JPH10303110A - Method and device for treating substrate - Google Patents

Method and device for treating substrate

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JPH10303110A
JPH10303110A JP11279297A JP11279297A JPH10303110A JP H10303110 A JPH10303110 A JP H10303110A JP 11279297 A JP11279297 A JP 11279297A JP 11279297 A JP11279297 A JP 11279297A JP H10303110 A JPH10303110 A JP H10303110A
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JP
Japan
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substrate
processing
suction
unit
processing liquid
Prior art date
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Pending
Application number
JP11279297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Joichi Nishimura
讓一 西村
Akihiko Morita
彰彦 森田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for treating substrate, by which a treating solution can be supplied to a substrate with in-plane uniformity. SOLUTION: When a developer is supplied, an elevating/lowering base section 145 is raised after a substrate W stuck to a suction chuck 130 by suction is released from the chuck 13 by opening a three-way valve 192 to the air. When the base section 145 is raised, substrate clamping claw 151 are closed while lifter pins 140 is elevated. As a result, the substrate W is supported on the pins 140 and separated from the chuck 130 while the substrate W is supported by the clamping claw 151 by the outer periphery. While the substrate W is maintained in the above-mentioned state, a developer is supplied to the upper surface of the substrate W from a developer nozzle 210. Therefore, the bend and tilt of the substrate W become less and the developer can be supplied uniformly to the surface of the substrate W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板(以下、単に「基板」とい
う。)をほぼ水平に保持しつつ処理液供給を含む各種処
理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
Substrate processing method and substrate processing for performing various processes including processing liquid supply while holding substrates (hereinafter, simply referred to as “substrates”) such as a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk substantially horizontally. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から基板現像装置等の基板処理装置
では基板をほぼ水平に保持しつつ、基板上に処理液を均
一に供給する工程が存在する。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate processing apparatus such as a substrate developing apparatus, there is a step of uniformly supplying a processing liquid onto a substrate while holding the substrate substantially horizontally.

【0003】とりわけ、基板処理装置のうち吸着チャッ
クにより基板をほぼ水平に保持する基板現像装置では表
面に塗布されたレジスト膜にチップパターンが露光され
た基板を吸着チャックの上面に載置した状態で、吸着チ
ャック上面に設けられた吸着口からエアを吸引すること
によって基板を吸着保持して現像液を表面張力を利用し
て、その基板の上面に薄い膜状に盛り(以下、「液盛
り」という。)、その後に所定の現像時間の待機を行う
ことで現像処理を行っている。そして、その後に基板を
吸着保持した状態で吸着チャック下方に連結された基板
回転モータの回転駆動により基板を回転しながら純水等
の洗浄液を供給してリンス処理を行ったり、洗浄液の供
給を停止して回転を継続することで基板を乾燥させるス
ピンドライ処理等を行っている。
In particular, in a substrate processing apparatus of a substrate processing apparatus which holds a substrate substantially horizontally by a suction chuck, a substrate having a resist film applied on the surface thereof exposed to a chip pattern is placed on an upper surface of the suction chuck. By suctioning air from a suction port provided on the upper surface of the suction chuck, the substrate is suctioned and held, and the developing solution is formed into a thin film on the upper surface of the substrate by utilizing the surface tension (hereinafter, referred to as “liquid level”). After that, the development processing is performed by waiting for a predetermined development time. Then, while the substrate is being sucked and held, a cleaning liquid such as pure water is supplied while the substrate is rotated by the rotation of a substrate rotating motor connected below the suction chuck to perform a rinsing process, or the supply of the cleaning liquid is stopped. Then, a spin dry process for drying the substrate by continuing the rotation is performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な装置では吸着チャックによる基板の吸着によりその吸
着されている部分が下方に牽引されることにより基板の
撓みが発生し易く、特に基板の大径化に伴い基板の撓み
が生じやすくなっていた。
By the way, in the above-described apparatus, the substrate is easily bent due to the suctioned portion of the substrate being pulled downward by the suction of the substrate by the suction chuck. Deflection of the substrate was likely to occur as the diameter was increased.

【0005】また、吸着チャックが連結される基板回転
モータは、その振動を抑えるため装置本体に頑強に固定
されており水平に対する微少な傾斜の微調整は困難とな
っているため、吸着チャック上に保持された基板を高い
水平度に保つことができなかった。
[0005] Further, the substrate rotating motor to which the suction chuck is connected is rigidly fixed to the apparatus main body in order to suppress the vibration, and it is difficult to finely adjust the slight inclination with respect to the horizontal. The held substrate could not be kept at a high level.

【0006】以上のような理由から現像液の液盛りの厚
さに基板面内に不均一が生じていた。
[0006] For the reasons described above, the thickness of the liquid developer is uneven in the substrate surface.

【0007】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、基板に処理液を面内均一に供給
することができる基板処理方法および基板処理装置を提
供することを目的とする。
An object of the present invention is to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying a processing liquid to a substrate in a plane. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の方法は、基板をほぼ水平に保
持しつつ処理液供給を含む各種処理を行う基板処理方法
であって、各種処理のうち処理液供給以外の処理が基板
吸着保持手段によって基板を吸着しつつ行う処理を含む
とともに、処理液供給の際には吸着保持手段による基板
の吸着を解除することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method according to a first aspect of the present invention is a substrate processing method for performing various processing including processing liquid supply while holding a substrate substantially horizontally. A process other than the supply of the processing liquid among the various processes includes a process performed while the substrate is being suctioned by the substrate suction and holding means, and the suction of the substrate by the suction and holding means is released when the processing liquid is supplied. .

