JPH10198944A

JPH10198944A - 磁気記録ディスク

Info

Publication number: JPH10198944A
Application number: JP215397A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Nishikawa; 正一西川; Makoto Nagao; 信長尾; Kazuyuki Usuki; 一幸臼杵
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1997-01-09
Filing date: 1997-01-09
Publication date: 1998-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】高速回転での超高密度記録が可能な走行耐久
性、ヘッド当たりに優れた強磁性金属薄膜磁性層を有す
る磁気記録ディスクを提供すること。【解決手段】可撓性非磁性支持体上の少なくとも一方の
面に真空成膜法により形成されたＣｒ合金系下地層、該
下地層上に真空成膜法により形成されたＣｏＣｒ系磁性
層、さらに該磁性層上に真空成膜法で形成された保護層
を有する磁気記録ディスクにおいて、前記下地層、前記
磁性層及び前記保護層の各層は、膜面に対して垂直方向
の内部応力が−７．０×１０⁸〜＋８×１０⁸Ｎ／ｍ²
の範囲内にあって、さらに前記３層全体も膜面に対して
垂直方向の内部応力が−７．０×１０⁸〜＋８×１０⁸
Ｎ／ｍ²の範囲内にあり、且つ磁気記録ディスクのカー
ル量が２ｍｍ以下であることを特徴とする磁気記録ディ
スク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコンピューターの補
助記録装置、画像記録装置などに用いられるリムーバブ
ル磁気記録媒体に係り、１平方インチ当たり１ギガビッ
ト以上の高い記録密度を有する様に構成した可撓性非磁
性支持体上に蒸着やスパッタ等の真空成膜法で成膜した
強磁性金属薄膜を磁性層とする超高密度フロッピーディ
スク（ＦＤ）に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年情報量の肥大化に伴い超高容量記録
媒体の要請がある。超高密度磁気記録媒体としてデジタ
ルビデオテープが用いられていたが、記録・再生速度の
面から現在ではディスク媒体が用いられている。ディス
ク媒体には固定設置型及びリムーバブル型の２種類があ
るが、両磁気記録媒体の基板にはＨＤ（ガラス、アルミ
ニウムの円盤）が用いられている。リムーバブル高密度
記録媒体は、その取り扱いの容易さからテープに変わる
業務用デジタルビデオカメラ用記録媒体として使用され
ようとしている。しかしリムーバブル媒体基板にＨＤを
使用していることから、装置に衝撃がかかった場合ヘッ
ドクラッシュが起こり、媒体・ヘッドとも大きなダメー
ジをうける。まだこの耐衝撃性の問題が解決されておら
ず、ディスクデジタルカメラは普及が阻まれている。支
持体として可撓性のものを用いた場合、記録部の軽量
化、ヘッドと媒体の接触時の衝撃のダメージ低減などの
有利性がある。そこで可撓性非磁性支持体を基板として
使用し耐衝撃性に優れた高密度リムーバブル磁気記録媒
体が望まれている。

【０００３】可撓性非磁性支持体は滑らかなことから耐
衝撃性・ヘッドダメージの点で優れた特性をもつ。その
反面、磁性層の磁気特性、媒体とヘッド間のヘッド当た
り、耐久性に大きな課題を持つ。耐久性に関して技術が
確立されているＨＤ、ＭＥと同じ潤滑剤、保護層の処方
をＦＤに適用しても実用に耐え得ることができず、大き
な問題が残っていた。この原因がカールによると考え、
カールが小さいＦＤの開発を行ったが、予想に反し耐久
性はほとんど向上しなかった。

【０００４】尚、垂直磁化記録媒体のカールに関する先
行技術として、本出願人によるもので、例えば、特開昭
６１−１５３８１８号公報、特開昭６１−１５１８２９
号公報、特開昭６１−９１８２２号公報等に記載のもの
がある。また高記録密度記録ではヘッドと媒体間のヘッ
ド当たり、つまりフライングハイトを低く且つ一定にす
ることが重要である。フレキシブル媒体では高速回転時
に、製造工程で起こるディスクのカール及び基板自身の
変形からディスクのバタツキが起こるため、可撓性基板
を実用化するにはヘッド当たりを安定にすることが重要
な課題となる。

