JPH10283266A - Semiconductor integrated circuit and test method for the same - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and test method for the same

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JPH10283266A
JPH10283266A JP8272897A JP8272897A JPH10283266A JP H10283266 A JPH10283266 A JP H10283266A JP 8272897 A JP8272897 A JP 8272897A JP 8272897 A JP8272897 A JP 8272897A JP H10283266 A JPH10283266 A JP H10283266A
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JP
Japan
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test signal
signal
dummy
test
dummy signal
Prior art date
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Application number
JP8272897A
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Japanese (ja)
Inventor
Susumu Onodera
進 小野寺
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH10283266A publication Critical patent/JPH10283266A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent data in an ROM from being deciphered without enciphering any test signal by providing a dummy signal generating circuit with which a dummy signal is generated when the test signal is inputted to a test signal input terminal. SOLUTION: On the periphery of a semiconductor chip 1, an input/output terminal and an input/output buffer 13 are formed. Besides, a dummy signal generating circuit 7 is installed on the semiconductor chip 1 and connected with dummy signal output terminals 15a-15d. The dummy signal generating circuit 7 generates the dummy signal while the test signals are outputted from the test signal output terminals 11a-11b. This dummy signal is outputted through dummy signal output terminals 15a-15d to the outside. Thus, since the signals are simultaneously generated from the test signal generating terminals 11a-11b and the dummy signal generating terminals 15a-15d, it is made difficult to discriminate which output terminal generates the data stored in an ROM 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子に蓄積
されたデータのセキュリティ対策を有する半導体集積回
路に関する。特に読み出し専用メモリを内蔵する半導体
集積回路に関し、読み出し専用メモリに蓄積されたデー
タのセキュリティ対策に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having security measures for data stored in a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a built-in read-only memory, and to a security measure for data stored in the read-only memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】読み出し専用メモリ(以下ROMとい
う)は電源を切っても、記憶されたデータが保持される
不揮発性メモリであり、随時書き換えが不要なコンピュ
ータ内の固定プログラム、固定数字及び文字等の記憶に
広く用いられている。半導体集積回路の高集積化に伴い
ROMに蓄積されるデータが膨大になっているため、R
OMを内蔵する半導体集積回路は集荷時に記憶されたプ
ログラムが正常に作動するかどうかテストを行うことが
必須となっている。ROMのテスト方法は、ROMの指
定された領域にテスト信号を入力し、出力されたテスト
信号を読み取り、出力されたプログラムデータが正常に
作動するかどうかテストを行う。
2. Description of the Related Art A read-only memory (hereinafter referred to as a ROM) is a non-volatile memory that retains stored data even when a power supply is turned off. Widely used for memory. Since the amount of data stored in ROM has become enormous with the increase in the degree of integration of semiconductor integrated circuits, R
It is essential for a semiconductor integrated circuit having a built-in OM to test whether or not a program stored at the time of pickup operates normally. In the ROM test method, a test signal is input to a designated area of the ROM, the output test signal is read, and a test is performed to determine whether the output program data operates normally.

【0003】従来のROMの搭載された半導体集積回路
及びこの半導体集積回路に内臓されたROMのテスト方
法を図3、図4及び図5を用いて説明する。図3はRO
Mを内蔵する半導体集積回路の第1の従来例を示すブロ
ック概略図である。まず、半導体チップ201上にデー
タを蓄積するROM203、ROMからのデータに基づ
いてマイクロコンピュータの演算処理や制御を行う中央
演算処理装置( 以下CPUと呼ぶ) 205、ROM20
3及びCPU205等の機能間の信号の送受信を行うデ
ータバスと、外部との信号の送受信を行う入出力端子
(111a〜111b、112a〜112b)及び内外
部との信号をドライブする入出力バッファ213が形成
され、半導体集積回路を構成している。
A conventional semiconductor integrated circuit having a ROM and a method of testing a ROM incorporated in the semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIGS. 3, 4 and 5. FIG. Figure 3 shows RO
FIG. 11 is a schematic block diagram showing a first conventional example of a semiconductor integrated circuit incorporating M. First, a ROM 203 for storing data on a semiconductor chip 201, a central processing unit (hereinafter referred to as a CPU) 205 for performing arithmetic processing and control of a microcomputer based on data from the ROM, and a ROM 20
3 and a data bus for transmitting and receiving signals between functions of the CPU 205, input / output terminals (111a to 111b, 112a to 112b) for transmitting and receiving signals to and from the outside, and an input / output buffer 213 for driving signals to and from the inside and outside. Are formed to constitute a semiconductor integrated circuit.