【0009】また、この発明の請求項2の方法は、請求
項1の基板処理方法であって、処理液供給に際しては基
板と吸着保持手段とを離隔手段により相対的に離隔させ
た状態で処理液供給を行うことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method of the first aspect, wherein the processing liquid is supplied in a state where the substrate and the suction holding means are relatively separated by the separation means. It is characterized in that liquid supply is performed.

【0010】また、この発明の請求項3の装置は、基板
をほぼ水平に保持しつつ各種処理を行う基板処理装置で
あって、基板を水平に吸着保持する吸着保持手段と、基
板に処理液供給を行う処理液供給手段と、吸着保持手段
および処理液供給手段の動作を制御する制御手段と、を
備え、制御手段が処理液供給の際には吸着保持手段によ
る基板の吸着を解除させることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing various types of processing while holding a substrate substantially horizontally, comprising: suction holding means for horizontally holding a substrate; A processing liquid supply unit for supplying, and a control unit for controlling operations of the suction holding unit and the processing liquid supply unit, wherein the control unit releases the suction of the substrate by the suction holding unit when the processing liquid is supplied. It is characterized by.

【0011】また、この発明の請求項4の装置は、請求
項3の基板処理装置であって、さらに、基板と吸着保持
手段とを相対的に離隔させる離隔手段と、離隔手段を駆
動する離隔駆動手段とを備え、制御手段が処理液供給に
際しては離隔手段により基板と吸着保持手段とを離隔さ
せた状態で処理液供給を行わせることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the third aspect, further comprising a separating means for relatively separating the substrate and the suction holding means, and a separating means for driving the separating means. A driving unit, wherein the control unit supplies the processing liquid in a state where the separation unit separates the substrate from the suction holding unit when supplying the processing liquid.

【0012】また、この発明の請求項5の装置は、請求
項4の基板処理装置であって、さらに、離隔手段が基板
を支持しつつ昇降させる基板支持昇降ピンを含むことを
特徴とする。
The apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, further characterized in that the separating means includes a substrate supporting elevating pin for elevating and lowering while supporting the substrate.

【0013】さらに、この発明の請求項6の装置は、請
求項4の基板処理装置であって、さらに、上昇時の基板
をその外周によって把持する基板把持手段を備える。
The apparatus according to a sixth aspect of the present invention is the apparatus for processing a substrate according to the fourth aspect, further comprising substrate holding means for holding the raised substrate by its outer periphery.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

【0015】[0015]

【1.第1の実施の形態】 <1−1.第1の実施の形態の機構的構成>図1はこの
第1の実施の形態における基板処理装置1の全体構成図
であり、図2は基板処理装置1における基板処理部10
の断面図である。なお、図2〜図4においては、水平面
をX−Y面とし、鉛直方向をZ軸方向とする3次元座標
系X−Y−Zが定義されている。以下、図1を用いてこ
の基板処理装置1の概略構成について説明していく。
[1. 1. First Embodiment <1-1. Mechanical Structure of First Embodiment> FIG. 1 is an overall configuration diagram of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, and FIG.
FIG. In FIGS. 2 to 4, a three-dimensional coordinate system XYZ in which a horizontal plane is an XY plane and a vertical direction is a Z-axis direction is defined. Hereinafter, a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG.

【0016】図1に示すように、この基板処理装置1は
主に基板処理部10、現像液供給部20、洗浄液供給部
30、制御手段である制御部40を備え、制御部40の
タイミング制御により後に詳述するように順次供給され
る基板Wに対して現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を行う装置である。
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 mainly includes a substrate processing section 10, a developing solution supply section 20, a cleaning liquid supply section 30, and a control section 40 as control means. Is a device that performs a developing process, a rinsing process, and a spin dry process on a substrate W sequentially supplied as described in detail below.

【0017】基板処理部10は昇降可能なカップ110
内に、基板回転モータ120に連結され基板Wを吸着保
持して回転する吸着チャック130と、基板Wを支持昇
降させるリフタピン140(「離隔手段」および「基板
支持昇降ピン」に相当)と、現像液の液盛り時に基板W
を把持する「基板把持手段」である基板把持部150
と、リフタピン140および基板把持部150を駆動さ
せる昇降駆動モータ160(「離隔駆動手段」に相当)
と、カップ110を昇降させるカップ昇降部170とを
備えており、基板現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を順次行う。なお、この基板処理部10の詳細は後
述する。
The substrate processing section 10 includes a vertically movable cup 110.
Inside, a suction chuck 130 connected to the substrate rotation motor 120 and sucking and holding the substrate W for rotation, a lifter pin 140 for supporting and raising and lowering the substrate W (corresponding to “separating means” and “substrate supporting elevating pin”), and developing Substrate W when filling liquid
Substrate holding unit 150 that is a “substrate holding unit” for holding
And a lifting drive motor 160 for driving the lifter pins 140 and the substrate gripping section 150 (corresponding to “separation driving means”)
And a cup elevating unit 170 for elevating and lowering the cup 110, and sequentially perform a substrate developing process, a rinsing process, and a spin dry process. The details of the substrate processing unit 10 will be described later.

