into gas-liquid contact with an impurity removing liquid sprayed from a nozzle and dropped from a dispersion mat. The impurities in the air are removed by gas-liquid contact with the impurity removing liquid. The liquid particles present in the air from which the impurities have been removed are collected by the droplet removing filter located on the downstream side. Further, the temperature and humidity of the air after passing through the droplet removing filter can be easily adjusted.

【0019】以上の請求項1〜5の各基板処理装置用の
清浄空気供給装置において、請求項6に記載したよう
に、流路内の回収空気を冷却する冷却装置をさらに付加
した構成としてもよい。そうすれば、処理される空気が
冷却され、不純物の除去効率が向上する。なおこのよう
な冷却装置と共に、あるいは冷却装置に代えて、不純物
除去液自体を、例えば6℃〜8℃、とりわけ7℃前後に
冷却して、ノズルから噴霧するようにしても、不純物除
去効果を高くすることが可能である。
In the above-described clean air supply device for each of the substrate processing apparatuses according to the first to fifth aspects, a cooling device for cooling the recovered air in the flow path may be further added as described in the sixth aspect. Good. Then, the air to be treated is cooled, and the efficiency of removing impurities is improved. It should be noted that the impurity removing effect can be reduced by cooling the impurity removing liquid itself to, for example, 6 ° C. to 8 ° C., particularly around 7 ° C., and spraying it from the nozzle together with or instead of such a cooling device. It can be higher.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると、図1〜図3は本実施の形態にかか
る基板処理装置用の清浄空気供給装置によって清浄空気
が供給される、基板処理装置としての塗布現像処理シス
テム1の全体構成の図であり、図1は平面、図2は正
面、図3は背面からみた様子を各々示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 show that clean air is supplied by a clean air supply device for a substrate processing apparatus according to the present embodiment. 1 is a plan view, FIG. 2 is a front view, and FIG. 3 is a view from the back side of the coating and developing system 1 as a substrate processing apparatus.

【0021】この塗布現像処理システム1は、被処理基
板としてのウエハWが複数枚、例えば25枚単位で収納
されているカセットCをシステム内に搬入したり、ある
いはシステムから搬出したりするためのカセットステー
ション10と、塗布現像処理工程の中で1枚ずつウエハ
Wに所定の処理を施す各種処理装置を所定位置に多段配
置してなる処理ステーション11と、この処理ステーシ
ョン11に隣接して設けられる露光処理装置(図示せ
ず)との間でウエハWを受け渡しするためのインターフ
ェース部12とを一体に接続した構成を有している。
The coating and developing system 1 is used for loading or unloading a cassette C containing a plurality of wafers W as substrates to be processed, for example, in units of 25 wafers, into or out of the system. A cassette station 10, a processing station 11 in which various processing apparatuses for performing predetermined processing on wafers W one by one in a coating and developing processing step are arranged at predetermined positions in multiple stages, and provided adjacent to the processing station 11. An interface unit 12 for transferring a wafer W to and from an exposure processing apparatus (not shown) is integrally connected.

【0022】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、載置部となるカセット載置台20上の位
置決め突起20aの位置に、複数個例えば4個のカセッ
トCが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けて一列に載置され、このカセット配列方向
(X方向)およびカセットC内に収納されたウエハWの
ウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能な、ウ
エハ搬送体21が搬送路21aに沿って移動自在であ
り、各カセットCに選択的にアクセスできるようになっ
ている。
In the cassette station 10, FIG.
As shown in FIG. 3, a plurality of cassettes C, for example, four cassettes C are connected to the processing station 1 at the positions of the positioning projections 20a on the cassette mounting table 20 serving as the mounting portion.
A wafer carrier 21 that is placed in a line toward one side and is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W stored in the cassette C. It is movable along the transport path 21a, and each cassette C can be selectively accessed.

【0023】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在であり、後述するように処理ステーション11
側の第3の処理装置群G3の多段ユニット部に属するア
ライメントユニットALIMおよびイクステンションユ
ニットEXTにもアクセスできるようになっている。
Further, the wafer transfer body 21 is rotatable in the θ direction.
So that the access to the third processing multi-stage unit alignment unit belonging to the unit ALIM device group G 3 and extension unit EXT side.

【0024】前記処理ステーション11には、図1に示
すように、その中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送手段
22が設けられ、その周りに各種処理装置が1組または
複数の組にわたって多段集積配置されて処理装置群を構
成している。塗布現像処理システム1においては、5つ
の処理装置群G1、G2、G3、G4、G5が配置可能な構
成であり、第1および第2の処理装置群G1、G2はシス
テム正面側に配置され、第3の処理装置群G3はカセッ
トステーション10に隣接して配置され、第4の処理装
置群G4はインターフェース部12に隣接して配置さ
れ、さらに破線で示した第5の処理装置群G5は背面側
に配置可能となっている。
As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer means 22 at the center thereof, around which various processing apparatuses are multi-stage integrated over one or a plurality of sets. They are arranged to form a processing device group. The coating and developing processing system 1 has a configuration in which five processing device groups G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 can be arranged, and the first and second processing device groups G 1 , G 2 The third processing unit group G 3 is disposed adjacent to the cassette station 10, the fourth processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface unit 12, and is indicated by a broken line. the processing unit group G 5 of the fifth has a positionable on the rear side.

【0025】図2に示すように第1の処理装置群G1
は、処理容器CP内でウエハWに対して所定の液処理を
行うスピンナ型の処理装置、例えばレジスト塗布装置C
OT1、COT2が上から順に2段に重ねられている。第
2の処理装置群G2には現像処理装置DEV1、DEV2
が上から順に2段に重ねられている。
As shown in FIG. 2, the first processing apparatus group G 1 includes a spinner type processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on the wafer W in the processing chamber CP, for example, a resist coating apparatus C
OT 1 and COT 2 are stacked in two stages from the top. The second processing unit group G 2 developing device DEV 1, DEV 2
Are stacked in two stages from the top.

【0026】図3に示すように、第3の処理装置群G3
では、ウエハWを載置台(図示せず)に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
クーリング装置COL、疏水化処理を行うアドヒージョ
ン装置AD、位置合わせを行うアライメント装置ALI
M、イクステンション装置EXT、露光処理前の加熱処
理を行うプリベーキング装置PREBAKE、および露
光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置POB
AKEが、下から順に例えば8段に重ねられている。
As shown in FIG. 3, the third processing unit group G 3
Here, an oven-type processing apparatus that performs a predetermined process by placing a wafer W on a mounting table (not shown), for example, a cooling device COL that performs a cooling process, an adhesion device AD that performs a hydrophobic process, and an alignment device that performs positioning ALI
M, an extension device EXT, a pre-baking device PREBAKE for performing a heating process before the exposure process, and a post-baking device POB for performing a heating process after the exposure process
AKEs are stacked in, for example, eight stages in order from the bottom.

