JPH10199814A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
- Publication number
- JPH10199814A JPH10199814A JP154197A JP154197A JPH10199814A JP H10199814 A JPH10199814 A JP H10199814A JP 154197 A JP154197 A JP 154197A JP 154197 A JP154197 A JP 154197A JP H10199814 A JPH10199814 A JP H10199814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vapor deposition
- room
- raw material
- deposition apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体気相成長装置のより一層の操作、制御
の簡便性の向上を図り、装置の配置のレイアウトを簡略
化し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図る。 【解決手段】 原料供給室１と、原料供給量制御室２
と、反応室３と、排気圧力制御室４と、排ガス処理室５
の各小区割室からなる半導体気相成長装置において、各
小区割室を、それぞれ排気可能な個別小区割室とする。
の簡便性の向上を図り、装置の配置のレイアウトを簡略
化し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図る。 【解決手段】 原料供給室１と、原料供給量制御室２
と、反応室３と、排気圧力制御室４と、排ガス処理室５
の各小区割室からなる半導体気相成長装置において、各
小区割室を、それぞれ排気可能な個別小区割室とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体気相成長装
置に係わる。
置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＥＤ(Light Emitting Diod
e)、ＨＥＭＴ(High Electron MobilityTransistor) を
始めとする種々の半導体デバイスの装置における化合物
半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長においては、
正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等の気相成長法が適してい
る。さらにこれらの方法は、非平衡状態での結晶成長を
特徴としており、液相成長法（ＬＥＤ）では困難な多元
系化合物半導体混晶を得ることができる。
e)、ＨＥＭＴ(High Electron MobilityTransistor) を
始めとする種々の半導体デバイスの装置における化合物
半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長においては、
正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等の気相成長法が適してい
る。さらにこれらの方法は、非平衡状態での結晶成長を
特徴としており、液相成長法（ＬＥＤ）では困難な多元
系化合物半導体混晶を得ることができる。
【０００３】図３に、従来における一般的な半導体気相
成長装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、
ＡｌＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行
う有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とす
る）の概略図を示す。
成長装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、
ＡｌＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行
う有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とす
る）の概略図を示す。
【０００４】この半導体気相成長装置は、原料ガス供給
室１１、原料供給量制御室１２、気相成長がなされる反
応室１３、排気圧力制御室１４、および排ガス処理室１
５からなるものである。
室１１、原料供給量制御室１２、気相成長がなされる反
応室１３、排気圧力制御室１４、および排ガス処理室１
５からなるものである。
【０００５】また、この半導体気相成長装置の外部に
は、反応室１３と気相成長がなされる半導体基板等の被
気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じて連通
しているクリーンエリア１７と、原料供給室１１，原料
供給量制御室１２，反応室１３，排気圧力制御室１４，
および排ガス処理室１５の各室と各開閉口を通じて連通
しているメンテナンスエリア１６とが設けられている。
これらのクリーンエリア１７およびメンテナンスエリア
１６は、隔壁１８ａおよび１８ｂにより分離された構成
となっている。
は、反応室１３と気相成長がなされる半導体基板等の被
気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じて連通
しているクリーンエリア１７と、原料供給室１１，原料
供給量制御室１２，反応室１３，排気圧力制御室１４，
および排ガス処理室１５の各室と各開閉口を通じて連通
しているメンテナンスエリア１６とが設けられている。
これらのクリーンエリア１７およびメンテナンスエリア
１６は、隔壁１８ａおよび１８ｂにより分離された構成
となっている。
【０００６】ここで、原料ガス供給室１１とは、原料ガ
ス例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）
等のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）
が設置されたシリンダーキャビネットから成っており、
これらのガスの供給を行うための原料ガス供給部を指称
する。
ス例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）
等のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）
が設置されたシリンダーキャビネットから成っており、
これらのガスの供給を行うための原料ガス供給部を指称
する。
【０００７】また、原料供給量制御室１２とは、例えば
有機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガス、およ
び上記原料ガス供給室１１からの原料ガスの流量を制御
するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称
する。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）の直近
には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金属原
料が充填された有機金属原料槽が配置されている。すな
わち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に制御
されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に供給
し、バブリングを行って有機金属原料ガス輸送がなされ
る。また、III 族の有機金属原料の供給量は、微少な量
に制御することが必要とされているため、マスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原料槽まで
の配管の距離は短く設置されている。また、有機金属原
料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御されている。
これらの原料ガス供給室１１と原料供給量制御室１２
は、配管で繋がっており、これらより供給され、それぞ
れマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量制御が
なされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料は、反
応室１３に送り込まれるようになされている。
有機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガス、およ
び上記原料ガス供給室１１からの原料ガスの流量を制御
するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称
する。また、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）の直近
には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメ
チルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金属原
料が充填された有機金属原料槽が配置されている。すな
