JPH10237646A - Optical thin-film production system - Google Patents
Optical thin-film production systemInfo
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- JPH10237646A JPH10237646A JP9061871A JP6187197A JPH10237646A JP H10237646 A JPH10237646 A JP H10237646A JP 9061871 A JP9061871 A JP 9061871A JP 6187197 A JP6187197 A JP 6187197A JP H10237646 A JPH10237646 A JP H10237646A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、光学薄膜製造シ
ステムに関し、特に、エキスパートシステムを利用した
光学薄膜製造システムに関する。The present invention relates to an optical thin film manufacturing system, and more particularly to an optical thin film manufacturing system using an expert system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来よりガラスや金属に光学薄膜を所定
の厚さで蒸着させる薄膜製造システムが知られている。
光学薄膜は、例えば特定の波長の光の反射率や透過率を
所望の値に設定するために用いられる。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a thin film manufacturing system for depositing an optical thin film on glass or metal with a predetermined thickness.
The optical thin film is used, for example, to set the reflectance and the transmittance of light of a specific wavelength to desired values.
【０００３】従来の薄膜製造システムは、入力された薄
膜構成と、予め装置にインストールされている製造プロ
グラムに基づいて薄膜の蒸着を実行する。製造プログラ
ムは、蒸着チャンバ内部の坩堝の選択、真空度の制御、
電子銃の制御などを制御するためのプログラムで、所定
の物理的膜構成に対応して作成されている。A conventional thin film manufacturing system executes thin film deposition based on an input thin film configuration and a manufacturing program previously installed in the apparatus. The production program consists of selecting the crucible inside the evaporation chamber, controlling the degree of vacuum,
A program for controlling the control of an electron gun and the like, and is created corresponding to a predetermined physical film configuration.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜製造システムにおいて、上記所定の物理的膜構成と
は異なる物理的膜構成を有する薄膜を製造する場合に
は、上記チャンバ内部の各種のパラメータを変更する必
要があり、別の製造プログラムを準備する必要があっ
た。オペレータが製造しようとする膜構成の蒸着制御に
熟練していれば、新たなプログラムを容易に準備するこ
とも可能であるが、十分な知識を有していない場合に
は、プログラムの準備に時間が必要であった。場合によ
っては、プログラムを設定するために予備的な実験を行
わなければならない場合もあり、薄膜の製造コストを増
加させる一因となっていた。However, in the conventional thin film manufacturing system, when manufacturing a thin film having a physical film configuration different from the above-mentioned predetermined physical film configuration, various parameters inside the chamber are required. It had to be changed and another manufacturing program had to be prepared. If the operator is skilled in controlling the deposition of the film configuration to be manufactured, it is possible to easily prepare a new program, but if he does not have sufficient knowledge, it takes time to prepare the program. Was needed. In some cases, preliminary experiments must be performed to set the program, which has contributed to an increase in the manufacturing cost of the thin film.
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑み、薄膜の物理
的膜構成が変わっても、薄膜構成に対応して製造装置を
自動制御することが可能な光学薄膜製造システムを提供
することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide an optical thin film manufacturing system capable of automatically controlling a manufacturing apparatus according to a thin film configuration even if the physical film configuration of the thin film changes. And
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１に記載の光学薄膜製造システムは、薄膜の
蒸着条件に従って光学薄膜を蒸着するための光学薄膜製
造システムであって、薄膜構成入力手段と、薄膜製造知
識ベースと薄膜製造データベースと薄膜製造推論エンジ
ンを備え、前記薄膜構成に基づき、前記薄膜製造推論エ
ンジンが、前記薄膜製造知識ベースおよび前記薄膜製造
データベースの内容を参照して前記薄膜製造装置におけ
る薄膜製造時の最適な蒸着条件を決定する薄膜製造エキ
スパートシステムと、前記薄膜構成入力手段により入力
された薄膜構成を、前記薄膜製造エキスパートシステム
により決定された蒸着条件のもとで製造する薄膜製造装
置と、を有すること特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical thin film manufacturing system for depositing an optical thin film in accordance with a thin film deposition condition. Configuration input means, comprising a thin film manufacturing knowledge base, a thin film manufacturing database and a thin film manufacturing inference engine, based on the thin film configuration, the thin film manufacturing inference engine refers to the contents of the thin film manufacturing knowledge base and the thin film manufacturing database The thin film manufacturing expert system that determines the optimal deposition conditions during thin film manufacturing in the thin film manufacturing apparatus, and the thin film configuration input by the thin film configuration input means under the deposition conditions determined by the thin film manufacturing expert system. And a thin film manufacturing apparatus to be manufactured.
【０００７】請求項２に記載の光学薄膜製造システム
は、所定の基板に光学薄膜を蒸着するための光学薄膜製
造システムであって、薄膜を前記基板に蒸着するための
薄膜製造装置と、薄膜の物理構成に対応した前記薄膜製
造装置の制御条件をデータベースとして格納する記憶手
段と、所望の薄膜の物理構成を入力するための入力手段
と、前記入力手段により入力された前記所望の薄膜の物
理構成と、前記記憶手段に格納された制御条件に基づい
て、前記所望の薄膜の物理構成を実現するための前記薄
膜製造装置の制御条件を決定する推論エンジンと、を有
し、前記薄膜製造装置は、前記推論エンジンにより決定
された制御条件に従って動作することを特徴としてい
る。なお、物理構成としては薄膜の材料、厚み等が入力
される。An optical thin film manufacturing system according to a second aspect of the present invention is an optical thin film manufacturing system for depositing an optical thin film on a predetermined substrate, comprising: a thin film manufacturing apparatus for depositing a thin film on the substrate; Storage means for storing, as a database, control conditions of the thin film manufacturing apparatus corresponding to a physical configuration, input means for inputting a physical configuration of a desired thin film, and physical configuration of the desired thin film inputted by the input means And an inference engine that determines control conditions of the thin film manufacturing apparatus for realizing the physical configuration of the desired thin film based on the control conditions stored in the storage unit. , And operates in accordance with the control conditions determined by the inference engine. Note that the material, thickness, and the like of the thin film are input as the physical configuration.
【０００８】請求項３に記載の光学薄膜製造システム
は、前記制御条件が、少なくとも、各種の薄膜材料に対
応した電子銃の制御パラメータ、前記薄膜製造装置の薄
膜形成用チャンバの真空度、各種基板の温度条件、ガス
圧、膜物質の蒸着条件、膜物質の量、成膜後の真空状態
のチャンバに空気を入れる条件、前記各種基板の使用可
能温度、膜厚をモニタするためのモニタガラスの利用可
能個数、膜物質と膜物質が入れられている坩堝との対応
関係の一つを含むことを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the optical thin film manufacturing system, the control conditions include at least control parameters of an electron gun corresponding to various thin film materials, a degree of vacuum of a thin film forming chamber of the thin film manufacturing apparatus, and various substrates. Temperature conditions, gas pressure, film material deposition conditions, amount of film material, conditions for introducing air into a vacuum chamber after film formation, usable temperature of the various substrates, monitor glass for monitoring film thickness It is characterized in that it includes one of the available number and the correspondence between the film material and the crucible in which the film material is placed.
