JPH10294067A - Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube - Google Patents

Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube

Info

Publication number
JPH10294067A
JPH10294067A JP10181497A JP10181497A JPH10294067A JP H10294067 A JPH10294067 A JP H10294067A JP 10181497 A JP10181497 A JP 10181497A JP 10181497 A JP10181497 A JP 10181497A JP H10294067 A JPH10294067 A JP H10294067A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quadrupole
grid
lens
screen
convergence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10181497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eigo Kubota
英吾 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP10181497A priority Critical patent/JPH10294067A/en
Publication of JPH10294067A publication Critical patent/JPH10294067A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the resolution of the whole of a screen by making each beam spot at the peripheral part and center of the screen round with the lateral distortion of each side beam corrected. SOLUTION: A quadrupole lens can be formed of an electrostatic electrode such as a convergence deflector comprising a convergence plate CP and convergence shield plate CS of a cathode-ray tube capable of forming a quadrupole lens with dynamic focus voltage applied to the main lens of an electron gun 5 while being synchronized with deflection so as to allow the electrostatic electrode to be interposed between the main lens and a deflection yoke. In this case, the electrostatic electrode is formed while being approached to the quadrupole lens side introduced by the deflection yoke as much as possible such that quadrupole electromagnetic fields introduced by the deflection electromagnetic field of the deflection yoke, are canceled by the quadrupole electromagnetic fields introduced by the quadrupole lens of the electrostatic electrode, and concurrently, the asymmetric distortion of each side beam is corrected by the electrostatic electrode.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は陰極線管の電子銃の
改良に係わり、特にフェースパネル画面の全域に亘って
高解像度が得られる様に成した陰極線管及び電子銃に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in an electron gun for a cathode ray tube, and more particularly to a cathode ray tube and an electron gun capable of obtaining a high resolution over the entire area of a face panel screen.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極線管(以下CRTと記す)のフェー
スパネル全域に亘って高解像度の画面を映出させるため
に従来からCRT及び電子銃の改良が種々行われてい
る。
2. Description of the Related Art Various improvements have been made to CRTs and electron guns in order to project a high-resolution screen over the entire face panel of a cathode ray tube (hereinafter referred to as CRT).

【0003】一般的なカラーCRTは図7に示す様に、
管体2及び管体2のネック部2c内に配設された電子銃
5並びに偏向ヨーク6等より構成されている。
A general color CRT is shown in FIG.
The tube 2 includes an electron gun 5 and a deflection yoke 6 disposed in the neck 2 c of the tube 2.

【0004】管体2はパネル2a及び漏斗状のファンネ
ル部2b並びにネック部2cより構成され、パネル2a
内面には3原色ストライプ蛍光体が塗布されて、蛍光面
3を形成し、図示しない色選別電極等が配設されて、3
原色ビームを蛍光面3の所定の3原色ストライプ上に照
射する様に成されている。
The tube 2 comprises a panel 2a, a funnel-shaped funnel 2b and a neck 2c.
A phosphor of three primary colors is applied to the inner surface to form a phosphor screen 3, and a color selection electrode (not shown) is provided.
The primary color beam is irradiated on predetermined three primary color stripes of the fluorescent screen 3.

【0005】管体2のネック部2cとファンネル部2b
境界近傍の外側には鞍型の偏向ヨーク6が配設されてい
る。
The neck 2c and the funnel 2b of the tube 2
A saddle-type deflection yoke 6 is provided outside the vicinity of the boundary.

【0006】管体2のネック部2c内には図7及び図8
に示す様に電子銃5が配設され、この電子銃5はR
(赤),G(緑),B(青)のカソードRK,GK,B
Kとプリフォーカス部を構成する第1グリッドG1 ,第
2グリッドG2 と、メインレンズを構成する第3グリッ
ドG3 ,第4グリッドG4 ,第5グリッドG5 並びに静
電用の集中偏向器33が順次配列され、集中偏向器33
はコンバージェンスプレート(以下CPと記す)とコン
バージェンスシールドプレート(以下CSと記す)とで
構成されている。
FIGS. 7 and 8 show the inside of the neck portion 2c of the tube 2. FIG.
The electron gun 5 is provided as shown in FIG.
(Red), G (green), B (blue) cathodes RK, GK, B
K, a first grid G 1 and a second grid G 2 forming a prefocus unit, a third grid G 3 , a fourth grid G 4 and a fifth grid G 5 forming a main lens, and a concentrated deflection for electrostatic use. Devices 33 are sequentially arranged, and the centralized deflector 33
Is composed of a convergence plate (hereinafter referred to as CP) and a convergence shield plate (hereinafter referred to as CS).

【0007】これら電子銃5は上下(Y軸方向)のビー
ドガラス8U及び8Dで一体に絶縁保持され、ステムベ
ース9に固定されている。尚図8で10は管体2内を真
空にするための排気用の排気ガラス管、11はアノード
電圧を5%程度ダウンさせてCPに分割して供給するた
めの内部抵抗分割板(以下IBRと記す)である。
These electron guns 5 are integrally insulated and held by upper and lower (Y-axis) bead glasses 8U and 8D, and are fixed to a stem base 9. In FIG. 8, reference numeral 10 denotes an exhaust glass tube for exhausting the inside of the tube 2 for vacuuming, and 11 denotes an internal resistance dividing plate (hereinafter referred to as IBR) for dividing the anode voltage by about 5% and supplying the CP. Is written).

【0008】上述のCP及びCSから成る集中偏向器3
3の構成を図9及び図10によって説明する。図9は図
8のA−A′方向断面矢視図、図10は図8のB−B′
方向断面矢視図である。
The centralized deflector 3 comprising the above-mentioned CP and CS
3 will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. 8, and FIG. 10 is a view taken along the line BB' of FIG.
It is an arrow direction sectional view.

【0009】図9及び図10に於いて、R用のカソード
RK及びB用カソードBKから出射したサイドビーム7
SはCPとCS間を通って高圧のアノード電圧が印加さ
れているCSのサイド側に引っ張られた後に蛍光面3に
集束し、G用カソードGKから出射したセンタビーム7
Cは2枚のCP間を通り静電偏向されることなく真っ直
ぐに蛍光面に入射する。
In FIG. 9 and FIG. 10, the side beam 7 emitted from the cathode RK for R and the cathode BK for B
S is passed to the side of CS to which a high anode voltage is applied, passes between CP and CS, and is then focused on the phosphor screen 3 and emitted from the G cathode GK.
C directly enters the phosphor screen without being electrostatically deflected through between the two CPs.

【0010】上述のCP及びCSは共に図10に示す様
に2枚の金属板材をコ字状に折り曲げて矩形状とすると
共に、このコ字状の折り曲げ先端を上下に直角に折り曲
げた舌片12を互に接触しない様にビードガラス8U,
8Dに熔着する様に成されている。又、図9に示す様
に、Z軸方向のCPの長さはCSに比べて短く形成され
ている。即ち、CRTの蛍光面3側にCSが突出してい
る。
[0010] As shown in FIG. 10, both the CP and CS are formed by bending two metal plates into a U-shape to form a rectangular shape, and a tongue piece obtained by bending the U-shaped bent end vertically at a right angle. Bead glass 8U so that 12 do not touch each other,
8D is welded. Further, as shown in FIG. 9, the length of CP in the Z-axis direction is formed shorter than that of CS. That is, CS protrudes toward the fluorescent screen 3 side of the CRT.

