JPH10303203A - Semiconductor integrated circuit and its mounting method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and its mounting method

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JPH10303203A
JPH10303203A JP11078597A JP11078597A JPH10303203A JP H10303203 A JPH10303203 A JP H10303203A JP 11078597 A JP11078597 A JP 11078597A JP 11078597 A JP11078597 A JP 11078597A JP H10303203 A JPH10303203 A JP H10303203A
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semiconductor integrated
circuit
wiring board
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智 荒井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a parasitic component, for example, the parasitic impedance component of a semiconductor integrated circuit extremely small. SOLUTION: In a semiconductor integrated circuit, second electrode pads 13 and 14 which are electrically connected to the electrode pads of a printed wiring board on a substrate within a region surrounded by a group of first electrode pads 15. Therefore, the second electrode pads 13 and 14 can be provided near an integrated electronic circuit 1 and a parasitic component, for example, the parasitic impedance component caused by the wiring of wires in the substrate can be suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
及びその実装方法に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a method for mounting the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路のサブストレート(基
板)は、通常、半導体チップと称され、周囲環境からの
物理的または化学的な影響を受けることを防止するた
め、樹脂等によりパッケージングされる。(a)に平面
図、(b)に正面図が描かれた図7に示すように、パッ
ケージングされた半導体チップ70上には、電子回路が
形成されており、更に、この電子回路を動作させるため
の電源供給、接地、各種信号の入出力を行うための電極
パッド71が設けられている。絶縁性の樹脂等によって
構成されるパッケージ73からは、導体のリード72が
引き出されて形成され、プリント配線板74上に形成さ
れた電極或いは配線パターンに接続されている。また、
半導体チップ70上の電極パッド71とリード72との
間はボンディングワイヤ75により接続される。
2. Description of the Related Art A substrate (substrate) of a semiconductor integrated circuit is usually called a semiconductor chip, and is packaged with a resin or the like in order to prevent physical or chemical influence from the surrounding environment. . As shown in FIG. 7 in which a plan view is shown in FIG. 7A and a front view is shown in FIG. 7B, an electronic circuit is formed on the packaged semiconductor chip 70, and the electronic circuit is further operated. An electrode pad 71 for supplying power, grounding, and inputting and outputting various signals is provided. A lead 72 of a conductor is drawn out from a package 73 made of an insulating resin or the like, and is connected to an electrode or a wiring pattern formed on a printed wiring board 74. Also,
The electrode pads 71 on the semiconductor chip 70 and the leads 72 are connected by bonding wires 75.

【0003】上記におけるリード72やボンディングワ
イヤ75は、導体により構成されるのであるが、寄生イ
ンダクタンスや寄生抵抗分を有し、特に高周波信号の入
出力に大きな影響を与える。従って、この寄生インダク
タンス成分や寄生抵抗を可能な限り小さくするために、
電極パッド71を半導体チップ70の外周部にできる限
り近付けて形成する必要があり、また、リード72やボ
ンディングワイヤ75の長さをできる限り短くする必要
がある。
The above-described leads 72 and bonding wires 75 are composed of conductors, but have a parasitic inductance and a parasitic resistance, and particularly have a large effect on input and output of high-frequency signals. Therefore, in order to minimize this parasitic inductance component and parasitic resistance,
The electrode pads 71 need to be formed as close as possible to the outer periphery of the semiconductor chip 70, and the lengths of the leads 72 and the bonding wires 75 need to be as short as possible.

【0004】一方、半導体チップ70上に設けられた電
極パッド71にはボンディングワイヤ75が接続される
関係上、電極パッド71はある程度の面積を持たざるを
得ない。現在の技術では、電極パッド71は百ミクロン
角程度の矩形に形成される必要があり、このため、電極
パッド71とサブストレートとの間に寄生容量が生じ
る。
On the other hand, since the bonding wire 75 is connected to the electrode pad 71 provided on the semiconductor chip 70, the electrode pad 71 must have a certain area. In the current technology, the electrode pad 71 needs to be formed in a rectangular shape of about 100 microns square, and therefore, a parasitic capacitance occurs between the electrode pad 71 and the substrate.

【0005】更に、半導体チップ70の内部を詳細に示
した図8に明らかなように、半導体チップ70上の電子
回路76と電極パッド71との間は、配線77、78、
79により接続される。この配線77、78、79につ
いても寄生抵抗分が存在する。特に、半導体チップ70
上の配線は集積回路の集積度が高くなるほど細くなり、
寄生抵抗分が無視できなくなる。更に、半導体チップ7
0の構造と回路レイアウトによっては、図8に示すよう
に、配線に交差部80が生じ、この交差部80において
配線間に寄生容量が発生する。このため、寄生容量を介
して他の配線からの干渉が生じるという問題点が発生す
る。
Further, as apparent from FIG. 8 showing the inside of the semiconductor chip 70 in detail, wirings 77 and 78 are provided between the electronic circuit 76 on the semiconductor chip 70 and the electrode pads 71.
It is connected by 79. The wirings 77, 78, and 79 also have a parasitic resistance. In particular, the semiconductor chip 70
The upper wiring becomes thinner as the degree of integration of the integrated circuit increases,
The parasitic resistance cannot be ignored. Further, the semiconductor chip 7
Depending on the structure of 0 and the circuit layout, as shown in FIG. 8, a crossing 80 occurs in the wiring, and a parasitic capacitance is generated between the wirings at the crossing 80. For this reason, there is a problem that interference from other wirings occurs through the parasitic capacitance.