【０００５】本研究者はディスクの耐久性の向上には、
カールの低減だけでなく、内部応力自体を小さくする必
要があると考えた。真空成膜された下地層・磁性層は層
内に内部応力を有している。通常の媒体は、両面に同条
件で作成した下地層及び磁性層を設けるため両面の力が
釣り合うことによりカール量が小さくなる。または両面
で厚さが異なる膜を作る、片面で磁性層と下地層の内部
応力を釣り合わせることなどにより媒体全体で内部応力
の釣り合いを取ることもできる。

【０００６】しかし、超高密度記録ディスクでは高転送
レートを確保するため、回転数を大きくしなければなら
なず、そのために耐久性、ヘッド当たりを十分に確保す
ることが困難であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高速回転で
の超高密度記録が可能な走行耐久性、ヘッド当たりに優
れた強磁性金属薄膜磁性層を有する磁気記録ディスクを
提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は、
可撓性非磁性支持体上の少なくとも一方の面に真空成膜
法により形成されたＣｒ合金系下地層、該下地層上に真
空成膜法により形成されたＣｏＣｒ系磁性層、さらに該
磁性層上に真空成膜法で形成された保護層を有する磁気
記録ディスクにおいて、前記下地層、前記磁性層及び前
記保護層の各層は、膜面に対して垂直方向の内部応力が
−７．０×１０⁸〜＋８×１０⁸Ｎ／ｍ ²の範囲内にあ
って、さらに前記３層全体も膜面に対して垂直方向の内
部応力が−７．０×１０⁸〜＋８×１０⁸Ｎ／ｍ²の範
囲内にあり、且つ磁気記録ディスクのカール量が２ｍｍ
以下であることを特徴とする磁気記録ディスクにより達
成することができる。

【０００９】本研究者がディスクの耐久性、ヘッド当た
りの向上には、カールの低減だけでなく、膜の内部応力
自体を特定の範囲内に小さくする必要があると考えた理
由は以下の通りである。内部応力が表膜と裏膜、または
片膜と支持体で釣り合い、カール量が少なくても、薄膜
内部に大きな内部応力が存在すると、ヘッドクラッシュ
時に薄膜に割れが生じディスクの耐久性に問題が出てく
る。また耐衝撃性・ヘッド当たりに関しても、カールが
なく巨視的には問題がなくても、ディスクが高速回転し
た場合、膜内の内部応力が高いと微視的に力のバランス
が崩れている可能性が高いため、耐衝撃性・ヘッド当た
りを十分に確保できないのである。

【００１０】本発明は、磁気記録ディスクの膜を構成す
る下地層（以下、「Ｌ₁」とも記す）、磁性層（以下、
「Ｌ₂」とも記す）及び保護層（以下、「Ｌ₃」とも記
す）の各層、及びそれら３層全体（以下、「Ｌ」とも記
す）の内部応力を特定の範囲、即ち、−７．０×１０⁸
〜＋８×１０⁸Ｎ／ｍ²に制御したものであり、カール
量を２ｍｍ以下にすると共に回転数が３０００ｒｐｍ以
上の記録再生方式においても走行耐久性、ヘッド当たり
を改善できる。

【００１１】Ｌ₁、Ｌ₂、及びＬ₃は、可撓性非磁性支
持体の少なくとも片面、好ましくは両面に設けられる。
また、Ｌ₁の内部応力をＬ_1f、Ｌ₂の内部応力をＬ_2f、
Ｌ₃の内部応力をＬ_3f、Ｌの内部応力をＬ_fとする。内
部応力は、膜面に対し垂直方向に対するものであり、内
部応力の測定には、短冊上の可撓性非磁性支持体（ポリ
イミド）上に下地層、磁性層、保護層を形成し、形成前
後のディスク全体の変量から導出する。各層及び３層全
体の内部応力の測定、導出法は、以下の通りである。

【００１２】短冊上（２５×５ｍｍ²）に切り出した５
０μｍのポリイミドフィルムを２枚用意する。０面（裏
面）、１面（表面）側に膜が形成されるように短冊を配
置し、可撓性非磁性支持体の長さが１５ｍｍになるよう
に短冊を固定する。先ず、可撓性非磁性支持体自身の変
形（成膜前の支持体自身の内部応力による変形）につき
０面及び１面につき（両面）測定する。０面の変形量を
αであるとすると当然１面は逆向きに測定されるので、
−αとなる。

【００１３】次に測定の対象となる膜をそれぞれ同一条
件でそれぞれ別個に０面、１面の片面のみ成膜する。こ
のとき測定される変形量は、媒体の全変形量であり、そ
の変形量の内訳は、前記成膜前の支持体自身の内部応力
による変形量（α）、成膜されたことにより支持体に付
加された内部応力による変形量（β…実際には熱による
変形）、成膜された膜の内部応力による変形量（γ）で
ある。

