JPH10284459A - Cleaning/drying apparatus - Google Patents

Cleaning/drying apparatus

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JPH10284459A
JPH10284459A JP9980397A JP9980397A JPH10284459A JP H10284459 A JPH10284459 A JP H10284459A JP 9980397 A JP9980397 A JP 9980397A JP 9980397 A JP9980397 A JP 9980397A JP H10284459 A JPH10284459 A JP H10284459A
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drying
cleaning
drying chamber
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裕二 上川
Osamu Kuroda
黒田  修
Kenji Soejima
賢二 副島
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毅 野村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the throughput and yield by reducing the entire apparatus for cleaning and drying works. SOLUTION: An apparatus comprises a cleaning tank 22 for housing a semiconductor wafer W cleaning liq., a drying chamber 23 disposed above the cleaning tank 22, a wafer boat 24 which houses and carries semiconductor wafers W in the cleaning tank 22, a drying chamber 23 composed of a fixed base 37 communicating with an opening 22c of the tank 22, and a drying chamber body 39 contacted to the fixed base 37 through an O-ring 38. The drying chamber body 39 is movable up and down by a first lifting means 44.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやLCD用ガラス基板等の被処理基板を薬液やリン
ス液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、乾燥する洗浄・
乾燥処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning / drying method in which a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD glass substrate is immersed in a cleaning liquid such as a chemical solution or a rinsing liquid, and then dried.
The present invention relates to a drying apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理基板
(以下にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄後のウエハ等の表面に
例えばIPA(イソプロピルアルコール)等の揮発性を
有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、
乾燥ガスの蒸気を凝縮あるいは吸着させて、マランゴニ
ー効果によってウエハ等の水分の除去及び乾燥を行う乾
燥処理装置が装備されている(特開平8−148458
号公報参照)。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor manufacturing apparatus, a substrate to be processed (hereinafter, referred to as a wafer or the like) such as a semiconductor wafer or LCD glass is subjected to a chemical solution or a rinsing solution (cleaning solution).
A cleaning method of sequentially immersing in a processing tank in which a processing liquid such as the above is stored for cleaning is widely adopted. Further, in such a cleaning apparatus, a dry gas composed of a vapor of a volatile organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol) is brought into contact with the surface of a wafer or the like after cleaning,
A drying processing apparatus is provided for condensing or adsorbing the vapor of the drying gas to remove and dry the moisture of the wafer or the like by the Marangoni effect (Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-148458).
Reference).

【0003】従来のこの種の洗浄・乾燥処理装置は、薬
液やリンス液等の洗浄液を貯留する洗浄槽の上部開口部
にフード(蓋体)を開閉可能に装着してなる。また、一
般に、蓋体は、乾燥処理時には外気から密閉されるため
強度を有する材質例えばポリプロピレンやステンレス鋼
製部材等にて形成されている。この洗浄・乾燥処理装置
によれば、処理されるウエハを搬送アームで保持して蓋
体が開放された開口部から受渡し部を移動する保持手段
に受け渡した後、搬送アームを後退させて蓋体を閉じ、
そして、上述のように、洗浄槽内で洗浄を行った後、洗
浄槽より引き上げると共に、乾燥を行うことができる。
In this type of conventional cleaning / drying apparatus, a hood (lid) can be opened and closed at an upper opening of a cleaning tank for storing a cleaning liquid such as a chemical solution or a rinsing liquid. Generally, the lid is formed of a material having strength, for example, a member made of polypropylene, stainless steel, or the like because the lid is sealed from the outside air during the drying process. According to this cleaning / drying processing apparatus, after the wafer to be processed is held by the transfer arm and transferred to the holding means for moving the transfer section from the opening where the lid is opened, the transfer arm is retracted to move the lid. Close
Then, as described above, after the cleaning is performed in the cleaning tank, the substrate can be pulled up from the cleaning tank and dried.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の洗浄・乾燥処理装置においては、洗浄槽の上部
に配設された受渡し部の上部から被処理基板であるウエ
ハを搬入し、処理後に搬出する構造であるため、搬送ア
ームの垂直方向の長さ(高さ)が大きくなり、装置全体
が大型となるという問題があった。特に、近年の半導体
デバイスの微細高集積化、量産化に伴ないウエハも8イ
ンチウエハから12インチウエハへと大口径化の傾向に
あるため、更に装置全体が大型になり、それに伴ってス
ープットが低下するという問題があった。
However, in this type of conventional cleaning / drying processing apparatus, a wafer as a substrate to be processed is loaded from above a transfer section provided above a cleaning tank, and after processing, the wafer is processed. Because of the structure for carrying out, there is a problem that the vertical length (height) of the transfer arm becomes large, and the entire apparatus becomes large. In particular, with the recent trend toward larger diameters of wafers from 8 inch wafers to 12 inch wafers due to the trend toward finer integration and mass production of semiconductor devices, the overall apparatus has become larger and the soot has been accordingly increased. There was a problem of lowering.

【0005】また、蓋体や洗浄槽はポリプロピレンやス
テンレス鋼製部材にて形成されるため、パーティクルが
発生し易く、また経年変化により金属不純物等が析出さ
れたり、溶出するなどの問題があり、これら金属不純物
等がウエハに付着して製品歩留まりの低下をきたすとい
う問題もあった。
In addition, since the lid and the cleaning tank are formed of a member made of polypropylene or stainless steel, there is a problem that particles are liable to be generated, and metal impurities and the like are deposited or eluted due to aging. There is also a problem that these metal impurities and the like adhere to the wafer and lower the product yield.

【0006】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、洗浄処理と乾燥処理を行う装置全体を小型にしてス
ループットの向上を図れるようにすると共に、製品歩留
まりの向上を図れるようにした洗浄・乾燥処理装置を提
供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it has been made possible to improve the throughput by reducing the size of an entire apparatus for performing a cleaning process and a drying process and to improve the product yield. It is an object to provide a processing device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は以下のように構成される。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

【0008】請求項1記載の発明は、被処理基板の洗浄
液を収容する洗浄槽と、上記洗浄槽の上部に位置する乾
燥室と、上記被処理基板を保持してこの被処理基板を上
記洗浄槽内と乾燥室内に移動する保持手段とを具備し、
上記乾燥室を、上記洗浄槽の開口部に連通する固定基
体と、この固定基体に密接する乾燥室本体とで構成する
と共に、乾燥室本体を昇降可能に形成してなる、ことを
特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning tank for storing a cleaning liquid for a substrate to be processed, a drying chamber located above the cleaning tank, and a cleaning chamber for holding the substrate to be processed and cleaning the substrate. Comprising a holding means that moves into the tank and the drying chamber,
The drying chamber includes a fixed base communicating with the opening of the cleaning tank and a drying chamber main body that is in close contact with the fixed base, and the drying chamber main body is formed so as to be able to move up and down. .

【0009】請求項1記載の発明において、乾燥室本体
は洗浄槽の開口部側の固定基体に対して昇降可能に形成
されるものであれば、その形態は任意であっても差し支
えないが、好ましくは上記固定基体と乾燥室本体との間
にシール部材を介在する方がよく(請求項2)、また、
洗浄槽の開口部に、洗浄室と乾燥室とを遮蔽するシャッ
タを設ける方がよい(請求項3)。また、上記乾燥室本
体を断面逆U字状の石英製部材にて形成する方が好まし
い(請求項4)。また、乾燥室本体を断面逆U字状の石
英製部材にて形成すると共に、上記固定基体及び洗浄槽
を石英製部材にて形成する方が好ましい(請求項5)。
In the first aspect of the present invention, the form of the drying chamber main body may be arbitrary as long as it can be raised and lowered with respect to the fixed base on the opening side of the cleaning tank. It is preferable to interpose a seal member between the fixed base and the drying chamber main body (claim 2).
It is preferable to provide a shutter at the opening of the cleaning tank to shield the cleaning chamber and the drying chamber (claim 3). Further, it is preferable that the drying chamber main body is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section (claim 4). Further, it is preferable that the drying chamber main body is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section, and the fixed base and the cleaning tank are formed of a quartz member.

【0010】上記乾燥室本体を石英製部材にて形成する
場合には、乾燥室本体の外側位置に、加熱源を配設する
ことができ、この場合、この加熱源の背面側に反射板を
配設する方が好ましい(請求項6)。なおこの場合、加
熱源として、例えば加熱ランプあるいはラバーヒータ等
を使用することができる。
When the drying chamber main body is formed of a quartz member, a heating source can be provided outside the drying chamber main body. In this case, a reflecting plate is provided on the back side of the heating source. It is preferable to dispose them (claim 6). In this case, for example, a heating lamp or a rubber heater can be used as the heating source.

【0011】また、上記乾燥室内に乾燥ガスを供給する
乾燥ガス供給部を設ける方が好ましい(請求項7)。こ
の場合、好ましくは乾燥ガス供給部を、乾燥室の固定基
体に設ける方がよく(請求項8)、更に好ましくは乾燥
ガス供給部を、乾燥室の側方から上方に向かって乾燥ガ
スを供給するように設ける方がよい(請求項9)。ま
た、乾燥室の固定基体に乾燥ガスの排出部を設ける方が
好ましい(請求項10)。
It is preferable to provide a drying gas supply unit for supplying a drying gas into the drying chamber. In this case, it is preferable to provide the drying gas supply unit on the fixed base of the drying chamber (claim 8). More preferably, the drying gas supply unit supplies the drying gas upward from the side of the drying chamber. It is better to provide it in such a way as to perform (claim 9). Further, it is preferable to provide a drying gas discharge portion on the fixed base in the drying chamber (claim 10).