【０００９】請求項４に記載の光学薄膜製造システム
は、前記記憶手段が、前記推論エンジンにより決定され
た蒸着条件に基づいて前記製造装置により蒸着された薄
膜の製造誤差を格納しており、前記推論エンジンは、前
記製造誤差を加味して前記蒸着条件を決定することを特
徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the optical thin film manufacturing system, the storage unit stores a manufacturing error of the thin film deposited by the manufacturing apparatus based on the deposition condition determined by the inference engine. The inference engine determines the vapor deposition condition in consideration of the manufacturing error.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態であ
る光学薄膜製造システム１のシステム構成を説明するた
めのブロック図である。光学薄膜製造システム１は、薄
膜設計エキスパートシステム１００、薄膜製造エキスパ
ートシステム２００、薄膜製造システム制御部３００、
薄膜計測システム４００、薄膜製造装置制御部５００、
薄膜製造装置６００からなる。FIG. 1 is a block diagram for explaining a system configuration of an optical thin film manufacturing system 1 according to an embodiment of the present invention. The optical thin film manufacturing system 1 includes a thin film design expert system 100, a thin film manufacturing expert system 200, a thin film manufacturing system controller 300,
A thin film measuring system 400, a thin film manufacturing apparatus control unit 500,
It comprises a thin film manufacturing apparatus 600.
【００１１】薄膜製造システム制御部３００は、光学薄
膜製造システム１の動作全体を司る部分である。薄膜製
造システム制御部３００は処理装置としてＭＰＵ（Micr
o Processing Unit）３０１を有し、インターフェース
３０２を介して、薄膜設計エキスパートシステム（薄膜
設計ＥＳと略す）１００、薄膜製造エキスパートシステ
ム（薄膜製造ＥＳと略す）２００、薄膜計測システム４
００、薄膜装置制御部５００、そしてキーボード３０４
およびディスプレイ３０３が接続されている。キーボー
ド３０４からは、光学薄膜製造システム１の各部の動作
を指示するコマンドや、形成しようとする薄膜の設計仕
様データ（対象とする波長範囲、反射率や透過率など）
を入力することができる。The thin film manufacturing system control section 300 is a part that controls the entire operation of the optical thin film manufacturing system 1. The thin-film manufacturing system control unit 300 uses an MPU (Micr
o, a thin film design expert system (abbreviated as thin film ES) 100, a thin film fabrication expert system (abbreviated as thin film ES) 200, and a thin film measurement system 4
00, thin-film device control unit 500, and keyboard 304
And the display 303 are connected. From the keyboard 304, commands for instructing the operation of each unit of the optical thin film manufacturing system 1 and design specification data of the thin film to be formed (target wavelength range, reflectance, transmittance, etc.)
Can be entered.
【００１２】薄膜設計ＥＳ１００は、インターフェース
１０５を介して入力される薄膜製造システム制御部３０
０からの指令に基づき、キーボード３０４から入力され
た仕様を満たす薄膜を設計するシステムである。薄膜設
計ＥＳ１００は、知識ベース１０１およびデータベース
１０２に格納されているデータを用いて仕様を満たす薄
膜構成を決定する推論エンジン１０３を有する。推論エ
ンジン１０３の動作は推論管理部１０４により制御され
る。薄膜設計ＥＳ１００においては、仕様を満たす薄膜
構成を決定するために、種々の構成についてシミュレー
ションを行い、その結果を評価して、仕様を満たす最適
な薄膜構成を決定する。The thin-film design ES 100 includes a thin-film manufacturing system control unit 30 input through the interface 105.
This is a system for designing a thin film that satisfies the specifications input from the keyboard 304 based on a command from 0. The thin-film design ES 100 has an inference engine 103 that determines a thin-film configuration that meets specifications using data stored in the knowledge base 101 and the database 102. The operation of the inference engine 103 is controlled by the inference management unit 104. In the thin film design ES 100, in order to determine a thin film configuration that satisfies the specifications, simulations are performed for various configurations, the results are evaluated, and an optimal thin film configuration that satisfies the specifications is determined.
【００１３】薄膜製造ＥＳ２００は、インターフェース
２０５を介して薄膜製造システム制御部３００から、動
作指令および、薄膜設計ＥＳ１００により決定された薄
膜構成のデータを受け取る。推論エンジン２０３は、知
識ベース２０１およびデータベース２０２に格納されて
いるデータを用いて、薄膜設計ＥＳ１００により決定さ
れた薄膜構成を実現するための蒸着条件を決定する。蒸
着条件は、薄膜を形成する基板の材質によって、また、
薄膜の材質によって異なるため、知識ベース２０１およ
びデータベース２０２に、各材質毎に蒸着条件を決定す
るために必要なデータが格納されている。なお、推論エ
ンジン２０３の動作は推論管理部２０４により制御され
る。The thin-film manufacturing ES 200 receives an operation command and data on the thin-film configuration determined by the thin-film design ES 100 from the thin-film manufacturing system controller 300 via the interface 205. The inference engine 203 uses the data stored in the knowledge base 201 and the database 202 to determine the deposition conditions for realizing the thin film configuration determined by the thin film design ES 100. The deposition conditions depend on the material of the substrate on which the thin film is formed,
Since it differs depending on the material of the thin film, data necessary for determining the deposition conditions for each material is stored in the knowledge base 201 and the database 202. The operation of the inference engine 203 is controlled by the inference management unit 204.
【００１４】薄膜製造装置制御部５００は、薄膜製造装
置制御部５００全体の動作を制御するＭＰＵ５０１を有
する。ＭＰＵ５０１は、インターフェース５０４を介し
て、膜製造システム制御部３００より、薄膜設計ＥＳ１
００で設計された薄膜構成のデータと、薄膜製造ＥＳ２
００により決定された蒸着条件のデータとを受け取り、
ＲＡＭ（Random Access Memory）５０２に格納する。Ｒ
ＯＭ（Read Only Memory）５０３にはＭＰＵ５０１の実
行プログラムや薄膜製造装置６００を制御するために必
要となる各種のパラメータが格納されている。ＭＰＵ５
０１は、ＲＡＭ５０２に格納した薄膜構成データと薄膜
製造データ、およびＲＯＭ５０３に格納されているパラ
メータ等に基づき、Ｉ／Ｏポート５０５を介して入力さ
れる薄膜製造装置６００の真空計６０１、温度計６０
２、膜厚センサ６０４の測定データをモニタしつつ、Ｉ
／Ｏポート５０５を介して薄膜製造装置６００の電子銃
６０３、排気系６０５、チャンバ機構６０６を制御して
薄膜製造装置６００による薄膜の形成を実行する。The thin film manufacturing apparatus control section 500 has an MPU 501 for controlling the operation of the entire thin film manufacturing apparatus control section 500. The MPU 501 controls the thin film design ES1 from the film manufacturing system control unit 300 via the interface 504.
00 and the thin film manufacturing ES2
Receiving the data of the deposition conditions determined by 00,
It is stored in a RAM (Random Access Memory) 502. R
An OM (Read Only Memory) 503 stores an execution program of the MPU 501 and various parameters necessary for controlling the thin film manufacturing apparatus 600. MPU5
Reference numeral 01 denotes a vacuum gauge 601 and a thermometer 60 of the thin-film manufacturing apparatus 600 which are input via the I / O port 505 based on the thin-film configuration data and thin-film manufacturing data stored in the RAM 502 and parameters and the like stored in the ROM 503.
2. While monitoring the measurement data of the film thickness sensor 604,
The thin film is formed by the thin film manufacturing apparatus 600 by controlling the electron gun 603, the exhaust system 605, and the chamber mechanism 606 of the thin film manufacturing apparatus 600 via the / O port 505.
【００１５】なお薄膜製造装置制御部５００および薄膜
製造装置６００としては、例えば、真空機械工業株式会
社の自動蒸着システムＭＤＣ−２００１が知られてお
り、詳細については省略する。As the thin film manufacturing apparatus control section 500 and the thin film manufacturing apparatus 600, for example, an automatic vapor deposition system MDC-2001 manufactured by Vacuum Machinery Co., Ltd. is known, and the details are omitted.