【００１４】即ち、０面上に成膜した時の変形量をα＋
β＋γとすると、１面上に成膜したときは、−α−β＋
γとして測定されるから、それらの和を２で除してγを
求める。以上の０面及び１面にそれぞれ別個に成膜した
ときの媒体の全変形量からγを求め、Ｓｔｏｎｅｙの式
により膜の内部応力σを導出する。

【００１５】σ＝Ｅｂ²Ｘ／３（１−ｖ）ｄｌ² Ｅ：支持体のヤング率、ｂ：支持体の厚さ、Ｘ：変形量
γ、ｖ：支持体のポアソン比、ｄ：膜の厚さ、ｌ：支持
体の長さ上記内部応力の「−」は膜面から支持体面の方向を意味
し、「＋」は支持体面から膜面の方向を指すものとす
る。

【００１６】Ｌ_fはＬ_1f＋Ｌ_2f＋Ｌ_3fとなる。Ｌ_fは、
（−７．０〜＋８）×１０⁸Ｎ／ｍ ²、好ましくは（−
３〜＋３）×１０⁸Ｎ／ｍ²、更に好ましくは（−１〜
＋１）×１０⁸Ｎ／ｍ²の範囲であり、Ｌ_1fは、（−
７．０〜＋８）×１０⁸Ｎ／ｍ ²、好ましくは（−３〜
＋３）×１０⁸Ｎ／ｍ²、更に好ましくは（−１〜＋
１）×１０⁸Ｎ／ｍ²の範囲であり、Ｌ_2fは、（−７．
０〜＋８）×１０⁸Ｎ／ｍ ²、好ましくは（−３〜＋
３）×１０⁸Ｎ／ｍ²、更に好ましくは（−１〜＋１）
×１０⁸Ｎ／ｍ²の範囲であり、Ｌ_3fは、（−７．０〜
＋８）×１０⁸Ｎ／ｍ ²、好ましくは（−３〜＋３）×
１０⁸Ｎ／ｍ²、更に好ましくは（−１〜＋１）×１０
⁸Ｎ／ｍ²の範囲である。

【００１７】本発明において、上記内部応力を制御する
方法としては、特に制限はないが、好ましくは例えば、
以下の方法が挙げられる。下地層及び磁性層あるいは保
護層を可撓性非磁性支持体上に形成する真空成膜法は、
その中でもスパッタ法が好ましく、このスパッタ法の条
件を種々選定することにより内部応力の制御を行うこと
ができる。またスパッタ法は、多くの元素の組成を変え
ることなく成膜できるため好ましい。また、両層共に真
空状態を破らずに作成することが好ましい。

【００１８】該条件としては、Ａｒ等のスパッタガスに
よるスパッタ圧力、投入電力等を各層で調整することが
挙げられる。Ａｒ等のスパッタガスによるスパッタ圧力
は、ターゲット・支持体近傍のスパッタ圧と等しく、ス
パッタ装置の真空計の表示値とは異なる。従って、装置
ごとに、目的とするスパッタ物質を蒸着し、各装置の真
空計で膜応力を最適の値にできるＡｒ圧力を設定する必
要がある。例えば、Ａｒスパッタガスによるスパッタ圧
力（以下、Ａｒスパッタ圧力ともいう）としては、Ｌ_1f
の形成には通常、０．１〜１５ｍＴｏｒｒ、好ましくは
０．５〜８ｍＴｏｒｒの範囲であり、Ｌ_2fの形成には通
常、０．１〜８ｍＴｏｒｒ、好ましくは０．８〜５ｍＴ
ｏｒｒの範囲であり、Ｌ_3fの形成には通常、１〜８ｍＴ
ｏｒｒ、好ましくは２〜５ｍＴｏｒｒの範囲である。

【００１９】スパッタ圧力を上記範囲とすることによ
り、各層の内部応力を圧縮と引張応力に変化させて内部
応力を低減させ得るような各層の膜構造とすることがで
きる。また、投入電力としては、通常、４００〜２００
０Ｗ、好ましくは７００〜１６００Ｗの範囲である。
尚、本出願人の２種類のスパッタ装置で同作成条件（Ａ
ｒスパッタ圧力、投入電力など）で膜を作成したとこ
ろ、内部応力は同じ傾向を示さなかった。これより装置
ごとに真空計の指示値とターゲット・支持体近傍の真空
度が異なることから、各々の装置でＡｒスパッタ圧力を
設定する必要がある。