【0012】また、上記乾燥ガスとしては、不活性ガス
を使用することができる他、有機溶剤の蒸気ガス又は不
活性ガスと有機溶剤の混合ガスを使用することができる
(請求項11,12)。
As the dry gas, an inert gas can be used, and in addition, a vapor gas of an organic solvent or a mixed gas of an inert gas and an organic solvent can be used. .

【0013】請求項13記載の発明は、被処理基板の洗
浄液を収容する洗浄槽と、上記洗浄槽の開口部に連通す
る固定基体と、この固定基体との間にシール部材を介し
て密接する乾燥室本体とからなる乾燥室と、上記被処理
基板を保持してこの被処理基板を上記洗浄槽内と乾燥室
内に移動する保持手段と、上記乾燥室本体を昇降する第
1の昇降手段と、上記保持手段を昇降する第2の昇降手
段とを具備し、 上記第1の昇降手段と第2の昇降手段
をそれぞれボールねじ機構にて形成すると共に、共通の
ガイドレール上を摺動可能に形成してなる、ことを特徴
とする。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a cleaning tank containing a cleaning liquid for a substrate to be processed, a fixed base communicating with an opening of the cleaning tank, and a fixed member interposed between the fixed base and a sealing member. A drying chamber including a drying chamber main body, holding means for holding the processing target substrate and moving the processing target substrate in the cleaning tank and the drying chamber, and first elevating means for raising and lowering the drying chamber main body; A second elevating means for elevating and lowering the holding means, wherein the first elevating means and the second elevating means are respectively formed by a ball screw mechanism and slidable on a common guide rail. It is characterized by being formed.

【0014】請求項13記載の発明において、上記保持
手段に連結するロッドを、乾燥室本体に設けた透孔内を
貫通して第2の昇降手段に連結し、上記透孔とロッドと
の隙間に、気密性を有する可撓性部材とこの可撓性部材
内に封入される気体とからなるシール機構を介在する方
が好ましい(請求項14)。
According to a thirteenth aspect of the present invention, a rod connected to the holding means passes through a through hole provided in the drying chamber main body and is connected to a second elevating means, so that a gap between the through hole and the rod is provided. In addition, it is preferable to interpose a sealing mechanism composed of an airtight flexible member and a gas sealed in the flexible member (claim 14).

【0015】また、上記第1の昇降手段に、保持手段の
上昇移動を規制するストッパを設ける方が好ましい(請
求項15)。
Further, it is preferable that a stopper for restricting the upward movement of the holding means is provided in the first elevating means.

【0016】請求項16記載の発明は、請求項1又は1
3記載の洗浄・乾燥処理装置において、 上記保持手段
は、複数の被処理基板を適宜間隔をおいて立設保持する
一対の下部保持部材と、これら下部保持部材の上部側方
に位置する一対の上部保持部材とを具備し、上記下部保
持部材を、剛性を有する心材と、この心材の表面に設け
られ異なる種類の洗浄液に対して耐液性を有する合成樹
脂製被覆層とで形成し、かつ、上記下部保持部材に、断
面略V字状の被処理基板支持溝を形成し、上記上部保持
部材には、断面略Y字状の被処理基板傾斜防止用溝を形
成してなる、ことを特徴とする。
[0016] The invention according to claim 16 is the invention according to claim 1 or 1.
3. The cleaning / drying processing apparatus according to 3, wherein the holding means comprises: a pair of lower holding members that stand and hold a plurality of substrates to be processed at appropriate intervals; and a pair of lower members that are positioned on upper sides of the lower holding members. An upper holding member, the lower holding member is formed of a rigid core material, and a synthetic resin coating layer provided on the surface of the core material and having liquid resistance to different types of cleaning liquids, and A substrate supporting groove having a substantially V-shaped cross section is formed in the lower holding member, and a substrate inclination preventing groove having a substantially Y-shaped cross section is formed in the upper holding member. Features.

【0017】請求項1ないし3記載の発明によれば、乾
燥室を、洗浄槽の開口部に連通する固定基体と、この固
定基体に密接する乾燥室本体とで構成すると共に、乾燥
室本体を昇降可能に形成することにより、乾燥室本体を
上昇させて洗浄槽の開口部の上方に被処理基板挿入用ス
ペースを確保することができるので、側方からスペース
内に移動する被処理基板の搬送手段と保持手段との間で
被処理基板の受渡しを行うことができる。したがって、
装置の小型化が図れると共に、スループットの向上が図
れる。
According to the first to third aspects of the present invention, the drying chamber is constituted by the fixed base communicating with the opening of the cleaning tank, and the drying chamber main body in close contact with the fixed base. Since the drying chamber main body can be raised and the space for inserting the substrate to be processed can be secured above the opening of the cleaning tank by being formed so as to be able to move up and down, the transport of the substrate to be processed moving from the side into the space can be performed. The substrate to be processed can be transferred between the means and the holding means. Therefore,
The size of the apparatus can be reduced, and the throughput can be improved.

【0018】請求項4又は5記載の発明によれば、乾燥
室本体を断面逆U字状の石英製部材にて形成するので、
乾燥室の容積を必要最小限にすることができ、更に装置
の小型化が図れ、更に金属不純物等の析出や溶出がなく
パーティクルの発生を抑制することができる。この場
合、乾燥室本体の外に固定基体及び洗浄槽を石英製部材
にて形成することにより、更にパーティクル等の発生を
抑制することができる(請求項5)。また、乾燥室本体
の外側位置に、加熱用光源を配設すると共に、この加熱
用光源の背面側に反射板を配設することにより、加熱用
光源を利用して乾燥室内を加熱することができるので、
乾燥効率の向上を図ることができる(請求項6)。
According to the invention described in claim 4 or 5, since the drying chamber main body is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section,
The volume of the drying chamber can be minimized, the size of the apparatus can be further reduced, and generation of particles can be suppressed without precipitation or elution of metal impurities and the like. In this case, by forming the fixed base and the cleaning tank out of the main body of the drying chamber using a quartz member, it is possible to further suppress the generation of particles and the like. In addition, by disposing a heating light source at an outer position of the drying chamber main body and disposing a reflector on the back side of the heating light source, the drying chamber can be heated using the heating light source. So you can
Drying efficiency can be improved (claim 6).

【0019】また、請求項7ないし12記載の発明によ
れば、乾燥室内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を
設けることにより、被処理基板に対して乾燥ガスを均一
に接触させることができ、乾燥を確実にかつ迅速に行う
ことができる。
Further, according to the present invention, by providing the drying gas supply unit for supplying the drying gas into the drying chamber, the drying gas can be brought into uniform contact with the substrate to be processed. Drying can be performed reliably and quickly.

【0020】請求項13記載の発明によれば、乾燥室本
体を昇降する第1の昇降手段と、保持手段を昇降する第
2の昇降手段を、それぞれボールねじ機構にて形成する
と共に、共通のガイドレール上を摺動可能に形成するこ
とにより、乾燥室本体と保持手段の駆動部の構造を簡素
化することができると共に、駆動精度の向上を図ること
ができる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, the first elevating means for elevating and lowering the drying chamber main body and the second elevating means for elevating and lowering the holding means are each formed by a ball screw mechanism. By slidably forming on the guide rail, the structures of the drive unit of the drying chamber main body and the holding means can be simplified, and the driving accuracy can be improved.

【0021】請求項14記載の発明によれば、保持手段
に連結するロッドを、乾燥室本体に設けた透孔内を貫通
して第2の昇降手段に連結し、透孔とロッドとの隙間
に、気密性を有する可撓性部材とこの可撓性部材内に封
入される気体とからなるシール機構を介在することによ
り、乾燥室本体と保持手段の昇降部とのシール性の向上
を図ることができる。また、第1の昇降手段に、保持手
段の上昇移動を規制するストッパを設けることにより、
不用意に保持手段が上昇して乾燥室本体に衝突するのを
防止することができる(請求項15)。
According to the fourteenth aspect of the present invention, the rod connected to the holding means penetrates through the through hole provided in the drying chamber main body and is connected to the second elevating means, and the gap between the through hole and the rod is provided. Further, by interposing a sealing mechanism composed of an airtight flexible member and a gas sealed in the flexible member, the sealing performance between the drying chamber main body and the elevating portion of the holding means is improved. be able to. Also, by providing a stopper for restricting the ascending movement of the holding means in the first elevating means,
It is possible to prevent the holding means from inadvertently rising and colliding with the drying chamber main body (claim 15).

【0022】また、請求項16記載の発明によれば、保
持手段は、複数の被処理基板を適宜間隔をおいて立設保
持する一対の下部保持部材と、これら下部保持部材の上
部側方に位置する一対の上部保持部材とを具備し、下部
保持部材を、剛性を有する心材と、この心材の表面に設
けられ異なる種類の洗浄液に対して耐液性を有する合成
樹脂製被覆層とで形成し、かつ、下部保持部材に、断面
略V字状の被処理基板支持溝を形成し、上部保持部材に
は、断面略Y字状の被処理基板傾斜防止用溝を形成する
ので、保持部材すなわち保持手段の容積を可及的に小さ
くすることができる。したがって、洗浄槽を大きくする
ことなく所定の洗浄液貯留量を確保することができると
共に、装置全体の小型化を図ることができ、かつ被処理
基板を安定した状態で保持することができる。
According to the sixteenth aspect of the present invention, the holding means comprises a pair of lower holding members for vertically holding a plurality of substrates to be processed at appropriate intervals, and an upper side of the lower holding members. A lower holding member formed of a rigid core material and a synthetic resin coating layer provided on the surface of the core material and having liquid resistance to different types of cleaning liquids. The lower holding member is formed with a substrate supporting groove having a substantially V-shaped cross section, and the upper holding member is formed with a groove for preventing substrate to be tilted having a substantially Y-shaped cross section. That is, the volume of the holding means can be made as small as possible. Therefore, it is possible to secure a predetermined amount of stored cleaning liquid without increasing the size of the cleaning tank, reduce the size of the entire apparatus, and hold the substrate to be processed in a stable state.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄処理システムに適用した場合について説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning processing system will be described.

