JPH10319126A - Radiation detector and its manufacturing method - Google Patents

Radiation detector and its manufacturing method

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JPH10319126A
JPH10319126A JP12759497A JP12759497A JPH10319126A JP H10319126 A JPH10319126 A JP H10319126A JP 12759497 A JP12759497 A JP 12759497A JP 12759497 A JP12759497 A JP 12759497A JP H10319126 A JPH10319126 A JP H10319126A
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JP
Japan
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scintillator
radiation detector
visible light
reflection layer
layer
Prior art date
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Application number
JP12759497A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetaka Maeda
英孝 前田
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S I I R D CENTER KK
Original Assignee
S I I R D CENTER KK
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Publication date
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Publication of JPH10319126A publication Critical patent/JPH10319126A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the reflection efficiency and the radiation utilization efficiency of visible light and at the same time improve detection sensitivity by providing a reflection layer being formed by electroless plating on a surface other than a connection surface with the photoelectric transducer of a scintillator and providing a screening layer to the adjacent scintillator. SOLUTION: A scintillator 1 absorbs X rays and converts to visible light. Then, for guiding visible light that is emitted after applying X rays to and absorbing them from the scintillator 1 after the scintillator 1 is cut to a desired shape and is subjected to polishing machining, a reflection layer 2 is formed on a surface other than the optical connection surface with the photoelectric transducer 6 using a silver mirror reaction. When the film thickness of the reflection layer 2 causes void when the Ag film is thin and transmits visible light being emitted in the scintillator 1 and decreases efficiency. Further, a shielding film for reducing crosstalk due to X rays is formed on the side surface of the scintillator 1 where the reflection layer 2 is formed by forming, for example, gold and lead.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、デジタルX線画像
装置の用いる放射線検出及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to radiation detection using a digital X-ray imaging apparatus and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の放射線検出器は、気体電離作用を
利用した電離箱方式、シンチレータのシンチレーション
光を利用した固体検出方式、あるいはCdTe等の半導
体検出方式の3方式に大別される。本発明はシンチレー
タと光電変換素子の組合せに関する放射線検出器である
ため、ここでは従来の固体検出器について述べる。
2. Description of the Related Art Conventional radiation detectors are roughly classified into three types: an ionization chamber system utilizing gas ionization, a solid state detection system utilizing scintillation scintillation light, and a semiconductor detection system such as CdTe. Since the present invention is a radiation detector relating to a combination of a scintillator and a photoelectric conversion element, a conventional solid-state detector will be described here.

【0003】図2に従来の固体検出器の基本構造の一例
を断面構造図で示す。ガラスエポキシなどのプリント配
線基板25の表面に光学的に複数の光電変換素子からな
る光電変換素子アレー24をエポキシ等を主成分とする
接着材により配置固着させた後、各光電変換素子から前
記プリント基板に光電流信号を取り出すための接合処理
が金ワイヤー等によるボンディングで行われている。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a basic structure of a conventional solid-state detector. After a photoelectric conversion element array 24 composed of a plurality of photoelectric conversion elements is optically placed and fixed on the surface of a printed wiring board 25 made of glass epoxy or the like with an adhesive mainly composed of epoxy or the like, the printing is performed from each photoelectric conversion element. A bonding process for extracting a photocurrent signal from a substrate is performed by bonding using a gold wire or the like.

【0004】更にその接合処理部を保護する為、エポキ
シ、アクリルレート、シリコーン等を主成分とする封止
材を用いボンディングワイヤーやパット部分の短絡保護
を目的とした封止が行われている。またシンチレータ2
1は、タングステン酸カドミニュウム(CdWO4)、
Bi4Ge312、タリウム添加ヨウ化ナトリウム<Na
I(TI)>などの単結晶体か、或いはGd22S:P
r.Ce.Fなどのセラミック体などが目的により選別
され使用されている、またシンチレータ21の形状も目
的により様々であり目的により決定され切断研磨加工さ
れている。
Further, in order to protect the bonding portion, a sealing material mainly composed of epoxy, acrylate, silicone, or the like is used to seal a bonding wire or a pad portion for short-circuit protection. Also scintillator 2
1 is cadmium tungstate (CdWO 4 ),
Bi 4 Ge 3 O 12 , thallium-added sodium iodide <Na
I (TI)> or Gd 2 O 2 S: P
r. Ce. A ceramic body such as F is selected and used according to the purpose, and the shape of the scintillator 21 also varies depending on the purpose, and is determined and cut and polished.

