JPH10244382A - Texture device and its method - Google Patents

Texture device and its method

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Publication number
JPH10244382A
JPH10244382A JP9049037A JP4903797A JPH10244382A JP H10244382 A JPH10244382 A JP H10244382A JP 9049037 A JP9049037 A JP 9049037A JP 4903797 A JP4903797 A JP 4903797A JP H10244382 A JPH10244382 A JP H10244382A
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JP
Japan
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substrate
laser beam
modulator
texture
reflected light
Prior art date
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Application number
JP9049037A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Kuriyama
俊彦 栗山
Ryuichi Yoshiyama
龍一 芳山
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a texture device and its method capable of a superior CSS characteristic, sticking characteristic, and low floating of a magnetic head simultaneously. SOLUTION: A laser beam outputted from a laser beam generator 1 is emitted on a substrate 6 through a modulator 2, polarizing beam splitter 3, 1/4λ plate 4, mirror 5a, and a condensing mechanism 5. This substrate 6 is rotated by a substrate rotating mechanism 7, the modulator 2 is ON/OFF-controlled by a timing controller 11, the condensing mechanism 5 is moved in the radial direction of the substrate 6 by a transfer mechanism 12, and the substrate is thereby texture-processed. Reflection light from the substrate 6 is returned to the polarizing beam splitter 3 through the condensing mechanism 5, mirror 5a and, 1/4λ plate 4, reflected by a prism mating face, and received by a light receiving system 9, with the reflected light quantity monitored by a monitoring device 10 for reflected light. Incident light passing through the modulator 2 is monitored by a monitoring device 8 for incident light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、テキスチャ装置お
よびテキスチャ加工方法に関するものであり、詳しく
は、レーザビームを利用した上記の装置および加工方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a texture apparatus and a texture processing method, and more particularly, to the above apparatus and processing method using a laser beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気ディスク装置においては、磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間の微小な空隙を安定に維持する
ため、停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク面に接触し
て停止しており、駆動スタート時に磁気ヘッドが磁気デ
ィスク面を摺動して浮上走行する、所謂コンタクト・ス
タート・ストップ(CSS)方式が採用されている。こ
の磁気ヘッドと基板とのスティッキングを防止するため
に基板の表面に微小な突起(条痕パターン)を形成する
テキスチャ加工処理が施される。
2. Description of the Related Art In a magnetic disk drive, in order to stably maintain a minute gap between a magnetic disk and a magnetic head, the magnetic head is in contact with the surface of the magnetic disk when stopped, and stopped when the drive is started. A so-called contact start / stop (CSS) system in which a magnetic head slides on a magnetic disk surface and travels while flying is employed. In order to prevent sticking between the magnetic head and the substrate, a texture processing for forming minute projections (streak patterns) on the surface of the substrate is performed.

【0003】従来のテキスチャ加工には、バインダに分
散した砥粒を塗布した研磨テープや砥粒を分散したスラ
リーを使用する機械的な研削が主に採用されていたが、
均一性及び加工高さの制御が可能なテキスチャ加工方法
として、米国特許第5,062,021号にQスイッチ
YAGレーザビームを利用したテキスチャ加工が提案さ
れている。この方法は、溶融形成された穴部とその周囲
が表面張力で盛り上がって固化した円環状のリム部とか
ら成るクレータ状の凹凸突起を形成する方法である。
In the conventional texturing, mechanical grinding using a polishing tape coated with abrasive particles dispersed in a binder or a slurry in which abrasive particles are dispersed has been mainly employed.
As a texturing method capable of controlling the uniformity and the processing height, U.S. Pat. No. 5,062,021 proposes a texturing using a Q-switched YAG laser beam. This method is a method of forming crater-shaped projections and depressions composed of a melt-formed hole and an annular rim in which the periphery is raised by surface tension and solidified.

【0004】レーザビームを使用したテキスチャ加工方
法として、特開平8−224677号公報には、Ar等
のガスレーザを用い、レーザビーム出力、照射時間、ス
ポット径などを制御することにより、高さが1〜100
nmの突起と、該突起に隣接した凹穴とからなる凹凸部
を1mm2 当り101 〜108 個形成するテキスチャ加
工方法が記載されている。
As a texturing method using a laser beam, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-224677 discloses a method for controlling a laser beam output, an irradiation time, a spot diameter and the like by using a gas laser such as Ar so that the height can be reduced to one. ~ 100
A texturing method is described in which 10 1 to 10 8 protrusions and recesses adjacent to the protrusions are formed per 1 mm 2 .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】レーザビームを利用し
て基板をテキスチャ加工する場合、たとえばオートフォ
ーカス異常によるフォーカスずれ、レーザ光源のパワー
変動等により突起高さや凹穴の深さが変動する。そこ
で、たとえば生成されたすべての突起高さを計測して、
所定の範囲外であったならば異常と判断する方法がとら
れる。この方法は、実際の突起高さを計測するので、突
起密度が高い場合には計測のために時間がかかり、すべ
ての突起高さを計測するというのは工業的には事実上不
可能であるという問題があった。
When a substrate is textured by using a laser beam, the height of the projections and the depth of the concave holes vary due to, for example, a focus shift due to an abnormal autofocus, a power variation of a laser light source, and the like. So, for example, measure the height of all generated protrusions,
If it is out of the predetermined range, a method of determining an abnormality is adopted. Since this method measures the actual projection height, it takes time for the measurement when the projection density is high, and it is practically impossible to measure all the projection heights industrially. There was a problem.