【0004】またROM203にはデータバスに接続さ
れたデータ読み出し端子D0〜D7を有する。またデー
タ入力端子としてリード端子RD、チップセレクト端子
CS、アドレス端子ADを有する。
The ROM 203 has data read terminals D0 to D7 connected to a data bus. Further, it has a lead terminal RD, a chip select terminal CS, and an address terminal AD as data input terminals.

【0005】次に、図3に示すROM203に蓄積され
たデータのテスト方法を説明する。まずデータ入力端子
のRD端子にリード信号を入力し、CS端子にチップセ
レクト信号を入力してアドレスを指定すると、データ読
み出し端子D0〜D7からテスト信号が出力される。テ
スト信号は、データ読み出し端子から出力されたROM
203に蓄積されたプログラムデータである。このデー
タを入出力バッファ213及びテスト信号出力端子11
1a〜111bを介して読み取ることにより、ROM2
03に蓄積されたデータのテストを行うことが出来る。
ROM203のテスト時には、テスト信号出力端子11
1a〜111bのみから出力信号が出力され、他の出力
端子112a〜112bからは出力信号は出力されてい
ない。
Next, a method of testing data stored in the ROM 203 shown in FIG. 3 will be described. First, when a read signal is input to the RD terminal of the data input terminal and a chip select signal is input to the CS terminal to specify an address, a test signal is output from the data read terminals D0 to D7. The test signal is the ROM output from the data read terminal
The program data is stored in the program 203. This data is sent to the input / output buffer 213 and the test signal output terminal 11
1a to 111b, the ROM 2
03 can be tested.
When testing the ROM 203, the test signal output terminal 11
Output signals are output only from 1a to 111b, and no output signals are output from other output terminals 112a to 112b.

【0006】しかし、テスト信号出力端子111a〜1
11bから出力されたデータはROM203に蓄積され
たデータそのものであるため、このデータを読み取るこ
とによりROM203に蓄積されたデータを解読されて
しまう可能性が生じる。
However, the test signal output terminals 111a-1111
Since the data output from 11b is the data itself stored in the ROM 203, there is a possibility that reading the data will decrypt the data stored in the ROM 203.

【0007】そこで、ROMに蓄積されたデータの解読
を不可能にするための対策を有する第2の従来例を以下
に示す。第2の従来例は、ROMに蓄積されたデータの
解読を不可能にするため、 ROMのテスト出力信号を
暗号化する半導体集積回路である。図4を用いて半導体
集積回路のテスト方法をフローに従って以下に説明す
る。まずROMにテスト信号を入力して、データ出力端
子からテスト信号を発生させる( 第1ステップ) 。次に
テスト信号に何らかの処置を行い、テスト信号を暗号化
する。暗号化の方法としては出力されたテスト信号を暗
号化回路に入力する等考えられる( 第2ステップ) 。
Therefore, a second conventional example having a countermeasure for making it impossible to decode data stored in the ROM will be described below. The second conventional example is a semiconductor integrated circuit that encrypts a test output signal of a ROM so that the data stored in the ROM cannot be decrypted. A test method for a semiconductor integrated circuit will be described below with reference to FIG. First, a test signal is input to the ROM, and a test signal is generated from the data output terminal (first step). Next, some processing is performed on the test signal to encrypt the test signal. As an encryption method, it is conceivable to input the output test signal to an encryption circuit (second step).

【0008】次に暗号化されたテスト信号を、テスト信
号出力端子から外部へ出力する( 第3ステップ) 。次に
暗号化されたテスト信号を元のテスト信号に戻す復元化
を行う。( 第4ステップ) 。
Next, the encrypted test signal is output from the test signal output terminal to the outside (third step). Next, restoration of returning the encrypted test signal to the original test signal is performed. (4th step).

【0009】次に復元化されたテスト信号を用いて、R
OMに蓄積されたデータのテストを行う( 第5ステッ
プ) 。この暗号化回路を有する半導体集積回路のブロッ
ク図を図5に示す。図5に示す半導体集積回路は、まず
半導体チップ301上にデータが蓄積されたROM30
3、ROM303からのデータに基づいてマイクロコン
ピュータの演算処理や制御を行うCPU305、ROM
303及びCPU305等の機能間の信号の送受信を行
うデータバスと、ROM303から出力されたテスト信
号を暗号化をする暗号化回路304と、暗号化回路30
4と接続して外部との信号の送受信を行うテスト信号出
力端子311で半導体集積回路を構成している。
Next, using the restored test signal, R
The data stored in the OM is tested (fifth step). FIG. 5 shows a block diagram of a semiconductor integrated circuit having this encryption circuit. The semiconductor integrated circuit shown in FIG. 5 has a ROM 30 in which data is stored on a semiconductor chip 301.
3. CPU 305, which performs arithmetic processing and control of the microcomputer based on data from ROM 303, ROM
A data bus for transmitting / receiving signals between functions of the CPU 303 and the CPU 305; an encryption circuit 304 for encrypting a test signal output from the ROM 303;
4, a test signal output terminal 311 for transmitting and receiving signals to and from the outside constitutes a semiconductor integrated circuit.

