JPH10305375A - Laser processing apparatus and method - Google Patents

Laser processing apparatus and method

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JPH10305375A
JPH10305375A JP9117934A JP11793497A JPH10305375A JP H10305375 A JPH10305375 A JP H10305375A JP 9117934 A JP9117934 A JP 9117934A JP 11793497 A JP11793497 A JP 11793497A JP H10305375 A JPH10305375 A JP H10305375A
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JP
Japan
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stage
laser
layer
insulating substrate
transparent insulating
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Application number
JP9117934A
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Japanese (ja)
Inventor
Takanori Nakano
孝紀 中野
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the laser processing apparatus which enables to form a high precision pattern such as scribed groove and the like, and yet to prevent short-circuiting due to recrystallization of once vaporized thin film material. SOLUTION: The laser processing apparatus 1 is an apparatus for forming a pattern on a face 9a of a laminated layer to be treated, which is one face of pliable transparent and insulated base plate 9, by irradiating the laser light L to the layer 9a. The apparatus is provided with a stage 2 of transparent material with a convex curved face 2a and a laser head LH on the reverse side 2b of the stage 2. The laser and light L irradiates to the layer to be treated from the laser head LH and through the stage 2 and the transparent insulated plate 9, while the convex face 2a of the stage 2 is being touched to the other face 9b of the transparent insulated plate 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はレーザ加工装置お
よび方法に関する。より詳しくは、柔軟性を持つ透明絶
縁基板に積層された膜をパターン加工するのに好適なレ
ーザ加工装置および方法に関する。
The present invention relates to a laser processing apparatus and method. More specifically, the present invention relates to a laser processing apparatus and method suitable for pattern processing a film laminated on a flexible transparent insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、図6に示すような集積型薄膜太陽
電池が盛んに生産されている。この集積型薄膜太陽電池
は、柔軟性を持つ透明絶縁基板(例えばフッ素樹脂その
他の高分子化合物からなる)10の片面に、透明電極層
11、非晶質光電変換層12および裏面電極層13を積
層した構造を有する複数のユニットセルを有している。
各ユニットセル内の非晶質光電変換層12は、N型、I
型及びP型の各アモルファスシリコン層を積層したもの
であり、太陽光を受けて起電力を生ずる。隣り合うユニ
ットセルは電気的に直列に接続されており、各ユニット
セルの起電力を足し合わせた起電力が全体としての出力
電圧となる。
2. Description of the Related Art Recently, integrated thin-film solar cells as shown in FIG. 6 have been actively produced. In this integrated type thin film solar cell, a transparent electrode layer 11, an amorphous photoelectric conversion layer 12, and a back electrode layer 13 are provided on one side of a flexible transparent insulating substrate (for example, made of a fluorine resin or other polymer compound) 10. It has a plurality of unit cells having a stacked structure.
The amorphous photoelectric conversion layer 12 in each unit cell is N-type, I-type,
And a P-type amorphous silicon layer, and generate an electromotive force in response to sunlight. Adjacent unit cells are electrically connected in series, and the electromotive force obtained by adding the electromotive force of each unit cell becomes the output voltage as a whole.

【0003】このような集積型薄膜太陽電池を作製する
場合、基板上に積層した各薄膜層11,12,13を個
々のユニットセルに対応づけて短冊状に分割するため
に、パターン加工を行って、各薄膜層11,12,13
に溝(以下「スクライブ溝」という。)を形成する必要
がある。パターン加工の方法としては、微細加工に適し
ていることから、薄膜にレーザ光を照射して薄膜の一部
を蒸発させるレーザスクライブ加工(局所的加熱による
材料の昇華だけでなく、衝撃波によるアブレーション
(剥離)も含む。)が広く採用されている。
When manufacturing such an integrated thin-film solar cell, pattern processing is performed to divide each of the thin-film layers 11, 12, and 13 laminated on the substrate into strips corresponding to individual unit cells. And each of the thin film layers 11, 12, 13
(Hereinafter referred to as “scribe grooves”). As a method of pattern processing, it is suitable for fine processing. Therefore, laser scribing processing that irradiates a thin film with a laser beam to evaporate a part of the thin film (not only sublimation of the material by local heating but also ablation by a shock wave ( Exfoliation) is widely adopted.

【0004】すなわち、先ず、透明絶縁基板10の裏面
に透明電極層11を積層した後、この透明電極層11に
レーザ光を照射し、透明電極層11の表面上を一定のピ
ッチでライン状に走査して、走査した箇所に第1スクラ
イブ溝SL1を形成する。これにより、透明電極層11
を短冊状に複数に分割して、各透明電極層11を互いに
電気的に絶縁された状態にする。次に、例えばプラズマ
CVD(化学気相成長法)により、この上に非晶質光電
変換層12を積層する。そして、この非晶質光電変換層
12にレーザ光を照射し、非晶質光電変換層12の表面
上を上記ピッチと同一のピッチで走査して、第1スクラ
イブ溝SL1と重ならない位置に第2スクライブ溝SL
2を形成する。これにより、非晶質光電変換層12を短
冊状に複数に分割して、各非晶質光電変換層12を互い
に電気的に絶縁された状態にする。次に、この上に裏面
電極層13を積層した後、この裏面電極層13にレーザ
光を照射し、裏面電極層13の表面上を上記ピッチと同
一のピッチでライン状に走査して、第2スクライブ溝S
L2と重ならない位置に第3スクライブ溝SL3を形成
する。これにより、裏面電極層13を複数に分割して、
各裏面電極層13を互いに電気的に絶縁するとともに、
或るユニットセルの裏面電極層13とその直下に存する
隣のユニットセルの透明電極層11とが第2スクライブ
溝SL2を通して電気的に接続された状態にする。
[0004] First, after a transparent electrode layer 11 is laminated on the back surface of a transparent insulating substrate 10, the transparent electrode layer 11 is irradiated with laser light to form a line on the surface of the transparent electrode layer 11 at a constant pitch. By scanning, a first scribe groove SL1 is formed at the scanned position. Thereby, the transparent electrode layer 11
Is divided into a plurality of strips so that the transparent electrode layers 11 are electrically insulated from each other. Next, the amorphous photoelectric conversion layer 12 is stacked thereon by, for example, plasma CVD (chemical vapor deposition). Then, the amorphous photoelectric conversion layer 12 is irradiated with a laser beam, and the surface of the amorphous photoelectric conversion layer 12 is scanned at the same pitch as the above-mentioned pitch, and the amorphous photoelectric conversion layer 12 is moved to a position not overlapping with the first scribe groove SL1. 2 scribe groove SL
Form 2 Thus, the amorphous photoelectric conversion layer 12 is divided into a plurality of strips, and each amorphous photoelectric conversion layer 12 is electrically insulated from each other. Next, after laminating the back electrode layer 13 thereon, the back electrode layer 13 is irradiated with a laser beam, and the surface of the back electrode layer 13 is scanned in a line at the same pitch as the above-mentioned pitch. 2 scribe groove S
A third scribe groove SL3 is formed at a position not overlapping with L2. Thereby, the back electrode layer 13 is divided into a plurality of
While electrically insulating each back electrode layer 13 from each other,
The back electrode layer 13 of a certain unit cell and the transparent electrode layer 11 of an adjacent unit cell immediately below the unit cell are electrically connected through the second scribe groove SL2.

【0005】このようにレーザスクライブ法を用いて集
積型薄膜太陽電池を作製した場合、他のパターン加工法
を用いる場合に比して比較的容易にスクライブ溝を形成
できるので、製造工程を簡略化でき、生産コストを低く
抑えることができる。また、このレーザスクライブ法に
よれば、スクライブ幅が100μm以下の微細加工が可
能となるため、裏面電極層13と透明電極層11とのコ
ンタクト面積を小さく抑えることができる。この結果、
非晶質光電変換層12の面積が相対的に増え、集積型薄
膜太陽電池の有効発電面積を増やすことができる。
As described above, when an integrated thin-film solar cell is manufactured by using the laser scribe method, the scribe groove can be formed relatively easily as compared with the case of using another pattern processing method, so that the manufacturing process is simplified. And production costs can be kept low. Further, according to the laser scribe method, fine processing with a scribe width of 100 μm or less can be performed, so that the contact area between the back electrode layer 13 and the transparent electrode layer 11 can be reduced. As a result,
The area of the amorphous photoelectric conversion layer 12 relatively increases, and the effective power generation area of the integrated thin-film solar cell can be increased.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザスク
ライブ法によりパターン加工を行う場合、良好に加工を
行うためには、被加工層がレーザ光の焦点深度内に位置
していることが必要とされる。
When performing pattern processing by the laser scribe method, it is necessary that the layer to be processed be located within the depth of focus of the laser beam in order to perform the processing satisfactorily. You.

