JPH10275311A - Magnetic reluctance effect type magnetic head and magnetic disk device using the head - Google Patents

Magnetic reluctance effect type magnetic head and magnetic disk device using the head

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Publication number
JPH10275311A
JPH10275311A JP7958897A JP7958897A JPH10275311A JP H10275311 A JPH10275311 A JP H10275311A JP 7958897 A JP7958897 A JP 7958897A JP 7958897 A JP7958897 A JP 7958897A JP H10275311 A JPH10275311 A JP H10275311A
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JP
Japan
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film
magnetic
head
effect type
alumina
Prior art date
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Pending
Application number
JP7958897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Sasada
幸雄 佐々田
Akira Taniyama
彰 谷山
Atsushi Kato
篤 加藤
Kiyonori Shiraki
清典 白木
Hiroaki Koyanagi
広明 小柳
Ritsu Imanaka
律 今中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect the structural film of read elements and to obtain a desired shape and a desired thickness by forming the protective pattern having the film, which has a high chemical resistivity and covers the difference-in-level section of the upper.lower shield film of the read elements located under a write element gap film in the process after the completion of a write element gap film forming. SOLUTION: After an upper section shield film 9 is formed and the processing of a read element section is completed, a write element gap film 10 is formed by an insulating film using the material such as alumina and a first insulating film 11, which is made of an organic insulating resin material, is then formed. During the process above, a protective pattern 17 is formed on the tilted surface and difference-in- level sections of the upper.lower shield film of the read element section to partially cover them. Then, a spiral conductive coil 12 is formed and a second insulating film 13, which is made of an organic insulating resin material, is formed. Then, an upper section magnetic film 14 is formed. Thus, the upper.lower section shield film is protected and the element process is finally completed by forming a protective film 15 made of alumina and a terminal 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高記録密度対応の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気ディスク装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-resistance effect type magnetic head and a magnetic disk drive compatible with a high recording density.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、一般に磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造は、スパッタリング等の堆積技術やホトリソ
グラフィーによる微細加工技術を用いて行われる。図
5、6は、従来から周知の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
構造が概略的に示されている。セラミック系材料からな
る基板1にベースアルミナ膜2が形成され、その上に下
部シールド膜3、アルミナ等の絶縁膜からなる下部ギャ
ップ膜4が有り、その上にMR層複合膜5及び磁区制御
膜6が同時に形成される。更にこれらの上には、センサ
ーとして働かせるための電流を供給する役割を果たす電
極7が形成されている。その後、アルミナ等の絶縁膜か
らなる上部ギャップ膜8、上部シールド膜9、アルミナ
等の絶縁膜で上部ギャップ膜10、有機絶縁樹脂材料か
らなる絶縁膜11、13、Cu等からなる渦巻状の導体
コイル12が形成され、更にその上に上部磁性膜14が
形成され、最後にアルミナ等の保護膜15、リード線を
接続するための端子16が形成されている。この上部磁
性膜14は、「PROCEEDINGS OFTHE SYMPOSIUM ON MAGNET
IC MATERIALS,PROCESSES,AND DEVICES Vol.90−8」 p
221〜p232「(プロシーディングス オブ ザ
シンポジウム オン マグネティック マテリアルズ
プロセシーズ アンド デバイシーズ)」に記載されて
いるようにフレームメッキ法で形成されている。一般
に、フレームメッキ法はアルミナ等の絶縁膜上にメッキ
の導通を図るための下地膜を蒸着する。次に、フレーム
になるレジストを形成し、磁性膜をメッキした後レジス
トを剥離する。この時、レジスト部の下地膜もイオンミ
リング等のドライプロセスにより除去される。次に、所
望のパターン(例えばコア形状)を保護するためレジス
ト等で所望のパターンをカバーし、前記レジストで覆わ
れている所以外をウエットプロセス(PH3程度の塩酸
を含む酸性薬品)でエッチング除去し、最後にパターン
をカバーしたレジストを剥離する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a magnetoresistive head is generally manufactured by using a deposition technique such as sputtering or a fine processing technique by photolithography. 5 and 6 schematically show the structure of a conventionally known magnetoresistive head. A base alumina film 2 is formed on a substrate 1 made of a ceramic material, on which a lower shield film 3 and a lower gap film 4 made of an insulating film such as alumina are provided, on which an MR layer composite film 5 and a magnetic domain control film are provided. 6 are formed simultaneously. Furthermore, an electrode 7 serving to supply a current for operating as a sensor is formed thereon. Thereafter, an upper gap film 8 and an upper shield film 9 made of an insulating film such as alumina, an upper gap film 10 made of an insulating film made of alumina and the like, insulating films 11 and 13 made of an organic insulating resin material, and a spiral conductor made of Cu and the like. A coil 12 is formed, an upper magnetic film 14 is further formed thereon, and finally a protective film 15 of alumina or the like and a terminal 16 for connecting a lead wire are formed. The upper magnetic film 14 is formed by “PROCEEDINGS OFTHE SYMPOSIUM ON MAGNET
IC MATERIALS, PROCESSES, AND DEVICES Vol.90-8 "p
221 to p232 "(Proceedings of the
Symposium on Magnetic Materials
Processes and Devices) "as described in" Frame Plating Method ". Generally, in the frame plating method, a base film for conducting plating is deposited on an insulating film such as alumina. Next, a resist serving as a frame is formed, and after the magnetic film is plated, the resist is removed. At this time, the underlying film of the resist portion is also removed by a dry process such as ion milling. Next, in order to protect a desired pattern (for example, a core shape), the desired pattern is covered with a resist or the like, and portions other than those covered with the resist are removed by etching by a wet process (an acidic chemical containing hydrochloric acid of about PH3). Finally, the resist covering the pattern is removed.

