JPH10215128A - Transmission circuit - Google Patents

Transmission circuit

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JPH10215128A
JPH10215128A JP1604397A JP1604397A JPH10215128A JP H10215128 A JPH10215128 A JP H10215128A JP 1604397 A JP1604397 A JP 1604397A JP 1604397 A JP1604397 A JP 1604397A JP H10215128 A JPH10215128 A JP H10215128A
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JP
Japan
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signal
circuit
power
transmission circuit
attenuators
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JP1604397A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Furuta
武司 古田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a circuit scale. SOLUTION: This circuit is provided with plural, two for instance, signal input terminals 11 and 12 and adjusts the voltage of respective signals RFin1 and RFin2. In this case, attenuators 13 and 14 are provided for the respective input routes of the respective signals RFin1 and RFin2 and the signals RFin1 and RFin2 are selected by the signal changeover switch 15 of the post stage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の信号入力端
子を有し、これら信号入力端子の各々から入力される信
号の電力調節を行って次段の回路に伝送する伝送回路に
関し、特にセルラー電話、PHS(Personal Handy-phon
e System) 、ワイヤレスLAN(Local Area Network)等
の複数の移動体通信信号を処理する際に、所望の信号を
選択して利得を調節するのに用いて好適な伝送回路に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission circuit having a plurality of signal input terminals, for adjusting the power of a signal input from each of these signal input terminals, and transmitting the adjusted signal to a next circuit. Telephone, PHS (Personal Handy-phon)
e.) and a transmission circuit suitable for use in processing a plurality of mobile communication signals such as a wireless LAN (Local Area Network) to select a desired signal and adjust the gain.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の移動体通信の発達は目覚ましく、
日本だけでもセルラー電話やPHSなど、複数の通信方
式が事業化されている。また、同じセルラー電話であっ
ても、800MHz帯と1.5GHz帯というように複
数の周波数を取り扱っている。さらに、ワイヤレスLA
Nや次世代移動体通信方式等が計画されており、海外の
GSM(Global System for Mobile Communications) 、
PCS(Personal Commu-nications Services) 等も合わ
せると、移動体通信の方式と使用する周波数はかなりの
数に昇る。
2. Description of the Related Art In recent years, the development of mobile communication has been remarkable,
In Japan alone, a plurality of communication systems such as cellular telephones and PHS have been commercialized. Further, even the same cellular telephone handles a plurality of frequencies such as the 800 MHz band and the 1.5 GHz band. In addition, wireless LA
N and next-generation mobile communication systems are planned, and overseas GSM (Global System for Mobile Communications),
When PCS (Personal Commu-nications Services) and the like are combined, the number of mobile communication systems and frequencies used increase considerably.

【0003】このような背景の中で、異なる通信方式を
同時に取り扱い可能な複合機と呼ばれる携帯端末が開発
されようとしている。この複合機としては色々なタイプ
のものが考えられる。例えば日本では、一台のセルラー
電話で800MHz帯と1.5GHz帯の空いている回
線を使用できる端末とか、自動車等で移動中はセルラー
を使用し、停車中にはPHSとして使用できる端末等が
考えられる。また、音声信号だけでなく、PHSとワイ
ヤレスLANでデータ通信を中継できるような端末も考
えられる。海外、例えばアメリカでは、PCSの事業者
が州によって異なっているが、どこの州に行っても使え
る携帯端末等が考えられる。さらには、ほとんどの国で
使える携帯端末を開発することも可能である。
[0003] Against this background, portable terminals called multifunction devices capable of simultaneously handling different communication systems are being developed. Various types of MFPs are conceivable. For example, in Japan, there are terminals that can use vacant lines in the 800 MHz band and 1.5 GHz band with one cellular phone, or terminals that can use the cellular while moving by car or the like and use it as a PHS while stopping. Conceivable. In addition, a terminal that can relay data communication via a PHS and a wireless LAN in addition to a voice signal is also conceivable. Overseas, for example, in the United States, PCS operators vary from state to state, but mobile terminals that can be used anywhere. In addition, it is possible to develop mobile devices that can be used in most countries.

