JPH10338598A - Single crystal holding apparatus and single crystal holding method - Google Patents

Single crystal holding apparatus and single crystal holding method

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JPH10338598A
JPH10338598A JP15921197A JP15921197A JPH10338598A JP H10338598 A JPH10338598 A JP H10338598A JP 15921197 A JP15921197 A JP 15921197A JP 15921197 A JP15921197 A JP 15921197A JP H10338598 A JPH10338598 A JP H10338598A
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single crystal
holding
polygonal link
polygonal
crystal
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Shoei Kurosaka
昇栄 黒坂
Hiroshi Inagaki
宏 稲垣
Shigeki Kawashima
茂樹 川島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to hold sections having good reproducibility of shapes and sizes and to deal with the degradation in holding force accompanying the shrinkage of a single crystal at the time of pulling up the single crystal of a large weight. SOLUTION: Polygonal link bodies 14 which are connected with plural equilateral links 14a and are deformable within a horizontal plane by moving the positions of link pins 14b are connected to the bottom ends of two holding rods 11 of the signal crystal holder which moves vertically and rotates in synchronization with a single crystal pulling up wire. The polygonal link bodies 14 enclosing the single crystal 9 are installed in the prescribed positions and thereafter, the holding rods 11 are moved in a horizontal direction to deform the polygonal link bodies 14 to a rhombic shape from a square shape to hold the straight drum part of the single crystal 9. When the single crystal 9 is shrunk by cooling and the holding force of the polygonal link bodies 14 is degraded, the holding force is restored by further moving the holding rods 11. The mounting direction of a seed crystal is so selected as to avoid the contact of the polygonal link bodies 14 with the ridge lies of the single crystal 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、CZ法による単結
晶製造装置に装着され、特に大重量の単結晶の製造に好
適な単結晶保持装置及び単結晶保持方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single crystal holding apparatus and a single crystal holding method which are mounted on a single crystal manufacturing apparatus by the CZ method and are particularly suitable for manufacturing a heavy single crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】単結晶シリコンは一般にCZ法を用いて
製造されている。CZ法は、単結晶製造装置内に設置し
た石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英るつぼの
周囲に設けたヒータによって前記多結晶シリコンを加熱
溶解した上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に
浸漬する。そして、シードホルダ及び石英るつぼを互い
に同方向または逆方向に回転させながらシードホルダを
引き上げて単結晶シリコンを所定の直径及び長さに成長
させる方法である。
2. Description of the Related Art Single crystal silicon is generally manufactured by the CZ method. In the CZ method, polycrystalline silicon is filled in a quartz crucible installed in a single crystal manufacturing apparatus, the polycrystalline silicon is heated and melted by a heater provided around the quartz crucible, and the seed crystal attached to the seed holder is melted. Immerse in liquid. Then, while rotating the seed holder and the quartz crucible in the same or opposite directions, the seed holder is pulled up to grow single crystal silicon to a predetermined diameter and length.

【0003】種結晶には、融液に浸漬したときの熱衝撃
で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないよ
うにするため、ダッシュネック法を用いて直径数mm程
度のネック部を種結晶の下方に形成し、転位をネック部
の表面に逃がす。そして、無転位化が確認された後、肩
部を形成して単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで
直胴部形成に移行する。
In a seed crystal, dislocations are generated by thermal shock when immersed in a melt. In order to prevent the dislocation from propagating to the single crystal, a neck portion having a diameter of about several mm is formed below the seed crystal by using a dash neck method, and the dislocation is released to the surface of the neck portion. Then, after the dislocation-free state is confirmed, the shoulder is formed to enlarge the single crystal to a predetermined diameter, and then the process shifts to the formation of a straight body.

【0004】近年、単結晶の直径及び長さの増大に伴っ
てその重量が増大し、ネック部の強度が限界に近づいて
いる。そのため、従来の結晶引き上げ方法ではネック部
が破断するおそれがあり、安全な単結晶育成ができな
い。この対策として、ダッシュネック法によって無転位
化した後の拡径工程において単結晶の直径をいったん絞
り込んでくびれ部を形成し、このくびれ部に保持具を掛
止して単結晶を保持する種々の工夫がなされている。単
結晶重量の大部分を保持具で支えるため、ネック部の破
断が防止され、ネック部が破断した場合でも保持具によ
り単結晶の落下を防止することができる。
In recent years, as the diameter and length of a single crystal have increased, their weight has increased, and the strength of the neck has approached its limit. Therefore, the neck portion may be broken by the conventional crystal pulling method, and a safe single crystal growth cannot be performed. As a countermeasure, in the diameter expanding step after dislocation-free by the dash neck method, the diameter of the single crystal is once narrowed to form a constricted portion, and a holding tool is held at the constricted portion to hold the single crystal. Something has been devised. Since most of the weight of the single crystal is supported by the holder, breakage of the neck portion is prevented, and even when the neck portion is broken, the holder can prevent the single crystal from falling.

【0005】たとえば特公平5−65477号公報で開
示された単結晶成長装置は、単結晶に形成したくびれ部
に掛止させて前記単結晶を吊り下げる開閉可能なクラン
プアームを備えている。また、特公平7−515号公報
で開示された結晶引上装置は、上下動可能な把持ホルダ
の下端に一定の角度で停止する複数の爪を備え、これら
の爪を単結晶のくびれ部に掛止させて前記単結晶を吊り
下げる構成としている。更に、特公平7−103000
号公報で開示された結晶引上装置は、単結晶のくびれ部
に掛止する爪を有し、ワイヤの巻き取りまたは巻き戻し
により開閉する複数の把持レバーと、把持レバーの開き
を防止するリングとを用いて前記単結晶を吊り下げる構
成としている。その他、特開平9−2893号公報、特
開平5−270934号公報等が開示されている。
[0005] For example, the single crystal growing apparatus disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-65477 has an openable / closable clamp arm which suspends the single crystal by hanging it on a constricted portion formed in the single crystal. Further, the crystal pulling device disclosed in Japanese Patent Publication No. 7-515 is provided with a plurality of claws that stop at a fixed angle at the lower end of a vertically movable gripping holder, and these claws are provided in a constricted portion of a single crystal. The single crystal is suspended by being hung. In addition, Tokuho 7-103000
The crystal pulling apparatus disclosed in Japanese Patent Application Publication No. H10-146556 has a plurality of gripping levers each having a claw hooked on a constricted portion of a single crystal, opening and closing by winding or unwinding a wire, and a ring for preventing the gripping lever from opening. Are used to suspend the single crystal. In addition, JP-A-9-2893, JP-A-5-270934, and the like are disclosed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
に形成したくびれ部を各種の保持具で保持する場合、下
記の問題点がある。 (1)くびれ部を形成する場合、結晶引き上げ速度や融
液温度を調整して形状を制御するため、ねらいの形状を
再現性良く形成することが困難で、保持具の掛止具合が
単結晶ごとに異なってしまう。 (2)保持具に機械的な圧力を加えて単結晶を保持する
場合、単結晶の冷却に伴う収縮により保持力が低下し、
単結晶を確実に保持することができなくなるが、この問
題を解決する方策は確立されていない。 (3)一般的に、単結晶の外周面には結晶方位による晶
癖線(稜線)が発生し、この稜線は単結晶の外周面から
突起している。そのため、単結晶を保持する保持具が稜
線に当接して保持力が加えられると、稜線が欠けること
がある。そして、欠落した単結晶の破片が融液に落下す
ると、育成中の単結晶を有転位化させてしまう。また、
前記稜線の欠けた部位が破壊起点となって単結晶が破壊
し、融液に落下することも起こり得る。従って、保持具
と単結晶の稜線とが一致しないように制御する必要があ
るが、この点を明確化した単結晶保持方法は開示されて
いない。
However, when the constricted portion formed on the single crystal is held by various holders, there are the following problems. (1) When forming a constricted portion, it is difficult to form the target shape with good reproducibility because the shape is controlled by adjusting the crystal pulling speed and the melt temperature. Each time it is different. (2) When a single crystal is held by applying mechanical pressure to the holder, the holding force decreases due to shrinkage due to cooling of the single crystal,
Although the single crystal cannot be held reliably, no measure has been established to solve this problem. (3) Generally, a habit line (ridge line) depending on the crystal orientation is generated on the outer peripheral surface of the single crystal, and the ridge line protrudes from the outer peripheral surface of the single crystal. For this reason, when the holder holding the single crystal abuts on the ridge and a holding force is applied, the ridge may be chipped. When the missing single crystal fragments fall into the melt, the single crystal being grown is dislocated. Also,
It is possible that the single crystal is broken at the site where the ridge line is missing as a fracture starting point, and the single crystal is dropped into the melt. Therefore, it is necessary to control the holder so that the ridge line of the single crystal does not coincide with that of the single crystal. However, a single crystal holding method that clarifies this point is not disclosed.