【0011】上述の如き構成のCRTに於いて、3原色
カソードRK,GK,BKからパネル2aの蛍光面3の
Z軸方向に出射した電子ビーム7の衝突によって蛍光面
3の画面上に生成されるビームスポットは径小で真円で
なければならないが、画面周辺部では次の2点の要因に
よってビームスポット歪を発生する。即ち、 (イ)画面周辺部に偏向された電子ビームと画面中央部
との像点距離の差に起因する幾何学的なビームスポット
の歪。 (ロ)偏向ヨーク等からの非斉一偏向磁界の四重極的な
力によるビームスポットの非点歪。 とである。
In the CRT having the above-described configuration, an electron beam 7 emitted from the three primary color cathodes RK, GK, and BK in the Z-axis direction of the phosphor screen 3 of the panel 2a is generated on the screen of the phosphor screen 3 by collision. The beam spot must be small in diameter and a perfect circle, but beam spot distortion occurs at the periphery of the screen due to the following two factors. (A) Distortion of the geometric beam spot caused by the difference in image point distance between the electron beam deflected to the periphery of the screen and the center of the screen. (B) Astigmatic distortion of a beam spot due to a quadrupole force of an asymmetric deflection magnetic field from a deflection yoke or the like. And

【0012】上述の(イ)項の歪原因を図11で説明す
る。図11は幾何学的な要因でビームスポットが周辺部
で歪む原因を示す説明図である。偏向ヨーク6の偏向中
心線13からパネル2a内面に塗布した蛍光面3の中心
部に出射される電子ビーム7のビームスポットサイズが
真円で径小になる様に最適フォーカス電圧を選択する
と、このセンタビーム7c及びサイドビーム7sから成
る電子ビーム7の焦平面14は偏向中心線13と直交す
るセンタビーム7cの交点を中心とする蛍光面3までの
半径と成り、パネル2aの長手方向(X軸方向)はシリ
ンドリカルに形成されていても、8000〜10000
Rと大きなRを形成しているので、略々フラットに近
く、左右周辺部ではセンタビーム7c′及びサイドビー
ム7s′から成る周辺電子ビーム7′はオーバーフォー
カス状態となって、焦平面14と蛍光面3間に像点距離
の差Δdを生じて、CRT1の画面周辺部のビームスポ
ットは横長となり、周辺部で良好なビームスポット及び
解像度が得られなくなる。
The cause of the distortion in the above item (a) will be described with reference to FIG. FIG. 11 is an explanatory diagram showing a cause of a beam spot being distorted in a peripheral portion due to a geometric factor. When the optimum focus voltage is selected so that the beam spot size of the electron beam 7 emitted from the deflection center line 13 of the deflection yoke 6 to the center of the fluorescent screen 3 applied to the inner surface of the panel 2a becomes a perfect circle and a small diameter, The focal plane 14 of the electron beam 7 composed of the center beam 7c and the side beam 7s has a radius up to the fluorescent screen 3 centered on the intersection of the center beam 7c orthogonal to the deflection center line 13, and is in the longitudinal direction of the panel 2a (X-axis). Direction) is 8000 to 10000 even if it is formed cylindrically.
Since a large R is formed with R, the peripheral electron beam 7 ′ composed of the center beam 7 c ′ and the side beam 7 s ′ is in an overfocus state in the left and right peripheral portions, and is in a focus state. Due to the difference Δd in image point distance between the surfaces 3, the beam spot in the peripheral portion of the screen of the CRT 1 becomes horizontally long, and a favorable beam spot and resolution cannot be obtained in the peripheral portion.

【0013】次に(ロ)項のビームスポットが歪む原因
を図12で説明する。図12は電子ビーム7が偏向ヨー
ク等の非斉一磁界によって生ずる四重極的な非点歪みを
説明するものである。
Next, the cause of the distortion of the beam spot in item (b) will be described with reference to FIG. FIG. 12 illustrates quadrupole astigmatic distortion generated by the electron beam 7 due to an asymmetric magnetic field such as a deflection yoke.

【0014】一般にインライン型カラーCRTではセル
フコンバーゼンス効果を得るために偏向ヨーク6の水平
方向偏向磁界はピンクッション状に歪ませているため
に、このピンクッション状に分布した磁界に入射した、
特に画面周辺部の電子ビーム7は図12の四極磁界成分
15の偏向作用を受けて電子ビーム7は水平方向(X軸
方向)には矢印16の様に外側に引っ張る伸張力を受
け、垂直方向(Y軸方向)には矢印17の様に圧縮する
様な圧縮力を受けることになる。この結果、電子ビーム
7′は横長となり、画面周辺部での解像度を劣化させる
ことに成る。
In general, in the in-line type color CRT, the horizontal deflection magnetic field of the deflection yoke 6 is distorted in a pincushion shape in order to obtain a self-convergence effect.
In particular, the electron beam 7 at the peripheral portion of the screen is subjected to the deflection action of the quadrupole magnetic field component 15 in FIG. In the (Y-axis direction), a compressive force such as compression as indicated by an arrow 17 is received. As a result, the electron beam 7 'becomes horizontally long, and the resolution at the periphery of the screen is degraded.

【0015】この様な(イ)(ロ)項2点の歪みを補正
するために本出願人は先にIEEE 1988年 INTERNATIONA
L DISPLAY RESEARCH CONFERENCE,CH-2678-1/88/0000-00
13で次に説明する様なCRTを提案した。
In order to correct such a distortion of two points (a) and (b), the present applicant first described in IEEE 1988 INTERNATIONA.
L DISPLAY RESEARCH CONFERENCE, CH-2678-1 / 88 / 0000-00
13 proposed a CRT as described below.

【0016】即ち上記した(イ)及び(ロ)項の2点を
補うために電子銃をDQL(DYNAMIC QUADRUPOLE LENS)
と成したものである。
That is, in order to supplement the above two points (a) and (b), the electron gun is connected to a DQL (DYNAMIC QUADRUPOLE LENS).
This is what we have achieved.

【0017】図13はDQL型の電子銃を示すもので図
7で示した、メインレンズを構成するフォーカス用の第
4グリッドG4 を大径のユニポテンシャルレンズ構成と
し3分割した第1の第4グリッドG4AB,第2の第4グリ
ッドG4C及び第3の第4グリッドG4DE と成したもので
ある。
FIG. 13 shows a DQL type electron gun. The fourth grid G 4 for focusing constituting the main lens shown in FIG. 7 is formed into a large-diameter unipotential lens and divided into three parts. The fourth grid G 4AB, the second fourth grid G 4C, and the third fourth grid G 4DE are formed.

【0018】第1及び第3の第4グリッドG4AB 及びG
4DE は有底円筒形状と成され、有底部に楕円状のアパー
チャ19が穿たれ、第2の第4グリッドG4Cは円板状に
成され、楕円状のアパーチャ18が穿たれている。
First and third fourth grids G 4AB and G 4AB
The 4DE has a bottomed cylindrical shape, an oval aperture 19 is drilled in the bottom, a second fourth grid G 4C is formed in a disk shape, and an elliptical aperture 18 is drilled.

【0019】第1及び第3の第4グリッドG4AB 及びG
4DE のアパーチャ19の長軸は図14に示す様にX軸方
向と平行と成され、長軸長は11.4φ、短軸長は9.
0mmとされている。第2の第4グリッドG4Cの長軸は
Y軸方向と平行と成され長軸長さは11.4φ、短軸長
は9.5mmとされている。
First and third fourth grids G 4AB and G 4AB
The major axis of the 4DE aperture 19 is parallel to the X-axis direction as shown in FIG. 14, the major axis length is 11.4φ, and the minor axis length is 9.
0 mm. The major axis of the second fourth grid G 4C is parallel to the Y-axis direction, the major axis length is 11.4φ, and the minor axis length is 9.5 mm.

