JPH10197899A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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JPH10197899A
JPH10197899A JP9000955A JP95597A JPH10197899A JP H10197899 A JPH10197899 A JP H10197899A JP 9000955 A JP9000955 A JP 9000955A JP 95597 A JP95597 A JP 95597A JP H10197899 A JPH10197899 A JP H10197899A
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JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
active matrix
crystal display
pixel
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP9000955A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Iizuka
哲也 飯塚
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH10197899A publication Critical patent/JPH10197899A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the active matrix type liquid crystal display device which is improved in aperture rate. SOLUTION: The aperture rate of pixel opening parts 43R and 43G corresponding to colored layers 44R and 44G of red and green adjacent to a coupling part 59 is smaller than that of a pixel opening part 43B corresponding to a nonadjacent colored layer 44B of blue, so while a sufficient coupling area for a seal area is secure, the mean aperture rate is improved. The said pixel opening parts 43R and 43G are offset to the side of the said pixel opening part 43B and pitches by dots as minimum unit become equal intervals. The aperture rate of the said pixel opening part 43B is made large, so colors which are close to natural colors are obtained even when a three-wavelength type fluorescent lamp which has relatively low luminance of blue is used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶を用いた表示素子は陰極線管
(CRT)に代わるフラットパネルディスプレイとして
実用化が進められており、中でもスイッチング素子とし
て薄膜トランジスタを設けたアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、優れた表示品位が得られるとともに大面
積化、高精細化が可能であることから、特に注目されて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, a display device using liquid crystal has been put to practical use as a flat panel display replacing a cathode ray tube (CRT). Among them, an active matrix type liquid crystal display device provided with a thin film transistor as a switching device is excellent. In particular, attention has been paid to achieving high display quality, large area and high definition.

【0003】そして、このアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、小型、軽量および低消費電力であり、ノー
トブック型パーソナルコンピュータ用ディスプレイなど
から普及してきているが、近年急速に発展しているマル
チメディアヘの対応が迫られており、マルチメディアヘ
の対応には表示画面の大面積化が必須である。
The active matrix type liquid crystal display device has a small size, light weight and low power consumption, and has been widely used in displays for notebook type personal computers. A response is urgently needed, and a large display screen area is indispensable for a response to multimedia.

【0004】しかしながら、一般にアクティブマトリク
ス型液晶表示装置は、表示面積の大面積化に伴い良品歩
留まりが低下するため、コストの上昇は避けられない。
[0004] However, in general, the active matrix type liquid crystal display device has an unavoidable increase in cost because the yield of non-defective products decreases with an increase in display area.

【0005】そこで、コストの上昇を抑えたアクティブ
マトリクス型液晶表示装置として、特開平7−5613
6号公報に記載の構成が知られている。この特開平7−
56136号公報には、2個以上の液晶表示体を組み合
わせて隙間無く配置して表示領域を形成することによ
り、大画面でも歩留まりを向上したアクティブマトリク
ス型液晶表示装置について記載されている。
Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-5613 discloses an active matrix type liquid crystal display device which suppresses an increase in cost.
A configuration described in Japanese Patent Application Publication No. 6-206 is known. This Japanese Patent Laid-Open No. 7-
Japanese Patent No. 56136 describes an active matrix type liquid crystal display device in which the yield is improved even on a large screen by forming a display region by combining two or more liquid crystal displays and disposing them without gaps.

【0006】そして、この液晶表示体を組み合わせて表
示領域を形成する構成について図11ないし図13を参
照して説明する。
A configuration for forming a display area by combining the liquid crystal displays will be described with reference to FIGS.

