JPH10258369A - 接合装置及び接合方法 - Google Patents

接合装置及び接合方法

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JPH10258369A
JPH10258369A JP7907997A JP7907997A JPH10258369A JP H10258369 A JPH10258369 A JP H10258369A JP 7907997 A JP7907997 A JP 7907997A JP 7907997 A JP7907997 A JP 7907997A JP H10258369 A JPH10258369 A JP H10258369A
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JP
Japan
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sample
joining
bonding
atomic beam
beam source
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Application number
JP7907997A
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English (en)
Inventor
Yasushi Taima
康 當間
Masaki Hatakeyama
雅規 畠山
Yotaro Hatamura
洋太郎 畑村
Masayuki Nakao
政之 中尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細な試料の接合面にダメージを与えること
なく活性化し、作業性良く、精度良くかつ強固に接合す
ることができるような接合装置及び方法を提供する。 【解決手段】 真空容器1内に、高速原子線源3と、少
なくとも2つの試料保持具2a,2bと、試料保持具の
少なくとも一方を移動させて試料の接合面を相互に接触
させる移動機構M1,M2と、試料の温度を制御する温度
制御機構H1,H2とを有する接合装置において、試料保
持具の少なくとも一方に、接合面の接触に伴い弾性変形
して試料同士を面合わせする面合わせ機構21を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、拡散接合や常温接
合等の、真空中での接合装置及びその方法に関するもの
であり、特に、微小な電子部品や微小光学部品の接合に
用いて好適な接合装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】拡散接合や常温接合といった真空中での
接合方法は、接合試料自体の化学結合性を利用するもの
で、試料表面の清浄度と原子レベルでの接合面の密着性
が成否を左右する重要なパラメーターであるといわれて
いる。一般に物質の表面はバルク中と異なり、酸化膜や
油脂膜などの表面皮膜が存在し、安定な状態になってい
る。したがって接合試料の表面を清浄化するために、1
-8Torr程度の超高真空中でイオンビームを試料表面に
照射し、表面皮膜を取り除いて不安定な結合状態の(活
性な)表面を露出させるようにしている。
【0003】原子レベルでの接合面の密着性を向上させ
るためには、接合試料の超平滑研磨技術自体はもとよ
り、加圧による塑性変形や接合面合わせも非常に重要で
あり、接合がなされるか否かは材料の塑性変形のしやす
さに依存するという報告もある。塑性変形のしやすさは
加熱によってある程度変えることができることもあり、
一般的には加熱して接合が行われている。
【0004】接合面合わせの方法については現在、次の
3種類が行われている。 1)試料の裏面側をR加工して、傾動しやすくする。 2)モータを用いた回転駆動装置によって接合面の角度
を変えて合わせる。 3)接合後に、ローラで加圧する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
においては、接合面の清浄化のために反応性の低い希ガ
スのイオンビームを用いた場合には、エネルギー量によ
っては表面を荒らしてしまい、平坦度が悪化する虞れが
ある。特に、接合試料が絶縁物の場合には、接合試料が
イオン照射によって帯電し、イオン入射が阻止されたり
絶縁破壊が起こったりする。接合試料が酸化物等である
場合には清浄化した表面が即座に強固な化学結合をつく
り、活性な状態を得るのが困難であるという問題もあ
る。
【0006】また、マスクを介さないで接合試料の全面
にイオンビームを照射する現在の方法では、例えばプリ
ント基板など電子部品を実装する場合や、回路を作り込
んだ基板上に別のものを接合するといった場合に、周辺
の回路、配線にイオンビームが悪影響を及ぼす可能性も
ある。
【0007】従来の接合面合わせ方法においては、 1)R加工する場合はR加工した試料しか接合できない
ため汎用性に乏しい。また、接合面の片方をR加工する
と密着面積が加圧力によって大きく変わるため、正確な