【0020】更に、第2グリッドG2 と第3グリッドG
3 間にGM グリッドが配され、このGM グリッドはX軸
方向に3個のアパーチャが形成され、中心のアパーチャ
は円形、左右のアパーチャは楕円形と成され、GM グリ
ッドと第3グリッドG3 は3個の小さなバイポテンシャ
ルレンズを構成している。
Further, the second grid G 2 and the third grid G
G M grid is disposed between the 3, the G M grid three apertures in the X-axis direction is formed, the apertures of the central circular, lateral apertures made elliptical, G M grid and the third grid G 3 are constitutes three small bipotential lens.

【0021】上述の電子銃構成でGM グリッド及び第2
の第4グリッドG4Cには一定の固定電圧Fcを供給し、
第1及び第2の第4グリッドG4AB 及びG4DE には図1
5に示す様に1垂直期間(1V)に画面中央でフォーカ
ス用の固定電圧Fcと略等しい電圧を有し、画面左右で
は固定電圧Fcより高い電圧波形を有するダイナミック
フォーカス電圧Vaを印加し、第3及び第5グリッドG
3 及びG5 には加速用アノード電圧Vaが供給される。
[0021] G M grid and the second in the electron gun structure of the above
A fixed voltage Fc is supplied to the fourth grid G 4C of
FIG. 1 shows the first and second fourth grids G 4AB and G 4DE .
As shown in FIG. 5, during one vertical period (1 V), a dynamic focus voltage Va having a voltage substantially equal to the fixed voltage Fc for focusing at the center of the screen and a voltage waveform higher than the fixed voltage Fc at the left and right of the screen is applied. 3rd and 5th grid G
3 and G 5 are accelerating anode voltage Va is supplied.

【0022】電子ビーム7がパネル2aの画面の中心部
21(図16参照)に偏向ヨーク6を介して偏向された
場合は、図15の様にフォーカス用の固定電圧Fcとダ
イナミックフォーカス電圧Fvは等しいので第1乃至第
3の第4グリッドG4AB ,G4C,G4DE の電位は等しく
第3グリッドG3 と第4グリッドG4 並びに第5グリッ
ドG5 は通常のユニポテンシャルレンズとして動作す
る。
When the electron beam 7 is deflected to the center 21 (see FIG. 16) of the screen of the panel 2a via the deflection yoke 6, the fixed voltage Fc for focusing and the dynamic focus voltage Fv are changed as shown in FIG. Since they are equal, the potentials of the first to third fourth grids G 4AB , G 4C , G 4DE are equal and the third grid G 3 , the fourth grid G 4 and the fifth grid G 5 operate as a normal unipotential lens.

【0023】次に、偏向ヨーク6によって電子ビームが
パネル2aの画面周辺部20(図16参照)に偏向され
た場合は、第1及び第3の第4グリッドG4AB 及びG
4DE は第2の第4グリッドG4Cより高電圧となり、第3
グリッドG3 と第1の第4グリッドG4AB 並びに第3の
第4グリッドG4DE と第5グリッドG5 によって形成さ
れるメインレンズの焦点距離が長くなって(イ)項での
欠点である幾何学的歪を補正可能と成る。
Next, when the electron beam is deflected by the deflection yoke 6 to the peripheral portion 20 (see FIG. 16) of the panel 2a, the first and third fourth grids G 4AB and G 4AB
4DE has a higher voltage than the second fourth grid G 4C and the third
The focal length of the grid G 3 and the first of the fourth grid G 4AB and third fourth grid G 4DE a main lens formed by the fifth grid G 5 are longer (a) geometric is a disadvantage in terms It becomes possible to correct the geometric distortion.

【0024】又、第1乃至第3の第4グリッドG4AB
4C,G4DE からなるDQL(四重極レンズ)によっ
て、図16に示す様に画面周辺部では静電的な四重極磁
界が発生し、偏向ヨーク6で発生する図12で説明した
四重極の磁界とをキャンセルする様に成されている。
The first to third fourth grids G 4AB ,
The DQL (quadrupole lens) composed of G 4C and G 4DE generates an electrostatic quadrupole magnetic field around the screen as shown in FIG. It is configured to cancel the magnetic field of the heavy pole.

【0025】即ち、図16で説明すれば画面周辺部20
ではX軸方向には電子ビーム7′を圧縮する圧縮力1
6′が四重極磁界で働き、Y軸方向には伸張力17′が
働くため(ロ)項で説明した偏向ヨーク6による図12
に示したX及びY方向の伸張力16及び圧縮力17と反
対となって電子ビーム7′の歪はキャンセルされて、
(ロ)項の非点歪みは補正される。
That is, as described with reference to FIG.
In the X axis direction, a compressive force of 1 compresses the electron beam 7 '.
6 'operates in the quadrupole magnetic field, and an extension force 17' operates in the Y-axis direction.
In contrast to the stretching force 16 and the compressing force 17 in the X and Y directions shown in FIG.
The astigmatism distortion of the term (ii) is corrected.

【0026】又、画面中央部21の電子ビームは第1乃
至第3の第4グリッドG4AB ,G4C,G4DE が同電位で
四重極磁界は発生しないので通常のユニポテンシャルレ
ンズとして動作することに成る。
The electron beam in the central portion 21 of the screen operates as a normal unipotential lens since the first to third fourth grids G 4AB , G 4C and G 4DE have the same potential and do not generate a quadrupole magnetic field. It will be.

【0027】上述の図13で示した、DQL型の電子銃
によると光学的モデル図は図17の様に表すことが出来
る。
According to the DQL type electron gun shown in FIG. 13, the optical model diagram can be represented as shown in FIG.

【0028】図17に於いて、メインレンズ24は第3
グリッドG3 と第1の第4グリッドG4AB 間並びに第3
の第4グリッドG4DE と第5グリッドG5 間に生じ、第
2の第4グリッドG4Cでは、四重極レンズ(DQL)2
4を生ずる。又25は偏向ヨーク6によって生ずる偏向
磁界のDQLを示している。
In FIG. 17, the main lens 24 is the third lens.
Grid G 3 and the first of the fourth grid G 4AB and between the third
Occurs between the fourth grid G 4DE and the fifth grid G 5 , and in the second fourth grid G 4C , the quadrupole lens (DQL) 2
Yields 4. Numeral 25 indicates the DQL of the deflection magnetic field generated by the deflection yoke 6.

【0029】図17のモデル図で中心線26より上側が
Y軸方向(垂直方向)の光学モデルを表し、下側がX軸
方向(水平方向)の光学モデルを表している。
In the model diagram of FIG. 17, the upper side of the center line 26 represents the optical model in the Y-axis direction (vertical direction), and the lower side represents the optical model in the X-axis direction (horizontal direction).

【0030】即ち、Y軸方向ではメインレンズ23及び
偏向磁界によるDQL25は凸レンズとして作用し、集
束レンズ効果を示し、メインレンズのDQL24では凹
レンズとして作用し発散レンズ効果を示す。
That is, in the Y-axis direction, the main lens 23 and the DQL 25 by the deflecting magnetic field act as a convex lens, exhibiting a converging lens effect, and the DQL 24 of the main lens acts as a concave lens, exhibiting a diverging lens effect.

