JPH10336008A - Clock generating circuit and semiconductor device - Google Patents
Clock generating circuit and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、受信した外部クロ
ックから複数の独立に位相調整されたクロックを発生す
るクロック発生回路、及び内部にこのようなクロック発
生回路を有する半導体装置に関し、特に外部クロックの
データ取込みエッジに対する各入力データのばらつき補
正を行う半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock generation circuit for generating a plurality of clocks whose phases are independently adjusted from a received external clock, and a semiconductor device having such a clock generation circuit therein, and more particularly to an external clock. The present invention relates to a semiconductor device for correcting the variation of each input data with respect to the data fetch edge.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置を使用したコンピュータ等の
大規模な半導体装置システムでは、システムの各部分が
クロックに同期して動作するように構成されており、デ
ータ信号やアドレス信号などの信号の入出力はクロック
信号に同期して行われる。図1は、このような半導体装
置システムの基本構成とその動作を示す図である。図1
の(1)に示すように、このシステムは、信号を送出す
る駆動側半導体装置101と、信号を受ける受信側半導
体装置102とで構成される。駆動側半導体装置101
からはクロック信号CLKと共に、クロック信号CLK
に同期して出力信号D0〜Dnが出力され、受信側半導
体装置102は受信したクロックCLKに同期して駆動
側半導体装置101から送られた信号を入力信号Q0〜
Qnとして取り込む。図1では、受信側半導体装置10
2が1個であるが、複数の受信側半導体装置102が存
在する場合もある。また、半導体装置システムを構成す
る半導体装置は、他の半導体装置との間で信号の送受信
を行うことが多く、そのような場合には動作に応じて駆
動側になったり受信側になる。2. Description of the Related Art In a large-scale semiconductor device system such as a computer using a semiconductor device, each part of the system is configured to operate in synchronization with a clock, and inputs and outputs of signals such as data signals and address signals. The output is performed in synchronization with the clock signal. FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration and operation of such a semiconductor device system. FIG.
As shown in (1), the system includes a driving semiconductor device 101 for transmitting a signal and a receiving semiconductor device 102 for receiving a signal. Drive-side semiconductor device 101
From the clock signal CLK together with the clock signal CLK.
Output signals D0 to Dn are output in synchronization with the clock signal CLK, and the receiving-side semiconductor device 102 converts the signals transmitted from the driving-side semiconductor device 101 into the input signals Q0 to
Import as Qn. In FIG. 1, the receiving-side semiconductor device 10
2 is one, but a plurality of receiving-side semiconductor devices 102 may exist. In addition, a semiconductor device included in a semiconductor device system often transmits and receives signals to and from another semiconductor device. In such a case, the semiconductor device becomes a driving side or a receiving side according to operation.
【0003】図1の(2)は、(1)の半導体装置シス
テムにおけるクロックCLKと、バス上の信号を示す図
であり、上側に駆動側から出力される時のクロックCL
Kと出力信号D0〜Dnを、下側にこれらの信号を受信
側でクロックCLKと入力信号Q0〜Qnとして取り込
む時の状態を示している。駆動側半導体装置101は、
クロックCLKの立ち下がりに同期して出力信号D0〜
Dnを変化させる。受信側半導体装置102は取り込ん
だクロック信号CLKの立ち上がりに同期して信号D0
〜Dnを入力信号Q0〜Qnとして取り込む。FIG. 1B is a diagram showing a clock CLK and a signal on a bus in the semiconductor device system of FIG. 1A. A clock CL output from the driving side is shown on the upper side.
The lower side shows the state when K and the output signals D0 to Dn are fetched as the clock CLK and the input signals Q0 to Qn on the receiving side. The driving-side semiconductor device 101 includes:
The output signals D0 to D0 are synchronized with the fall of the clock CLK.
Dn is changed. The receiving side semiconductor device 102 synchronizes the signal D0 with the rising edge of the received clock signal CLK.
To Dn as input signals Q0 to Qn.
【0004】なお、図1の(2)ではクロックCLKの
立ち下がりに同期して出力信号が変化し、クロックCL
Kの立ち上がりに同期して入力信号として取り込まれる
としたが、クロックCLKの立ち下がりや立ち上がりか
らずれた位相で出力信号が変化し、半導体装置内に取り
込む場合もある。以下の例では、説明を簡単にするため
に、入力信号はクロックCLKの立ち下がりに同期して
変化し、クロックCLKの立ち上がりに同期して取り込
まれるものとして説明するが、本発明はこれに限られる
ものではない。In (2) of FIG. 1, the output signal changes in synchronization with the falling edge of the clock CLK, and the clock CL changes.
Although the input signal is taken in synchronization with the rise of K, the output signal may change at a phase shifted from the fall or rise of the clock CLK and be taken into the semiconductor device in some cases. In the following example, for the sake of simplicity, it is assumed that the input signal changes in synchronization with the falling edge of the clock CLK and is taken in synchronization with the rising edge of the clock CLK, but the present invention is not limited to this. It is not something that can be done.
【0005】図1の(2)に示すように、駆動側半導体
装置101は、出力するクロックCLKの立ち下がりに
同期して出力信号D0〜Dnを変化させるが、実際には
出力回路の特性の差や出力タイミング信号の位相差など
のために、各出力信号の変化エッジはクロックCLKの
立ち下がりに対して図示のようにばらつく。駆動側半導
体装置101から受信側半導体装置102への信号配線
は、配線の長さが異なったり、配線に接続される負荷が
異なるため、信号間で駆動側半導体装置101から受信
側半導体装置102への伝達時間に差が生じる。そのた
め、受信側半導体装置102が受信する入力信号の変化
エッジのクロックCLKの立ち下がりエッジに対するば
らつきは、図示のように、更に大きくなる。このばらつ
き期間はすべての入力信号が確定していないため、入力
信号の取込みが行えない不確定期間である。このような
信号間の位相のばらつきをスキューと呼んでいる。スキ
ューは信号配線の長さや負荷などで生じるため、これを
全くゼロにすることはできない。As shown in FIG. 1B, the driving-side semiconductor device 101 changes the output signals D0 to Dn in synchronization with the falling edge of the output clock CLK, but actually changes the characteristics of the output circuit. Due to the difference and the phase difference between the output timing signals, the changing edge of each output signal varies as shown in the figure with respect to the falling edge of the clock CLK. The signal wiring from the driving-side semiconductor device 101 to the receiving-side semiconductor device 102 has a different wiring length or a different load connected to the wiring. There is a difference in the transmission time of Therefore, the variation of the changing edge of the input signal received by the receiving-side semiconductor device 102 with respect to the falling edge of the clock CLK is further increased as illustrated. This variation period is an uncertain period during which input signals cannot be captured because all input signals are not determined. Such phase variation between signals is called skew. Since the skew is caused by the length of the signal wiring and the load, it cannot be reduced to zero.
【0006】半導体装置がラッチ回路により入力信号を
取り込む場合、ラッチ回路には動作の関係から必然的に
必要なセットアップ時間tSIとホールド時間tHIが
あり、クロックCLKの立ち上がりエッジの前後で入力
信号が確定している必要のある時間が定められている。
従って、受信側半導体装置102が受信する入力信号に
スキューがあってもクロックCLKの立ち上がりエッジ
の前後では、セットアップ時間tSIとホールド時間t
HIの間、入力信号が確定している必要がある。クロッ
ク周期から入力信号の不確定期間を差し引いた期間が入
力信号の確定期間である。低速のシステムでは、上記の
ような入力信号の不確定期間はクロック周期に比べて相
対的に小さくあまり問題にならないが、高速のシステム
ではクロック周期が非常に短くなるので、入力信号の不
確定期間がクロック周期に占める割合が相対的に大きく
なり、その分確定期間が減少するので大きな問題にな
る。そのため、スキューが半導体装置の動作速度を規定
するといった事態も生じている。When a semiconductor device takes in an input signal by a latch circuit, the latch circuit necessarily has a set-up time tSI and a hold time tHI which are necessary due to the operation, and the input signal is determined before and after the rising edge of the clock CLK. The time you need to do is defined.
Therefore, even if there is a skew in the input signal received by the receiving semiconductor device 102, before and after the rising edge of the clock CLK, the setup time tSI and the hold time tSI
During HI, the input signal needs to be fixed. A period obtained by subtracting the indefinite period of the input signal from the clock cycle is the definite period of the input signal. In a low-speed system, the uncertainty period of the input signal as described above is relatively small compared to the clock cycle, which is not a problem, but in a high-speed system, the clock cycle is very short. Is relatively large in the clock cycle, and the determination period is reduced accordingly, which is a major problem. For this reason, a situation has arisen in which the skew defines the operation speed of the semiconductor device.
【0007】本出願人は、特願平8−334208号
で、このような問題を解決するための技術を開示してい
る。図2は、特願平8−334208号に開示された、
入力信号のスキュー対策を行う従来例の構成を示す図で
ある。図2に示すように、各入力信号D0〜Dn毎に入
力信号取込みタイミング調整回路12−0〜12−nを
設ける。各入力信号取込みタイミング調整回路は、入力
バッファ13と、入力ラッチ回路14と、DLL(dela
y locked loop)回路15とで構成されている。DLL回
路15は、クロックバッファ11の出力するクロックを
遅延させ、その遅延量が段階的に変えられるディレイ回
路と、遅延させたクロックが入力バッファ13から出力
される入力信号を取り込むのに最適な位相であるかを判
定する位相比較回路で構成され、最適な位相になるまで
遅延量を調整する回路である。これにより、DLL回路
15からは入力信号を取り込むのに最適な位相のクロッ
クが出力されるので、このクロックに従って入力ラッチ
14で入力バッファ13から出力される入力信号をラッ
チする。図示のように、このような入力信号取込みタイ
ミング調整回路が各入力信号毎に設けられているので、
各入力信号はスキューにかかわらず最適なタイミングで
取り込まれる。The applicant of the present application discloses a technique for solving such a problem in Japanese Patent Application No. 8-334208. FIG. 2 is disclosed in Japanese Patent Application No. 8-334208.
FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of a conventional example for taking measures against skew of an input signal. As shown in FIG. 2, input signal acquisition timing adjustment circuits 12-0 to 12-n are provided for each of the input signals D0 to Dn. Each input signal acquisition timing adjustment circuit includes an input buffer 13, an input latch circuit 14, and a DLL (dela
y locked loop) circuit 15. The DLL circuit 15 delays the clock output from the clock buffer 11 and changes the delay amount in a stepwise manner. The DLL circuit 15 selects the optimum phase for the delayed clock to capture the input signal output from the input buffer 13. This is a circuit that is configured by a phase comparison circuit that determines whether the delay time is equal to or less than that, and adjusts the delay amount until an optimum phase is reached. As a result, a clock having a phase optimal for capturing an input signal is output from the DLL circuit 15, and the input signal output from the input buffer 13 is latched by the input latch 14 according to the clock. As shown in the figure, since such an input signal capture timing adjustment circuit is provided for each input signal,
Each input signal is taken in at an optimal timing regardless of the skew.