わち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に制御
されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に供給
し、バブリングを行って有機金属原料ガス輸送がなされ
る。また、III 族の有機金属原料の供給量は、微少な量
に制御することが必要とされているため、マスフローコ
ントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原料槽まで
の配管の距離は短く設置されている。また、有機金属原
料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御されている。
これらの原料ガス供給室１１と原料供給量制御室１２
は、配管で繋がっており、これらより供給され、それぞ
れマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量制御が
なされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料は、反
応室１３に送り込まれるようになされている。
【０００８】反応室１３に送り込まれたIII 族有機金属
原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段
（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ
（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り
込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化
合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされ
ている。なお、反応室１３には、多数枚の被気相成長基
板に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を
向上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基
板、例えば半導体基板をセッティングするための準備室
いわゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段
（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ
（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り
込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化
合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされ
ている。なお、反応室１３には、多数枚の被気相成長基
板に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を
向上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基
板、例えば半導体基板をセッティングするための準備室
いわゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
【０００９】排気圧力制御室１４は、反応室１３と配管
で繋がっている。この排気圧力制御室１４は、減圧ポン
プや、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計
類、フィルター等により構成されている。多数枚の被気
相成長基板、例えば半導体基板に対して半導体膜を成長
させるためには、半導体基板の面内および半導体基板間
の圧力を均一にする必要があることから、半導体膜は、
通常減圧成長させる。 そこで、この排気圧力制御室１
４によって、反応室１３を排気することにより反応室１
３内の圧力を減少させている。
で繋がっている。この排気圧力制御室１４は、減圧ポン
プや、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計
類、フィルター等により構成されている。多数枚の被気
相成長基板、例えば半導体基板に対して半導体膜を成長
させるためには、半導体基板の面内および半導体基板間
の圧力を均一にする必要があることから、半導体膜は、
通常減圧成長させる。 そこで、この排気圧力制御室１
４によって、反応室１３を排気することにより反応室１
３内の圧力を減少させている。
【００１０】排ガス処理室１５においては、反応室１３
において半導体膜の成長が行われた後に放出される排ガ
ス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするように処
理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長装置外
に送り出すようになされる。
において半導体膜の成長が行われた後に放出される排ガ
ス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするように処
理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長装置外
に送り出すようになされる。
【００１１】一方、半導体気相成長装置の外部のクリー
ンエリア１７は、反応室１３において成膜した半導体膜
を取り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応
室１３内に設置したりするためのスペースである。この
ため、このクリーンエリア１７は、上述した半導体気相
成長に使用する原料等で汚染されることのないように清
浄な環境状態に保持されている。
ンエリア１７は、反応室１３において成膜した半導体膜
を取り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応
室１３内に設置したりするためのスペースである。この
ため、このクリーンエリア１７は、上述した半導体気相
成長に使用する原料等で汚染されることのないように清
浄な環境状態に保持されている。
【００１２】また、メンテナンスエリア１６は、原料供
給室１１内から使用済みのＶ族原料ガスのシリンダーを
搬出したり、逆に新たなＶ族原料ガスのシリンダーを搬
入したり、原料供給量制御室１２に、原料供給室１１を
通過してIII 族有機金属原料の搬入および搬出を行った
り、反応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、
また、排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け等
を行ったり、排ガス処理室１５の装置の交換を行ったり
するスペースである。すなわち、このメンテナンスエリ
ア１６においては、原料ガスのシリンダーを半導体気相
成長装置の内外部に搬送、および搬入したり、半導体気
相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするスペース
である。
給室１１内から使用済みのＶ族原料ガスのシリンダーを
搬出したり、逆に新たなＶ族原料ガスのシリンダーを搬
入したり、原料供給量制御室１２に、原料供給室１１を
通過してIII 族有機金属原料の搬入および搬出を行った
り、反応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、
また、排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け等
を行ったり、排ガス処理室１５の装置の交換を行ったり
するスペースである。すなわち、このメンテナンスエリ
ア１６においては、原料ガスのシリンダーを半導体気相
成長装置の内外部に搬送、および搬入したり、半導体気
相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするスペース
である。
【００１３】上述したように、ＭＯＣＶＤ装置を例とす
る半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総
合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成
膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱うこ
とが、要求される半導体膜の膜質、膜特性を保つために
は必要である。
る半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総
合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成
膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱うこ
とが、要求される半導体膜の膜質、膜特性を保つために
は必要である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の構成の半導体気相成長装置においては、半導体気相成
長装置の外部に、原料ガスのシリンダーを半導体気相成
長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気相成長装