接合面積の制御、加圧力の制御が難しい。 2)モータによって接合面を合わせる方法は人間の目視
によって平行だしを行うため正確とはいえず、しかも自
由度を確保するために多くのモータを使わなければなら
ないため費用がかさむ。更に面合わせに要する時間もか
かる。 3)ローラで加圧する方法はウェハー状の試料には適用
できるが、棒状の試料には適用できない。面合わせに失
敗し接合面同士がきちんと接触していないと、全体の接
合力が低下したり、試料の一部だけしか接合しないとい
うことになる。
【0008】この発明は、上記に鑑み、微細な試料の接
合面にダメージを与えることなく活性化し、作業性良
く、精度良くかつ強固に接合することができるような接
合装置及び方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、真空容器内に、高速原子線源と、少なくとも2つの
試料保持具と、前記試料保持具の少なくとも一方を移動
させて試料の接合面を相互に接触させる移動機構と、試
料の温度を制御する温度制御機構とを有する接合装置に
おいて、前記試料保持具の少なくとも一方に、前記接合
面の接触に伴って弾性変形して試料同士を面合わせする
面合わせ機構を有することを特徴とする接合装置であ
る。
【0010】高速原子線は電荷を持たない粒子の流れで
あるので、イオンビームと比較して接合試料の帯電を少
なくすることができ、しかも接合試料が帯電した場合で
も、その電荷に影響されずに入射できる。すなわち常に
一定の照射量でビームを照射することができる。そし
て、高速原子線源と接合試料の間にマスクを挿入し、穴
のあいた部分以外にビームが照射されないようにすれ
ば、周辺回路へのビーム照射によるダメージを無くすこ
とができる。これは高速原子線の指向性が非常に良いた
めに可能となる。
【0011】また、保持具に設けられた面合わせ機構
が、接合面同士の接触に伴って弾性変形して試料同士を
自動的に面合わせするので、作業が簡単で迅速に行え、
かつ精度の良い接合を行なうことができる。また、ウエ
ハ状や棒状の任意の試料形状に用いることができ、結果
的に大きなコスト低減をもたらす。
【0012】高速原子線源としては、平行平板型の電極
によってソースガスを励起させるもの、あるいは、IC
P放電によってソースガスを励起させるもの等、適宜の
ものが採用可能である。また、線種としては、不活性ガ
スあるいは反応性ガスを目的に応じて使い分けると良
い。
【0013】請求項2に記載の発明は、前記面合わせ機
構が、2つの橋部により傾動可能に支持された傾動テー
ブルを有することを特徴とする請求項1に記載の接合装
置である。このような構成は、適当な素材を加工してテ
ーブル部分と橋部とを一体に形成することにより構成す
ることができる。また、互いに交差する軸回りに傾動す
る2つのテーブルを組み合わせて構成することにより、
任意の姿勢をとらせることができる。
【0014】請求項3に記載の発明は、前記高速原子線
源は、Ne,Ar,Xe等の不活性ガスをソースガスと
して用いることを特徴とする請求項1に記載の接合装置
である。請求項4に記載の発明は、前記高速原子線源
は、SF6,CF4,H2O等の反応性ガスをソースガス
として用いることを特徴とする請求項1に記載の接合装
置である。清浄化した表面が即座に強固な化学結合をつ
くり、活性な状態を得るのが困難である場合には、反応
性ガスの高速原子線を不活性ガスの高速原子線のかわり
に用いることによって、表面皮膜が除かれても活性化さ
れにくい材料も活性化され、接合が促進される。
【0015】請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4
のいずれかに記載の接合装置を用い、マスクを介して高
速原子線を接合試料の一部分のみに照射して、該接合試
料の一部分のみを接合することを特徴とする接合方法で
ある。
【0016】
【実施例】
(実施例1)図1は、本発明の第1の実施例を示すもの
で、10-8 Torr以下の高真空に保たれた真空容器1の
中に、直径3mm、長さ25mmの試料(光学ガラス)W1,
2とそれらを保持する保持具2a,2bと、加圧用の
モータM1と、移動用のモータM2と、加熱用のヒータH
1,H2が設置されている。真空容器1の上部には、接合
される試料W1,W2に向かうように平行平板電極型の高
速原子線源3が設置してある。
【0017】一方の光学ガラス保持具2aは、図2に示
すように、ジンバル機構によって圧力が加わると自動的
に相手に面が合うようになっているもので、これを図2
を用いて説明する。これは棒状の試料を保持するように
設計されたもので、全体として正方形の弾性素材を切削
加工して、本体部(面合わせ機構)21と、これを支持
する側壁部22とを形成している。本体部21には、中
心部を取り囲むように貫通する正方形の溝23,24が
二重に形成され、本体部21はこれらの各溝により、中
央の試料保持部25、中間部26、周縁部27に分けら
れている。
【0018】これらの溝23,24は、それぞれ互いに
対向する位置に形成された2つの橋部23a,24aを
残して形成されている。つまり、試料保持部25、中間