【0004】これらの計画のハードウエア的なネックと
なっているのは、RFブロックが通信方式、周波数によ
って異なるものを使わなければならないことである。と
いうのも、RF信号を処理するためには、周波数ごとに
異なったインピーダンス整合回路を使わなければならな
いからである。一方、RFブロックは携帯端末機の中で
も体積と電力のかなりを使用しているので、このRFブ
ロックをいかに小さくかつ低消費電力で設計するかが複
合携帯端末機の開発の鍵となる。中でも、アンテナへR
F信号を伝送するための信号増幅を行う伝送回路が消費
電力の大半を決定している。
A hardware bottleneck in these plans is that the RF block must use a different one depending on the communication system and frequency. This is because a different impedance matching circuit must be used for each frequency in order to process an RF signal. On the other hand, since the RF block uses a considerable amount of power and volume among portable terminals, how to design the RF block with low power consumption is the key to the development of a composite portable terminal. Above all, to the antenna R
A transmission circuit that performs signal amplification for transmitting the F signal determines most of the power consumption.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術を
用いて例えば2つのRF信号を選択的に増幅する電力調
節機能付き伝送回路を設計すると、図7に示すようにな
る。すなわち、図7において、2つの信号入力端子10
1,102と、これら信号入力端子101,102の各
々に接続されたRF信号増幅回路103,104と、こ
れらRF信号増幅回路103,104に対して選択的に
電源電圧Vddを供給する電源切り替えスイッチ105
と、RF信号増幅回路103,104の各出力信号を選
択的にアンテナ106に供給する信号切り替えスイッチ
107とから構成されている。
By the way, when a transmission circuit with a power adjusting function for selectively amplifying, for example, two RF signals is designed using the prior art, the result is as shown in FIG. That is, in FIG. 7, two signal input terminals 10
1, 102, RF signal amplifier circuits 103, 104 connected to each of these signal input terminals 101, 102, and a power supply switch for selectively supplying a power supply voltage Vdd to these RF signal amplifier circuits 103, 104 105
And a signal changeover switch 107 for selectively supplying each output signal of the RF signal amplification circuits 103 and 104 to the antenna 106.

【0006】RF信号増幅回路103は、インピーダン
ス整合回路111、アッテネータ112、インピーダン
ス整合回路113および電力増幅器(中電力)114か
ら構成されている。RF信号増幅回路104は、インピ
ーダンス整合回路121、アッテネータ122、インピ
ーダンス整合回路123、電力増幅器(中電力)12
4、インピーダンス整合回路125および電力増幅器
(大電力)126から構成されている。
[0006] The RF signal amplifying circuit 103 includes an impedance matching circuit 111, an attenuator 112, an impedance matching circuit 113, and a power amplifier (medium power) 114. The RF signal amplification circuit 104 includes an impedance matching circuit 121, an attenuator 122, an impedance matching circuit 123, a power amplifier (medium power) 12
4. It comprises an impedance matching circuit 125 and a power amplifier (high power) 126.

【0007】このように、独立した2つのRF信号増幅
回路103,104を有するタイプの伝送回路の場合に
は、ほぼ同じ構成の回路を2系統持つことになるので、
単純だが回路規模が大きくなってしまう。また、2つの
RF信号増幅回路103,104に供給する電源電圧V
ddを切り替えることによって消費電力を抑えるために
は、電源切り替えスイッチ105が必要となり、回路規
模がさらに大きくなってしまう。
As described above, in the case of a transmission circuit having two independent RF signal amplifier circuits 103 and 104, two circuits having substantially the same configuration are provided.
Simple but large circuit size. The power supply voltage V supplied to the two RF signal amplifier circuits 103 and 104
In order to suppress power consumption by switching dd, the power supply switch 105 is required, and the circuit scale is further increased.

【0008】この伝送回路の集積化が進めば、複合携帯
端末のコスト面および実装面積的にメリットが大きいと
言える。しかしながら、図7の回路構成の伝送回路で
は、上述した理由から回路規模が大きく、また電源切り
替えスイッチ105として低損失化のために大きなサイ
ズの素子を使わざるをえないため、現在の技術では集積
化は困難である。
[0008] If the integration of the transmission circuit is advanced, it can be said that there are great advantages in terms of cost and mounting area of the composite portable terminal. However, the transmission circuit having the circuit configuration of FIG. 7 has a large circuit scale for the above-described reason, and a large-sized element must be used as the power supply switch 105 to reduce the loss. Is difficult.

【0009】そこで、集積化を進めるために、図8に示
すように、アンプ部分を共通化し、回路規模を縮小する
ことが考えられる。すなわち、図8において、2つの信
号入力端子201,202と、これら信号入力端子20
1,202からの各信号を切り替える信号切り替えスイ
ッチ203と、50Ω整合回路付きのアッテネータ20
4と、インピーダンス整合回路205と、電力増幅器
(中電力)206と、この電力増幅器206の出力信号
を2つの信号経路208,209に振り分ける信号切り
替えスイッチ207と、一方の信号経路208が直接接
続されたアンテナ210と他方の信号経路209との間
に接続されたインピーダンス整合回路211および電力
増幅器(大電力)212とから構成されている。
Therefore, in order to advance the integration, as shown in FIG. 8, it is conceivable to use a common amplifier and reduce the circuit scale. That is, in FIG. 8, two signal input terminals 201 and 202 and these signal input terminals 20
And a signal changeover switch 203 for switching each signal from the output signals 202 and 202 and the attenuator 20 with a 50Ω matching circuit.
4, an impedance matching circuit 205, a power amplifier (medium power) 206, a signal changeover switch 207 for distributing an output signal of the power amplifier 206 to two signal paths 208 and 209, and one signal path 208 is directly connected. An impedance matching circuit 211 and a power amplifier (high power) 212 are connected between the antenna 210 and the other signal path 209.

