JPH10335256A - Laser annealing apparatus of liquid crystal substrate - Google Patents

Laser annealing apparatus of liquid crystal substrate

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JPH10335256A
JPH10335256A JP14130697A JP14130697A JPH10335256A JP H10335256 A JPH10335256 A JP H10335256A JP 14130697 A JP14130697 A JP 14130697A JP 14130697 A JP14130697 A JP 14130697A JP H10335256 A JPH10335256 A JP H10335256A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal substrate
homogenizer
laser beam
sectional
Prior art date
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Application number
JP14130697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Harada
真 原田
Shiro Hamada
史郎 浜田
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable a liquid crystal substate placed in a vacuum chamber to be selectively irradiated with a laser beam from different directions without making the liquid crystal substrate pivot, by a method wherein a beam sectional direction change optical system which changes the sectional direction of a laser beam incident on a homogenizer interlocking with the pivoting homogenizer is provided. SOLUTION: When a liquid crystal substrate 16 is irradiated with an long beam 14 in the longitudinal direction of the liquid crystal substrate 16, mirrors 72 and 78 are moved back by air cylinders 84 and 88, and a mirror 80 is moved forth by an air cylinder 92. As a result, a laser beam 10 is reflected from the mirrors 76 and 80 and incident on a homogenizer 12 making its sectional form conform to the direction of the homogenizer 12 or the longitudinal direction of the long beam 14. Therefore, the pivoting angle of the homogenize 12 and the sectional form of the laser beam 10 incident on the homogenizer 12 can be regulated conforming to a change in the direction of irradiation of the liquid crystal substrate 16 which is placed in a vacuum chamber and hard to pivot.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶基板のレーザ
アニーリング装置に係り、特に、アモルファスシリコン
の液晶基板に、レーザビームを照射してアニーリング
し、ポリシリコンに改質する際に用いるのに好適な、改
質が必要な部分に選択的にレーザビームを照射可能な、
液晶基板のレーザアニーリング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser annealing apparatus for a liquid crystal substrate, and more particularly to a laser annealing method for irradiating a liquid crystal substrate made of amorphous silicon with a laser beam to reform the liquid crystal substrate into polysilicon. It is possible to selectively irradiate the laser beam to the parts that need reforming,
The present invention relates to a laser annealing device for a liquid crystal substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】アモルファスシリコンの液晶基板にレー
ザビームを照射してアニーリングし、ポリシリコンに改
質することが行われている。このレーザビーム照射に際
して、従来は、例えば図12に示す如く、断面形状が縦
35mm×横25mmのエキシマレーザ光10を、全反
射ミラー11及び方向性を有するホモジナイザ12を通
して、例えば幅1mm×長さ200mmの長尺ビーム1
4に変形し、これを液晶基板16に照射して、そのアニ
ーリングを行うようにしていた。具体的には、図13に
示す如く、長尺ビーム14が幅方向に例えば90%オー
バーラップするように、液晶基板16を例えば0.1m
mずつ矢印A方向に送りながら、液晶基板16の全面に
レーザビームを照射するようにしていた。
2. Description of the Related Art A liquid crystal substrate made of amorphous silicon is irradiated with a laser beam to anneal the liquid crystal substrate so that the substrate is modified into polysilicon. Conventionally, at the time of this laser beam irradiation, for example, as shown in FIG. 12, an excimer laser beam 10 having a cross-sectional shape of 35 mm long × 25 mm wide is passed through a total reflection mirror 11 and a homogenizer 12 having directivity, for example, with a width of 1 mm × length. 200mm long beam 1
4 and irradiate the liquid crystal substrate 16 with this to anneal it. Specifically, as shown in FIG. 13, the liquid crystal substrate 16 is set to, for example, 0.1 m so that the long beams 14 overlap by 90% in the width direction.
The laser beam was applied to the entire surface of the liquid crystal substrate 16 while being fed in the direction of arrow A by m.