【0006】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、レーザビームを利用したテキスチャ
処理の加工生産性を向上させることにある。また、本発
明は、良好なCSS特性およびスティッキング特性と磁
気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチャ装
置およびテキスチャ加工方法を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to improve the processing productivity of texture processing using a laser beam. Another object of the present invention is to provide a texture device and a texture processing method that can simultaneously achieve good CSS characteristics and sticking characteristics and a low flying height of a magnetic head.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のテキスチャ装置
は、磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成するため
のテキスチャ装置であって、レーザビーム発振器、該発
振器からのレーザビームをON/OFF制御する変調
器、該変調器からのレーザビームを基板表面に照射する
集光機構、及びレーザビームと基板とを相対的に移動さ
せる移動手段を有するテキスチャ装置において、レーザ
ビームの基板への入射光量及び基板からの反射光量を計
測するモニター手段を備えたことを特徴とするものであ
る。
A texture device according to the present invention is a texture device for forming minute projections on the surface of a magnetic disk substrate, comprising: a laser beam oscillator; and ON / OFF control of a laser beam from the oscillator. Modulator, a condensing mechanism for irradiating the substrate surface with a laser beam from the modulator, and a texture device having a moving unit for relatively moving the laser beam and the substrate, the amount of light incident on the substrate of the laser beam and A monitor means for measuring the amount of reflected light from the substrate is provided.

【0008】本発明のテキスチャ加工方法は、このテキ
スチャ装置を使用して磁気ディスク基板に微小突起を形
成する際、前記モニター手段によって測定される入射光
量及び反射光量が所定の範囲内にあるようにすることを
特徴とするものである。
According to the texture processing method of the present invention, when minute projections are formed on a magnetic disk substrate by using this texture device, the amount of incident light and the amount of reflected light measured by the monitor means are within a predetermined range. It is characterized by doing.

【0009】このように入射光量及び反射光量をモニタ
リングし、入射光量及び反射光量を所定範囲とすること
により、テキスチャ加工によって生じる微小突起の高さ
や凹穴に対する配置位置を所定のものとすることができ
る。
As described above, the incident light amount and the reflected light amount are monitored, and the incident light amount and the reflected light amount are set in a predetermined range, so that the height of the minute projections generated by the texture processing and the arrangement position with respect to the concave hole can be made predetermined. it can.

【0010】なお、本発明においては、基板からの反射
光量をモニタリングする場合、反射光を前記集光機構を
通して集光した後、入射光軸から分離し、反射光量モニ
ター手段へ導くのが好ましい。
In the present invention, when monitoring the amount of reflected light from the substrate, it is preferable that the reflected light is condensed through the condensing mechanism, separated from the incident optical axis, and guided to the reflected light amount monitoring means.

【0011】従来のレーザビームを用いたテキスチャ装
置では、反射光がレーザビーム発振器に戻らないように
するため、基板への入射光を斜めにする方法がとられる
ことがある。これは、反射光がレーザビーム発振器に戻
るとレーザビーム発振が不安定になるからである。とこ
ろが、この場合反射光の光軸は入射光の光軸とずれるた
め、反射光をモニターするためには、反射光を集光する
ための別の光学系が必要となる。本発明において、上記
の如く、反射光が入射光を集光する機構を通して反射光
量をモニターする手段に導かれるようにすれば、そのよ
うな別の光学系が不要となる。
In a conventional texture apparatus using a laser beam, a method of obliquely incident light on a substrate may be employed in order to prevent reflected light from returning to a laser beam oscillator. This is because laser beam oscillation becomes unstable when the reflected light returns to the laser beam oscillator. However, in this case, the optical axis of the reflected light deviates from the optical axis of the incident light, so that another optical system for condensing the reflected light is required to monitor the reflected light. In the present invention, as described above, if the reflected light is guided to the means for monitoring the amount of reflected light through the mechanism for condensing the incident light, such another optical system becomes unnecessary.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して実施の形態
について説明する。図1は実施の形態に係るテキスチャ
装置の構成図、図2はテキスチャ加工により基板表面に
生じた凹凸部を示す模式的な断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a texture device according to an embodiment, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an uneven portion formed on a substrate surface by texture processing.

【0013】レーザビーム発振器1から出力されたレー
ザビームは、変調器2、偏光ビームスプリッタ3、1/
4λ板4、ミラー5a、集光機構5を経て基板6に照射
される。この基板6が基板回転機構7によって回転され
ると共に、変調器2がタイミング制御部11によってO
N・OFF制御され、且つミラー5a及び集光機構5が
基板6の径方向に移動機構12によって移動されること
により、該基板6がテキスチャ処理される。なお、集光
機構5を移動させる代わりに基板6を移動させても良
く、双方を移動させても良い。
The laser beam output from the laser beam oscillator 1 is applied to a modulator 2, a polarization beam splitter 3, 1 /
The light is applied to the substrate 6 via the 4λ plate 4, the mirror 5a, and the light collecting mechanism 5. The substrate 6 is rotated by the substrate rotation mechanism 7 and the modulator 2 is
The N / OFF control is performed and the mirror 5a and the condensing mechanism 5 are moved in the radial direction of the substrate 6 by the moving mechanism 12, whereby the substrate 6 is textured. Note that instead of moving the light collecting mechanism 5, the substrate 6 may be moved, or both may be moved.

【0014】基板6からの反射光は、集光機構5、ミラ
ー5a、1/4λ板4を経て偏光ビームスプリッタ3に
戻る。この偏光ビームスプリッタ3に戻ってきた光は、
該偏光ビームスプリッタ3のプリズム合せ面で反射さ
れ、受光系9に受光され、反射光量モニター装置10に
よって反射光量がモニタリングされる。
The reflected light from the substrate 6 returns to the polarization beam splitter 3 through the light collecting mechanism 5, the mirror 5a, and the λλ plate 4. The light returning to the polarization beam splitter 3 is
The reflected light is reflected by the prism mating surface of the polarizing beam splitter 3, is received by the light receiving system 9, and is monitored by the reflected light amount monitoring device 10.

【0015】なお、変調器2を通過する入射光量は入射
光量モニター装置8によってモニタリングされるが、後
述の通り、変調器2がモニター機能を備えているときに
は、このモニター装置8は省略できる。
The amount of incident light passing through the modulator 2 is monitored by an incident light amount monitor 8, but as described later, when the modulator 2 has a monitor function, the monitor 8 can be omitted.