【0006】図9には、上述したリードやワイヤに生じ
る寄生インダクタンス及び寄生抵抗、電極パッドにより
生じる寄生容量、サブストレート上の配線により生じる
寄生抵抗及び寄生容量を考慮した集積化された電子回路
76の周囲の等価回路が示されている。図示のように、
集積化された電子回路76には、配線間の寄生容量82
が存在し、集積化された電子回路76と信号の入出力部
との間、集積化された電子回路76と電源86との間、
集積化された電子回路76とアースとの間には、入出力
に関する寄生インピーダンス成分81が寄生する。寄生
インピーダンス成分81には、寄生インダクタンス8
4、寄生抵抗83、寄生容量85が含まれている。ここ
に、半導体集積回路やパッケージの構造にもよるが、通
常は、寄生インダクタンス84は数nH、寄生抵抗83
は数百mΩ〜数Ω、寄生容量82、85は数十pF〜数
百pF程度である。
FIG. 9 shows an integrated electronic circuit 76 taking into account the above-mentioned parasitic inductance and parasitic resistance of the leads and wires, the parasitic capacitance of the electrode pads, and the parasitic resistance and parasitic capacitance of the wiring on the substrate. The equivalent circuit around is shown. As shown,
The integrated electronic circuit 76 has a parasitic capacitance 82 between wirings.
Is present, between the integrated electronic circuit 76 and the signal input / output unit, between the integrated electronic circuit 76 and the power supply 86,
A parasitic impedance component 81 relating to input and output is parasitic between the integrated electronic circuit 76 and the ground. The parasitic impedance component 81 includes a parasitic inductance 8
4, a parasitic resistance 83, and a parasitic capacitance 85. Here, although it depends on the structure of the semiconductor integrated circuit and the package, the parasitic inductance 84 is usually several nH and the parasitic resistance 83
Is several hundred mΩ to several Ω, and the parasitic capacitances 82 and 85 are several tens pF to several hundred pF.

【0007】上記のように半導体チップは樹脂等により
パッケージングする以外に、フリップチップボンディン
グと称される手法によりプリント配線板に実装される。
例えば、図10に示されるように、半導体チップ70は
半田等の材料により構成されるバンプ91によって多層
プリント配線板90に実装される。多層プリント配線板
90は、外層に配線パターン94等の導電部を有し、内
層に配線パターン95、96を有する。また、バンプ9
1によって接続されるべき電極パッド71に対向する部
分からは配線パターン95に接続するバイヤ・ホール
(via hole)92、93が延びている。半導体チップ7
0については、その電極パッド71にバンプ91が接着
された状態で、バンプ91とバイヤ・ホール92、93
に対応する電極パッド71の位置合わせがなされる。そ
して、半導体チップ70は、図11に示されるように多
層プリント配線板90上あるいは図10に示されるよう
に多層プリント配線板90に設けられた半導体チップ7
0よりも大きい穴部に載置され、圧力と熱とが加えられ
接着が図られる。
As described above, a semiconductor chip is mounted on a printed wiring board by a method called flip-chip bonding, in addition to packaging with a resin or the like.
For example, as shown in FIG. 10, a semiconductor chip 70 is mounted on a multilayer printed wiring board 90 by bumps 91 made of a material such as solder. The multilayer printed wiring board 90 has a conductive portion such as a wiring pattern 94 on an outer layer, and has wiring patterns 95 and 96 on an inner layer. Also, bump 9
Via holes 92 and 93 connected to the wiring pattern 95 extend from a portion opposite to the electrode pad 71 to be connected by 1. Semiconductor chip 7
In the case of No. 0, the bump 91 and the via holes 92, 93 are formed in a state where the bump 91 is bonded to the electrode pad 71.
Of the electrode pad 71 corresponding to. The semiconductor chip 70 is mounted on the multilayer printed wiring board 90 as shown in FIG. 11 or the semiconductor chip 7 provided on the multilayer printed wiring board 90 as shown in FIG.
It is placed in a hole larger than 0, and pressure and heat are applied to achieve bonding.

【0008】更に、多層プリント配線板90と半導体チ
ップ70との接続の要部が示される図11のように、バ
ンプ91により多層プリント配線板90と接続された半
導体チップ70を樹脂97にて覆い固化させて固定す
る。この図11において、(a)は半導体チップ70の
平面図であり、(b)は多層プリント配線板90と半導
体チップ70との接続の要部を示している。
Further, as shown in FIG. 11 showing a main part of the connection between the multilayer printed wiring board 90 and the semiconductor chip 70, the semiconductor chip 70 connected to the multilayer printed wiring board 90 by bumps 91 is covered with a resin 97. Allow to solidify and fix. 11A is a plan view of the semiconductor chip 70, and FIG. 11B shows a main part of the connection between the multilayer printed wiring board 90 and the semiconductor chip 70.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上のようにフリップ
チップボンディングの手法によると、リードを用いない
ために、このリードに関する寄生インピーダンス成分を
除去することができるが、半導体チップ70内に寄生イ
ンピーダンス成分が相変わらず存在し、回路特性に影響
を及ぼすという問題点がある。
As described above, according to the flip-chip bonding method, since no lead is used, the parasitic impedance component related to the lead can be removed. Is still present, and has a problem that circuit characteristics are affected.

【0010】更に、半導体チップ70を樹脂97で覆う
ため、樹脂97が半固体の状態のときに、図12に示さ
れるように、樹脂97が半導体チップ70と多層プリン
ト配線板90との間に入り込み、半導体チップ70を持
ち上げてバンプ91による電気的接続を疎外するという
問題点があった。
Furthermore, since the semiconductor chip 70 is covered with the resin 97, when the resin 97 is in a semi-solid state, the resin 97 is placed between the semiconductor chip 70 and the multilayer printed wiring board 90 as shown in FIG. There is a problem that the semiconductor chip 70 is lifted up and the electrical connection by the bumps 91 is alienated.

【0011】本発明は上記のような半導体集積回路及び
それを実装する場合の問題点を解決せんとしてなされた
もので、その目的は、電源線、接地線、信号線における
寄生成分、例えば、インピーダンス成分を極めて少なく
することのできる半導体集積回路を提供することであ
る。また、他の目的は、実装した場合にも寄生インピー
ダンス成分が少なく、しかも、安定的にプリント配線板
に接続することができる半導体集積回路の実装方法を提
供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems of a semiconductor integrated circuit and its mounting, and it is an object of the present invention to provide a power supply line, a ground line, a parasitic component in a signal line, for example, an impedance An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit whose components can be extremely reduced. Another object of the present invention is to provide a method of mounting a semiconductor integrated circuit which has a small parasitic impedance component even when mounted, and can be stably connected to a printed wiring board.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体集積回路は、集積化された電子回路が形成され
る第1の回路面を有する基板と、この基板の周縁部に設
けられる第1の電極の群とを有する半導体集積回路にお
いて、前記第1の電極の群と同じ面であって、かつ当該
第1の電極よりも中心部側に、プリント配線板の電極に
対し電気的接続を得るための第2の電極が設けられてい
ることを特徴とする。これによって、電極を集積化され
た電子回路の近傍に設けることが可能となり、基板内に
おける配線の引き回しによる寄生成分を抑制することが
できる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising: a substrate having a first circuit surface on which an integrated electronic circuit is formed; and a peripheral portion of the substrate. A first electrode group provided on the same surface as the first electrode group and on the center side of the first electrode with respect to the electrode of the printed wiring board. A second electrode for obtaining electrical connection is provided. As a result, the electrodes can be provided in the vicinity of the integrated electronic circuit, and a parasitic component due to wiring routing in the substrate can be suppressed.