【0008】各入力ラッチ14の取込みタイミングは独
立に調整されているため、上記のようにして取り込まれ
た各入力信号は位相がずれており、内部で同時に処理す
る場合に問題がある。そこで、再同期ラッチ16−0〜
16−nを設けて、各入力ラッチ14から出力される位
相の異なる入力信号の位相を揃える。このような構成に
より、各入力信号を最適なタイミングで取り込むと共
に、位相の揃った入力信号として出力されることにな
る。Since the fetch timings of the input latches 14 are independently adjusted, the input signals fetched as described above are out of phase with each other, and there is a problem when they are simultaneously processed internally. Therefore, the resynchronization latches 16-0 to 16-0
16-n are provided to make the phases of input signals having different phases output from the input latches 14 uniform. With such a configuration, each input signal is taken in at an optimal timing, and is output as an input signal having the same phase.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図2のDLL回路を構
成するディレイ回路は、1段分の遅延量を生じる多数の
ディレイ要素を直列に接続したディレイラインを有す
る。そのため、1段当りの遅延量を小さくして精密な位
相調整を可能にする場合、想定されるスキュー以上に位
相調整が行える必要があり、非常に段数が大きくなる。
そのため、ディレイ回路の回路規模は大きい。しかも、
このようなディレイ回路を各入力信号毎に設ける必要が
あり、図2に示す入力信号のスキュー対策を行う回路全
体は、非常に大きな回路規模になり、チップ面積に大き
な影響を及ぼし、チップ面積を増大させる一因になる。The delay circuit constituting the DLL circuit shown in FIG. 2 has a delay line in which a number of delay elements that generate a delay amount for one stage are connected in series. Therefore, when the delay amount per stage is reduced to enable precise phase adjustment, it is necessary to perform the phase adjustment more than expected skew, and the number of stages becomes extremely large.
Therefore, the circuit scale of the delay circuit is large. Moreover,
It is necessary to provide such a delay circuit for each input signal, and the entire circuit for countermeasures for the skew of the input signal shown in FIG. 2 has a very large circuit size, greatly affects the chip area, and reduces the chip area. Contribute to increase.
【0010】本発明は、このような問題を解決するため
のもので、スキュー対策回路の占有面積を小さくするこ
とを目的とする。しかし、本発明はスキュー対策回路に
限らず、DLL回路を有する回路であればどのような回
路にも適用可能である。The present invention has been made to solve such a problem, and has as its object to reduce the area occupied by a skew countermeasure circuit. However, the present invention is not limited to the skew countermeasure circuit, and can be applied to any circuit having a DLL circuit.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】図3は、本発明のクロッ
ク発生回路の原理構成図である。図3に示すように、本
発明のクロック発生回路は、DLL回路を階層化構造と
し、親階層である第1DLL回路21は共通に使用し、
子階層である第2DLL回路22−0〜22−nは各入
力信号毎に設ける。これにより、第1DLL回路21は
共通に使用できるので、回路規模を低減できる。階層化
しても各入力毎に個々に回路を用意しては面積が大きく
効果がないので、親階層を共通化する必要がある。FIG. 3 is a block diagram showing the principle of a clock generation circuit according to the present invention. As shown in FIG. 3, in the clock generation circuit of the present invention, the DLL circuit has a hierarchical structure, and the first DLL circuit 21, which is a parent hierarchy, is commonly used.
The second DLL circuits 22-0 to 22-n, which are child layers, are provided for each input signal. Thus, the first DLL circuit 21 can be used in common, so that the circuit scale can be reduced. Even if hierarchization is performed, providing individual circuits for each input has a large area and is ineffective, so it is necessary to share the parent hierarchy.
【0012】すなわち、本発明のクロック発生回路は、
受信した受信クロックCLKに基づいて、複数の対象毎
に最適な位相に調整された複数のクロックFCLK0〜
FCLKnを発生するクロック発生回路であって、受信
クロックCLKを遅延させる遅延量を段階的に調整する
ことにより、受信クロックの位相を調整して粗調整クロ
ックRCLKを出力する第1DLL回路21と、複数の
対象毎に設けられ、粗調整クロックRCLKを遅延させ
る遅延量を段階的に調整することにより粗調整クロック
RCLKの位相を調整して複数のクロックFCLK0〜
FCLKnを出力する複数の第2DLL回路22−0〜
22−nとを備え、第1DLL回路21は、複数のクロ
ックの内の少なくとも1つのクロックが最適な位相に対
して所定の位相差範囲内であるか、所定の位相差範囲内
でない時には進んでいるか遅れているかを判定し、その
判定結果に基づいて位相調整量を変化させ、各第2DL
L回路22−0〜22−nは、複数のクロックFCLK
0〜FCLKnがそれぞれ最適な位相に対して進んでい
るか遅れているかを判定し、その判定結果に基づいて位
相調整量を変化させることを特徴とする。That is, the clock generation circuit of the present invention comprises:
A plurality of clocks FCLK <b> 0 to FCLK <b> 0 adjusted to an optimal phase for each of a plurality of targets based on the received reception clock CLK
A first DLL circuit 21 that generates a coarsely adjusted clock RCLK by adjusting the phase of the received clock by stepwise adjusting a delay amount for delaying the received clock CLK; The phase of the coarse adjustment clock RCLK is adjusted by stepwise adjusting the delay amount for delaying the coarse adjustment clock RCLK, and the plurality of clocks FCLK0 to FCLK0 are provided.
A plurality of second DLL circuits 22-0 to 22 which output FCLKn
22-n, and the first DLL circuit 21 proceeds when at least one of the plurality of clocks is within a predetermined phase difference range with respect to the optimum phase or is not within the predetermined phase difference range. Is determined, and the phase adjustment amount is changed based on the determination result.
The L circuits 22-0 to 22-n output a plurality of clocks FCLK
It is characterized in that it is determined whether each of 0 to FCLKn is ahead or behind the optimum phase, and the phase adjustment amount is changed based on the determination result.
【0013】第1DLL回路の1段の遅延量を、第2D
LL回路の1段の遅延量より大きくすることが望まし
い。前述のように、ディレイ回路の1段分の遅延量を大
きくすると回路規模は小さくできるが精密な位相調整が
行えないが、このような構成にすることにより、回路規
模を小さくして精密な調整が行える。上記の構成は、ク
ロックCLKと入力信号群の信号経路などの差により、
クロックCLKと入力信号群の間に入力信号間のスキュ
ーより大きなスキューがある場合に適用でき、クロック
CLKと入力信号群の間のスキューを第1DLL回路で
調整し、入力信号間のスキューを第2DLL回路で調整
する。The delay amount of one stage of the first DLL circuit is calculated by the second D
It is desirable to make the delay amount larger than the delay amount of one stage of the LL circuit. As described above, if the delay amount for one stage of the delay circuit is increased, the circuit scale can be reduced, but precise phase adjustment cannot be performed. However, by adopting such a configuration, the circuit scale is reduced and precise adjustment is performed. Can be performed. The above configuration is based on the difference between the clock CLK and the signal path of the input signal group, etc.
This is applicable when there is a skew greater than the skew between the input signals between the clock CLK and the input signal group. The skew between the clock CLK and the input signal group is adjusted by the first DLL circuit, and the skew between the input signals is reduced by the second DLL. Adjust with the circuit.
【0014】ディレイ回路を共通化するには、ディレイ
ラインは同一とし、対象毎にディレイラインの各段から
選択的にクロックを取り出せるようにすることもでき
る。この考えを上記の構成に適用して、第1DLL回路
21を遅延量が独立に調整された複数の粗調整クロック
を出力することを可能にし、複数のクロックのすべてが
それぞれ最適な位相に対して所定の位相差範囲内である
か、所定の位相差範囲内でない時には進んでいるか遅れ
ているかを判定し、その判定結果に基づいて、各第2D
LL回路毎に遅延量が独立に調整された粗調整クロック
を出力するようにする。これであれば、対象毎の受信ク
ロックに対する調整範囲は、第1DLL回路21と第2
DLL回路の調整範囲を加えた範囲であり、しかもこれ
らの調整範囲は対象毎に独立である。従って、対象間の
スキューが第1DLL回路21と第2DLL回路の調整
範囲を加えた範囲であれば調整可能である。In order to use a common delay circuit, the same delay line can be used, and a clock can be selectively extracted from each stage of the delay line for each target. Applying this idea to the above-described configuration, the first DLL circuit 21 can output a plurality of coarsely adjusted clocks whose delay amounts are independently adjusted, and all of the plurality of clocks can be output with respect to the optimum phase. If it is within the predetermined phase difference range or not within the predetermined phase difference range, it is determined whether it is advanced or delayed, and based on the determination result, each 2D
A coarse adjustment clock whose delay amount is independently adjusted for each LL circuit is output. In this case, the adjustment range for the reception clock for each object is the same as the first DLL circuit 21 and the second DLL circuit.
This is the range to which the adjustment range of the DLL circuit is added, and these adjustment ranges are independent for each target. Therefore, it is possible to adjust the skew between the targets as long as the skew between the targets is within the adjustment range of the first DLL circuit 21 and the second DLL circuit.
【0015】そのためには、第1DLL回路を、受信ク
ロックを段階的に遅延させるディレイ回路と、このディ
レイ回路の各段の出力を、各第2DLL回路に出力する
かしないかを切り換えるスイッチ列とで構成し、各クロ
ックに対する判定結果の基づいて、前記スイッチ列にお
いて導通させるスイッチを選択する。クロック発生回路
において、第1及び第2DLL回路で最適な位相である
かを判定するためには、対象をそのような判定動作を行
うのに適した状態とすることが望ましい。しかし、対象
をそのような状態にしたのでは通常の動作が行えないの
で、第1及び第2DLL回路の遅延量を調整するキャリ
ブレーションモードを設け、キャリブレーションモード
終了後には、第1及び第2DLL回路は、キャリブレー
ションモード終了時の遅延量を保持できることが望まし
い。そのためには、第1及び第2DLL回路は、調整さ
れた遅延量を保持するラッチ機能を有することが望まし
い。For this purpose, the first DLL circuit is composed of a delay circuit for delaying the received clock in a stepwise manner and a switch array for switching whether or not to output the output of each stage of the delay circuit to each of the second DLL circuits. And selecting a switch to be turned on in the switch row based on the determination result for each clock. In the clock generation circuit, in order to determine whether the phase is optimal in the first and second DLL circuits, it is desirable that the target be in a state suitable for performing such a determination operation. However, if the target is in such a state, normal operation cannot be performed. Therefore, a calibration mode for adjusting the delay amount of the first and second DLL circuits is provided, and after the calibration mode, the first and second DLLs are set. It is desirable that the circuit can hold the delay amount at the end of the calibration mode. For that purpose, it is desirable that the first and second DLL circuits have a latch function of holding the adjusted delay amount.