【0027】第4の処理装置群G4においても、オーブ
ン型の処理装置、例えばクーリング装置COL、イクス
テンション・クーリング装置EXTCOL、イクステン
ション装置EXT、クーリング装置COL、プリベーキ
ング装置PREBAKE、およびポストベーキング装置
POBAKEが下から順に、例えば8段に重ねられてい
る。
[0027] In the fourth processing unit group G 4, oven-type processing units, for example, a cooling unit COL, extension and cooling unit EXTCOL, extension unit EXT, a cooling unit COL, the pre-baking unit PREBAKE, and post-baking unit POBAKEs are stacked in order from the bottom, for example, in eight layers.

【0028】図1、2に示すように、このインターフェ
ース部12の正面部には、可搬型のピックアップカセッ
トCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置
され、他方背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部にはウエハ搬送体24が設けられている。このウエ
ハ搬送体24は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動し
て両カセットCR、BRおよび周辺露光装置23にアク
セスできるようになっている。さらに前記ウエハ搬送体
24は、θ方向への回転およびY方向への移動も自在と
なるように構成されており、処理ステーション11側の
第4の処理装置群G4に属するイクステンション装置E
XTや隣接する露光処理装置(図示せず)のウエハ受渡
し台へもアクセスできるようになっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages at the front of the interface unit 12, and the peripheral exposure is performed at the rear. An apparatus 23 is provided, and a wafer carrier 24 is provided at the center. The wafer transfer body 24 moves in the X direction and the Z direction (vertical direction) to access the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 23. Further, the wafer transfer member 24 also move in the rotational and Y directions in the θ direction is configured to be freely, the processing station 11 side of the fourth processing unit group G 4 belonging extension device E
The XT and the wafer delivery table of the adjacent exposure processing apparatus (not shown) can be accessed.

【0029】当該塗布現像処理システム1においては、
前記したカセット載置台20、ウエハ搬送体21の搬送
路21a、第1〜第5の処理装置群G1〜G5、インター
フェース部12に対して、上方から清浄な空気のダウン
フローが形成されるよう、図2に示すように、システム
上部に例えばULPAフィルタなどの高性能フィルタ3
1が、前記3つのゾーン(カセットステーション10、
処理ステーション11、インターフェース部12)毎に
設けられている。そしてこの高性能フィルタ31の上流
側から供給された空気は、該高性能フィルタ31を通過
する際に清浄化され、図2の実線矢印や破線矢印に示し
たように、清浄なダウンフローが形成される。また特に
レジスト塗布装置COT1、COT2に対しては、図4に
示すように、その内部に対しても清浄なダウンフローが
独立して形成されるように適宜ダクト配管されている。
In the coating and developing system 1,
Wherein the cassette mounting table 20, the conveyance path 21a, the first to fifth processing unit group G 1 ~G 5 of the wafer transfer body 21, with respect to the interface unit 12, downflow clean air is formed from above As shown in FIG. 2, a high-performance filter 3 such as an ULPA filter
1 corresponds to the three zones (cassette station 10,
It is provided for each processing station 11 and interface section 12). Then, the air supplied from the upstream side of the high-performance filter 31 is purified when passing through the high-performance filter 31, and a clean downflow is formed as shown by the solid arrows and the dashed arrows in FIG. Is done. In particular, as shown in FIG. 4, duct pipes are appropriately provided to the resist coating devices COT 1 and COT 2 so that a clean down flow is independently formed inside the resist coating devices COT 1 and COT 2 .

【0030】塗布現像処理システム1の周囲は、図4に
示すように、側板61、62等で囲まれており、さらに
上部には天板63、下部には通気孔板64との間に空間
Pを介して底板65が設けられている。そしてシステム
の一側には壁ダクト66が形成されており、天板63下
面側に形成された天井チャンバ67と通じている。
As shown in FIG. 4, the periphery of the coating and developing system 1 is surrounded by side plates 61, 62, etc., and a space is formed between a top plate 63 at the upper part and a vent plate 64 at the lower part. A bottom plate 65 is provided via P. A wall duct 66 is formed on one side of the system, and communicates with a ceiling chamber 67 formed on the lower surface of the top plate 63.

【0031】底板65には、排気口68が形成されてお
り、通気孔板64を介して回収されるシステム内の下側
雰囲気は、この排気口68に接続された排気管69によ
って、上層床52で仕切られたクリーンルームの二重床
構造における下部空間70へ導かれる。
An exhaust port 68 is formed in the bottom plate 65, and the lower atmosphere in the system recovered through the vent plate 64 is evacuated by an exhaust pipe 69 connected to the exhaust port 68. It is led to the lower space 70 in the double floor structure of the clean room partitioned by 52.

【0032】他方、前記排気管69に接続されている導
入管71によって、回収された空気の一部は、清浄空気
供給装置101へと導入されるようになっている。なお
排気管69の排気先は、例えば工場などの集中排気系に
通ずるように構成してもよい。後述の清浄空気供給装置
101へ導入される空気と集中排気系へ排気される空気
との割合は、排気管69と導入管71にそれぞれ介装し
たダンパ72、73によって調整できるようになってい
る。
On the other hand, a part of the recovered air is introduced into the clean air supply device 101 by the introduction pipe 71 connected to the exhaust pipe 69. The exhaust destination of the exhaust pipe 69 may be configured to communicate with a centralized exhaust system such as a factory. The ratio of the air introduced into the clean air supply device 101 described later and the air exhausted into the centralized exhaust system can be adjusted by dampers 72 and 73 interposed in the exhaust pipe 69 and the introduction pipe 71, respectively. .

【0033】清浄空気供給装置101において気液接触
によりアンモニアなどのアルカリ成分が除去された空気
は、送出管74を通じて前記壁ダクト66へと送出さ
れ、天井チャンバ67の下方に設置された高性能フィル
タ51を介してシステム内にダウンフローとして吹き出
されるようになっている。
The air from which alkaline components such as ammonia have been removed by gas-liquid contact in the clean air supply device 101 is sent out to the wall duct 66 through a sending pipe 74, and a high-performance filter installed below the ceiling chamber 67. It is blown out as a down flow into the system via 51.

【0034】なお、処理ステーション11から排気され
た空気の一部は、上述のように工場などの集中排気系へ
排気されるために、その分を補うためクリーンルームの
二重床構造における上部空間75の比較的清浄な空気
が、給気管76を通じて前記清浄空気供給装置101へ
導入されるようになっている。
Since a part of the air exhausted from the processing station 11 is exhausted to the centralized exhaust system of the factory or the like as described above, the upper space 75 in the double floor structure of the clean room is supplemented to compensate for the exhaustion. Is introduced into the clean air supply device 101 through the air supply pipe 76.

