JPH10306387A - Method for estimating etching quantity by neural network - Google Patents

Method for estimating etching quantity by neural network

Info

Publication number
JPH10306387A
JPH10306387A JP9113983A JP11398397A JPH10306387A JP H10306387 A JPH10306387 A JP H10306387A JP 9113983 A JP9113983 A JP 9113983A JP 11398397 A JP11398397 A JP 11398397A JP H10306387 A JPH10306387 A JP H10306387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
point
measurement point
neural network
etching
resist pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9113983A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Sato
佐藤  明
Teruaki Iinuma
輝明 飯沼
Masataka Yamaji
山地  正高
Satoshi Watanabe
智 渡辺
Yuichiro Yotsumoto
雄一郎 四元
Yuji Kanai
雄二 金井
Hiroshi Suzuki
浩 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP9113983A priority Critical patent/JPH10306387A/en
Publication of JPH10306387A publication Critical patent/JPH10306387A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To estimate etching amount at the arbitrary point on patterns without actually executing etching for any given resist patterns. SOLUTION: At the time of estimating the etching amts. at the arbitrary measurement point set on the resist patterns, the six parameters consisting of at least (1) a metal exposure rate near the measurement point, (2) an angle formed by the adjacent two sides at the measurement point, (3) a distance from the measurement point to a forward characteristic point, (4) a distance from the measurement point to a backward characteristic point, (5) an angle formed by the adjacent two characteristic sides at the forward characteristic point and (6) an angle formed by the adjacent two sides at the backward characteristic point are made inputs. The neural network having the erosion direction of the angle formed by either of (A) an erosion rate which is a distance from the measurement point to the shortest actual object point and (B) the adjacent two sides at the measurement point and the side heading toward the shortest actual object point from the measurement point as output is built. The etching amts. (A), (B) are estimated with respect to the arbitrary measurement point by using the neural network N.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、ニューラルネット
ワークによるエッチング量の推定方法、特にエッチング
時にマスクとして使用するレジストパターンを設計する
際に適用して好適な、ニューラルネットワークによるエ
ッチング量の推定方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for estimating an etching amount using a neural network, and more particularly to a method for estimating an etching amount using a neural network, which is suitable for designing a resist pattern to be used as a mask during etching.

【0002】[0002]

【従来の技術】エッチング製品は、一般に材料の金属板
の表面に被着形成したレジストパターンをマスクにして
該金属板をエッチングすることにより製造する。このよ
うなエッチング製品としては、例えば、半導体装置の配
線として使用する、いわゆるリードフレームがある。
2. Description of the Related Art Generally, an etching product is manufactured by etching a metal plate made of a material using a resist pattern formed on the surface of the metal plate as a mask. As such an etching product, for example, there is a so-called lead frame used as a wiring of a semiconductor device.

【0003】このリードフレームを新たに製造する場
合、その製造に使用するレジストパターンを正確に設計
することが極めて重要である。このようなレジストパタ
ーンを新たに設計する方法としては、まず、目標のリー
ドフレーム形状(製品パターン)に対して、過剰にエッ
チングされると予測される寸法に当る補正代を経験則に
従って加算することによりレジストパターンを仮設計
し、そのレジストパターンを製造ラインで実際に使用し
て試作品を作り、その試作品を測定機器で計測すると共
に、その実測値を目標値と比較し、実測値が目標値から
離れている場合には、その誤差が許容範囲になるまで、
補正代を修正し、それを設計レジストパターンとする方
法がある。
When a new lead frame is manufactured, it is extremely important to accurately design a resist pattern used for the manufacture. As a method of newly designing such a resist pattern, first, a correction margin corresponding to a dimension expected to be excessively etched with respect to a target lead frame shape (product pattern) is added according to an empirical rule. Tentatively design a resist pattern, make a prototype by actually using the resist pattern on the production line, measure the prototype with measuring equipment, compare the actual measurement with the target value, and set the actual measurement target If it is far from the value,
There is a method of correcting the correction allowance and using it as a design resist pattern.

【0004】又、他の方法としては、任意のレジストパ
ターンについて複数回のエッチング実験を行い、数種類
の実験データを採取すると共に、そのデータを統計的手
法を用いて数学的に解析することにより、該レジストパ
ターンに対して設定する補正代を推定して設計する方法
がある。
Another method is to perform a plurality of etching experiments on an arbitrary resist pattern, collect several types of experimental data, and analyze the data mathematically using a statistical method. There is a method of estimating and designing a correction allowance set for the resist pattern.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トパターンを設計するに際し、前記のように仮設計した
レジストパターンを実際に製造ラインで使用し、試作品
を作成する方法では、試行錯誤を繰り返すことになるた
め、結果を得るまでに時間がかかる上に、材料費等の費
用がかかるために経済的でなく、しかも新しい製品パタ
ーンが決まり、そのための未知のレジストパターンを設
計する場合には過去のデータをそのまま用いることがで
きないという問題がある。又、前記数学的手法を用いて
補正代を推定することにより、レジストパターンを設計
する方法には、推定された形状(補正代)の精度に問題
がある。
However, in designing a resist pattern, a method of actually using a resist pattern temporarily designed as described above in a production line to create a prototype requires trial and error. Therefore, it takes a long time to obtain the results, and it is not economical because of the cost of material and other factors.In addition, when a new product pattern is determined, and when an unknown resist pattern is designed for that, past data is used. There is a problem that cannot be used as it is. In addition, the method of designing a resist pattern by estimating the correction allowance using the mathematical method has a problem in the accuracy of the estimated shape (correction allowance).