【0018】現像液供給部20は「処理液供給手段」で
ある現像液ノズル210をノズル水平駆動部220の駆
動により基板Wに沿って移動させつつ、現像液供給源2
40から供給される現像液を吐出することによって基板
W上面に現像液の液盛りを行う。また、ノズル昇降駆動
部230は現像液ノズル210およびノズル水平駆動部
220を昇降させることが可能で、現像液の液盛り時以
外はそれらを上方に退避させる。
The developing solution supply unit 20 moves the developing solution nozzle 210, which is a “processing solution supply unit”, along the substrate W by driving the nozzle horizontal driving unit 220, and
By discharging the developing solution supplied from 40, the developing solution is loaded on the upper surface of the substrate W. Further, the nozzle raising / lowering driving unit 230 can raise / lower the developing solution nozzle 210 and the nozzle horizontal driving unit 220, and retreats them upward except when the developing solution is filled.

【0019】洗浄液供給部30はリンスノズル310を
ノズル回動モータ320の回転駆動により回転中の基板
Wの中央位置に回動させて(後述の図3および図4参
照)洗浄液供給源340から供給される洗浄液をリンス
ノズル310先端から基板W上面に供給して基板Wのリ
ンス処理を行う。また、ノズル昇降駆動部330はリン
スノズル310およびノズル回動モータ320を昇降さ
せることが可能で、リンス処理時以外はそれらを上方に
退避させる。
The cleaning liquid supply unit 30 rotates the rinse nozzle 310 to the center position of the rotating substrate W by the rotation of the nozzle rotation motor 320 (see FIGS. 3 and 4 described later) and supplies the rinse nozzle 310 from the cleaning liquid supply source 340. The cleaning solution to be supplied is supplied to the upper surface of the substrate W from the tip of the rinsing nozzle 310 to perform a rinsing process on the substrate W. Further, the nozzle lifting drive unit 330 can raise and lower the rinsing nozzle 310 and the nozzle rotation motor 320, and retracts them upward except during the rinsing process.

【0020】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。
Next, the main part will be described in more detail.

【0021】図3は基板処理部10の主要部の横断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of the substrate processing unit 10.

【0022】基板処理部10の昇降基部145は水平に
設けられた長方形の板状の部材であり、中央に貫通孔1
45aが設けられている。また、基台181の上面には
カム部材182が設けられており、昇降基部145の貫
通孔145aを貫通している。また、カム部材182の
外周面に設けられたガイドレール183には昇降基部1
45の貫通孔145aの内周面に設けられた摺動部材1
46が遊嵌しており、昇降基部145は下方に設けられ
た昇降駆動モータ160により昇降自在となっている。
The lifting base 145 of the substrate processing unit 10 is a rectangular plate-like member provided horizontally, and has a through hole 1 at the center.
45a is provided. A cam member 182 is provided on the upper surface of the base 181, and penetrates through the through hole 145 a of the elevating base 145. The guide base 183 provided on the outer peripheral surface of the cam member 182 has
45 sliding member 1 provided on the inner peripheral surface of through hole 145a
46 is loosely fitted, and the lifting base 145 can be raised and lowered by a lifting drive motor 160 provided below.

【0023】4本のリフタピン140は昇降基部145
の4隅に鉛直に設けられており、それぞれの先端におい
て基板Wに当接して基板Wを支持するとともに、昇降基
部145とともに昇降することにより基板Wを昇降させ
る。
The four lifter pins 140 are connected to a lifting base 145.
Are vertically provided at the four corners of the substrate W. The front ends of the substrate W contact the substrate W to support the substrate W, and move up and down together with the elevating base 145 to move the substrate W up and down.

【0024】また、4つの基板把持部150の各基板把
持爪151は昇降基部145上方に放射状に設けられた
4本のアーム152のそれぞれの外側端部に設けられて
いる。そして、各アーム152は、その下部に設けられ
た摺動部材153が昇降基部145の上面に固設された
ガイドレール147に遊嵌しており、摺動自在となって
いる。さらに、各アーム152の内側端部にはローラ1
54が設けられており、各ローラ154はカム部材18
2の外周面に当接している。カム部材182は上部の直
径が小さくなった円柱状部材であり、昇降基部145の
昇降に伴い、カム部材182の外周形状に沿って各ロー
ラ154が当接したまま各アーム152が昇降すること
により各アーム152は水平方向にも移動して、昇降基
部145の上昇時には各基板把持爪151が閉じて基板
Wを把持し、下降時には基板把持爪151が開いて基板
Wを解放する。
The respective substrate gripping claws 151 of the four substrate gripping portions 150 are provided at the outer ends of four arms 152 provided radially above the elevating base 145. Each arm 152 has a sliding member 153 provided at its lower part loosely fitted on a guide rail 147 fixed on the upper surface of the elevating base 145, and is slidable. Further, a roller 1 is provided at the inner end of each arm 152.
54 are provided, and each roller 154 is provided with a cam member 18.
2 is in contact with the outer peripheral surface. The cam member 182 is a columnar member having a smaller diameter at the upper portion. As the lifting base 145 moves up and down, each arm 152 moves up and down while each roller 154 is in contact with the outer periphery of the cam member 182. Each arm 152 also moves in the horizontal direction, and when the elevating base 145 is raised, each substrate gripping claw 151 is closed to grip the substrate W, and when it is lowered, the substrate gripping claw 151 is opened to release the substrate W.