【0024】図1はこの発明の基板搬送処理装置を適用
した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図、図2は
その概略側面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a cleaning processing system to which the substrate transfer processing apparatus of the present invention is applied, and FIG. 2 is a schematic side view thereof.

【0025】上記洗浄処理システムは、被処理基板であ
る半導体ウエハW(以下にウエハという)を水平状態に
収納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための
搬送部2と、ウエハWを薬液、洗浄液等の液処理すると
共に乾燥処理する処理部3と、搬送部2と処理部3との
間に位置してウエハWの受渡し、位置調整及び姿勢変換
等を行うインターフェース部4とで主に構成されてい
る。
The cleaning system includes a transfer unit 2 for loading and unloading a container, for example, a carrier 1 for storing a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer) as a substrate to be processed in a horizontal state, It mainly includes a processing unit 3 that performs a liquid process such as a cleaning liquid and a drying process, and an interface unit 4 that is located between the transfer unit 2 and the processing unit 3 and that performs transfer of the wafer W, position adjustment, and posture change. Have been.

【0026】上記搬送部2は、洗浄処理システムの一側
端部に併設して設けられる搬入部5と搬出部6とで構成
されている。また、搬入部5及び搬出部6のキャリア1
の搬入口5a及び搬出口6bには、キャリア1を搬入部
5、搬出部6に出入れ自在のスライド式の載置テーブル
7が設けられている。また、搬入部5と搬出部6には、
それぞれキャリアリフタ8(容器搬送手段)が配設さ
れ、このキャリアリフタ8によって搬入部間又は搬出部
間でのキャリア1の搬送を行うことができると共に、空
のキャリア1を搬送部2上方に設けられたキャリア待機
部9への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている(図2参照)。
The transport section 2 includes a carry-in section 5 and a carry-out section 6 which are provided alongside one end of the cleaning system. The carrier 1 of the loading unit 5 and the unloading unit 6
At the carry-in entrance 5a and the carry-out exit 6b, a slide-type mounting table 7 that allows the carrier 1 to enter and exit the carry-in section 5 and the carry-out section 6 is provided. In addition, the loading unit 5 and the unloading unit 6
A carrier lifter 8 (container transport means) is provided, and the carrier lifter 8 can transport the carrier 1 between the loading section and the unloading section, and the empty carrier 1 is provided above the transport section 2. The transfer to the carrier waiting unit 9 and the reception from the carrier waiting unit are performed (see FIG. 2).

【0027】上記インターフェース部4は、区画壁4c
によって搬入部5に隣接する第1の室4aと、搬出部6
に隣接する第2の室4bとに区画されている。そして、
第1の室4a内には、搬入部5のキャリア1から複数枚
のウエハWを取り出して搬送する水平方向(X,Y方
向),垂直方向(Z方向)及び回転(θ方向)可能なウ
エハ取出しアーム10(基板取出し手段)と、ウエハW
に設けられたノッチを検出するノッチアライナー11
(位置検出手段)と、ウエハ取出しアーム10によって
取り出された複数枚のウエハWの間隔を調整する間隔調
整機構12を具備すると共に、水平状態のウエハWを垂
直状態に変換する第1の姿勢変換装置13(姿勢変換手
段)が配設されている。
The interface section 4 includes a partition wall 4c.
A first chamber 4a adjacent to the loading section 5 and a loading section 6
And a second chamber 4b adjacent to the second chamber 4b. And
In the first chamber 4a, a horizontal (X, Y direction), a vertical direction (Z direction), and a rotatable (θ direction) wafer for taking out and transporting a plurality of wafers W from the carrier 1 of the loading unit 5 are provided. Take-out arm 10 (substrate take-out means) and wafer W
Notch aligner 11 for detecting a notch provided in
(Position detecting means) and an interval adjusting mechanism 12 for adjusting an interval between a plurality of wafers W taken out by the wafer take-out arm 10, and a first attitude conversion for converting a horizontal wafer W to a vertical state. A device 13 (posture changing means) is provided.

【0028】また、第2の室4b内には、処理済みの複
数枚のウエハWを処理部3から垂直状態のまま受け取っ
て搬送するウエハ受渡しアーム14(基板搬送手段)
と、ウエハ受渡しアーム14から受け取ったウエハWを
垂直状態から水平状態に変換する第2の姿勢変換装置1
3A(姿勢変換手段)と、この第2の姿勢変換装置13
Aによって水平状態に変換された複数枚のウエハWを受
け取って搬出部6に搬送された空のキャリア1内に収納
する水平方向(X,Y方向),垂直方向(Z方向)及び
回転(θ方向)可能なウエハ収納アーム15(基板収納
手段)が配設されている。なお、第2の室4bは外部か
ら密閉されており、図示しない不活性ガス例えば窒素
(N2)ガスの供給源から供給されるN2ガスによって室
内が置換されるように構成されている。
In the second chamber 4b, a wafer transfer arm 14 (substrate transfer means) for receiving and transferring a plurality of processed wafers W from the processing section 3 in a vertical state.
And a second attitude conversion device 1 for converting the wafer W received from the wafer transfer arm 14 from a vertical state to a horizontal state.
3A (posture conversion means) and the second posture conversion device 13
The horizontal direction (X, Y directions), the vertical direction (Z direction), and the rotation (θ) of receiving a plurality of wafers W converted into a horizontal state by A and storing them in the empty carrier 1 conveyed to the unloading section 6. Direction), a wafer storage arm 15 (substrate storage means) is provided. The second chamber 4b is sealed from the outside, and is configured so that the inside of the second chamber 4b is replaced by an inert gas (not shown), for example, N2 gas supplied from a supply source of nitrogen (N2) gas.

【0029】一方、上記処理部3には、ウエハWに付着
するパーティクルや有機物汚染を除去する第1の処理ユ
ニット16と、ウエハWに付着する金属汚染を除去する
第2の処理ユニット17と、ウエハWに付着する化学酸
化膜を除去すると共に乾燥処理する洗浄・乾燥処理ユニ
ットであるこの発明の洗浄・乾燥処理装置18及びチャ
ック洗浄ユニット19が直線状に配列されており、これ
ら各ユニット16〜19と対向する位置に設けられた搬
送路20に、X,Y方向(水平方向)、Z方向(垂直方
向)及び回転(θ)可能なウエハ搬送アーム21(搬送
手段)が配設されている。
On the other hand, the processing section 3 includes a first processing unit 16 for removing particles and organic contaminants adhering to the wafer W, and a second processing unit 17 for removing metal contaminants adhering to the wafer W. The cleaning / drying processing unit 18 and the chuck cleaning unit 19 of the present invention, which are cleaning / drying processing units for removing and drying the chemical oxide film attached to the wafer W, are linearly arranged. A wafer transfer arm 21 (transfer means) that can rotate in the X and Y directions (horizontal direction), the Z direction (vertical direction), and rotate (θ) is disposed in a transfer path 20 provided at a position facing the transfer path 19. .

【0030】上記洗浄・乾燥処理装置18は、図3ない
し図5に示すように、例えばフッ化水素酸等の薬液や純
水等の洗浄液を貯留(収容)し、貯留した洗浄液にウエ
ハWを浸漬する洗浄槽22と、洗浄槽22の上部に位置
する乾燥室23と、複数例えば50枚のウエハWを保持
してこのウエハWを洗浄槽22内及び乾燥室23内に移
動する保持手段例えばウエハボート24とで主に構成さ
れている。
As shown in FIGS. 3 to 5, the cleaning / drying processing device 18 stores (contains) a cleaning solution such as a chemical solution such as hydrofluoric acid or pure water, and transfers the wafer W to the stored cleaning solution. A cleaning tank 22 to be immersed, a drying chamber 23 positioned above the cleaning tank 22, and holding means for holding a plurality of, for example, 50 wafers W and moving the wafers W into the cleaning tank 22 and the drying chamber 23, for example. It is mainly composed of a wafer boat 24.