【００１６】薄膜計測システム４００は、薄膜製造装置
６００により製造された薄膜を評価するためのシステム
である。薄膜計測システム４００は、ＭＰＵ４０１を有
し、ＭＰＵ４０１には、インターフェース４０３を介し
てデータベース４０２、キーボード４０７、ディスプレ
イ４０６、および制御コンピュータ４０４と計測部４０
５が接続されている。The thin film measuring system 400 is a system for evaluating a thin film manufactured by the thin film manufacturing apparatus 600. The thin film measurement system 400 has an MPU 401, and the MPU 401 has a database 402, a keyboard 407, a display 406, a control computer 404, and a measurement unit 40 via an interface 403.
5 is connected.
【００１７】薄膜製造装置６００により薄膜が形成され
た材料は計測部４０５に移され、制御コンピュータ４０
４の制御のもとで計測部４０５により分光光度特性（分
光反射率もしくは分光透過率）が計測される。計測結果
はグラフとしてディスプレイ４０６に表示されると共
に、分光カーブデータとしてデータベース４０２に格納
される。The material on which the thin film is formed by the thin film manufacturing apparatus 600 is transferred to the measuring section 405, and the control computer 40
Under the control of 4, the measuring unit 405 measures the spectral luminous intensity characteristic (spectral reflectance or spectral transmittance). The measurement result is displayed on the display 406 as a graph and stored in the database 402 as spectral curve data.
【００１８】薄膜設計ＥＳ１００および薄膜製造ＥＳ２
００により決定されたデータに基づいて薄膜製造装置６
００により実際に形成された薄膜の分光カーブが設計仕
様に合致しない場合がある。このため、薄膜製造システ
ム制御部３００のＭＰＵ３０１は、データベース４０２
に格納されている分光カーブデータ（計測データ）と、
目的とする仕様性能（設計仕様性能）との差に基づいて
補正データを生成して、その時の蒸着条件と共に薄膜製
造ＥＳ２００のデータベース２０２に格納する。Thin film design ES100 and thin film manufacturing ES2
00 based on the data determined in step 00.
In some cases, the spectral curve of the actually formed thin film does not conform to the design specifications. For this reason, the MPU 301 of the thin film manufacturing system control unit 300
The spectral curve data (measurement data) stored in
Correction data is generated based on the difference from the target specification performance (design specification performance), and is stored in the database 202 of the thin film manufacturing ES 200 together with the deposition conditions at that time.
【００１９】データベース２０２に格納された補正デー
タは、次に同種の光学的な特性を有する薄膜を形成する
場合に、蒸着された薄膜が目的の光学特性を持つよう
に、蒸着条件を決定する際に参照される。The correction data stored in the database 202 is used to determine the deposition conditions so that the deposited thin film has the desired optical characteristics when the next thin film having the same kind of optical characteristics is formed. Referred to.
【００２０】上記補正データおよび蒸着データは、薄膜
製造が行われるにつれて蓄積されていくため、薄膜製造
ＥＳ２００は次第に、短時間で好適な蒸着条件を決定で
きるようになっていく。言い換えれば、薄膜製造ＥＳ２
００は学習機能を有し、薄膜製造システム１を利用すれ
ばするほど、設計仕様に対して好適な薄膜を形成するこ
とができるようになる。Since the correction data and the deposition data are accumulated as the thin film is manufactured, the thin film manufacturing ES 200 can gradually determine a suitable deposition condition in a short time. In other words, the thin film manufacturing ES2
00 has a learning function, and the more the thin film manufacturing system 1 is used, the more a thin film suitable for design specifications can be formed.
【００２１】図２は薄膜設計ＥＳ１００の推論エンジン
１０３により実行される設計処理を説明するための流れ
図である。図２の処理は、本薄膜製造システム１の利用
者により薄膜の仕様が入力された後の設計処理を示すも
のである。薄膜の仕様として入力されるのは、入射媒
質、薄膜が形成される基板の材質、光の入射角度、対象
となる光の波長範囲、反射率（あるいは透過率など）で
ある。以下の記載においては、反射防止膜の形成を例に
とって本実施の形態の薄膜製造システム１の動作につい
て説明する。入力される仕様としては、例えば、入射媒
質：ＢＫ７、基板材料：ＡＩＲ（空気）、入射角度：２
０度±５度、波長域：520 nm〜570 nm、反射率：Ｓ偏光
の反射率が１％未満、というデータが、キーボード３０
４から入力される。FIG. 2 is a flowchart for explaining the design processing executed by the inference engine 103 of the thin-film design ES 100. The process of FIG. 2 shows the design process after the specification of the thin film is input by the user of the thin film manufacturing system 1. The input of the specification of the thin film is the incident medium, the material of the substrate on which the thin film is formed, the incident angle of light, the wavelength range of the target light, and the reflectance (or transmittance). In the following description, the operation of the thin-film manufacturing system 1 of the present embodiment will be described by taking the formation of an anti-reflection film as an example. The input specifications include, for example, incident medium: BK7, substrate material: AIR (air), incident angle: 2
Data indicating that 0 ° ± 5 °, wavelength range: 520 nm to 570 nm, and reflectivity: the reflectivity of S-polarized light is less than 1%,
4 is input.
【００２２】図２において、まず、Ｓ１では、タイプ０
で仕様が実現可能か否かを判定する。タイプ０とは、薄
膜が無い状態である。即ち、基板材料のみで仕様が満た
されているか否かが判定される。基板材料のデータはデ
ータベース１０２に格納されている。Ｓ２において、基
板材料のみで仕様が満たされると判定した場合には、以
下の処理は行わず、ディスプレイ３０３に膜構成を表示
し、膜構成データをインターフェース１０４を介して薄
膜製造システム制御部５００に出力する。なお、この場
合、薄膜を形成する必要は無いため、薄膜製造の処理は
行われない。In FIG. 2, first, in S1, type 0
To determine whether the specification is feasible. Type 0 is a state where there is no thin film. That is, it is determined whether the specification is satisfied only with the substrate material. The data of the substrate material is stored in the database 102. In S2, when it is determined that the specification is satisfied only with the substrate material, the following processing is not performed, the film configuration is displayed on the display 303, and the film configuration data is transmitted to the thin film manufacturing system controller 500 via the interface 104. Output. In this case, since there is no need to form a thin film, a process for manufacturing a thin film is not performed.
【００２３】Ｓ２において、タイプ０で仕様を満たすこ
とができないと判定した場合には、Ｓ３においてタイプ
Ａで仕様を満たすことができるか否かを判定する。タイ
プＡとはλ／４膜厚条件式に基づいて決定される単層の
薄膜構成である。単層の薄膜となりうる材料はデータベ
ース１０２に蓄積されている。また、基板の材質および
製造行程に応じて、薄膜の材料には優先順位がつけら
れ、優先順位の順に仕様を満たすことができるか否かが
判定される。この優先順位のデータは知識ベース１０１
に格納されている。If it is determined in S2 that the specification cannot be satisfied with the type 0, it is determined in S3 whether the specification can be satisfied with the type A. Type A is a single-layer thin film configuration determined based on the λ / 4 film thickness conditional expression. Materials that can be a single-layer thin film are stored in the database 102. Priorities are assigned to the materials of the thin film according to the material of the substrate and the manufacturing process, and it is determined whether or not the specifications can be satisfied in the order of the priorities. The data of this priority is stored in the knowledge base 101.