【0025】このようにリフタピン140は先端のみに
おいて基板Wを支持し、基板把持部150は基板把持爪
151の先端部のみによって基板Wを把持するため、基
板Wとの接触面積が小さく、したがって摩擦によるパー
ティクル等の発生を抑えることができるのである。
As described above, the lifter pins 140 support the substrate W only at the distal end, and the substrate gripping portion 150 grips the substrate W only at the distal end portion of the substrate gripping claw 151. The generation of particles and the like due to the above can be suppressed.

【0026】吸着チャック130はカム部材182を貫
通する回転軸112を通じて基台181内部の基板回転
モータ120に連結されており、基板回転モータ120
の駆動により回転する。また、回転軸112は上下動し
ないため吸着チャック130は昇降しない。
The suction chuck 130 is connected to the substrate rotation motor 120 inside the base 181 through the rotation shaft 112 passing through the cam member 182.
Rotates by the drive of Further, since the rotating shaft 112 does not move up and down, the suction chuck 130 does not move up and down.

【0027】また、回転軸112中には基板の吸着する
為の真空配管112aが設けられており、その真空配管
112aは通気経路を内部に備えた軸受け184を介し
て外部配管191に連結されている。また、外部配管1
91は三方弁192を介して工場の真空ラインに連結さ
れており、また三方弁192の残りのポートは大気解放
されている。そして、三方弁192は制御部に接続され
ており、その制御により、所定のタイミングで真空ライ
ンと大気解放ラインが切り替えられるようになってい
る。
A vacuum pipe 112a for adsorbing a substrate is provided in the rotary shaft 112. The vacuum pipe 112a is connected to an external pipe 191 via a bearing 184 having a ventilation path therein. I have. External piping 1
91 is connected to the factory vacuum line via a three-way valve 192, and the remaining ports of the three-way valve 192 are open to the atmosphere. The three-way valve 192 is connected to a controller, and the control switches the vacuum line and the atmosphere release line at a predetermined timing.

【0028】また、現像液ノズル210はその下部に設
けられた基板Wの直径より長い現像液吐出口としてのス
リット210a(図3参照)によって現像液供給源24
0から供給される現像液を基板W上面にカーテン状に吐
出するスリットノズルとなっている。
The developing solution nozzle 210 is provided with a developing solution supply source 24 through a slit 210a (see FIG. 3) provided at a lower portion thereof and serving as a developing solution discharge port longer than the diameter of the substrate W.
The slit nozzle discharges the developing solution supplied from the top of the substrate W into a curtain shape on the upper surface of the substrate W.

【0029】またノズル水平駆動部220はノズル駆動
モータ221、プーリ222a,222b、タイミング
ベルト223を備えており、ノズル駆動モータの回転に
よりタイミングベルト223に連結された現像液ノズル
210を水平移動可能となっている。
The nozzle horizontal drive unit 220 includes a nozzle drive motor 221, pulleys 222a and 222b, and a timing belt 223. The rotation of the nozzle drive motor allows the developer nozzle 210 connected to the timing belt 223 to move horizontally. Has become.

【0030】そして、現像液を吐出させつつ現像液ノズ
ル210をその長手方向に対して垂直に矢符A1(図3
参照)のように移動させることによって基板W上面の全
面に現像液の液盛りを行う。
Then, while discharging the developing solution, the developing solution nozzle 210 is moved perpendicularly to the longitudinal direction by an arrow A1 (FIG. 3).
(See FIG. 3), the developer is filled on the entire upper surface of the substrate W.

【0031】このように、この現像液ノズル210は一
定の高さを維持しつつ水平に移動することができる。
As described above, the developer nozzle 210 can move horizontally while maintaining a constant height.

【0032】さらに、以上のような構成の基板処理部は
各処理において以下のように動作する。
Further, the substrate processing section having the above configuration operates as follows in each processing.

【0033】現像液を盛る際には図2の状態となる。す
なわち、三方弁192を大気解放して吸着チャック13
0による基板Wの吸着を解除した後、昇降駆動モータ1
60の駆動により昇降基部145が上昇することにより
リフタピン140が上昇しつつ基板把持爪151が閉じ
られる。これによって基板Wをリフタピン140上に支
持し、かつ基板把持爪151で外周を把持し、吸着チャ
ック130と離隔した状態となる。そして、この状態で
現像液ノズル210が上記のように現像液の液盛りを行
うのである。なお、この際にはカップ110は下降して
いる。
FIG. 2 shows the state when the developer is applied. That is, the three-way valve 192 is released to the atmosphere and the suction chuck 13 is released.
0, the lifting drive motor 1
As the lifting base 145 is raised by the drive of 60, the lifter pin 140 is raised and the substrate gripping claw 151 is closed. As a result, the substrate W is supported on the lifter pins 140, the outer periphery is gripped by the substrate gripping claws 151, and the substrate W is separated from the suction chuck 130. Then, in this state, the developing solution nozzle 210 performs the filling of the developing solution as described above. At this time, the cup 110 is lowered.