【0007】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、大重量の単結晶を保持する際に、形状、寸
法の再現性の良い部位を保持し、単結晶の冷却に伴う収
縮による保持力の低下に対応することが可能で、かつ、
保持部位が単結晶の稜線と一致しないように制御するこ
とができる単結晶保持装置及び単結晶保持方法を提供す
ることを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems. When a single crystal having a large weight is held, a portion having good reproducibility in shape and dimensions is held, and the cooling of the single crystal is performed. It is possible to cope with a decrease in holding force due to shrinkage, and
It is an object of the present invention to provide a single crystal holding device and a single crystal holding method capable of controlling a holding portion so as not to coincide with a ridge line of a single crystal.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶保持装置は、複数のリンクを連
結してなり、リンクピンの位置を移動させることにより
水平面内で変形可能な多角形リンク体と、単結晶を挟持
するために多角形リンク体を変形させる手段と、多角形
リンク体を結晶引き上げワイヤと同期して回転及び昇降
させる手段と、結晶引き上げワイヤに加わる荷重を検出
する引き上げワイヤ用ロードセルと、結晶引き上げワイ
ヤに加わる荷重と多角形リンク体に加わる荷重との合計
荷重を検出する合計荷重用ロードセルと、前記の各手段
を制御する制御装置とを備えていることを特徴とする。
本発明の単結晶保持装置は、単結晶を取り囲むように配
置した多角形リンク体を変形させて単結晶を挟持するも
のである。上記構成によれば、多角形リンク体の変形に
より対向位置にあるリンクの間隔が狭くなるので、単結
晶を前記リンクで挟み込むことができる。多角形リンク
体は、結晶引き上げワイヤと同期して回転及び昇降する
ので、単結晶を挟持する際に結晶引き上げワイヤと多角
形リンク体との回転速度差あるいは上昇速度差による摩
擦が起こらない。多角形リンク体で単結晶を挟持した後
の結晶引き上げ速度は、結晶引き上げワイヤのみによる
引き上げ速度と同一である。また、結晶引き上げワイヤ
に加わる荷重すなわちネック部に加わる荷重は引き上げ
ワイヤ用ロードセルが検出し、多角形リンク体に加わる
荷重は合計荷重用ロードセルの検出値と引き上げワイヤ
用ロードセルの検出値との差として検出され、これらの
値に基づいて制御装置が単結晶の育成及び荷重配分の制
御を行う。
In order to achieve the above object, a single crystal holding device according to the present invention comprises a plurality of links connected to each other, and can be deformed in a horizontal plane by moving the position of a link pin. Polygonal link body, means for deforming the polygonal link body to sandwich the single crystal, means for rotating and lifting the polygonal link body in synchronization with the crystal pulling wire, and detecting the load applied to the crystal pulling wire A load cell for pulling wire, a load cell for total load detecting a total load of a load applied to the crystal pulling wire and a load applied to the polygonal link body, and a control device for controlling each of the above means. Features.
The single crystal holding device of the present invention is to hold a single crystal by deforming a polygonal link body disposed so as to surround the single crystal. According to the above configuration, since the interval between the links located at the opposing positions is reduced due to the deformation of the polygonal link body, the single crystal can be sandwiched between the links. Since the polygonal link rotates and moves up and down in synchronization with the crystal pulling wire, no friction occurs due to a difference in rotation speed or a difference in the rising speed between the crystal pulling wire and the polygonal link when the single crystal is sandwiched. The crystal pulling speed after sandwiching the single crystal by the polygonal link body is the same as the pulling speed by only the crystal pulling wire. In addition, the load applied to the crystal pulling wire, that is, the load applied to the neck portion is detected by the load cell for the pulling wire, and the load applied to the polygonal link body is determined as the difference between the detected value of the load cell for the total load and the detected value of the load cell for the pulling wire. The controller detects the detected values and controls the growth of the single crystal and the load distribution based on these values.

【0009】上記単結晶保持装置は、結晶引き上げワイ
ヤ巻き取り機構と、引き上げワイヤ用ロードセルと、多
角形リンク体駆動機構とを単結晶製造装置の上部に設け
た真空容器に収納し、前記真空容器と、真空容器に加わ
る荷重を検出する合計荷重用ロードセルと、真空容器回
転機構とを昇降自在のキャリッジに搭載したことを特徴
とする。上記構成によれば、結晶引き上げワイヤ巻き取
り機構、多角形リンク体駆動機構及び前記2種類のロー
ドセルを昇降自在のキャリッジに搭載したので、単結晶
の引き上げは結晶引き上げワイヤの巻き取り、キャリッ
ジの上昇のいずれによっても可能となる。
In the single crystal holding apparatus, a crystal pulling wire winding mechanism, a load cell for a pulling wire, and a polygonal link body driving mechanism are housed in a vacuum vessel provided at an upper part of the single crystal manufacturing apparatus. And a load cell for a total load for detecting a load applied to the vacuum vessel, and a vacuum vessel rotating mechanism mounted on a carriage capable of moving up and down. According to the above configuration, since the crystal pulling wire take-up mechanism, the polygonal link driving mechanism and the two types of load cells are mounted on the vertically movable carriage, the single crystal can be pulled up by winding the crystal pulling wire and raising the carriage. It becomes possible by any of the above.

【0010】本発明の単結晶保持装置における多角形リ
ンク体駆動機構の第1は、モータまたは流体圧アクチュ
エータと、単結晶製造装置内に垂直に保持され、前記モ
ータまたは流体圧アクチュエータにより水平方向に移動
する2本の保持ロッドとからなる多角形リンク体駆動機
構を有し、前記保持ロッドの下端に多角形リンク体の対
向位置にあるリンクピンを連結したことを特徴とする。
上記構成によれば、保持ロッドは垂直姿勢を維持しつつ
水平方向に動くので、保持ロッドの下端に連結された多
角形リンク体が変形して単結晶を保持する。
The first of the polygonal link body driving mechanisms in the single crystal holding device of the present invention is a motor or a fluid pressure actuator, which is vertically held in the single crystal manufacturing device, and is horizontally moved by the motor or the fluid pressure actuator. A polygonal link body driving mechanism including two moving holding rods is provided, and a link pin at a position facing the polygonal link body is connected to a lower end of the holding rod.
According to the above configuration, since the holding rod moves in the horizontal direction while maintaining the vertical posture, the polygonal link body connected to the lower end of the holding rod is deformed to hold the single crystal.

【0011】本発明の単結晶保持装置における多角形リ
ンク体駆動機構の第2は、2個のワイヤ巻き取りドラム
と、前記ワイヤ巻き取りドラムから垂下する2本の多角
形リンク体駆動ワイヤと、真空容器の下端に設置した複
数個の滑車と、多角形リンク体駆動ワイヤの巻き取りに
伴って多角形リンク体のリンクピンを横方向に移動させ
るガイドプレートとからなる多角形リンク体駆動機構を
有し、前記ワイヤの下端に多角形リンク体の対向位置に
あるリンクピンを連結したことを特徴とする。多角形リ
ンク体の対向位置にあるリンクピンにそれぞれ多角形リ
ンク体駆動ワイヤを連結し、これらのワイヤをワイヤ巻
き取り機構で巻き取るようにすれば、前記リンクピンが
横方向に移動するので、多角形リンク体が変形して単結
晶を保持する。
The second of the polygon link driving mechanism in the single crystal holding device of the present invention is that two wire winding drums, two polygon link driving wires hanging from the wire winding drum, A polygonal link body drive mechanism comprising a plurality of pulleys installed at the lower end of the vacuum vessel and a guide plate for moving the link pins of the polygonal link body in the horizontal direction as the polygonal link body drive wire is wound. And a link pin at a position facing the polygonal link body is connected to a lower end of the wire. If a polygon link drive wire is connected to each of the link pins located at the opposite positions of the polygon link, and these wires are wound by a wire winding mechanism, the link pins move in the lateral direction. The polygonal link deforms and holds the single crystal.