【0031】この場合、洗浄槽22は、例えば石英製部
材やポリプロピレンにて形成される内槽22aと、この
内槽22aの上端部外側に配設されて内槽22aからオ
ーバーフローした洗浄液を受け止める外槽22bとで構
成されている。また、内槽22aの下部両側には洗浄槽
22内に位置するウエハWに向かって洗浄液を噴射する
洗浄液供給ノズル25が配設され、この洗浄液供給ノズ
ル25に接続する図示しない薬液供給源及び純水供給源
から切換弁によって薬液又は純水が供給されて洗浄槽2
2内に薬液又は純水が貯留されるようになっている。ま
た、内槽22aの底部には排出口が設けられており、こ
の排出口に排出バルブ26aを介設するドレン管26が
接続されている。外槽22bの底部に設けられた排出口
にも排出バルブ27aを介設するドレン管27が接続さ
れている。なお、外槽22bの外側には排気ボックス2
8が配設されており、この排気ボックス28に設けられ
た排気口にバルブ29aを介設する排気管29が接続さ
れている。
In this case, the cleaning tank 22 includes an inner tank 22a formed of, for example, a quartz member or polypropylene, and an outer tank 22a disposed outside the upper end of the inner tank 22a to receive the cleaning liquid overflowing from the inner tank 22a. And a tank 22b. Further, cleaning liquid supply nozzles 25 for spraying the cleaning liquid toward the wafers W located in the cleaning tank 22 are provided on both lower sides of the inner tank 22a, and a chemical liquid supply source (not shown) connected to the cleaning liquid supply nozzle 25 and a pure liquid supply source (not shown). A chemical solution or pure water is supplied from a water supply source by a switching valve and the cleaning tank 2
A chemical solution or pure water is stored in 2. A discharge port is provided at the bottom of the inner tank 22a, and a drain pipe 26 provided with a discharge valve 26a is connected to the discharge port. A drain pipe 27 provided with a discharge valve 27a is also connected to a discharge port provided at the bottom of the outer tank 22b. Note that the exhaust box 2 is provided outside the outer tank 22b.
An exhaust pipe 29 provided with a valve 29 a is connected to an exhaust port provided in the exhaust box 28.

【0032】上記のように構成される洗浄槽22と排気
ボックス28は、有底筒状のボックス30内に配設され
ており、ボックス30を水平に仕切る仕切板31によっ
て洗浄槽側の上部室32aと内槽22a及び外槽22b
に接続するドレン管26,27及び排気管29の排液口
及び排気口側の下部室32bとが区画されている。それ
によって、下部室32bの雰囲気、排液の飛散が上部室
32a内に入り込むことを防ぎ、上部室32a内が清浄
に保たれる。なお、上部室32aの側壁には排気窓33
が設けられ、下部室32bの上部側壁に排気窓34が、
下部側壁には排液口35が設けられている。
The cleaning tank 22 and the exhaust box 28 configured as described above are disposed in a cylindrical box 30 having a bottom, and an upper chamber on the cleaning tank side is partitioned by a partition plate 31 that horizontally partitions the box 30. 32a, inner tank 22a and outer tank 22b
Are connected to drain pipes 26 and 27 and a drain port of the exhaust pipe 29 and a lower chamber 32b on the exhaust port side. As a result, the atmosphere of the lower chamber 32b and the scattering of the waste liquid are prevented from entering the upper chamber 32a, and the interior of the upper chamber 32a is kept clean. The exhaust window 33 is provided on the side wall of the upper chamber 32a.
Is provided, and an exhaust window 34 is provided on an upper side wall of the lower chamber 32b.
A drain port 35 is provided on the lower side wall.

【0033】上記乾燥室23は、洗浄槽22の開口部2
2cとの間にシャッタ36を介して連通する固定基体3
7と、この固定基体37との間にシール部材例えばOリ
ング38を介して密接する乾燥室本体39とで構成され
ている。この場合、乾燥室本体39は断面逆U字状の石
英製部材にて形成され、固定基体37も石英製部材にて
形成されて、外部から内部のウエハWの状態が目視でき
るようになっている。また、乾燥室23内の固定基体3
7の側方には、側方から上方に向かって例えばIPAの
溶剤の蒸気からなる乾燥ガスの供給部40と乾燥ガスを
排出する排出部41が設けられている。乾燥ガス供給部
40には図示しないIPAガス発生部及び乾燥ガスの圧
送用気体例えば窒素(N2)ガス加熱部が接続されてい
る。また、排出部41には図示しない排気装置が接続さ
れている。このように乾燥ガス供給部40と排出部41
を設けることにより、乾燥ガス供給部40から乾燥室2
3内に供給される乾燥ガスは図4に矢印で示すように乾
燥室本体39の両側の内壁面に沿って上方に流れた後、
中央部から下方に流れて排出部41から排出されるの
で、ウエハWに均一に乾燥ガスが接触し、乾燥ガスの蒸
気を凝縮置換させて均一に乾燥することができる。
The drying chamber 23 is provided with the opening 2 of the cleaning tank 22.
Fixed base 3 communicating with shutter 2c via shutter 36
7 and a drying chamber main body 39 which is in close contact with the fixed base 37 via a sealing member such as an O-ring 38. In this case, the drying chamber main body 39 is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section, and the fixed base 37 is also formed of a quartz member so that the state of the internal wafer W can be visually observed from the outside. I have. Also, the fixed base 3 in the drying chamber 23
A drying gas supply unit 40 made of, for example, IPA solvent vapor and a discharge unit 41 for discharging the drying gas are provided on the side of the upper side 7. The drying gas supply unit 40 is connected to an IPA gas generation unit (not shown) and a pressure gas for drying gas, for example, a nitrogen (N2) gas heating unit. An exhaust device (not shown) is connected to the discharge unit 41. Thus, the dry gas supply unit 40 and the discharge unit 41
Is provided, the drying chamber 2 is supplied from the drying gas supply unit 40.
The drying gas supplied into the inside 3 flows upward along the inner wall surfaces on both sides of the drying chamber main body 39 as shown by arrows in FIG.
Since the gas flows downward from the central part and is discharged from the discharge part 41, the dry gas uniformly contacts the wafer W, and the vapor of the dry gas can be condensed and replaced to dry uniformly.

【0034】また、乾燥室本体39の両外側位置には、
加熱ランプ42(加熱用光源)が配設され、加熱ランプ
42の背面側には反射板43が配設されている。このよ
うに加熱ランプ42を配設することにより、加熱ランプ
42から直接あるいは反射板43から反射された光が乾
燥室23内に照射されることによって乾燥室23内が加
熱されるので、乾燥室23内のウエハWの乾燥が促進さ
れる。
Further, at both outer positions of the drying chamber main body 39,
A heating lamp 42 (light source for heating) is provided, and a reflection plate 43 is provided on the back side of the heating lamp 42. By arranging the heating lamp 42 in this way, the drying chamber 23 is heated by irradiating the inside of the drying chamber 23 with light reflected directly from the heating lamp 42 or from the reflection plate 43, so that the drying chamber 23 is heated. Drying of the wafer W in 23 is promoted.

【0035】一方、上記乾燥室本体39は第1の昇降手
段44によって昇降可能すなわち固定基体37に対して
接離可能に形成されている。この場合、第1の昇降手段
44は、図5及び図6に示すように、モータ46によっ
て回転するねじ軸47と、このねじ軸47にボールを介
して螺合する可動子48とからなるボールねじ機構にて
形成されており、かつ、ねじ軸47と平行に配設された
2本のガイドレール50上を摺動する2つのスライダ4
9と可動子48とを連結してなり、この第1の昇降手段
44にブラケット51を介して乾燥室本体39を連結す
ることにより、乾燥室本体39が昇降し得るように構成
されている。
On the other hand, the drying chamber main body 39 is formed so as to be able to move up and down by a first elevating means 44, that is, to be able to contact and separate from the fixed base 37. In this case, as shown in FIGS. 5 and 6, the first lifting / lowering means 44 is a ball comprising a screw shaft 47 rotated by a motor 46 and a movable element 48 screwed to the screw shaft 47 via a ball. Two sliders 4 formed by a screw mechanism and sliding on two guide rails 50 arranged in parallel with the screw shaft 47
The drying chamber main body 39 is configured to be able to move up and down by connecting the drying chamber main body 39 to the first elevating means 44 via a bracket 51.

【0036】また、上記ウエハボート24は第2の昇降
手段45によって昇降可能すなわち洗浄槽22内及び乾
燥室23内を移動可能に形成されている。この場合、第
2の昇降手段45は、上記第1の昇降手段44を形成す
るボールねじ機構のねじ軸47と平行に配設され、モー
タ46Aによって回転するねじ軸47Aと、このねじ軸
47Aにボールを介して螺合する可動子48Aとからな
るボールねじ機構にて形成されており、かつ、ねじ軸4
7Aと平行な上記2本のガイドレール50上を摺動する
2つのスライダ49Aと可動子48Aとを連結してな
り、この第2の昇降手段45にブラケット51Aを介し
てウエハボート24のロッド24aを連結することによ
り、ウエハボート24が昇降し得るように構成されてい
る。
The wafer boat 24 is formed so as to be able to move up and down by the second lifting means 45, that is, to be movable in the cleaning tank 22 and the drying chamber 23. In this case, the second lifting / lowering means 45 is provided in parallel with the screw shaft 47 of the ball screw mechanism forming the first lifting / lowering means 44, and is rotated by a motor 46A. A ball screw mechanism comprising a mover 48A screwed through a ball, and a screw shaft 4
The two sliders 49A sliding on the two guide rails 50 parallel to 7A and the mover 48A are connected to each other. The rod 24a of the wafer boat 24 is connected to the second lifting / lowering means 45 via the bracket 51A. Are connected so that the wafer boat 24 can move up and down.