部26、周縁部27は、これら橋部23a,24aで橋
渡しをした構造になっている。これら橋部23a,24
aはそれぞれ溝の各辺の中央に形成され、内外の溝は互
いに90゜異なる位置に形成されている。従って、橋部
23a,24aで繋がれた各部は、橋部23a,24a
の捻れにより互いに対向する橋部を結ぶ線を軸として傾
動する。
【0019】つまり、中間部26は周縁部27に対して
図2に示すX軸回りに傾動し、中央の試料保持部25は
中間部26に対してY軸回りに傾動する。従って、結果
的に、試料保持部25は周縁部27つまり固定系に対し
てX,Yの両軸回りの傾動が可能となり、任意の姿勢を
とることができる。試料保持部25には試料W1を収容
する収容部28を有する直方体状に形成され、それ以外
の本体部21は薄片状に形成されている。
【0020】平行平板電極型の高速原子線源3は、図3
に詳細に示すように3極型である。この図において符号
4は絶縁物(セラミックス)からなる外筒であり、この
外筒4の上部はガスGを導入する導入路5を有する天板
6で覆われ、その下側にガス導入口7を有する板状陰極
8、陽極孔9を有する板状陽極10、原子放出孔11を
有する板状陰極12が順次平行に設けられている。
【0021】この高速原子線源3においては、上流側の
3枚の平板電極8,10間と10,12間に直流電圧を
印加する。これにより各電極間で生成したプラズマ中の
正イオンが電極12によって加速され、原子放出孔11
を通過する際に残留ガス分子との電荷交換を行って中性
化される。中性化の際にはイオンビームはそのエネルギ
ーを失わないので高速原子線となって真空中に放出され
る。
【0022】このようなイオンの加速と中性化機構を有
する平行平板電極型高速原子線源3は、従来の高速原子
線源と比べて直進性に優れたビームを放出できるという
利点がある。また、この平行平板電極型高速原子線源3
は高速原子放出用電極12の形状によって中性化率を任
意に制御できるため、試料の清浄化と活性化を効率よく
実現できる。
【0023】以下に、接合工程を説明する。まず、接合
すべき試料を保持具2a,2bに取り付ける。保持具2
aにおいてはジンバル機構の試料保持部25に、薄片面
とほぼ同じ高さか、1mm程度突出させて取り付ける。他
方の保持具2bには固定して取り付ける。そして、Ar
の高速原子線を試料W1,W2の接合面に5分間照射し、
所定の温度(接合したい材料によって異なるが、一般的
に接合試料の融点の7割以下の絶対温度)まで加熱した
後、片方の接合試料W2をマニピュレータによって180度
回転させて、移動モータM2及び加圧モータM1を動作さ
せて接合面同士を対面させ、徐々に近づけて接触させ
る。
【0024】ここで、試料W2が試料W1の試料面と平行
でない状態で近づいた場合、試料同士はまず縁の部分か
ら接触する。更に近づけ、圧力を加えると、力の作用点
(接触した部分の位置)がジンバル機構の回転の中心点
と異なるため力のモーメントが生じ、したがってジンバ
ルが回転する。ある地点で試料W1とW2の面が完全に合
うと、力の作用点が面全体になり、それらを平均すると
試料の中心が作用点とみなせるので、ジンバルの回転中
心と作用点が一致し、モーメントを生じないためジンバ
ルはこれ以上傾かなくなる。
【0025】このようにして、2つの試料の面同士が合
った状態のまま、さらにステッピングモータM1によっ
て、数MPaの圧力で1分間ほど加圧することにより接合
がなされる。代表的な高速原子線(FAB)の照射条件は
以下の通りである。
【0026】高速原子線源 開口径φ30ソース ガス流量 Ar 2.0 SCCM 印加電圧 2.0 kV 高速原子線源入口のガス圧 0.64 Torr 放電電流 10.0 mA 電磁石 160 Gauss
【0027】上記の実施例の工程では、接合試料表面の
清浄化と活性化のためにArの高速原子線を用いたが、
表面が強固な化学結合しており、活性化しにくいガラス
などの材料を接合する場合にはSF6やH2Oなどのガス
を用いて表面を活性な元素でターミネートし、活性化さ
せる方法も有効である。ガラス同士の接合でSF6を使
用した場合にはArを使用した場合よりも低い温度で接
合することができる。H2Oを使用した場合には常温で
の接合も可能である。
【0028】平行平板電極型高速原子線源の代わりにI
CP放電型高速原子線源を使用した場合にも上記と同様
な接合が可能である。ICP放電型は平行平板電極型に
比べて高密度で低エネルギーの高速原子線を発生させる
ことが可能であり、低ダメージで材料の清浄化、活性化
が可能である。ICP放電型高速原子線源の原理を図4
で説明する。
【0029】ICP放電型高速原子線源は円筒状のガラ
ス容器31の周囲にコイル32を巻いたもので、このコ
イル32に電源33より13.56MHzの高周波を印
加することで容器31内にプラズマが発生し、そのプラ
ズマ中の正イオンを電極34と35の間に印加した電圧
によって加速し、電極35に空いた原子放出孔36で中
性化される仕組みである。図では2枚の電極34,35
がともにコイル32の下側にきているが、コイルの上下
に1枚ずつ配置してもよい。
【0030】平行平板電極型でもICP放電型でも、発