【0007】図11ないし図13に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板1に対向電極基板2を対向させて配
設し、これらアクティブマトリクス基板1および対向電
極基板2間に、配向処理を施した液晶層3を挟持して、
液晶表示パネル4を構成している。また、アクティブマ
トリクス基板1には、マトリクス状にスイッチング素子
としての薄膜トランジスタ5が配設され、この薄膜トラ
ンジスタ5に対応してITOなどの画素電極6が配設さ
れている。さらに、対向電極基板2には、画素電極6に
対向して対向電極7が設けられるとともに、ブラックマ
トリクス8が設けられ、このブラックマトリクス8は画
素電極6に対応して画素開口部9がマトリクス状に形成
され、これら画素開口部9には、赤、緑または青の着色
層11R ,11G ,11B が配設されている。そして、アクテ
ィブマトリクス基板1および対向電極基板2の周囲に
は、液晶層3を封止するシール領域12が形成されてい
る。
As shown in FIGS. 11 to 13, a counter electrode substrate 2 is disposed so as to face an active matrix substrate 1, and a liquid crystal layer having been subjected to an alignment treatment is provided between the active matrix substrate 1 and the counter electrode substrate 2. Hold 3
The liquid crystal display panel 4 is configured. On the active matrix substrate 1, thin film transistors 5 as switching elements are arranged in a matrix, and pixel electrodes 6 such as ITO are arranged corresponding to the thin film transistors 5. Further, the counter electrode substrate 2 is provided with a counter electrode 7 facing the pixel electrode 6 and a black matrix 8. The black matrix 8 has pixel openings 9 corresponding to the pixel electrodes 6 in a matrix. These pixel openings 9 are provided with red, green or blue colored layers 11R, 11G and 11B. A seal region 12 for sealing the liquid crystal layer 3 is formed around the active matrix substrate 1 and the counter electrode substrate 2.

【0008】そして、左側に位置する第1の液晶表示パ
ネル41 は、左辺に図示しない外部駆動回路との接続端
子を有し、右側に位置する第2の液晶表示パネル4
2 は、右辺に図示しない外部駆動回路との接続端子を有
しており、第1の液晶表示パネル41 の右辺と第2の液
晶表示パネル42 の左辺との接続端子の無い側同士を結
合することにより大型化した表示領域を形成している。
[0008] Then, the first liquid crystal display panel 4 1 on the left side has a connection terminal to an external driving circuit (not shown) on the left side, the second liquid crystal display panel positioned on the right side 4
2, includes a connection terminal to an external driving circuit (not shown) on the right side, the free side between the connection terminals of the first liquid crystal display panel 4 1 of the right side and the second liquid crystal display panel 4 2 on the left side of the A large display area is formed by the combination.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、シール領域12は画素開口部9にできないた
め、結合部に隣接する画素開口部9の開口率は他の部分
と比較して低い値となる。このように、結合部15の周囲
のみ画素開口部9の開口率を低く設定すると、結合部15
に沿って表示上あたかも線欠不良が生じたように見え
る。このため図13に示すように、結合部15の幅W1 と
その他の部分の幅W2 を同一にするとともに結合部15を
含む部分と周辺の部分で開口率を等しくするため開口率
が低下するので、高開口率化が困難である問題点を有し
ており、画素開口部9の画素ピッチが細かくなるほどに
開口率が顕著に低下する。
However, in the above-mentioned conventional example, since the sealing region 12 cannot be formed in the pixel opening 9, the aperture ratio of the pixel opening 9 adjacent to the coupling portion is lower than that of the other portions. Becomes As described above, when the aperture ratio of the pixel opening 9 is set to be low only in the vicinity of the joint 15,
It appears as if a line defect occurred on the display along. Therefore, as shown in FIG. 13, the width W1 of the coupling portion 15 is made equal to the width W2 of the other portion, and the aperture ratio is reduced in the portion including the coupling portion 15 and the peripheral portion, so that the aperture ratio decreases. However, there is a problem that it is difficult to increase the aperture ratio, and as the pixel pitch of the pixel openings 9 becomes smaller, the aperture ratio decreases significantly.