【0034】ところで、この状態では基板Wが吸着チャ
ック130と離隔している。これは前述のように吸着チ
ャック130が連結される基板回転モータは装置本体に
頑強に固定されており、吸着チャック130上面の水平
度の調整を行うことが困難であるが、4つのリフタピン
140はそれぞれの取り付け高さの微調整が容易に行え
るため基板Wを高い精度で水平に支持できる。そのため
基板Wの傾斜をなくし、さらに基板Wをリフタピン14
0で中央付近において支持するとともに、周縁部を基板
把持爪151で把持しているため基板Wの自重による撓
みも少なくなり、したがって、基板Wを高い精度で水平
に保持することができる。
In this state, the substrate W is separated from the suction chuck 130. This is because the substrate rotating motor to which the suction chuck 130 is connected is rigidly fixed to the apparatus main body as described above, and it is difficult to adjust the horizontality of the upper surface of the suction chuck 130, but the four lifter pins 140 Since fine adjustment of each mounting height can be easily performed, the substrate W can be horizontally supported with high accuracy. Therefore, the inclination of the substrate W is eliminated, and the substrate W is further connected to the lifter pins 14.
In addition, since the substrate W is supported near the center and the peripheral edge portion is gripped by the substrate gripping claw 151, the deflection of the substrate W due to its own weight is reduced, and therefore, the substrate W can be horizontally held with high accuracy.

【0035】また、前述のように現像液ノズル210が
一定高さによる水平移動が可能であるため、基板W上面
と現像液ノズル210先端との距離が基板Wの面内全体
にわたって一定に保たれ、それにより、現像液ノズル2
10による現像液の供給量も一定に保つことができ、し
たがって、基板W上面において面内均一な現像液の供給
が行える。
Further, as described above, since the developing solution nozzle 210 can move horizontally at a constant height, the distance between the upper surface of the substrate W and the tip of the developing solution nozzle 210 is kept constant over the entire surface of the substrate W. , Whereby the developer nozzle 2
The supply amount of the developer by 10 can also be kept constant, so that the in-plane uniform supply of the developer can be performed on the upper surface of the substrate W.

【0036】以上により基板W上面において面内均一に
現像液の液盛り行うことができ、したがって現像処理が
均一に行えるため現像ムラの発生を抑えることができ
る。
As described above, the developing solution can be uniformly applied on the upper surface of the substrate W, and the development process can be performed uniformly.

【0037】また、リンス処理、スピンドライ時には、
昇降駆動モータ160の駆動により図4のように昇降基
部145を降下させてリフタピン140を降下させ、基
板把持爪151を開くことにより、吸着チャック130
上面に基板Wを載置し、それに伴って、三方弁192を
工場の真空ラインに連結した状態に切り替えることによ
って基板Wを吸着保持した状態とする。また、この際に
はカップ110も上昇する。
During rinsing and spin drying,
The lifting base 145 is lowered by driving the lifting drive motor 160 to lower the lifter pins 140 as shown in FIG.
The substrate W is placed on the upper surface, and the three-way valve 192 is switched to a state in which the substrate W is connected to the vacuum line of the factory. At this time, the cup 110 also moves up.

【0038】そして、この状態で基板回転モータ120
を駆動させて吸着チャック130を回転させることによ
り基板Wを回転させつつリンスノズル310を図3の矢
符A2のように基板W中央の上方に移動させて洗浄液を
供給することによって基板Wのリンス処理を行い、その
後、基板Wの回転を維持しつつリンス処理を行う。
In this state, the substrate rotating motor 120
By driving the suction chuck 130 to rotate the substrate W, the rinsing nozzle 310 is moved above the center of the substrate W as shown by an arrow A2 in FIG. Then, a rinsing process is performed while maintaining the rotation of the substrate W.

【0039】また、基板搬出入時はリンス処理、スピン
ドライ時とほぼ同様の状態であるが、カップ110のみ
降下した状態となっている。
When the substrate is carried in and out, the state is almost the same as that of the rinsing process and the spin dry, but only the cup 110 is lowered.

【0040】このように昇降駆動モータ160による上
下方向の駆動のみでリフタピン140の昇降と基板把持
部150の開閉の両方の駆動を兼ね備えて装置構成を簡
単にしている。
As described above, only the vertical drive by the vertical drive motor 160 serves both the lifting and lowering of the lifter pins 140 and the opening and closing of the substrate gripping portion 150, thereby simplifying the apparatus configuration.

【0041】<1−2.第1の実施の形態の処理手順>
図5はこの第1の実施の形態の基板処理装置1における
現像処理、リンス処理、スピンドライ処理に渡る一連の
基板処理のタイミングチャートである。以下、図5を用
いてこの装置における処理手順を説明していく。なお、
初期状態として、吸着チャック130上には基板Wは保
持されておらず、カップ110は下降しており、現像液
ノズル210およびリンスノズル310は待機状態にあ
り、リフタピン140は下降しており、吸着チャック1
30は三方弁192を大気解放にした状態(以下、「吸
着解除状態」という。)であり、基板Wは回転停止状態
にある。
<1-2. Processing Procedure of First Embodiment>
FIG. 5 is a timing chart of a series of substrate processing including development processing, rinsing processing, and spin dry processing in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. Hereinafter, the processing procedure in this apparatus will be described with reference to FIG. In addition,
As an initial state, the substrate W is not held on the suction chuck 130, the cup 110 is lowered, the developer nozzle 210 and the rinse nozzle 310 are in a standby state, the lifter pins 140 are lowered, and the suction Chuck 1
Reference numeral 30 denotes a state in which the three-way valve 192 is opened to the atmosphere (hereinafter, referred to as “adsorption release state”), and the substrate W is in a rotation stop state.