【0010】このように、アッテネータ204、インピ
ーダンス整合回路205および電力増幅器206を共通
化し、各信号を直接信号切り替えスイッチ203,20
7で切り替える構成の伝送回路では、アッテネータ20
4は周波数に依存しない動作(50Ωの整合)をするこ
とが必要である。そのためには、アッテネータ204を
構成する回路素子であるFET(電界効果トランジス
タ)やキャパシタに大きなサイズのものを使わなければ
ならないことから、回路規模の縮小化はあまり望めず、
結果として、チップの集積を進めることが難しい。
As described above, the attenuator 204, the impedance matching circuit 205, and the power amplifier 206 are shared, and each signal is directly transmitted to the signal changeover switches 203, 20.
In the transmission circuit configured to switch at 7, the attenuator 20
No. 4 needs to perform an operation independent of frequency (matching of 50Ω). For this purpose, a large-sized FET (field-effect transistor) or a capacitor, which is a circuit element constituting the attenuator 204, must be used.
As a result, it is difficult to proceed with chip integration.

【0011】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、回路規模の縮小化を
可能とした伝送回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a transmission circuit capable of reducing the circuit scale.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による伝送回路
は、複数の信号入力端子と、これら信号入力端子の各々
に接続された複数の信号経路とを有し、複数の信号入力
端子の各々から入力される信号の電力調節を行って次段
の回路に伝送する伝送回路であって、複数の信号経路毎
に設けられ、かつ同一基板上に形成された複数の電力調
節回路を備えた構成となっている。
A transmission circuit according to the present invention has a plurality of signal input terminals and a plurality of signal paths connected to each of the signal input terminals. A transmission circuit that performs power adjustment of an input signal and transmits the signal to a next-stage circuit, and includes a plurality of power adjustment circuits provided for a plurality of signal paths and formed on the same substrate. Has become.

【0013】上記構成の伝送回路において、各信号経路
ごとに設けられた電力調節回路は、周波数に依存しない
動作をする必要はなく、単一の周波数に合わせれば良
い。したがって、電力調節回路の各々を構成する回路素
子のサイズは小さくて済む。その結果、回路規模を縮小
化できる。
In the transmission circuit having the above configuration, the power adjustment circuit provided for each signal path does not need to operate independently of frequency, but may be adjusted to a single frequency. Therefore, the size of the circuit elements constituting each of the power adjustment circuits can be small. As a result, the circuit scale can be reduced.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明の第1実施形態を示すブロ
ック図である。図1において、例えば2つの信号入力端
子11,12には、電力調節回路としてのアッテネータ
13,14の各入力端が接続されている。アッテネータ
13,14は、後述するようにインピーダンス整合回路
を有している。アッテネータ13,14の出力端には、
2入力1出力の信号切り替えスイッチ15の2つの入力
端がそれぞれ接続されている。信号切り替えスイッチ1
5の出力端には、インピーダンス整合回路16の入力端
が接続されている。インピーダンス整合回路16の出力
端には、電力増幅器(中電力)17の入力端が接続され
ている。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, input terminals of attenuators 13 and 14 as power control circuits are connected to, for example, two signal input terminals 11 and 12. The attenuators 13 and 14 have an impedance matching circuit as described later. At the output terminals of the attenuators 13 and 14,
Two input terminals of the two-input / one-output signal changeover switch 15 are connected to each other. Signal switch 1
5 is connected to the input terminal of the impedance matching circuit 16. The output terminal of the impedance matching circuit 16 is connected to the input terminal of a power amplifier (medium power) 17.

【0016】電力増幅器17の出力端には、1入力2出
力の信号切り替えスイッチ18の入力端が接続されてい
る。信号切り替えスイッチ18の2つの出力端のうち、
一方の出力端にはアンテナ19の入力端が直接接続さ
れ、他方の出力端にはインピーダンス整合回路20の入
力端が接続されている。インピーダンス整合回路20の
出力端には、電力増幅器(大電力)21の入力端が接続
されている。電力増幅器21の出力端には、アンテナ1
9の入力端が接続されている。
An output terminal of the power amplifier 17 is connected to an input terminal of a one-input / two-output signal changeover switch 18. Of the two output terminals of the signal changeover switch 18,
One output terminal is directly connected to the input terminal of the antenna 19, and the other output terminal is connected to the input terminal of the impedance matching circuit 20. An output terminal of the impedance matching circuit 20 is connected to an input terminal of a power amplifier (high power) 21. The output terminal of the power amplifier 21 has an antenna 1
Nine input terminals are connected.

【0017】図2に、アッテネータ13,14の具体的
な回路構成の一例を示す。図2において、信号入力端3
1にはキャパシタ32の一端が接続されている。キャパ
シタ32の他端には、抵抗33,キャパシタ34の各一
端およびFET35のドレインがそれぞれ接続されてい
る。抵抗33の他端は、制御入力端36に接続されてい
る。この制御入力端36には、コントロール信号Vre
fが印加される。
FIG. 2 shows an example of a specific circuit configuration of the attenuators 13 and 14. In FIG. 2, the signal input terminal 3
1 is connected to one end of a capacitor 32. The other end of the capacitor 32 is connected to one end of the resistor 33, one end of the capacitor 34, and the drain of the FET 35, respectively. The other end of the resistor 33 is connected to the control input 36. The control input terminal 36 has a control signal Vre
f is applied.

