JPH10267647A - Optical detecting apparatus - Google Patents

Optical detecting apparatus

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JPH10267647A
JPH10267647A JP7251697A JP7251697A JPH10267647A JP H10267647 A JPH10267647 A JP H10267647A JP 7251697 A JP7251697 A JP 7251697A JP 7251697 A JP7251697 A JP 7251697A JP H10267647 A JPH10267647 A JP H10267647A
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隆志 ▲高▼岡
Takashi Takaoka
Takatoshi Mizoguchi
隆敏 溝口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the productivity of an optical detecting apparatus by a method wherein a processing circuit by which the output signal of a light-receiving element is processed as an output in the form of an analog voltage according to a distance and a comparator circuit by which the output of the processing circuit is covered into an output in the form of one bit of an H/L changeover signal with reference to a set distance are provided inside the same package. SOLUTION: When a comparator circuit 14 is connected to an output terminal 15, an output in the form of an analog voltage is input to the comparator circuit 14 so as to be compared with an H/L changeover threshold voltage value 18 used to set a distance, and the output of one bit which is used as an H/L changeover signal is obtained from the output terminal 15 of the comparator circuit 14 with reference to an arbitrary distance. Then, when the main par of a processing circuit 12 and the main part of the comparator circuit 14 are integrated into an IC chip, the output in the form of the analog voltage and the output in the form of one bit are selected and changed over so as to be used. Thereby, irrespective of the form of an output, both circuits can be manufactured by the same production process, and the productivity of an optical detecting apparatus can be enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光によって物体の
位置や傾き、物体までの距離などを三角測距方式によっ
て検出する光学式検出装置に関し、特にその測距情報を
出力する方法の改善による部材の共通化、また、出力の
調整方法が簡易化により外部回路の簡素化などに関し、
更に、構造の改善にて、測距精度の向上に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical detection device for detecting the position, inclination, distance to an object, and the like of an object by light using a triangular distance measuring method, and more particularly to an improvement in a method of outputting the distance measuring information. Regarding the common use of components and the simplification of the output adjustment method with the simplification of the external circuit,
Further, the present invention relates to improvement of distance measurement accuracy by improving the structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】物体までの距離測定をする装置として、
図6のような三角測量方式の測距システムが知られてい
る。発光ダイオード(LED)などの発光素子50から
のパルス光は、投光レンズ51により細いビームとさ
れ、被測定物体52a、53bに投射される。被測定物
体52a、53bからの反射光は受光レンズ53によっ
て半導体光入射位置検出素子(PSD)などの受光素子
54に集光される。
2. Description of the Related Art As a device for measuring the distance to an object,
A triangulation type distance measuring system as shown in FIG. 6 is known. The pulse light from the light emitting element 50 such as a light emitting diode (LED) is converted into a thin beam by the light projecting lens 51 and projected on the measured objects 52a and 53b. Light reflected from the objects to be measured 52a and 53b is condensed by a light receiving lens 53 onto a light receiving element 54 such as a semiconductor light incident position detecting element (PSD).

【0003】ここで、受光素子54における光スポット
の位置は被測定物体52a、53bまでの距離に応じて
異なるので、受光素子54の一対の信号出力を処理する
ことにより、距離測定をすることが可能になる。受光素
子54としてPSDの代わりに、複数の受光面を有する
分割型のフォトダイオードを用いることもできる。
Here, since the position of the light spot on the light receiving element 54 is different depending on the distance to the measured objects 52a and 53b, it is possible to measure the distance by processing a pair of signal outputs of the light receiving element 54. Will be possible. As the light receiving element 54, a split type photodiode having a plurality of light receiving surfaces can be used instead of the PSD.

【0004】このように、三角測距方式によって検出さ
れた光学式検出装置の出力方式として、(1)図7に示
す様な距離に応じた出力量変化することで対象物までの
距離測量情報を出力する方式と、(2)図8に示す様な
光学式検出装置内で設定された距離に対して出力が「ハ
イ(H)」または「ロー(L)」のパルスとして出力す
る方式、の2通りの方法があり、前者(1)は8ビット
シリアル出力のデジタル出力方式が使用され、また、後
者(2)はH/Lの1ビット出力方式が使用されてい
る。そのため、それぞれの出力方式に応じた別々の構成
の信号処理回路(IC等)が製造されている。
As described above, the output method of the optical detection device detected by the triangulation method includes: (1) distance measurement information to the object by changing the output amount according to the distance as shown in FIG. And (2) a method in which the output is output as a “high (H)” or “low (L)” pulse for a distance set in an optical detection device as shown in FIG. The former (1) uses an 8-bit serial output digital output system, and the latter (2) uses an H / L 1-bit output system. Therefore, signal processing circuits (ICs and the like) having different configurations according to the respective output systems are manufactured.

