JPH10294653A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH10294653A
JPH10294653A JP9104368A JP10436897A JPH10294653A JP H10294653 A JPH10294653 A JP H10294653A JP 9104368 A JP9104368 A JP 9104368A JP 10436897 A JP10436897 A JP 10436897A JP H10294653 A JPH10294653 A JP H10294653A
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JP
Japan
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circuit
bias voltage
signal
input
voltage
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JP9104368A
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Japanese (ja)
Inventor
Saburo Kumagai
三郎 熊谷
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent level fluctuation caused by noises from being transmitted to an internal circuit by removing the noise even when this noise is superimposed on an input signal. SOLUTION: This circuit is provided with a bias voltage generating circuit 3 for generating a bias voltage Vb different from the threshold voltage of an input circuit 1 just by a prescribed level. This bias voltage generating circuit 3 is composed of an inverter IV2 having a threshold voltage at level different from the threshold voltage of an inverter IV1 in the input circuit 1 and a feedback resistor Rf1 connected between the input terminal and output terminal of this inverter IV2. The synthetic signal of the input signal IN transmitted to a signal input terminal TM and a bias voltage Vb is supplied to the input circuit 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に正弦波型の入力信号のレベルを所定の基準電圧
により識別し、この識別した結果と対応するレベルの信
号を内部回路へ供給する構成の半導体集積回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a structure in which the level of a sine wave type input signal is identified by a predetermined reference voltage, and a signal having a level corresponding to the identified result is supplied to an internal circuit. A semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の半導体集積回路の代表的
な一例の回路図を図4に示す。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a circuit diagram showing a typical example of a conventional semiconductor integrated circuit of this type.

【0003】この半導体集積回路は、入力端を信号入力
端子TMと接続するインバータIV3、及びこのインバ
ータIV3の入力端と出力端との間に接続された帰還抵
抗Rf2を備え、信号入力端子TMに伝達された正弦波
型の入力信号INを増幅して出力する増幅回路4と、所
定の電圧レベルのしきい値電圧をもち増幅回路4の出力
信号Voを入力端に受けるインバータIV1を備え、増
幅回路4の出力信号Voの電圧レベルをインバータIV
1のしきい値電圧により識別してこの識別結果と対応す
るレベルの信号Vaを内部回路2に供給する入力回路1
とを有する構成となっている。
This semiconductor integrated circuit includes an inverter IV3 connecting an input terminal to a signal input terminal TM, and a feedback resistor Rf2 connected between the input terminal and the output terminal of the inverter IV3. An amplifier circuit 4 for amplifying and transmitting the transmitted sine wave type input signal IN, and an inverter IV1 having a threshold voltage of a predetermined voltage level and receiving an output signal Vo of the amplifier circuit 4 at an input terminal thereof. The voltage level of the output signal Vo of the circuit 4 is changed to the inverter IV.
An input circuit 1 for identifying a signal Va with a threshold voltage of 1 and supplying a signal Va of a level corresponding to the identification result to the internal circuit 2
And a configuration having:

【0004】次にこの半導体集積回路の動作について、
図5に示された各部の信号波形図を併せて参照し説明す
る。
Next, the operation of this semiconductor integrated circuit will be described.
The description will be made with reference to the signal waveform diagrams of the respective parts shown in FIG.

【0005】信号入力端子TMに伝達された正弦波型の
入力信号IN(図5(a))は、増幅回路4により増幅
されて(図5(b))入力回路1に入力される。
The sine wave type input signal IN (FIG. 5A) transmitted to the signal input terminal TM is amplified by the amplifier circuit 4 (FIG. 5B) and input to the input circuit 1.

【0006】入力回路1では、インバータIV1が有す
るしきい値電圧Vtにより、増幅回路4からの信号(V
o)の電圧レベルを識別し、この信号(Vo)の電圧レ
ベルがしきい値電圧Vtより高ければ“0”レベル、低
くければ“1”レベルの信号Vaを内部回路2に供給す
る。
[0006] In the input circuit 1, the signal (V) from the amplifier circuit 4 is applied by the threshold voltage Vt of the inverter IV 1.
The voltage level of (o) is identified, and a signal Va of “0” level is supplied to the internal circuit 2 if the voltage level of this signal (Vo) is higher than the threshold voltage Vt, and a “1” level if it is lower than the threshold voltage Vt.