【0018】FET35のゲートには抵抗37の一端が
接続され、抵抗37の他端は制御入力端38に接続され
ている。制御入力端38には、コントロール信号Vag
cが印加される。FET35のソースには、抵抗39お
よびキャパシタ40の各一端が接続されている。抵抗3
9の他端は、制御入力端36に接続されている。キャパ
シタ40の他端は信号出力端41に接続されている。
One end of a resistor 37 is connected to the gate of the FET 35, and the other end of the resistor 37 is connected to a control input terminal 38. The control input terminal 38 has a control signal Vag
c is applied. One end of the resistor 39 and one end of the capacitor 40 are connected to the source of the FET 35. Resistance 3
The other end of 9 is connected to a control input end 36. The other end of the capacitor 40 is connected to a signal output terminal 41.

【0019】キャパシタ34の他端には、FET42の
ドレインが接続されている。FET42のソースにはキ
ャパシタ43の一端が接続され、キャパシタ43の他端
は接地されている。FET42のゲートには抵抗44の
一端が接続され、抵抗44の他端は制御入力端36に接
続されている。また、FET42のドレインおよびソー
スには抵抗46および抵抗47の各一端が接続され、抵
抗46および抵抗47の各他端は制御入力端38に接続
されている。
The other end of the capacitor 34 is connected to the drain of the FET 42. One end of a capacitor 43 is connected to the source of the FET 42, and the other end of the capacitor 43 is grounded. One end of a resistor 44 is connected to the gate of the FET 42, and the other end of the resistor 44 is connected to the control input terminal 36. One end of each of the resistors 46 and 47 is connected to the drain and the source of the FET 42, and the other ends of the resistors 46 and 47 are connected to the control input end 38.

【0020】上記構成のアッテネータ13,14におい
て、FET35,42としては、高周波特性に優れたガ
リウムひ素FETが用いられる。そして、FET35は
コントロール信号Vrefとコントロール信号Vagc
の電位差に応じて信号を減衰させる可変抵抗器として機
能する。また、FET42は当該電位差に応じて信号を
グランドに流すシャント経路を形成する。キャパシタ3
2,40は直流カットの作用をなすとともに、インピー
ダンス整合回路としても機能する。
In the attenuators 13 and 14 having the above-described structures, gallium arsenide FETs having excellent high-frequency characteristics are used as the FETs 35 and 42. The FET 35 controls the control signal Vref and the control signal Vagc.
Functions as a variable resistor that attenuates a signal in accordance with the potential difference between the two. Further, the FET 42 forms a shunt path for flowing a signal to the ground according to the potential difference. Capacitor 3
Reference numerals 2 and 40 function as a DC cutoff and also function as an impedance matching circuit.

【0021】このアッテネータ13,14は消費電流が
数十μA程度であることから、信号の有無にかかわらず
アッテネータ13,14を同時に動作させても、トータ
ルの消費電力を低く抑えることができる。そして、図1
において、信号RFin1,RFin2の選択は、アッ
テネータ13,14の後段に設けられた信号切り替えス
イッチ15によって行われる。
Since the current consumption of the attenuators 13 and 14 is about several tens of μA, the total power consumption can be suppressed even if the attenuators 13 and 14 are simultaneously operated regardless of the presence or absence of a signal. And FIG.
In the above, selection of the signals RFin1 and RFin2 is performed by a signal changeover switch 15 provided at a stage subsequent to the attenuators 13 and 14.

【0022】図1における2つのアッテネータ13,1
4から電力増幅器17までを集積化した場合の構成を図
3に示す。図3において、図1と同一の構成要素には同
一符号を付して示してあり、同一の基板、例えばガリウ
ムひ素などの半導体基板51上に、2つのアッテネータ
13,14、信号切り替えスイッチ15、インピーダン
ス整合回路16および電力増幅器17が作成される。ガ
リウムひ素半導体基板は高周波特性に優れている。
The two attenuators 13, 1 in FIG.
FIG. 3 shows a configuration in which the components from No. 4 to the power amplifier 17 are integrated. 3, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and two attenuators 13 and 14, a signal switch 15, and a semiconductor substrate 51 such as gallium arsenide are provided on the same substrate. An impedance matching circuit 16 and a power amplifier 17 are created. Gallium arsenide semiconductor substrates have excellent high frequency characteristics.

【0023】この半導体基板51上にはさらに、信号出
力端子52、2つのコントロール端子53,54および
2つのスイッチ切り替え端子55,56が形成されてい
る。信号出力端子52には、電力増幅器17の出力端が
接続される。コントロール端子53,54には、アッテ
ネータ13,14の各2つの制御入力端、即ち図2にお
ける2つの制御入力端36,38が接続される。スイッ
チ切り替え端子55,56には、信号切り替えスイッチ
15の2つの制御入力端が接続される。
On the semiconductor substrate 51, a signal output terminal 52, two control terminals 53 and 54, and two switch switching terminals 55 and 56 are further formed. The output terminal of the power amplifier 17 is connected to the signal output terminal 52. Two control input terminals of the attenuators 13 and 14, that is, two control input terminals 36 and 38 in FIG. 2 are connected to the control terminals 53 and 54. Two control input terminals of the signal changeover switch 15 are connected to the switch changeover terminals 55 and 56.

