JPH10242097A - Plasma cleaning equipment of substrate - Google Patents

Plasma cleaning equipment of substrate

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JPH10242097A
JPH10242097A JP4751397A JP4751397A JPH10242097A JP H10242097 A JPH10242097 A JP H10242097A JP 4751397 A JP4751397 A JP 4751397A JP 4751397 A JP4751397 A JP 4751397A JP H10242097 A JPH10242097 A JP H10242097A
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plasma
substrate
vacuum chamber
plate
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Tetsuhiro Iwai
哲宏 岩井
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma cleaning equipment having an inside observing means which can excellently observe the whole in a vacuum chamber at the time of plasma generation, and is not affected by plasma. SOLUTION: In the ceiling face of a lid 12 of a vacuum chamber 13, an aperture 12a is formed, on which a transparent plate 15 is fixed. In the lower part isolated from the transparent plate 5 by a specified interval H, a counter electrode 19 constituted of a mesh plate 19b is arranged. Gas is sent in the vacuum chamber 13, and plasma is generated by applying a high frequency voltage to an electrode 17. Thereby the surface of a substrate 8 is subjected to cleaning. In this case, the state of plasma generation is observed through the transparent plate 15, which is shielded from plasma by the mesh plate 19b and so not damaged.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板等の表面のク
リーニングに用いられる基板のプラズマクリーニング装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate plasma cleaning apparatus used for cleaning the surface of a substrate or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】チップの実装方法として、プリント基板
やリードフレームなどの基板上に直接チップを搭載する
方法が知られている。この方法では、チップの搭載後に
チップの電極と基板の電極とをワイヤで接続するワイヤ
ボンディングが行われる。このワイヤボンディングを良
好に行うには、ワイヤが接続される基板の電極表面が清
浄であることが求められる。このため、ワイヤボンディ
ング工程の前に、電極表面を清浄化処理するクリーニン
グが行われる。また、フリップチップの場合には、バン
プを基板の電極に直接ボンディングするので、この場合
も、バンプを基板の電極にボンディングする前に、基板
の電極表面をクリーニングすることが行われる。
2. Description of the Related Art As a method of mounting a chip, a method of mounting a chip directly on a substrate such as a printed circuit board or a lead frame is known. In this method, after the chip is mounted, wire bonding for connecting the electrode of the chip and the electrode of the substrate with a wire is performed. To perform this wire bonding satisfactorily, it is required that the electrode surface of the substrate to which the wires are connected be clean. Therefore, before the wire bonding step, cleaning for cleaning the electrode surface is performed. In the case of a flip chip, since the bumps are directly bonded to the electrodes of the substrate, the surface of the electrodes of the substrate is also cleaned before bonding the bumps to the electrodes of the substrate.

【0003】このような基板のクリーニングの方法とし
て、プラズマクリーニングによる方法が知られている。
この方法は、減圧雰囲気下でプラズマを発生させ、イオ
ンや電子をクリーニング対象物である基板の表面に衝突
させてクリーニングを行うものである。
As a method for cleaning such a substrate, a method using plasma cleaning is known.
According to this method, cleaning is performed by generating plasma in a reduced-pressure atmosphere and causing ions and electrons to collide with the surface of a substrate to be cleaned.

【0004】以下、従来の基板のプラズマクリーニング
装置を図面を参照して説明する。図3は従来の基板のプ
ラズマクリーニング装置の断面図である。図3におい
て、1はベース板である。ベース板1上には図示しない
開閉手段により蓋2が開閉可能に装着されている。ベー
ス板1と蓋2は真空チャンバ3を構成する。蓋2の側面
にはガラス板4と押さえ部材4aよりなるビューポート
5が設けられている。ビューポート5は、外方から真空
チャンバ3の内部を観察するためのものである。またベ
ース1の中央部には電極7が絶縁体6を介して装着され
ている。
Hereinafter, a conventional substrate plasma cleaning apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a sectional view of a conventional substrate plasma cleaning apparatus. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a base plate. A lid 2 is mounted on the base plate 1 so as to be opened and closed by opening and closing means (not shown). The base plate 1 and the lid 2 constitute a vacuum chamber 3. A viewport 5 including a glass plate 4 and a pressing member 4a is provided on a side surface of the lid 2. The viewport 5 is for observing the inside of the vacuum chamber 3 from outside. An electrode 7 is mounted on the center of the base 1 via an insulator 6.

