JPH10209447A - Semiconductor switch - Google Patents

Semiconductor switch

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JPH10209447A
JPH10209447A JP9009700A JP970097A JPH10209447A JP H10209447 A JPH10209447 A JP H10209447A JP 9009700 A JP9009700 A JP 9009700A JP 970097 A JP970097 A JP 970097A JP H10209447 A JPH10209447 A JP H10209447A
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JP
Japan
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iegt
semiconductor switch
gate
input
voltage
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JP9009700A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshimitsu Kato
俊光 加藤
Yoshiaki Aizawa
吉昭 相沢
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor switch, wherein an IEGT(injection enhanced gate transistor) with the reinforced reverse breakdown strength is utilized, both currents of a DC and an AC can be controlled, and a reduction in cost and a reduction in an ON-voltage are possible. SOLUTION: IEGTs 1 and 3 formed by an isolation diffusion method are reversely parallel-connected with each other, an anode of the IEGT 1 and a cathode of the IEGT 3 are commonly connected with an I/O terminal 5 and a cathode of the IEGT 1 and an anode of the IEGT 3 are commonly connected with an I/O terminal 7. Photodiode arrays 9a and 11a, which respectively bias a gate of the IEGT 1 and a gate of the IEGT 3, are respectively connected between the gate of the IEGT 1 and the terminal 7 and between the gate of the IEGT 3 and the terminal 5 and resistors 9b and 11b are parallel-connected with each other. Input/output of an LED(light emitting diode) 23, which is optically coupled with the arrays 9a and 11a, are connected with contact signal ends 25 and 27.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路内におい
て直流、交流両方の電流制御を行う半導体スイッチに関
し、特にIEGT(Injection Enhanced Gate Transist
or)を利用した半導体スイッチに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor switch for controlling both DC and AC currents in an integrated circuit, and more particularly to an IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor).
or) using a semiconductor switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、プログラマブルコントローラなど
の集積回路内では、直流電流と交流電流が両方流れる。
これらの電流の流れを制御するために、以前はメカニカ
ルリレーが利用されていたが、最近ではこれをトランジ
スタで構成した半導体スイッチに置換するようになっ
た。
2. Description of the Related Art Normally, both a direct current and an alternating current flow in an integrated circuit such as a programmable controller.
In the past, mechanical relays were used to control the flow of these currents, but recently they have been replaced with semiconductor switches composed of transistors.

【0003】図5は、従来の半導体スイッチの一例であ
り、MOS FETで構成した例である。この半導体ス
イッチは、2つのMOS FET51,53が逆直列接
続されており、エミッタ同志とコレクタ同志が共に共通
接続されている。エミッタとコレクタとの間には、フロ
ーティング電源(例えば、太陽電池やフォトダイオー
ド)55が直列接続され、それぞれのソースには入出力
端子57,59が接続されている。
FIG. 5 shows an example of a conventional semiconductor switch, which is constituted by MOS FETs. In this semiconductor switch, two MOS FETs 51 and 53 are connected in reverse series, and the emitter and the collector are commonly connected together. A floating power supply (for example, a solar cell or a photodiode) 55 is connected in series between the emitter and the collector, and input / output terminals 57 and 59 are connected to respective sources.

【0004】しかしながら、MOS FETは単位面積
当りのオン電圧が高く、しかもMOS FET51,5
3を逆直列接続しているため、オン電圧はさらに2倍と
なる。オン電圧が高いと消費電力が大きくなり、高温に
なるので、これを防ぐためにチップを大きくして電流密
度を下げなければならない。この結果、コストが高くな
るという欠点があった。
However, the MOS FET has a high on-voltage per unit area, and the MOS FETs 51, 5
3 are connected in reverse series, the on-voltage further doubles. If the on-state voltage is high, the power consumption increases and the temperature becomes high. To prevent this, the chip must be enlarged and the current density must be reduced. As a result, there is a disadvantage that the cost is increased.