【0024】そして、信号入力端子11,12には信号
RFin1,RFin2がそれぞれ入力され、信号出力
端子51からは信号RFoutが出力される。また、2
つのコントロール端子23,24には、コントロール信
号Vref,Vagcがそれぞれ印加される。2つのス
イッチ切り替え端子55,56には、スイッチ切り替え
信号CTL1,CTL2がそれぞれ印加される。
The signals RFin1 and RFin2 are input to the signal input terminals 11 and 12, respectively, and the signal RFout is output from the signal output terminal 51. Also, 2
Control signals Vref and Vagc are applied to the two control terminals 23 and 24, respectively. Switch switching signals CTL1 and CTL2 are applied to the two switch switching terminals 55 and 56, respectively.

【0025】上述したように、複数(本例では、2つ)
の信号入力端子11,12を持ち、各信号RFin1,
RFin2の電力調節を行う伝送回路において、各信号
RFin1,RFin2の入力経路ごとにアッテネータ
13,14を設けたことで、これらアッテネータ13,
14は単一の周波数(例えば、900MHz,1.9G
Hz)に合わせれば良いので、構成する回路素子(図2
のキャパシタ32やFET35等)のサイズは小さくて
済む。
As described above, a plurality (two in this example)
Signal input terminals 11 and 12, and each signal RFin1,
In the transmission circuit for adjusting the power of RFin2, by providing the attenuators 13 and 14 for each input path of each signal RFin1 and RFin2, these attenuators 13 and 14 are provided.
14 is a single frequency (for example, 900 MHz, 1.9 G
Hz), the circuit elements (FIG. 2
Of the capacitor 32 and the FET 35) can be small.

【0026】これにより、回路規模の縮小化が可能とな
るため、集積化に際し、チップ面積を小さくできるとと
もに、他の回路との集積化が可能となる。また、アッテ
ネータ13,14が各々インピーダンス整合回路(本例
では、キャパシタ32)を有することで、外付け部品を
少なくできる。
As a result, since the circuit scale can be reduced, the chip area can be reduced and the integration with other circuits can be achieved. In addition, since each of the attenuators 13 and 14 has an impedance matching circuit (the capacitor 32 in this example), external components can be reduced.

【0027】なお、図2の回路例では、インピーダンス
整合回路としてキャパシタ32を内蔵したが、必要に応
じて、例えばキャパシタ32の入力端とグランド間に接
続されたコイルやキャパシタなどを内蔵することも可能
である。
In the circuit example of FIG. 2, the capacitor 32 is incorporated as an impedance matching circuit. However, if necessary, for example, a coil or a capacitor connected between the input terminal of the capacitor 32 and the ground may be incorporated. It is possible.

【0028】また、本実施形態においては、信号入力端
子を2個持つ伝送回路に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、n個(nは3以上
の整数)の信号入力端子を持つ伝送回路にも同様に適用
可能である。この場合には、信号切り替えスイッチ15
として、n入力1出力のスイッチを用いることで対応可
能となる。
Further, in the present embodiment, the case where the present invention is applied to a transmission circuit having two signal input terminals has been described. However, the present invention is not limited to this, and n (n is an integer of 3 or more) signal transmission terminals are not limited thereto. The present invention is similarly applicable to a transmission circuit having an input terminal. In this case, the signal changeover switch 15
Can be handled by using a switch with n inputs and one output.

【0029】図4は、本発明の他の実施形態を示すブロ
ック図である。図4において、例えば2つの信号入力端
子61,62には、アッテネータ63,64の各入力端
が接続されている。アッテネータ63,64としては、
例えば図2に示した回路構成のものが用いられる。アッ
テネータ63,64の出力端は、インピーダンス整合回
路65の入力端に共通に接続されている。インピーダン
ス整合回路65の出力端には、電力増幅器(中電力)6
6の入力端が接続されている。
FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention. In FIG. 4, for example, input terminals of attenuators 63 and 64 are connected to two signal input terminals 61 and 62, respectively. As the attenuators 63 and 64,
For example, the one having the circuit configuration shown in FIG. 2 is used. The output terminals of the attenuators 63 and 64 are commonly connected to the input terminals of the impedance matching circuit 65. A power amplifier (medium power) 6 is connected to the output terminal of the impedance matching circuit 65.
6 input terminals are connected.

【0030】電力増幅器66の出力端には、1入力2出
力の信号切り替えスイッチ67の入力端が接続されてい
る。信号切り替えスイッチ67の2つの出力端のうち、
一方の出力端にはアンテナ68の入力端が直接接続さ
れ、他方の出力端にはインピーダンス整合回路69の入
力端が接続されている。インピーダンス整合回路69の
出力端には、電力増幅器(大電力)70の入力端が接続
されている。電力増幅器70の出力端には、アンテナ6
8の入力端が接続されている。
The output terminal of the power amplifier 66 is connected to the input terminal of a one-input / two-output signal changeover switch 67. Of the two output terminals of the signal switch 67,
One output terminal is directly connected to the input terminal of the antenna 68, and the other output terminal is connected to the input terminal of the impedance matching circuit 69. The output terminal of the impedance matching circuit 69 is connected to the input terminal of a power amplifier (high power) 70. The output terminal of the power amplifier 70 has an antenna 6
8 input terminals are connected.