【0016】このように入射光量及び反射光量のモニタ
ー装置8,10によって入射光量及び反射光量をモニタ
リングしこれらを所定範囲とすることにより、基板6上
に形成される微小突起の高さを所定の範囲のものとする
ことができ、また、図2のようにこの微小突起が凹穴の
一方のサイドに隣接するように配置されてなる凹凸部を
形成することができる。
As described above, the incident light amount and the reflected light amount are monitored by the monitor devices 8 and 10 for the incident light amount and the reflected light amount, and these are set in a predetermined range, so that the height of the minute projections formed on the substrate 6 is set to a predetermined value. In addition, as shown in FIG. 2, it is possible to form an uneven portion in which the minute projections are arranged so as to be adjacent to one side of the concave hole.

【0017】本発明においては、磁気ディスク基板の表
面のみならず裏面にも同時に微小突起を形成することが
できる。斯かる態様は、例えば、レーザビーム発振器1
から出射されたレーザビームを分割し、分割されたレー
ザビームを基板回転機構にて回転支持された基板の裏面
に照射することによって実現することができる。
In the present invention, minute projections can be simultaneously formed on the back surface as well as the front surface of the magnetic disk substrate. Such an embodiment is, for example, a laser beam oscillator 1
This can be realized by dividing the laser beam emitted from the substrate and irradiating the divided laser beam to the back surface of the substrate which is rotatably supported by the substrate rotating mechanism.

【0018】なお、以下に上記のテキスチャ装置の好適
な構成についてさらに詳細に説明する。
The preferred structure of the above-described texture device will be described in more detail below.

【0019】レーザビーム発振器1としては、CO2
スレーザ、Arガスレーザ等のガスレーザや、連続発振
可能なYAGレーザ等が好ましく、中でもArガスレー
ザがとくに好適である。ガスレーザは、QスイッチYA
Gレーザやエキシマレーザ等に比べて、位相が揃ってお
り且つビームスポットの絞り込みが容易であるため、鋭
い突起形状を形成し得る点で有利である。
As the laser beam oscillator 1, a gas laser such as a CO 2 gas laser or an Ar gas laser, a YAG laser capable of continuous oscillation, or the like is preferable, and an Ar gas laser is particularly preferable. Gas laser is Q switch YA
Compared with a G laser, an excimer laser, or the like, the phase is uniform and the beam spot can be easily narrowed, which is advantageous in that a sharp projection can be formed.

【0020】レーザの波長としては、通常、可視領域の
方が高出力が得られ易い。Arガスレーザビームは、代
表的には、488nm又は514.5nmの波長を有す
る。なお、ガラス基板に直接照射する場合には、比較的
小出力の紫外領域のもの、例えば、350nmのアルゴ
ン、FHG(fourth harmonic generator) を通した26
6nmのYAGレーザが好適である。
As for the wavelength of the laser, a higher output is usually easier to obtain in the visible region. The Ar gas laser beam typically has a wavelength of 488 nm or 514.5 nm. When directly irradiating the glass substrate, the glass substrate is passed through a relatively low-power ultraviolet region, for example, 350 nm argon or FHG (fourth harmonic generator).
A 6 nm YAG laser is preferred.

【0021】レーザビーム発振器1から基板6の表面に
照射されるレーザビームは、図2の如く微小突起の近傍
に該微小突起と連なる凹穴を備えた形状の凹凸部を形成
し得るエネルギーに制御されるのが好ましい。
The laser beam emitted from the laser beam oscillator 1 to the surface of the substrate 6 is controlled to an energy capable of forming a concave / convex portion having a concave hole near the microprojection as shown in FIG. Preferably.

【0022】変調器2としては、高速変調が可能である
ことが好ましい。また、立ち上がり時間が50ns以下
で、立ち上がり時間および立ち下がり時間を含めたパル
ス幅が50ns〜2μsであることが好ましい。パルス
幅が50ns未満では突起が生成しなかったり、所望の
形状の微小突起を形成しにくくなり、2μsを超えると
微小突起の面積が大きくなり、CSS特性が低下する傾
向がある。
The modulator 2 is preferably capable of high-speed modulation. Further, it is preferable that the rise time is 50 ns or less, and the pulse width including the rise time and the fall time is 50 ns to 2 μs. If the pulse width is less than 50 ns, no projections are formed or it is difficult to form minute projections having a desired shape. If the pulse width exceeds 2 μs, the area of the minute projections tends to be large, and the CSS characteristics tend to deteriorate.

【0023】変調器2は立ち上がりよくON/OFF可
能であることが好ましい。変調器の立ち上がり時間は突
起の鋭さに影響するため、立ち上がり時間の長い変調器
を使用するとヘッドとの接触面積の大きな微小突起が形
成される。この様な変調器に使用する変調素子としては
電気光学変調素子(EOM)が好ましい。電気光学変調
素子は、数100Mbpsまでの高速変調(ON/OF
F)が可能である。また、ON時にアナログ変調を行う
こともできる。なお、EOMは通常そのABC(Auto Bi
as Control) のために光量モニター機能が付属している
ため、これを入射光量モニターのための信号にもちいれ
ば、別に入射光モニター装置8を設置する必要がない。
It is preferable that the modulator 2 can be turned on / off with good rise. Since the rise time of the modulator affects the sharpness of the protrusion, the use of a modulator having a long rise time results in the formation of a minute protrusion having a large contact area with the head. As a modulation element used for such a modulator, an electro-optic modulation element (EOM) is preferable. The electro-optic modulator uses high-speed modulation (ON / OF) up to several hundred Mbps.
F) is possible. In addition, analog modulation can be performed at the time of ON. Note that the EOM is normally used for its ABC (Auto Bi
Since a light amount monitoring function is provided for the “As Control”, if this is used as a signal for monitoring the incident light amount, there is no need to separately install the incident light monitoring device 8.