【0035】処理ステーション11内部に設置された第
1の処理装置群G1におけるレジスト塗布装置COT1
ついては、その外壁を構成するケーシング82内の上部
に、別途サブチャンバ83が形成されていて、このサブ
チャンバ83はシステムの壁ダクト66と連通されてい
る。したがって壁ダクト66内を流れる清浄化された後
の空気は、サブチャンバ83の下方に設置された高性能
フィルタ84を介して、ケーシング82内にダウンフロ
ーとして吐出されるようになっている。なおサブチャン
バ83を設けることなく、天井チャンバ67からのダウ
ンフローをケーシング82内へ導入するようにしてもよ
い。そしてケーシング82内の雰囲気は、別途設けた排
気管86から通気孔板64下の空間Pへと排気されるよ
うになっている。
Regarding the resist coating device COT 1 in the first processing device group G 1 installed inside the processing station 11, a separate sub-chamber 83 is formed at an upper portion in a casing 82 constituting an outer wall thereof. This sub-chamber 83 is in communication with the wall duct 66 of the system. Therefore, the purified air flowing through the wall duct 66 is discharged as a downflow into the casing 82 via the high-performance filter 84 installed below the sub-chamber 83. The downflow from the ceiling chamber 67 may be introduced into the casing 82 without providing the sub-chamber 83. The atmosphere in the casing 82 is exhausted from a separately provided exhaust pipe 86 to the space P below the ventilation hole plate 64.

【0036】レジスト塗布装置COT2も前記レジスト
塗布装置COT1と同様の構成を有しており、ケーシン
グ92内の上部に、別途サブチャンバ93が形成され、
このサブチャンバ93が壁ダクト66と連通している。
したがって壁ダクト66内の清浄な空気は、サブチャン
バ93の下方に設置された高性能フィルタ94を介し
て、ケーシング92内にダウンフローとして吐出される
ようになっている。なおこの場合も、サブチャンバ93
を設けることなく、天井チャンバ67からのダウンフロ
ーをケーシング92内へ直接導入するようにしてもよ
い。そしてケーシング92内の雰囲気は、排気管86か
ら通気孔板64下の空間Pへと排気されるようになって
いる。
The resist coating device COT 2 has the same configuration as the resist coating device COT 1, and a sub-chamber 93 is separately formed in the upper part of the casing 92.
This sub-chamber 93 communicates with the wall duct 66.
Therefore, the clean air in the wall duct 66 is discharged as a downflow into the casing 92 through the high-performance filter 94 installed below the sub-chamber 93. In this case, the sub-chamber 93 is also provided.
, The downflow from the ceiling chamber 67 may be directly introduced into the casing 92. The atmosphere in the casing 92 is exhausted from the exhaust pipe 86 to the space P below the vent plate 64.

【0037】なお例えばレジスト塗布装置COT1、C
OT2などのように、塗布現像処理システム1に組み込
まれているユニットとしての各種処理装置毎に、風速等
を設定した方が各々好ましいプロセス条件が得られる場
合がある。そこでレジスト塗布装置COT1のサブチャ
ンバ83の内部やレジスト塗布装置COT2のサブチャ
ンバ93の内部に別途小型ファンや可変ダンパなどを設
け、ケーシング82およびケーシング92内に、各々独
立した清浄なダウンフローを形成するようにしてもよ
い。
Incidentally, for example, a resist coating device COT 1 , C
Such as OT 2, in each type of processing apparatus as a unit incorporated in the coating and developing treatment system 1, who sets the wind speed and the like in some cases each preferred process conditions can be obtained. Therefore separately provided such as a small fan or a variable damper inside the sub-chamber 93 inside and the resist coating device COT 2 subchambers 83 of the resist coating device COT 1, the casing 82 and the casing 92, each separate clean downflow May be formed.

【0038】次に本実施の形態にかかる清浄空気供給装
置101の構成について詳述する。図5に示すように清
浄空気供給装置101は、外装パネル内に形成されてい
る導入部110、第1の不純物除去部130、第2の不
純物除去部150、送出部170、及び不純物除去液循
環部190に大別できる。
Next, the configuration of the clean air supply device 101 according to this embodiment will be described in detail. As shown in FIG. 5, the clean air supply device 101 includes an introduction unit 110, a first impurity removal unit 130, a second impurity removal unit 150, a delivery unit 170, and an impurity removal liquid circulation formed in the exterior panel. It can be roughly divided into a section 190.

【0039】そして導入管71によって清浄空気供給装
置101に導入される空気は、まず導入部110に設け
られた導入口111から空間Sへ導入される。導入部1
10の下方には、第1の不純物除去部130および第2
の不純物除去部150で使用された例えば純水などの不
純物除去液の一部を貯留するためのドレインパン112
が設けられている。ドレインパン112に貯留された純
水などの不純物除去液は排液パイプ114によって、例
えば工場の集中廃液系へと排出されるようになってい
る。
The air introduced into the clean air supply device 101 by the introduction pipe 71 is first introduced into the space S from an introduction port 111 provided in the introduction section 110. Introduction 1
Below the first impurity removing section 130 and the second
Drain pan 112 for storing a part of the impurity removing liquid such as pure water used in the impurity removing section 150 of FIG.
Is provided. The impurity removing liquid such as pure water stored in the drain pan 112 is discharged by a drain pipe 114 to, for example, a centralized waste liquid system in a factory.

【0040】前記第1の不純物除去部130には気液接
触空間M1を介して後記の分散マット132に対して純
水を微細なミスト状に噴霧するための、スプレーノズル
131aを有する噴霧装置131が設けられている。そ
してこの前記気液接触空間M1の下側には、スプレーノ
ズル131aから噴霧された純水をトラップしつつ、こ
れを分散させて均等に滴下させるための、例えば不織布
などからなるマット状の分散マット132が設けられて
いる。
A spray device having a spray nozzle 131a for spraying pure water in the form of fine mist onto a dispersion mat 132 described later through the gas-liquid contact space M1 in the first impurity removing section 130. 131 are provided. On the lower side of the gas-liquid contact space M1, while trapping pure water sprayed from the spray nozzle 131a, disperse the pure water and drop it evenly. A mat 132 is provided.

【0041】分散マット132の下側には、この分散マ
ット132から滴下する純水を集水するためのパン13
3が配置されており、さらにこのパン133には、下方
にある空間Sから上昇してくる処理対象である空気を、
分散マット132へと通過させるための通過孔としての
通気管133aが上下方向に貫設されている。この通気
管133aはパン133をオーバーフローする純水を前
出のドレインパン112へ導くための機能もあわせ持っ
ている。
A pan 13 for collecting pure water dropped from the dispersion mat 132 is provided below the dispersion mat 132.
3 is disposed, and the pan 133 is provided with air to be processed, which rises from the space S below,
A ventilation pipe 133a as a passage hole for passing the dispersion mat 132 is vertically provided. The ventilation pipe 133a also has a function of guiding pure water overflowing the pan 133 to the drain pan 112 described above.

