JPH10321392A - Discharge lamp device - Google Patents

Discharge lamp device

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JPH10321392A
JPH10321392A JP12767997A JP12767997A JPH10321392A JP H10321392 A JPH10321392 A JP H10321392A JP 12767997 A JP12767997 A JP 12767997A JP 12767997 A JP12767997 A JP 12767997A JP H10321392 A JPH10321392 A JP H10321392A
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昇 山本
Kenji Yoneima
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To sufftciently supply energy to the secondary side of a transformer even when a battery voltage has dropped. SOLUTION: Switching frequency of a MOS transistor is set low with drop in battery voltage. By setting the switching frequency low according to drop in battery voltage, primary current is sufficiently increased not only when battery voltage is high but also when battery voltage is low. Therefore, the total energy W stored on the primary side of the transformer can be increased even when the battery voltage has dropped. Practically, the frequency of saw tooth waves formed with a saw tooth wave forming circuit 163 in a PWM control circuit according to drop in battery voltage is dropped with a frequency changing circuit 185b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高圧放電灯を点灯
する放電点灯装置に関し、特に車両用前照明灯装置に適
用して好適である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a discharge lighting device for lighting a high-pressure discharge lamp, and is particularly suitable for use in a vehicle headlight device.

【0002】[0002]

【従来の技術】車両用ランプに高圧放電灯(以下、放電
灯という)を用いる場合には、トランスを介して一次側
のバッテリー電圧(直流電源電圧)を高圧変換して、二
次側に配された放電灯の点灯を行っている。また、放電
灯点灯時においては二次側の放電灯へ所定エネルギー
(電力)を供給するように、トランスの一次側を流れる
電流を制御している。具体的には、一次電流は、スイッ
チとなるMOSトランジスタにて導通・遮断が制御さ
れ、このMOSトランジスタのオン・オフタイミング
(デューティー比)をPWM制御装置によって調整し、
これによりトランスの一次側電流を制御している。
2. Description of the Related Art When a high-pressure discharge lamp (hereinafter, referred to as a discharge lamp) is used for a vehicle lamp, a primary battery voltage (DC power supply voltage) is converted to a high voltage via a transformer and distributed to a secondary side. The discharge lamp is turned on. Further, when the discharge lamp is turned on, the current flowing through the primary side of the transformer is controlled so as to supply a predetermined energy (electric power) to the secondary side discharge lamp. Specifically, the conduction and cutoff of the primary current is controlled by a MOS transistor serving as a switch, and the ON / OFF timing (duty ratio) of the MOS transistor is adjusted by a PWM control device.
This controls the primary current of the transformer.

【0003】ここで、トランスとして、MOSトランジ
スタのオン時間に一次側にエネルギーを蓄えておき、M
OSトランジスタのオフ時間に蓄えられたエネルギーを
二次側へ供給するようなものを用いる場合には、一次側
に所定のエネルギーが蓄積されるまでMOSトランジス
タをオンさせておくようなオン・オフタイミングとなる
ようにPWM制御装置はMOSトランジスタのオン時間
を設定するようになっている。
Here, as a transformer, energy is stored on the primary side during the on-time of the MOS transistor, and M
When a device that supplies the energy stored during the off time of the OS transistor to the secondary side is used, on / off timing for turning on the MOS transistor until predetermined energy is stored in the primary side The PWM control device sets the ON time of the MOS transistor so that

【0004】すなわち、バッテリー電圧が低下した場合
には、バッテリ電圧が十分である場合に比してMOSト
ランジスタのオン時間が長時間に設定され、これにより
フライバックトランスの一次巻線にバッテリ電圧の高低
に係わらず、同等のエネルギーが蓄積されるようにして
いる。
That is, when the battery voltage drops, the on-time of the MOS transistor is set to be longer than when the battery voltage is sufficient, whereby the battery voltage of the primary winding of the flyback transformer is reduced. Regardless of the height, the same energy is stored.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで、バッテリー電
圧が十分な場合とバッテリー電圧が低下した場合におけ
る一次側の電流波形をそれぞれ図25(a)、(b)に
示す。但し、説明上簡略化するために、ここではトラン
スの二次側が巻線となっていない場合の波形を示す。
FIGS. 25A and 25B show current waveforms on the primary side when the battery voltage is sufficient and when the battery voltage is lowered, respectively. However, for the sake of simplicity, the waveforms when the secondary side of the transformer is not a winding are shown here.

【0006】図25(a)、(b)に示されるように、
MOSトランジスタのオン時間には一次側電流Iが所定
の時定数に従って増加していき、所定のエネルギーがフ
ライバックトランスの一次側に蓄積される。その後、こ
の蓄積されたエネルギーがMOSトランジスタのオフ時
間にフライバックトランスの二次側に供給される。この
とき、バッテリー電圧が十分にある場合にはMOSトラ
ンジスタのオフ時間が長いため、蓄積されたエネルギー
がフライバックトランスの二次側へ十分に供給される
が、バッテリー電圧が低下した場合にはMOSトランジ
スタのオフ時間が短いため、蓄積されたエネルギーの全
てがフライバックトランスの二次側に供給される以前に
MOSトランジスタのオン時間が来てしまい、十分なエ
ネルギー供給が行えなえないという問題がある。
As shown in FIGS. 25A and 25B,
During the ON time of the MOS transistor, the primary current I increases according to a predetermined time constant, and predetermined energy is stored in the primary side of the flyback transformer. Thereafter, the stored energy is supplied to the secondary side of the flyback transformer during the off time of the MOS transistor. At this time, when the battery voltage is sufficient, the off time of the MOS transistor is long, so that the stored energy is sufficiently supplied to the secondary side of the flyback transformer. Since the off-time of the transistor is short, the on-time of the MOS transistor comes before all the stored energy is supplied to the secondary side of the flyback transformer, and there is a problem that sufficient energy cannot be supplied. is there.

【0007】本発明は上記問題に鑑みたもので、直流電
源の電圧が低下した場合においても、トランスの二次側
へのエネルギー供給を十分に行えるようにすることを目
的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to sufficiently supply energy to the secondary side of a transformer even when the voltage of a DC power supply is reduced.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、以下の技術的手段を採用する。請求項1乃至4に記
載の発明においては、直流電源(1)の電圧に応じ、直
流電源(1)の電圧が低下した時には、スイッチング手
段(31)のスイッチング周波数を低く設定するように
なっていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the following technical means are employed. In the present invention, the switching frequency of the switching means (31) is set to be low when the voltage of the DC power supply (1) decreases according to the voltage of the DC power supply (1). It is characterized by being.

【0009】直流電源(1)の電圧低下に伴ってスイッ
チング周波数を低くすると、直流電源(1)の電圧が十
分にある時だけでなく直流電源(9)の電圧が低下して
いる時においても一次電流が十分大きくなる。このた
め、直流電源(9)の電圧が低下した場合においてもト
ランス(29)の一次側に蓄積されるエネルギーの総和
(W)を大きくすることができる。
When the switching frequency is lowered in accordance with the voltage drop of the DC power supply (1), not only when the voltage of the DC power supply (1) is sufficient but also when the voltage of the DC power supply (9) is lowered. The primary current becomes sufficiently large. Therefore, even when the voltage of the DC power supply (9) drops, the total energy (W) of energy stored in the primary side of the transformer (29) can be increased.

【0010】また、周波数が低くなっているため、一次
用半導体スイッチング素子(31)がオフする時間も長
くなり、トランス(29)の二次側へのエネルギー供給
が十分に行えるようになる。これにより、直流電源
(1)の電圧が低下した場合においても、トランス(2
9)の二次側へのエネルギー供給を十分に行えるように
することができる。
[0010] Further, since the frequency is low, the time during which the primary semiconductor switching element (31) is turned off is long, and the energy can be sufficiently supplied to the secondary side of the transformer (29). Thereby, even when the voltage of the DC power supply (1) decreases, the transformer (2)
9) The energy supply to the secondary side can be sufficiently performed.

【0011】具体的には、スイッチング周波数の設定
は、請求項2に示すように、直流電源(1)の電圧が低
くなるほどスイッチング周波数を低くするというように
リニアに行ってもよく、また請求項3に示すように、段
階的に行ってもよい。なお、スイッチング周波数を低下
させるには、例えば、鋸歯状波の周波数を低くするよう
にすればよい。
Specifically, the switching frequency may be set linearly such that the lower the voltage of the DC power supply (1), the lower the switching frequency, as set forth in claim 2. As shown in FIG. In order to lower the switching frequency, for example, the frequency of the sawtooth wave may be reduced.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。なお、本実施形態は本発明の放電灯装
置100を車両用前照灯に適用したものである。図1に
本実施形態における放電灯装置100の全体構成図、図
2に本実施形態における放電灯装置100の制御系のブ
ロック図を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the discharge lamp device 100 of the present invention is applied to a vehicle headlamp. FIG. 1 is an overall configuration diagram of the discharge lamp device 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a block diagram of a control system of the discharge lamp device 100 according to the present embodiment.

【0013】1は車両に搭載された直流電源(以下、バ
ッテリという、定格電圧(バッテリ電圧VB)12V)
であり、1aは電源端子、1bはアース端子、2は車両
前照灯であるメタルハライドランプ等の高圧放電灯(以
下、ランプという)である。SWは、車室内に設けら
れ、使用者の操作により、上記ランプ2の点灯消灯を設
定する点灯スイッチである。50は、放電灯装置100
に過電流が流れたときに溶断するヒューズである。
Reference numeral 1 denotes a DC power supply mounted on a vehicle (hereinafter referred to as a battery, a rated voltage (battery voltage VB) of 12 V).
1a is a power supply terminal, 1b is a ground terminal, and 2 is a high-pressure discharge lamp (hereinafter, referred to as a lamp) such as a metal halide lamp as a vehicle headlight. SW is a lighting switch that is provided in the vehicle interior and sets the turning on and off of the lamp 2 by a user's operation. 50 is a discharge lamp device 100
This fuse blows when an overcurrent flows through the fuse.

【0014】放電灯装置100は、図1に示すように逆
接保護回路3、平滑回路4、フライバックトランス29
を有する直流電源回路5、テークオーバー回路6、Hブ
リッジ回路7aを含むインバータ回路7、始動回路8等
の回路機能部を有する。本実施形態では、図2に示すよ
うに上記回路機能部を制御する制御回路として、PWM
(パルス幅変調)制御回路9、後述のランプ電圧VLお
よびランプ電流ILに基づいて、ランプ電力を所望電力
に制御するランプパワー制御回路10、上記Hブリッジ
回路7aを制御するHブリッジ制御回路11等を有す
る。
The discharge lamp device 100 comprises a reverse connection protection circuit 3, a smoothing circuit 4, a flyback transformer 29 as shown in FIG.
And a circuit function unit such as a DC power supply circuit 5, a takeover circuit 6, an inverter circuit 7 including an H-bridge circuit 7a, and a starting circuit 8. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, a control circuit for controlling the circuit function unit is a PWM circuit.
(Pulse width modulation) control circuit 9, lamp power control circuit 10 for controlling lamp power to desired power based on lamp voltage VL and lamp current IL described later, H-bridge control circuit 11 for controlling H-bridge circuit 7a, etc. Having.

【0015】また、本実施形態では、上記制御回路とし
てその他に、ランプ電圧VLを所定のタイミングでサン
プリングおよびホールドするサンプルホールド回路1
2、ランプ点灯開始時に、上記始動回路8を制御して、
ランプ2に高電圧を印加させてランプ2を電極間で絶縁
破壊させる高電圧発生制御回路13、放電灯装置100
が後述の異常状態となったときに、上記Hブリッジ制御
回路11を通じてHブリッジ回路7aを制御するフェイ
ルセーフ回路14と、ランプ2のコネクタ35の外れを
検出するコネクタ外れ検出回路15とを有している。
In this embodiment, a sample-and-hold circuit 1 for sampling and holding the lamp voltage VL at a predetermined timing is used as the control circuit.
2. At the start of lamp lighting, the starting circuit 8 is controlled to
A high voltage generation control circuit 13 for applying a high voltage to the lamp 2 to cause dielectric breakdown of the lamp 2 between the electrodes;
Has a fail-safe circuit 14 for controlling the H-bridge circuit 7a through the H-bridge control circuit 11 when an abnormal state described later occurs, and a connector disconnection detection circuit 15 for detecting disconnection of the connector 35 of the lamp 2. ing.

【0016】さらに、各制御回路9〜15の駆動電力は
バッテリ電圧VB等に基づいて行われるが、1次側電圧
が過電圧となった際に、この過電圧から各制御回路9〜
15を保護するための過電圧保護回路16も放電灯装置
100には備えられている。ここで、先ず、放電灯装置
100の点灯動作の概略を説明する。上記点灯スイッチ
SWがオンされると、フライバックトランス29にてバ
ッテリ電圧VBが昇圧され、これにより、Hブリッジ回
路7aを通じて始動回路8のコンデンサ53が充電され
る。そして、コンデンサ53が充電されると、始動回路
8にて充電された電荷が放電されて、トランス47にて
さらに高電圧化された電圧がランプ2に印加され、ラン
プ2が電極間で絶縁破壊し点灯されるようになる。
Further, the driving power of each of the control circuits 9 to 15 is performed based on the battery voltage VB and the like. When the primary side voltage becomes overvoltage, the control circuits 9 to 15 are driven from this overvoltage.
An overvoltage protection circuit 16 for protecting the discharge lamp 15 is also provided in the discharge lamp device 100. Here, first, an outline of the lighting operation of the discharge lamp device 100 will be described. When the lighting switch SW is turned on, the battery voltage VB is boosted by the flyback transformer 29, whereby the capacitor 53 of the starting circuit 8 is charged through the H-bridge circuit 7a. Then, when the capacitor 53 is charged, the charge charged in the starting circuit 8 is discharged, and a higher voltage is applied to the lamp 2 by the transformer 47, and the lamp 2 is broken down between the electrodes. And then come on.

【0017】その後、ランプ2が点灯すると、Hブリッ
ジ回路7aによりランプ2への放電電圧の極性(放電電
流の向き)を交互に切り換えることで、ランプ2を交流
点灯させる。次に、上記回路機能部および上記制御回路
の構成の概略について簡単に説明する。
After that, when the lamp 2 is turned on, the polarity of the discharge voltage (direction of the discharge current) to the lamp 2 is alternately switched by the H-bridge circuit 7a, so that the lamp 2 is turned on by AC. Next, an outline of the configuration of the circuit function unit and the control circuit will be briefly described.

【0018】逆接保護回路3は、抵抗17、コンデンサ
19、およびMOSトランジスタ12とからなる。逆接
保護回路3は、後述する電源端子に負極性の高電圧が発
生したときに、MOSトランジスタ21を保護するもの
である。また、バッテリ1を極性が逆にして車両に取り
付けるといった逆接時には、ヒューズ50を溶断しない
ようにするものである。
The reverse connection protection circuit 3 comprises a resistor 17, a capacitor 19, and a MOS transistor 12. The reverse connection protection circuit 3 protects the MOS transistor 21 when a negative high voltage is generated at a power supply terminal described later. Further, the fuse 50 is prevented from being blown at the time of reverse connection such as mounting the battery 1 on a vehicle with the polarity reversed.

【0019】平滑回路4は、上記電源端子1aに発生す
る電圧を平滑するものであり、コンデンサ23、25
と、コイル27とからなるコンデンサ入力型平滑回路
(チョーク入力型平滑回路)である。直流電源回路5
は、一次側と二次側とが共に巻線で構成されたフライバ
ックトランス29を有している。フライバックトランス
29は、バッテリ側に配された一次巻線29aと、ラン
プ2側に配された二次巻線29bを有している。また、
フライバックトランス29は、図1に示すように一次巻
線29aと二次巻線29bとは電気的に導通可能となっ
ている。直流電源回路5には、上記PWM回路9により
スイッチング制御されるMOSトランジスタ31が設け
られている。上記一次巻線29aの一次電流は、このM
OSトランジスタ31により制御される。
The smoothing circuit 4 smoothes the voltage generated at the power supply terminal 1a, and includes capacitors 23 and 25.
And a coil 27 (a choke input type smoothing circuit). DC power supply circuit 5
Has a flyback transformer 29 in which both the primary side and the secondary side are constituted by windings. The flyback transformer 29 has a primary winding 29a provided on the battery side and a secondary winding 29b provided on the lamp 2 side. Also,
In the flyback transformer 29, as shown in FIG. 1, the primary winding 29a and the secondary winding 29b can be electrically connected. The DC power supply circuit 5 is provided with a MOS transistor 31 whose switching is controlled by the PWM circuit 9. The primary current of the primary winding 29a is M
It is controlled by the OS transistor 31.

【0020】つまり、フライバックトランス29は、M
OSトランジスタ31がオンのときには、一次巻線29
aに一次電流が流れることで、一次巻線29aにエネル
ギーが蓄えられるようになっている。そして、フライバ
ックトランス29は、MOSトランジスタ31がオフに
なると、一次巻線29aのエネルギーを二次巻線29b
に供給するようになっている。
That is, the flyback transformer 29 is
When the OS transistor 31 is on, the primary winding 29
When a primary current flows through a, energy is stored in the primary winding 29a. When the MOS transistor 31 is turned off, the flyback transformer 29 transfers the energy of the primary winding 29a to the secondary winding 29b.
To be supplied.

【0021】また、直流電源回路5の二次巻線29bに
は、整流用のダイオード33と、平滑用コンデンサ35
が設けられている。テークオーバー回路6は、コンデン
サ37と抵抗39とからなる。コンデンサ37は、上記
点灯スイッチSWがオンされると電荷が充電されるよう
になっている。テークオーバー回路6は、上記始動回路
8によりランプ2を電極間で絶縁破壊させたのち、速や
かにアーク放電に移行させるものである。
A rectifying diode 33 and a smoothing capacitor 35 are connected to the secondary winding 29b of the DC power supply circuit 5.
Is provided. The takeover circuit 6 includes a capacitor 37 and a resistor 39. The capacitor 37 is charged with electric charge when the lighting switch SW is turned on. The takeover circuit 6 causes the lamp 2 to break down between the electrodes by the starting circuit 8, and then promptly shifts to arc discharge.

【0022】インバータ回路7は、フライバックトラン
ス29の二次巻線29b側に設けられ、バッテリ1から
の電力を交流変換することで、ランプ2を交流点灯させ
るものである。インバータ回路7を構成するHブリッジ
回路7aは、ランプ2の放電電流の向きを交互に反転さ
せるものである。Hブリッジ回路7aは、Hブリッジ状
に配置された複数のブリッジ用半導体スイッチング素子
をなす4つのMOSトランジスタ41a〜41dを有す
る。これら4つのMOSトランジスタ41a〜41d
は、図中43a、43bにて示すブリッジ駆動回路(本
例ではIC素子、以下、IC素子という)によって制御
される。
The inverter circuit 7 is provided on the side of the secondary winding 29b of the flyback transformer 29, and converts the electric power from the battery 1 into an alternating current, thereby lighting the lamp 2 in an alternating current. The H-bridge circuit 7a constituting the inverter circuit 7 alternately reverses the direction of the discharge current of the lamp 2. The H-bridge circuit 7a has four MOS transistors 41a to 41d that form a plurality of bridge-type semiconductor switching elements arranged in an H-bridge shape. These four MOS transistors 41a to 41d
Are controlled by bridge driving circuits (in this example, IC elements, hereinafter referred to as IC elements) indicated by 43a and 43b in the figure.

【0023】ブリッジ制御回路11は、IC素子43
a、43bを制御することで、Hブリッジ回路7aのう
ち対角線上にあるMOSトランジスタ41a、41dが
オフ状態であるときは、対角線上にあるMOSトランジ
スタ41b、41cをオン状態に切換制御し、MOSト
ランジスタ41b、41cがオン状態であるときは、M
OSトランジスタ41aと41dをオフ状態に切換制御
する。この結果、ランプ2の放電電流の向きが交互に切
り換わる、言い換えるとランプ2の印加電圧(放電電
圧)の極性が反転することで、ランプ2は交流点灯す
る。
The bridge control circuit 11 includes an IC element 43
When the MOS transistors 41a and 41d on the diagonal line of the H-bridge circuit 7a are in the off state by controlling the a and 43b, the MOS transistors 41b and 41c on the diagonal line are switched to the on state, and When the transistors 41b and 41c are on, M
The OS transistors 41a and 41d are controlled to be turned off. As a result, the direction of the discharge current of the lamp 2 is alternately switched, in other words, the polarity of the applied voltage (discharge voltage) of the lamp 2 is inverted, so that the lamp 2 is turned on by AC.

【0024】Hブリッジ回路7aは、ランプ点灯開始時
には長い一定周期でMOSトランジスタ41a〜41d
をオン・オフさせ、その後は短い一定周期でMOSトラ
ンジスタ41a〜41dをオン・オフさせるようになっ
ている。なお、図中45は、Hブリッジ回路7aを点灯
始動時に発生する高圧パルスから保護する保護用のコン
デンサである。
The H-bridge circuit 7a has MOS transistors 41a to 41d at a long constant cycle at the start of lamp lighting.
Are turned on and off, and then the MOS transistors 41a to 41d are turned on and off at short fixed cycles. Reference numeral 45 in the figure denotes a protection capacitor for protecting the H-bridge circuit 7a from a high-voltage pulse generated at the time of starting lighting.

【0025】始動回路8は、ランプ2を点灯開始させる
ものであって、上記Hブリッジ回路7aの中点電位点
と、アース端子1bとの間に設置されている。始動回路
8は、一次巻線47aと二次巻線47bとからなるトラ
ンス47、ダイオード49、51、コンデンサ53、抵
抗55、および一方向性半導体素子であるサイリスタ5
7とからなる。
The starting circuit 8 starts the lighting of the lamp 2 and is provided between the midpoint potential point of the H-bridge circuit 7a and the ground terminal 1b. The starting circuit 8 includes a transformer 47 including a primary winding 47a and a secondary winding 47b, diodes 49 and 51, a capacitor 53, a resistor 55, and a thyristor 5 that is a unidirectional semiconductor element.
7

【0026】サイリスタ57は、上記点灯スイッチSW
がオンされたときには、オフとなっており、これによ
り、コンデンサ53は充電を開始する。その後、上記高
電圧発生制御回路13によりサイリスタ57がオンとさ
れる。この結果、コンデンサ53は放電を開始する。す
ると、コンデンサ53に蓄えられたエネルギーが、トラ
ンス47を通じて高電圧化されることで、ランプ2に高
電圧が印加される。この結果、ランプ2は、電極間で絶
縁破壊し点灯する。
The thyristor 57 is connected to the lighting switch SW.
Is turned off when is turned on, whereby the capacitor 53 starts charging. Thereafter, the thyristor 57 is turned on by the high voltage generation control circuit 13. As a result, the capacitor 53 starts discharging. Then, the energy stored in the capacitor 53 is raised to a high voltage through the transformer 47, so that a high voltage is applied to the lamp 2. As a result, the lamp 2 is lit by dielectric breakdown between the electrodes.

【0027】PWM制御回路9は、鋸歯状波に対するス
レッショルドレベルを可変にすることで、上記MOSト
ランジスタ31のオン・オフ時間、つまりデューティー
比を制御するものである。ランプパワー制御回路10
は、ランプ電流ILと、上記サンプルホールド回路12
によってサンプルホールドされたランプ電圧VLとに基
づいて、ランプ電力が所望値となるように制御するもの
である。なお、ランプ電流ILは、Hブリッジ回路7a
に設けられた電流検出用抵抗59にて検出される。
The PWM control circuit 9 controls the on / off time of the MOS transistor 31, that is, the duty ratio by making the threshold level for the sawtooth wave variable. Lamp power control circuit 10
Is the lamp current IL and the sample and hold circuit 12
Based on the sampled and held lamp voltage VL, the lamp power is controlled to a desired value. Note that the lamp current IL is equal to the H-bridge circuit 7a.
The current is detected by a current detection resistor 59 provided in the circuit.

【0028】本実施形態におけるランプパワー制御回路
10によるランプパワー制御は、以下のようなものであ
る。ランプパワー制御回路10は、ランプ2の点灯開始
時にランプ2の電極温度が低いと、ランプ2に立ち消え
が生じ易いので、ランプ電力を大きな値(例えば75
W)として電極温度を迅速に高め、電極温度が徐々に高
くなると、ランプ電力を徐々に低下させていき、ランプ
2が安定状態になるとランプ電力を所定値(35W)一
定に制御するものである。
The lamp power control by the lamp power control circuit 10 in the present embodiment is as follows. If the electrode temperature of the lamp 2 is low at the start of lighting of the lamp 2, the lamp power control circuit 10 tends to cause the lamp 2 to go out.
W), the electrode temperature is rapidly increased, and when the electrode temperature is gradually increased, the lamp power is gradually decreased. When the lamp 2 is in a stable state, the lamp power is controlled to a predetermined value (35 W). .

【0029】また、ランプ電圧VLが高電圧(例えば4
00V)となってランプ2の点灯が開始された直後で
は、ランプ電圧VLは最も小さくなり、その後ランプ電
圧VLは徐々に大きくなる。一方、ランプ電流ILは、
ランプ2の点灯が開始された直後には、ランプ電圧VL
に反して徐々に小さくなる。そして、このようなランプ
パワー制御を行うために、上記PWM制御回路9は、上
記ランプパワー制御回路10の指令信号を受けて、上記
MOSトランジスタ31のオン・オフのディーティ比を
可変することで、ランプ電力を制御する。
Further, when the lamp voltage VL is a high voltage (for example, 4
00V), the lamp voltage VL becomes the smallest immediately after the lighting of the lamp 2 is started, and then the lamp voltage VL gradually increases. On the other hand, the lamp current IL is
Immediately after the lighting of the lamp 2 is started, the lamp voltage VL
Contrary to this, it gradually becomes smaller. In order to perform such lamp power control, the PWM control circuit 9 receives a command signal from the lamp power control circuit 10 and varies the ON / OFF duty ratio of the MOS transistor 31 by changing the duty ratio. Control lamp power.

【0030】上記サンプルホールド回路12は、ランプ
電圧VLのうち、Hブリッジ回路7aの切換時に発生す
る後述の過渡電圧をマスクし、上記ランプパワー制御回
路10による制御を精度良く行うものである。上記フェ
イルセーフ回路14は、放電灯装置100に何らかの異
常が生じたときに、上記PWM制御回路9の制御を停止
するとともに、Hブリッジ回路7aのMOSトランジス
タ41a〜41dの導通を全てオフするものである。
The sample-and-hold circuit 12 masks a transient voltage, which will be described later, generated when the H-bridge circuit 7a is switched among the lamp voltages VL, and controls the lamp power control circuit 10 with high precision. The fail-safe circuit 14 stops the control of the PWM control circuit 9 and turns off all the MOS transistors 41a to 41d of the H-bridge circuit 7a when any abnormality occurs in the discharge lamp device 100. is there.

【0031】なお、上記制御回路9〜15は、全て図示
しない集積回路内に設けられている。 〔始動回路8について〕次に、始動回路8の詳細につい
て説明する。始動回路8は、ランプ2を点灯開始させる
ものであって、上記Hブリッジ回路7aの中点電位点
と、アース端子1bとの間に設置されている。
The control circuits 9 to 15 are all provided in an integrated circuit (not shown). [Starting Circuit 8] Next, the starting circuit 8 will be described in detail. The starting circuit 8 starts lighting of the lamp 2 and is provided between the midpoint potential point of the H-bridge circuit 7a and the ground terminal 1b.