【0012】また、本発明の単結晶保持装置は、冷却に
より単結晶が収縮し、単結晶保持装置の保持力が低下し
た場合の保持力回復機能を有し、引き上げた単結晶を単
結晶製造装置から取り出すまで保持力を維持することを
特徴とする。単結晶が収縮すると、結晶引き上げワイヤ
に加わる荷重が異常に増加し、単結晶保持装置に加わる
荷重が減少する。引き上げワイヤ用ロードセルの検出値
があらかじめ定められた設定荷重を超えると、制御装置
の指令信号により保持ロッドを更に移動させ、あるいは
多角形リンク体駆動ワイヤを更に巻き取るので、多角形
リンク体の単結晶保持力が回復し、その状態を常に維持
することができる。
Further, the single crystal holding device of the present invention has a function of recovering the holding force when the single crystal shrinks due to cooling and the holding force of the single crystal holding device is reduced. It is characterized in that the holding force is maintained until it is removed from the device. When the single crystal shrinks, the load applied to the crystal pulling wire abnormally increases, and the load applied to the single crystal holding device decreases. When the detected value of the pull-up wire load cell exceeds a predetermined set load, the holding rod is further moved or the polygonal link driving wire is further wound by the command signal of the control device, so that the polygonal link is simply used. The crystal holding power is restored, and the state can be constantly maintained.

【0013】更に、本発明の単結晶保持装置は、多角形
リンク体を構成するリンクの内側面に、単結晶のくびれ
部を保持するための円弧状の断面をもつ保持部材を取着
したことを特徴とする。多角形リンク体に単結晶のくび
れ部を包囲する保持部材を取着すれば、単結晶の直胴部
のみならずくびれ部を保持することも可能である。その
場合、円弧状の断面をもつ保持部材がくびれ部近傍の円
錐面を担持し、くびれ部を締めつけないので、くびれ部
の損傷、破壊が防止される。
Further, in the single crystal holding device of the present invention, a holding member having an arc-shaped cross section for holding a constricted portion of the single crystal is attached to an inner surface of a link constituting a polygonal link body. It is characterized by. If a holding member surrounding the constricted portion of the single crystal is attached to the polygonal link body, it is possible to hold not only the straight body portion of the single crystal but also the constricted portion. In this case, since the holding member having the arc-shaped cross section supports the conical surface near the constricted portion and does not tighten the constricted portion, damage and destruction of the constricted portion are prevented.

【0014】次に、本発明に係る単結晶保持方法は、単
結晶を取り囲む多角形リンク体を所定の位置に下降させ
た後、保持ロッドの水平方向移動または多角形リンク体
駆動ワイヤの巻き上げにより多角形リンク体を変形させ
て単結晶の直胴部を挟持することを特徴とする。上記構
成によれば、多角形リンク体を変形させて単結晶の直胴
部を挟み込み、所定の力で締めつけることにより、単結
晶を保持することができる。
Next, in the method for holding a single crystal according to the present invention, after the polygonal link surrounding the single crystal is lowered to a predetermined position, the holding rod is moved in the horizontal direction or the polygonal link drive wire is wound up. It is characterized in that the polygonal link body is deformed to hold the single crystal straight body. According to the above structure, the single crystal can be held by deforming the polygonal link body to sandwich the straight body of the single crystal and tightening it with a predetermined force.

【0015】また、単結晶を保持する別の方法として、
ネック部と単結晶の肩部との間に形成したくびれ部また
は単結晶の直胴部に形成したくびれ部を、多角形リンク
体の内側面に取着した保持部材で保持することを特徴と
する。多角形リンク体を変形させ、保持部材で単結晶の
くびれ部を包囲した後、多角形リンク体を僅かに上昇さ
せてくびれ部に当接させれば、くびれ部を締めつけるこ
となく単結晶を保持することができる。
As another method for holding a single crystal,
A constricted portion formed between the neck portion and a shoulder portion of the single crystal or a constricted portion formed on a straight body portion of the single crystal is held by a holding member attached to the inner surface of the polygonal link body. I do. After deforming the polygonal link body and surrounding the constriction of the single crystal with the holding member, raise the polygonal link slightly to abut the constriction, holding the single crystal without tightening the constriction can do.

【0016】本発明の単結晶保持方法は、多角形リンク
体が単結晶に当接する位置と単結晶の稜線とが一致しな
いように、種結晶または単結晶保持装置を設置すること
を特徴とする。稜線の発生位置、本数は結晶方位によっ
て異なるが、上記構成によれば、多角形リンク体で単結
晶を締め付けても稜線の圧壊が回避され、育成中の単結
晶に悪影響を及ぼさない。
The method for holding a single crystal according to the present invention is characterized in that a seed crystal or a single crystal holding device is provided so that the position where the polygonal link body contacts the single crystal does not coincide with the ridge line of the single crystal. . Although the generation position and the number of the ridge lines vary depending on the crystal orientation, according to the above configuration, even if the single crystal is tightened by the polygonal link, the crush of the ridge line is avoided, and the single crystal during growth is not adversely affected.

【0017】更に、本発明の単結晶保持方法では、単結
晶の育成中に、単結晶重量の一部または全部を単結晶保
持装置に負担させ、重量の一部を負担させる場合はネッ
ク部が破断しない重量をネック部に負担させることを特
徴とする。上記構成によれば、単結晶保持装置とネック
部とに対する負担重量をあらかじめ定めておき、引き上
げワイヤ用ロードセル及び合計荷重用ロードセルの検出
信号に基づいて制御装置が前記重量配分を制御するの
で、大重量の単結晶引き上げにおいてもネック部の破断
が起こらない。
Further, in the single crystal holding method of the present invention, a part or all of the weight of the single crystal is borne by the single crystal holding device during the growth of the single crystal. It is characterized in that the neck portion bears the weight that does not break. According to the above configuration, the weight to be applied to the single crystal holding device and the neck portion is determined in advance, and the control device controls the weight distribution based on the detection signals of the pulling wire load cell and the total load load cell. Even when pulling a heavy single crystal, breakage of the neck does not occur.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態及び実施例】次に、本発明に係る単
結晶保持装置及び単結晶保持方法の実施例について図面
を参照して説明する。図1は単結晶保持装置の第1実施
例の概略構造を示す模式的縦断面図である。単結晶製造
装置1の上端に設置された真空容器2は、支持板2a、
2bにより3分割され、支持板2b上に結晶引き上げワ
イヤ3の巻き取りを行うワイヤ巻き取りドラム4と、結
晶引き上げワイヤ3にかかる荷重を検出する引き上げワ
イヤ用ロードセル5とが設置されている。結晶引き上げ
ワイヤ3は単結晶製造装置1の中心を垂下してその下端
にシードホルダ6が釣支され、シードホルダ6に取着さ
れた種結晶7の下端にダッシュネック法によるネック部
8を形成した後、単結晶9が育成される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a single crystal holding apparatus and a single crystal holding method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing a schematic structure of a first embodiment of a single crystal holding device. The vacuum vessel 2 installed at the upper end of the single crystal manufacturing apparatus 1 includes a support plate 2a,
A wire winding drum 4 for winding the crystal pulling wire 3 on the support plate 2b, and a load cell 5 for a pulling wire for detecting a load applied to the crystal pulling wire 3 are provided on the support plate 2b. The crystal pulling wire 3 hangs down from the center of the single crystal manufacturing apparatus 1 and a seed holder 6 is supported at the lower end thereof, and a neck portion 8 is formed at a lower end of the seed crystal 7 attached to the seed holder 6 by a dash neck method. After that, a single crystal 9 is grown.

【0019】また、支持板2a上には、単結晶保持装置
10の構成部材である2本の柱状の保持ロッド11を水
平方向に移動させる保持ロッド駆動モータ12が設置さ
れている。前記保持ロッド駆動モータ12の左右両端か
ら水平方向に突出するモータ軸13は同期回転するボー
ルネジを有し、モータ軸13には保持ロッド11の上端
が螺合されている。保持ロッド11は単結晶製造装置1
内に垂直に設置され、下端には多角形リンク体14が装
着されている。なお、保持ロッド11の駆動手段として
左右両方向に伸縮する油圧シリンダまたは空圧シリンダ
を用いてもよい。
On the support plate 2a, a holding rod drive motor 12 for horizontally moving two columnar holding rods 11, which are constituent members of the single crystal holding device 10, is provided. A motor shaft 13 projecting horizontally from both left and right ends of the holding rod drive motor 12 has a ball screw that rotates synchronously, and an upper end of the holding rod 11 is screwed to the motor shaft 13. The holding rod 11 is a single crystal manufacturing apparatus 1
And a polygonal link body 14 is attached to a lower end thereof. Note that a hydraulic cylinder or a pneumatic cylinder that expands and contracts in both left and right directions may be used as a driving unit of the holding rod 11.

