JPH10283978A - Electron detector - Google Patents

Electron detector

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JPH10283978A
JPH10283978A JP9238897A JP9238897A JPH10283978A JP H10283978 A JPH10283978 A JP H10283978A JP 9238897 A JP9238897 A JP 9238897A JP 9238897 A JP9238897 A JP 9238897A JP H10283978 A JPH10283978 A JP H10283978A
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JP
Japan
Prior art keywords
electron
plate
photoelectric conversion
thin film
electron detector
Prior art date
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Pending
Application number
JP9238897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Suzuki
鈴木  誠
Masayoshi Ishikawa
昌義 石川
Hiroyuki Watanabe
宏之 渡辺
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Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
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Publication of JPH10283978A publication Critical patent/JPH10283978A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246Microchannel plates [MCP]

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron detector on which a sample for observation can be placed directly. SOLUTION: An electron-to-light conversion member 12 comprising a phosphor plate 12a coated with a metallic thin film 12b is mounted in an opening 2a in a bottomed cylinder 2, and a microchannel plate MCP and an anode 10 are placed in the bottomed cylinder 2 via insulative annular spacers 4, 6, 8. When the metallic thin film 12b, the microchannel plate MCP, and the anode 10 are biased to predetermined potential and a sample OBJ is directly placed on the metallic thin film 12b and scanned by an electron beam EB from above, ultraviolet rays excited by secondary electrons and transmitted charged particles emitted from the metallic thin film 12b are released from the phosphor plate 12a, the microchannel plate MCP detects the ultraviolet rays and performs secondary electron multiplication, and a detection signal is produced in the anode 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子を検出
し、電気信号に変換して出力する電子検出器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic detector for detecting charged particles, converting the detected particles into electric signals, and outputting the electric signals.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような電子検出器として電子
増倍管(EMT)が知られている。電子増倍管は、真空
中でダイノードに荷電粒子が入射すると光電子や2次電
子を放出して2次電子増倍し、このダイノードで増倍さ
れた2次電子群をアノードで補集し電気信号に変換して
出力する機能を有している。主として微弱な荷電粒子を
検出するための有力な手段となっている。例えば、走査
形電子顕微鏡(SEM)や透過形走査電子顕微鏡(ST
EM)等に用いられ、電子ビームで試料を走査するとき
に試料等より放出される2次電子や透過電子を検出する
ことにより、試料の形状等を観測するために必要な画像
情報を得るための有効な手段となっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an electron multiplier (EMT) has been known as such an electron detector. When charged particles enter a dynode in a vacuum, the electron multiplier emits photoelectrons and secondary electrons and multiplies the secondary electrons. The secondary electrons multiplied by the dynode are collected by the anode and electricity is generated. It has the function of converting it to a signal and outputting it. It is a powerful means mainly for detecting weak charged particles. For example, a scanning electron microscope (SEM) or a transmission scanning electron microscope (ST)
EM) to obtain image information necessary for observing the shape of the sample by detecting secondary electrons and transmitted electrons emitted from the sample when scanning the sample with an electron beam. Has become an effective means.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の電子増倍管をS
EMやSTEM等に適用して鮮明な試料画像を再構成す
るための情報を得るには、初段のダイノードを可能な限
り試料に近接させて、試料から放出される2次電子や透
過電子を効率良く検出することが望ましい。しかし、S
EMやSTEM等に予め備えられている試料載置台に試
料を載せ、この試料載置台に対して比較的大きな隙間
(間隔)をおいて初段ダイノードを対向配置する必要が
あるため、試料とダイノードを十分に近接させることが
困難であった。
SUMMARY OF THE INVENTION A conventional electron multiplier is S
To obtain information for reconstructing a clear sample image by applying it to EM, STEM, etc., the first-stage dynode is placed as close to the sample as possible, and the secondary electrons and transmitted electrons emitted from the sample are efficiently used. It is desirable to detect well. However, S
It is necessary to place the sample on a sample mounting table provided in advance in EM or STEM, and to place the first-stage dynode facing the sample mounting table with a relatively large gap (interval). It was difficult to make them close enough.

【0004】尚、マイクロチャンネルプレートをダイノ
ードに用いた電子増倍管(MCP−EMT)では、マイ
クロチャンネルプレートの入力端が平坦であることか
ら、この入力端に試料を直接載置することによって試料
とダイノードとを最接近させるという手法を講じること
も考えられるが、これでは、前記入力端が試料で汚染さ
れてしまうため、電子増倍管自体を頻繁に取り替えなけ
ればならないという問題を生じる。
In an electron multiplier (MCP-EMT) in which a microchannel plate is used as a dynode, the input end of the microchannel plate is flat, and the sample is placed directly on this input end. Although it is conceivable to adopt a technique of bringing the dynode and the dynode closest, this causes a problem that the electron multiplier itself must be frequently replaced because the input end is contaminated with the sample.

【0005】本発明は、このような従来技術の課題に鑑
みてなされたものであり、試料を直接載せることができ
る手段自体を予め備える電子検出器を提供することを目
的とする。
[0005] The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and has as its object to provide an electronic detector provided with means for directly mounting a sample in advance.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の電子検出器は、
入射荷電粒子を透過又は入射荷電粒子の入射強度に応じ
た電子を放出する金属薄膜と、前記透過した荷電粒子又
は前記放出された電子にて励起されて蛍光を発生する蛍
光板との2層構造を有する電子光変換部材と、前記電子
光変換部材の前記蛍光板に近接して対向配置され、前記
蛍光を光電変換する光電変換素子とを備える構成とし
た。
The electronic detector of the present invention comprises:
A two-layer structure of a metal thin film that transmits the incident charged particles or emits electrons according to the incident intensity of the incident charged particles, and a fluorescent plate that generates fluorescence when excited by the transmitted charged particles or the emitted electrons. And a photoelectric conversion element that is disposed in close proximity to the fluorescent plate of the electron-light conversion member and that photoelectrically converts the fluorescence.

【0007】また、前記電子光変換部材は、前記光電変
換素子に対して着脱可能に支持される構成とした。
Further, the electro-optical conversion member is configured to be detachably supported on the photoelectric conversion element.

【0008】[0008]

【作用】電子光変換部材の金属薄膜に荷電粒子が入射す
ると、その入射荷電粒子が金属薄膜を透過したり、金属
薄膜から電子が放出される。この透過した荷電粒子又は
放出された電子により蛍光板から蛍光が放出され、光電
変換素子によって検出されて検出信号として出力され
る。電子光変換部材の金属薄膜上に試料を直接載置する
ことができる。また、電子光変換部材は着脱可能であ
り、新たな電子光変換部材に取り替えが可能である。
When charged particles enter the metal thin film of the electron-light conversion member, the incident charged particles pass through the metal thin film or emit electrons from the metal thin film. Fluorescence is emitted from the fluorescent plate by the transmitted charged particles or emitted electrons, detected by the photoelectric conversion element, and output as a detection signal. The sample can be directly mounted on the metal thin film of the electron-light conversion member. Further, the electron-light conversion member is detachable, and can be replaced with a new electron-light conversion member.

【0009】[0009]

【実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を参照
しつつ説明する。図1は実施の形態に係る電子検出器の
構造を一部破断して示す斜視図、図2はこの電子検出器
の要部断面構造を拡大して示す縦断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the structure of an electron detector according to an embodiment, and FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a main part cross-sectional structure of the electron detector.

【0010】図1及び図2において、一端に円形の開口
部2aを有し導電性材料で形成された有底筒体2の内壁
全体にゴム材や絶縁性塗料等から成る絶縁層ISOがコ
ーティングされ、更に、この有底筒体2の内部に、0.
5〜1.0mm程度の範囲内の均一厚さの薄い円環状の
絶縁スペーサ4,6,8が配設され、絶縁スペーサ4,
6の間にはマイクロチャンネルプレートMCPが介在
し、絶縁スペーサ6,8の間にはマイクロチャンネルプ
レートMCPの出力端に対向する円板状のアノード電極
10が介在している。開口部2aには、マイクロチャン
ネルプレートMCPの入力端に対向する電子光変換部材
12が弛まないように固着されている。
1 and 2, an insulating layer ISO made of a rubber material or an insulating paint is coated on the entire inner wall of a bottomed cylindrical body 2 having a circular opening 2a at one end and made of a conductive material. In addition, the inside of the bottomed cylindrical body 2 is
Thin annular insulating spacers 4, 6, 8 having a uniform thickness within a range of about 5 to 1.0 mm are provided.
6, a micro-channel plate MCP is interposed, and between the insulating spacers 6, 8, a disk-shaped anode electrode 10 facing the output end of the micro-channel plate MCP is interposed. The electron-light converting member 12 facing the input end of the microchannel plate MCP is fixed to the opening 2a so as not to be loosened.

【0011】電子光変換部材12は、マイクロチャンネ
ルプレートMCPの入力端側に対向するCa3(PO4
2:Tlの材料で形成された蛍光板12aに、荷電粒子
EBが入射する厚さ数100nm程度の金属薄膜12b
が蒸着等によってコーティングされた2層構造を有して
いる。
The electron-to-light conversion member 12 is formed of Ca 3 (PO 4 ) facing the input end of the micro channel plate MCP.
2 : A metal thin film 12b having a thickness of about several hundred nm on which charged particles EB are incident on a fluorescent plate 12a formed of a Tl material.
Has a two-layer structure coated by vapor deposition or the like.

【0012】有底筒体2の側壁には、電子光変換部材1
2の金属薄膜12bとマイクロチャンネルプレートMC
P及びアノード電極10に夫々所定のバイアス電圧を印
加するための複数の電線束から成る電圧供給線14と、
アノード電極10に生じる検出信号を外部へ取り出すた
めの信号取出し線16とが設けられている。
An electron-light conversion member 1 is provided on a side wall of the bottomed cylinder 2.
2 metal thin film 12b and micro channel plate MC
A voltage supply line 14 comprising a plurality of wire bundles for applying a predetermined bias voltage to each of the P and anode electrodes 10;
A signal extraction line 16 for extracting a detection signal generated at the anode electrode 10 to the outside is provided.

【0013】かかる構造を有する電子検出器において、
図2に示すように、電子光変換部材12の金属薄膜12
bを最低電位、アノード電極10を最高電位に保ち、マ
イクロチャンネルプレートMCPの入力端に対して出力
端を高電位に保つように所定の外部電圧Vb1,Vb2(V
b1<Vb2)を印加することにより、真空中で作動させ
る。真空中において、金属薄膜12bの表面側より荷電
粒子EBが入射すると、荷電粒子EBの入射エネルギー
に応じて金属薄膜12bを透過(通過)したり、金属薄
膜12b中から蛍光板12aへ2次電子が放出され、更
にこの透過荷電粒子や2次電子により、蛍光板12aか
らは波長326nmにピークをもつ紫外線が励起され
る。そして、マイクロチャンネルプレートMCPがこの
紫外線を検出して2次電子増倍し、マイクロチャンネル
プレートMCPで増倍された2次電子群がアノード電極
10に補集され、2次電子群に比例した電流変化が検出
信号として出力される。
In the electron detector having such a structure,
As shown in FIG. 2, the metal thin film 12
b is the lowest potential, the anode electrode 10 is at the highest potential, and the predetermined external voltages V b1 , V b2 (V
Operate in vacuum by applying b1 < Vb2 ). When the charged particles EB enter from the surface side of the metal thin film 12b in a vacuum, the charged particles EB are transmitted (passed) through the metal thin film 12b according to the incident energy of the charged particles EB, or secondary electrons are emitted from the metal thin film 12b to the fluorescent screen 12a. The ultraviolet rays having a peak at a wavelength of 326 nm are excited from the phosphor plate 12a by the emitted charged particles and secondary electrons. Then, the micro-channel plate MCP detects the ultraviolet rays and multiplies the secondary electrons, and the secondary electrons multiplied by the micro-channel plate MCP are collected by the anode electrode 10 and the current proportional to the secondary electrons is increased. The change is output as a detection signal.

【0014】ここで、前記紫外線は、蛍光板12aにお
いてほぼ全方位に発生することから、マイクロチャンネ
ルプレートMCPの入力端へ直接入射するだけでなく金
属薄膜12bの裏面側へも生じることとなるが、この金
属薄膜12bの裏面側に生じる紫外線は、蛍光板12a
に接する金属薄膜12bの裏面で反射されてマイクロチ
ャンネルプレートMCPの入力端に入射することとなる
ため、入射荷電粒子EBに対して生じる紫外線を極めて
効率良くマイクロチャンネルプレートMCPに入射させ
る構造となっている。
Here, since the ultraviolet rays are generated in almost all directions in the fluorescent plate 12a, they are not only directly incident on the input end of the microchannel plate MCP but also are generated on the back side of the metal thin film 12b. Ultraviolet rays generated on the back side of the metal thin film 12b
Since the light is reflected by the back surface of the metal thin film 12b in contact with the microchannel plate MCP and is incident on the input end of the microchannel plate MCP, ultraviolet rays generated for the incident charged particles EB are incident on the microchannel plate MCP extremely efficiently. I have.

【0015】また、蛍光板12aは比較的厚くすること
ができるため、金属薄膜12bの表面上に生体細胞片等
の試料OBJを直接載置しても機械的強度を保持するこ
とができる。この結果、電子ビーム(荷電粒子)EBで
試料OBJを走査し、金属薄膜12bあるいは試料OB
Jより放出される2次電子や透過荷電粒子を蛍光板12
aで紫外線に変換し、マイクロチャンネルプレートMC
Pで2次電子増倍してアノード電極10から検出信号を
出力させることにより、試料OBJの形状等を観察する
ための走査形電子顕微鏡や透過形走査電子顕微鏡等への
応用が可能である。
Further, since the fluorescent plate 12a can be made relatively thick, the mechanical strength can be maintained even when the sample OBJ such as a living cell piece is directly placed on the surface of the metal thin film 12b. As a result, the sample OBJ is scanned by the electron beam (charged particles) EB, and the metal thin film 12b or the sample OBJ is scanned.
The secondary electrons and transmitted charged particles emitted from J
is converted to ultraviolet light by the micro channel plate MC
By multiplying secondary electrons by P and outputting a detection signal from the anode electrode 10, application to a scanning electron microscope or a transmission scanning electron microscope for observing the shape or the like of the sample OBJ is possible.

【0016】換言すれば、当該電子検出器は、電子光変
換部材12を備えることにより、試料OBJを直接載置
するための載置手段としての機能と、入射荷電粒子EB
に対してマイクロチャンネルプレートMCPに感度を有
する紫外線を発生させる変換手段としての機能との2機
能を巧みに発揮させるようにした構造を有している。更
に、前述した如く、金属薄膜12bが、蛍光板12aで
発生した紫外線を効果的にマイクロチャンネルプレート
MCPの入力端側へ反射するのみならず、電子光変換部
材12とマイクロチャンネルプレートMCPの入力端と
の間隔が極めて狭いので、蛍光板12aで発生した紫外
線を効率良くマイクロチャンネルプレートMCPに入射
させることができる構造となっている。更にまた、金属
薄膜12bは、蛍光板12aを被覆し損傷等から保護す
る機能を発揮することから、この金属薄膜12bと蛍光
板12aとの間で優れた相乗効果が発揮される構造とな
っている。
In other words, the electron detector is provided with the electron-light conversion member 12 so that the function as a mounting means for directly mounting the sample OBJ and the incident charged particles EB can be obtained.
The microchannel plate MCP has a structure capable of skillfully exhibiting two functions, namely, a function as conversion means for generating ultraviolet light having sensitivity. Further, as described above, the metal thin film 12b not only effectively reflects the ultraviolet light generated by the fluorescent screen 12a to the input end side of the microchannel plate MCP, but also reflects the electron-light conversion member 12 and the input end of the microchannel plate MCP. Is very narrow, so that ultraviolet light generated by the fluorescent plate 12a can be efficiently incident on the microchannel plate MCP. Furthermore, since the metal thin film 12b has a function of covering the fluorescent plate 12a and protecting it from damage or the like, an excellent synergistic effect is exhibited between the metal thin film 12b and the fluorescent plate 12a.

【0017】更に、電子光変換部材12とマイクロチャ
ンネルプレートMCPの入力端との間隔が極めて狭いと
はいえ、両者間には隙間が存在するので、紫外線がこの
隙間内を伝搬してマイクロチャンネルプレートMCPの
入力端に入射することとなるため、入射荷電粒子EBを
確実に検出することができる。
Furthermore, although the space between the electron-light conversion member 12 and the input end of the microchannel plate MCP is extremely small, there is a gap between the two, so that ultraviolet light propagates in this gap and the microchannel plate Since the light enters the input end of the MCP, the incident charged particles EB can be reliably detected.

【0018】この効果を更に詳述すると、マイクロチャ
ンネルプレートMCPは、内壁を抵抗体及び2次電子放
出体とする極めて細いガラスパイプを多数束ねた板状構
造をもち、夫々のガラスパイプ(チャンネル)が独立し
た2次電子増倍機能を有している反面、夫々のガラスパ
イプの内壁以外の部分(即ち、ガラスの部分)は2次電
子増倍機能が無く不感領域となっている。したがって、
「本発明が解決しようとする課題」の欄で述べた如く、
仮に試料OBJをマイクロチャンネルプレートMCPの
入力端に直接載せて電子ビームEBで走査した場合に
は、試料OBJより放出される2次電子等は飛翔するこ
となく直接マイクロチャンネルプレートMCPの入力端
に入射することとなり、前記ガラスの部分(不感領域)
に入射する電子等は2次電子増倍されず、結果的に空間
分解能が制限されることとなる。
The effect will be described in more detail. The micro channel plate MCP has a plate-like structure in which a number of extremely thin glass pipes each having an inner wall as a resistor and a secondary electron emitter are bundled, and each glass pipe (channel) is formed. Has an independent secondary electron multiplying function, but portions other than the inner wall of each glass pipe (that is, glass portions) have no secondary electron multiplying function and are insensitive areas. Therefore,
As described in the section of “Problems to be solved by the present invention”,
If the sample OBJ is placed directly on the input end of the microchannel plate MCP and scanned by the electron beam EB, secondary electrons and the like emitted from the sample OBJ directly enter the input end of the microchannel plate MCP without flying. And the glass part (dead area)
Are not multiplied by secondary electrons, and as a result, the spatial resolution is limited.

【0019】しかし、本実施の形態の電子増倍器は、図
2に示す如く、電子光変換部材12とマイクロチャンネ
ルプレートMCPの入力端の間に僅かの隙間が設けられ
ているので、試料OBJを電子ビームEBで走査したと
きに、蛍光板12aから放出される紫外線はこの隙間内
で様々な方向に伝搬して高い確率で何れかのガラスパイ
プの内壁に入射することとなり、2次電子増倍される。
よって、マイクロチャンネルプレートMCPの入力端に
試料OBJを直接載置するよりも、当該電子検出器の方
が実質的に高い空間分解能が得られる構造となってい
る。
However, in the electron multiplier according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, a small gap is provided between the electron-light conversion member 12 and the input end of the microchannel plate MCP. Is scanned by the electron beam EB, the ultraviolet light emitted from the fluorescent plate 12a propagates in various directions in this gap and is incident with high probability on the inner wall of any one of the glass pipes. Is done.
Therefore, the electron detector has a structure capable of obtaining a substantially higher spatial resolution than directly mounting the sample OBJ on the input end of the microchannel plate MCP.

【0020】このように、当該電子検出器は、マイクロ
チャンネルプレートMCPの入力端に対して小さな隙間
をおいて電子光変換部材12を配設するという構造を備
えることにより、試料OBJを直接載置することができ
且つ実質的な空間分解能の向上を実現するという2つの
効果を巧みに発揮するものである。
As described above, the electron detector has a structure in which the electron-light conversion member 12 is disposed with a small gap from the input end of the microchannel plate MCP, so that the sample OBJ is directly mounted. And effectively improves the spatial resolution.

【0021】尚、電子光変換部材12を、蛍光板12a
と金属薄膜12bとの2層構造にする場合を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、石英やガ
ラス材から成る薄い透明支持板上に前記蛍光板12aを
接着し、更にこの蛍光板12aに前記金属薄膜12bを
蒸着等によってコーティングする3層構造にしてもよ
い。かかる透明支持板を備えると、更に機械強度の高い
電子光変換部材を実現することができ、試料OBJを載
置するための機能向上を図ることができる。但し、透明
支持板は、蛍光板12aで生じる紫外線を効率良く透過
させる材質を用いることが望ましい。
The electron-light conversion member 12 is connected to a fluorescent plate 12a.
Although the case of forming a two-layer structure of a thin film and a metal thin film 12b has been described, the present invention is not limited to this, and the fluorescent plate 12a is bonded on a thin transparent support plate made of quartz or glass material, and The fluorescent plate 12a may have a three-layer structure in which the metal thin film 12b is coated by vapor deposition or the like. When such a transparent support plate is provided, an electron-light conversion member having higher mechanical strength can be realized, and the function for mounting the sample OBJ can be improved. However, it is desirable that the transparent support plate be made of a material that efficiently transmits ultraviolet light generated by the fluorescent plate 12a.

【0022】また、前記蛍光板12aをCa3(PO4
2:Tlで形成する場合を説明したが、(CaZn)
3(PO42:Tlの材料で形成したり、HfP2
7や、LaPO4:Ceの材料で形成してもよい。
The fluorescent plate 12a is made of Ca 3 (PO 4 )
2 : Although the case of forming with Tl was described, (CaZn)
3 (PO 4 ) 2 : formed of Tl material or HfP 2 O
7 or LaPO 4 : Ce material.

【0023】また、図2に示したように、有底筒体2の
内壁を絶縁層ISOで被覆することによって、マイクロ
チャンネルプレートMCPとアノード電極10及び導電
性の有底筒体2間での電気的短絡を防止するようにした
構造を説明したが、かかる構造に限らず、マイクロチャ
ンネルプレートMCPと有底筒体2の内壁との間、及び
アノード電極10と有底筒体2の内壁との間に隙間を設
け、更に絶縁スペーサ4,6,8でこれらを挟むことに
より、電気的短絡を防止する構造にしてもよい。この場
合には、絶縁層ISOを省略することができる。
As shown in FIG. 2, by covering the inner wall of the bottomed cylinder 2 with an insulating layer ISO, the space between the microchannel plate MCP, the anode electrode 10 and the conductive bottomed cylinder 2 is formed. Although the structure in which the electric short circuit is prevented has been described, the present invention is not limited to such a structure. A structure may be provided in which an electrical short is prevented by providing a gap between them and further sandwiching them by insulating spacers 4, 6, and 8. In this case, the insulating layer ISO can be omitted.

【0024】次に、この電子検出器を走査形電子顕微鏡
(SEM)に適用して試料の形状等をより鮮明に観測可
能にした応用例を、図3の構成説明図及び図4のタイミ
ングチャートと共に説明する。
Next, an application example in which the electron detector is applied to a scanning electron microscope (SEM) so that the shape and the like of a sample can be more clearly observed will be described with reference to the structural explanatory view of FIG. 3 and the timing chart of FIG. It is explained together with.

【0025】図3において、この走査形電子顕微鏡は、
真空室18内に、細い電子ビームEBを出射する電子銃
20と、電子ビームEBを水平・垂直偏向するための水
平偏向コイル22及び垂直偏向コイル24と、XYステ
ージ26と、XYステージ26側に向けられた2次電子
検出器28が備えられている。当該電子検出器30は、
電子光変換部材12が電子銃20に対向するようにして
XYステージ26の一端に取り付けられ、観測すべき試
料OBJを電子光変換部材12の金属薄膜12bの表面
に直接載置する。
Referring to FIG. 3, this scanning electron microscope
An electron gun 20 for emitting a thin electron beam EB, a horizontal deflection coil 22 and a vertical deflection coil 24 for horizontally and vertically deflecting the electron beam EB, an XY stage 26, and an XY stage 26 are provided in the vacuum chamber 18. A directed secondary electron detector 28 is provided. The electronic detector 30 is
The electron-light conversion member 12 is attached to one end of the XY stage 26 so as to face the electron gun 20, and the sample OBJ to be observed is directly mounted on the surface of the metal thin film 12 b of the electron-light conversion member 12.

【0026】そして、同期信号発生回路32から偏向電
源34へ水平同期信号HDと垂直同期信号VDを供給
し、偏向電源34から水平偏向コイル22と垂直偏向コ
イル24へこれら水平同期信号HDと垂直同期信号VD
に同期した水平偏向電流HIと垂直偏向電流VIを供給
して、電子銃20から出射される電子ビームEBを水平
・垂直偏向することにより、電子光変換部材12及び試
料OBJを電子ビームEBで走査させる。
Then, the horizontal synchronizing signal HD and the vertical synchronizing signal VD are supplied from the synchronizing signal generating circuit 32 to the deflection power supply 34, and the horizontal power supply 34 supplies the horizontal synchronization signal HD and the vertical deflection coil 24 to the horizontal deflection coil 22 and the vertical deflection coil 24. Signal VD
Supplies the horizontal deflection current HI and the vertical deflection current VI synchronized with the electron beam EB, and horizontally and vertically deflects the electron beam EB emitted from the electron gun 20, thereby scanning the electron beam conversion member 12 and the sample OBJ with the electron beam EB. Let it.

【0027】図4のタイミングチャートに示すように、
当該電子検出器30は、電子ビームEBの走査により金
属薄膜12bから放出される2次電子や透過荷電粒子、
あるいは、試料OBJを透過した電子ビームEBにより
金属薄膜12bから放出される2次電子や透過荷電粒子
によって、蛍光板12aからは紫外線が発生し、この紫
外線がマイクロチャンネルプレートMCPに入射し、マ
イクロチャンネルプレートMCPで2次電子増倍して、
アノード電極10からその検出信号Aを二値化回路36
へ出力する。二値化回路36は、検出信号Aが所定のし
きい値VTHより大振幅のときは論理“H”、小振幅のと
きは論理“L”となる二値信号AHLに変換して背景除去
回路38へ転送する。一方、XYステージ26の斜め上
方に配置された2次電子検出器28は、この電子ビーム
EBの走査により電子光変換部材12及び試料OBJの
表面側に放出される2次電子を検出し、その検出信号B
を背景除去回路38へ直接転送する。
As shown in the timing chart of FIG.
The electron detector 30 includes secondary electrons and transmission charged particles emitted from the metal thin film 12b by scanning of the electron beam EB,
Alternatively, ultraviolet rays are generated from the fluorescent screen 12a by secondary electrons or transmitted charged particles emitted from the metal thin film 12b by the electron beam EB transmitted through the sample OBJ, and the ultraviolet rays enter the microchannel plate MCP, Secondary electron multiplication by MCP,
The detection signal A is converted from the anode electrode 10 to a binarization circuit 36.
Output to Binarizing circuit 36, a logic "H" when the detection signal A is larger amplitude than a predetermined threshold value V TH, small amplitude background is converted into a binary signal A HL becomes the logic "L" when the Transfer to the removal circuit 38. On the other hand, a secondary electron detector 28 disposed obliquely above the XY stage 26 detects secondary electrons emitted to the electron-light conversion member 12 and the surface side of the sample OBJ by scanning of the electron beam EB, and detects the secondary electrons. Detection signal B
To the background removal circuit 38 directly.

【0028】背景除去回路38は、二値信号AHLが論理
“L”のときには検出信号Bを入力し、論理“H”のと
きには入力を遮断するスイッチ素子(図示せず)と、こ
のスイッチ素子を介して入力した検出信号Bに水平同期
信号HDと垂直同期信号VDを重畳することにより、試
料OBJの画像情報を有するコンポジット信号Cを形成
する映像信号形成回路(図示せず)を備えている。そし
て、このコンポジット信号CをCRT(陰極線管)等の
モニタ装置40に供給することにより、試料OBJの形
状等を再生表示させ、リアルタイムの観察を可能にす
る。
The background removing circuit 38 receives a detection signal B when the binary signal AHL is at logic "L", and switches off the input when the binary signal AHL is at logic "H". And a video signal forming circuit (not shown) for forming a composite signal C having image information of the sample OBJ by superimposing the horizontal synchronizing signal HD and the vertical synchronizing signal VD on the detection signal B input via the CPU. . Then, by supplying the composite signal C to a monitor device 40 such as a CRT (cathode ray tube), the shape and the like of the sample OBJ are reproduced and displayed, thereby enabling real-time observation.

【0029】この走査形電子顕微鏡によれば、背景除去
回路38は、試料OBJが電子ビームEBで走査される
期間(二値信号AHLが論理“L”となる期間)の画像情
報のみを検出信号B中から抽出し、試料OBJ以外の背
景情報は除去して、モニタ装置40に供給するので、試
料OBJの輪郭部分を鮮明に再生表示することができ
る。
According to this scanning electron microscope, the background removal circuit 38 detects only image information during a period in which the sample OBJ is scanned by the electron beam EB (a period during which the binary signal AHL is at logic "L"). Since it is extracted from the signal B and background information other than the sample OBJ is removed and supplied to the monitor device 40, the outline of the sample OBJ can be clearly reproduced and displayed.

【0030】このように当該電子検出器30は、試料O
BJを直接載せることができる電子光変換部材12を予
め備えているので、試料OBJの形状等を精密に接写す
るための走査形電子顕微鏡に応用することができる。ま
た、走査形電子顕微鏡に限らず、透過形走査電子顕微鏡
にも応用することができる。
As described above, the electron detector 30 is connected to the sample O
Since the electron-light conversion member 12 on which the BJ can be directly mounted is provided in advance, it can be applied to a scanning electron microscope for precisely photographing the shape and the like of the sample OBJ. Further, the present invention can be applied not only to a scanning electron microscope but also to a transmission scanning electron microscope.

【0031】但し、この応用例は一例であり、当該電子
検出器30は、他の様々な応用に適した汎用性を有して
いる。即ち、微弱な荷電粒子を検出して増倍する従来の
電子増倍管と同様な利用に加えて、試料OBJを電子光
変換部材12に直接載置して試料の精密観察等を行うた
めの様々な利用に供することができる。
However, this application example is merely an example, and the electronic detector 30 has versatility suitable for various other applications. That is, in addition to the same use as a conventional electron multiplier that detects and multiplies weak charged particles, the sample OBJ is directly mounted on the electron-light conversion member 12 to perform precise observation of the sample. It can be used for various uses.

【0032】尚、この実施の形態では、ダイノードにマ
イクロチャンネルプレートMCPを適用し、マイクロチ
ャンネルプレートMCPの出力端側にアノード電極10
を配置して成る光電変換素子を用いる場合を述べたが、
本発明の電子検出器は、かかる光電変換素子に限定され
るものではない。
In this embodiment, the microchannel plate MCP is applied to the dynode, and the anode electrode 10 is connected to the output end of the microchannel plate MCP.
Although the case where a photoelectric conversion element configured by disposing is used has been described,
The electron detector of the present invention is not limited to such a photoelectric conversion element.

【0033】例えば、図1に示すマイクロチャンネルプ
レートMCPとアノード電極10に代えて、光電子増幅
倍管(PMT)を設け、蛍光板12aをCsI/Na
や、ZnS:Ag、Cd22S:Tb等の材料で形成す
ることにより、光電子増幅倍管が感度を有する可視領域
の光を発光させるようにしてもよい。更にまた、図1に
示すマイクロチャンネルプレートMCPとアノード電極
10に代えて、半導体ホトダイオードPDやアバランシ
ェホトダイオードAPD等の半導体受光素子を設け、蛍
光板12aをLiAlO2:Fe3+で形成することによ
り、可視光ないし近赤外線を発生させるようにしてもよ
い。
For example, a photomultiplier (PMT) is provided instead of the microchannel plate MCP and the anode electrode 10 shown in FIG.
Alternatively, the photomultiplier may be made to emit light in the visible region where the photomultiplier tube has sensitivity by being formed of a material such as ZnS: Ag and Cd 2 O 2 S: Tb. Furthermore, instead of the micro-channel plate MCP and the anode electrode 10 shown in FIG. 1, a semiconductor light-receiving element such as a semiconductor photodiode PD or an avalanche photodiode APD is provided, the fluorescent screen 12a LiAlO 2: by forming in Fe 3+, visible Light or near-infrared rays may be generated.

【0034】また、電子光変換部材12を有底筒体2の
開口部分2aに着脱可能に勘合させることにより、新た
な電子変換部材に適宜取り替えることができる構造とし
てもよい。
Further, the electronic light conversion member 12 may be detachably fitted to the opening 2a of the bottomed cylindrical body 2 so that a new electron conversion member can be appropriately replaced.

【0035】更に又、以上に説明したマイクロチャンネ
ルプレートMCPと光電子増幅倍管(PMT)及び半導
体受光素子等の光電変換素子に対する、蛍光板12aの
材料(組成)との組合せ関係は、各光電変換素子が高感
度で検出し得る蛍光の好適な組合せを示したものであ
る。したがって、これらの光電変換素子が感度を有する
蛍光を発する材料であれば、当該実施の形態に限定され
ず、他の蛍光材料を用いることができる。
Further, the combination relationship between the material (composition) of the fluorescent plate 12a and the photoelectric conversion elements such as the photomultiplier tube (PMT) and the semiconductor light receiving element is described in the following. Indicates a suitable combination of fluorescence that can be detected with high sensitivity. Therefore, as long as these photoelectric conversion elements emit fluorescent light having sensitivity, the present invention is not limited to this embodiment, and other fluorescent materials can be used.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上に説明したように本発明の電子検出
器によれば、試料を直接載置することができる電子光変
換部材を備えるので近接観察をするための応用に優れた
効果を発揮する。また、電子光変換部材は、着脱可能で
あることから、新たな電子光変換部材に取り替えて常に
最適状態での使用を確保することができる等の効果が得
られる。
As described above, according to the electron detector of the present invention, an electron-light conversion member on which a sample can be directly mounted is provided, so that the electron detector exhibits an excellent effect for close observation. I do. In addition, since the electron-light conversion member is detachable, there can be obtained an effect that the electron-light conversion member can be replaced with a new electron-light conversion member to always ensure the use in an optimal state.

【0037】更に、試料を直接載置させることができる
電子光変換部材を備えるという新規な構造としたにも関
わらず、従来の電子増倍管と同様な応用が可能である。
よって、本発明の電子検出器は、電子検出のための様々
な応用が可能な汎用性を有すると共に、従来では考えら
れなかった様々な応用への展開を可能にするものである
ということができる。
Further, in spite of a novel structure including an electron-light conversion member on which a sample can be directly mounted, the same application as that of a conventional electron multiplier is possible.
Therefore, it can be said that the electronic detector of the present invention has general versatility in which various applications for electron detection can be performed, and enables development to various applications that were not previously considered. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態に係る電子検出器の構造を一部破断
して示す斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a structure of an electron detector according to an embodiment.

【図2】図1に示す電子検出器の要部構造を拡大して示
す縦断面図である。
FIG. 2 is an enlarged longitudinal sectional view showing a main structure of the electron detector shown in FIG.

【図3】実施の形態の電子検出器を応用した走査型電子
顕微鏡の構成を示す構成説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a scanning electron microscope to which the electron detector according to the embodiment is applied.

【図4】図3に示す走査形電子顕微鏡の動作を説明する
ために、電子ビームの1水平走査帰還の動作を代表して
示すタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart representatively showing an operation of one horizontal scanning feedback of an electron beam for explaining an operation of the scanning electron microscope shown in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…有底筒体、2a…開口部、4,6,8…スペーサ、
10…アノード電極、12…電子光変換部材、12a…
蛍光板、12b…金属薄膜、、14…電圧供給線、16
…信号取出し線、MCP…マイクロチャンネルプレー
ト。
2 ... bottomed cylinder, 2a ... opening, 4,6,8 ... spacer,
10: anode electrode, 12: electron-light conversion member, 12a ...
Fluorescent plate, 12b: metal thin film, 14: voltage supply line, 16
… Signal extraction line, MCP… Micro channel plate.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射荷電粒子を透過又は入射荷電粒子の
入射強度に応じた電子を放出する金属薄膜と、前記透過
した荷電粒子又は前記放出された電子にて励起されて蛍
光を発生する蛍光板との2層構造を有する電子光変換部
材と、 前記電子光変換部材の前記蛍光板に近接して対向配置さ
れ、前記蛍光を光電変換する光電変換素子と、を備える
ことを特徴とする電子検出器。
1. A metal thin film that transmits an incident charged particle or emits electrons according to the incident intensity of the incident charged particle, and a fluorescent plate that generates fluorescence when excited by the transmitted charged particle or the emitted electron. An electron detector comprising: an electron-to-light conversion member having a two-layer structure; and a photoelectric conversion element, which is disposed to face and close to the fluorescent plate of the electron-to-light conversion member and photoelectrically converts the fluorescence.
【請求項2】 前記電子光変換部材は、前記光電変換素
子に対して着脱可能に支持されることを特徴とする請求
項1に記載の電子検出器。
2. The electron detector according to claim 1, wherein the electron-light conversion member is detachably supported on the photoelectric conversion element.
【請求項3】 前記光電変換素子は、マイクロチャンネ
ルプレートとその裏面に配置されたアノード電極から成
ることを特徴とする請求項1に記載の電子検出器。
3. The electron detector according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element includes a microchannel plate and an anode electrode disposed on a back surface of the microchannel plate.
【請求項4】 前記光電変換素子は、マイクロチャンネ
ルプレートとその裏面に配置されたアノード電極から成
ることを特徴とする請求項1に記載の電子検出器。
4. The electron detector according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element includes a microchannel plate and an anode electrode disposed on a back surface of the microchannel plate.
【請求項5】 前記光電変換素子は光電子増倍管である
ことを特徴とする請求項1に記載の電子検出器。
5. The electron detector according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a photomultiplier tube.
【請求項6】 前記蛍光板は、(CaZn)3(PO4
2:Tl、Ca3(PO42:Tl、HfP27、LaP
4:Ceのいずれかの材料で形成され、前記光電変換
素子は、マイクロチャンネルプレートとその裏面に配置
されたアノード電極から成ることを特徴とする請求項1
に記載の電子検出器。
6. The phosphor screen is composed of (CaZn) 3 (PO 4 )
2 : Tl, Ca 3 (PO 4 ) 2 : Tl, HfP 2 O 7 , LaP
O 4: formed of any material of Ce, the photoelectric conversion element according to claim 1, characterized in that an anode electrode disposed on the back surface with a micro-channel plate
An electronic detector according to claim 1.
【請求項7】 前記蛍光板は、CsI/Na、ZnS:
Ag、Gd22S:Tbのいずれかの材料で形成され、
前記光電変換素子は、光電子増倍管であることを特徴と
する請求項1に記載の電子検出器。
7. The fluorescent screen according to claim 1, wherein the fluorescent screen comprises CsI / Na, ZnS:
Ag, Gd 2 O 2 S: formed of any material of Tb,
The electron detector according to claim 1, wherein the photoelectric conversion element is a photomultiplier tube.
【請求項8】 前記蛍光板は、LiAlO2:Fe3+
形成され、前記光電変換素子は、半導体受光素子である
ことを特徴とする請求項1に記載の電子検出器。
8. The electron detector according to claim 1, wherein the fluorescent plate is formed of LiAlO 2 : Fe 3+ , and the photoelectric conversion element is a semiconductor light receiving element.
【請求項9】 前記蛍光板は、前記蛍光に対して透明な
材質から成る支持板上に形成されることを特徴とする請
求項1に記載の電子検出器。
9. The electron detector according to claim 1, wherein the fluorescent plate is formed on a support plate made of a material transparent to the fluorescent light.
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