【0032】始動回路8の作動について、図3に示すタ
イムチャートを基に説明する。但し、図3において
(a)はランプ2の両端電圧Vlampであり、(b)
はコンデンサの充電電圧Vcであり、(c)はサイリス
タ57のゲートに出力されるゲート駆動信号であり、
(d)は2次巻線47bに発生する高電圧である。上記
点灯スイッチSWがオンされると、Hブリッジ回路7a
を構成するMOSトランジスタ41a〜41dのオン・
オフが開始される(図3のt1の時点)。MOSトラン
ジスタ41a、41dがオンする時には、ゲート駆動信
号はローレベル信号が出力されて、サイリスタ57はオ
フ状態となる。これにより、コンデンサ53は充電を始
める(図3のt2の時点)。このコンデンサ53の充電
がMOSトランジスタ41a、41dのオン期間中に十
分になされた後、MOSトランジスタ41a、41dが
オフして、MOSトランジスタ41b、41cがオンと
なる(図3のt3の時点)。
The operation of the starting circuit 8 will be described with reference to a time chart shown in FIG. However, in FIG. 3, (a) is the voltage Vlamp across the lamp 2 and (b)
Is the charging voltage Vc of the capacitor, (c) is the gate drive signal output to the gate of the thyristor 57,
(D) is a high voltage generated in the secondary winding 47b. When the lighting switch SW is turned on, the H bridge circuit 7a
Of the MOS transistors 41a to 41d
Turning off is started (at time t1 in FIG. 3). When the MOS transistors 41a and 41d are turned on, a low level signal is output as the gate drive signal, and the thyristor 57 is turned off. Thereby, the capacitor 53 starts charging (at time t2 in FIG. 3). After the charging of the capacitor 53 is sufficiently performed during the ON period of the MOS transistors 41a and 41d, the MOS transistors 41a and 41d are turned off and the MOS transistors 41b and 41c are turned on (at time t3 in FIG. 3).

【0033】そして、サイリスタ57のゲート駆動信号
がハイレベル信号に変わるとサイリスタ57がオンして
電流が流れ、トランス47の2次巻線47bに高電圧が
発生する(図3のt4の時点)。この高電圧がランプ2
に印加され、ランプ2の電極間で絶縁破壊し、ランプ2
が点灯開始する(図3t5の時点)。さらに、サイリス
タ57に対してダイオード51を並列接続することによ
り、サイリスタ57オン時にコンデンサ53と一次巻線
47aとで、LC共振させている。2次巻線47bから
の高電圧によりランプ2の電極間で絶縁破壊するとラン
プ2の電極間には、火花放電電流が流れ、この火花放電
電流は、上記LC共振により減衰振動電流となる。これ
により、火花放電電流の持続時間はダイオード51を接
続しない場合に比べ、格段に長くすることができる。
When the gate drive signal of the thyristor 57 is changed to a high level signal, the thyristor 57 is turned on, a current flows, and a high voltage is generated in the secondary winding 47b of the transformer 47 (at time t4 in FIG. 3). . This high voltage is lamp 2
To cause breakdown between the electrodes of the lamp 2, and the lamp 2
Starts lighting (at time t5 in FIG. 3). Further, by connecting the diode 51 in parallel with the thyristor 57, the capacitor 53 and the primary winding 47a resonate with the LC when the thyristor 57 is turned on. When insulation breakdown occurs between the electrodes of the lamp 2 due to the high voltage from the secondary winding 47b, a spark discharge current flows between the electrodes of the lamp 2, and this spark discharge current becomes a damped oscillation current due to the LC resonance. Thus, the duration of the spark discharge current can be significantly longer than when the diode 51 is not connected.

【0034】ランプ2で火花放電電流が流れている間の
ランプ電圧は、コンデンサ35、及びコンデンサ37の
充電電圧より低くなり、この時にHブリッジ回路7aを
介してランプ2に流れ込むことにより、ランプ2は点灯
を開始する。従って、ダイオード51を接続することに
より、火花放電電流の持続時間が長くなり、コンデンサ
35、およびコンデンサ37からHブリッジ回路7aを
介して確実にランプ2へ点灯開始するに十分な電流を流
れ込ませることができ、確実にランプ2を点灯させるこ
とができる。すなわちランプ2の点灯性を向上させるこ
とができる。
The lamp voltage while the spark discharge current is flowing through the lamp 2 becomes lower than the charging voltage of the capacitors 35 and 37. At this time, the lamp voltage flows into the lamp 2 via the H-bridge circuit 7a. Starts lighting. Therefore, by connecting the diode 51, the duration of the spark discharge current is lengthened, and it is ensured that a sufficient current flows from the capacitors 35 and 37 via the H bridge circuit 7a to the lamp 2 without fail. Thus, the lamp 2 can be reliably turned on. That is, the lighting performance of the lamp 2 can be improved.

【0035】また、Hブリッジ回路7aの中点電位点に
てコンデンサ53の充電を行っているため、MOSトラ
ンジスタ41a〜41dのオン・オフ切換え時にコンデ
ンサの高圧側電位が0Vになる。このため、サイリスタ
57を確実にオフさせることができる。つまり、サイリ
スタ57は1度オンすると、所定の条件(例えば、サイ
リスタ57のアノード側電位>カソード側電位)を満た
すまでオフしないが、このような場合にはコンデンサ5
3への充電が再び行えなくなる。このため、仮にMOS
トランジスタ41a〜41dのオン・オフの1周期目で
ランプ2が点灯しなかった場合に、その後ランプ2の点
灯ができなくなってしまうが、Hブリッジ回路7aの中
点電位点によってコンデンサ53の充電を行っているた
め、これを防止でき、ランプ2を確実に点灯させること
ができる。
Also, since the capacitor 53 is charged at the midpoint potential point of the H-bridge circuit 7a, the high-side potential of the capacitor becomes 0 V when the MOS transistors 41a to 41d are switched on and off. Therefore, the thyristor 57 can be reliably turned off. That is, once the thyristor 57 is turned on, it does not turn off until a predetermined condition (for example, the anode side potential> the cathode side potential of the thyristor 57) is satisfied.
3 cannot be charged again. Therefore, if the MOS
If the lamp 2 is not turned on in the first cycle of the on / off of the transistors 41a to 41d, the lamp 2 cannot be turned on thereafter. However, the charging of the capacitor 53 is performed by the midpoint potential point of the H-bridge circuit 7a. Since this is done, this can be prevented, and the lamp 2 can be turned on reliably.

【0036】さらに、フライバックトランス29の2次
側である中点電位点にてコンデンサ53の充電を行って
いるため、直流電源回路5で高圧変換された電圧によっ
てコンデンサ53の充電が成されることになる。従来で
は、コンデンサ53の両端電圧を高圧にするためのトラ
ンスを直流電源回路5とは別個に設けていたが、このた
めにのみトランスを設ける必要がない。このように、始
動回路8と直流電源回路5とでフライバックトランス2
9を共用しているためトランスを1つにでき、コスト削
減を図ることができる。
Further, since the capacitor 53 is charged at the midpoint potential point on the secondary side of the flyback transformer 29, the capacitor 53 is charged by the voltage converted to high voltage by the DC power supply circuit 5. Will be. Conventionally, a transformer for increasing the voltage across the capacitor 53 is provided separately from the DC power supply circuit 5, but it is not necessary to provide a transformer only for this purpose. As described above, the flyback transformer 2 is connected between the starting circuit 8 and the DC power supply circuit 5.
9, the transformer can be reduced to one, and the cost can be reduced.

【0037】なお、上記ゲート駆動信号は、MOSトラ
ンジスタ41a〜41dの切換えタイミングに同期して
高電圧発生制御回路13から出力されるが、高電圧発生
制御回路13にはHブリッジ制御回路11からMOS4
1a〜41dの切換えタイミングを知らせる信号が入力
されており、この信号に基づいてゲート駆動信号の出力
タイミングが設定されている。
The gate drive signal is output from the high voltage generation control circuit 13 in synchronization with the switching timing of the MOS transistors 41a to 41d.
A signal notifying the switching timing of 1a to 41d is input, and the output timing of the gate drive signal is set based on this signal.

【0038】また、ランプ2が点灯すると始動回路8を
駆動する必要がなくなるため、ゲート駆動信号はローレ
ベル信号が出力される。このランプ点灯は、ランプ電流
ILが所定値以上であるか否かによって判定している。
すなわち、ランプ2が点灯するとHブリッジ回路7aを
介して電流検出用抵抗32にランプ電流ILが流れるた
め、ランプ電流ILが検出されるとゲート駆動信号をロ
ーレベル信号にするようになっている。
When the lamp 2 is turned on, the starting circuit 8 does not need to be driven, so that a low level signal is output as the gate drive signal. This lamp lighting is determined based on whether or not the lamp current IL is equal to or more than a predetermined value.
That is, when the lamp 2 is turned on, the lamp current IL flows through the current detection resistor 32 via the H-bridge circuit 7a. Therefore, when the lamp current IL is detected, the gate drive signal is set to a low level signal.

【0039】〔IC素子43a、43bの駆動回路につ
いて〕次に、上記IC素子43a、43bの駆動につい
て説明する。図4にIC素子43a、43bを駆動する
回路図を示す。但し、図4は図1中の構成要件を一部削
除してある。IC素子43aは、ハイアンドロードライ
バー回路(International Rectif
ier社製、IR2101)を使用している。なお、I
C素子43a、43bの構成は全く同じである。
[Driving Circuit of IC Elements 43a and 43b] Next, the driving of the IC elements 43a and 43b will be described. FIG. 4 shows a circuit diagram for driving the IC elements 43a and 43b. However, FIG. 4 partially deletes the constituent requirements in FIG. The IC element 43a includes a high and low driver circuit (International Rectif).
i.e., IR2101). Note that I
The configurations of the C elements 43a and 43b are exactly the same.

【0040】IC素子43a、43bの各電源端子Vc
cは、フライバックトランス29の二次側に接続されて
いる。つまり、フライバックトランス29の二次側に
は、抵抗95とツェナーダイオード97よりなる第1電
源回路96が設けられており、電源端子Vccへの印加
電圧は、第1電源回路96により発生された所定電圧V
2(15V)となる。
Each power supply terminal Vc of the IC elements 43a and 43b
c is connected to the secondary side of the flyback transformer 29. That is, on the secondary side of the flyback transformer 29, the first power supply circuit 96 including the resistor 95 and the Zener diode 97 is provided, and the voltage applied to the power supply terminal Vcc is generated by the first power supply circuit 96. Predetermined voltage V
2 (15 V).

【0041】また、IC素子43aの高電圧側入力端子
Hinと、IC素子43bの低電圧側入力端子Linと
が接続されている。そして、これら2つの端子Hinと
Linには、Hブリッジ制御回路11中の端子11aか
らのハイレベル信号、もしくはローレベル信号が同じよ
うに入力される。さらにIC素子43aの低電圧側入力
端子Linと、IC素子43bの高電圧側入力端子Hi
nとが接続されている。そして、これら2つの端子Hi
nとLinとには、Hブリッジ制御回路11の端子11
bからのハイレベル信号、もしくはローレベル信号が同
じように入力される。そして、Hブリッジ制御回路11
の11端子a、bは、互いにハイレベル信号とローレベ
ル信号とが反転するようになっている。
The high-voltage input terminal Hin of the IC element 43a is connected to the low-voltage input terminal Lin of the IC element 43b. A high-level signal or a low-level signal from the terminal 11a in the H-bridge control circuit 11 is similarly input to these two terminals Hin and Lin. Further, the low-voltage input terminal Lin of the IC element 43a and the high-voltage input terminal Hi of the IC element 43b.
n are connected. And these two terminals Hi
n and Lin are connected to the terminal 11 of the H-bridge control circuit 11.
The high level signal or the low level signal from b is input in the same manner. And the H-bridge control circuit 11
The 11 terminals a and b have a high-level signal and a low-level signal that are inverted from each other.

【0042】簡単に作動を説明すると、Hブリッジ制御
回路11の端子11aからハイレベル信号が、端子11
bからローレベル信号が出力されると、MOSトランジ
スタ41a、41dがオンとなり、MOSトランジスタ
41b、41cがオフとなる。また、Hブリッジ制御回
路11の端子11aからローレベル信号が出力され、端
子11bからハイレベル信号が出力されると、MOSト
ランジスタ41b、41cがオンとなり、MOSトラン
ジスタ41a、41dがオフとなる。
The operation will be briefly described. A high-level signal is output from the terminal 11a of the H-bridge control circuit 11 to the terminal 11a.
When the low level signal is output from b, the MOS transistors 41a and 41d are turned on, and the MOS transistors 41b and 41c are turned off. When a low-level signal is output from the terminal 11a of the H-bridge control circuit 11 and a high-level signal is output from the terminal 11b, the MOS transistors 41b and 41c are turned on and the MOS transistors 41a and 41d are turned off.

【0043】このように本実施形態では、IC素子43
a、43bは、二次巻線29bにて発生する二次電圧
(上記ランプ電圧)を利用して、上記Hブリッジ制御回
路11にて制御されるようになっている。これにより、
バッテリ電圧VBが低下しても、フライバックトランス
29の二次側から駆動電圧を得ることで、MOSトラン
ジスタ41a〜41dを安定して駆動制御することがで
きる。
As described above, in this embodiment, the IC element 43
a and 43b are controlled by the H-bridge control circuit 11 using a secondary voltage (the lamp voltage) generated in the secondary winding 29b. This allows
Even if the battery voltage VB decreases, the driving voltage is obtained from the secondary side of the flyback transformer 29, so that the MOS transistors 41a to 41d can be stably controlled.

【0044】ところで、IC素子43a、43bは、ト
ランス29の二次側の電圧の他に、一方向性半導体スイ
ッチング素子であるダイオード99を介して一次側の電
圧(バッテリ電圧VB)にて駆動制御可能になってい
る。このようにした理由は、以下の2つの理由からであ
る。 上述したランプパワー制御回路10により、ランプ
2のランプ電力がランプ2の放電電圧に相当するランプ
電圧VL(電圧信号)、およびランプ2の放電電流に相
当するランプ電流IL(電流信号)に基づいて、所望値
となるようにフィードバック制御が行われる。
The driving of the IC elements 43a and 43b is controlled not only by the voltage on the secondary side of the transformer 29 but also by the voltage on the primary side (battery voltage VB) via a diode 99 which is a unidirectional semiconductor switching element. It is possible. This is done for the following two reasons. The lamp power control circuit 10 described above uses the lamp power of the lamp 2 based on the lamp voltage VL (voltage signal) corresponding to the discharge voltage of the lamp 2 and the lamp current IL (current signal) corresponding to the discharge current of the lamp 2. , Feedback control is performed so as to attain a desired value.

【0045】そして、例えば上記点灯スイッチSWがオ
ンされた直後には、二次巻線29b側には電圧は発生し
ていない。従って、点灯スイッチSWがオンされた直後
には、Hブリッジ回路7aは駆動制御できず、最悪の場
合制御遅れやフィードバック制御が不安定になる可能性
がある。そこで、本例では、上記点灯スイッチSWがオ
ンされた直後にでも、Hブリッジ回路7aを駆動制御出
来ようにするため、バッテリ電圧VBによってIC素子
43a、43bを駆動できるようにしている。
For example, immediately after the lighting switch SW is turned on, no voltage is generated on the secondary winding 29b side. Therefore, immediately after the lighting switch SW is turned on, the drive of the H-bridge circuit 7a cannot be controlled, and in the worst case, the control delay or the feedback control may become unstable. Therefore, in this example, the IC elements 43a and 43b can be driven by the battery voltage VB so that the drive of the H-bridge circuit 7a can be controlled even immediately after the lighting switch SW is turned on.

【0046】 ランプ電圧VLが上記所定電圧Vr1
より低下してしまう後述の異常状態になると、IC素子
43a、43bの駆動電源が不足し、Hブリッジ回路7
aをオフ(MOSトランジスタ41a〜41dの導通を
全て遮断状態、以下これをHブリッジ回路7aをオフと
いう)できない。そこで、本例ではIC素子43a、4
3bは、上記異常状態となると、バッテリ電圧VBによ
り駆動電源を得るようにした。これにより、上記異常状
態において確実にHブリッジ回路7aをオフすることが
できる。
The lamp voltage VL is equal to the predetermined voltage Vr1.
When an abnormal state described below, which further decreases, occurs, the driving power of the IC elements 43a and 43b becomes insufficient, and the H-bridge circuit 7
a cannot be turned off (the conduction of all of the MOS transistors 41a to 41d is cut off; hereinafter, this is referred to as turning off the H bridge circuit 7a). Therefore, in this example, the IC elements 43a,
3b, when the above-mentioned abnormal state occurs, the driving power is obtained by the battery voltage VB. Thus, the H-bridge circuit 7a can be reliably turned off in the abnormal state.

【0047】なお、上記異常状態のときには、図4中2
42で示す第1異常用回路の2つの出力信号を共にハイ
レベル信号とすることで、IC素子43a、43bを通
じてHブリッジ回路7aをオフする。なお、バッテリ電
圧VBが12Vであるときに、IC素子43a、43b
の各電源端子Vccへの印加電圧は、ツェナーダイオー
ド97により定電圧15Vに制御される。従って、図4
中ダイオード99は逆流防止の機能を果たす。また、1
01は、ノイズ除去用のコンデンサであり、420は電
流制限用の抵抗である。
Incidentally, in the case of the above abnormal state, 2 in FIG.
The H-bridge circuit 7a is turned off through the IC elements 43a and 43b by setting both output signals of the first abnormality circuit indicated by 42 to high level signals. When the battery voltage VB is 12 V, the IC elements 43a, 43b
The voltage applied to each power supply terminal Vcc is controlled to a constant voltage of 15 V by the Zener diode 97. Therefore, FIG.
The middle diode 99 functions to prevent backflow. Also, 1
01 is a noise removing capacitor, and 420 is a current limiting resistor.

【0048】〔MOSトランジスタ31の駆動電源につ
いて〕次に上記MOSトランジスタ31の駆動電源の得
方について図5を用いて説明する。トランス29の二次
側には、上記抵抗95と上記ツェナーダイオード97と
によって、二次側に発生する高電圧を所定電圧V2(例
えば15V)に定電圧化する第1電源回路96が設けら
れている。
[Driving Power Supply for MOS Transistor 31] Next, how to obtain the driving power supply for the MOS transistor 31 will be described with reference to FIG. On the secondary side of the transformer 29, there is provided a first power supply circuit 96 for converting the high voltage generated on the secondary side to a predetermined voltage V2 (for example, 15V) by the resistor 95 and the Zener diode 97. I have.

【0049】バッテリ1側(一次側)には、抵抗105
とコンデンサ107とによって、バッテリ電圧によって
決まる所定電圧V3(第2所定電圧)を得る第2電源回
路110が設けられている。第1電源回路96と第2電
源回路110との間には、第1電源回路96側に抵抗1
20を介して、切換手段をなすダイオード111が設け
られている。
A resistor 105 is connected to the battery 1 (primary side).
And a capacitor 107, a second power supply circuit 110 for obtaining a predetermined voltage V3 (second predetermined voltage) determined by the battery voltage is provided. A resistor 1 is provided between the first power supply circuit 96 and the second power supply circuit 110 on the first power supply circuit 96 side.
A diode 111 serving as a switching unit is provided via the switch 20.

【0050】ダイオード111は、上記所定電圧V3
と、所定電圧V2から抵抗120にて電圧降下した所定
電圧V4(第1所定電圧)とのうち、所定電圧V3の方
が高いときに、電流を流す。なお、本例では、バッテリ
電圧VBがほぼ定格電圧にあるときには、抵抗120に
より所定電圧V3が所定電圧V4より高くなるようにし
てある(以下、これを正常状態)。
The diode 111 has the predetermined voltage V3
When the predetermined voltage V3 is higher than the predetermined voltage V4 (first predetermined voltage) obtained by dropping the predetermined voltage V2 from the predetermined voltage V2 by the resistor 120, the current flows. In this example, when the battery voltage VB is almost at the rated voltage, the predetermined voltage V3 is made higher than the predetermined voltage V4 by the resistor 120 (hereinafter, this is a normal state).

【0051】第1電源回路96と第2電源回路110と
の間には、抵抗114を介して上記MOSトランジスタ
31を駆動する駆動回路124を構成するダーリントン
接続された2つのNPNトランジスタ112、113が
接続されている。なお、ダイオード111は、NPNト
ランジスタ112、113の両コレクタ間に設けられて
いる。
Between the first power supply circuit 96 and the second power supply circuit 110, two Darlington-connected NPN transistors 112 and 113 constituting a drive circuit 124 for driving the MOS transistor 31 via a resistor 114 are provided. It is connected. Note that the diode 111 is provided between the collectors of the NPN transistors 112 and 113.

【0052】従って、上記正常状態においては所定電圧
V3が所定電圧V4よい高いため、ダイオード111は
電流を流す。このため、トランス29の一次側よりNP
Nトランジスタ112にベース電流が流れて、NPNト
ランジスタ112がオンとなる。すると、NPNトラン
ジスタ112のコレクタ電流がNPNトランジスタ11
3のベース電流となって、トランス29の一次側からN
PNトランジスタ113にコレクタ電流が流れる。
Therefore, in the normal state, since the predetermined voltage V3 is higher than the predetermined voltage V4, the diode 111 allows a current to flow. Therefore, the NP from the primary side of the transformer 29
A base current flows through the N transistor 112, and the NPN transistor 112 is turned on. Then, the collector current of the NPN transistor 112 increases
3 from the primary side of the transformer 29 to N
A collector current flows through the PN transistor 113.

【0053】一方、所定電圧V4が所定電圧V3より高
いとき、例えば、バッテリ電圧が低下したときには、二
次側からNPNトランジスタ112のベース電流が流れ
て、NPNトランジスタ112がオンとなる。すると、
NPNトランジスタ113もオンとなって、トランス2
9の一次側よりNPNトランジスタ113にはコレクタ
電流が流れる。
On the other hand, when the predetermined voltage V4 is higher than the predetermined voltage V3, for example, when the battery voltage drops, the base current of the NPN transistor 112 flows from the secondary side, and the NPN transistor 112 is turned on. Then
The NPN transistor 113 is also turned on, and the transformer 2
A collector current flows through the NPN transistor 113 from the primary side of the NPN transistor 9.

【0054】この時、所定電圧V4が所定電圧V3より
も高くなっているため、ダイオード111は、電流を流
さない。このため、所定電圧V4が所定電圧V3より高
いという関係が維持される。上記NPNトランジスタ1
12、113の作動は、図5に示すように上記PWM制
御回路9の出力信号を受けて、オン・オフする5つのN
PNトランジスタ115〜119にて制御されるように
なっている。以下、この5つのNPNトランジスタ11
5〜119について説明する。
At this time, since the predetermined voltage V4 is higher than the predetermined voltage V3, the diode 111 does not flow a current. Therefore, the relationship that the predetermined voltage V4 is higher than the predetermined voltage V3 is maintained. The above NPN transistor 1
As shown in FIG. 5, the operation of 12 and 113 is performed by receiving five output signals of the PWM control circuit 9 and turning on / off the five Ns.
It is controlled by PN transistors 115-119. Hereinafter, these five NPN transistors 11
5 to 119 will be described.

【0055】NPNトランジスタ115、116は、P
WM制御回路9の出力信号(デューティー信号)に応じ
てオン・オフするようになっている。以下、出力信号の
うち、ハイレベル信号をオン信号、ローレベル信号をオ
フ信号として説明する。例えば、出力信号がオン信号で
あると、NPNトランジスタ115、116がオンとな
り、定電流源121からの定電流がNPNトランジスタ
115のコレクタ電流となる。これにより、NPNトラ
ンジスタ117、118がオフし、NPNトランジスタ
119もオフとなる。
The NPN transistors 115 and 116
It is turned on / off according to the output signal (duty signal) of the WM control circuit 9. Hereinafter, among the output signals, a high-level signal is referred to as an ON signal, and a low-level signal is referred to as an OFF signal. For example, when the output signal is an ON signal, the NPN transistors 115 and 116 are turned on, and the constant current from the constant current source 121 becomes the collector current of the NPN transistor 115. As a result, the NPN transistors 117 and 118 are turned off, and the NPN transistor 119 is also turned off.

【0056】つまり、デューティー信号がオン信号であ
ると、NPNトランジスタ115、116はオン、NP
Nトランジスタ117〜119はオフとなる。従って、
NPNトランジスタ112のコレクタ電流は、NPNト
ランジスタ113のベースに流れ込んで、NPNトラン
ジスタ113がオンされる。この結果、NPNトランジ
スタ113のコレクタ電流がMOSトランジスタ31の
ゲートに流れ込み、MOSトランジスタ31がオンとな
る。
That is, when the duty signal is an ON signal, the NPN transistors 115 and 116 are turned ON,
N transistors 117 to 119 are turned off. Therefore,
The collector current of NPN transistor 112 flows into the base of NPN transistor 113, and NPN transistor 113 is turned on. As a result, the collector current of the NPN transistor 113 flows into the gate of the MOS transistor 31, and the MOS transistor 31 is turned on.

【0057】一方、上記出力信号がオフ信号であると、
NPNトランジスタ115、116がオフとなるので、
定電流源121によりNPNトランジスタ117がオン
される。これにより、NPNトランジスタ117には定
電流源122からの定電流が流れる。また、この際、定
電流源121によりNPNトランジスタ118もオンと
なる。これにより、NPNトランジスタ112のコレク
タ電流は、NPNトランジスタ118に流れ込む。この
結果、NPNトランジスタ113はオフとなる。
On the other hand, if the output signal is an off signal,
Since the NPN transistors 115 and 116 are turned off,
The NPN transistor 117 is turned on by the constant current source 121. As a result, a constant current from the constant current source 122 flows through the NPN transistor 117. At this time, the NPN transistor 118 is also turned on by the constant current source 121. As a result, the collector current of NPN transistor 112 flows into NPN transistor 118. As a result, the NPN transistor 113 turns off.

【0058】また、NPNトランジスタ116はオフで
あるので、NPNトランジスタ117を流れたコレクタ
電流がNPNトランジスタ119のベースに流れ込み、
NPNトランジスタ119がオンとなる。これにより、
NPNトランジスタ113のコレクタ電流は、MOSト
ランジスタ31のゲートに流れ込まず、NPNトランジ
スタ119のコレクタ電流となり、MOSトランジスタ
31はオフとなる。
Since the NPN transistor 116 is off, the collector current flowing through the NPN transistor 117 flows into the base of the NPN transistor 119,
The NPN transistor 119 turns on. This allows
The collector current of NPN transistor 113 does not flow into the gate of MOS transistor 31, but becomes the collector current of NPN transistor 119, and MOS transistor 31 is turned off.

【0059】このように上記オン信号およびオフ信号に
よって、MOSトランジスタ31がオン・オフするよう
になっている。また、図5に示すようにMOSトランジ
スタ31のゲートと、定電流源122との間には、ダイ
オード123が設けられている。このダイオード123
は、MOSトランジスタ31がオンからオフになるとき
のスイッチング速度を高めるものである。つまり、MO
Sトランジスタ31がオンからオフになるときには、M
OSトランジスタ31のゲートに蓄えられた電荷を、ダ
イオード123を通じて引き抜いて、NPNトランジス
タ117のコレクタ電流を増加させる。これにより、N
PNトランジスタ119のベース電流が増加するので、
NPNトランジスタ131が迅速にオフとなる。この結
果、MOSトランジスタ31のスイッチング速度を向上
できる。
As described above, the MOS transistor 31 is turned on / off by the ON signal and the OFF signal. Also, as shown in FIG. 5, a diode 123 is provided between the gate of the MOS transistor 31 and the constant current source 122. This diode 123
Is to increase the switching speed when the MOS transistor 31 is turned off from on. In other words, MO
When the S transistor 31 is turned off from on, M
The charge stored in the gate of the OS transistor 31 is extracted through the diode 123 to increase the collector current of the NPN transistor 117. This gives N
Since the base current of the PN transistor 119 increases,
The NPN transistor 131 turns off quickly. As a result, the switching speed of the MOS transistor 31 can be improved.