【0020】上記真空容器2の下部にはプーリ15が取
着され、支持板2bは前記プーリ15上に設置された合
計荷重用ロードセル16に担持されている。合計荷重用
ロードセル16は、結晶引き上げワイヤ3にかかる荷重
と単結晶保持装置10にかかる荷重との合計荷重を検出
して図示しない制御装置に入力する。制御装置は、前記
合計荷重検出値と引き上げワイヤ用ロードセル5の検出
値とに基づいて、単結晶保持装置10が負担している荷
重を算出する。真空容器2は、真空シール17を介して
キャリッジ18に搭載され、キャリッジ18に設置され
た回転用モータ19により回転する。また、前記プーリ
15はキャリッジ18に設置された支持筒20にスラス
ト軸受21を介して担持されている。前記キャリッジ1
8は図示しない昇降手段、たとえばボールネジ軸の回転
により昇降可能で、キャリッジ18とともに真空容器2
が昇降する。更に、キャリッジ18とゲートチャンバ2
2とは伸縮自在のベローズ23で連結され、ゲートチャ
ンバ22の下端はトップチャンバ24を介して図示しな
いメインチャンバに連結されている。
A pulley 15 is attached to a lower portion of the vacuum vessel 2, and a support plate 2b is carried by a total load cell 16 installed on the pulley 15. The total load load cell 16 detects the total load of the load applied to the crystal pulling wire 3 and the load applied to the single crystal holding device 10 and inputs the detected load to a control device (not shown). The control device calculates the load borne by the single crystal holding device 10 based on the total load detection value and the detection value of the pull-up wire load cell 5. The vacuum container 2 is mounted on a carriage 18 via a vacuum seal 17, and is rotated by a rotation motor 19 installed on the carriage 18. The pulley 15 is supported on a support cylinder 20 mounted on a carriage 18 via a thrust bearing 21. The carriage 1
Numeral 8 denotes a lifting means (not shown), for example, which can be raised and lowered by rotation of a ball screw shaft.
Goes up and down. Further, the carriage 18 and the gate chamber 2
2 is connected to the main chamber (not shown) through a top chamber 24 at the lower end of the gate chamber 22.

【0021】図2は多角形リンク体の斜視図である。こ
の多角形リンク体14は4個の等辺リンク14aをリン
クピン14bで互いに連結したもので、対角線上の2本
のリンクピンにそれぞれ保持ロッド11の下端が連結さ
れている。2本の保持ロッド11が中心側に移動したと
き多角形リンク体14は正方形となり、保持ロッド11
が外方に移動したとき多角形リンク体14は菱形に変形
して単結晶9を挟み込む。保持ロッド11、等辺リンク
14a、リンクピン14bはモリブデン等の耐熱金属を
用いて製作されている。なお、保持ロッド11が中心側
に移動したとき多角形リンク体14が菱形に変形する構
造としてもよい。
FIG. 2 is a perspective view of the polygonal link body. The polygonal link body 14 is formed by connecting four equal-side links 14a to each other with link pins 14b, and the lower end of the holding rod 11 is connected to each of two diagonal link pins. When the two holding rods 11 move to the center side, the polygonal link body 14 becomes square, and the holding rod 11
Is moved outward, the polygonal link 14 is transformed into a rhombus and sandwiches the single crystal 9. The holding rod 11, the equilateral link 14a, and the link pin 14b are manufactured using a heat-resistant metal such as molybdenum. The polygonal link 14 may be deformed into a rhombus when the holding rod 11 moves toward the center.

【0022】単結晶を保持する多角形リンク体の保持能
力を高めるため、図3に示すように等辺リンク14aの
内側面に凹凸14cを設けてもよく、図4に示すように
円弧上の凸部14dを設けてもよい。
In order to increase the holding capacity of the polygonal link for holding the single crystal, irregularities 14c may be provided on the inner surface of the equilateral link 14a as shown in FIG. A portion 14d may be provided.

【0023】以下、単結晶の保持方法について説明す
る。図1に示した種結晶7をシードホルダ6に装着する
際、多角形リンク体14が単結晶9に発生する稜線に当
接しないように種結晶の装着方向を選択する。絞り工
程、肩部形成及び直胴部形成の途中までの育成は、結晶
引き上げワイヤ3の巻き取り制御により行う。このとき
の単結晶成長は、引き上げワイヤ用ロードセル5の検出
値に基づいて図示しない制御装置により制御される。単
結晶9が保持に適した位置まで成長した後、単結晶保持
装置10の多角形リンク体14と単結晶9との位置合わ
せを行う。第1の単結晶保持方法として、保持に最適な
位置に多角形リンク体14を待機させて単結晶9の成長
を待ち、単結晶9が最適位置まで成長したとき結晶引き
上げワイヤ3の巻き取りを停止し、前記停止直前の結晶
引き上げワイヤ3の巻き取り速度でキャリッジ18の上
昇を開始する。結晶引き上げワイヤ3からキャリッジ1
8への移行は瞬時に行う。単結晶9の直径は引き上げワ
イヤ用ロードセル5、合計荷重用ロードセル16の検出
値によって制御しているので、結晶引き上げワイヤ3か
らキャリッジ18への移行はスムーズに行うことができ
る。また、前記移行後の単結晶育成は重量検出信号を制
御装置がキャリッジ18の上昇速度にフィードバックし
て制御する。
Hereinafter, a method for holding a single crystal will be described. When the seed crystal 7 shown in FIG. 1 is mounted on the seed holder 6, the mounting direction of the seed crystal is selected so that the polygonal link body 14 does not abut on the ridge generated on the single crystal 9. The drawing process, the formation of the shoulder portion, and the growth up to the middle of the straight body portion are performed by controlling the winding of the crystal pulling wire 3. The single crystal growth at this time is controlled by a control device (not shown) based on the detection value of the pull-up wire load cell 5. After the single crystal 9 has grown to a position suitable for holding, the alignment between the polygonal link body 14 of the single crystal holding device 10 and the single crystal 9 is performed. As a first single crystal holding method, the polygonal link body 14 is made to stand by at an optimum position for holding, and the growth of the single crystal 9 is waited. When the single crystal 9 grows to the optimum position, the crystal pulling wire 3 is wound. The carriage 18 is stopped, and the carriage 18 starts to rise at the winding speed of the crystal pulling wire 3 immediately before the stop. Crystal pulling wire 3 to carriage 1
The transition to 8 is instantaneous. Since the diameter of the single crystal 9 is controlled by the detected values of the load cell 5 for the pulling wire and the load cell 16 for the total load, the transition from the crystal pulling wire 3 to the carriage 18 can be performed smoothly. The single crystal growth after the shift is controlled by feeding back the weight detection signal to the ascending speed of the carriage 18 by the control device.

【0024】多角形リンク体14が待機姿勢のとき、図
5(a)に示すように4個の等辺リンク14aで形成さ
れる四辺形は正方形で、等辺リンク14aに囲まれた単
結晶の直胴部9a外周面と各等辺リンク14aの内側面
との間には一定の隙間が確保されている。結晶引き上げ
ワイヤ3からキャリッジ18への移行時には、図1に示
した保持ロッド駆動モータ12が回転して保持ロッド1
1を外方に移動させる。これにより多角形リンク体14
が菱形に変形し、図5(b)に示すように直胴部9aを
等辺リンク14aで挟み込んで締めつける。多角形リン
ク体14が変形して直胴部9aに当接するとき単結晶に
振動、衝撃を与えず、また、締めつけにより単結晶に過
度の面圧が発生しないようにするため、制御装置が保持
ロッド駆動モータ12の回転速度及びトルクを制御す
る。
When the polygonal link body 14 is in the standby position, the quadrilateral formed by the four equilateral links 14a is a square as shown in FIG. A certain gap is secured between the outer peripheral surface of the trunk 9a and the inner surface of each equilateral link 14a. When shifting from the crystal pulling wire 3 to the carriage 18, the holding rod drive motor 12 shown in FIG.
Move 1 outward. Thereby, the polygonal link body 14
Is deformed into a rhombus, and the straight body portion 9a is sandwiched and clamped by the equilateral links 14a as shown in FIG. 5B. When the polygonal link member 14 is deformed and comes into contact with the straight body portion 9a, the control device holds the single crystal so as not to vibrate or shock it, and to prevent excessive surface pressure from being generated in the single crystal by tightening. The rotation speed and torque of the rod drive motor 12 are controlled.