【0005】その切断研磨加工されたシンチレータ21
は前記光電変換素子アレー24の各画素に対向し精度良
く配列され、光透過率に優れたアクリル系或いは、エポ
キシ系接着剤23で固着されている。但し、各チャンネ
ル間のクロストークを防ぐ為、シンチレータ間は300
μm以上の不感領域が必要となる。
The scintillator 21 cut and polished.
Are fixed to each pixel of the photoelectric conversion element array 24 with high precision by being arranged with an acrylic or epoxy adhesive 23 having excellent light transmittance. However, to prevent crosstalk between channels, the distance between scintillators is 300
A dead area of μm or more is required.

【0006】更に配列されたシンチレータの前記固着面
以外の面に白色系顔料例えばTiO 2を主成分とした反
射層22を有している、以上の様な構成を持ち、シンチ
レータ21は入射X線を吸収し、可視光に変換発光す
る。シンチレータ21内部で発光した可視光は反射層2
2で反射し、効率良く光電変換素子アレー24に導か
れ、光電変換される。X線入射量に比例し光電流が増加
する。
[0006] The fixed surface of the scintillator further arranged.
White pigment such as TiO. TwoAnti-based
Having the above-described configuration having the radiation layer 22,
The translator 21 absorbs incident X-rays and converts them into visible light to emit light.
You. The visible light emitted inside the scintillator 21 is
2 and efficiently guided to the photoelectric conversion element array 24
And photoelectrically converted. Photocurrent increases in proportion to the amount of X-rays incident
I do.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の多素子固体検出
器に於いては、各素子間のクロストークを低減させるた
め、300μm程度のギャップが必要であり、X線の空
間利用効率が悪く感度を劣化させる原因となっていた。
また反射層に使われているTiO2は、Agなど金属膜
に比べ反射率が悪く、感度を低下させる原因となってい
る。さらにTiO 2は、粉末形状をしている為、反射層
として固着させるのが困難であり、作業コストが高いと
言う課題があった。
SUMMARY OF THE INVENTION Conventional multi-element solid-state detection
The crosstalk between each element was reduced
Therefore, a gap of about 300 μm is required,
The inter-use efficiency was poor, causing the sensitivity to deteriorate.
TiO used for the reflective layerTwoIs a metal film such as Ag
Reflectivity is lower than that of
You. Further TiO TwoHas a reflective layer because it is in powder form
It is difficult to fix as
There was a problem to say.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、複数個配列される光電変換素子とそれ
に対向配置されたシンチレータの個々にX線は透過し、
シンチレータ内部で発光する可視光を反射させる反射手
段と隣接するシンチレータ間の側面にX線を吸収する遮
閉手段とを有する構成とした。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, a plurality of photoelectric conversion elements and a scintillator arranged opposite to each other transmit X-rays,
The structure has a reflecting means for reflecting visible light emitted inside the scintillator and a closing means for absorbing X-rays on a side face between adjacent scintillators.

