JPH10228007A - 光導波路型電気制御可変アッティネータ - Google Patents
光導波路型電気制御可変アッティネータInfo
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- JPH10228007A JPH10228007A JP9044719A JP4471997A JPH10228007A JP H10228007 A JPH10228007 A JP H10228007A JP 9044719 A JP9044719 A JP 9044719A JP 4471997 A JP4471997 A JP 4471997A JP H10228007 A JPH10228007 A JP H10228007A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】誘導体基板を用いた光導波路型電気制御可変ア
ッティネータにおいて、減衰特性の偏光依存性、およ
び、偏光無依存化を実現する場合の動作電圧の上昇を改
善する光導波路型電気制御可変アッティネータの提供。 【解決手段】入力ポート２ａより入射された光３ａは偏
光分岐器１０ａにより、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂに
分岐され、各々方向性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂに
て可変減衰されたのち偏光結合器によりＴＭ偏光６ｃ、
ＴＥ偏光６ｄは結合され、出力ポート２ｂより出力され
る。この時、両偏光６ａ、６ｂが等しい減衰特性を得る
ように、方向性結合器スイッチング１１ａ、１１ｂの制
御電圧９ａ、９ｂを一定比率に調節することにより偏光
無依存減衰特性を得ることができる。
ッティネータにおいて、減衰特性の偏光依存性、およ
び、偏光無依存化を実現する場合の動作電圧の上昇を改
善する光導波路型電気制御可変アッティネータの提供。 【解決手段】入力ポート２ａより入射された光３ａは偏
光分岐器１０ａにより、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂに
分岐され、各々方向性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂに
て可変減衰されたのち偏光結合器によりＴＭ偏光６ｃ、
ＴＥ偏光６ｄは結合され、出力ポート２ｂより出力され
る。この時、両偏光６ａ、６ｂが等しい減衰特性を得る
ように、方向性結合器スイッチング１１ａ、１１ｂの制
御電圧９ａ、９ｂを一定比率に調節することにより偏光
無依存減衰特性を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超高速基幹伝送通信
システムに使用される導波路型光デバイスに関し、特
に、光導波路型電気制御可変アッティネータに関する。
システムに使用される導波路型光デバイスに関し、特
に、光導波路型電気制御可変アッティネータに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の、光通信システムの実用化に伴
い、大容量、且つ、多機能の高度な通信システムが求め
られており、より高速の光信号の発生、同一光伝送路内
の波長多重化、光伝送路の切り替え、交換等の新たな機
能の付加が必要とされている。
い、大容量、且つ、多機能の高度な通信システムが求め
られており、より高速の光信号の発生、同一光伝送路内
の波長多重化、光伝送路の切り替え、交換等の新たな機
能の付加が必要とされている。
【０００３】その中で、特に、光ファイバアンプの実用
化に伴い、多波長一括伝送（ＷＤＭ；wavelength divi
sion multiplexing）方式への期待が高まりつつある。
化に伴い、多波長一括伝送（ＷＤＭ；wavelength divi
sion multiplexing）方式への期待が高まりつつある。
【０００４】このＷＤＭ伝送を実現するためには、光フ
ァイバアンプの利得の波長依存性の低減が不可欠であ
る。
ァイバアンプの利得の波長依存性の低減が不可欠であ
る。
【０００５】光ファイバアンプの利得の波長依存性の低
減のための一つの方法として、エルビウム・ドープ・フ
ァイバ（ＥＤＦ）の利得波長依存性の最適化があるが、
実現のためには、ＥＤＦの利得を一定に制御する必要が
ある。
減のための一つの方法として、エルビウム・ドープ・フ
ァイバ（ＥＤＦ）の利得波長依存性の最適化があるが、
実現のためには、ＥＤＦの利得を一定に制御する必要が
ある。
【０００６】しかしながら、ＥＤＦの利得を一定に制御
した場合、光ファイバアンプへの入力信号のレベル変動
が出力段にそのまま現れることになり、多段伝送を行っ
た場合、受信段におけるレベル変動が大きくなり、装置
への適用は困難である、という問題点がある。
した場合、光ファイバアンプへの入力信号のレベル変動
が出力段にそのまま現れることになり、多段伝送を行っ
た場合、受信段におけるレベル変動が大きくなり、装置
への適用は困難である、という問題点がある。
【０００７】この問題点を解決する従来の方式として、
例えば図４に示すように、フィードバック制御が可能な
電気制御型可変光アッティネータ４０４により、光ファ
イバアンプ４０３の出力レベル変動を補償するものがあ
る。入射光はＷＤＭカプラで励起ＬＤ（レーザダイオー
ド）４０１からの励起光と多重されてエルビウム・ドー
プ・光ファイバで増幅され、出射光をモニタする光検出
器４０５の制御信号電圧により可変光アッティネータ４
０４で可変に減衰し、タップカプラ４０６を経て出力さ
れる。
例えば図４に示すように、フィードバック制御が可能な
電気制御型可変光アッティネータ４０４により、光ファ
イバアンプ４０３の出力レベル変動を補償するものがあ
る。入射光はＷＤＭカプラで励起ＬＤ（レーザダイオー
ド）４０１からの励起光と多重されてエルビウム・ドー
プ・光ファイバで増幅され、出射光をモニタする光検出