【００２０】カール量の測定は、以下による。可撓性非
磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成した後、所望の大
きさの外径および内径を有したＦＤに打ち抜き、内周部
を突起に挿入すると共にＦＤを鉛直に固定し互いに平行
な鉛直面の一方の鉛直面とＦＤの最も飛び出している部
分との接部と他方の鉛直面とＦＤの最も引っ込んでいる
部分との接部との面間距離をマイクロメーターで測定
し、カール量として求めることにより行う。

【００２１】本発明では下地層、磁性層、保護層の各内
部応力およびカール量を上述のように制御することによ
り、耐久性・耐衝撃性・ヘッド当たりの問題を解決し、
超高記録密度ＦＤを提供することができる。本発明に用
いられる可撓性非磁性支持体としては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾキシア
ゾール等が挙げられる。これら支持体の厚さは、通常、
３０〜１２０μｍ、好ましくは４０〜７０μｍである。
厚さが大き過ぎるとヘッドダメージが大きく、また薄す
ぎるとディスクの変形により出力が不安定となり好まし
くない。

【００２２】また真空成膜時の支持体温度は５０〜１７
０℃、好ましくは７０〜１６０℃の範囲である。支持体
温度が６０℃よりも低い場合、磁性層の静磁気特性が悪
く、媒体ノイズが大きくなり、媒体性能が低くなる。ま
た１７０℃を越えると、支持体の熱変形がおこり耐久性
・ヘッド当たりが著しく悪化する。また支持体の平坦性
・耐熱性を向上させるため、可撓性非磁性支持体上に下
塗り層を設けてもよい。

【００２３】また、可撓性非磁性支持体の表面に微小な
突起を設けてもよく、例えばＳｉＯ ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂等又は有機物の微粒子を結合剤樹脂と共に含む塗
料を該下塗り層または別途該支持体上に塗布することに
より該突起を設けることができる。Ｃｒ合金系下地層の
材料としては、Ｃｒ単独も包含し、Ｃｒ合金、例えばＣ
ｒとＴｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ
及びＭｏから選択された１種以上との合金等が挙げられ
る。

【００２４】本発明では可撓性非磁性支持体を使用する
ため、低い加熱温度で良好な磁気特性を得るためには最
適な下地層元素を選択する必要がある。下地層元素とし
てクロムを母体として上記添加金属を加え、その磁気特
性及びＬ_1fの前記Ａｒスパッタ圧力依存性を調べた。こ
の結果、Ａｒスパッタ圧力を変化させても、保磁力が安
定した高い値を示し、内部応力の引っ張りから圧縮応力
への変化が確認されたのはＣｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｗ合金を
下地層として用いた磁気記録ディスクであった。Ｃｒを
下地層として使用した場合、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｗ合金
に比べて保磁力が小さかった。以上の理由で最も望まし
いのはＣｒ、またはＣｒとＴｉおよび／またはＷとの合
金であり、Ｗ及びＴｉ濃度（一方のみの場合も含む）は
通常、８〜２２原子％、好ましくは１０〜２０原子％の
範囲である。

【００２５】下地層の厚さは、通常、５ｎｍ〜５００ｎ
ｍ、特に好ましくは１０〜１００ｎｍである。下地層厚
を１００ｎｍを越えて厚くすると磁性層粒径が大きくな
り、ノイズの増加がおこる。ＣｏＣｒ系磁性層の磁性材
料としては、ＣｏＣｒを少なくとも含む合金であれば、
特に制限はないが、特にＰｔ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎｉ、
Ｐｄ、Ｏとの合金、具体的にはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｂ等が使用できる。特に電磁変換特性を改善
するためにＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ
が好ましい。

【００２６】磁性層の厚みは、好ましくは、１０〜３０
０ｎｍで、特に好ましくは１０〜５０ｎｍである。本発
明の磁気記録ディスクにおいては磁性層上に保護層が真
空成膜法により設けられる。中でも好ましい成膜方法
は、スパッタ法とＣＶＤ法である。スパッタ法は、比較
的簡易なプロセスであって実用性が高く、ＣＶＤ法は、
強度が高く、弾性に富んだ保護膜とすることができると
いう利点を有している。