【0031】又、X軸方向ではメインレンズ23及びメ
インレンズ23のDQL24は凸レンズとして作用し、
集束レンズ効果を示し、偏向磁界によるDQL25は凹
レンズとして作用し、発散レンズ効果を示す。従ってク
ロスオーバーポイント28から出射した電子ビーム7は
図17の実線で示す様に集束、発散を繰り返してパネル
2aの蛍光面3に照射されて所定口径のビームスポット
40又は41を生ずる。(図18参照)
In the X-axis direction, the main lens 23 and the DQL 24 of the main lens 23 act as a convex lens,
It shows a converging lens effect, and the DQL 25 by the deflection magnetic field acts as a concave lens and shows a diverging lens effect. Therefore, the electron beam 7 emitted from the crossover point 28 is repeatedly focused and diverged as shown by the solid line in FIG. 17, and is irradiated on the phosphor screen 3 of the panel 2a to generate a beam spot 40 or 41 having a predetermined diameter. (See Fig. 18)

【0032】図17で上記した電子ビーム7のクロスオ
ーバーポイント28から放射される電子ビーム7の軌跡
に沿った破線で示す接線29と、同じく蛍光面3に入射
する電子ビーム7に沿った破線で示す接線29の交点3
0までのX軸及びY軸方向までの距離を夫々ax,bx
並びにay,byとすると、ビームスポットの結像倍率
MはX軸方向ではMx=bx/ax、Y軸方向ではMy
=by/ayで表される。
In FIG. 17, a tangent line 29 indicated by a broken line along the locus of the electron beam 7 emitted from the crossover point 28 of the electron beam 7 and a broken line along the electron beam 7 also incident on the phosphor screen 3 Intersection 3 of tangent line 29 shown
The distances to the X-axis and Y-axis directions until 0 are ax and bx, respectively.
And ay and by, the imaging magnification M of the beam spot is Mx = bx / ax in the X-axis direction, and My in the Y-axis direction.
= By / ay.

【0033】一般にスポットサイズはレンズ倍率起因の
スポット径dxや、レンズ収差に起因する径拡大部DSC
等で定められ、これらの値は結像倍率Mに大きく依存す
る。
[0033] In general spot size magnification caused spot diameter dx and the diameter enlarged portion D SC due to lens aberrations
These values largely depend on the imaging magnification M.

【0034】従って、X及びY軸方向で結像倍率Mx及
びMyの値をなるべく等しくする必要がある。然し、図
17の構成によると上述の縦方向のMyに比べ横方向M
xが大きくなり、縦横の像倍率差ΔM=Mx−Myが大
きくなり、図18に示される様にCRTのパネル2aの
画面31上に映出される画面中心部のビームスポット4
0は略円形であるが、画面周辺部でのビームスポット4
1は横長になってしまい画面全体としては均一な解像度
が得られなくなる。
Therefore, it is necessary to make the values of the imaging magnifications Mx and My equal in the X and Y axis directions as much as possible. However, according to the configuration of FIG. 17, the horizontal direction M is larger than the vertical direction My described above.
x increases, the vertical and horizontal image magnification difference ΔM = Mx−My increases, and as shown in FIG. 18, the beam spot 4 at the center of the screen projected on the screen 31 of the panel 2a of the CRT.
0 is substantially circular, but beam spot 4 at the periphery of the screen
1 is horizontally long, so that a uniform resolution cannot be obtained for the entire screen.

【0035】この様な画面周辺部に於ける横長スポット
を出来るだけ丸くするためには、偏向ヨーク6で発生す
る偏向磁界による四重極レンズ25とメインレンズで生
ずる四重極レンズ24との距離を成るべく近づける様に
すればよいので、これを実現させる為に図19に示す様
にトリニトロン(ソニー商標)CRTの電子銃が有する
集中偏向器33のCSを用いて四重極レンズを発生させ
る様にする。
In order to make such a horizontally long spot in the peripheral portion of the screen as round as possible, the distance between the quadrupole lens 25 caused by the deflection magnetic field generated by the deflection yoke 6 and the quadrupole lens 24 generated by the main lens is required. In order to realize this, a quadrupole lens is generated using the CS of the centralized deflector 33 of the electron gun of the Trinitron (Sony trademark) CRT as shown in FIG. Like

【0036】即ち、偏向ヨーク6は図8に示す電子銃5
の集中偏向器33位置より管体2のパネル2a側に配設
されているために、図19の電子銃の光学モデル図に示
す様に偏向ヨーク6による磁界で生ずる四重極レンズ2
5とメインレンズ23間にCP及びCSでの四重極レン
ズ32を発生させることが出来るので、縦横の像倍率差
ΔM′=Mx′−My′を小さくすることが出来る。
That is, the deflection yoke 6 is connected to the electron gun 5 shown in FIG.
Is located on the panel 2a side of the tubular body 2 from the position of the centralized deflector 33, and as shown in the optical model diagram of the electron gun in FIG.
Since the quadrupole lens 32 of CP and CS can be generated between the lens 5 and the main lens 23, the vertical and horizontal image magnification difference ΔM ′ = Mx′−My ′ can be reduced.

【0037】然し、集中偏向器33で形成する四重極レ
ンズは偏向にかかわらず固定の為、画面中心部21では
歪みが生ずる。これを補正する為にはメインレンズ23
に図15で説明したと逆のDQLを施すことを本出願人
は先に提案している。
However, since the quadrupole lens formed by the concentrated deflector 33 is fixed irrespective of the deflection, distortion occurs in the center portion 21 of the screen. In order to correct this, the main lens 23
The applicant of the present application has previously proposed to apply the reverse DQL to that described in FIG.

【0038】上述の集中偏向器33による四重極レンズ
を構成するために集中偏向器33を図20の斜視図に示
す様に構成させる。図20は集中偏向器33を管体2の
パネル2a側から視たものであり、図21は図20のC
−C断面矢視図、図22は図21のD−Dの断面図であ
り、集中作用領域を示し、図23は図21のE−Eの断
面図であり、四重極作用領域を示している。
In order to form a quadrupole lens using the above-described concentrated deflector 33, the concentrated deflector 33 is configured as shown in a perspective view of FIG. FIG. 20 shows the centralized deflector 33 viewed from the panel 2a side of the tubular body 2, and FIG.
FIG. 22 is a sectional view taken along the line DD in FIG. 21 and shows a concentrated action area, and FIG. 23 is a sectional view taken along the line EE in FIG. 21 and shows a quadrupole action area. ing.

【0039】集中偏向器33はCP及びCS並びにCS
に付加したCS平行板35より構成され、CP及びCS
は図9と略々同一構成とされているが、2板の夫々のC
Pのパネル2a側の端部36は2板のCS端部37の端
部よりパネル2a側に突出している。又、CSのパネル
側の端部37には、センタビーム7cと左右のサイドビ
ーム7sを上下に挟む位置にコンバーゼンスシールド平
行板(CS平行板)35が配設されている。
The central deflector 33 is composed of CP, CS and CS
Is composed of a CS parallel plate 35 added to CP, CS and CS.
Has substantially the same configuration as that of FIG.
The end 36 of the P on the panel 2a side protrudes toward the panel 2a from the end of the CS end 37 of the two plates. Further, a convergence shield parallel plate (CS parallel plate) 35 is disposed at an end 37 on the panel side of the CS at a position vertically sandwiching the center beam 7c and the left and right side beams 7s.

【0040】従って、図21に示す様にCS平行板35
の端部38とCPの端部36とは同一面内にある様に成
される。
Therefore, as shown in FIG.
And the end 36 of the CP are in the same plane.