Is stored in
【００２４】Ｓ４においてタイプＡで仕様を満たすこと
ができると判定した場合には、以下の処理は行わず、デ
ィスプレイ３０３に膜構成を表示し、膜構成データをイ
ンターフェース１０４を介して薄膜製造システム制御部
５００に出力する。（以下、図２の流れずにおいては、
判定で仕様を満たす膜構成が決定された場合には、同様
にしてそれ以降の処理は行わず、ディスプレイ３０３に
膜構成を表示し、膜構成データをインターフェース１０
４を介して薄膜製造システム制御部５００に出力す
る。）If it is determined in step S4 that the specification can be satisfied by type A, the following processing is not performed, the film configuration is displayed on the display 303, and the film configuration data is controlled via the interface 104 by the thin film manufacturing system. Output to the unit 500. (Hereinafter, in the flow of FIG. 2,
If the film configuration satisfying the specification is determined by the determination, the subsequent processing is not performed in the same manner, the film configuration is displayed on the display 303, and the film configuration data is
4 to the thin-film manufacturing system controller 500. )
【００２５】Ｓ４において、タイプＡで仕様を満たすこ
とができないと判定した場合には、Ｓ５においてタイプ
Ｂでの薄膜構成について判定を行う。タイプＢとは、完
全２層Ｖ型条件式に基づいて決定される薄膜構成であ
り、２物質からなる薄膜を形成するものである。タイプ
Ａの場合と同様、薄膜の材料となる物質は、基板の材質
やその組合せにおいて優先順位がある。薄膜の材料とな
る物質のデータはデータベース１０２に格納され、優先
順位のデータは知識ベース１０１に格納されている。If it is determined in S4 that the specification cannot be satisfied with the type A, the thin film configuration of the type B is determined in S5. Type B is a thin film configuration determined based on a perfect two-layer V-type conditional expression, and forms a thin film composed of two substances. As in the case of the type A, the materials used as the material of the thin film have a priority in the material of the substrate and the combination thereof. The data of the substance to be the material of the thin film is stored in the database 102, and the data of the priority is stored in the knowledge base 101.
【００２６】Ｓ６では、タイプＢで仕様を実現すること
が可能かどうかを判定する。タイプＢで仕様の実現が不
可能な場合には、タイプＣでの判定を行う。なお、タイ
プＣ以降タイプＦまでの判定においては、数学的モデル
を用いて理論上の薄膜構成を決定した後に、理論上の薄
膜構成を実現可能な材料の組合せに置き換える処理を行
っている。In S6, it is determined whether or not it is possible to realize the type B specification. If the specification cannot be realized by the type B, the judgment of the type C is performed. In the determination from type C to type F, a process of replacing the theoretical thin film configuration with a combination of materials that can be realized is performed after the theoretical thin film configuration is determined using a mathematical model.
【００２７】Ｓ７ではタイプＣの数学モデルを用いて、
仕様を満たす理論上の薄膜構成（初期膜）を演算する。
ここでタイプＣとは、ＱＨ（λ／4、λ／２）型の膜構
成である。In S7, using a mathematical model of type C,
Calculate the theoretical thin film configuration (initial film) that meets the specifications.
Here, the type C is a QH (λ / 4, λ / 2) type film configuration.
【００２８】Ｓ７１では、理論上の２層の薄膜をそれぞ
れ、同等の振幅反射率を有する実現可能な材料で置換す
る。Ｓ７２において、もしも仕様を満たしていないと判
定した場合には、置換したそれぞれの薄膜の膜厚を所定
の範囲で順次変化させて仕様を満たす薄膜構成が得られ
るかどうかを繰り返し判定する（Ｓ７３）。In step S71, each of the two theoretical thin films is replaced with a feasible material having the same amplitude reflectance. In S72, if it is determined that the specification is not satisfied, it is repeatedly determined whether or not the thickness of each replaced thin film is sequentially changed within a predetermined range to obtain a thin film configuration satisfying the specification (S73). .
【００２９】Ｓ７４において、薄膜の膜厚を変化させる
ことにより、仕様を満たす膜構成が得られないと判定し
た場合には、Ｓ７５へ処理を進める。Ｓ７５では、Ｓ７
において生成された理論上の薄膜構成の各薄膜の屈折率
を、実際の薄膜材料により構成される三層等価膜により
置換して、仕様が満たされるかどうかを判定する。Ｓ７
６で、三層等価膜で置換した薄膜構成で仕様が満たされ
ないと判定した場合には、理論上の薄膜構成の各薄膜を
様々な三層等価膜の組合せを用いて置換し、仕様を満た
している薄膜構成が得られるか否かを判定する。If it is determined in S74 that a film configuration satisfying the specifications cannot be obtained by changing the thickness of the thin film, the process proceeds to S75. In S75, S7
The refractive index of each thin film of the theoretical thin film configuration generated in the above is replaced with a three-layer equivalent film made of an actual thin film material to determine whether or not the specification is satisfied. S7
In step 6, if it is determined that the specification is not satisfied with the thin film configuration replaced with the three-layer equivalent film, each thin film of the theoretical thin film configuration is replaced using various combinations of three-layer equivalent films to satisfy the specification. It is determined whether or not the obtained thin film configuration can be obtained.
【００３０】タイプＣの薄膜構成によっては仕様を満た
す構成が得られないと判定した場合（Ｓ７８）、処理を
Ｓ８に進めて、タイプＤの薄膜構成について検証する。
タイプＤの構成はＱＱＱ（λ／４、λ／４、λ／４）型
の薄膜構成である。If it is determined that a configuration satisfying the specification cannot be obtained depending on the type C thin film configuration (S78), the process proceeds to S8, and the type D thin film configuration is verified.
The type D configuration is a QQQ (λ / 4, λ / 4, λ / 4) type thin film configuration.
【００３１】Ｓ８では、Ｓ７の場合と同様、数学モデル
を用いて、仕様を満たす理論上の薄膜構成を演算する。
そして、Ｓ８１〜Ｓ８３においては、Ｓ７１〜Ｓ７３に
おける処理と同様に、数学モデルに基づいて演算された
各薄膜を、同等の振幅反射率を有する現実の材料で置き
換えて、仕様を満たす構成が得られるかどうかを判定
し、Ｓ８４において仕様を満たす薄膜構成が得られない
と判定した場合には、Ｓ８５〜Ｓ８７において、Ｓ７５
〜Ｓ７７と同様に、理論上の各薄膜を三層等価膜で置き
換えて仕様を満たす薄膜構成が得られないか否かを判定
する。In S8, a theoretical thin film configuration satisfying the specifications is calculated using a mathematical model, as in S7.
Then, in S81 to S83, similarly to the processing in S71 to S73, each of the thin films calculated based on the mathematical model is replaced with a real material having the same amplitude reflectance to obtain a configuration satisfying the specifications. If it is determined in S84 that a thin film configuration satisfying the specifications cannot be obtained, in S85 to S87, S75 is determined.
Similarly to S77, it is determined whether or not each theoretical thin film is replaced with a three-layer equivalent film to obtain a thin film configuration satisfying the specifications.