【0042】前記通気管133aの上方には、隙間を空
けて通気管133aの開口部を覆う形態のキャップ13
4が設けられている。このキャップ134により、分散
マット132からの純水はドレインパン112へ直接滴
下せず、また空間Sからの空気は、このキャップ134
に衝突した後、拡散して前記隙間を通じて分散マット1
32へと上昇する。
Above the ventilation pipe 133a, there is provided a cap 13 having a form that covers the opening of the ventilation pipe 133a with a gap.
4 are provided. With this cap 134, the pure water from the dispersion mat 132 does not directly drop onto the drain pan 112, and the air from the space S is
After colliding with the dispersion mat 1
It rises to 32.

【0043】パン133に貯留された純水は、ポンプ1
36によって再び噴霧装置131へと送られ、スプレー
ノズル131aから噴霧される。即ち循環再使用される
ようになっている。
The pure water stored in the pan 133 is supplied to the pump 1
It is sent to the spraying device 131 again by 36 and sprayed from the spray nozzle 131a. That is, it is designed to be recycled and reused.

【0044】第2の不純物除去部150は、前記構成を
有する第1の不純物除去部130の上方に配置され、そ
の構成は、基本的に第1の不純物除去部130と同一で
ある。すなわち最下部には通気管153aを具備したパ
ン153が設置され、前記通気管153aの上方にはキ
ャップ154が設けられている。またキャップ154の
上方には分散マット152が配置され、さらにこの分散
マット152の上方には、気液接触空間M2を介して、
スプレーノズル151aを具備した噴霧装置151が設
けられている。また噴霧装置151の上方、すなわち第
2の不純物除去部150における最下流側には、分散マ
ット152を構成する繊維よりも小さい径を有する不織
布などからなる液滴除去フィルタ155が配置されてい
る。
The second impurity removing section 150 is disposed above the first impurity removing section 130 having the above-described configuration, and its configuration is basically the same as that of the first impurity removing section 130. That is, a pan 153 having a ventilation pipe 153a is provided at the lowermost portion, and a cap 154 is provided above the ventilation pipe 153a. Also above the cap 154 is disposed dispersed mat 152, further Above the dispersion mat 152, via the gas-liquid contact space M 2,
A spray device 151 having a spray nozzle 151a is provided. Above the spray device 151, that is, on the most downstream side in the second impurity removing section 150, a droplet removing filter 155 made of a nonwoven fabric or the like having a smaller diameter than the fibers constituting the dispersion mat 152 is disposed.

【0045】パン153に貯留された純水は、ポンプ1
56によって取水され、熱交換器157において熱交換
されるようになっている。本実施の形態にかかる清浄空
気供給装置101においては、装置内に設置されている
冷凍機161からの冷媒によって熱交換(冷却)され
て、例えば7℃に温度調節される。その後7℃に設定さ
れた純水は、再び噴霧装置151へと送られ、スプレー
ノズル151aから噴霧されて再使用される。
The pure water stored in the pan 153 is supplied to the pump 1
Water is taken in by 56 and heat is exchanged in the heat exchanger 157. In the clean air supply device 101 according to the present embodiment, the heat is exchanged (cooled) by the refrigerant from the refrigerator 161 installed in the device, and the temperature is adjusted to, for example, 7 ° C. Thereafter, the pure water set to 7 ° C. is sent to the spraying device 151 again, sprayed from the spray nozzle 151a, and reused.

【0046】本実施の形態では、第1の不純物除去部1
30と第2の不純物除去部150は、既述のように、上
下2段に配置された構成となっており、上側に配置され
た第2の不純物除去部150で使用され、パン153に
集水された純水のうち、オーバーフローした分は、下側
に配置された第1の不純物除去部130へと落下する
が、本実施形態においては、純水補充源162から新規
の純水が補充されるようになっており、この補充分に相
当する量が第1の不純物除去部130へと落下し、また
ドレインパン114へと集水される。なお不純物除去部
は、3つ以上、多段配置させてもよい。
In this embodiment, the first impurity removing section 1
As described above, the second impurity removing unit 150 and the second impurity removing unit 150 are arranged in the upper and lower stages, and are used in the second impurity removing unit 150 arranged on the upper side. Of the pure water that has been drained, the overflowed portion falls to the first impurity removing section 130 disposed below, but in this embodiment, new pure water is replenished from the pure water replenishment source 162. The amount corresponding to the replenishment falls to the first impurity removing unit 130 and is collected to the drain pan 114. Note that three or more impurity removing units may be arranged in multiple stages.

【0047】前述の第1の不純物除去部130と第2の
不純物除去部150にて不純物が除去された空気は、送
出部170内に設置されている送風機171によって出
口、すなわち送出口172へとへ導かれる。また前記し
た上部空間75の比較的清浄な空気は、他の送風機17
3によって送出部170へと導入され、第1の不純物除
去部130、第2の不純物除去部150にて不純物が除
去された清浄空気と混合される。これら混合された空気
が、加熱機構174、加湿機構175によって温湿度調
整された後、送出口172によって送出されるのであ
る。例えば、温度23℃、相対湿度40%に調整された
空気が送出口172から送出される。
The air from which impurities have been removed by the first and second impurity removing units 130 and 150 are sent to an outlet, that is, an outlet 172 by a blower 171 installed in the sending unit 170. Led to. The relatively clean air in the upper space 75 is supplied to another blower 17.
3, and is mixed with the clean air from which impurities have been removed by the first impurity removing unit 130 and the second impurity removing unit 150. The temperature and humidity of the mixed air are adjusted by the heating mechanism 174 and the humidifying mechanism 175, and then the air is sent out by the outlet 172. For example, air adjusted to a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 40% is sent out from the outlet 172.

【0048】本実施の形態にかかる清浄空気供給装置1
01を使用した塗布現像処理システム1は以上のように
構成されており、次にこの塗布現像処理システム1の動
作について説明すると、まずカセットステーション10
において、ウエハ搬送体21がカセット載置台20上の
処理前のウエハWを収容しているカセットCにアクセス
して、そのカセットCから1枚のウエハWを取り出す。
その後ウエハ搬送体21は、まず処理ステーンション1
1側の第3の処理装置群G3に配置されているアライメ
ント装置ALIMまで移動し、当該アライメント装置A
LIM内にウエハWを移載する。
The clean air supply device 1 according to the present embodiment
01 is configured as described above. Next, the operation of the coating and developing system 1 will be described.
, The wafer carrier 21 accesses the cassette C containing the unprocessed wafers W on the cassette mounting table 20 and takes out one wafer W from the cassette C.
After that, the wafer transfer body 21 first moves the processing station 1
Moves to the alignment device ALIM disposed on one side the third processing unit group G 3, the alignment device A
The wafer W is transferred into the LIM.