【0041】CSにはアノード電圧Vaが印加され、C
Pにはアノード電圧Vaの95%程度の電圧が印加され
る。これによって図22の集中作用領域の断面図の模式
図に示す様に、集中偏向器33のCSとCPとの間に挟
まれたサイドビーム7sはセンタビーム7cの矢印方向
に曲げられる。
An anode voltage Va is applied to CS, and C
A voltage of about 95% of the anode voltage Va is applied to P. As a result, as shown in the schematic view of the sectional view of the concentrated action area in FIG. 22, the side beam 7s sandwiched between CS and CP of the concentrated deflector 33 is bent in the direction of the arrow of the center beam 7c.

【0042】一方、図23の四重極作用領域を示す模式
図に示す様にCPの突出部39とCS平行板35によっ
て四重極電界が形成される。
On the other hand, as shown in the schematic diagram showing the quadrupole action region of FIG. 23, a quadrupole electric field is formed by the projection 39 of the CP and the CS parallel plate 35.

【0043】この集中偏向器33に於ける四重極電界
は、図23の矢印の様に通過するビームを縦長に形成す
る作用を有する。即ち、CPの突出部39とCS平行板
35に囲まれた領域内ではセンタビーム7c及びサイド
ビーム7s及び7sは縦長と成る。
The quadrupole electric field in the centralized deflector 33 has the function of forming a vertically passing beam as shown by the arrow in FIG. That is, the center beam 7c and the side beams 7s and 7s are vertically elongated in a region surrounded by the protrusion 39 of the CP and the CS parallel plate 35.

【0044】管体2のパネル2aの画面中心部21に電
子ビームが衝突するとき、第4グリッドG4 の第1〜第
3グリッドG4AB ,G4C,G4DE によって形成される四
重極電界により、電子ビームは横長となり、一方集中偏
向器33のCPの突出部39とCS平行板35によって
囲まれた空間内を通過する電子ビームは縦長となり、そ
の結果、第4グリッドG4 による四重極レンズ効果と集
中偏向器33による四重極レンズ効果が打ち消され、蛍
光面の中央部に入射するスポット形状は真円に近づく、
勿論画面中心部では偏向ヨーク6は動作していない。
When the electron beam collides with the screen center 21 of the panel 2a of the tube 2, a quadrupole electric field formed by the first to third grids G 4AB , G 4C and G 4DE of the fourth grid G 4 . As a result, the electron beam becomes horizontally long, while the electron beam passing through the space surrounded by the projection 39 of the CP of the concentrated deflector 33 and the CS parallel plate 35 becomes vertically long, and as a result, quadrupled by the fourth grid G 4. The polar lens effect and the quadrupole lens effect by the concentrated deflector 33 are canceled out, and the spot shape incident on the central portion of the phosphor screen approaches a perfect circle.
Of course, the deflection yoke 6 does not operate at the center of the screen.

【0045】一方、パネル面の画面周辺部20に電子ビ
ームが入射する時、第4グリッドG 4 によって、四重極
電極が形成されない様に図24に示す様な図15とは逆
特性のダイナミックフォーカス電圧Fv′及びFc′を
印加している。一方、CPの突出部39とCS平行板3
5によって囲まれた空間内を通過する電子ビームは縦長
となり、偏向ヨーク6が動作しているので、偏向ヨーク
6を通過した電子ビームは横長となる。以上の結果か
ら、集中偏向器33による四重極レンズ効果と偏向ヨー
ク6による四重極レンズ効果とが打ち消され、蛍光面の
左右周辺部に衝突する電子ビームのスポット形状は真円
に近づく様に成る。
On the other hand, an electronic window is
When the beam enters, the fourth grid G FourBy the quadrupole
The opposite of FIG. 15 as shown in FIG. 24 so that no electrodes are formed
Characteristic dynamic focus voltages Fv 'and Fc'
Is being applied. On the other hand, the protrusion 39 of the CP and the CS parallel plate 3
The electron beam passing through the space surrounded by 5 is vertically long
Since the deflection yoke 6 is operating, the deflection yoke 6
The electron beam passing through 6 becomes horizontally long. The above result
The quadrupole lens effect and the deflection yaw
6 cancels the quadrupole lens effect,
The spot shape of the electron beam colliding with the left and right peripheral parts is a perfect circle
It comes to approach.

【0046】[0046]

【発明が解決しようとする課題】上述の従来、構成で説
明したCRT及びCRTの電子銃によると、集中偏向器
33のDQL作用は図23に示す様にセンタビーム7c
に掛かる電界とサイドビーム7s及び7sに掛かる電界
間に差が生ずる為に、出射ビームとしては図25に示す
様にセンタビーム7cのみが縦長となるがサイドビーム
7s及び7sは縦長に加え、横方向にサイドビームがし
み出す様な横(X軸方向)の非対称性が残る問題があっ
た。
According to the above-described conventional CRT and the electron gun of the CRT, the DQL function of the centralized deflector 33 is as shown in FIG.
As shown in Fig. 25, only the center beam 7c is vertically elongated as shown in Fig. 25, but the side beams 7s and 7s are not only vertically elongated but also horizontally. There is a problem that the lateral (X-axis direction) asymmetry such that the side beam seeps in the direction remains.

【0047】本発明は叙上の問題点を解消する様に成し
たCRT及び電子銃を提供しようとするものであり、サ
イドビームの横方向の非対称性を補正することで画面の
周辺部でのスポットを補正し全画面で均一な解像度を得
る様に成したものである。
An object of the present invention is to provide a CRT and an electron gun which solve the above-mentioned problems, and correct the lateral asymmetry of the side beam to improve the peripheral area of the screen. The spot is corrected to obtain a uniform resolution over the entire screen.

【0048】[0048]

【課題を解決するための手段】本発明のCRTはその例
が図1に示されている様に偏向ヨークで発生する四重極
レンズと、メインレンズ電極部分でダイナミックフォー
カスに応じて形成される四重極レンズ間に配設した集中
偏向手段33で四重極レンズを発生させて成る陰極線管
であって、集中偏向手段33を構成するコンバーゼンス
プレート(CP)とコンバーゼンスシールドプレート
(CS)間を通過するサイドビーム7s及び7sに掛か
る四重極の水平方向成分の力を予め逆方向に印加する様
に成したものである。
As shown in FIG. 1, the CRT of the present invention is formed by a quadrupole lens generated by a deflection yoke and a main lens electrode portion according to dynamic focus as shown in FIG. This is a cathode ray tube in which a quadrupole lens is generated by a concentrated deflecting unit 33 disposed between quadrupole lenses, and a convergence plate (CP) and a convergence shield plate (CS) constituting the concentrated deflecting unit 33 The horizontal beam components of the quadrupole applied to the passing side beams 7s and 7s are applied in the opposite direction in advance.

【0049】本発明の電子銃はその例が図1に示されて
いる様にメインレンズを構成する第3グリッドG3 と第
5グリッドG5 間に四重極レンズを構成可能な第1乃至
第3の第4グリッドG4AB ,G4C,G4DE を有し、偏向
ヨークと、メインレンズによって形成する四重極レンズ
間に配設した四重極レンズを形成する集中偏向電極33
を有する電子銃5であって、上記集中偏向電極33を構
成するコンバーゼンスプレートCPとコンバーゼンスシ
ールドプレートCS間を通過するサイドビーム7s及び
7sに掛かる四重極の水平方向成分の力を予め逆方向に
印加する様に成したものである。
As shown in FIG. 1, the electron gun according to the present invention has a structure in which a quadrupole lens can be formed between a third grid G 3 and a fifth grid G 5 forming a main lens. A concentrated deflection electrode 33 having a third fourth grid G 4AB , G 4C , G 4DE and forming a quadrupole lens disposed between the deflection yoke and the quadrupole lens formed by the main lens;
The electron gun 5 has a horizontal component of the quadrupole applied to the side beams 7s and 7s passing between the convergence plate CP and the convergence shield plate CS constituting the concentrated deflection electrode 33 in the reverse direction in advance. It is made to apply.