【0016】更に、外部から入力される受信クロックに
基づいて発生された内部クロックを分配するクロック分
配回路と、クロック分配回路から供給される内部クロッ
クから、複数のローカルクロックを発生するローカルク
ロック発生回路とを備える半導体装置が知られている
が、このローカルクロック発生回路に、本発明のクロッ
ク発生回路を適用することにより、ローカルクロック発
生回路の回路規模を低減できる。特に、本発明は、半導
体装置に入力される入力データを取り込むためのクロッ
ク信号を発生させるローカルクロック発生回路に適用す
ることが望ましい。これは、入力信号間、及びローカル
クロックと入力信号群の間にスキューがあり、それが高
速化の上での問題であったためである。Furthermore, a clock distribution circuit for distributing an internal clock generated based on a reception clock input from the outside, and a local clock generation circuit for generating a plurality of local clocks from the internal clock supplied from the clock distribution circuit Although a semiconductor device including the following is known, the circuit scale of the local clock generation circuit can be reduced by applying the clock generation circuit of the present invention to the local clock generation circuit. In particular, the present invention is preferably applied to a local clock generation circuit that generates a clock signal for capturing input data input to a semiconductor device. This is because there is a skew between the input signals and between the local clock and the input signal group, which is a problem in increasing the speed.
【0017】また、このようにして発生された複数のロ
ーカルクロックに同期して取り込んだ入力信号間にはス
キューがあるため、複数のローカルクロックのエッジに
同期してそれぞれ取り込まれた前記入力データを共通の
再同期クロックで再同期化する再同期回路を設けること
が望ましい。各ローカルクロック発生回路まで内部クロ
ックを分配するクロック分配回路は、分配する内部クロ
ックにスキューが生じないようにすることが望ましく、
分配先までの配線距離と負荷が等しいHツリー状配線で
構成するクロック分配回路か、内部クロックを往復して
伝達する往復配線と、往復配線に沿って設けられ、往復
する内部クロックを受信して往復する内部クロックの中
間の位相の補正内部クロックを発生するローカルクロッ
クバッファとを備えるクロック分配回路とする。Also, since there is a skew between the input signals fetched in synchronization with the plurality of local clocks generated in this way, the input data fetched in synchronization with the edges of the plurality of local clocks, respectively. It is desirable to provide a resynchronization circuit for resynchronizing with a common resynchronization clock. It is desirable that the clock distribution circuit that distributes the internal clock to each local clock generation circuit does not cause skew in the distributed internal clock,
A clock distribution circuit composed of H-tree-shaped wiring having the same wiring distance and load as the distribution destination, a reciprocating wiring for transmitting and reciprocating the internal clock, and a reciprocating internal clock provided along the reciprocating wiring for receiving the reciprocating internal clock A clock distribution circuit includes a local clock buffer that generates a corrected internal clock having an intermediate phase between reciprocating internal clocks.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明をシンクロナス・ダ
イナミック・ランダムアクセス・メモリ(SDRAM)
の入力信号の取込み部分に適用した実施例を説明する
が、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、S
DRAMの出力信号をクロックに同期させて出力する出
力部分など、各信号毎に最適な位相のクロック信号を発
生させるためDLL回路を使用する装置であればどのよ
うなものにも適用可能である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described with reference to a synchronous dynamic random access memory (SDRAM).
An example in which the present invention is applied to an input signal capturing portion will be described, but the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to any device that uses a DLL circuit for generating a clock signal having an optimum phase for each signal, such as an output portion for outputting an output signal of a DRAM in synchronization with a clock.
【0019】図4は、本発明の第1実施例のSDRAM
の全体構成を示す図である。図示のように、チップの長
辺に沿ってセルアレイ/センスアンプなどで構成される
メモリコア30が配置され、中央部にはアドレスバッフ
ァ/デコーダなどで構成される周辺回路部が配置されて
いる。周辺回路部の中央部にはパッド31から35が一
列に配置され、その両側に周辺回路が配置される。パッ
ドは、両側に配置されるデータ信号用パッド31と34
と、コントロール信号用パッド32と、アドレス信号用
パッド33のグループに分けられ、クロック用パッド3
5はコントロール信号用パッド32の中に設けられてい
る。クロック用パッド35に入力された外部クロック
は、クロックバッファ36に入力されてチップ内に取り
込まれる。クロックバッファ36の出力する内部クロッ
クは、クロック分配回路によりチップ全体に供給され
る。FIG. 4 shows an SDRAM according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an overall configuration of the embodiment. As shown in the figure, a memory core 30 composed of a cell array / sense amplifier is arranged along the long side of the chip, and a peripheral circuit part composed of an address buffer / decoder is arranged in the center. Pads 31 to 35 are arranged in a row in the center of the peripheral circuit section, and peripheral circuits are arranged on both sides thereof. The pads are data signal pads 31 and 34 arranged on both sides.
, A control signal pad 32 and an address signal pad 33.
5 is provided in the control signal pad 32. The external clock input to the clock pad 35 is input to the clock buffer 36 and taken into the chip. The internal clock output from the clock buffer 36 is supplied to the entire chip by a clock distribution circuit.
【0020】クロック分配回路は、チップ内の各部に同
じ位相の内部クロックCLKを供給することが望まし
い。このようなクロック分配回路としては、後述するH
ツリー状クロック分配回路が知られているが、本出願人
は、特願平9−83050号で、新しいクロック分配回
路を提案しており、第1実施例ではこれを使用してい
る。図示のように、このクロック分配回路は、クロック
ドライバ37からチップ内を走るように往路用クロック
信号線を設け、終端にディレイ回路38を設ける。そし
てディレイ回路38から往路用クロック信号線に平行に
復路用クロック信号線を設け、往路用クロック信号線か
らディレイ回路38に供給されたクロックを一定量遅延
させた上で、復路用クロック信号線に印加する。ここで
は、更に往路用と復路用クロック信号線に平行に主クロ
ック信号線を設ける。これらのクロック信号線に沿って
ローカルCLKバッファ39を配置し、ここからその周
辺の領域に内部クロックを供給する。往路用クロック信
号線を伝達する往路クロックと復路用クロック信号線を
伝達する復路クロックの中間の位相は、クロック信号線
に沿ったいずれの地点でも同じである。従って、各ロー
カルCLKバッファ39は、それぞれ主クロック信号線
から供給される内部クロックを、往路クロックと復路ク
ロックの位相差の1/2だけ遅延させて内部クロックC
LKを発生して出力する。ディレイ回路38は、このデ
ィレイ回路38がないと終端付近においては往路クロッ
クと復路クロックの位相差が小さく、それを正確に検出
して補正するのが難しいため、このディレイ回路38に
よりある程度の位相差が生じるようにするためである。
また、内部クロックは非常に高周波数であるため、配線
距離が長くなると比較する位相を判別するのが難しくな
る。そこで、往路用クロック信号線と復路用クロック信
号線では位相差を検出するための長い周期のクロックを
伝達し、主クロック信号線で内部クロックを伝達する。It is desirable that the clock distribution circuit supplies an internal clock CLK having the same phase to each section in the chip. As such a clock distribution circuit, H
Although a tree-shaped clock distribution circuit is known, the present applicant has proposed a new clock distribution circuit in Japanese Patent Application No. 9-83050, which is used in the first embodiment. As shown in the figure, this clock distribution circuit is provided with a clock signal line for a forward path so as to run in a chip from a clock driver 37, and a delay circuit 38 is provided at the end. Then, a return clock signal line is provided from the delay circuit 38 in parallel with the forward clock signal line, and the clock supplied from the forward clock signal line to the delay circuit 38 is delayed by a certain amount. Apply. Here, a main clock signal line is further provided in parallel with the forward and return clock signal lines. A local CLK buffer 39 is arranged along these clock signal lines, and supplies an internal clock to a peripheral area therefrom. The intermediate phase between the forward clock transmitting the forward clock signal line and the backward clock transmitting the backward clock signal line is the same at any point along the clock signal line. Therefore, each local CLK buffer 39 delays the internal clock supplied from the main clock signal line by の of the phase difference between the forward clock and the backward clock, and generates the internal clock C.
LK is generated and output. Without the delay circuit 38, the phase difference between the forward clock and the backward clock is small near the terminal end, and it is difficult to accurately detect and correct the phase difference. This is so that
Further, since the internal clock has a very high frequency, it becomes difficult to determine the phase to be compared when the wiring distance is long. Therefore, a clock having a long cycle for detecting a phase difference is transmitted between the forward clock signal line and the return clock signal line, and an internal clock is transmitted using the main clock signal line.
【0021】上記のようにして、左右のクロック信号線
にそれぞれ接続される各ローカルCLKバッファ39は
同じ位相の内部クロックCLKを発生するが、左右のク
ロック信号線の長さや負荷が異なると左右のローカルC
LKバッファ39が発生する内部クロックCLKは同じ
位相になるとは限らない。そこで、クロックドライバ3
7の部分に位相比較回路90を設け、この回路で復路用
クロック信号線を伝達する復路クロックの位相を比較
し、左右の復路クロックの位相が一致するように、一方
のディレイ(ここでは左側のディレイ)38の遅延量を
調整している。これにより、左右のローカルCLKバッ
ファ39が発生する内部クロックCLKは同じ位相にな
る。As described above, the local CLK buffers 39 connected to the left and right clock signal lines respectively generate the internal clock CLK having the same phase. However, if the lengths and loads of the left and right clock signal lines are different, the left and right clock signals are left and right. Local C
The internal clock CLK generated by the LK buffer 39 does not always have the same phase. Therefore, clock driver 3
7, a phase comparison circuit 90 is provided. This circuit compares the phases of the return clocks transmitted through the return clock signal line, and adjusts one of the delays (here, the left side of the left side, so that the phases of the left and right return clocks coincide. (Delay) 38 is adjusted. As a result, the internal clocks CLK generated by the left and right local CLK buffers 39 have the same phase.