【0007】このとき、入力信号INに雑音等が重畳さ
れていなければ(図5(b)の(A)部)、図5(c)
のように、内部回路2に供給される信号Vaは“0”レ
ベルから“1”レベルへと単純に変化する単純なステッ
プ状の波形となるが、雑音等が重畳されていると(図5
(b)の(B)部)、たとえその雑音レベルが低くて
も、増幅回路4により増幅され、その出力信号Voは図
5(d)に示すように、しきい値電圧Vtを複数回横切
ることになり、信号Vaは“0”レベルから“1”レベ
ルへの単純なステップ状とはならず、内部回路2に誤っ
た信号を供給することになる。
At this time, if noise or the like is not superimposed on the input signal IN (part (A) of FIG. 5B), FIG.
As shown in FIG. 5, the signal Va supplied to the internal circuit 2 has a simple step-like waveform that simply changes from the “0” level to the “1” level.
(Part (B) of (b)) Even if the noise level is low, the signal is amplified by the amplifier circuit 4, and the output signal Vo crosses the threshold voltage Vt several times as shown in FIG. 5 (d). That is, the signal Va does not form a simple step from the “0” level to the “1” level, but supplies an erroneous signal to the internal circuit 2.

【0008】入力信号INに雑音等が重畳される場合の
例としては、例えば前段回路、すなわち入力信号INを
出力する回路においてディジタル信号処理が行なわれて
いるような場合に、その信号のレベル変化点付近に、レ
ベル変化による接地電位、電源電位の変動に伴う雑音が
発生することが多く、このような場合に、この回路の出
力信号、従って本願の入力信号INのゼロクロスポイン
ト付近に雑音等が重畳されることになる。
As an example of a case where noise or the like is superimposed on the input signal IN, for example, when digital signal processing is performed in a preceding circuit, that is, a circuit that outputs the input signal IN, a level change of the signal is performed. Near the point, noise often occurs due to fluctuations in the ground potential and power supply potential due to the level change. In such a case, noise or the like is generated near the zero crossing point of the output signal of this circuit, that is, the input signal IN of the present application. Will be superimposed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路では、入力信号INを増幅回路4により増幅し
た後、入力回路1により、しきい値電圧Vtを基準にし
て出力信号(Va)のレベルを決定する構成となってい
るので、入力信号INの特にゼロクロスポイント付近に
低レベルの雑音等が重畳されるとこの雑音も増幅されて
しまい、出力信号(Va)が単純なステップ状とはなら
ず、内部回路2に誤った信号を供給する、という問題点
があった。
In the conventional semiconductor integrated circuit described above, after the input signal IN is amplified by the amplifier circuit 4, the input circuit 1 converts the output signal (Va) with reference to the threshold voltage Vt. Since the level is determined, if low-level noise or the like is superimposed particularly near the zero cross point of the input signal IN, this noise is also amplified, and the output signal (Va) has a simple step shape. However, there is a problem that an erroneous signal is supplied to the internal circuit 2.

【0010】本発明の目的は、入力信号に雑音が重畳さ
れたとしても、この雑音を除去し、内部回路に、雑音に
よるレベル変動が伝達されないようにした半導体集積回
路を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit in which even if noise is superimposed on an input signal, the noise is removed and a level fluctuation due to the noise is not transmitted to an internal circuit.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、所定のレベルのしきい値電圧をもち、入力端に信号
入力端子からの正弦波型の入力信号とバイアス電圧との
合成信号を受けてこの合成信号の電圧レベルを前記しき
い値電圧に対して識別しこの識別した結果と対応するレ
ベルの信号を内部回路に供給する入力回路と、前記しき
い値電圧に対し所定のレベルだけ異なる前記バイアス電
圧を発生し前記入力回路の入力端に供給するバイアス電
圧発生回路とを有している。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention has a threshold voltage of a predetermined level, and has an input terminal receiving a composite signal of a sine wave type input signal from a signal input terminal and a bias voltage. An input circuit for receiving a voltage level of the composite signal with respect to the threshold voltage and supplying a signal having a level corresponding to the result of the identification to an internal circuit; And a bias voltage generating circuit for generating the different bias voltages and supplying the same to the input terminal of the input circuit.