【0006】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、任意のレジストパターンについて、
実際にエッチングを行うことなく、パターン上の任意の
点におけるエッチング量を推定することができ、従っ
て、任意のパターンのエッチング製品の製造に使用する
レジストパターンを高精度に、しかも短時間で設計する
際に適用できるニューラルネットワークによるエッチン
グ量の推定方法を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems.
It is possible to estimate an etching amount at an arbitrary point on a pattern without actually performing etching, and therefore, to design a resist pattern used for manufacturing an etching product of an arbitrary pattern with high accuracy and in a short time. It is an object of the present invention to provide a method of estimating an etching amount by a neural network which can be applied in such a case.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、レジストパタ
ーン上で任意の計測点を選択し、該計測点についてエッ
チング量を推定するに際し、少なくとも、(1)計測点
近傍の金属露出率、(2)計測点における隣接2辺の成
す角、(3)計測点から前方特徴点までの距離、(4)
前方特徴点における隣接2辺の成す角、(5)計測点か
ら後方特徴点までの距離、(6)後方特徴点における隣
接2辺の成す角からなる6つのパラメータを入力とし、
エッチング量を出力とするニューラルネットワークを構
築し、該ニューラルネットワークを用いて任意の計測点
についてエッチング量を推定することにより、前記課題
を解決したものである。
According to the present invention, when an arbitrary measurement point is selected on a resist pattern and an etching amount is estimated for the measurement point, at least (1) a metal exposure rate near the measurement point, 2) the angle between two adjacent sides at the measurement point, (3) the distance from the measurement point to the front feature point, (4)
Six parameters consisting of an angle formed by two adjacent sides at the front feature point, (5) a distance from the measurement point to the rear feature point, and (6) an angle formed by the two adjacent sides at the rear feature point are input.
This problem has been solved by constructing a neural network that outputs an etching amount and estimating an etching amount at an arbitrary measurement point using the neural network.

【0008】一般に、ニューラルネットワークを利用す
る利点は、入力と出力の関係さえわかれば、その間に存
在する様々な相関関係を“学習”を通してネットワーク
に教えることが可能であるという点と、上記学習により
獲得したネットワークには未知のデータに対しても推定
する能力があるという点にある。このような特徴がある
ニューラルネットワークでも、その上にモデル化しよう
とする問題を十分に表現する入力値と出力値を見つけ出
さなければ、実測値に基づく前記学習を通してネットワ
ークを収束させることはできない。
[0008] In general, the advantage of using a neural network is that, as long as the relationship between the input and the output is known, various correlations existing therebetween can be taught to the network through "learning". The acquired network has the ability to estimate even unknown data. Even in a neural network having such features, the network cannot be converged through the learning based on the actually measured values unless an input value and an output value that sufficiently express the problem to be modeled thereon are found.

【0009】本発明者等は、ニューラルネットワーク上
にエッチング量の推定演算処理をモデル化するために種
々検討した結果、レジストパターン上に任意に計測点を
設定し、その計測点毎に前記(1)〜(6)のパラメー
タの値を測定又は計算し、それらの値を入力値とすると
共に、計測点について実測される、例えば後に詳述する
(A)侵食量、(B)侵食方向からなるエッチング量が
出力値となるように、上記ニューラルネットワークの学
習を行うことにより、該ニューラルネットワーク上に高
精度にエッチング量の推定処理をモデル化できることを
知見した。
As a result of various studies for modeling the estimation calculation processing of the etching amount on the neural network, the present inventors set arbitrarily measurement points on the resist pattern, and set (1) ) To (6) are measured or calculated, and these values are used as input values, and include, for example, (A) the amount of erosion and (B) the direction of erosion which are actually measured at the measurement point. By learning the neural network so that the etching amount becomes an output value, it has been found that a process of estimating the etching amount can be modeled on the neural network with high accuracy.