【0005】図7に示す8ビットシリアル出力は測距対
象物からの反射光がレンズにより集光され、PSD素子
に入射されるPSDの集光位置に対応した測距データ
(アナログデータ)が変換処理されて、8ビットの信号
にて出力されるため、PSD素子とレンズの位置関係の
ばらつきにより、出力データは個々の光学式検出装置に
おいてばらつきのある出力となる。即ち、図7の出力特
性曲線Dを基準の出力特性曲線とすると、出力特性曲線
E又は出力特性曲線Fはそのばらつきを示している。出
力特性曲線E又は出力特性曲線Fのばらつきの原因とし
て、(A)発光素子50と投光レンズ51と受光レンズ
53と受光素子54とのそれぞれの組み立て位置精度の
ばらつきに起因するものと、(B)発光素子50および
受光素子54それぞれの発光特性および受光特性そのも
ののばらつきに起因するもの、とがあり、さらに、
(C)8ビットシリアル出力の同期をとるため、タイミ
ング発生回路及び信号処理回路が必要である。
In the 8-bit serial output shown in FIG. 7, reflected light from the object to be measured is condensed by a lens, and distance measurement data (analog data) corresponding to the condensing position of the PSD incident on the PSD element is converted. Since the signal is processed and output as an 8-bit signal, the output data becomes a variable output in each optical detection device due to a variation in the positional relationship between the PSD element and the lens. That is, assuming that the output characteristic curve D in FIG. 7 is a reference output characteristic curve, the output characteristic curve E or the output characteristic curve F shows the variation. The causes of the variation of the output characteristic curve E or the output characteristic curve F are as follows: (A) variation caused by variation in the assembly position accuracy of the light emitting element 50, the light projecting lens 51, the light receiving lens 53, and the light receiving element 54; B) those caused by variations in the light emitting characteristics and light receiving characteristics of the light emitting element 50 and the light receiving element 54, respectively.
(C) In order to synchronize the 8-bit serial output, a timing generation circuit and a signal processing circuit are required.

【0006】図8の1ビット出力は、図7に示した距離
に応じた出力量変化するPSDの距離情報を基に、H/
Lの切替え距離を設定し、その設定距離より近い時の出
力は、「L出力」とし、その設定距離より遠い時の出力
は、「H出力」とすることを示している。
The 1-bit output shown in FIG. 8 is based on the distance information of the PSD whose output amount changes according to the distance shown in FIG.
The L switching distance is set, and the output when the distance is shorter than the set distance is “L output”, and the output when the distance is longer than the set distance is “H output”.

【0007】従って、図7の出力特性曲線Dが基準の出
力特性曲線であるが、それが出力特性曲線E又は出力特
性曲線Fのようにばらついておれば、図8の1ビット出
力であるH/L出力は当然ばらついてくる。そのため、
設定したい距離に対とて、H/Lのスレッシュ出力をI
Cと接続された可変抵抗にて個々のセンサ毎に製造者又
は、使用者が調整することで個々センサのばらつきを補
正し対応しているのが現状である。しかし、そのH/L
のスレッシュを可変抵抗にて調整するため、可変抵抗の
精度、また、センサ自体の測距精度から、H/Lの検出
精度に誤差が生じ易く現状では、±10%〜±20%程
度の誤差を余儀なくされていた。これらのことから、従
来例では光学式検出装置の出力だけでは正確な測距デー
タを得ることができず、又、外部回路が必要であり、更
に、使用者側で調整や補正する処理が必要であった。
Therefore, although the output characteristic curve D in FIG. 7 is a reference output characteristic curve, if it varies like the output characteristic curve E or the output characteristic curve F, the 1-bit output H in FIG. The / L output naturally varies. for that reason,
Set the H / L threshold output to I
At present, the manufacturer or the user adjusts each sensor with a variable resistor connected to C to compensate for variations in the individual sensors and to cope with them. However, its H / L
Is adjusted by a variable resistor, errors in the H / L detection accuracy are likely to occur due to the accuracy of the variable resistor and the distance measurement accuracy of the sensor itself. At present, the error is about ± 10% to ± 20%. Had to be forced. For these reasons, in the conventional example, accurate distance measurement data cannot be obtained only from the output of the optical detection device, an external circuit is required, and further, adjustment and correction processing by the user is required. Met.

【0008】そして上記説明の(A)の原因による対策
として、次の従来例、特許公報:特開平5−16455
3号公報、発明の名称:光学式検出装置、出願人:浜松
ホトニクス株式会社、がある。図9に従来例の光学式検
出装置の略断面図を示し、図10に従来例の光学式検出
装置の回路構成図を示す。
As a countermeasure against the cause of the above (A), the following conventional example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-16455.
No. 3, Japanese Patent Application Publication No., title of the invention: optical detection device, applicant: Hamamatsu Photonics Co., Ltd. FIG. 9 shows a schematic cross-sectional view of a conventional optical detection device, and FIG. 10 shows a circuit configuration diagram of the conventional optical detection device.

【0009】図9において、ベース板56にはキャップ
57が取り付けられて単―のパッケージから成る光学式
検出装置55が構成される。ベース板56の上面には発
光素子50と、受光素子54とがマウントされ、ベース
板56に貫通して設けられた外部リードピン58にワイ
ヤ59によりボンディングされている。ベース板56の
開口とリードピン58の間にはスペーサ60が介在さ
れ、電気的な絶縁が図られている。
In FIG. 9, a cap 57 is attached to a base plate 56 to constitute an optical detection device 55 composed of a single package. The light emitting element 50 and the light receiving element 54 are mounted on the upper surface of the base plate 56, and are bonded by wires 59 to external lead pins 58 provided through the base plate 56. A spacer 60 is interposed between the opening of the base plate 56 and the lead pin 58 to achieve electrical insulation.

【0010】キャップの頭部には投光用および受光用の
窓が形成され、ここに投光レンズ51と受光レンズ53
が形成されている。また、受光素子54には出力信号を
処理する回路が形成され、発光素子50の駆動回路とこ
れらの同期をとる回路も形成されている。
A light projecting and light receiving window is formed in the head of the cap, and a light projecting lens 51 and a light receiving lens 53 are formed here.
Are formed. Further, a circuit for processing the output signal is formed in the light receiving element 54, and a drive circuit for the light emitting element 50 and a circuit for synchronizing them are also formed.

【0011】図10において、光学式検出装置の回路
は、パルス光を投射する発光素子50と、被測定物から
の反射光を受光する受光素子54(受光面54A、54
B)と、検出信号処理および発光駆動をする回路部61
から距離測定モジュールが構成される。プリアンプ62
A、62Bはそれぞれ受光面54A、54Bの光電流出
力を増幅し、コンデンサCA、CBを介して交流(パル
ス)成分VA、VBのみ差動増幅器63に与える。差動増
幅器63の差分出力VCはコンパレータ64で基準レベ
ルVREFと比較され、信号処理回路65に与えられる。
In FIG. 10, the circuit of the optical detection device includes a light emitting element 50 for projecting pulsed light and a light receiving element 54 (light receiving surfaces 54A and 54A) for receiving light reflected from an object to be measured.
B) and a circuit section 61 for performing detection signal processing and light emission driving
Constitutes a distance measurement module. Preamplifier 62
A, 62B are respectively amplifies the photocurrent output of the light receiving surface 54A, 54B, the capacitor C A, AC via a C B (pulse) component V A, gives the V B only the differential amplifier 63. The difference output V C of the differential amplifier 63 is compared with a reference level V REF by a comparator 64 and is provided to a signal processing circuit 65.

【0012】一方、発振回路66からの―定周波数のク
ロックパルスはタイミング発生回路67に与えられ、信
号処理回路65およびドライバ69(出力はVPL)に与
えられるドライブパルスが発生される。なお、被測定物
までの遠、近を示す出力VOUTは、信号処理回路65か
らの論理出力にもとづき、出力回賂68から外部に出力
される。
On the other hand, the -constant frequency clock pulse from the oscillation circuit 66 is applied to a timing generation circuit 67, and a drive pulse is applied to a signal processing circuit 65 and a driver 69 (output is V PL ). It should be noted that the output V OUT indicating far and near to the device under test is output to the outside from the output circuit 68 based on the logical output from the signal processing circuit 65.

【0013】この従来例の回路構成によれば、被測定物
が遠方のときは、例えば受光素子54Aの出力が受光素
子54Bの出力よりも大となり、被測定物が近いときは
その逆となる。したがって、差動増幅器63からは被測
定物までの距離に応じた差分パルス信号が出力され、こ
れが、コンパレータ93で基準レベルVREFと比較され
る。このため、信号処理回路65に対しては、被測定物
までの距離の遠、近に応じてパルス信号が与えられる
(例えば、近いときのみパルスが与えられるか、又は遠
いときのみパルスが与えられるか、のいずれか一方とな
る)。信号処理回路65はタイミング発生回路66から
のドライブパルスに同期した連続した複数回(回数は内
部回路で決める)のコンパレータ64からのパルスを判
別し、被測定物までの遠、近を示す信号(論理出力)を
出力回路68に与える。以上のようにして、被測定物ま
での距離の遠、近を示す信号を出力していた。
According to the circuit configuration of this conventional example, when the object to be measured is distant, for example, the output of the light receiving element 54A is larger than the output of the light receiving element 54B, and when the object to be measured is close, the opposite is true. . Accordingly, a differential pulse signal corresponding to the distance to the device under test is output from the differential amplifier 63, and this is compared with the reference level V REF by the comparator 93. For this reason, a pulse signal is supplied to the signal processing circuit 65 according to the distance to the device under test and the distance to the device under test (for example, a pulse is supplied only when the distance is short, or a pulse is supplied only when the distance is long). Or one of them). The signal processing circuit 65 determines a plurality of consecutive pulses from the comparator 64 (the number of times is determined by an internal circuit) in synchronization with the drive pulse from the timing generation circuit 66, and outputs a signal indicating the distance to the device under test (close to the device under test). (Logic output) to the output circuit 68. As described above, the signal indicating the distance to the object to be measured is output.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の光学式検出装置では測距データのばらつきが大きく、
又、感度調整用の外部回路が必要であり、更に、使用者
側で個々の調整が必要であり、出力形式に応じた別々の
信号処理回路ICが必要であった。さらに、発光素子と
PSDとの位置精度が十分ではなく、測距精度上が低か
った。
However, the conventional optical detection device has a large variation in the distance measurement data.
Further, an external circuit for sensitivity adjustment is required, and further, individual adjustment is required on the user side, and a separate signal processing circuit IC according to the output format is required. Further, the positional accuracy between the light emitting element and the PSD is not sufficient, and the distance measuring accuracy is low.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
光学式検出装置は、発光素子と、該発光素子から出射さ
れた光を被検出物体に投射する投光光学系と、該被検出
物体から反射されできた光をその入射方向に応じて異な
る位置に集光する受光光学系と、前記反射光の集光位置
に配設された半導体位置検出素子からなる受光素子とか
ら成る光学式検出装置において、この受光素子の出力信
号を距離に応じたアナログ電圧の形の出力として処理す
る処理回路と、該処理回路の出力を設定された距離に対
してH/Lの切替え信号の1ビット形式の形の出力に変
換するコンパレータ回路とを同一パッケージ内に有して
成ることを特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical detecting device, comprising: a light emitting element; a light projecting optical system for projecting light emitted from the light emitting element onto an object to be detected; An optical system comprising a light receiving optical system for condensing light reflected from a detection object at different positions according to the incident direction thereof, and a light receiving element comprising a semiconductor position detecting element disposed at the condensing position of the reflected light A processing circuit for processing the output signal of the light receiving element as an analog voltage output in accordance with the distance, and an H / L switching signal for the set distance for the set distance. A comparator circuit for converting the output into a bit format is provided in the same package.

【0016】また、本発明の請求項2記載の光学式検出
装置は、少なくとも前記処理回路の主要部分と前記コン
パレータ回路の主要部分とをICチップとし、且つアナ
ログ電圧の形の出力と1ビット形式の出力とを選択して
出力できることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the optical detection apparatus, at least a main part of the processing circuit and a main part of the comparator circuit are formed as an IC chip, and the output in the form of an analog voltage and a one-bit signal are output. And an output of the selected item.

【0017】また、本発明の請求項3記載の光学式検出
装置は、前記発光素子と前記受光素子と前記ICチップ
とを同一のリードフレーム上にダイボンドしワイヤーボ
ンドして成ることを特徴とするものである。
Further, an optical detection device according to a third aspect of the present invention is characterized in that the light emitting element, the light receiving element, and the IC chip are die-bonded and wire-bonded on the same lead frame. Things.

【0018】さらに、本発明の請求項4記載の光学式検
出装置は、前記処理回路の出力ゲイン調整用端子に設け
られた出力調整用抵抗の大きさを選択することにより、
前記処理回路のゲインを調整することを特徴とするもの
である。
Further, in the optical detection device according to a fourth aspect of the present invention, the size of an output adjustment resistor provided at an output gain adjustment terminal of the processing circuit is selected.
The gain of the processing circuit is adjusted.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1乃至図5は本発明の一実施の
形態に関する図である。図1は本発明の一実施の形態よ
りなる光学式検出装置の回路構成を示す図である。本発
明の一実施の形態よりなる光学式検出装置の略断面図は
図5に示される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 to 5 are diagrams relating to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an optical detection device according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic sectional view of an optical detection device according to an embodiment of the present invention.

【0020】図1において、受光素子(PSD:半導体
位置検出素子)11の出力は、増幅回路12a、信号処
理回路12b及び出力回路12cから成る処理回路12
により、増幅・演算処理され、出力端子13より距離に
応じた距離測量情報をアナログ電圧の出力形式として出
力される。さらに、出力端子13にコンパレータ回路1
4を接続することにより、アナログ電圧の形の出力をコ
ンパレータ14に入力し、距離設定のためのH/Lの切
替えのスレッシュ電圧値18と比較して、任意の距離に
対し、H/Lの切替え信号とする1ビット出力がコンパ
レータ回路14の出力端子15から得られる。
In FIG. 1, an output of a light receiving element (PSD: semiconductor position detecting element) 11 is a processing circuit 12 comprising an amplifier circuit 12a, a signal processing circuit 12b, and an output circuit 12c.
The distance measurement information corresponding to the distance is output from the output terminal 13 as an analog voltage output format. Further, the comparator circuit 1 is connected to the output terminal 13.
4, the output in the form of an analog voltage is input to the comparator 14 and compared with a threshold voltage value 18 for H / L switching for distance setting. A 1-bit output as a switching signal is obtained from the output terminal 15 of the comparator circuit 14.

【0021】本発明を用い、処理回路12の主要部分と
コンパレータ回路14の主要部分とをICチップに集積
化することにより、同一のチップを用いて、アナログ電
圧の形の出力と1ビット形式の形の出力とを選択して切
り替えて用いることができる。
By integrating the main part of the processing circuit 12 and the main part of the comparator circuit 14 on an IC chip using the present invention, the output in the form of analog voltage and the one-bit format The output of the shape can be selected and switched for use.

【0022】その結果、PSD11からの距離情報の処
理を行う処理回路12及びコンパレータ回路14とを共
用化できるため、ICチップの配線時のワイヤーボンド
の位置の切替えだけにより、どちらかの希望する出力形
式に切替えることができ、ICチップが共用化が可能と
なる。
As a result, the processing circuit 12 for processing the distance information from the PSD 11 and the comparator circuit 14 can be used in common. The format can be switched, and the IC chip can be shared.

【0023】図2は本発明の一実施の形態よりなる光学
式検出装置の回路構成10を示す図である。図2におい
て、図1の構成の処理回路12の出力回路12cに出力
ゲイン調整用端子16を新たに設け、出力調整用抵抗1
7を設ける。この出力調整用抵抗17の大きさを選択す
ることにより、処理回路12の出力回路の増幅度を調整
することができる。
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration 10 of an optical detection device according to an embodiment of the present invention. 2, an output gain adjusting terminal 16 is newly provided in the output circuit 12c of the processing circuit 12 having the configuration of FIG.
7 is provided. By selecting the size of the output adjustment resistor 17, the amplification degree of the output circuit of the processing circuit 12 can be adjusted.

【0024】図3は、図2に示した本発明の一実施の形
態よりなる光学式検出装置の回路構成に対応した光学式
検出装置の出力特性を示す。図3は横軸に距離を取り、
縦軸に出力端子13から得られるアナログ電圧の出力を
取って示した出力特性曲線であり、出力特性曲線Aが設
定目標とする曲線である。
FIG. 3 shows the output characteristics of the optical detector corresponding to the circuit configuration of the optical detector according to the embodiment of the present invention shown in FIG. Figure 3 shows the distance on the horizontal axis,
The vertical axis is an output characteristic curve showing the output of the analog voltage obtained from the output terminal 13, and the output characteristic curve A is a target curve.

【0025】多くの場合、個々の出力特性曲線は図3の
出力曲線B又は出力曲線Cのようにばらつくが、前記
(A)の発光素子と投光レンズと受光レンズと受光素子
とのそれぞれの組み立て位置精度のばらつきに起因する
ものは後述の対策(図5参照)により、小さくできる。
従って、出力曲線B又は出力曲線Cのばらつきは、前記
(B)の発光素子および受光素子それぞれの発光特性お
よび受光特性そのもののばらつきに起因するものであ
る。さらに、出力特性曲線A、BおよびCはそれぞれほ
ぼ相似形であり、1点(例えば図3の(X、Y)点)に
おいて調整することにより、出力特性曲線BおよびCを
設定目標の出力特性曲線Aにほぼ合わすことができる。
具体的には、ある任意に設定した距離(例えば、距離
X)の時の出力(例えば、出力Y)を確認し、設定目標
の出力曲線Aに対する出力値の大小比率を判断し、アン
プゲインを調整用端子16の出力調整用抵抗17を大小
比率に調整することで、出力特性曲線Aに調整すること
ができる。
In many cases, the individual output characteristic curves vary as shown in the output curve B or the output curve C in FIG. 3, but each of the light emitting element, the light projecting lens, the light receiving lens, and the light receiving element in the above (A). What is caused by the variation in assembly position accuracy can be reduced by the measures described later (see FIG. 5).
Therefore, the variation of the output curve B or the output curve C is caused by the variation of the light emitting characteristics and the light receiving characteristics of the light emitting element and the light receiving element of (B). Further, the output characteristic curves A, B, and C are substantially similar to each other, and the output characteristic curves B and C are adjusted at one point (for example, the point (X, Y) in FIG. 3) so that the output characteristic curves B and C are set as the target output characteristics. It can be almost fitted to the curve A.
Specifically, the output (for example, output Y) at a certain arbitrarily set distance (for example, distance X) is checked, the magnitude ratio of the output value to the set target output curve A is determined, and the amplifier gain is adjusted. The output characteristic curve A can be adjusted by adjusting the output adjustment resistor 17 of the adjustment terminal 16 to a large or small ratio.

【0026】次に、1ビット形式の形の出力形式(設定
された距離に対して、出力が「ハイ(H)」または「ロ
ー(L)」のパルスとして出力する方式)について説明
する。個々の光学式検出装置は、上記の調整により、距
離に対する出力特性曲線Aに調整済みであるため、図1
の回路構成を用い、図3の出力特性曲線Aより、その出
力を用いてH/Lの切替え距離設定の出力電圧をH/L
するためのスレッシュ電圧値の設定が個々のセンサとも
同じにできるので、スレッシュ電圧値を個々のセンサで
て調整すること無く、任意の距離に対応した1ビット出
力が容易に精度良く得られる。
Next, a description will be given of an output format of a 1-bit format (a system in which an output is outputted as a "high (H)" or "low (L)" pulse with respect to a set distance). Since the individual optical detection devices have been adjusted to the output characteristic curve A with respect to the distance by the above adjustment, FIG.
From the output characteristic curve A in FIG. 3, the output voltage for setting the H / L switching distance is set to H / L from the output characteristic curve A in FIG.
The threshold voltage value can be set to the same value for each sensor, so that a 1-bit output corresponding to an arbitrary distance can be easily and accurately obtained without adjusting the threshold voltage value with each sensor.

【0027】具体的には、たとえば、図3において、H
/Lの切替え距離をXcmに設定したい場合、そのアナ
ログ電圧の出力は出力特性曲線AのY値となる。よっ
て、このY値を図2のコンパレータ回路14に入力する
よう光学式検出装置の増幅回路部分における出力調整用
抵抗17等にて、電圧調整することで光学式検出装置は
常に、このX値のとき、H/Lに出力が切り替わる。こ
の時、出力調整用抵抗17は設定距離に対して一定のた
め、調整はアナログ電圧出力時のアンプゲイン調整のみ
で良く、調整の方法は、1ビット形式の出力形式の場合
もアナログデータ出力形式の場合も同じ方法で調整する
ことができる。
Specifically, for example, in FIG.
When it is desired to set the switching distance of / L to Xcm, the output of the analog voltage becomes the Y value of the output characteristic curve A. Therefore, the optical detection device always adjusts the Y value by adjusting the voltage with the output adjustment resistor 17 or the like in the amplifier circuit portion of the optical detection device so as to input the Y value to the comparator circuit 14 in FIG. At this time, the output is switched to H / L. At this time, since the output adjustment resistor 17 is constant with respect to the set distance, the adjustment may be performed only by adjusting the amplifier gain at the time of analog voltage output. Can be adjusted in the same manner.

【0028】図4は本発明の一実施の形態よりなる光学
式検出装置の回路構成を示す図である。図4において、
アナログ電圧出力とするため、1ビット出力と同じタイ
ミングで出力できることにより、測距情報を処理する信
号処理回路IC(23)内部に、出力タイミングを制御
する発振回路22を内蔵することで、外部からの制御が
不要となり、光学式検出装置は電源VCC(27)と出力
28のみの端子構成とすることができる。また、11は
受光素子(PSD:半導体位置検出素子)、22は出力
タイミングを制御する発振回路、23は信号処理回路、
24は定電圧回路、25は発光素子(LED)、26は
駆動回路、29はA/Dコンバータ等から成る外部回
路、30は外部回路を制御するマイコンである。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of an optical detection device according to an embodiment of the present invention. In FIG.
Since the analog voltage output can be output at the same timing as the 1-bit output, the oscillation circuit 22 for controlling the output timing is built in the signal processing circuit IC (23) for processing the ranging information, so that it can be output from the outside. Is unnecessary, and the optical detection device can have a terminal configuration of only the power supply V CC (27) and the output 28. 11 is a light receiving element (PSD: semiconductor position detecting element), 22 is an oscillation circuit for controlling output timing, 23 is a signal processing circuit,
24 is a constant voltage circuit, 25 is a light emitting element (LED), 26 is a drive circuit, 29 is an external circuit including an A / D converter, and 30 is a microcomputer for controlling the external circuit.

【0029】図5に、本発明の一実施の形態よりなる光
学式検出装置の略断面図を示す。図5において、リード
フレーム35上に、PSD11および、発振回路22と
信号処理回路23と定電圧回路24と駆動回路26等を
含むICチップ31および、発光素子(LED)25を
ダイボンド及びワイヤーボンドを行う。次にこれらを透
光性樹脂36でモールドし、その外側を遮光性の樹脂ケ
ース37及び透光性の樹脂になるレンズケース38とで
実装モールドすることにより、光学式検出装置34が完
成する。レンズケース38には、投光レンズ39と受光
レンズ40が形成されている。PSD11および発光素
子(LED)25はガイド穴のあるリードフレーム37
上に、同一工程でダイボンド及びワイヤーボンドされる
ため、PSD11と発光素子(LED)25とのリード
フレーム37上の位置関係は一定に保たれる。さらに、
このリードフレーム37のガイド穴を基準として、樹脂
ケース37及びレンズケース38は実装モールドされて
おり、且つ、レンズケース38に配設されている投光レ
ンズ39と受光レンズ40は一体形成されているため、
その結果、必然的に、発光素子(LED)25と投光レ
ンズ39と受光レンズ40とPSD11の4者間の位置
関係は一定に保たれることになる。
FIG. 5 is a schematic sectional view of an optical detector according to an embodiment of the present invention. In FIG. 5, a PSD 11, an IC chip 31 including an oscillation circuit 22, a signal processing circuit 23, a constant voltage circuit 24, a driving circuit 26, and the like, and a light emitting element (LED) 25 are die-bonded and wire-bonded on a lead frame 35. Do. Next, these are molded with a light-transmitting resin 36, and the outside thereof is mounted and molded with a light-shielding resin case 37 and a lens case 38 which is a light-transmitting resin, whereby the optical detection device 34 is completed. A light projecting lens 39 and a light receiving lens 40 are formed in the lens case 38. The PSD 11 and the light emitting element (LED) 25 are a lead frame 37 having a guide hole.
In addition, since the die bonding and the wire bonding are performed in the same process, the positional relationship between the PSD 11 and the light emitting element (LED) 25 on the lead frame 37 is kept constant. further,
With reference to the guide holes of the lead frame 37, the resin case 37 and the lens case 38 are mounted and molded, and the light projecting lens 39 and the light receiving lens 40 provided in the lens case 38 are integrally formed. For,
As a result, the positional relationship among the light emitting element (LED) 25, the light projecting lens 39, the light receiving lens 40, and the PSD 11 is necessarily kept constant.

【0030】本発明は同一フレーム上に、PSDと発光
素子とをダイボンドするため、PSD11と発光素子2
5との位置関係はダイボンド時の位置のばらつきのみと
なり、0.03〜0.1mm程度以下とすることができ
る。従って、図3で説明した出力特性曲線のばらつきを
小さく抑えることができる。例えば距離Xcmにおける
アナログ出力のばらつきは、±10%以下となり、例え
ばH/Lの切替え距離設定のばらつきも、±10%以下
とすることができる。
According to the present invention, the PSD 11 and the light emitting element 2 are die-bonded on the same frame.
The positional relationship with 5 is only a variation in the position at the time of die bonding, and can be set to about 0.03 to 0.1 mm or less. Therefore, the variation of the output characteristic curve described with reference to FIG. 3 can be reduced. For example, the variation of the analog output at the distance Xcm is ± 10% or less, and the variation of the H / L switching distance setting can be ± 10% or less.

【0031】また、ICチップ31を発光素子25及び
受光素子11と同一のリードフレーム上にダイボンドし
ワイヤーボンドすることにより、半導体後半工程である
チップアセンブセリー工程の単純化と生産性の向上を図
ることができる。さらに、ICチップ31のワイヤーボ
ンド工程において、結線方法を変えることにより、アナ
ログ電圧の形の出力と1ビット形式の出力とを選択して
出力できる光学式検出装置を得ることができる。
Also, the IC chip 31 is die-bonded and wire-bonded on the same lead frame as the light emitting element 25 and the light receiving element 11, thereby simplifying the chip assembly process, which is the latter half of the semiconductor process, and improving the productivity. be able to. Further, in the wire bonding step of the IC chip 31, by changing the connection method, it is possible to obtain an optical detection device capable of selectively outputting the output in the form of the analog voltage and the output in the 1-bit format.

【0032】このようにして作られた本発明による光学
式検出装置の大きさは、例えば、29mm×17mm×
13.5mm程度であり、従来例より小型で、薄型で、
軽量にすることができた。
The size of the optical detector according to the present invention thus manufactured is, for example, 29 mm × 17 mm ×
It is about 13.5 mm, smaller and thinner than the conventional example.
It was able to be lightweight.

【0033】図5では、ICチップ31を発振回路2
2、信号処理回路23、定電圧回路24及び駆動回路2
6等を含むICチップとして説明したが、図1の回路例
では、増幅回路12aと信号処理回路12bと出力回路
12cから成る処理回路12と、コンパレータ回路14
等を含む回路をICチップ31とすることは当然であ
る。
In FIG. 5, the IC chip 31 is connected to the oscillation circuit 2
2, signal processing circuit 23, constant voltage circuit 24 and drive circuit 2
1 has been described as an IC chip including the amplifier circuit 12a, the processing circuit 12 including the amplifier circuit 12a, the signal processing circuit 12b, and the output circuit 12c, and the comparator circuit 14
It is natural that the circuit including the above is used as the IC chip 31.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項1記載の
光学式検出装置によれば、発光素子と、該発光素子から
出射された光を被検出物体に投射する投光光学系と、該
被検出物体から反射されできた光をその入射方向に応じ
て異なる位置に集光する受光光学系と、前記反射光の集
光位置に配設された半導体位置検出素子からなる受光素
子とから成る光学式検出装置において、この受光素子の
出力信号を距離に応じたアナログ電圧の形の出力として
処理する処理回路と、該処理回路の出力を設定された距
離に対してH/Lの切替え信号の1ビット形式の形の出
力に変換するコンパレータ回路とを同一パッケージ内に
有して成ることを特徴とするものであり、出力形式の異
なる光学式検出装置を同一製造工程で作ることができ、
生産性の向上を図ることができる。
As described above, according to the optical detecting device of the first aspect of the present invention, the light emitting element and the light projecting optical system for projecting the light emitted from the light emitting element to the object to be detected. A light receiving optical system for condensing light reflected from the detected object at different positions according to the incident direction thereof, and a light receiving element including a semiconductor position detecting element disposed at the condensing position of the reflected light. And a processing circuit for processing the output signal of the light receiving element as an output in the form of an analog voltage corresponding to the distance, and switching the output of the processing circuit between H / L with respect to the set distance. A comparator circuit for converting a signal into an output in a 1-bit format is provided in the same package. Optical detectors having different output formats can be manufactured in the same manufacturing process. ,
Productivity can be improved.

【0035】また、本発明の請求項2記載の光学式検出
装置によれば、少なくとも前記処理回路の主要部分と前
記コンパレータ回路の主要部分とをICチップとし、且
つアナログ電圧の形の出力と1ビット形式の出力とを選
択して出力できることを特徴とするものであり、半導体
前半工程の統合と半導体後半工程であるチップアセンブ
セリー工程の単純化と生産性の向上を図ることができ
る。また、外付け部品点数を少なくすることができ、光
学式検出装置の小型化を図ることができる。
According to the optical detection device of the present invention, at least a main part of the processing circuit and a main part of the comparator circuit are formed as an IC chip, and the output in the form of an analog voltage and the output of the analog circuit are connected to one another. It is characterized in that bit-format output can be selected and output, and it is possible to integrate the first-half semiconductor process, simplify the chip assembly process as the second-half semiconductor process, and improve productivity. Further, the number of external parts can be reduced, and the size of the optical detection device can be reduced.

【0036】また、本発明の請求項3記載の光学式検出
装置によれば、前記発光素子と前記受光素子と前記IC
チップとを同一のリードフレーム上にダイボンドしワイ
ヤーボンドして成ることを特徴とするものであり、半導
体後半工程であるチップアセンブセリー工程の単純化と
生産性の向上を図ることができると共に、発光素子と受
光素子との位置関係の精度の向上を図ることができ、ま
た、光学式検出装置の小型化を図ることができる。
According to the optical detecting device of the third aspect of the present invention, the light emitting element, the light receiving element, and the IC
It is characterized by being die-bonded and wire-bonded to the chip on the same lead frame, which simplifies the chip assembly process, which is the second half of the semiconductor process, improves productivity, and achieves light emission. The accuracy of the positional relationship between the element and the light receiving element can be improved, and the size of the optical detection device can be reduced.

【0037】さらに、本発明の請求項4記載の光学式検
出装置によれば、前記処理回路の出力ゲイン調整用端子
に設けられた出力調整用抵抗の大きさを選択することに
より、前記処理回路のゲインを調整することを特徴とす
るものであり、ICチップを調整することなく出力特性
曲線のばらつきを小さくすることができる。
Further, according to the optical detecting device of the fourth aspect of the present invention, by selecting the size of the output adjusting resistor provided at the output gain adjusting terminal of the processing circuit, And the variation of the output characteristic curve can be reduced without adjusting the IC chip.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態よりなる光学式検出装置
の回路構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an optical detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態よりなる光学式検出装置
の回路構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of an optical detection device according to an embodiment of the present invention.

【図3】図2に示した本発明の一実施の形態よりなる光
学式検出装置の回路構成に対応した光学式検出装置の出
力特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing output characteristics of the optical detection device corresponding to the circuit configuration of the optical detection device according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 2;

【図4】本発明の一実施の形態よりなる光学式検出装置
の回路構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a circuit configuration of an optical detection device according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態よりなる光学式検出装置
の略断面図を示す図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view of an optical detection device according to an embodiment of the present invention.

【図6】従来例の三角測量方式の測距システムを説明す
る図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a conventional triangulation ranging system.

【図7】従来例の光学式検出装置の出力特性を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing output characteristics of a conventional optical detection device.

【図8】従来例の光学式検出装置の出力特性を示す図で
あり、H/Lの切替えを説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating output characteristics of a conventional optical detection device, and is a diagram illustrating H / L switching.

【図9】従来例の光学式検出装置の略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view of a conventional optical detection device.

【図10】従来例の光学式検出装置の回路構成を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional optical detection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 光学式検出装置の回路構成 11 受光素子(PSD:半導体位置検出素子) 12 処理回路 12a 増幅回路 12b 信号処理回路 12c 出力回路 13 出力端子 14 コンパレータ回路 15 コンパレータの出力端子 16 出力ゲイン調整用端子 17 出力調整用抵抗 18 距離設定のためのH/Lの切替えのスレッシュ電
圧値 22 出力タイミングを制御する発振回路 23 信号処理回路 24 定電圧回路 25 発光素子(LED) 26 駆動回路 27 電源VCC 28 出力 29 外部回路 30 マイコン 31 ICチップ 34 光学式検出装置 35 リードフレーム 36 透光性樹脂 37 遮光性の樹脂ケース 38 透光性の樹脂になるレンズケース 39 投光レンズ 40 受光レンズ
Reference Signs List 10 Circuit configuration of optical detection device 11 Light receiving element (PSD: semiconductor position detection element) 12 Processing circuit 12a Amplifying circuit 12b Signal processing circuit 12c Output circuit 13 Output terminal 14 Comparator circuit 15 Comparator output terminal 16 Output gain adjustment terminal 17 Output adjustment resistor 18 Threshold voltage value for H / L switching for distance setting 22 Oscillator circuit for controlling output timing 23 Signal processing circuit 24 Constant voltage circuit 25 Light emitting element (LED) 26 Drive circuit 27 Power supply V CC 28 Output REFERENCE SIGNS LIST 29 external circuit 30 microcomputer 31 IC chip 34 optical detection device 35 lead frame 36 light-transmitting resin 37 light-shielding resin case 38 lens case that becomes light-transmitting resin 39 light-emitting lens 40 light-receiving lens

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子と、該発光素子から出射された
光を被検出物体に投射する投光光学系と、該被検出物体
から反射されできた光をその入射方向に応じて異なる位
置に集光する受光光学系と、前記反射光の集光位置に配
設された半導体位置検出素子からなる受光素子とから成
る光学式検出装置において、この受光素子の出力信号を
距離に応じたアナログ電圧の形の出力として処理する処
理回路と、該処理回路の出力を設定された距離に対して
H/Lの切替え信号の1ビット形式の形の出力に変換す
るコンパレータ回路とを同一パッケージ内に有して成る
ことを特徴とする光学式検出装置。
A light-emitting element, a light-projecting optical system for projecting light emitted from the light-emitting element to an object to be detected, and light reflected from the object to be detected at different positions according to the incident direction. In an optical detection device comprising a light receiving optical system for collecting light and a light receiving element comprising a semiconductor position detecting element disposed at a position where the reflected light is collected, an output signal of the light receiving element is converted into an analog voltage corresponding to a distance. And a comparator circuit for converting the output of the processing circuit into an output in the form of a 1-bit H / L switching signal for a set distance in the same package. An optical detection device characterized by comprising:
【請求項2】 請求項1記載の光学式検出装置におい
て、少なくとも前記処理回路の主要部分と前記コンパレ
ータ回路の主要部分とをICチップとし、且つアナログ
電圧の形の出力と1ビット形式の出力とを選択して出力
できることを特徴とする光学式検出装置。
2. An optical detection device according to claim 1, wherein at least a main part of said processing circuit and a main part of said comparator circuit are formed as IC chips, and an output in the form of an analog voltage and an output in a 1-bit format are provided. An optical detection device characterized by being able to select and output an image.
【請求項3】 請求項2記載の光学式検出装置におい
て、前記発光素子と前記受光素子と前記ICチップとを
同一のリードフレーム上にダイボンドしワイヤーボンド
して成ることを特徴とする光学式検出装置。
3. The optical detection device according to claim 2, wherein the light emitting element, the light receiving element, and the IC chip are die-bonded and wire-bonded on the same lead frame. apparatus.
【請求項4】 請求項2記載の光学式検出装置におい
て、前記処理回路の出力ゲイン調整用端子に設けられた
出力調整用抵抗の大きさを選択することにより、前記処
理回路のゲインを調整することを特徴とする光学式検出
装置。
4. The optical detection device according to claim 2, wherein a gain of the processing circuit is adjusted by selecting a magnitude of an output adjusting resistor provided at an output gain adjusting terminal of the processing circuit. An optical detection device, characterized in that:
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