【００３２】Ｓ８８において、タイプＤの薄膜構成では
仕様を満たすことができないと判定した場合には、Ｓ９
に処理を進め、タイプＥの薄膜構成について判定を行
う。タイプＥはＱＨＱ（λ／４、λ／２、λ／４）型の
薄膜構成である。Ｓ９では、Ｓ７の場合と同様、数学モ
デルを用いて、仕様を満たす理論上の薄膜構成を演算す
る。そして、Ｓ９１〜Ｓ９３においては、Ｓ７１〜Ｓ７
３における処理と同様に、数学モデルに基づいて演算さ
れた各薄膜を、同等の振幅反射率を有する現実の材料で
置き換えて、仕様を満たす構成が得られるかどうかを判
定し、Ｓ９４において仕様を満たす薄膜構成が得られな
いと判定した場合には、Ｓ９５〜Ｓ９７において、Ｓ７
５〜Ｓ７７と同様に、理論上の各薄膜を三層等価膜で置
き換えて仕様を満たす薄膜構成が得られないか否かを判
定する。If it is determined in S88 that the specifications cannot be satisfied with the type D thin film configuration, the process proceeds to S9.
The processing is advanced to the above, and the type E thin film configuration is determined. Type E is a QHQ (λ / 4, λ / 2, λ / 4) type thin film configuration. In S9, a theoretical thin film configuration satisfying the specifications is calculated using a mathematical model, as in S7. Then, in S91 to S93, S71 to S7
3, each thin film calculated based on the mathematical model is replaced with a real material having the same amplitude reflectance, and it is determined whether or not a configuration satisfying the specifications can be obtained. If it is determined that a thin film configuration that satisfies the condition is not obtained, in S95 to S97, S7
Similarly to 5 to S77, it is determined whether or not each theoretical thin film is replaced with a three-layer equivalent film to obtain a thin film configuration satisfying the specification.
【００３３】Ｓ９８において、タイプＥの薄膜構成では
仕様を満たすことができないと判定した場合には、Ｓ１
０に処理を進め、タイプＦの薄膜構成について判定を行
う。タイプＥはＱＱＱＱ（λ／４、λ／４、λ／４、λ
／４）型の薄膜構成である。Ｓ１０では、Ｓ７の場合と
同様、数学モデルを用いて、仕様を満たす理論上の薄膜
構成を演算する。そして、Ｓ１０１〜Ｓ１０３において
は、Ｓ７１〜Ｓ７３における処理と同様に、数学モデル
に基づいて演算された各薄膜を、同等の振幅反射率を有
する現実の材料で置き換えて、仕様を満たす構成が得ら
れるかどうかを判定し、Ｓ７４において仕様を満たす薄
膜構成が得られないと判定した場合には、Ｓ１０５〜Ｓ
１０７において、Ｓ７５〜Ｓ７７と同様に、理論上の各
薄膜を三層等価膜で置き換えて仕様を満たす薄膜構成が
得られないか否かを判定する。If it is determined in S98 that the specifications cannot be satisfied with the type E thin film configuration, the process proceeds to S1.
The process proceeds to 0, and a determination is made on the type F thin film configuration. Type E is QQQQ (λ / 4, λ / 4, λ / 4, λ
/ 4) type thin film configuration. In S10, a theoretical thin film configuration satisfying the specifications is calculated using a mathematical model, as in S7. Then, in S101 to S103, similarly to the processing in S71 to S73, each of the thin films calculated based on the mathematical model is replaced with a real material having the same amplitude reflectance, and a configuration satisfying the specification is obtained. It is determined whether or not a thin film configuration satisfying the specification is not obtained in S74.
At 107, similarly to S75 to S77, it is determined whether or not each theoretical thin film is replaced with a three-layer equivalent film to obtain a thin film configuration satisfying the specification.
【００３４】Ｓ１０８において、タイプＦの薄膜構成に
よっても仕様を満たす構成が実現できないと判定した場
合には、設計できないことを示すメッセージをディスプ
レイ３０３に表示して処理を終了する。また、上記処理
のいずれかのステップで仕様を満たす薄膜構成が得られ
た場合には、得られた薄膜構成をディスプレイ３０３に
表示すると共に、データを薄膜製造システム制御部３０
０に転送する。薄膜製造システム制御部３００には、薄
膜の材料およびその光学的な膜厚が薄膜構成データとし
て転送される。例えば、 AIR｜MgF2（光学膜厚 170 nm ）｜Al2O3（光学膜厚148.
25 nm ）｜BK7 という結果が薄膜設計ＥＳ１００の出力データとして薄
膜製造システム制御部３００に転送される。この例では
基板としてＢＫ７、基板に近い方からアルミナ、フッ化
マグネシウムという順に薄膜を形成するという結果が得
られたことを示している。この例では、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）は波長593 nmの光に対するλ／４の光学的膜厚、
フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）は波長680 nmの光に対
するλ／４の光学的膜厚という結果が得られている。In S108, if it is determined that a configuration that satisfies the specifications cannot be realized even with the type F thin film configuration, a message indicating that the design cannot be performed is displayed on the display 303, and the process is terminated. When a thin film configuration satisfying the specification is obtained in any of the steps of the above processing, the obtained thin film configuration is displayed on the display 303, and the data is transmitted to the thin film manufacturing system control unit 30.
Transfer to 0. The material of the thin film and its optical thickness are transferred to the thin film manufacturing system controller 300 as thin film configuration data. For example, AIR | MgF 2 (Optical film thickness 170 nm) | Al 2 O 3 (Optical film thickness 148.
25 nm) | BK7 is transferred to the thin film manufacturing system controller 300 as output data of the thin film design ES100. This example shows that a result was obtained in which a thin film was formed in the order of BK7 as the substrate, alumina, and magnesium fluoride in the order from the side closer to the substrate. In this example, alumina (Al
2 O 3 ) is an optical film thickness of λ / 4 for light having a wavelength of 593 nm,
Magnesium fluoride (MgF 2 ) has an optical film thickness of λ / 4 for light having a wavelength of 680 nm.
【００３５】なお、上記の例では反射防止膜の設計を例
にして説明したが、バンドパス膜やビームスプリッタ用
のコーティングなど各種の薄膜形成を同様にして行うこ
とができる。In the above example, the design of the anti-reflection film has been described as an example. However, various thin films such as a band-pass film and a coating for a beam splitter can be formed in the same manner.
【００３６】上記のように、薄膜設計ＥＳ１００によっ
て求められた薄膜構成を実現するための薄膜製造装置６
００の動作条件が、薄膜製造ＥＳ２００により各薄膜に
対して決定される。As described above, the thin film manufacturing apparatus 6 for realizing the thin film configuration determined by the thin film design ES100.
The operating condition of 00 is determined for each thin film by the thin film manufacturing ES200.
【００３７】薄膜製造ＥＳ２００の知識ベース２０１お
よびデータベース２０２には、種々の薄膜を形成するた
めの薄膜製造装置６００の制御条件が格納されている。
制御条件とは、例えば、各種の薄膜材料に対応した、電
子銃６０３の制御パラメータ、製造装置の薄膜形成用チ
ャンバの真空度、基板の温度条件、ガス圧、膜物質の蒸
着条件、膜物質の量、成膜後のチャンバのリーク条件
（真空状態のチャンバに空気を入れる条件）、基板の使
用可能温度、膜厚をモニタするためのモニタガラスの利
用可能個数、膜物質と膜物質が入れられている坩堝との
対応関係などである。また、後述する動作条件補正デー
タもデータベースに格納されている。The knowledge base 201 and the database 202 of the thin film manufacturing ES 200 store control conditions of the thin film manufacturing apparatus 600 for forming various thin films.
The control conditions include, for example, the control parameters of the electron gun 603, the degree of vacuum of the thin film forming chamber of the manufacturing apparatus, the temperature of the substrate, the gas pressure, the deposition conditions of the film material, The amount, the leak condition of the chamber after film formation (the condition of injecting air into the vacuum chamber), the usable temperature of the substrate, the available number of monitor glasses for monitoring the film thickness, the film material and the film material And the corresponding relationship with the crucible. Further, operation condition correction data described later is also stored in the database.