【0010】本発明は、上記知見によりなされたもので
あり、これにより、例えばコンピュータ上で構築した前
記ニューラルネットワークを用いることにより、未知の
レジストパターンについても、任意の計測点について高
精度でエッチング量を推定することが可能となり、その
結果、各計測点におけるエッチング量に基づいて高精度
でエッチング後の製品形状を推定することが可能となっ
た。
The present invention has been made on the basis of the above findings. For example, by using the above-described neural network constructed on a computer, the etching amount of an unknown resist pattern can be accurately determined at an arbitrary measurement point. Can be estimated, and as a result, it is possible to estimate the product shape after etching with high accuracy based on the etching amount at each measurement point.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明に係る一実施形態のエッチ
ング量の推定方法に適用するニューラルネットワークを
概念的に示したブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram conceptually showing a neural network applied to an etching amount estimation method according to an embodiment of the present invention.

【0013】本実施形態で使用されるニューラルネット
ワークNは、図示は省略するが、6端子からなる入力層
と2端子からなる出力層と、これら入出力層の間の、例
えば6ニューロンからなる1層の中間層と、入力層端子
−中間層ニューロン−出力層端子のそれぞれの間を結ぶ
シナプス結合とが、コンピュータ上でソフトウェアによ
り構成されている。
Although not shown, the neural network N used in the present embodiment has an input layer composed of six terminals, an output layer composed of two terminals, and a 1-layer composed of, for example, six neurons between these input / output layers. The intermediate layer of the layers and the synaptic connection between each of the input layer terminal, the intermediate layer neuron, and the output layer terminal are configured by software on a computer.

【0014】本実施形態では、(1)計測点近傍の金属
露出率、(2)計測点における隣接2辺の成す角、
(3)計測点から前方特徴点までの距離、(4)前方特
徴点における隣接2辺の成す角、(5)計測点から後方
特徴点までの距離、(6)後方特徴点における隣接2辺
の成す角からなる6つのパラメータを入力とし、エッチ
ング量として、(A)計測点から最短実物点までの距離
である侵食量、(B)計測点における隣接2辺のいずれ
か一方と、計測点から最短実物点に向かう辺との成す角
である侵食方向を出力とする、上記ニューラルネットワ
ークNを構築する。このニューラルネットワークNは、
レジストパターンを用いて実際にエッチングを行うと共
に、レジストパターン上の任意の計測点を選択し、その
計測点について(1)〜(6)の入力パラメータの具体
的な値を入力とし、エッチング後の実物について実測さ
れた上記(A)、(B)が出力されるように、その学習
を行うことにより構築される。
In this embodiment, (1) the metal exposure rate near the measurement point, (2) the angle between two adjacent sides at the measurement point,
(3) the distance from the measurement point to the front feature point; (4) the angle between two adjacent sides at the front feature point; (5) the distance from the measurement point to the back feature point; and (6) the two adjacent sides at the back feature point. And (A) the erosion amount that is the distance from the measurement point to the shortest real point, (B) one of two adjacent sides at the measurement point, and the measurement point The above-mentioned neural network N is constructed to output the erosion direction which is the angle formed by the edge toward the shortest real point. This neural network N
The etching is actually performed using the resist pattern, an arbitrary measurement point on the resist pattern is selected, and specific values of the input parameters (1) to (6) are input for the measurement point, It is constructed by performing the learning so that the above (A) and (B) actually measured for the real thing are output.

【0015】本実施形態は、上記(1)〜(6)のパラ
メータからなる計測点を特徴付ける6つの幾何学値を入
力とし、エッチング量を特徴付ける上記(A)、(B)
からなる2つの幾何学値を出力としている。そこで、ま
ずこれら入力と出力について説明する。
In the present embodiment, six geometrical values that characterize the measurement point composed of the above parameters (1) to (6) are input and the above (A) and (B) that characterize the etching amount are input.
Are output as two geometric values. Therefore, these inputs and outputs will be described first.

【0016】図2は、入力パラメータを説明するための
設計図としてのレジストパターンの一部を概念的に示し
たものであり、該レジストパターンRは各屈折点を規定
する座標値とパターンの方向とからなるCADデータと
して入力されるため、図中太い実線と矢印で示すパター
ンの方向を有する直線(ベクトル)で記述される。この
レジストパターンRは、パターンの向き(矢印方向)を
前方とし、その直線の右側がレジスト部分、左側が金属
露出部分(非レジスト部分)となるように定義される。
FIG. 2 conceptually shows a part of a resist pattern as a design drawing for explaining input parameters. The resist pattern R has a coordinate value defining each refraction point and a direction of the pattern. Since the data is input as CAD data composed of the following, it is described by a straight line (vector) having the direction of the pattern shown by the thick solid line and the arrow in the figure. The resist pattern R is defined such that the direction of the pattern (the direction of the arrow) is forward, the right side of the straight line is the resist part, and the left side is the exposed metal part (non-resist part).

【0017】上記レジストパターンRで、中間にある屈
折点を計測点として説明する。
Description will be made on the assumption that a refraction point in the middle of the resist pattern R is a measurement point.