【0060】次に、上記図5の回路の作動を詳しく説明
する。 前提としてバッテリ電圧VBがほぼ定格電圧あり、
第2電源回路110が所定電圧V3を発生し、この際、
上記点灯スイッチSWがオンされ、PWM制御回路9の
出力信号がオン信号であったとする。この際、上記点灯
スイッチSWがオンされた直後には、トランス29の二
次側には電圧が発生していない。従って、この場合は、
第2電源回路110の所定電圧V3によりNPNトラン
ジスタ112がオンされ、NPNトランジスタ113も
オンとなる。つまり、NPNトランジスタ112、11
3のベース電流およびコレクタ電流は、第2電源回路1
10により流れる(得られる)。この結果、MOSトラ
ンジスタ31は、フライバックトランス29の一次側、
つまり第2電源回路110から駆動電源を得て、オンと
なる。
Next, the operation of the circuit of FIG. 5 will be described in detail. As a premise, the battery voltage VB is almost rated voltage,
The second power supply circuit 110 generates a predetermined voltage V3.
It is assumed that the lighting switch SW is turned on and the output signal of the PWM control circuit 9 is an on signal. At this time, immediately after the lighting switch SW is turned on, no voltage is generated on the secondary side of the transformer 29. Therefore, in this case,
The NPN transistor 112 is turned on by the predetermined voltage V3 of the second power supply circuit 110, and the NPN transistor 113 is also turned on. That is, the NPN transistors 112 and 11
3 is connected to the second power supply circuit 1
Flow (obtained) by 10. As a result, the MOS transistor 31 is connected to the primary side of the flyback transformer 29,
That is, the drive power is obtained from the second power supply circuit 110 and the second power supply circuit 110 is turned on.

【0061】その後、PWM制御回路9がオン・オフ信
号を繰り返すと、二次巻線29bが一次巻線29aのエ
ネルギーを受け取ることで、二次側の電圧は徐々に上昇
していく。これにより、第1電源回路96にて所定電圧
V2が発生し、さらには所定電圧V4が発生する。 次に前提としてランプ点灯中にバッテリ電圧が低下
したために、所定電圧V3も低下して、所定電圧V3が
所定電圧V4より低くなったとする。
Thereafter, when the PWM control circuit 9 repeats the ON / OFF signal, the secondary winding 29b receives the energy of the primary winding 29a, and the secondary voltage gradually increases. As a result, the predetermined voltage V2 is generated in the first power supply circuit 96, and further the predetermined voltage V4 is generated. Next, it is assumed that the predetermined voltage V3 also decreases because the battery voltage decreases during lamp lighting, and the predetermined voltage V3 becomes lower than the predetermined voltage V4.

【0062】すると、ダイオード111は、NPNトラ
ンジスタ112、113のベース電流をトランス29の
二次側(第1電源回路96)から得るように電流経路を
切換える。つまり、NPNトランジスタ112は、トラ
ンス29の二次側(第1電源回路96)より、駆動電源
を得ることになる。この結果、本実施形態ではバッテリ
1の電源電圧VBが点灯中に低下したときには、トラン
ス29の二次側の第1電源回路96にてNPNトランジ
スタ112、113、およびMOSトランジスタ31を
安定して駆動制御することができる。
Then, diode 111 switches the current path so that the base current of NPN transistors 112 and 113 is obtained from the secondary side of transformer 29 (first power supply circuit 96). That is, the NPN transistor 112 obtains the driving power from the secondary side (the first power supply circuit 96) of the transformer 29. As a result, in the present embodiment, when the power supply voltage VB of the battery 1 decreases during lighting, the NPN transistors 112 and 113 and the MOS transistor 31 are stably driven by the first power supply circuit 96 on the secondary side of the transformer 29. Can be controlled.

【0063】従って、本実施形態では、上記所定電圧V
3が上記所定電圧V4より低くなったときのみに、NP
Nトランジスタ112の駆動電源を第1電源回路96よ
り得る。これにより、以下の効果がある。トランス29
の二次側には、上述したように400Vといった高電圧
が発生する。従って、ツェナーダイオード97を小型で
安価なものとすると、抵抗95は抵抗値が非常に大きな
ものを使用する必要がある。しかしながら、このように
すると、抵抗値の大きな抵抗95にて大きな電力が消費
されるといった問題がある。
Therefore, in this embodiment, the predetermined voltage V
3 is lower than the predetermined voltage V4.
A driving power supply for the N transistor 112 is obtained from the first power supply circuit 96. This has the following effects. Transformer 29
As described above, a high voltage such as 400 V is generated on the secondary side. Therefore, if the Zener diode 97 is small and inexpensive, it is necessary to use a resistor 95 having a very large resistance value. However, in this case, there is a problem that large power is consumed by the resistor 95 having a large resistance value.

【0064】そこで、本例では上記所定電圧V3が上記
所定電圧V4より低くなったときのみに、上記抵抗95
に電流が流れるようにしており、これにより、抵抗95
での消費電力を小さくできる。また、トランス29の二
次側には、上述したように400Vといった高電圧が発
生するが、抵抗95での消費電力は、抵抗値が大きい程
小さくなる。そして、この抵抗95の抵抗値の最大値R
(95)=(VL−V2)/Isという関係がある。
Therefore, in the present embodiment, the resistance 95 is set only when the predetermined voltage V3 becomes lower than the predetermined voltage V4.
Current flows through the resistor 95
Power consumption can be reduced. As described above, a high voltage of 400 V is generated on the secondary side of the transformer 29, but the power consumption of the resistor 95 decreases as the resistance value increases. The maximum value R of the resistance value of the resistor 95
(95) = (VL−V2) / Is.

【0065】なお、VLは、トランス29の二次側電圧
(NPNトランジスタ112を正常作動させるに必要な
最低値)であり、Isは第1電源回路96が負荷に供給
する電流である。この様な関係において、上記V2とI
sは回路によって決まる固定値である。よって、抵抗9
5の抵抗値は上記VLの最低値を何ボルトにするかによ
って決まる。従って、本例では上記所定電圧V3が上記
所定電圧V4より低くなったときのみに、NPNトラン
ジスタ112の駆動電源を第1電源回路96より得る。
これにより、抵抗95の抵抗値を大きくすることができ
るので、抵抗95での消費電力を小さくすることができ
る。
Note that VL is the secondary voltage of the transformer 29 (the minimum value required for normal operation of the NPN transistor 112), and Is is the current supplied by the first power supply circuit 96 to the load. In such a relationship, V2 and I
s is a fixed value determined by the circuit. Therefore, the resistance 9
The resistance value of 5 is determined by how many volts the minimum value of VL is. Therefore, in this example, the drive power supply for the NPN transistor 112 is obtained from the first power supply circuit 96 only when the predetermined voltage V3 becomes lower than the predetermined voltage V4.
Thus, the resistance value of the resistor 95 can be increased, so that the power consumption of the resistor 95 can be reduced.

【0066】また、本実施形態では、NPNトランジス
タ112とNPNトランジスタ113とをダーリントン
接続したことで、以下の効果がある。但し、上記抵抗1
14での電圧降下を無視して説明する。バッテリ電圧V
Bがほぼ定格電圧であるときには、上述したようにNP
Nトランジスタ112、113の各ベース電流およびコ
レクタ電流は、トランス29の一次側(第2電源回路1
10)から流れる。従って、NPNトランジスタ113
のコレクタ−エミッタ間の電位差は、上記電圧降下分の
和と、コレクタ−エミッタの電位降下分と、ダイオード
111の順方向電圧降下分の和となる。
In the present embodiment, the following effects are obtained by connecting the NPN transistor 112 and the NPN transistor 113 in Darlington. However, the above resistance 1
The description will be made ignoring the voltage drop at 14. Battery voltage V
When B is almost at the rated voltage, NP
The base current and the collector current of the N transistors 112 and 113 are connected to the primary side of the transformer 29 (second power supply circuit 1).
Flows from 10). Therefore, the NPN transistor 113
Is the sum of the above-described voltage drop, the collector-emitter potential drop, and the forward voltage drop of the diode 111.

【0067】すなわち、本例ではMOSトランジスタ3
1のゲートに印加される電圧は、V3−(VBE112
+VBE113)=V3−1.4(V)となる。なお、
VBE112は、トランジスタ112のエミッタ−ベー
ス間の順方向電圧降下分であり、VBE113は、トラ
ンジスタ113のエミッタ−ベース間の順方向電圧降下
分である。
That is, in this example, the MOS transistor 3
1 is applied to the gate of V3- (VBE112
+ VBE113) = V3-1.4 (V). In addition,
VBE112 is a forward voltage drop between the emitter and base of the transistor 112, and VBE113 is a forward voltage drop between the emitter and base of the transistor 113.

【0068】そして、例えば、バッテリ電圧VBが定格
電圧から徐々に低下していき、所定電圧V3が所定電圧
V4より低くなったとする。この場合は、上述したよう
にNPNトランジスタ113は、第1電源回路96によ
ってオンされ、上記所定電圧V4とNPNトランジスタ
113のエミッタとの間の電位差は、NPNトランジス
タ112、113のベース−エミッタ間の各電圧降下分
の和となる。
For example, assume that the battery voltage VB gradually decreases from the rated voltage, and the predetermined voltage V3 becomes lower than the predetermined voltage V4. In this case, as described above, the NPN transistor 113 is turned on by the first power supply circuit 96, and the potential difference between the predetermined voltage V4 and the emitter of the NPN transistor 113 is between the base and the emitter of the NPN transistors 112 and 113. It becomes the sum of each voltage drop.

【0069】しかしながら、この場合は、ダイオード1
11により第1電源回路96と第2電源回路110とは
分離していると考えられるので、この場合NPNトラン
ジスタ113のエミッタ−コレクタ間の電位差は、エミ
ッタ−コレクタ間の電圧降下分のみとなる。すなわち、
MOSトランジスタ31のゲートに印加される電圧は、
V3−VCE113=V3(V)となる。なお、VCE
は、トランジスタ113のコレクタ−エミッタ間の電圧
降下分=0(V)である。
However, in this case, the diode 1
11, it is considered that the first power supply circuit 96 and the second power supply circuit 110 are separated from each other. In this case, the potential difference between the emitter and the collector of the NPN transistor 113 is only the voltage drop between the emitter and the collector. That is,
The voltage applied to the gate of the MOS transistor 31 is
V3-VCE113 = V3 (V). In addition, VCE
Is the voltage drop between the collector and the emitter of the transistor 113 = 0 (V).

【0070】従って、バッテリ電圧VBが、MOSトラ
ンジスタ31のスイッチング動作を行うのに必要なゲー
ト電圧に低下するまでは、確実にMOSトランジスタ3
1をオンさせることができる。なお、図5中246はN
PNトランジスタであり、これは後述する異常状態が発
生したときに、PWM制御回路9の制御を停止、つまり
MOSトランジスタ31をオフするために、第2異常用
回路244にてNPNトランジスタ115、116を強
制的に共にオフするものである。
Therefore, until the battery voltage VB decreases to the gate voltage necessary for performing the switching operation of the MOS transistor 31, the MOS transistor 3
1 can be turned on. Note that 246 in FIG.
This is a PN transistor. When an abnormal state described later occurs, the control of the PWM control circuit 9 is stopped, that is, the NPN transistors 115 and 116 are turned off by the second abnormality circuit 244 in order to turn off the MOS transistor 31. Both are forcibly turned off.

【0071】〔ランプパワー制御回路10について〕次
に、ランプパワー制御回路10の具体的構成を図6に示
す。ランプパワー制御回路は、ランプ2の放電点灯状態
を示す信号であるランプ電圧VLやランプ電流IL等に
応じた出力を発生する誤差増幅回路(積分回路)61が
備えられており、この誤差増幅回路61の出力がPWM
制御回路に入力されようになっている。このランプパワ
ー制御回路10は、最終的に誤差増幅回路(積分回路)
61の出力電圧(出力信号)を上記PWM制御回路9内
で反転させることで、ランプ電力を制御する。
[Regarding Lamp Power Control Circuit 10] Next, a specific configuration of the lamp power control circuit 10 is shown in FIG. The lamp power control circuit includes an error amplifying circuit (integrating circuit) 61 that generates an output according to a lamp voltage VL, a lamp current IL, or the like, which is a signal indicating a discharge lighting state of the lamp 2. The output of 61 is PWM
It is to be input to the control circuit. This lamp power control circuit 10 finally becomes an error amplification circuit (integration circuit).
The lamp power is controlled by inverting the output voltage (output signal) of 61 in the PWM control circuit 9.

【0072】つまり、PWM制御回路9は、誤差増幅回
路61の出力電位が高くなるほど、鋸歯状波に対するス
レッショルドレベルを小さくして、MOSトランジスタ
31のオン・オフデューティー比が大きくなるように制
御する。これにより、ランプ電力が増加する。一方、P
WM制御回路9は、誤差増幅回路61の出力電位が低く
なるほど、鋸歯状波に対するスレッショルドレベルを大
きくして、MOSトランジスタ31のオン・オフデュー
ティー比が小さくなるように制御する。これにより、ラ
ンプ電力が低下する。
That is, the PWM control circuit 9 controls so that the higher the output potential of the error amplifier circuit 61 is, the smaller the threshold level with respect to the sawtooth wave is and the larger the on / off duty ratio of the MOS transistor 31 is. This increases lamp power. On the other hand, P
The WM control circuit 9 increases the threshold level for the sawtooth wave as the output potential of the error amplifier circuit 61 decreases, and controls the ON / OFF duty ratio of the MOS transistor 31 to decrease. Thereby, the lamp power decreases.

【0073】図6に示すように誤差増幅回路61の非反
転入力端子には、基準電圧Vrefが入力されており、
反転入力端子には、ランプ電力PLを制御するためのパ
ラメータとなる電圧V1が入力されている。これによ
り、誤差増幅回路61は、電圧V1に応じた出力を発生
し、この出力に基づき上記オン・オフデューティー比が
設定される。
As shown in FIG. 6, a reference voltage Vref is input to the non-inverting input terminal of the error amplifier circuit 61.
The voltage V1 serving as a parameter for controlling the lamp power PL is input to the inverting input terminal. As a result, the error amplifying circuit 61 generates an output corresponding to the voltage V1, and the on / off duty ratio is set based on the output.

【0074】そして、電圧V1が基準電圧Vrefより
高くなると、誤差増幅回路61の出力電圧は低くなり、
電圧V1が基準電圧Vrefより低くなると、誤差増幅
回路61の出力電圧は高くなるように作動する。この電
圧V1は、ランプ電流IL及びランプ電圧VL等の複合
信号、すなわちランプ電流ILと、定電圧V2により流
れる電流i1 と、第1電流設定回路63にて設定される
電流i2と、第2電流設定回路65にて設定される電流
i3に基づいて決定される。
When the voltage V1 becomes higher than the reference voltage Vref, the output voltage of the error amplifier 61 becomes lower,
When the voltage V1 becomes lower than the reference voltage Vref, the output voltage of the error amplifier circuit 61 operates so as to become higher. The voltage V1 is a composite signal such as the lamp current IL and the lamp voltage VL, that is, the lamp current IL, the current i1 flowing by the constant voltage V2, the current i2 set by the first current setting circuit 63, and the second current It is determined based on the current i3 set by the setting circuit 65.

【0075】電圧V1が基準電圧Vrefより高くなる
と、誤差増幅回路61の出力電圧は低くなり、電圧V1
が基準電圧Vrefより低くなると誤差増幅回路61の
出力電圧は高くなるように作動する。なお、ランプ電圧
VLは、上記サンプルホールド回路12からの出力値で
ある。また、電流i1 と電流i2 と電流i3 との和は、
上記ランプ電流ILより十分小さく設定されている。
When the voltage V1 becomes higher than the reference voltage Vref, the output voltage of the error amplifying circuit 61 becomes lower and the voltage V1 becomes higher.
Is lower than the reference voltage Vref, the output voltage of the error amplifier 61 operates so as to increase. Note that the ramp voltage VL is an output value from the sample and hold circuit 12. The sum of the current i1, the current i2, and the current i3 is
It is set to be sufficiently smaller than the lamp current IL.

【0076】ここで、第1電流設定回路63は、図に示
すようにランプ電圧VLが高くなる程、電流i2を大き
く設定するものである。さらに、電流i2は、図に示す
ようにランプ電圧VLが高くなるほど傾きが緩やかにな
る異なる直線を繋げたような関係にて設定されるように
なっている。第2電流設定回路65は、図に示すように
電流i3を時間Tが長くなるほど大きくなるように設定
する。なお、この時間Tは、ランプ2が消灯してからの
経過時間に相当し、上記電極温度の状態を間接的に予測
するものである。
Here, the first current setting circuit 63 sets the current i2 to be larger as the lamp voltage VL becomes higher as shown in FIG. Further, as shown in the figure, the current i2 is set in such a manner that different straight lines having a gentler slope as the lamp voltage VL becomes higher are connected. The second current setting circuit 65 sets the current i3 so as to increase as the time T increases, as shown in the figure. Note that this time T corresponds to the elapsed time since the lamp 2 was turned off, and indirectly predicts the state of the electrode temperature.

【0077】つまり、ランプ2がある程度の時間継続し
て点灯されると、電極温度は十分温かくなっており、そ
の後短時間ランプ2を消灯させて再度ランプ2を点灯し
たときには、電極温度の温度低下量は少ない。従って、
この場合、ランプ電力は、例えば外気温程度まで電極が
冷えきった状態に比べて小さくて良い。この結果、本実
施形態では、ランプパワー制御回路10により電極温度
を間接的に予測して、電極温度に応じてランプ電力を制
御することができる。
That is, when the lamp 2 is continuously turned on for a certain period of time, the electrode temperature is sufficiently high. When the lamp 2 is turned off for a short time and then turned on again, the temperature of the electrode decreases. The amount is small. Therefore,
In this case, the lamp power may be smaller than that in a state where the electrodes are completely cooled down to, for example, the outside air temperature. As a result, in the present embodiment, the lamp temperature can be controlled in accordance with the electrode temperature by indirectly predicting the electrode temperature by the lamp power control circuit 10.

【0078】このように、ランプパワー制御回路10
は、ランプ電流IL及びランプ電圧VLに基づいて制御
を行っているため、これらランプ電流IL及びランプ電
圧VLを正確に検出することが重要となる。本実施形態
では、これらランプ電圧VL及びランプ電流ILを正確
に検出するために、クランプ回路69やサンプルホール
ド回路12が設けられている。以下これらクランプ回路
69とサンプルホールド回路12について説明する。
As described above, the lamp power control circuit 10
Performs control based on the lamp current IL and the lamp voltage VL, so it is important to accurately detect the lamp current IL and the lamp voltage VL. In the present embodiment, a clamp circuit 69 and a sample hold circuit 12 are provided to accurately detect the lamp voltage VL and the lamp current IL. Hereinafter, the clamp circuit 69 and the sample hold circuit 12 will be described.

【0079】クランプ回路69は、誤差増幅回路61の
反転入力端子に入力される電圧V1をクランプするもの
である。図に示すように、クランプ回路69は電圧ホロ
ワ回路を構成している。このクランプ回路69に備えら
れたオペアンプ69aの非反転入力端子には、誤差増幅
回路61の非反転入力端子に入力される所定電圧Vre
fよりも所定電圧低いVref−αの電圧が入力され
る。ただし、クランプ回路69の出力端子にはダイオー
ド69bが接続されており、オペアンプ69aが出力端
子側から電流を引き込めないようになっている。
The clamp circuit 69 clamps the voltage V1 input to the inverting input terminal of the error amplifier 61. As shown, the clamp circuit 69 forms a voltage follower circuit. The non-inverting input terminal of the operational amplifier 69a provided in the clamp circuit 69 has a predetermined voltage Vre input to the non-inverting input terminal of the error amplifier circuit 61.
A voltage of Vref-α lower than f by a predetermined voltage is input. However, a diode 69b is connected to the output terminal of the clamp circuit 69, so that the operational amplifier 69a cannot draw current from the output terminal side.

【0080】このような構成において、電圧V1が所定
電圧Vref−αよりも高い場合には、オペアンプ69
aの非反転入力端子よりも反転入力端子の方が高電圧に
なるため、オペアンプ69aは出力端子側から電流を引
き込もうとする。しかし、出力端子側にはダイオード6
9bが備えられているためにオペアンプ69aは電流を
引き込むことができず、電圧V1は、クランプ回路69
の影響を受けずに誤差増幅回路61に入力される。
In such a configuration, when the voltage V1 is higher than the predetermined voltage Vref-α, the operational amplifier 69
Since the voltage at the inverting input terminal becomes higher than that at the non-inverting input terminal a, the operational amplifier 69a tries to draw current from the output terminal side. However, the output terminal side has a diode 6
9b, the operational amplifier 69a cannot draw current, and the voltage V1 is
Is input to the error amplification circuit 61 without being affected by

【0081】また、電圧V1が所定電圧Vref−αよ
りも低くなると、オペアンプ69aの非反転入力端子の
方が反転入力端子よりも高電圧になるため、オペアンプ
69aは出力端子側へ電流を押し出す。これにより、電
圧V1が所定電圧Vref−α以下にならないように維
持される。このようにクランプ回路69を設けた場合の
電圧V1の変化を図7に示す。図7に示すように、Hブ
リッジ回路7aにおけるMOSトランジスタ41a〜4
1dのオン・オフ切換え時において、ランプ電流ILが
一瞬大きく低下し、電圧V1は瞬間的に変化する。しか
しながら、クランプ回路69によって電圧V1が所定電
圧Vref−α以下にならず、所定電圧Vref−α以
上の電圧に維持される。このため、電圧V1の急激な変
化は生じない。
When the voltage V1 becomes lower than the predetermined voltage Vref-α, the voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 69a becomes higher than that at the inverting input terminal, so that the operational amplifier 69a pushes the current to the output terminal side. Thus, the voltage V1 is maintained so as not to be lower than the predetermined voltage Vref-α. FIG. 7 shows a change in the voltage V1 when the clamp circuit 69 is provided as described above. As shown in FIG. 7, MOS transistors 41a to 41a in the H-bridge circuit 7a
At the time of on / off switching of 1d, the lamp current IL drops momentarily greatly, and the voltage V1 changes instantaneously. However, the voltage V1 does not fall below the predetermined voltage Vref-α by the clamp circuit 69, and is maintained at a voltage higher than the predetermined voltage Vref-α. For this reason, no sharp change in the voltage V1 occurs.

【0082】これにより、MOSトランジスタ41a〜
41dの切換え時(ランプ2の放電電流の切換え時)に
おける電圧V1の変化を小さくすることができるため、
バッテリ1からの供給電力をフィードバック制御するに
際し、ランプ電流ILの瞬間的な変化による影響を抑制
することができる。また、ランプ電流ILが低下する時
間は、トランス47bのインダクタンスが大きくなれば
なるほど大きくなる。そして、本実施形態においては、
始動回路8と直流電源回路5に必要なトランスをフライ
バックトランス29で共用していることから、トランス
47bのインダクタンスが大きく、ランプ電流ILによ
る影響が大きくなる。しかしながら、このように、クラ
ンプ回路69を設けているため、このような場合でも効
果的にランプ電流ILによるフィードバック制御への影
響を抑制することができる。
Thus, MOS transistors 41a-41
Since the change of the voltage V1 at the time of switching of 41d (at the time of switching of the discharge current of the lamp 2) can be reduced,
When performing feedback control of the power supplied from the battery 1, the effect of the instantaneous change in the lamp current IL can be suppressed. In addition, the time during which the lamp current IL decreases decreases as the inductance of the transformer 47b increases. And in this embodiment,
Since the transformer required for the starting circuit 8 and the DC power supply circuit 5 is shared by the flyback transformer 29, the inductance of the transformer 47b is large, and the influence of the lamp current IL increases. However, since the clamp circuit 69 is provided in this manner, even in such a case, the influence of the lamp current IL on the feedback control can be effectively suppressed.

【0083】なお、MOSトランジスタ41a〜41d
のスイッチング周波数が高い場合には、フィードバック
制御の遅れによってランプ電流ILの変化によるフィー
ドバク制御への影響が顕著になるが、このようなスイッ
チング周波数が高い場合においても上記影響を抑制でき
るため有効である。また、誤差増幅回路61には積分用
コンデンサ61aが備えられており、このコンデンサ6
1aの容量を大きくすることによりランプ電流ILの影
響を緩和することも可能であるが、このようにコンデン
サ61aの容量を大きくした場合には、誤差増幅回路6
1の応答性が確保できなくなるため、クランプ回路69
を設けることが有効となる。
The MOS transistors 41a to 41d
When the switching frequency is high, the influence of the change in the lamp current IL on the feedback control becomes significant due to the delay of the feedback control. is there. The error amplifying circuit 61 is provided with an integrating capacitor 61a.
It is possible to reduce the influence of the lamp current IL by increasing the capacitance of the capacitor 1a. However, when the capacitance of the capacitor 61a is increased in this manner, the error amplifier circuit 6
1 cannot be ensured, the clamp circuit 69
Is effective.

【0084】図8に、サンプルホールド回路12の回路
構成を示す。サンプルホールド回路12は、二次巻線4
7b及びコンデンサ35によって生じる過渡電圧を排除
するものである。このサンプルホールド回路12は反転
入力端子125と出力端子147が接続されたバッファ
アンプ回路129と、バッファアンプ回路129におけ
る出力を所定期間維持するマスク回路131とを備えて
おり、これらの回路によって過渡電圧を含んだランプ電
圧VLから、過渡電圧を排除している。サンプルホール
ド回路12には、演算増幅器152が備えられており、
この演算増幅器152によって、サンプルホールド回路
12の出力を発生し、最終的にランプパワー制御回路1
0にランプ電圧VLに応じた制御信号を送っている。
FIG. 8 shows a circuit configuration of the sample hold circuit 12. The sample and hold circuit 12 includes the secondary winding 4
7b and the transient voltage generated by the capacitor 35 is eliminated. The sample and hold circuit 12 includes a buffer amplifier circuit 129 to which an inverting input terminal 125 and an output terminal 147 are connected, and a mask circuit 131 for maintaining the output of the buffer amplifier circuit 129 for a predetermined period. , The transient voltage is excluded from the lamp voltage VL including. The sample hold circuit 12 includes an operational amplifier 152,
The operational amplifier 152 generates the output of the sample-and-hold circuit 12 and finally the lamp power control circuit 1
A control signal corresponding to the lamp voltage VL is sent to 0.

【0085】また、図9にサンプルホールド回路12を
介して検出されるランプ電圧VLの模式図を示す。以
下、図8に基づきサンプルホールド回路12の作動につ
いて説明する。サンプルホールド回路12は、デジタル
回路(図示しない)からのタイミング信号に基づきマス
ク回路131におけるNPNトランジスタ133a、1
33bをオン・オフする。そして、サンプルホールド回
路12は、マスク回路131へのタイミング信号(入力
信号)がローレベル信号である場合にはその時のランプ
電圧VLをサンプリングしてランプ電圧VLに応じた出
力を発生し、タイミング信号がハイレベル信号に切り換
わった場合にはその直前にサンプリングしたランプ電圧
VLに応じた出力を維持(ホールド)する。以下、具体
的な作動を、タイミング信号がローレベル信号である場
合とハイレベル信号に切り換わった場合に分けて説明す
る。
FIG. 9 is a schematic diagram of the ramp voltage VL detected via the sample and hold circuit 12. Hereinafter, the operation of the sample and hold circuit 12 will be described with reference to FIG. The sample-and-hold circuit 12 receives the NPN transistors 133a and 133 in the mask circuit 131 based on a timing signal from a digital circuit (not shown).
Turn on / off 33b. When the timing signal (input signal) to the mask circuit 131 is a low-level signal, the sample-and-hold circuit 12 samples the lamp voltage VL at that time and generates an output corresponding to the lamp voltage VL. Is switched to the high level signal, the output corresponding to the lamp voltage VL sampled immediately before is maintained (held). Hereinafter, a specific operation will be described separately for a case where the timing signal is a low level signal and a case where the timing signal is switched to a high level signal.