【００３８】薄膜製造ＥＳ２００の推論エンジン２０３
は、インターフェース２０５を介して薄膜製造システム
制御部３００から入力される薄膜構成データと上記の制
御条件とに基づいて、各薄膜を形成するための最適な動
作条件を決定し、インターフェース２０５を介して薄膜
製造システム制御部３００に動作条件データ転送する。
ここで製造装置６００を動作させるための動作条件デー
タとしては、蒸着のスケージュール、蒸着する薄膜層毎
に、使用する坩堝を特定するデータ、蒸着初期真空度、
蒸着初期温度、導入するガス種別およびガス圧、電子銃
制御パラメータ、使用モニタ番号、蒸着の開始・終了を
規定するシャッタの開閉タイミング、蒸着終了後のリー
ク条件（空気導入条件）などがある。The inference engine 203 of the thin film manufacturing ES 200
Determines the optimum operating conditions for forming each thin film based on the thin film configuration data input from the thin film manufacturing system control unit 300 via the interface 205 and the above-described control conditions. The operating condition data is transferred to the thin film manufacturing system controller 300.
Here, as operating condition data for operating the manufacturing apparatus 600, the schedule of vapor deposition, for each thin film layer to be vapor-deposited, data specifying a crucible to be used, initial vacuum degree of vapor deposition,
There are a vapor deposition initial temperature, a gas type and gas pressure to be introduced, an electron gun control parameter, a monitor number to be used, a shutter opening / closing timing for defining start / end of vapor deposition, a leak condition after vapor deposition is completed (air introduction condition), and the like.
【００３９】薄膜製造システム制御部３００は、薄膜設
計ＥＳ１００により入力された薄膜設計データと、薄膜
製造ＥＳ２００により入力された動作条件データと、さ
らに蒸着開始のコマンドを、インターフェース３０２を
介して薄膜製造装置制御部５００へ転送する。The thin-film manufacturing system control unit 300 transmits the thin-film design data input by the thin-film design ES 100, the operating condition data input by the thin-film manufacturing ES 200, and a command for starting the deposition via the interface 302 to the thin-film manufacturing apparatus. Transfer to control unit 500.
【００４０】薄膜製造装置制御部５００は、インターフ
ェース５０４を介して薄膜製造システム制御部５００よ
り受け取った薄膜設計データおよび動作条件データをＲ
ＡＭ５０２に一旦格納した後、これらのデータに基づい
て薄膜製造装置６００を制御し、スケジュールに従って
薄膜形成（蒸着）の処理を実行する。The thin film manufacturing apparatus controller 500 converts the thin film design data and operating condition data received from the thin film manufacturing system controller 500 through the interface 504 into R.
After temporarily storing the data in the AM 502, the thin film manufacturing apparatus 600 is controlled based on these data, and the thin film formation (deposition) processing is executed according to a schedule.
【００４１】以上のようにして薄膜が基板に形成される
と、基板は薄膜計測システム４００の計測部に移され
る。薄膜計測システム４００においては、成膜された基
板の分光光度特性を測定し、測定値をデータベース４０
２に格納する。When the thin film is formed on the substrate as described above, the substrate is moved to the measuring section of the thin film measuring system 400. In the thin film measurement system 400, the spectrophotometric characteristics of the film-formed substrate are measured, and the measured values are stored in the database 40.
2 is stored.
【００４２】薄膜製造システム制御部３００のＭＰＵ３
０１は、データベース４０２に格納された実測値と、理
論上の特性、および設計仕様とを比較し、必要に応じて
薄膜製造装置６００の動作条件を補正するための補正デ
ータを生成して、薄膜製造ＥＳ２００の知識ベース２０
１に動作条件補正データとして格納する。ここでは、薄
膜製造システム制御部３００および薄膜計測システム４
００は薄膜評価システムを構成することになる。上述の
動作条件補正データの生成および格納の処理について図
３を参照して説明する。The MPU 3 of the thin film manufacturing system controller 300
01 compares actual measured values stored in the database 402 with theoretical characteristics and design specifications, generates correction data for correcting the operating conditions of the thin film manufacturing apparatus 600 as necessary, Manufacturing ES200 knowledge base 20
1 is stored as operating condition correction data. Here, the thin film manufacturing system control unit 300 and the thin film measurement system 4
00 constitutes a thin film evaluation system. The process of generating and storing the above-described operation condition correction data will be described with reference to FIG.
【００４３】図３は、動作条件補正データの生成処理を
説明する図である。この処理は、上述のように、薄膜製
造システム制御部３００のＭＰＵ３０１により実行され
る処理である。FIG. 3 is a diagram for explaining a process of generating operating condition correction data. This process is a process executed by the MPU 301 of the thin film manufacturing system controller 300 as described above.
【００４４】Ｓ５１において、ＭＰＵ３０１は、データ
ベース４０２に格納されている分光データ（実測デー
タ）と、設計仕様、および薄膜設計ＥＳ１００により決
定された設計データの比較を行う。まず、設計仕様が示
す分光カーブと分光カーブデータ（計測データ）とを比
較し、両者に大きな誤差が無いかどうか判定する。In S51, the MPU 301 compares the spectral data (actually measured data) stored in the database 402 with the design data determined by the thin film design ES 100. First, the spectral curve indicated by the design specification is compared with spectral curve data (measurement data), and it is determined whether or not there is a large error between the two.
【００４５】分光カーブデータが設計仕様と大きく違っ
ていない場合には、補正データをゼロとし（Ｓ５６）、
薄膜形成に使用された蒸着条件をそのまま装置製造ＥＳ
２００のデータベース２０２に格納する（Ｓ５７）。な
お、ここで蒸着条件をデータベース２０２に格納してい
るため、同種の薄膜構成を再度形成する場合には、デー
タベース２０２に格納された蒸着条件を参照することに
より演算処理を簡略化することができる。If the spectral curve data does not greatly differ from the design specifications, the correction data is set to zero (S56),
Equipment manufacturing ES without changing the deposition conditions used for thin film formation
The data is stored in the database 202 of S200 (S57). Here, since the deposition conditions are stored in the database 202, when the same type of thin film configuration is to be formed again, the arithmetic processing can be simplified by referring to the deposition conditions stored in the database 202. .
【００４６】Ｓ５１において、設計仕様と分光カーブデ
ータとに大きな差異がある場合には、Ｓ５２以降の処理
で薄膜製造ＥＳ２００のデータベースに蒸着条件と共に
格納する補正データの演算を行う。In S51, if there is a large difference between the design specifications and the spectral curve data, correction data to be stored together with the deposition conditions in the database of the thin film manufacturing ES 200 is performed in the processing of S52 and thereafter.