置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナンスエリ
ア１６を設けた構成となっている。
の構成の半導体気相成長装置においては、半導体気相成
長装置の外部に、原料ガスのシリンダーを半導体気相成
長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気相成長装
置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナンスエリ
ア１６を設けた構成となっている。
【００１５】このメンテナンスエリア１６は、原料ガス
のシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬
入する関係上、オープンスペースとすることが必要であ
るが、上述したように、原料ガスのシリンダーを半導体
気相成長装置の内外部に搬送、搬入するのみならず、反
応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、また、
排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け、交換等
を行ったり、排ガス処理室１５の構成部の交換等を行っ
たりするような半導体気相成長装置自体のメンテナンス
を行うと、このメンテナンスエリア１６は、例えば、半
導体原料の砒素、砒素化物あるいは燐化物等により汚染
される。
のシリンダーを半導体気相成長装置の内外部に搬送、搬
入する関係上、オープンスペースとすることが必要であ
るが、上述したように、原料ガスのシリンダーを半導体
気相成長装置の内外部に搬送、搬入するのみならず、反
応室１３内に付着した生成物の除去を行ったり、また、
排気圧力制御室１４内のフィルターの取り付け、交換等
を行ったり、排ガス処理室１５の構成部の交換等を行っ
たりするような半導体気相成長装置自体のメンテナンス
を行うと、このメンテナンスエリア１６は、例えば、半
導体原料の砒素、砒素化物あるいは燐化物等により汚染
される。
【００１６】このような半導体原料は有毒であり、特に
有機金属は空気中で発火するおそれがある。上述した構
成の半導体気相成長装置においては、半導体材料が作業
者や搬出する物資を通して外部に飛散するおそれがあ
る。
有機金属は空気中で発火するおそれがある。上述した構
成の半導体気相成長装置においては、半導体材料が作業
者や搬出する物資を通して外部に飛散するおそれがあ
る。
【００１７】そこで、原料ガスのシリンダーを半導体気
相成長装置の内外部に搬送、搬入するためのオープンス
ペースの部分と、半導体気相成長装置自体のメンテナン
スを行う部分とを分けた構成とし、かつ半導体気相成長
装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成を有す
る半導体気相成長装置が必要である。
相成長装置の内外部に搬送、搬入するためのオープンス
ペースの部分と、半導体気相成長装置自体のメンテナン
スを行う部分とを分けた構成とし、かつ半導体気相成長
装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成を有す
る半導体気相成長装置が必要である。
【００１８】また、多数枚の半導体膜を一度に成膜する
必要があることから、装置の大規模化が進んでおり、同
一のスペースに何台もの半導体気相成長装置を設置する
必要がある。上述した従来の構成の半導体気相成長装置
を、同一のスペースに何台も設置すると、図４に示すよ
うに、クリーンエリア１７とメンテナンスエリア１６と
が複雑に、入り組んだ形状を呈することは避けられな
い。このため、何台もの半導体気相成長装置を、クリー
ンエリア１７と、メンテナンスエリア１６とが完全に分
離して配置するためには、半導体気相成長装置の配置の
レイアウト上困難を伴う。
必要があることから、装置の大規模化が進んでおり、同
一のスペースに何台もの半導体気相成長装置を設置する
必要がある。上述した従来の構成の半導体気相成長装置
を、同一のスペースに何台も設置すると、図４に示すよ
うに、クリーンエリア１７とメンテナンスエリア１６と
が複雑に、入り組んだ形状を呈することは避けられな
い。このため、何台もの半導体気相成長装置を、クリー
ンエリア１７と、メンテナンスエリア１６とが完全に分
離して配置するためには、半導体気相成長装置の配置の
レイアウト上困難を伴う。
【００１９】そこで、クリーンエリア１７とメンテナン
スエリア１６とを分離しやすく、半導体気相成長装置の
配置のレイアウトをし易い構成の半導体気相成長装置が
望まれている。
スエリア１６とを分離しやすく、半導体気相成長装置の
配置のレイアウトをし易い構成の半導体気相成長装置が
望まれている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体気相成長
装置は、原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室
と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室から
なり、原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧
力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小
区割室から成るものである。
装置は、原料供給室と、原料供給量制御室と、反応室
と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室から
なり、原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧
力制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小
区割室から成るものである。
【００２１】上述の本発明の半導体気相成長装置によれ
ば、半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散すること
を効果的に回避することができる。また、何台もの半導
体気相成長装置を同一のスペースに設置する場合におい
ても、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとを完全
に分離して配置することができるので、半導体気相成長
装置の配置のレイアウト上の困難性を大幅に軽減するこ
とができる。
ば、半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散すること
を効果的に回避することができる。また、何台もの半導
体気相成長装置を同一のスペースに設置する場合におい
ても、クリーンエリアと、メンテナンスエリアとを完全
に分離して配置することができるので、半導体気相成長
装置の配置のレイアウト上の困難性を大幅に軽減するこ
とができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体気相成長
装置の一実施例として、有機金属気相成長装置（ＭＯＣ
ＶＤ装置）を挙げて説明する。
装置の一実施例として、有機金属気相成長装置（ＭＯＣ
ＶＤ装置）を挙げて説明する。
【００２３】図１に、本発明の一般的な半導体気相成長
装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行う有
機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とする）の
概略図を示す。
装置としての、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓＰ等の化合物半導体層のエピタキシーを行う有
機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置とする）の
概略図を示す。
【００２４】なお、以下に示すＭＯＣＶＤ装置において
は、III −Ｖ族の化合物半導体膜を気相成長させる場合
において説明するが、本発明は、この例に限定されるも
のではなく、II−VI族等、種々の材料の変更が可能であ
る。
は、III −Ｖ族の化合物半導体膜を気相成長させる場合
において説明するが、本発明は、この例に限定されるも
のではなく、II−VI族等、種々の材料の変更が可能であ
る。
【００２５】図１に示すように、この半導体気相成長装
置は、内部に原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、
気相成長がなされる反応室３、排気圧力制御室４、排ガ
ス処理室５のみならず、メンテナンス作業エリア１０を
設けたものである。これらの原料ガス供給室１、原料供
給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処
理室５は、それぞれ小区割室となっており、これらの小
区割室は、それぞれが個別に排気可能な構成となってい
る。
置は、内部に原料ガス供給室１、原料供給量制御室２、
気相成長がなされる反応室３、排気圧力制御室４、排ガ
ス処理室５のみならず、メンテナンス作業エリア１０を
設けたものである。これらの原料ガス供給室１、原料供
給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室４、排ガス処
理室５は、それぞれ小区割室となっており、これらの小