【0037】上記のように構成することにより、第1の
昇降手段44の駆動によって乾燥室本体39を上昇させ
て手洗浄槽22の開口部22cの上方にウエハ挿入用の
スペースを形成することができ、この状態で側方から搬
送アーム21によってウエハWを搬入し、その後、第2
の昇降手段45を駆動してウエハボート24を上昇させ
て搬送アーム21上のウエハWを受け取ることができる
(図6参照)。
With the above configuration, the drying chamber main body 39 is raised by driving the first lifting / lowering means 44 to form a space for inserting a wafer above the opening 22 c of the hand cleaning tank 22. In this state, the wafer W is loaded from the side by the transfer arm 21 and then the second
The wafer boat 24 can be lifted by driving the lifting means 45 to receive the wafer W on the transfer arm 21 (see FIG. 6).

【0038】また、上記のように、第1の昇降手段44
と第2の昇降手段45をボールねじ機構にて形成すると
共に、共通のガイドレール50上を摺動するスライダ4
9,49Aを設けることによって、駆動機構を簡素化す
ることができると共に、乾燥室本体39とウエハボート
24の昇降移動を高精度に行うことができる。
As described above, the first elevating means 44
And a second lifting means 45 formed by a ball screw mechanism, and a slider 4 sliding on a common guide rail 50.
By providing 9, 49A, the driving mechanism can be simplified, and the vertical movement of the drying chamber main body 39 and the wafer boat 24 can be performed with high accuracy.

【0039】なお、乾燥室本体39の頂部の一側側には
透孔39aが設けられており、この透孔39a内にウエ
ハボート24のロッド24aが摺動可能に貫通してお
り、透孔39aとロッド24aとの隙間にシール機構5
2が介在されて透孔39aとロッド24aとの隙間の気
密性が保持されている。この場合、シール機構52は、
図7(a),(b)に示すように、気密性を有する可撓
性チューブ52aと、この可撓性チューブ52a内に封
入される空気等の気体とからなり、可撓性チューブ52
a内に封入される気体によってチューブ52aが膨脹す
ることにより、透孔39aとロッド24aの隙間がシー
ルされるようになっている。
A through hole 39a is provided on one side of the top of the drying chamber main body 39, and the rod 24a of the wafer boat 24 is slidably inserted into the through hole 39a. A seal mechanism 5 is provided in a gap between the rod 39a and the rod 39a.
2, the airtightness of the gap between the through hole 39a and the rod 24a is maintained. In this case, the sealing mechanism 52
As shown in FIGS. 7A and 7B, the flexible tube 52a is made of an airtight flexible tube 52a and a gas such as air sealed in the flexible tube 52a.
The gap between the through hole 39a and the rod 24a is sealed when the tube 52a is expanded by the gas sealed in the space a.

【0040】また、上記第1の昇降手段44の可動子4
8及びスライダ49の可動部には、第2の昇降手段45
の可動子48A及びスライダ49Aの可動部の上昇移動
を規制するストッパ53が固設されている(図5及び図
6参照)。このように第1の昇降手段44に第2の昇降
手段45の上昇移動を規制するストッパ53を設けるこ
とにより、不用意にウエハボート24が上昇して乾燥室
本体39に衝突するのを防止することができる。
The mover 4 of the first elevating means 44
8 and the movable part of the slider 49 are provided with a second lifting means 45.
A stopper 53 for restricting upward movement of the movable part of the movable element 48A and the slider 49A is fixedly provided (see FIGS. 5 and 6). By providing the first lifting means 44 with the stopper 53 for restricting the upward movement of the second lifting means 45 in this way, it is possible to prevent the wafer boat 24 from being carelessly raised and colliding with the drying chamber main body 39. be able to.

【0041】また、上記ウエハボート24は、図8
(a),(b)に示すように、複数例えば50枚のウエ
ハWを適宜間隔をおいて立設保持する一対の下部保持部
材54と、これら下部保持部材54の上部側方に位置す
る一対の上部保持部材55とを具備し、これら下部保持
部材54及び上部保持部材55を上記ロッドに連結する
支持板(図示せず)と連結板56との間に架設した構造
となっている。この場合、下部保持部材54は、図9
(a),(b)に示すように、剛性を有する心材例えば
ステンレス鋼製パイプ57aと、このステンレスパイプ
57aの表面に設けられ異なる種類の洗浄液例えば薬液
と純水に対して耐液性を有する合成樹脂製部材例えばポ
エーテル・エーテル・ケトン(PEEK)からなる被覆
層57bとで形成されており、ウエハ保持面には図9
(b)及び図10(a)に示すように断面略V字状の支
持溝58が適宜間隔をおいて設けられている。一方、上
部保持部材55は例えばPEEK等の合成樹脂製部材に
て形成されており、その上部には、図10(b)に示す
ように、拡開テーパ面59aと狭小テーパ面59bとか
らなる断面略Y字状の傾斜防止用溝59が適宜間隔をお
いて設けられている。
Further, the wafer boat 24 is arranged as shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a pair of lower holding members 54 that stand and hold a plurality of, for example, 50 wafers W at appropriate intervals, and a pair of lower holding members 54 located on the upper side of these lower holding members 54. The upper holding member 55 is provided between the supporting plate (not shown) for connecting the lower holding member 54 and the upper holding member 55 to the rod and a connecting plate 56. In this case, the lower holding member 54 is configured as shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a rigid core material such as a stainless steel pipe 57a and a different type of cleaning liquid provided on the surface of the stainless steel pipe 57a such as a chemical liquid and pure water have liquid resistance. 9 and a coating layer 57b made of a synthetic resin member such as polyether ether ketone (PEEK).
As shown in FIG. 10B and FIG. 10A, support grooves 58 having a substantially V-shaped cross section are provided at appropriate intervals. On the other hand, the upper holding member 55 is formed of a synthetic resin member such as PEEK, for example, and has an expanded tapered surface 59a and a narrow tapered surface 59b on the upper portion thereof, as shown in FIG. Slope preventing grooves 59 having a substantially Y-shaped cross section are provided at appropriate intervals.

【0042】上記のように下部保持部材54を剛性を有
する心材用ステンレスパイプ57aとPEEK製被覆層
57bとで形成することにより、下部保持部材54に強
度をもたせることができると共に、容積を可及的に少な
くすることができる。したがって、下部保持部材54の
容積を小さくした分洗浄液の貯留量を多くすることがで
きるので、結果的に洗浄槽22の容積を小さくすること
ができる。また、ウエハWを下部保持部材54に設けら
れた支持溝58にて支持し、ウエハWの中心よりやや下
側の側部を上部保持部材55の傾斜防止用溝59内に位
置させることにより、例えば12インチウエハのような
大口径ウエハWを安定した状態で保持することができ
る。
By forming the lower holding member 54 from the rigid stainless steel pipe 57a for the core material and the PEEK coating layer 57b as described above, the lower holding member 54 can have strength and can have a large volume. Can be significantly reduced. Therefore, the storage amount of the cleaning liquid can be increased by the reduced volume of the lower holding member 54, so that the volume of the cleaning tank 22 can be reduced as a result. Further, the wafer W is supported by the support groove 58 provided in the lower holding member 54, and the side portion slightly lower than the center of the wafer W is positioned in the inclination preventing groove 59 of the upper holding member 55, For example, a large-diameter wafer W such as a 12-inch wafer can be held in a stable state.

【0043】次に、この発明の洗浄・乾燥処理装置の動
作態様について図11ないし図20フッ化水素酸を参照
して説明する。なお、以下の動作は図示しない制御部に
よって行われる。
Next, the operation of the cleaning / drying apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. The following operation is performed by a control unit (not shown).

【0044】まず、洗浄槽22の開口部22cのシャッ
タ36を閉じ、第1の昇降手段44の駆動により乾燥室
本体39が上昇して洗浄槽22の上方にスペースが形成
されると、側方からスペース内にウエハWを保持した搬
送アーム21が移動してウエハWを搬入する(図11参
照)。このとき、第2の昇降手段45が駆動してウエハ
ボート24が上昇し、搬送アーム21にて保持されたウ
エハWをウエハボート24が受け取る(図12参照)。
ウエハWを受け渡した搬送アーム21が退いた後、前記
シャッタ36が開き、第2の昇降手段45の駆動により
ウエハボート24が下降して洗浄槽22内にウエハWを
搬入する(図13参照)。このとき、第1の昇降手段4
4が駆動して乾燥室本体39が下降して固定基体37に
密接する。なお、シャッタ36は最初から開いていても
よい。
First, the shutter 36 at the opening 22c of the cleaning tank 22 is closed, and the drying chamber main body 39 is raised by driving the first lifting / lowering means 44 to form a space above the cleaning tank 22. Then, the transfer arm 21 holding the wafer W moves into the space and carries in the wafer W (see FIG. 11). At this time, the second raising / lowering means 45 is driven to move the wafer boat 24 up, and the wafer boat 24 receives the wafer W held by the transfer arm 21 (see FIG. 12).
After the transfer arm 21 that has transferred the wafer W is retracted, the shutter 36 is opened, and the wafer boat 24 is lowered by the driving of the second lifting / lowering means 45 to carry the wafer W into the cleaning tank 22 (see FIG. 13). . At this time, the first lifting / lowering means 4
4 is driven and the drying chamber main body 39 is lowered to come into close contact with the fixed base 37. Note that the shutter 36 may be open from the beginning.