【0086】 タイミング信号がローレベル信号であ
る場合 この場合には、NPNトランジスタ133a、133b
がオフであるため、ランプ電圧VLに応じた出力を発生
する。非反転入力端子127に入力されたランプ電圧V
Lが増加すると、反転入力端子125の電圧と非反転入
力端子127の電圧との差電圧が大きくなり、トランジ
スタ135、155、137、139による差動回路の
出力であるトランジスタ141のベース端子の電圧が上
昇し、エミッタフォロア回路を構成するトランジスタ1
41、145により電流増幅し、バッファアンプ回路1
29の出力端子147の電圧は上昇する。この作動によ
り非反転入力端子127の電圧と反転入力端子125の
電圧(バッファアンプ回路129の出力端子147の電
圧)は等しくなるように作動する。
When the timing signal is a low-level signal In this case, the NPN transistors 133a and 133b
Is off, an output corresponding to the lamp voltage VL is generated. Lamp voltage V input to non-inverting input terminal 127
When L increases, the difference voltage between the voltage of the inverting input terminal 125 and the voltage of the non-inverting input terminal 127 increases, and the voltage of the base terminal of the transistor 141 which is the output of the differential circuit by the transistors 135, 155, 137, and 139 Rises, and the transistor 1 forming the emitter follower circuit
41, 145, the current is amplified by the buffer amplifier circuit 1
The voltage of the 29 output terminal 147 increases. By this operation, the operation is performed so that the voltage of the non-inverting input terminal 127 and the voltage of the inverting input terminal 125 (the voltage of the output terminal 147 of the buffer amplifier circuit 129) become equal.

【0087】すなわち、バッファアンプ回路129は、
出力端子147の電圧がランプ電圧VLと同様の電圧に
なるように差動増幅回路としての作動を行う。従って、
リップル平滑用抵抗149を介してコンデンサ151に
流れ込む電流が増加し、コンデンサ151の充電電圧が
増加する。そして、この充電電圧の増加に伴った出力を
演算増幅器152は出力する。
That is, the buffer amplifier circuit 129
The operation as a differential amplifier circuit is performed so that the voltage of the output terminal 147 becomes the same voltage as the lamp voltage VL. Therefore,
The current flowing into the capacitor 151 via the ripple smoothing resistor 149 increases, and the charging voltage of the capacitor 151 increases. Then, the operational amplifier 152 outputs an output accompanying the increase in the charging voltage.

【0088】なお、PNPトランジスタ135に流れる
電流値の減少により、定電流源143からPNPトラン
ジスタ155を流れる電流は増加し、反転入力端子12
5に流れるバイアス電流が増加するが、この電流は極め
て微小であるためコンデンサ151の充電には影響を与
えない。また、非反転入力端子127に入力されたラン
プ電圧VLが減少すると、上述した作動とは逆の作動を
行って、出力端子147の電圧がランプ電圧VLと同様
の電圧になるようにする。
Note that the current flowing through the PNP transistor 155 from the constant current source 143 increases due to the decrease in the value of the current flowing through the PNP transistor 135, and the inverting input terminal 12
Although the bias current flowing through 5 increases, this current is extremely small and does not affect the charging of the capacitor 151. When the lamp voltage VL input to the non-inverting input terminal 127 decreases, the operation reverse to the above-described operation is performed so that the voltage of the output terminal 147 becomes the same voltage as the lamp voltage VL.

【0089】すなわち、タイミング信号がローレベル信
号である時には、その時のランプ電圧VLに応じた電圧
がコンデンサ151に蓄積されており、サンプルホール
ド回路12はその時のランプ電圧VLをサンプリングす
る。 タイミング信号がハイレベル信号に切り換わった場
合 この場合には、NPNトランジスタ133a、133b
がオンする。このため、定電流源143からの電流がト
ランジスタ133aに流れ込むと共に、定電流源157
からの電流がトランジスタ133bに流れ込み、NPN
トランジスタ145、159、161がオフする。従っ
て、この時はコンデンサ151に電流が流れず、タイミ
ング信号がハイレベル信号に切り換わる直前の充電電圧
をコンデンサ151は保持する。すなわち、タイミング
信号がハイレベルに切り換わった場合には、バッファア
ンプ回路129は差動増幅回路としての作動を行わな
い。
That is, when the timing signal is a low level signal, a voltage corresponding to the lamp voltage VL at that time is stored in the capacitor 151, and the sample and hold circuit 12 samples the lamp voltage VL at that time. When the timing signal is switched to a high level signal In this case, the NPN transistors 133a and 133b
Turns on. Therefore, the current from the constant current source 143 flows into the transistor 133a and the constant current source 157
From the transistor 133b flows into the transistor 133b,
The transistors 145, 159, and 161 are turned off. Therefore, at this time, no current flows through the capacitor 151, and the capacitor 151 holds the charging voltage immediately before the timing signal switches to the high level signal. That is, when the timing signal switches to the high level, the buffer amplifier circuit 129 does not operate as a differential amplifier circuit.

【0090】このように、過渡電圧発生時以外にはバッ
ファアンプ回路129が差動増幅回路としての作動を行
って、過渡電圧発生時にはバッファアンプ回路129が
差動増幅回路としての作動を行わないように過渡電圧部
分をマスクするようにしている。これにより、過渡電圧
発生時にはランプ電圧VLをサンプリングしないように
することができ、過渡電圧発生時以外の通常時における
ランプ電圧VLを検出することができる。従来において
は、チョークコイルを用いてランプ電圧VLを平坦化し
て、これによって通常時におけるランプ電圧VLが検出
できるようにしていたが、このようにサンプルホールド
回路12を設けることにより、チョークコイルを用いな
くても通常時のランプ電圧VLを検出することができ
る。
As described above, the buffer amplifier circuit 129 operates as a differential amplifier circuit except when a transient voltage occurs, and the buffer amplifier circuit 129 does not operate as a differential amplifier circuit when a transient voltage occurs. In order to mask the transient voltage portion. This makes it possible not to sample the lamp voltage VL when a transient voltage occurs, and to detect the lamp voltage VL in a normal state other than when a transient voltage occurs. Conventionally, the lamp voltage VL is flattened by using a choke coil so that the lamp voltage VL in a normal state can be detected. However, by providing the sample-and-hold circuit 12, the choke coil is used. Without this, the normal lamp voltage VL can be detected.

【0091】なお、上述したデジタル回路が発生するタ
イミング信号は、Hブリッジ回路7aにおけるMOSト
ランジスタ41a〜41dの切換えタイミングと同期し
たものにしており、具体的にはMOSトランジスタ41
a〜41dの切換え後、数十μs〜数百μsの間ハイレ
ベル信号を出力するように構成されている。 〔PWM制御回路9について〕次に、PWM制御回路9
の詳細について説明する。図10にPWM制御回路9の
回路図を示す。
The timing signal generated by the above-described digital circuit is synchronized with the switching timing of the MOS transistors 41a to 41d in the H-bridge circuit 7a.
After switching from a to 41d, a high level signal is output for several tens μs to several hundred μs. [Regarding the PWM control circuit 9] Next, the PWM control circuit 9
Will be described in detail. FIG. 10 shows a circuit diagram of the PWM control circuit 9.

【0092】図10に示すように、PWM制御回路9は
鋸歯状波を形成する鋸歯状波形成回路163と鋸歯状波
におけるスレッショルドレベル(デューティー比)を設
定するスレッショルドレベル設定回路165及び鋸歯状
波とスレッショルドレベルを比較してMOSトランジス
タ31のオン・オフのデューティー比を設定するコンパ
レータ167を備えている。
As shown in FIG. 10, the PWM control circuit 9 includes a sawtooth wave forming circuit 163 for forming a sawtooth wave, a threshold level setting circuit 165 for setting a threshold level (duty ratio) in the sawtooth wave, and a sawtooth wave. A comparator 167 that compares the threshold level with the threshold level to set the ON / OFF duty ratio of the MOS transistor 31.

【0093】鋸歯状波形成回路163について説明す
る。この鋸歯状波形成回路163は、定電流源169か
らダイオード171を介して流れ込む電流Ikや定電圧
源173における電圧に基づき抵抗175を介して流れ
込む電流Itによって充電されるコンデンサ177の充
電電圧を可変することによって鋸歯状波を形成してい
る。すなわち、コンパレータ181の出力に基づいてN
PNトランジスタ183a、183bをオン・オフさ
せ、これによって抵抗179a〜179cによって設定
されるしきい電圧を可変させて鋸歯状波を形成してい
る。以下、鋸歯状波形成回路163の基本作動について
説明する。
The sawtooth wave forming circuit 163 will be described. The sawtooth wave forming circuit 163 varies the charging voltage of the capacitor 177 charged by the current It flowing from the constant current source 169 via the diode 171 and the current It flowing through the resistor 175 based on the voltage of the constant voltage source 173. Thus, a sawtooth wave is formed. That is, based on the output of the comparator 181, N
The PN transistors 183a and 183b are turned on and off, thereby varying the threshold voltage set by the resistors 179a to 179c to form a sawtooth wave. Hereinafter, the basic operation of the sawtooth wave forming circuit 163 will be described.

【0094】この基本作動によって形成される鋸歯状波
を図11(a)に示す。以下、図10及び図11(a)
に基づき、鋸歯状波の形成について説明する。コンデン
サ177の充電は、定電流源169からダイオード17
1を介して流れ込む電流Ikと、定電圧源173におけ
る電圧に基づき抵抗175を介して流れ込む電流Itに
よって行われる。
FIG. 11A shows the sawtooth wave formed by this basic operation. Hereinafter, FIG. 10 and FIG.
The formation of a sawtooth wave will be described based on FIG. The capacitor 177 is charged by the constant current source 169 from the diode 17.
1 and the current It flowing through the resistor 175 based on the voltage of the constant voltage source 173.

【0095】そして、コンデンサ177の充電電圧が抵
抗179b、179cの両端電圧である第1のしきい電
圧Vaになるまでコンデンサ177の充電が続き、この
充電が完了するまでの間、コンデンサ177の充電電圧
は所定の傾きをもって増加する。この後、コンデンサ1
77の充電電圧が電圧Vaになると、コンパレータ18
1はハイレベル信号を出力し、NPNトランジスタ18
3a、183bがオンする。これにより、第1のしきい
電圧Vaが抵抗179bの両端電圧である第2のしきい
電圧Vbに減少すると共に、抵抗201を介してコンデ
ンサ177の放電が行われる。このコンデンサ177の
放電によって、コンデンサ177の充電電圧が急激に低
下する。
The charging of the capacitor 177 is continued until the charging voltage of the capacitor 177 becomes the first threshold voltage Va, which is the voltage between both ends of the resistors 179b and 179c. The voltage increases with a predetermined slope. After this, capacitor 1
When the charging voltage of 77 becomes the voltage Va, the comparator 18
1 outputs a high level signal, and the NPN transistor 18
3a and 183b are turned on. As a result, the first threshold voltage Va decreases to the second threshold voltage Vb, which is a voltage across the resistor 179b, and the capacitor 177 is discharged via the resistor 201. Due to the discharge of the capacitor 177, the charged voltage of the capacitor 177 rapidly decreases.

【0096】そして、コンデンサ177の充電電圧が第
2のしきい電圧Vbまで低下すると、コンパレータ18
1はローレベル信号を出力し、NPNトランジスタ18
3a、183bがオフする。これにより、第2のしきい
電圧Vbが第1のしきい電圧Vaに戻る。さらに、この
後もコンデンサ177への充電・放電が同様に繰り返さ
れ、比較的周期が短い、すなわち比較的周波数の高い鋸
歯状波が形成される。
When the charging voltage of the capacitor 177 decreases to the second threshold voltage Vb, the comparator 18
1 outputs a low level signal, and the NPN transistor 18
3a and 183b turn off. As a result, the second threshold voltage Vb returns to the first threshold voltage Va. Further, thereafter, the charging / discharging of the capacitor 177 is similarly repeated to form a sawtooth wave having a relatively short cycle, that is, a relatively high frequency.

【0097】このような作動を行う鋸歯状波形成回路
は、周波数変更回路185を備え、この周波数変更回路
185によって鋸歯状波の周波数を変更させている。周
波数変更回路185は、ランプ2の点灯前・点灯後とで
スイッチング周波数を変更する回路185aとバッテリ
電圧VBに応じてスイッチング周波数を変更する回路1
85bとからなる。
The sawtooth wave forming circuit that performs such an operation includes a frequency changing circuit 185, and the frequency changing circuit 185 changes the frequency of the sawtooth wave. The frequency changing circuit 185 includes a circuit 185a for changing the switching frequency before and after the lamp 2 is turned on and a circuit 1 for changing the switching frequency in accordance with the battery voltage VB.
85b.

【0098】これら、回路185aと回路185bはそ
れぞれランプ点灯前と点灯後において主に鋸歯状波形成
回路163の作動に影響を与える。以下、回路185a
と回路185bに分けて鋸歯状波形成回路163の作動
説明を行う。まず、回路185aの構成について説明す
る。回路185aは、ランプ電流ILを電圧変換した電
圧VIL(電流検出用抵抗59の高電圧側)と所定電圧
Vsとを比較するコンパレータ187と、このコンパレ
ータ187の出力信号によってオン・オフ制御が成され
るNPNトランジスタ189を備えている。このように
構成された回路185aを備えることによって、鋸歯状
波形成回路163が形成する鋸歯状波の周波数が以下に
示すように変更される。以下、ランプ2の点灯前・点灯
後に分けて鋸歯状波の形成について説明する。
The circuits 185a and 185b mainly affect the operation of the sawtooth wave forming circuit 163 before and after the lamp is turned on, respectively. Hereinafter, the circuit 185a
The operation of the saw-tooth wave forming circuit 163 will be described below with reference to FIG. First, the structure of the circuit 185a will be described. The circuit 185a compares a voltage VIL (high voltage side of the current detection resistor 59) obtained by converting the lamp current IL with a predetermined voltage Vs, and ON / OFF control is performed by an output signal of the comparator 187. NPN transistor 189 is provided. With the provision of the circuit 185a configured as described above, the frequency of the sawtooth wave formed by the sawtooth wave forming circuit 163 is changed as described below. Hereinafter, formation of the sawtooth wave before and after lighting of the lamp 2 will be described.

【0099】ランプ2の点灯前 ランプ2の点灯前において形成される鋸歯状波を図11
(b)に示す。ランプ2が点灯する前には電圧VILが
零であるためコンパレータ187はハイレベル信号を出
力し、NPNトランジスタ189はオンする。これによ
り、定電流源169からの電流Ikがコンデンサ177
に流れ込まず、定電圧源173における電圧に基づき抵
抗175を介して流れ込む電流Itのみによってコンデ
ンサ177の充電が成される。従って、図11(b)に
示すように、コンデンサ177の充電時間が長くなって
鋸歯状波の周期が長くなる。
Before Lighting of Lamp 2 A sawtooth wave formed before lighting of lamp 2 is shown in FIG.
(B). Before the lamp 2 is turned on, since the voltage VIL is zero, the comparator 187 outputs a high-level signal and the NPN transistor 189 turns on. As a result, the current Ik from the constant current source 169 is
The capacitor 177 is charged only by the current It flowing through the resistor 175 based on the voltage of the constant voltage source 173 without flowing into the constant voltage source 173. Therefore, as shown in FIG. 11B, the charging time of the capacitor 177 becomes longer, and the period of the sawtooth wave becomes longer.

【0100】この後は、上述した基本作動と同様にコン
デンサ177の放電と充電を繰り返して、鋸歯状波形成
回路163が基本作動することによって形成される鋸歯
状波よりも周波数が低下した、比較的周期の長い鋸歯状
波が形成される。 ランプの点灯後 ランプ2の点灯後には、電圧VILが所定の電圧となる
ため、コンパレータ187はローレベル信号を出力し、
NPNトランジスタ189はオフする。このため、鋸歯
状波形成回路163は、回路185aによって影響を受
けることなく鋸歯状波を形成する。
Thereafter, the discharging and charging of the capacitor 177 are repeated in the same manner as in the basic operation described above, and the frequency is lower than that of the sawtooth wave formed by the basic operation of the sawtooth wave forming circuit 163. A sawtooth wave having a long periodic period is formed. After the lamp is turned on After the lamp 2 is turned on, the voltage VIL becomes a predetermined voltage, and the comparator 187 outputs a low level signal.
The NPN transistor 189 turns off. Therefore, the sawtooth wave forming circuit 163 forms the sawtooth wave without being affected by the circuit 185a.

【0101】次に、回路185bの構成について説明す
る。回路185bは、バッテリ電圧VBを分圧する抵抗
191a、191bを備えている。そして、これらによ
って分圧された電圧VB1がオペアンプ193に入力さ
れている。これにより、電圧VB1が定電圧源173に
おける定電圧以上である場合にはトランジスタ197は
オフし、定電圧未満である場合にはトランジスタ197
はバッテリ電圧VBに応じた電流を流すようになってい
る。そして、バッテリ電圧VBが低下した際には、カレ
ントミラー回路199を介して、トランジスタ197に
流れる電流に比例した電流がトランジスタ199aに流
れるようになっている。
Next, the configuration of the circuit 185b will be described. The circuit 185b includes resistors 191a and 191b for dividing the battery voltage VB. Then, the voltage VB1 divided by these is input to the operational amplifier 193. Thus, when the voltage VB1 is equal to or higher than the constant voltage of the constant voltage source 173, the transistor 197 is turned off. When the voltage VB1 is lower than the constant voltage, the transistor 197 is turned off.
Is adapted to flow a current corresponding to the battery voltage VB. When the battery voltage VB decreases, a current proportional to the current flowing through the transistor 197 flows through the transistor 199a via the current mirror circuit 199.

【0102】このように構成された回路185aを備え
ることによって、鋸歯状波形成回路163が形成する鋸
歯状波の周波数が以下に示すように変更される。以下、
バッテリ電圧VBが十分な場合とバッテリ電圧VBが低
下した場合に分けて鋸歯状波の形成について説明する。 バッテリ電圧VBが十分にある場合 この場合には、上述したようにトランジスタ197はオ
フしている。このため、コンデンサ177の充電は、定
電流源169からダイオード171を介して流れ込む電
流Ikと、定電圧源173における電圧に基づき抵抗1
75を介して流れ込む電流Itによって行われる。従っ
て、鋸歯状波形成回路163は、上述した基本作動を行
って、図11(a)と同様の鋸歯状波を形成する。
With the provision of the circuit 185a thus configured, the frequency of the sawtooth wave formed by the sawtooth wave forming circuit 163 is changed as described below. Less than,
The formation of the sawtooth wave will be described separately when the battery voltage VB is sufficient and when the battery voltage VB decreases. When the battery voltage VB is sufficient In this case, the transistor 197 is off as described above. Therefore, the capacitor 177 is charged based on the current Ik flowing from the constant current source 169 via the diode 171 and the voltage at the constant voltage source 173.
This is done by the current It flowing through 75. Therefore, the sawtooth wave forming circuit 163 performs the above-described basic operation to form a sawtooth wave similar to that shown in FIG.

【0103】 バッテリ電圧VBが低下している場合 バッテリ電圧VBが低下している場合において形成され
る鋸歯状波を図11(c)に示す。上述したようにトラ
ンジスタ197はバッテリ電圧VBに比例した電流を流
す。このため、カレントミラー回路199を介して、バ
ッテリ電圧VBに応じた電流がトランジスタ199aに
流れ込む。その結果、バッテリ電圧VBに応じた電流が
定電流源169からの定電流が引き抜かれる。
FIG. 11 (c) shows a sawtooth wave formed when the battery voltage VB is low when the battery voltage VB is low. As described above, the transistor 197 flows a current proportional to the battery voltage VB. Therefore, a current corresponding to the battery voltage VB flows into the transistor 199a via the current mirror circuit 199. As a result, the constant current from the constant current source 169 is extracted from the current corresponding to the battery voltage VB.

【0104】このため、定電流源169からの電流Ik
が減少されてコンデンサ177に流れ込む。従って、コ
ンデンサ177の充電は、バッテリ電圧VBの低下分減
少された電流Ikと定電圧源173における電圧に基づ
き抵抗175を介して流れ込む電流Itによって成され
る。これにより、バッテリ電圧VBが十分にある場合に
比べてコンデンサ177の充電時間が長くなって、図1
1(c)に示すように鋸歯状波の周期が長くなる。
Therefore, current Ik from constant current source 169 is
Is reduced and flows into the capacitor 177. Therefore, the capacitor 177 is charged by the current Ik reduced by the decrease in the battery voltage VB and the current It flowing through the resistor 175 based on the voltage of the constant voltage source 173. As a result, the charging time of the capacitor 177 becomes longer as compared with the case where the battery voltage VB is sufficient, and FIG.
As shown in FIG. 1C, the period of the sawtooth wave becomes longer.

【0105】この後、鋸歯状波形成回路163は、上記
と同様にコンデンサ177の放電と充電を繰り返して、
バッテリ電圧VBが十分にあるとともにランプ2が点灯
している時よりも周波数が低下した比較的周期の長い鋸
歯状波を形成する。このように、ランプ2の点灯前にお
いては、上述したように回路185aによって鋸歯状波
の周波数を一律に比較的低いものに変更しており、ラン
プ点灯後においては、回路185bによってバッテリ電
圧VBに応じて鋸歯状波の周波数を変更している。
Thereafter, the sawtooth wave forming circuit 163 repeatedly discharges and charges the capacitor 177 in the same manner as described above.
When the battery voltage VB is sufficient and the frequency is lower than when the lamp 2 is turned on, a sawtooth wave having a relatively long period is formed. As described above, before the lamp 2 is turned on, the frequency of the sawtooth wave is uniformly changed to a relatively low frequency by the circuit 185a as described above, and after the lamp is turned on, the circuit 185b reduces the battery voltage VB. The frequency of the sawtooth wave is changed accordingly.

【0106】次に、スレッショルドレベル設定回路16
5について説明する。スレッショルドレベル設定回路1
65は、ランプパワー制御回路10(誤差増幅回路6
1)からの指令信号に応じたスレッシュルドレベルを設
定すると共にランプが点灯していない状態の時に、ラン
プ電圧VLが所定電圧以上にならないように定電圧制御
(例えば、400V制御)するためのスレッシュルドレ
ベルを設定する。また、スレッシュルドレベル設定回路
165は、ランプパワー制御回路10(誤差増幅回路6
1)からの指令信号を反転する反転回路を有している。
ランプパワー制御回路10による指令信号のレベルは供
給したいランプ電力PLに応じて変化し、供給したいラ
ンプ電力PLが大きいほどデューティー比を低くして電
力供給を大きくする必要があるため、スレッシュルドレ
ベル設定回路165の中に反転回路を設けて指令信号の
レベルとスレッシュルドレベルが反転するようにしてい
る。
Next, the threshold level setting circuit 16
5 will be described. Threshold level setting circuit 1
65 is a lamp power control circuit 10 (error amplification circuit 6
A threshold for setting a threshold level according to the command signal from 1) and for performing constant voltage control (for example, 400 V control) so that the lamp voltage VL does not exceed a predetermined voltage when the lamp is not turned on. Set the threshold level. Further, the threshold level setting circuit 165 is connected to the lamp power control circuit 10 (the error amplifier circuit 6).
It has an inverting circuit for inverting the command signal from 1).
The level of the command signal from the lamp power control circuit 10 changes according to the lamp power PL to be supplied. The larger the lamp power PL to be supplied, the lower the duty ratio must be to increase the power supply. An inverting circuit is provided in the circuit 165 so that the level of the command signal and the threshold level are inverted.

【0107】なお、後で詳しく説明するが、スレッシュ
ルドレベル設定回路165はデューティー比の上限値と
なるデューティーリミット値を設定する回路を設けてい
る。続いて、コンパレータ167について説明する。コ
ンパレータ167は、上述した鋸歯状波と、スレッショ
ルドレベルを比較して、MOSトランジスタ31のオン
・オフのデューティー比を設定している。
As will be described later in detail, the threshold level setting circuit 165 is provided with a circuit for setting a duty limit value which is an upper limit value of the duty ratio. Next, the comparator 167 will be described. The comparator 167 compares the above-mentioned sawtooth wave with the threshold level to set the ON / OFF duty ratio of the MOS transistor 31.

【0108】また、この時のMOSトランジスタ31の
スイッチング周波数は、上述した鋸歯状波形成回路16
3で形成された鋸歯状波の周波数と同じであるため、
ランプ2が点灯する前にはバッテリ電圧VBの高低に係
わらず比較的低い周波数であり、ランプ2が点灯して
いる時であって、バッテリ電圧VBが十分にある時には
比較的高い周波数であり、ランプ2が点灯している時
であって、バッテリ電圧VBが低下している時にはバッ
テリ電圧VBの低下分に応じた比較的低い周波数であ
る。
At this time, the switching frequency of the MOS transistor 31 depends on the sawtooth wave forming circuit 16 described above.
Since the frequency is the same as the frequency of the sawtooth wave formed in step 3,
Before the lamp 2 is turned on, the frequency is relatively low regardless of the level of the battery voltage VB. When the lamp 2 is turned on and the battery voltage VB is sufficient, the frequency is relatively high. When the lamp 2 is turned on and the battery voltage VB is decreasing, the frequency is relatively low according to the decrease in the battery voltage VB.

【0109】ここで、ランプ2の点灯前におけるランプ
電圧VLの波形を図12に示す。図12の一点鎖線
(a)はバッテリ電圧VBが十分な場合、実線(b)は
バッテリ電圧VBが低下している場合、破線(c)はス
イッチング周波数を低くしない場合を示す。図12
(a)、(b)に示すように、MOSトランジスタ31
のスイッチング周波数を比較的低くした場合には、ラン
プ電圧VLはランプ点灯に必要な所定値に達して所定値
(例えば、上述した400V)に定電圧制御される。ま
た、スイッチング周波数を変化させない場合は、(c)
に示すようにランプ電圧VLはバッテリ電圧VBによっ
て変化し、バッテリ電圧VBが低下するほどランプ電圧
VLも低下する。つまり、スイッチング周波数を低くす
ることによりトランス29の一次巻線29aを流れる一
次電流の遮断電流値を大きくでき、スイッチング周波数
を変化させない場合に比べて直流電源回路5の出力電力
を大きくすることができる。
FIG. 12 shows a waveform of the lamp voltage VL before the lamp 2 is turned on. The dashed line (a) in FIG. 12 shows the case where the battery voltage VB is sufficient, the solid line (b) shows the case where the battery voltage VB is reduced, and the broken line (c) shows the case where the switching frequency is not lowered. FIG.
(A) and (b), as shown in FIG.
When the switching frequency is relatively low, the lamp voltage VL reaches a predetermined value necessary for lighting the lamp, and is controlled to a predetermined value (for example, the above-described 400 V) at a constant voltage. When the switching frequency is not changed, (c)
As shown in (1), the lamp voltage VL changes depending on the battery voltage VB. As the battery voltage VB decreases, the lamp voltage VL also decreases. That is, by lowering the switching frequency, the cutoff current value of the primary current flowing through the primary winding 29a of the transformer 29 can be increased, and the output power of the DC power supply circuit 5 can be increased as compared with a case where the switching frequency is not changed. .

【0110】また、単位時間当たりに一次巻線29aに
蓄積されるエネルギー総和W(≒直流電源回路5の出力
電力)は、数式1で表される。
The total energy W stored in the primary winding 29a per unit time (≒ the output power of the DC power supply circuit 5) is expressed by the following equation (1).

【0111】[0111]

【数1】W=f×1/2LI2 但し、f:スイッチング周波数、L:1次巻線29aの
インダクタンス、I:1次電流である。 この数式1に表されるように、単位時間当たりに一次巻
線29aに蓄積されるエネルギーの総和Wはスイッチン
グ周波数や電流の二乗に比例して大きくなる。このた
め、MOSトランジスタ31のオン・オフ周期(=1/
スイッチング周波数)を長くすることによって、スイッ
チング周波数が低下しても1次電流が大きくなるため、
単位時間当たりに1次巻線29aに蓄積されるエネルギ
ーの総和Wは大きくなる。
W = f × 1 / LI 2 where f: switching frequency, L: inductance of primary winding 29a, I: primary current. As represented by Equation 1, the total energy W stored in the primary winding 29a per unit time increases in proportion to the switching frequency and the square of the current. For this reason, the ON / OFF cycle of the MOS transistor 31 (= 1/1)
By increasing the switching frequency, the primary current increases even if the switching frequency decreases.
The total energy W stored in the primary winding 29a per unit time increases.