【0042】まず、三方弁192を工場の真空ラインに
連結した状態(以下、「吸着状態」という。)に切り替
え排気を開始した直後に図示しない外部装置の搬送アー
ムにより吸着チャック130上に基板Wを載置し、吸着
する。
First, the three-way valve 192 is switched to a state in which the three-way valve 192 is connected to a vacuum line of a factory (hereinafter, referred to as “adsorption state”), and immediately after starting the evacuation, the substrate W is transferred onto the adsorption chuck 130 by a transfer arm of an external device (not shown). Is placed and adsorbed.

【0043】つぎに、吸着チャック130を吸着解除状
態に切り替え、リフタピン140を上昇させるとともに
基板把持爪151を閉じつつ基板Wを上昇させる。そし
て現像液ノズル210を現像液を吐出しつつ基板W上を
移動させて基板全面に現像液の液盛りを行う。
Next, the suction chuck 130 is switched to the suction releasing state, the lifter pins 140 are raised, and the substrate W is raised while closing the substrate gripping claws 151. Then, the developing solution nozzle 210 is moved over the substrate W while discharging the developing solution, so that the developing solution is filled on the entire surface of the substrate.

【0044】つぎに、現像液の液盛りが終了すると、現
像のために所定時間だけ待機する。
Next, when the liquid level of the developing solution is completed, the process waits for a predetermined time for development.

【0045】つぎに、現像が終了すると吸着チャック1
30を吸着状態に切り替えた直後にリフタピン140を
降下させて吸着チャック130上に再び基板Wを吸着保
持する。なお、それと同時にカップ110を上昇させ、
吸着チャック130および基板Wを一体とした回転を開
始する。
Next, when the development is completed, the suction chuck 1
Immediately after switching the state of the substrate 30 to the suction state, the lifter pin 140 is lowered to suction-hold the substrate W on the suction chuck 130 again. At the same time, raise the cup 110,
The rotation in which the suction chuck 130 and the substrate W are integrated is started.

【0046】つぎに、リンスノズル310を基板W中央
の上方位置に移動させ、洗浄液の供給を開始してリンス
処理を開始する。
Next, the rinsing nozzle 310 is moved to a position above the center of the substrate W, and the supply of the cleaning liquid is started to start the rinsing process.

【0047】つぎに、リンス処理終了後も基板Wの回転
を維持してそのまま基板Wを回転させて洗浄液を振り切
るスピンドライ処理工程に移る。
Next, after the rinsing process is completed, the rotation of the substrate W is maintained while the substrate W is rotated, and the process proceeds to a spin dry process in which the cleaning liquid is shaken off.

【0048】つぎに、スピンドライ処理が終了すると基
板Wの回転を停止し、吸着解除状態にする。なお、それ
と同時にカップ110を降下させる。
Next, when the spin dry processing is completed, the rotation of the substrate W is stopped, and the substrate W is brought into a suction releasing state. At the same time, the cup 110 is lowered.

【0049】最後に、外部の搬送アームにより処理の終
了した基板Wを搬出し、次の基板Wが投入されるか、基
板処理を終了する。
Finally, the processed substrate W is carried out by the external transfer arm, and the next substrate W is loaded or the substrate processing is completed.

【0050】以上がこの第1の実施の形態の基板処理装
置1における基板処理の手順である。
The above is the procedure of substrate processing in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

【0051】以上説明したように、第1の実施の形態の
基板処理装置1によれば、現像液の液盛りの際には吸着
チャック130による基板Wの吸着を解除するため、吸
着による基板Wの撓みが発生しないので現像液の基板W
上面への面内均一な供給を行うことができる。
As described above, according to the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, since the suction of the substrate W by the suction chuck 130 is released when the developer is filled, the substrate W by suction is removed. Of the developer W
In-plane uniform supply to the upper surface can be performed.

【0052】さらに、現像液の液盛りに際しては基板W
をリフタピン140により吸着チャック130から離隔
させた状態で液盛りを行うため、吸着チャック130の
傾斜等による基板Wの傾きも発生しないので現像液の基
板W上面へのより面内均一な供給を行うことができる。
Further, when the developer is filled, the substrate W
Is carried out in a state in which the substrate W is separated from the suction chuck 130 by the lifter pins 140, so that the inclination of the substrate W due to the inclination of the suction chuck 130 does not occur, so that the in-plane uniform supply of the developing solution to the upper surface of the substrate W is performed. be able to.

【0053】[0053]

【2.第2の実施の形態】第2の実施の形態では第1の
実施の形態の基板処理装置1の装置構成とほぼ同様の装
置構成であるがリフタピン140、基板把持部150お
よびそれらの駆動機構(昇降駆動モータ160等)のみ
を省いたものである。そして、この装置で行う基板処理
は第1の実施の形態の基板処理装置1と同様の現像処
理、リンス処理、スピンドライ処理を行う装置である。
[2. Second Embodiment In the second embodiment, the apparatus configuration of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment is substantially the same as that of the first embodiment. However, the lifter pins 140, the substrate gripping section 150, and their driving mechanisms ( Only the lifting drive motor 160) is omitted. The substrate processing performed by this apparatus is an apparatus that performs the same development processing, rinsing processing, and spin dry processing as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

【0054】図6はこの第1の実施の形態の基板処理装
置1における現像処理、リンス処理、スピンドライ処理
に渡る一連の第2の基板処理のタイミングチャートであ
る。以下、図6を用いて第2の実施の形態における基板
処理の処理手順を説明していく。
FIG. 6 is a timing chart of a series of second substrate processing over development processing, rinsing processing, and spin dry processing in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. Hereinafter, the processing procedure of the substrate processing in the second embodiment will be described with reference to FIG.