【0024】変調周波数としては、0.5〜10MHz
が好ましく、特に0.5〜5MHzが好ましい。変調周
波数が0.5MHz未満では突起とヘッドの接触面積が
大きくなる。また、10MHzを超えると隣り合った突
起が干渉し、独立した突起の作成が困難となる。また、
パルス幅(1つの凹凸部を形成するのに必要な照射時
間)は40nsec〜100μsecが好ましく、50
nsec〜2μsecが特に好ましい。パルス幅が大き
くなると突起が連続し、ヘッドとの接触面積が大きくな
る。
The modulation frequency is 0.5 to 10 MHz
Is particularly preferable, and 0.5 to 5 MHz is particularly preferable. If the modulation frequency is less than 0.5 MHz, the contact area between the protrusion and the head increases. If the frequency exceeds 10 MHz, adjacent projections interfere with each other, and it is difficult to form independent projections. Also,
The pulse width (irradiation time required to form one uneven portion) is preferably 40 nsec to 100 μsec, and 50 μsec.
Particularly preferred is nsec to 2 μsec. As the pulse width increases, the projections continue, and the contact area with the head increases.

【0025】偏光ビームスプリッター3及び1/4λ板
4は基板6からの反射光を入射光軸から分離するために
用いられる。その原理は以下に示す通りである。レーザ
光としては直線偏光しているものを使用する。ガスレー
ザの場合はもともと直線偏光しているのでそのまま使用
できるが、半導体レーザ等直線偏光していないものは、
偏光板等で直線偏光にすることとする。入射光の直線偏
光の方向は偏光ビームスプリッター3を透過する方向に
設定される。1/4λ板の方向は直線偏光を円偏光に変
換する方向に設定される。円偏光に変換されたレーザビ
ームはディスクで反射した際に回転方向が逆になるた
め、反射光が再度1/4λ板を透過し直線偏光となる際
には入射光と偏光角が90度異なる。従って反射光は偏
光ビームスプリッターを透過せず、90度光軸が曲げら
れ、反射光を入射光軸から分離することができる。
The polarizing beam splitter 3 and the 4λ plate 4 are used to separate the reflected light from the substrate 6 from the incident optical axis. The principle is as follows. A laser beam that is linearly polarized is used as the laser beam. In the case of a gas laser, it is originally linearly polarized and can be used as it is.
Linear polarization is performed by a polarizing plate or the like. The direction of the linearly polarized light of the incident light is set to the direction of transmission through the polarization beam splitter 3. The direction of the 4λ plate is set to a direction that converts linearly polarized light into circularly polarized light. The direction of rotation of the laser beam converted to circularly polarized light is reversed when reflected by the disk, so that when the reflected light again passes through the 4λ plate and becomes linearly polarized light, the polarization angle differs from the incident light by 90 degrees. . Therefore, the reflected light does not pass through the polarizing beam splitter, the optical axis is bent by 90 degrees, and the reflected light can be separated from the incident optical axis.

【0026】集光機構5は、対物レンズとオートフォー
カス(AF)システムとを組み合わせてなる。対物レン
ズの手前にビームエキスパンダを設けて対物レンズの有
効径に等しい程度までビーム径を広げることが鮮明なス
ポットを形成させるために好ましい。レンズの有効径
は、通常、レンズ径の50〜80%程度である。
The light collecting mechanism 5 is formed by combining an objective lens and an auto focus (AF) system. It is preferable to provide a beam expander in front of the objective lens and to increase the beam diameter to an extent equal to the effective diameter of the objective lens in order to form a clear spot. The effective diameter of the lens is usually about 50 to 80% of the lens diameter.

【0027】基板に微小な凹凸部を均一に設けるために
は、基板に照射されるレーザビームのスポット径、均一
性およびシャープネスは重要なファクターである。スポ
ット径としては0.2〜4μm、中でも0.2〜2μm
が好ましい。(なお、スポット径は、光中央部の最高強
度のe-2に強度が低下する円の直径を表すものとす
る。)また、対物レンズの開口率をNA、レーザビーム
の波長をλとしたとき、NAが0.3〜0.8であり、
かつλ/NAが0.16〜3.3であることが好まし
い。
In order to uniformly provide minute irregularities on the substrate, the spot diameter, uniformity and sharpness of the laser beam applied to the substrate are important factors. The spot diameter is 0.2-4 μm, especially 0.2-2 μm
Is preferred. (Note that the spot diameter indicates the diameter of a circle whose intensity is reduced to e- 2, which is the highest intensity at the central portion of the light.) The numerical aperture of the objective lens is NA, and the wavelength of the laser beam is λ. When NA is 0.3 to 0.8,
And it is preferable that (lambda) / NA is 0.16-3.3.

【0028】スポットのシャープさの点から、対物レン
ズの焦点距離としては20mm以下、特に5mm以下で
あることが好ましい。なお、この様な焦点距離の場合、
基板と対物レンズとは、極めて近接した配置をとるた
め、基板の安定的な着脱および回転ならびに高速回転を
可能にし、かつ対物レンズの移動運動を妨げないだけの
十分な形状を有することが好ましく、基板上面とスピン
ドルの回転軸の先端の距離が、基板上面と対物レンズと
の距離(ワーキングディスタンス)に対して、0.8以
下とくに0.6以下の割合で基板面から張り出している
ことが好ましい。ワーキングディスタンスは、通常10
mm以下となる。加えて、スピンドルの回転軸の基板裏
面近傍に切り欠き部を設け、対物レンズを安定して移動
運動させることが好ましい。
From the viewpoint of the sharpness of the spot, the focal length of the objective lens is preferably 20 mm or less, particularly preferably 5 mm or less. In the case of such a focal length,
Since the substrate and the objective lens are arranged very close to each other, it is preferable that the substrate and the objective lens have a sufficient shape that enables stable attachment / detachment and rotation of the substrate and high-speed rotation, and does not hinder the movement of the objective lens, It is preferable that the distance between the upper surface of the substrate and the tip of the rotation axis of the spindle protrudes from the substrate surface at a ratio of 0.8 or less, particularly 0.6 or less with respect to the distance (working distance) between the substrate upper surface and the objective lens. . Working distance is usually 10
mm or less. In addition, it is preferable that a notch is provided near the back surface of the substrate on the rotation axis of the spindle to stably move the objective lens.