器４０５の制御信号電圧により可変光アッティネータ４
０４で可変に減衰し、タップカプラ４０６を経て出力さ
れる。
【０００８】以下に、従来の光導波路電気制御可変光ア
ッティネータの構造、及び、機能について説明する。
ッティネータの構造、及び、機能について説明する。
【０００９】図５に、従来の方向性結合器型光スイッチ
を用いた場合の光導波路型電気制御可変アッティネータ
の一例を示す。図５に示した構成は、文献（１）（近藤
充和、谷澤靖久、岩崎正明、太田義徳、青山勉、石川
朗、「ＬｉＮｂＯ3光導波路スイッチの偏光無依存
化」、昭和６２年電子情報通信学会半導体・材料部門全
国大会、発行年月日：１９８７．３、ＰＰ．２−１４
０）に記載されたものである。
を用いた場合の光導波路型電気制御可変アッティネータ
の一例を示す。図５に示した構成は、文献（１）（近藤
充和、谷澤靖久、岩崎正明、太田義徳、青山勉、石川
朗、「ＬｉＮｂＯ3光導波路スイッチの偏光無依存
化」、昭和６２年電子情報通信学会半導体・材料部門全
国大会、発行年月日：１９８７．３、ＰＰ．２−１４
０）に記載されたものである。
【００１０】図５を参照して、アッティネータは、Ｚ板
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）からなる基板１２ａ
の表面に導波路７が、図示のような形状に作製される。
なお、基板１２ａより僅かに高い屈折率をもつ部分が、
光導波路２となり、光導波路７はチタン（Ｔｉ）を基板
に熱拡散することにより形成される。また光導波路７上
には、二酸化珪素（ＳｉＯ2）などで構成されるバッフ
ァ層１３ａが設けられ、バッファ層１３ａの上には、制
御電極８ａ、８ｂが設けられている。
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）からなる基板１２ａ
の表面に導波路７が、図示のような形状に作製される。
なお、基板１２ａより僅かに高い屈折率をもつ部分が、
光導波路２となり、光導波路７はチタン（Ｔｉ）を基板
に熱拡散することにより形成される。また光導波路７上
には、二酸化珪素（ＳｉＯ2）などで構成されるバッフ
ァ層１３ａが設けられ、バッファ層１３ａの上には、制
御電極８ａ、８ｂが設けられている。
【００１１】この従来の光導波路電気制御可変光アッテ
ィネータでは、エルビウム・ドープド・ファイバからの
信号光３ａは、入力ポート２ａに入射される。ここで
は、光の電界が基板に対して平行な成分をＴＥ偏光４、
光の電界が基板表面に対して垂直な成分をＴＭ偏光５と
する。
ィネータでは、エルビウム・ドープド・ファイバからの
信号光３ａは、入力ポート２ａに入射される。ここで
は、光の電界が基板に対して平行な成分をＴＥ偏光４、
光の電界が基板表面に対して垂直な成分をＴＭ偏光５と
する。
【００１２】入力ポート２ａから入射された導波光６ａ
は、制御電極８ａ、８ｂに電圧が印加されていない場
合、方向性結合器スイッチ１１ａにおいて光導波路７ｂ
から近接する光導波路７ｄに光パワーが移行し、出力側
光導波路７ｃを通過し、出力ポート２ｂより出力ファイ
バ１ｂへ出射される。
は、制御電極８ａ、８ｂに電圧が印加されていない場
合、方向性結合器スイッチ１１ａにおいて光導波路７ｂ
から近接する光導波路７ｄに光パワーが移行し、出力側
光導波路７ｃを通過し、出力ポート２ｂより出力ファイ
バ１ｂへ出射される。
【００１３】従来の光導波路電気制御可変光アッティネ
ータでは、このように、方向性結合器型スイッチ１１ａ
は、光パワーが光導波路７ａ、７ｃ間を完全移行される
ような方向性結合器型スイッチ部長（「完全結合長」と
もいう、光導波路７ｂ、７ｄで規定されるスイッチ部の
長さ）に設計されている。このような構成における方向
性結合器型スイッチ部１１ａでは、制御電極８ａ、８ｂ
に電圧Ｖ９ａを印加すると、電気光学効果により電極値
直下の光導波路７ｂ、７ｃの屈曲率が変化し、出力光３
ａの光強度は変化する。
ータでは、このように、方向性結合器型スイッチ１１ａ
は、光パワーが光導波路７ａ、７ｃ間を完全移行される
ような方向性結合器型スイッチ部長（「完全結合長」と
もいう、光導波路７ｂ、７ｄで規定されるスイッチ部の
長さ）に設計されている。このような構成における方向
性結合器型スイッチ部１１ａでは、制御電極８ａ、８ｂ
に電圧Ｖ９ａを印加すると、電気光学効果により電極値
直下の光導波路７ｂ、７ｃの屈曲率が変化し、出力光３
ａの光強度は変化する。
【００１４】この制御電圧Ｖ９ａに対する出力光３ａの
光強度Ｐは、次式（１）で表せられる。例えば文献
（２）（西原他、光集積回路、オーム社、１９８５年）
等参照。
光強度Ｐは、次式（１）で表せられる。例えば文献
（２）（西原他、光集積回路、オーム社、１９８５年）
等参照。
【００１５】
【数１】
【００１６】この制御電圧Ｖ９ａに対する出力光３ａの
減衰特性例を図６に示す。図６において、横軸は制御電
圧９ａ、縦軸は減衰量（デシベル表示）を示している。
減衰特性例を図６に示す。図６において、横軸は制御電
圧９ａ、縦軸は減衰量（デシベル表示）を示している。
【００１７】ここで、光強度は導波光６ａで規格化、印
加電圧はＴＭ偏光成分が最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
加電圧はＴＭ偏光成分が最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
【００１８】従って、アッティネータは、制御電圧Ｖ９
ａを制御することにより、入力光３ａの減衰量を自在に
可変することが可能である。
ａを制御することにより、入力光３ａの減衰量を自在に
可変することが可能である。
【００１９】また、図７に、従来の方向性結合器型光ス
イッチを用いた場合の光導波路型電気制御可変アッティ
ネータの別の構成例を示す。
イッチを用いた場合の光導波路型電気制御可変アッティ
ネータの別の構成例を示す。
【００２０】図７を参照して、この従来のアッティネー
タは、Ｘ板ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）からなる