【００４７】設計仕様と分光カーブデータとが大きく異
なる主な原因として、各薄膜の膜厚が正しくない場合
と、形成された薄膜の屈折率が設計値と異なる場合とが
考えられる。Ｓ５２では、膜厚が正しくない場合につい
て検証する。すなわち、膜厚を変化させて設計データを
再計算し、再計算された設計値に対応する分光カーブが
分光カーブデータ（実測データ）に近づくかどうかを判
定する。この時、膜厚は、薄膜の各層ごと、薄膜を形成
する物質ごと、複数の層の膜厚を同時に変化させるとい
った種々の方法でシミュレーションを繰り返し行い、再
計算された設計データに対応する分光カーブが分光カー
ブデータに近づくかどうかを検証する。The main causes of the significant difference between the design specifications and the spectral curve data are that the thickness of each thin film is incorrect and that the formed thin film has a different refractive index from the design value. In S52, the case where the film thickness is incorrect is verified. That is, the design data is recalculated by changing the film thickness, and it is determined whether or not the spectral curve corresponding to the recalculated design value approaches the spectral curve data (actually measured data). At this time, the simulation is repeated by various methods such as simultaneously changing the thickness of each layer of the thin film, each material forming the thin film, and the thickness of a plurality of layers, and the spectral curve corresponding to the recalculated design data is obtained. Verify whether or not approaches the spectral curve data.
【００４８】再計算された設計データに基づく分光カー
ブが分光カーブデータに最も近づいた時の分光カーブデ
ータと再計算値に対応する分光カーブとをＳ５３に於い
て比較する。両者のマッチの程度が大きい場合には、成
膜された薄膜構成が設計仕様を満たさない原因が膜厚の
補正により解消されると判定することができる。この場
合には、Ｓ５７において、薄膜形成に使用された蒸着条
件に加えて膜厚を制御するための蒸着条件の補正データ
を、薄膜製造ＥＳ２００のデータベース２０２に格納す
る。ここで蒸着条件に加えて補正データが格納されるた
め、同種の薄膜構成を再度形成する場合には、推論エン
ジン２０３はデータベース２０２のデータを参照するこ
とにより、好適な蒸着条件を速やかに決定することがで
きる。The spectral curve data when the spectral curve based on the recalculated design data is closest to the spectral curve data is compared with the spectral curve corresponding to the recalculated value in S53. When the degree of the match between the two is large, it can be determined that the cause of the failure of the formed thin film configuration to satisfy the design specification is eliminated by the correction of the film thickness. In this case, in S57, the correction data of the vapor deposition conditions for controlling the film thickness in addition to the vapor deposition conditions used for forming the thin film is stored in the database 202 of the thin film manufacturing ES 200. Here, since correction data is stored in addition to the deposition conditions, when forming a similar thin film configuration again, the inference engine 203 refers to the data in the database 202 to quickly determine a suitable deposition condition. be able to.
【００４９】Ｓ５３において、膜厚を変えて再計算した
設計データと分光データとのマッチの程度が小さいと判
定された場合には、形成された薄膜の屈折率が設計通り
の値になっていないかどうかについてＳ５４以降の処理
において検証する。In S53, when it is determined that the degree of matching between the design data recalculated while changing the film thickness and the spectral data is small, the refractive index of the formed thin film is not as designed. Whether it is verified in the processing after S54.
【００５０】この場合には、Ｓ５４にて、各膜物質を、
物質毎に、あるいは各層ごとに屈折率を変えて設計デー
タを再計算し、再計算値に対応する分光カーブが分光カ
ーブデータ（計測データ）に近づくかどうかを検証す
る。再計算値に対応する分光カーブが最も分光カーブデ
ータに近づいた時の両者のマッチの度合いをＳ５５で判
定する。もしも両者のマッチの程度が大きい場合には、
データベース２０２に、設計値に対応した蒸着条件と共
に、再計算値に対応した分光カーブが分光カーブデータ
に近づくように設定された補正データを格納する。この
補正データは、同種の薄膜を再度形成する場合に推論エ
ンジン２０３により参照され、好適な動作条件の決定に
寄与する。なお、屈折率を変化させるため、蒸着レー
ト、基板温度、ガス圧等が補正される。In this case, in S54, each film substance is
The design data is recalculated by changing the refractive index for each substance or for each layer, and it is verified whether or not the spectral curve corresponding to the recalculated value approaches the spectral curve data (measurement data). When the spectral curve corresponding to the recalculated value is closest to the spectral curve data, the degree of matching between the two is determined in S55. If the degree of both matches is large,
The database 202 stores, together with the deposition conditions corresponding to the design values, correction data set so that the spectral curve corresponding to the recalculated value approaches the spectral curve data. This correction data is referred to by the inference engine 203 when a similar thin film is formed again, and contributes to determination of a suitable operating condition. In order to change the refractive index, the deposition rate, the substrate temperature, the gas pressure and the like are corrected.
【００５１】なおＳ５５において、分光データと再計算
された設計値に対応する分光カーブとのマッチの程度が
小さいと判定された場合には、補正不能としてディスプ
レイ３０３にメッセージを表示し、補正データ生成処理
を終了する（Ｓ５８）。この場合には、蒸着条件もデー
タベース２０２には格納されない。If it is determined in S55 that the degree of matching between the spectral data and the spectral curve corresponding to the recalculated design value is small, a message is displayed on the display 303 indicating that correction is impossible, and correction data generation is performed. The process ends (S58). In this case, the deposition conditions are not stored in the database 202 either.
【００５２】上記の様にして、補正データが生成される
と、補正データがデータベース２０２に格納される。設
計仕様に基づいて薄膜設計ＥＳ１００が設計データを決
定する。薄膜製造ＥＳ２００は、データベース２０２に
格納された補正データを参照して、最終的に薄膜製造装
置６００により形成される薄膜の構成が設計データの膜
構成と一致するよう、蒸着条件を決定する。When the correction data is generated as described above, the correction data is stored in the database 202. The thin film design ES 100 determines design data based on the design specifications. The thin-film manufacturing ES 200 refers to the correction data stored in the database 202 and determines the deposition conditions so that the configuration of the thin film finally formed by the thin-film manufacturing apparatus 600 matches the configuration of the design data.
【００５３】本実施の形態の薄膜製造システム１におい
ては、薄膜設計ＥＳ１００により設計された薄膜構成に
基づいて薄膜が製造される構成となっているが、薄膜設
計ＥＳ１００以外の入力手段、例えばキーボード３０４
により入力された薄膜構成（蒸着物質、膜厚）に基づい
て薄膜の製造を行うことも可能である。In the thin film manufacturing system 1 of the present embodiment, the thin film is manufactured based on the thin film configuration designed by the thin film design ES 100. However, input means other than the thin film design ES 100, for example, the keyboard 304
It is also possible to manufacture a thin film based on the thin film configuration (evaporation substance, film thickness) input by (1).
【００５４】本実施の形態の薄膜製造システム１におい
ては、補正データを薄膜製造ＥＳ２００のデータベース
２０２に格納し、薄膜の製造条件を決定する際に補正を
加える構成となっているが、補正データを薄膜設計ＥＳ
１００のデータベース１０２に格納し、薄膜の設計段階
で補正を加える構成とすることも可能である。また、補
正パラメータに応じて薄膜設計ＥＳ１００と薄膜製造Ｅ
Ｓ２００のそれぞれで適宜補正を加えるような構成とす
ることも可能である。In the thin film manufacturing system 1 of the present embodiment, the correction data is stored in the database 202 of the thin film manufacturing ES 200, and the correction is performed when the thin film manufacturing conditions are determined. Thin film design ES
It is also possible to adopt a configuration in which the data is stored in the database 102 of 100 and correction is made at the thin film design stage. Further, the thin film design ES 100 and the thin film production E
It is also possible to adopt a configuration in which correction is appropriately made in each of S200.