【0009】また、前記反射手段と前記遮閉手段の保護
を目的とした保護手段を有する構成とした。さらに、前
記反射手段を銀鏡反応によりAgを1μm〜5μm成膜
した構成とした。さらにまた、前記遮閉手段を鉛、ビス
マス、タンタル、タングステンなどの金属を主成分とす
る金属膜を電解メッキで成膜した構成とした。したがっ
て、光電変換素子とシンチレータの組合せによる放射線
検出器に於いて、シンチレータ界面に銀鏡反応を使った
Ag膜を成膜したので、シンチレータ内で発生する可視
光を効率良く光電変換素子に導くことができる。更にシ
ンチレータ側面にX線吸収係数の大きな金属材料を主成
分とする金属膜を電解メッキ法を使って成膜したので、
シンチレータ間でクロストークが減り、X線空間利用効
率を高めることができた。
[0009] Further, a protection means for protecting the reflection means and the closing means is provided. Further, the reflection means had a structure in which Ag was formed into a film having a thickness of 1 μm to 5 μm by a silver mirror reaction. Further, the shielding means has a configuration in which a metal film mainly containing a metal such as lead, bismuth, tantalum, or tungsten is formed by electrolytic plating. Therefore, in a radiation detector using a combination of a photoelectric conversion element and a scintillator, an Ag film using a silver mirror reaction is formed on the scintillator interface, so that visible light generated in the scintillator can be efficiently guided to the photoelectric conversion element. it can. Furthermore, since a metal film mainly composed of a metal material having a large X-ray absorption coefficient was formed on the side surface of the scintillator using an electrolytic plating method,
Crosstalk between scintillators was reduced, and X-ray space utilization efficiency could be improved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面に基
づき説明する。図1は本発明の一実施例で固体検出器の
断面構造を示す。シンチレータ1はX線(放射線)を吸
収し可視光に変換するものであればいかなるものでも良
い。例えば公知であるタングステン酸カドミニュウム
(CdWO 4)、Bi4Ge312、タリウム添加ヨウ化
ナトリウム<NaI(TI)>などの単結晶体か、或い
はGd22S:Pr.Ce.Fなどのセラミック体など
があげられる。これらの中から使用する放射線の特性や
シンチレータの発光特性等を考慮し選定すれば良い。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
It will be explained. FIG. 1 shows an embodiment of the solid-state detector according to the present invention.
1 shows a cross-sectional structure. The scintillator 1 absorbs X-rays (radiation)
Anything that can be collected and converted to visible light can be used.
No. For example, the known cadmium tungstate
(CdWO Four), BiFourGeThreeO12, Thallium added iodide
A single crystal such as sodium <NaI (TI)> or
Is GdTwoOTwoS: Pr. Ce. Ceramic body such as F
Is raised. The characteristics of radiation used from these
The selection may be made in consideration of the light emission characteristics of the scintillator.

【0011】またシンチレータ1の厚みや形状も目的に
より様々で良い、ここでは、X線CTを想定している
為、残光特性に優れたタングステン酸カドミニュウム
(CdWO4)を用いた。また、シチレータの形状は厚
み2.7mm×幅0.93mm×長さ25mmで実施し
た。更に、シンチレータ1の表面は後で光反射する金属
膜を成膜させるため、反射膜界面での乱反射を防ぐため
鏡面仕上げ(ポリシング)を行った。
The thickness and shape of the scintillator 1 may be varied depending on the purpose. Here, since X-ray CT is assumed, cadmium tungstate (CdWO 4 ) having excellent afterglow characteristics is used. The shape of the scintillator was 2.7 mm thick × 0.93 mm wide × 25 mm long. Further, the surface of the scintillator 1 was mirror-finished (polishing) in order to form a metal film that reflects light later and to prevent irregular reflection at the interface of the reflection film.