【0005】そこで、オン電圧が低いIGBT(ゲート
絶縁型バイポーラトランジスタ)で構成した半導体スイ
ッチが考えられた。図6にその一例を示す。この半導体
スイッチは、2つのIGBT61,63が逆並列接続さ
れており、IGBT61のアノードとIGBT63のカ
ソードとが入出力端子65に共通接続され、IGBT6
1のカソードとIGBT63のアノードとが入出力端子
67に共通接続されている。
Therefore, a semiconductor switch constituted by an IGBT (gate-insulated bipolar transistor) having a low on-state voltage has been considered. FIG. 6 shows an example. In this semiconductor switch, two IGBTs 61 and 63 are connected in anti-parallel, an anode of the IGBT 61 and a cathode of the IGBT 63 are commonly connected to an input / output terminal 65, and an IGBT 6
The first cathode and the anode of the IGBT 63 are commonly connected to the input / output terminal 67.

【0006】IGBT61のゲートと入出力端子67と
の間、及びIGBT63のゲートと入出力端子65との
間には、それぞれフローティング電源(例えば、太陽電
池やフォトダイオード)69,71が直列接続されてい
る。
Floating power supplies (for example, solar cells and photodiodes) 69 and 71 are connected in series between the gate of the IGBT 61 and the input / output terminal 67 and between the gate of the IGBT 63 and the input / output terminal 65, respectively. I have.

【0007】この半導体スイッチであれば、IGBTの
単位面積当りのオン電圧はMOSFETのそれに比べて
1/3であり、しかも2つのIGBT61,63を逆並
列接続しているため、図5で示した半導体スイッチに比
べ、同一チップ面積、同一コストであれば、約1/6の
オン電圧にすることができる。しかしながら、近年の集
積回路技術に伴い、さらなる低コスト化、低オン電圧化
が要求されている。
In this semiconductor switch, the ON voltage per unit area of the IGBT is 1/3 of that of the MOSFET, and two IGBTs 61 and 63 are connected in anti-parallel. Compared with a semiconductor switch, the on-voltage can be reduced to about 1/6 with the same chip area and the same cost. However, with the recent integrated circuit technology, further cost reduction and lower on-voltage are required.

【0008】そこで考えられるのが、IEGT(Inject
ion Enhanced Gate Transistor)である。図7は、IE
GTの断面構造図である。このIEGTは、一定間隔を
おいてn+ ソースにコンタクトするカソード電極13
と、カソード電極側の表面に微細な間隔で形成されたト
レンチゲート電極15と、チップ裏面のp+ アノード電
極17とから構成されたゲート制御型のバイポーラトラ
ンジスタである。
[0008] Then, what is considered is IEGT (Inject).
ion Enhanced Gate Transistor). FIG. 7 shows the IE
FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of a GT. This IEGT is connected to the cathode electrode 13 which contacts the n + source at a certain interval.
And a gate control type bipolar transistor comprising a trench gate electrode 15 formed at a minute interval on the surface on the cathode electrode side and ap + anode electrode 17 on the back surface of the chip.

【0009】図7で示すように、アノード電極17に正
の電圧、カソード電極13に負の電圧を印加すると、ア
ノードpエミッタ19から注入された正孔は、トレンチ
ゲート電極15によってカソード電極13へ流出するこ
とが妨げられる。一方、ゲート電極15をカソード電極
13に対してプラスバイアスすると、カソード電極13
からの電子はMOSチャネルから制限なく注入されるた
め、電子の注入が正孔の流出を大きく上回る高注入状態
になり、高抵抗nベース層のオン抵抗を低く抑えること
ができる。
As shown in FIG. 7, when a positive voltage is applied to the anode electrode 17 and a negative voltage is applied to the cathode electrode 13, holes injected from the anode p emitter 19 are supplied to the cathode electrode 13 by the trench gate electrode 15. Spillage is prevented. On the other hand, when the gate electrode 15 is positively biased with respect to the cathode electrode 13, the cathode electrode 13
Is injected from the MOS channel without any limitation, so that the injection of electrons becomes much higher than the outflow of holes, so that the on-resistance of the high-resistance n-base layer can be suppressed low.