【0031】すなわち、第1実施形態の場合には、例え
ば2つの入力経路に対して信号切り替えスイッチ15を
設け、この信号切り替えスイッチ15によって信号RF
in1,RFin2の切り替えを行う構成を採っていた
のに対し、本実施形態においては、その信号切り替えス
イッチ15を省略し、2つのアッテネータ63,64を
選択的に動作させることによって信号RFin1,RF
in2の切り替えを行う構成となっている。
That is, in the case of the first embodiment, for example, a signal changeover switch 15 is provided for two input paths, and the signal changeover switch 15 controls the signal RF.
In this embodiment, the signal changeover switch 15 is omitted and the two attenuators 63 and 64 are selectively operated, while the signal RFin1 and RFin2 are selectively operated.
It is configured to switch in2.

【0032】2つのアッテネータ63,64において信
号RFin1,RFin2の切り替えを行うには、例え
ば信号入力端子61からの信号RFin1に対して電力
調節し増幅する際は、使用する信号経路側のアッテネー
タ63のみを動作させ、使用しない信号経路側のアッテ
ネータ64のアッテネーションを最大となるように制御
する。これにより、使用しない信号経路はアッテネーシ
ョン最大なので、アッテネータ63の出力信号は他のア
ッテネータ64に流れ込むことはなく、全てインピーダ
ンス整合回路65を介して電力増幅器66へと伝送され
る。
In order to switch between the signals RFin1 and RFin2 in the two attenuators 63 and 64, for example, when adjusting and amplifying the power of the signal RFin1 from the signal input terminal 61, only the attenuator 63 on the signal path used is used. Is operated so that the attenuation of the attenuator 64 on the unused signal path side is maximized. As a result, since the unused signal path has the maximum attenuation, the output signal of the attenuator 63 does not flow into the other attenuators 64, and is all transmitted to the power amplifier 66 via the impedance matching circuit 65.

【0033】図4における2つのアッテネータ63,6
4から電力増幅器66までを集積化した場合の構成を図
5に示す。図5において、図4と同一の構成要素には同
一符号を付して示してあり、同一の基板、例えば高周波
特性に優れたガリウムひ素などの半導体基板71上に、
2つのアッテネータ63,64、インピーダンス整合回
路65および電力増幅器66が作成される。
The two attenuators 63 and 6 in FIG.
FIG. 5 shows a configuration in the case where the components from No. 4 to the power amplifier 66 are integrated. In FIG. 5, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and are provided on the same substrate, for example, a semiconductor substrate 71 such as gallium arsenide excellent in high frequency characteristics.
Two attenuators 63 and 64, an impedance matching circuit 65, and a power amplifier 66 are created.

【0034】この半導体基板71上にはさらに、信号出
力端子72および3つのコントロール端子73,74,
75が形成されている。信号出力端子72には、電力増
幅器66の出力端が接続される。コントロール端子7
3,74には、アッテネータ63,64の各一方の制御
入力端、即ち図2における制御入力端36がそれぞれ接
続される。コントロール端子75には、アッテネータ6
3,64の各他方の制御入力端、即ち図2における制御
入力端38が共通に接続される。
On the semiconductor substrate 71, a signal output terminal 72 and three control terminals 73, 74,
75 are formed. The output terminal of the power amplifier 66 is connected to the signal output terminal 72. Control terminal 7
The control input terminals 3 and 74 are connected to one control input terminal of each of the attenuators 63 and 64, that is, the control input terminal 36 in FIG. The control terminal 75 has an attenuator 6
The other control input terminals 3 and 64, that is, the control input terminal 38 in FIG. 2 are commonly connected.

【0035】そして、信号入力端子61,62には信号
RFin1,RFin2がそれぞれ入力され、信号出力
端子72からは信号RFoutが出力される。コントロ
ール端子73にはアッテネータ63のアッテネーション
を制御するためのコントロール信号Vref1が、コン
トロール端子74にはアッテネータ64のアッテネーシ
ョンを制御するためのコントロール信号Vref2がそ
れぞれ印加される。また、コントロール端子75には、
アッテネータ63,64のアッテネーションを制御する
ためのコントロール信号Vagcが印加される。
The signals RFin1 and RFin2 are input to the signal input terminals 61 and 62, respectively, and the signal RFout is output from the signal output terminal 72. A control signal Vref1 for controlling the attenuation of the attenuator 63 is applied to the control terminal 73, and a control signal Vref2 for controlling the attenuation of the attenuator 64 is applied to the control terminal 74. In addition, the control terminal 75
A control signal Vagc for controlling the attenuation of the attenuators 63 and 64 is applied.