【0007】しかし、上述のように柔軟性を持つ透明絶
縁基板10を用いた場合には、基板10が容易に撓み、
平面度が良くないため、被加工層11,12,13がレ
ーザ光の焦点深度から外れるという問題がある。この結
果、結像がデフォーカスとなり、加工面におけるレーザ
パワーが変動して、パターンを精度良く形成することが
できなくなる。なお、透明絶縁基板として比較的剛性を
持つガラス基板を用いた場合は、ガラス基板の厚みバラ
ツキと撓みを所望の規定値内に管理することができ、レ
ーザ加工に要求される平面度を確保できるため、あまり
問題は生じない。
However, when the flexible transparent insulating substrate 10 is used as described above, the substrate 10 easily bends,
Since the flatness is not good, there is a problem that the layers to be processed 11, 12 and 13 are out of the focal depth of the laser beam. As a result, the image is defocused, the laser power on the processing surface fluctuates, and the pattern cannot be formed with high accuracy. When a relatively rigid glass substrate is used as the transparent insulating substrate, the thickness variation and bending of the glass substrate can be controlled within desired specified values, and the flatness required for laser processing can be secured. Therefore, there is not much problem.

【0008】柔軟性を持つ透明絶縁基板を用いた場合
に、被加工層がレーザ光の焦点深度から外れるという問
題を解決するために、柔軟性を持つ透明絶縁基板を矯正
用ガラス板で両側から挟んで保持し、被加工層の平面度
を確保する方法が提案されている(例えば、特開平5−
218471号公報)。しかしながら、この方法では、
透明絶縁基板上の被加工層が矯正用ガラス板と接触して
密封された状態になっているため、蒸発した物質は逃げ
場がなく、再結晶化してスクライブ溝内に付着し、分割
すべき領域間の短絡の原因になる。さらに、この方法で
は、図5に示すように、被加工層(例えば透明電極層1
1)をパターン加工するために照射したレーザLが矯正
用ガラス板52を透過し、この矯正用ガラス板52を載
せたステージSに乱反射されてスクライブ溝SL1の周
辺に再入射する。この結果、スクライブ溝SL1の形状
が不良となり、スクライブの加工精度が著しく低下する
という問題がある。
In order to solve the problem that the layer to be processed deviates from the depth of focus of laser light when a flexible transparent insulating substrate is used, a flexible transparent insulating substrate is fixed from both sides with a glass plate for correction. A method has been proposed in which the layer to be processed is sandwiched and held to ensure the flatness of the layer to be processed (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open
218471). However, in this method,
Since the layer to be processed on the transparent insulating substrate is in contact with the glass plate for correction and is in a sealed state, the evaporated substance has no escape area, recrystallizes and adheres in the scribe groove, and the area to be divided Cause a short circuit between them. Further, in this method, as shown in FIG.
The laser L irradiated for pattern processing of 1) passes through the correction glass plate 52, is irregularly reflected on the stage S on which the correction glass plate 52 is mounted, and reenters the periphery of the scribe groove SL1. As a result, the shape of the scribe groove SL1 becomes defective, and there is a problem that the scribe processing accuracy is remarkably reduced.

【0009】そこで、この発明の目的は、スクライブ溝
等のパターンを精度良く形成でき、しかも一旦蒸発した
薄膜材料の再結晶化による短絡を防止できるレーザ加工
装置および方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus and method capable of forming a pattern such as a scribe groove with high accuracy and preventing a short circuit due to recrystallization of a thin film material once evaporated.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載のレーザ加工装置は、柔軟性を持つ
透明絶縁基板の一方の面に積層された被加工層にレーザ
光を照射して、上記被加工層にパターンを形成するため
のレーザ加工装置であって、凸状に湾曲した表面を持つ
透明材からなるステージと、上記ステージの裏面側に配
置されたレーザヘッド部を備え、上記ステージの上記凸
状の表面が上記透明絶縁基板の他方の面に当接した状態
で、上記レーザヘッド部から上記ステージおよび透明絶
縁基板を通して上記被加工層にレーザ光を照射すること
を特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a laser processing apparatus which irradiates a layer to be processed laminated on one surface of a flexible transparent insulating substrate with a laser beam. A laser processing apparatus for forming a pattern on the layer to be processed, comprising: a stage made of a transparent material having a convexly curved surface; and a laser head portion disposed on the back side of the stage. And irradiating the processing target layer with laser light from the laser head section through the stage and the transparent insulating substrate in a state where the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate. And

【0011】この請求項1のレーザ加工装置では、ステ
ージの凸状の表面が透明絶縁基板の他方の面(被加工層
が積層された面と反対側の面)に当接されるので、透明
絶縁基板がその柔軟性によってステージの表面に沿って
密接し、ステージの表面から被加工層までの距離が略一
定(透明絶縁基板の厚さ分)になる。したがって、上記
ステージの表面の位置と透明絶縁基板の厚さとに基づい
てレーザ光の集光系を調節することによって、被加工層
がレーザ光の焦点深度に容易に収まり、それから外れな
くなる。また、透明絶縁基板の被加工層が積層された面
側は開放されているので、被加工層を透過したレーザ光
が反射されて被加工層(パターンエッジ近傍)へ再入射
することはない。したがって、スクライブ溝等のパター
ンが精度良く形成される。しかも、透明絶縁基板の被加
工層が積層された面側は開放されているので、一旦蒸発
した薄膜材料が再結晶化してスクライブ溝内に付着する
ことはない。したがって、分割すべき領域間の短絡のお
それが無くなる。
In the laser processing apparatus according to the first aspect, the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate (the surface opposite to the surface on which the layer to be processed is laminated). Due to its flexibility, the insulating substrate comes into close contact with the surface of the stage, and the distance from the surface of the stage to the layer to be processed becomes substantially constant (corresponding to the thickness of the transparent insulating substrate). Therefore, by adjusting the laser light focusing system based on the position of the surface of the stage and the thickness of the transparent insulating substrate, the layer to be processed easily fits in the focal depth of the laser light and does not deviate therefrom. Further, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the laser beam transmitted through the layer to be processed is not reflected and re-enters the layer to be processed (near the pattern edge). Therefore, patterns such as scribe grooves are formed with high accuracy. In addition, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the evaporated thin film material does not recrystallize and adhere to the scribe grooves. Therefore, there is no risk of a short circuit between the regions to be divided.

【0012】請求項2に記載のレーザ加工装置は、請求
項1に記載のレーザ加工装置において、上記ステージ
は、一方向に延在する部材であり、上記一方向に垂直な
断面が一定の形状を持ち、上記断面の湾曲した外縁部が
上記凸状の表面を形成していることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to the first aspect, the stage is a member extending in one direction, and a cross section perpendicular to the one direction has a constant shape. And the curved outer edge of the cross section forms the convex surface.

【0013】この請求項2のレーザ加工装置によれば、
上記一方向に所定の幅を持つ帯状の透明絶縁基板を、上
記ステージの上記凸状の表面を部分的に巻回することに
より、上記凸状の表面に沿って容易に当接させることが
できる。この状態で、上記透明絶縁基板に対して上記一
方向に沿ってレーザ光を照射することにより上記一方向
に延びる1本のスクライブ溝が形成される。また、上記
透明絶縁基板を巻回方向に一定量だけ摺動させた後、上
記透明絶縁基板に対して上記一方向に沿ってレーザ光を
照射することにより上記スクライブ溝と平行に別のスク
ライブ溝が形成される。このようにして、上記透明絶縁
基板を一定量ずつ巻回方向に摺動させながら、次々とス
クライブ溝を形成することができる。
According to the laser processing apparatus of the second aspect,
The strip-shaped transparent insulating substrate having a predetermined width in the one direction can be easily brought into contact along the convex surface by partially winding the convex surface of the stage. . In this state, one scribe groove extending in the one direction is formed by irradiating the transparent insulating substrate with laser light in the one direction. Further, after sliding the transparent insulating substrate by a predetermined amount in the winding direction, another scribe groove is formed in parallel with the scribe groove by irradiating the transparent insulating substrate with laser light along the one direction. Is formed. In this manner, scribe grooves can be formed one after another while sliding the transparent insulating substrate by a predetermined amount in the winding direction.

【0014】請求項3に記載のレーザ加工装置は、請求
項2に記載のレーザ加工装置において、上記透明絶縁基
板を上記ステージに対して巻回方向に張力をもたせて摺
動させる搬送手段を備えたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the laser processing apparatus according to the second aspect, further comprising a transport unit configured to slide the transparent insulating substrate with a tension in a winding direction with respect to the stage. It is characterized by having.