【0012】以上の様にシンチレータ1を所望の形状に
切断・研磨加工を行った後、シンチレータ1にX線入射
・吸収後発光する可視光を効率よく光電変換素子6に導
くため光電変換素子6に光学的に接続する面以外の5面
に反射層2を銀鏡反応を用いAgを成膜させる。前記反
射層2の膜厚は、Ag膜が薄いとボイドが発生してしま
いシンチレータ1内で発光した可視光を透過させてしま
い効率を低下させる原因になってしまう。また、このA
g膜が厚いとX線を吸収してしまいシンチレータのX線
利用効率が低下してしまい感度を低下せさる原因とな
る。ここでは1〜5μm程度の厚みで成膜した。
After the scintillator 1 has been cut and polished into a desired shape as described above, the visible light emitted after X-ray incidence and absorption into the scintillator 1 is efficiently guided to the photoelectric conversion element 6. The Ag layer is formed on the five surfaces other than the surface optically connected to the reflective layer 2 using a silver mirror reaction. When the thickness of the reflective layer 2 is small, voids are generated when the Ag film is thin, and visible light emitted in the scintillator 1 is transmitted, which causes a reduction in efficiency. Also, this A
If the g film is thick, it absorbs X-rays, and the X-ray utilization efficiency of the scintillator is reduced, which causes a decrease in sensitivity. Here, the film was formed with a thickness of about 1 to 5 μm.

【0013】更に反射層2を成膜したシンチレータ1の
側面に素子間のX線によるクロストークを低減させるた
め、X線入射面と光電変換素子6との光学接合面以外の
面にX線吸収係数の大きい例えば金、鉛、ビスマス、タ
ンタル、タングステン等の金属を主成分とする材料を電
解メッキ法により1μm〜100μm程度成膜し遮閉層
3を形成させる。ここでの遮蔽層3の膜厚は使用する放
射線の特性等によって決定される。またメッキする材料
にもよるが密着性を向上させるためNi等を下地に成膜
することも可能である。
Further, in order to reduce X-ray crosstalk between elements on the side surface of the scintillator 1 on which the reflective layer 2 is formed, X-ray absorption is provided on a surface other than the optical junction surface between the X-ray incident surface and the photoelectric conversion element 6. A material having a large coefficient, for example, a metal mainly composed of a metal such as gold, lead, bismuth, tantalum, or tungsten is formed to a thickness of about 1 μm to 100 μm by electrolytic plating to form the shielding layer 3. The thickness of the shielding layer 3 here is determined by the characteristics of the radiation used and the like. Although it depends on the material to be plated, it is also possible to form a film on Ni or the like as a base in order to improve adhesion.

【0014】更に、前記反射層2、遮閉層3の酸化等に
よる腐食を防止する為に保護層4を成膜する。この保護
層4は、テフロンやフッ素等を主成分とする材料で構成
されている。以上の様に各機能層を有したシンチレータ
1は、複数個の光電変換素子から構成される光電変化素
子アレー6の各素子上に光透過性に優れ、屈折率が1.
5程度のエポキシ或いはアクリル系の接着材5を用い対
向配置して固着される。更に、前記接着材5の厚みはシ
ンチレータ1の発光波長特性に合わせ所定の割合を持つ
膜厚である事は言うまでもない。ここではシンチレータ
1にCdWO4(タングステン酸カドミウム)を使用し
ている為、520nm前後にピーク波長があり、λ/4
の厚さの130nmで配置されている。
Further, a protective layer 4 is formed to prevent corrosion of the reflection layer 2 and the shielding layer 3 due to oxidation and the like. The protective layer 4 is made of a material mainly containing Teflon, fluorine and the like. As described above, the scintillator 1 having each functional layer has excellent light transmittance on each element of the photoelectric conversion element array 6 composed of a plurality of photoelectric conversion elements, and has a refractive index of 1.
About 5 epoxy or acrylic adhesives 5 are used to face each other and fixed. Further, needless to say, the thickness of the adhesive 5 has a predetermined ratio in accordance with the emission wavelength characteristics of the scintillator 1. Here, since CdWO 4 (cadmium tungstate) is used for the scintillator 1, there is a peak wavelength around 520 nm, and λ / 4
And a thickness of 130 nm.