【0010】図8は、このIEGT(実線)とIGBT
(破線)との電流電圧特性の違いを示すグラフである。
同一電流密度に対してIEGTのオン電圧は、IGBT
のそれに比べて約1/3であることが分かる。このよう
な特徴を持つIEGTを利用した、より低オン電圧で低
コストな半導体スイッチの実現が期待されている。
FIG. 8 shows the IEGT (solid line) and the IGBT.
6 is a graph showing a difference between a current voltage characteristic and a (dashed line).
For the same current density, the ON voltage of IEGT is IGBT
It can be seen that it is about 1/3 compared to that of. It is expected that a semiconductor switch using IEGT having such characteristics and having a lower on-voltage and lower cost will be realized.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、IGB
Tに比べてオン電圧が低いIEGTを利用した半導体ス
イッチが期待されているが、図8で示したIEGTはア
ノード電極17に負の電圧、カソード電極13に正の電
圧が印加された際の逆耐圧に弱いため、直流電流を制御
することは出来ても、交流電流を制御することはできな
かった。
As described above, the IGB
A semiconductor switch using an IEGT having an ON voltage lower than T is expected, but the IEGT shown in FIG. 8 is the reverse of when a negative voltage is applied to the anode 17 and a positive voltage is applied to the cathode 13. Because of its low withstand voltage, it was possible to control the DC current but not the AC current.

【0012】本発明は以上のような問題に鑑みて成され
たものであり、その目的は、逆耐圧を強化したIEGT
を利用することにより、直流、交流両方の電流制御が可
能で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能な半
導体スイッチを提供することである。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an IEGT having an enhanced reverse withstand voltage.
It is an object of the present invention to provide a semiconductor switch which can control both DC and AC currents and can reduce the cost and the ON voltage more than before.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明の第1の発明の特徴は、IEGTを用い
た、直流及び交流の電流制御を行う半導体スイッチであ
って、逆並列接続された第1及び第2のIEGTと、前
記第1のIEGTのアノード電極と前記第2のIEGT
のカソード電極とが共通接続された第1の入出力端子
と、前記第1のIEGTのカソード電極と前記第2のI
EGTのアノード電極とが共通接続された第2の入出力
端子と、前記第1のIEGTのゲート電極をバイアスす
る第1のフローティング電源と、前記第2のIEGTの
ゲート電極をバイアスする第2のフローティング電源と
を備えたことにある。
In order to achieve the above-mentioned object, a first aspect of the present invention is a semiconductor switch for performing DC and AC current control using an IEGT, comprising an anti-parallel connection. The first and second IEGTs, the anode electrode of the first IEGT, and the second IEGT
A first input / output terminal commonly connected to a cathode electrode of the first IEGT; a cathode electrode of the first IEGT;
A second input / output terminal commonly connected to an anode electrode of the EGT; a first floating power supply for biasing a gate electrode of the first IEGT; and a second floating power supply for biasing a gate electrode of the second IEGT. And a floating power supply.

【0014】この第1の発明によれば、電流密度が小さ
く、オン電圧が低いIEGTを逆並列接続しているの
で、小面積及び低コストで直流、交流両方の電流制御を
行うことができる。また、フローティング電源でゲート
電極をバイアスしているので、2つのIEGTのゲート
電極をそれぞれ異なる電圧でバイアスすることができ
る。
According to the first aspect, since the IEGTs having a low current density and a low on-state voltage are connected in anti-parallel, both DC and AC current control can be performed with a small area and at low cost. Further, since the gate electrodes are biased by the floating power supply, the gate electrodes of the two IEGTs can be biased at different voltages.

【0015】第2の発明の特徴は、第1の発明におい
て、前記第1及び第2のフローティング電源は共にフォ
トダイオードアレイであり、該第1及び第2のフォトダ
イオードアレイと同時に光結合する発行素子を備えたこ
とにある。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, both the first and second floating power supplies are photodiode arrays, and the first and second floating power supplies are optically coupled simultaneously with the first and second photodiode arrays. It has a device.

【0016】この第2の発明によれば、電気的に絶縁さ
れている発行素子との光結合によってフォトダイオード
アレイに光起電力が生じ、第1及び第2の入出力端子間
がオン状態になるので、2つの入出力端子間をそれぞれ
異なった電位で使用することができる。
According to the second aspect of the present invention, photo-electromotive force is generated in the photodiode array by optical coupling with the issuing element which is electrically insulated, and the first and second input / output terminals are turned on. Therefore, the two input / output terminals can be used at different potentials.