【0010】ROM303から出力されたテスト信号
は、読み出し端子D0〜D7から出力されて暗号化回路
304に入力され、テスト信号は暗号化される。暗号化
の一例としてインバータを用いて全ての信号を反転させ
ることが挙げられる。次に暗号化されたテスト信号は、
テスト信号出力端子311より外部に出力される。暗号
化されたテスト信号は、複号化回路に入力されて元のR
OMに蓄積されたデータに戻される。この複号化された
テスト信号を用いて、ROMに蓄積されたデータのテス
トを行う。復号化回路は、半導体チップ301の外部に
設置された回路であり、暗号化回路に応じて用意するこ
とが出来る。
The test signal output from the ROM 303 is output from the read terminals D0 to D7 and input to the encryption circuit 304, where the test signal is encrypted. One example of encryption is to invert all signals using an inverter. Then the encrypted test signal is
The test signal is output from the test signal output terminal 311 to the outside. The encrypted test signal is input to a decryption circuit and the original R
It is returned to the data stored in the OM. The test of the data stored in the ROM is performed using the decoded test signal. The decryption circuit is a circuit provided outside the semiconductor chip 301 and can be prepared according to the encryption circuit.

【0011】第2の従来例は、暗号化回路を追加しなけ
ればならず設計工程が複雑になると同時に、暗号化の高
度化に伴い回路が大規模化し、チップ面積が増大してし
まうという欠点が生じる。更に追加した回路のテストも
必要となる。また、暗号化した信号の復号化、もしくは
暗号化されたデータを確認できるテストパターンを作成
する必要が生じる。更に、ROMデータのテスト出力信
号から暗号化されたROMデータが、特定されてしまう
可能性が生じてしまう。暗号化回路自体公知の場合が多
く、暗号化されたデータも解読される可能性が生じてし
まう。
The second conventional example is disadvantageous in that an encryption circuit must be added to complicate the design process, and at the same time, the circuit becomes large-scale and the chip area increases with the advancement of encryption. Occurs. Further testing of the added circuit is also required. In addition, it is necessary to decrypt the encrypted signal or create a test pattern that can confirm the encrypted data. Further, there is a possibility that the encrypted ROM data is specified from the test output signal of the ROM data. In many cases, the encryption circuit itself is known, and there is a possibility that the encrypted data can be decrypted.

【0012】[0012]

【発明の解決すべき課題】第1の従来例は、内部ROM
に蓄積された記憶データそのものを直接外部に出力する
ため、内部ROMに蓄積された重要な情報やプログラム
データが簡単に判読されてしまうという欠点を有する。
A first conventional example is an internal ROM.
Since the stored data itself stored in the internal ROM is directly output to the outside, there is a disadvantage that important information and program data stored in the internal ROM can be easily read.

【0013】第2の従来例では、暗号化されたデータを
解読する為には、〓暗号化の方法(技術)と〓暗号化さ
れたデータが入手できれば可能となる。〓については公
開されているかまたは技術が公知の場合があり、暗号化
されているデータそのものが外部の者に知られて、暗号
化されたデータを解読されてしまう場合がある。つまり
データの暗号化のみでは現在完璧なセキュリティ対策に
はなっておらず、暗号化されたデータそのものも外部か
らは分からない様にする必要がある。このためには暗号
化回路を複雑にせねばならず、回路設計の複雑化、回路
面積の増大等の問題が生じてしまう。
In the second conventional example, it is possible to decrypt encrypted data if (1) an encryption method (technique) and (2) encrypted data are available. Regarding 〓, the technology may be public or the technology may be publicly known, and the encrypted data itself may be known to an external person, and the encrypted data may be decrypted. In other words, data encryption alone is not currently a perfect security measure, and it is necessary to ensure that the encrypted data itself cannot be seen from outside. For this purpose, the encryption circuit must be complicated, which causes problems such as a complicated circuit design and an increase in circuit area.