【0018】(1)計測点近傍の金属露出率。 これは、図中符号Mで示す計測点を中心とする所定半径
の円の全面積に対する金属部分に位置する面積(網掛部
分)の比率である。これは、図2のように、単純なパタ
ーンの場合は、360°に対する、次の「(2)計測点
における隣接2辺の成す角(金属側の角度)」に実質上
等しいが、例えば、図3(A)に示すように、細いリー
ド先端部や、同図(B)に示すように、隣接するリード
間が狭い場合等では、上記2辺の成す角度によっては規
定できないため、上記のように面積の比率としている。
この計算に使用する円の半径としては、例えば使用する
金属材料の板厚の1/2とすることができる。
(1) Metal exposure rate near the measurement point. This is the ratio of the area (shaded area) located on the metal part to the total area of a circle having a predetermined radius centered on the measurement point indicated by the symbol M in the figure. This is substantially equal to the following “(2) angle between two adjacent sides (angle on the metal side) at the measurement point” with respect to 360 ° in the case of a simple pattern as shown in FIG. As shown in FIG. 3 (A), in the case of a thin lead tip, or as shown in FIG. 3 (B), when the distance between adjacent leads is narrow, it cannot be defined by the angle formed by the two sides. The area ratio is as follows.
The radius of the circle used in this calculation can be, for example, の of the thickness of the metal material used.

【0019】(2)計測点における隣接2辺の成す角。 これは、計測点を境にして隣接する2辺の成す角であ
り、図2にはこれを「計測点の成す角」として示してあ
る。
(2) The angle between two adjacent sides at the measurement point. This is an angle formed by two sides adjacent to each other at the measurement point, and is shown in FIG. 2 as "an angle formed by the measurement point".

【0020】(3)計測点から前方特徴点までの距離。 ここで、特徴点とは、対象とする計測点の近傍でパター
ンの特徴を表わす点を意味し、通常はこの特徴点として
直近の屈折点を選択するが、例えば隣接する屈折点まで
の距離が長い場合等では、必要に応じて直線上に特徴点
を設定するようにしてもよい。図2は、特徴点が2辺が
交差する屈折点の場合であるため、前方特徴点は、前
方、即ちパターンの向きの方向にある、図中右側の屈折
点である。従って、この例では、上記前方特徴点までの
距離は、図2に示した「前の屈折点までの距離」に当
る。
(3) Distance from measurement point to front feature point. Here, the characteristic point means a point representing the characteristic of the pattern in the vicinity of the target measurement point. Usually, the nearest refraction point is selected as this characteristic point. In the case of a long time, feature points may be set on a straight line as needed. Since FIG. 2 shows a case where the feature point is a refraction point where two sides intersect, the front feature point is the refraction point on the right side in the figure, which is in the front, that is, in the direction of the pattern direction. Therefore, in this example, the distance to the front feature point corresponds to the “distance to the previous refraction point” shown in FIG.

【0021】(4)前方特徴点における隣接2辺の成す
角。 これは、図2の場合には、「前の屈折点の成す角」に当
る。
(4) An angle between two adjacent sides at the front feature point. This corresponds to the “angle formed by the previous refraction point” in the case of FIG.

【0022】(5)計測点から後方特徴点までの距離。 図2では、後方特徴点は、上記(3)とは逆に左側の屈
折点ということになり、この後方特徴点までの距離は、
図2に示した「後ろの屈折点までの距離」に当る。
(5) Distance from measurement point to rear feature point. In FIG. 2, the rear feature point is a refraction point on the left side contrary to the above (3), and the distance to this rear feature point is
This corresponds to the “distance to the rear refraction point” shown in FIG.

【0023】(6)後方特徴点における隣接2辺の成す
角。 これは、(4)と同じく、図2の場合には、「後ろの屈
折点の成す角」に当る。
(6) The angle between two adjacent sides at the rear feature point. This corresponds to “the angle formed by the rear refraction point” in the case of FIG. 2 as in (4).

【0024】なお、前記のように特徴点を直線上に設定
するときは、上記(4)、(6)の隣接2辺の成す角
は、言うまでもなく180°である。
When the characteristic points are set on a straight line as described above, the angle between the two adjacent sides in (4) and (6) is, of course, 180 °.

【0025】次に、図4を用いて、ニューラルネットワ
ークNの出力であるエッチング量を説明する。
Next, the amount of etching which is the output of the neural network N will be described with reference to FIG.

【0026】前記図2に一部を示したレジストパターン
を実際に金属材料に適用し、エッチングを行った結果、
図4に太い実線で示す実物のパターン(図中、実物デー
タと記す)が得られたとする。図2の場合と同様のレジ
ストパターンRを細い実線で示したように、該レジスト
パターンR上の計測点Mについて、図中(A)が侵食
量、(B)の角度が侵食方向となる。
As a result of actually applying the resist pattern partially shown in FIG. 2 to a metal material and performing etching,
It is assumed that a real pattern (denoted as real data in the figure) indicated by a thick solid line in FIG. 4 is obtained. As shown by a thin solid line in the same resist pattern R as in FIG. 2, for the measurement point M on the resist pattern R, the erosion amount is shown in FIG. 2A and the erosion direction is shown in FIG.