【0036】アッテネータ63,64による信号RFi
n1,RFin2の選択に当たっては、図2に示す回路
構成において、2つのコントロール信号Vref,Va
gcの電位差で信号経路を開閉することによって行うよ
うにする。具体的には、使用しないアッテネータのコン
トロール信号Vrefの電位をコントロール信号Vag
cの電位よりも十分に高く設定することにより、そのア
ッテネータのアッテネーションが最大となり、その信号
経路が等価的に遮断状態となる。
Signal RFi generated by attenuators 63 and 64
In selecting n1 and RFin2, two control signals Vref and Va are used in the circuit configuration shown in FIG.
It is performed by opening and closing a signal path with a potential difference of gc. Specifically, the potential of the control signal Vref of the unused attenuator is set to the control signal Vag.
By setting the potential sufficiently higher than the potential of c, the attenuation of the attenuator is maximized, and the signal path is equivalently cut off.

【0037】一例として、コントロール信号Vagcを
1〜2.5V程度に設定した場合、コントロール信号V
refとしては、使用しない信号経路側のアッテネータ
については3V程度の電圧を設定することで実現でき
る。この電圧は、RFブロックで通常用いられているR
Fスイッチのコントロール電圧(0V〜3V)と同じで
あるため、新たな電源を用意する必要はない。
As an example, when the control signal Vagc is set to about 1 to 2.5 V, the control signal Vagc
Ref can be realized by setting a voltage of about 3 V for the attenuator on the signal path side not used. This voltage is equal to R which is commonly used in RF blocks.
Since it is the same as the control voltage of the F switch (0 V to 3 V), there is no need to prepare a new power supply.

【0038】上述したように、複数(本例では、2つ)
の信号入力端子61,62を持ち、各信号RFin1,
RFin2の電力調節を行う伝送回路において、各信号
RFin1,RFin2の入力経路ごとにアッテネータ
63,64を設けたことで、第1実施形態の場合と同様
の作用効果を奏する。
As described above, a plurality (two in this example)
Signal input terminals 61 and 62, and each signal RFin1,
In the transmission circuit for adjusting the power of RFin2, by providing the attenuators 63 and 64 for each of the input paths of the signals RFin1 and RFin2, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.

【0039】これに加え、本実施形態においては、第1
実施形態における信号切り替えスイッチ15を用いず、
所望の信号経路のアッテネータのみを動作させ、使用し
ない信号経路のアッテネータはアッテネーション最大と
なるようにして信号を切り替えるようにしたことで、第
1実施形態に比べて、スイッチでの損失を生じることが
なく、効率良く信号を伝送することができるとともに、
スイッチを省略した分だけ回路規模を小さくでき、チッ
プ面積の縮小化にさらに有用なものとなる。
In addition, in the present embodiment, the first
Without using the signal changeover switch 15 in the embodiment,
By operating only the attenuator on the desired signal path and switching the signal so that the attenuator on the unused signal path has the maximum attenuation, loss in the switch may occur compared to the first embodiment. Without transmitting signals efficiently.
The circuit scale can be reduced by the omission of the switch, which is more useful for reducing the chip area.

【0040】例えば、図8に示すように、複数の信号入
力に対してアッテネータ204を共通化した場合には、
アッテネータ204は周波数に依存しない動作をする必
要があることから、その回路素子として大きいサイズの
ものを使用しなければならないため、一例として、約
1.1mm×約0.95のチップサイズとなっていた。
これに対し、各信号経路毎にアッテネータを設けた場合
には、各アッテネータは単一の周波数に合わせれば良
く、回路素子のサイズは小さくて済むため、図5に示す
ように、2つのアッテネータ63,64のみならず、イ
ンピーダンス整合回路65および電力増幅器66を含め
ても、約1.1mm×0.8mmのチップサイズで済む
ことになる。
For example, as shown in FIG. 8, when the attenuator 204 is shared for a plurality of signal inputs,
Since the attenuator 204 needs to operate in a frequency-independent manner, a large-sized circuit element must be used. For example, the chip size is about 1.1 mm × about 0.95. Was.
On the other hand, when an attenuator is provided for each signal path, each attenuator only needs to be adjusted to a single frequency, and the size of the circuit element can be small. Therefore, as shown in FIG. , 64 as well as the impedance matching circuit 65 and the power amplifier 66, a chip size of about 1.1 mm × 0.8 mm is sufficient.

【0041】なお、図5の場合には、2つのアッテネー
タ63,64から電力増幅器66までを集積化するとし
たが、図6に示すように、信号切り替えスイッチ67ま
でを集積化しても良く、又必要に応じてそれ以降の回
路、即ち図4におけるインピーダンス整合回路69や電
力増幅器70までを集積化することも可能である。
In the case shown in FIG. 5, the components from the two attenuators 63 and 64 to the power amplifier 66 are integrated. However, as shown in FIG. 6, the components up to the signal switch 67 may be integrated. If necessary, the subsequent circuits, that is, the impedance matching circuit 69 and the power amplifier 70 in FIG. 4 can be integrated.