【0029】対物レンズとして非球面レンズを使用する
ことにより、レンズの重量を軽減し、かつ、光透過率を
アップし、ワーキングディスタンスを広げることができ
る。基板のうねりやスピンドルの軸ぶれなどにより対物
レンズと基板との距離が変動するので、スポット径を一
定に保つために集光機構は更にオートフォーカス(A
F)機構を有することが好ましい。特に、オートフォー
カス機構の応答周波数は90Hz以上であることが好ま
しい。
By using an aspherical lens as the objective lens, the weight of the lens can be reduced, the light transmittance can be increased, and the working distance can be widened. Since the distance between the objective lens and the substrate fluctuates due to the waviness of the substrate or the shaft movement of the spindle, the focusing mechanism is further equipped with an autofocus (A
F) It is preferable to have a mechanism. In particular, the response frequency of the autofocus mechanism is preferably 90 Hz or more.

【0030】応答周波数が小さくなると、ビームスポッ
トの大きさがばらつき、突起の大きさや高さが不均一と
なる。また、面ぶれ学習機能、すなわち、レーザ照射を
行った部分でのAF制御の実績を例えばフィードフォワ
ード的にディスクの回転に同期させてAF制御に活か
し、AF機構の制御効率を高めることが好ましい。
When the response frequency decreases, the size of the beam spot varies, and the size and height of the projection become non-uniform. In addition, it is preferable to improve the control efficiency of the AF mechanism by utilizing the result of the surface shake learning function, that is, the AF control result in the portion where the laser irradiation has been performed, in the AF control in a feedforward manner in synchronization with the rotation of the disk, for example.

【0031】基板回転機構7と集光機構5とを相対移動
させる機構12としては、リニアスライダーが好適であ
り、このリニアスライダーの移動速度(基板6の径方向
への相対的な移動速度)は0.03〜60mm/sec
程度が好ましい。なお、前述の通り、この移動機構12
は集光機構5を移動させるものであっても良く、基板回
転機構7を移動するものであっても良く、双方を移動さ
せるものであっても良い。
As the mechanism 12 for relatively moving the substrate rotating mechanism 7 and the light condensing mechanism 5, a linear slider is suitable, and the moving speed of the linear slider (the relative moving speed of the substrate 6 in the radial direction) is as follows. 0.03 to 60 mm / sec
The degree is preferred. As described above, the moving mechanism 12
May move the condensing mechanism 5, may move the substrate rotating mechanism 7, or may move both.

【0032】ビームと基板6の相対移動速度は、遅すぎ
るとCSS特性の向上が困難となり、速すぎると突起と
ヘッドとの接触面積が大きくなるため、CSS特性が良
好となるように選定される。通常は、ビームの照射面上
での相対走査速度として、2m/s以上、中でも2〜5
0m/sとするのが好ましい。このような相対速度とな
るように基板6は、基板回転機構7の例えばスピンドル
モータの回転軸に支持され、一定の回転数または線速度
で回転させられる。なお、通常の場合、基板の回転数は
900〜7200rpmが好ましく、特に1800rp
m以上が好ましく、3600rpm以上が最も好まし
い。
If the relative movement speed between the beam and the substrate 6 is too slow, it is difficult to improve the CSS characteristics, and if it is too fast, the contact area between the projection and the head becomes large, so that the CSS characteristics are selected to be good. . Usually, the relative scanning speed of the beam on the irradiation surface is 2 m / s or more, especially 2 to 5 msec.
It is preferably 0 m / s. The substrate 6 is supported on a rotating shaft of a spindle motor of the substrate rotating mechanism 7 so as to have such a relative speed, and is rotated at a constant rotation speed or linear speed. In a normal case, the number of rotations of the substrate is preferably 900 to 7200 rpm, particularly 1800 rpm.
m or more is preferable, and 3600 rpm or more is most preferable.

【0033】また、スピンドルモータの回転軸がぶれる
と、面ぶれが大きくなり、焦点が絞り難くなり、突起形
状がばらつき、場合によっては所望の突起形状が得られ
なくなることから、ぶれは±25μm未満であることが
好ましい。
If the rotating shaft of the spindle motor is shaken, the surface shake becomes large, the focus becomes difficult to stop, and the projection shape varies, and in some cases, a desired projection shape cannot be obtained. It is preferred that

【0034】図1のテキスチャ装置には、基板の表面に
同一又は異なった間隔の一定パターンで微小突起を形成
する手段として、レーザビームの変調タイミングを制御
するタイミング制御部11が備えられる。
The texture apparatus shown in FIG. 1 is provided with a timing control section 11 for controlling the modulation timing of a laser beam as a means for forming minute projections on the surface of the substrate in a constant pattern at the same or different intervals.

【0035】すなわち、例えば通常採用される同一間隔
で微小突起を形成する際、移動機構12及び基板回転機
構7の定速運転により、一定回転数一定速度で基板6を
移動させた場合、基板表面に形成される微小突起の間隔
は外周に向かうに従って広くなる。そこで、基板上のレ
ーザビームスポット位置を確認し、このスポット位置信
号に応じて、タイミング制御部11によってレーザビー
ムの変調タイミング(照射時間)を制御し、基板表面に
形成される微小突起の間隔を一定にする。このレーザビ
ームスポットの位置を検出するための機構としては、例
えば、レーザ変位計、エンコーダ等を利用することがで
きる。
That is, for example, when forming the fine projections at the same interval which is usually adopted, when the substrate 6 is moved at a constant rotation speed and a constant speed by the constant speed operation of the moving mechanism 12 and the substrate rotating mechanism 7, The interval between the minute projections formed on the surface becomes wider toward the outer periphery. Therefore, the laser beam spot position on the substrate is checked, and the modulation timing (irradiation time) of the laser beam is controlled by the timing control unit 11 in accordance with the spot position signal, and the interval between the minute projections formed on the substrate surface is reduced. Keep it constant. As a mechanism for detecting the position of the laser beam spot, for example, a laser displacement meter, an encoder, or the like can be used.

【0036】なお、レーザビームの変調タイミングを制
御せずに、移動機構12及び基板回転機構7の速度制御
を行ってもよい。
The speed control of the moving mechanism 12 and the substrate rotating mechanism 7 may be performed without controlling the modulation timing of the laser beam.