基板１２ａの表面に導波路７が、図示したような形状に
作製される。
タは、Ｘ板ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）からなる
基板１２ａの表面に導波路７が、図示したような形状に
作製される。
【００２１】なお、基板１２ａより僅かに高い屈折率を
もつ部分が光導波路２となり、光導波路７はチタン（Ｔ
ｉ）を基板に熱拡散することにより形成される。また光
導波路７上には、二酸化珪素（ＳｉＯ2）などで構成さ
れるバッファ層１３ａが設けられ、バッファ層１３ａの
上には、制御電極８ａ、８ｂが設けられている。
もつ部分が光導波路２となり、光導波路７はチタン（Ｔ
ｉ）を基板に熱拡散することにより形成される。また光
導波路７上には、二酸化珪素（ＳｉＯ2）などで構成さ
れるバッファ層１３ａが設けられ、バッファ層１３ａの
上には、制御電極８ａ、８ｂが設けられている。
【００２２】この従来の光導波路電気制御可変光アッテ
ィネータでは、図７に示す通り、エルビウム・ドープド
・ファイバからの信号光３ａは、入力ポート２ａに入射
される。
ィネータでは、図７に示す通り、エルビウム・ドープド
・ファイバからの信号光３ａは、入力ポート２ａに入射
される。
【００２３】ここで、光の電界が基板に対して平行な成
分をＴＥ偏光４、光の電界が基板表面に対して垂直な成
分をＴＭ偏光５とする。
分をＴＥ偏光４、光の電界が基板表面に対して垂直な成
分をＴＭ偏光５とする。
【００２４】入力ポート２ａから入射された導波光６ａ
は制御電極３ａ、３ｂに電圧が印加されていない場合、
方向性結合器スイッチ部１１ａにおいて光導波路７ｂか
ら近接する光導波路７ｃに光パワーが移行し、出力側光
導波路７ｄを通過し、出力ポート２ｂより出力ファイバ
１ｂへ出射される。
は制御電極３ａ、３ｂに電圧が印加されていない場合、
方向性結合器スイッチ部１１ａにおいて光導波路７ｂか
ら近接する光導波路７ｃに光パワーが移行し、出力側光
導波路７ｄを通過し、出力ポート２ｂより出力ファイバ
１ｂへ出射される。
【００２５】光導波路電気制御可変光アッティネータで
は、このように方向性結合器型スイッチ部１１ａは、光
パワーが光導波路７ｂ、７ｃ間を完全移行されるような
方向性結合器型スイッチ部長（「完全結合長」ともい
う、光導波路７ｂ、７ｃで規定されるスイッチ型の長
さ）に設計されている。このような構成における方向性
結合器型スイッチ部１１ａでは、制御電極３ａ、３ｂに
電圧Ｖ９ａを印加すると、電気光学効果により電極直下
の光導波路７ｂ、７ｃの屈折率が変化し、出力光の３ａ
の光強度は変化する。
は、このように方向性結合器型スイッチ部１１ａは、光
パワーが光導波路７ｂ、７ｃ間を完全移行されるような
方向性結合器型スイッチ部長（「完全結合長」ともい
う、光導波路７ｂ、７ｃで規定されるスイッチ型の長
さ）に設計されている。このような構成における方向性
結合器型スイッチ部１１ａでは、制御電極３ａ、３ｂに
電圧Ｖ９ａを印加すると、電気光学効果により電極直下
の光導波路７ｂ、７ｃの屈折率が変化し、出力光の３ａ
の光強度は変化する。
【００２６】その制御電圧Ｖ９ａに対するＴＥ偏光成分
５ａ、ＴＭ偏光成分５ｂの減衰特性を図８に示す。
５ａ、ＴＭ偏光成分５ｂの減衰特性を図８に示す。
【００２７】ここで、光強度は導波光６ａで規格化、印
加電圧はＴＭ偏光成分が最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
加電圧はＴＭ偏光成分が最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
【００２８】従って、本アッティネータは電圧Ｖ９ａを
制御することにより、入力光３ａの減衰量を自在に可変
することが可能である。
制御することにより、入力光３ａの減衰量を自在に可変
することが可能である。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術は下
記記載の問題点を有している。
記記載の問題点を有している。
【００３０】図５に示した従来技術の問題点は、制御電
圧Ｖ９ａに対する、出力光３ｂの減衰特性の偏光依存性
が大きい、ということである。
圧Ｖ９ａに対する、出力光３ｂの減衰特性の偏光依存性
が大きい、ということである。
【００３１】その理由は、基板１２ａにＺ板Ｙ伝搬Ｌｉ
ＮｂＯ3を使用しているため、減衰特性を得るために使
用する電気光学定数の大きさが、ＴＭ偏光４、及び、Ｔ
Ｅ偏光５では、 ＴＥ偏光電気光学定数 γ12≒９×１０-12m／V ＴＭ偏光電気光学定数 γ33≒３１×１０-12m／V と異なるためである。
ＮｂＯ3を使用しているため、減衰特性を得るために使
用する電気光学定数の大きさが、ＴＭ偏光４、及び、Ｔ
Ｅ偏光５では、 ＴＥ偏光電気光学定数 γ12≒９×１０-12m／V ＴＭ偏光電気光学定数 γ33≒３１×１０-12m／V と異なるためである。
【００３２】図７に示した従来技術の問題点は、偏光無
依存減衰特性を得るために、図５に示した従来技術に対
して制御電圧が増加することである。
依存減衰特性を得るために、図５に示した従来技術に対
して制御電圧が増加することである。
【００３３】その理由は、基板１２ａにＸ板Ｚ伝搬Ｌｉ
ＮｂＯ3を使用しているため、減衰特性を得るために使
用する電気光学定数の大きさは、図５に示した従来技術
で、 ＴＥ偏光電気光学定数 γ12≒９×１０-12m／V ＴＭ偏光電気光学定数 γ33≒３１×１０-12m／V 図７に示した従来技術で、 ＴＥ、ＴＭ偏光電気光学定数γ22≒３×１０-12m／V であり、図５に示した従来技術に対して、電気光学定数
は、ＴＥ偏光では約１／３、ＴＭ偏光は約１／１０と小
さくなるためである。
ＮｂＯ3を使用しているため、減衰特性を得るために使
用する電気光学定数の大きさは、図５に示した従来技術
で、 ＴＥ偏光電気光学定数 γ12≒９×１０-12m／V ＴＭ偏光電気光学定数 γ33≒３１×１０-12m／V 図７に示した従来技術で、 ＴＥ、ＴＭ偏光電気光学定数γ22≒３×１０-12m／V であり、図５に示した従来技術に対して、電気光学定数