【0112】本実施形態においては、MOSトランジス
タ31のスイッチング周波数を比較的低くしているた
め、上記したように単位時間当たりに1次巻線に蓄積さ
れるエネルギーの総和Wは大きくなる。つまり、直流電
源回路5の出力電力は大きくなり、ランプ点灯に必要な
所定電圧値のランプ電圧VLをバッテリ電圧VBが低下
している場合においても供給することができる。
In this embodiment, since the switching frequency of the MOS transistor 31 is relatively low, the total energy W stored in the primary winding per unit time is large as described above. That is, the output power of the DC power supply circuit 5 increases, and the lamp voltage VL of a predetermined voltage value required for lamp lighting can be supplied even when the battery voltage VB is reduced.

【0113】このように、回路185aによって、ラン
プ2が点灯していない時にはランプ2が点灯している時
よりもMOSトランジスタ31のスイッチング周波数を
一律に低くすることにより、ランプ2の点灯に必要な電
力を供給することができるため、ランプ2の点灯性を良
好にすることができる。また、ランプ2の点灯後は所定
のスイッチング周波数でランプ2の交流点灯を行うこと
により、ランプ電流のリップルが低くでき、これにより
音響共鳴現象を抑制することができる。
As described above, by the circuit 185a, when the lamp 2 is not lit, the switching frequency of the MOS transistor 31 is made lower uniformly than when the lamp 2 is lit, so that the lamp 2 needs to be turned on. Since power can be supplied, the lighting performance of the lamp 2 can be improved. Also, after the lamp 2 is turned on, the lamp 2 is turned on at a predetermined switching frequency to reduce the ripple of the lamp current, thereby suppressing the acoustic resonance phenomenon.

【0114】続いて、ランプ2が点灯している時におい
て、バッテリ電圧VBが十分にある時とバッテリ電圧V
Bが低下した時における1次電流の波形の比較図をそれ
ぞれ図13(a)、(b)に示す。本実施形態において
は、バッテリ電圧低下に応じてMOSトランジスタ31
のスイッチング周波数を低くしているため、図13
(a)、(b)に示されるように、バッテリ電圧VBが
十分にある時だけでなくバッテリ電圧VBが低下してい
る時においても1次電流が十分に大きくなる。このた
め、上述したように、2次巻線29bに供給できる単位
時間当たりのエネルギーの総和Wが大きくなる。また、
周波数が低くなっているため、MOSトランジスタ31
がオフする時間も長くなり、二次巻線29bへのエネル
ギー供給が十分に行えるようになる。
Subsequently, when the lamp 2 is lit, when the battery voltage VB is sufficient and when the battery voltage VB
FIGS. 13A and 13B show comparison diagrams of the waveform of the primary current when B decreases. In the present embodiment, the MOS transistor 31
Since the switching frequency of FIG.
As shown in (a) and (b), the primary current becomes sufficiently large not only when the battery voltage VB is sufficient but also when the battery voltage VB is reduced. Therefore, as described above, the total energy W per unit time that can be supplied to the secondary winding 29b increases. Also,
Since the frequency is low, the MOS transistor 31
Is turned off, the energy supply to the secondary winding 29b can be sufficiently performed.

【0115】このように、ランプ2が点灯している時に
おいて、バッテリ電圧VBが十分にある場合にはMOS
トランジスタ31のスイッチング周波数が比較的高い所
定周波数にして、バッテリ電圧VBが低下している場合
にはバッテリ電圧VBの低下分に応じて前記所定周波数
を低くしているため、フライバックトランス29の2次
側へのエネルギー供給が十分に行えるようになってい
る。
As described above, when the lamp 2 is turned on and the battery voltage VB is sufficient, the MOS
When the switching frequency of the transistor 31 is set to a relatively high predetermined frequency and the battery voltage VB decreases, the predetermined frequency is reduced according to the decrease in the battery voltage VB. The energy supply to the next side can be sufficiently performed.

【0116】従って、ランプ2が点灯しているときにバ
ッテリ電圧VBが低下した場合などにおいてもエネルギ
ー消費効率を良好にすることができ、例えばランプ2が
点灯している途中で消えてしまったりすることを抑制す
ることができる。 〔スレッショルドレベル設定回路165について〕次
に、上記スレッショルドレベル設定回路165の詳細に
ついて、図14を用いて説明する。
Therefore, the energy consumption efficiency can be improved even when the battery voltage VB drops while the lamp 2 is on, for example, the lamp 2 goes out while it is on. Can be suppressed. [Regarding Threshold Level Setting Circuit 165] Next, details of the threshold level setting circuit 165 will be described with reference to FIG.

【0117】スレッショルドレベル設定回路165は、
ランプパワー制御回路10(誤差増幅回路61)が出力
する指令信号を反転する反転回路165aと、デューテ
ィー比の上限値となる上記デューティーリミット値(以
下、リミット値)を設定するリミット値設定回路165
bと、ランプ2の点灯前におけるランプ電圧VLを所定
値に定電圧制御する制御65cと、ランプ2の点灯前に
おけるランプ電圧VLを所定値に定電圧制御する制御回
路165cとを有する。
The threshold level setting circuit 165
An inverting circuit 165a for inverting a command signal output from the lamp power control circuit 10 (error amplifying circuit 61);
b, a control 65c for constant voltage control of the lamp voltage VL before the lamp 2 is turned on to a predetermined value, and a control circuit 165c for constant voltage control of the lamp voltage VL to a predetermined value before the lamp 2 is turned on.

【0118】なお、上記リミット値は、上述のようにフ
ライバックトランス29の二次側に十分エネルギーが供
給されるようにするためのものである。つまり、フライ
バックトランス29の二次側出力は、上記デューティー
比に対して上に凸の関係がある。従って、例えば大幅に
ランプ電力を増加しようとして、ランプパワー制御回路
10がデューティー比を大きくするように機能したとき
に、逆にフライバックトランス29の二次側出力が低下
するのを防止するために設定されている。
The above-mentioned limit value is for ensuring that sufficient energy is supplied to the secondary side of the flyback transformer 29 as described above. That is, the secondary side output of the flyback transformer 29 has an upwardly convex relationship with the duty ratio. Therefore, for example, when the lamp power control circuit 10 functions to increase the duty ratio in order to significantly increase the lamp power, the secondary output of the flyback transformer 29 is prevented from being reduced. Is set.

【0119】先ず、反転回路165aについて説明す
る。反転回路165aは、定電圧源203より電流が流
れるカレントミラー回路205と、このカレントミラー
回路205を流れる電流iSをベース電流とするNPN
トランジスタ207とからなる。上記誤差増幅回路61
の出力端子は、抵抗209を介して2つのNPNトラン
ジスタ205a、205bよりなる上記カレントミラー
回路205に接続されている。ここで、誤差増幅回路6
1の出力によりランプ電力が制御されているときには、
上記制御回路165cのトランジスタ400はオフ状態
にある。そこで、この場合における反転回路165aの
作動は、以下のようになる。
First, the inversion circuit 165a will be described. The inverting circuit 165a includes a current mirror circuit 205 through which a current flows from the constant voltage source 203, and an NPN using the current iS flowing through the current mirror circuit 205 as a base current.
And a transistor 207. The error amplification circuit 61
Is connected to the current mirror circuit 205 including two NPN transistors 205a and 205b via a resistor 209. Here, the error amplification circuit 6
When the lamp power is controlled by the output of No. 1,
The transistor 400 of the control circuit 165c is off. The operation of the inverting circuit 165a in this case is as follows.

【0120】ランプ電力を低下させる場合には、誤差増
幅回路61の出力電圧が下がり、抵抗209に流れる電
流isaは増加する。この際、この電流をカレントミラ
ー回路205でミラーした電流isbは、isaとな
る。そして、この電流isbを抵抗210にて電圧に変
換した電圧VMは高くなり、この電圧VMはエミッタフ
ォロア回路をなすトランジスタ207を介してコンパレ
ータ167の反転入力端子の入力電圧VNとなる。従っ
て、入力電圧VNは高くなり、スレッショルドレベルが
高くなって、デューティー比が小さくなる。
When the lamp power is reduced, the output voltage of the error amplifier 61 decreases, and the current isa flowing through the resistor 209 increases. At this time, the current isb obtained by mirroring this current with the current mirror circuit 205 becomes isa. Then, the voltage VM obtained by converting the current isb into a voltage by the resistor 210 becomes higher, and the voltage VM becomes the input voltage VN of the inverting input terminal of the comparator 167 via the transistor 207 forming an emitter follower circuit. Therefore, the input voltage VN increases, the threshold level increases, and the duty ratio decreases.

【0121】一方、ランプ電力を大きくさせる場合に
は、誤差増幅回路61の出力電圧が上がり、抵抗209
を流れる電流isaは減少する。これにより、この電流
isbを抵抗210にて電圧に変換した電圧VMは低下
する。従って、コンパレータ167の反転入力端子の入
力電圧VNは低下しスレッショルドレベルが低くなっ
て、デューティー比が大きくなる。
On the other hand, when increasing the lamp power, the output voltage of the error amplifier 61 rises,
The current isa that flows through the line decreases. As a result, the voltage VM obtained by converting the current isb into a voltage by the resistor 210 decreases. Therefore, the input voltage VN at the inverting input terminal of the comparator 167 decreases, the threshold level decreases, and the duty ratio increases.

【0122】次にリミット値設定回路165bについて
説明する。リミット値設定回路165bは、バッテリ電
圧VBに応じて上記リミット値を可変する第1リミット
値設定回路211と、ランプ2の供給電力を示す(相当
する)情報であるランプ電圧VLに応じて上記リミット
値を可変する第2リミット値設定回路213と、バッテ
リ電圧VBが所定値以下になると、上記リミット値を回
路上設定可能な最大値に設定する第3リミット値設定回
路215とを有する。
Next, the limit value setting circuit 165b will be described. The limit value setting circuit 165b includes a first limit value setting circuit 211 that varies the limit value according to the battery voltage VB, and the limit value according to the lamp voltage VL that is (corresponding to) information indicating the power supplied to the lamp 2. It has a second limit value setting circuit 213 for changing the value, and a third limit value setting circuit 215 for setting the limit value to the maximum value that can be set on the circuit when the battery voltage VB falls below a predetermined value.

【0123】第1リミット値設定回路211は、バッテ
リ1とフライバックトランス29の一次巻線29aとの
間に設けられた上記端子Aからバッテリ電圧VBのみを
検出するようになっている(図1参照)。第1リミット
値設定回路211は、抵抗223〜225で構成されて
いる。これら抵抗223〜225の接続点の電圧V0
は、後述のトランジスタ227がオフ(バッテリ電圧が
十分ある場合)で、ランプ電圧VLが0の場合は抵抗2
23〜225の分圧だけで決まり、バッテリ電圧VBに
応じた値となる。そして、バッテリ電圧VBが低下する
と、電圧V0は低下し、バッテリ電圧VBが高くなる
と、電圧V0は高くなる。
The first limit value setting circuit 211 detects only the battery voltage VB from the terminal A provided between the battery 1 and the primary winding 29a of the flyback transformer 29 (FIG. 1). reference). The first limit value setting circuit 211 includes resistors 223 to 225. The voltage V0 at the connection point of these resistors 223 to 225
Means that when the transistor 227 described later is off (when the battery voltage is sufficient) and the lamp voltage VL is 0, the resistance 2
It is determined only by the partial pressure of 23 to 225 and has a value corresponding to the battery voltage VB. When the battery voltage VB decreases, the voltage V0 decreases. When the battery voltage VB increases, the voltage V0 increases.

【0124】第2リミット値設定回路213は、抵抗2
22、カレントミラー回路221(NPNトランジスタ
221a,221b)で構成されており、ランプ2の供
給電力を示すランプ電圧VLのみを上記端子Cから検出
するようになっている。第2リミット値設定回路213
は、ランプ電圧VLが大きくなると、これに応じて上記
リミット値を大きく設定するものである。
The second limit value setting circuit 213 includes a resistor 2
22, a current mirror circuit 221 (NPN transistors 221a and 221b), and detects only the lamp voltage VL indicating the supply power of the lamp 2 from the terminal C. Second limit value setting circuit 213
Is to set the limit value to a large value as the lamp voltage VL increases.

【0125】つまり、カレントミラー回路221を流れ
る電流は、ランプ電圧VLのみに応じて可変され、ラン
プ電圧が高くなる程大きくなり、ランプ電圧VLが高く
なると、カレントミラー回路221のNPNトランジス
タ221bのコレクタ電流は増加する。従って、電圧V
0はNPNトランジスタ221bのコレクタ電流が増加
した分低下する。一方、ランプ電圧VLが低下すると、
NPNトランジスタ221bのコレクタ電流が減少し、
電圧V0は高くなる。
That is, the current flowing through the current mirror circuit 221 is varied only according to the lamp voltage VL, and increases as the lamp voltage increases. When the lamp voltage VL increases, the collector of the NPN transistor 221b of the current mirror circuit 221 changes. The current increases. Therefore, the voltage V
0 decreases by an increase in the collector current of the NPN transistor 221b. On the other hand, when the lamp voltage VL decreases,
The collector current of the NPN transistor 221b decreases,
The voltage V0 increases.

【0126】すなわち、スレッショルドレベル設定回路
165は、バッテリ電圧VBおよびランプ電圧VLとで
決定される電圧をV0とし、誤差増幅回路61の出力電
圧に相当するNPNトランジスタ207のベース側の電
圧をVMとすると、以下のような機能を果たす。但し、
説明上分かり易くするため、上記NPNトランジスタ2
07とNPNトランジスタ217との各ベース−コレク
タ間の電圧降下を無視する。
That is, the threshold level setting circuit 165 sets the voltage determined by the battery voltage VB and the ramp voltage VL to V0, and sets the voltage on the base side of the NPN transistor 207 corresponding to the output voltage of the error amplifier circuit 61 to VM. Then, the following functions are performed. However,
For simplicity of explanation, the NPN transistor 2
The voltage drop between each base and collector of the NPN transistor 07 and the NPN transistor 217 is neglected.

【0127】例えば、誤差増幅回路61の出力信号によ
り、ランプ電力を増加させようとして、電圧VMが低く
なったとする。そして、この際、上記電圧VMが上記電
圧V0より高いと、NPNトランジスタ217はオフと
なる。これにより、入力電圧VNは、電圧VMとなり、
誤差増幅回路61の出力信号に応じて、スレッショルド
レベルが設定される。
For example, it is assumed that the voltage VM is lowered in order to increase the lamp power by the output signal of the error amplifier circuit 61. At this time, if the voltage VM is higher than the voltage V0, the NPN transistor 217 turns off. Thus, the input voltage VN becomes the voltage VM,
The threshold level is set according to the output signal of error amplifier circuit 61.

【0128】一方、誤差増幅回路61の出力信号によ
り、ランプ電力を大幅に増加させようとして、例えば電
圧VMが上記電圧V0より低くなったとする。すると、
NPNトランジスタ207はオフ、NPNトランジスタ
217はオンとなる。これにより、入力電圧VNは、電
圧V0で、この電圧V0が上記リミット値となり、スレ
ッショルドレベルはこれ以上大きくならないように制限
される。
On the other hand, it is assumed that the voltage VM becomes lower than the voltage V0 in order to greatly increase the lamp power by the output signal of the error amplifier circuit 61. Then
The NPN transistor 207 turns off and the NPN transistor 217 turns on. As a result, the input voltage VN is the voltage V0, and the voltage V0 has the above-described limit value, and the threshold level is limited so as not to be further increased.

【0129】つまり、第1リミット値設定回路211
は、バッテリ電圧VBのみに応じ、バッテリ電圧VBが
低下すると、上記電圧V0も低下するので、バッテリ電
圧VBが低くなる程、上記リミット値を大きく設定す
る。また、第2リミット値設定回路213は、ランプ電
圧VLのみに応じ、ランプ電圧VLが高くなると上記電
圧V0は低くなるので、ランプ電圧VLが高くなる程、
上記リミット値を大きく設定する。
That is, the first limit value setting circuit 211
When the battery voltage VB decreases in accordance with only the battery voltage VB, the voltage V0 also decreases. Therefore, the lower the battery voltage VB, the larger the limit value is set. Further, the second limit value setting circuit 213 determines that the higher the lamp voltage VL, the lower the voltage V0 in accordance with only the lamp voltage VL.
Set the above limit value large.

【0130】このように、本例では、バッテリ電圧VB
のみを検出する手段として、図1に示すように端子Aを
設け、この端子Aより検出されるバッテリ電圧VBに応
じて、上記リミット値を可変するようにした。これによ
り、バッテリ電圧VBに応じて、精度良く上記リミット
値を設定できる。また、上述したランプ電圧VLのみを
検出する手段として、図1に示すように端子Cを設け、
この端子Cより検出されるランプ電圧VLに応じて、上
記リミット値を可変するようにした。これにより、ラン
プ2の負荷であるランプ電圧VLに応じて、精度良く上
記リミット値を設定できる。
As described above, in this example, the battery voltage VB
As means for detecting only the voltage, a terminal A is provided as shown in FIG. 1, and the limit value is varied according to the battery voltage VB detected from the terminal A. As a result, the limit value can be accurately set according to the battery voltage VB. As means for detecting only the lamp voltage VL described above, a terminal C is provided as shown in FIG.
The limit value is varied according to the lamp voltage VL detected from the terminal C. As a result, the limit value can be accurately set according to the lamp voltage VL which is a load of the lamp 2.

【0131】また、上記ランプ2の負荷として、上記ラ
ンプパワー制御回路10で使用する制御信号(VL)を
利用しているので、特別にランプ2の負荷を検出する手
段を設ける必要は無く、コスト低減を図れる。ところ
で、上述した第1、第2リミット値設定回路211、2
13は、例えば抵抗223や225等にて決定される回
路定数によって、上記リミット値を設定している。そし
て、本例では第1リミット値設定回路211は、バッテ
リ電圧VBが定格電圧12Vから約7Vまで低下する間
に、リミット値が精度良く設定できるようにしてある。
Further, since the control signal (VL) used in the lamp power control circuit 10 is used as the load of the lamp 2, it is not necessary to provide a means for detecting the load of the lamp 2 specially. Reduction can be achieved. The first and second limit value setting circuits 211, 2
Reference numeral 13 sets the limit value by a circuit constant determined by, for example, the resistors 223 and 225. In the present example, the first limit value setting circuit 211 can set the limit value with high accuracy while the battery voltage VB decreases from the rated voltage of 12 V to about 7 V.

【0132】従って、例えばバッテリ電圧VBが大きく
低下して7Vより小さくなると、上記リミット値は適切
で無く、リミット値をさらに大きくする必要がある。つ
まり、バッテリ電圧VBがさらに大幅に低下した場合で
は、フライバックトランス29の二次側出力も大きく低
下するので、これに応じて上記リミット値を大きくしな
いと、二次側の出力が十分得られない。
Therefore, for example, when the battery voltage VB is greatly reduced and becomes smaller than 7 V, the above-mentioned limit value is not appropriate, and it is necessary to further increase the limit value. In other words, when the battery voltage VB is further reduced, the output of the secondary side of the flyback transformer 29 is also greatly reduced. Therefore, if the limit value is not increased accordingly, the output of the secondary side can be sufficiently obtained. Absent.

【0133】そこで、上記第3リミット値設定回路21
5にて、バッテリ電圧VBが7Vより低下したときに、
適切に上記リミット値を設定する。以下、これについて
説明する。なお、この場合のリミット値は、上述したよ
うにデューティー比が高くなった場合に、フライバック
トランス29の二次巻線29bへのエネルギー供給が十
分行える範囲で設定される。
Accordingly, the third limit value setting circuit 21
At 5, when the battery voltage VB falls below 7V,
Set the above limit value appropriately. Hereinafter, this will be described. Note that the limit value in this case is set within a range in which energy can be sufficiently supplied to the secondary winding 29b of the flyback transformer 29 when the duty ratio increases as described above.

【0134】上記第3リミット値設定回路215は、図
14に示すように抵抗225と並列に接続されたNPN
トランジスタ227と、このNPNトランジスタ227
をオンオフするコンパレータ229とからなる。コンパ
レータ229は、非反転入力端子に所定電圧VK(7
V)が入力されており、反転入力端子に上記端子Aより
バッテリ電圧VBが入力されている。従って、バッテリ
電圧VBが7Vより低下すると、NPNトランジスタ2
27がオンとなる。これにより、上記電圧V0は、抵抗
223と抵抗225との分圧で無く、ほぼ0Vになる。
The third limit value setting circuit 215 includes an NPN connected in parallel with a resistor 225 as shown in FIG.
The transistor 227 and the NPN transistor 227
And a comparator 229 for turning on and off the switch. The comparator 229 supplies a predetermined voltage VK (7
V) is input, and the battery voltage VB is input from the terminal A to the inverting input terminal. Therefore, when the battery voltage VB falls below 7V, the NPN transistor 2
27 is turned on. As a result, the voltage V0 becomes substantially 0 V instead of the voltage division of the resistors 223 and 225.

【0135】この結果、上記リミット値は、デューティ
ー比がほぼ100%にできる値まで低下する。これによ
り、バッテリ電圧VBが7Vより低下した場合にも、最
適なリミット値を設定できる。次に、制御回路165c
について説明する。制御165cは、ランプ2の点灯前
におけるランプ電圧VLを所定値に定電圧化(例えば4
00V)制御する回路である。そして、端子401は、
ランプ電圧VLを検出する端子で図1の端子Cに接続さ
れている。点灯スイッチSWがオンされ、ランプ2が点
灯するまで(ランプ2にランプ電流が流れていない状
態)は、誤差増幅回路61の出力端子の電圧は、最も高
い電圧となり、抵抗209には電流が流れない。すなわ
ち、誤差増幅回路61はランプ2に最大電力を供給する
指令信号を出力する。
As a result, the limit value is reduced to a value at which the duty ratio can be made almost 100%. Thereby, even when the battery voltage VB falls below 7 V, an optimum limit value can be set. Next, the control circuit 165c
Will be described. The control 165c sets the lamp voltage VL before turning on the lamp 2 to a predetermined voltage (for example, 4 V).
00V) is a circuit for controlling. And the terminal 401 is
The terminal for detecting the lamp voltage VL is connected to the terminal C in FIG. Until the lighting switch SW is turned on and the lamp 2 is lit (the lamp current is not flowing through the lamp 2), the voltage at the output terminal of the error amplifier circuit 61 is the highest voltage, and the current flows through the resistor 209. Absent. That is, the error amplifier 61 outputs a command signal for supplying the maximum power to the lamp 2.

【0136】従って、PWM制御回路9は、第2リミッ
ト値設定回路165bにより決まる最大デューティーの
状態で作動する。これにより、直流電源回路5が作動
し、ランプ電圧VLが上昇し、上記所定値に達すると、
制御回路165cにより、ランプ電圧VLを定電圧制御
する。詳しく説明すると、ランプ電圧VLを抵抗40
2、403で分圧した電圧と、基準電圧Vdとをコンパ
レータ230にて比較し、NPNトランジスタ404を
オンオフ制御する。つまり、ランプ電圧VLが所定値以
下ではNPNトランジスタ404はオフし、所定値以上
ではNPNトランジスタ404はオンする。NPNトラ
ンジスタ404がオンとなると、抵抗405で決まる電
流がNPNトランジスタ205aに流れる。そして、こ
の電流と同じ電流がNPNトランジスタ205bに流
れ、電圧VMが上昇し、入力電圧VNが上昇する。
Therefore, the PWM control circuit 9 operates in the state of the maximum duty determined by the second limit value setting circuit 165b. As a result, the DC power supply circuit 5 operates, and the lamp voltage VL rises, and when the lamp voltage VL reaches the predetermined value,
The control circuit 165c controls the lamp voltage VL at a constant voltage. More specifically, the lamp voltage VL is set to
The comparator 230 compares the voltage divided in steps 2 and 403 with the reference voltage Vd, and turns on / off the NPN transistor 404. That is, when the lamp voltage VL is equal to or lower than the predetermined value, the NPN transistor 404 is turned off, and when the lamp voltage VL is equal to or higher than the predetermined value, the NPN transistor 404 is turned on. When the NPN transistor 404 is turned on, a current determined by the resistor 405 flows through the NPN transistor 205a. Then, the same current flows through the NPN transistor 205b, the voltage VM increases, and the input voltage VN increases.

【0137】但し、この際、出力電圧VNは、抵抗40
5の抵抗値の設定にて、コンパレータ167の非反転入
力端子に入力される鋸歯状波のピーク電圧(図11中V
a)より高くなる。従って、コンパレータ167の出力
信号は、ローレベル信号に固定され、MOSトランジス
タ31はオフとなり、ランプ電圧VLの上昇は停止す
る。
However, at this time, the output voltage VN is
5, the peak voltage of the sawtooth wave input to the non-inverting input terminal of the comparator 167 (V in FIG. 11)
a) higher. Therefore, the output signal of the comparator 167 is fixed to a low level signal, the MOS transistor 31 is turned off, and the ramp voltage VL stops rising.

【0138】そして、この後、時間の経過とともにラン
プ2以外の箇所による電力消費により、ランプ電圧VL
が、徐々に低下して上記所定値以下となると、NPNト
ランジスタ404は再度スイッチング動作して、ランプ
電圧VLが上昇する。このように、この動作を繰り返し
て、ランプ電圧VLは定電圧制御される。〔フェイルセ
ーフ回路14について〕次に上記フェイルセーフ回路1
4について説明する。先ず、フェイルセーフ回路14の
機能の前提となるランプ2の車両取付構造について図1
5に基づき説明する。
Then, after this, the lamp voltage VL is increased due to the power consumption by the parts other than the lamp 2 over time.
Gradually decreases to the predetermined value or less, the NPN transistor 404 performs a switching operation again, and the lamp voltage VL increases. In this manner, the lamp voltage VL is controlled at a constant voltage by repeating this operation. [Regarding Fail Safe Circuit 14] Next, the fail safe circuit 1 will be described.
4 will be described. First, the vehicle mounting structure of the lamp 2 as a premise of the function of the fail-safe circuit 14 is shown in FIG.
5 will be described.

【0139】図15に示すように車両前照灯231は、
ランプ2の光を車両前方に向けて反射させるリフレクタ
233を有する。リフレクタ233は、碗状に形成され
ており、内部にランプ2を収納している。ランプ2は、
図15中左側からリフレクタ233内に挿入されてお
り、コネクタ235によりリフレクタ233に取り付け
られている。
As shown in FIG. 15, the vehicle headlight 231 is
It has a reflector 233 that reflects the light of the lamp 2 toward the front of the vehicle. The reflector 233 is formed in a bowl shape, and houses the lamp 2 inside. Lamp 2
15 is inserted into the reflector 233 from the left side in FIG. 15, and is attached to the reflector 233 by a connector 235.

【0140】簡単に説明すると、コネクタ235は、脱
着可能なコネクタ部235a、235bとからなり、コ
ネクタ部235aは、図15中左側からリフレクタ23
3内に挿入されており、挿入後に回転させることでリフ
レクタ233に取付られている。この後、コネクタ部2
35bが、235aにはめ込まれると、ランプ2が点灯
可能となる。
In brief, the connector 235 includes detachable connector portions 235a and 235b, and the connector portion 235a is connected to the reflector 23 from the left side in FIG.
3 and attached to the reflector 233 by rotating after insertion. Then, the connector 2
When 35b is fitted into 235a, lamp 2 can be turned on.