区割室は、それぞれが個別に排気可能な構成となってい
る。
【００２６】また、図１に示すように、原料ガス供給室
１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室
４、排ガス処理室５、およびメンテナンス作業エリア１
０は、全体として大区割室５０を形成し、この大区割室
５０は、気密室となっている。
１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制御室
４、排ガス処理室５、およびメンテナンス作業エリア１
０は、全体として大区割室５０を形成し、この大区割室
５０は、気密室となっている。
【００２７】上記メンテナンス作業エリア１０は、原料
ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧
力制御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じ
て連通している。
ガス供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧
力制御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じ
て連通している。
【００２８】この半導体気相成長装置の外部には、反応
室３と気相成長がなされる半導体基板等の出し入れがな
される開閉口を通じて連通しているクリーンエリア７
と、原料供給室１，排気圧力制御室４，および排ガス処
理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナ
ンスエリア６とが設けられている。これらのクリーンエ
リア７、およびメンテナンスエリア６は、隔壁８ａおよ
び８ｂにより分離された構成となっている。
室３と気相成長がなされる半導体基板等の出し入れがな
される開閉口を通じて連通しているクリーンエリア７
と、原料供給室１，排気圧力制御室４，および排ガス処
理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナ
ンスエリア６とが設けられている。これらのクリーンエ
リア７、およびメンテナンスエリア６は、隔壁８ａおよ
び８ｂにより分離された構成となっている。
【００２９】ここで、原料ガス供給室１とは、原料ガス
例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等
のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）が
設置されたシリンダーキャビネットから成っており、こ
れらのガスの供給を行うための原料供給部を指称する。
例えばアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等
のＶ族原料ガスの高圧ガスシリンダー（ガスボンベ）が
設置されたシリンダーキャビネットから成っており、こ
れらのガスの供給を行うための原料供給部を指称する。
【００３０】また、原料供給量制御室２とは、例えば有
機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガスおよび原
料ガス供給室１からの原料ガスの流量を制御するマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称する。
機金属原料ガス供給部と、これよりの原料ガスおよび原
料ガス供給室１からの原料ガスの流量を制御するマスフ
ローコントローラ（ＭＦＣ）の配置部を指称する。
【００３１】このマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の
直近には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金
属原料が充填された有機金属原料槽が配置されている。
すなわち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に
制御されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に
供給し、バブリングを行って有機金属ガスの輸送がなさ
れる。
直近には、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、ト
リメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のIII 族の有機金
属原料が充填された有機金属原料槽が配置されている。
すなわち、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）で精密に
制御されたキャリアガスをIII 族の有機金属原料槽内に
供給し、バブリングを行って有機金属ガスの輸送がなさ
れる。
【００３２】また、III 族の有機金属原料の供給量は、
微少な量に制御することが必要とされているため、マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原
料槽までの配管の距離は短く設置されている。また、有
機金属原料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御され
ている。これらの原料ガス供給室１と原料供給量制御室
２は、配管３０で繋がっており、これらより供給され、
それぞれマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量
制御がなされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料
は、配管３１ａおよび３１ｂを通じて反応室３に送り込
まれるようになされている。
微少な量に制御することが必要とされているため、マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）からIII 族の有機金属原
料槽までの配管の距離は短く設置されている。また、有
機金属原料槽は、一般的に恒温槽等により温度制御され
ている。これらの原料ガス供給室１と原料供給量制御室
２は、配管３０で繋がっており、これらより供給され、
それぞれマスフローコントローラ（ＭＦＣ）により流量
制御がなされたＶ族原料ガスおよびIII 族有機金属原料
は、配管３１ａおよび３１ｂを通じて反応室３に送り込
まれるようになされている。
【００３３】反応室３に送り込まれたIII 族有機金属原
料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段
（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ
（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り
込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化
合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされ
ている。なお、反応室３には、多数枚の被気相成長基板
に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を向
上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基板
例えば半導体基板をセッティングするための準備室、い
わゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
料およびＶ族原料ガスは、高周波コイル等の加熱手段
（図示せず）によって、一定温度に保たれたサセプタ
（被気相成長基板の支持体）上の被気相成長基板に送り
込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に目的とする化
合物半導体層のエピタキシャル成長を行うようになされ
ている。なお、反応室３には、多数枚の被気相成長基板
に対する半導体膜の成膜に際し、半導体膜の均一性を向
上させるためのサセプタの回転機構や、被気相成長基板
例えば半導体基板をセッティングするための準備室、い
わゆる窒素ボックスや、ロードロック機構等がある。
【００３４】排気圧力制御室４は、反応室３と配管３２
で繋がっている。この排気圧力制御室４は、減圧ポンプ
や、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、
フィルター等により構成されている。多数枚の被気相成
長基板例えば半導体基板に対して半導体膜を成長させる
ためには、半導体基板の面内および半導体基板間の圧力
を均一にする必要があることから、半導体膜は、通常減
圧成長させる。 そこで、この排気圧力制御室４によっ
て、反応室３を排気することにより反応室３内の圧力を
減少させている。
で繋がっている。この排気圧力制御室４は、減圧ポンプ
や、圧力を一定に保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、
フィルター等により構成されている。多数枚の被気相成
長基板例えば半導体基板に対して半導体膜を成長させる
ためには、半導体基板の面内および半導体基板間の圧力
を均一にする必要があることから、半導体膜は、通常減
圧成長させる。 そこで、この排気圧力制御室４によっ