【0022】以上説明したように、第1実施例では、各
ローカルCLKバッファ39からは、位置にかかわらず
同じ位相の内部クロックCLKが出力されることにな
る。ローカルCLKバッファ39の出力する内部クロッ
クCLKは、ばらつき補正入力回路40に供給される。
第1実施例では、ばらつき補正入力回路40は、入力信
号を取り込むラッチ回路を有し、そこに供給される取込
みのタイミングを規定するローカルクロックを発生させ
る。また、ローカルCLKバッファ39からチップ内部
に直接内部クロックが供給される部分もある。As described above, in the first embodiment, the internal clock CLK having the same phase is output from each local CLK buffer 39 regardless of the position. The internal clock CLK output from the local CLK buffer 39 is supplied to the variation correction input circuit 40.
In the first embodiment, the variation correction input circuit 40 has a latch circuit that captures an input signal, and generates a local clock that specifies the timing of the capture supplied thereto. There is also a portion where the internal clock is directly supplied from the local CLK buffer 39 to the inside of the chip.
【0023】前述のように、入力信号はクロックに対し
てスキューを有すると共に、入力信号間にもスキューが
ある。内部クロックは上記のようにして分配されるた
め、各ローカルCLKバッファが出力する内部クロック
CLKは同じ位相であるが、クロック用パッドからクロ
ックバッファ36を経由してクロックドライバ37まで
至る信号経路と、他の入力信号の経路は大きく異なるた
め、一般に入力信号群と内部クロックのスキューは、入
力信号間のスキューより大きい。このような入力信号を
チップ内に取り込むには、各入力信号を取り込むラッチ
回路に供給するローカルクロックを、各入力信号の位相
に対して最適な位相になるようにする必要があり、ばら
つき補正入力回路40は、内部クロックCLKから各入
力信号を取り込むのに最適なローカルクロックを発生さ
せる。As described above, the input signal has a skew with respect to the clock, and there is a skew between the input signals. Since the internal clock is distributed as described above, the internal clock CLK output from each local CLK buffer has the same phase, but a signal path from the clock pad to the clock driver 37 via the clock buffer 36, Since the paths of other input signals are greatly different, the skew between the input signal group and the internal clock is generally larger than the skew between the input signals. In order to capture such an input signal into the chip, it is necessary to make the local clock supplied to the latch circuit that captures each input signal an optimal phase with respect to the phase of each input signal. The circuit 40 generates a local clock optimal for capturing each input signal from the internal clock CLK.
【0024】図5は、ばらつき補正入力回路40の構成
を示すブロック図である。図示のように、ばらつき補正
入力回路40は、ローカルCLKバッファ39から供給
される内部クロックCLKを選択された遅延量分遅延さ
せる粗ディレイ回路41と、粗ディレイ回路41から出
力された粗ディレイクロックを選択された遅延量分遅延
させる精密ディレイ回路42と、入力バッファ48から
入力され、分周回路47で分周された各入力信号と精密
ディレイ回路42から出力されるローカルクロックの位
相を比較し、最適な位相であるかを判定する粗比較回路
43と精密比較回路44と、精密ディレイ回路42から
出力されるローカルクロックに応じて、入力バッファ4
8から出力される入力信号をラッチして取り込む入力ラ
ッチ45と、入力ラッチ45の出力を再度内部クロック
CLKに応じてラッチし、各入力信号の位相を内部クロ
ックCLKに同期させる再同期ラッチ46とを有する。
分周回路は、比較動作が正確に行えるように設けられる
ものである。図5に示すように、精密ディレイ回路4
2、粗比較回路43、精密比較回路44、入力ラッチ4
5、再同期ラッチ46、分周回路47、及び入力バッフ
ァ48は、それぞれ入力信号の個数分設けられている
が、粗ディレイ回路41は1個であり、各入力信号で共
用している。粗ディレイ回路41と粗比較回路43が粗
DLL回路を、精密ディレイ回路42と精密比較回路4
4が精密DLL回路を構成する。図2と比較して明らか
なように、本実施例の回路は、図2の従来例と類似の構
成を有しており、従来例と異なるのは、DLL回路が粗
DLL回路と精密DLL回路で構成している点である。
以下、従来例と異なる、これらの部分と分周回路につい
て説明する。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of the variation correction input circuit 40. As shown, the variation correction input circuit 40 includes a coarse delay circuit 41 for delaying the internal clock CLK supplied from the local CLK buffer 39 by a selected delay amount, and a coarse delay clock output from the coarse delay circuit 41. A precision delay circuit 42 that delays by the selected delay amount, a phase of each input signal input from the input buffer 48 and divided by the frequency divider 47 and a local clock output from the precision delay circuit 42 are compared, The input buffer 4 according to the local clock output from the coarse comparison circuit 43, the fine comparison circuit 44, and the fine delay circuit 42 for determining whether or not the phase is optimal.
An input latch 45 which latches and takes in an input signal output from the input latch 8; a resynchronization latch 46 which latches the output of the input latch 45 again according to the internal clock CLK and synchronizes the phase of each input signal with the internal clock CLK Having.
The frequency dividing circuit is provided so that the comparing operation can be performed accurately. As shown in FIG.
2. Coarse comparison circuit 43, precision comparison circuit 44, input latch 4
5, the resynchronization latch 46, the frequency dividing circuit 47, and the input buffer 48 are provided by the number of input signals, respectively, but the number of the coarse delay circuit 41 is one and is shared by each input signal. The coarse delay circuit 41 and the coarse comparison circuit 43 constitute a coarse DLL circuit, and the precision delay circuit 42 and the precision comparison circuit 4
4 constitutes a precision DLL circuit. As is apparent from comparison with FIG. 2, the circuit of this embodiment has a configuration similar to that of the conventional example of FIG. 2, and is different from the conventional example in that the DLL circuit is a coarse DLL circuit and a precision DLL circuit. It is composed of
Hereinafter, these portions and the frequency dividing circuit, which are different from the conventional example, will be described.
【0025】粗ディレイ回路41と精密ディレイ回路4
2は、共に図6に示すような基本構成を有し、それぞれ
ディレイライン51とディレイ制御回路52で構成され
ている。上記のように、これらに位相比較回路を組み合
わせることにより、DLL回路が構成される。DLL回
路について簡単に説明する。ディレイライン51は、同
一の遅延要素を直列に接続し、どの段から出力を取り出
すかを選択することにより遅延量が選択できるようにし
たもので、ディレイ制御回路52からの制御信号で出力
を取り出す段が決定される。位相比較回路は、ディレイ
ライン51の出力する遅延されたクロックと入力信号の
位相を比較し、位相差が所定の範囲内にあるか、所定の
範囲内にない場合には、クロックが入力信号に対して進
んでいるか遅れているかを判定する。ディレイ制御回路
52は、その判定結果に基づいて、ディレイライン51
の遅延量を維持するか、増加又は減少させる。このよう
な操作を繰り返せば、クロックと入力信号の位相差は所
定の範囲内に集束する。Coarse delay circuit 41 and precision delay circuit 4
2 both have a basic configuration as shown in FIG. 6, and are each composed of a delay line 51 and a delay control circuit 52. As described above, a DLL circuit is configured by combining these with the phase comparison circuit. The DLL circuit will be briefly described. The delay line 51 connects the same delay elements in series, and selects the stage from which the output is to be taken out so that the delay amount can be selected. The output is taken out by a control signal from the delay control circuit 52. The step is determined. The phase comparison circuit compares the phase of the delayed clock output from the delay line 51 with the phase of the input signal, and if the phase difference is within a predetermined range or not within the predetermined range, the clock is applied to the input signal. It is determined whether the vehicle is ahead or behind. The delay control circuit 52 determines the delay line 51 based on the determination result.
Is maintained, increased or decreased. By repeating such an operation, the phase difference between the clock and the input signal is converged within a predetermined range.
【0026】図7は、粗ディレイ回路41と精密ディレ
イ回路42のディレイ制御回路の構成を、図8は粗ディ
レイ回路41のディレイラインの構成を、図9は精密デ
ィレイ回路42のディレイラインの構成を、図10は粗
比較回路43の構成を、図11は精密比較回路44の構
成を、図12は分周回路47の構成を示す図である。こ
れらの回路の基本的な動作については、前述の特願平8
−334208号及び特願平9−83050号に詳しく
説明されているので、ここでは異なる点を中心として簡
単に説明する。FIG. 7 shows the configuration of the delay control circuit of the coarse delay circuit 41 and the fine delay circuit 42, FIG. 8 shows the configuration of the delay line of the coarse delay circuit 41, and FIG. 10 shows the configuration of the coarse comparison circuit 43, FIG. 11 shows the configuration of the precision comparison circuit 44, and FIG. 12 shows the configuration of the frequency dividing circuit 47. The basic operation of these circuits is described in Japanese Patent Application No.
This is described in detail in Japanese Patent Application No. 334208 and Japanese Patent Application No. 9-83050.
【0027】図7のディレイ制御回路は、その一部のみ
が示され、制御信号としてP0〜P5が出力されるのみ
であるが、実際にはディレイラインの段数分の制御信号
が出力できる分だけ同じような回路が接続されている。
ディレイ制御回路は、出力する制御信号のうち1つのみ
を「高(H)」とし、他の出力を「低(L)」とし、
「H」となる出力位置でディレイラインの遅延量の選択
位置が決定される。ディレイ制御回路は、位相比較回路
からの判定結果A〜Dに応じて「H」となる出力位置を
移動させる。AとBが交互に「高(H)」レベルになる
時には、「H」となる出力位置を右にシフトさせ、Cと
Dが交互に「高(H)」レベルになる時には、「H」と
なる出力位置を左にシフトさせる。リセット信号を入力
すると、初段の出力が「H」となる。このようなディレ
イ制御回路が、粗ディレイ回路41と精密ディレイ回路
42にそれぞれ入力信号の個数分設けられている。ここ
ではこれ以上の説明は省略する。なお、図7に示したデ
ィレイ制御回路では、判定結果A〜Dが遅延量を保持す
るとの判定結果である時には制御信号は変化しないの
で、後述する分周回路を停止させるなどして位相比較を
行わないようにすれば、ディレイ制御回路が出力する制
御信号は保持される。また、出力される制御信号を保持
するためには、通常は制御信号を通過させ、停止状態に
変化する時に、その時点の制御信号をラッチして保持す
るラッチゲートを設けるなどの方法もある。The delay control circuit shown in FIG. 7 shows only a part of the delay control circuit, and outputs only P0 to P5 as control signals. Similar circuits are connected.