【0037】図2に示す凹凸部の形状を均一にするため
には、レーザビームのスポット位置がディスクの径方向
において変化しても、集光機構と基板回転機構の相対移
動に基づくレーザスポットの掃引距離を一定にすること
が好ましく、その場合、パルス幅、または、基板の回転
数を照射位置に応じて変化させることが好ましい。
In order to make the shape of the concavo-convex portion shown in FIG. 2 uniform, even if the spot position of the laser beam changes in the radial direction of the disk, the laser spot of the laser beam based on the relative movement of the condensing mechanism and the substrate rotating mechanism. It is preferable to keep the sweep distance constant. In this case, it is preferable to change the pulse width or the number of rotations of the substrate according to the irradiation position.

【0038】スピンドル回転数を一定とする場合、レー
ザスポットの半径方向の位置を計測手段で計測し、該計
測手段によって計測された半径方向のそれぞれの位置に
対してレーザスポットの掃引距離を一定とするパルス幅
を演算手段で演算し、この演算結果に基づきレーザビー
ムを変調する。
When the spindle speed is constant, the position of the laser spot in the radial direction is measured by the measuring means, and the sweep distance of the laser spot is constant for each position in the radial direction measured by the measuring means. The calculated pulse width is calculated by the calculation means, and the laser beam is modulated based on the calculation result.

【0039】また、パルス幅を一定とする場合にあって
は、レーザスポットの半径方向の位置を計測手段で計測
し、該計測手段によって計測された半径方向のそれぞれ
の位置に対してレーザスポットの掃引距離を一定とする
スピンドル回転数を演算手段で演算し、この演算結果に
基づいてレーザビームを変調する。
When the pulse width is constant, the position of the laser spot in the radial direction is measured by measuring means, and the position of the laser spot is measured with respect to each position in the radial direction measured by the measuring means. The arithmetic unit calculates the spindle rotation speed for keeping the sweep distance constant, and modulates the laser beam based on the calculation result.

【0040】このようなテキスチャ装置を使用して磁気
ディスク基板表面のテキスチャ加工を行う場合、高さが
1〜100nmの微小突起と該微小突起に隣接した凹穴
とからなる図2の如き凹凸部が1mm2 当たり101
108 個好ましくはCSSゾーンに同一間隔で形成され
るように入射光量及び反射光量がモニタリングされるの
が好ましい。とくに、各突起の頂点から1nm下の高さ
における等高線で囲まれた図形の面積の平均値が1μm
2 以下である比較的急峻なものが得られるようにモニタ
リングされるのが好ましい。
When texturing of the surface of a magnetic disk substrate is performed using such a texture device, an uneven portion as shown in FIG. 2 composed of minute projections having a height of 1 to 100 nm and concave holes adjacent to the minute projections is used. Is 10 1 per mm 2
10 8 preferably is preferably the amount of incident light and reflected light as formed at the same interval in the CSS zone is monitored. In particular, the average value of the area of the figure surrounded by the contour at a height 1 nm below the vertex of each projection is 1 μm.
It is preferable to monitor so as to obtain a relatively steep value of 2 or less.

【0041】このような凹凸部を有した基板は、後述の
実施例からも明らかな通り、良好なCSS特性およびス
ティッキング特性を有すると共に、磁気ヘッドの低浮上
化を可能とする。
The substrate having such irregularities has good CSS characteristics and sticking characteristics as well as low flying height of the magnetic head, as is clear from the examples described later.

【0042】モニター装置8,10でモニタリングされ
る入射光量及び反射光量を所定の範囲内にあるようにす
ることにより、レーザ光源のパワー変動、オートフォー
カス機構の異常等を検知することができるため、個々の
突起高さを測定せずとも、形成される凹凸部の該突起高
さや凹穴深さを管理することが可能となる。
By setting the amount of incident light and the amount of reflected light monitored by the monitoring devices 8 and 10 within a predetermined range, power fluctuation of the laser light source, abnormality of the autofocus mechanism, and the like can be detected. Even without measuring the height of each projection, it is possible to manage the height of the projection and the depth of the concave hole of the formed uneven portion.

【0043】図2に示される微小突起とそれに隣接した
凹穴とからなる凹凸部を形成するには、レーザビームの
出力を適正とすることが重要である。このレーザビーム
出力は、基板の表面材質などによって多少異なるが、通
常の場合、照射面において50〜2000mW、とりわ
け50〜1000mW、特に50〜400mWの範囲の
光源を使用するのが好ましい。50mW未満では突起の
形成が困難であり、2000mWを超えるとCSS特性
の優れたテキスチャ加工が困難となる。また、連続出力
が可能なレーザを使用することが好ましい。
In order to form the concave and convex portion composed of the fine protrusion and the concave hole adjacent to the fine protrusion shown in FIG. 2, it is important to make the output of the laser beam appropriate. The laser beam output varies somewhat depending on the surface material of the substrate and the like, but it is generally preferable to use a light source in the range of 50 to 2000 mW, particularly 50 to 1000 mW, particularly 50 to 400 mW on the irradiation surface. If it is less than 50 mW, it is difficult to form protrusions, and if it exceeds 2000 mW, it becomes difficult to perform texture processing with excellent CSS characteristics. Further, it is preferable to use a laser capable of continuous output.

【0044】典型的なNi−P層の場合、50〜700
mW、とくに50〜700mWの光源を用いるのが好ま
しく、平均照射時間は0.04〜100μsecが好ま
しい。この平均照射時間とは、1個の突起を形成させる
のに必要な照射時間を示す。
For a typical Ni-P layer, 50-700
It is preferable to use a light source of mW, especially 50 to 700 mW, and the average irradiation time is preferably 0.04 to 100 μsec. The average irradiation time indicates the irradiation time required to form one projection.