【0003】しかしながら、この全面照射では、オーバ
ーラップライン18の痕跡が、例えば0.1mm刻みの
縞として残り、これが最終のディスプレイ画面で、雨の
ような模様に現われる現象となるため、不良品を多く出
していた。
However, in this full-surface irradiation, traces of the overlap line 18 remain as stripes, for example, in increments of 0.1 mm, which appear on the final display screen as a rain-like pattern. Many were out.

【0004】そこで、図14に示すような、例えばディ
スプレイを6枚取る6枚取りの液晶基板16において、
ディスプレイ表示部20は、アモルファスシリコンのま
まで問題はなく、スイッチングさせる周辺駆動回路部2
2のみポリシリコン化すればよいことに着目して、周辺
駆動回路部22のみにレーザビームを選択的に照射し
て、無駄な照射を無くし、効率化すると共に、前記オー
バーラップライン18の発生を防止することが考えられ
る。
Therefore, as shown in FIG. 14, for example, in a six-panel liquid crystal substrate 16 that takes six displays,
There is no problem if the display display unit 20 is amorphous silicon, and the peripheral drive circuit unit 2 for switching is used.
Focusing on the fact that only the polysilicon 2 needs to be made into polysilicon, only the peripheral drive circuit section 22 is selectively irradiated with a laser beam, thereby eliminating unnecessary irradiation, improving efficiency, and reducing the generation of the overlap line 18. It is possible to prevent it.

【0005】一方、このような選択照射を行う場合に
は、周辺駆動回路部22の方向が、ディスプレイ表示部
20の上下と左右で90°異なるため、長尺ビーム14
の照射方向も、これに合わせて、90°変える必要があ
る。
On the other hand, when such selective irradiation is performed, the direction of the peripheral drive circuit section 22 is different by 90 ° between the upper and lower sides and the left and right sides of the display section 20.
It is necessary to change the irradiation direction by 90 ° in accordance with this.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
全面照射時のように、ホモジナイザ12を含む光学系は
固定したまま、液晶基板16側を移動(90°回動)す
るようにしたのでは、液晶基板16が収納された真空チ
ャンバ内に回動機構を設ける必要があり、真空チャンバ
がコンタミネーションにより汚れてしまう可能性があ
る。又、ステッピングモータやエンコーダ等を含む回動
機構は、高温(真空チャンバ内は400℃程度になる)
に弱く、劣化を早く起こし、精度劣化も生じる等の問題
点が考えられる。
However, if the optical system including the homogenizer 12 is fixed and the liquid crystal substrate 16 is moved (rotated by 90 °) as in the conventional full-surface irradiation, It is necessary to provide a rotation mechanism in the vacuum chamber in which the liquid crystal substrate 16 is stored, and the vacuum chamber may be contaminated by contamination. Also, the rotating mechanism including the stepping motor and the encoder has a high temperature (the temperature in the vacuum chamber is about 400 ° C.)
It is susceptible to problems such as weakness, early deterioration, and accuracy deterioration.

【0007】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、真空チャンバ内に置かれる液晶基板
側を回動させることなく、方向の異なる選択照射を可能
にすることを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and has as its object to enable selective irradiation in different directions without rotating a liquid crystal substrate placed in a vacuum chamber. I do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、断面形状に異
方性があるレーザビームを、方向性を有するホモジナイ
ザを通して液晶基板に照射し、アニーリングを行う液晶
基板のレーザアニーリング装置において、液晶基板への
レーザビーム照射方向に合わせて、ホモジナイザを回動
するホモジナイザ回動機構と、該ホモジナイザの回動に
合わせて、ホモジナイザに入射するレーザビームの断面
方向を変更するためのビーム断面方向変更用光学系とを
備えることにより、前記課題を解決したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a laser annealing apparatus for irradiating a liquid crystal substrate with a laser beam having an anisotropic cross-sectional shape through a directional homogenizer to anneal the liquid crystal substrate. A homogenizer rotation mechanism for rotating the homogenizer in accordance with the direction of laser beam irradiation to the laser beam, and a beam cross-sectional direction changing optical element for changing the cross-sectional direction of the laser beam incident on the homogenizer in accordance with the rotation of the homogenizer The above-mentioned problem has been solved by providing a system.