The delay control circuit sets only one of the output control signals to “high (H)” and sets the other outputs to “low (L)”,
The selection position of the delay amount of the delay line is determined by the output position that becomes “H”. The delay control circuit moves the output position which becomes “H” according to the determination results A to D from the phase comparison circuit. When A and B alternately go to the “high (H)” level, the output position that goes “H” is shifted to the right. When C and D alternately go to the “high (H)” level, the output position goes to “H”. Is shifted to the left. When the reset signal is input, the output of the first stage becomes “H”. Such a delay control circuit is provided in each of the coarse delay circuit 41 and the fine delay circuit 42 for the number of input signals. Here, further description is omitted. In the delay control circuit shown in FIG. 7, since the control signal does not change when the determination results A to D are the determination results that the delay amount is held, the phase comparison is performed by stopping a frequency dividing circuit described later. Otherwise, the control signal output from the delay control circuit is held. Further, in order to hold the output control signal, there is a method of providing a latch gate which normally passes the control signal and latches and holds the control signal at that time when the state changes to the stop state.
【0028】図8に示すように、粗ディレイ回路41の
ディレイラインでは、インバータとNANDゲートを1
段とする遅延要素が多数直列に接続されており、各段の
インバータの出力をトランスファーゲートから取り出す
ように構成されている。いずれの段から取り出すかによ
り、遅延量が異なる。トランスファーゲートは、各段の
インバータの出力毎に、入力信号の個数分設けられてお
り、各入力信号に対応する全段のトランスファーゲート
の出力は共通に接続され、精密ディレイ回路42の対応
するディレイラインに入力される。各入力信号に対応す
る全段のトランスファーゲートは、対応する制御回路の
出力信号RP00、RP0n、…、RPm0、RPmn
などで制御される。上記のように、制御回路の出力信号
のうち1つだけが「H」になるので、それが印加される
トランスファーゲートが導通し、その段から粗遅延クロ
ックRCLKが出力される。このように、第1実施例の
粗DLL回路41のディレイラインの部分を共用してい
るため、入力信号が複数であってもディレイラインは1
つであり、その分回路規模が低減できる。例えば、図8
の回路では、1段当り2素子減少させることができ、更
に一部の素子を共用できるので、素子数は更に少なくな
る。As shown in FIG. 8, in the delay line of the coarse delay circuit 41, one inverter and one NAND gate are connected.
A large number of delay elements as stages are connected in series, and the output of the inverter at each stage is taken out from the transfer gate. The delay amount differs depending on which stage the signal is taken out from. The transfer gates are provided for the number of input signals for each output of the inverter of each stage. The outputs of the transfer gates of all stages corresponding to each input signal are connected in common, and the corresponding delay of the precision delay circuit 42 is Input to the line. The transfer gates of all stages corresponding to each input signal are output signals RP00, RP0n,..., RPm0, RPmn of the corresponding control circuit.
And so on. As described above, since only one of the output signals of the control circuit becomes “H”, the transfer gate to which it is applied becomes conductive, and the coarse delay clock RCLK is output from that stage. As described above, since the portion of the delay line of the coarse DLL circuit 41 of the first embodiment is shared, even if there are a plurality of input signals, the delay line is one.
Therefore, the circuit scale can be reduced accordingly. For example, FIG.
In this circuit, the number of elements can be further reduced because two elements can be reduced per stage and some elements can be shared.
【0029】図9に示すように、各精密ディレイ回路4
2のディレイラインでは、インバータとNANDゲート
を1段とする遅延要素を多数直列に接続したディレイラ
インが2列設けられ、その間に各段毎に中間NANDゲ
ートが設けられ、上側のインバータの出力がこの中間N
ANDゲートに入力され、その出力が下側のNANDゲ
ートの入力になっている。中間NANDゲートの他方の
入力には、精密DLL回路のDLL制御回路の出力が入
力され、1つの中間NANDゲートのみが上側のインバ
ータから出力されるクロックを下側に伝達し、それ以外
の中間NANDゲートの出力は「H」に固定される。す
なわち、上側を伝達されているクロックは、DLL制御
回路の出力が「H」になる中間NANDゲートの部分
で、下側に伝達され、そのまま下側を伝達し、ローカル
クロックFCLKになる。上側ではインバータの出力が
次段のNANDゲートに入力されると共に、中間NAN
Dゲートにも入力されるが、下側ではインバータの出力
が次段のNANDゲートに入力されるだけであり、下側
の方がインバータの負荷が小さいため、クロックを伝達
する速度が下側の方が微少量速い。すなわち、このディ
レイラインはこの上側と下側の伝達速度の差を1段の遅
延量とする。精密ディレイラインでは、1段当りの遅延
量を非常に微少な量とする必要があり、このような回路
構成を使用する。As shown in FIG. 9, each precision delay circuit 4
In the second delay line, two rows of delay lines in which a number of delay elements each having an inverter and a NAND gate as one stage are provided in series, an intermediate NAND gate is provided for each stage therebetween, and the output of the upper inverter is provided. This intermediate N
The signal is input to the AND gate, and the output is input to the lower NAND gate. The output of the DLL control circuit of the precision DLL circuit is input to the other input of the intermediate NAND gate, and only one intermediate NAND gate transmits the clock output from the upper inverter to the lower side, and the other intermediate NAND gates The output of the gate is fixed at "H". That is, the clock transmitted on the upper side is transmitted to the lower side at the portion of the intermediate NAND gate where the output of the DLL control circuit becomes "H", and transmitted on the lower side as it is to become the local clock FCLK. On the upper side, the output of the inverter is input to the next-stage NAND gate and the intermediate NAN
Although the signal is also input to the D gate, the output of the inverter is only input to the next-stage NAND gate on the lower side, and the load on the inverter is smaller on the lower side, so that the clock transmission speed is lower. Is slightly faster. That is, this delay line uses the difference between the transmission speeds on the upper side and the lower side as the delay amount of one stage. In a precision delay line, the amount of delay per stage needs to be very small, and such a circuit configuration is used.
【0030】図10に示す各粗比較回路43は、精密デ
ィレイ回路42のディレイラインの出力するローカルク
ロックFCLKと、分周回路47で分周された信号DS
の位相を比較する。この回路は、ローカルクロックFC
LKが立ち上がった時点で信号DSが既に立ち上がって
いる時、すなわち、ローカルクロックFCLKが信号D
Sより遅れている場合には、出力RAとRBが交互に
「H」になり、ローカルクロックFCLKが立ち上がっ
た時点から第1の所定時間以上たってから信号DSが既
に立ち上がる時、すなわち、ローカルクロックFCLK
が信号DSより進んでおり、その位相差が第1の所定量
以上の時には、出力RCとRDが交互に「H」になり、
ローカルクロックFCLKが立ち上がった時点から第1
の所定時間内に信号DSが既に立ち上がる時、すなわ
ち、ローカルクロックFCLKが信号DSより進んでお
り、その位相差が第1の所定量以内の時には、出力R
A、RB、RC、及びRDがすべて「L」になる。図示
のように、信号DSは、NANDゲートで構成される入
力部の2個のフリップフロップへそのまま入力される
が、ローカルクロックFCLKは、一方にはNANDゲ
ートとインバータの分遅れて入力されるようになってい
る。このNANDゲートとインバータでの遅延量が上記
の第1の所定量を規定する。各粗比較回路43の判定結
果は、粗DLL回路の図7に示したディレイ制御回路の
A、B、C、Dとして印加される。Each coarse comparison circuit 43 shown in FIG. 10 includes a local clock FCLK output from a delay line of a precision delay circuit 42 and a signal DS divided by a frequency division circuit 47.
Are compared. This circuit uses the local clock FC
When the signal DS has already risen when the LK rises, that is, when the local clock FCLK is
When the signal DS is later than S, the outputs RA and RB alternately become “H”, and when the signal DS has already risen after a first predetermined time or more from the time when the local clock FCLK rises, that is, when the local clock FCLK
Is advanced from the signal DS, and when the phase difference is equal to or more than the first predetermined amount, the outputs RC and RD alternately become “H”,
From the time when the local clock FCLK rises, the first
When the signal DS has already risen within a predetermined time, that is, when the local clock FCLK is ahead of the signal DS and the phase difference is within a first predetermined amount, the output R
A, RB, RC, and RD all become “L”. As shown in the figure, the signal DS is directly input to two flip-flops of the input unit constituted by the NAND gate, but the local clock FCLK is input to one of the flip-flops with a delay of the NAND gate and the inverter. It has become. The amount of delay in the NAND gate and the inverter defines the first predetermined amount. The determination result of each coarse comparison circuit 43 is applied as A, B, C, D of the delay control circuit shown in FIG. 7 of the coarse DLL circuit.
【0031】図11に示す各精密比較回路44は、図1
0に示す粗比較回路43とほぼ同一の構成を有するが、
信号DSとローカルクロックFCLKが共にNANDゲ
ートとインバータで遅延されて入力部のフリップフロッ
プの一方に入力されている。しかもインバータの駆動す
るゲート数に差があるため、出力FA、FB、FC、及
びFDがすべて「L」になる状態を規定する第2の遅延
量の差が小さくなる。これにより、信号DSとローカル
クロックFCLKの位相差が、図10の粗比較回路43
で所定量範囲内と判定された場合にも、更に精密な比較
を行い、ローカルクロックFCLKが信号DSより進ん
でいるか、遅れているか、又は第2の所定量以内である
かを判定し、その判定結果を出力する。同様に、各精密
比較回路44の判定結果は、精密DLL回路の図7に示
したディレイ制御回路のA、B、C、Dとして印加され
る。Each precision comparison circuit 44 shown in FIG.
0 has almost the same configuration as the coarse comparison circuit 43 shown in FIG.
The signal DS and the local clock FCLK are both delayed by the NAND gate and the inverter and input to one of the flip-flops in the input section. In addition, since there is a difference in the number of gates driven by the inverter, the difference in the second delay amount that defines a state in which the outputs FA, FB, FC, and FD are all "L" is small. As a result, the phase difference between the signal DS and the local clock FCLK becomes larger than the coarse comparison circuit 43 in FIG.
In the case where it is determined that the local clock FCLK is within the predetermined amount range, a more precise comparison is performed, and it is determined whether the local clock FCLK is ahead of or behind the signal DS, or is within the second predetermined amount. Output the judgment result. Similarly, the judgment result of each precision comparison circuit 44 is applied as A, B, C, D of the delay control circuit shown in FIG. 7 of the precision DLL circuit.