【0013】本発明の請求項6に記載の半導体集積回路
の実装方法は、集積化された電子回路が形成される第1
の回路面を有する基板と、該基板の周縁部に設けられる
第1の電極の群とを有し、前記第1の電極の群と同じ面
であって、かつ前記第1電極よりも中心部側に、プリン
ト配線板の電極に対し電気的接続を得るための第2の電
極が設けられている半導体集積回路を、多層プリント配
線板に対して、前記第1の電極及び第2の電極が設けら
れた面を対向させて実装し、前記第1の電極の群の電極
を前記多層プリント配線板の第1の外層導電部と内層に
接続し、前記第2の電極を前記多層プリント配線板の第
2の外層導電部に接続することを特徴とする。これによ
り、電極を集積化された電子回路の近傍に設けることが
可能な半導体集積回路を用いた実装がなされ、基板内に
おける配線の引き回しによる寄生成分が抑制されている
ことから、全体としても寄生成分を抑制することができ
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for mounting a semiconductor integrated circuit, comprising the steps of:
And a first electrode group provided on a peripheral portion of the substrate, the same surface as the first electrode group, and a central portion more than the first electrode. On the side, a semiconductor integrated circuit provided with a second electrode for obtaining electrical connection to an electrode of a printed wiring board is provided, and the first electrode and the second electrode are provided on a multilayer printed wiring board. The electrodes provided in the first electrode group are connected to a first outer conductive portion and an inner layer of the multilayer printed wiring board, and the second electrodes are connected to the multilayer printed wiring board. Characterized by being connected to the second outer conductive portion. As a result, mounting is performed using a semiconductor integrated circuit in which electrodes can be provided in the vicinity of the integrated electronic circuit, and parasitic components due to wiring routing in the substrate are suppressed. Components can be suppressed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して本発明の
実施の形態に係る半導体集積回路及びその実装方法を説
明する。各図において、同一の構成要素には同一の符号
を付するものとする。図1には、本実施の形態に係る半
導体集積回路の半導体チップ20が示されている。この
例に係る半導体チップ20では、5つの電子回路(集積
回路)1〜5が形成されている。電子回路1〜5のそれ
ぞれについては、基本的に同一の構成であるので、電子
回路1に関して説明する。電子回路1の一端側には、当
該電子回路1に対し接地電位を与えるための接地回路領
域6が形成されており、また、電子回路1の他端側に
は、当該電子回路1に対し電源を与えるための電源回路
領域7が形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention and a method for mounting the same will be described below with reference to the accompanying drawings. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals. FIG. 1 shows a semiconductor chip 20 of a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment. In the semiconductor chip 20 according to this example, five electronic circuits (integrated circuits) 1 to 5 are formed. Since each of the electronic circuits 1 to 5 has basically the same configuration, the electronic circuit 1 will be described. On one end of the electronic circuit 1, a ground circuit region 6 for applying a ground potential to the electronic circuit 1 is formed, and on the other end of the electronic circuit 1, a power supply to the electronic circuit 1 is provided. Power supply circuit region 7 for providing

【0015】上記のように、電子回路1と接地回路領域
6と電源回路領域7とが1対とされて形成された基板
(以下、サブストレートという)である半導体チップ2
0の回路面の周縁部には電子回路と接地回路領域と電源
回路領域にそれぞれ接続されるべき第1の電極パッド
(第1の電極)15による電極群が設けられている。そ
して、本発明においては、これらの第1の電極パッド1
5による電極群と同じ面であって、かつこの第1の電極
パッド15より内側に、プリント配線板の電極パッドに
対し電気的接続を得るための第2の電極パッド(13、
14)が設けられる。つまり、第1の電極パッド15に
より囲まれた部分に、プリント配線板の電極パッドに対
し電気的接続を得るための第2の電極パッド(13、1
4)が設けられる。
As described above, the semiconductor chip 2 which is a substrate (hereinafter, referred to as a substrate) in which the electronic circuit 1, the ground circuit region 6, and the power supply circuit region 7 are formed as a pair.
At the periphery of the circuit surface of No. 0, an electrode group including first electrode pads (first electrodes) 15 to be connected to the electronic circuit, the ground circuit area, and the power supply circuit area, respectively, is provided. In the present invention, these first electrode pads 1
5 and a second electrode pad (13, 13) for obtaining an electrical connection to the electrode pad of the printed wiring board, inside the first electrode pad 15.
14) is provided. In other words, the second electrode pad (13, 1) for obtaining electrical connection to the electrode pad of the printed wiring board is provided in a portion surrounded by the first electrode pad 15.
4) is provided.

【0016】電子回路1に係る部分について説明する
と、本実施の形態では、接地回路領域6に第2の電極パ
ッド14が設けられ、電源回路領域7に第2の電極パッ
ド13が設けられている。電子回路1以外の電子回路2
〜5においても同様に、接地回路領域に第2の電極パッ
ドが設けられ、電源回路領域に第2の電極パッドが設け
られている。
In the present embodiment, a second electrode pad 14 is provided in the ground circuit area 6 and a second electrode pad 13 is provided in the power supply circuit area 7 in the present embodiment. . Electronic circuit 2 other than electronic circuit 1
Similarly, in Nos. 1 to 5, the second electrode pad is provided in the ground circuit area, and the second electrode pad is provided in the power supply circuit area.

【0017】更に電子回路1に係る部分について説明す
ると、電子回路1からは、信号線8、9、10を介して
第1の電極パッド15への接続がなされている。電子回
路1と所要の電子回路4、5との間は、それぞれ信号線
11、12を介して相互に接続されている。電子回路1
以外の電子回路2〜5においても電子回路1と同様に、
第1の電極パッド15及び他の所要電子回路と信号線を
介して接続される。なお、上記第1の電極パッド15、
第2の電極パッド13、14を除いて、これらの電極パ
ッド及び電子回路1〜5等が設けられている面はレジス
トにより絶縁されている。
Further, a part related to the electronic circuit 1 will be described. The electronic circuit 1 is connected to the first electrode pad 15 through signal lines 8, 9, and 10. The electronic circuit 1 and the required electronic circuits 4 and 5 are interconnected via signal lines 11 and 12, respectively. Electronic circuit 1
In the electronic circuits 2 to 5 other than the above, similarly to the electronic circuit 1,
It is connected to the first electrode pad 15 and other necessary electronic circuits via signal lines. Note that the first electrode pad 15,
Except for the second electrode pads 13 and 14, the surfaces on which these electrode pads and the electronic circuits 1 to 5 are provided are insulated by resist.