【００２７】保護層としてはシリカ、アルミナ、チタニ
ア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸
化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化
物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、
グラファイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護
層があげられる。前記保護層としては、ヘッド材質と同
等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さ
らに摺動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して
持続するものが最も好ましく、そのような保護層として
は硬質炭素膜があげられる。

【００２８】前記炭素保護層は、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタリング法等で作成したアモルファス、グラファイ
ト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からな
るカーボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモン
ドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。こ
の硬質炭素膜はビッカース硬度で１０００Ｋｇ／ｍｍ ²
以上、好ましくは２０００Ｋｇ／ｍｍ² 以上の硬質の炭
素膜である。また、その結晶構造はアモルファス構造で
あり、かつ非導電性である。そして、本願発明における
ダイヤモンド状炭素膜の構造をラマン光分光分析によっ
て測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ^-1にピー
クが検出されることによって確認することができる。炭
素膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマ
ン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からず
れるとともに、炭素膜の硬度も低下する。

【００２９】この硬質炭素保護層は、メタン、エタン、
プロパン、ブタン等のアルカン、あるいはエチレン、プ
ロピレン等のアルケン、またはアセチレン等のアルキン
をはじめとした炭素含有化合物を原料としたプラズマＣ
ＶＤや、水素や炭化水素雰囲気下で炭素をターゲットと
したスパッタリング等によって形成することができる。

【００３０】炭素保護層には、Ｈ、Ｆ、Ｎ、ＯやＶ、Ｗ
などを含ませても良い。硬質炭素保護層の膜厚が厚いと
電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生
じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚２．
５〜３０ｎｍが好ましく、とくに好ましくは５〜１０ｎ
ｍである。また、この硬質炭素保護層上に付与する潤滑
剤との密着をさらに向上させる目的で硬質炭素保護層表
面を酸化性もしくは不活性気体によって表面処理しても
良い。

【００３１】本発明の磁気記録ディスクにおいては、走
行耐久性および耐食性を改善するため、潤滑剤を用いる
ことができるが、潤滑剤は上記保護層上もしくは磁性層
上から付与することができる。本発明は、更に防錆剤を
付与することが好ましい。潤滑剤としては公知の炭化水
素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用で
きる。

【００３２】炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、
オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等の
エステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸
類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ス
テアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコー
ル類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ス
テアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。

【００３３】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロ
エチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレ
ンオキシド重合体（ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフ
ルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃ ）
ＣＦ₂Ｏ）_nまたはこれらの共重合体等である。

【００３４】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。上記潤滑剤
は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤
滑剤を磁性層もしくは固体保護層上に付与する方法とし
ては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラ
ビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布す
るか、真空蒸着法によって付着させればよい。

【００３５】潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ
²が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。本
発明で使用できる防錆剤としてはベンゾトリアゾール、
ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有
複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入し
た誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチ
アゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化
合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体
等が挙げられる。

【００３６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されない。実施例と比較例実施例１：合金薄膜媒体として下塗りを施した９０μｍ
ＰＥＮ可撓性非磁性支持体上にＣｒ合金系下地層として
タングステンを１０原子％含むクロム合金をＤＣスパッ
タ法により１００ｎｍ被覆した。次にこの下地層上にＣ
ｏＣｒ系磁性層としてＤＣスパッタ法により膜厚３０ｎ
ｍのクロムを２０原子％含み白金を１２原子％含むコバ
ルト合金薄膜を被覆した。下地層及び磁性層作成時の支
持体温度は１５０℃とした。下地層作成時のＡｒスパッ
タ圧：７ｍＴｏｒｒ、投入電力を１４００Ｗとし、磁性
層作成時のＡｒスパッタ圧：１．５ｍＴｏｒｒ、投入電
力を１４００Ｗとして、Ｌ_1fを０．１×１０⁸Ｎ／
ｍ²、Ｌ_2fを−０．２×１０⁸Ｎ／ｍ²とした。次い
で、スパッタ法によりカーボン保護層を作成した。スパ
ッタ条件はＡｒスパッタ圧：３ｍＴｏｒｒ、投入電力は
７００Ｗとした。得られたカーボン保護膜はアモルファ
スであり、膜厚は２０ｎｍであった。Ｌ_3fを−０．１Ｎ
／ｍ²とした。膜全体の内部応力Ｌ_3fを−０．２Ｎ／ｍ
²とした。