【0003】また、特開平7−21522に記載されて
いるように基板上に形成された磁性膜の周囲に沿って狭
幅帯状の絶縁層を形成した後、この絶縁層及び磁性膜を
含むようにそれらの上に絶縁膜を形成すると開示されて
いる。この方法は、磁性膜と磁性膜の間にある絶縁膜
で、ノボラック系樹脂等の有機絶縁樹脂を使用した際、
斜面部の絶縁膜の厚みが非常に薄くなり磁性膜間の耐圧
が低下するのを防ぐのに対応しようとするものである。
Further, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-21522, a narrow band-shaped insulating layer is formed along the periphery of a magnetic film formed on a substrate, and then the insulating layer and the magnetic film are included. It is disclosed that an insulating film is formed thereon. This method is an insulating film between the magnetic film and the magnetic film, when using an organic insulating resin such as a novolak resin,
The purpose of the present invention is to prevent the thickness of the insulating film on the slope from becoming extremely thin and preventing the breakdown voltage between the magnetic films from decreasing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来、アルミナをスパ
ッタリング法で形成及び、有機絶縁膜を塗布する際に、
斜面部、段差部で前記アルミナ膜及び前記有機絶縁膜は
通常平坦部の0.7〜0.8倍程度の厚みしか確保され
ない。このため、後工程でイオンミリング、エッチング
等のプロセスにより、段差部で前記膜が薄くなる。特に
ここでは、ライト素子のギャップ膜が0.1〜0.4μm
になった場合、MRリード素子の上・下部シールド膜の
斜面部、段差部で、前記ギャップ膜は極薄膜または完全
になくなると言う課題がある。この時、上部磁性膜をフ
レームメッキ法で形成した時、ウエットプロセスで使用
されるPH3程度の塩酸などの酸性の薬品により、リー
ド素子の構成膜(上・下部シールド膜、MR膜、電極
等)を破損するという問題がある。
Conventionally, when alumina is formed by a sputtering method and an organic insulating film is applied,
The thickness of the alumina film and the organic insulating film at the slope portion and the step portion is usually about 0.7 to 0.8 times the thickness of the flat portion. For this reason, the film becomes thin at the step due to processes such as ion milling and etching in a later step. In particular, here, the gap film of the write element has a thickness of 0.1 to 0.4 μm.
In this case, there is a problem that the gap film is extremely thin or completely eliminated at the slopes and steps of the upper and lower shield films of the MR read element. At this time, when the upper magnetic film is formed by the frame plating method, the constituent film of the read element (upper / lower shield film, MR film, electrode, etc.) is used by an acidic chemical such as hydrochloric acid of about PH3 used in the wet process. There is a problem of damage.

【0005】本発明の目的は、プロセス工程を増やすこ
となく上部磁性膜形成時のウエットプロセスからリード
素子の構成膜を保護し所望の形状及び膜厚に確保するこ
とが可能な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive effect type magnetic film which can protect a constituent film of a read element from a wet process when forming an upper magnetic film and secure a desired shape and thickness without increasing the number of process steps. The purpose is to provide a head.