【0010】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、開口率を向上したアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide an active matrix liquid crystal display device having an improved aperture ratio.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の走査
線、これら走査線に交差した複数の信号線、これら走査
線および信号線に接続されたスイッチング素子、これら
スイッチング素子と電気的に接続された画素電極を有す
るアクティブマトリクス基板と、このアクティブマトリ
クス基板に対向して配設され前記画素電極に対向する対
向電極が形成された対向基板と、前記アクティブマトリ
クス基板および前記対向基板の少なくとも一方に設けら
れ画素開口部を有するブラックマトリクスと、前記画素
開口部に設けられた着色層と、配向処理を施され前記ア
クティブマトリクス基板および前記対向基板との間に挟
持された液晶層とを具備したアクティブマトリクス型液
晶表示パネルを、結合部で連続して結合して表示領域を
形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記結合部に隣接する画素開口部の開口率よりも、
前記表示領域の平均開口率の方が大きいものである。そ
して、結合部に隣接する画素開口部の開口率よりも、表
示領域の平均開口率が大きいので、結合部で十分に結合
領域を確保しつつ表示領域の平均開口率を改善する。
According to the present invention, there are provided a plurality of scanning lines, a plurality of signal lines intersecting the scanning lines, switching elements connected to the scanning lines and the signal lines, and electrically connected to the switching elements. An active matrix substrate having a pixel electrode formed thereon, a counter substrate disposed to face the active matrix substrate, and having a counter electrode facing the pixel electrode, and at least one of the active matrix substrate and the counter substrate. An active matrix comprising: a black matrix provided with a pixel opening; a coloring layer provided in the pixel opening; and a liquid crystal layer that has been subjected to an alignment process and is sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate. An active matrix matrix liquid crystal display panel that is continuously joined at the joint to form a display area In Torikusu type liquid crystal display device, than the aperture ratio of the pixel opening portion adjacent to said coupling unit,
The display area has a larger average aperture ratio. Since the average aperture ratio of the display region is larger than the aperture ratio of the pixel opening adjacent to the coupling portion, the average aperture ratio of the display region is improved while the coupling region is sufficiently secured at the coupling portion.

【0012】また、結合部に隣接する色の着色層に対応
する画素開口部より、結合部に隣接しない色に対応する
着色層の画素開口部が大きいものである。そして、結合
部に隣接する色の着色層の画素開口部の開口率よりも、
結合部に隣接しない色に対応する着色層の画素開口部が
大きいので、結合部で十分に結合領域を確保しつつ表示
領域の平均開口率を改善する。
Further, the pixel openings of the colored layers corresponding to the colors not adjacent to the joint are larger than the pixel openings corresponding to the colored layers of the color adjacent to the joint. Then, the opening ratio of the pixel opening of the coloring layer of the color adjacent to the coupling portion is
Since the pixel opening of the colored layer corresponding to the color that is not adjacent to the joint is large, the average aperture ratio of the display area is improved while the joint is sufficiently secured at the joint.

【0013】さらに、着色層は、赤、緑および青を有
し、大きな画素開口部に対応する着色層は青であるもの
である。そして、比較的大きな輝度が得にくい青色の着
色層に対応する画素開口部を大きくすることにより、
赤、緑および青の輝度を均衡させ、所望の色に近付け
る。
Further, the coloring layer has red, green and blue, and the coloring layer corresponding to the large pixel opening is blue. Then, by increasing the size of the pixel opening corresponding to the blue colored layer for which it is difficult to obtain relatively large luminance,
Balancing the red, green and blue intensities to approximate the desired color.

【0014】またさらに、画素開口部は、結合部に隣接
する部分において最小で、前記結合部から離れるに従っ
て連続的に大きくなるものである。そして、結合部から
離れるに従って連続的に画素開口部を大きくしたことに
より、結合部で十分に結合領域を確保しつつ表示領域の
平均開口率を改善する。
Still further, the pixel opening is minimum at a portion adjacent to the joint, and continuously increases as the distance from the joint increases. The average aperture ratio of the display area is improved while the coupling area is sufficiently secured by continuously increasing the pixel aperture as the distance from the coupling section increases.