【0015】接着材5は、前記光電変換素子アレー6の
光電変換面に公知であるディスペンサーによる塗布法で
行い、塗布量を制御することにより膜厚管理を行った。
更に膜厚精度を高める為には、ミクロパールなどのギャ
ップ材を前記接着材5に添加して膜厚を管理した方がよ
り正確な膜厚を管理することができる。次に図3は、シ
ンチレータへの各機能層の構造と製造方法について詳細
に示す。
The adhesive material 5 was applied to the photoelectric conversion surface of the photoelectric conversion element array 6 by a known coating method using a dispenser, and the film thickness was controlled by controlling the coating amount.
In order to further improve the film thickness accuracy, a more accurate film thickness can be controlled by adding a gap material such as micropearl to the adhesive 5 and controlling the film thickness. Next, FIG. 3 shows the structure and manufacturing method of each functional layer on the scintillator in detail.

【0016】工程1ではシンチレータ11のPINフォ
トダイオードとの接着面にまずマスキング処理を行う工
程でマスキングテープ12を使用し行った(図3
(a))。工程2は、前記シンチレータ11に反射層1
3を成膜する工程で、まず純水100重部に硝酸銀を1
0重部溶かし硝酸銀水溶液を作成する。この硝酸銀水溶
液を攪拌機で攪拌させながらアンモニア水を少量づつ加
える。前記硝酸銀水溶液はアンモニア水を加え始めると
沈殿による濁りが発生する。更にアンモニアを加え続け
ると濁りが無くなり錯塩化した溶液ができあがる。
In the step 1, a masking tape 12 is used in a step of first performing a masking process on the bonding surface of the scintillator 11 with the PIN photodiode (FIG. 3).
(A)). Step 2 is to add a reflective layer 1 to the scintillator 11.
In the step of forming the film No. 3, silver nitrate was first added to 100 parts by weight of pure water.
Dissolve 0 parts by weight to prepare an aqueous silver nitrate solution. While stirring the aqueous silver nitrate solution with a stirrer, aqueous ammonia is added little by little. When the aqueous solution of silver nitrate starts to be added with aqueous ammonia, turbidity due to precipitation occurs. Further addition of ammonia eliminates turbidity and forms a complexed solution.

【0017】シャーレ等に前記工程1でマスキングした
シンチレータ11をマスキングテープを下にし列べる。
前記錯塩化した溶液をシンチレータが完全に浸かるまで
加える。そしてこのシャーレにロッシェル塩を加えると
銀鏡反応が始まり前記シンチレータ上に銀の薄膜が構成
される。この膜はロッシェル塩濃度、反応時間等により
膜厚が決定される事は言うまでもない。ここでは、1〜
5μm程度の膜厚になるよう反応時間とロッシェル塩濃
度を設定した(以上、図3(b))。
The scintillators 11 masked in the above step 1 on a petri dish or the like are lined up with a masking tape below.
The complexed solution is added until the scintillator is completely immersed. When a Rochelle salt is added to the dish, a silver mirror reaction starts and a silver thin film is formed on the scintillator. It goes without saying that the thickness of this film is determined by the Rochelle salt concentration, the reaction time and the like. Here,
The reaction time and the Rochelle salt concentration were set so as to obtain a film thickness of about 5 μm (FIG. 3B).

【0018】工程3は、遮閉層15を成膜する前工程で
前記シンチレータ11のX線照射面にマスキングする工
程でレジスト材14を筆・はけを用いX線入射面に塗布
しマスキングする(図3(c))。工程4は、前記マス
キング以外の面に鉛、ビスマス、タンタル、タングステ
ン等のX線吸収係数の高い重金属を主成分とする材料を
電解メッキ法により1μm〜100μm程度成膜する。
また、密着強度を高める為、Ag膜の上にNiを電解メ
ッキ処理により100Å〜5000Å程度の膜厚で付け
ることも可能である(図3(d))。
Step 3 is a step of masking the X-ray irradiation surface of the scintillator 11 in a step before forming the shielding layer 15 and applying and masking the resist material 14 on the X-ray incidence surface using a brush and brush. (FIG. 3 (c)). In step 4, a material mainly composed of a heavy metal having a high X-ray absorption coefficient, such as lead, bismuth, tantalum, or tungsten, is formed on a surface other than the masking by electrolytic plating to a thickness of about 1 μm to 100 μm.
Further, in order to increase the adhesion strength, it is possible to apply Ni on the Ag film by electrolytic plating to a thickness of about 100 to 5000 (FIG. 3D).