は、ＴＥ偏光では約１／３、ＴＭ偏光は約１／１０と小
さくなるためである。
【００３４】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、偏光無依存、低
電圧、且つ、高速動作が可能な光導波路型電気制御可変
光アッティネータを提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、偏光無依存、低
電圧、且つ、高速動作が可能な光導波路型電気制御可変
光アッティネータを提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の光導波路型電気制御可変アッティネータは、誘電体
基板と、前記基板表面に形成された光導波路と、前記光
導波路に設けられた入出力ポートと、第１、第２の方向
性結合器スイッチと、偏光分岐器と、偏光結合器と、を
備えた光導波路型電気制御可変アッティネータにおい
て、前記偏光分岐器の入力部を前記入力ポートと設定
し、前記偏光分岐器の一方の出力部が前記第１の方向性
結合器スイッチの入力部と接続され、前記第１の方向性
結合器スイッチの出力部が前記偏光結合器の一方の入力
部と接続され、前記偏光分岐器の他方の出力部が前記第
２の方向性結合器スイッチの入力部と接続され、前記第
２の方向性結合器スイッチの出力部が前記偏光結合器の
他方の入力部に接続され、前記偏光結合器の出力を前記
出力ポートと設定している、ことを特徴とする。
明の光導波路型電気制御可変アッティネータは、誘電体
基板と、前記基板表面に形成された光導波路と、前記光
導波路に設けられた入出力ポートと、第１、第２の方向
性結合器スイッチと、偏光分岐器と、偏光結合器と、を
備えた光導波路型電気制御可変アッティネータにおい
て、前記偏光分岐器の入力部を前記入力ポートと設定
し、前記偏光分岐器の一方の出力部が前記第１の方向性
結合器スイッチの入力部と接続され、前記第１の方向性
結合器スイッチの出力部が前記偏光結合器の一方の入力
部と接続され、前記偏光分岐器の他方の出力部が前記第
２の方向性結合器スイッチの入力部と接続され、前記第
２の方向性結合器スイッチの出力部が前記偏光結合器の
他方の入力部に接続され、前記偏光結合器の出力を前記
出力ポートと設定している、ことを特徴とする。
【００３６】［発明の概要］本発明は、Ｚ板ＬｉＮｂＯ
3を用い、偏光分離器、方向性結合器スイッチ、及び偏
光結合器を形成し、偏光分離器にてＴＥ／ＴＭ偏光を分
離し、それぞれ、方向性結合器スイッチにて可変減衰さ
せたのち、偏光結合器にてＴＥ／ＴＭ偏光を結合し、出
力する。
3を用い、偏光分離器、方向性結合器スイッチ、及び偏
光結合器を形成し、偏光分離器にてＴＥ／ＴＭ偏光を分
離し、それぞれ、方向性結合器スイッチにて可変減衰さ
せたのち、偏光結合器にてＴＥ／ＴＭ偏光を結合し、出
力する。
【００３７】この時、両偏光が等しい減衰量を得るよう
に、各々の方向性結合器スイッチの制御電圧を調節する
ことにより、低電圧、偏光無依存、且つ、高速動作な可
変減衰を実現する。
に、各々の方向性結合器スイッチの制御電圧を調節する
ことにより、低電圧、偏光無依存、且つ、高速動作な可
変減衰を実現する。
【００３８】また、減衰動作に大きい電気光学定数
γ13、及び、γ33を使用するため、Ｘ板ＬｉＮｂＯ3を
使用した場合に対し、低電圧化が可能である。
γ13、及び、γ33を使用するため、Ｘ板ＬｉＮｂＯ3を
使用した場合に対し、低電圧化が可能である。
【００３９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の光導波路型電気制御可変アッティ
ネータは、その好ましい実施の形態において、誘電体基
板（図１の１２ａ）と、誘電体基板表面に形成された光
導波路（図１の７）と、光導波路に設けられた入出力ポ
ート（図１の２ａ、２ｂ）と、第１、第２の方向性結合
器スイッチ（図１の１１ａ、１１ｂ）と、偏光分岐器
（図１の１０ａ）と、偏光結合器（図１の１０ｂ）と、
を備え、偏光分岐器（図１の１０ａ）の入力部を入力ポ
ート（図１の２ａ）と設定し、偏光分岐器（図１の１０
ａ）の一方の出力部が第１の方向性結合器スイッチの入
力部（図１の７ｄ）と接続され、第１の方向性結合器ス
イッチの出力部が偏光結合器（図１の１０ｂ）の一方の
入力部（図１の７ｈ）と接続され、偏光分岐器（図１の
１０ａ）の他方の出力部が第２の方向性結合器スイッチ
（図１の１１ｂ）の入力部（７ｇ）と接続され、第２の
方向性結合器スイッチの出力部が偏光結合器の他方の入
力部（図１の７ｉ）に接続され、偏光結合器（図１の１
０ｂ）の出力部が出力ポート（図１の２ｂ）と設定され
ている。
に説明する。本発明の光導波路型電気制御可変アッティ
ネータは、その好ましい実施の形態において、誘電体基
板（図１の１２ａ）と、誘電体基板表面に形成された光
導波路（図１の７）と、光導波路に設けられた入出力ポ
ート（図１の２ａ、２ｂ）と、第１、第２の方向性結合
器スイッチ（図１の１１ａ、１１ｂ）と、偏光分岐器
（図１の１０ａ）と、偏光結合器（図１の１０ｂ）と、
を備え、偏光分岐器（図１の１０ａ）の入力部を入力ポ
ート（図１の２ａ）と設定し、偏光分岐器（図１の１０
ａ）の一方の出力部が第１の方向性結合器スイッチの入
力部（図１の７ｄ）と接続され、第１の方向性結合器ス
イッチの出力部が偏光結合器（図１の１０ｂ）の一方の
入力部（図１の７ｈ）と接続され、偏光分岐器（図１の
１０ａ）の他方の出力部が第２の方向性結合器スイッチ
（図１の１１ｂ）の入力部（７ｇ）と接続され、第２の
方向性結合器スイッチの出力部が偏光結合器の他方の入
力部（図１の７ｉ）に接続され、偏光結合器（図１の１
０ｂ）の出力部が出力ポート（図１の２ｂ）と設定され
ている。
【００４０】本発明の実施の形態において、誘導体基板
（図１の１２ａ）は、好ましくは、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）からなり、ニオブ酸リチウムが、Ｚ−