【0055】第2の実施の形態における基板処理では現
像処理においてリフタピン140によって基板Wを支持
せず、また、基板把持部150による基板Wの把持を行
わないことのみが異なっている。したがって、現像処理
時にも基板Wは吸着チャック130上に載置された状態
であるが、現像処理時には吸着解除状態をとること、お
よびその他の各部は基板処理の全工程に渡り第1の実施
の形態における基板処理と同様の動作を行うものであ
る。
In the substrate processing in the second embodiment, the only difference is that the substrate W is not supported by the lifter pins 140 in the developing process, and the substrate W is not held by the substrate holding unit 150. Therefore, the substrate W is still placed on the suction chuck 130 during the developing process. However, during the developing process, the substrate W must be in the suction releasing state. The same operation as the substrate processing in the embodiment is performed.

【0056】この様な第2の実施の形態においても現像
液の液盛り時には吸着解除状態であるため、吸着による
基板Wの撓みが防止でき、基板Wへの面内均一な現像液
の液盛りを行うことができる。
Also in the second embodiment, since the suction is released when the developing solution is filled, the bending of the substrate W due to the suction can be prevented, and the in-plane uniform liquid of the developing solution on the substrate W can be prevented. It can be performed.

【0057】[0057]

【3.変形例】以上、第1の実施の形態の基板処理装置
1では、リフタピン140と基板把持部150とを昇降
駆動モータ160の駆動のみによって動作させるものと
したが、この発明はこれに限られず、リフタピン140
と基板把持部150を別々の駆動機構により独立して駆
動できるものにして、リフタピン140による基板Wの
昇降のタイミングと基板把持部150による基板把持の
タイミングとを異なるものとしてもよい。
[3. Modifications As described above, in the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, the lifter pins 140 and the substrate gripping section 150 are operated only by driving the elevation drive motor 160, but the present invention is not limited to this. Lifter pin 140
And the substrate holding portion 150 may be independently driven by separate driving mechanisms, and the timing of lifting and lowering the substrate W by the lifter pins 140 and the timing of holding the substrate by the substrate holding portion 150 may be different.

【0058】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
ではリフタピン140と基板把持部150とを備え、リ
フタピン140による基板Wの上昇と基板把持部150
による基板Wの把持の両方を行うものとしたが、この発
明はこれに限られず、吸着解除中に基板把持爪151の
みにより基板Wを保持するものとし、その場合にリフタ
ピン140を設けないものとしてもよく、逆にリフタピ
ン140のみによって基板Wを保持してもよく、その場
合に基板把持部150を設けない構成としてもよい。
Further, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment
The lifter 140 includes a lifter pin 140 and a substrate grip 150, and the lift of the substrate W by the lifter pin 140 and the substrate grip 150
However, the present invention is not limited to this, and it is assumed that the substrate W is held only by the substrate gripping claws 151 during the suction release, and in that case, the lifter pins 140 are not provided. Alternatively, the substrate W may be held only by the lifter pins 140, and in this case, the configuration may be such that the substrate gripping portion 150 is not provided.

【0059】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
では昇降基部145の昇降駆動機構として昇降駆動モー
タ160を用いるものとしたが、この発明はこれに限ら
れず、エアシリンダ等他のリニアアクチュエータにより
昇降基部145を昇降させるものとしてもよい。
The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment
Although the lifting drive motor 160 is used as the lifting drive mechanism of the lifting base 145, the present invention is not limited to this, and the lifting base 145 may be raised and lowered by another linear actuator such as an air cylinder.

【0060】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
ではリフタピン140により基板Wを上昇させることに
より吸着チャック140と基板Wとを離隔しているが、
この発明はこれに限られず、基板を固定されたピンで支
持した状態で吸着チャックを降下させることにより基板
と吸着チャックを離隔させるものとしてもよい。
The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment
Although the suction chuck 140 and the substrate W are separated by lifting the substrate W by the lifter pins 140,
The present invention is not limited to this, and the substrate and the suction chuck may be separated by lowering the suction chuck while supporting the substrate with fixed pins.

【0061】また、第1および第2の実施の形態の基板
処理装置1では主に処理液として現像液を扱う装置とし
たが、この発明はこれに限られず、レジスト等のその他
の処理液を供給する装置としてもよい。
Further, in the substrate processing apparatus 1 of the first and second embodiments, the apparatus mainly handles a developing solution as a processing liquid. However, the present invention is not limited to this, and other processing liquids such as a resist may be used. A supply device may be used.