て、反応室３を排気することにより反応室３内の圧力を
減少させている。
【００３５】排ガス処理室５は、配管３２により反応室
３と繋がっており、この排ガス処理室５においては、反
応室３において半導体膜の成長が行われた後に放出され
る排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするよ
うに処理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長
装置外に送り出すようになされる。
３と繋がっており、この排ガス処理室５においては、反
応室３において半導体膜の成長が行われた後に放出され
る排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以内にするよ
うに処理がなされ、無害化された状態で半導体気相成長
装置外に送り出すようになされる。
【００３６】メンテナンス作業エリア１０は、原料ガス
供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制
御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じて連
通している。このメンテナンス作業エリア１０は、原料
供給室１内から使用済みのＶ族原料ガスのボンベを搬出
したり、原料供給量制御室２に、III 族有機金属原料の
搬入および搬出を行ったり、反応室３内に付着した生成
物の除去を行ったり、また、排気圧力制御室４内のフィ
ルターの取り付け等を行ったり、排ガス処理室５の装置
の交換を行ったりするスペースである。
供給室１、原料供給量制御室２、反応室３、排気圧力制
御室４、排ガス処理室５の各室と密閉開閉口を通じて連
通している。このメンテナンス作業エリア１０は、原料
供給室１内から使用済みのＶ族原料ガスのボンベを搬出
したり、原料供給量制御室２に、III 族有機金属原料の
搬入および搬出を行ったり、反応室３内に付着した生成
物の除去を行ったり、また、排気圧力制御室４内のフィ
ルターの取り付け等を行ったり、排ガス処理室５の装置
の交換を行ったりするスペースである。
【００３７】すなわち、このメンテナンスエリア作業エ
リア１０は、半導体気相成長装置の各室の整備、原料の
供給制御等、専ら作業者の手により作業が行われるスペ
ースである。
リア１０は、半導体気相成長装置の各室の整備、原料の
供給制御等、専ら作業者の手により作業が行われるスペ
ースである。
【００３８】一方、半導体気相成長装置の外部のクリー
ンエリア７は、反応室３において成膜した半導体膜を取
り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応室３
内に設置したりするためのスペースである。このため、
このクリーンエリア７は、上述した半導体気相成長に使
用する原料等で汚染されることのないように清浄な環境
状態に保持されている。
ンエリア７は、反応室３において成膜した半導体膜を取
り出したり、半導体膜を成膜するための基板を反応室３
内に設置したりするためのスペースである。このため、
このクリーンエリア７は、上述した半導体気相成長に使
用する原料等で汚染されることのないように清浄な環境
状態に保持されている。
【００３９】半導体気相成長装置の外部のメンテナンス
エリア６は、原料ガスのシリンダーや、半導体気相成長
装置の各部品等を半導体気相成長装置の近傍まで搬入し
たり、使用済みの原料ガスのシリンダーや、古くなった
半導体気相成長装置の各部品等を搬出したりするスペー
スである。
エリア６は、原料ガスのシリンダーや、半導体気相成長
装置の各部品等を半導体気相成長装置の近傍まで搬入し
たり、使用済みの原料ガスのシリンダーや、古くなった
半導体気相成長装置の各部品等を搬出したりするスペー
スである。
【００４０】上述したように、ＭＯＣＶＤ装置を例とす
る半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総
合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成
膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱われ
る。
る半導体気相成長装置は、種々の周辺装置機器を含む総
合装置であるといえる。この装置を用いて半導体膜を成
膜させる被気相成長基板は充分清浄な環境で取り扱われ
る。
【００４１】次に、本発明の半導体気相成長装置の、他
の例について説明する。図２は、本発明の半導体気相成
長装置の他の例の概略図を示す。この半導体気相成長装
置は、原料供給室２１、原料供給量制御室２２、反応室
２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理
室２５、およびメンテナンス作業エリア２０を有し、こ
れらの原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３
ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５は、それぞ
れ小区割室となっており、これらの小区割室はそれぞれ
が、個別に排気可能な構成となっている。
の例について説明する。図２は、本発明の半導体気相成
長装置の他の例の概略図を示す。この半導体気相成長装
置は、原料供給室２１、原料供給量制御室２２、反応室
２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理
室２５、およびメンテナンス作業エリア２０を有し、こ
れらの原料供給量制御室２２、反応室２３ａおよび２３
ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５は、それぞ
れ小区割室となっており、これらの小区割室はそれぞれ
が、個別に排気可能な構成となっている。
【００４２】また、図２に示すように、原料供給量制御
室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２
４、排ガス処理室２５、およびメンテナンス作業エリア
２０は、全体として大区割室６０を形成し、この大区割
室６０は、気密性を有している。
室２２、反応室２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２
４、排ガス処理室２５、およびメンテナンス作業エリア
２０は、全体として大区割室６０を形成し、この大区割
室６０は、気密性を有している。
【００４３】また、原料供給室２１は、上記大区割室６
０の外部に配置されており、原料供給量制御室２２は、
他の小区割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室
２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理
室２５、およびメンテナンス作業エリア２０に、積層さ
れた構成となっている。
０の外部に配置されており、原料供給量制御室２２は、
他の小区割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室
２３ａおよび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理
室２５、およびメンテナンス作業エリア２０に、積層さ
れた構成となっている。
【００４４】さらに、この半導体気相成長装置は、反応
室２３ａおよび２３ｂを、２室有する構成となってい
る。
室２３ａおよび２３ｂを、２室有する構成となってい
る。
【００４５】この半導体気相成長装置のメンテナンス作
業エリア２０は、原料供給量制御室２２、反応室２３ａ
および２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５
の各室と密閉開閉口を通じて連通している。
業エリア２０は、原料供給量制御室２２、反応室２３ａ
および２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５
の各室と密閉開閉口を通じて連通している。
【００４６】この半導体気相成長装置の外部には、反応
室２３ａおよび２３ｂと気相成長がなされる半導体基板
等の被気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じ
て連通しているクリーンエリア７と、原料供給室２１，
大区割室６０内の排気圧力制御室２４，および排ガス処
理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナ
ンスエリア２６とが設けられている。これらのクリーン
エリア２７、およびメンテナンスエリア２６は、隔壁２
８ａおよび２８ｂにより分離された構成となっている。
室２３ａおよび２３ｂと気相成長がなされる半導体基板
等の被気相成長基板の出し入れがなされる開閉口を通じ
て連通しているクリーンエリア７と、原料供給室２１，
大区割室６０内の排気圧力制御室２４，および排ガス処
理室５の各室と各開閉口を通じて連通しているメンテナ
ンスエリア２６とが設けられている。これらのクリーン
エリア２７、およびメンテナンスエリア２６は、隔壁２
８ａおよび２８ｂにより分離された構成となっている。
【００４７】ここで、原料ガス供給室２１においては、
上述した例と同様に、Ｖ族原料ガスの供給が行われる。
上述した例と同様に、Ｖ族原料ガスの供給が行われる。