【0009】又、前記ビーム断面方向変更用光学系を、
レーザビームの光路中に出入れ可能な全反射ミラーを用
いて構成し、ビーム断面方向を90°変更可能としたも
のである。
Further, the beam cross-section direction changing optical system is
It is configured by using a total reflection mirror that can enter and exit the optical path of the laser beam, and the beam cross-sectional direction can be changed by 90 °.

【0010】更に、液晶基板固定方向の基準方向からの
ずれに対応して、前記全反射ミラーの反射面を微調整可
能としたものである。
Further, the reflection surface of the total reflection mirror can be finely adjusted in accordance with the deviation of the liquid crystal substrate fixing direction from the reference direction.

【0011】又、液晶基板固定方向の基準方向からのず
れを検知する手段を、前記ホモジナイザと共に回動する
ように設けたものである。
Further, means for detecting a deviation of the liquid crystal substrate fixing direction from the reference direction is provided so as to rotate together with the homogenizer.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0013】本実施形態の全体構成を、図1(正面から
見た断面図)、図2(側面から見た断面図)、図3(上
面から見た中央部の断面図)、図4(上面から見た拡大
図)に示す。
FIG. 1 (a cross-sectional view as viewed from the front), FIG. 2 (a cross-sectional view as viewed from the side), FIG. 3 (a cross-sectional view at the center viewed from the upper surface), and FIG. (Enlarged view from above).

【0014】アニーリングの対象である液晶基板16
は、例えばボールねじ28によってX軸方向(液晶基板
16の長手方向、図13のA方向)に移動可能なキャリ
ア30上に配設されたヒータ32上に配置されている。
この液晶基板16、ヒータ32及びキャリア30は、共
に、真空チャンバ34内に収容されている。真空チャン
バ34は、架台36の上に載せられ、その上面のホモジ
ナイザ12と対向する位置には、長尺ビームを通過させ
るためのウィンドウ38が設けられている。
The liquid crystal substrate 16 to be annealed
Is disposed on a heater 32 disposed on a carrier 30 movable in the X-axis direction (longitudinal direction of the liquid crystal substrate 16, A direction in FIG. 13) by a ball screw 28, for example.
The liquid crystal substrate 16, the heater 32, and the carrier 30 are all housed in a vacuum chamber. The vacuum chamber 34 is mounted on a gantry 36, and a window 38 for passing a long beam is provided at a position on the upper surface facing the homogenizer 12.

【0015】真空チャンバ34上方の液晶基板16と対
向する位置には、従来と同様のホモジナイザ12が設け
られている。このホモジナイザ12は、図2に示す如
く、上部のクロスローラベアリング42及び下部の玉軸
受44によって外筒40内に回動自在に支持された内筒
46に固定され、回動自在とされている。前記内筒46
は、その上端に取り付けられた大プーリ48、前記外筒
40の側面に取り付けられたサーボモータ50によって
回動される小プーリ52、及び、大プーリ48と小プー
リ52間に掛け渡されたスチールベルト54により、サ
ーボモータ50の回転に応じてバックラッシュなしで回
動するようにされている。
At a position facing the liquid crystal substrate 16 above the vacuum chamber 34, a homogenizer 12 similar to the conventional one is provided. As shown in FIG. 2, the homogenizer 12 is fixed to an inner cylinder 46 rotatably supported in an outer cylinder 40 by an upper cross roller bearing 42 and a lower ball bearing 44, and is rotatable. . The inner cylinder 46
Is a large pulley 48 attached to the upper end thereof, a small pulley 52 rotated by a servomotor 50 attached to the side surface of the outer cylinder 40, and a steel bridged between the large pulley 48 and the small pulley 52. The belt 54 is configured to rotate without backlash according to the rotation of the servomotor 50.