【0012】また、前記バイアス電圧発生回路を、前記
バイアス電圧と同程度のしきい値電圧をもつインバータ
と、このインバータの出力端と入力端との間に設けられ
た帰還抵抗とを備え、前記インバータの出力端から前記
バイアス電圧を出力する回路とするか、一端に電源電圧
を受ける第1の抵抗と、一端を前記第1の抵抗の他端と
接続し他端を接地電位点と接続する第2の抵抗とを備
え、前記第1及び第2の抵抗の接続点から、これら第
1,第2の抵抗の抵抗値によって定まる電圧レベルの前
記バイアス電圧を出力する回路として構成される。
The bias voltage generating circuit includes an inverter having a threshold voltage substantially equal to the bias voltage, and a feedback resistor provided between an output terminal and an input terminal of the inverter. A circuit for outputting the bias voltage from an output terminal of the inverter, or a first resistor receiving a power supply voltage at one end, one end connected to the other end of the first resistor, and the other end connected to a ground potential point A second resistor, and is configured as a circuit that outputs the bias voltage at a voltage level determined by the resistance values of the first and second resistors from a connection point of the first and second resistors.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0014】図1は本発明の第1の実施の形態を示す回
路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【0015】この第1の実施の形態は、所定のしきい値
電圧Vt1をもつインバータIV1を備え、信号入力端
子TMに伝達された正弦波型の入力信号IN及びバイア
ス電圧Vbの合成信号を入力端(インバータIV1の入
力端)に受けてこの合成信号の電圧レベルをしきい値電
圧Vt1に対して識別し、この識別した結果と対応する
レベルの信号Vaを内部回路2に供給する入力回路1
と、インバータIV1とは異なるレベルのしきい値電圧
Vt2をもつインバータIV2、及びこのインバータI
V2の出力端・入力端間に接続された帰還抵抗Rf1を
備え、インバータIV2の出力端からしきい値電圧Vt
2と同レベルのバイアス電圧Vbを発生し入力回路1の
入力端に供給するバイアス電圧発生回路3とを有する構
成となっている。
The first embodiment includes an inverter IV1 having a predetermined threshold voltage Vt1, and receives a composite signal of a sine wave type input signal IN and a bias voltage Vb transmitted to a signal input terminal TM. An input circuit 1 that receives a signal Va received at its terminal (input terminal of the inverter IV1) and identifies the voltage level of the synthesized signal with respect to the threshold voltage Vt1, and supplies a signal Va having a level corresponding to the identified result to the internal circuit 2.
And an inverter IV2 having a threshold voltage Vt2 at a level different from that of the inverter IV1, and the inverter I2
A feedback resistor Rf1 connected between the output terminal and the input terminal of the inverter V2;
2 and a bias voltage generating circuit 3 for generating a bias voltage Vb of the same level and supplying the same to the input terminal of the input circuit 1.

【0016】次に、この第1の実施の形態の動作につい
て、図2に示された各部の波形図を併せて参照し説明す
る。
Next, the operation of the first embodiment will be described with reference to the waveform diagrams of the respective parts shown in FIG.

【0017】入力回路1の入力端に供給される合成信号
は、図2(a)に示されるように、信号入力端子TMか
らの入力信号INと、バイアス電圧発生回路3からのバ
イアス電圧Vbとの合成信号となっており、バイアス電
圧Vbを基準として上下に入力信号INが変化する波形
となっている。
As shown in FIG. 2A, the composite signal supplied to the input terminal of the input circuit 1 includes an input signal IN from a signal input terminal TM, a bias voltage Vb from a bias voltage generation circuit 3, and , And has a waveform in which the input signal IN changes vertically with reference to the bias voltage Vb.

【0018】ここで、バイアス電圧発生回路3のインバ
ータIV2のしきい値電圧Vt2を2.5Vとすると、
バイアス電圧発生回路3で発生するバイアス電圧Vb
は、インバータIV2のしきい値電圧Vt2と同レベル
の2.5Vとなる。
Here, assuming that the threshold voltage Vt2 of the inverter IV2 of the bias voltage generating circuit 3 is 2.5V,
Bias voltage Vb generated by bias voltage generation circuit 3
Becomes 2.5V which is the same level as the threshold voltage Vt2 of the inverter IV2.

【0019】一方、入力回路1のインバータIV1のし
きい値電圧Vt1(入力回路1のしきい値電圧でもあ
る)は、バイアス電圧Vb(2.5V)に対しわずかに
異なる2.3Vに設定されている。
On the other hand, the threshold voltage Vt1 (also the threshold voltage of the input circuit 1) of the inverter IV1 of the input circuit 1 is set to 2.3V which is slightly different from the bias voltage Vb (2.5V). ing.