【0005】電極7の上面は真空チャンバ3の底面を構
成する。この真空チャンバ3には図示しない吸排気手段
及びプラズマ発生用ガス供給手段が接続されている。こ
の電極7の上面に、クリーニング対象物である基板8が
載置される。基板8の上方の蓋2の天井部には対向電極
9が装着され、この対向電極9は電気的に接地されてい
る。また電極7は、電源10に接続されている。
[0005] The upper surface of the electrode 7 constitutes the bottom surface of the vacuum chamber 3. The vacuum chamber 3 is connected to an intake / exhaust unit (not shown) and a gas supply unit for generating plasma. A substrate 8 to be cleaned is placed on the upper surface of the electrode 7. A counter electrode 9 is mounted on the ceiling of the lid 2 above the substrate 8, and the counter electrode 9 is electrically grounded. The electrode 7 is connected to a power supply 10.

【0006】以下、従来の基板のプラズマクリーニング
装置の動作を説明する。図3において、電極7上に基板
8が載置される。この状態で図示しない開閉手段により
蓋2が閉じられ、真空チャンバ3は密封される。次に図
示しない排気手段により真空チャンバ3の内部が減圧さ
れ、次いでアルゴンガスなどのプラズマ発生用ガスが真
空チャンバ3に導入される。次に、電源10により電極
7に高周波電圧が印加されると、電極7と対向電極9の
間にプラズマが発生する。図3の破線矢印で示すよう
に、イオンおよび電子が基板8の表面に衝突することに
より、基板8の表面のクリーニングが行われる。
Hereinafter, the operation of the conventional substrate plasma cleaning apparatus will be described. In FIG. 3, a substrate 8 is placed on an electrode 7. In this state, the lid 2 is closed by opening / closing means (not shown), and the vacuum chamber 3 is sealed. Next, the inside of the vacuum chamber 3 is depressurized by an exhaust means (not shown), and then a plasma generating gas such as an argon gas is introduced into the vacuum chamber 3. Next, when a high frequency voltage is applied to the electrode 7 by the power supply 10, plasma is generated between the electrode 7 and the counter electrode 9. As shown by broken arrows in FIG. 3, the surface of the substrate 8 is cleaned by collision of ions and electrons with the surface of the substrate 8.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このプラズマクリーニ
ング装置による基板8のクリーニングは、真空チャンバ
3の内部にプラズマが正常に発生することが前提条件で
ある。したがって、このプラズマの発生状況を確認する
ため、真空チャンバ3の内部の状況を観察するビューポ
ート5が設けられている。
The cleaning of the substrate 8 by the plasma cleaning apparatus is based on the precondition that plasma is normally generated inside the vacuum chamber 3. Therefore, a viewport 5 for observing the state inside the vacuum chamber 3 is provided to confirm the state of generation of the plasma.

【0008】しかしながら、従来のプラズマクリーニン
グ装置の内部観察用のビューポート5は、図3に示すよ
うに真空チャンバ3の側面に設けられており、その位置
的及びサイズ的な制約から、視認可能な視野範囲が限定
されるという問題点があった。
However, the view port 5 for observing the inside of the conventional plasma cleaning apparatus is provided on the side surface of the vacuum chamber 3 as shown in FIG. 3, and is viewable due to its location and size restrictions. There is a problem that the visual field range is limited.