【００３７】次いで、上記各層が設けられた支持体の反
対面に上記と同条件で下地層、磁性層及び保護層を設
け、カール量を測定した。カール量は１ｍｍであった。実施例２〜４：実施例１において、Ａｒスパッタ圧力を
変えることにより、磁気記録ディスクを作成した。実施例５：実施例１において、下地層としてチタンを２
０原子％含むクロム合金を使用した。下地層作成時のＡ
ｒスパッタ圧：１．５ｍＴｏｒｒ、磁性層作成時のＡｒ
スパッタ圧：１．５ｍＴｏｒｒとして磁気記録ディスク
を作成した。

【００３８】実施例６：実施例１において、下地層にク
ロム金属を使用した。下地層作成時のＡｒスパッタ圧：
８ｍＴｏｒｒ、磁性層作成時のＡｒスパッタ圧：１．５
ｍＴｏｒｒとして磁気記録ディスクを作成した。比較例１〜３：実施例１において、Ａｒスパッタ圧力を
変えることにより、磁気記録ディスクを作成した。

【００３９】比較例４：実施例１において、支持体上に
下塗り層を施さず、Ａｒスパッタ圧力を変えることによ
り、磁気記録ディスクを作成した。比較例５〜６：実施例１において、Ａｒスパッタ圧力を
変えることにより、磁気記録ディスクを作成した。比較例７：実施例１において、支持体温度を２００℃に
変えることにより、磁気記録ディスクを作成した。

【００４０】上記得られた各磁気記録ディスクのＬ_1f、
Ｌ_2f、Ｌ_3fおよびカール量を表１に記載した。また、◎
〜×で評価した。◎は、カール量が０〜１．３ｍｍを、
○は、カール量が１．４〜１．８ｍｍを、△は、カール
量が１．９〜２．０ｍｍを、×は、２．０ｍｍ以上を各
々示す。得られた試料を以下により評価し、表１に結果
を示した。

【００４１】前述したように１Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃｈ²
クラスの超高記録密度媒体を実現するには、転送速度の
問題から、ディスクを高速回転させる必要がある。そこ
で耐久性・ヘッド当たりの測定では高速回転（３０００
ｒｐｍ）で評価を行った。ＦＤの走行耐久性はスピンス
タンドを用いディスクを回転させながら、トライパッド
ヘッドをＦＤの両側からはさみ、１３０ＫＦＲＰＩで記
録し、その出力をモニターしながら走行させ、出力が当
初の６ｄＢを切るまでのパス数を測定した。

【００４２】ヘッド当たりの測定としてディスクを回転
させながら、トライパッドヘッドをＦＤの両側からはさ
み、出力をモニターしながら３分間走行させ、その間の
出力最小値と最大値の差を指標とした。また比較のため
に上記実施例及び比較例の試料を用いて低速回転（３０
０ｒｐｍ）での測定も行った。参考に実施例１の試料を
用いた実施例ａ、比較例１の試料を用いた比較例ａを各
々示した。

【００４３】

【表１】

【００４４】以上の測定の結果、低速回転での耐久性・
ヘッド当たりの測定では実施例と比較例とでその各内部
応力・カールによる個体差が明確にはでなかった。しか
し高速回転（３０００ｒｐｍ）での評価では、表１の通
り、大きな差が確認され、ディスクを高速回転させて初
めて効果が現れることがわかった。

【００４５】

【発明の効果】本発明は、小型かつ使い勝手に優れる可
撓性非磁性支持体を用いたＦＤでしかも記録容量が極め
て大きなかつ走行耐久性に優れた強磁性金属薄膜を磁性
層とする磁気記録ディスクを下地層、磁性層、保護層の
各内部応力を特定の範囲に調整することにより安定して
提供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性非磁性支持体上の少なくとも一方
の面に真空成膜法により形成されたＣｒ合金系下地層、
該下地層上に真空成膜法により形成されたＣｏＣｒ系磁
性層、さらに該磁性層上に真空成膜法で形成された保護
層を有する磁気記録ディスクにおいて、前記下地層、前
記磁性層及び前記保護層の各層は、膜面に対して垂直方
向の内部応力が−７．０×１０⁸〜＋８×１０⁸Ｎ／ｍ
²の範囲内にあって、さらに前記３層全体も膜面に対し
て垂直方向の内部応力が−７．０×１０⁸〜＋８×１０
⁸Ｎ／ｍ²の範囲内にあり、且つ磁気記録ディスクのカ
ール量が２ｍｍ以下であることを特徴とする磁気記録デ
ィスク。
【請求項２】回転数が３０００ｒｐｍ以上の記録再生
方式で使用されることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録ディスク。