【0020】入力回路1に入力された合成信号のレベル
は、しきい値電圧(Vt1=2.3V)によって識別さ
れ、入力信号INに雑音が重畳されない場合には(図2
(a)の(A)部)、図2(b)に示されるように、入
力回路1のしきい値電圧(インバータIV1のしきい値
電圧Vt1と同一で2.3V)を横切る点において、
“0”レベルから“1”レベルへと単純にステプ状に変
化する信号Vaとなって内部回路2に供給される。
The level of the composite signal input to the input circuit 1 is identified by a threshold voltage (Vt1 = 2.3 V), and when noise is not superimposed on the input signal IN (FIG. 2).
As shown in FIG. 2B, at the point crossing the threshold voltage of the input circuit 1 (2.3 V, which is the same as the threshold voltage Vt1 of the inverter IV1), as shown in FIG.
A signal Va that changes from “0” level to “1” level in a simple step is supplied to the internal circuit 2.

【0021】また雑音が重畳されている場合には(図2
(a)の(B)部)、図2(c)に示されるように、バ
イアス電圧Vb(=2.5V)付近に雑音によるレベル
の変動があっても、このレベルの変動部分を避けてしき
い値電圧Vt1(2.3V)を横切ることになるので、
雑音が重畳されていない場合と同様に、“0”レベルか
ら“1”レベルへと単純にステップ状に変化する信号V
aとなって内部回路2に供給される。すなわち、入力信
号INに重畳されるゼロクロスポイント付近の雑音を除
去することができる。
When noise is superimposed (see FIG. 2)
(Part (B) of (a)) As shown in FIG. 2 (c), even if there is a level fluctuation due to noise near the bias voltage Vb (= 2.5V), avoid this level fluctuation part. Since it crosses the threshold voltage Vt1 (2.3 V),
As in the case where no noise is superimposed, the signal V that simply changes from “0” level to “1” level in a step-like manner
The signal a is supplied to the internal circuit 2. That is, noise near the zero cross point superimposed on the input signal IN can be removed.

【0022】図2(c)からも分るように、入力回路1
のしきい値電圧(Vt1)とバイアス電圧Vbとの電圧
レベル差は、除去する雑音のレベルによって設定すれば
よい。
As can be seen from FIG. 2C, the input circuit 1
The voltage level difference between the threshold voltage (Vt1) and the bias voltage Vb may be set according to the level of noise to be removed.

【0023】図3は本発明の第2の実施の形態を示す回
路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【0024】この第2の実施の形態は、バイアス電圧発
生回路3aを、一端に電源電圧Vccを受ける第1の抵
抗R1と、一端をこの第1の抵抗R1の他端と接続し他
端を接地電位点と接続する第2の抵抗R2とを備え、こ
れら抵抗R1,R2の接続点から、これら抵抗R1,R
2の抵抗値によって定まる電圧レベルのバイアス電圧V
bを出力する回路としたものであり、他の部分は第1の
実施の形態と同様である。
In the second embodiment, the bias voltage generating circuit 3a includes a first resistor R1 having one end receiving the power supply voltage Vcc, one end connected to the other end of the first resistor R1, and the other end connected. A second resistor R2 connected to a ground potential point, and a connection point between these resistors R1 and R2 is
Bias voltage V at a voltage level determined by the resistance value
This is a circuit for outputting b, and the other parts are the same as in the first embodiment.

【0025】この第2の実施の形態では、バイアス電圧
発生回路3aが2つの抵抗だけで構成できるので、第1
の実施の形態に比べ回路素子数が少なく単純化される、
という利点がある。なお、その他の動作や作用効果は第
1の実施の形態と同様である。
In the second embodiment, since the bias voltage generating circuit 3a can be constituted by only two resistors, the first
The number of circuit elements is reduced and simplified compared to the embodiment of
There is an advantage. Other operations and effects are the same as those of the first embodiment.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、入力回路
のしきい値電圧に対し所定の電圧レベルだけ異なるバイ
アス電圧を発生するバイアス電圧発生回路を設け、信号
入力端子に伝達された入力信号と上記バイアス電圧とを
合成して入力回路に供給する構成とすることにより、入
力信号に雑音が重畳されたとしても、この雑音を除去
し、内部回路に、雑音によるレベル変動が伝達されない
ようにすることができる効果がある。
As described above, according to the present invention, a bias voltage generating circuit for generating a bias voltage different from a threshold voltage of an input circuit by a predetermined voltage level is provided, and an input signal transmitted to a signal input terminal is provided. And the bias voltage are combined and supplied to the input circuit, so that even if noise is superimposed on the input signal, this noise is removed and the level fluctuation due to the noise is not transmitted to the internal circuit. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示された実施の形態の動作を説明するた
めの各部信号の波形図である。
FIG. 2 is a waveform chart of signals of respective parts for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 1;