【0049】そしてアライメント装置ALIMにおいて
ウエハWのオリフラ合わせおよびセンタリングが終了す
ると、主ウエハ搬送手段22のウエハ搬送装置34は、
アライメントが完了したウエハWを受け取り、第3の処
理装置群G3において前記アライメント装置ALIMの
下段に位置するアドヒージョン装置ADの前まで移動し
て、装置に前記ウエハWを搬入し、以下各処理装置にお
いて、ウエハWに対して所定のレジスト液塗布処理等が
実施されていく。
When the alignment and the centering of the wafer W are completed in the alignment device ALIM, the wafer transfer device 34 of the main wafer transfer means 22
The alignment-completed wafer W is received, moved to the front of the adhesion device AD located at the lower stage of the alignment device ALIM in the third processing device group G3, and the wafer W is loaded into the device. , A predetermined resist liquid coating process or the like is performed on the wafer W.

【0050】このような塗布現像処理システム1内にお
ける各処理装置の処理中、塗布現像処理システム1内に
おいては、所定の気流速度、例えば0.35m/s〜
0.5m/sの清浄化されたダウンフローが形成されて
おり、このダウンフローによって、システム内に発生す
るパーティクルや有機成分、イオン、アルカリ成分など
は、下方へと搬送され、通気孔板64を通って空間Pか
ら、清浄空気供給装置101の導入口111へと導入さ
れる。
During processing of each processing apparatus in the coating and developing system 1, a predetermined airflow velocity, for example, 0.35 m / s to
A purified downflow of 0.5 m / s is formed. With this downflow, particles, organic components, ions, alkali components, and the like generated in the system are transported downward, and the vent plate 64 is formed. Through the space P and into the inlet 111 of the clean air supply device 101.

【0051】導入口111から導入された回収空気は、
パン133に貫設された通気管133aを経由して分散
マット132へ導かれる。このとき分散マット132に
対しては、スプレーノズル131aによって純水が噴霧
されているので、回収空気に含まれているパーティクル
や有機成分、イオン、アルカリ成分などの不純物は、分
散マット132中の純水との接触によって除去される。
さらに前記分散マット132を通過した空気は、気液接
触空間M1において、噴霧装置131からのミスト状態
の純水と直接接触する気液接触によって、さらに不純物
が除去される。このように分散マット132において、
いわばプレフィルトレーションされた後の空気に対し
て、再度、気液接触空間M1において不純物除去を施す
ために、除去効率は極めて高いものとなっている。
The recovered air introduced from the inlet 111 is
It is led to the dispersion mat 132 via the ventilation pipe 133a penetrating through the pan 133. At this time, since pure water is sprayed on the dispersion mat 132 by the spray nozzle 131a, impurities such as particles, organic components, ions, and alkali components contained in the recovered air are removed from the pure mat in the dispersion mat 132. Removed by contact with water.
The air was further passed through the dispersion mat 132, in the gas-liquid contact space M 1, the gas-liquid contact in direct contact with pure water mist state from the spray device 131, further impurities are removed. Thus, in the dispersion mat 132,
So to speak to the air after being prefiltration, again, in order to perform the impurity removing the gas-liquid contact space M 1, removal efficiency has become extremely high.

【0052】しかもかかる場合、回収空気が下方から上
方へと通流する際には、キャップ134によって拡散さ
れてから通流し、そのうえ分散マット132には、噴霧
された純水が均等に含浸しているので、処理対象である
回収空気は、偏りなく均一に不純物除去が除去される。
In such a case, when the collected air flows upward from below, it is diffused by the cap 134 and then flows, and the dispersion mat 132 is evenly impregnated with the sprayed pure water. Therefore, the removal of impurities from the collected air to be treated is uniformly and evenly removed.

【0053】そのようにして気液接触空間M1において
不純物が除去された空気は、パン153に貫設された通
気管153aを経由して第2の不純物除去部150にお
ける分散マット152、気液接触空間M2において、さ
らに気液接触による不純物除去処理が施される。この場
合、第2の不純物除去部150におけるスプレーノズル
151aから噴霧されている純水は、第1の不純物除去
部130よりも清浄度が高いものであるから、より程度
の高い不純物除去処理がなされる。このように二段で不
純物除去を繰り返すことによって、極めて清浄度の高い
空気を創出することができる。しかも使用されている純
水は、熱交換機157によって7℃に温度設定されたも
のであるから、不純物除去率はいっそう高いものになっ
ている。
The air from which impurities have been removed in the gas-liquid contact space M 1 passes through the ventilation pipe 153 a penetrating through the pan 153, and the dispersion mat 152 in the second impurity removing section 150, in the contact space M 2, the impurity removal process is performed by further vapor-liquid contact. In this case, since the pure water sprayed from the spray nozzle 151a in the second impurity removing unit 150 has higher cleanness than the first impurity removing unit 130, a higher impurity removing process is performed. You. By repeating the impurity removal in two stages in this manner, air with extremely high cleanliness can be created. In addition, since the temperature of the pure water used is set at 7 ° C. by the heat exchanger 157, the impurity removal rate is higher.

【0054】そして二段で不純物除去された空気は、液
滴除去フィルタ155によってミストが除去された後、
送風機171によって送出口172へと送風されるので
あるが、液滴除去フィルタ155においてミストが除去
されるときに同時に清浄化もされるので、送出口172
へと送風される空気の清浄度は極めて高いものとなって
いる。しかも送出口172から送出する前に、加熱機構
174、加湿機構175によって送出する清浄空気の温
湿度をコントロールすることができる。
The air from which impurities have been removed in two stages is subjected to mist removal by the droplet removal filter 155,
Although the air is blown to the outlet 172 by the blower 171, the mist is removed at the same time as the mist is removed in the droplet removing filter 155.
The cleanliness of the air blown to is extremely high. In addition, the temperature and humidity of the clean air to be sent out can be controlled by the heating mechanism 174 and the humidifying mechanism 175 before sending out from the outlet 172.

【0055】なお純水補充源162から新規の純水の補
充量を増加させると、その分気液接触に用いる純水の不
純物除去能力が高まるので、不純物の濃度が高い場合に
は、適宜この補充量を増大させることによって対処する
ことができる。
When the amount of new pure water replenished from the pure water replenishment source 162 is increased, the ability to remove impurities of pure water used for the gas-liquid contact is increased. This can be addressed by increasing the amount of replenishment.