【0025】第2の単結晶保持方法として、たとえば図
1に示したベローズ23の下端よりも上方の任意の位置
で多角形リンク体14を単結晶9に係合させるため、多
角形リンク体14を速度Va (mm/min)で上昇さ
せる場合、引き上げワイヤ用ロードセル5の検出信号に
基づいて制御装置が指令する結晶引き上げワイヤ3の巻
き取り速度をVb (mm/min)とすると、ワイヤ巻
き取り速度をVb −Va (mm/min)に制御する。
これとは逆に、多角形リンク体14を速度Va(mm/
min)で下降させる場合は、ワイヤ巻き取り速度をV
b +Va (mm/min)に制御する。
As a second method for holding the single crystal, for example, the polygon link 14 is engaged with the single crystal 9 at an arbitrary position above the lower end of the bellows 23 shown in FIG. Is increased at the speed Va (mm / min), the winding speed of the crystal pulling wire 3 commanded by the control device based on the detection signal of the pulling wire load cell 5 is Vb (mm / min), and the wire winding is performed. The speed is controlled to Vb-Va (mm / min).
Conversely, the polygonal link 14 is moved at the speed Va (mm /
min), the wire winding speed is V
b + Va (mm / min).

【0026】上記の通り単結晶に対して多角形リンク体
14を相対的に移動させることにより、任意の位置で直
胴部を挟み込むことができる。炉内における単結晶の温
度プロファイルをあらかじめ把握しておき、材料力学的
にシリコンが安定する温度帯で単結晶を保持したり、汚
染を防止する等、温度に対する保持位置の制御が可能で
ある。多角形リンク体14を単結晶に係合した後、結晶
引き上げワイヤ3を巻き戻して単結晶重量の一部を単結
晶保持装置側に移す。結晶引き上げワイヤ側にはたとえ
ば5kg前後の荷重を残し、結晶引き上げワイヤ3のた
るみによるワイヤ巻き取りドラム4からの外れを防止す
る。引き上げ可能重量を大きくするには、ネック部8が
破断しない程度の荷重を結晶引き上げワイヤ側に残しつ
つ引き上げを行うのが有利である。従って、結晶引き上
げワイヤ3にかかる荷重を引き上げワイヤ用ロードセル
5でモニタリングし、設定荷重より検出荷重が増えた場
合はワイヤ巻き取りドラム4にフィードバックして結晶
引き上げワイヤ3を巻き戻し、常に一定の荷重がネック
部8にかかるように制御する。
As described above, by moving the polygonal link body 14 relatively to the single crystal, the straight body can be sandwiched at an arbitrary position. The temperature profile of the single crystal in the furnace is grasped in advance, and the holding position with respect to the temperature can be controlled, for example, by holding the single crystal in a temperature zone where silicon is stable mechanically and preventing contamination. After the polygonal link body 14 is engaged with the single crystal, the crystal pulling wire 3 is rewound to transfer a part of the single crystal weight to the single crystal holding device side. For example, a load of about 5 kg is left on the crystal pulling wire side to prevent the crystal pulling wire 3 from coming off from the wire winding drum 4 due to slackness. In order to increase the pullable weight, it is advantageous to carry out the pulling while leaving a load on the crystal pulling wire such that the neck 8 is not broken. Therefore, the load applied to the crystal pulling wire 3 is monitored by the load cell for pulling wire 5, and when the detected load exceeds the set load, the crystal pulling wire 3 is fed back to the wire winding drum 4 to rewind the crystal pulling wire 3 and always keep a constant load. Is applied to the neck portion 8.

【0027】単結晶が冷えて収縮すると、単結晶保持装
置と単結晶との係合状態がゆるむので、結晶引き上げワ
イヤ側に荷重が移動する。図1において、引き上げワイ
ヤ用ロードセル5による検出値が結晶引き上げワイヤ3
の設定荷重を超えた場合、制御装置の指令信号により保
持ロッド駆動モータ12が回転して保持ロッド11が更
に外方に移動し、多角形リンク体14を更に偏平にさせ
る。このときの保持ロッド駆動モータ12のトルクは、
単結晶9が欠損しない程度の大きさで与えられる。この
ような単結晶の収縮に対する多角形リンク体14の増し
締め機能は、単結晶の育成中のみならず、冷却工程でチ
ャンバ内が解体可能な温度まで下がり、単結晶が搬出装
置に保持されるまでの間継続して維持される。
When the single crystal cools and contracts, the engagement between the single crystal holding device and the single crystal is loosened, and the load moves to the crystal pulling wire side. In FIG. 1, the value detected by the pull-up wire load cell 5 is
Is exceeded, the holding rod drive motor 12 is rotated by the command signal of the control device, the holding rod 11 is further moved outward, and the polygonal link body 14 is further flattened. At this time, the torque of the holding rod drive motor 12 is
It is provided in such a size that single crystal 9 is not lost. The function of retightening the polygonal link body 14 against the shrinkage of the single crystal is not only during the growth of the single crystal, but also in the cooling step, the temperature in the chamber is lowered to a temperature at which the chamber can be disassembled, and the single crystal is held in the unloading device. It is continuously maintained until

【0028】図6は単結晶保持装置の第2実施例の下部
構造を示す模式図である。この単結晶保持装置は、図1
に示した保持ロッド駆動モータ12及びモータ軸13の
上方に90°ずらして保持ロッド駆動モータと1対のモ
ータ軸及び保持ロッドを増設したもので、単結晶9を上
下2個の多角形リンク体14、25で保持する。これに
より、単結晶保持能力を高めることができる。
FIG. 6 is a schematic diagram showing the lower structure of the second embodiment of the single crystal holding device. This single crystal holding device is shown in FIG.
The holding rod driving motor and a pair of motor shafts and holding rods are added by being shifted by 90 ° above the holding rod driving motor 12 and the motor shaft 13 shown in FIG. Hold at 14 and 25. Thereby, the single crystal holding ability can be increased.

【0029】図7は単結晶保持装置の第3実施例とし
て、単結晶の肩部上端に形成したくびれ部を保持する単
結晶保持装置の下部構造の説明図、図8(a)は図7に
示した多角形リンク体の上面図、図8(b)は図8
(a)のA−A断面図である。この単結晶保持装置で
は、多角形リンク体14を構成する4個の等辺リンク1
4aの内側面に円弧状の保持部材14eが取着されてお
り、形状再現性精度の劣るくびれ部9b近傍の外周面を
複数箇所で保持することができる。
FIG. 7 is an explanatory view of a lower structure of a single crystal holding device for holding a narrow portion formed at the upper end of a single crystal shoulder as a third embodiment of the single crystal holding device, and FIG. 8B is a top view of the polygonal link body shown in FIG.
It is an AA sectional view of (a). In this single crystal holding device, four equilateral links 1
An arc-shaped holding member 14e is attached to the inner surface of 4a, so that the outer peripheral surface in the vicinity of the constricted portion 9b having poor shape reproducibility can be held at a plurality of locations.

【0030】さきに述べた直胴部保持と異なり、くびれ
部9bを保持する場合は、4個の保持部材14eによっ
て囲まれた部分の内径がくびれ部の最大径と最小径との
間の任意の値となるように多角形リンク体14を変形さ
せればよく、くびれ部を締めつける必要はない。そこ
で、この単結晶保持装置では2本の保持ロッド11が開
き防止板26で連結され、保持ロッド11に取着したガ
イドピン27が前記開き防止板26に設けたガイド溝2
6a内をスライドして保持ロッド11の移動量を制限し
ている。そして、ガイドピン27がガイド溝26aの両
端に当接すると2本の保持ロッド11の間隔が最大とな
り、保持部材14eの内径はくびれ部の最大径と最小径
との間の所定値となる。開き防止板26は、保持部材1
4eによるくびれ部9bの圧壊を防止するとともに、く
びれ部7bを保持したときの多角形リンク体14の剛性
を確保する。
Unlike the straight body holding described above, when holding the constricted portion 9b, the inner diameter of the portion surrounded by the four holding members 14e is an arbitrary value between the maximum diameter and the minimum diameter of the constricted portion. It is sufficient that the polygonal link body 14 is deformed so as to have the following value, and it is not necessary to tighten the constricted portion. Therefore, in this single crystal holding device, two holding rods 11 are connected by an opening prevention plate 26, and a guide pin 27 attached to the holding rod 11 is connected to a guide groove 2 provided in the opening prevention plate 26.
6a, the amount of movement of the holding rod 11 is restricted. When the guide pin 27 comes into contact with both ends of the guide groove 26a, the interval between the two holding rods 11 becomes maximum, and the inner diameter of the holding member 14e becomes a predetermined value between the maximum diameter and the minimum diameter of the constricted portion. The opening prevention plate 26 is provided with the holding member 1.
4e is prevented from crushing the constricted portion 9b, and the rigidity of the polygonal link body 14 when the constricted portion 7b is held is ensured.