【0017】第3の発明の特徴は、第1の発明におい
て、第1及び第2のIEGTは、共にアイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であることにある。
A feature of the third invention is that in the first invention, the first and second IEGTs both have a structure formed by using an isolation diffusion method.

【0018】第4の発明の特徴は、第1の発明におい
て、第1及び第2のIEGTは、共にグラスパシベーシ
ョン法を用いて形成された構造であることにある。
A feature of the fourth invention is that, in the first invention, both the first and second IEGTs have a structure formed by using a glass passivation method.

【0019】これら第3及び第4の発明によれば、アノ
ード電極に負の電圧、カソード電極に正の電圧が印加さ
れた際の逆耐圧特性を向上させることができる。
According to the third and fourth aspects of the invention, the reverse withstand voltage characteristics when a negative voltage is applied to the anode electrode and a positive voltage is applied to the cathode electrode can be improved.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0021】図1は本発明の一実施形態に係わる半導体
スイッチの構成図である。同図に示す半導体スイッチ
は、2つのIEGT1,3が逆並列接続されており、I
EGT1のアノードとIEGT3のカソードとが入出力
端子5に共通接続され、IEGT1のカソードとIEG
T3のアノードとが入出力端子7に共通接続されてい
る。IEGT1のゲートと入出力端子7との間、及びI
EGT3のゲートと入出力端子5との間には、それぞれ
のゲートをバイアスするフローティング電源(例えば、
フォトダイオードアレイや絶縁トランス)9,11が直
列接続されている。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor switch according to an embodiment of the present invention. In the semiconductor switch shown in the figure, two IEGTs 1 and 3 are connected in anti-parallel.
The anode of the EGT1 and the cathode of the IEGT3 are commonly connected to the input / output terminal 5, and the cathode of the IEGT1 and the IEGT are connected.
The anode of T3 is commonly connected to the input / output terminal 7. Between the gate of the IEGT 1 and the input / output terminal 7;
Between the gate of the EGT 3 and the input / output terminal 5, a floating power supply (eg,
Photodiode arrays and insulating transformers) 9 and 11 are connected in series.

【0022】ここで、IEGT1,3の具体的な断面構
造図を図2に示す。このIEGTは、アイソレーション
拡散法を用いて形成された構造であり、カソード電極1
3、ゲート電極15、アノード電極17、及びアノード
pエミッタ19については図7で示したものと同様であ
るが、カソード電極側の表面とアノードpエミッタ19
との間にアイソレーション21が形成されている。この
アイソレーション21により、アノード電極17に負の
電圧、カソード電極13に正の電圧が印加された際の逆
耐圧特性を高くすることができる。
Here, a specific sectional structural view of IEGTs 1 and 3 is shown in FIG. This IEGT has a structure formed using an isolation diffusion method, and the cathode electrode 1
3, the gate electrode 15, the anode electrode 17, and the anode p emitter 19 are the same as those shown in FIG.
Is formed between them. The isolation 21 can enhance the reverse breakdown voltage characteristics when a negative voltage is applied to the anode electrode 17 and a positive voltage is applied to the cathode electrode 13.

【0023】このように、アイソレーション拡散法を用
いて形成されたIEGT1,3を、図1のように構成す
ることにより、直流、交流両方の電流制御を行うことが
できる。フローティング電源9,11でそれぞれのゲー
ト電極13を異なる電圧でバイアスできるので、入出力
端子5から入出力端子7へ電流が流れる際には、フロー
ティング電源9でオンされたIEGT1が電流を流し、
逆方向へ電流が流れる際には、フローティング電源11
でオンされたIEGT3が電流を流すように電流制御さ
れる。
By configuring the IEGTs 1 and 3 formed by using the isolation diffusion method as shown in FIG. 1, both DC and AC current control can be performed. Since the respective gate electrodes 13 can be biased with different voltages by the floating power supplies 9 and 11, when a current flows from the input / output terminal 5 to the input / output terminal 7, the IEGT 1 turned on by the floating power supply 9 causes a current to flow.
When a current flows in the opposite direction, the floating power supply 11
The current is controlled so that the IEGT 3 turned on by the current flows a current.