【0006】また、本発明の他の目的は、低コスト、高
信頼性を実現する磁気ディスク装置を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a magnetic disk drive which realizes low cost and high reliability.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に薄
膜積層法により磁気抵抗効果素子を形成した磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、ライト素子用ギャップ膜形成
のあとのプロセス工程でライト素子用ギャップ膜下のリ
ード素子用の上・下部シールド膜の段差部を覆うように
耐薬品性(耐酸性)の高い膜で保護パターンを形成する
ことにより達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a magneto-resistance effect type magnetic head having a magneto-resistance effect element formed on a substrate by a thin film laminating method in a process step after formation of a write element gap film. This is achieved by forming a protective pattern with a film having high chemical resistance (acid resistance) so as to cover the step portion of the upper and lower shield films for the read element under the gap film.

【0008】また、別の手段として、図3−(d)に示
すようにプロセス工程におけるフレームメッキ法のフレ
ーム(レジスト等)の両端をそれぞれ上・下部シールド
の段差の上面及び下面に配置し、フレームメッキ法のウ
エットプロセスにおいて上・下部シールドをレジストで
保護することにより達成される。
As another means, as shown in FIG. 3D, both ends of a frame (resist or the like) formed by a frame plating method in a process step are disposed on the upper surface and the lower surface of a step of the upper and lower shields, respectively. This is achieved by protecting the upper and lower shields with resist in the wet process of the frame plating method.

【0009】上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いるこ
とにより低コスト、高信頼性を実現する磁気ディスク装
置が達成される。
By using the above-described magnetoresistive head, a magnetic disk drive which achieves low cost and high reliability is achieved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの斜視図を、図2に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの断面図をそれぞれ示し、製造方法を説明する。セ
ラミック材料からなる基板1に、ベースアルミナ膜2が
形成され、1〜3μmのNiFe等の磁性膜により形成
された下部シールド膜3及びアルミナ等の絶縁膜により
形成された下部ギャップ膜4が有り、その上に磁気抵抗
効果膜、バイアス膜、分離膜でMR層複合膜5が形成さ
れている。また、MR層複合膜5の磁区を制御するため
の磁区制御膜6がMR層複合膜5と同時に形成されてい
る。更にこれらの上には、センサーとして働かせるため
の電流を供給する役割を果たす電極7が形成されてい
る。その後、アルミナ等の絶縁膜からなる上部ギャップ
膜8、2〜4μmのNiFe等の磁性膜から成る上部シ
ールド膜9を形成しリード素子部の工程が完成する。次
に、アルミナ等の絶縁膜でライト素子用ギャップ膜10
を0.1〜0.4μm形成し、この上にノボラック樹脂等
の有機絶縁樹脂材料からなる第1絶縁膜11が形成され
るが、この工程において前述したリード素子部の上・下
部シールド膜の斜面部、段差部に工程数を増やすことな
く保護パターン(1)17を形成する。この保護パター
ン(1)17は図1の斜視図に示すように一部分的に覆
う。また、前記膜の斜面部、段差部全体を覆うように形
成してもよい。このノボラック系樹脂は、PH3程度の
塩酸を含む酸性の薬品に対して破損しない性質を持って
いる。この性質は、樹脂の厚みにおいて、特開平7−2
1522で耐圧の限界とされている1.0μm前後でも
十分に持ち、0.5μmあたりでも本性質の劣化はな
い。次に、Cu等からなる渦巻状の導体コイル12を形
成し、また、ノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂材料から
なる第2絶縁膜13が形成される。第2絶縁膜を第1絶
縁膜同様に工程数を増やすことなく保護パターン17を
配置することにより同等の役割を果たす。その上に上部
磁性膜14が形成する。この上部磁性膜は、フレームメ
ッキ法で作製される。このようにすると、フレームメッ
キ法のウエットプロセスでも前記上・下部シールド膜は
保護される。最後にアルミナ等の保護膜15、リード線
を接続するための端子16を形成して素子工程を完了す
る。
FIG. 1 is a perspective view of the magnetoresistive head of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the magnetoresistive head of the present invention. A base alumina film 2 is formed on a substrate 1 made of a ceramic material, and there is a lower shield film 3 formed of a magnetic film of NiFe or the like of 1 to 3 μm and a lower gap film 4 formed of an insulating film of alumina or the like. On top of this, an MR layer composite film 5 composed of a magnetoresistive film, a bias film and a separation film is formed. A magnetic domain control film 6 for controlling magnetic domains of the MR layer composite film 5 is formed simultaneously with the MR layer composite film 5. Furthermore, an electrode 7 serving to supply a current for operating as a sensor is formed thereon. Thereafter, an upper gap film 8 made of an insulating film of alumina or the like and an upper shield film 9 made of a magnetic film of NiFe or the like having a thickness of 2 to 4 μm are formed, and the process of the read element portion is completed. Next, the write element gap film 10 is formed of an insulating film such as alumina.
Is formed to a thickness of 0.1 to 0.4 μm, on which a first insulating film 11 made of an organic insulating resin material such as a novolak resin is formed. The protection pattern (1) 17 is formed on the slope and the step without increasing the number of steps. The protection pattern (1) 17 is partially covered as shown in the perspective view of FIG. Further, the film may be formed so as to cover the entire slope portion and the step portion. This novolak resin has the property of not being damaged by acidic chemicals containing hydrochloric acid of about PH3. This property depends on the thickness of the resin.
It has a sufficient value even at around 1.0 μm, which is the limit of breakdown voltage in 1522, and there is no deterioration of this property even at around 0.5 μm. Next, a spiral conductive coil 12 made of Cu or the like is formed, and a second insulating film 13 made of an organic insulating resin material such as a novolak resin is formed. Like the first insulating film, the second insulating film plays an equivalent role by disposing the protection pattern 17 without increasing the number of steps. An upper magnetic film 14 is formed thereon. This upper magnetic film is manufactured by a frame plating method. By doing so, the upper and lower shield films are protected even in the wet process of the frame plating method. Finally, a protective film 15 made of alumina or the like and terminals 16 for connecting lead wires are formed to complete the element process.