【0015】また、アクティブマトリクス型液晶表示パ
ネルの背面にバックライトを備え、画素開口率の変化に
対応して前記バックライトの配光特性を変化させたもの
である。そして、バックライトの配光特性を画素開口率
の変化に対応させることにより、消費電力を抑えるとと
もに、明るさの均衡を図れる。
Further, a backlight is provided on the back surface of the active matrix type liquid crystal display panel, and the light distribution characteristics of the backlight are changed according to the change of the pixel aperture ratio. By making the light distribution characteristics of the backlight correspond to changes in the pixel aperture ratio, power consumption can be suppressed and brightness can be balanced.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の一実施の形態を図面を参照して説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1ないし図3に示すように、透光性絶縁
基板であるガラス基板21上に、たとえばタンタルのゲー
ト電極22、図示しない補助容量電極線およびゲート電極
22に接続された走査線23が形成され、これらゲート電極
22および走査線23を含めてガラス基板21上には、酸化シ
リコン(SiOx )のゲート絶縁膜24が被覆されてい
る。
As shown in FIGS. 1 to 3, for example, a tantalum gate electrode 22, a storage capacitor electrode line and a gate electrode (not shown) are formed on a glass substrate 21 which is a light-transmitting insulating substrate.
A scanning line 23 connected to the gate electrode 22 is formed.
The glass substrate 21 including the scan lines 23 and the gate lines 22 is covered with a gate insulating film 24 of silicon oxide (SiO x ).

【0018】また、このゲート絶縁膜24のゲート電極22
の上方には、アモルファスシリコン(a−Si)のチャ
ネル層25が形成され、このチャネル層25の上部には窒化
シリコン(SiNx )のエッチング保護膜26が形成さ
れ、このエッチング保護膜26の一端側にはn+ 型アモル
ファスシリコン(n+ 型a−Si)のドレイン領域27が
形成され、他端側にはソース領域28が形成されている。
一方、ゲート絶縁膜24上には、ITO(Indium Tin Oxi
de)の画素電極31がマトリクス状に配設されている。そ
して、ドレイン領域27上にはたとえばアルミニウムのド
レイン電極32およびこのドレイン電極32に接続された信
号線33が形成され、ソース領域28および画素電極31間に
はアルミニウムのソース電極34が形成され、スイッチン
グ素子としての逆スタガ型の薄膜トランジスタ(Thin F
ilm Transistor)35が形成されている。さらに、これら
薄膜トランジスタ35を被覆するように、窒化シリコン
(SiNx )の保護絶縁膜36が形成され、アクティブマ
トリクス基板37が形成される。
The gate electrode 22 of the gate insulating film 24
Above the channel layer 25, an amorphous silicon (a-Si) channel layer 25 is formed. Above the channel layer 25, an etching protection film 26 of silicon nitride (SiN x ) is formed. On the side, a drain region 27 of n + type amorphous silicon (n + type a-Si) is formed, and on the other end side, a source region 28 is formed.
On the other hand, on the gate insulating film 24, ITO (Indium Tin Oxi
The de) pixel electrodes 31 are arranged in a matrix. On the drain region 27, for example, an aluminum drain electrode 32 and a signal line 33 connected to the drain electrode 32 are formed, and between the source region 28 and the pixel electrode 31, an aluminum source electrode 34 is formed. Inverted staggered thin film transistor (Thin F)
ilm Transistor) 35 is formed. Further, a protective insulating film 36 of silicon nitride (SiN x ) is formed so as to cover these thin film transistors 35, and an active matrix substrate 37 is formed.

【0019】一方、透光性絶縁基板であるガラス基板41
上に、クロム(Cr)のブラックマトリクス42が形成さ
れ、このブラックマトリクス42にはマトリクス状の画素
開口部43R ,43B ,43G が形成されている。また、これ
ら画素開口部43R ,43B ,43G には、赤(R)、青
(B)および緑(G)の着色層44R ,44B ,44G がそれ
ぞれ形成され、これら着色層44R ,44B ,44G 上には、
ITOの対向電極45が形成され、対向基板46が形成され
る。
On the other hand, a glass substrate 41 which is a light-transmitting insulating substrate
A black matrix 42 of chromium (Cr) is formed on the top, and pixel openings 43R, 43B, 43G in a matrix are formed in the black matrix 42. Red (R), blue (B), and green (G) coloring layers 44R, 44B, and 44G are formed in the pixel openings 43R, 43B, and 43G, respectively, and are formed on these coloring layers 44R, 44B, and 44G. In
A counter electrode 45 of ITO is formed, and a counter substrate 46 is formed.