【0045】その後、洗浄液供給ノズル25から薬液例
えば例えばフッ化水素酸を供給してウエハWを薬液洗浄
する。なお、予め薬液は洗浄槽22に供給されててもよ
い。次いで、洗浄液供給ノズル25から純水を供給して
薬液と置換後、洗浄処理する(図14参照)。ウエハW
が洗浄処理された後、第2の昇降手段45が駆動してウ
エハボート24が上昇し、ウエハWは乾燥室23内に搬
送される(図15参照)。このとき、シャッタ36が閉
じて乾燥室23内が洗浄槽22及び外気と遮断される。
なお、シャッタ36は、ウエハWが洗浄槽22で処理さ
れている間、閉じていてもよい。
Thereafter, a chemical such as hydrofluoric acid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 25 to clean the wafer W with the chemical. Note that the chemical solution may be supplied to the cleaning tank 22 in advance. Next, pure water is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 25 and replaced with a chemical solution, and then a cleaning process is performed (see FIG. 14). Wafer W
Is cleaned, the second lifting / lowering means 45 is driven to raise the wafer boat 24, and the wafer W is transferred into the drying chamber 23 (see FIG. 15). At this time, the shutter 36 is closed, and the inside of the drying chamber 23 is cut off from the cleaning tank 22 and the outside air.
Note that the shutter 36 may be closed while the wafer W is being processed in the cleaning tank 22.

【0046】その後、乾燥ガス供給部から乾燥ガス例え
ばIPAとN2との混合ガスが乾燥室23内に供給され
乾燥室23内がIPA雰囲気とされ、ウエハWとIPA
とが接触して乾燥処理が行われる(図16参照)。この
とき、乾燥ガスの一部は排出部41から排出される。
Thereafter, a dry gas, for example, a mixed gas of IPA and N 2 is supplied from the dry gas supply unit into the drying chamber 23 to make the inside of the drying chamber 23 an IPA atmosphere.
And the drying process is performed (see FIG. 16). At this time, a part of the dry gas is discharged from the discharge unit 41.

【0047】ウエハWに付着した水とIPAが置換され
た後、又は乾燥処理が終了し、乾燥ガス供給部40から
N2ガスが供給され、乾燥室23からIPA雰囲気が除
かれた後、第1の昇降手段44が駆動して乾燥室本体3
9が上昇し、洗浄槽22との間にスペースを形成する
(図17参照)。すると、側方から搬送アーム21がス
ペース内のウエハボート24の下方に移動し(図18参
照)、第2の昇降手段45の駆動によりウエハボート2
4が下降してウエハWを搬送アーム21に受け渡す(図
19参照)。ウエハWを受け取った後、搬送アーム21
は洗浄槽22の上方から後退して次の処理工程に搬送す
る(図20参照)。
After the water adhering to the wafer W and the IPA have been replaced, or after the drying process has been completed, the N 2 gas is supplied from the drying gas supply unit 40 and the IPA atmosphere is removed from the drying chamber 23, and then the first drying process is performed. Of the drying chamber main body 3
9 rises to form a space with the cleaning tank 22 (see FIG. 17). Then, the transfer arm 21 moves below the wafer boat 24 in the space from the side (see FIG. 18), and the second lifting means 45 drives the wafer boat 2
4 descends and transfers the wafer W to the transfer arm 21 (see FIG. 19). After receiving the wafer W, the transfer arm 21
Retreats from above the cleaning tank 22 and is conveyed to the next processing step (see FIG. 20).

【0048】上記のように、乾燥室本体39を上昇して
洗浄槽22の上方にスペースを形成することにより、搬
送アーム21を側方から移動させてウエハWを受け渡す
ことができるので、従来のこの種の装置のように乾燥室
23の上方からウエハWを受け渡す構造のものに比べて
装置の高さを低くすることができると共に、装置全体を
小型にすることができる。また、搬送アーム21の移動
量を少なくすることができるので、移動時間の短縮が図
れ、スループットの向上が図れる。
As described above, by raising the drying chamber main body 39 to form a space above the cleaning tank 22, the transfer arm 21 can be moved from the side to transfer the wafer W. The height of the apparatus can be reduced and the size of the entire apparatus can be reduced as compared with an apparatus of this type which has a structure in which the wafer W is transferred from above the drying chamber 23. Further, since the moving amount of the transfer arm 21 can be reduced, the moving time can be shortened and the throughput can be improved.

【0049】なお、上記実施形態では、この発明の洗浄
・乾燥処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適
用した場合について説明したが、洗浄処理以外の処理シ
ステムにも適用できることは勿論であり、また、半導体
ウエハ以外のLCD用ガラス基板等にも適用できること
は勿論である。
In the above embodiment, the case where the cleaning / drying processing apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning processing system has been described. However, it is needless to say that the cleaning / drying processing apparatus can be applied to processing systems other than the cleaning processing. Needless to say, the present invention can be applied to glass substrates for LCDs other than semiconductor wafers.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明の洗浄
・乾燥処理装置によれば、上記のように構成されている
ので、以下のような優れた効果が得られる。
As described above, according to the cleaning / drying treatment apparatus of the present invention, the following advantages can be obtained because it is configured as described above.

【0051】1)請求項1ないし3記載の発明によれ
ば、乾燥室を、洗浄槽の開口部に連通する固定基体と、
この固定基体に密接する乾燥室本体とで構成すると共
に、乾燥室本体を昇降可能に形成することにより、乾燥
室本体を上昇させて洗浄槽の開口部の上方に被処理基板
挿入用スペースを確保することができるので、側方から
スペース内に移動する被処理基板の搬送手段と保持手段
との間で被処理基板の受渡しを行うことができる。した
がって、装置の小型化が図れると共に、スループットの
向上が図れる。
1) According to the first to third aspects of the present invention, the drying chamber is provided with a fixed base communicating with the opening of the washing tank.
The drying chamber main body is formed so as to be able to move up and down, and the drying chamber main body is raised to secure a space for inserting a substrate to be processed above the opening of the cleaning tank by forming the drying chamber main body up and down. Therefore, the substrate to be processed can be transferred between the transporting means and the holding means for the substrate to be moved into the space from the side. Therefore, the size of the apparatus can be reduced, and the throughput can be improved.

【0052】2)請求項4又は5記載の発明によれば、
乾燥室本体を断面逆U字状の石英製部材にて形成するの
で、乾燥室の容積を必要最小限にすることができ、上記
1)に加えて更に装置の小型化が図れ、更に金属不純物
等の析出や溶出がなくパーティクルの発生を抑制するこ
とができると共に、歩留まりの向上が図れる。また、乾
燥室本体の外に固定基体及び洗浄槽を石英製部材にて形
成することにより、更にパーティクル等の発生を抑制す
ることができると共に、歩留まりの向上が図れる。
2) According to the invention described in claim 4 or 5,
Since the main body of the drying chamber is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section, the volume of the drying chamber can be minimized. In addition to the above-mentioned 1), the apparatus can be further downsized, and furthermore, metal impurities can be obtained. The generation of particles can be suppressed without precipitation or elution of the like, and the yield can be improved. Further, by forming the fixed base and the cleaning tank out of the drying chamber main body with a quartz member, the generation of particles and the like can be further suppressed, and the yield can be improved.

【0053】3)請求項6記載の発明によれば、乾燥室
本体の外側位置に、加熱用光源を配設すると共に、この
加熱用光源の背面側に反射板を配設することにより、加
熱用光源を利用して乾燥室内を加熱することができるの
で、上記2)に加えて乾燥効率の向上を図ることができ
る。
3) According to the sixth aspect of the present invention, a heating light source is provided at a position outside the drying chamber main body, and a reflecting plate is provided on the back side of the heating light source, so that heating is performed. Since the drying chamber can be heated using the light source, the drying efficiency can be improved in addition to the above 2).

【0054】4)請求項7ないし12記載の発明によれ
ば、乾燥室内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を設
けるので、上記1)に加えて被処理基板に対して乾燥ガ
スを均一に接触させることができ、乾燥を確実にかつ迅
速に行うことができる。
4) According to the seventh to twelfth aspects of the present invention, since the dry gas supply section for supplying the dry gas into the drying chamber is provided, the dry gas is uniformly supplied to the substrate to be processed in addition to the above 1). Contact can be made, and drying can be performed reliably and quickly.

【0055】5)請求項13記載の発明によれば、乾燥
室本体を昇降する第1の昇降手段と、保持手段を昇降す
る第2の昇降手段を、それぞれボールねじ機構にて形成
すると共に、共通のガイドレール上を摺動可能に形成す
るので、乾燥室本体と保持手段の駆動部の構造を簡素化
することができると共に、駆動精度の向上を図ることが
できる。
5) According to the thirteenth aspect of the present invention, the first elevating means for elevating and lowering the drying chamber main body and the second elevating means for elevating and lowering the holding means are each formed by a ball screw mechanism. Since the common guide rail is formed so as to be slidable, the structures of the drying chamber main body and the driving unit of the holding means can be simplified, and the driving accuracy can be improved.

【0056】6)請求項14記載の発明によれば、保持
手段に連結するロッドを、乾燥室本体に設けた透孔内を
貫通して第2の昇降手段に連結し、透孔とロッドとの隙
間に、気密性を有する可撓性部材とこの可撓性部材内に
封入される気体とからなるシール機構を介在するので、
上記5)に加えて乾燥室本体と保持手段の昇降部とのシ
ール性の向上を図ることができる。
6) According to the fourteenth aspect of the present invention, the rod connected to the holding means passes through the through hole provided in the drying chamber main body and is connected to the second elevating means, so that the rod and the rod are connected to each other. Since a seal mechanism composed of an airtight flexible member and a gas sealed in the flexible member is interposed in the gap,
In addition to the above 5), the sealing performance between the drying chamber main body and the elevating part of the holding means can be improved.