【0024】図3は、フローティング電源9,11にフ
ォトダイオードアレイを用いた場合の構成図である。I
EGT1のゲートと入出力端子7との間、及びIEGT
3のゲートと入出力端子5との間にフォトダイオードア
レイ9a,11aが接続されると共に、抵抗9b,11
bが並列接続されている。さらに、この半導体スイッチ
近傍には、これと電気的に絶縁されているLED(発光
ダイオード)23が備えられており、その入出力はコン
トロール信号端25,27と接続されている。
FIG. 3 is a configuration diagram when a photodiode array is used for the floating power supplies 9 and 11. I
Between the gate of the EGT 1 and the input / output terminal 7, and the IEGT
The photodiode arrays 9a and 11a are connected between the gate of the input terminal 3 and the input / output terminal 5, and the resistors 9b and 11
b are connected in parallel. Further, an LED (light emitting diode) 23 electrically insulated from the semiconductor switch is provided near the semiconductor switch, and its input and output are connected to control signal terminals 25 and 27.

【0025】この半導体スイッチによれば、マイコンな
どからのコントロール信号がコントロール信号端25,
27の間に流されると、LED23が発光し、LED2
3と光結合するフォトダイオードアレイ9a,11aが
同時に光起電力を生じる。この電圧によってIEGT
1,3のそれぞれのゲートがバイアスされ、入出力端子
5,7間がオン状態となって電流制御が行われる。この
ため、2つの入出力端子5,7間をそれぞれ異なった電
位で使用することができる。
According to this semiconductor switch, the control signal from the microcomputer or the like is transmitted to the control signal terminal 25,
27, LED 23 emits light and LED 2
The photodiode arrays 9a and 11a optically coupled to 3 simultaneously generate photovoltaic power. With this voltage, IEGT
The gates 1 and 3 are biased, and the input / output terminals 5 and 7 are turned on to perform current control. Therefore, the two input / output terminals 5 and 7 can be used at different potentials.

【0026】以上のように、本発明の半導体スイッチで
あれば、オン電圧が非常に低いIEGTをアイソレーシ
ョン拡散法を用いて形成し、逆並列接続したので、直
流、交流両方の電流制御を行うことができ、さらに従来
に比べてよりいっそうの低コスト化、低オン電圧化が可
能となった。また、フローティング電源にフォトダイオ
ードアレイを用いたので、入出力端子間をそれぞれ異な
った電位で使用することができる。
As described above, according to the semiconductor switch of the present invention, since the IEGT having an extremely low on-voltage is formed by the isolation diffusion method and connected in anti-parallel, both DC and AC current control is performed. In addition, the cost and on-voltage can be further reduced as compared with the conventional case. Further, since the photodiode array is used as the floating power supply, it is possible to use different potentials between the input and output terminals.

【0027】なお、IEGTの構造はアイソレーション
拡散法による構造に限らず、図4に示すような、グラス
パシベーション法による構造でも良いものである。この
IEGTであれば、カソード電極側の表面近傍とアノー
ド電極17の近傍に形成されたガラス層29により、逆
耐圧が強化される。
The structure of the IEGT is not limited to the structure by the isolation diffusion method, but may be a structure by a glass passivation method as shown in FIG. With this IEGT, the reverse breakdown voltage is enhanced by the glass layer 29 formed near the surface on the cathode electrode side and near the anode electrode 17.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上、本発明の半導体スイッチによれ
ば、逆耐圧を強化した2つのIEGTを逆並列接続して
構成しているので、直流、交流両方の電流制御が可能
で、従来以上に低コスト化、低オン電圧化が可能であ
る。フローティング電源でゲート電極をバイアスしてい
るので、2つのIEGTのゲート電極をそれぞれ異なる
電圧でバイアスすることができる。
As described above, according to the semiconductor switch of the present invention, since two IEGTs having an enhanced reverse breakdown voltage are connected in anti-parallel, both DC and AC current control can be performed, which is more effective than in the prior art. Low cost and low on-voltage are possible. Since the gate electrodes are biased by the floating power supply, the gate electrodes of the two IEGTs can be biased at different voltages.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチの
構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor switch according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチを
構成するIEGTの断面構造図。
FIG. 2 is a sectional structural view of an IEGT constituting the semiconductor switch according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係わる半導体スイッチの
構成にフォトダイオードアレイを用いた場合の構成図。
FIG. 3 is a configuration diagram when a photodiode array is used for the configuration of the semiconductor switch according to one embodiment of the present invention;