【0141】コネクタ235bには、アルミニウム等に
て形成されたシールド部237が覆うようにして取り付
けられている。シールド部237は、図15に示すよう
にアースされるとともに、ランプ2の電気配線部239
を押しつけるようにしてコネクタ部235bに取り付け
られている。ここで、このシールド部237は、ランプ
2の点灯にて発生する電波をランプ2(リフレクタ23
3)の外部に洩れださないようにするためのものであ
る。これにより、電波により自車や他車の電気機器に悪
影響を起こさないようにすることができる。また、この
ような電波発生を防止するために、リフレクタ233の
内面にはアルミニウムが蒸着されており、このアルミニ
ウムはアースされている。さらに、同様な理由により、
図示しないがリフレクタ233内でランプ2の車両前方
側にも、カップ状のシールド部が設けられている。
A shield 237 made of aluminum or the like is attached to the connector 235b so as to cover it. The shield part 237 is grounded as shown in FIG.
Is attached to the connector part 235b so that the Here, the shield portion 237 transmits a radio wave generated when the lamp 2 is turned on to the lamp 2 (the reflector 23).
This is to prevent leakage to the outside of 3). As a result, it is possible to prevent radio waves from adversely affecting the electric devices of the own vehicle and other vehicles. In order to prevent the generation of such radio waves, aluminum is deposited on the inner surface of the reflector 233, and this aluminum is grounded. Furthermore, for similar reasons,
Although not shown, a cup-shaped shield portion is also provided in the reflector 233 on the vehicle front side of the lamp 2.

【0142】このような構成からなる車両全照明灯23
1においては、ランプ2を交換する時などに、ランプ2
の電気配線部239がシールド部237に挟みこまれ
て、ランプ2の電気配線部239がアースされる可能性
がある。この結果、上記一次巻線29aおよび二次巻線
29bを通じて、例えばHブリッジ回路7aに過電流が
流れ、Hブリッジ回路7aにて多大な熱が発生し、最悪
ヒューズ50が溶断するといった問題が起こる。
The vehicle full illuminating lamp 23 having such a configuration
1, the lamp 2 is replaced when the lamp 2 is replaced.
The electric wiring portion 239 of the lamp 2 may be sandwiched between the shield portions 237, and the electric wiring portion 239 of the lamp 2 may be grounded. As a result, an overcurrent flows through, for example, the H-bridge circuit 7a through the primary winding 29a and the secondary winding 29b, and a large amount of heat is generated in the H-bridge circuit 7a. .

【0143】そこで、このように異常状態に対処するた
め、上記フェイルセーフ制御回路14にて以下の異常制
御を行う。以下、フェイルセーフ制御回路14の具体的
構成および異常制御の内容を図16にて説明する。な
お、以下の異常制御は、上記点灯スイッチSWがオンに
設定されているときに行われる。図16に示すようにフ
ェイルセーフ制御回路241は、大別して5つの機能ブ
ロック241a〜241eとからなる。
To cope with such an abnormal state, the fail-safe control circuit 14 performs the following abnormal control. Hereinafter, the specific configuration of the fail-safe control circuit 14 and the content of the abnormality control will be described with reference to FIG. Note that the following abnormality control is performed when the lighting switch SW is set to ON. As shown in FIG. 16, the fail-safe control circuit 241 is roughly composed of five functional blocks 241a to 241e.

【0144】241aは、コンパレータ243と抵抗2
45とからなる。コンパレータ243は、反転入力端子
には、上記サンプリングホールド回路12から上記ラン
プ電圧VLが入力されており、非反転入力端子には所定
電圧Vr1が入力されている。つまり、241aは、ラ
ンプ電圧VLが所定電圧Vr1(例えば、20V)より
小さい第1状態であるか否かを判定する電圧判定手段を
構成してしている。
241a is a comparator 243 and resistor 2
45. The comparator 243 has the inverting input terminal receiving the ramp voltage VL from the sampling and holding circuit 12, and the non-inverting input terminal receiving the predetermined voltage Vr1. That is, 241a constitutes voltage determination means for determining whether or not the lamp voltage VL is in the first state lower than the predetermined voltage Vr1 (for example, 20 V).

【0145】241bは、コンパレータ247とコンデ
ンサ248と抵抗249とからなる。コンパレータ24
7は、反転入力端子に上記ランプ電流IL(電圧換算V
IL)が入力されており、非反転入力端子に所定電圧V
r2が入力されている。つまり、241bは、上記VI
Lと所定電圧Vr2とを比較することにより、ランプ電
流ILが所定電流より小さい第2状態であるか否かを判
定する電流判定手段を構成している。
241b comprises a comparator 247, a capacitor 248 and a resistor 249. Comparator 24
7 is the lamp current IL (voltage conversion V
IL) is input, and a predetermined voltage V is applied to the non-inverting input terminal.
r2 has been input. That is, 241b is the VI
By comparing L with the predetermined voltage Vr2, a current determining means for determining whether or not the lamp current IL is in the second state smaller than the predetermined current is configured.

【0146】241cは、上記コンパレータ243、2
47の出力が共にハイレベル信号になると、ハイレベル
信号を出力するANDゲートである。つまり、ANDゲ
ート241cの出力信号がハイレベル信号になるという
ことは、上述した異常状態を検出したということであ
る。すなわち、ANDゲート241cは、上記電気配線
部239がアースされるといった異常状態を検出する手
段で、ランプ電圧VL(電圧信号)が所定電圧値より低
く、かつランプ電流(電流信号)が所定電流値より低い
ときに異常状態と検出する。
Reference numeral 241c denotes the comparators 243, 2
When both outputs of 47 become high level signals, they are AND gates which output high level signals. That is, the fact that the output signal of the AND gate 241c becomes a high-level signal means that the above-described abnormal state has been detected. That is, the AND gate 241c is means for detecting an abnormal state in which the electric wiring section 239 is grounded. The AND voltage 241 (voltage signal) is lower than the predetermined voltage value and the lamp current (current signal) is lower than the predetermined current value. When it is lower, it is detected as abnormal.

【0147】ここで、簡単にランプ電圧VLとランプ電
流ILとで上記異常判定を行うことができる理由を説明
する。上述したようにランプ2が電力制御されていると
きでは、ランプ電圧VLは例えば20V〜400Vの所
定範囲にある。この際、電気配線部239がアースされ
ると、フライバックトランス29の二次側に過電流が流
れ、ランプ電圧VLは上記20Vより低くなる。従っ
て、この場合は上記電気配線部239がアース接地され
ているおそれがある。
Here, the reason why the above-described abnormality determination can be easily performed using the lamp voltage VL and the lamp current IL will be described. When the power of the lamp 2 is controlled as described above, the lamp voltage VL is in a predetermined range of, for example, 20V to 400V. At this time, when the electric wiring portion 239 is grounded, an overcurrent flows to the secondary side of the flyback transformer 29, and the lamp voltage VL becomes lower than the above 20V. Therefore, in this case, the electric wiring portion 239 may be grounded.

【0148】また、上述したようにランプ2が電力制御
されているときでは、ランプ電流ILは、所定範囲
(0.35〜2.6A)にある。そして、上記電気配線
部239がアースされると、二次巻線29b側からの過
電流は、上記Hブリッジ回路7aを流れずに電気配線部
243からアースに落ちる。これにより、ランプ電流I
Lは、上記所定範囲より小さく、所定電流(例えば、
0.2A)以下になる。従って、この場合電気配線部2
39がアースされているおそれがある。
When the power of the lamp 2 is controlled as described above, the lamp current IL is within a predetermined range (0.35 to 2.6 A). When the electric wiring portion 239 is grounded, the overcurrent from the secondary winding 29b falls from the electric wiring portion 243 to ground without flowing through the H-bridge circuit 7a. As a result, the lamp current I
L is smaller than the above-mentioned predetermined range, and a predetermined current (for example,
0.2A) or less. Therefore, in this case, the electric wiring section 2
39 may be grounded.

【0149】このように本例では、異常状態をランプ電
圧VLとランプ電流ILとのAND条件にて検出してい
る。また、本例では、異常状態と検出するのは、上記第
1状態と第2状態とが共に成り立ったときである。この
ような2つの状態を両方とも満足したときに、異常状態
と判定するのは以下の理由がある。
As described above, in this embodiment, the abnormal state is detected based on the AND condition between the lamp voltage VL and the lamp current IL. In this example, an abnormal state is detected when both the first state and the second state are established. The reason for judging an abnormal state when both of these two states are satisfied is as follows.

【0150】例えば、何らかの異常が生じてランプ2の
両端が短絡してしまうと、上記ランプ電圧VLは、上記
所定電圧Vr1より小さくなるが、上記ランプ電流IL
は上記所定電流より大きくなる。また、何らかの異常が
生じてランプ2が開放してしまうと、上記ランプ電流I
Lは上記所定電流より小さくなるが、上記ランプ電圧V
Lは、上記所定電圧Vr1より大きくなる。
For example, if some abnormality occurs and both ends of the lamp 2 are short-circuited, the lamp voltage VL becomes smaller than the predetermined voltage Vr1, but the lamp current IL becomes smaller.
Becomes larger than the predetermined current. If the lamp 2 is opened due to some abnormality, the lamp current I
L is smaller than the predetermined current, but the lamp voltage V
L becomes higher than the predetermined voltage Vr1.

【0151】従って、一方の条件だけでは、電気配線部
239がアースされたのか、ランプ2が短絡もしくは開
放なのか判定できない。そこで、本例では、電気配線部
239のアースを確実に検出するために、上記第1状態
と第2状態との両方を満足したときに異常状態と判定す
る。これにより、確実に電気配線部239がアースされ
る異常状態を把握でき、精度良く過電流が流れることを
防止できる。
Therefore, it is not possible to determine whether the electric wiring section 239 is grounded or the lamp 2 is short-circuited or open under only one condition. Therefore, in this example, in order to reliably detect the ground of the electric wiring unit 239, when both the first state and the second state are satisfied, it is determined that the state is abnormal. Thus, an abnormal state in which the electric wiring portion 239 is grounded can be reliably grasped, and an overcurrent can be prevented from flowing with high accuracy.

【0152】時間計数回路241dは、D型フリップフ
ロップ251と、NORゲート253と、ANDゲート
255と、JK型フリップフロップ257とからなる。
時間計数回路241dは、上記第1状態および第2状態
の両方を満足する時間が、所定時間T以上経過したか否
かを判定するものである。そして、D型フリップフロッ
プ251およびJK型フリップフロップ257のクロッ
ク端子には、同一のクロック信号CLが入力されるよう
になっている。
The time counting circuit 241d includes a D-type flip-flop 251, a NOR gate 253, an AND gate 255, and a JK-type flip-flop 257.
The time counting circuit 241d determines whether a time satisfying both the first state and the second state has passed a predetermined time T or more. The same clock signal CL is input to the clock terminals of the D flip-flop 251 and the JK flip-flop 257.

【0153】リセット回路241eは、D型フリップフ
ロップにて構成されている。D型フリップフロップリセ
ット回路241eのD入力端子には、定電圧源259が
入力されている。D型フリップフロップリセット回路2
41eの出力端子には、上記Hブリッジ制御回路11が
接続されている。なお、定電圧源259は、上記点灯ス
イッチSWがオンのときに、定電圧(例えば5V)を発
生するようになっている。
The reset circuit 241e is constituted by a D-type flip-flop. A constant voltage source 259 is input to a D input terminal of the D flip-flop preset circuit 241e. D-type flip preset circuit 2
The H-bridge control circuit 11 is connected to an output terminal of 41e. The constant voltage source 259 generates a constant voltage (for example, 5 V) when the lighting switch SW is turned on.

【0154】次に上述の回路241a〜リセット回路2
41eまでの作動を図17のタイムチャートにて説明す
る。但し、ANDゲート241cの出力信号をα、JK
型フリップフロップ257の出力信号をβ、D型フリッ
プフロップ241eの出力信号をγとする。また、上記
点灯スイッチSWがオンされると、D型フリップフロッ
プリセット回路241eは、図示しないリセット回路か
らのリセット信号によりリセットされる。また、本実施
形態では、D型フリップフロップリセット回路241e
の出力信号γがハイレベル信号のときに、Hブリッジ制
御回路11によりHブリッジ回路7aをオフとする。
Next, the above-described circuit 241a to reset circuit 2
The operation up to 41e will be described with reference to the time chart of FIG. However, the output signal of the AND gate 241c is α, JK
The output signal of the flip-flop 257 is β, and the output signal of the D flip-flop 241e is γ. When the lighting switch SW is turned on, the D-type flip preset circuit 241e is reset by a reset signal from a reset circuit (not shown). In the present embodiment, the D-type flip preset circuit 241e
When the output signal γ is a high level signal, the H-bridge control circuit 11 turns off the H-bridge circuit 7a.

【0155】先ず、点灯スイッチSWがオンとなって、
例えば時間t3になると、再度電気配線部239がアー
スされて出力信号αがローレベル信号からハイレベル信
号になり、この状態が以後続いたとする。そして、出力
信号αがハイレベル信号である状態が、クロックパルス
CLの一周期時間より長く続くと、ANDゲート255
cとNORゲート253を介して、JK型フリップフロ
ップ257の出力信号βは、反転されてハイレベル信号
になる。すると、D型フリップフロップ241eの出力
信号γは、ハイレベル信号となる。これにより、図4に
示すように第1異常用回路242の2つ出力端子から共
にローレベル信号が、IC素子43a、43bに出力さ
れ、上記Hブリッジ回路7aがオフとされる。
First, the lighting switch SW is turned on,
For example, at time t3, it is assumed that the electrical wiring unit 239 is grounded again, and the output signal α changes from a low level signal to a high level signal, and this state continues thereafter. When the state in which the output signal α is a high level signal lasts longer than one cycle time of the clock pulse CL, the AND gate 255
Via c and the NOR gate 253, the output signal β of the JK flip-flop 257 is inverted to a high level signal. Then, the output signal γ of the D-type flip-flop 241e becomes a high level signal. As a result, as shown in FIG. 4, low level signals are output from the two output terminals of the first abnormality circuit 242 to the IC elements 43a and 43b, and the H-bridge circuit 7a is turned off.

【0156】これにより、電気配線部239のアースに
よる過電流が、MOSトランジスタ41a、41cによ
り遮断されることになる。この結果、Hブリッジ回路7
aや、Hブリッジ回路7a以降の電流経路に所定値より
大きい過電流が流れることを防止でき、ヒューズ50の
溶断を防止できるとともに、放電灯装置100での多大
な発熱を防止できる。
As a result, overcurrent caused by grounding of the electric wiring portion 239 is cut off by the MOS transistors 41a and 41c. As a result, the H-bridge circuit 7
a, and an overcurrent larger than a predetermined value can be prevented from flowing in the current path after the H-bridge circuit 7a, so that the fuse 50 can be prevented from being blown, and a large amount of heat generation in the discharge lamp device 100 can be prevented.

【0157】これに加え、この出力信号γがハイレベル
信号になると、上記PWM制御回路9の制御を停止、つ
まりMOSトランジスタ31の導通を遮断する。具体的
には、このような異常状態となると、図5に示すように
第2異常用回路244にてハイレベル信号が出力される
ことで、NPNトランジスタ246がオンとされる。従
って、NPNトランジスタ115、116は、PWM制
御回路9の出力信号に係わらず、オフとなる。これによ
り、MOSトランジスタ31の導通が遮断され、放電灯
装置100への全ての電力供給が停止される。このよう
にした理由を以下に説明する。
In addition, when the output signal γ becomes a high level signal, the control of the PWM control circuit 9 is stopped, that is, the conduction of the MOS transistor 31 is cut off. Specifically, in such an abnormal state, the NPN transistor 246 is turned on by outputting a high-level signal in the second abnormality circuit 244 as shown in FIG. Therefore, the NPN transistors 115 and 116 are turned off regardless of the output signal of the PWM control circuit 9. As a result, conduction of the MOS transistor 31 is cut off, and all power supply to the discharge lamp device 100 is stopped. The reason for this will be described below.

【0158】例えば、電気配線部239がアースされた
ときに、電気配線部239とシールド237との間にあ
る接触抵抗があったとする。そして、この接触抵抗によ
りフライバックトランス29の二次側のエネルギー(電
力)が大きく消費されるといった問題が起こったとす
る。すると、ランプパワー制御回路9は、一次巻線29
aに蓄えられるエネルギーを増加させるように、PWM
制御回路9のデューティ比が大きくなるように制御す
る。これにより、フライバックトランス29の一次巻線
29aには過大な電流が流れるといった問題がある。
For example, it is assumed that there is a contact resistance between the electric wiring part 239 and the shield 237 when the electric wiring part 239 is grounded. Then, it is assumed that a problem occurs that energy (power) on the secondary side of the flyback transformer 29 is greatly consumed by the contact resistance. Then, the lamp power control circuit 9 sets the primary winding 29
PWM to increase the energy stored in a
Control is performed so that the duty ratio of the control circuit 9 increases. As a result, there is a problem that an excessive current flows through the primary winding 29a of the flyback transformer 29.

【0159】そこで、このような場合を考慮して、PW
M制御回路9の制御を停止、つまり、MOSトランジス
タ31の導通を遮断するので、一次電流が過大となるこ
とを防止できる。また、上記した以外にも異常状態には
色々なモードが考えられる、例えば、MOSトランジス
タ31の耐圧が劣化した場合には、点灯を開始するに必
要なランプ電圧(例えば、400V)を発生することが
できず点灯できない。この場合、MOSトランジスタ3
1はPWM制御回路9からデューティー最大の駆動信号
が与えられてスイッチング作動を行うが、耐圧劣化して
いるために一次巻線29aに蓄積したエネルギーのほと
んどをMOSトランジスタ31自信が消費することにな
り、そのまま動作を続けると異常発熱しMOSトランジ
スタ31は短絡破壊する。その結果、ヒューズ50の溶
断等の二次的故障に至る。
Therefore, considering such a case, PW
Since the control of the M control circuit 9 is stopped, that is, the conduction of the MOS transistor 31 is cut off, it is possible to prevent the primary current from becoming excessive. In addition to the above, various modes can be considered for the abnormal state. For example, when the breakdown voltage of the MOS transistor 31 is deteriorated, a lamp voltage (for example, 400 V) required to start lighting is generated. Can not be turned on. In this case, the MOS transistor 3
1 performs switching operation by receiving a drive signal having the maximum duty from the PWM control circuit 9, but MOS transistor 31 itself consumes most of the energy stored in the primary winding 29a due to deterioration of the withstand voltage. If the operation is continued as it is, abnormal heat is generated and the MOS transistor 31 is short-circuited and destroyed. As a result, a secondary failure such as a blow of the fuse 50 occurs.

【0160】このような異常状態では、Hブリッジ回路
7aをオフさせても前記結果は変わらない。そのため、
このような異常状態の場合はPWM制御回路9の制御を
停止し、MOSトランジスタ31をオフ状態にホールド
するこにより二次的故障を回避できる。このように、各
種異常状態において異常判定した結果によりHブリッジ
回路7aをオフする事が有効な場合と、MOSトランジ
スタ31をオフさせることが有効な場合があり、異常状
態に応じてHブリッジ回路7aをオフするのか、或いは
MOSトランジスタ31をオフさせるかを使い分けるこ
とができる。しかしながら、このように使い分ける場合
には回路が複雑になり規模も大きくなるので得策ではな
い。従って、異常判定した場合には、全てHブリッジ回
路7aをオフすると同時に、MOSトランジスタ31を
オフさせることにより回路は簡単化でき規模も小さくす
ることができる。
In such an abnormal state, the result does not change even if the H-bridge circuit 7a is turned off. for that reason,
In the case of such an abnormal state, the control of the PWM control circuit 9 is stopped, and the MOS transistor 31 is kept in the off state, so that a secondary failure can be avoided. As described above, there are cases where it is effective to turn off the H-bridge circuit 7a based on the result of the abnormality determination in various abnormal states, and cases where it is effective to turn off the MOS transistor 31. Depending on the abnormal state, the H-bridge circuit 7a , Or the MOS transistor 31 is turned off. However, this is not a good solution, since the circuit becomes complicated and the scale becomes large. Therefore, when the abnormality is determined, the circuit can be simplified and the scale can be reduced by turning off the MOS transistor 31 at the same time as turning off the H-bridge circuit 7a.

【0161】なお、図17に示すように時間t1におい
て、電気配線部239がアースされて出力信号αがロー
レベル信号からハイレベル信号になり、この状態が時間
t2まで続いたとする。この場合は、時間計数回路24
1dへの入力信号である信号αのハイレベル期間がクロ
ックパルスCLの一周期時間より短いので時間計数回路
241dの出力信号βは変化せず前の状態を維持してい
る。従って、信号γも同様に変化しない。すなわち、H
ブリッジ制御回路11は何ら影響を受けない。
At time t1, as shown in FIG. 17, it is assumed that the electric wiring portion 239 is grounded and the output signal α changes from a low level signal to a high level signal, and this state continues until time t2. In this case, the time counting circuit 24
Since the high-level period of the signal α, which is the input signal to 1d, is shorter than one cycle time of the clock pulse CL, the output signal β of the time counting circuit 241d does not change and maintains the previous state. Therefore, the signal γ does not change similarly. That is, H
The bridge control circuit 11 is not affected at all.

【0162】つまり、上述したHブリッジ回路7aをオ
フする条件は、上記第1状態と第2状態とが共に成りた
った時間が、所定時間T経過したときとなる。このよう
にした理由は、以下の通りである。例えば、点灯スイッ
チSWがオンとなっているときに、上記第1状態および
第2状態が始めて成り立った後、短時間にて電気配線部
239のアースが復帰し、電気配線部239が正常とな
ったとする。この場合、夜間の乗員の視認性を確保する
ために、できる限りランプ2は点灯状態を維持する必要
がある。
That is, the condition for turning off the H-bridge circuit 7a is that the time when the first state and the second state are both satisfied has passed a predetermined time T. The reason for this is as follows. For example, when the lighting switch SW is turned on, the first state and the second state are established for the first time, and then the ground of the electric wiring section 239 is restored in a short time, and the electric wiring section 239 becomes normal. Suppose. In this case, in order to ensure the visibility of the occupants at night, it is necessary to keep the lamp 2 on as much as possible.

【0163】そこで、短時間の異常時には直ぐさまHブ
リッジ回路7aをオフしないようにし、上記第1状態と
第2状態とが所定時間T経過したときに、始めてHブリ
ッジ回路7aをオフする。なお、上記所定時間Tとは、
上記ヒューズ50が溶断しない範囲の時間に設定されて
いるので、ヒューズ50の溶断は未然に防止できる。ま
た、上記所定時間Tは以下のように設定されている。本
例では、図15に示すような比較的簡単な回路構成に
て、上記異常状態を検出した。
Therefore, the H-bridge circuit 7a is not turned off immediately when a short-time abnormality occurs, and the H-bridge circuit 7a is turned off for the first time when the first state and the second state have passed a predetermined time T. Note that the predetermined time T is
Since the time is set within a range in which the fuse 50 is not blown, the blow of the fuse 50 can be prevented beforehand. The predetermined time T is set as follows. In this example, the abnormal state was detected with a relatively simple circuit configuration as shown in FIG.

【0164】しかしながら、上記電気配線部239は、
図2に示すようにランプ2の両端にある配線部239
a、239bを有し、これら2つの配線部239a、2
39bが共にアースされることはほどんど無く、例えば
図1中一方の電気配線部239aのみがアースされるこ
とが多い。従って、例えば上記異常状態が続いていると
きに、Hブリッジ回路7aにてランプ2の放電電圧の極
性が変わると、上記ランプ電圧VLは、所定電圧Vr1
より高くなる。
However, the electric wiring portion 239 is
As shown in FIG. 2, wiring portions 239 at both ends of lamp 2
a, 239b, and these two wiring portions 239a, 239b
39b are rarely grounded together, for example, only one electrical wiring portion 239a in FIG. 1 is often grounded. Therefore, for example, when the polarity of the discharge voltage of the lamp 2 changes in the H-bridge circuit 7a while the abnormal state continues, the lamp voltage VL becomes the predetermined voltage Vr1.
Higher.

【0165】従って、異常状態が発生しているにも係わ
らず上記第1状態にならないので、上記ANDゲート2
41cの出力信号は、ハイレベル信号にならず、異常状
態を検出することができない。そこで、本例では上記所
定時間Tは、上記Hブリッジ回路7aの切換周期時間よ
り短くして、この切換周期時間の半分以下(0.8m
s)に設定してある。これにより、簡単な回路構成にて
上記異常状態が確実に検出できる。
Accordingly, the first state is not reached even though an abnormal state has occurred, so that the AND gate 2
The output signal of 41c does not become a high-level signal and cannot detect an abnormal state. Therefore, in this example, the predetermined time T is shorter than the switching cycle time of the H-bridge circuit 7a, and is not more than half (0.8 m
s). Thus, the abnormal state can be reliably detected with a simple circuit configuration.

【0166】また、上記異常状態を検出するために、上
述したランプパワー制御の制御信号である上記ランプ電
圧VLとランプ電流ILとを使用している。これによ
り、異常を判定するために別個に電圧検出用回路や電流
検出用回路を設ける必要が無い。 〔コネクタ外れ検出回路15について〕次に、コネクタ
外れ検出回路15について図18を用いて説明する。
In order to detect the abnormal state, the lamp voltage VL and the lamp current IL, which are control signals for the lamp power control, are used. Thus, it is not necessary to separately provide a voltage detection circuit and a current detection circuit to determine abnormality. [Regarding Connector Disconnection Detection Circuit 15] Next, the connector disconnection detection circuit 15 will be described with reference to FIG.

【0167】上記ランプ2は、破損故障等の際に2つの
コネクタ部235a、235bよりなるコネクタ235
にて脱着可能となっている。従って、ランプ2は、コネ
クタ部235a、235bがはめ込まれると、バッテリ
1と電気的に接続されて点灯可能となる。図18に示す
ようにコネクタ235内には、コネクタ部235aと2
35bとが外れると、内部の電気的導通が遮断されるよ
うに電気配線部261が形成されている。具体的に説明
すると、電気配線部261の一端側は、電源端子1aに
接続されている。また、電気配線部261の他端側はア
ースされている。
The lamp 2 has a connector 235 composed of two connector portions 235a and 235b in the event of damage or failure.
It can be attached and detached. Therefore, when the connector portions 235a and 235b are fitted, the lamp 2 is electrically connected to the battery 1 and can be turned on. As shown in FIG. 18, the connector portion 235 includes two connector portions 235a and 235a.
An electric wiring portion 261 is formed such that when it comes off from the terminal 35b, the internal electric conduction is cut off. More specifically, one end of the electric wiring portion 261 is connected to the power terminal 1a. The other end of the electric wiring portion 261 is grounded.

【0168】各コネクタ235a、235bの電気配線
部261の接続点261aは、コネクタ235の外れを
検出するコネクタ外れ検出端子となっており、コネクタ
部235a、235bが外れると、コネクタ外れ検出回
路15内に内蔵された外れ検出回路15aのトランジス
タ263がオフからオンとなるようにしてある。また、
外れ検出回路15aは、信号発生回路13aと始動回路
8との間に設けられ、コネクタ235の外れが検出され
たときには、信号発生回路13aからの信号を強制的に
始動回路8の作動を停止させる信号とするものである。
The connection point 261a of the electric wiring portion 261 of each of the connectors 235a and 235b is a connector disconnection detection terminal for detecting disconnection of the connector 235. When the connector portions 235a and 235b are disconnected, the connector disconnection detection circuit 15 The transistor 263 of the off-state detection circuit 15a built in is turned on from off. Also,
The disconnection detecting circuit 15a is provided between the signal generating circuit 13a and the starting circuit 8, and when the disconnection of the connector 235 is detected, the signal from the signal generating circuit 13a is forcibly stopped to operate the starting circuit 8. Signal.

【0169】次に高電圧発生制御回路13について説明
する。高電圧発生制御回路13は、上記サイリスタ57
のゲート駆動信号を発生させ、上述したようにHブリッ
ジ回路7aのオン・オフタイミングに同期して信号を出
力する信号発生回路13aを有する。そして、信号発生
回路13aは、例えば上記始動回路8が起動しても、ラ
ンプ2が点灯せずに消灯していると、ランプ2が点灯す
るまでは、上記信号発生回路13aにてサイリスタ57
のオンオフを繰り返し、ランプ2に高電圧を印加するよ
うになっている。
Next, the high voltage generation control circuit 13 will be described. The high voltage generation control circuit 13 includes the thyristor 57
And a signal generation circuit 13a for generating a signal in synchronization with the ON / OFF timing of the H-bridge circuit 7a as described above. For example, even if the starting circuit 8 is started, if the lamp 2 is not lit and is turned off, the signal generating circuit 13a uses the thyristor 57 in the signal generating circuit 13a until the lamp 2 is turned on.
Are repeatedly turned on and off, and a high voltage is applied to the lamp 2.