ｃｕｔである。
（図１の１２ａ）は、好ましくは、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）からなり、ニオブ酸リチウムが、Ｚ−
ｃｕｔである。
【００４１】また本発明の実施の形態において、偏光分
岐器（図１の１０ａ）は、好ましくは、Ｔｉ拡散、及
び、プロトン交換光導波路から構成される。
岐器（図１の１０ａ）は、好ましくは、Ｔｉ拡散、及
び、プロトン交換光導波路から構成される。
【００４２】また本発明の実施の形態において、偏光結
合器（図１の１０ｂ）は、Ｔｉ拡散、及び、プロトン交
換光導波路から構成されている。
合器（図１の１０ｂ）は、Ｔｉ拡散、及び、プロトン交
換光導波路から構成されている。
【００４３】本発明の実施の形態においては、入力ポー
ト２ａより入射された光３ａは偏光分岐器１０ａによ
り、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂに分岐され、各々方向
性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂにて可変減衰されたの
ち偏光結合器によりＴＭ偏光６ｃ、ＴＥ偏光６ｄは結合
され、出力ポート２ｂより出力される。この時、両偏光
６ａ、６ｂが等しい減衰特性を得るように、方向性結合
器スイッチング１１ａ、１１ｂの制御電圧９ａ、９ｂを
一定比率に調節することにより偏光無依存減衰特性を得
ることができる。
ト２ａより入射された光３ａは偏光分岐器１０ａによ
り、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂに分岐され、各々方向
性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂにて可変減衰されたの
ち偏光結合器によりＴＭ偏光６ｃ、ＴＥ偏光６ｄは結合
され、出力ポート２ｂより出力される。この時、両偏光
６ａ、６ｂが等しい減衰特性を得るように、方向性結合
器スイッチング１１ａ、１１ｂの制御電圧９ａ、９ｂを
一定比率に調節することにより偏光無依存減衰特性を得
ることができる。
【００４４】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
【００４５】図１は、本発明の一実施例に係るＴｉ拡散
型Ｚ板Ｙ軸伝搬ＬｉＮｂＯ3光導波路電気制御可変光ア
ッティネータの構成を説明するための斜視図である。
型Ｚ板Ｙ軸伝搬ＬｉＮｂＯ3光導波路電気制御可変光ア
ッティネータの構成を説明するための斜視図である。
【００４６】まず、この光導波路型電気可変光アッティ
ネータの製造方法の一例について説明しておく。
ネータの製造方法の一例について説明しておく。
【００４７】図１を参照して、ＬｉＮｂＯ3基板１２ａ
上にＴｉ膜を堆積し、光導波路パターンにパターニング
を行った後に、数時間熱拡散を行い光導波路７ａ、７
ｂ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７ｊを形成する。
上にＴｉ膜を堆積し、光導波路パターンにパターニング
を行った後に、数時間熱拡散を行い光導波路７ａ、７
ｂ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７ｊを形成する。
【００４８】その後、光導波路パターン７ｃ、７ｈに、
Ａｌ（アルミニウム）マスクパターニングを行った後
に、数時間イオン交換を行い光導波路７ｃ、７ｈを形成
する。
Ａｌ（アルミニウム）マスクパターニングを行った後
に、数時間イオン交換を行い光導波路７ｃ、７ｈを形成
する。
【００４９】続いて、金属膜電極による導波光の吸収を
抑制するためにバッファ層１３ａを成膜し、更に光導波
路７ｄ、７ｅ上部に金属膜により電極８ａ、８ｂを形成
し、方向性結合器スイッチ１１ａを、光導波路７ｆ、７
ｇ上部に金属膜により電極８ｃ、８ｄを形成し、方向性
結合器スイッチ１１ｂを作製する。
抑制するためにバッファ層１３ａを成膜し、更に光導波
路７ｄ、７ｅ上部に金属膜により電極８ａ、８ｂを形成
し、方向性結合器スイッチ１１ａを、光導波路７ｆ、７
ｇ上部に金属膜により電極８ｃ、８ｄを形成し、方向性
結合器スイッチ１１ｂを作製する。
【００５０】方向性結合器スイッチ１１ａの入力光導波
路７ｄは、光導波路７ｂ、７ｃから成る偏光分離器１０
ａのＴＭ偏光出力光導波路７ｃと、方向性結合器スイッ
チ１１ａの出力光導波路７ｅは、光導波路７ｈ、７ｉか
ら成る偏光結合器１０ｂのＴＭ偏光入力光導波路７ｈと
接続されている。
路７ｄは、光導波路７ｂ、７ｃから成る偏光分離器１０
ａのＴＭ偏光出力光導波路７ｃと、方向性結合器スイッ
チ１１ａの出力光導波路７ｅは、光導波路７ｈ、７ｉか
ら成る偏光結合器１０ｂのＴＭ偏光入力光導波路７ｈと
接続されている。
【００５１】また、方向性結合器スイッチ１１ｂの入力
光導波路７ｆは、光導波路７ｂ、７ｃから成る偏光分離
器１０ａのＴＥ偏光出力光導波路７ｃと、方向性結合器
スイッチ１１ｂの出力光導波路７ｇは、光導波路７ｈ、
７ｉから成る偏光結合器１０ｂのＴＥ偏光入力光導波路
７ｉと接続されている。
光導波路７ｆは、光導波路７ｂ、７ｃから成る偏光分離
器１０ａのＴＥ偏光出力光導波路７ｃと、方向性結合器
スイッチ１１ｂの出力光導波路７ｇは、光導波路７ｈ、
７ｉから成る偏光結合器１０ｂのＴＥ偏光入力光導波路
７ｉと接続されている。
【００５２】図１に示した本発明の一実施例の動作につ
いて以下に説明する。
いて以下に説明する。
【００５３】図１において、入射ファイバ１ａから入力
ポート２ａに入射された光３ａは光導波路７ａを通り、
偏光分岐器１０ａへ進み、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂ
に偏光分岐され、それぞれ、ＴＭ偏光導波光６ａは方向
性結合器スイッチ１１ａの入力光導波路７ｄへ、ＴＥ偏
光導波光６ｂは方向性結合器スイッチ１１ｂの入力光導