【００４８】また、積層構造とされた原料供給量制御室
２２においては、ガスの流量を制御するマスフローコン
トローラ（ＭＦＣ）、およびIII 族の有機金属原料が充
填された有機金属原料槽が配置されている。すなわち、
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）によって、上記原料
ガス供給室２１からの原料ガスの流量および有機金属原
料ガスの流量の制御がなされ、これらの原料ガスの輸送
がなされる。
２２においては、ガスの流量を制御するマスフローコン
トローラ（ＭＦＣ）、およびIII 族の有機金属原料が充
填された有機金属原料槽が配置されている。すなわち、
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）によって、上記原料
ガス供給室２１からの原料ガスの流量および有機金属原
料ガスの流量の制御がなされ、これらの原料ガスの輸送
がなされる。
【００４９】これらの原料ガス供給室２１と原料供給量
制御室２２は、配管４０で繋がっており、これらより供
給および流量制御がなされたＶ族原料ガスとIII 族有機
金属原料は、配管４１ａおよび４１ｂを通じて、それぞ
れ反応室２３ａおよび２３ｂに送り込まれるようになさ
れている。
制御室２２は、配管４０で繋がっており、これらより供
給および流量制御がなされたＶ族原料ガスとIII 族有機
金属原料は、配管４１ａおよび４１ｂを通じて、それぞ
れ反応室２３ａおよび２３ｂに送り込まれるようになさ
れている。
【００５０】反応室２３ａおよび２３ｂに送り込まれた
III 族有機金属原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイ
ル等の加熱手段（図示せず）によって、一定温度に保た
れたサセプタ（被気相成長基板の支持体）上の被気相成
長基板に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に
目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成長を行う
ようになされている。
III 族有機金属原料およびＶ族原料ガスは、高周波コイ
ル等の加熱手段（図示せず）によって、一定温度に保た
れたサセプタ（被気相成長基板の支持体）上の被気相成
長基板に送り込まれ、そこで熱分解を起こして基板上に
目的とする化合物半導体層のエピタキシャル成長を行う
ようになされている。
【００５１】排気圧力制御室２４は、反応室２３ａおよ
び２３ｂと配管４２ａおよび４２ｂで繋がっている。こ
の排気圧力制御室２４は、減圧ポンプや、圧力を一定に
保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、フィルター等によ
り構成されている。この排気圧力制御室２４によって、
反応室２３ａおよび２３ｂを排気することにより反応室
内の圧力を減少させている。
び２３ｂと配管４２ａおよび４２ｂで繋がっている。こ
の排気圧力制御室２４は、減圧ポンプや、圧力を一定に
保つ制御機器、バルブ類、圧力計類、フィルター等によ
り構成されている。この排気圧力制御室２４によって、
反応室２３ａおよび２３ｂを排気することにより反応室
内の圧力を減少させている。
【００５２】排ガス処理室２５は、反応室２３ａおよび
２３ｂと配管４３および４４で繋がっており、反応室２
３ａおよび２３ｂにおいて半導体膜の成長が行われた後
に放出される排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以
内にするように処理がなされ、無害化された状態で半導
体気相成長装置外に送り出すようになされている。
２３ｂと配管４３および４４で繋がっており、反応室２
３ａおよび２３ｂにおいて半導体膜の成長が行われた後
に放出される排ガス内に含まれる成分を所定の基準値以
内にするように処理がなされ、無害化された状態で半導
体気相成長装置外に送り出すようになされている。
【００５３】メンテナンス作業エリア２０、メンテナン
スエリア２６、およびクリーンエリア２７の役割につい
ては、上述した例と同様である。
スエリア２６、およびクリーンエリア２７の役割につい
ては、上述した例と同様である。
【００５４】このように、原料供給室２１を大区割室６
０の外部に配置し、原料供給量制御室２２を、他の小区
割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室２３ａお
よび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５に
積層した構成としたことにより、半導体気相成長装置の
高層化を図ることができ、これにより、一定スペースに
おいて、半導体気相成長装置が専有する面積を小さくす
ることができ、一定面積中に、装置の多数配置が可能と
なる。
０の外部に配置し、原料供給量制御室２２を、他の小区
割室、すなわち原料供給量制御室２２、反応室２３ａお
よび２３ｂ、排気圧力制御室２４、排ガス処理室２５に
積層した構成としたことにより、半導体気相成長装置の
高層化を図ることができ、これにより、一定スペースに
おいて、半導体気相成長装置が専有する面積を小さくす
ることができ、一定面積中に、装置の多数配置が可能と
なる。
【００５５】また、この半導体気相成長装置において
は、反応室を２室設けた構成としたことにより、多数の
半導体膜を同時に成膜することが可能となり、半導体膜
の生産性の向上を図ることができた。
は、反応室を２室設けた構成としたことにより、多数の
半導体膜を同時に成膜することが可能となり、半導体膜
の生産性の向上を図ることができた。
【００５６】上述した図２に示した他の実施例の半導体
気相成長装置においては、原料供給量制御室２２を、他
の小区割室に積層した構成としたが、本発明は、この例
に限定されるものではなく、原料供給量制御室２２以外
の小区割室を、この他の小区割室と積層させた構成とす
ることができる。
気相成長装置においては、原料供給量制御室２２を、他
の小区割室に積層した構成としたが、本発明は、この例
に限定されるものではなく、原料供給量制御室２２以外
の小区割室を、この他の小区割室と積層させた構成とす
ることができる。
【００５７】さらに、図２に示した他の実施例の半導体
気相成長装置においては、反応室を、２室有する構成と
したが、本発明は、この例に限定されるものではなく、
半導体膜の生産性の向上に応じて、さらに多くの反応室
を配置した構成とすることができる。
気相成長装置においては、反応室を、２室有する構成と
したが、本発明は、この例に限定されるものではなく、
半導体膜の生産性の向上に応じて、さらに多くの反応室
を配置した構成とすることができる。
【００５８】また、上述した半導体気相成長装置におい
ては、III −Ｖ族の半導体膜を成膜する場合について説
明したが、本発明は、この例に限定されるものではな
く、II−VI族の半導体膜を成膜する場合等、種々の原料
の変更が可能である。
ては、III −Ｖ族の半導体膜を成膜する場合について説
明したが、本発明は、この例に限定されるものではな
く、II−VI族の半導体膜を成膜する場合等、種々の原料
の変更が可能である。
【００５９】上述したように、本発明の半導体気相成長
装置は、原料供給室１，２１と、原料供給量制御室２，
２２と、反応室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室
４，２４と、排ガス処理室５，２５の各小区割室からな
り、これらの各小区割室をそれぞれ個別に排気可能な構
成としたものである。
装置は、原料供給室１，２１と、原料供給量制御室２，
２２と、反応室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室
４，２４と、排ガス処理室５，２５の各小区割室からな
り、これらの各小区割室をそれぞれ個別に排気可能な構
成としたものである。
【００６０】また、本発明の半導体気相成長装置は、上
述した小区割室が全体として、あるいは、上記の小区割
室のうちの一部の小区割室を除いて、気密室である大区
割室５０，６０を形成した構成を有するものである。
述した小区割室が全体として、あるいは、上記の小区割
室のうちの一部の小区割室を除いて、気密室である大区
割室５０，６０を形成した構成を有するものである。
【００６１】また、半導体気相成長装置の内部に、原料
ガスのシリンダーや半導体気相成長装置の各部品を半導
体気相成長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気
相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナ
ンス作業エリア１０，２０を設け、かつ半導体気相成長
装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成とした
ものである。
ガスのシリンダーや半導体気相成長装置の各部品を半導
体気相成長装置の内外部に搬送、搬入したり、半導体気
相成長装置自体のメンテナンスを行ったりするメンテナ
ンス作業エリア１０，２０を設け、かつ半導体気相成長
装置を構成する各室を個別に排気可能とした構成とした
ものである。
【００６２】上述したように、本発明においては、原料
供給室１，２１と、原料供給量制御室２，２２と、反応
室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室４，２４と、