【0050】本発明のCRT及び電子銃によればサイド
ビーム7s及び7sをセンタビーム7cと同程度のビー
ムの形状とするために、サイドビームに掛かる四重極の
力の水平(X軸方向)成分を予め逆方向に印加してサイ
ドビームでの横方向の非対称性を補正する様にしたもの
である。
According to the CRT and the electron gun of the present invention, in order to form the side beams 7s and 7s into the same beam shape as the center beam 7c, the horizontal (X-axis direction) of the quadrupole force applied to the side beams is used. The component is applied in the reverse direction in advance to correct the lateral asymmetry in the side beam.

【0051】[0051]

【発明の実施の形態】以下、本発明のCRTを図1乃至
図6を用いて詳記する。尚図7乃至図25で説明したC
RT及び電子銃との対応部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A CRT according to the present invention will be described below in detail with reference to FIGS. Note that C shown in FIGS.
Parts corresponding to the RT and the electron gun are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

【0052】図1は本発明のCRTの要部の電子銃の一
部を切り欠いた斜視図を示すもので、各種のグリッド配
列は従来構成で説明した図13と同一である。図1でカ
ソートRK,GK,BK、第1グリッドG1 、第2グリ
ッドG2 が省略されている。本例で図13と異なる点の
みを以下に説明する。
FIG. 1 is a perspective view of a main part of an electron gun of a CRT according to the present invention, in which a part of an electron gun is cut away. Various grid arrangements are the same as those in FIG. In FIG. 1, the cascades RK, GK, and BK, the first grid G 1 , and the second grid G 2 are omitted. Only the points different from FIG. 13 in this example will be described below.

【0053】メインレンズを構成する第1乃至第3の分
割された第4グリッドG4 の第1及び第3の第4グリッ
ドG4AB 及びG4DE には図24で示す様な画面中央で低
く、画面周辺で固定電圧Fc′と等しいダイナミックフ
ォーカス電圧Fv′が供給され、センタ位置にある第2
の第4グリッドG4C及びGM グリッドには固定したフォ
ーカス電圧、即ち固定電圧Fc′が供給され、集束用の
アノード電圧Vaは第3グリッドG3 及び第5グリッド
5 に供給される。集中偏向器33を構成するCSは第
5グリッドG5 と一体化されているためアノード電圧V
aが印加されている。又、CPにはIBR11の抵抗を
介してアノード電圧より5%程度低い電圧が供給されて
いる。
The first and third fourth grids G 4AB and G 4DE of the first to third divided fourth grids G 4 constituting the main lens are lower at the center of the screen as shown in FIG. A dynamic focus voltage Fv 'equal to the fixed voltage Fc' is supplied around the screen, and the second
Fourth grid G 4C and G M fixed focus voltage to the grid, i.e. fixed voltage Fc 'is fed, the anode voltage Va for focusing is supplied to the third grid G 3, and the fifth grid G 5. The anode voltage V for CS constituting the concentrating deflector 33 is integrated with the fifth grid G 5
a is applied. Further, a voltage about 5% lower than the anode voltage is supplied to the CP via the resistor of the IBR 11.

【0054】又、図19に示す様に第3グリッドG3
第1の第4グリッドG4AB 並びに第3の第4グリッドG
4DE と第5グリッドG5 で2つのメインレンズ23が形
成される。本例では、偏向ヨーク6の偏向磁界で形成さ
れるDQL25と第3の第4グリッドG4DE と第5グリ
ッドG5 で形成されるメインレンズ23との間でなるべ
く偏向磁界で形成されるDQL25に近い側に、画面周
辺部に電子ビーム7が偏向された時に電子ビームを縦長
にするDQL32を形成する電極を配設する。
As shown in FIG. 19, the third grid G 3 , the first fourth grid G 4AB , and the third fourth grid G
4DE the fifth grid G 5 with two of the main lens 23 is formed. In this example, the DQL 25 formed by the deflection magnetic field is preferably formed between the DQL 25 formed by the deflection magnetic field of the deflection yoke 6 and the main lens 23 formed by the third fourth grid G 4DE and the fifth grid G 5. On the near side, an electrode for forming a DQL 32 that makes the electron beam vertically long when the electron beam 7 is deflected is disposed at the periphery of the screen.

【0055】偏向ヨーク6の偏向磁界で生ずるDQL2
5と、このDQL25で生ずる磁界をキャンセルするD
QL32を極力DQL25側に近づければ、上記した様
にX軸方向に対するY軸方向の像倍率差ΔM′が小さく
なるので集中偏向器33内でDQL32を発生させる。
DQL2 generated by the deflection magnetic field of the deflection yoke 6
5 and D for canceling the magnetic field generated by this DQL 25
When the QL 32 is brought as close to the DQL 25 side as possible, the image magnification difference ΔM ′ in the Y-axis direction with respect to the X-axis direction becomes smaller as described above, so that the DQL 32 is generated in the concentrated deflector 33.

【0056】上述のDQL32を発生させる為の集中偏
向器33の具体的な構成を図2乃至図5で詳記する。従
来の集中偏向器33は図20乃至図23で説明した様に
第5グリッドG5 の先端の偏向ヨーク6に近い部分に図
1の様に取り付けられている。この様な集中偏向器33
は略々コ字状に形成したCP及びCSから成り、図2は
本発明の集中偏向器の要部の斜視図、図3は図2のD−
D断面で本発明の集中作用及びDQL作用領域の説明
図、図4は図2のE−E断面で本発明のDQL作用領域
の説明図である。
The specific configuration of the centralized deflector 33 for generating the DQL 32 will be described in detail with reference to FIGS. Conventional centralized deflector 33 is part attached as in Figure 1 close to the deflection yoke 6 in the distal end of the fifth grid G 5 as described in FIGS. 20 to 23. Such a centralized deflector 33
FIG. 2 is a perspective view of a main part of the centralized deflector of the present invention, and FIG.
FIG. 4 is an explanatory view of the concentrated action and DQL action area of the present invention in the D section, and FIG. 4 is an explanatory view of the DQL action area of the present invention in the EE section in FIG. 2.

【0057】本発明に用いる集中偏向器33は基本的な
形状は従来構成の図20乃至図23で説明したと同様で
あり、板材をコ字状に形成したCP及びCSの折り曲げ
先端部に上下のビードガラス8U及び8Dに熔着させる
舌片12を図2及び図3に示す様に互い違いに折り曲げ
先端部と直交する様に形成する。
The centralized deflector 33 used in the present invention has the same basic shape as that described with reference to FIGS. 20 to 23 of the conventional configuration. The tongue pieces 12 to be welded to the bead glasses 8U and 8D are bent alternately as shown in FIGS.

【0058】CSの第5グリッドG5 側にはCSの主面
と直交する様に外側に折り曲げられた取付片43が形成
され、略々正方形状で電子ビーム通過用の矩形孔42が
穿たれた第5グリッドG5 と一体化されたG5 取付板4
4に取付片43を介して溶接等で一体化させている。
[0058] The fifth grid G 5 side of the CS is formed attachment pieces 43 bent outward so as to perpendicular to the main surface of CS, rectangular hole 42 for electron beam passage with substantially square shape is bored G 5 mounting plate 4 which is integrated with the fifth grid G 5
4 is integrated by welding or the like via a mounting piece 43.