生する高速原子線は指向性に優れており、ビーム経路中
での方向変化がないので、図4に示すように、途中に所
望の形状の穴の空いたマスク37を配置することによっ
て、マスク37の開口部38と同じ形状の部分のみに高
速原子線を照射することが可能である。マスク37の材
料としては、高速原子線によってエッチングされにくい
NiやAlが用いられている。
【0031】(実施例2)図5は、この発明の接合装置
の他の実施例を示すものである。この装置は、ステージ
40上に対向して設けた試料ホルダ41a,41bに、
保持具2a,2bを取り付けた構造である。試料棒
1,W2は接合面をほぼ垂直に対向させて保持されてお
り、上方に高速原子線源が設けられている。ヒータH3
は、まず試料保持具2a,2bの周辺を囲むように取り
付けられ、これは熱放射によって保持具2a,2bを加
熱し、さらに熱伝導によって試料に熱を伝えるものであ
る。この装置では、接合面に対して0度に近い角度から
高速原子線を照射して接合面を活性化し、ヒータH3
加熱して接合する。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の接合装
置又は接合方法によれば、指向性が良い高速原子線と、
保持具に設けられた面合わせ機構を用いることにより、
試料の接合面にダメージを与えることなく活性化し、作
業性良く、精度良くかつ強固に接合することができる。
また、接合試料の種類、形状、大きさを問わず、適用す
ることができ、従来面合わせが難しかった棒状の試料や
絶縁材の接合、あるいは、変形を起こさず接合させたい
光学材料などの接合には非常に有用である。さらに、マ
スクを介して接合したい部分のみにビームを照射して活
性化するができるので、電子部品を実装する際に周辺回
路に悪影響を及ぼすこともない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の接合装置を模式的に示す断
面図である。
【図2】図1の実施例の要部であるジンバル機構を詳細
に示す斜視図である。
【図3】図1の高速原子線源を示す斜視図である。
【図4】高速原子線源の他の例を示す一部を破断した図
である。
【図5】本発明の他の実施例の接合装置を模式的に示す
図である。
【符号の説明】
1 真空容器 2a,2b 試料保持具 3 高速原子線源 21 面合わせ機構 23a,24a 橋部 25,26 傾動テーブル M1,M2 移動機構 H1,H2 温度制御機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑村 洋太郎 東京都文京区小日向2−12−11 (72)発明者 中尾 政之 千葉県松戸市新松戸5−1 新松戸中央パ ークハウスC−908

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内に、高速原子線源と、少なく
    とも2つの試料保持具と、前記試料保持具の少なくとも
    一方を移動させて試料の接合面を相互に接触させる移動
    機構と、試料の温度を制御する温度制御機構とを有する
    接合装置において、 前記試料保持具の少なくとも一方に、前記接合面の接触
    に伴い弾性変形して試料同士を面合わせする面合わせ機
    構を有することを特徴とする接合装置。
  2. 【請求項2】 前記面合わせ機構は、2つの橋部により
    傾動可能に支持された傾動テーブルを有することを特徴
    とする請求項1に記載の接合装置。
  3. 【請求項3】 前記高速原子線源は、Ne,Ar,Xe
    等の不活性ガスをソースガスとして用いることを特徴と
    する請求項1に記載の接合装置。
  4. 【請求項4】 前記高速原子線源は、SF6,CF4,H
    2O等の反応性ガスをソースガスとして用いることを特
    徴とする請求項1に記載の接合装置。
  5. 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれかに記載の接合
    装置を用い、マスクを介して高速原子線を接合試料の一
    部分のみに照射して、該接合試料の一部分のみを接合す
    ることを特徴とする接合方法。
JP7907997A 1997-03-13 1997-03-13 接合装置及び接合方法 Pending JPH10258369A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014160741A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 常温接合装置、常温接合方法、平坦化装置および平坦化方法

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JP2014160741A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 常温接合装置、常温接合方法、平坦化装置および平坦化方法

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