【0009】そこで本発明は、真空チャンバ内の観察が
良好に行える内部観察手段を備えた基板のプラズマクリ
ーニング装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a plasma cleaning apparatus for a substrate provided with an internal observation means capable of satisfactorily observing the inside of a vacuum chamber.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の基板のプラズマ
クリーニング装置は、ベース板およびこのベース板上に
設けられ、かつ接地電極を兼ねる蓋よりなる真空チャン
バと、蓋を開閉する開閉手段と、真空チャンバの下部に
設けられた電極と、真空チャンバ内を減圧する吸排気手
段と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給する
プラズマ発生用ガス供給手段とを備えた基板のプラズマ
クリーニング装置であって、前記蓋の天井部に透明板を
装着し、かつこの透明板の下方にこの透明板をシールド
する金属製のメッシュプレートを配設し、このメッシュ
プレートが前記蓋と導通して接地電極を兼ねるようにし
た。
According to the present invention, there is provided a plasma cleaning apparatus for a substrate, comprising: a base plate; a vacuum chamber provided on the base plate and serving as a ground electrode; and an opening / closing means for opening and closing the cover. A plasma cleaning apparatus for a substrate, comprising: an electrode provided at a lower portion of a vacuum chamber; suction / exhaust means for reducing the pressure in the vacuum chamber; and plasma supply gas supply means for supplying a plasma generation gas into the vacuum chamber. A transparent plate is mounted on the ceiling of the lid, and a metal mesh plate for shielding the transparent plate is provided below the transparent plate, and the mesh plate conducts with the lid to form a ground electrode. I tried to double.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、蓋の
天井面から透明板とメッシュプレートを通して真空チャ
ンバ内部の広い範囲を視認できる。また、透明板はメッ
シュプレートによりシールドされるため真空チャンバ内
のプラズマによる悪影響を受けない。
According to the present invention having the above structure, a wide area inside the vacuum chamber can be visually recognized from the ceiling surface of the lid through the transparent plate and the mesh plate. Further, since the transparent plate is shielded by the mesh plate, it is not adversely affected by the plasma in the vacuum chamber.

【0012】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形
態の基板のプラズマクリーニング装置の斜視図、図2は
同基板のプラズマクリーニング装置の断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the plasma cleaning apparatus for the same substrate.

【0013】まず図1を参照して基板のプラズマクリー
ニング装置の全体構造を説明する。図1において11は
ベース板であり、フレーム11b上に装着されている。
ベース板11上には略箱形状の蓋12が設けられ、ベー
ス板11と蓋12とで真空チャンバ13を構成する。蓋
12は、開閉手段であるリフタ14に装着されている。
リフタ14にはモータ14aが備えられている。モータ
14aを駆動することにより、蓋12は上下動し、真空
チャンバ13の開閉が行われる。
First, the overall structure of a plasma cleaning apparatus for a substrate will be described with reference to FIG. In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base plate, which is mounted on a frame 11b.
A substantially box-shaped lid 12 is provided on the base plate 11, and the base plate 11 and the lid 12 constitute a vacuum chamber 13. The lid 12 is mounted on a lifter 14 serving as an opening / closing unit.
The lifter 14 is provided with a motor 14a. By driving the motor 14a, the lid 12 moves up and down, and the vacuum chamber 13 is opened and closed.

【0014】蓋12の天井面には透明板15が押さえ部
材15aによって装着されている。ベース板11の上面
にはガスケット21が装着されており、ベース板11の
上面と蓋12との当接部を真空シールする。またベース
板11の中央には電極17が装着されている。電極17
の上面にはクリーニング対象物である基板8が載置され
る。
A transparent plate 15 is mounted on the ceiling surface of the lid 12 by a pressing member 15a. A gasket 21 is mounted on the upper surface of the base plate 11, and a contact portion between the upper surface of the base plate 11 and the lid 12 is vacuum-sealed. An electrode 17 is mounted at the center of the base plate 11. Electrode 17
A substrate 8 to be cleaned is placed on the upper surface of the substrate.