【0062】さらに、第1の実施の形態の基板処理装置
1ではカップ110を昇降可能なものとしたが、この発
明はこれに限られず、基板Wの上昇位置をより高くして
カップ110を昇降しない固定のものとしてもよい。
Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, the cup 110 can be moved up and down. However, the present invention is not limited to this. Not fixed may be used.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1および請
求項3の発明によれば、処理液供給の際には吸着保持手
段による基板の吸着を解除するため、吸着による基板の
撓みが発生しないので処理液の基板への面内均一な供給
を行うことができる。
As described above, according to the first and third aspects of the present invention, when the processing liquid is supplied, the substrate is released from the suction by the suction holding means, so that the substrate is bent by the suction. Therefore, the processing liquid can be uniformly supplied to the substrate in the plane.

【0064】さらに、請求項2および請求項4の発明に
よれば、処理液供給に際しては基板と吸着保持手段とを
離隔手段により相対的に離隔させた状態で処理液供給を
行うため、吸着保持手段の傾斜等による基板の傾きも発
生しないので処理液の基板へのより面内均一な供給を行
うことができる。
Further, according to the second and fourth aspects of the present invention, when supplying the processing liquid, the processing liquid is supplied while the substrate and the suction holding means are relatively separated by the separation means. Since the inclination of the substrate due to the inclination of the means does not occur, the in-plane uniform supply of the processing liquid to the substrate can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態における基板処理
装置の全体構成図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態の基板処理部の縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a substrate processing unit according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態の基板処理部の主要部の横断
面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of the substrate processing unit according to the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態の基板処理部の縦断面図であ
る。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the substrate processing unit according to the first embodiment.

【図5】第1の実施の形態における第1の基板処理のタ
イミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart of the first substrate processing in the first embodiment.

【図6】第2の実施の形態における第1の基板処理のタ
イミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart of the first substrate processing in the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 10 基板処理部 40 制御部 130 吸着チャック 140 リフタピン(離隔手段) 150 基板把持部 151 基板把持爪 160 昇降駆動モータ(離隔駆動手段) 210 現像液ノズル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Substrate processing part 40 Control part 130 Suction chuck 140 Lifter pin (separation means) 150 Substrate grip part 151 Substrate gripping claw 160 Elevation drive motor (separation drive means) 210 Developer nozzle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masao Tsuji 322 Hazukashi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inside the Rakusai Office (72) Inventor Yoichi Nishimura 322 Habushishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Akihiko Morita 322 Habushishi Furukawacho Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板をほぼ水平に保持しつつ処理液供給
を含む各種処理を行う基板処理方法であって、 前記各種処理のうち前記処理液供給以外の処理が基板吸
着保持手段によって基板を吸着しつつ行う処理を含むと
ともに、 前記処理液供給の際には前記吸着保持手段による基板の
吸着を解除することを特徴とする基板処理方法。
1. A substrate processing method for performing various kinds of processing including supply of a processing liquid while holding a substrate substantially horizontally, wherein processing other than the supply of the processing liquid among the various kinds of processing is performed by sucking a substrate by a substrate suction holding unit. A substrate processing method comprising: releasing the suction of the substrate by the suction holding means when supplying the processing liquid.
【請求項2】 請求項1の基板処理方法であって、 前記処理液供給に際しては基板と前記吸着保持手段とを
離隔手段により相対的に離隔させた状態で前記処理液供
給を行うことを特徴とする基板処理方法。
2. The substrate processing method according to claim 1, wherein, when supplying the processing liquid, the processing liquid is supplied while the substrate and the suction holding unit are relatively separated by a separation unit. Substrate processing method.
【請求項3】 基板をほぼ水平に保持しつつ各種処理を
行う基板処理装置であって、 基板を水平に吸着保持する吸着保持手段と、 基板に処理液供給を行う処理液供給手段と、 前記吸着保持手段および前記処理液供給手段の動作を制
御する制御手段と、を備え、 前記制御手段が前記処理液供給の際には前記吸着保持手
段による基板の吸着を解除させることを特徴とする基板
処理装置。
3. A substrate processing apparatus for performing various kinds of processing while holding a substrate substantially horizontally, comprising: a suction holding unit that horizontally holds a substrate by suction; a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the substrate; A control unit for controlling the operation of the suction holding unit and the processing liquid supply unit, wherein the control unit releases the suction of the substrate by the suction holding unit when the processing liquid is supplied. Processing equipment.
【請求項4】 請求項3の基板処理装置であって、さら
に、 基板と前記吸着保持手段とを相対的に離隔させる離隔手
段と、 前記離隔手段を駆動する離隔駆動手段とを備え、 前記制御手段が前記処理液供給に際しては前記離隔手段
により基板と前記吸着保持手段とを離隔させた状態で前
記処理液供給を行わせることを特徴とする基板処理装
置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising: a separation unit that relatively separates the substrate and the suction holding unit; and a separation driving unit that drives the separation unit. A substrate processing apparatus, wherein, when supplying the processing liquid, the processing liquid is supplied in a state in which the separation unit separates the substrate from the suction holding unit.
【請求項5】 請求項4の基板処理装置であって、さら
に、 前記離隔手段が基板を支持しつつ昇降させる基板支持昇
降ピンを含むことを特徴とする基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein said separation means further includes a substrate support elevating pin for lifting and lowering while supporting the substrate.
【請求項6】 請求項4の基板処理装置であって、さら
に、 前記上昇時の基板をその外周によって把持する基板把持
手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising substrate holding means for holding the raised substrate by an outer periphery thereof.
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