【0056】以上のように、本実施の形態にかかる清浄
空気供給装置101を用いれば、塗布現像処理システム
1から回収した空気を純水による気液接触によって清浄
化して、再び塗布現像処理システム1や個々のユニット
としての処理装置、例えばレジスト塗布装置COT1
COT2へと供給することができ、ケミカルフィルタを
用いることなく、所定の清浄度を達成することが容易で
ある。また不純物除去の際に用いた純水を循環再使用し
ているので、ランニングコストも下げることが可能であ
る。そのうえ、温湿度のコントロールを実施することも
できる。したがって、従来、不純物の除去を行うための
機構(例えばケミカルフィルタ)と、温湿度をコントロ
ールするための機構を各々個別の装置構成に基づいた個
別のコントローラによって行っていたのを、本実施の形
態にかかる清浄空気供給装置101によれば、そのよう
な不純物の除去と温湿度のコントロールを、1つの装置
構成に基づいた一括管理の下で実施することが容易であ
る。
As described above, with the use of the clean air supply device 101 according to the present embodiment, the air collected from the coating and developing system 1 is purified by gas-liquid contact with pure water, and the coating and developing system 1 is again used. And a processing device as an individual unit, for example, a resist coating device COT 1 ,
It can be supplied to COT 2 and it is easy to achieve a predetermined cleanliness without using a chemical filter. Further, since the pure water used for removing the impurities is circulated and reused, the running cost can be reduced. In addition, temperature and humidity control can be performed. Therefore, in the present embodiment, a mechanism for removing impurities (for example, a chemical filter) and a mechanism for controlling temperature and humidity are conventionally performed by individual controllers based on individual device configurations. According to the clean air supply device 101 according to the above, it is easy to perform such removal of impurities and control of temperature and humidity under collective management based on one device configuration.

【0057】ところで発明者らの検証によれば、気液接
触によって不純物を除去する場合、不純物除去液、例え
ば純水は、その温度を7℃前後に設定すれば、除去能力
が高いことが確認できたので、前記実施形態にかかる清
浄空気供給装置101において使用した不純物除去液と
しての純水は、熱交換器157によって7℃に温度調整
するようにしていた。これに代えて、図6に示した他の
実施形態にかかる清浄空気供給装置201を用いても除
去効率の高い運転が可能である。なお図6中、前記実施
形態において引用した符号と同一の符号で示される部
材、機器、機構等は、各々前記実施形態にかかる清浄空
気供給装置101と同一の部材、機器、機構等を示して
いる。
According to the verification by the inventors, it has been confirmed that, when impurities are removed by gas-liquid contact, an impurity removing solution, for example, pure water, has a high removing ability if its temperature is set at about 7 ° C. As a result, the temperature of the pure water as the impurity removing liquid used in the clean air supply device 101 according to the embodiment was adjusted to 7 ° C. by the heat exchanger 157. Instead of this, even with the use of the clean air supply device 201 according to the other embodiment shown in FIG. 6, operation with high removal efficiency is possible. In FIG. 6, members, devices, mechanisms, and the like denoted by the same reference numerals as those cited in the embodiment denote the same members, devices, mechanisms, and the like as the clean air supply device 101 according to the embodiment. I have.

【0058】すなわちこの清浄空気供給装置201にお
いては、熱交換器によって純水の温度を調整するのに代
えて、図6に示したように、冷凍機161からの冷媒
を、空間S内に設置した冷却コイル202に流し、導入
口111から導入される空気自体を冷却させ、第1の不
純物除去部130、第2の不純物除去部150の雰囲気
を冷却して、凝縮しやすい雰囲気に設定するようにした
ものである。かかる構成によっても、第1の不純物除去
部130、第2の不純物除去部150において純水によ
る気液接触により不純物を除去する場合の効率が高い。
That is, in this clean air supply apparatus 201, instead of adjusting the temperature of pure water by a heat exchanger, the refrigerant from the refrigerator 161 is installed in the space S as shown in FIG. Then, the air itself introduced from the inlet 111 is cooled, and the atmosphere of the first impurity removing unit 130 and the second impurity removing unit 150 is cooled to set the atmosphere to be easily condensed. It was made. Even with such a configuration, the efficiency of removing impurities by gas-liquid contact with pure water in the first impurity removing unit 130 and the second impurity removing unit 150 is high.

【0059】前記各実施の形態おいては、いずれも不純
物除去部を上下二段に配置した構成であったが、これに
代え図7に示したように、第1の不純物除去部230、
第2の不純物除去部250を横方向に連続して配置して
もよい。すなわち、回収空気Qを通流させる流路Nを水
平方向に設定し、第1の不純物除去部230、第2の不
純物除去部250における分散マット232、252を
各々流路N内の中央に水平方向に設置する。そしてこれ
ら分散マット232、252に対して不純物除去液を噴
霧するスプレーノズル231a、251aを有する噴霧
装置231、251を各々対応する分散マット232、
252の上方に設置する。また液滴除去フィルタ260
は、二段目の第2の不純物除去部250の下流側であっ
てかつ送風機261の上流側に、回収空気Qの通流方向
に対して直角に設置されている。すなわち、流路Nを閉
鎖するように設置される。
In each of the above embodiments, the structure in which the impurity removing sections are arranged in two stages, upper and lower, is replaced with the first impurity removing section 230, as shown in FIG.
The second impurity removing section 250 may be arranged continuously in the horizontal direction. That is, the flow path N through which the recovered air Q flows is set in the horizontal direction, and the dispersion mats 232 and 252 in the first impurity removing section 230 and the second impurity removing section 250 are each horizontally positioned at the center in the flow path N. Install in the direction. Then, spray devices 231 and 251 having spray nozzles 231a and 251a for spraying the impurity removing liquid onto the dispersion mats 232 and 252 are respectively provided with the corresponding dispersion mats 232 and 251.
It is installed above 252. In addition, the droplet removing filter 260
Is installed on the downstream side of the second-stage second impurity removing section 250 and on the upstream side of the blower 261 at right angles to the flowing direction of the recovered air Q. That is, it is installed so as to close the flow path N.

【0060】このように第1の不純物除去部230並び
に第2の不純物除去部250をいわば横方向に多段に配
置した場合であっても、流路N内を流れる回収空気Qに
対して、スプレーノズル231a、251a噴霧された
不純物除去液との気液接触、並びに分散マット232、
252から滴下する不純物除去液との気液接触によっ
て、回収空気Q中の不純物が除去される。そして下流側
に位置する液滴除去用フィルタ260によって、不純物
が除去された空気中に存在する液体粒子は捕集されるの
で、送風機261は支障なく稼働させることができる。
また液滴除去用フィルタ260を通過した後の空気に対
する温湿度調整も容易である。
As described above, even when the first impurity removing section 230 and the second impurity removing section 250 are arranged in multiple stages in a horizontal direction, the recovered air Q flowing in the flow path N is sprayed. Nozzle 231a, 251a gas-liquid contact with sprayed impurity removing liquid, and dispersion mat 232,
The impurities in the recovered air Q are removed by gas-liquid contact with the impurity removing liquid dropped from the liquid 252. The liquid particles present in the air from which impurities have been removed are collected by the droplet removal filter 260 located on the downstream side, so that the blower 261 can be operated without any trouble.
Further, the temperature and humidity of the air after passing through the droplet removing filter 260 can be easily adjusted.