【0031】上記くびれ部9bに多角形リンク体14を
係合させる場合、多角形リンク体14を速度Va (mm
/min)で下降させ、ワイヤ巻き取り速度をVb +V
a (mm/min)に制御して、制御装置が指令する結
晶引き上げ速度Vb (mm/min)を維持する。そし
て、多角形リンク体14をくびれ部9bの最小径の位置
に合わせ、保持ロッド11を外方に駆動して保持部材1
4eの内径を所定値Dとした後、単結晶保持装置を単結
晶に対して相対的に上昇させる。これにより、保持部材
14eはくびれ部9bの上側円錐面に当接する。このと
きの速度操作は第1実施例の場合と同じである。そし
て、所望の荷重を結晶引き上げワイヤに負荷した時点で
単結晶成長速度の制御はキャリッジ上昇手段に瞬時に切
り換えられる。
When the polygonal link 14 is engaged with the constricted portion 9b, the polygonal link 14 is moved at a speed Va (mm).
/ Min) to reduce the wire winding speed to Vb + V
a (mm / min) to maintain the crystal pulling speed Vb (mm / min) commanded by the controller. Then, the polygonal link body 14 is aligned with the position of the minimum diameter of the constricted portion 9b, and the holding rod 11 is driven outward to hold the holding member 1
After setting the inner diameter of 4e to a predetermined value D, the single crystal holding device is raised relatively to the single crystal. As a result, the holding member 14e comes into contact with the upper conical surface of the constricted portion 9b. The speed operation at this time is the same as in the first embodiment. When the desired load is applied to the crystal pulling wire, the control of the single crystal growth rate is instantaneously switched to the carriage raising means.

【0032】図9、図10は本発明による単結晶保持装
置を用いる単結晶保持方法の他の実施例を示す説明図で
ある。図9は単結晶の育成に当たり、ネック部8の下端
に拡径部9cを形成し、これに続いて拡径部9cより小
径の直胴部9dを形成した後、所定の直径に拡大する単
結晶の製造において、前記直胴部9dを多角形リンク体
14で保持する方法を示す。また、図10はネック部8
の下端に所定寸法の直胴部より小径の直胴部9dを形成
した後、所定の直径に拡大する単結晶の製造において、
前記直胴部9dを多角形リンク体14で保持する方法を
示している。いずれの場合も、形状、寸法の再現性の良
い直胴部を保持する方法であるため、直胴部9dの寸法
制御が容易で、かつ、単結晶を確実に保持することがで
きる。また、図9、図10に示した単結晶保持装置の場
合は、多角形リンク体を小型化することができる。
FIGS. 9 and 10 are explanatory views showing another embodiment of the single crystal holding method using the single crystal holding apparatus according to the present invention. FIG. 9 shows a single crystal growing process in which an enlarged diameter portion 9c is formed at the lower end of the neck portion 8, a straight body portion 9d having a smaller diameter than the enlarged diameter portion 9c is formed, and then a single diameter enlarged to a predetermined diameter. A method of holding the straight body 9d with the polygonal link body 14 in the production of the crystal will be described. FIG. 10 shows the neck portion 8.
After forming a straight body 9d having a smaller diameter than a straight body of a predetermined dimension at the lower end of the single crystal, in the production of a single crystal expanding to a predetermined diameter,
A method of holding the straight body portion 9d with a polygonal link body 14 is shown. In any case, since the method is a method of holding the straight body portion with good reproducibility of the shape and the size, the dimensional control of the straight body portion 9d is easy, and the single crystal can be reliably held. Further, in the case of the single crystal holding device shown in FIGS. 9 and 10, the polygonal link can be reduced in size.

【0033】図11は単結晶保持装置の第4実施例とし
て、保持ロッドごとに独立した駆動モータを用い、上下
2組の多角形リンク体を装着した単結晶保持装置におけ
る保持ロッド駆動機構の平面図、図12は図11のZ視
図である。制御装置の指令信号により同期回転する4個
の保持ロッド駆動モータ28が真空容器2の外部に真空
シール29を介して90°ピッチに取着され、各保持ロ
ッド駆動モータ28に取着されたボールネジ軸30はス
ライドブロック31に螺合されている。前記スライドブ
ロック31は、図12に示すように支持板2a上に敷設
されたスライドガイド32によって拘束されながら支持
板2a上を滑動する。保持ロッド11の上端は前記スラ
イドブロック31に結合され、支持板2aに設けられた
切り欠き穴2c内を外方または内方に移動する。対向す
る2個のスライドブロックに結合された1対の保持ロッ
ドの下端に1個の多角形リンク体が連結され、対向する
他の2個のススライドブロックに結合された1対の保持
ロッドの下端に他の1個の多角形リンク体が連結されて
いる。前記保持ロッド駆動モータ28及び保持ロッド1
1を真空容器2の対向する位置に1対だけ設け、保持ロ
ッドの下端に1個の多角形リンク体のみを連結する構成
としてもよい。
FIG. 11 shows a fourth embodiment of a single crystal holding device, in which a drive motor independent for each holding rod is used, and a plan view of a holding rod driving mechanism in a single crystal holding device in which two sets of upper and lower polygonal links are mounted. FIG. 12 is a Z view of FIG. Four holding rod drive motors 28, which rotate synchronously according to a command signal of the control device, are attached to the outside of the vacuum vessel 2 at a 90 ° pitch via a vacuum seal 29, and ball screws attached to each holding rod drive motor 28 The shaft 30 is screwed to the slide block 31. The slide block 31 slides on the support plate 2a while being constrained by a slide guide 32 laid on the support plate 2a as shown in FIG. The upper end of the holding rod 11 is connected to the slide block 31 and moves outward or inward in a notch 2c provided in the support plate 2a. One polygonal link body is connected to the lower end of a pair of holding rods connected to two opposing slide blocks, and a pair of holding rods connected to the other two opposing slide blocks. Another polygonal link body is connected to the lower end. Holding rod drive motor 28 and holding rod 1
It is also possible to provide only one pair of 1 at opposite positions of the vacuum vessel 2 and connect only one polygonal link to the lower end of the holding rod.

【0034】図13は単結晶保持装置の第5実施例を示
す模式的縦断面図、図14は図13のZ視図、図15は
ガイドプレートの平面図で、この保持装置は多角形リン
ク体をワイヤの操作で変形させて単結晶を保持する構成
である。図13に示すように、真空容器2内には、結晶
引き上げワイヤ3の巻き取りを行うワイヤ巻き取りドラ
ム4の上方にモータ34が設置され、このモータ34の
両側にそれぞれワイヤ巻き取りドラム35が取着されて
いる。また、真空容器2の下面の左右両側には図13、
図14に示すように、滑車押さえ板36が取着され、こ
れらの滑車押さえ板36に挟まれて左右各3個の滑車3
7、38、39が取着されている。前記ワイヤ巻き取り
ドラム35に巻き付けられたワイヤ40は真空容器2内
を垂下し、滑車37、38、39を介してブロック41
に繋着され、このブロック41はリンクピン延長軸42
を介して多角形リンク体14のリンクピン14bに連結
している。前記ブロック41には左右方向に水平に突出
する移動軸43が取着されている。
FIG. 13 is a schematic longitudinal sectional view showing a fifth embodiment of a single crystal holding device, FIG. 14 is a Z view of FIG. 13, and FIG. 15 is a plan view of a guide plate. In this configuration, the body is deformed by operating a wire to hold a single crystal. As shown in FIG. 13, a motor 34 is installed in a vacuum vessel 2 above a wire winding drum 4 for winding the crystal pulling wire 3, and wire winding drums 35 are provided on both sides of the motor 34. Has been attached. Further, on the left and right sides of the lower surface of the vacuum vessel 2, FIG.
As shown in FIG. 14, pulley holding plates 36 are attached, and three right and left pulleys 3 are sandwiched between these pulley holding plates 36.
7, 38, 39 are attached. The wire 40 wound around the wire take-up drum 35 hangs down in the vacuum container 2, and passes through blocks 41 via pulleys 37, 38 and 39.
The block 41 is connected to a link pin extension shaft 42.
Through the link pin 14b of the polygonal link body 14. A moving shaft 43 that projects horizontally in the left-right direction is attached to the block 41.

【0035】前記滑車押さえ板36の外側には2枚のガ
イドプレート44、44が取着されている。ガイドプレ
ート44は図15に示すように、中央部にガイド溝44
aを備えている。このガイド溝44aは図13、図14
に示した移動軸43がスライドする溝で、多角形リンク
体14が待機姿勢のとき、移動軸43はガイド溝44a
内のA位置に静止している。この単結晶保持装置では上
記以外の構造は図1に示した単結晶保持装置と同一であ
り、同一構成要素には図1と同一符号を付して説明を省
略する。
Two guide plates 44 are attached to the outside of the pulley holding plate 36. As shown in FIG. 15, the guide plate 44 has a guide groove 44 at the center.
a. This guide groove 44a is shown in FIGS.
When the polygonal link body 14 is in the standby posture, the movable shaft 43 is in the guide groove 44a.
Is stationary at the position A within. The structure of this single crystal holding device other than the above is the same as that of the single crystal holding device shown in FIG. 1, and the same components are denoted by the same reference numerals as in FIG.