【0015】この請求項3のレーザ加工装置では、上記
搬送手段によって上記透明絶縁基板が上記ステージに対
して上記巻回方向に摺動される。しかも、上記透明絶縁
基板は上記巻回方向に張力を持たせて摺動されるので、
上記ステージの表面に上記透明絶縁基板の上記他方の面
が強く密接する。したがって、被加工層がレーザ光の焦
点深度にさらに確実に収まり、スクライブ溝がさらに精
度良く形成される。また、平行なスクライブ溝だけでは
なく、搬送手段による透明絶縁基板の上記巻回方向の移
動と、レーザヘッド部の上記一方向の移動とを組み合わ
せて、様々なパターンを形成することができる。
In the laser processing apparatus of the third aspect, the transparent insulating substrate is slid in the winding direction with respect to the stage by the transfer means. Moreover, since the transparent insulating substrate is slid with tension in the winding direction,
The other surface of the transparent insulating substrate strongly contacts the surface of the stage. Therefore, the layer to be processed is more reliably set within the depth of focus of the laser beam, and the scribe groove is formed with higher accuracy. In addition to the parallel scribe grooves, various patterns can be formed by combining the movement of the transparent insulating substrate in the winding direction by the transport means and the movement of the laser head section in the one direction.

【0016】請求項4に記載のレーザ加工装置は、請求
項1、2または3に記載のレーザ加工装置において、上
記ステージは裏面側に、上記レーザヘッド部から入射し
たレーザ光を上記被加工層のパターンを形成すべき箇所
に集光させる集光部を有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to the first, second, or third aspect, the stage is provided on a back surface side with the laser light incident from the laser head portion on the layer to be processed. A light condensing part for condensing light at a position where the pattern is to be formed.

【0017】この請求項4のレーザ加工装置では、上記
ステージの裏面側の集光部によって、上記レーザヘッド
部から入射したレーザ光が上記被加工層のパターンを形
成すべき箇所に集光される。したがって、レーザヘッド
部に集光のための対物レンズを設ける必要が無くなり、
装置を簡素化することができる。また、レーザヘッド部
が軽量化される結果、レーザヘッド部の上記一方向の移
動が高速化され、パターン加工の速度が高速化される。
In the laser processing apparatus of the present invention, the laser beam incident from the laser head is focused on a portion of the layer to be processed where a pattern is to be formed by the focusing part on the back side of the stage. . Therefore, there is no need to provide an objective lens for focusing on the laser head,
The device can be simplified. In addition, as a result of the reduction in the weight of the laser head portion, the one-way movement of the laser head portion is accelerated, and the speed of pattern processing is increased.

【0018】請求項5に記載のレーザ加工装置は、請求
項1、2または3に記載のレーザ加工装置において、上
記ステージの上記透明絶縁基板に当接する領域に光遮断
部材が設けられ、この光遮断部材に、形成すべきパター
ンの幅に相当する幅を持つスリットが形成されているこ
とを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to the first, second or third aspect, a light blocking member is provided in a region of the stage in contact with the transparent insulating substrate. A slit having a width corresponding to the width of the pattern to be formed is formed in the blocking member.

【0019】この請求項5のレーザ加工装置では、レー
ザヘッド部の対物レンズによってレーザ光が平行光とさ
れ、この平行光が上記ステージの裏面側に入射される。
その結果、上記ステージに設けられた光遮断部材のスリ
ットを通して、形成すべきパターン(スクライブ溝等)
の幅に相当する幅の平行光が透過する。この平行光はさ
らに上記透明絶縁基板を透過し、被加工層に照射されて
パターンが形成される。このとき、上記透明絶縁基板に
照射されるレーザ光の幅は上記対物レンズの焦点深度に
かかわらず一定に保たれるので、スクライブ溝等のパタ
ーンが精度良く形成される。しかも、上記透明絶縁基板
の厚みのばらつきに関係なく良好な加工が行われる。
In the laser processing apparatus according to the fifth aspect, the laser light is collimated by the objective lens of the laser head, and the collimated light is incident on the back side of the stage.
As a result, the pattern to be formed (such as a scribe groove) passes through the slit of the light blocking member provided on the stage.
The parallel light having a width corresponding to the width of the light is transmitted. The parallel light further passes through the transparent insulating substrate, and is irradiated on the layer to be processed to form a pattern. At this time, the width of the laser beam applied to the transparent insulating substrate is kept constant irrespective of the depth of focus of the objective lens, so that patterns such as scribe grooves are accurately formed. Moreover, good processing is performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate.

【0020】請求項6に記載のレーザ加工装置は、請求
項1、2または3に記載のレーザ加工装置において、上
記ステージはレーザ光をこのステージの裏面側から表面
側に導く光導波路を有し、この光導波路は、形成すべき
パターンの幅に応じた幅を持つことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to the first, second or third aspect, the stage has an optical waveguide for guiding a laser beam from the back side to the front side of the stage. The optical waveguide has a width corresponding to the width of a pattern to be formed.

【0021】この請求項6のレーザ加工装置では、レー
ザヘッド部の対物レンズによって集光されたレーザ光
が、このステージに設けられた光導波路に入射される。
そして、ステージの裏面側から表面側へこの光導波路を
通して、形成すべきパターン(スクライブ溝等)の幅に
応じた幅のレーザ光が透過する。このレーザ光はさらに
上記透明絶縁基板を透過し、被加工層に照射されてパタ
ーンが形成される。このレーザ光の幅は、上記光導波路
の幅と開口数とによって定まり、上記対物レンズの焦点
深度にかかわらず一定に保たれるので、スクライブ溝等
のパターンが精度良く形成される。しかも、上記透明絶
縁基板の厚みのばらつきに関係なく良好な加工が行われ
る。
In the laser processing apparatus according to the sixth aspect, the laser light condensed by the objective lens of the laser head is incident on the optical waveguide provided on this stage.
Then, a laser beam having a width corresponding to the width of a pattern (a scribe groove or the like) to be formed is transmitted through the optical waveguide from the back side to the front side of the stage. This laser light further passes through the transparent insulating substrate, and is irradiated on the layer to be processed to form a pattern. The width of the laser light is determined by the width of the optical waveguide and the numerical aperture, and is kept constant irrespective of the depth of focus of the objective lens, so that a pattern such as a scribe groove is formed with high precision. Moreover, good processing is performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate.

【0022】請求項7に記載のレーザ加工方法は、柔軟
性を持つ透明絶縁基板の一方の面に積層された被加工層
にレーザ光を照射して、上記被加工層にパターンを形成
するためのレーザ加工方法であって、凸状に湾曲した表
面を持つ透明材からなるステージを用い、上記ステージ
の上記凸状の表面を上記透明絶縁基板の他方の面に当接
した状態で、上記ステージの裏面側から上記ステージお
よび透明絶縁基板を通して上記被加工層にレーザ光を照
射することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a laser processing method for irradiating a processing layer laminated on one surface of a flexible transparent insulating substrate with a laser beam to form a pattern on the processing layer. The laser processing method of the above, using a stage made of a transparent material having a convexly curved surface, in a state where the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate, the stage And irradiating the layer to be processed with laser light from the back side through the stage and the transparent insulating substrate.

【0023】この請求項7のレーザ加工方法では、ステ
ージの凸状の表面を透明絶縁基板の他方の面(被加工層
が積層された面と反対側の面)に当接するので、透明絶
縁基板がその柔軟性によってステージの表面に沿って密
接し、ステージの表面から被加工層までの距離が略一定
(透明絶縁基板の厚さ分)になる。したがって、上記ス
テージの表面の位置と透明絶縁基板の厚さとに基づいて
レーザ光の集光系を調節することによって、被加工層が
レーザ光の焦点深度に容易に収まり、それから外れなく
なる。また、透明絶縁基板の被加工層が積層された面側
は開放されているので、被加工層を透過したレーザ光が
反射されて被加工層(パターンエッジ近傍)へ再入射す
ることはない。したがって、パターンが精度良く形成さ
れる。しかも、透明絶縁基板の被加工層が積層された面
側は開放されているので、一旦蒸発した薄膜材料が再結
晶化してスクライブ溝内に付着することはない。したが
って、分割すべき領域間の短絡のおそれが無くなる。
According to the laser processing method of the present invention, the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate (the surface opposite to the surface on which the layer to be processed is laminated). However, due to its flexibility, the substrate comes into close contact along the surface of the stage, and the distance from the surface of the stage to the layer to be processed becomes substantially constant (the thickness of the transparent insulating substrate). Therefore, by adjusting the laser light focusing system based on the position of the surface of the stage and the thickness of the transparent insulating substrate, the layer to be processed easily fits in the focal depth of the laser light and does not deviate therefrom. Further, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the laser beam transmitted through the layer to be processed is not reflected and re-enters the layer to be processed (near the pattern edge). Therefore, a pattern is formed with high accuracy. Moreover, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the thin film material that has evaporated once does not recrystallize and adhere to the scribe grooves. Therefore, there is no risk of a short circuit between the regions to be divided.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail.

【0025】図1はこの発明の一実施形態のレーザ加工
装置1の概略構成を示している。
FIG. 1 shows a schematic configuration of a laser processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.