【0057】7)請求項15記載の発明によれば、第1
の昇降手段に、保持手段の上昇移動を規制するストッパ
を設けるので、不用意に保持手段が上昇して乾燥室本体
に衝突するのを防止することができ、上記5)に加えて
装置の安全性及び信頼性を高めることができる。
7) According to the fifteenth aspect of the present invention, the first
The lifting means is provided with a stopper for restricting the upward movement of the holding means, whereby it is possible to prevent the holding means from inadvertently rising and colliding with the drying chamber main body. Performance and reliability can be improved.

【0058】8)請求項16記載の発明によれば、保持
手段を、複数の被処理基板を適宜間隔をおいて立設保持
する一対の下部保持部材と、これら下部保持部材の上部
側方に位置する一対の上部保持部材とで構成し、下部保
持部材を、剛性を有する心材と、この心材の表面に設け
られ異なる種類の洗浄液に対して耐液性を有する合成樹
脂製被覆層とで形成し、かつ、下部保持部材に、断面略
V字状の被処理基板支持溝を形成し、上部保持部材に
は、断面略Y字状の被処理基板傾斜防止用溝を形成する
ので、保持部材すなわち保持手段の容積を可及的に小さ
くすることができる。したがって、上記1)及び5)に
加えて洗浄槽を大きくすることなく所定の洗浄液貯留量
を確保することができると共に、装置全体の小型化を図
ることができ、かつ被処理基板を安定した状態で保持す
ることができる。
8) According to the sixteenth aspect of the present invention, the holding means comprises a pair of lower holding members for vertically holding a plurality of substrates to be processed at appropriate intervals, and an upper side of the lower holding members. The lower holding member is formed of a rigid core material and a synthetic resin coating layer provided on the surface of the core material and having liquid resistance to different types of cleaning liquids. The lower holding member is formed with a substrate supporting groove having a substantially V-shaped cross section, and the upper holding member is formed with a groove for preventing substrate to be tilted having a substantially Y-shaped cross section. That is, the volume of the holding means can be made as small as possible. Therefore, in addition to the above 1) and 5), it is possible to secure a predetermined amount of cleaning liquid without increasing the size of the cleaning tank, to reduce the size of the entire apparatus, and to stabilize the substrate to be processed. Can be held.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の洗浄・乾燥処理装置を適用した洗浄
処理システムの概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a cleaning system to which a cleaning / drying apparatus of the present invention is applied.

【図2】上記洗浄処理システムの概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the cleaning processing system.

【図3】この発明の洗浄・乾燥処理装置の概略斜視図で
ある。
FIG. 3 is a schematic perspective view of a cleaning / drying processing apparatus of the present invention.

【図4】上記洗浄・乾燥処理装置の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of the cleaning / drying apparatus.

【図5】この発明における乾燥室本体及び保持手段の昇
降手段を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the drying chamber main body and the elevating means of the holding means in the present invention.

【図6】上記昇降手段の駆動状態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a driving state of the elevating means.

【図7】この発明におけるシール機構の断面斜視図
(a)及びその要部拡大断面図(b)である。
FIGS. 7A and 7B are a perspective view of a cross section of a sealing mechanism according to the present invention and an enlarged cross section of a main part thereof, respectively.

【図8】この発明における保持手段の要部平面図(a)
及びその正面図(b)である。
FIG. 8 is a plan view of a main part of the holding means according to the present invention (a).
And its front view (b).

【図9】上記保持手段の下部保持部材の正面断面図
(a)及びその側面断面図(b)である。
9A and 9B are a front sectional view and a side sectional view of a lower holding member of the holding means.

【図10】この発明における下部保持部材の支持溝を示
す拡大断面図(a)及び上部保持部材の傾斜防止溝を示
す拡大断面図(b)である。
10A and 10B are an enlarged sectional view showing a support groove of a lower holding member and an enlarged sectional view showing an inclination preventing groove of an upper holding member according to the present invention.

【図11】被処理基板の受け渡し前の状態を示す概略断
面図である。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a state before delivery of a substrate to be processed.

【図12】被処理基板の受け渡し時の状態を示す概略断
面図である。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state when a substrate to be processed is delivered.

【図13】被処理基板を洗浄槽に搬入する状態を示す概
略断面図である。
FIG. 13 is a schematic sectional view showing a state in which a substrate to be processed is carried into a cleaning tank.

【図14】被処理基板の洗浄状態を示す概略断面図であ
る。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a cleaning state of a substrate to be processed.

【図15】被処理基板を乾燥室に搬入する状態を示す概
略断面図である。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a state where a substrate to be processed is carried into a drying chamber.

【図16】被処理基板の乾燥状態を示す概略断面図であ
る。
FIG. 16 is a schematic sectional view showing a dry state of a substrate to be processed.

【図17】乾燥処理後の乾燥室本体の上昇状態を示す概
略断面図である。
FIG. 17 is a schematic sectional view showing a rising state of a drying chamber main body after a drying process.

【図18】乾燥処理後の被処理基板を受け取る前の状態
を示す概略断面図である。
FIG. 18 is a schematic sectional view showing a state before receiving a substrate to be processed after a drying process.

【図19】乾燥処理後の被処理基板を受け取る状態を示
す概略断面図である。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing a state of receiving a substrate to be processed after a drying process.

【図20】被処理基板の搬出状態を示す概略断面図であ
る。
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing the unloading state of a substrate to be processed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウエハ(被処理基板) 22 洗浄槽 22c 開口部 23 乾燥室 24 ウエハボート(保持手段) 24a ロッド 36 シャッタ 37 固定基体 38 Oリング(シール部材) 39 乾燥室本体 39a 透孔 40 乾燥ガス供給部 41 排出部 42 加熱ランプ(加熱源) 43 反射板 44 第1の昇降手段 45 第2の昇降手段 46,46A モータ 47,47A ねじ軸 48,48A 可動子 49,49A スライダ 50 ガイドレール 52 シール機構 52a 可撓性チューブ 53 ストッパ 54 下部保持部材 55 上部保持部材 57a ステンレス鋼製パイプ(心材) 57b 合成樹脂製被覆層 58 支持溝 59 傾斜防止用溝 W Semiconductor wafer (substrate to be processed) 22 Cleaning tank 22c Opening 23 Drying chamber 24 Wafer boat (holding means) 24a Rod 36 Shutter 37 Fixed base 38 O-ring (seal member) 39 Drying chamber main body 39a Through hole 40 Dry gas supply section 41 Ejector 42 Heating lamp (heat source) 43 Reflector 44 First raising / lowering means 45 Second raising / lowering means 46, 46A Motor 47, 47A Screw shaft 48, 48A Mover 49, 49A Slider 50 Guide rail 52 Sealing mechanism 52a Flexible tube 53 Stopper 54 Lower holding member 55 Upper holding member 57a Stainless steel pipe (core material) 57b Synthetic resin coating layer 58 Support groove 59 Slope preventing groove

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年6月4日[Submission date] June 4, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0041[Correction target item name] 0041

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0041】 また、上記ウエハボート24は、図8
(a),(b)に示すように、複数例えば50枚のウエ
ハWを適宜間隔をおいて立設保持する一対の下部保持部
材54と、これら下部保持部材54の上部側方に位置す
る一対の上部保持部材55とを具備し、これら下部保持
部材54及び上部保持部材55を上記ロッドに連結する
支持板(図示せず)と連結板56との間に架設した構造
となっている。この場合、下部保持部材54は、図9
(a),(b)に示すように、剛性を有する心材例えば
ステンレス鋼製パイプ57aと、このステンレスパイプ
57aの表面に設けられ異なる種類の洗浄液例えば薬液
と純水に対して耐液性を有する合成樹脂製部材例えば
リエーテル・エーテル・ケトン(PEEK)からなる被
覆層57bとで形成されており、ウエハ保持面には図9
(b)及び図10(a)に示すように断面略V字状の支
持溝58が適宜間隔をおいて設けられている。一方、上
部保持部材55は例えばPEEK等の合成樹脂製部材に
て形成されており、その上部には、図10(b)に示す
ように、拡開テーパ面59aと狭小テーパ面59bとか
らなる断面略Y字状の傾斜防止用溝59が適宜間隔をお
いて設けられている。
Further, the wafer boat 24 is configured as shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a pair of lower holding members 54 that stand and hold a plurality of, for example, 50 wafers W at appropriate intervals, and a pair of lower holding members 54 located on the upper side of these lower holding members 54. The upper holding member 55 is provided between the supporting plate (not shown) for connecting the lower holding member 54 and the upper holding member 55 to the rod and a connecting plate 56. In this case, the lower holding member 54 is configured as shown in FIG.
As shown in (a) and (b), a rigid core material such as a stainless steel pipe 57a and a different type of cleaning liquid provided on the surface of the stainless steel pipe 57a such as a chemical liquid and pure water have liquid resistance. synthetic resin member for example port
9 and a coating layer 57b made of polyether ether ketone (PEEK).
As shown in FIG. 10B and FIG. 10A, support grooves 58 having a substantially V-shaped cross section are provided at appropriate intervals. On the other hand, the upper holding member 55 is formed of a synthetic resin member such as PEEK, for example, and has an expanded tapered surface 59a and a narrow tapered surface 59b on the upper portion thereof, as shown in FIG. Slope preventing grooves 59 having a substantially Y-shaped cross section are provided at appropriate intervals.