【0061】なお前記した実施の形態は、ウエハWに対
して一連のレジスト塗布や現像処理を行う塗布現像処理
システム1から回収した空気を清浄化して、これを再び
塗布現像処理システム1に供給する装置として構成して
いたが、もちろん処理ユニットとしての個々の処理装置
にから回収した空気を清浄化し、当該個々の処理装置に
供給する構成としてもよい。また本発明は、その他ウエ
ハに対して所定の熱雰囲気の下で成膜処理を行う装置、
例えば酸化膜形成のために用いる成膜装置などに対して
も適用可能であり、被処理基板もウエハに限らず、例え
ばLCD用ガラス基板であってもよい。
In the above-described embodiment, the air collected from the coating and developing system 1 for performing a series of resist coating and developing processes on the wafer W is cleaned and supplied to the coating and developing system 1 again. Although the apparatus is configured as an apparatus, it is needless to say that the air collected from each processing apparatus as a processing unit may be purified and supplied to each processing apparatus. The present invention also provides an apparatus for performing a film forming process on a wafer under a predetermined thermal atmosphere,
For example, the present invention can be applied to a film forming apparatus used for forming an oxide film, and the substrate to be processed is not limited to a wafer, and may be, for example, a glass substrate for LCD.

【0062】[0062]

【発明の効果】本発明にかかる基板処理装置用の清浄空
気供給装置を使用すれば、不純物除去液による気液接触
によって処理空気を清浄化して、再び基板処理装置へと
供給することができるから、ケミカルフィルタを用いる
必要はない。したがって従来ケミカルフィルタ採用に伴
って必要であってメンテナンスやフィルタ部材の交換な
どの作業が不要となり、ランニングコストも低減でき
る。しかも不純物の除去効率が良好で、所定の清浄度を
達成することが容易であり、また不純物除去の際に用い
る不純物除去液に要するコストも下げることが可能であ
る。
The use of the clean air supply device for a substrate processing apparatus according to the present invention makes it possible to clean the processing air by gas-liquid contact with an impurity removing liquid and supply it to the substrate processing apparatus again. It is not necessary to use a chemical filter. Therefore, it is necessary to adopt a conventional chemical filter, so that operations such as maintenance and replacement of a filter member are not required, and the running cost can be reduced. Moreover, the impurity removal efficiency is good, it is easy to achieve a predetermined cleanliness, and the cost required for the impurity removal liquid used for removing the impurities can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態にかかる清浄空気供給装置
を使用した塗布現像処理システムの平面から見た説明図
である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a coating and developing system using a clean air supply device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の塗布現像処理システムの正面から見た説
明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram viewed from the front of the coating and developing system of FIG. 1;

【図3】図1の塗布現像処理システムの背面から見た説
明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the coating and developing treatment system of FIG. 1 as viewed from the back.

【図4】図1の塗布現像処理システムの内部を示す縦断
面の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section showing the inside of the coating and developing processing system of FIG. 1;

【図5】本発明の実施の形態にかかる清浄空気供給装置
の内部を示す縦断面の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view of a vertical section showing the inside of the clean air supply device according to the embodiment of the present invention.

【図6】他の実施の形態にかかる清浄空気供給装置の内
部を示す縦断面の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view of a longitudinal section showing the inside of a clean air supply device according to another embodiment.

【図7】不純物除去部を横方向に多段に配置した他の実
施の形態にかかる清浄空気供給装置の要部の説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory diagram of a main part of a clean air supply device according to another embodiment in which impurity removing units are arranged in multiple stages in the horizontal direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理システム 101 清浄空気供給装置 111 導入口 130 第1の不純物除去部 131、151 噴霧装置 131a、151a スプレーノズル 132、152 分散マット 133、153 パン 133a、153a 通気管 134、154 キャップ 150 第2の不純物除去部 155 液滴除去フィルタ 171、173 送風機 COT1、COT2 レジスト塗布装置 M1、M2 気液接触空間 N 流路 W ウエハDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating / developing processing system 101 Clean air supply device 111 Inlet 130 First impurity removing unit 131, 151 Spray device 131a, 151a Spray nozzle 132, 152 Dispersion mat 133, 153 Pan 133a, 153a Vent pipe 134, 154 Cap 150 No. 2 impurity removal unit 155 Droplet removal filter 171, 173 Blower COT 1 , COT 2 resist coating device M 1 , M 2 Gas-liquid contact space N flow path W wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片野 貴之 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社プロセステクノロジーセ ンター内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takayuki Katano 650 Mitsuzawa, Hosakacho, Nirasaki, Yamanashi Pref. Tokyo Electron Limited Process Technology Center