【0026】このレーザ加工装置1は、Nd:YAGレ
ーザ発振器LZと、レーザ光の強度を調節するアッテネ
ータATと、レーザ光を絞るスリットFSと、このスリ
ットFSを透過したレーザ光を集束させる集光レンズL
1と、この集光レンズL1によって集束されたレーザ光
を作業位置まで導く光ファイバFと、光ファイバFから
受けたレーザ光を加工対象物に対して走査するためのレ
ーザヘッド部LHと、加工対象物が当接すべきステージ
2を備えている。なお、BTは電源を示している。
The laser processing apparatus 1 includes an Nd: YAG laser oscillator LZ, an attenuator AT for adjusting the intensity of laser light, a slit FS for narrowing the laser light, and a condensing part for converging the laser light transmitted through the slit FS. Lens L
1, an optical fiber F for guiding the laser light focused by the condenser lens L1 to a working position, a laser head LH for scanning the processing target with the laser light received from the optical fiber F, It has a stage 2 to which the object contacts. BT indicates a power supply.

【0027】この例では加工対象物は、柔軟性を持つ透
明絶縁基板9の一方の面9aに、被加工層として図示し
ない透明電極層や非晶質光電変換層(図6における透明
電極層11,非晶質光電変換層12に相当する)を積層
したものである。透明絶縁基板9の材料としては、N
d:YAGレーザの発振波長1.06μm及び534n
mにおいて透明な、ポリイミド、ポリカーボネイト樹
脂、フッ素樹脂等の高分子化合物を使用する。透明絶縁
基板9の幅は例えば500mm程度、その厚さは25〜
100μm程度とする。透明電極層はSnO2やZnO
等からなり、その厚さは1μm程度とする。非晶質光電
変換層はN型、I型及びP型の各アモルファスシリコン
層を積層したものであり、その厚さは0.4μm程度と
する。
In this example, an object to be processed is a transparent electrode layer (not shown) or an amorphous photoelectric conversion layer (not shown in FIG. , An amorphous photoelectric conversion layer 12). The material of the transparent insulating substrate 9 is N
d: oscillation wavelength of YAG laser 1.06 μm and 534 n
A polymer compound such as polyimide, polycarbonate resin, or fluororesin, which is transparent in m, is used. The width of the transparent insulating substrate 9 is, for example, about 500 mm, and its thickness is 25 to
It is about 100 μm. The transparent electrode layer is made of SnO 2 or ZnO
And the thickness thereof is about 1 μm. The amorphous photoelectric conversion layer is formed by stacking N-type, I-type, and P-type amorphous silicon layers, and has a thickness of about 0.4 μm.

【0028】Nd:YAGレーザ発振器LZは、Nd:
YAGを用いて波長1.06μmまたは波長534nm
(第2高調波)のレーザ光を出力することができる。後
述するように、透明電極層を加工する場合には波長1.
06μmのレーザ光を出力させる一方、非晶質光電変換
層を加工する場合には波長534nm(第2高調波)の
レーザ光を出力させる。
The Nd: YAG laser oscillator LZ has Nd:
1.06 μm wavelength or 534 nm wavelength using YAG
(Second harmonic) laser light can be output. As will be described later, when processing the transparent electrode layer, the wavelength 1.
A laser beam having a wavelength of 534 nm (second harmonic) is output when processing an amorphous photoelectric conversion layer while outputting a laser beam of 06 μm.

【0029】光ファイバFは、YAGレーザ光に対する
伝搬損失が数dB/kmと非常に小さい石英系光ファイ
バである。その内部構造としては、パルス発振の高いピ
ーク出力に対する耐久性を得るために、コア内のビーム
閉じ込めの良いステップインデックス型が採用されてい
る。
The optical fiber F is a silica-based optical fiber having a very small propagation loss of several dB / km with respect to the YAG laser light. As its internal structure, a step index type with good beam confinement in the core is adopted in order to obtain durability against high peak output of pulse oscillation.

【0030】レーザヘッド部LHは、この例では、光フ
ァイバFから受けたレーザ光を絞る可変スリットVS
と、このスリットVSを透過したレーザ光を集束させる
対物レンズL2とを有している。対物レンズL2の焦点
距離は50mmであり、その光軸は鉛直方向に向けられ
ている。レーザヘッド部LHが出射したレーザ光Lは対
物レンズL2の鉛直下方で集束する。このレーザヘッド
部LHは、図示しない駆動機構によって支持されるとと
もに、後述するように水平面内の一方向(y方向)に移
動される。
In this example, the laser head LH is provided with a variable slit VS for narrowing the laser beam received from the optical fiber F.
And an objective lens L2 for focusing the laser light transmitted through the slit VS. The focal length of the objective lens L2 is 50 mm, and its optical axis is directed in the vertical direction. The laser light L emitted from the laser head LH is focused vertically below the objective lens L2. The laser head LH is supported by a drive mechanism (not shown) and is moved in one direction (y direction) in a horizontal plane as described later.

【0031】ステージ2は、誘電体である透明ガラスか
らなり、円筒を中心軸を通る平面で2分割した半円筒状
の形状を有している。ステージ2の外径は200mm、
内径は190mm(したがって厚みは5mm)、長手方
向の長さは800mmに設定されている。透明ガラスと
しては、石英ガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガ
ラス、鉛ガラス等の様々なものを採用することができ
る。このステージ2は比較的単純な形状を有するので、
簡単に作製することができる。ステージ2は、凸状に湾
曲した表面2aを下向き、凹状に湾曲した裏面2bを上
向きにし、かつ長手方向をy方向に向けた状態で、レー
ザヘッド部LHの直下に配置されている。なお、このス
テージ2は支持部材(図示せず)によって固定状態で支
持されている。
The stage 2 is made of dielectric transparent glass, and has a semi-cylindrical shape obtained by dividing a cylinder into two parts by a plane passing through a central axis. The outer diameter of stage 2 is 200 mm,
The inside diameter is set to 190 mm (thus, the thickness is 5 mm), and the length in the longitudinal direction is set to 800 mm. As the transparent glass, various glass such as quartz glass, soda-lime glass, borosilicate glass, and lead glass can be used. Since this stage 2 has a relatively simple shape,
It can be easily manufactured. The stage 2 is disposed directly below the laser head LH with the convexly curved front surface 2a facing downward, the concavely curved back surface 2b facing upward, and the longitudinal direction oriented in the y direction. The stage 2 is fixedly supported by a support member (not shown).

【0032】ステージ2のx方向(水平面内でy方向に
垂直な方向)両側には、それぞれ円筒状の搬送用ドラム
D1,D2が配置されている。各搬送用ドラムD1,D
2は長手方向をy方向に向けた状態で、それぞれの中心
軸の周りに支持部材(図示せず)によって回転自在に支
持されており、図示しない回転手段によって回転され
る。
On both sides of the stage 2 in the x direction (the direction perpendicular to the y direction in the horizontal plane), cylindrical transfer drums D1 and D2 are arranged, respectively. Each transport drum D1, D
Numeral 2 is rotatably supported by support members (not shown) around respective central axes with its longitudinal direction oriented in the y direction, and is rotated by rotating means (not shown).

【0033】ドラムD1には予め透明絶縁基板9(一方
の面9aに透明電極層や非晶質光電変換層が積層された
もの)が巻回されている。レーザ加工を行う場合は、ド
ラムD1を図1において時計周りに回転させてドラムD
1から透明絶縁基板9を送り出し、透明絶縁基板9がス
テージ2の表面2aの最下部を巻回し、蛇行修正ロール
CR1とCR2との間および蛇行修正ロールCR3とC
R4との間を通してドラムD2に図1において時計周り
に巻き取られる状態にする(ロールツーロール方式)。
搬送用ドラムD1,D2の回転を制御して、透明絶縁基
板9に或る一定の張力が掛かり、透明絶縁基板9の他方
の面9bがステージ2の表面2aに押し付けられるよう
にする。これにより、透明絶縁基板9の面9bをステー
ジ2の表面2aに対して密接して摺動させることができ
る。具体的には、透明絶縁基板9にかける張力は1〜3
0kg/cm2の範囲内に設定する。
A transparent insulating substrate 9 (having a transparent electrode layer and an amorphous photoelectric conversion layer laminated on one surface 9a) is wound on the drum D1 in advance. When laser processing is performed, the drum D1 is rotated clockwise in FIG.
1, the transparent insulating substrate 9 is sent out, and the transparent insulating substrate 9 is wound around the lowermost part of the surface 2a of the stage 2 and between the meandering correction rolls CR1 and CR2 and between the meandering correction rolls CR3 and CR.
A state is taken in which the drum D2 is wound clockwise in FIG.
By controlling the rotation of the transport drums D1 and D2, a certain tension is applied to the transparent insulating substrate 9 so that the other surface 9b of the transparent insulating substrate 9 is pressed against the surface 2a of the stage 2. Thereby, the surface 9 b of the transparent insulating substrate 9 can be slid close to the surface 2 a of the stage 2. Specifically, the tension applied to the transparent insulating substrate 9 is 1 to 3
Set within the range of 0 kg / cm 2 .