【0015】真空チャンバ13のベース11板には吸排
気ポート22及びプラズマガス供給ポート23が開口し
ている。吸排気ポート22は、配管22aを介して吸排
気手段24に接続され、真空チャンバ13内の減圧及び
真空破壊のための吸排気を行う。プラズマガス供給ポー
ト23は、配管23aを介してアルゴンガス等のプラズ
マ発生用ガス供給手段25に接続され、真空チャンバ1
3内にプラズマを発生させるためのガスを供給する。
An intake / exhaust port 22 and a plasma gas supply port 23 are opened in the base 11 plate of the vacuum chamber 13. The intake / exhaust port 22 is connected to an intake / exhaust unit 24 via a pipe 22a, and performs intake / exhaust for reducing the pressure in the vacuum chamber 13 and breaking the vacuum. The plasma gas supply port 23 is connected to a gas supply means 25 for plasma generation such as argon gas through a pipe 23a,
A gas for generating a plasma is supplied into 3.

【0016】ベース板11及び電極17の上面には連続
した基板の搬送溝26a、26bが設けられている。ま
た、ベース板11の前方には基板8の搬送アーム27が
配設されている。搬送アーム27はスライダ28に装着
されている。スライダ28はベルト29に結合されてい
る。従って、ベルト29が図示しない駆動手段により駆
動されると、搬送アーム27は、水平方向に移動する。
また搬送アーム27の基端部はスライダ28に設けられ
たピン30に軸着されており、図示しない手段に駆動さ
れてピン30を中心に回転する。搬送アーム27の先端
部は下方に屈曲して爪27aとなっている。爪27aが
下降した状態で搬送アーム27を水平移動させると、爪
27aが基板8の端部を搬送溝26a,26b上で押送
する。これにより、基板8は真空チャンバ13内へ搬入
され、また真空チャンバ13から送り出される。
On the upper surfaces of the base plate 11 and the electrodes 17, there are provided transfer grooves 26a and 26b for continuous substrates. A transfer arm 27 for the substrate 8 is disposed in front of the base plate 11. The transfer arm 27 is mounted on a slider 28. The slider 28 is connected to a belt 29. Therefore, when the belt 29 is driven by a driving unit (not shown), the transport arm 27 moves in the horizontal direction.
The base end of the transfer arm 27 is pivotally mounted on a pin 30 provided on a slider 28, and is rotated about the pin 30 by driving means (not shown). The tip of the transfer arm 27 is bent downward to form a claw 27a. When the transfer arm 27 is moved horizontally with the claw 27a lowered, the claw 27a pushes the end of the substrate 8 on the transfer grooves 26a and 26b. Thereby, the substrate 8 is carried into the vacuum chamber 13 and sent out of the vacuum chamber 13.

【0017】次に図2を参照して真空チャンバ13の構
造を説明する。図2において、ベース板11の中央部に
は貫通孔11aが設けられている。貫通孔11aには電
極17がベース11板の下面より挿入され、絶縁体16
を介してベース11板の下面に装着されている。ベース
板11、絶縁体16、電極17のそれぞれの接触面はシ
ール31により密封される。電極17の上面は基板8の
搬送のための搬送溝26を兼ねており、基板8はその搬
送溝26内に載置される。また、電極17は電源20に
接続され、必要時に高周波電圧が印加される。
Next, the structure of the vacuum chamber 13 will be described with reference to FIG. In FIG. 2, a through hole 11 a is provided in the center of the base plate 11. An electrode 17 is inserted into the through-hole 11a from the lower surface of the base 11 plate.
Is mounted on the lower surface of the base 11 plate via the. The contact surfaces of the base plate 11, the insulator 16, and the electrode 17 are sealed by a seal 31. The upper surface of the electrode 17 also serves as a transfer groove 26 for transferring the substrate 8, and the substrate 8 is placed in the transfer groove 26. The electrode 17 is connected to a power supply 20, and a high-frequency voltage is applied when necessary.