【0045】なお、レーザビームの出力が上記の範囲を
超える場合は、米国特許第5,062,021号明細書
に記載されている、凹穴の周囲を凸部が環状に取り巻い
たクレータ状の凹凸部が形成される。このようなクレー
タ状の凹凸部は、磁気ディスクと磁気ヘッドとのスティ
ッキング問題に対しては不十分である。なお、Ni−P
層の厚さは、50〜20000nm、好ましくは100
〜15000nmの範囲とするのがよい。
When the output of the laser beam exceeds the above-mentioned range, a crater-like structure in which a convex portion surrounds a concave hole in a circular shape described in US Pat. No. 5,062,021 is used. An uneven portion is formed. Such a crater-shaped uneven portion is insufficient for the problem of sticking between the magnetic disk and the magnetic head. In addition, Ni-P
The thickness of the layer is between 50 and 20000 nm, preferably 100
It is good to make it the range of-15000 nm.

【0046】本発明において、基板としては、サブスト
レイトと呼ばれている基板、すなわち、Al合金、例え
ば、Al−Mg合金などの基板の表面にNi−Pの無電
解メッキ下地層を設け、当該下地層に鏡面加工(ポリッ
シュ加工)を施した基板またはガラス基板、ケイ素基板
などが挙げられるが、銅、チタン等の他の金属基板、カ
ーボン基板、セラミック基板、樹脂基板などを使用する
こともできる。なお、この基板上に下地層、磁性層、保
護層、潤滑剤層などの各層を設けた後の状態であって
も、その過程のもの(これらの層のうち1又は2以上の
ものだけを設けたもの)であっても本発明によってテキ
スチャ加工できる。
In the present invention, an Ni-P electroless plating base layer is provided on the surface of a substrate called a substrate, that is, a substrate made of an Al alloy, for example, an Al-Mg alloy. A substrate or a glass substrate, a silicon substrate, or the like having a base layer subjected to mirror finishing (polishing) can be used, but other metal substrates such as copper and titanium, a carbon substrate, a ceramic substrate, and a resin substrate can also be used. . Even after the layers such as the underlayer, the magnetic layer, the protective layer, and the lubricant layer are provided on the substrate, those in the process (only one or two or more of these layers may be used) Provided) can be textured by the present invention.

【0047】[0047]

【実施例】【Example】

[実施例1]直径95mmのディスク状Al合金基板表面
に膜厚15μmのNi−P無電解メッキを施した後、表
面粗さ(Ra)が1nm以下となる様に表面研磨を行っ
てディスク基板を得、その片面について図1のテキスチ
ャ装置を用いてテキスチャ加工した。
Example 1 A disk-shaped Al alloy substrate having a diameter of 95 mm was subjected to Ni-P electroless plating with a thickness of 15 μm and then polished so that the surface roughness (Ra) became 1 nm or less. Was textured on one side using the texture device of FIG.

【0048】なお、レーザビーム光源にはArガスレー
ザビームチューブ(波長488nm、最大出力2W)、
変調器には電気光学変調素子(応答周波数:2MHz、
立ち上がり時間:15ns)を使用した。入射光量及び
反射光量の変動率は±1%以下であった。集光機構は、
ビームスプリッタキューブとオートフォーカスシステム
を組み合わせた対物レンズとの組み合わせとして構成し
た。
As a laser beam light source, an Ar gas laser beam tube (wavelength 488 nm, maximum output 2 W),
The modulator has an electro-optic modulator (response frequency: 2 MHz,
(Rise time: 15 ns). The fluctuation rate of the incident light amount and the reflected light amount was ± 1% or less. The light collection mechanism
It was configured as a combination of an objective lens combining a beam splitter cube and an autofocus system.

【0049】その他の条件は次の通りとした。The other conditions were as follows.

【0050】レーザビーム出力:400mW パルス幅:0.156μsec ビームスポット径:1μm オートフォーカス応答周波数:180Hz 基板回転数:2400rpm リニアスライダーの移動速度(相対速度):0.6mm
/sec ビームの照射面上の相対走査速度:4.8m/s レーザ干渉による表面形状測定装置(米国ザイゴ社製
「ZYGO」)により、突起高さのばらつきをσで評価
した。テキスチャ加工後の基板の表面形状を観察した結
果は、凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状
の微小突起が形成されているのが確認された。また、平
均突起密度は9260個/mm2 、平均突起高さは33
nm、頂点から1nm下の高さにおける等高線で囲まれ
た図形の面積の平均値は0.12μm2 であった。
Laser beam output: 400 mW Pulse width: 0.156 μsec Beam spot diameter: 1 μm Auto focus response frequency: 180 Hz Substrate rotation speed: 2400 rpm Moving speed (relative speed) of linear slider: 0.6 mm
The relative scanning speed on the irradiation surface of the / sec beam: 4.8 m / s The variation in the height of the protrusions was evaluated by σ using a surface shape measuring device (“ZYGO” manufactured by Zigo, USA) using laser interference. As a result of observing the surface shape of the substrate after the texture processing, it was confirmed that minute projections having a shape having a concave portion connected to the convex portion were formed near the convex portion. The average projection density was 9260 / mm 2 and the average projection height was 33.
The average value of the area of the figure surrounded by the contour line at a height of 1 nm below the vertex in nm was 0.12 μm 2 .

【0051】スパッタ法により、上記の基板表面に順次
Cr中間層(厚さ100nm)、Co−Cr−Ta合金
磁性層(厚さ50nm)、カーボン保護層(厚さ20n
m)を形成し、カーボン保護層の表面に厚さ2nmのフ
ッ素系液体潤滑剤(モンテエジソン社製「DOL−20
00」)を浸漬塗布して磁気ディスクを得た。
By a sputtering method, a Cr intermediate layer (thickness: 100 nm), a Co—Cr—Ta alloy magnetic layer (thickness: 50 nm), and a carbon protective layer (thickness: 20 nm) were sequentially formed on the above substrate surface.
m), and a 2 nm-thick fluorinated liquid lubricant (“DOL-20” manufactured by Monte Edison Co., Ltd.) is formed on the surface of the carbon protective layer.
00 ") by dip coating to obtain a magnetic disk.