【0036】単結晶保持装置の多角形リンク体14を単
結晶に係合させる場合、制御装置の指令信号によりモー
タ34が回転してワイヤ40が所定量だけ巻き取られ、
ブロック41が滑車39の方向に引き寄せられる。この
とき、移動軸43はガイドプレート44のガイド溝44
aをA位置からB位置にスライドし、ブロック41とと
もにリンクピン延長軸42及びリンクピン14bも外方
に移動するため、多角形リンク体14が正方形から菱形
に変形して単結晶を保持する。
When the polygonal link 14 of the single crystal holding device is engaged with the single crystal, the motor 34 is rotated by a command signal of the control device, and the wire 40 is wound by a predetermined amount.
The block 41 is pulled in the direction of the pulley 39. At this time, the moving shaft 43 is connected to the guide groove 44 of the guide plate 44.
a is slid from the position A to the position B, and the link pin extension shaft 42 and the link pin 14b move outward together with the block 41, so that the polygonal link body 14 is transformed from a square to a rhombus to hold a single crystal.

【0037】第5実施例の単結晶保持装置では、第1実
施例の単結晶保持装置における保持ロッドに代えてワイ
ヤを用いて多角形リンク体を駆動する方式としたので、
単結晶保持装置の重量を軽減することができる。
In the single crystal holding apparatus of the fifth embodiment, the polygonal link body is driven by using a wire instead of the holding rod in the single crystal holding apparatus of the first embodiment.
The weight of the single crystal holding device can be reduced.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように本発明の単結晶保持
装置及び保持方法によれば、次の効果が得られる。 (1)従来の単結晶保持装置のように、形状、寸法の再
現性が劣るくびれ部を保持せず、単結晶の直胴部を多角
形リンク体で挟み込んで保持することにしたので、保持
状態が一定し、大重量の単結晶をより確実に保持するこ
とができる。また、くびれ部を保持する場合に比べて保
持装置の上下方向の位置調整が著しく容易である。 (2)単結晶を保持する際に、多角形リンク体の変形速
度を制御することにより、単結晶との接触時に振動、衝
撃を与えず、円滑に保持することができる。 (3)多角形リンク体を駆動するモータのトルクまたは
流体圧アクチュエータの流体圧を制御することにより、
常に所望の締めつけ力で単結晶を保持することができ、
単結晶を損傷させない。 (4)ロードセルの検出値に基づいてネック部に加わる
荷重と多角形リンク体に加わる荷重とを配分し、ネック
部荷重を許容範囲内に制御するようにしたので、ネック
部の破断が確実に防止される。また、ネック部荷重を許
容範囲内で任意に設定することができるので、単結晶保
持装置の許容荷重を考慮しつつ前記両者の荷重配分を設
定することにより、引き上げ可能な単結晶重量を増加す
ることが可能である。 (5)結晶引き上げワイヤと多角形リンク体とを同一の
モータで回転させるので、両者の回転速度が正確に一致
する。従って、単結晶を多角形リンク体で保持する際
に、回転速度の微妙な相違によって生じる単結晶と多角
形リンク体との摩擦が起こり得ず、円滑かつ安全に保持
することができる。 (6)結晶引き上げワイヤと単結晶保持装置とを併用し
た単結晶引き上げにおいて、結晶引き上げワイヤのみに
よる単結晶引き上げ時と同様に、単結晶の育成速度を所
望の値に制御しつつ単結晶を保持することが可能のた
め、従来から行われている高精度の結晶育成技術を容易
に適用することができる。 (7)種結晶をシードホルダに装着する際に、多角形リ
ンク体が単結晶の稜線に当接しないように装着方向を選
択することにしたので、稜線の欠損を避けることがで
き、育成中の単結晶に悪影響を与えない。 (8)単結晶の収縮により保持力が低下した場合、保持
力を回復させることができるので、単結晶が落下するお
それがなく、安全性が高い。 (9)多角形リンク体にアタッチメントとして保持部材
を取着すれば、形状、寸法にバラツキをもつくびれ部を
保持することも可能である。
As described above, according to the single crystal holding device and the holding method of the present invention, the following effects can be obtained. (1) Unlike a conventional single crystal holding device, a narrow portion having poor shape and dimensional reproducibility is not held, and a single crystal straight body is sandwiched and held by a polygonal link body. The state is constant, and a heavy single crystal can be held more reliably. Further, the vertical position adjustment of the holding device is extremely easy as compared with the case of holding the constricted portion. (2) When the single crystal is held, by controlling the deformation speed of the polygonal link body, it is possible to hold the single crystal smoothly without giving any vibration or impact at the time of contact with the single crystal. (3) By controlling the torque of the motor driving the polygonal link or the fluid pressure of the fluid pressure actuator,
The single crystal can always be held with the desired clamping force,
Does not damage single crystals. (4) The load applied to the neck portion and the load applied to the polygonal link body are distributed based on the detected value of the load cell, and the neck portion load is controlled within an allowable range, so that the neck portion is reliably broken. Is prevented. In addition, since the neck load can be arbitrarily set within an allowable range, by setting the load distribution between the two while considering the allowable load of the single crystal holding device, the weight of the single crystal that can be pulled is increased. It is possible. (5) Since the crystal pulling wire and the polygonal link are rotated by the same motor, the rotational speeds of the two are exactly the same. Therefore, when the single crystal is held by the polygonal link, friction between the single crystal and the polygonal link caused by a slight difference in rotation speed cannot occur, and the single crystal can be held smoothly and safely. (6) In single crystal pulling using both a crystal pulling wire and a single crystal holding device, the single crystal is held while controlling the growth rate of the single crystal to a desired value, as in the case of single crystal pulling using only the crystal pulling wire. Therefore, a conventional high-precision crystal growth technique can be easily applied. (7) When the seed crystal is mounted on the seed holder, the mounting direction is selected so that the polygonal link body does not abut on the ridge line of the single crystal. Does not adversely affect the single crystal. (8) When the holding force is reduced due to the shrinkage of the single crystal, the holding force can be recovered, so that there is no danger of the single crystal falling and the safety is high. (9) If a holding member is attached to the polygonal link body as an attachment, it is possible to maintain the constricted portion even with variations in shape and dimensions.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】単結晶保持装置の第1実施例の概略構造を示す
模式的縦断面図である。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing a schematic structure of a first embodiment of a single crystal holding device.

【図2】多角形リンク体の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a polygonal link body.

【図3】多角形リンク体を構成する等辺リンクの内側面
形状の一例を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an inner surface shape of an equilateral link forming a polygonal link body.

【図4】多角形リンク体を構成する等辺リンクの内側面
形状の他の例を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing another example of the inner surface shape of the equilateral link forming the polygon link body.

【図5】多角形リンク体の変形状態を示す説明図で、
(a)は単結晶保持前、(b)は単結晶保持後を示す。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a deformed state of a polygonal link body;
(A) shows the state before holding the single crystal, and (b) shows the state after holding the single crystal.

【図6】単結晶保持装置の第2実施例の下部構造を示す
模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a lower structure of a second embodiment of the single crystal holding device.

【図7】単結晶保持装置の第3実施例の下部構造を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a lower structure of a third embodiment of the single crystal holding device.

【図8】第3実施例の単結晶保持装置に装着する多角形
リンク体を示し、(a)は上面図、(b)は(a)のA
−A断面図である。
FIGS. 8A and 8B show a polygonal link attached to the single crystal holding device of the third embodiment, wherein FIG. 8A is a top view and FIG.
It is -A sectional drawing.

【図9】本発明の単結晶保持装置を用いる単結晶保持方
法の他の実施例を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing another embodiment of a single crystal holding method using the single crystal holding device of the present invention.

【図10】本発明の単結晶保持装置を用いる単結晶保持
方法の他の実施例を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory view showing another embodiment of a single crystal holding method using the single crystal holding device of the present invention.

【図11】単結晶保持装置の第4実施例の上部構造を示
す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing an upper structure of a fourth embodiment of the single crystal holding device.

【図12】図11のZ視図である。FIG. 12 is a Z view of FIG.