【0020】さらに、アクティブマトリクス基板37およ
び対向基板46のそれぞれ対向する面には、低温キュア型
のポリイミドの配向膜51,52が配光軸がほぼ90°の角
度で異なって設けられている。
Further, low-temperature cure type polyimide alignment films 51 and 52 are provided on opposite surfaces of the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46 at different light distribution axes at an angle of about 90 °.

【0021】そして、アクティブマトリクス基板37およ
び対向基板46を対向させ、液晶層53を挟持し、周囲にシ
ール領域54を形成して封止する。
Then, the active matrix substrate 37 and the opposing substrate 46 are opposed to each other, the liquid crystal layer 53 is sandwiched, and a sealing region 54 is formed around the liquid crystal layer 53 and sealed.

【0022】さらに、アクティブマトリクス基板37およ
び対向基板46の対向しない面に、それぞれ偏光板56,57
が形成され、液晶表示パネル58が形成される。
Further, polarizers 56 and 57 are respectively provided on the surfaces of the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46 which are not opposed to each other.
Are formed, and the liquid crystal display panel 58 is formed.

【0023】そして、この液晶表示パネル58のそれぞれ
の一端に、図示しない外部駆動回路との接続端子を設
け、図4に示すように、複数個、たとえば2個の第1の
液晶表示パネル581 および第2の液晶パネル582 を接着
剤などの結合部59で接続して、背面側に図示しないたと
えば3波長型蛍光ランプなどを有するバックライトを配
設して大画面のアクティブマトリクス型液晶表示装置60
が完成する。
At one end of each of the liquid crystal display panels 58, connection terminals for an external drive circuit (not shown) are provided. As shown in FIG. 4, a plurality of, for example, two first liquid crystal display panels 58 1 are provided. and a second liquid crystal panel 58 2 are connected at the junction 59 such as an adhesive, it is disposed a backlight large screen active matrix type liquid crystal display of having such back (not shown) on the side of for example 3-wavelength type fluorescent lamps Device 60
Is completed.

【0024】また、これら2つの液晶表示パネル581
582 の画素開口部43R ,43B ,43Gでは、図1、図2お
よび図5に示すように、長さ方向の長さはいずれも等し
いが、結合部59に隣接した赤色の着色層44R および緑色
の着色層44G に対応した画素開口部43R ,43G が、結合
部59に隣接しない青色の着色層44B に対応した画素開口
部43B より幅狭に形成され、結合部59に隣接した赤色の
着色層44R および緑色の着色層44G に対応した画素開口
部43R ,43G の開口率は、結合部59に隣接しない青色の
着色層44B に対応した画素開口部43B を含めた平均開口
率より小さい。また、青色の着色層44B に対応した画素
開口部43B の開口率は、赤色の着色層44R および緑色の
着色層44G に対応した画素開口部43R ,43G の開口率よ
り大きく形成されている。さらに、赤色の着色層44R お
よび緑色の着色層44G に対応した画素開口部43R ,43G
は、青色の着色層44B に対応した画素開口部43B によ
り、オフセットされている。
The two liquid crystal display panels 58 1 , 58 1 ,
58 2 of the pixel opening portion 43R, 43B, the 43G, as shown in FIGS. 1, 2 and 5, although any length in the length direction are equal, the colored layer 44R red adjacent to the coupling portion 59 and the The pixel openings 43R and 43G corresponding to the green coloring layer 44G are formed to be narrower than the pixel openings 43B corresponding to the blue coloring layer 44B not adjacent to the joint 59, and the red color adjacent to the joint 59 is formed. The aperture ratio of the pixel openings 43R and 43G corresponding to the layer 44R and the green coloring layer 44G is smaller than the average aperture ratio including the pixel opening 43B corresponding to the blue coloring layer 44B not adjacent to the coupling portion 59. Further, the aperture ratio of the pixel opening 43B corresponding to the blue coloring layer 44B is formed larger than the aperture ratio of the pixel openings 43R and 43G corresponding to the red coloring layer 44R and the green coloring layer 44G. Further, pixel openings 43R and 43G corresponding to the red coloring layer 44R and the green coloring layer 44G, respectively.
Are offset by the pixel openings 43B corresponding to the blue colored layers 44B.