【0012】次に、図3に、本発明の別の実施例につい
て説明する。この実施例は、上部磁性膜14を形成する
フレームメッキ法のレジストパターンを利用するもので
ある。図3−(a)のようにNiFe等の磁性膜から成
る上部シールド膜9を形成し、アルミナ等の絶縁膜でラ
イト素子用ギャップ膜10を形成し(図3−(b))、
上部磁性膜の下地膜18を蒸着する(図3−(c))。
次に、前記シールド膜9の斜面部及び段差部にあたる部
分にフレームメッキ法のフレームになるレジスト19の
両端を形成し(図3−(d))、NiFe20をメッキ
する(図3−(e))。その後前記フレームになるレジ
スト19を剥離する。この後、前記レジスト部19下の
下地膜18はイオンミリング等のドライプロセスで除去
される。次に、所望のパターン(上部磁性膜14)を形
成するためカバー用レジスト21を所望のパターン上に
形成し(図3−(f))、前記カバー用レジストで覆わ
れている部分以外をPH3程度の酸性の薬品により除去
し(図3−(g))、最後にカバー用レジスト21を剥
離する。このようにすると、酸性の薬品から上部シール
ド膜9が保護される。尚、このカバー用レジスト21は
フレームレジストよりも1〜2μm程度大きくすること
が重要である。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, a resist pattern formed by a frame plating method for forming the upper magnetic film 14 is used. As shown in FIG. 3A, an upper shield film 9 made of a magnetic film such as NiFe is formed, and a write element gap film 10 is formed of an insulating film such as alumina (FIG. 3-B).
A base film 18 of the upper magnetic film is deposited (FIG. 3C).
Next, both ends of a resist 19 serving as a frame by a frame plating method are formed on portions corresponding to the slope portion and the step portion of the shield film 9 (FIG. 3D), and NiFe20 is plated (FIG. 3E). ). Thereafter, the resist 19 serving as the frame is removed. Thereafter, the underlying film 18 under the resist portion 19 is removed by a dry process such as ion milling. Next, a cover resist 21 is formed on the desired pattern in order to form a desired pattern (upper magnetic film 14) (FIG. 3- (f)), and portions other than those covered with the cover resist are PH3. It is removed with a slightly acidic chemical (FIG. 3- (g)), and finally the cover resist 21 is peeled off. This protects the upper shield film 9 from acidic chemicals. It is important that the cover resist 21 be about 1 to 2 μm larger than the frame resist.