【0018】蓋12の天井部分には開口12aが設けら
れている。この開口12aは、サイズ的には許容される
範囲でできる限り大きなものとする。開口12aには透
明板15が押さえ部材15aにより装着されている。透
明板15と蓋12との接触面はシール32により密封さ
れる。透明板15から所定の間隔Hを隔てた下方には、
開口12aの形状に合わせて対向電極19が装着されて
いる。対向電極19は金属枠19aにメッシュプレート
19bを固着した構造となっている。メッシュプレート
19bは金属の薄板に多数の孔を設けたもので、十分に
透視できるものである。対向電極19は蓋12を介して
電気的に接地されており、接地電極として機能する。
An opening 12a is provided in the ceiling of the lid 12. The opening 12a is made as large as possible within an allowable range in size. A transparent plate 15 is attached to the opening 12a by a pressing member 15a. The contact surface between the transparent plate 15 and the lid 12 is sealed by a seal 32. Below the transparent plate 15 at a predetermined distance H,
The counter electrode 19 is mounted according to the shape of the opening 12a. The counter electrode 19 has a structure in which a mesh plate 19b is fixed to a metal frame 19a. The mesh plate 19b is provided with a large number of holes in a thin metal plate and can be sufficiently seen through. The counter electrode 19 is electrically grounded via the lid 12, and functions as a ground electrode.

【0019】この基板のプラズマクリーニング装置は上
記のような構成より成り、以下その動作について説明す
る。図1において、電極17上に基板8が載置される。
この状態でリフタ14により蓋12が閉じられ、真空チ
ャンバ13は密封される。次に吸排気手段24が駆動
し、真空チャンバ13の内部が減圧される。次いでプラ
ズマ発生用ガス供給手段25が駆動し、アルゴンガスな
どのプラズマ発生用ガスが真空チャンバ13に導入され
る。次に、図2に示す電源20により電極17に高周波
電圧が印加されると、電極17と対向電極19の間にプ
ラズマが発生する。図2において下向きの破線矢印で示
すように、イオンおよび電子が基板8の表面に衝突する
ことにより、基板8の表面のクリーニングが行われる。
The plasma cleaning apparatus for a substrate has the above-described configuration, and its operation will be described below. In FIG. 1, a substrate 8 is placed on an electrode 17.
In this state, the lid 12 is closed by the lifter 14, and the vacuum chamber 13 is sealed. Next, the intake / exhaust means 24 is driven, and the pressure inside the vacuum chamber 13 is reduced. Next, the plasma generating gas supply means 25 is driven, and a plasma generating gas such as an argon gas is introduced into the vacuum chamber 13. Next, when a high-frequency voltage is applied to the electrode 17 by the power supply 20 shown in FIG. 2, a plasma is generated between the electrode 17 and the counter electrode 19. 2, the surface of the substrate 8 is cleaned by the collision of ions and electrons with the surface of the substrate 8, as indicated by the downward dashed arrows.

【0020】プラズマクリーニング装置の稼働時には、
前述のように真空チャンバ13内におけるプラズマの発
生状況を観察する必要がある。図2に示すように、この
基板のプラズマクリーニング装置では、蓋12の天井部
に透明板15を装着した開口12aを設けている。この
ため、上方から、透明板15及び透視可能なメッシュプ
レート19bを通して、真空チャンバ13内全体のプラ
ズマ発生状況を良好に視認することができる。
During operation of the plasma cleaning device,
As described above, it is necessary to observe the state of generation of plasma in the vacuum chamber 13. As shown in FIG. 2, in the plasma cleaning apparatus for a substrate, an opening 12 a in which a transparent plate 15 is mounted is provided on the ceiling of the lid 12. For this reason, the plasma generation state of the entire vacuum chamber 13 can be visually recognized from above through the transparent plate 15 and the see-through mesh plate 19b.