【0019】工程5は、工程3で付けたマスキングを外
す工程で、マスキング材をエッチング液などで剥がす工
程で通常は使用したレジスト材の現像液を使用する。但
し、使用するX線によるがX線の吸収が無視できるほど
小さい場合、レジスト材を剥がさずレジスト材を残す事
も可能である(図3(e))。工程6は、前記反射層1
3、遮閉層15の金属膜の酸化などの腐食防止の為、保
護層16を成膜する工程で、保護層16は例えばテフロ
ン系やフッ素系を主成分とする材料をIPA(イソプロ
ピルアルコール)等の有機溶剤に溶かしたものに前記工
程5まで終了したシンチレータ11を液に浸し引き上げ
て乾燥炉に入れ乾燥させる、ディッピング法等により成
膜させることができる。なお、上記の工程は、実験段階
を想定しているが、製品化時の工程も、使用する器具・
装置を変更する以外は内容的には同様にできる。
Step 5 is a step of removing the masking applied in step 3, using a developing solution of the resist material usually used in the step of peeling off the masking material with an etchant or the like. However, if the absorption of X-rays is negligible depending on the X-ray used, the resist material can be left without peeling the resist material (FIG. 3E). Step 6 is a process for forming the reflective layer 1
3. In the step of forming the protective layer 16 in order to prevent corrosion such as oxidation of the metal film of the shielding layer 15, the protective layer 16 is made of, for example, a material mainly composed of Teflon or fluorine based on IPA (isopropyl alcohol). The scintillator 11, which has been completed up to the step 5, is immersed in a solution dissolved in an organic solvent such as the above, immersed in the solution, pulled up, dried in a drying furnace, and dried to form a film. The above process assumes the experimental stage, but the process at the time of commercialization also includes
Except for changing the device, the content can be the same.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明は、以上説明したようなものであ
るから、以下に記載されるような効果を有する。本発明
の放射線検出器では、反射層にAgを使用しているため
可視光に於ける反射効率に優れ、従来の固体検出器に比
べ優れた放射線利用効率を有している。よって検出感度
に優れた放射線検出器が得られる。
Since the present invention has been described above, it has the following effects. The radiation detector of the present invention has excellent reflection efficiency in visible light because Ag is used for the reflective layer, and has radiation utilization efficiency superior to that of the conventional solid state detector. Therefore, a radiation detector excellent in detection sensitivity can be obtained.

【0021】更に本発明の反射層は無電解メッキ法によ
り成膜しているため、他の薄膜プロセス例えば真空蒸着
法、スパッタ法、イオンプレーティング法等に比べ容易
にでき、また設備コストが安価で出来るのでコストダウ
ンが可能となる。また、遮閉層をX線吸収率の大きな金
属で構成できるのでシンチレータ間ギャップを小さくで
きるためシンチレータのX線空間利用効率が向上し、検
出感度に優れた放射線検出器が得られる。
Further, since the reflection layer of the present invention is formed by an electroless plating method, it can be easily performed as compared with other thin film processes such as a vacuum deposition method, a sputtering method and an ion plating method, and the equipment cost is low. It is possible to reduce costs. In addition, since the shielding layer can be made of a metal having a large X-ray absorptivity, the gap between scintillators can be reduced, so that the X-ray space utilization efficiency of the scintillator is improved, and a radiation detector excellent in detection sensitivity can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の放射線検出器の実施の形態例を示す断
面構造図である。
FIG. 1 is a sectional structural view showing an embodiment of a radiation detector of the present invention.

【図2】従来の放射線検出器の一実施例を示す断面構造
図である。
FIG. 2 is a sectional structural view showing one embodiment of a conventional radiation detector.