【0013】第1及び第2実施例から分かるように、本
発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの薄膜積層によるプロ
セス工程を増やすことなく簡単に形成出来、リード素子
の構成膜を確保することが出来る。また、本発明の第1
の実施例では保護する材料をレジスト等で説明したが耐
薬品性(耐酸性)の高い金属膜等でもよい。
As can be seen from the first and second embodiments, the present invention can be easily formed without increasing the number of process steps by laminating thin films of a magnetoresistive effect type magnetic head, and a constituent film of a read element can be secured. . In addition, the first aspect of the present invention
In the first embodiment, the material to be protected is described as a resist, but a metal film having high chemical resistance (acid resistance) may be used.

【0014】また、図4に本発明の他の実施例を示す。
本実施例は上記内容と同様に簡単なプロセスで形成出
来、リード素子の構成膜を確保出来る。図4において、
アルミナ等の絶縁膜でライト素子用ギャップ膜10を形
成した後、0.1〜0.4μm程度の保護パターン(2)
22を、PH3程度の酸性の薬品が少なくとも、上下部
シールド膜に前記ギャップ膜を界して接する場所に形成
する。(ギャップ膜10とあわせて0.4〜0.5μm程
度)図7は本発明の一実施例の磁気ディスク装置の構成
を示す概略図である。
FIG. 4 shows another embodiment of the present invention.
This embodiment can be formed by a simple process similarly to the above, and a constituent film of the read element can be secured. In FIG.
After forming the write element gap film 10 with an insulating film such as alumina, a protection pattern of about 0.1 to 0.4 μm (2)
22 is formed at least at a place where an acidic chemical of about PH3 is in contact with the upper and lower shield films with the gap film interposed therebetween. FIG. 7 is a schematic diagram showing the configuration of a magnetic disk drive according to one embodiment of the present invention.

【0015】本図に示すように、磁気ディスク装置は高
精度・高速回転するためのスピンドル24上に等間隔に
装着された複数の磁気ディスク23と、この磁気ディス
ク23上に情報を記録・再生する為に移動可能なキャリ
ッジ25に保持された磁気ヘッド群26と、このキャリ
ッジ25を高速駆動し高精度位置決めをする為のボイス
コイルモータ27と、これらを支持する高剛性のベース
28等から構成される。また、磁気ディスク制御装置等
の上位装置から送り出される信号に従って、ボイスコイ
ルモータ27を制御するボイスコイルモータ制御回路
部、上位装置との信号のやり取りを行うインターフェイ
ス部、磁気ヘッドに流れる電流を制御するリード/ライ
ト回路などを備えた記録再生処理部29を介して上位装
置と接続される。ここで、磁気ヘッド群26は本発明に
示す磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いることにより高信
頼性、低コストが可能になる。
As shown in FIG. 1, a magnetic disk drive comprises a plurality of magnetic disks 23 mounted at equal intervals on a spindle 24 for high-precision and high-speed rotation, and information is recorded / reproduced on / from this magnetic disk 23. A magnetic head group 26 held on a movable carriage 25 for performing the operation, a voice coil motor 27 for driving the carriage 25 at a high speed and performing high-precision positioning, and a high-rigidity base 28 for supporting them. Is done. In addition, a voice coil motor control circuit for controlling the voice coil motor 27, an interface for exchanging signals with the host, and a current flowing through the magnetic head are controlled in accordance with a signal sent from a host such as a magnetic disk controller. It is connected to a higher-level device via a recording / reproducing processing unit 29 having a read / write circuit and the like. Here, the magnetic head group 26 can achieve high reliability and low cost by using the magnetoresistance effect type magnetic head shown in the present invention.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように、磁気ヘッドを本発
明の構造にすることにより、プロセス工程を増やすこと
無く、膜の付きにくい斜面部、段差部の膜厚が保護され
ライト素子のプロセス工程で行われるエッチング処理に
よりライト素子のギャップ膜が、極薄膜または完全にな
くなるなどしてリード素子の構成膜が破壊されるという
問題がなくなり、所望の形状が確保出来る。
As described above, by using the structure of the present invention for the magnetic head, it is possible to protect the film thickness of the slopes and step portions where the film is difficult to be formed without increasing the number of process steps, and to reduce the process steps of the write element. As a result, the problem that the constituent film of the read element is destroyed due to the ultra-thin or complete loss of the gap film of the write element due to the etching treatment performed in step (1) is eliminated, and a desired shape can be secured.