【0032】図12に示す分周回路47は、入力信号を
8分周する。ここで、入力信号を分周する必要性につい
て説明する。半導体装置は、所定のクロック周波数範囲
で動作することが要求される。そのため、これまで説明
したDLL回路は、これらの周波数範囲で動作すること
が要求される。クロックが非常に高周波数になると、各
ゲートの出力は一方の状態へ十分に変化しないうちに次
の状態に変化することになる。そのため、クロック周波
数が高い場合と低い場合で、比較結果などに差が生じ、
所望の位相合わせが行えないという問題が生じる。この
ような問題を解決するため、入力信号を分周して、位相
比較やその判定結果に基づくフィードバック制御を行う
周期を長くしている。なお、分周回路47の入力部に
は、入力信号Sと停止信号を入力とするNANDゲート
が設けられており、停止信号を「L」にすることによ
り、分周回路47への入力信号Sの入力を停止できるよ
うになっている。これにより、分周回路47の出力は固
定され、位相比較動作は停止し、ディレイ制御回路の制
御値が保持される。The frequency dividing circuit 47 shown in FIG. 12 divides an input signal by eight. Here, the necessity of dividing the input signal will be described. The semiconductor device is required to operate in a predetermined clock frequency range. Therefore, the DLL circuits described so far are required to operate in these frequency ranges. If the clock becomes too high in frequency, the output of each gate will change to the next state before changing sufficiently to one state. Therefore, there is a difference in the comparison result between the case where the clock frequency is high and the case where the clock frequency is low,
There is a problem that desired phase matching cannot be performed. In order to solve such a problem, the frequency of the input signal is divided and the period for performing the phase comparison and the feedback control based on the determination result is lengthened. The input section of the frequency dividing circuit 47 is provided with a NAND gate to which the input signal S and the stop signal are input. When the stop signal is set to “L”, the input signal S to the frequency dividing circuit 47 is reduced. Input can be stopped. As a result, the output of the frequency dividing circuit 47 is fixed, the phase comparison operation is stopped, and the control value of the delay control circuit is held.
【0033】図5の入力ラッチ45と再同期ラッチ46
は、従来から広く使用されているラッチ回路であり、こ
こでは説明を省略する。以上説明したように、第1実施
例では、ローカルクロックバッファ39から出力される
内部クロックCLKを、各入力信号を取り込む最適なタ
イミングのローカルクロックFCLKになるように位相
調整し、それを入力ラッチ45に供給して最適なタイミ
ングでチップ内に取り込む。しかし、このようにして取
り込まれた各入力信号は位相にばらつきがあるので、再
同期ラッチ46で内部クロックCLKに同期する信号に
変える。The input latch 45 and the resynchronization latch 46 of FIG.
Is a latch circuit that has been widely used in the past, and description thereof is omitted here. As described above, in the first embodiment, the phase of the internal clock CLK output from the local clock buffer 39 is adjusted so as to be the local clock FCLK at the optimum timing for capturing each input signal, and the phase is adjusted by the input latch 45. At the optimal timing. However, since the input signals thus fetched have variations in phase, they are changed by the resynchronization latch 46 to signals synchronized with the internal clock CLK.
【0034】以上説明した第1実施例の回路は、ディレ
イ制御回路の制御値が安定するまで時間が必要であり、
電源が投入されてから所定時間を位相調整のためのキャ
リブレーション期間とし、その間に位相調整が終了する
ようにする。位相調整が終了するまでの時間は、最初の
位相差で異なるため、キャリブレーション期間は、最初
にどのような位相差であっても位相調整が終了する時間
に設定する。また、位相調整を行うには、クロックと入
力信号が変化することが必要であり、キャリブレーショ
ン期間中は、入力信号が所定の周期で変化するように、
駆動側LSIチップからこのような信号を出力する必要
がある。The circuit of the first embodiment described above requires time until the control value of the delay control circuit is stabilized.
A predetermined time after the power is turned on is set as a calibration period for phase adjustment, during which the phase adjustment ends. Since the time until the phase adjustment ends is different depending on the initial phase difference, the calibration period is set to the time when the phase adjustment ends regardless of the initial phase difference. Further, in order to perform the phase adjustment, the clock and the input signal need to change, and during the calibration period, the input signal changes at a predetermined cycle.
It is necessary to output such a signal from the driving LSI chip.
【0035】通常の動作においては、クロックは一定の
周期で変化する信号であるが、入力信号の変化は一定せ
ず、長期間同じ状態である場合も起こる。そのような場
合には、位相比較が行えないことになる。第1実施例の
回路は、入力信号が変化しない場合にはそれまでの状態
を維持するように指示する位相判定結果を出力するた
め、通常の動作中もそのままフィードバック制御が行え
る。一般に半導体装置は温度などで信号の変化特性が変
化するので、第1実施例の回路を通常の動作中もそのま
ま動作させれば、常時最適なタイミングで入力信号が取
り込まれるように制御されることになる。In a normal operation, the clock is a signal that changes at a constant cycle. However, the change of the input signal is not constant, and the same state may occur for a long time. In such a case, phase comparison cannot be performed. When the input signal does not change, the circuit of the first embodiment outputs a phase determination result instructing to maintain the previous state, so that the feedback control can be performed as it is during a normal operation. Generally, the change characteristics of a signal of a semiconductor device change with temperature or the like. Therefore, if the circuit of the first embodiment is operated as it is during a normal operation, it is controlled so that an input signal is always taken in at an optimal timing. become.
【0036】しかし、一部の入力信号は変化してフィー
ドバック制御が行われ、他の入力信号については長期間
変化しないためにフィードバック制御が行われなかった
場合、一部の入力信号については最適な入力タイミング
になるように制御されるが、他の入力信号については最
適な入力タイミングから大きく外れた状態になることが
あり得る。そのようなことは好ましくないので、定期的
にキャリブレーション期間を設けるようにしてもよい。
その場合、図13に示すように、位相調整はキャリブレ
ーション期間にのみ行い、キャリブレーション期間終了
後は、図7に示した粗ディレイ回路41と精密ディレイ
回路42のディレイ制御回路の制御信号を維持するよう
にする。However, when some input signals are changed and feedback control is performed, and other input signals are not changed for a long period of time, the feedback control is not performed. Control is performed so that the input timing is reached. However, other input signals may be greatly deviated from the optimal input timing. Since such a thing is not preferable, a calibration period may be provided periodically.
In this case, as shown in FIG. 13, the phase adjustment is performed only during the calibration period, and after the calibration period, the control signals of the delay control circuits of the coarse delay circuit 41 and the fine delay circuit 42 shown in FIG. 7 are maintained. To do it.
【0037】上記の第1実施例では、粗ディレイ回路4
1は、ディレイラインを共用するが、ディレイラインの
各段の出力を選択する多数のトランスファーゲートを設
けることにより、各入力信号に対応する粗遅延クロック
をそれぞれ取り出せるようにしている。これにより、内
部クロックと各入力信号の位相調整を全調整範囲につい
て独立に行うことができる。しかし、そのために入力信
号の個数分のトランスファーゲートを各段毎に設けてお
り、その回路規模が大きいという問題がある。前述のよ
うに、内部クロックCLKと入力信号群は、信号経路な
どの差により、クロックCLKと入力信号群の間に入力
信号間のスキューより大きなスキューがある場合が一般
的である。そこで、第2実施例では、内部クロックCL
Kと入力信号群の間のスキューを第1DLL回路で調整
し、入力信号間のスキューを第2DLL回路で調整す
る。In the first embodiment, the coarse delay circuit 4
1, a delay line is shared, but by providing a large number of transfer gates for selecting the output of each stage of the delay line, a coarse delay clock corresponding to each input signal can be taken out. Thus, the phase adjustment between the internal clock and each input signal can be performed independently over the entire adjustment range. However, for this purpose, transfer gates for the number of input signals are provided for each stage, and there is a problem that the circuit scale is large. As described above, the internal clock CLK and the input signal group generally have a skew larger than the skew between the input signals between the clock CLK and the input signal group due to a difference in a signal path or the like. Therefore, in the second embodiment, the internal clock CL
The skew between K and the input signal group is adjusted by the first DLL circuit, and the skew between the input signals is adjusted by the second DLL circuit.
【0038】図14は、第2実施例のばらつき補正回路
の構成を示すブロック図である。図示のように、第2実
施例のばらつき補正回路は、第1実施例のばらつき補正
回路とほぼ同様の構成を有するが、新たに個数判定回路
69が設けられている点と、粗ディレイ回路61のディ
レイラインの構成が異なる。以下、これらの部分につい
て説明する。FIG. 14 is a block diagram showing the configuration of the variation correction circuit according to the second embodiment. As shown in the figure, the variation correction circuit of the second embodiment has substantially the same configuration as the variation correction circuit of the first embodiment, except that a number determination circuit 69 is newly provided, and a coarse delay circuit 61 is provided. Are different in the configuration of the delay line. Hereinafter, these parts will be described.
【0039】図15は、第2実施例の粗ディレイ回路6
1のディレイラインの構成を示す図である。図示のよう
に、NANDゲートとインバータを1段とする遅延要素
を多数直列に接続し、最終段から粗遅延クロックRCL
Kが取り出される。いずれの段に内部クロックCLKを
入力するかがディレイ制御回路の出力信号RP0、…、
RPmで制御され、いずれの段に内部クロックCLKを
入力するかにより遅延量が異なる。従って、第2実施例
の粗ディレイ回路61から出力される粗遅延クロックR
CLKは1つであり、これが各精密ディレイ回路62に
供給される。FIG. 15 shows a coarse delay circuit 6 according to the second embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of one delay line. As shown, a large number of delay elements having a NAND gate and an inverter as one stage are connected in series, and a coarse delay clock RCL is connected from the last stage.
K is taken out. Which stage receives the internal clock CLK depends on the output signals RP0,.
The delay amount is controlled by RPm and differs depending on which stage the internal clock CLK is input. Accordingly, the coarse delay clock R output from the coarse delay circuit 61 of the second embodiment
CLK is one, and this is supplied to each precision delay circuit 62.