波路７ｂへ入力される。
ポート２ａに入射された光３ａは光導波路７ａを通り、
偏光分岐器１０ａへ進み、ＴＭ偏光６ａ、ＴＥ偏光６ｂ
に偏光分岐され、それぞれ、ＴＭ偏光導波光６ａは方向
性結合器スイッチ１１ａの入力光導波路７ｄへ、ＴＥ偏
光導波光６ｂは方向性結合器スイッチ１１ｂの入力光導
波路７ｂへ入力される。
【００５４】方向性結合器スイッチ１１ａは、制御電圧
Ｖ1９ａ無印加時にはクロス状態となるように作製され
ているため、Ｖ1＝０Ｖの時はＴＭ偏光６ａは１００％
光導波路７ｅに移行する。光導波路７ｅのＴＭ導波光６
ａの移行量は制御電圧Ｖ1９ａに応じて減少する。
Ｖ1９ａ無印加時にはクロス状態となるように作製され
ているため、Ｖ1＝０Ｖの時はＴＭ偏光６ａは１００％
光導波路７ｅに移行する。光導波路７ｅのＴＭ導波光６
ａの移行量は制御電圧Ｖ1９ａに応じて減少する。
【００５５】図２に、方向性結合器スイッチ１１ａのク
ロスポート（光導波路７ｅの出力端）の減衰特性を示
す。ここで、減衰特性ＴＭ導波光６ａで規格化、制御電
圧はＴＭ偏光成分６ａが最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
ロスポート（光導波路７ｅの出力端）の減衰特性を示
す。ここで、減衰特性ＴＭ導波光６ａで規格化、制御電
圧はＴＭ偏光成分６ａが最大に減衰する電圧（「スイッ
チング電圧」とも呼ばれる）ＶTMにて規格化している。
【００５６】一方、方向性結合器スイッチ１１ｂも同様
に制御電圧Ｖ2９ｂ無印加時にはクロス状態となるよう
に作製されているため、Ｖ2＝０Ｖの時はＴＭ偏光６ｂ
は１００％光導波路７ｇに移行する。
に制御電圧Ｖ2９ｂ無印加時にはクロス状態となるよう
に作製されているため、Ｖ2＝０Ｖの時はＴＭ偏光６ｂ
は１００％光導波路７ｇに移行する。
【００５７】ここで、光導波路７ｇのＴＥ導波光６ｂの
移行量は制御電圧Ｖ2９ｂに応じて減少する。方向性結
合器スイッチ１１ｂのクロスポート（光導波路７ｇの出
力端）の減衰特性も図２に示したものとされる。
移行量は制御電圧Ｖ2９ｂに応じて減少する。方向性結
合器スイッチ１１ｂのクロスポート（光導波路７ｇの出
力端）の減衰特性も図２に示したものとされる。
【００５８】方向性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂのク
ロスポートの減衰量が最大となる電圧を、各々ＶTM、Ｖ
TEとすると、その比率はほぼＶTM：ＶTE＝１：３とな
る。
ロスポートの減衰量が最大となる電圧を、各々ＶTM、Ｖ
TEとすると、その比率はほぼＶTM：ＶTE＝１：３とな
る。
【００５９】方向性結合器スイッチ１１ａ、１１ｂのク
ロスポートの減衰量が等しくなるような比率（約Ｖ1：
Ｖ2＝１：３）にて、制御電圧Ｖ９ａ、９ｂを印加する
ことにより、減衰特性の偏光無依存化が可能となる。
ロスポートの減衰量が等しくなるような比率（約Ｖ1：
Ｖ2＝１：３）にて、制御電圧Ｖ９ａ、９ｂを印加する
ことにより、減衰特性の偏光無依存化が可能となる。
【００６０】図３に、クロスポートの減衰量が等しくな
る一定の比率（約Ｖ1：Ｖ2＝１：３）にて、制御電圧Ｖ
９ａ、９ｂを印加した場合の、本発明の光導波路電気制
御可変光アッティネータの減衰特性例を示す。ここで、
減衰特性は入射光３ａで規格化、制御電圧はＴＭ偏光成
分６ａが最大に減衰する電圧（スイッチング電圧とも呼
ばれる）ＶTMにて規格化している。
る一定の比率（約Ｖ1：Ｖ2＝１：３）にて、制御電圧Ｖ
９ａ、９ｂを印加した場合の、本発明の光導波路電気制
御可変光アッティネータの減衰特性例を示す。ここで、
減衰特性は入射光３ａで規格化、制御電圧はＴＭ偏光成
分６ａが最大に減衰する電圧（スイッチング電圧とも呼
ばれる）ＶTMにて規格化している。
【００６１】次に、上記した本発明の実施例のより詳細
な具体例について、図１を参照して説明する。
な具体例について、図１を参照して説明する。
【００６２】入出力ファイバ１ａ、１ｂは、１．５５μ
ｍシングルモードファイバを使用した。入出力ポート２
ａ、２ｂと入出力ファイバ１ａ、１ｂの光軸固定にはＵ
Ｖ硬化型接着を使用した。
ｍシングルモードファイバを使用した。入出力ポート２
ａ、２ｂと入出力ファイバ１ａ、１ｂの光軸固定にはＵ
Ｖ硬化型接着を使用した。
【００６３】誘電体基板１２ａにはｚ−ｃｕｔ ＬｉＮ
ｂＯ3を使用し、伝搬軸はＹ軸と設定した。光導波路７
ａ、７ｂ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７ｊは、Ｔ
ｉ膜厚＝５０ｎｍ、Ｔｉストライプ幅＝１０μｍ、拡散
温度／時間＝１０５０℃／８時間ｗｅｔ雰囲気中にて熱
拡散により形成した。その後、光導波路７ｃ、７ｈは、
Ａｌマスク幅９μｍ、イオン交換温度＝時間２５０℃／
３分にて安息香酸溶融塩内でプロトン交換を行い、更
に、３６０℃／２ｈ ｄｒｙＯ2雰囲気中にてアニール
を行い形成した。
ｂＯ3を使用し、伝搬軸はＹ軸と設定した。光導波路７
ａ、７ｂ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｉ、７ｊは、Ｔ
ｉ膜厚＝５０ｎｍ、Ｔｉストライプ幅＝１０μｍ、拡散
温度／時間＝１０５０℃／８時間ｗｅｔ雰囲気中にて熱
拡散により形成した。その後、光導波路７ｃ、７ｈは、
Ａｌマスク幅９μｍ、イオン交換温度＝時間２５０℃／
３分にて安息香酸溶融塩内でプロトン交換を行い、更
に、３６０℃／２ｈ ｄｒｙＯ2雰囲気中にてアニール
を行い形成した。
【００６４】このように、光導波路７形成後、スパッタ
リングにより二酸化珪素（ＳｉＯ2）バッファ層１３ａ
を膜厚３００ｎｍにて成膜した。
リングにより二酸化珪素（ＳｉＯ2）バッファ層１３ａ
を膜厚３００ｎｍにて成膜した。
【００６５】電極８はスパッタリングにてＣｒ＝３０ｎ
ｍ、Ａｕ＝３００ｎｍを成膜したのち、パターニングに
より電極８は電極幅１２μｍ、電極間隔１０μｍ、電極
長＝４０ｍｍの形状にて形成した。
ｍ、Ａｕ＝３００ｎｍを成膜したのち、パターニングに