【0016】前記外筒40の側面は、図1に示す如く、
移動ベース58に取り付けられ、Y軸フレーム60に固
定されたY軸ベース62の端部に固定されたサーボモー
タ64(図2参照)により回転駆動されるボールねじ6
8によって、Y軸方向に移動可能とされている。従っ
て、サーボモータ64を回転することによって、液晶基
板16に対する長尺ビームのY軸方向の照射位置を変え
ることができる。
The side surface of the outer cylinder 40 is, as shown in FIG.
A ball screw 6 attached to a moving base 58 and rotated by a servomotor 64 (see FIG. 2) fixed to an end of a Y-axis base 62 fixed to a Y-axis frame 60.
8 allows movement in the Y-axis direction. Therefore, by rotating the servomotor 64, the irradiation position of the long beam on the liquid crystal substrate 16 in the Y-axis direction can be changed.

【0017】前記外筒40の上面には光学系ベース70
が配設され、該光学系ベース70の上に、図4に示す如
く、ホモジナイザ12の回動に合わせてホモジナイザに
入射するレーザビームの断面方向を変更するための、5
つの全反射ミラー(以下、単にミラーと称する)72、
74、76、78、80を含むビーム断面変更用光学系
71が設けられている。
An optical system base 70 is provided on the upper surface of the outer cylinder 40.
4 is provided on the optical system base 70 for changing the sectional direction of the laser beam incident on the homogenizer in accordance with the rotation of the homogenizer 12 as shown in FIG.
Two total reflection mirrors (hereinafter simply referred to as mirrors) 72,
A beam cross section changing optical system 71 including 74, 76, 78, and 80 is provided.

【0018】前記ミラーのうち、ミラー72、74、7
6は、水平方向に入射するレーザ光10を同じ水平面内
で90°方向に反射するようにされ、前記ミラー78、
80は、水平面内を進んできたレーザ光をホモジナイザ
12向けて下方向に反射するようにされている。
Of the mirrors, mirrors 72, 74, 7
The mirror 6 reflects the laser beam 10 incident in the horizontal direction in the 90 ° direction in the same horizontal plane.
The laser beam 80 reflects the laser beam traveling in the horizontal plane downward toward the homogenizer 12.

【0019】前記ミラー72は、図5に詳細に示す如
く、一対のガイドロッド83にガイドされ、中央の細長
いエアシリンダ84によって前後動(図4の矢印B方
向)に移動可能な直進ステージ82上に載置されてい
る。このミラー72の反射面の角度は、マイクロメータ
ヘッド73により微調整可能とされている。
As shown in detail in FIG. 5, the mirror 72 is guided by a pair of guide rods 83, and is movable on a rectilinear stage 82 which can be moved back and forth (in the direction of arrow B in FIG. 4) by a central elongated air cylinder 84. It is placed on. The angle of the reflection surface of the mirror 72 can be finely adjusted by a micrometer head 73.

【0020】前記ミラー74、76は、図6にミラー7
4で例示する如く、マイクロメータヘッド75(77)
及びエンコーダ付モータ94(98)によって、反射面
のあおり角度が微調整可能とされると共に、エンコーダ
付モータ100(102)によって、前後位置が調整可
能なステージ104(106)上に載置されている。
The mirrors 74 and 76 are mirrors 7 in FIG.
4, the micrometer head 75 (77)
In addition, the tilt angle of the reflection surface can be finely adjusted by the motor with encoder 94 (98), and the encoder is mounted on the stage 104 (106) whose front and rear position can be adjusted by the motor with encoder 100 (102). I have.

【0021】前記ミラー78、80は、図7にミラー7
8で例示する如く、一対のガイドロッド87(91)に
ガイドされ、中央の細長いエアシリンダ88(92)に
よって前後動(ミラー78は図4の矢印C方向、ミラー
80は同じく矢印D方向)に移動可能とされた直進ステ
ージ86(90)上に、下向き45°の角度で固定され
ている。このミラー86、90の反射面の角度は、マイ
クロメータヘッド79(81)により微調整可能とされ
ている。
The mirrors 78 and 80 are shown in FIG.
As illustrated in FIG. 8, the guide rod 87 (91) is guided by a pair of guide rods 87 (91), and is moved back and forth by a central elongated air cylinder 88 (92) (the mirror 78 is in the direction of arrow C in FIG. The movable stage 86 (90) is fixed at a downward angle of 45 ° on the movable stage 86 (90). The angles of the reflecting surfaces of the mirrors 86 and 90 can be finely adjusted by a micrometer head 79 (81).