【図3】本発明のシンチレータへの反射層・遮閉層・保
護層を成膜する工程概略図である。
FIG. 3 is a schematic view of a process for forming a reflective layer, a shielding layer, and a protective layer on the scintillator of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11、21 シンチレータ 2、13、22 反射層 3、15 遮閉層 4、16 保護層 5、23 接着剤 6、24 光電変換素子アレー 7、25 プリント配線基板 12 マスキングテープ 14 レジスト材 1, 11, 21 Scintillator 2, 13, 22 Reflective layer 3, 15 Sealing layer 4, 16 Protective layer 5, 23 Adhesive 6, 24 Photoelectric conversion element array 7, 25 Printed wiring board 12 Masking tape 14 Resist material

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放射線を可視光に変換するシンチレータ
を複数個配列し、それぞれのシンチレータと光学的に接
続されている光電変換素子とこれら全体を支持している
回路基板で構成されている放射線検出器に於いて、前記
シンチレータの光電変換素子との接続面以外の面に前記
シンチレータ内で発生した可視光を反射する反射層と、
隣接するシンチレータとの間の面に放射線を遮閉する遮
閉層とを具備していることを特徴とする放射線検出器。
1. A radiation detector comprising a plurality of scintillators for converting radiation into visible light, a photoelectric conversion element optically connected to each of the scintillators, and a circuit board supporting the whole. In the container, a reflection layer that reflects visible light generated in the scintillator on a surface other than the connection surface of the scintillator with the photoelectric conversion element,
A radiation detector, comprising: a shielding layer that shields radiation on a surface between adjacent scintillators.
【請求項2】 前記反射層と前記遮閉層を具備した前記
シンチレータに於いて更に酸化等を防止する為の保護層
を設けたことを特徴とする請求項1記載の放射線検出
器。
2. The radiation detector according to claim 1, wherein the scintillator having the reflection layer and the shielding layer is further provided with a protective layer for preventing oxidation and the like.
【請求項3】 前記反射層は、銀鏡反応によりAgを前
記シンチレータ表面上に無電解メッキで成膜した請求項
1或いは請求項2記載の放射線検出器。
3. The radiation detector according to claim 1, wherein the reflection layer is formed by electroless plating Ag on the surface of the scintillator by silver mirror reaction.
【請求項4】 前記遮閉層は、鉛、ビスマス、タンタ
ル、タングステン等の重金属を主成分とする金属膜で成
膜した請求項1乃至請求項3いずれか記載の放射線検出
器。
4. The radiation detector according to claim 1, wherein the shielding layer is formed of a metal film containing a heavy metal such as lead, bismuth, tantalum, and tungsten as a main component.
【請求項5】 シンチレータを用いた放射線検出器の製
造方法であって、 a)シンチレータと光電変換出段の接合面にマスキング
処理を行う工程と、 b)工程a)でマスキングした以外のシンチレータの部
分に銀の薄膜を形成する工程と、 c)シンチレータのX線照射面をマスキングする工程
と、 d)工程c)でマスキングした以外のシンチレータの部
分にX線吸収係数の高い重金属を成膜する工程とを有す
ることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
5. A method of manufacturing a radiation detector using a scintillator, comprising the steps of: a) performing a masking process on a joint surface between the scintillator and the photoelectric conversion output stage; Forming a silver thin film on the portion; c) masking the X-ray irradiated surface of the scintillator; and d) forming a heavy metal having a high X-ray absorption coefficient on portions of the scintillator other than the masked in step c). And a method for manufacturing a radiation detector.
【請求項6】 請求項5に記載の放射線検出器の製造方
法であって、さらに、 e)工程d)のあとに、腐食防止のための保護膜を成膜
する工程を有する放射線検出器の製造方法。
6. The method for manufacturing a radiation detector according to claim 5, further comprising: e) forming a protective film for preventing corrosion after step d). Production method.
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