【0027】即ち、この(A)侵食量は、計測点Mから
実物までの最短距離であり、(B)侵食方向は、計測点
Mからこの実物上の最短点までの方向(矢印で示すベク
トル)と、計測点Mより前方の直線(パターンの向きを
表わすベクトル)との成す角度である。
That is, (A) the amount of erosion is the shortest distance from the measurement point M to the actual object, and (B) the erosion direction is the direction from the measurement point M to the shortest point on the actual object (vector indicated by an arrow). ) And a straight line (vector representing the direction of the pattern) ahead of the measurement point M.

【0028】次に、本実施形態の作用を説明する。Next, the operation of the present embodiment will be described.

【0029】まず、前記図1に示したニューラルネット
ワークをコンピュータ上でソフトウェアにより作成し、
該ニューラルネットワークNの学習を、一本のリードの
一部に当る図5に示したレジストパターン(設計パター
ン)R上の各計測点M1 〜M9 について、それぞれ対応
する図6の表に示した入力データと実測データとからな
る学習データを用いて行った。
First, the neural network shown in FIG. 1 is created on a computer by software.
The learning of the neural network N is performed for each of the measurement points M1 to M9 on the resist pattern (design pattern) R shown in FIG. 5 corresponding to a part of one lead. This was performed using learning data composed of data and measured data.

【0030】この図6に示した入力データについて簡単
に説明すると、計測点M5 の場合であれば、金属露出率
は70.03%、隣接2辺の成す角は180°であり、
前方特徴点はM6 であるため、この点までの距離は0.
10、この点における隣接2辺の成す角は270°、同
様に後方特徴点はM4 であるため、この点までの距離は
0.10、この点における隣接2辺の成す角は270°
ということになる。他の計測点についても、同様の考え
方で(1)〜(6)の各入力データを求めることができ
る。
Briefly describing the input data shown in FIG. 6, in the case of the measurement point M5, the metal exposure rate is 70.03%, and the angle between two adjacent sides is 180 °.
Since the front feature point is M6, the distance to this point is 0.
10, the angle between two adjacent sides at this point is 270 °, and similarly, since the rear feature point is M4, the distance to this point is 0.10, and the angle between two adjacent sides at this point is 270 °
It turns out that. For other measurement points, the input data of (1) to (6) can be obtained in the same way.

【0031】但し、ここでは、金属露出率の計算のため
に設定する円の半径を、リード先端部のレジストパター
ン幅0.20mmを越える0.25mm(250μm)
としているので、この計測点M5 は、隣接2辺の成す角
が180°であるにも拘らず、金属露出率は70.03
%になっている。又、図7に示した周辺の他のレジスト
パターンRと、計測点M1 、M5 の2点における金属露
出率をそれぞれ計算するための破線円A、Bとの関係か
ら分るように、金属露出率はM5 で最大で、M1 (M9
も同じ)に向って次第に減少している。
Here, the radius of the circle set for calculating the metal exposure rate is set to 0.25 mm (250 μm) exceeding the resist pattern width of 0.20 mm at the tip of the lead.
Therefore, the measurement point M5 has a metal exposure rate of 70.03, although the angle between two adjacent sides is 180 °.
%It has become. As can be seen from the relationship between the other resist pattern R shown in FIG. 7 and the dashed circles A and B for calculating the metal exposure ratio at the two measurement points M1 and M5, respectively, The rate is maximum at M5, M1 (M9
Also the same).

【0032】又、特徴点までの距離が、1mmを越える
場合は、推定演算する上で十分に長い距離であるとし
て、ここでは全て1mmを設定している。従って、計測
点M1〜M4 の場合は、後方特徴点は全てMa で、途中
を省略した2点鎖線で設計パターンの延長部分を示した
ように、それぞれ十分に離れているとして全て1mmと
している。計測点M6 〜M4 の場合も、前方特徴点が全
てMb であり、十分離れているとして、同様に1mmと
している。
When the distance to the feature point exceeds 1 mm, it is assumed that the distance is long enough for the estimation calculation, and 1 mm is set here in all cases. Accordingly, in the case of the measurement points M1 to M4, the rear feature points are all Ma, and all are 1 mm assuming that they are sufficiently separated from each other as shown by an extended portion of the design pattern by a two-dot chain line with a middle part omitted. Also in the case of the measurement points M6 to M4, the front feature points are all Mb, and are set to 1 mm similarly, assuming that they are sufficiently separated.