【0022】前記ミラー72、78は、例えばホモジナ
イザ12の方向が0°であるときに、図8に示す如く、
エアシリンダ84、88によってレーザ光10の光路中
に挿入されて、レーザ光10を、それぞれミラー74及
びホモジナイザ12の方向に反射し、一方、ホモジナイ
ザ12の方向が90°であるときは、レーザ光10の光
路から退避するようにされている。
When the direction of the homogenizer 12 is 0 °, for example, as shown in FIG.
The laser beam 10 is inserted into the optical path of the laser beam 10 by the air cylinders 84 and 88, and reflects the laser beam 10 in the direction of the mirror 74 and the homogenizer 12, respectively. On the other hand, when the direction of the homogenizer 12 is 90 °, the laser beam 10 The optical path is retracted from ten optical paths.

【0023】前記ミラー80は、例えばホモジナイザ1
2の方向が90°であるときに、図9に示す如く、レー
ザ光の光路中に挿入され、ミラー76によって反射され
てきたレーザ光を、下方のホモジナイザ12方向に反射
するようにされている。一方、ホモジナイザ12の方向
が0°であるときには、レーザ光10の光路から退避す
るようにされている。
The mirror 80 is, for example, a homogenizer 1
When the direction 2 is 90 °, as shown in FIG. 9, the laser light inserted into the optical path of the laser light and reflected by the mirror 76 is reflected toward the lower homogenizer 12. . On the other hand, when the direction of the homogenizer 12 is 0 °, the homogenizer 12 is retracted from the optical path of the laser light 10.

【0024】前記内筒46のホモジナイザ12先端近傍
には、図2に示すように、液晶基板16に設けられた、
図14に示したようなアライメントマーク24を検出す
るための、一対のCCTV鏡筒108、110が並設さ
れている。
In the vicinity of the end of the homogenizer 12 of the inner tube 46, as shown in FIG.
A pair of CCTV lens barrels 108 and 110 for detecting the alignment mark 24 as shown in FIG.

【0025】以下実施形態の作用を説明する。The operation of the embodiment will be described below.

【0026】図8に示す如く、液晶基板16の幅方向に
長い長尺ビーム14を照射する場合、即ち、ホモジナイ
ザ12の方向が0°である場合には、図4に示した如
く、エアシリンダ92によりミラー80を後退させる一
方、エアシリンダ84、88により、ミラー72、78
を前進させ、レーザ光10の光路中に挿入する。する
と、レーザ光10は、図8に示した如く、ミラー72、
74、78で反射され、ホモジナイザ12の方向、即
ち、形成すべき長尺ビーム14の長手方向と断面形状が
合った状態で、ホモジナイザ12に入射する。
As shown in FIG. 8, when irradiating the long beam 14 long in the width direction of the liquid crystal substrate 16, that is, when the direction of the homogenizer 12 is 0 °, as shown in FIG. 92, the mirror 80 is retracted, while the air cylinders 84, 88 cause the mirrors 72, 78 to retract.
Is advanced and inserted into the optical path of the laser beam 10. Then, as shown in FIG.
The light is reflected at 74 and 78 and enters the homogenizer 12 in a state where the cross-sectional shape matches the direction of the homogenizer 12, that is, the longitudinal direction of the long beam 14 to be formed.

【0027】一方、液晶基板16の長手方向に長い長尺
ビーム14を照射したい場合には、エアシリンダ84、
88によりミラー72、78を後退させる一方、エアシ
リンダ92によりミラー80を前進させる。すると、図
9に示す如く、レーザ光10はミラー76、80で反射
され、ホモジナイザ12の方向、即ち、長尺ビーム14
の長手方向と断面形状が合った状態で、ホモジナイザ1
2に入射する。
On the other hand, when it is desired to irradiate the long beam 14 long in the longitudinal direction of the liquid crystal substrate 16, the air cylinder 84,
While the mirrors 72 and 78 are retracted by 88, the mirror 80 is advanced by the air cylinder 92. Then, as shown in FIG. 9, the laser beam 10 is reflected by the mirrors 76 and 80, and is directed in the direction of the homogenizer 12, that is, the long beam 14
When the cross-sectional shape matches the longitudinal direction of the
2 is incident.

【0028】従って、真空チャンバ34内にあり、回動
することが困難な液晶基板16を回動することなく、液
晶基板16上の照射方向の変化に合わせて、ホモジナイ
ザ12の回動角度、及び、これに入射するレーザ光10
の断面形状を調整することができる。
Therefore, the rotation angle of the homogenizer 12 and the rotation angle of the homogenizer 12 are adjusted according to the change of the irradiation direction on the liquid crystal substrate 16 without rotating the liquid crystal substrate 16 which is in the vacuum chamber 34 and is difficult to rotate. , The laser light 10 incident thereon
Can be adjusted in cross section.

【0029】なお、実際のレーザ照射に際しては、図1
0に示す如く、液晶基板16がキャリア30上の基準方
向(X)からずれて配置されることがある。この場合に
は、CCTV鏡筒108、110を介して検出されるア
ライメントマーク24の位置に合わせて、内筒46、即
ち、ホモジナイザ12を角度θだけ回動し、ホモジナイ
ザ12によって形成される長尺ビーム14の照射方向を
液晶基板16の照射位置と合わせることができるが、光
学系71によって形成されるレーザ光10のホモジナイ
ザ12に対する入射角度は若干ずれてしまう。そこで、
図11に示す如く、まずエンコーダ付モータ94、98
によってミラー74(方向0°の場合)、又はミラー7
6(方向90°の場合)のあおり角度を調整し、次い
で、このあおり調整によってずれた位置を、エンコーダ
付モータ100、102によってミラー74、76の前
後位置を調整することにより、アライメント調整による
ホモジナイザ12の微少回動に合わせて、これに入射す
るレーザ光の断面形状を微少調整することができる。
In actual laser irradiation, FIG.
0, the liquid crystal substrate 16 may be arranged on the carrier 30 so as to be shifted from the reference direction (X). In this case, the inner cylinder 46, that is, the homogenizer 12 is rotated by an angle θ in accordance with the position of the alignment mark 24 detected via the CCTV lens barrels 108 and 110, and a long image formed by the homogenizer 12 is formed. Although the irradiation direction of the beam 14 can be matched with the irradiation position of the liquid crystal substrate 16, the incident angle of the laser beam 10 formed by the optical system 71 with respect to the homogenizer 12 is slightly shifted. Therefore,
As shown in FIG. 11, first, motors with encoders 94 and 98 are provided.
Mirror 74 (in the case of direction 0 °) or mirror 7
6 (in the case of a direction of 90 °), the position shifted by the tilt adjustment is adjusted by adjusting the front and rear positions of the mirrors 74 and 76 by the motors 100 and 102 with encoders. In accordance with the minute rotation of 12, the cross-sectional shape of the laser beam incident thereon can be finely adjusted.

【0030】本実施形態においては、5枚のミラー7
2、74、76、78、80を用いて、ホモジナイザ1
2の方向が0°、90°の場合で、レーザ光の光路長が
変わらないようにしているので、レーザ光の断面サイズ
が光路長によって変化する場合でも、高精度の照射を行
うことができる。
In this embodiment, five mirrors 7
Homogenizer 1 using 2, 74, 76, 78, 80
Since the optical path length of the laser light does not change when the direction of 2 is 0 ° or 90 °, high-precision irradiation can be performed even when the cross-sectional size of the laser light changes according to the optical path length. .

【0031】本実施形態においては、ホモジナイザの回
動に合わせて、ホモジナイザに入射するレーザビームの
断面方向を変更するためのビーム断面方向変更用光学系
を、5枚のミラーを用いて構成しているので、構成が簡
略である。なお、ビーム断面方向変更用光学系の構成
は、これに限定されず、ミラーの数を変えたり、プリズ
ムを用いたりすることも可能である。
In this embodiment, a beam sectional direction changing optical system for changing the sectional direction of the laser beam incident on the homogenizer in accordance with the rotation of the homogenizer is constituted by using five mirrors. Therefore, the configuration is simple. The configuration of the beam cross-section direction changing optical system is not limited to this, and the number of mirrors can be changed or a prism can be used.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によれば、液晶基板を回動するこ
となく、方向の異なる選択照射が可能になる。従って、
真空チャンバ内に液晶基板を回動するための機構を設け
る必要がなく、真空チャンバ内のコンタミネーションを
防止することができる。又、高温の真空チャンバ内に回
転機構を設けた場合の回転機構の寿命劣化や、精度低下
を防止することができる。
According to the present invention, selective irradiation in different directions can be performed without rotating the liquid crystal substrate. Therefore,
There is no need to provide a mechanism for rotating the liquid crystal substrate in the vacuum chamber, so that contamination in the vacuum chamber can be prevented. In addition, it is possible to prevent the life of the rotating mechanism from being shortened and the accuracy from being lowered when the rotating mechanism is provided in a high-temperature vacuum chamber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る液晶基板のレーザアニーリング装
置の実施形態の全体構成を示す、正面から見た断面図
FIG. 1 is a front cross-sectional view showing the overall configuration of an embodiment of a liquid crystal substrate laser annealing apparatus according to the present invention.

【図2】同じく側面から見た断面図FIG. 2 is a sectional view of the same side view.

【図3】同じく上面から見た中央部の断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of a central portion also seen from the top.

【図4】同じくビーム断面方向変更用光学系の構成を示
す拡大上面図
FIG. 4 is an enlarged top view showing the configuration of an optical system for changing the beam cross-sectional direction in the same manner.

【図5】前記光学系の一部のミラーの取付状態を示す斜
視図
FIG. 5 is a perspective view showing an attached state of some mirrors of the optical system.

【図6】同じく他のミラーの取付状態を示す斜視図FIG. 6 is a perspective view showing a mounting state of another mirror.

【図7】同じく更に他のミラーの取付状態を示す斜視図FIG. 7 is a perspective view showing a mounting state of still another mirror.

【図8】ホモジナイザの方向が0°のときのレーザ光の
照射状態を示す要部斜視図
FIG. 8 is an essential part perspective view showing a laser beam irradiation state when the direction of the homogenizer is 0 °.

【図9】ホモジナイザの方向が90°であるときのレー
ザ光の照射状況を示す要部斜視図
FIG. 9 is a main part perspective view showing a laser light irradiation state when the direction of the homogenizer is 90 °.

【図10】前記実施形態のアライメント調整方法を説明
するための平面図
FIG. 10 is a plan view for explaining the alignment adjusting method of the embodiment.

【図11】同じく、アライメント調整に合わせてレーザ
断面形状を微調整する方法を説明する線図
FIG. 11 is a diagram illustrating a method of finely adjusting the laser cross-sectional shape in accordance with the alignment adjustment.

【図12】ホモジナイザと液晶基板の関係の例を示す斜
視図
FIG. 12 is a perspective view showing an example of a relationship between a homogenizer and a liquid crystal substrate.

【図13】従来の全面照射方法を説明するための平面図FIG. 13 is a plan view for explaining a conventional whole-surface irradiation method.