排ガス処理室５，２５をそれぞれ、個別に排気可能な小
区割室とし、また、これらの小区割室が全体として、あ
るいは、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除い
て、大区割室を形成した構成をなすものとし、また、半
導体気相成長装置の内部にメンテナンス作業エリア１
０，２０を設けることにより、作業者がメンテナンス作
業エリア１０，２０において衣服や靴に、例えば、砒
素、砒素化物あるいは燐化物等の半導体原料が付着した
としても、装置の外部に出る際には、衣服や靴を交換す
ることにより、半導体原料が半導体気相成長装置や建物
の外部に拡散することを防止することができる。
供給室１，２１と、原料供給量制御室２，２２と、反応
室３，２３ａ，２３ｂと、排気圧力制御室４，２４と、
排ガス処理室５，２５をそれぞれ、個別に排気可能な小
区割室とし、また、これらの小区割室が全体として、あ
るいは、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除い
て、大区割室を形成した構成をなすものとし、また、半
導体気相成長装置の内部にメンテナンス作業エリア１
０，２０を設けることにより、作業者がメンテナンス作
業エリア１０，２０において衣服や靴に、例えば、砒
素、砒素化物あるいは燐化物等の半導体原料が付着した
としても、装置の外部に出る際には、衣服や靴を交換す
ることにより、半導体原料が半導体気相成長装置や建物
の外部に拡散することを防止することができる。
【００６３】また、メンテナンスエリア６，２６は原料
ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の近傍に搬送、
搬入する関係上、オープンスペースとすることが必要で
あるが、メンテンナンス作業エリア１０，２０におい
て、各小区割室から取り出した原料ガスのシリンダー
や、半導体気相成長装置の部品等を、梱包等することに
より、付着している半導体原料が、拡散しないような状
態で、メンテナンスエリア６，２６に送り出すことによ
り、半導体原料が装置や、建物の外部に拡散することを
防止することができる。
ガスのシリンダーを半導体気相成長装置の近傍に搬送、
搬入する関係上、オープンスペースとすることが必要で
あるが、メンテンナンス作業エリア１０，２０におい
て、各小区割室から取り出した原料ガスのシリンダー
や、半導体気相成長装置の部品等を、梱包等することに
より、付着している半導体原料が、拡散しないような状
態で、メンテナンスエリア６，２６に送り出すことによ
り、半導体原料が装置や、建物の外部に拡散することを
防止することができる。
【００６４】また、上述した構成の本発明の半導体気相
成長装置は、半導体気相成長装置の内部にメンテナンス
作業エリア１０，２０を設け、メンテナンスエリア６，
２６と分けた構成としたため、クリーンエリア７，２７
とメンテナンスエリア６，２６とを、隔壁により分離し
た単純な形状とすることができる。このため、何台もの
半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メンテナン
スエリアとを完全に分離して、クリーンエリアと、メン
テナンスエリアとが入り組んだ構成となることなく配置
することができ、半導体気相成長装置の配置のレイアウ
ト上の困難性を大幅に軽減することができる。
成長装置は、半導体気相成長装置の内部にメンテナンス
作業エリア１０，２０を設け、メンテナンスエリア６，
２６と分けた構成としたため、クリーンエリア７，２７
とメンテナンスエリア６，２６とを、隔壁により分離し
た単純な形状とすることができる。このため、何台もの
半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メンテナン
スエリアとを完全に分離して、クリーンエリアと、メン
テナンスエリアとが入り組んだ構成となることなく配置
することができ、半導体気相成長装置の配置のレイアウ
ト上の困難性を大幅に軽減することができる。
【００６５】
【発明の効果】本発明の半導体気相成長装置によれば、
半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散することを効
果的に回避することができた。
半導体原料が、装置や、建物の外部に拡散することを効
果的に回避することができた。
【００６６】本発明の半導体気相成長装置によれば、何
台もの半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メン
テナンスエリアとを完全に分離して配置することがで
き、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上の困難性
を大幅に軽減することができた。
台もの半導体気相成長装置を、クリーンエリアと、メン
テナンスエリアとを完全に分離して配置することがで
き、半導体気相成長装置の配置のレイアウト上の困難性
を大幅に軽減することができた。
【００６７】また、本発明の半導体気相成長装置によれ
ば、半導体気相成長装置の高層化を図ることができ、こ
れにより、半導体気相成長装置が専有する面積を小さく
することができ、一定面積中に、半導体気相成長装置の
多数配置が可能となった。
ば、半導体気相成長装置の高層化を図ることができ、こ
れにより、半導体気相成長装置が専有する面積を小さく
することができ、一定面積中に、半導体気相成長装置の
多数配置が可能となった。
【００６８】このように、本発明によれば、半導体気相
成長装置のより一層の操作、制御の簡便性の向上を図
り、半導体気相成長装置の配置のレイアウトを簡略化
し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図ることが
できた。
成長装置のより一層の操作、制御の簡便性の向上を図
り、半導体気相成長装置の配置のレイアウトを簡略化
し、メンテナンスの安全性、作業性の向上を図ることが
できた。
【図１】本発明の構成の半導体気相成長装置に概略図を
示す。
示す。
【図２】本発明の他の実施例の半導体気相成長装置に概
略図を示す。
略図を示す。
【図３】従来の構成の半導体気相成長装置に概略図を示
す。
す。
【図４】従来の構成の半導体気相成長装置を複数個並べ
た状態図を示す。
た状態図を示す。
１，１１，２１ 原料供給室、２，１２，２２ 原料供
給量制御室、３，１３２３ａ，２３ｂ 反応室、４，１
４，２４ 排気圧力制御室、５，１５，２５排ガス処理
室、６，１６，２６ メンテナンスエリア、７，１７，
２７ クリーンエリア、８ａ，８ｂ，１８ａ，１８ｂ，
２８ａ，２８ｂ 隔壁、１０，２０メンテナンス作業エ
リア、３０，３１ａ，３１ｂ，３２，４０，４１ａ，４
１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３，４４ 配管、５０，６０
大区割室
給量制御室、３，１３２３ａ，２３ｂ 反応室、４，１
４，２４ 排気圧力制御室、５，１５，２５排ガス処理
室、６，１６，２６ メンテナンスエリア、７，１７，
２７ クリーンエリア、８ａ，８ｂ，１８ａ，１８ｂ，
２８ａ，２８ｂ 隔壁、１０，２０メンテナンス作業エ
リア、３０，３１ａ，３１ｂ，３２，４０，４１ａ，４
１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３，４４ 配管、５０，６０
大区割室
Claims (19)
- 【請求項１】 原料供給室と、原料供給量制御室と、反
応室と、排気圧力制御室と、排ガス処理室の各小区割室
を有し、 上記原料供給室、原料供給量制御室、反応室、排気圧力
制御室、排ガス処理室が、それぞれ排気可能な個別小区
割室からなることを特徴とする半導体気相成長装置。 - 【請求項２】 上記の小区割室が全体として、あるい
は、上記の小区割室のうちの一部の小区割室を除いて、
大区割室を形成し、 該大区割室が気密室とされたことを特徴とする請求項１
に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項３】 上記大区割室内に、小区割室及びその小
区割室間の配管のメンテンナンスを行うメンテナンス作
業エリアを有していることを特徴とする請求項２に記載
の半導体気相成長装置。 - 【請求項４】 上記原料供給室が、 原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排
ガス処理室からなる大区割室とは別室であることを特徴
とする請求項２に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項５】 上記原料供給室が、 原料供給量制御室と、反応室と、排気圧力制御室と、排
ガス処理室からなる大区割室とは別室であることを特徴
とする請求項３に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項６】 上記反応室を複数有していることを特徴
とする請求項１に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項７】 上記反応室を複数有していることを特徴
とする請求項２に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項８】 上記反応室を複数有していることを特徴