【0018】以上の通り、本実施の形態では、接地回路
領域に第2の電極パッドが設けられ、電源回路領域に第
2の電極パッドが設けられ、これら接地回路領域や電源
回路領域からサブストレートの周縁部に設けられている
第1の電極パッド15に対する信号線が除去されてい
る。このため、信号線による寄生インピーダンス成分、
つまり、寄生抵抗、寄生インダクタンスを減少させるこ
とができる。更に、第1の電極パッド15に対する信号
線の接続が減少したことにより、信号線同志が交差する
ことを無くすか減少させることが可能であり、この結
果、交差の部分における寄生容量の発生を防止できる。
As described above, in the present embodiment, the second electrode pad is provided in the ground circuit area and the second electrode pad is provided in the power supply circuit area. A signal line for the first electrode pad 15 provided on the peripheral portion of the first electrode pad is removed. Therefore, the parasitic impedance component due to the signal line,
That is, the parasitic resistance and the parasitic inductance can be reduced. Further, since the number of connection of the signal lines to the first electrode pad 15 is reduced, it is possible to eliminate or reduce the intersection of the signal lines, and as a result, to prevent the occurrence of the parasitic capacitance at the intersection. it can.

【0019】次に、図2を参照して半導体集積回路の実
装方法を説明する。この例においては、半導体チップ2
0を多層プリント配線板22に対して実装する場合を示
す。多層プリント配線板22は、部品面(外層)に配線
パターン(導電部)23が形成されると共に、内層の配
線パターン(導電部)24と接続されるバイヤ・ホール
(via hole)27、28が形成され、更に、内層の配線
パターン(導電部)25と接続されるバイヤ・ホール2
9が形成されている。部品面における上記バイヤ・ホー
ル27〜29の位置(ランド等)及び、配線パターン2
3の端部23Aは、半導体チップ20の第1の電極パッ
ド15及び第2の電極パッド13、14に対応した位置
にあり、導電部を構成する。
Next, a method for mounting a semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG. In this example, the semiconductor chip 2
0 is mounted on the multilayer printed wiring board 22. In the multilayer printed wiring board 22, a wiring pattern (conductive portion) 23 is formed on the component surface (outer layer), and via holes (via holes) 27, 28 connected to an inner layer wiring pattern (conductive portion) 24 are formed. The via hole 2 formed and further connected to the wiring pattern (conductive portion) 25 in the inner layer
9 are formed. Positions (lands and the like) of the via holes 27 to 29 on the component surface and wiring pattern 2
The third end 23A is located at a position corresponding to the first electrode pad 15 and the second electrode pads 13 and 14 of the semiconductor chip 20, and forms a conductive portion.

【0020】上記の半導体チップ20の第1の電極パッ
ド15及び第2の電極パッド13、14には、例えば、
電極パッドの面を上向きにして転写等の手法によりバン
プ21が接着される。このバンプ21が接着された半導
体チップ20を反転させて、バンプ21及び電極パッド
の面を下向きにして、バンプ21とバイヤ・ホール27
〜29等の位置合わせして多層プリント配線板22に載
置し、実装装置によりバンプ21とバイヤ・ホール27
〜29等の間の接続を行う。斯して、半導体チップ20
の所要電極パッドはバンプ21を介して多層プリント配
線板22のバイヤ・ホール27〜29等と電気的に接続
される。
The first electrode pad 15 and the second electrode pads 13 and 14 of the semiconductor chip 20 are, for example,
The bump 21 is bonded by a method such as transfer with the surface of the electrode pad facing upward. The semiconductor chip 20 to which the bumps 21 are adhered is turned over so that the surfaces of the bumps 21 and the electrode pads face downward, and the bumps 21 and the via holes 27 are turned down.
To 29, etc., are mounted on the multilayer printed wiring board 22, and the bumps 21 and the via holes 27 are
The connection between の 29 and so on is made. Thus, the semiconductor chip 20
Are electrically connected to the via holes 27 to 29 of the multilayer printed wiring board 22 via the bumps 21.

【0021】他の実装方法を図3、図4、図5を参照し
て説明する。この実装方法においては、多層プリント配
線板30に、半導体チップ20を実装するための穴部3
3を穿設する。穴部33は、半導体チップ20を埋設す
るときに途中で保持するための傾斜壁34を有する。即
ち、図5(a)、(b)に示すように、半導体チップ2
0の平面形状が例えば正方形であり、一辺がl1である
とすると、多層プリント配線板30に穿設された穴部3
3は入口部で一辺がl2であり、底部で一辺がl3であ
る。ここに、l2>l1>l3の大小関係に設定されて
いるため、半導体チップ20を穴部33に実装するとき
に、入れ易くなっており、また、傾斜壁34により半導
体チップ20を保持し、位置を固定することができる。
Another mounting method will be described with reference to FIGS. 3, 4, and 5. FIG. In this mounting method, the hole 3 for mounting the semiconductor chip 20 on the multilayer printed wiring board 30 is formed.
Drill 3 The hole 33 has an inclined wall 34 for holding the semiconductor chip 20 halfway when the semiconductor chip 20 is embedded. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, the semiconductor chip 2
Assuming that the plane shape of the reference numeral 0 is, for example, a square and one side is l1, the hole 3 formed in the multilayer printed wiring board 30
Numeral 3 is 12 at the entrance and one side at the bottom and one side at the bottom. Here, since the magnitude relation of l2>l1> l3 is set, it is easy to insert the semiconductor chip 20 when mounting the semiconductor chip 20 in the hole 33, and the semiconductor chip 20 is held by the inclined wall 34. The position can be fixed.

【0022】図4に示されるように、穴部33の底部に
は、半導体チップ20の第1の電極パッド15及び第2
の電極パッド13、14に対応する電極パッド32が設
けられている。電極パッド32中の所要の電極パッドか
らは、配線パターン31が延びている。また、多層プリ
ント配線板30の部品面には、外層の配線パターン35
が形成されている。更に、内層にも配線パターン36が
形成されている。各配線パターン35、36は、所要の
配線パターン間に設けられるバイヤ・ホール37によっ
て接続されている。
As shown in FIG. 4, the first electrode pad 15 of the semiconductor chip 20 and the second
The electrode pads 32 corresponding to the electrode pads 13 and 14 are provided. A wiring pattern 31 extends from a required electrode pad in the electrode pad 32. Further, on the component surface of the multilayer printed wiring board 30, an external wiring pattern 35 is provided.
Are formed. Further, a wiring pattern 36 is also formed on the inner layer. The wiring patterns 35 and 36 are connected by via holes 37 provided between required wiring patterns.

【0023】上記の半導体チップ20の第1の電極パッ
ド15及び第2の電極パッド13、14には、例えば、
電極パッドの面を上向きにして転写等の手法によりバン
プ21が接着される。このバンプ21が接着された半導
体チップ20を反転させて、バンプ21及び電極パッド
の面を下向きにして、バンプ21と電極パッド32とを
位置合わせして穴部33に入れ、実装装置によりバンプ
21と電極パッド32の間の接続を行う。斯して、半導
体チップ20の所要電極パッドはバンプ21を介して多
層プリント配線板30の電極パッド32と電気的に接続
される。そして、図5に示されるように、樹脂38によ
り被覆されるが、半導体チップ20の下側面の周縁部が
傾斜壁34に当接し、半導体チップ20が保持される。
また、半導体チップ20自身で、バンプ21による多層
プリント配線板30に設けられた電極パッド32との接
合面を密閉することができ、樹脂38が底面側に回り込
むことを防止できる。
The first electrode pad 15 and the second electrode pads 13 and 14 of the semiconductor chip 20 have, for example,
The bump 21 is bonded by a method such as transfer with the surface of the electrode pad facing upward. The semiconductor chip 20 to which the bumps 21 are adhered is turned over, and the bumps 21 and the electrode pads 32 are positioned in the holes 33 with the surfaces of the bumps 21 and the electrode pads facing downward. The connection between the electrode pad 32 is made. Thus, the required electrode pads of the semiconductor chip 20 are electrically connected to the electrode pads 32 of the multilayer printed wiring board 30 via the bumps 21. Then, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 20 is held by the resin 38, but the lower peripheral surface of the semiconductor chip 20 abuts against the inclined wall 34 to hold the semiconductor chip 20.
Further, the bonding surface of the semiconductor chip 20 itself with the electrode pad 32 provided on the multilayer printed wiring board 30 by the bump 21 can be sealed, and the resin 38 can be prevented from sneaking to the bottom side.

【0024】図5(b)に示されるように、穴部33の
深さはd1であり、半導体チップ20が傾斜壁34にお
いて止まった状態で、半導体チップ20から穴部20の
底面までの距離がd2であるとすると、バンプ21の高
さはd2以上とする必要がある。なお、傾斜壁34に、
図5(c)に示されるように、穴部33の底面から距離
d2の位置に段部39を形成し、この段部39の上に半
導体チップ20の下側面の周縁部が載置されるように構
成すると、半導体チップ20をより正確な位置に保持す
ることができる上に、密閉性も高まり樹脂38の回り込
みを防止する効果が向上する。図5においては、穴部3
3の四方の傾斜壁34の傾斜度が同一である。このと
き、l1、l2、l3、d1、d2の関係は、d2=d
1(l1−l3)/(l2−l3)となり、半導体チッ
プ20はd2の高さに止まることになる。
As shown in FIG. 5B, the depth of the hole 33 is d1, and the distance from the semiconductor chip 20 to the bottom surface of the hole 20 in a state where the semiconductor chip 20 is stopped on the inclined wall 34. Is d2, the height of the bump 21 needs to be d2 or more. In addition, on the inclined wall 34,
As shown in FIG. 5C, a step 39 is formed at a distance d2 from the bottom surface of the hole 33, and the peripheral portion of the lower surface of the semiconductor chip 20 is placed on the step 39. With such a configuration, the semiconductor chip 20 can be held at a more accurate position, the sealing property is improved, and the effect of preventing the resin 38 from wrapping around is improved. In FIG. 5, the hole 3
The inclination angles of the three inclined walls 34 are the same. At this time, the relation among l1, l2, l3, d1, and d2 is d2 = d
1 (l1-l3) / (l2-l3), and the semiconductor chip 20 stops at the height of d2.

【0025】多層プリント基板30の所要の内層の配線
パターン36の間に、図4に示されるような誘電体40
を挟み込み固定することにより、当該配線パターン36
間に所望の容量素子を配置することができる。更に、半
導体チップ20を実装した面とは反対側の部品面に形成
された電極パッド41にチップ部品42を半田付けして
実装することも可能である。
A dielectric 40 as shown in FIG. 4 is provided between wiring patterns 36 of a required inner layer of the multilayer printed circuit board 30.
To fix the wiring pattern 36
A desired capacitance element can be arranged therebetween. Further, it is also possible to mount the chip component 42 by soldering to the electrode pad 41 formed on the component surface opposite to the surface on which the semiconductor chip 20 is mounted.

【0026】次に、図6を参照して他の実施の形態に係
る半導体チップ60及びその実装方法を説明する。この
半導体チップ60において、バンプ21に接触する第1
の電極パッドや第2の電極パッドが設けられている面の
構成は、図1に示す構成と同様である。この第1の電極
パッドや第2の電極パッドが設けられた面と反対側の面
全体が接地電極面61となっている。
Next, a semiconductor chip 60 according to another embodiment and a mounting method thereof will be described with reference to FIG. In this semiconductor chip 60, the first
The configuration of the surface on which the electrode pads and the second electrode pads are provided is the same as the configuration shown in FIG. The entire surface opposite to the surface on which the first and second electrode pads are provided is a ground electrode surface 61.

【0027】上記半導体チップ60は、内層の配線パタ
ーン51が形成された多層プリント配線板50に穿設さ
れた穴部52に実装される。この穴部52の大きさと半
導体チップ60の大きさの関係は、図5により説明した
ようであり、半導体チップ60は穴部52の傾斜壁53
の途中で保持される。半導体チップ60はバンプ21を
介して多層プリント配線板50に設けられた電極パッド
に接続される。そして、本実施の形態では、半導体チッ
プ60の接地電極面61と配線パターン54との間を接
続して当該接地電極面61上を内層の配線パターン54
で覆い、半導体チップ60を保護する。係る構造によ
り、半導体チップ60に対し適切に接地電位を供給可能
であると共に、半導体チップ60の保護を図ることがで
きる。なお、この実施の形態においては、接地電極面6
1を直接に配線パターン54で被覆したが、当該接地電
極面61側を導電性樹脂で覆い、更にこの導電性樹脂を
配線パターン54で被覆する構造としても、本実施の形
態と同様に半導体チップ60に対し適切に接地電位を供
給可能であると共に、半導体チップ60の保護を図るこ
とができる。
The semiconductor chip 60 is mounted in a hole 52 formed in a multilayer printed wiring board 50 in which an inner wiring pattern 51 is formed. The relationship between the size of the hole 52 and the size of the semiconductor chip 60 is as described with reference to FIG.
Is held in the middle of The semiconductor chip 60 is connected via bumps 21 to electrode pads provided on the multilayer printed wiring board 50. In the present embodiment, the ground electrode surface 61 of the semiconductor chip 60 is connected to the wiring pattern 54 so that the wiring pattern 54 of the inner layer is formed on the ground electrode surface 61.
To protect the semiconductor chip 60. With such a structure, the ground potential can be appropriately supplied to the semiconductor chip 60, and the semiconductor chip 60 can be protected. In this embodiment, the ground electrode surface 6
Although the semiconductor chip 1 is directly covered with the wiring pattern 54, a structure in which the ground electrode surface 61 side is covered with a conductive resin and the conductive resin is further covered with the wiring pattern 54 is the same as in the present embodiment. The ground potential can be appropriately supplied to the semiconductor chip 60 and the semiconductor chip 60 can be protected.

【0028】なお、上記各実施の形態に係る半導体チッ
プにおいては、図1に示されるように、第1の電極パッ
ド15に対し電子回路1から信号線を延ばす構成とした
が、電子回路の中に第2の電極を設けて電子回路の信号
の送受を可能とする構造としても良い。係る構造とする
と、電子回路が送受する信号に対する寄生成分、例え
ば、寄生インピーダンス成分の影響を防止できる。
In the semiconductor chip according to each of the above embodiments, the signal line is extended from the electronic circuit 1 to the first electrode pad 15 as shown in FIG. A second electrode may be provided to enable transmission and reception of signals of the electronic circuit. With such a structure, the influence of a parasitic component, for example, a parasitic impedance component on a signal transmitted and received by the electronic circuit can be prevented.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように請求項1に記載の半
導体集積回路によれば、集積化された電子回路が形成さ
れる第1の回路面を有する基板の周縁部に設けられる第
1の電極の群と同じ面であって、かつ当該第1の電極よ
りも中心部側に、プリント配線板の電極に対し電気的接
続を得るための第2の電極が設けられているので、電極
を集積化された電子回路の近傍に設けることが可能とな
り、基板内における配線の引き回しによる寄生成分、例
えば、寄生インピーダンス成分を抑制することができ
る。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the first aspect, the first circuit provided on the periphery of the substrate having the first circuit surface on which the integrated electronic circuit is formed. The second electrode for obtaining electrical connection to the electrode of the printed wiring board is provided on the same surface as the group of electrodes and closer to the center than the first electrode. This can be provided near the integrated electronic circuit, and a parasitic component, for example, a parasitic impedance component due to wiring routing in the substrate can be suppressed.

【0030】以上説明したように請求項2に記載の半導
体集積回路によれば、第2の電極が、電子回路に隣接
し、この電子回路に電源を供給するための電源回路領域
内に設けられているので、電源回路領域に第2の電極を
設けて寄生成分、例えば、寄生インピーダンス成分の抑
制を図ることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the second aspect, the second electrode is provided adjacent to the electronic circuit and in the power supply circuit area for supplying power to the electronic circuit. Therefore, the second electrode can be provided in the power supply circuit region to suppress a parasitic component, for example, a parasitic impedance component.

【0031】以上説明したように請求項3に記載の半導
体集積回路によれば、第2の電極が、電子回路に隣接
し、この電子回路を接地するための接地回路領域内に設
けられているので、接地回路領域に第2の電極を設けて
寄生成分、例えば、寄生インピーダンス成分の抑制を図
ることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the third aspect, the second electrode is provided adjacent to the electronic circuit and in the ground circuit area for grounding the electronic circuit. Therefore, by providing the second electrode in the ground circuit region, it is possible to suppress a parasitic component, for example, a parasitic impedance component.

【0032】以上説明したように請求項4に記載の半導
体集積回路によれば、第1の電極及び第2の電極が設け
られた第1の回路面の裏側の第2の面が接地電極となっ
ているので、第1の電極及び第2の電極が設けられた第
1の回路面の裏側の第2の面を接地させることができ、
適切に接地電位を供給することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the fourth aspect, the second surface behind the first circuit surface provided with the first electrode and the second electrode is connected to the ground electrode. Therefore, the second surface on the back side of the first circuit surface provided with the first electrode and the second electrode can be grounded,
An appropriate ground potential can be supplied.

【0033】以上説明したように請求項5に記載の半導
体集積回路の実装方法によれば、第2の電極が、電子回
路に隣接し、この電子回路に交流信号または直流信号も
しくはその両方を入力あるいは出力する信号線に接続さ
れているので、第2の電極により、プリント配線板の電
極と接続を得るばかりでなく、隣接する電子回路との接
続を得るようにでき、回路設計を容易にする。
As described above, according to the method of mounting a semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect, the second electrode is adjacent to the electronic circuit, and inputs an AC signal and / or a DC signal to the electronic circuit. Alternatively, since it is connected to the signal line to be output, the second electrode can not only obtain a connection with the electrode of the printed wiring board but also obtain a connection with an adjacent electronic circuit, thereby facilitating circuit design. .

【0034】以上説明したように請求項6に記載の半導
体集積回路の実装方法によれば、集積化された電子回路
が形成される第1の回路面を有する基板の周縁部に設け
られる第1の電極の群と同じ面であって、かつ前記第1
の電極よりも中心部側に、プリント配線板の電極に対し
電気的接続を得るための第2の電極が設けられている半
導体集積回路を用い、これを、多層プリント配線板に対
して、前記第1の電極及び第2の電極が設けられた面を
対向させて実装し、前記第1の電極の群の電極を前記多
層プリント配線板の外層導電部と内層に接続し、前記第
2の電極を前記多層プリント配線板の第2の外層導電部
に接続するので、電極が集積化された電子回路の近傍に
設けることが可能な半導体集積回路を用いた実装がなさ
れ、基板内における配線の引き回しによる寄生成分が抑
制されていることから、全体としても寄生成分を抑制す
ることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit mounting method of the sixth aspect, the first circuit provided on the peripheral portion of the substrate having the first circuit surface on which the integrated electronic circuit is formed. The same surface as the group of electrodes of
A semiconductor integrated circuit provided with a second electrode for obtaining electrical connection to the electrode of the printed wiring board on the center side of the electrode is used. The first electrode and the second electrode are provided so that the surfaces on which the first electrode and the second electrode are provided face each other, and the electrodes of the first electrode group are connected to an outer conductive portion and an inner layer of the multilayer printed wiring board; Since the electrodes are connected to the second outer layer conductive portion of the multilayer printed wiring board, mounting using a semiconductor integrated circuit that can be provided in the vicinity of an electronic circuit in which the electrodes are integrated is performed. Since the parasitic component due to the routing is suppressed, the parasitic component can be suppressed as a whole.

【0035】以上説明したように請求項7に記載の半導
体集積回路の実装方法によれば、多層プリント配線板
に、半導体集積回路を埋設するときに前記半導体集積回
路を保持する傾斜壁を有する穴部を形成し、この穴部に
露出する前記多層プリント配線板の導電部に対しバンプ
を介して、前記半導体集積回路の電極を接合するので、
半導体集積回路を穴部に埋設するときに傾斜壁の途中で
保持され、半導体集積回路が蓋となることから、樹脂に
て半導体集積回路を覆うときに多層プリント配線板の間
に樹脂が入り込むのを防止することができる。
As described above, according to the method of mounting a semiconductor integrated circuit according to claim 7, a hole having an inclined wall for holding the semiconductor integrated circuit when the semiconductor integrated circuit is embedded in the multilayer printed wiring board. Forming a portion and bonding the electrode of the semiconductor integrated circuit to the conductive portion of the multilayer printed wiring board exposed to the hole via a bump.
When the semiconductor integrated circuit is buried in the hole, it is held in the middle of the inclined wall, and since the semiconductor integrated circuit serves as a lid, the resin is prevented from entering between the multilayer printed wiring boards when covering the semiconductor integrated circuit with the resin. can do.

【0036】以上説明したように請求項8に記載の半導
体集積回路の実装方法によれば、傾斜壁の途中には、半
導体集積回路の底部を止め受けるための段部が形成され
ているので、半導体集積回路を穴部に埋設するときに傾
斜壁の途中で適切に保持することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit mounting method of the eighth aspect, the step for receiving the bottom of the semiconductor integrated circuit is formed in the middle of the inclined wall. When the semiconductor integrated circuit is embedded in the hole, the semiconductor integrated circuit can be appropriately held in the middle of the inclined wall.

【0037】以上説明したように請求項9に記載の半導
体集積回路の実装方法によれば、半導体が保持される位
置における半導体の底部から、穴部の底面までの距離
が、バンプの高さ以下にされているので、半導体集積回
路が穴部の途中で保持されたときに、バンプを押し付け
て適切な電気的接続を得ることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit mounting method of the ninth aspect, the distance from the bottom of the semiconductor at the position where the semiconductor is held to the bottom of the hole is equal to or less than the height of the bump. Therefore, when the semiconductor integrated circuit is held in the middle of the hole, the bump can be pressed to obtain an appropriate electrical connection.

【0038】以上説明したように請求項10に記載の半
導体集積回路の実装方法によれば、半導体集積回路が穴
部に入れられた状態で、当該穴部が封止されるので、穴
部内において半導体集積回路を適切に固定し保護するこ
とができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit mounting method of the present invention, the hole is sealed in a state where the semiconductor integrated circuit is inserted into the hole, so that the inside of the hole is sealed. The semiconductor integrated circuit can be appropriately fixed and protected.

【0039】以上説明したように請求項11に記載の半
導体集積回路の実装方法によれば、半導体集積回路の第
1の電極及び第2の電極が設けられた面の裏面側は接地
電極となっており、導電性を有する樹脂によって前記接
地電極を覆って穴部を封止し、前記樹脂により多層プリ
ント配線板の外層導電部と内層導電部中の所要の導電部
に接続するので、穴部内において半導体集積回路を適切
に固定し、半導体集積回路の第1の電極及び第2の電極
が設けられた面の裏面側を接地させることができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit mounting method of the eleventh aspect, the back surface side of the surface of the semiconductor integrated circuit on which the first electrode and the second electrode are provided becomes the ground electrode. Since the hole is sealed by covering the ground electrode with a conductive resin, and the resin is used to connect to a required conductive part in the outer conductive part and the inner conductive part of the multilayer printed wiring board, In the above, the semiconductor integrated circuit can be appropriately fixed, and the back surface side of the surface of the semiconductor integrated circuit on which the first electrode and the second electrode are provided can be grounded.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の平
面構造を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a planar structure of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の実
装状態を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a mounting state of the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention;

【図3】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の実
装方法を説明するための図。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of mounting the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の実
装方法を説明するための図。
FIG. 4 is a diagram illustrating a method for mounting the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の実
装方法を説明するための図。
FIG. 5 is a diagram illustrating a method for mounting the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の実
装方法を説明するための図。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method of mounting the semiconductor integrated circuit according to the embodiment of the present invention.

【図7】従来の半導体集積回路の実装方法を説明するた
めの図。
FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional method for mounting a semiconductor integrated circuit.

【図8】従来の半導体集積回路の平面構成図。FIG. 8 is a plan view of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図9】従来の半導体集積回路の寄生インピーダンス成
分の等価回路。
FIG. 9 is an equivalent circuit of a parasitic impedance component of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図10】従来の半導体集積回路の実装方法を説明する
ための図。
FIG. 10 is a diagram illustrating a conventional method for mounting a semiconductor integrated circuit.

【図11】従来の半導体集積回路の実装方法を説明する
ための図。
FIG. 11 is a diagram for explaining a conventional method for mounting a semiconductor integrated circuit.

【図12】従来の半導体集積回路の実装方法を説明する
ための図。
FIG. 12 is a diagram illustrating a conventional method for mounting a semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜5 電子回路 6 接地
回路領域 7 電源回路領域 8〜12
信号線 13、14 第2の電極パッド 15 第
1の電極パッド 20、60 半導体チップ 21バン
プ 22、30、50 多層プリント配線板 33、5
2 穴部 34、53 傾斜壁
1-5 Electronic circuit 6 Ground circuit area 7 Power supply circuit area 8-12
Signal line 13, 14 Second electrode pad 15 First electrode pad 20, 60 Semiconductor chip 21 Bump 22, 30, 50 Multilayer printed wiring board 33, 5
2 holes 34, 53 Inclined wall

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積化された電子回路が形成される第1
の回路面を有する基板と、この基板の周縁部に設けられ
る第1の電極の群とを有する半導体集積回路において、 前記第1の電極の群と同じ面であって、かつ当該第1の
電極よりも中心部側に、プリント配線板の電極に対し電
気的接続を得るための第2の電極が設けられていること
を特徴とする半導体集積回路。
1. A first device on which an integrated electronic circuit is formed.
A semiconductor integrated circuit having a substrate having a circuit surface of (i) and a first electrode group provided on a peripheral portion of the substrate, wherein the first electrode is on the same surface as the first electrode group. A semiconductor integrated circuit, wherein a second electrode for obtaining electrical connection to an electrode of the printed wiring board is provided closer to the center of the semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 第2の電極は、電子回路に隣接し、この
電子回路に電源を供給するための電源回路領域内に設け
られることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回
路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the second electrode is provided adjacent to the electronic circuit and provided in a power supply circuit region for supplying power to the electronic circuit.
【請求項3】 第2の電極は、電子回路に隣接し、この
電子回路を接地するための接地回路領域内に設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the second electrode is provided adjacent to the electronic circuit and provided in a ground circuit region for grounding the electronic circuit.
【請求項4】 第1の電極及び第2の電極が設けられた
第1の回路面の裏側の第2の面は接地電極となっている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載
の半導体集積回路。
4. The device according to claim 1, wherein the second surface on the back side of the first circuit surface provided with the first electrode and the second electrode is a ground electrode. Item 2. The semiconductor integrated circuit according to item 1.
【請求項5】 第2の電極は、電子回路に隣接し、この
電子回路に交流信号または直流信号もしくはその両方を
入力あるいは出力する信号線に接続されることを特徴と
する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体集積
回路。
5. The electronic device according to claim 1, wherein the second electrode is adjacent to the electronic circuit and is connected to a signal line for inputting or outputting an AC signal and / or a DC signal to the electronic circuit. The semiconductor integrated circuit according to any one of the above items.
【請求項6】 集積化された電子回路が形成される第1
の回路面を有する基板と、この基板の周縁部に設けられ
る第1の電極の群とを有し、前記第1の電極の群と同じ
面であって、かつ前記第1電極よりも中心部側に、プリ
ント配線板の電極に対し電気的接続を得るための第2の
電極が設けられている半導体集積回路を、 多層プリント配線板に対して、前記第1の電極及び第2
の電極が設けられた面を対向させて実装し、 前記第1の電極の群の電極を前記多層プリント配線板の
第1の外層導電部と内層に接続し、 前記第2の電極を前記多層プリント配線板の第2の外層
導電部に接続することを特徴とする半導体集積回路の実
装方法。
6. A first device in which an integrated electronic circuit is formed.
And a first electrode group provided on a peripheral portion of the substrate, the same surface as the first electrode group, and a central portion more than the first electrode. A semiconductor integrated circuit provided with a second electrode for obtaining electrical connection to an electrode of the printed wiring board on the side of the printed circuit board;
The first electrode group is connected to a first outer conductive portion and an inner layer of the multilayer printed wiring board, and the second electrode is connected to the multilayer. A method for mounting a semiconductor integrated circuit, wherein the method is connected to a second outer conductive portion of a printed wiring board.
【請求項7】 多層プリント配線板に、半導体集積回路
を埋設するときに前記半導体集積回路を保持する傾斜壁
を有する穴部を形成し、 この穴部に露出する前記多層プリント配線板の導電部に
対しバンプを介して、前記半導体集積回路の電極を接合
することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路
の実装方法。
7. A multilayer printed wiring board, wherein a hole having an inclined wall for holding the semiconductor integrated circuit when the semiconductor integrated circuit is buried is formed, and a conductive portion of the multilayer printed wiring board exposed to the hole. 7. The method according to claim 6, wherein an electrode of the semiconductor integrated circuit is bonded via a bump.
【請求項8】 傾斜壁の途中には、半導体集積回路の底
部を止め受けるための段部が形成されていることを特徴
とする請求項6または請求項7に記載の半導体集積回路
の実装方法。
8. The semiconductor integrated circuit mounting method according to claim 6, wherein a step for receiving the bottom of the semiconductor integrated circuit is formed in the middle of the inclined wall. .
【請求項9】 半導体が保持される位置における半導体
の底部から、穴部の底面までの距離が、バンプの高さ以
下になっていることを特徴とする請求項7または請求項
8に記載の半導体集積回路の実装方法。
9. The method according to claim 7, wherein the distance from the bottom of the semiconductor at the position where the semiconductor is held to the bottom of the hole is equal to or less than the height of the bump. A method for mounting a semiconductor integrated circuit.
【請求項10】 半導体集積回路が穴部に入れられた状
態で、当該穴部が封止されることを特徴とする請求項6
乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体集積回路の
実装方法。
10. The hole is sealed with the semiconductor integrated circuit inserted in the hole.
A mounting method of the semiconductor integrated circuit according to claim 9.
【請求項11】 半導体集積回路の第1の電極及び第2
の電極が設けられた面の裏面側は接地電極となってお
り、 導電性を有する樹脂によって前記接地電極を覆って穴部
を封止し、 前記樹脂によって多層プリント配線板の外層導電部と内
層導電部と中の所要の導電部に接続することを特徴とす
る請求項10に記載の半導体集積回路の実装方法。
11. A first electrode and a second electrode of a semiconductor integrated circuit.
The back surface side of the surface provided with the electrodes is a ground electrode, covers the ground electrode with a conductive resin, seals the hole, and uses the resin to form an outer conductive portion and an inner layer of the multilayer printed wiring board. 11. The method for mounting a semiconductor integrated circuit according to claim 10, wherein the conductive part is connected to a required conductive part therein.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013106033A (en) * 2011-11-10 2013-05-30 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Semiconductor package and method of manufacturing the same

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