【図14】液晶基板におけるディスプレイ表示部と周辺
駆動回路部の例を示す平面図
FIG. 14 is a plan view showing an example of a display unit and a peripheral drive circuit unit on a liquid crystal substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…レーザ光 12…ホモジナイザ 14…長尺ビーム 16…液晶基板 20…ディスプレイ表示部 22…周辺駆動回路部 24…アライメントマーク 30…キャリア 32…ヒータ 34…真空チャンバ 36…架台 40…外筒 46…内筒 48、52…プーリ 50、64…サーボモータ 54…スチールベルト 56…直進ガイド 58…移動ベース 60…Y軸フレーム 62…Y軸ベース 70…光学系ベース 71…ビーム断面方向変更用光学系 72、74、76、78、80…全反射ミラー 82、86、90、104、106…ステージ 94、98、100、102…エンコーダ付モータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser beam 12 ... Homogenizer 14 ... Long beam 16 ... Liquid crystal substrate 20 ... Display display part 22 ... Peripheral drive circuit part 24 ... Alignment mark 30 ... Carrier 32 ... Heater 34 ... Vacuum chamber 36 ... Stand 40 ... Outer cylinder 46 ... Inner cylinder 48, 52 Pulley 50, 64 Servo motor 54 Steel belt 56 Linear guide 58 Moving base 60 Y-axis frame 62 Y-axis base 70 Optical system base 71 Optical system 72 for changing beam cross-sectional direction , 74, 76, 78, 80 ... Total reflection mirror 82, 86, 90, 104, 106 ... Stage 94, 98, 100, 102 ... Motor with encoder

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】断面形状に異方性があるレーザビームを、
方向性を有するホモジナイザを通して液晶基板に照射
し、アニーリングを行う液晶基板のレーザアニーリング
装置において、 液晶基板へのレーザビーム照射方向に合わせて、ホモジ
ナイザを回動するホモジナイザ回動機構と、 該ホモジナイザの回動に合わせて、ホモジナイザに入射
するレーザビームの断面方向を変更するためのビーム断
面方向変更用光学系とを備え、 液晶基板を回動することなく、方向の異なる選択照射を
可能にしたことを特徴とする液晶基板のレーザアニーリ
ング装置。
1. A laser beam having an anisotropic cross-sectional shape,
In a laser annealing apparatus for irradiating a liquid crystal substrate with a liquid crystal substrate through a directional homogenizer and performing annealing, a homogenizer rotation mechanism for rotating the homogenizer in accordance with a laser beam irradiation direction on the liquid crystal substrate, and a rotation of the homogenizer. A beam cross-sectional direction changing optical system for changing the cross-sectional direction of the laser beam incident on the homogenizer in accordance with the movement, enabling selective irradiation in different directions without rotating the liquid crystal substrate. Characteristic laser annealing equipment for liquid crystal substrates.
【請求項2】請求項1において、前記ビーム断面方向変
更用光学系が、レーザビームの光路中に出入れ可能な全
反射ミラーを用いて構成され、ビーム断面方向を90°
変更可能とされていることを特徴とする液晶基板のレー
ザアニーリング装置。
2. The optical system according to claim 1, wherein said beam sectional direction changing optical system is constituted by using a total reflection mirror which can enter and exit in the optical path of the laser beam, and has a beam sectional direction of 90 °.
A laser annealing apparatus for a liquid crystal substrate, wherein the apparatus can be changed.
【請求項3】請求項2において、液晶基板固定方向の基
準方向からのずれに対応して、前記全反射ミラーの反射
面が微調整可能とされていることを特徴とする液晶基板
のレーザアニーリング装置。
3. A laser annealing method for a liquid crystal substrate according to claim 2, wherein the reflecting surface of said total reflection mirror can be finely adjusted in accordance with a deviation of a liquid crystal substrate fixing direction from a reference direction. apparatus.
【請求項4】請求項1において、液晶基板固定方向の基
準方向からのずれを検知する手段が、前記ホモジナイザ
と共に回動するように設けられていることを特徴とする
液晶基板のレーザアニーリング装置。
4. A laser annealing apparatus for a liquid crystal substrate according to claim 1, wherein means for detecting a deviation of the liquid crystal substrate fixing direction from the reference direction is provided so as to rotate together with said homogenizer.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217126A (en) * 2001-01-12 2002-08-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Laser annealing method and its apparatus
CN100347814C (en) * 2004-01-30 2007-11-07 株式会社日立显示器 Laser annealing apparatus and annealing method
US7622374B2 (en) 2005-12-29 2009-11-24 Infineon Technologies Ag Method of fabricating an integrated circuit

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