【0033】上記データを用いてニューラルネットワー
クNを学習した結果、上記図6の入力データを該ニュー
ラルネットワークNに入力することにより、図8の表に
示す出力値データが得られるようになった。
As a result of learning the neural network N using the above data, by inputting the input data of FIG. 6 to the neural network N, output value data shown in the table of FIG. 8 can be obtained.

【0034】なお、この図8の表に示した各計測点に対
応する出力値及び実際値の欄で、上段の左側が浸食量
(μm)、右側が浸食方向(°)であり、下段の左側
が、これら浸食量と浸食方向とを用いて変換したx座標
値、右側がそのy座標値をそれぞれ示している。
In the columns of output value and actual value corresponding to each measurement point shown in the table of FIG. 8, the upper left side shows the erosion amount (μm), the right side shows the erosion direction (°), and the lower side shows the erosion direction (°). The left side shows the x coordinate value converted using the erosion amount and the erosion direction, and the right side shows the y coordinate value.

【0035】以上のように学習が収束し、該学習により
エッチング量の推定処理がモデル化されたニューラルネ
ットが構築された後、該ニューラルネットを用いて図6
に示す手順に従ってレジストパターンの設計を行う。
As described above, the learning converges, and a neural net is constructed by modeling the process of estimating the etching amount by the learning.
The resist pattern is designed according to the procedure shown in (1).

【0036】ステップ1で、リードフレームの新規製品
パターンが発生する(例えば、受注する)と、次のステ
ップ2で該製品パターンに対してその幅を広げるための
補正代を設定する。この補正代は、1回目の操作では、
従来の経験則に基づいて適当と思われる値で設定する。
In step 1, when a new product pattern of the lead frame is generated (for example, an order is received), in the next step 2, a correction margin for widening the width of the product pattern is set. In this first operation,
Set a value that is considered appropriate based on conventional empirical rules.

【0037】次いで、ステップ3で上記補正代を上記製
品パターンに加算した仮設計のレジストパターンを発生
させ、該レジストパターン上の任意の計測点Mについ
て、前記ニューラルネットワークNによりエッチング量
((A)侵入量、(B)侵入方向)を推定する(ステッ
プ4)。この計測点Mとしては、レジストパターンを設
定する上で必要な、例えば前記屈折点のような点を選択
する。
Next, in step 3, a provisionally designed resist pattern is generated by adding the above-mentioned correction allowance to the above-mentioned product pattern, and the etching amount ((A)) of the arbitrary measurement point M on the resist pattern is calculated by the neural network N. The amount of intrusion, (B) the direction of intrusion) is estimated (step 4). As the measurement point M, a point necessary for setting a resist pattern, such as the refraction point, is selected.

【0038】次いで、上記ステップ4で推定したエッチ
ング量から推定される実物パターンと、ステップ1で発
生させた製品パターンと比較し、その誤差が許容範囲内
か否かの評価を行う(ステップ5)。
Next, the actual pattern estimated from the etching amount estimated in the above step 4 is compared with the product pattern generated in the step 1 to evaluate whether or not the error is within an allowable range (step 5). .

【0039】このステップ5の評価の結果、誤差が許容
範囲を超えているNGの場合は、上記ステップ2に戻っ
て補正代の設定をし直す補正代の修正を行い、逆に、許
容範囲内でOKの場合は、その補正代を設計値として決
定する。
If the result of the evaluation in step 5 indicates that the error is out of the allowable range, the process returns to step 2 to correct the correction allowance for resetting the correction allowance. Is OK, the correction allowance is determined as a design value.

【0040】以上の設計操作を、レジストパターンRを
設計する上で必要な全ての計測点について実行し、全体
の補正代を決定してレジストパターンの設計が終了した
後、次のステップ6の製版に進み、設計されたレジスト
パターンを用いるエッチング作業に移行する。
The above-described design operation is performed for all the measurement points necessary for designing the resist pattern R, and the overall correction allowance is determined, and the resist pattern design is completed. And the process proceeds to an etching operation using the designed resist pattern.

【0041】以上詳述した如く、本実施形態において
は、前記(1)〜(6)の6つのパラメータを入力とし
て設定することにより、エッチング製品の製造に使用す
るレジストパターンと、エッチング後の実物形状の関係
を、ニューラルネットワークN上にモデル化することが
可能となった。その結果、コンピュータ上に構築した上
記ニューラルネットワークNにより、未知のレジストパ
ターンについても、エッチング後の実物形状を高精度で
推定することが可能となった。
As described in detail above, in the present embodiment, by setting the above six parameters (1) to (6) as inputs, the resist pattern used for manufacturing an etching product and the actual product after etching can be obtained. The relationship between the shapes can be modeled on the neural network N. As a result, the neural network N constructed on the computer makes it possible to highly accurately estimate the actual shape of an unknown resist pattern after etching.

【0042】又、本実施形態によれば、更に以下の各効
果が得られる。
According to the present embodiment, the following effects can be further obtained.