【0034】蛇行修正ロールCR1,CR2およびCR
3,CR4は、蛇行検出用センサSC1,SC2の出力
に基づいて、図示しない制御手段によって制御される。
これにより、透明絶縁基板9をy方向に関してステージ
2の所定位置に当接できるとともに、搬送用ドラムD
1,D2の巻き取り状態を良好に保つことができる。
The meandering correction rolls CR1, CR2 and CR
3 and CR4 are controlled by control means (not shown) based on the outputs of the meandering detection sensors SC1 and SC2.
Thereby, the transparent insulating substrate 9 can be brought into contact with the predetermined position of the stage 2 in the y direction, and the transfer drum D
The winding state of D1 and D2 can be kept good.

【0035】このレーザ加工装置は、図6に示したのと
同様の集積型太陽電池の透明電極層、非晶質光電変換層
のパターン加工を行う場合、次のようにして使用され
る。
This laser processing apparatus is used as follows when performing pattern processing of a transparent electrode layer and an amorphous photoelectric conversion layer of an integrated solar cell similar to that shown in FIG.

【0036】 まず、透明絶縁基板9の面9aに被加
工層として透明電極層のみが積層されており、この透明
電極層にスクライブ溝を形成するものとする。
First, only a transparent electrode layer is laminated as a layer to be processed on the surface 9 a of the transparent insulating substrate 9, and a scribe groove is formed in this transparent electrode layer.

【0037】この場合、Nd:YAGレーザ発振器LZ
に波長1.06μmのレーザ光を出力させる。このレー
ザ光をアッテネータAT、スリットFS、集光レンズL
1および光ファイバFを通してレーザヘッド部LHに導
き、レーザヘッド部LHの可変スリットVS、対物レン
ズL2を通してステージ2の裏面2b側に入射させる。
そして、ステージ2および透明絶縁基板9を通して被加
工層である透明電極層の位置に結像させる。なお、レー
ザ光の強度、結像サイズは予めスクライブ溝形成に適切
な値に設定しておく。ステージ2の透明ガラス材の屈折
率が1.5であり、透明絶縁基板9(例えばフッ素樹脂
からなる)の屈折率が1.6であるものとすると、フレ
ネルの計算式により、空気とステージ2との界面では4
%の反射、ステージ2と透明絶縁基板9との界面では3
%の反射しかない。したがって、集光したレーザ光Lの
殆ど大部分が被加工層である透明電極層に到達する。
In this case, the Nd: YAG laser oscillator LZ
Output a laser beam having a wavelength of 1.06 μm. This laser light is supplied to an attenuator AT, a slit FS, and a condenser lens L.
The laser beam is guided to the laser head LH through the optical fiber 1 and the optical fiber F, and is incident on the back surface 2b side of the stage 2 through the variable slit VS of the laser head LH and the objective lens L2.
Then, an image is formed through the stage 2 and the transparent insulating substrate 9 at the position of the transparent electrode layer which is the layer to be processed. The laser beam intensity and the image size are set in advance to appropriate values for forming the scribe grooves. Assuming that the refractive index of the transparent glass material of the stage 2 is 1.5 and the refractive index of the transparent insulating substrate 9 (for example, made of fluororesin) is 1.6, the air and the stage 2 are calculated by the Fresnel calculation formula. At the interface with
% Reflection, 3 at the interface between the stage 2 and the transparent insulating substrate 9
There is only% reflection. Therefore, most of the condensed laser light L reaches the transparent electrode layer which is the layer to be processed.

【0038】このとき、透明絶縁基板9がその柔軟性に
よってステージ2の表面2aに沿って密接し、ステージ
2の表面2aから被加工層までの距離が略一定(透明絶
縁基板9の厚さ分)になっているので、ステージ2の表
面2aの位置と透明絶縁基板9の厚さとに基づいてレー
ザ光の集光系を調節することによって、被加工層がレー
ザ光の焦点深度に容易に収まり、それから外れなくな
る。
At this time, the transparent insulating substrate 9 comes into close contact with the surface 2a of the stage 2 due to its flexibility, and the distance from the surface 2a of the stage 2 to the layer to be processed is substantially constant (the thickness corresponding to the thickness of the transparent insulating substrate 9) ), The laser light focusing system is adjusted based on the position of the surface 2 a of the stage 2 and the thickness of the transparent insulating substrate 9, so that the layer to be processed easily fits in the focal depth of the laser light. , It will not come off.

【0039】この状態で、レーザヘッド部LHをy方向
に移動させて透明絶縁基板9に対してレーザ光Lを走査
することにより、y方向に延びる1本のスクライブ溝を
形成できる。次に、搬送用ドラムD1,D2を回転させ
て透明絶縁基板9をx方向、すなわち実質的に巻回方向
に一定量だけ摺動させる。そして、レーザヘッド部LH
をy方向に移動させて透明絶縁基板9に対してレーザ光
Lを走査する。これにより、上記スクライブ溝と平行に
別のスクライブ溝を形成できる。このようにして、透明
絶縁基板9を一定量ずつ巻回方向に摺動させながら、次
々とスクライブ溝を形成することができる。なお、搬送
用ドラムD1,D2は、一つのスクライブ溝を形成した
回転位置から次のスクライブ溝を形成する回転位置ま
で、連続的に回転させても良いし、ステップ的に回転さ
せても良い。
In this state, by moving the laser head LH in the y direction and scanning the transparent insulating substrate 9 with the laser light L, one scribe groove extending in the y direction can be formed. Next, the transporting drums D1 and D2 are rotated to slide the transparent insulating substrate 9 by a certain amount in the x direction, that is, substantially in the winding direction. Then, the laser head LH
Is moved in the y direction to scan the transparent insulating substrate 9 with the laser beam L. Thereby, another scribe groove can be formed in parallel with the scribe groove. In this way, scribe grooves can be formed one after another while sliding the transparent insulating substrate 9 in the winding direction by a fixed amount. The transfer drums D1 and D2 may be rotated continuously from the rotational position where one scribe groove is formed to the rotational position where the next scribe groove is formed, or may be rotated stepwise.

【0040】このようにして、被加工層を常にレーザ光
の焦点深度に入れた状態で、精度良くスクライブ溝を形
成することができる。また、透明絶縁基板9の被加工層
が積層された面9a側は開放されているので、被加工層
を透過したレーザ光が反射されて被加工層(スクライブ
溝近傍)へ再入射することはない。したがって、スクラ
イブ溝が精度良く形成される。しかも、透明絶縁基板9
の被加工層が積層された面9a側は開放されているの
で、一旦蒸発した薄膜材料が再結晶化してスクライブ溝
内に付着することはない。したがって、分割すべき領域
間の短絡を防止することができる。
In this manner, the scribe groove can be formed with high accuracy while the layer to be processed is always kept at the focal depth of the laser beam. Also, since the surface 9a of the transparent insulating substrate 9 on which the layer to be processed is laminated is open, the laser beam transmitted through the layer to be processed is reflected and re-enters the layer to be processed (near the scribe groove). Absent. Therefore, the scribe grooves are formed with high precision. Moreover, the transparent insulating substrate 9
Since the surface 9a side on which the layer to be processed is laminated is open, the thin film material once evaporated does not recrystallize and adhere to the scribe grooves. Therefore, a short circuit between the regions to be divided can be prevented.

【0041】 次に、透明絶縁基板9の面9aに、既
にスクライブ溝が形成された透明電極層と、非晶質光電
変換層とが積層されており、この非晶質光電変換層にス
クライブ溝を形成するものとする。
Next, on the surface 9 a of the transparent insulating substrate 9, a transparent electrode layer in which a scribe groove is already formed and an amorphous photoelectric conversion layer are laminated, and the scribe groove is formed on the amorphous photoelectric conversion layer. Is formed.

【0042】この場合、Nd:YAGレーザ発振器LZ
に波長534nmのレーザ光(第2高調波)を出力させ
る。上記と同様に、このレーザ光をアッテネータA
T、スリットFS、集光レンズL1および光ファイバF
を通してレーザヘッド部LHに導き、レーザヘッド部L
Hの可変スリットVS、対物レンズL2を通してステー
ジ2の裏面2b側に入射させる。そして、ステージ2、
透明絶縁基板9および上記透明電極層を通して被加工層
である非晶質光電変換層の位置に結像させる。このと
き、レーザ光は波長が534nmと短いので、上記透明
電極層には吸収されず、上記非晶質光電変換層に吸収さ
れてこの層の材料を蒸発させる。
In this case, the Nd: YAG laser oscillator LZ
Output a laser beam (second harmonic) having a wavelength of 534 nm. As described above, this laser beam is
T, slit FS, condenser lens L1 and optical fiber F
To the laser head LH through the laser head L
The light is made to enter the back surface 2b side of the stage 2 through the H variable slit VS and the objective lens L2. And stage 2,
An image is formed at the position of the amorphous photoelectric conversion layer, which is the layer to be processed, through the transparent insulating substrate 9 and the transparent electrode layer. At this time, since the wavelength of the laser beam is as short as 534 nm, the laser beam is not absorbed by the transparent electrode layer, but is absorbed by the amorphous photoelectric conversion layer to evaporate the material of this layer.

【0043】この場合も上記と同様に、スクライブ溝
を精度良く形成できる。しかも、一旦蒸発した薄膜材料
が再結晶化してスクライブ溝内に付着することはなく、
分割すべき領域間の短絡を防止することができる。
Also in this case, the scribe grooves can be formed with high accuracy, as in the above case. Moreover, the thin film material once evaporated does not recrystallize and adhere to the scribe grooves.
A short circuit between regions to be divided can be prevented.

【0044】図2はステージ2の変形例2Aを示してい
る。このステージ2Aは、ステージ2の凹状に湾曲した
裏面2cに、このステージの半円筒部分と同じ透明ガラ
ス材からなり、y方向に延びる半円柱状の集光部2cを
有している。この集光部2cは、レーザヘッド部LHか
ら入射したレーザ光Lを被加工層のパターンを形成すべ
き箇所に集光させる。したがって、レーザヘッド部LH
に集光のための対物レンズL2を省略でき、装置を簡素
化することができる。また、レーザヘッド部LHが軽量
化される結果、レーザ光のy方向の走査を高速化でき、
スクライブ溝等のパターンの形成速度を高速化できる。
FIG. 2 shows a modification 2A of the stage 2. The stage 2A has, on a concavely curved back surface 2c of the stage 2, a semi-cylindrical light collector 2c made of the same transparent glass material as the semi-cylindrical portion of the stage and extending in the y direction. The condensing portion 2c condenses the laser light L incident from the laser head portion LH on a portion where a pattern of the layer to be processed is to be formed. Therefore, the laser head LH
In addition, the objective lens L2 for condensing light can be omitted, and the apparatus can be simplified. Further, as a result of the lightening of the laser head portion LH, the scanning speed of the laser beam in the y direction can be increased,
The speed of forming patterns such as scribe grooves can be increased.

【0045】図3はステージ2の別の変形例2Bを示し
ている。このステージ2Bは、透明絶縁基板9に当接す
る領域、すなわち凸状の表面2aの最下部に光遮断部材
21を備えている。この光遮断部材21は、銀、アルミ
等の金属をスパッタ法あるいは蒸着法により形成された
もので、ステージ2の外径を変えないように表面2aに
埋め込まれている。光遮断部材21の中央には、形成す
べきパターンの幅に相当する幅を持ち、y方向に延びる
スリット22が形成されている。このステージ2Bを用
いる場合、レーザヘッド部LHの対物レンズL2によっ
てレーザ光Lが平行光とされ、この平行光がステージ2
Bの裏面側に入射される。その結果、ステージ2Bに設
けられた光遮断部材21のスリット22を通して、形成
すべきパターン(スクライブ溝等)の幅に相当する幅の
平行光が透過する。この平行光はさらに透明絶縁基板9
を透過し、面9aに積層された被加工層に照射されてパ
ターンが形成される。この場合、形成されたパターンの
幅を対物レンズL2の焦点深度にかかわらず一定に保つ
ことができる。したがって、スクライブ溝等のパターン
を精度良く形成できる。しかも、透明絶縁基板9の厚み
のばらつきに関係なく良好な加工を行うことができる。
FIG. 3 shows another modification 2B of the stage 2. The stage 2B includes a light blocking member 21 in a region in contact with the transparent insulating substrate 9, that is, in the lowermost portion of the convex surface 2a. The light blocking member 21 is made of a metal such as silver or aluminum by a sputtering method or a vapor deposition method, and is embedded in the surface 2 a so as not to change the outer diameter of the stage 2. A slit 22 having a width corresponding to the width of the pattern to be formed and extending in the y direction is formed at the center of the light shielding member 21. When this stage 2B is used, the laser light L is converted into parallel light by the objective lens L2 of the laser head LH, and the parallel light is
B is incident on the back side. As a result, parallel light having a width corresponding to the width of a pattern (such as a scribe groove) to be formed is transmitted through the slit 22 of the light blocking member 21 provided on the stage 2B. This parallel light is further transmitted to the transparent insulating substrate 9.
, And the pattern is formed by irradiating the layer to be processed laminated on the surface 9a. In this case, the width of the formed pattern can be kept constant regardless of the depth of focus of the objective lens L2. Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high precision. Moreover, good processing can be performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate 9.

【0046】図4はステージ2のさらに別の変形例2C
を示している。このステージ2Cは、レーザ光Lを裏面
2b側から表面2a側に導く光導波路32を有してい
る。この光導波路32は、x方向両側のガイド部31よ
りも屈折率が高く設定されており、形成すべきパターン
の幅に応じた幅でy方向に延在している。このステージ
2Cを用いる場合、レーザヘッド部LHの対物レンズL
2によって集光されたレーザ光Lが、このステージ2C
に設けられた光導波路32に入射される。そして、ステ
ージ2Cの裏面2b側から表面2a側へ光導波路32を
通して、形成すべきパターン(スクライブ溝等)の幅に
応じた幅のレーザ光が透過する。このレーザ光はさらに
透明絶縁基板9を透過し、面9aに積層された被加工層
に照射されてパターンが形成される。この場合、形成さ
れたパターンの幅は、光導波路32の幅と開口数とによ
って定まり、上記対物レンズL2の焦点深度にかかわら
ず一定に保つことができる。したがって、スクライブ溝
等のパターンを精度良く形成できる。しかも、透明絶縁
基板9の厚みのばらつきに関係なく良好な加工を行うこ
とができる。
FIG. 4 shows still another modification 2C of the stage 2.
Is shown. The stage 2C has an optical waveguide 32 for guiding the laser light L from the back surface 2b to the front surface 2a. The optical waveguide 32 has a higher refractive index than the guide portions 31 on both sides in the x direction, and extends in the y direction with a width corresponding to the width of a pattern to be formed. When this stage 2C is used, the objective lens L of the laser head LH is used.
The laser light L condensed by the stage 2
Is incident on the optical waveguide 32 provided in the optical waveguide. Then, laser light having a width corresponding to the width of a pattern (such as a scribe groove) to be formed is transmitted through the optical waveguide 32 from the back surface 2b side of the stage 2C to the front surface 2a side. This laser light further passes through the transparent insulating substrate 9 and is irradiated on the layer to be processed laminated on the surface 9a to form a pattern. In this case, the width of the formed pattern is determined by the width of the optical waveguide 32 and the numerical aperture, and can be kept constant regardless of the focal depth of the objective lens L2. Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high precision. Moreover, good processing can be performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate 9.

【0047】上記光導波路32は、一般的なイオン交換
法を用いて、例えば次のようにして形成する。すなわ
ち、ソーダガラスを硝酸カリウム、硫酸カリウム溶液の
中に浸し、300〜400℃に加熱する。これにより、
ソーダガラス中のナトリウムイオンと溶液中のカリウム
イオンが交換され、カリウムイオンがガラス中に拡散さ
れる。この場合、カリウムが多く拡散された表面側ほど
屈折率が高くなる。逆に、カリウムを含むガラスを硝酸
ナトリウム、硫酸ナトリウム溶液中に入れ加熱すること
により、ナトリウムが多く拡散された表面側ほど屈折率
を小さくできる。交換するイオンとして、銀、カリウム
を用いれば0.1程度の大きな屈折率変化を得ることが
できる。この手法を用いて、屈折率が小さいガラス材か
らなるガイド部31の内側に屈折率が大きい光導波路3
2を形成する。また、他の方法としてゲルマニウムを含
むガラスを表面に成膜し、300〜400℃でアニール
することによりゲルマニウムをガラス中に拡散して、ゲ
ルマニウムが多く拡散された表面ほど屈折率を大きくす
る手法を用いることもできる。
The optical waveguide 32 is formed using a general ion exchange method, for example, as follows. That is, the soda glass is immersed in a potassium nitrate or potassium sulfate solution and heated to 300 to 400 ° C. This allows
The sodium ions in the soda glass and the potassium ions in the solution are exchanged, and the potassium ions diffuse into the glass. In this case, the refractive index becomes higher on the surface side where potassium is more diffused. Conversely, by placing glass containing potassium in a solution of sodium nitrate or sodium sulfate and heating, the refractive index can be made smaller on the surface side where more sodium is diffused. If silver or potassium is used as the ion to be exchanged, a large change in the refractive index of about 0.1 can be obtained. By using this method, the optical waveguide 3 having a large refractive index is provided inside a guide portion 31 made of a glass material having a small refractive index.
Form 2 As another method, a method of forming a film containing germanium on the surface, diffusing germanium into the glass by annealing at 300 to 400 ° C., and increasing the refractive index as the surface on which germanium is more diffused is increased. It can also be used.