【0170】上記信号発生回路13aにて、ハイレベル
信号が発生されると、トランジスタ265がオンとな
る。これにより、トランジスタ267はオフとなり、ト
ランジスタ269、275はオンとなる。また、トラン
ジスタ271、273はオフとなる。この結果、サイリ
スタ57のゲート駆動信号はローレベル信号となり、サ
イリスタ57はオフとなる。
When a high-level signal is generated in the signal generation circuit 13a, the transistor 265 turns on. Thus, the transistor 267 is turned off, and the transistors 269 and 275 are turned on. Further, the transistors 271 and 273 are turned off. As a result, the gate drive signal of the thyristor 57 becomes a low level signal, and the thyristor 57 is turned off.

【0171】一方、上記信号発生回路13aにて、ロー
レベル信号が発生されると、トランジスタ265がオフ
となる。これにより、トランジスタ267はオンとな
り、トランジスタ269、275はオフとなる。また、
トランジスタ271、273はオンとなる。この結果、
サイリスタ57のゲート駆動信号はハイレベル信号とな
り、サイリスタ57はオンとなる。
On the other hand, when a low level signal is generated in the signal generation circuit 13a, the transistor 265 is turned off. Thus, the transistor 267 is turned on, and the transistors 269 and 275 are turned off. Also,
The transistors 271 and 273 are turned on. As a result,
The gate drive signal of the thyristor 57 becomes a high level signal, and the thyristor 57 is turned on.

【0172】このように信号発生回路13aが発生する
信号が、ハイレベル信号であると、ゲート駆動信号はロ
ーレベル信号となり、サイリスタ57はオフとなる。一
方、信号発生回路13aが発生する信号が、ローレベル
信号であると、ゲート駆動信号はハイレベル信号とな
り、サイリスタ57はオンとなる。そして、本例では、
上記トランジスタ263のオン信号により、サイリスタ
57のゲート駆動信号を強制的にローレベル信号にする
ことができる。つまり、外れ検出回路15aにてコネク
タ235が外れていると検出され、トランジスタ263
がオンすると、上記信号発生回路13aにて、サイリス
タ57をオンとするローレベル信号が発生されても、ト
ランジスタ267はオフとなる。
When the signal generated by the signal generation circuit 13a is a high level signal, the gate drive signal becomes a low level signal and the thyristor 57 is turned off. On the other hand, if the signal generated by the signal generation circuit 13a is a low level signal, the gate drive signal becomes a high level signal, and the thyristor 57 is turned on. And in this example,
By the ON signal of the transistor 263, the gate drive signal of the thyristor 57 can be forced to a low level signal. That is, the disconnection detection circuit 15a detects that the connector 235 is disconnected, and the transistor 263
Is turned on, the transistor 267 is turned off even if a low level signal for turning on the thyristor 57 is generated in the signal generation circuit 13a.

【0173】従って、トランジスタ269、275はオ
ン、トランジスタ271、273はオフとなって、サイ
リスタ57はオフとなる。この結果、例えば、コネクタ
235が外れてランプ2が消灯したときに、サイリスタ
57による高電圧発生が未然に防止される。ところで、
上述したコネクタ235が外れたと検出されたときに、
例えば電気配線部261の接触不良である場合は、ラン
プ2の点灯機能は正常にある。そして、このような場合
は上記PWM制御回路9の制御を停止して、ランプ2を
消灯する必要は無く、逆にランプ2の点灯を維持するの
が好ましい。
Therefore, the transistors 269 and 275 are turned on, the transistors 271 and 273 are turned off, and the thyristor 57 is turned off. As a result, for example, when the connector 235 is disconnected and the lamp 2 is turned off, high voltage generation by the thyristor 57 is prevented beforehand. by the way,
When it is detected that the connector 235 has come off,
For example, if the electrical wiring unit 261 has a poor contact, the lighting function of the lamp 2 is normal. In such a case, it is not necessary to stop the control of the PWM control circuit 9 to turn off the lamp 2, and it is preferable to keep the lamp 2 turned on.

【0174】そこで、コネクタ235の外れ検出と平行
して、フェイルセーフ回路14にて、上記点灯スイッチ
SWがオンに設定されているにも係わらず、ランプ2が
消灯する異常状態を検出する。つまり、コネクタ外れ検
出回路15によりコネクタ235が外れていると検出さ
れたときに、上記電気配線部261の接触不良で無く、
本当にコネクタ235が外されて、ランプ2が消灯して
しまったか否を判定する。
Accordingly, in parallel with the detection of the disconnection of the connector 235, the fail safe circuit 14 detects an abnormal state in which the lamp 2 is turned off even though the lighting switch SW is set to ON. That is, when the connector disconnection detection circuit 15 detects that the connector 235 is disconnected, there is no contact failure of the electric wiring portion 261,
It is determined whether or not the connector 235 has really been disconnected and the lamp 2 has been turned off.

【0175】上記フェイルセーフ回路14を表す論理回
路図を図19に示す。フェイルセーフ回路14は、点灯
検出手段をなすコンパレータ277と、ディレー回路
(タイマー回路)279と、ORゲート281と、D型
フリップフロップ241eからなる。コンパレータ27
7の非反転入力端子には、所定電圧VRが入力されてい
る。一方、コンパレータ277の反転入力端子には、上
記端子Eが接続されている(図1参照)。つまり、コン
パレータ277は、ランプ2が点灯してランプ電流が流
れていると、ローレベル信号を出力し、ランプ電流が所
定値以下となると、ランプ2が消灯しているとしてハイ
レベル信号を出力する。
FIG. 19 is a logic circuit diagram showing the fail-safe circuit 14. The fail-safe circuit 14 includes a comparator 277 serving as lighting detection means, a delay circuit (timer circuit) 279, an OR gate 281, and a D-type flip-flop 241e. Comparator 27
The non-inverting input terminal 7 receives a predetermined voltage VR. On the other hand, the terminal E is connected to the inverting input terminal of the comparator 277 (see FIG. 1). That is, the comparator 277 outputs a low-level signal when the lamp 2 is turned on and the lamp current is flowing, and outputs a high-level signal when the lamp current is equal to or less than the predetermined value, assuming that the lamp 2 is turned off. .

【0176】ディレー回路279は、上記コンパレータ
277の出力信号がハイレベル信号で、このハイレベル
信号が所定時間Tm継続するとハイレベル信号を出力す
る。つまり、ディレー回路279は、ランプ2が消灯し
た時間が所定時間Tm経過するとハイレベル信号を出力
する。ORゲート281では、ディレー回路279の出
力信号が、ハイレベル信号となると、ハイレベル信号を
出力する。ORゲート281の出力信号がハイレベル信
号になると、D型フリップフロップ241eは、このハ
イレベル信号をクロックパルスとして、ハイレベル信号
を出力する。そして、D型フリップフロップ241eの
出力信号が、ハイレベル信号となると、バッテリ1から
ランプ2への電力を供給する電力制御手段をなす上記P
WM制御回路9の制御を停止(MOSトランジスタ31
をオフ)するとともに、上記第1異常用回路242にて
上記Hブリッジ回路7aをオフとする。
The delay circuit 279 outputs a high level signal when the output signal of the comparator 277 is a high level signal and this high level signal continues for a predetermined time Tm. That is, the delay circuit 279 outputs a high-level signal when the time during which the lamp 2 is turned off elapses the predetermined time Tm. When the output signal of the delay circuit 279 becomes a high level signal, the OR gate 281 outputs a high level signal. When the output signal of the OR gate 281 becomes a high-level signal, the D-type flip-flop 241e outputs a high-level signal using the high-level signal as a clock pulse. When the output signal of the D-type flip-flop 241e becomes a high-level signal, the above-mentioned P serving as power control means for supplying power from the battery 1 to the lamp 2 is formed.
Stop control of WM control circuit 9 (MOS transistor 31
Is turned off), and the H-bridge circuit 7a is turned off by the first abnormality circuit 242.

【0177】このようにすることで、ランプ2が点灯し
ている状態から消灯し、この消灯時間が所定時間Tm経
過すると、PWM制御回路9の制御を停止することでラ
ンプ2への電力供給が停止されるようになる。また、ラ
ンプ2が消灯して所定時間Tm経過するまでは、PWM
制御回路9の制御を継続し、ランプ2への電力供給を行
う。
By doing so, the lamp 2 is turned off from a state in which the lamp 2 is turned on, and after a predetermined time Tm elapses, the control of the PWM control circuit 9 is stopped to supply power to the lamp 2. Will be stopped. Until the predetermined time Tm elapses after the lamp 2 is turned off, the PWM
The control of the control circuit 9 is continued to supply power to the lamp 2.

【0178】なお、図19に示すようにORゲート28
1には、上述した電気配線部261がアースされる配線
異常状態となったときに対応するための入力端子や、他
の異常状態に対応するための入力端子が設けられてい
る。つまり、ORゲート281は、図16に示す上記J
K型フリップフロップ257と、D型フリップフロップ
241eとの間に設けられている。
It should be noted that, as shown in FIG.
The input terminal 1 is provided with an input terminal for responding to the abnormal wiring state in which the electric wiring section 261 is grounded, and an input terminal for responding to another abnormal state. That is, the OR gate 281 is connected to the J shown in FIG.
It is provided between the K-type flip-flop 257 and the D-type flip-flop 241e.

【0179】次に、外れ検出回路15a、高電圧発生制
御回路13、およびフェイルセーフ回路14の作動を図
20のタイムチャートにて説明する。但し、外れ検出回
路15aにて検出される信号をgとし、コネクタ235
が外れているときにはハイレベル信号、コネクタが外れ
ていないときにはローレベル信号とし、サイリスタ57
のゲート駆動信号をf、点灯スイッチSWの信号をaと
して点灯スイッチSWがオンの時にはハイレベル信号、
オフのときにはローレベル信号とする。
Next, the operation of the off detection circuit 15a, the high voltage generation control circuit 13, and the fail safe circuit 14 will be described with reference to the time chart of FIG. However, the signal detected by the disconnection detection circuit 15a is g, and the connector 235
Signal is a high level signal when the thyristor 57 is disconnected, and a low level signal when the connector is not disconnected.
When the lighting switch SW is on, the gate drive signal of f is f and the signal of the lighting switch SW is a.
When it is off, it is a low level signal.

【0180】また、信号発生回路13aの出力信号をd
とし、PWM制御回路9の制御信号をcで、PWM制御
回路9が制御を行っているときにはハイレベル信号、制
御が停止しているときにはローレベル信号とし、コンパ
レータ277の出力信号をkとし、ランプ2が消灯して
いるときにはハイレベル信号、ランプ2が点灯している
ときにはローレベル信号とする。さらにD型フリップフ
ロップ241eのC入力信号をnとする。
The output signal of the signal generation circuit 13a is set to d.
The control signal of the PWM control circuit 9 is c, the high-level signal when the PWM control circuit 9 is performing control, the low-level signal when control is stopped, the output signal of the comparator 277 is k, When the lamp 2 is off, the signal is a high level signal, and when the lamp 2 is on, the signal is a low level signal. Further, the C input signal of the D-type flip-flop 241e is set to n.

【0181】先ず、時間t1にて点灯スイッチSWがオ
ンされると、ランプ電圧VLが徐々に増加して、例えば
時間t2となると、サイリスタ57のゲート駆動信号f
がハイレベル信号なる。これにより、ランプ2が点灯し
てランプ電流ILが流れ始める。その後、ランプ2が安
定制御状態(35W)となり、時間t3にて信号gがハ
イレベル信号となり、コネクタ235が外れたと検出さ
れたとする(図20中) そして、時間t3にてランプ電流ILが所定値より小さ
く、例えば0となり、ランプ2が消灯する、つまり、電
気配線部261の接触不良では無くてコネクタ235が
本当に外れた場合には、信号kはハイレベル信号とな
る。しかし、この際、ディレー回路279によって信号
nはローレベル信号のままであり、PWM制御回路9の
制御も継続される。
First, when the lighting switch SW is turned on at time t1, the lamp voltage VL gradually increases. For example, at time t2, the gate drive signal f of the thyristor 57 is increased.
Becomes a high level signal. Thereby, the lamp 2 is turned on and the lamp current IL starts to flow. Thereafter, it is assumed that the lamp 2 enters the stable control state (35 W), the signal g becomes a high-level signal at time t3, and it is detected that the connector 235 has been disconnected (in FIG. 20). If the value is smaller than the value and becomes, for example, 0, and the lamp 2 is turned off, that is, if the connector 235 is actually detached without a contact failure of the electric wiring unit 261, the signal k becomes a high-level signal. However, at this time, the signal n remains a low level signal by the delay circuit 279, and the control of the PWM control circuit 9 is also continued.

【0182】これにより、ランプ2が消灯してしまう
と、図20に示すように時間t4では、信号発生回路1
3aの信号dは、サイリスタ57をオフからオンとし
て、ランプ2を再度点灯させるようにハイレベル信号か
らローレベル信号に切り換わる。しかしながら、本例で
は、ランプ2の点灯に係わらずコネクタ外れを検出する
と、信号gがハイレベル信号になることで、信号fはロ
ーレベル信号となる。従って、コネクタ235の外れが
検出されたときに、始動回路8によるコンデンサン53
の放電が停止され、コネクタ235での高電圧の発生が
防止できる。
As a result, when the lamp 2 is turned off, as shown in FIG. 20, at time t4, the signal generation circuit 1
The signal d of 3a switches from a high-level signal to a low-level signal so that the thyristor 57 is turned on from off and the lamp 2 is turned on again. However, in the present example, when disconnection of the connector is detected irrespective of the lighting of the lamp 2, the signal g becomes a high level signal, and the signal f becomes a low level signal. Therefore, when the disconnection of the connector 235 is detected, the capacitor 53 by the starting circuit 8 is used.
Is stopped, and generation of a high voltage in the connector 235 can be prevented.

【0183】そして、時間t5にて、ランプ2が消灯し
た継続時間が、所定時間Tm経過したならば、信号nが
ハイレベル信号となって、PWM制御回路9の制御を停
止するとともに、Hブリッジ回路7aをオフとする。つ
まり、コネクタ235が外れてランプ2が消灯する場合
には、サイリスタ57をオフとして、所定時間Tm経過
後、PWM制御回路9の制御を停止して、ランプ2への
電力供給を停止する。
At time t5, if the continuation time during which the lamp 2 is turned off has passed a predetermined time Tm, the signal n becomes a high level signal, the control of the PWM control circuit 9 is stopped, and the H bridge The circuit 7a is turned off. That is, when the connector 235 is disconnected and the lamp 2 is turned off, the thyristor 57 is turned off, and after a lapse of a predetermined time Tm, the control of the PWM control circuit 9 is stopped and the power supply to the lamp 2 is stopped.

【0184】これにより、上記ランプ2の電気配線部2
61が、短時間接触不良を起こしたときには、ランプ2
への電力供給を維持してランプ2の点灯が維持できると
ともに、ランプ2が所定時間Tm継続して消灯している
ときには、速やかにランプ2への電力供給を停止でき
る。次に、上記の状態、つまリコネクタ235が実際
に外れている状態から、一旦時間t6で点灯スイッチS
Wをオフとして、時間t7にて再度オンしたとする。
(図20中) すると、ランプ電圧VLが徐々に増加して、時間t8に
なると、信号発生回路13aの信号dは、サイリスタ5
7をオフからオンとして、ランプ2を点灯させるように
ハイレベル信号からローレベル信号に切り換わる。しか
し、上述したようにランプ2の点灯に係わらずコネクタ
外れを検出すると、信号gがハイレベル信号になること
で、信号fはローレベル信号となる。従って、コネクタ
235が外れたときに、始動回路8によってコネクタ2
35での高電圧発生を防止できる。
As a result, the electric wiring portion 2 of the lamp 2
When the contact failure occurs for a short time, the lamp 2
The power supply to the lamp 2 can be maintained and the lighting of the lamp 2 can be maintained, and when the lamp 2 is continuously turned off for a predetermined time Tm, the power supply to the lamp 2 can be stopped immediately. Next, from the above state, that is, the state in which the grip connector 235 is actually disconnected, the lighting switch S is temporarily turned on at time t6.
It is assumed that W is turned off and turned on again at time t7.
(FIG. 20) Then, the lamp voltage VL gradually increases, and at time t8, the signal d of the signal generating circuit 13a is changed to the thyristor 5
7 is switched from off to on, and the high level signal is switched to the low level signal so that the lamp 2 is turned on. However, as described above, when disconnection of the connector is detected irrespective of the lighting of the lamp 2, the signal f becomes a low level signal because the signal g becomes a high level signal. Therefore, when the connector 235 comes off, the starting circuit 8 causes the connector 2 to disconnect.
The generation of high voltage at 35 can be prevented.

【0185】その後、時間t9にて、コネクタ235が
外れたと検出された継続時間が所定時間Tm経過する
と、信号nがハイレベル信号となって、PWM制御回路
9の制御を停止するとともに、Hブリッジ回路7aをオ
フとする。次に、上記の状態、つまリコネクタ235
が実際に外れているた状態から、一旦時間t10で点灯
スイッチSWをオフとして、コネクタ235をはめ直
し、、時間t11にて再度オンしたとする。(図20中
) すると、時間t12では、上述のように信号gがローレ
ベル信号になることで、信号fはハイレベル信号とな
り、始動回路8にてランプ2が点灯される。その後、例
えば、時間t13にて電気配線部261が接触不良にな
ったとする。この場合は、ランプ2は点灯しており、ラ
ンプ電流が所定値より大きくなっているので、信号kは
ローレベル信号である。
Thereafter, at time t9, when the continuation time for detecting that the connector 235 has been disconnected has passed for a predetermined time Tm, the signal n becomes a high level signal, and the control of the PWM control circuit 9 is stopped, and the H bridge The circuit 7a is turned off. Next, in the above state, the grip connector 235
Is turned off once at time t10, the connector 235 is re-inserted, and then turned on again at time t11. Then, at time t12, the signal g becomes a low level signal as described above, so that the signal f becomes a high level signal, and the starting circuit 8 turns on the lamp 2. Thereafter, it is assumed that, for example, at time t13, the electrical wiring unit 261 has a contact failure. In this case, since the lamp 2 is turned on and the lamp current is larger than a predetermined value, the signal k is a low level signal.

【0186】従って、電気配線部261が接触不良を起
こしたときに、ランプ2が点灯していると、ランプ2へ
の電力供給が維持される。この結果、電気配線部261
の接触不良を起こしても、ランプ2の点灯機能に異常が
無い場合には、ランプ2の点灯を維持できる。 〔逆接保護回路3について〕次に、逆接保護回路3につ
いて図21を用いて説明する。なお、図21は図1に車
両用電気機器であるオルタネータ等の電気負荷125を
加えたものである。
Therefore, if the lamp 2 is turned on when the electric wiring section 261 has a contact failure, the power supply to the lamp 2 is maintained. As a result, the electric wiring unit 261
Even if the contact failure occurs, if there is no abnormality in the lighting function of the lamp 2, the lighting of the lamp 2 can be maintained. [Reverse connection protection circuit 3] Next, the reverse connection protection circuit 3 will be described with reference to FIG. Note that FIG. 21 is obtained by adding an electric load 125 such as an alternator which is an electric device for a vehicle to FIG.

【0187】逆接保護回路3は、バッテリ1と、ランプ
2との間に設けられている。MOSトランジスタ21の
ゲート(G)は、抵抗17を介してバッテリの正極側
(電源端子1a)に接地されている。MOSトランジス
タ21のソース(S)およびドレイン(D)は、アース
端子1b側に接続され、放電灯装置100を流れた電流
がソースからドレインに向かって流れるようになってい
る。
The reverse connection protection circuit 3 is provided between the battery 1 and the lamp 2. The gate (G) of the MOS transistor 21 is grounded to the positive electrode side (power supply terminal 1a) of the battery via the resistor 17. The source (S) and the drain (D) of the MOS transistor 21 are connected to the ground terminal 1b so that the current flowing through the discharge lamp device 100 flows from the source to the drain.

【0188】上記点灯スイッチSWをオンすると、バッ
テリ1からゲート(G)にゲート電圧を与えられ、MO
Sトランジスタ21は導通状態となり、バッテリ1の電
力が放電灯装置100に供給される。これにより、放電
灯装置100が作動する。MOSトランジスタ21のゲ
ート−ソース間には、導通手段であるコンデンサ19が
並列に接続されている。上記抵抗17は、電源端子1a
とMOSトランジスタ21のゲートとの間で、MOS型
トランジスタ21とコンデンサ19との並列接続と直列
に接続されている。
When the lighting switch SW is turned on, a gate voltage is applied from the battery 1 to the gate (G), and the
The S transistor 21 is turned on, and the power of the battery 1 is supplied to the discharge lamp device 100. Thus, the discharge lamp device 100 operates. A capacitor 19 serving as a conduction means is connected in parallel between the gate and the source of the MOS transistor 21. The resistor 17 is connected to the power terminal 1a.
And the gate of the MOS transistor 21 are connected in series with the parallel connection of the MOS transistor 21 and the capacitor 19.

【0189】そして、上記点灯スイッチSWがオンされ
ると、抵抗17を介してコンデンサ19が充電される。
コンデンサ19の充電電流経路は、バッテリ1の正極側
から抵抗17、コンデンサ19、MOSトランジスタ2
1のソース−ドレイン間の寄生ダイオードを介して、バ
ッテリ1の負極側に流れる。そして、コンデンサ19の
充電電圧が所定値に達すると、MOSトランジスタ21
はオンとなる。また、MOSトランジスタ21がオンす
るまでは、放電灯装置100を流れる電流は、MOSト
ランジスタ21のソース−ドレイン間の寄生ダイオード
を通じて流れる。
When the lighting switch SW is turned on, the capacitor 19 is charged via the resistor 17.
The charging current path of the capacitor 19 is from the positive electrode side of the battery 1 to the resistor 17, the capacitor 19, and the MOS transistor 2
The current flows to the negative electrode side of the battery 1 through a parasitic diode between the source and the drain of the battery 1. When the charging voltage of the capacitor 19 reaches a predetermined value, the MOS transistor 21
Turns on. Until the MOS transistor 21 is turned on, the current flowing through the discharge lamp device 100 flows through the parasitic diode between the source and the drain of the MOS transistor 21.

【0190】上記MOSトランジスタ21は、以下のよ
うなときに放電灯装置100に逆電圧が印加されないよ
うに保護する保護機能を有する。例えば、バッテリ1の
交換時に、誤ってバッテリ1の極性が逆に取り付けられ
て、この状態で乗員の操作により上記点灯スイッチSW
がオンされたとする。この場合は、放電灯装置100に
印加される逆電圧は、バッテり電圧VB(第1逆電圧)
である。
The MOS transistor 21 has a protection function for protecting the discharge lamp device 100 from applying a reverse voltage in the following cases. For example, when the battery 1 is replaced, the polarity of the battery 1 is erroneously attached in reverse, and in this state, the lighting switch SW is operated by an occupant.
Is turned on. In this case, the reverse voltage applied to the discharge lamp device 100 is the battery voltage VB (first reverse voltage).
It is.

【0191】そして、このように放電灯装置100にバ
ッテリ1の極性が逆に取り付けられたときには、MOS
トランジスタ21のドレインーソース間の耐圧にて放電
灯装置100への逆電圧印加を遮断し、放電灯装置10
0を保護する。これにより、従来のようにツェナーダイ
オードを通じてヒューズ50に過電流が流れるといった
ことが無く、ヒューズ50の溶断を未然に防止できる。
When the battery 1 is attached to the discharge lamp device 100 with the polarity reversed, the MOS
The reverse voltage application to the discharge lamp device 100 is interrupted by the withstand voltage between the drain and the source of the transistor 21, and the discharge lamp device 10
Protect 0. As a result, an overcurrent does not flow through the fuse 50 through the Zener diode as in the related art, and it is possible to prevent the fuse 50 from being blown.

【0192】上記オルタネータ71は、バッテリ1に対
して上記放電灯装置100と並列に接続されている。オ
ルタネータ71は、図示しない界磁コイル等のリアクタ
ンス成分を有する誘導性負荷(車両用電気機器)であ
り、車両の走行駆動源を起動する手段であるイグニッシ
ョンスイッチIGがオンされると、発電を開始する。そ
して、上記イグニッションスイッチIGがオンで点灯ス
イッチSWがオンの状態から、イグニッションスイッチ
IGがオフされると、オルタネータ71に流れていた電
流が遮断されることで、電源端子1aに負極性の大きな
パルス電圧が発生する。このため、放電灯装置100に
は、上記バッテリ1の逆接時より大きな逆電圧が印加さ
れることになる。
The alternator 71 is connected to the battery 1 in parallel with the discharge lamp device 100. The alternator 71 is an inductive load (vehicle electric device) having a reactance component such as a field coil (not shown), and starts power generation when an ignition switch IG that is a means for starting a driving source of the vehicle is turned on. I do. When the ignition switch IG is turned off from the state where the ignition switch IG is on and the lighting switch SW is on, the current flowing through the alternator 71 is cut off, so that a large negative pulse is applied to the power supply terminal 1a. Voltage is generated. Therefore, a higher reverse voltage is applied to the discharge lamp device 100 than when the battery 1 is connected in reverse.

【0193】しかし、この際、コンデンサ19に充電さ
れた電荷は、コンデンサ19と抵抗17とで決まる時定
数にて放電される。これにより、MOSトランジスタ2
1のゲートには所定時間、ゲート電圧が印加されるの
で、MOSトランジスタ21は所定時間導通状態が維持
される。なお、電源端子1aとアース端子1bとの間
に、大きなパルス電圧が一瞬発生したときには、オンし
ているMOSトランジスタ21を介してMOSトランジ
スタ31のソース−ドレイン間の寄生ダイオード、フラ
イバックトランス29の一次巻線29a、コイル27と
いった電流経路でパルス電流を流すことにより、負極性
パルスのエネルギーを消費する。
However, at this time, the electric charge charged in the capacitor 19 is discharged with a time constant determined by the capacitor 19 and the resistor 17. Thereby, the MOS transistor 2
Since a gate voltage is applied to one gate for a predetermined time, the MOS transistor 21 is kept conductive for a predetermined time. When a large pulse voltage is momentarily generated between the power supply terminal 1a and the ground terminal 1b, a parasitic diode between the source and the drain of the MOS transistor 31 and the flyback transformer 29 By supplying a pulse current through a current path such as the primary winding 29a and the coil 27, the energy of the negative pulse is consumed.

【0194】このように、電源端子1aとアース端子1
bとの間に、大きな逆電圧が発生したときには、コンデ
ンサ19によりMOSトランジスタ21が強制的に導通
状態に維持されるので、MOSトランジスタ21の上記
耐圧を全く考慮せずに済む。つまり、この耐圧は、上記
バッテリ1の逆接時に、放電灯装置100に逆電圧が印
加されない程度(例えば12V強)であれば良い。
As described above, the power supply terminal 1a and the ground terminal 1
When a large reverse voltage is generated between the MOS transistor 21 and the capacitor b, the MOS transistor 21 is forcibly maintained in the conductive state by the capacitor 19, so that the withstand voltage of the MOS transistor 21 need not be considered at all. In other words, the withstand voltage may be such that a reverse voltage is not applied to the discharge lamp device 100 when the battery 1 is connected in reverse (for example, a little over 12 V).