【0059】CSとCPとの電子ビーム出射方向(Z
軸)の寸法構成は図20及び図21で説明したと同様の
構成と成されCS平行板35がコ字状部の前部の上下面
に溶接されている。従ってCPの突出部39と上下のC
Sの平行板35で囲まれる図4に示す四重極作用領域の
配置は変えずに、図3に示す集中作用及び四重極作用領
域のCSの形状をZ軸方向の主面45をCS側に弯曲さ
せる様に成す。
The direction of the electron beam emission between CS and CP (Z
The dimensions of the shaft are the same as those described with reference to FIGS. 20 and 21, and the CS parallel plate 35 is welded to the upper and lower surfaces of the front portion of the U-shaped portion. Therefore, the protrusion 39 of the CP and the upper and lower C
4 without changing the arrangement of the quadrupole action area shown in FIG. 4 surrounded by the S parallel plate 35, and changing the shape of the CS of the concentrated action and quadrupole action area shown in FIG. Make it bend to the side.

【0060】上述の様に形成したCP及びCSを2組用
意し、図3に示す様に2板のCSを正面からみてロ字状
に対向させ、更に2板のCPを同じく正面からみてロ字
状になる様に且つCSを囲繞する様に対向させて共に上
下ビードガラス8U及び8Dに舌片12を介して熔着さ
せる。
Two sets of the CP and CS formed as described above are prepared, and the two plates of CS are opposed to each other in a rectangular shape as viewed from the front as shown in FIG. The upper and lower bead glasses 8U and 8D are welded together via the tongue piece 12 so as to face each other so as to form a character and surround the CS.

【0061】この組立時に図20に示す様にCPとCS
の偏向ヨーク6(或は蛍光面3)側に突出している長手
方向(Z軸方向)の長さを等しくする様に成される。
At the time of this assembling, as shown in FIG.
In the longitudinal direction (Z-axis direction) protruding toward the deflection yoke 6 (or the fluorescent screen 3).

【0062】上述の様に組み立てられた集中偏向器33
のCSには第5グリッドG5 に印加されるアノード電圧
Vaが供給され、CPにはIBR11を介して5%ダウ
ンのアノード電圧Vaが供給される。
The centralized deflector 33 assembled as described above
The of CS is supplied anode voltage Va applied to the fifth grid G 5, the CP is supplied the anode voltage Va of 5% down through the IBR11.

【0063】上述の集中偏向器33の外側に弯曲したC
Sにより、図3に示す様に、予めサイドビーム7s及び
7sはX軸方向の力FX と上下斜め方向からの力FXU
びFXDの力が与えられる様にCSとCP間には高電位側
のCSにより樽型の等電位線46を形成する。
The C curved outside the centralized deflector 33 described above
By S, as shown in FIG. 3, the side beams 7s and 7s are previously set high between CS and CP so that the force F X in the X-axis direction and the forces F XU and F XD from diagonally up and down directions are given. A barrel-shaped equipotential line 46 is formed by CS on the potential side.

【0064】この場合、センタービーム7cは電界の作
用を受けることなく、CSの両主面45間を略々同一ビ
ーム形状のまま直進する。
In this case, the center beam 7c travels straight between the two main surfaces 45 of the CS with substantially the same beam shape without being affected by the electric field.

【0065】次にこれらセンタービーム7c及びサイド
ビーム7s及び7sが図4に示す集中偏向器33の四重
極作用領域に入るとセンタービーム7cは上下のCSの
平行板35のアノード電圧Vaにより上下(Y軸)方向
の力FY 及びFY が働き、センタービーム7cは始めて
縦長に形成される。
Next, when the center beam 7c and the side beams 7s and 7s enter the quadrupole action region of the converging deflector 33 shown in FIG. 4, the center beam 7c rises and falls due to the anode voltage Va of the upper and lower CS parallel plates 35. The forces F Y and F Y in the (Y-axis) direction act, and the center beam 7c is formed vertically long for the first time.

【0066】一方、サイドビーム7s及び7sは図3の
弯曲されたCSの主面45によってX軸方向に関して逆
の力を受けているので、図4の四重極作用領域に入った
サイドビーム7s及び7sは斜め上下方向のFXU及びF
XDに対して上下斜め方向に引っ張る力FXU′及びFXU
が働くため互いにキャンセルされてX軸方向の非対称性
は補正され、図5に示す様にセンタービーム7c及びサ
イドビーム7s及び7sは縦長に成されて集中偏向器3
3から出射することに成る。
On the other hand, since the side beams 7s and 7s receive opposite forces in the X-axis direction due to the curved main surface 45 of the CS shown in FIG. 3, the side beams 7s entering the quadrupole action region shown in FIG. And 7s are F XU and F in the oblique vertical direction
Forces F XU ′ and F XU ′ that pull obliquely up and down with respect to XD
Work, the two beams are canceled each other, and the asymmetry in the X-axis direction is corrected. As shown in FIG. 5, the center beam 7c and the side beams 7s and 7s are vertically elongated to form the centralized deflector 3
3 is emitted.

【0067】従って、前記した様に蛍光面の中心部に電
子ビームが入射する時には第4グリッドG4 のDQLに
より横長のビームは集中偏向器33で縦長となり、互い
にキャンセルされて図6に示す様に、画面31の中央で
はスポット40は真円に成る。
[0067] Thus, oblong beams by DQL fourth grid G 4 are when the electron beam incident on the central portion of the phosphor screen as described above becomes a portrait in the intensive deflector 33, as shown in FIG. 6 is canceled each other In the center of the screen 31, the spot 40 becomes a perfect circle.

【0068】一方、画面31の円周部では第4グリッド
4 でのDQLは発生していないので集中偏向器33を
出射した電子ビームは縦長と成り偏向ヨーク6でのDQ
Lは横長となり互いにキャンセルして画面31の周辺で
はスポット41は真円に近づくことになる。
On the other hand, since DQL is not generated in the fourth grid G 4 in the circumferential portion of the screen 31, the electron beam emitted from the centralized deflector 33 becomes vertically long and the DQ in the deflection yoke 6
L becomes horizontally long and cancels out each other, so that the spot 41 approaches a perfect circle around the screen 31.

【0069】尚、上述の実施例ではCP及びCSを用い
てDQL32を形成したが、メインレンズのDQL24
と偏向ヨークのDQL25間に特別に静電型DQLを形
成させる様に集中偏向器とは別の静電電極を配設する様
に成してもよいことは明らかである。
In the above-described embodiment, the DQL 32 is formed by using the CP and the CS.
It is obvious that an electrostatic electrode different from the centralized deflector may be provided so as to form a special electrostatic DQL between the DQL 25 and the deflection yoke.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明のCRTによれば極めて簡単な構
成で画面周辺部及び画面中央部でのビームスポットを丸
い状態に補正可能となり、サイドビームのX軸方向の非
対称歪が補正出来て画面全体で均一な解像度の得られる
CRTが提供可能となる。
According to the CRT of the present invention, it is possible to correct the beam spot at the peripheral portion of the screen and the central portion of the screen to a round state with a very simple structure, and to correct the asymmetric distortion of the side beam in the X-axis direction. It is possible to provide a CRT with a uniform resolution throughout.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の陰極線管の電子銃構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an electron gun of a cathode ray tube according to the present invention.