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板に対して所定の空間内で処理
を行う基板処理装置の当該所定の空間に、清浄化した空
気を供給する装置であって、前記所定の空間内の空気の
少なくとも一部を回収して、当該回収空気を下方から上
方へと通過させる流路と、この流路中に設けられた不純
物除去部とを有し、前記不純物除去部は、織布又は不織
布からなるマット状の分散マットと、前記流路内におけ
る下流側から前記分散マットに対して間隔を空けて離れ
た位置から不純物除去液を噴霧するノズルと、前記ノズ
ルの下流側に位置し、繊維径が前記分散マットよりも小
さい径を有する織布又は不織布からなる液滴除去用フィ
ルタとを有していることを特徴とする、基板処理装置用
の清浄空気供給装置。
An apparatus for supplying purified air to a predetermined space of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate to be processed in a predetermined space, wherein at least the air in the predetermined space is provided. It has a flow path for recovering a part and passing the recovered air upward from below, and an impurity removing section provided in the flow path, and the impurity removing section is made of woven or non-woven fabric. A mat-shaped dispersion mat, a nozzle for spraying an impurity removing liquid from a position spaced apart from the dispersion mat from a downstream side in the flow path, and a fiber diameter located on the downstream side of the nozzle, A clean air supply device for a substrate processing apparatus, comprising: a filter for removing droplets made of a woven or nonwoven fabric having a smaller diameter than the dispersion mat.
【請求項2】 不純物除去部における分散マットの下方
に、分散マットを通過した液滴を貯留する貯留部が設け
られ、この貯留部には回収空気を通過させる上下方向に
貫通した通過孔が形成され、さらに当該通過孔の上方に
は、少なくとも当該通過孔を覆う形態のキャップが配置
されたことを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装
置用の清浄空気供給装置。
2. A storage section for storing droplets passing through the dispersion mat is provided below the dispersion mat in the impurity removing section, and a vertical through-hole is formed in the storage section to allow the recovery air to pass therethrough. The clean air supply device for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a cap having a form covering at least the passage hole is disposed above the passage hole.
【請求項3】 不純物除去部は、回収空気の流れに沿っ
て上下多段に直列に設けられ、かつ不純物除去部におけ
る液滴除去フィルタは最上段の不純物除去部の下流側に
配置されていることを特徴とする、請求項1又は2に記
載の基板処理装置用の清浄空気供給装置。
3. The impurity removing section is provided in series in upper and lower stages along the flow of the recovered air, and the droplet removing filter in the impurity removing section is arranged downstream of the uppermost impurity removing section. The clean air supply device for a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項4】 不純物除去部におけるノズルから噴霧さ
れる不純物除去液の少なくとも一部は、分散マットを通
過した後の不純物除去液を回収したものであることを特
徴とする、請求項1、2又は3に記載の基板処理装置用
の清浄空気供給装置。
4. The method according to claim 1, wherein at least a part of the impurity removing liquid sprayed from the nozzle in the impurity removing section is obtained by collecting the impurity removing liquid after passing through the dispersion mat. Or a clean air supply device for a substrate processing apparatus according to item 3.
【請求項5】 被処理基板に対して所定の空間内で処理
を行う基板処理装置の当該所定の空間に、清浄化した空
気を供給する装置であって、前記所定の空間内の空気の
少なくとも一部を回収して、当該回収空気を水平方向に
通過させる流路と、この流路中に設けられた不純物除去
部とを有し、前記不純物除去部は、回収空気の流れと平
行に設置されかつ織布又は不織布からなるマット状の分
散マットと、前記分散マットに対して間隔を空けて離れ
た位置から回収空気の流れと直角方向に不純物除去液を
噴霧するノズルと、前記ノズルの下流側に位置し、繊維
径が前記分散マットよりも小さい径を有する織布又は不
織布からなる液滴除去用フィルタとを有していることを
特徴とする、基板処理装置用の清浄空気供給装置。
5. An apparatus for supplying purified air to a predetermined space of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate to be processed in a predetermined space, wherein at least the air in the predetermined space is supplied. A flow path for collecting a part of the collected air and passing the collected air in a horizontal direction, and an impurity removing section provided in the flow path, wherein the impurity removing section is provided in parallel with the flow of the collected air. A mat-shaped dispersion mat made of woven or non-woven fabric, a nozzle for spraying an impurity removing liquid in a direction perpendicular to the flow of the recovered air from a position spaced apart from the dispersion mat, and downstream of the nozzle. And a droplet removing filter made of a woven or non-woven fabric having a fiber diameter smaller than that of the dispersion mat.
【請求項6】 流路内の回収空気を冷却する冷却装置を
備えたことを特徴とする、請求項1、2、3、4又は5
のいずれかに記載の基板処理装置用の清浄空気供給装
置。
6. The apparatus according to claim 1, further comprising a cooling device for cooling the recovered air in the flow path.
A clean air supply device for a substrate processing apparatus according to any one of the above.
JP9165221A 1997-05-22 1997-06-06 Clean bench for substrate treatment equipment Pending JPH10340851A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9165221A JPH10340851A (en) 1997-06-06 1997-06-06 Clean bench for substrate treatment equipment
TW087107717A TW420829B (en) 1997-05-22 1998-05-19 Treatment device and method, impurity removing apparatus
EP98109169A EP0879997A3 (en) 1997-05-22 1998-05-20 Impurity removing apparatus
KR1019980018498A KR19980087295A (en) 1997-05-22 1998-05-22 Treatment device, treatment method and impurity removal device
US09/083,096 US6333003B1 (en) 1997-05-22 1998-05-22 Treatment apparatus, treatment method, and impurity removing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9165221A JPH10340851A (en) 1997-06-06 1997-06-06 Clean bench for substrate treatment equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10340851A true JPH10340851A (en) 1998-12-22

Family

ID=15808162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9165221A Pending JPH10340851A (en) 1997-05-22 1997-06-06 Clean bench for substrate treatment equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10340851A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007000787A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Clean Technology Co Ltd Dust collector having self-cleanability for its filter
KR100949776B1 (en) * 2008-02-13 2010-03-30 제이앤텍 주식회사 Wet dust eliminator with multistage collection layer
CN112151413A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 Liquid supply unit and substrate processing apparatus
CN114906958A (en) * 2022-04-27 2022-08-16 陈愿军 Water utilities supplies water with dirty automatic blowdown's of collection pipeline filter equipment

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007000787A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Clean Technology Co Ltd Dust collector having self-cleanability for its filter
JP4657830B2 (en) * 2005-06-24 2011-03-23 クリーン・テクノロジー株式会社 Dust collector with filter self-cleaning function
KR100949776B1 (en) * 2008-02-13 2010-03-30 제이앤텍 주식회사 Wet dust eliminator with multistage collection layer
CN112151413A (en) * 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 Liquid supply unit and substrate processing apparatus
CN114906958A (en) * 2022-04-27 2022-08-16 陈愿军 Water utilities supplies water with dirty automatic blowdown's of collection pipeline filter equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100458647B1 (en) Substrate Processing System
KR100400513B1 (en) Treatment apparatus and method using a solution
US6333003B1 (en) Treatment apparatus, treatment method, and impurity removing apparatus
JP3445937B2 (en) Multi-stage spin type substrate processing system
US5937223A (en) Processing apparatus
KR100449975B1 (en) Clean room for semiconductor device
JP3110218B2 (en) Semiconductor cleaning apparatus and method, wafer cassette, dedicated glove, and wafer receiving jig
KR100776890B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method
JP4056858B2 (en) Substrate processing equipment
JP6599599B2 (en) EFEM system
JP3225344B2 (en) Processing equipment
JP3415404B2 (en) Processing system
KR100904278B1 (en) Substrate processing apparatus
US5459943A (en) Air cleaning apparatus
JPH10340851A (en) Clean bench for substrate treatment equipment
JPH1140497A (en) Processing device
JP3535439B2 (en) Substrate processing equipment
KR20130001222U (en) Filter device for air purification
JP7224996B2 (en) clean room air conditioning system
JP3254148B2 (en) Processing equipment
JP3202954B2 (en) Processing liquid supply device
JP3172023B2 (en) Cleaning equipment
JPH113852A (en) Treating system
US20240222153A1 (en) Substrate processing apparatus and method of controlling the same
JPH1174193A (en) Processing device and processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040525

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041005