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0043[Correction target item name] 0043

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0043】 次に、この発明の洗浄・乾燥処理装置の
動作態様について図11ないし図20を参照して説明す
。なお、以下の動作は図示しない制御部によって行わ
れる。
Next, an operation mode of the cleaning / drying processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
You . The following operation is performed by a control unit (not shown).

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図11[Correction target item name] FIG.

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図11】 ─────────────────────────────────────────────────────
FIG. 11 ────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成10年1月23日[Submission date] January 23, 1998

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0002[Correction target item name] 0002

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理基板
(以下にウエハ等という)を薬液やリンス液(洗浄液)
等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄を行
う洗浄処理方法が広く採用されている。また、このよう
な洗浄処理装置においては、洗浄液の表面に例えばIP
A(イソプロピルアルコール)等の揮発性を有する有機
溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、マランゴニ
ー効果によってウエハ等の水分の除去及び乾燥を行う乾
燥処理装置が装備されている(特開平8−148458
号公報参照)。
2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of a semiconductor manufacturing apparatus, a substrate to be processed (hereinafter, referred to as a wafer or the like) such as a semiconductor wafer or LCD glass is subjected to a chemical solution or a rinsing solution (cleaning solution).
A cleaning method of sequentially immersing in a processing tank in which a processing liquid such as the above is stored for cleaning is widely adopted. Further, in such a cleaning apparatus, for example IP on the surface of the cleaning liquid
A dry gas consisting of a vapor of a volatile organic solvent such as A (isopropyl alcohol) is brought into contact with Marangoni.
A drying apparatus for removing and drying water from a wafer or the like by the effect is provided (JP-A-8-148458).
Reference).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 毅 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレ クトロン九州株式会社佐賀事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takeshi Nomura 1375, Nishishinmachi, Tosu City, Saga Prefecture 41 Tokyo Electron Kyushu Corporation Saga Office

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板の洗浄液を収容する洗浄槽
と、上記洗浄槽の上部に位置する乾燥室と、上記被処理
基板を保持してこの被処理基板を上記洗浄槽内と乾燥室
内に移動する保持手段とを具備し、 上記乾燥室を、上記洗浄槽の開口部に連通する固定基体
と、この固定基体に密接する乾燥室本体とで構成すると
共に、乾燥室本体を昇降可能に形成してなる、ことを特
徴とする洗浄・乾燥処理装置。
1. A cleaning tank for storing a cleaning liquid for a substrate to be processed, a drying chamber located above the cleaning tank, and a substrate holding the substrate to be processed, and the substrate to be processed being placed in the cleaning tank and the drying chamber. The drying chamber comprises a fixed base communicating with the opening of the cleaning tank, and a drying chamber main body closely contacting the fixed base, and the drying chamber main body is formed so as to be able to move up and down. A washing / drying treatment apparatus characterized by the following.
【請求項2】 請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記固定基体と乾燥室本体との間にシール部材を介在し
てなることを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
2. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 1, wherein a sealing member is interposed between the fixed base and the drying chamber main body.
【請求項3】 請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記洗浄槽の開口部に、洗浄室と乾燥室とを遮蔽するシ
ャッタを設けたことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
3. The cleaning / drying apparatus according to claim 1, further comprising a shutter provided at an opening of the cleaning tank to shield the cleaning chamber from the drying chamber.
【請求項4】 請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記乾燥室本体を断面逆U字状の石英製部材にて形成し
てなることを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
4. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 1, wherein the drying chamber main body is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section.
【請求項5】 請求項1記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記乾燥室本体を断面逆U字状の石英製部材にて形成
し、上記固定基体及び洗浄槽を石英製部材にて形成して
なる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
5. The cleaning and drying apparatus according to claim 1, wherein the drying chamber main body is formed of a quartz member having an inverted U-shaped cross section, and the fixed base and the cleaning tank are formed of a quartz member. A cleaning / drying processing apparatus comprising:
【請求項6】 請求項4又は5記載の洗浄・乾燥処理装
置において、 上記乾燥室本体の外側位置に、加熱源を配設すると共
に、この加熱源の背面側に反射板を配設してなる、こと
を特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
6. The cleaning / drying apparatus according to claim 4, wherein a heating source is provided outside the drying chamber main body, and a reflection plate is provided on the back side of the heating source. A cleaning / drying processing apparatus.
【請求項7】 請求項1ないし5のいずれかに記載の洗
浄・乾燥処理装置において、 上記乾燥室内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を設
けてなることを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
7. The cleaning / drying apparatus according to claim 1, further comprising a drying gas supply unit for supplying a drying gas into the drying chamber. .
【請求項8】 請求項5記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記乾燥ガス供給部を、乾燥室の固定基体に設けたこと
を特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
8. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 5, wherein the drying gas supply unit is provided on a fixed base in a drying chamber.
【請求項9】 請求項5記載の洗浄・乾燥処理装置にお
いて、 上記乾燥ガス供給部を、乾燥室の側方から上方に向かっ
て供給すべく固定基体に設けたことを特徴とする洗浄・
乾燥処理装置。
9. The cleaning / drying apparatus according to claim 5, wherein the drying gas supply section is provided on a fixed base so as to be supplied upward from a side of the drying chamber.
Drying processing equipment.
【請求項10】 請求項5、7ないし9のいずれかに記
載の洗浄・乾燥処理装置において、 上記乾燥室の固定基体に乾燥ガスの排出部を設けたこと
を特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
10. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 5, wherein a drying gas discharge unit is provided on a fixed base of the drying chamber. .
【請求項11】 請求項7記載の洗浄・乾燥処理装置に
おいて、 上記乾燥ガスが不活性ガスであることを特徴とする洗浄
・乾燥処理装置。
11. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 7, wherein the drying gas is an inert gas.
【請求項12】 請求項7記載の洗浄・乾燥処理装置に
おいて、 上記乾燥ガスが有機溶剤の蒸気ガス又は不活性ガスと有
機溶剤の混合ガスであることを特徴とする洗浄・乾燥処
理装置。
12. The cleaning / drying apparatus according to claim 7, wherein the drying gas is a vapor gas of an organic solvent or a mixed gas of an inert gas and an organic solvent.
【請求項13】 被処理基板の洗浄液を収容する洗浄槽
と、上記洗浄槽の開口部に連通する固定基体と、この固
定基体との間にシール部材を介して密接する乾燥室本体
とからなる乾燥室と、上記被処理基板を保持してこの被
処理基板を上記洗浄槽内と乾燥室内に移動する保持手段
と、上記乾燥室本体を昇降する第1の昇降手段と、上記
保持手段を昇降する第2の昇降手段とを具備し、 上記第1の昇降手段と第2の昇降手段をそれぞれボール
ねじ機構にて形成すると共に、共通のガイドレール上を
摺動可能に形成してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥
処理装置。
13. A cleaning tank for storing a cleaning liquid for a substrate to be processed, a fixed base communicating with an opening of the cleaning tank, and a drying chamber main body in close contact with the fixed base via a sealing member. A drying chamber; holding means for holding the substrate to be processed and moving the substrate to be processed into the cleaning tank and the drying chamber; first elevating means for elevating the main body of the drying chamber; and elevating the holding means. A second elevating means, wherein the first elevating means and the second elevating means are respectively formed by a ball screw mechanism and slidably formed on a common guide rail. A washing / drying processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項14】 請求項13記載の洗浄・乾燥処理装置
において、 上記保持手段に連結するロッドを、乾燥室本体に設けた
透孔内を貫通して第2の昇降手段に連結し、上記透孔と
ロッドとの隙間に、気密性を有する可撓性部材とこの可
撓性部材内に封入される気体とからなるシール機構を介
在してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
14. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 13, wherein the rod connected to the holding means passes through a through hole provided in the drying chamber main body, and is connected to the second lifting / lowering means. A cleaning / drying apparatus characterized in that a sealing mechanism comprising a gas-tight flexible member and a gas sealed in the flexible member is interposed in a gap between the hole and the rod.
【請求項15】 請求項13記載の洗浄・乾燥処理装置
において、 上記第1の昇降手段に、保持手段の上昇移動を規制する
ストッパを設けたことを特徴とする洗浄・乾燥処理装
置。
15. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 13, wherein the first lifting / lowering means is provided with a stopper for restricting the upward movement of the holding means.
【請求項16】 請求項1又は13記載の洗浄・乾燥処
理装置において、 上記保持手段は、複数の被処理基板を適宜間隔をおいて
立設保持する一対の下部保持部材と、これら下部保持部
材の上部側方に位置する一対の上部保持部材とを具備
し、上記下部保持部材を、剛性を有する心材と、この心
材の表面に設けられ異なる種類の洗浄液に対して耐液性
を有する合成樹脂製被覆層とで形成し、かつ、上記下部
保持部材に、断面略V字状の被処理基板支持溝を形成
し、上記上部保持部材には、断面略Y字状の被処理基板
傾斜防止用溝を形成してなる、ことを特徴とする洗浄・
乾燥処理装置。
16. The cleaning / drying processing apparatus according to claim 1, wherein said holding means comprises a pair of lower holding members for vertically holding a plurality of substrates to be processed at appropriate intervals, and said lower holding members. A pair of upper holding members located on the upper side of the core material, wherein the lower holding member is made of a rigid core material, and a synthetic resin provided on the surface of the core material and having liquid resistance to different types of cleaning liquids. The lower holding member is formed with a substrate supporting groove having a substantially V-shaped cross section, and the upper holding member is formed with a substantially Y-shaped cross section for preventing inclination of the processed substrate. Cleaning characterized by forming a groove
Drying processing equipment.
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