【図2】本発明の陰極線管の電子銃に用いる集中偏向器
の要部斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a main part of a centralized deflector used for an electron gun of a cathode ray tube according to the present invention.

【図3】本発明の集中作用及び四重極作用領域の説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory view of a concentrated action and quadrupole action area of the present invention.

【図4】本発明の四重極作用領域説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a quadrupole action region of the present invention.

【図5】本発明の出射ビーム形状説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of an output beam shape according to the present invention.

【図6】本発明による画面上のスポット図である。FIG. 6 is a spot diagram on a screen according to the present invention.

【図7】従来の陰極線管の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional cathode ray tube.

【図8】従来の電子銃の斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a conventional electron gun.

【図9】従来の集中偏向器の図8のA−A′断面矢視図
である。
9 is a cross-sectional view of the conventional centralized deflector taken along the line AA 'in FIG.

【図10】従来の集中偏向器の図8のB−B′断面矢視
図である。
FIG. 10 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 8 of the conventional concentrated deflector.

【図11】従来の幾何学的歪の発生原因説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a cause of generation of a conventional geometric distortion.

【図12】従来の非斉一磁界歪の発生原因説明図であ
る。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a cause of occurrence of a conventional asymmetric magnetic field distortion.

【図13】従来の改良電子銃の構成図である。FIG. 13 is a configuration diagram of a conventional improved electron gun.

【図14】第4グリッドGのアパーチャ説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of an aperture of a fourth grid G;

【図15】従来のダイナミックフォーカス電圧波形図で
ある。
FIG. 15 is a waveform diagram of a conventional dynamic focus voltage.

【図16】従来のDQLによるビームスポット歪補正説
明図である。
FIG. 16 is an explanatory diagram of beam spot distortion correction by a conventional DQL.

【図17】従来の電子銃の光学モデル図である。FIG. 17 is an optical model diagram of a conventional electron gun.

【図18】従来の画面上のスポット図である。FIG. 18 is a spot view on a conventional screen.

【図19】従来の電子銃の光学モデル図である。FIG. 19 is an optical model diagram of a conventional electron gun.

【図20】従来の集中偏向器の斜視図である。FIG. 20 is a perspective view of a conventional centralized deflector.

【図21】図20のC−C断面矢視図である。FIG. 21 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 20;

【図22】従来の集中作用領域説明図である。FIG. 22 is an explanatory view of a conventional concentrated action area.

【図23】従来の四重極作用領域説明図である。FIG. 23 is an explanatory view of a conventional quadrupole action region.

【図24】従来のダイナミックフォーカス電圧波形図で
ある。
FIG. 24 is a conventional dynamic focus voltage waveform diagram.

【図25】従来の出射ビーム形状説明図である。FIG. 25 is an explanatory diagram of a conventional output beam shape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 第3グリッド、G4 第4グリッド、G4AB ,G
4C,G4DE 第1〜第3の第4グリッド、G5 第5グ
リッド、CP コンバージェンスプレート、CS コン
バージェンスシールドプレート、5 電子銃、33 集
中偏向器、35CS平行板、45 主面
G 3 third grid, G 4 fourth grid, G 4AB, G
4C, G 4DE first to third fourth grid, G 5 fifth grid, CP convergence plates, CS convergence shield plate, 5 an electron gun, 33 concentrating deflector, 35CS parallel plate, 45 main surface

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 偏向ヨークで発生する四重極レンズと、
メインレンズ電極部分でダイナミックフォーカスに応じ
て形成される四重極レンズ間に配設した集中偏向手段で
四重極レンズを発生させて成る陰極線管であって、 上記集中偏向手段を構成するコンバーゼンスプレートと
コンバーゼンスシールドプレート間を通過するサイドビ
ームに掛かる四重極の水平方向成分の力を予め逆方向に
印加する様に成したことを特徴とする陰極線管。
A quadrupole lens generated by a deflection yoke;
A cathode ray tube comprising a quadrupole lens generated by centralized deflecting means disposed between quadrupole lenses formed in accordance with dynamic focus at a main lens electrode portion, wherein a convergence plate constituting the centralized deflecting means is provided. Wherein a horizontal component force of a quadrupole applied to a side beam passing between the convergence shield plate and the convergence shield plate is applied in a reverse direction in advance.
【請求項2】 前記コンバーゼンスシールドプレートの
2枚の平行板の形状を中心部分での距離が両端部に比べ
て大きくなる様に凸状と成したことを特徴とする請求項
1記載の陰極線管。
2. The cathode ray tube according to claim 1, wherein the shape of the two parallel plates of the convergence shield plate is convex so that the distance at the center is larger than at both ends. .
【請求項3】 メインレンズを構成する第3グリッドと
第5グリッド間に四重極レンズを構成可能な第1乃至第
3の第4グリッドを有し、偏向ヨークと該メインレンズ
によって形成する四重極レンズ間に配設した四重極レン
ズを形成する集中偏向電極を有する電子銃であって、 上記集中偏向電極を構成するコンバーゼンスプレートと
コンバーゼンスシールドプレート間を通過するサイドビ
ームに掛かる四重極の水平方向成分の力を予め逆方向に
印加する様に成したことを特徴とする電子銃。
3. A first to a third fourth grid capable of forming a quadrupole lens between a third grid and a fifth grid forming a main lens, and a fourth yoke formed by a deflection yoke and the main lens. An electron gun having a concentrated deflection electrode forming a quadrupole lens disposed between quadrupole lenses, the quadrupole being applied to a side beam passing between a convergence plate and a convergence shield plate constituting the concentrated deflection electrode. An electron gun characterized in that the force of the horizontal component is applied in the reverse direction in advance.
JP10181497A 1997-04-18 1997-04-18 Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube Pending JPH10294067A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10181497A JPH10294067A (en) 1997-04-18 1997-04-18 Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10181497A JPH10294067A (en) 1997-04-18 1997-04-18 Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10294067A true JPH10294067A (en) 1998-11-04

Family

ID=14310605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10181497A Pending JPH10294067A (en) 1997-04-18 1997-04-18 Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10294067A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3576217B2 (en) Picture tube device
JP2605202B2 (en) Electron gun for color cathode ray tube
JPH0831333A (en) Color cathode-ray tube
JPH07134953A (en) Color picture tube
JPH09190773A (en) Cathode-ray tube electron gun and cathode-ray tube
US6225766B1 (en) Color cathode ray tube
US6614156B2 (en) Cathode-ray tube apparatus
US6927531B2 (en) Electron gun and color picture tube apparatus that attain a high degree of resolution over the entire screen
JPH08148095A (en) Electron gun and color cathode-ray tube provided with this electron gun
JPH05325825A (en) Electron gun for color cathode-ray tube
JPH10294067A (en) Cathode-ray tube and electron gun for cathode-ray tube
JP3926953B2 (en) Color picture tube
JPH10162754A (en) Cathode-ray tube
JP3734327B2 (en) Color cathode ray tube equipment
JP3393426B2 (en) Electron gun for color cathode ray tube
JP2878731B2 (en) Color picture tube equipment
JP3348869B2 (en) Color cathode ray tube
JP2645071B2 (en) Color picture tube equipment
JP2796104B2 (en) Electron gun for color picture tube
JPH11149886A (en) Electron gun for cathode-ray tube and the cathode-ray tube
JPH06196108A (en) Cathode-ray tube
JPH09259787A (en) Color cathode-ray tube
JPH10172465A (en) Electron gun for inline three-beam type cathode-ray tube
US20020079820A1 (en) Cathode-ray tube apparatus
JP2957679B2 (en) Color picture tube equipment