【図3】本発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の半導体集積回路の一例を示す回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図5】図4に示された半導体集積回路の動作を説明す
るための各部信号の波形図である。
FIG. 5 is a waveform chart of signals at various parts for explaining the operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力回路 2 内部回路 3,3a バイアス電圧発生回路 4 増幅回路 IV1〜IV3 インバータ R1,R2 抵抗 Rf1,Rf2 帰還抵抗 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input circuit 2 Internal circuit 3, 3a Bias voltage generation circuit 4 Amplification circuit IV1-IV3 Inverter R1, R2 Resistance Rf1, Rf2 Feedback resistance

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定のレベルのしきい値電圧をもち、入
力端に信号入力端子からの正弦波型の入力信号とバイア
ス電圧との合成信号を受けてこの合成信号の電圧レベル
を前記しきい値電圧に対して識別しこの識別した結果と
対応するレベルの信号を内部回路に供給する入力回路
と、前記しきい値電圧に対し所定のレベルだけ異なる前
記バイアス電圧を発生し前記入力回路の入力端に供給す
るバイアス電圧発生回路とを有することを特徴とする半
導体集積回路。
An input terminal receives a composite signal of a sine wave type input signal and a bias voltage from a signal input terminal at a predetermined level, and sets a voltage level of the composite signal to the threshold. An input circuit for identifying a value voltage and supplying a signal having a level corresponding to the identified result to an internal circuit; and generating the bias voltage different from the threshold voltage by a predetermined level to provide an input to the input circuit. And a bias voltage generating circuit for supplying the bias voltage to an end.
【請求項2】 前記バイアス電圧発生回路を、前記バイ
アス電圧と同程度のしきい値電圧をもつインバータと、
このインバータの出力端と入力端との間に設けられた帰
還抵抗とを備え、前記インバータの出力端から前記バイ
アス電圧を出力する回路とした請求項1記載の半導体集
積回路。
2. The method according to claim 1, wherein the bias voltage generation circuit includes an inverter having a threshold voltage substantially equal to the bias voltage.
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a feedback resistor provided between an output terminal and an input terminal of the inverter, wherein the circuit outputs the bias voltage from an output terminal of the inverter.
【請求項3】 前記バイアス電圧発生回路を、一端に電
源電圧を受ける第1の抵抗と、一端を前記第1の抵抗の
他端と接続し他端を接地電位点と接続する第2の抵抗と
を備え、前記第1及び第2の抵抗の接続点から、これら
第1,第2の抵抗の抵抗値によって定まる電圧レベルの
前記バイアス電圧を出力する回路とした請求項1記載の
半導体集積回路。
3. The bias voltage generating circuit includes a first resistor receiving a power supply voltage at one end, and a second resistor having one end connected to the other end of the first resistor and the other end connected to a ground potential point. 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising: a circuit for outputting, from a connection point of the first and second resistors, the bias voltage at a voltage level determined by the resistance values of the first and second resistors. .
JP9104368A 1997-04-22 1997-04-22 Semiconductor integrated circuit Pending JPH10294653A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007116468A1 (en) * 2006-03-31 2009-08-20 富士通株式会社 Threshold correction circuit, circuit and circuit board with threshold correction function
WO2009147770A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-10 パナソニック株式会社 Clock signal amplifier circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007116468A1 (en) * 2006-03-31 2009-08-20 富士通株式会社 Threshold correction circuit, circuit and circuit board with threshold correction function
JP4638939B2 (en) * 2006-03-31 2011-02-23 富士通株式会社 Threshold correction circuit, circuit and circuit board with threshold correction function
WO2009147770A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-10 パナソニック株式会社 Clock signal amplifier circuit

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