【００５５】[0055]
【発明の効果】以上のように、本発明の光学薄膜製造シ
ステムによれば、薄膜製造エキスパートシステムによ
り、薄膜の物理構成に応じて薄膜の蒸着条件を自動決定
し、製造するため、従来のようにプログラムを物理構成
毎に準備する必要が無く、また、種々の物理構成に速や
かに対応できるため、均一な品質の薄膜構成を容易に生
成することが可能で、薄膜の生産コストを下げることが
可能となる。As described above, according to the optical thin film manufacturing system of the present invention, the thin film deposition conditions are automatically determined and manufactured according to the physical configuration of the thin film by the thin film manufacturing expert system. It is not necessary to prepare a program for each physical configuration, and it is possible to quickly respond to various physical configurations, so that a thin film configuration of uniform quality can be easily generated, and the production cost of the thin film can be reduced. It becomes possible.
【図１】発明の実施の形態である薄膜製造システムの構
成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a thin film manufacturing system according to an embodiment of the present invention.
【図２】薄膜設計エキスパートシステムの推論エンジン
により実行される薄膜設計処理を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a thin film design process executed by an inference engine of the thin film design expert system.
【図３】補正データ生成処理を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a correction data generation process.
１ 薄膜製造システム １００ 薄膜設計エキスパートシステム １０１ 知識ベース １０２ データベース １０３ 推論エンジン ２００ 薄膜製造エキスパートシステム ２０１ 知識ベース ２０２ データベース ２０３ 推論エンジン ３００ 薄膜製造システム制御部 ３０１ ＭＰＵ ３０３ ディスプレイ ３０４ キーボード ４００ 薄膜計測システム ４０１ ＭＰＵ ４０２ データベース ４０５ 計測部 ５００ 薄膜製造装置制御部 ５０１ ＭＰＵ ６００ 薄膜製造装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin-film manufacturing system 100 Thin-film design expert system 101 Knowledge base 102 Database 103 Inference engine 200 Thin-film manufacturing expert system 201 Knowledge base 202 Database 203 Inference engine 300 Thin-film manufacturing system control unit 301 MPU 303 Display 304 Keyboard 400 Thin-film measurement system 401 MPU 402 Database 405 Measuring unit 500 Thin film manufacturing device control unit 501 MPU 600 Thin film manufacturing device
Claims (5)
するための光学薄膜製造システムであって、 薄膜構成入力手段と、 薄膜製造知識ベースと薄膜製造データベースと薄膜製造
推論エンジンを備え、前記薄膜構成に基づき、前記薄膜
製造推論エンジンが、前記薄膜製造知識ベースおよび前
記薄膜製造データベースの内容を参照して前記薄膜製造
装置における薄膜製造時の最適な蒸着条件を決定する薄
膜製造エキスパートシステムと、 前記薄膜入力手段により入力された薄膜構成を、前記薄
膜製造エキスパートシステムにより決定された蒸着条件
のもとで製造する薄膜製造装置と、を有すること特徴と
する光学薄膜製造システム。1. An optical thin film manufacturing system for depositing an optical thin film according to a thin film deposition condition, comprising: a thin film configuration input means; a thin film production knowledge base, a thin film production database, and a thin film production inference engine; Based on the thin film manufacturing inference engine, the thin film manufacturing expert system that determines the optimal deposition conditions at the time of thin film manufacturing in the thin film manufacturing apparatus with reference to the thin film manufacturing knowledge base and the contents of the thin film manufacturing database, An optical thin film manufacturing system, comprising: a thin film manufacturing apparatus that manufactures a thin film configuration input by an input unit under vapor deposition conditions determined by the thin film manufacturing expert system.
光学薄膜製造システムであって、 薄膜を前記基板に蒸着するための薄膜製造装置と、 薄膜の物理構成に対応した前記薄膜製造装置の制御条件
をデータベースとして格納する記憶手段と、 所望の薄膜の物理構成を入力するための入力手段と、 前記入力手段により入力された前記所望の薄膜の物理構
成と、前記記憶手段に格納された制御条件に基づいて、
前記所望の薄膜の物理構成を実現するための前記薄膜製
造装置の制御条件を決定する推論エンジンと、を有し、 前記薄膜製造装置は、前記推論エンジンにより決定され
た制御条件に従って動作することを特徴とする光学薄膜
製造システム。2. An optical thin film manufacturing system for depositing an optical thin film on a predetermined substrate, comprising: a thin film manufacturing apparatus for depositing a thin film on the substrate; and a thin film manufacturing apparatus corresponding to a physical configuration of the thin film. Storage means for storing control conditions as a database; input means for inputting a physical configuration of a desired thin film; physical configuration of the desired thin film input by the input means; and control stored in the storage means Based on the conditions,
An inference engine that determines control conditions of the thin film manufacturing apparatus for realizing the physical configuration of the desired thin film, wherein the thin film manufacturing apparatus operates according to the control conditions determined by the inference engine. Characteristic optical thin film production system.
ることを特徴とする請求項２に記載の光学薄膜製造シス
テム。3. The optical thin film manufacturing system according to claim 2, wherein the physical configuration is a deposition material and a film thickness.
膜材料に対応した電子銃の制御パラメータ、前記薄膜製
造装置の薄膜形成用チャンバの真空度、各種基板の温度
条件、ガス圧、膜物質の蒸着条件、膜物質の量、成膜後
の真空状態のチャンバに空気を入れる条件、前記各種基
板の使用可能温度、膜厚をモニタするためのモニタガラ
スの利用可能個数、膜物質と膜物質が入れられている坩
堝との対応関係の一つを含むことを特徴とする、請求項
２または３に記載の光学薄膜製造システム。4. The control conditions include at least a control parameter of an electron gun corresponding to various thin film materials, a degree of vacuum of a thin film forming chamber of the thin film manufacturing apparatus, a temperature condition of various substrates, a gas pressure, and a film material. The deposition conditions, the amount of the film material, the conditions for injecting air into the vacuum chamber after the film formation, the usable temperature of the various substrates, the available number of monitor glasses for monitoring the film thickness, the film material and the film material The optical thin film manufacturing system according to claim 2, wherein the optical thin film manufacturing system includes one of a correspondence relationship with a crucible placed therein.
り決定された蒸着条件に基づいて前記製造装置により蒸
着された薄膜の製造誤差を格納しており、前記推論エン
ジンは、前記製造誤差を加味して前記蒸着条件を決定す
ることを特徴とする請求項２、３または４に記載の光学
薄膜製造システム。5. The storage means stores a production error of a thin film deposited by the production apparatus based on the deposition conditions determined by the inference engine, and the inference engine takes into account the production error. 5. The optical thin film manufacturing system according to claim 2, wherein the vapor deposition condition is determined by the method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9061871A JPH10237646A (en) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | Optical thin-film production system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9061871A JPH10237646A (en) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | Optical thin-film production system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237646A true JPH10237646A (en) | 1998-09-08 |
Family
ID=13183629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9061871A Withdrawn JPH10237646A (en) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | Optical thin-film production system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10237646A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237645A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-08 | Asahi Optical Co Ltd | Optical thin-film production system |
| JP2006070291A (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Hoya Corp | Lens manufacturing method and program |
| CN116641035A (en) * | 2023-07-26 | 2023-08-25 | 南京诺源医疗器械有限公司 | Film coating method for laparoscopic optical piece |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP9061871A patent/JPH10237646A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10237645A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-08 | Asahi Optical Co Ltd | Optical thin-film production system |
| JP2006070291A (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Hoya Corp | Lens manufacturing method and program |
| CN116641035A (en) * | 2023-07-26 | 2023-08-25 | 南京诺源医疗器械有限公司 | Film coating method for laparoscopic optical piece |
| CN116641035B (en) * | 2023-07-26 | 2023-10-13 | 南京诺源医疗器械有限公司 | Film coating method for laparoscopic optical piece |
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