とする請求項３に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項９】 上記反応室を複数有していることを特徴
とする請求項４に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項１０】 上記反応室を複数有していることを特
徴とする請求項５に記載の半導体気相成長装置。 - 【請求項１１】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項２の半導体気相成長装置。 - 【請求項１２】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項３の半導体気相成長装置。 - 【請求項１３】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項４の半導体気相成長装置。 - 【請求項１４】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項５の半導体気相成長装置。 - 【請求項１５】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項６の半導体気相成長装置。 - 【請求項１６】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項７の半導体気相成長装置。 - 【請求項１７】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項８の半導体気相成長装置。 - 【請求項１８】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項９の半導体気相成長装置。 - 【請求項１９】 上記小区割室の内のいずれか一部の小
区割室が、他の小区割室に積層された構成を有すること
を特徴とする請求項１０の半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00154197A JP3640118B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00154197A JP3640118B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199814A true JPH10199814A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3640118B2 JP3640118B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=11504394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00154197A Expired - Fee Related JP3640118B2 (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3640118B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8128792B2 (en) | 2002-09-20 | 2012-03-06 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Fluorine gas generator |
| US9005409B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-04-14 | Tel Nexx, Inc. | Electro chemical deposition and replenishment apparatus |
| US9017528B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-04-28 | Tel Nexx, Inc. | Electro chemical deposition and replenishment apparatus |
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP00154197A patent/JP3640118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8128792B2 (en) | 2002-09-20 | 2012-03-06 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Fluorine gas generator |
| US9005409B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-04-14 | Tel Nexx, Inc. | Electro chemical deposition and replenishment apparatus |
| US9017528B2 (en) | 2011-04-14 | 2015-04-28 | Tel Nexx, Inc. | Electro chemical deposition and replenishment apparatus |
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3640118B2 (ja) | 2005-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6066204A (en) | High pressure MOCVD reactor system | |
| US8465587B2 (en) | Modern hydride vapor-phase epitaxy system and methods | |
| US8067061B2 (en) | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports | |
| KR20120003493A (ko) | 후속하는 고온 그룹 ⅲ 증착들을 위한 기판 전처리 | |
| KR101525210B1 (ko) | 기판 처리장치 | |
| WO2007111337A1 (ja) | 化合物半導体の製造方法及び化合物半導体の製造装置 | |
| US4979465A (en) | Apparatus for producing semiconductors | |
| US20180179662A1 (en) | Method for controlling vapor phase growth apparatus | |
| KR20190139775A (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
| JP3640118B2 (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| US5118642A (en) | Method for producing semiconductors | |
| US20170233867A1 (en) | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method | |
| US7141497B2 (en) | MOCVD apparatus and method | |
| JP2002121673A (ja) | グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱ｃｖｄ装置 | |
| JPH10223540A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP3700879B2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| KR20120073782A (ko) | 질화갈륨계 엘이디 박막성장을 위한 화학기상증착장치 | |
| JPH0341722A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| US10501849B2 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
| JPH10223539A (ja) | 有機金属気相成長方法とその気相成長装置 | |
| JPH07122507A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61242994A (ja) | 縦型気相成長装置 | |
| JP2681939B2 (ja) | 減圧ｍｏｃｖｄ装置 | |
| JP2000216100A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP2700210B2 (ja) | 化合物半導体の気相エピタキシャル成長法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20031216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050110 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |