JPH10274582A - Semiconductor pressure sensor - Google Patents

Semiconductor pressure sensor

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Publication number
JPH10274582A
JPH10274582A JP8119497A JP8119497A JPH10274582A JP H10274582 A JPH10274582 A JP H10274582A JP 8119497 A JP8119497 A JP 8119497A JP 8119497 A JP8119497 A JP 8119497A JP H10274582 A JPH10274582 A JP H10274582A
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JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
semiconductor pressure
sensor chip
semiconductor
hole
Prior art date
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Pending
Application number
JP8119497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohiro Inoue
智広 井上
Hiroshi Saito
宏 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP8119497A priority Critical patent/JPH10274582A/en
Publication of JPH10274582A publication Critical patent/JPH10274582A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor pressure sensor low in cost and strong against vibration. SOLUTION: A semiconductor pressure sensor chip 1 is jointed to a glass base seat 2, and an electrode of the semiconductor pressure sensor chip 1 is electrically connected to a circuit pattern 4, formed on a base substrate 3, through a bump 5 and die-bonded to the base substrate 3 by an adhesive 6. An atmosphere open hole 3a communicated with a diaphragm a is formed in the base substrate 3, and a taper 3b is formed on the semiconductor pressure sensor chip mounted face side of the atmosphere open hole 3a. The semiconductor pressure sensor chip 1 is enclosed in a recessed part 7a of a cover 7 having the recessed part 7a for enclosing the semiconductor pressure sensor chip 1, and a pressure lead-in hole 7b applying pressure into the recessed part 7a. The opening side in the recessed part 7a of the cover 7 is bonded onto the base substrate 3 by an adhesive 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来例に係る半導体圧力センサ
を母基板3上に実装した状態を示す略断面図である。図
で、半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップ1を
ガラス台座2に陽極接合法等により接合し、樹脂モール
ドされたパッケージ本体8の底面の略中央に凹部8aを
設け、そこにガラス台座2を接着剤6等によってマウン
トしたものである。パッケージ本体8の上部には、ガラ
ス台座2の略中央に形成された貫通孔2aを通って半導
体圧力センサチップ1に連通する圧力導入孔8bが形成
されている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a schematic sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a motherboard 3. As shown in FIG. In the figure, in the semiconductor pressure sensor, a semiconductor pressure sensor chip 1 is bonded to a glass pedestal 2 by an anodic bonding method or the like, and a concave portion 8a is provided substantially at the center of the bottom surface of the resin-molded package body 8, and the glass pedestal 2 is placed there. It is mounted with an adhesive 6 or the like. In the upper part of the package body 8, a pressure introducing hole 8b is formed which communicates with the semiconductor pressure sensor chip 1 through a through hole 2a formed substantially in the center of the glass pedestal 2.

【0003】また、パッケージ本体8の底面に形成され
た凹部8aの開口は蓋体9によって塞がれており、これ
によって凹部8aの内部は密閉性を高めた圧力基準室1
0となっている。
The opening of the concave portion 8a formed on the bottom surface of the package body 8 is closed by a lid 9, whereby the inside of the concave portion 8a is sealed in the pressure reference chamber 1 with improved sealing.
It is 0.

【0004】半導体圧力センサチップ1は、単結晶シリ
コン基板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム1a,歪みゲージ(図示せず)及
び電極(図示せず)を形成したもので、ピエゾ抵抗効果
により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力する
ものである。
The semiconductor pressure sensor chip 1 has a single crystal silicon substrate having a pressure receiving surface formed on one surface, a diaphragm 1a for converting pressure into stress, a strain gauge (not shown), and electrodes (not shown). In this method, a change in pressure is converted into a change in electric resistance by the piezoresistance effect and output.

【0005】半導体圧力センサチップ1に形成された電
極と、パッケージ本体8に一体成形されたリード11と
は、Au線等のボンディングワイヤ12により接続さ
れ、リード11は、半導体圧力センサが実装される母基
板3上に形成された回路パターン(図示せず)との接続
のため、リード11となるリードフレームのダイバー切
断後、パッケージ本体8の側面から突出した部分の先端
部分が略垂直に下方に折り曲げられている。このリード
11の先端部分は、母基板3上に実装されたソケット1
3に差し込まれる。これによって、半導体圧力センサ
は、母基板3上に実装されるのである。
The electrodes formed on the semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 11 integrally formed on the package body 8 are connected by bonding wires 12 such as Au wires, and the leads 11 are mounted with the semiconductor pressure sensors. After the diver cuts the lead frame serving as the lead 11 for connection with a circuit pattern (not shown) formed on the motherboard 3, the tip end of the portion protruding from the side surface of the package body 8 is substantially vertically downward. It is bent. The tip of the lead 11 is connected to the socket 1 mounted on the mother board 3.
Inserted into 3. Thus, the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard 3.

【0006】次に、図3に基づいて、従来の半導体圧力
センサの異なる例について説明する。図3は、従来例に
係る半導体圧力センサを母基板3上に実装した状態を示
す略断面図である。なお、説明の便宜上、図2に示した
構成と同一の構成については同一符号を付して説明を省
略する。図3に示す例が、図2に示した例と異なる点
は、リードの形状及び実装の方法である。図3に示す例
では、パッケージ本体8の側面から突出するリード14
は、斜め下方に折り曲げられ、更に、その先端部分は、
パッケージ本体8側とは反対の方向に略水平となるよう
に折り曲げられている。リード14の形状に対応して母
基板3上には回路パターン4が形成され、半田15によ
ってリード14の先端部分と接合されている。
Next, a different example of the conventional semiconductor pressure sensor will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board 3. For convenience of description, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The example shown in FIG. 3 differs from the example shown in FIG. 2 in the shape of the leads and the mounting method. In the example shown in FIG. 3, the leads 14 projecting from the side surface of the package body 8 are provided.
Is bent diagonally downward, and further, its tip is
It is bent so as to be substantially horizontal in the direction opposite to the package body 8 side. A circuit pattern 4 is formed on the mother board 3 corresponding to the shape of the lead 14, and is joined to the tip of the lead 14 by solder 15.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成においては、半導体圧力センサチップ1をパッケ
ージ本体8に一度実装してから、その圧力センサを回路
パターン4が形成された母基板3上に実装していたの
で、組立工数も多くなりコストがかかっていた。
However, in the above configuration, the semiconductor pressure sensor chip 1 is mounted on the package body 8 once, and then the pressure sensor is mounted on the mother board 3 on which the circuit pattern 4 is formed. , The assembly man-hours increased and the cost was increased.

【0008】また、半導体圧力センサチップ1の電極
と、リード11,14の電気接続は、ボンディングワイ
ヤ12による接続であるため、接合強度が弱く、振動に
弱いという問題があった。
Further, since the electrical connection between the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 11 and 14 is made by the bonding wire 12, there is a problem that the bonding strength is weak and the vibration is weak.

【0009】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、低コストで、かつ、
振動に強い半導体圧力センサを提供することにある。
[0009] The present invention has been made in view of the above points, and its object is to provide a low-cost,
An object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor that is resistant to vibration.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して成る半導体圧力
センサチップと、該半導体圧力センサチップを収納する
凹部と該凹部に圧力を印加する圧力導入孔とを有して成
るカバーと、前記半導体圧力センサチップ及びカバーを
実装する、大気開放孔及び回路パターンを有して成る母
基板とを有して成り、前記回路パターンは、バンプを介
して前記電極に電気的に接続され、前記大気開放孔が、
前記ダイヤフラムに連通するように前記半導体圧力セン
サチップが前記母基板上に配置されており、前記ダイヤ
フラムの一方の面は前記大気開放孔により大気圧にさ
れ、他方の面に前記圧力導入孔から印加された圧力が導
入されるようにしたことを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention,
A semiconductor pressure sensor chip having a thin diaphragm and an electrode, a cover having a recess for accommodating the semiconductor pressure sensor chip, and a pressure introducing hole for applying pressure to the recess, and the semiconductor pressure sensor Mounting a chip and a cover, comprising a mother substrate having an air opening hole and a circuit pattern, wherein the circuit pattern is electrically connected to the electrode via a bump, and the air opening hole is ,
The semiconductor pressure sensor chip is arranged on the motherboard so as to communicate with the diaphragm, one surface of the diaphragm is set to the atmospheric pressure by the atmosphere opening hole, and the other surface is applied from the pressure introduction hole. The pressure is set to be introduced.

【0011】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、前記母基板の大気開放孔にお
ける前記半導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形
成するようにしたことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, a taper is formed on a side of the mother substrate where the semiconductor pressure sensor chip is mounted in an atmosphere opening hole of the mother substrate. Things.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図1は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサを示す略断面図である。なお、
説明の便宜上、図2,図3と同一構成の箇所には同一符
号を付して説明を省略する。半導体圧力センサチップ1
をガラス台座2に陽極接合法等により接合し、半導体圧
力センサチップ1の電極(図示せず)は、母基板3上に
形成された回路パターン4にバンプ5を介して電気的に
接続されるとともに、ゴム,ゲル状のシリコーン樹脂ま
たはエポキシ樹脂等の低応力の接着剤6により母基板3
にダイボンディングされている。また、母基板3には、
ダイヤフラム1aに連通する大気開放孔3aが形成され
ており、大気開放孔3aの半導体圧力センサチップ1実
装面側にはテーパ3bが形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention. In addition,
For convenience of explanation, the same components as those in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Semiconductor pressure sensor chip 1
Is bonded to the glass pedestal 2 by an anodic bonding method or the like, and the electrodes (not shown) of the semiconductor pressure sensor chip 1 are electrically connected to the circuit patterns 4 formed on the mother substrate 3 via the bumps 5. At the same time, a low stress adhesive 6 such as rubber, gel-like silicone resin or epoxy resin
Is die bonded. The mother board 3 has
An air opening hole 3a communicating with the diaphragm 1a is formed, and a taper 3b is formed on the semiconductor pressure sensor chip 1 mounting surface side of the air opening hole 3a.

【0013】また、半導体圧力センサチップ1は、半導
体圧力センサチップ1を収納する凹部7aと、凹部7a
内に圧力を印加する圧力導入孔7bとを有して成る樹脂
モールドされたカバー7の凹部7a内に収納されてお
り、カバー7の凹部7aにおける開口側は接着剤6によ
り母基板3上に接着されている。
The semiconductor pressure sensor chip 1 has a recess 7a for accommodating the semiconductor pressure sensor chip 1 and a recess 7a.
The cover 7 is housed in a concave portion 7a of a resin-molded cover 7 having a pressure introducing hole 7b for applying pressure therein, and the opening side of the concave portion 7a of the cover 7 is Glued.

【0014】従って、本実施形態においては、従来のよ
うにパッケージ本体への半導体圧力センサチップ1の実
装工程を省略することができ、工程数が減らせてコスト
ダウンを図ることができる。
Therefore, in the present embodiment, the step of mounting the semiconductor pressure sensor chip 1 on the package body as in the prior art can be omitted, and the number of steps can be reduced, and the cost can be reduced.

【0015】また、半導体圧力センサチップ1の電極
は、バンプ5により回路パターン4に電気的に接続され
ているので、振動に対する信頼性が向上する。
Further, since the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip 1 are electrically connected to the circuit pattern 4 by the bumps 5, the reliability against vibration is improved.

【0016】また、本実施形態においては、母基板3の
大気開放孔3aにおけるガラス台座2の実装側には、テ
ーパ3bが形成されているので、接着剤6により大気開
放孔3aが塞がれるのを防止することができる。
In this embodiment, since the taper 3b is formed on the mounting side of the glass pedestal 2 in the air opening hole 3a of the motherboard 3, the air opening hole 3a is closed by the adhesive 6. Can be prevented.

【0017】なお、本実施形態においては、半導体圧力
センサチップ1にガラス台座2接合するようにしたが、
これに限定される必要はなく、半導体圧力センサチップ
1のみを母基板3上にダイボンディングするようにして
も良く、これにより半導体圧力センサを薄型化すること
ができる。
In this embodiment, the glass pedestal 2 is joined to the semiconductor pressure sensor chip 1.
However, the present invention is not limited to this, and only the semiconductor pressure sensor chip 1 may be die-bonded to the mother substrate 3, whereby the semiconductor pressure sensor can be reduced in thickness.

【0018】また、本実施形態においては、大気開放孔
3aによりダイヤフラム1aの一方の面側を大気圧にす
るようにしたが、これに限定される必要はなく、基準圧
を印加するようにしてもよい。
In this embodiment, one side of the diaphragm 1a is set to the atmospheric pressure by the open-to-atmosphere hole 3a. However, the present invention is not limited to this. Is also good.

【0019】[0019]

【発明の効果】請求項1記載の発明は、薄肉状のダイヤ
フラム及び電極を有して成る半導体圧力センサチップ
と、半導体圧力センサチップを収納する凹部と凹部に圧
力を印加する圧力導入孔とを有して成るカバーと、半導
体圧力センサチップ及びカバーを実装する、大気開放孔
及び回路パターンを有して成る母基板とを有して成り、
回路パターンは、バンプを介して電極に電気的に接続さ
れ、大気開放孔が、ダイヤフラムに連通するように半導
体圧力センサチップが母基板上に配置されており、ダイ
ヤフラムの一方の面は大気開放孔により大気圧にされ、
他方の面に圧力導入孔から印加された圧力が導入される
ようにしたので、従来のようにパッケージ本体への半導
体圧力センサチップの実装工程を省略することができ、
工程数が減らせてコストダウンを図ることができ、半導
体圧力センサチップの電極は、バンプにより回路パター
ンに電気的に接続されているので、振動に対する信頼性
が向上し、低コストで、かつ、振動に強い半導体圧力セ
ンサを提供することができた。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor pressure sensor chip having a thin diaphragm and electrodes, a recess accommodating the semiconductor pressure sensor chip, and a pressure introducing hole for applying pressure to the recess. And a mother board having an atmosphere opening hole and a circuit pattern for mounting the semiconductor pressure sensor chip and the cover.
The circuit pattern is electrically connected to the electrodes via bumps, the semiconductor pressure sensor chip is arranged on the motherboard so that the air opening hole communicates with the diaphragm, and one surface of the diaphragm is open to the air opening hole. To atmospheric pressure by
Since the pressure applied from the pressure introduction hole is introduced to the other surface, the step of mounting the semiconductor pressure sensor chip on the package body as in the related art can be omitted,
The number of steps can be reduced to reduce costs. Since the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip are electrically connected to the circuit pattern by bumps, the reliability against vibration is improved, and the cost is reduced. A semiconductor pressure sensor that is strong against the pressure can be provided.

【0020】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、母基板の大気開放孔における
半導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形成するよ
うにしたので、接着剤等により半導体圧力センサチップ
を母基板上に実装する際に、大気開放孔が塞がれるのを
防止することができる。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, a taper is formed on the side of the mother substrate where the semiconductor pressure sensor chip is mounted in the air opening hole, so that the semiconductor is made of an adhesive or the like. When the pressure sensor chip is mounted on the motherboard, it is possible to prevent the air opening hole from being closed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサを
示す略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention.

【図2】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state where a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board.

【図3】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体圧力センサチップ 1a ダイヤフラム 2 ガラス台座 2a 貫通孔 3 母基板 3a 大気開放孔 3b テーパ 4 回路パターン 5 バンプ 6 接着剤 7 カバー 7a 凹部 7b 圧力導入孔 8 パッケージ本体 8a 凹部 8b 圧力導入孔 9 蓋体 10 圧力基準室 11 リード 12 ボンディングワイヤ 13 ソケット 14 リード 15 半田 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor pressure sensor chip 1a Diaphragm 2 Glass pedestal 2a Through-hole 3 Mother board 3a Air opening hole 3b Taper 4 Circuit pattern 5 Bump 6 Adhesive 7 Cover 7a Depression 7b Pressure introduction hole 8 Package body 8a Depression 8b Pressure introduction hole 9 Cover 10 Pressure reference chamber 11 Lead 12 Bonding wire 13 Socket 14 Lead 15 Solder

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して
成る半導体圧力センサチップと、該半導体圧力センサチ
ップを収納する凹部と該凹部に圧力を印加する圧力導入
孔とを有して成るカバーと、前記半導体圧力センサチッ
プ及びカバーを実装する、大気開放孔及び回路パターン
を有して成る母基板とを有して成り、前記回路パターン
は、バンプを介して前記電極に電気的に接続され、前記
大気開放孔が、前記ダイヤフラムに連通するように前記
半導体圧力センサチップが前記母基板上に配置されてお
り、前記ダイヤフラムの一方の面は前記大気開放孔によ
り大気圧にされ、他方の面に前記圧力導入孔から印加さ
れた圧力が導入されるようにしたことを特徴とする半導
体圧力センサ。
1. A semiconductor pressure sensor chip having a thin-walled diaphragm and electrodes, a cover having a recess accommodating the semiconductor pressure sensor chip, and a pressure introducing hole for applying pressure to the recess. Mounting the semiconductor pressure sensor chip and the cover, comprising a mother substrate having an atmosphere opening hole and a circuit pattern, wherein the circuit pattern is electrically connected to the electrode via a bump, The semiconductor pressure sensor chip is arranged on the motherboard so that the atmosphere opening hole communicates with the diaphragm, and one surface of the diaphragm is set to atmospheric pressure by the atmosphere opening hole, and the other surface is A semiconductor pressure sensor wherein a pressure applied from the pressure introducing hole is introduced.
【請求項2】 前記母基板の大気開放孔における前記半
導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形成するよう
にしたことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力セン
サ。
2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein a taper is formed on a side of the mother substrate on which the semiconductor pressure sensor chip is mounted in an atmosphere opening hole.
JP8119497A 1997-03-31 1997-03-31 Semiconductor pressure sensor Pending JPH10274582A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7762141B2 (en) 2007-02-16 2010-07-27 Denso Corporation Pressure sensor and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020409