【0043】(i)計測点間の間隔の設定を変えること
により、詳細な推定から粗い推定まで行うことができる
ので、任意の精度でレジストパターンの設計を行うこと
が可能である。 (ii)幾何学値により各計測点におけるレジストパター
ンを特徴付けるため、エッチング量をニューラルネット
ワークで推定するために必要な入力データのデータ量を
少なくすることができる。 (iii )エッチング量の推定処理をコンピュータ上で行
うことができるため、短時間でその推定結果を得ること
ができる。 (iv)コンピュータ上でエッチング量を推定することが
できるため、材料費等の費用がかからない。 (v)エッチング量を短時間で推定できることから、レ
ジストパターン上の欠陥を素早く発見することができ、
その修正を迅速に行うことができる。
(I) By changing the setting of the interval between measurement points, it is possible to perform a detailed estimation to a rough estimation, so that it is possible to design a resist pattern with arbitrary accuracy. (Ii) Since the resist pattern at each measurement point is characterized by a geometric value, the data amount of input data necessary for estimating the etching amount by a neural network can be reduced. (Iii) Since the process of estimating the etching amount can be performed on a computer, the estimation result can be obtained in a short time. (Iv) Since the amount of etching can be estimated on a computer, no cost such as material cost is required. (V) Since the etching amount can be estimated in a short time, defects on the resist pattern can be quickly found,
The correction can be made quickly.

【0044】以上、本発明について具体的に説明した
が、本発明は、前記実施形態に示したものに限られるも
のでなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
ある。
As described above, the present invention has been specifically described. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified without departing from the gist thereof.

【0045】例えば、入力パラメータとしては、前記実
施形態に示した6種類に限定されない。例えば、計測点
からの距離としては、直近の特徴点までだけでなく、該
特徴点より先のパターン上の他の特徴点までの距離を含
めてもよく、又、隣接2辺の成す角度としても、直近の
特徴点以外の特徴点の角度を含めてもよい。又、温度等
のエッチング条件を入力パラメータに含めるようにして
もよい。
For example, the input parameters are not limited to the six types shown in the above embodiment. For example, the distance from the measurement point may include not only the distance to the nearest feature point, but also the distance to another feature point on the pattern preceding the feature point, or the angle formed by two adjacent sides. May also include angles of feature points other than the most recent feature point. Further, etching conditions such as temperature may be included in the input parameters.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
任意のレジストパターンについて、実際にエッチングを
行うことなく、パターン上の任意の点におけるエッチン
グ量を推定することができる。従って、任意のパターン
のエッチング製品の製造に使用するレジストパターンを
高精度に、しかも短時間で設計することができる。
As described above, according to the present invention,
With respect to an arbitrary resist pattern, an etching amount at an arbitrary point on the pattern can be estimated without actually performing etching. Accordingly, it is possible to design a resist pattern used for manufacturing an etching product having an arbitrary pattern with high accuracy and in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る一実施形態に適用されるニューラ
ルネットワークを概念的に示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram conceptually showing a neural network applied to an embodiment according to the present invention.

【図2】ニューラルネットワークの入力パラメータを概
念的に示す説明図
FIG. 2 is an explanatory diagram conceptually showing input parameters of a neural network.

【図3】金属露出率の概念を示す説明図FIG. 3 is an explanatory view showing a concept of a metal exposure rate.

【図4】ニューラルネットワークの出力を概念的に示す
説明図
FIG. 4 is an explanatory diagram conceptually showing an output of a neural network.

【図5】計測点とその入力パラメータの具体例を示す説
明図
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a specific example of measurement points and their input parameters.

【図6】ニューラルネットワークの学習データの一例を
示す図表
FIG. 6 is a table showing an example of learning data of a neural network.

【図7】各計測点の金属露出率の違いを説明するための
線図
FIG. 7 is a diagram for explaining a difference in a metal exposure rate at each measurement point.

【図8】ニューラルネットワークによる出力結果を示す
図表
FIG. 8 is a chart showing an output result by a neural network.

【図9】レジストパターンの設計手順を示すフローチャ
ート
FIG. 9 is a flowchart showing a procedure for designing a resist pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