【0040】このような調整を行うために、第2実施例
では、図16に示すように、位相調整を行うキャリブレ
ーションモードを2つの期間に分割し、前半では粗DL
L回路の調整を行い、後半では精密DLL回路の調整を
行う。前半の粗DLL回路の調整を行っている間は、精
密DLL回路はフィードバック制御を行わず、精密ディ
レイ回路のディレイラインの遅延量は初期値に保持され
る。粗DLL回路の調整が終了した後は、粗ディレイ回
路61のディレイ制御回路の制御信号は保持される。粗
DLL回路の調整が終了すると同時に、各精密DLL回
路の調整が開始され、各精密DLL回路の調整が終了し
た後は、同様にその時点の精密ディレイ回路62のディ
レイ制御回路の制御信号が保持される。なお、上記のよ
うに、精密DLL回路は、通常の動作中もフィードバッ
ク制御が行えるので、精密DLL回路のみ、通常動作時
にも常時調整動作が行われるようにしてもよい。In order to perform such adjustment, in the second embodiment, as shown in FIG. 16, the calibration mode for performing phase adjustment is divided into two periods, and the coarse DL is used in the first half.
The adjustment of the L circuit is performed, and the adjustment of the precision DLL circuit is performed in the latter half. While the adjustment of the first half coarse DLL circuit is being performed, the precision DLL circuit does not perform feedback control, and the delay amount of the delay line of the precision delay circuit is held at the initial value. After the adjustment of the coarse DLL circuit is completed, the control signal of the delay control circuit of the coarse delay circuit 61 is held. At the same time as the adjustment of the coarse DLL circuit is completed, the adjustment of each precision DLL circuit is started. After the adjustment of each precision DLL circuit is completed, the control signal of the delay control circuit of the precision delay circuit 62 at that time is similarly held. Is done. Note that, as described above, since the precision DLL circuit can perform feedback control even during normal operation, only the precision DLL circuit may be configured to always perform the adjustment operation even during normal operation.
【0041】粗ディレイ回路61での遅延量は、複数の
入力信号の中間の位相とクロックの位相が一致するよう
に調整される。図14に示すように、粗比較回路63は
入力信号の個数分設けられており、各粗比較回路63の
判定結果は、個数判定回路69に入力される。個数判定
回路69では、各粗比較回路63の判定結果を集計し、
ローカルクロックFCLKが信号DSに対して遅れてい
ると判定した粗比較回路63の個数が進んでいると判定
した粗比較回路63の個数より多い場合には、ディレイ
ラインの遅延量を増加させ、ローカルクロックFCLK
が信号DSに対して進んでいると判定した粗比較回路6
3の個数が遅れていると判定した粗比較回路63の個数
より多い場合には、ディレイラインの遅延量を減少させ
るような判定結果を出力する。そして、ローカルクロッ
クFCLKがすべての信号DSに対して所定量の位相差
内になるか、又は進んでいると判定した粗比較回路63
の個数と遅れていると判定した粗比較回路63の個数の
差が1個以内になった場合に、その判定結果を保持す
る。The amount of delay in the coarse delay circuit 61 is adjusted so that the intermediate phase of a plurality of input signals and the clock phase match. As shown in FIG. 14, the coarse comparison circuits 63 are provided for the number of input signals, and the determination results of each of the coarse comparison circuits 63 are input to the number determination circuit 69. In the number determination circuit 69, the determination results of each coarse comparison circuit 63 are totaled,
If the number of coarse comparison circuits 63 determined to be behind the signal DS is greater than the number of coarse comparison circuits 63 determined to be advanced, the delay amount of the delay line is increased, Clock FCLK
Coarse comparison circuit 6 that has determined that
If the number of delay lines 3 is larger than the number of coarse comparison circuits 63 determined to be delayed, a determination result is output that reduces the delay amount of the delay line. Then, the coarse comparison circuit 63 that determines that the local clock FCLK is within a predetermined amount of phase difference with respect to all the signals DS or is advanced.
When the difference between the number of the coarse comparison circuits 63 determined to be late and the number of the coarse comparison circuits 63 is less than one, the determination result is held.
【0042】なお、第2実施例の変形例として、粗比較
回路63を代表的な1つの入力信号についてのみ設け、
その判定結果を粗ディレイ回路61に供給するようにし
てもよい。この場合には、個数判定回路69は必要な
い。これにより、回路規模を大幅に低減できる。第1実
施例では、クロック分配回路として、特願平9−830
50号に開示されている回路を使用したが、この代わり
にHツリー状クロック分配回路を使用することもでき
る。図17は、Hツリー状クロック分配回路の基本構成
を示す図である。クロックドライバ71から出力された
内部クロックは、図17に示すような経路で末端のクロ
ックバッファ72まで伝達されるが、途中の信号経路及
び負荷はすべて等しくなるように構成される。従って、
すべてのクロックバッファ72に伝達された内部クロッ
クは位相が一致している。As a modification of the second embodiment, a coarse comparison circuit 63 is provided only for one representative input signal.
The determination result may be supplied to the coarse delay circuit 61. In this case, the number determination circuit 69 is not required. Thereby, the circuit scale can be significantly reduced. In the first embodiment, a clock distribution circuit is disclosed in Japanese Patent Application No. 9-830.
Although the circuit disclosed in No. 50 is used, an H-tree clock distribution circuit may be used instead. FIG. 17 is a diagram showing a basic configuration of the H-tree clock distribution circuit. The internal clock output from the clock driver 71 is transmitted to the terminal clock buffer 72 through a path as shown in FIG. 17, but all the signal paths and loads on the way are configured to be equal. Therefore,
The internal clocks transmitted to all clock buffers 72 have the same phase.
【0043】図18は、第3実施例のSDRAMの全体
構成を示す図であり、特願平9−83050号に開示さ
れクロック分配回路の代わりにHツリー状クロック分配
回路を使用している点を除けば第1実施例と同じであ
る。従って、これ以上の説明は省略する。以上、本発明
をSDRAMの入力信号の取込み部分に適用した実施例
について説明したが、本発明はこれに限られるものでな
く、SDRAMにおいて複数の出力信号について精密に
出力タイミングを調整する場合や、SDRAM以外の他
のLSIチップなどにも適用可能である。また、粗調整
と精密調整の2段階の例を説明したが、3段階以上とす
ることも可能である。FIG. 18 is a diagram showing the entire structure of the SDRAM of the third embodiment, which is disclosed in Japanese Patent Application No. 9-83050 in that an H-tree clock distribution circuit is used instead of the clock distribution circuit. This is the same as the first embodiment except for the above. Therefore, further description is omitted. As described above, the embodiment in which the present invention is applied to an input signal input portion of an SDRAM has been described. However, the present invention is not limited to this, and it is possible to precisely adjust output timing for a plurality of output signals in an SDRAM, The present invention can be applied to other LSI chips other than SDRAM. Further, the example of the two steps of the coarse adjustment and the fine adjustment has been described, but it is also possible to have three or more steps.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
1つのクロックから微少量の調整単位でそれぞれ精密に
調整したクロックを発生させる場合に、調整単位は同じ
で回路規模を低減でき、チップの小型化や低コスト化が
図れる。As described above, according to the present invention,
In the case of generating clocks that are precisely adjusted from a single clock in a very small amount of adjustment units, the adjustment unit is the same, the circuit scale can be reduced, and the size and cost of the chip can be reduced.
【図1】クロック同期システムの基本構成及び動作を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration and operation of a clock synchronization system.
【図2】入力信号のスキュー対策を行う従来例の構成を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional example for taking measures against skew of an input signal.
【図3】本発明の原理構成図である。FIG. 3 is a diagram illustrating the principle of the present invention;
【図4】第1実施例のSDRAMの全体構成を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing an overall configuration of the SDRAM of the first embodiment.
【図5】第1実施例のばらつき補正入力回路の構成を示
すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a variation correction input circuit according to the first embodiment.
【図6】ディレイ回路の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a delay circuit.
【図7】第1実施例のディレイ制御回路の構成を示す図
である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a delay control circuit according to the first embodiment.
【図8】第1実施例の粗DLL回路のディレイラインを
示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a delay line of the coarse DLL circuit according to the first embodiment.
【図9】第1実施例の精密DLL回路のディレイライン
を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a delay line of the precision DLL circuit according to the first embodiment.
【図10】第1実施例の粗比較回路を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a coarse comparison circuit according to the first embodiment.
【図11】第1実施例の精密比較回路を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a precision comparison circuit according to the first embodiment.
【図12】第1実施例の分周回路を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a frequency dividing circuit according to the first embodiment.
【図13】第1実施例の動作モードを示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an operation mode of the first embodiment.
【図14】第2実施例のばらつき補正入力回路の構成を
示すブロック図である。FIG. 14 is a block diagram illustrating a configuration of a variation correction input circuit according to a second embodiment.
【図15】第2実施例の粗DLL回路のディレイライン
を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a delay line of a coarse DLL circuit according to a second embodiment.
【図16】第2実施例の動作モードを示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an operation mode of the second embodiment.
【図17】Hツリー状クロック分配回路の構成を示す図
である。FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration of an H-tree clock distribution circuit.
【図18】第3実施例のSDRAMの全体構成を示す図
である。FIG. 18 is a diagram illustrating an overall configuration of an SDRAM of a third embodiment.
21…第1DLL回路 22−0〜22−n…第2DLL回路 35…クロック入力パッド 36…クロックバッファ 37…クロックドライバ 38…ディレイ 39…ローカルCLKバッファ 40…ばらつき補正入力回路 41…粗ディレイ回路 42…精密ディレイ回路 43…粗比較回路 44…精密比較回路 45…入力ラッチ 46…再同期ラッチ 47…分周回路 48…入力バッファ 21 First DLL Circuit 22-0 to 22-n Second DLL Circuit 35 Clock Input Pad 36 Clock Buffer 37 Clock Driver 38 Delay 39 Local CLK Buffer 40 Variation Correction Input Circuit 41 Coarse Delay Circuit 42 Precision delay circuit 43 ... Coarse comparison circuit 44 ... Precision comparison circuit 45 ... Input latch 46 ... Resynchronization latch 47 ... Division circuit 48 ... Input buffer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03K 5/13 G11C 11/34 354C 5/15 362S H03K 5/15 G ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03K 5/13 G11C 11/34 354C 5/15 362S H03K 5/15 G
Claims (16)
の対象毎に最適な位相に調整された複数のクロックを発
生するクロック発生回路であって、 前記受信クロックを遅延させる遅延量を段階的に調整す
ることにより、前記受信クロックの位相を調整して粗調
整クロックを出力する第1DLL回路と、 前記複数の対象毎に設けられ、前記粗調整クロックを遅
延させる遅延量を段階的に調整することにより前記粗調
整クロックの位相を調整して前記複数のクロックを出力
する複数の第2DLL回路とを備え、 前記第1DLL回路は、前記複数のクロックの内の少な
くとも1つのクロックが最適な位相に対して所定の位相
差範囲内であるか、該所定の位相差範囲内でない時には
進んでいるか遅れているかを判定し、その判定結果に基
づいて位相調整量を変化させ、 各第2DLL回路は、前記複数のクロックがそれぞれ最
適な位相に対して進んでいるか遅れているかを判定し、
その判定結果に基づいて位相調整量を変化させることを
特徴とするクロック発生回路。1. A clock generation circuit for generating a plurality of clocks adjusted to an optimum phase for each of a plurality of targets based on a received reception clock, wherein a delay amount for delaying the reception clock is adjusted stepwise. A first DLL circuit that adjusts the phase of the reception clock to output a coarse adjustment clock and adjusts a delay amount that is provided for each of the plurality of targets and delays the coarse adjustment clock in a stepwise manner. And a plurality of second DLL circuits for adjusting the phase of the coarse adjustment clock to output the plurality of clocks, wherein the first DLL circuit is configured such that at least one of the plurality of clocks has an optimum phase. If it is within the predetermined phase difference range or not within the predetermined phase difference range, it is determined whether the vehicle is advanced or delayed, and the phase adjustment is performed based on the determination result. Each second DLL circuit determines whether each of the plurality of clocks is advanced or delayed with respect to an optimal phase,
A clock generation circuit for changing a phase adjustment amount based on a result of the determination.