【0014】本発明は、半導体集積回路の半導体素子に
蓄積されたデータのテスト時に、テスト信号を暗号化さ
せることなく、ROMのデータの解読を防ぐセキュリテ
ィ対策を有する半導体集積回路を提供することを目的と
する。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a security measure for preventing decryption of data in a ROM without encrypting a test signal when testing data stored in a semiconductor element of the semiconductor integrated circuit. Aim.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本願発明に示す半導体集積回路は、半導体チップ上に
形成された半導体素子と、半導体チップのテスト信号を
入力するテスト信号入力端子と、半導体チップのテスト
信号を外部に出力するテスト信号出力端子と、半導体チ
ップ上に形成された、ダミー信号を発生させるダミー信
号発生回路と、ダミー信号発生回路から発生するダミー
信号を外部に出力するダミー信号出力端子とを有するこ
とを特徴とする。半導体素子のテスト時に、テスト信号
発生端子とダミー信号発生端子から同時に信号が発生さ
れるため、半導体素子に蓄積されたデータがどの信号端
子から発生しているか判別を難しくすることが出来る。
According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor element formed on a semiconductor chip; a test signal input terminal for inputting a test signal of the semiconductor chip; A test signal output terminal for outputting a test signal of the semiconductor chip to the outside, a dummy signal generation circuit formed on the semiconductor chip for generating a dummy signal, and a dummy for outputting a dummy signal generated from the dummy signal generation circuit to the outside And a signal output terminal. Since signals are simultaneously generated from the test signal generation terminal and the dummy signal generation terminal when testing the semiconductor device, it is difficult to determine from which signal terminal the data stored in the semiconductor device is generated.

【0016】また本願発明に示す半導体集積回路のテス
ト方法は、テスト信号入力端子から半導体素子へテスト
信号を入力する工程と、半導体素子からのテスト信号を
テスト信号出力端子から外部へ出力する工程と、テスト
信号によりダミー信号発生回路からダミー信号を発生さ
せる工程と、ダミー信号をダミー信号出力端子から外部
へ出力させる工程とを有する。
Further, the method for testing a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a step of inputting a test signal from a test signal input terminal to a semiconductor element and a step of outputting a test signal from the semiconductor element from a test signal output terminal to the outside. Generating a dummy signal from a dummy signal generating circuit in response to a test signal, and outputting the dummy signal from a dummy signal output terminal to the outside.

【0017】またテスト信号の出力とダミー信号の出力
は同時に行い、テスト信号出力端子とダミー信号出力端
子は異なる端子であることを特徴とする。本願発明によ
れば、異なる端子からテスト信号の出力とダミー信号の
出力が行われるため、テスト信号の出力端子を特定する
ことが難しく、半導体素子に蓄積されたデータが判読さ
れることを防ぐことが出来る。
Further, the output of the test signal and the output of the dummy signal are performed simultaneously, and the test signal output terminal and the dummy signal output terminal are different terminals. According to the present invention, the output of the test signal and the output of the dummy signal are performed from different terminals. Therefore, it is difficult to specify the output terminal of the test signal, and to prevent the data stored in the semiconductor element from being read. Can be done.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本願発明の
実施の形態を説明する。図1は本願発明の実施の形態に
係る半導体集積回路のブロック図であり、図1を元に、
本願発明の概略を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.
The outline of the present invention will be described.

【0019】本願発明に示す半導体集積回路は、半導体
チップ1上に形成されたROM3と、半導体チップ1上
のROM3のテスト信号を入力するテスト信号入力端子
9a〜9bと、ROM3のテスト信号を外部に出力する
テスト信号出力端子11a〜11bと、半導体チップ1
上に形成されたダミー信号発生回路7と、ダミー信号発
生回路7から発生するダミー信号を外部に出力するダミ
ー信号出力端子15a〜15dとを有することを特徴と
する。テスト時にテスト信号発生端子11a〜11bと
ダミー信号発生端子15a〜15dから同時に信号が発
生されるため、ROM3に蓄積されたデータがどの出力
端子から発生しているか判別を難しくすることが出来
る。
The semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a ROM 3 formed on a semiconductor chip 1, test signal input terminals 9a to 9b for inputting a test signal of the ROM 3 on the semiconductor chip 1, and an externally provided test signal for the ROM 3. Test signal output terminals 11a to 11b to be output to the semiconductor chip 1
It has a dummy signal generation circuit 7 formed thereon and dummy signal output terminals 15a to 15d for outputting a dummy signal generated from the dummy signal generation circuit 7 to the outside. Since signals are simultaneously generated from the test signal generation terminals 11a to 11b and the dummy signal generation terminals 15a to 15d during a test, it is difficult to determine from which output terminal the data stored in the ROM 3 is generated.

【0020】まずROM3は、随時書き換えが不要なコ
ンピュータ内の固定プログラムや固定数字、文字等の記
憶に広く用いられている。 ROM3はデータバスに接
続されたデータ読み出し端子D0〜D7を有する。また
入力端子として、リード端子RD、チップセレクト端子
CS、アドレス端子ADを有する。
First, the ROM 3 is widely used for storing fixed programs, fixed numbers, characters, and the like in a computer that need not be rewritten as needed. The ROM 3 has data read terminals D0 to D7 connected to a data bus. Further, it has a lead terminal RD, a chip select terminal CS, and an address terminal AD as input terminals.

【0021】半導体チップ1の周辺上には、入出力端子
及び入出力バッファ13が形成されている。入出力端子
は、ROM3にテスト信号を入力するテスト信号入力端
子9a〜9b、テスト信号を出力するテスト信号出力端
子11a〜11b、ダミー信号発生回路7から発生され
るダミー信号を外部に出力するダミー信号出力端子15
a〜15dを有する。入出力端子の構造は同じ構造を有
し、使用の形態により呼び方を変えている。
On the periphery of the semiconductor chip 1, input / output terminals and input / output buffers 13 are formed. The input / output terminals are test signal input terminals 9a to 9b for inputting test signals to the ROM 3, test signal output terminals 11a to 11b for outputting test signals, and a dummy for outputting a dummy signal generated from the dummy signal generation circuit 7 to the outside. Signal output terminal 15
a to 15d. The structure of the input / output terminal has the same structure, and the name is changed depending on the form of use.

【0022】また半導体チップ1上にダミー信号発生回
路7が設置され、ダミー信号出力端子15a〜15dと
接続している。ダミー信号発生回路7は、 ROM3の
テスト時にテスト信号がテスト信号出力端子11a〜1
1bから出力している時に、ダミー信号を発生させる構
造を有する。ダミー信号は、ダミー信号出力端子15a
〜15dを介して外部に出力される。 この場合のダミ
ーの信号は内部信号をそのまま外部に出力したり、内部
信号同士で簡単な 論理を組んだり、またはROMのデ
ータに同期した信号が出る様にROMに入出力されてい
る信号を組み合わせたりしてランダム信号を作成して出
力させる。上記の方法でダミー信号発生回路を作成した
場合、追加する回路規模は数ゲート規模となる少ない回
路であるが十分のセキュリティ効果を得ることが出来
る。更にカウンター等の多少複雑な回路を利用してより
高度なダミー信号を発生させることも可能である。ダミ
ー信号出力端子から出力させるダミー信号は、端子数が
多ければ多い程大きな効果を得ることが出来る。ダミー
信号発生回路はランダムな信号を発生させるだけなので
テストする必要はない。テスト出力端子から外部に出力
されるデータは暗号化されていないので、復号化の為の
回路の追加やテストパターンを変更する必要も無くな
る。
A dummy signal generating circuit 7 is provided on the semiconductor chip 1 and is connected to dummy signal output terminals 15a to 15d. The dummy signal generation circuit 7 supplies test signals to the test signal output terminals 11a to 11a when testing the ROM 3.
1b, it has a structure to generate a dummy signal when outputting. The dummy signal is supplied to the dummy signal output terminal 15a.
-15d. In this case, the dummy signal outputs the internal signal as it is to the outside, forms a simple logic between the internal signals, or combines the signals input to and output from the ROM so that a signal synchronized with the data in the ROM is output. To generate and output a random signal. When a dummy signal generation circuit is created by the above method, a small circuit having several gates is added, but a sufficient security effect can be obtained. It is also possible to generate a more sophisticated dummy signal by using a somewhat complicated circuit such as a counter. The greater the number of terminals of the dummy signal output from the dummy signal output terminal, the greater the effect can be obtained. Since the dummy signal generation circuit only generates a random signal, there is no need to test. Since data output from the test output terminal to the outside is not encrypted, there is no need to add a circuit for decryption or change the test pattern.

【0023】また、ダミーパターン出力端子の端子数は
本実施例に示したように4個に限られることなく、ダミ
ーパターン発生回路7の構造により増大することが出来
る。図2は、具体的なダミー信号発生回路を搭載した半
導体集積回路のブロック図である。図2に示す半導体集
積回路は、テスト信号入力端子とダミー信号発生回路が
接続され、半導体素子にテスト信号が入力されるとダミ
ー信号発生回路からダミー信号が発生されることを特徴
としている。
The number of dummy pattern output terminals is not limited to four as shown in this embodiment, but can be increased by the structure of the dummy pattern generating circuit 7. FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit on which a specific dummy signal generation circuit is mounted. The semiconductor integrated circuit shown in FIG. 2 is characterized in that a test signal input terminal is connected to a dummy signal generation circuit, and a dummy signal is generated from the dummy signal generation circuit when a test signal is input to a semiconductor element.

【0024】まずROM103は、随時書き換えが不要
なコンピュータ内の固定プログラムや固定数字、文字等
の記憶に広く用いられている。 ROM103にはデー
タバスに接続されたデータ読み出し端子D0〜D7を有
する。また入力端子として、リード端子RD、チップセ
レクト端子CS、アドレス端子ADを有する。
First, the ROM 103 is widely used for storing fixed programs, fixed numbers, characters, and the like in a computer that need not be rewritten at any time. The ROM 103 has data read terminals D0 to D7 connected to a data bus. Further, it has a lead terminal RD, a chip select terminal CS, and an address terminal AD as input terminals.

【0025】半導体チップ101の周辺上には、入出力
端子及び入出力バッファ113が形成されている。入出
力端子は、ROM103にテスト信号を入力するテスト
信号入力端子109a〜109c、テスト信号を外部に
出力するテスト信号出力端子111a〜111b、ダミ
ー信号発生回路107から発生されるダミー信号を外部
に出力するダミー信号出力端子115a〜115dを有
する。
On the periphery of the semiconductor chip 101, input / output terminals and input / output buffers 113 are formed. The input / output terminals are test signal input terminals 109a to 109c for inputting test signals to the ROM 103, test signal output terminals 111a to 111b for outputting test signals to the outside, and outputting a dummy signal generated from the dummy signal generation circuit 107 to the outside. Dummy signal output terminals 115a to 115d.

【0026】半導体チップ101上にはROM103か
らのデータに基づいてマイクロコンピュータの演算処理
や制御を行うCPU105、ROM103及びCPU1
05等の機能間の信号の送受信を行う共通データバスを
有する。
On the semiconductor chip 101, a CPU 105 for performing arithmetic processing and control of a microcomputer based on data from the ROM 103, the ROM 103 and the CPU 1
It has a common data bus for transmitting and receiving signals between functions such as 05.

【0027】また半導体チップ101上にダミー信号発
生回路107が設置され、テスト信号入力端子109a
〜109c及びダミー信号出力端子115a〜115d
と接続されている。ダミー信号発生回路107は、 R
OM103のテスト時にテスト信号がテスト信号出力端
子111から出力している時に、ダミー信号を発生させ
る構造を有する。ダミー信号は、ダミー信号出力端子1
15a〜115dを介して外部に出力される。またダミ
ー信号とテスト信号は同時に外部に出力される。
A dummy signal generation circuit 107 is provided on the semiconductor chip 101, and a test signal input terminal 109a
To 109c and dummy signal output terminals 115a to 115d
Is connected to Dummy signal generation circuit 107 has R
It has a structure in which a dummy signal is generated when a test signal is output from the test signal output terminal 111 at the time of testing the OM 103. The dummy signal is a dummy signal output terminal 1
It is output to the outside via 15a-115d. The dummy signal and the test signal are simultaneously output to the outside.

【0028】ダミー信号発生回路は、NOR回路とNO
T回路から構成されている。NOR回路の一入力端子は
RD端子に接続され、他入力端子はCS端子に接続され
ている。NOR回路の出力端子は、ダミー信号出力端子
115に接続されている。NOT回路の入力端子はAD
端子に接続され、出力端子はダミー信号出力端子115
に接続されている。また、入力端子がデータ読み出し端
子D0〜D7に接続され、出力端子がダミー信号出力端
子115に接続されたNOT回路も有する。
The dummy signal generating circuit includes a NOR circuit and a NO
It is composed of a T circuit. One input terminal of the NOR circuit is connected to the RD terminal, and the other input terminal is connected to the CS terminal. The output terminal of the NOR circuit is connected to the dummy signal output terminal 115. The input terminal of the NOT circuit is AD
Output terminal is connected to the dummy signal output terminal 115.
It is connected to the. Further, there is a NOT circuit in which an input terminal is connected to the data read terminals D0 to D7 and an output terminal is connected to the dummy signal output terminal 115.

【0029】次に、この半導体集積回路の動作について
説明する。まず、テスト信号入力端子109a〜109
cにテスト信号が入力され、ROM103にリード信
号、アドレス信号、チップセレクト信号が入力される。
ROM103は、テスト信号を受けて、指定されたデー
タ領域からデータ読み出し端子D0〜D7を介してテス
ト信号が出力され、テスト信号出力端子111a〜11
1bを介して外部に出力される。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit will be described. First, test signal input terminals 109a to 109
A test signal is input to c, and a read signal, an address signal, and a chip select signal are input to the ROM 103.
The ROM 103 receives the test signal, outputs a test signal from the designated data area via the data read terminals D0 to D7, and outputs the test signal output terminals 111a to 111a.
Output to the outside via 1b.

【0030】またテスト信号入力端子109a〜109
cにテスト信号が入力されると、ダミー信号発生回路1
07にテスト信号が入力される。また、ROM103か
ら出力されるデータ出力信号もダミー信号発生回路10
7内に入力される。テスト信号やデータ出力信号は、ダ
ミー信号発生回路107内のNOR回路やNOT回路で
信号が変化されて、ダミー信号出力端子115a〜11
5dを介して外部に出力される。
Test signal input terminals 109a-109
When the test signal is inputted to the dummy signal generation circuit 1c,
A test signal is input to 07. The data output signal output from the ROM 103 is also supplied to the dummy signal generation circuit 10.
7 is input. The test signal and the data output signal are changed by the NOR circuit and the NOT circuit in the dummy signal generation circuit 107, and the dummy signal output terminals 115a to 115
Output to the outside via 5d.

【0031】ここでテスト信号を出力する場合は、予め
ダミー信号発生回路の回路構造によりどの端子からデー
タ信号が出力され、またどの端子からダミー信号が発生
されるか把握しておくことが必要である。本実施例の場
合では、データ信号はテスト信号出力端子111a〜1
11bから出力され、ダミー信号はダミー信号出力端子
115a〜115dから出力される。
When outputting a test signal, it is necessary to know in advance which terminal outputs a data signal and which terminal generates a dummy signal by the circuit structure of the dummy signal generation circuit. is there. In the case of the present embodiment, the data signals are output from the test signal output terminals 111a to 111a.
11b, and the dummy signal is output from the dummy signal output terminals 115a to 115d.

【0032】なお、ダミー信号発生回路の回路構造によ
りダミー信号出力端子の端子数が変化する。また、デー
タ信号出力端子とダミー信号出力端子の位置を変化させ
ることも可能である。
The number of dummy signal output terminals varies depending on the circuit structure of the dummy signal generation circuit. It is also possible to change the positions of the data signal output terminal and the dummy signal output terminal.

【0033】[0033]

【発明の効果】本願発明は以上の構成により、複雑な暗
号化回路を備えることなく、比較的簡単な構成のダミー
信号発生回路を備えることにより、半導体素子から出力
されるデータの解析を困難にして、外部からのデータの
解析を防ぐことが出来る。また、ダミー信号発生回路は
構成を変えることも容易であり、構成が変化してもデー
タ信号の出力される端子が変るだけであるので、テスト
方法も設定を変えるだけで容易に行うことが出来る。
According to the present invention, the dummy signal generation circuit having a relatively simple structure without the complicated encryption circuit and having the above structure makes it difficult to analyze the data output from the semiconductor element. As a result, external data analysis can be prevented. Further, the configuration of the dummy signal generation circuit can be easily changed, and even if the configuration changes, only the terminal to which the data signal is output changes, so that the test method can be easily performed only by changing the setting. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明に示す半導体集積回路のブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図2】本願発明に示す半導体集積回路のブロック図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図3】従来の半導体集積回路のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図4】従来の半導体集積回路のテスト方法である。FIG. 4 shows a conventional method for testing a semiconductor integrated circuit.

【図5】従来の半導体集積回路のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 101 半導体チップ 3 103 ROM 5 105 CPU 7 107 ダミー信号発生回路 9 109 テスト信号入力端子 11 111 テスト信号出力端子 13 113 入出力バッファ 15 115 ダミー信号出力端子 1 101 Semiconductor chip 3 103 ROM 5 105 CPU 7 107 Dummy signal generation circuit 9 109 Test signal input terminal 11 111 Test signal output terminal 13 113 I / O buffer 15 115 Dummy signal output terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G11C 29/00 673 G01R 31/28 V B ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G11C 29/00 673 G01R 31/28 V B

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体チップ上に形成された半導体素子
と、 この半導体チップのテスト信号を入力するテスト信号入
力端子と、 前記半導体チップ上に形成され、前記テスト信号入力端
子にテスト信号が入力されるとダミー信号を発生するダ
ミー信号発生回路とを有することを特徴とする半導体集
積回路。
A semiconductor device formed on a semiconductor chip; a test signal input terminal for inputting a test signal of the semiconductor chip; a test signal input to the test signal input terminal formed on the semiconductor chip; And a dummy signal generating circuit for generating a dummy signal.
【請求項2】半導体チップ上に形成された半導体素子
と、 この半導体チップのテスト信号を入力するテスト信号入
力端子と、 前記半導体チップのテスト信号を出力するテスト信号出
力端子と、 前記半導体チップ上に形成され、ダミー信号を発生させ
るダミー信号発生回路と、 このダミー信号発生回路から発生するダミー信号を出力
するダミー信号出力端子とを有することを特徴とする半
導体集積回路。
A semiconductor element formed on the semiconductor chip; a test signal input terminal for inputting a test signal of the semiconductor chip; a test signal output terminal for outputting a test signal of the semiconductor chip; And a dummy signal output terminal for outputting a dummy signal generated from the dummy signal generation circuit.
【請求項3】前記ダミー信号発生回路は、前記テスト信
号入力端子にテスト信号が入力されると、ダミー信号を
発生することを特徴とする請求項2記載の半導体集積回
路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein said dummy signal generation circuit generates a dummy signal when a test signal is input to said test signal input terminal.
【請求項4】前記テスト信号出力端子と前記ダミー信号
出力端子は異なる端子であることを特徴とする請求項2
記載の半導体集積回路。
4. The test signal output terminal and the dummy signal output terminal are different terminals.
A semiconductor integrated circuit as described in the above.
【請求項5】前記テスト信号入力端子にテスト信号が入
力されると、前記テスト信号出力端子からテスト信号が
出力され、同時に前記ダミー信号出力端子からダミー信
号が出力されることを特徴とする請求項2記載の半導体
集積回路。
5. When a test signal is input to the test signal input terminal, a test signal is output from the test signal output terminal, and at the same time, a dummy signal is output from the dummy signal output terminal. Item 3. A semiconductor integrated circuit according to item 2.
【請求項6】前記テスト信号出力端子及びダミー信号出
力端子は、前記半導体チップ周辺に形成された入出力端
子であり、前記ダミーパターン発生回路の回路構成によ
り、該当するテスト信号出力端子とダミーパターン出力
端子の位置が変ることを特徴とする請求項2記載の半導
体集積回路。
6. The test signal output terminal and the dummy signal output terminal are input / output terminals formed in the periphery of the semiconductor chip. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the position of the output terminal changes.
【請求項7】前記ダミー信号発生回路は、前記テスト信
号入力端子と接続していることを特徴とする請求項2記
載の半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein said dummy signal generation circuit is connected to said test signal input terminal.
【請求項8】前記半導体素子から出力されるデータ出力
信号を、前記ダミーパターン発生回路に入力することを
特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。
8. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a data output signal output from said semiconductor element is input to said dummy pattern generation circuit.
【請求項9】前記半導体素子はプログラム等のデータを
蓄積している記憶素子であることを特徴とする請求項1
乃至8記載の半導体集積回路。
9. The semiconductor device according to claim 1, wherein said semiconductor element is a storage element storing data such as a program.
9. The semiconductor integrated circuit according to any one of items 8 to 8.
【請求項10】テスト信号入力端子から半導体素子へテ
スト信号を入力する工程と、 前記半導体素子からのテスト信号を、テスト信号出力端
子から外部へ出力する工程と、 前記テスト信号によりダミー信号発生回路からダミー信
号を発生させる工程と、 このダミー信号をダミー信号
出力端子から外部へ出力させる工程とを有することを特
徴とする半導体集積回路のテスト方法。
10. A step of inputting a test signal from a test signal input terminal to a semiconductor element, a step of outputting a test signal from the semiconductor element from a test signal output terminal to the outside, and a dummy signal generation circuit based on the test signal. A step of generating a dummy signal from the semiconductor device, and a step of outputting the dummy signal from a dummy signal output terminal to the outside.
【請求項11】前記テスト信号の出力と、前記ダミー信
号の出力とは同時に行われていることを特徴とする請求
項10記載の半導体集積回路のテスト方法。
11. The method according to claim 10, wherein the output of the test signal and the output of the dummy signal are performed simultaneously.
【請求項12】前記テスト信号出力端子と、前記ダミー
信号出力端子は異なる端子であることを特徴とする請求
項10記載の半導体集積回路のテスト方法。
12. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 10, wherein said test signal output terminal and said dummy signal output terminal are different terminals.
【請求項13】前記ダミーパターン発生回路の回路構成
を変化させて、テスト信号が出力される端子とダミー信
号が発生される端子の位置を変化させることを特徴とす
る請求項10記載の半導体集積回路のテスト方法。
13. The semiconductor integrated circuit according to claim 10, wherein the circuit configuration of said dummy pattern generation circuit is changed to change the positions of a terminal for outputting a test signal and a terminal for generating a dummy signal. How to test the circuit.
【請求項14】前記テスト信号入力されたテスト信号
を、前記ダミー信号発生回路に入力してダミー信号を発
生させることを特徴とする請求項10記載の半導体集積
回路のテスト方法。
14. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 10, wherein the test signal input to the test signal is input to the dummy signal generation circuit to generate a dummy signal.
【請求項15】前記半導体素子から出力されたテスト信
号を、前記ダミー信号発生回路に入力することを特徴と
する請求項10記載の半導体集積回路のテスト方法。
15. The method according to claim 10, wherein a test signal output from the semiconductor element is input to the dummy signal generation circuit.
【請求項16】前記半導体素子は記憶素子であり、前記
テスト信号は前記記憶素子に蓄積されたデータのテスト
をするために入力されることを特徴とする請求項10乃
至15記載の半導体集積回路のテスト方法。
16. The semiconductor integrated circuit according to claim 10, wherein said semiconductor element is a storage element, and said test signal is inputted to test data stored in said storage element. Test method.
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