【0017】また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用
いることにより高信頼性、低コストの磁気ディスク装置
が実現できる。
Further, by using the magnetoresistive head, a highly reliable and low-cost magnetic disk drive can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a magnetoresistive head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の断面図である。
FIG. 2 is a sectional view of a magnetoresistive head according to a first embodiment of the present invention;

【図3】本発明の第2実施例磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の工程図である。
FIG. 3 is a process chart of a magnetoresistive effect type magnetic head according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施例磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a magnetoresistive head according to a third embodiment of the present invention.

【図5】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view of a conventional magnetoresistance effect type magnetic head.

【図6】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの断面図であ
る。
FIG. 6 is a sectional view of a conventional magnetoresistance effect type magnetic head.

【図7】本発明の一実施例の磁気ディスク装置を示す図
である。
FIG. 7 is a diagram showing a magnetic disk drive of one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、 2…ベースアルミナ膜、3…下部
シールド膜、4…下部ギャップ膜、5…MR層複合膜、
6…磁区制御膜、 7…電極、8…上部ギャップ
膜、9…上部シールド膜、10…ライト素子用ギャップ
膜、11…第一絶縁膜、 12…導体コイル、 13
…第二絶縁膜、14…上部磁性膜、 15…アルミナ保
護膜、16…端子、17…保護パターン(1)、 18
…下地膜、19…フレームレジスト、20…NiFe、
21…カバー用レジスト、 22…保護パターン
(2)、23…磁気ディスク、24…スピンドル、
25…キャリッジ、26…磁気ヘッド群、27…ボイ
スコイルモータ、28…ベース、29…記録再生処理
部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Base alumina film, 3 ... Lower shield film, 4 ... Lower gap film, 5 ... MR layer composite film,
6 magnetic domain control film 7 electrode 8 upper gap film 9 upper shield film 10 gap film for write element 11 first insulating film 12 conductor coil 13
... second insulating film, 14: upper magnetic film, 15: alumina protective film, 16: terminal, 17: protective pattern (1), 18
... Underlayer, 19 ... Frame resist, 20 ... NiFe,
21: cover resist, 22: protective pattern
(2), 23: magnetic disk, 24: spindle,
25: carriage, 26: magnetic head group, 27: voice coil motor, 28: base, 29: recording / reproducing processing unit.

フロントページの続き (72)発明者 白木 清典 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小柳 広明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 今中 律 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内Continued on the front page (72) Inventor Kiyonori Shiraki 2880 Kozu, Odawara-shi, Kanagawa Prefecture Storage Systems Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Ritsu Imanaka 2880 Kozu, Odawara City, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd. Storage Systems Division

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、基板
上にリード素子を形成し、その上にライト素子のギャッ
プ膜(絶縁膜)を形成し、更に上部磁性膜を形成するま
でに、上述のリード素子部の上・下部シールド膜で形成
される斜面部、段差部を耐薬品性(耐酸性)の高い膜で
保護することを特徴とした磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
In a magneto-resistance effect type magnetic head, a read element is formed on a substrate, a gap film (insulating film) of a write element is formed thereon, and further, an upper magnetic film is formed. A magnetoresistance effect type magnetic head characterized in that a slope portion and a step portion formed by upper and lower shield films of a read element portion are protected by a film having high chemical resistance (acid resistance).
【請求項2】磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、基板
上にリード素子を形成し、その上にライト素子のギャッ
プ膜(絶縁膜)を形成し、更に上部磁性膜を形成する時
に、上述のリード素子部の上・下部シールド膜で形成さ
れる斜面部、段差部を前記上部磁性膜を形成するフレー
ムメッキ法のフレーム(レジスト等)の片側をそれぞれ
上・下部シールドの段差の上面及び下面にのせたことを
特徴とした磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. A magneto-resistance effect type magnetic head, comprising: a read element formed on a substrate; a gap film (insulating film) for a write element formed thereon; and an upper magnetic film formed thereon. The slope portion and the step portion formed by the upper and lower shield films of the element portion are placed on the upper surface and the lower surface of the step portion of the upper and lower shield, respectively, on one side of a frame (resist or the like) formed by the frame plating method for forming the upper magnetic film. A magnetoresistive head.
【請求項3】請求項1あるいは請求項2の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置。
3. A magnetic disk drive using the magneto-resistance effect type magnetic head according to claim 1.
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