【0052】上記の磁気ディスクについて、CSSテス
ト前の静止摩擦係数(初期スティクション)及びCSS
2万回後の摩擦力を測定した。CSSテストは、ロード
グラム6gfの薄膜ヘッド(スライダ材質:Al2 3
TiC)を使用し、ヘッド浮上量2μインチの条件で行
った。また、グライドテスターを使用し、データゾーン
とCSSゾーンの間のシーク時におけるヘッドの浮上安
定高さを評価した。結果を表1に示す。
For the above magnetic disk, the static friction coefficient (initial stiction) and CSS before the CSS test
The friction force after 20,000 times was measured. The CSS test was performed on a thin film head with a load gram of 6 gf (slider material: Al 2 O 3
Using TiC), the head flying height was 2 μ inch. Further, a glide tester was used to evaluate the flying height of the head at the time of seeking between the data zone and the CSS zone. Table 1 shows the results.

【0053】[比較例1]レーザ光源を故意に不安定に
し、入射光量の変動率を±10%にした以外は実施例1
と同様に微小突起を生成して評価した。結果を表1に示
す。
Comparative Example 1 Example 1 except that the laser light source was intentionally made unstable and the variation rate of the incident light amount was set to ± 10%.
In the same manner as described above, a micro projection was formed and evaluated. Table 1 shows the results.

【0054】[比較例2]オートフォーカス系を故意に不
調にし、反射光量の変動率を±10%にした以外は実施
例1と同様に微小突起を生成して評価した。結果を表1
に示す。
[Comparative Example 2] Microprojections were formed and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the autofocus system was intentionally out of order and the variation in the amount of reflected light was set to ± 10%. Table 1 shows the results
Shown in

【0055】[0055]

【表1】 [Table 1]

【0056】表1の通り、入射光及び反射光の変動率が
小さい場合、突起高さばらつきが小さく、初期スティク
ション、摩擦力及び浮上高さのいずれにおいてもきわめ
て優れたものとなる。
As shown in Table 1, when the fluctuation rate of the incident light and the reflected light is small, the variation in the height of the protrusion is small, and the initial stiction, the frictional force and the flying height are extremely excellent.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、レーザビ
ームを利用し、基板のテキスチャ加工を行う際に、生成
される微小突起の高さが所定範囲となるように管理する
ことが可能となり、テキスチャ加工生産性の安定性が向
上する。また、テキスチャ処理された基板のCSS特性
およびスティッキング特性を向上できると共に、磁気ヘ
ッドの低浮上化を実現することができる。
According to the present invention described above, it is possible to control the height of the generated minute projections to be within a predetermined range when the substrate is textured by using the laser beam. In addition, the stability of texture processing productivity is improved. In addition, the CSS characteristics and sticking characteristics of the textured substrate can be improved, and the flying height of the magnetic head can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のテキスチャ装置の一例を示す構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of a texture device of the present invention.

【図2】基板表面の模式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a substrate surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザビーム発振器 2 変調器 3 偏光ビームスプリッター 4 1/4λ板 5 集光機構 6 基板 7 基板回転機構 8 入射光量モニター装置 9 反射光受光系 10 反射光量モニター装置 11 タイミング制御部 12 移動機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser beam oscillator 2 Modulator 3 Polarization beam splitter 4 1/4 (lambda) plate 5 Condensing mechanism 6 Substrate 7 Substrate rotation mechanism 8 Incident light quantity monitoring apparatus 9 Reflected light receiving system 10 Reflected light quantity monitoring apparatus 11 Timing control part 12 Moving mechanism

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気ディスク基板の表面に微小突起を形
成するためのテキスチャ装置であって、 レーザビーム発振器、該発振器からのレーザビームをO
N/OFF制御する変調器、該変調器からのレーザビー
ムを基板表面に照射する集光機構、及びレーザビームと
基板とを相対的に移動させる移動手段を有するテキスチ
ャ装置において、 レーザビームの基板への入射光量及び基板からの反射光
量を計測するモニター手段を備えたことを特徴とするテ
キスチャ装置。
1. A texture device for forming minute projections on a surface of a magnetic disk substrate, comprising: a laser beam oscillator; and a laser beam from the oscillator.
In a texture device having a modulator for performing N / OFF control, a condensing mechanism for irradiating a laser beam from the modulator onto a substrate surface, and a moving unit for relatively moving the laser beam and the substrate, And a monitor for measuring the amount of incident light and the amount of light reflected from the substrate.
【請求項2】 請求項1において、基板からの反射光
が、該集光機構を通して集光された後、反射光量モニタ
ー手段へ導かれることを特徴とするテキスチャ装置。
2. The texture device according to claim 1, wherein the reflected light from the substrate is condensed through the light condensing mechanism and then guided to a reflected light amount monitoring means.
【請求項3】 請求項2において、反射光を偏光ビーム
スプリッターと1/4λ板により入射光軸から分離した
後、反射光量モニター手段へ導くことを特徴とするテキ
スチャ装置。
3. The texture apparatus according to claim 2, wherein the reflected light is separated from an incident optical axis by a polarizing beam splitter and a λλ plate, and then guided to a reflected light amount monitoring means.
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれか1項におい
て、レーザビームをON/OFF制御する変調器が電気
光学変調素子であり、入射光モニター手段が該電気光学
変調素子の自動バイアス制御用入射光測定器であること
を特徴とするテキスチャ装置。
4. A modulator according to claim 1, wherein the modulator for controlling ON / OFF of the laser beam is an electro-optical modulator, and the incident light monitoring means is for automatic bias control of the electro-optical modulator. A texture device, which is an incident light measuring device.
【請求項5】 請求項1のテキスチャ装置を使用して磁
気ディスク基板に微小突起を形成する際、前記モニター
手段によって測定される入射光量及び反射光量が所定の
範囲内にあるようにすることを特徴とする磁気ディスク
基板のテキスチャ加工方法。
5. The method according to claim 1, wherein when forming the fine protrusions on the magnetic disk substrate using the texture device according to claim 1, the incident light amount and the reflected light amount measured by the monitor means are within a predetermined range. A texture processing method for a magnetic disk substrate.
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Cited By (4)

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