【0048】なお、この実施形態では被加工層に平行な
スクライブ溝を形成する場合について述べたが、当然な
がらこれに限られるものではない。このレーザ加工装置
では、搬送用ドラムD1,D2によるx方向の透明絶縁
基板9の移動と、レーザヘッド部LHの移動によるy方
向のレーザ光の走査とを組み合わせすることにより、様
々なパターンを形成することができる。
In this embodiment, the case where the scribe grooves are formed parallel to the layer to be processed has been described. However, the present invention is not limited to this. In this laser processing apparatus, various patterns are formed by combining the movement of the transparent insulating substrate 9 in the x direction by the transfer drums D1 and D2 with the scanning of the laser light in the y direction by the movement of the laser head LH. can do.

【0049】また、スクライブ溝を形成する場合、レー
ザヘッド部によってy方向に細長い帯状のレーザ光を出
射するようにしても良い。これにより、レーザヘッド部
のy方向の移動手段を省略することができる。
When the scribe groove is formed, a strip-shaped laser beam which is elongated in the y direction may be emitted by the laser head. Thus, the means for moving the laser head in the y direction can be omitted.

【0050】また、集積型太陽電池の裏面電極層(図6
中の裏面電極層13に相当し、通常は厚さ0.2μm程
度の銀薄膜からなる。)のパターン加工を行う場合は、
レーザヘッド部LHをステージ2の直下、すなわち被加
工層に直接対向する側に配置して、レーザヘッド部LH
から裏面電極層へ波長534nmのレーザ光を直接照射
する。これにより、裏面電極層の加工に伴って非晶質光
電変換層が加工されるのを避けることができる。また、
透明絶縁基板9がその柔軟性によってステージ2の表面
2aに沿って密接し、ステージ2の表面2aから被加工
層までの距離が略一定(透明絶縁基板9の厚さ分)にな
っているので、ステージ2の表面2aの位置と透明絶縁
基板9の厚さとに基づいてレーザ光の集光系を調節する
ことによって、被加工層がレーザ光の焦点深度に容易に
収まり、それから外れなくなる。したがって、スクライ
ブ溝等のパターンを精度良く形成することができる。し
かも、透明絶縁基板9の被加工層が積層された面9a側
は開放されているので、一旦蒸発した薄膜材料が再結晶
化してスクライブ溝内に付着することはない。したがっ
て、分割すべき領域間の短絡を防止することができる。
The back electrode layer of the integrated solar cell (FIG. 6)
It corresponds to the back electrode layer 13 in the middle, and is usually made of a silver thin film having a thickness of about 0.2 μm. ) When performing pattern processing
The laser head LH is disposed directly below the stage 2, that is, on the side directly facing the layer to be processed.
, A laser beam having a wavelength of 534 nm is directly applied to the back electrode layer. Thereby, it is possible to avoid processing of the amorphous photoelectric conversion layer accompanying processing of the back electrode layer. Also,
The transparent insulating substrate 9 is closely contacted along the surface 2a of the stage 2 due to its flexibility, and the distance from the surface 2a of the stage 2 to the layer to be processed is substantially constant (the thickness of the transparent insulating substrate 9). By adjusting the laser light focusing system based on the position of the surface 2a of the stage 2 and the thickness of the transparent insulating substrate 9, the layer to be processed easily fits in the focal depth of the laser light and does not come off from it. Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high accuracy. Moreover, since the surface 9a of the transparent insulating substrate 9 on which the layer to be processed is laminated is open, the thin film material that has evaporated once does not recrystallize and adhere to the scribe grooves. Therefore, a short circuit between the regions to be divided can be prevented.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項1のレ
ーザ加工装置では、ステージの凸状の表面が透明絶縁基
板の他方の面(被加工層が積層された面と反対側の面)
に当接されるので、被加工層がレーザ光の焦点深度に容
易に収まり、それから外れなくなる。また、透明絶縁基
板の被加工層が積層された面側は開放されているので、
被加工層を透過したレーザ光が反射されて被加工層(パ
ターンエッジ近傍)へ再入射することはない。したがっ
て、スクライブ溝等のパターンを精度良く形成すること
ができる。しかも、透明絶縁基板の被加工層が積層され
た面側は開放されているので、一旦蒸発した薄膜材料が
再結晶化してスクライブ溝内に付着することはなく、分
割すべき領域間の短絡を防止することができる。
As is apparent from the above, in the laser processing apparatus of the first aspect, the convex surface of the stage is the other surface of the transparent insulating substrate (the surface opposite to the surface on which the layer to be processed is laminated).
, The layer to be processed easily fits in the depth of focus of the laser beam and does not come off from it. Also, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open,
The laser light transmitted through the processed layer is not reflected and re-enters the processed layer (near the pattern edge). Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high accuracy. Moreover, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the evaporated thin film material does not recrystallize and adhere to the scribe grooves, and short-circuits between regions to be divided can be prevented. Can be prevented.

【0052】請求項2に記載のレーザ加工装置では、上
記ステージは、一方向に延在する部材であり、上記一方
向に垂直な断面が一定の形状を持ち、上記断面の湾曲し
た外縁部が上記凸状の表面を形成しているので、上記一
方向に所定の幅を持つ帯状の透明絶縁基板を、上記ステ
ージの上記凸状の表面を部分的に巻回することにより、
上記凸状の表面に沿って容易に当接させることができ
る。この状態で、上記透明絶縁基板を一定量ずつ巻回方
向に摺動させながら、次々とスクライブ溝を形成するこ
とができる。
In the laser processing apparatus according to the second aspect, the stage is a member extending in one direction, the cross section perpendicular to the one direction has a constant shape, and the curved outer edge of the cross section is Since the convex surface is formed, a band-shaped transparent insulating substrate having a predetermined width in the one direction is obtained by partially winding the convex surface of the stage.
The contact can be easily made along the convex surface. In this state, scribe grooves can be formed one after another while sliding the transparent insulating substrate by a predetermined amount in the winding direction.

【0053】請求項3に記載のレーザ加工装置では、上
記搬送手段によって上記透明絶縁基板が上記ステージに
対して上記巻回方向に張力を持たせて摺動されるので、
上記ステージの表面に上記透明絶縁基板の上記他方の面
を強く密接させることができる。したがって、被加工層
がレーザ光の焦点深度にさらに確実に収まり、スクライ
ブ溝をさらに精度良く形成できる。また、平行なスクラ
イブ溝だけではなく、搬送手段による透明絶縁基板の上
記巻回方向の移動と、レーザヘッド部の上記一方向の移
動とを組み合わせて、様々なパターンを形成することが
できる。
In the laser processing apparatus according to the third aspect of the present invention, the transparent insulating substrate is slid with respect to the stage with a tension in the winding direction by the transfer means.
The other surface of the transparent insulating substrate can be strongly brought into close contact with the surface of the stage. Therefore, the layer to be processed can be more reliably set within the focal depth of the laser beam, and the scribe groove can be formed more accurately. In addition to the parallel scribe grooves, various patterns can be formed by combining the movement of the transparent insulating substrate in the winding direction by the transport means and the movement of the laser head section in the one direction.

【0054】請求項4に記載のレーザ加工装置では、上
記ステージの裏面側の集光部によって、上記レーザヘッ
ド部から入射したレーザ光が上記被加工層のパターンを
形成すべき箇所に集光されるので、レーザヘッド部に集
光のための対物レンズを設ける必要が無くなり、装置を
簡素化することができる。また、レーザヘッド部が軽量
化される結果、レーザヘッド部の上記一方向の移動を高
速化でき、パターン加工の速度を高速化できる。
According to a fourth aspect of the present invention, the laser beam incident from the laser head is focused on a portion of the layer to be processed where a pattern is to be formed by the focusing portion on the back side of the stage. Therefore, there is no need to provide an objective lens for condensing light in the laser head, and the apparatus can be simplified. Further, as a result of the weight reduction of the laser head portion, the one-way movement of the laser head portion can be accelerated, and the pattern processing speed can be increased.

【0055】請求項5に記載のレーザ加工装置では、上
記ステージの上記透明絶縁基板に当接する領域に光遮断
部材が設けられ、この光遮断部材に、形成すべきパター
ンの幅に相当する幅を持つスリットが形成されているの
で、レーザヘッド部から平行光を上記ステージの裏面側
に入射させることによって、上記透明絶縁基板に照射さ
れるレーザ光の幅を上記対物レンズの焦点深度にかかわ
らず一定に保つことができる。したがって、スクライブ
溝等のパターンを精度良く形成することができる。しか
も、上記透明絶縁基板の厚みのばらつきに関係なく良好
な加工を行うことができる。
In the laser processing apparatus according to the fifth aspect, a light blocking member is provided in a region of the stage in contact with the transparent insulating substrate, and the light blocking member has a width corresponding to a width of a pattern to be formed. Since the slit having the slit is formed, the width of the laser light irradiated on the transparent insulating substrate is made constant regardless of the depth of focus of the objective lens by making parallel light incident on the back side of the stage from the laser head. Can be kept. Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high accuracy. Moreover, good processing can be performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate.

【0056】請求項6に記載のレーザ加工装置では、光
導波路を透過するレーザ光の幅を、上記光導波路の幅と
開口数とによって定めることができ、上記対物レンズの
焦点深度にかかわらず一定に保つことができる。したが
って、スクライブ溝等のパターンを精度良く形成するこ
とができる。しかも、上記透明絶縁基板の厚みのばらつ
きに関係なく良好な加工を行うことができる。
In the laser processing apparatus according to the sixth aspect, the width of the laser light transmitted through the optical waveguide can be determined by the width of the optical waveguide and the numerical aperture, and is constant regardless of the focal depth of the objective lens. Can be kept. Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high accuracy. Moreover, good processing can be performed irrespective of variations in the thickness of the transparent insulating substrate.

【0057】請求項7に記載のレーザ加工方法によれ
ば、ステージの凸状の表面が透明絶縁基板の他方の面
(被加工層が積層された面と反対側の面)に当接される
ので、被加工層がレーザ光の焦点深度に容易に収まり、
それから外れなくなる。また、透明絶縁基板の被加工層
が積層された面側は開放されているので、被加工層を透
過したレーザ光が反射されて被加工層(パターンエッジ
近傍)へ再入射することはない。したがって、スクライ
ブ溝等のパターンを精度良く形成することができる。し
かも、透明絶縁基板の被加工層が積層された面側は開放
されているので、一旦蒸発した薄膜材料が再結晶化して
スクライブ溝内に付着することはなく、分割すべき領域
間の短絡を防止することができる。
According to the laser processing method of the present invention, the convex surface of the stage is brought into contact with the other surface of the transparent insulating substrate (the surface opposite to the surface on which the layer to be processed is laminated). Therefore, the layer to be processed easily fits in the focal depth of the laser beam,
It will not come off. Further, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the laser beam transmitted through the layer to be processed is not reflected and re-enters the layer to be processed (near the pattern edge). Therefore, patterns such as scribe grooves can be formed with high accuracy. Moreover, since the surface of the transparent insulating substrate on which the layer to be processed is laminated is open, the evaporated thin film material does not recrystallize and adhere to the scribe grooves, and short-circuits between regions to be divided can be prevented. Can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態のレーザ加工装置の全体
構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 上記レーザ加工装置に用いるステージの変形
例を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a modification of a stage used in the laser processing apparatus.

【図3】 上記レーザ加工装置に用いるステージの別の
変形例を示す図である。
FIG. 3 is a view showing another modification of the stage used in the laser processing apparatus.

【図4】 上記レーザ加工装置に用いるステージの別の
変形例を示す図である。
FIG. 4 is a view showing another modification of the stage used in the laser processing apparatus.

【図5】 従来のレーザ加工装置の問題を説明するため
の図である。
FIG. 5 is a view for explaining a problem of a conventional laser processing apparatus.

【図6】 一般的な集積型薄膜太陽電池の構造を示す斜
視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a structure of a general integrated type thin film solar cell.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ加工装置 2,2A,2B,2C ステージ 2c 集光部 9 透明絶縁基板 32 光導波路 D1,D2 搬送用ドラム LZ レーザ発振器 F 光ファィバ LH レーザヘッド部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 2, 2A, 2B, 2C Stage 2c Condensing part 9 Transparent insulating substrate 32 Optical waveguide D1, D2 Transport drum LZ Laser oscillator F Optical fiber LH Laser head part

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 柔軟性を持つ透明絶縁基板の一方の面に
積層された被加工層にレーザ光を照射して、上記被加工
層にパターンを形成するためのレーザ加工装置であっ
て、 凸状に湾曲した表面を持つ透明材からなるステージと、 上記ステージの裏面側に配置されたレーザヘッド部を備
え、 上記ステージの上記凸状の表面が上記透明絶縁基板の他
方の面に当接した状態で、上記レーザヘッド部から上記
ステージおよび透明絶縁基板を通して上記被加工層にレ
ーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工装置。
1. A laser processing apparatus for irradiating a layer to be processed laminated on one surface of a transparent insulating substrate having flexibility with a laser beam to form a pattern on the layer to be processed. A stage made of a transparent material having a curved surface, and a laser head disposed on the back side of the stage, wherein the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate. In the state, a laser beam is radiated from the laser head section to the layer to be processed through the stage and the transparent insulating substrate.
【請求項2】 請求項1に記載のレーザ加工装置におい
て、 上記ステージは、一方向に延在する部材であり、上記一
方向に垂直な断面が一定の形状を持ち、上記断面の湾曲
した外縁部が上記凸状の表面を形成していることを特徴
とするレーザ加工装置。
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the stage is a member extending in one direction, a cross section perpendicular to the one direction has a constant shape, and a curved outer edge of the cross section. A laser processing apparatus, wherein a portion forms the convex surface.
【請求項3】 請求項2に記載のレーザ加工装置におい
て、 上記透明絶縁基板を上記ステージに対して巻回方向に張
力をもたせて摺動させる搬送手段を備えたことを特徴と
するレーザ加工装置。
3. The laser processing apparatus according to claim 2, further comprising a transport unit configured to slide the transparent insulating substrate with a tension in a winding direction with respect to the stage. .
【請求項4】 請求項1、2または3に記載のレーザ加
工装置において、 上記ステージは裏面側に、上記レーザヘッド部から入射
したレーザ光を上記被加工層のパターンを形成すべき箇
所に集光させる集光部を有することを特徴とするレーザ
加工装置。
4. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the stage collects laser light incident from the laser head portion on a back surface side at a position where a pattern of the processing target layer is to be formed. A laser processing apparatus, comprising: a light condensing part for emitting light.
【請求項5】 請求項1、2または3に記載のレーザ加
工装置において、 上記ステージの上記透明絶縁基板に当接する領域に光遮
断部材が設けられ、この光遮断部材に、形成すべきパタ
ーンの幅に相当する幅を持つスリットが形成されている
ことを特徴とするレーザ加工装置。
5. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein a light blocking member is provided in a region of the stage in contact with the transparent insulating substrate, and the light blocking member has a pattern to be formed. A laser processing apparatus, wherein a slit having a width corresponding to the width is formed.
【請求項6】 請求項1、2または3に記載のレーザ加
工装置において、 上記ステージはレーザ光をこのステージの裏面側から表
面側に導く光導波路を有し、この光導波路は、形成すべ
きパターンの幅に応じた幅を持つことを特徴とするレー
ザ加工装置。
6. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the stage has an optical waveguide for guiding a laser beam from the back side to the front side of the stage, and the optical waveguide should be formed. A laser processing apparatus having a width corresponding to the width of a pattern.
【請求項7】 柔軟性を持つ透明絶縁基板の一方の面に
積層された被加工層にレーザ光を照射して、上記被加工
層にパターンを形成するためのレーザ加工方法であっ
て、 凸状に湾曲した表面を持つ透明材からなるステージを用
い、 上記ステージの上記凸状の表面を上記透明絶縁基板の他
方の面に当接した状態で、上記ステージの裏面側から上
記ステージおよび透明絶縁基板を通して上記被加工層に
レーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工方法。
7. A laser processing method for irradiating a layer to be processed laminated on one surface of a transparent insulating substrate having flexibility with a laser beam to form a pattern on the layer to be processed. A stage made of a transparent material having a curved surface is used, and the stage and the transparent insulating layer are arranged from the back side of the stage in a state where the convex surface of the stage is in contact with the other surface of the transparent insulating substrate. A laser processing method comprising irradiating the layer to be processed with laser light through a substrate.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002540950A (en) * 1999-04-07 2002-12-03 シーメンス ソーラー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Apparatus and method for peeling a thin layer on a carrier material
JP2008114248A (en) * 2006-11-02 2008-05-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam machining method and laser beam machining apparatus
US7655881B2 (en) * 2001-06-15 2010-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device
JP2014513810A (en) * 2011-02-08 2014-06-05 バテル メモリアル インスティチュート Line light source for Raman or other spectroscopy systems
EP2481133A4 (en) * 2009-09-22 2017-08-02 First Solar, Inc System and method for removing coating from an edge of a substrate

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