【0021】また、対向電極であるメッシュプレート1
9bは、その上部に設けられた透明板15との間に間隔
Hをもって装着されている。このため、電極17と対向
電極19であるメッシュプレート19bとの間で発生す
るプラズマは、メッシュプレート19bによりシールド
され、透明板15には到達しない。また、イオンや電子
が基板8の表面に衝突することによって生じる飛散物
(図3の上向きの破線矢印参照)もメッシュプレート1
9bによってシールドされる。従って、透明板15はプ
ラズマや、飛散物の衝突によるダメージや、熱影響など
プラズマによる悪影響を受けない。
Further, a mesh plate 1 serving as a counter electrode is provided.
9b is mounted with an interval H between it and the transparent plate 15 provided thereon. For this reason, the plasma generated between the electrode 17 and the mesh plate 19b as the counter electrode 19 is shielded by the mesh plate 19b and does not reach the transparent plate 15. In addition, scattered matter (see the upward dashed arrow in FIG. 3) generated by the collision of ions and electrons with the surface of the substrate 8 is also applied to the mesh plate 1.
9b. Therefore, the transparent plate 15 is not adversely affected by the plasma, such as damage caused by the collision of the plasma and the scattered objects, and thermal influence.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明によれば、透明板及びメッシュプ
レートを通して真空チャンバ内部の広い範囲にわたり、
プラズマの発生状況を観察できる。また、透明板はメッ
シュプレートによりシールドされるため、真空チャンバ
内のプラズマは、透明板には到達しない。このため、透
明板のダメージが少なく、透明板を長期にわたって使用
できる。
According to the present invention, over a wide area inside the vacuum chamber through the transparent plate and the mesh plate,
The state of plasma generation can be observed. Further, since the transparent plate is shielded by the mesh plate, the plasma in the vacuum chamber does not reach the transparent plate. Therefore, the transparent plate is less damaged, and the transparent plate can be used for a long time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の斜視図
FIG. 1 is a perspective view of a substrate plasma cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の断面図
FIG. 2 is a cross-sectional view of a plasma cleaning apparatus for a substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来の基板のプラズマクリーニング装置の断面
FIG. 3 is a sectional view of a conventional substrate plasma cleaning apparatus.

【符号の説明】 11 ベース 12 蓋 13 真空チャンバ 14 リフタ(開閉手段) 15 透明板 17 電極 19 対向電極(接地電極) 19b メッシュプレート 24 吸排気手段 25 プラズマガス発生手段DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Base 12 Lid 13 Vacuum chamber 14 Lifter (opening / closing means) 15 Transparent plate 17 Electrode 19 Counter electrode (ground electrode) 19b Mesh plate 24 Intake / exhaust means 25 Plasma gas generation means

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ベース板およびこのベース板上に設けら
れ、かつ接地電極を兼ねる蓋よりなる真空チャンバと、
蓋を開閉する開閉手段と、真空チャンバの下部に設けら
れた電極と、真空チャンバ内を減圧する吸排気手段と、
真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズ
マ発生用ガス供給手段とを備えた基板のプラズマクリー
ニング装置であって、前記蓋の天井部に透明板を装着
し、かつこの透明板の下方にこの透明板をシールドする
金属製のメッシュプレートを配設し、このメッシュプレ
ートが前記蓋と導通して接地電極を兼ねることを特徴と
する基板のプラズマクリーニング装置。
A vacuum chamber comprising a base plate and a lid provided on the base plate and serving also as a ground electrode;
Opening and closing means for opening and closing the lid, an electrode provided at the lower part of the vacuum chamber, and a suction and exhaust means for reducing the pressure in the vacuum chamber,
What is claimed is: 1. A plasma cleaning apparatus for a substrate, comprising: a plasma generating gas supply means for supplying a plasma generating gas into a vacuum chamber, wherein a transparent plate is mounted on a ceiling of said lid, and said transparent plate is provided below said transparent plate. A plasma cleaning apparatus for a substrate, comprising: a metal mesh plate that shields a transparent plate; and the mesh plate conducts with the lid and also serves as a ground electrode.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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