って、 前記第1DLL回路の1段の遅延量は、前記複数の第2
DLL回路の1段の遅延量より大きいクロック発生回
路。2. The clock generation circuit according to claim 1, wherein a delay amount of one stage of said first DLL circuit is equal to said plurality of second DLL circuits.
A clock generation circuit larger than the delay amount of one stage of the DLL circuit.
路であって、 前記第1DLL回路は、前記遅延量が独立に調整された
複数の粗調整クロックを出力することが可能であり、前
記複数のクロックのすべてがそれぞれ最適な位相に対し
て所定の位相差範囲内であるか、該所定の位相差範囲内
でない時には進んでいるか遅れているかを判定し、その
判定結果に基づいて、各第2DLL回路毎に遅延量が独
立に調整された粗調整クロックを出力するクロック発生
回路。3. The clock generation circuit according to claim 1, wherein the first DLL circuit is capable of outputting a plurality of coarsely adjusted clocks whose delay amounts are independently adjusted. It is determined whether all of the plurality of clocks are within a predetermined phase difference range with respect to the optimum phase, respectively, or are advanced or delayed when not within the predetermined phase difference range, and based on the determination result, A clock generation circuit that outputs a coarse adjustment clock whose delay amount is independently adjusted for each second DLL circuit.
って、 前記第1DLL回路は、 前記受信クロックを段階的に遅延させるディレイ回路
と、 該ディレイ回路の各段の出力を、各第2DLL回路に出
力するかしないかを切り換えるスイッチ列とを備え、 前記複数のクロックのすべてに対する判定結果の基づい
て、前記スイッチ列において導通させるスイッチを選択
するクロック発生回路。4. The clock generation circuit according to claim 3, wherein the first DLL circuit delays the reception clock in a stepwise manner, and outputs an output of each stage of the delay circuit to a second DLL. And a switch train for switching whether to output to the circuit or not. A clock generation circuit for selecting a switch to be turned on in the switch train based on a determination result for all of the plurality of clocks.
クロック発生回路であって、 前記第1DLL回路及び前記第2DLL回路は、調整さ
れた遅延量を保持するラッチ機能を有するクロック発生
回路。5. The clock generation circuit according to claim 1, wherein the first DLL circuit and the second DLL circuit have a latch function of holding an adjusted delay amount. circuit.
いて発生された内部クロックを分配するクロック分配回
路と、 該クロック分配回路から供給される前記内部クロックか
ら、複数のローカルクロックを発生するローカルクロッ
ク発生回路とを備える半導体装置であって、 前記ローカルクロック発生回路は、 前記内部クロックを遅延させる遅延量を段階的に調整す
ることにより、前記内部クロックの位相を調整して粗調
整クロックを出力する第1DLL回路と、 前記粗調整クロックを遅延させる遅延量を段階的に調整
することにより前記粗調整クロックの位相を調整して前
記複数のローカルクロックを出力する複数の第2DLL
回路とを備え、 前記第1DLL回路は、前記複数のローカルクロックの
内の少なくとも1つのローカルクロックが最適な位相に
対して所定の位相差範囲内であるか、該所定の位相差範
囲内でない時には進んでいるか遅れているかを判定し、
その判定結果に基づいて位相調整量を変化させ、 各第2DLL回路は、前記複数のクロックがそれぞれ最
適な位相に対して進んでいるか遅れているかを判定し、
その判定結果に基づいて位相調整量を変化させることを
特徴とする半導体装置。6. A clock distribution circuit for distributing an internal clock generated based on a received clock input from the outside, and a local clock for generating a plurality of local clocks from the internal clock supplied from the clock distribution circuit A local clock generating circuit that adjusts a phase of the internal clock by adjusting a delay amount for delaying the internal clock in a stepwise manner and outputs a coarsely adjusted clock. A first DLL circuit, and a plurality of second DLLs for adjusting the phase of the coarse adjustment clock to output the plurality of local clocks by adjusting a delay amount for delaying the coarse adjustment clock stepwise.
A first DLL circuit, when at least one local clock of the plurality of local clocks is within a predetermined phase difference range with respect to an optimum phase or is not within the predetermined phase difference range. Determine whether it is ahead or behind,
The phase adjustment amount is changed based on the determination result, and each second DLL circuit determines whether each of the plurality of clocks is advanced or delayed with respect to the optimal phase,
A semiconductor device, wherein a phase adjustment amount is changed based on a result of the determination.
複数の粗調整クロックを出力することが可能であり、前
記複数のクロックのすべてがそれぞれ最適な位相に対し
て所定の位相差範囲内であるか、該所定の位相差範囲内
でない時には進んでいるか遅れているかを判定し、その
判定結果に基づいて、各第2DLL回路毎に遅延量が独
立に調整された粗調整クロックを出力する半導体装置。7. The semiconductor device according to claim 6, wherein said first DLL circuit is capable of outputting a plurality of coarsely adjusted clocks whose delay amounts are independently adjusted, and wherein said plurality of clocks are output. Are determined to be within a predetermined phase difference range with respect to the optimum phase, respectively, or to be advanced or delayed when not within the predetermined phase difference range. Based on the determination result, each second DLL circuit A semiconductor device that outputs a coarse adjustment clock whose delay amount is independently adjusted for each.
ローカルクロックのエッジに同期してそれぞれ取り込む
半導体装置。8. The semiconductor device according to claim 6, wherein said semiconductor device takes in input data in synchronization with edges of said plurality of local clocks.
れ取り込まれた前記入力データを共通の再同期クロック
で再同期化する再同期回路を備える半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 8, wherein a resynchronization circuit for resynchronizing the input data respectively taken in synchronization with edges of the plurality of local clocks by a common resynchronization clock is provided. Semiconductor device.
て、 前記クロック分配回路は、前記内部クロックの分配先ま
での配線距離と負荷が等しいHツリー状配線を有する半
導体装置。10. The semiconductor device according to claim 6, wherein said clock distribution circuit has an H tree-shaped wiring having a load equal to a wiring distance to a distribution destination of said internal clock.
て、 前記クロック分配回路は、 前記内部クロックを往復して伝達する往復配線と、 該往復配線に沿って設けられ、往復する前記内部クロッ
クを受信して往復する前記内部クロックの中間の位相の
補正内部クロックを発生するローカルクロックバッファ
とを備える半導体装置。11. The semiconductor device according to claim 6, wherein the clock distribution circuit includes a reciprocating wiring for transmitting and reciprocating the internal clock, and the internal clock provided along the reciprocating wiring and reciprocating. And a local clock buffer for generating a corrected internal clock having an intermediate phase between the internal clocks which reciprocates the received internal clock.
て、 前記第1DLL回路の1段の遅延量は、前記複数の第2
DLL回路の1段の遅延量より大きい半導体装置。12. The semiconductor device according to claim 6, wherein a delay amount of one stage of said first DLL circuit is equal to said plurality of second DLL circuits.
A semiconductor device larger than the delay amount of one stage of the DLL circuit.
て、 前記第1DLL回路は、前記遅延量が独立に調整された
複数の粗調整クロックを出力することが可能であり、前
記複数のクロックのすべてがそれぞれ最適な位相に対し
て所定の位相差範囲内であるか、該所定の位相差範囲内
でない時には進んでいるか遅れているかを判定し、その
判定結果に基づいて、各第2DLL回路毎に遅延量が独
立に調整された粗調整クロックを出力する半導体装置。13. The semiconductor device according to claim 6, wherein said first DLL circuit is capable of outputting a plurality of coarsely adjusted clocks whose delay amounts are independently adjusted, and wherein said plurality of clocks are output. Are determined to be within a predetermined phase difference range with respect to the optimum phase, respectively, or to be advanced or delayed when not within the predetermined phase difference range. Based on the determination result, each second DLL circuit A semiconductor device that outputs a coarse adjustment clock whose delay amount is independently adjusted for each.
て、 前記第1DLL回路は、 前記受信クロックを段階的に遅延させるディレイ回路
と、 該ディレイ回路の各段の出力を、各第2DLL回路に出
力するかしないかを切り換えるスイッチ列とを備え、 前記複数のクロックのすべてに対する判定結果の基づい
て、前記スイッチ列において導通させるスイッチを選択
する半導体装置。14. The semiconductor device according to claim 13, wherein said first DLL circuit delays said reception clock stepwise, and outputs each stage of said delay circuit to a second DLL circuit. And a switch array for switching whether or not to output to the plurality of clocks, and selecting a switch to be turned on in the switch array based on a determination result for all of the plurality of clocks.
て、 前記第1DLL回路及び前記第2DLL回路は、調整さ
れた遅延量を保持するラッチ機能を有する半導体装置。15. The semiconductor device according to claim 6, wherein said first DLL circuit and said second DLL circuit have a latch function of holding an adjusted delay amount.
て、 当該半導体装置は、前記第1及び第2DLL回路の遅延
量を調整するキャリブレーションモードを備え、 該キャリブレーションモード終了後には、前記第1及び
第2DLL回路は、前記キャリブレーションモード終了
時の遅延量を保持する半導体装置。16. The semiconductor device according to claim 15, further comprising: a calibration mode for adjusting a delay amount of said first and second DLL circuits; A semiconductor device in which first and second DLL circuits hold a delay amount when the calibration mode ends.
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