【0195】従って、MOSトランジスタ21の上記耐
圧を非常に小さくすることができ、これにより、MOS
トランジスタ21の駆動抵抗を小さくでき、MOSトラ
ンジスタ21での電力損失が小さくできる。ひいては、
MOSトランジスタ21のチップサイズを小さくするこ
とができ、安価なMOSトランジスタ21を使用でき
る。
Therefore, the withstand voltage of the MOS transistor 21 can be made very small.
The driving resistance of the transistor 21 can be reduced, and the power loss in the MOS transistor 21 can be reduced. In turn,
The chip size of the MOS transistor 21 can be reduced, and an inexpensive MOS transistor 21 can be used.

【0196】また、上述したようにコンデンサ19に
て、MOSトランジスタ21は強制的に導通状態となる
が、コンデンサ19と抵抗17が時定数回路を構成して
いるので、抵抗17によってコンデンサ19の放電時間
が延長される。この結果、MOSトランジスタ21の導
通時間を長くできるので、確実にMOSトランジスタ2
1の破壊破損を防止できる。なお、本発明者の検討によ
ると、上記時定数回路の時定数は、0.01秒以上とす
ると、上記パルス電圧が発生している間、確実にMOS
トランジスタ21をオン状態にすることができ、確実に
放電灯装置100を保護できる。
As described above, the MOS transistor 21 is forcibly turned on by the capacitor 19, but the capacitor 17 and the resistor 17 form a time constant circuit. Time is extended. As a result, since the conduction time of the MOS transistor 21 can be lengthened, the MOS transistor 2
1 can be prevented from being destroyed. According to the study of the present inventor, if the time constant of the time constant circuit is set to 0.01 second or more, it is ensured that the MOS constant while the pulse voltage is generated.
The transistor 21 can be turned on, and the discharge lamp device 100 can be reliably protected.

【0197】〔過電圧保護回路16について〕図22
に、図2に示す過電圧保護回路16の回路構成図を示
す。以下、図22に基づき過電圧保護回路16について
説明する。過電圧保護回路16は、集積回路73に備え
られた各制御回路9〜15を過電圧から保護するもので
ある。この過電圧保護回路16は、1次側電圧が所定の
しきい値電圧になると過電圧検出を行う過電圧検出回路
77と、1次側電圧がしきい値電圧になったときに1次
側電圧を分圧する分圧回路79とを備えている。そし
て、この過電圧保護回路16を介して印加された1次側
電圧がこの定電圧回路75で定電圧化され、各制御回路
9〜15の駆動電圧に使用される。
[Regarding Overvoltage Protection Circuit 16] FIG.
2 shows a circuit configuration diagram of the overvoltage protection circuit 16 shown in FIG. Hereinafter, the overvoltage protection circuit 16 will be described with reference to FIG. The overvoltage protection circuit 16 protects each of the control circuits 9 to 15 provided in the integrated circuit 73 from overvoltage. The overvoltage protection circuit 16 includes an overvoltage detection circuit 77 that performs overvoltage detection when the primary voltage reaches a predetermined threshold voltage, and separates the primary voltage when the primary voltage reaches the threshold voltage. And a voltage dividing circuit 79 for applying pressure. The primary voltage applied through the overvoltage protection circuit 16 is converted into a constant voltage by the constant voltage circuit 75, and is used as a drive voltage for each of the control circuits 9 to 15.

【0198】過電圧検出回路77は、比較的抵抗値が大
きな抵抗81とツェナーダイオード83及び抵抗85で
構成されている。このツェナーダイオード83のツェナ
ーダイ電圧によって上記しきい値電圧が設定されてい
る。また、抵抗81は電流I制限用としてツェナーダイ
オード83に直列に設けられており、これによってツェ
ナーダイオード83の耐圧を低くする事ができる。な
お、抵抗85はリーク防止のための逆バイアス抵抗であ
る。
The overvoltage detecting circuit 77 includes a resistor 81 having a relatively large resistance value, a zener diode 83 and a resistor 85. The threshold voltage is set by the Zener die voltage of the Zener diode 83. Further, the resistor 81 is provided in series with the Zener diode 83 for limiting the current I, so that the withstand voltage of the Zener diode 83 can be reduced. Note that the resistor 85 is a reverse bias resistor for preventing leakage.

【0199】また、分圧回路79は、抵抗87、89及
びダーリントン接続されたNPNトランジスタ91、9
3で構成されている。次に、このように構成された過電
圧保護回路16の作動について説明する。1次側電圧が
所定のしきい値電圧未満の時には、ツェナーダイオード
83は電流を流さないため、ダーリントン接続されたN
PNトランジスタ91、93がオンしない。このため、
集積回路73内の定電圧回路75に印加される電圧VI
Cは、1次側電圧から抵抗87での電圧降下を差し引い
た電圧となる。
The voltage dividing circuit 79 includes resistors 87 and 89 and Darlington-connected NPN transistors 91 and 9.
3. Next, the operation of the overvoltage protection circuit 16 configured as described above will be described. When the primary side voltage is lower than the predetermined threshold voltage, the Zener diode 83 does not flow a current, so that the Darlington-connected N
The PN transistors 91 and 93 do not turn on. For this reason,
Voltage VI applied to constant voltage circuit 75 in integrated circuit 73
C is a voltage obtained by subtracting the voltage drop at the resistor 87 from the primary voltage.

【0200】そして、1次側電圧が所定電圧以上に上昇
すると、ツェナーダイオード83がツェナー降伏によっ
て電流を流し、NPNトランジスタ91、93がオンす
る。このため、集積回路73内の定電圧回路75に印加
される電圧VICは、1次側電圧が抵抗87及び抵抗8
9で分圧された電圧となる。なお、このとき分圧された
電圧が各制御回路9〜15の耐圧以下になるように、抵
抗87及び抵抗89の抵抗値を設定する必要がある。
When the primary voltage rises above a predetermined voltage, the Zener diode 83 causes a current to flow due to Zener breakdown, and the NPN transistors 91 and 93 are turned on. For this reason, the voltage VIC applied to the constant voltage circuit 75 in the integrated circuit 73 is such that the primary voltage is the resistance 87 and the resistance 8
At 9 the voltage is divided. At this time, it is necessary to set the resistance values of the resistors 87 and 89 so that the divided voltage is equal to or less than the withstand voltage of each of the control circuits 9 to 15.

【0201】なお、集積回路73の中に定電圧回路75
や各制御回路9〜15等を形成したものを示したが、ツ
ェナーダイオード83、抵抗85及びNPNトランジス
タ91、93等の過電圧保護回路16の構成要素も集積
回路73の中に形成しても良い。この場合には、これら
の各構成要素を集積回路の他の部分と共に形成すれば良
いため、よりコスト削減を図ることができる。
The constant voltage circuit 75 is provided in the integrated circuit 73.
And the control circuits 9 to 15 are formed, but the components of the overvoltage protection circuit 16 such as the Zener diode 83, the resistor 85, and the NPN transistors 91 and 93 may also be formed in the integrated circuit 73. . In this case, these components may be formed together with other parts of the integrated circuit, so that cost can be further reduced.

【0202】このように、分圧回路79にて過電圧を分
圧しているため、集積回路73に過電圧が印加されない
ようにすることができる。これにより、比較的高耐圧の
パワーツェナーダイオードを用いなくても、集積回路7
3の中の各制御回路9〜15を過電圧から保護すること
ができ、コスト削減を図ることができる。また、過電圧
検出回路77における抵抗81には、過電圧が発生した
とき以外には電流がほとんど流れないようになっている
ため、過電圧が発生していないときにおける抵抗81の
電力消費を防止することができる。
As described above, since the overvoltage is divided by the voltage dividing circuit 79, it is possible to prevent the overvoltage from being applied to the integrated circuit 73. Thus, the integrated circuit 7 can be used without using a power Zener diode having a relatively high withstand voltage.
Each of the control circuits 9 to 15 in 3 can be protected from overvoltage, and the cost can be reduced. Also, since almost no current flows through the resistor 81 in the overvoltage detection circuit 77 except when an overvoltage occurs, it is possible to prevent power consumption of the resistor 81 when no overvoltage occurs. it can.

【0203】〔放電灯装置の検査について〕次に、放電
灯装置100を車両に取り付ける前の検査について、図
23に示すコネクタ15内の回路構成等と、図24に示
すクロック回路285の回路構成図に基づいて説明す
る。検査時においてクロック回路285が発生する信号
の周波数を擬似的に短くする為に、図23及び図24に
示すように、クロック切替え検出回路286、287が
放電灯装置には備えられている。このクロック切替え検
出回路286、287について説明する。
[Inspection of Discharge Lamp Apparatus] Next, regarding the inspection before the discharge lamp apparatus 100 is mounted on the vehicle, the circuit configuration in the connector 15 shown in FIG. 23 and the circuit configuration of the clock circuit 285 shown in FIG. Description will be made based on the drawings. In order to artificially shorten the frequency of the signal generated by the clock circuit 285 at the time of inspection, as shown in FIGS. 23 and 24, clock switching detection circuits 286 and 287 are provided in the discharge lamp device. The clock switching detection circuits 286 and 287 will be described.

【0204】クロック切替え検出回路286、287
は、検査時であることを検出してクロック切替え検出信
号を出力する検査時検出回路286と、クロック切替え
検出信号に基づきクロック回路285が数える時間を擬
似的に速くするための時間短縮回路287とを備えてい
る。検査時検出回路286には、上記コネクタ外れ検出
端子261に印加されているバッテリ電圧VBが同様に
印加される。上述したように、コネクタ外れ検出はバッ
テリ電圧VBによって行われるため、コネクタ外れ検出
端子261aにはバッテリ電圧VB以上の電圧が印加さ
れることがない。これを利用して、コネクタ外れ検出端
子261aにバッテリ電圧VB+α未満の電圧しか印加
されていない時には、検出時ではないとして検査時検出
回路286はハイレベル信号を出力し、コネクタ外れ検
出端子261aにバッテリ電圧VB+α以上の電圧が印
加されると検査時検出回路286はクロック切替え検出
信号となるローレベル信号を出力するようになってい
る。これにより、コネクタ外れ検出端子261aを検査
用及びコネクタ外れ検出用の端子として共用している。
Clock switching detection circuits 286 and 287
Includes a time-of-test detection circuit 286 that detects a time of a test and outputs a clock switching detection signal, and a time shortening circuit 287 that artificially speeds up the time counted by the clock circuit 285 based on the clock switching detection signal. It has. The battery voltage VB applied to the connector disconnection detection terminal 261 is similarly applied to the inspection time detection circuit 286. As described above, since the disconnection of the connector is detected by the battery voltage VB, a voltage higher than the battery voltage VB is not applied to the connector disconnection detection terminal 261a. Utilizing this, when only a voltage lower than the battery voltage VB + α is applied to the connector disconnection detection terminal 261a, the inspection detection circuit 286 outputs a high-level signal indicating that it is not the time of detection, and outputs the battery to the connector disconnection detection terminal 261a. When a voltage equal to or higher than the voltage VB + α is applied, the inspection time detection circuit 286 outputs a low level signal serving as a clock switching detection signal. Thus, the connector disconnection detection terminal 261a is commonly used as a terminal for inspection and a terminal for connector disconnection detection.

【0205】時間短縮回路287は図24に示すように
クロック回路285に内蔵されている。クロック回路2
85は、連続的に並べられた複数のD型フリップフロッ
プ289a〜289jを備えており、これらのD型フリ
ップフロップ289a〜289jによって時間が数えら
れている。すなわち、図示しない変換器が出力するクロ
ック信号CLがD型フリップフロップ289aに入力さ
れると、D型フリップフロップ289aはこのクロック
信号の2倍の周期となる信号を出力し、次のD型フリッ
プフロップ289bでさらに2倍の周期の信号となって
出力される。各D型フリップフロップ289a〜289
jでこの動作を繰り返して、クロック信号の周期が倍々
される。そして、各制御回路は、各D型フリップフロッ
プ401a〜401jが出力する信号のうちから適合す
るものを選択し、各制御を行う際の時間に用いている。
例えば、ランプパワー制御回路10においては、D型フ
リップフロップ289iの出力信号の周波数に基づいて
制御時間を設定している。
The time shortening circuit 287 is built in the clock circuit 285 as shown in FIG. Clock circuit 2
Numeral 85 includes a plurality of D-type flip-flops 289a to 289j arranged continuously, and time is counted by these D-type flip-flops 289a to 289j. That is, when a clock signal CL output from a converter (not shown) is input to the D-type flip-flop 289a, the D-type flip-flop 289a outputs a signal having a cycle twice as long as this clock signal, and In step 289b, the signal is output as a signal having a double cycle. Each D-type flip-flop 289a to 289
By repeating this operation at j, the cycle of the clock signal is doubled. Each control circuit selects a suitable signal from the signals output from each of the D-type flip-flops 401a to 401j, and uses the selected signal for a time when each control is performed.
For example, in the lamp power control circuit 10, the control time is set based on the frequency of the output signal of the D flip-flop 289i.

【0206】このように並べられた複数のD型フリップ
フロップの間に時間短縮回路287が配置されている。
以下、クロック回路285及びクロック切替え検出回路
287a、287における作動を実際にランプ2を使用
する時と検査時に分けて説明する。 実際にランプ2を使用する時 この時には、コネクタ35にランプ2が接続されている
ため、クロック切替え検出回路287a、287はアー
ス状態となる。この場合には、コネクタ外れ検出接続端
子261aにバッテリ電圧VB+α以上の電圧が印加さ
れないため、検査時検出回路286はハイレベル信号を
出力する。
A time shortening circuit 287 is arranged between the plurality of D-type flip-flops arranged as described above.
Hereinafter, the operation of the clock circuit 285 and the clock switching detection circuits 287a and 287 will be described separately when the lamp 2 is actually used and when the lamp 2 is inspected. When the lamp 2 is actually used At this time, since the lamp 2 is connected to the connector 35, the clock switching detection circuits 287a and 287 are grounded. In this case, since a voltage higher than the battery voltage VB + α is not applied to the connector disconnection detection connection terminal 261a, the inspection time detection circuit 286 outputs a high level signal.

【0207】この時には、D型フリップフロップ289
gのクロックCには、D型フリップフロップ289fの
出力信号が入力される。すなわち、時間短縮回路287
における処理によって、変換器が出力しているクロック
信号が無視され、D型フリップフロップ289fの出力
信号がD型フリップフロップ289gのクロック信号と
してクロックCに入力される。従って、検査時以外に
は、D型フリップフロップ289a〜289fを介して
変換器からのクロック信号CLの周期が倍々され、倍々
された周期の信号がD型フリップフロップ289gのク
ロック信号となる。このため、ランプパワー制御回路1
0は通常の時間でランプパワー制御を行う。
At this time, the D-type flip-flop 289
The output signal of the D-type flip-flop 289f is input to the clock C of g. That is, the time shortening circuit 287
By the processing in, the clock signal output from the converter is ignored, and the output signal of the D-type flip-flop 289f is input to the clock C as the clock signal of the D-type flip-flop 289g. Therefore, except at the time of inspection, the cycle of the clock signal CL from the converter is doubled via the D-type flip-flops 289a to 289f, and the signal of the doubled cycle becomes the clock signal of the D-type flip-flop 289g. Therefore, the lamp power control circuit 1
0 performs lamp power control in a normal time.

【0208】なお、ランプ2がコネクタ35から外れた
場合においてもクロック切替え検出回路287a、28
7にはバッテリ電圧VBが印加されるだけであるから、
検査時検出回路286はハイレベル信号を出力し、クロ
ック回路285及びクロック切替え検出回路287a、
287は上記と同様の作動を行う。 検査をする時 この時には、コネクタ外れ検出端子261aを検査用及
びコネクタ外れ検出用の端子として共用する。そして、
所定電源を用いて、バッテリ接続部分にバッテリ電圧と
同様の電圧を印加する。これにより、コネクタ外れ検出
端子261aにはバッテリ電圧VBが印加される。この
段階では、検査時検出回路286はハイレベル信号を出
力している。
Note that even when the lamp 2 is disconnected from the connector 35, the clock switching detection circuits 287a, 287
7, only the battery voltage VB is applied.
The inspection time detection circuit 286 outputs a high level signal, and outputs the clock circuit 285 and the clock switching detection circuit 287a.
287 performs the same operation as described above. At the time of inspection At this time, the connector disconnection detection terminal 261a is shared as a terminal for inspection and a terminal for connector disconnection detection. And
A voltage similar to the battery voltage is applied to the battery connection using a predetermined power supply. As a result, the battery voltage VB is applied to the connector disconnection detection terminal 261a. At this stage, the inspection time detection circuit 286 outputs a high level signal.

【0209】そして、コネクタ外れ検出端子261aに
バッテリ電圧VB+α以上の電圧を印加する。これによ
り、検査時検出回路286はクロック切替え検出信号と
してローレベル信号を出力する。この時には、D型フリ
ップフロップ289gのクロックCには、変換器からの
クロック信号が直接入力される。すなわち、時間短縮回
路287における処理によって、D型フリップフロップ
289fが出力している信号が無視され、変換器からの
クロック信号がD型フリップフロップ289gのクロッ
クとして入力される。従って、検査時には、D型フリッ
プフロップ289a〜289fを介さずに変換器からの
クロック信号がそのままD型フリップフロップ289g
のクロック信号となる。このため、D型フリップフロッ
プ289gは変換器からのクロック信号を倍の周期の信
号にして出力する。
Then, a voltage higher than the battery voltage VB + α is applied to the connector disconnection detection terminal 261a. As a result, the inspection time detection circuit 286 outputs a low level signal as a clock switching detection signal. At this time, a clock signal from the converter is directly input to the clock C of the D-type flip-flop 289g. That is, by the processing in the time shortening circuit 287, the signal output from the D-type flip-flop 289f is ignored, and the clock signal from the converter is input as the clock of the D-type flip-flop 289g. Therefore, at the time of inspection, the clock signal from the converter is directly passed through the D-type flip-flop 289g without passing through the D-type flip-flops 289a to 289f.
Clock signal. For this reason, the D-type flip-flop 289g converts the clock signal from the converter into a signal having a double cycle and outputs it.

【0210】従って、時間短縮回路287以降のD型フ
リップフロップ289g〜289jにおける出力信号の
周期、すなわち各制御回路9〜15が基準にする時間が
擬似的に短縮され、各制御回路9〜15は短縮された時
間に基づいてランプパワー制御を行う。このため、ラン
プパワー制御時間が短縮化される。このように、コネク
タ外れ検出端子261aに、コネクタ外れ検出に用いる
電圧以上の電圧VBが印加された場合に、検査時検出回
路286が検査時であると検出するようにし、この場合
には時間短縮回路287によって短縮された時間に基づ
いて各制御回路9〜15が各制御を行うようにしてい
る。
Therefore, the period of the output signal in the D-type flip-flops 289g to 289j after the time shortening circuit 287, that is, the time referenced by each of the control circuits 9 to 15 is shortened in a pseudo manner, and the control circuits 9 to 15 The lamp power control is performed based on the shortened time. Therefore, the lamp power control time is shortened. As described above, when the voltage VB equal to or higher than the voltage used for detecting the connector disconnection is applied to the connector disconnection detection terminal 261a, the inspection time detection circuit 286 detects that the inspection is being performed. Each of the control circuits 9 to 15 performs each control based on the time shortened by the circuit 287.

【0211】これにより、各制御回路9〜15が行う制
御時間を短縮することができ、検査時間を短縮すること
ができる。また、クロック切替え信号を時間短縮回路2
87に入力するための端子をコネクタ外れ検出端子26
1aで行っているため、クロック切替え信号を入力する
ためのみに端子を形成する必要がない。なお、コネクタ
外れ検出端子261aはランプ2が接続されているとき
にはランプで覆われるため、錆防止のための特別な処理
も必要ない。
As a result, the control time performed by each of the control circuits 9 to 15 can be reduced, and the inspection time can be reduced. Also, the clock switching signal is transmitted to the time shortening circuit 2.
87 is a connector disconnection detection terminal 26.
Since it is performed in 1a, it is not necessary to form a terminal only for inputting a clock switching signal. Since the connector disconnection detection terminal 261a is covered by the lamp when the lamp 2 is connected, no special treatment for preventing rust is required.

【0212】なお、本実施形態においては、バッテリ電
圧VBが低下した時に、MOSトランジスタ31のスイ
ッチング周波数をリニアに低下させているが、スイッチ
ング周波数を段階的に変化させてもよい。
In the present embodiment, when the battery voltage VB decreases, the switching frequency of the MOS transistor 31 decreases linearly. However, the switching frequency may be changed stepwise.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態における放電灯装置100の
全体構成図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a discharge lamp device 100 according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す放電灯装置100の制御系を示すブ
ロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a control system of the discharge lamp device 100 shown in FIG.

【図3】上記実施形態における始動回路の各地点の波形
を表すタイムチャートである。
FIG. 3 is a time chart showing a waveform at each point of a starting circuit in the embodiment.

【図4】上記実施形態におけるブリッジ駆動回路の構成
図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a bridge drive circuit in the embodiment.

【図5】上記実施形態におけるMOSトランジスタ31
の駆動回路の構成図である。
FIG. 5 shows a MOS transistor 31 in the embodiment.
FIG. 3 is a configuration diagram of a drive circuit of FIG.

【図6】上記実施形態におけるランプパワー制御回路の
構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a lamp power control circuit in the embodiment.

【図7】上記図6における電圧V1の波形を示すタイム
チャートである。
FIG. 7 is a time chart showing a waveform of a voltage V1 in FIG. 6;

【図8】上記実施形態におけるサンプルホールド回路1
2の構成図である。
FIG. 8 shows a sample hold circuit 1 according to the embodiment.
FIG.

【図9】図8におけるランプ電圧VLの波形を示す説明
図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a waveform of a lamp voltage VL in FIG. 8;

【図10】上記実施形態におけるPWM制御回路9にお
ける鋸歯状波形成回路の構成図である。
FIG. 10 is a configuration diagram of a sawtooth wave forming circuit in the PWM control circuit 9 in the embodiment.

【図11】図10における鋸歯状波形成回路が形成する
鋸歯状波を示す図である。
11 is a diagram illustrating a sawtooth wave formed by the sawtooth wave forming circuit in FIG. 10;

【図12】図11における鋸歯状波に応じて現れる一次
電流の波形を示す図である。
12 is a diagram showing a waveform of a primary current appearing in response to the sawtooth wave in FIG.

【図13】図11における鋸歯状波に応じて現れる一次
電流の波形を示す図である。
13 is a diagram showing a waveform of a primary current appearing in response to the sawtooth wave in FIG.

【図14】上記実施形態におけるスレッショルドレベル
設定回路165の構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of a threshold level setting circuit 165 in the embodiment.

【図15】上記実施形態におけるランプ2の取付構造図
である。
FIG. 15 is a mounting structure diagram of the lamp 2 in the embodiment.

【図16】上記実施形態における放電灯装置の異常状態
を検出する回路構成図である。
FIG. 16 is a circuit configuration diagram for detecting an abnormal state of the discharge lamp device in the embodiment.

【図17】図16に示す回路における異常検出を表すタ
イムチャートである。
FIG. 17 is a time chart showing abnormality detection in the circuit shown in FIG. 16;

【図18】上記実施形態におけるコネクタの外れを検出
する回路構成図である。
FIG. 18 is a circuit configuration diagram for detecting disconnection of a connector in the embodiment.

【図19】上記実施形態におけるコネクタが外れる異常
状態を検出する回路構成図である。
FIG. 19 is a circuit configuration diagram for detecting an abnormal state in which a connector is disconnected in the embodiment.

【図20】図18、19におけるコネクタ外れの検出を
表すタイムチャートである。
FIG. 20 is a time chart showing detection of connector disconnection in FIGS. 18 and 19;

【図21】上記実施形態における逆接保護回路の構成図
である。
FIG. 21 is a configuration diagram of a reverse connection protection circuit in the embodiment.

【図22】上記実施形態における過電圧保護回路の構成
図である。
FIG. 22 is a configuration diagram of an overvoltage protection circuit in the embodiment.

【図23】上記実施形態におけるコネクタ外れ検出回路
の要部詳細図である。
FIG. 23 is a detailed view of a main part of a connector disconnection detection circuit in the embodiment.

【図24】上記実施形態における放電灯装置の検査時に
使用するクロック回路の説明図である。
FIG. 24 is an explanatory diagram of a clock circuit used when inspecting the discharge lamp device in the embodiment.

【図25】従来における放電灯装置の一次電流の波形を
示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a waveform of a primary current of a conventional discharge lamp device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…バッテリ、2…ランプ、5…直流電源回路、7…イ
ンバータ回路、7a…Hブリッジ回路、9…PWM制御
回路、10…ランプパワー制御回路、29…フライバッ
クトランス、29a…一次巻線、29b…二次巻線、3
1…MOSトランジスタ、41a〜41d…MOSトラ
ンジスタ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery, 2 ... Lamp, 5 ... DC power supply circuit, 7 ... Inverter circuit, 7a ... H bridge circuit, 9 ... PWM control circuit, 10 ... Lamp power control circuit, 29 ... Flyback transformer, 29a ... Primary winding, 29b: secondary winding, 3
1 ... MOS transistors, 41a to 41d ... MOS transistors.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一次側に配された巻線(29a)に一次
電流を流す時に該巻線(29a)にエネルギーを蓄積
し、前記一次電流を遮断する時に前記エネルギーを二次
側に供給するトランス(29)と、 前記一次電流を制御するスイッチング手段(31)と、 前記スイッチング手段(31)を所定のスイッチング周
波数でデューティー制御するデューテュー制御手段
(9)とを有し、 前記トランス(29)の一次側に配される直流電源
(1)から、前記トランス(29)の二次側に配される
放電灯(2)に所定電力が供給されるように、前記デュ
ーティー制御手段(9)がデューティー比を設定するよ
うに構成されており、 前記デューティー制御手段(9)は、前記直流電源
(1)の電圧に応じ、前記直流電源(1)の電圧が低下
した時には、前記スイッチング周波数を低く設定するよ
うになっていることを特徴とする放電灯装置。
1. An energy is stored in a winding (29a) when a primary current flows through a winding (29a) disposed on a primary side, and the energy is supplied to a secondary side when the primary current is cut off. A transformer (29); switching means (31) for controlling the primary current; and a duty control means (9) for duty-controlling the switching means (31) at a predetermined switching frequency. The duty control means (9) is configured such that a predetermined power is supplied from a DC power supply (1) disposed on a primary side of the discharge lamp (2) disposed on a secondary side of the transformer (29). The duty control means (9) is configured to set a duty ratio according to a voltage of the DC power supply (1) when the voltage of the DC power supply (1) decreases. Discharge lamp device which is characterized in that is adapted to set lower the switching frequency.
【請求項2】 前記デューティー制御手段(9)は、前
記直流電源(1)の電圧が低下する程、前記スイッチン
グ周波数を低く設定するようになっていることを特徴と
する請求項1に記載の放電灯装置。
2. The duty control means (9) according to claim 1, wherein the switching frequency is set lower as the voltage of the DC power supply (1) decreases. Discharge lamp device.
【請求項3】 前記デューティー制御手段(9)は、前
記直流電源(1)の電圧が低下した時に、前記スイッチ
ング周波数を段階的に低く設定するようになっているこ
とを特徴とする請求項1に記載の放電灯装置。
3. The duty control means (9) sets the switching frequency stepwise lower when the voltage of the DC power supply (1) drops. The discharge lamp device according to item 1.
【請求項4】 前記デューティー制御手段(9)は、前
記放電灯(2)の状態に応じて設定されるスレッショル
ドレベルと所定の鋸歯状波とを比較することにより前記
デューティー比を設定しており、 前記直流電源(1)の低下に伴って前記鋸歯状波の周波
数を低くすることにより、前記スイッチング周波数が低
く設定されるようになっていることを特徴とする請求項
1乃至3のいずれか1つに記載の放電灯装置。
4. The duty control means (9) sets the duty ratio by comparing a threshold level set according to a state of the discharge lamp (2) with a predetermined sawtooth wave. The switching frequency is set to be low by lowering the frequency of the sawtooth wave with a decrease in the DC power supply (1). The discharge lamp device according to one.
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