【図13】単結晶保持装置の第5実施例の概略構造を示
す模式的縦断面図である。
FIG. 13 is a schematic longitudinal sectional view showing a schematic structure of a fifth embodiment of the single crystal holding device.

【図14】図13のZ視図である。FIG. 14 is a Z view of FIG.

【図15】位置決めプレートの平面図である。FIG. 15 is a plan view of a positioning plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…単結晶製造装置、2…真空容器、3…結晶引き上げ
ワイヤ、4,35…ワイヤ巻き取りドラム、5…引き上
げワイヤ用ロードセル、7…種結晶、8…ネック部、9
…単結晶、9a,9d…直胴部、9b…くびれ部、10
…単結晶保持装置、11…保持ロッド、12,28…保
持ロッド駆動モータ、14,25…多角形リンク体、1
4a…等辺リンク、14b…リンクピン、14e…保持
部材、16…合計荷重用ロードセル、18…キャリッ
ジ、26…開き防止板、37,38,39…滑車、40
…多角形リンク体駆動ワイヤ、44…ガイドプレート。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Single crystal manufacturing apparatus, 2 ... Vacuum container, 3 ... Crystal pulling wire, 4, 35 ... Wire winding drum, 5 ... Load cell for pulling wire, 7 ... Seed crystal, 8 ... Neck, 9
... Single crystal, 9a, 9d ... Straight body, 9b ... Constriction, 10
... single crystal holding device, 11 ... holding rod, 12, 28 ... holding rod drive motor, 14, 25 ... polygonal link body, 1
4a: equilateral link, 14b: link pin, 14e: holding member, 16: load cell for total load, 18: carriage, 26: opening prevention plate, 37, 38, 39: pulley, 40
... Polygon link body drive wire, 44 ... Guide plate.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のリンクを連結してなり、リンクピ
ンの位置を移動させることにより水平面内で変形可能な
多角形リンク体と、単結晶を挟持するために多角形リン
ク体を変形させる手段と、多角形リンク体を結晶引き上
げワイヤと同期して回転及び昇降させる手段と、結晶引
き上げワイヤに加わる荷重を検出する引き上げワイヤ用
ロードセルと、結晶引き上げワイヤに加わる荷重と多角
形リンク体に加わる荷重との合計荷重を検出する合計荷
重用ロードセルと、前記の各手段を制御する制御装置と
を備えていることを特徴とする単結晶保持装置。
1. A polygonal link formed by connecting a plurality of links and being deformable in a horizontal plane by moving the position of a link pin, and means for deforming the polygonal link to sandwich a single crystal Means for rotating and raising and lowering the polygonal link in synchronization with the crystal pulling wire, a load cell for a pulling wire for detecting a load applied to the crystal pulling wire, a load applied to the crystal pulling wire and a load applied to the polygonal link A load cell for total load for detecting the total load of the above, and a control device for controlling each of the above means.
【請求項2】 結晶引き上げワイヤ巻き取り機構と、引
き上げワイヤ用ロードセルと、多角形リンク体駆動機構
とを単結晶製造装置の上部に設けた真空容器に収納し、
前記真空容器と、真空容器に加わる荷重を検出する合計
荷重用ロードセルと、真空容器回転機構とを昇降自在の
キャリッジに搭載したことを特徴とする請求項1記載の
単結晶保持装置。
2. A crystal pulling wire take-up mechanism, a pull wire load cell, and a polygonal link body driving mechanism are housed in a vacuum container provided at an upper part of a single crystal manufacturing apparatus.
The single crystal holding device according to claim 1, wherein the vacuum container, a load cell for total load for detecting a load applied to the vacuum container, and a vacuum container rotating mechanism are mounted on a vertically movable carriage.
【請求項3】 モータまたは流体圧アクチュエータと、
単結晶製造装置内に垂直に保持され、前記モータまたは
流体圧アクチュエータにより水平方向に移動する2本の
保持ロッドとからなる多角形リンク体駆動機構を有し、
前記保持ロッドの下端に多角形リンク体の対向位置にあ
るリンクピンを連結したことを特徴とする請求項1記載
の単結晶保持装置。
3. A motor or fluid pressure actuator,
A polygonal link drive mechanism consisting of two holding rods vertically held in the single crystal manufacturing apparatus and horizontally moved by the motor or the fluid pressure actuator,
2. The single crystal holding device according to claim 1, wherein a link pin located at a position facing the polygonal link body is connected to a lower end of the holding rod.
【請求項4】 2個のワイヤ巻き取りドラムと、前記ワ
イヤ巻き取りドラムから垂下する2本の多角形リンク体
駆動ワイヤと、真空容器の下端に設置した複数個の滑車
と、多角形リンク体駆動ワイヤの巻き取りに伴って多角
形リンク体のリンクピンを横方向に移動させるガイドプ
レートとからなる多角形リンク体駆動機構を有し、前記
ワイヤの下端に多角形リンク体の対向位置にあるリンク
ピンを連結したことを特徴とする請求項1記載の単結晶
保持装置。
4. A polygonal link body comprising: two wire winding drums; two polygonal link body driving wires hanging from the wire winding drum; a plurality of pulleys installed at a lower end of the vacuum vessel; And a guide plate for moving a link pin of the polygonal link body in a lateral direction with the winding of the drive wire. The polygonal link body driving mechanism is provided at a lower end of the wire at a position facing the polygonal link body. 2. The single crystal holding device according to claim 1, wherein link pins are connected.
【請求項5】 冷却により単結晶が収縮し、単結晶保持
装置の保持力が低下した場合の保持力回復機能を有し、
引き上げた単結晶を単結晶製造装置から取り出すまで保
持力を維持することを特徴とする請求項1記載の単結晶
保持装置。
5. A single crystal shrinks by cooling, and has a holding force recovery function when the holding force of the single crystal holding device is reduced,
2. The single crystal holding device according to claim 1, wherein the holding force is maintained until the pulled single crystal is taken out of the single crystal manufacturing device.
【請求項6】 多角形リンク体を構成するリンクの内側
面に、単結晶のくびれ部を保持するための円弧状の断面
をもつ保持部材を取着したことを特徴とする請求項1記
載の単結晶保持装置。
6. A holding member having an arc-shaped cross section for holding a constricted portion of a single crystal is attached to an inner surface of a link constituting a polygonal link body. Single crystal holding device.
【請求項7】 単結晶を取り囲む多角形リンク体を所定
の位置に下降させた後、保持ロッドの水平方向移動また
は多角形リンク体駆動ワイヤの巻き上げにより多角形リ
ンク体を変形させて単結晶の直胴部を挟持することを特
徴とする単結晶保持方法。
7. After lowering the polygonal link surrounding the single crystal to a predetermined position, the polygonal link is deformed by moving the holding rod in the horizontal direction or winding up the polygonal link drive wire to form the single crystal. A method for holding a single crystal, comprising clamping a straight body.
【請求項8】 ネック部と単結晶の肩部との間に形成し
たくびれ部または単結晶の直胴部に形成したくびれ部
を、多角形リンク体の内側面に取着した保持部材で保持
することを特徴とする請求項7記載の単結晶保持方法。
8. A constricted portion formed between a neck portion and a shoulder portion of a single crystal or a constricted portion formed on a straight body portion of a single crystal is held by a holding member attached to an inner surface of a polygonal link body. The method for holding a single crystal according to claim 7, wherein:
【請求項9】 多角形リンク体が単結晶に当接する位置
と単結晶の稜線とが一致しないように、種結晶または単
結晶保持装置を設置することを特徴とする請求項7記載
の単結晶保持方法。
9. The single crystal according to claim 7, wherein a seed crystal or a single crystal holding device is installed so that a position where the polygonal link body contacts the single crystal does not coincide with a ridge line of the single crystal. Retention method.
【請求項10】 単結晶の育成中に、単結晶重量の一部
または全部を単結晶保持装置に負担させ、重量の一部を
負担させる場合はネック部が破断しない重量をネック部
に負担させることを特徴とする請求項7記載の結晶製造
方法。
10. During the growth of a single crystal, a part or all of the weight of the single crystal is borne by the single crystal holding device, and when a part of the weight is borne, the weight that does not break the neck portion is borne by the neck portion. The method for producing a crystal according to claim 7, wherein:
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CN111733449A (en) * 2020-07-07 2020-10-02 上海新昇半导体科技有限公司 Crystal bar growth equipment and growth method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014214052A (en) * 2013-04-25 2014-11-17 三菱マテリアルテクノ株式会社 Crystal weight measurement apparatus and crystal pulling apparatus
CN111733449A (en) * 2020-07-07 2020-10-02 上海新昇半导体科技有限公司 Crystal bar growth equipment and growth method
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