【図4】図2と異なるIEGTの断面構造図。FIG. 4 is a sectional structural view of the IEGT different from FIG. 2;

【図5】MOS FETを用いた従来の半導体スイッチ
の一例を示す構成図。
FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of a conventional semiconductor switch using a MOS FET.

【図6】IGBTを用いた従来の半導体スイッチの一例
を示す構成図。
FIG. 6 is a configuration diagram showing an example of a conventional semiconductor switch using an IGBT.

【図7】従来から知られているIEGTの断面構造図。FIG. 7 is a sectional structural view of a conventionally known IEGT.

【図8】IEGTとIGBTとの電流電圧特性の違いを
示すグラフ。
FIG. 8 is a graph showing a difference in current-voltage characteristics between IEGT and IGBT.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,3 IEGT 5,7 入出力端子 9,11 フローティング電源 9a,11a フォトダイオードアレイ 9b,11b 抵抗 13 カソード電極 15 ゲート電極 17 アノード電極 19 アノードpエミッタ 21 アイソレーション 23 LED(発光ダイオード) 25,27 コントロール信号端 29 ガラス層 1,3 IEGT 5,7 Input / output terminal 9,11 Floating power supply 9a, 11a Photodiode array 9b, 11b Resistance 13 Cathode electrode 15 Gate electrode 17 Anode electrode 19 Anode p emitter 21 Isolation 23 LED (Light emitting diode) 25,27 Control signal end 29 Glass layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 IEGTを用いた、直流及び交流の電流
制御を行う半導体スイッチであって、 逆並列接続された第1及び第2のIEGTと、前記第1
のIEGTのアノード電極と前記第2のIEGTのカソ
ード電極とが共通接続された第1の入出力端子と、前記
第1のIEGTのカソード電極と前記第2のIEGTの
アノード電極とが共通接続された第2の入出力端子と、
前記第1のIEGTのゲート電極をバイアスする第1の
フローティング電源と、前記第2のIEGTのゲート電
極をバイアスする第2のフローティング電源とを備えた
ことを特徴とする半導体スイッチ。
1. A semiconductor switch for performing DC and AC current control using an IEGT, comprising: first and second IEGTs connected in anti-parallel;
A first input / output terminal in which an anode electrode of the IEGT and a cathode electrode of the second IEGT are connected in common, and a cathode electrode of the first IEGT and an anode electrode of the second IEGT are connected in common. A second input / output terminal,
A semiconductor switch comprising: a first floating power supply for biasing a gate electrode of the first IEGT; and a second floating power supply for biasing a gate electrode of the second IEGT.
【請求項2】 前記第1及び第2のフローティング電源
は共にフォトダイオードアレイであり、該第1及び第2
のフォトダイオードアレイと同時に光結合する発行素子
を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体スイッ
チ。
2. The method according to claim 1, wherein the first and second floating power supplies are both photodiode arrays.
2. The semiconductor switch according to claim 1, further comprising a light emitting element that is optically coupled simultaneously with the photodiode array.
【請求項3】 第1及び第2のIEGTは、共にアイソ
レーション拡散法を用いて形成された構造であることを
特徴とする請求項1記載の半導体スイッチ。
3. The semiconductor switch according to claim 1, wherein each of the first and second IEGTs has a structure formed by using an isolation diffusion method.
【請求項4】 第1及び第2のIEGTは、共にグラス
パシベーション法を用いて形成された構造であることを
特徴とする請求項1記載の半導体スイッチ。
4. The semiconductor switch according to claim 1, wherein each of the first and second IEGTs has a structure formed by using a glass passivation method.
JP9009700A 1997-01-22 1997-01-22 Semiconductor switch Pending JPH10209447A (en)

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JP9009700A JPH10209447A (en) 1997-01-22 1997-01-22 Semiconductor switch

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