より電極８は電極幅１２μｍ、電極間隔１０μｍ、電極
長＝４０ｍｍの形状にて形成した。
【００６６】その結果、電圧無印加時の挿入損失は２．
７ｄＢであり、制御電圧Ｖ1９ａ＝４．５Ｖ、制御電圧
Ｖ2９ｂ＝１４．１Ｖ印加時において最大減衰量３４．
２ｄＢを得た。また制御電圧９ａ、９ｂに制御電圧
Ｖ1；制御電圧Ｖ2＝１：３．１３の一定比率にて電圧を
印加した場合、減衰特性の偏光依存性は０．１ｄＢ以下
となった。
７ｄＢであり、制御電圧Ｖ1９ａ＝４．５Ｖ、制御電圧
Ｖ2９ｂ＝１４．１Ｖ印加時において最大減衰量３４．
２ｄＢを得た。また制御電圧９ａ、９ｂに制御電圧
Ｖ1；制御電圧Ｖ2＝１：３．１３の一定比率にて電圧を
印加した場合、減衰特性の偏光依存性は０．１ｄＢ以下
となった。
【００６７】図４は、上記した本発明の一実施例の可変
光アッティネータを光ファイバ増幅器に適用した構成の
一例を示す図である。すなわち、図４を参照して、可変
光アッティネータ４０４として、図１に示した本実施例
のＴｉ拡散型Ｚ板Ｙ軸伝搬ＬｉＮｂＯ3光導波路電子制
御可変光アッティネータが用いられる。
光アッティネータを光ファイバ増幅器に適用した構成の
一例を示す図である。すなわち、図４を参照して、可変
光アッティネータ４０４として、図１に示した本実施例
のＴｉ拡散型Ｚ板Ｙ軸伝搬ＬｉＮｂＯ3光導波路電子制
御可変光アッティネータが用いられる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下記記載の効果を奏する。
下記記載の効果を奏する。
【００６９】（１）本発明の第１の効果は、Ｚ板ＬｉＮ
ｂＯ3を用いた光導波路型電気制御可変光アッティネー
タにおいて偏光無依存の減衰特性を得ることができる、
ということである。
ｂＯ3を用いた光導波路型電気制御可変光アッティネー
タにおいて偏光無依存の減衰特性を得ることができる、
ということである。
【００７０】その理由は、本発明においては、偏光分岐
器によりＴＥ／ＴＭ偏光を分離し、ＴＥ／ＴＭ両偏光に
対し等しい限界特性を得ることが可能であるためであ
る。
器によりＴＥ／ＴＭ偏光を分離し、ＴＥ／ＴＭ両偏光に
対し等しい限界特性を得ることが可能であるためであ
る。
【００７１】（２）本発明の第２の効果は、Ｚ板ＬｉＮ
ｂＯ3を用いた光導波路型電気制御可変アッティネータ
において偏光無依存動作を実現する場合、Ｘ板ＬｉＮｂ
Ｏ3を用いた光導波路電気制御可変光アッティネータに
対して、低動作電圧化が実現できる、ということであ
る。
ｂＯ3を用いた光導波路型電気制御可変アッティネータ
において偏光無依存動作を実現する場合、Ｘ板ＬｉＮｂ
Ｏ3を用いた光導波路電気制御可変光アッティネータに
対して、低動作電圧化が実現できる、ということであ
る。
【００７２】その理由は、本発明においては、減衰動作
に大きな電気光学定数を使用することができるためであ
る。
に大きな電気光学定数を使用することができるためであ
る。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例において、方向性結合器スイ
ッチング１１ａ、１１ｂの制御電圧に対するクロスポー
トの減衰特性の一例を示す図である。
ッチング１１ａ、１１ｂの制御電圧に対するクロスポー
トの減衰特性の一例を示す図である。
【図３】本発明の一実施例における減衰特性の一例を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明のアッティネータを光ファイバ増幅器に
適用した一実施例を示す光ファイバアンプの構成図であ
る。
適用した一実施例を示す光ファイバアンプの構成図であ
る。
【図５】従来の光導波路型電気制御可変アッティネータ
の構成の一例を示す図である。
の構成の一例を示す図である。
【図６】図５に示した従来の光導波路型電気制御可変ア
ッティネータの制御電圧に対する減衰特性の一例を示す
図である。
ッティネータの制御電圧に対する減衰特性の一例を示す
図である。
【図７】従来の光導波路型電気制御可変アッティネータ
の構成の別の例を示す図である。
の構成の別の例を示す図である。
【図８】図７に示した従来の光導波路型電気制御可変ア
ッティネータの制御電圧に対する減衰特性の一例を示す
図である。
ッティネータの制御電圧に対する減衰特性の一例を示す
図である。
１ａ、１ｂ 入出力ファイバ ２ａ、２ｂ 入出力ポート ３ａ、３ｂ 入出力光 ４ａ、４ｂ 入出力光ＴＥ偏光成分 ５ａ、５ｂ 入出力光ＴＭ偏光成分 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 導波光 ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｈ、７
ｉ、７ｊ 光導波路 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ 金属電極 ９ａ、９ｂ 制御電圧 １０ａ、１０ｂ 偏光分岐／結合器 １１ａ、１１ｂ 方向性結合器スイッチ １２ａ ＬｉＮｂＯ3基板 １３ａ ＳｉＯ2バッファ層
ｉ、７ｊ 光導波路 ８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ 金属電極 ９ａ、９ｂ 制御電圧 １０ａ、１０ｂ 偏光分岐／結合器 １１ａ、１１ｂ 方向性結合器スイッチ １２ａ ＬｉＮｂＯ3基板 １３ａ ＳｉＯ2バッファ層
Claims (9)
- 【請求項１】誘電体基板と、 前記基板表面に形成された光導波路と、 前記光導波路に設けられた入出力ポートと、 第１、第２の方向性結合器スイッチと、 偏光分岐器と、 偏光結合器と、 を備えた光導波路型電気制御可変アッティネータにおい
て、 前記偏光分岐器の入力部を前記入力ポートと設定し、 前記偏光分岐器の一方の出力部が前記第１の方向性結合
器スイッチの入力部と接続され、 前記第１の方向性結合器スイッチの出力部が前記偏光結
合器の一方の入力部と接続され、 前記偏光分岐器の他方の出力部が前記第２の方向性結合
器スイッチの入力部と接続され、 前記第２の方向性結合器スイッチの出力部が前記偏光結