【0042】また、本実施形態においては、信号入力端
子を2個持つ伝送回路に適用した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、n個(nは3以上
の整数)の信号入力端子を持つ伝送回路にも同様に適用
可能である。この場合には、n個のアッテネータのう
ち、使用しない全ての信号経路のアッテネータをアッテ
ネーション最大にしておくことにより、所望の信号が他
の信号経路に流れ込むことなく、後段のインピーダンス
整合回路へと伝送させることができる。
In the present embodiment, the case where the present invention is applied to a transmission circuit having two signal input terminals has been described. However, the present invention is not limited to this, and n (n is an integer of 3 or more) signal signals The present invention is similarly applicable to a transmission circuit having an input terminal. In this case, by setting the attenuators of all unused signal paths among the n attenuators to the maximum attenuation, the desired signal can be transmitted to the subsequent impedance matching circuit without flowing into other signal paths. Can be done.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の信号入力端子を持ち、各信号経路の信号に対して
電力調節を行う伝送回路において、各信号経路ごとに電
力調節回路を設けたことにより、各電力調整回路は単一
の周波数に合わせれば良く、構成する回路素子のサイズ
が小さくて済むため、回路規模を縮小化でき、集積化の
際のチップ面積を小さくできる。
As described above, according to the present invention,
In a transmission circuit that has multiple signal input terminals and adjusts the power of the signals in each signal path, by providing a power adjustment circuit for each signal path, each power adjustment circuit can be adjusted to a single frequency Since the size of the circuit elements to be configured can be reduced, the circuit scale can be reduced, and the chip area for integration can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態を示すブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】アッテネータの回路構成の一例を示す回路図で
ある。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of an attenuator.

【図3】第1実施形態に係る集積化の場合の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration in the case of integration according to the first embodiment.

【図4】本発明の第2実施形態を示すブロック図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】第2実施形態に係る集積化の場合の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration in the case of integration according to a second embodiment.

【図6】第2実施形態に係る他の集積化の場合の構成を
示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration for another integration according to the second embodiment.

【図7】従来例に係る伝送回路を示すブロック図であ
る。
FIG. 7 is a block diagram showing a transmission circuit according to a conventional example.

【図8】課題に係る伝送回路を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a transmission circuit according to the problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,12,61,62 信号入力端子 13,14,63,64 アッテネータ 15,18,67 信号切り替えスイッチ 16,20,65,69 インピーダンス整合回路 17,66 電力増幅器(中電力) 21,70 電
力増幅器(大電力)
11, 12, 61, 62 Signal input terminal 13, 14, 63, 64 Attenuator 15, 18, 67 Signal changeover switch 16, 20, 65, 69 Impedance matching circuit 17, 66 Power amplifier (medium power) 21, 70 Power amplifier (High power)

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の信号入力端子と、前記複数の信号
入力端子の各々に接続された複数の信号経路とを有し、
前記複数の信号入力端子の各々から入力される信号の電
力調節を行って次段の回路に伝送する伝送回路であっ
て、 前記複数の信号経路毎に設けられ、かつ同一基板上に形
成された複数の電力調節回路を備えたことを特徴とする
伝送回路。
A plurality of signal input terminals; a plurality of signal paths connected to each of the plurality of signal input terminals;
A transmission circuit for adjusting the power of a signal input from each of the plurality of signal input terminals and transmitting the signal to a next-stage circuit, provided for each of the plurality of signal paths, and formed on the same substrate. A transmission circuit comprising a plurality of power adjustment circuits.
【請求項2】 前記複数の電力調節回路の各出力信号の
うちの1つを選択的に出力するスイッチ手段を備えたこ
とを特徴とする請求項1記載の伝送回路。
2. The transmission circuit according to claim 1, further comprising switch means for selectively outputting one of the output signals of the plurality of power adjustment circuits.
【請求項3】 前記複数の電力調節回路のうちの1つの
みが選択的に動作可能であることを特徴とする請求項1
記載の伝送回路。
3. The method of claim 1, wherein only one of said plurality of power conditioning circuits is selectively operable.
Transmission circuit as described.
【請求項4】 前記複数の電力調節回路は、各々の入力
段にインピーダンス整合回路を有することを特徴とする
請求項1記載の伝送回路。
4. The transmission circuit according to claim 1, wherein each of the plurality of power adjustment circuits has an impedance matching circuit at each input stage.
【請求項5】 前記複数の電力調節回路と同一基板上に
形成され、前記複数の電力調節回路を経た信号を電力増
幅する電力増幅回路を備えたことを特徴とする請求項1
記載の伝送回路。
5. A power amplification circuit formed on the same substrate as the plurality of power adjustment circuits and amplifying power of a signal passing through the plurality of power adjustment circuits.
Transmission circuit as described.
【請求項6】 前記基板は半導体基板であることを特徴
とする請求項1記載の伝送回路。
6. The transmission circuit according to claim 1, wherein said substrate is a semiconductor substrate.
【請求項7】 前記半導体基板はガリウムひ素半導体基
板であることを特徴とする請求項6記載の伝送回路。
7. The transmission circuit according to claim 6, wherein said semiconductor substrate is a gallium arsenide semiconductor substrate.
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