N…ニューラルネットワーク M…計測点 R…レジストパターン N: Neural network M: Measurement point R: Resist pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G06F 15/60 658Z (72)発明者 渡辺 智 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 四元 雄一郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 金井 雄二 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 鈴木 浩 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G06F 15/60 658Z (72) Inventor Satoshi Watanabe 1-1-1 Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. 72) Inventor Yuichiro Shimoto 1-1-1, Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Within Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Yuji 1-1-1, Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd. In-house (72) Inventor Hiroshi Suzuki 1-1-1 Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レジストパターン上で任意の計測点を選択
し、該計測点についてエッチング量を推定するに際し、 少なくとも、(1)計測点近傍の金属露出率、(2)計
測点における隣接2辺の成す角、(3)計測点から前方
特徴点までの距離、(4)前方特徴点における隣接2辺
の成す角、(5)計測点から後方特徴点までの距離、
(6)後方特徴点における隣接2辺の成す角からなる6
つのパラメータを入力とし、エッチング量を出力とする
ニューラルネットワークを構築し、該ニューラルネット
ワークを用いて任意の計測点についてエッチング量を推
定することを特徴とするニューラルネットワークによる
エッチング量の推定方法。
When an arbitrary measurement point is selected on a resist pattern and an etching amount is estimated for the measurement point, at least (1) a metal exposure rate near the measurement point, and (2) two adjacent sides at the measurement point. (3) the distance from the measurement point to the front feature point, (4) the angle between two adjacent sides at the front feature point, (5) the distance from the measurement point to the back feature point,
(6) 6 consisting of the angle between two adjacent sides at the rear feature point
A method for estimating an etching amount by a neural network, comprising constructing a neural network having two parameters as inputs and an etching amount as an output, and estimating an etching amount at an arbitrary measurement point using the neural network.
【請求項2】請求項1において、 前記エッチング量が、(A)計測点から最短実物点まで
の距離である侵食量、(B)計測点における隣接2辺の
いずれか一方と、計測点から最短実物点に引いた直線と
の成す角である侵食方向であることを特徴とするニュー
ラルネットワークによるエッチング量の推定方法。
2. The method according to claim 1, wherein the etching amount is: (A) an erosion amount that is a distance from a measurement point to a shortest real point; (B) one of two adjacent sides at the measurement point; A method for estimating an etching amount by a neural network, wherein the erosion direction is an angle formed by a straight line drawn to the shortest real point.
JP9113983A 1997-05-01 1997-05-01 Method for estimating etching quantity by neural network Pending JPH10306387A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9113983A JPH10306387A (en) 1997-05-01 1997-05-01 Method for estimating etching quantity by neural network

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9113983A JPH10306387A (en) 1997-05-01 1997-05-01 Method for estimating etching quantity by neural network

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10306387A true JPH10306387A (en) 1998-11-17

Family

ID=14626128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9113983A Pending JPH10306387A (en) 1997-05-01 1997-05-01 Method for estimating etching quantity by neural network

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10306387A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7260516B2 (en) 2001-08-31 2007-08-21 Optimum Power Technology, L.P. Optimization of a design
JP2010044101A (en) * 2008-08-08 2010-02-25 Toshiba Corp Pattern predicting method, program, and apparatus
US10691016B2 (en) 2017-10-31 2020-06-23 Samsung Electronincs Co., Ltd. Methods of forming semiconductors using etching effect predictions and methods for determining input parameters for semiconductor formation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7260516B2 (en) 2001-08-31 2007-08-21 Optimum Power Technology, L.P. Optimization of a design
JP2010044101A (en) * 2008-08-08 2010-02-25 Toshiba Corp Pattern predicting method, program, and apparatus
US10691016B2 (en) 2017-10-31 2020-06-23 Samsung Electronincs Co., Ltd. Methods of forming semiconductors using etching effect predictions and methods for determining input parameters for semiconductor formation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10691016B2 (en) Methods of forming semiconductors using etching effect predictions and methods for determining input parameters for semiconductor formation
US6625801B1 (en) Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US7003757B2 (en) Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects
JP3856197B2 (en) How to make OP mask
CN111178385A (en) Target tracking method for robust online multi-sensor fusion
CN110361926B (en) Optical proximity effect correction model, establishment method thereof and mask forming method
WO2008142604A2 (en) Process-window aware detection and correction of lithographic printing issues at mask level
JP2002318448A (en) Pattern correcting method for mask for exposure, pattern forming method and program
US20020188925A1 (en) Pattern-creating method, pattern-processing apparatus and exposure mask
CN117434785B (en) Mask pattern correction method and device, electronic equipment and readable storage medium
CN110008387B (en) Flow field visualization implementation method and device and electronic equipment
JPH10306387A (en) Method for estimating etching quantity by neural network
CN110889630A (en) Distributed state estimation method for active power distribution network
CN115480441A (en) Optical proximity correction method, mask, readable storage medium and computer device
TWI617899B (en) Method for determining the dose corrections to be applied to an ic manufacturing process by a matching procedure
CN101436216A (en) Method and system for evaluating an evaluated pattern of a mask
CN111645315B (en) Three-dimensional printing method, three-dimensional printing device, computer equipment and storage medium
CN114332057A (en) Training method of mask pattern correction model and mask pattern correction method
CN113608410A (en) Wafer alignment mask generation method and device, computer equipment and storage medium
CN113343505A (en) Simulation method and device of etching process
CN113050365A (en) Optical proximity correction method and system, mask, equipment and medium
JPS63308317A (en) Charged beam aligner
KR100434372B1 (en) Fast clustering algorithm using scalar calculation
JP2000100692A (en) Method for correcting design pattern