合器の他方の入力部に接続され、 前記偏光結合器の出力部を前記出力ポートと設定してい
る、 ことを特徴とする光導波路型電気制御可変アッティネー
タ。 - 【請求項２】前記誘導体基板が、ニオブ酸リチウム（Ｌ
ｉＮｂＯ3）であることを特徴とする請求項１記載の光
導波路型電気制御可変アッティネータ。 - 【請求項３】前記ニオブ酸リチウムが、Ｚ−ｃｕｔ（カ
ット）であることを特徴とする請求項２記載の光導波路
型電気制御可変アッティネータ。 - 【請求項４】前記偏光分岐器が、Ｔｉ拡散、及び、プロ
トン交換光導波路から構成されている請求項１記載の光
導波路型電気制御可変アッティネータ。 - 【請求項５】前記偏光結合器が、Ｔｉ拡散、及び、プロ
トン交換光導波路から構成されている請求項１記載の光
導波路型電気制御可変アッティネータ。 - 【請求項６】前記第１、第２の方向性結合器スイッチの
制御電圧の比率が、１：３から１：４の間にあることを
特徴とする請求項１記載の光導波路型電気制御可変アッ
ティネータ。 - 【請求項７】入力ポートより入射された光を、偏光分岐
器によりＴＭ偏光、ＴＥ偏光に分岐し、それぞれ第１、
第２の方向性結合器スイッチにて可変減衰させ、前記第
１、第２の方向性結合器スイッチからのＴＭ偏光、ＴＥ
偏光を偏光結合器により結合して出力ポートから出力
し、これら両偏光が互いに等しい減衰特性を得るよう
に、前記第１、第２の方向性結合器スイッチの制御電圧
を所定の比率に調節し、偏光無依存型減衰特性を得る、
ようにしたことを特徴とする光導波路型電気制御可変ア
ッティネータ。 - 【請求項８】前記偏光結合器、前記第１、第２の方向性
結合器スイッチ、及び前記偏光結合器がその上に形成さ
れる誘電体基板としてＺ板Ｙ軸伝搬型ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3）を用いたことを特徴とする請求項７記
載の光導波路型電気制御可変アッティネータ。 - 【請求項９】入射光を励起光と波長多重して希土類添加
型光ファイバで増幅し、前記希土類添加型光ファイバの
出力光を監視し、該監視結果に応じて可変アッティネー
タにて前記希土類添加型光ファイバの出力光の減衰率を
可変させてなる光ファイバ増幅器が、前記可変アッティ
ネータとして、請求項１乃至請求項８のいずれか一に記
載の光導波路型電気制御可変アッティネータを備えたこ
とを特徴とする光ファイバ増幅器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044719A JPH10228007A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光導波路型電気制御可変アッティネータ |
| US09/021,391 US5974216A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-10 | Optical waveguide electrically controlled variable attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044719A JPH10228007A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光導波路型電気制御可変アッティネータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228007A true JPH10228007A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12699242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044719A Pending JPH10228007A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 光導波路型電気制御可変アッティネータ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5974216A (ja) |
| JP (1) | JPH10228007A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339393B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-05-31 | 구자홍 | 가변 광감쇠기 |
| EP1708002A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-04 | Fujitsu Limited | Optical switch apparatus and control information updating method therein |
| US7368700B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-05-06 | Fujitsu Limited | Optical switch apparatus and optical switching system |
| US7408700B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-08-05 | Fujitsu Limited | Optical switch, and method for controlling drive voltage thereof |
| US7613394B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-11-03 | Fujitsu Limited | Optical switching device |
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