【0025】次に、上記実施の形態の製造工程について
説明する。
Next, the manufacturing process of the above embodiment will be described.

【0026】まず、ガラス基板21の一主面上にタンタル
膜をスパッタ法により300nm成膜し、このタンタル
膜を所定の形状にフォトエッチングしてゲート電極22お
よび走査線23および図示しない補助容量電極線を形成す
る。
First, a 300 nm tantalum film is formed on one main surface of a glass substrate 21 by sputtering, and this tantalum film is photo-etched into a predetermined shape to form a gate electrode 22, a scanning line 23, and an auxiliary capacitance electrode (not shown). Form a line.

【0027】次に、酸化シリコン膜を膜厚350nm、
アモルファスシリコン膜を膜厚50nm、窒化シリコン
膜を膜厚150nmを、プラズマCVD法でそれぞれ積
層して被膜する。その後、まず、窒化シリコン膜を所定
形状にエッチングしてエッチング保護膜26を所定の形状
に加工し、n+ 型アモルファスシリコン膜を膜厚50n
mで被膜した後に、このn+ 型アモルファスシリコン膜
およびアモルファスシリコン膜を所定の形状に加工し
て、チャネル層25、ドレイン領域27およびソース領域28
を形成する。
Next, a silicon oxide film is formed to a thickness of 350 nm.
An amorphous silicon film having a thickness of 50 nm and a silicon nitride film having a thickness of 150 nm are each formed by a plasma CVD method. After that, first, the silicon nitride film is etched into a predetermined shape to process the etching protection film 26 into a predetermined shape, and the n + -type amorphous silicon film is
Then, the n + -type amorphous silicon film and the amorphous silicon film are processed into a predetermined shape to form a channel layer 25, a drain region 27, and a source region 28.
To form

【0028】そして、ITO膜をスパック法により膜厚
100nmで被膜し、フォトエッチング法により所定の
形状に加工して画素電極31を形成する。
Then, the ITO film is coated with a thickness of 100 nm by the Spack method, and processed into a predetermined shape by the photo etching method to form the pixel electrode 31.

【0029】さらに、アルミニウム膜をスパッタ法で膜
厚500nmで被膜し、フォトエッチング法により、ド
レイン電極32、信号線33およびソース電極34を所定の形
状に加工する。このとき、ドレイン電極32およびソース
電極34の一端はドレイン領域27およびソース領域28に接
触させ、薄膜トランジスタ35が形成される。
Further, an aluminum film is coated with a thickness of 500 nm by a sputtering method, and the drain electrode 32, the signal line 33 and the source electrode 34 are processed into a predetermined shape by a photo etching method. At this time, one ends of the drain electrode 32 and the source electrode 34 are brought into contact with the drain region 27 and the source region 28, and a thin film transistor 35 is formed.

【0030】またさらに、薄膜トランジスタ35上にたと
えば膜厚200nmの窒化シリコン膜をプラズマCVD
法により全面に形成して保護絶縁膜36を形成することに
より、アクティブマトリクス基板37が完成する。
Further, a silicon nitride film having a thickness of, for example, 200 nm is formed on the thin film transistor 35 by plasma CVD.
An active matrix substrate 37 is completed by forming a protective insulating film 36 over the entire surface by a method.

【0031】一方、ガラス基板41の一主面上には、クロ
ム膜が成膜され画素開口部43R ,43B ,43G が形成され
てブラックマトリクス42を形成する。また、このブラッ
クマトリクス42の画素開口部43R ,43B ,43G に対応し
て着色層44R ,44B ,44G を形成し、さらに、対向電極
45を形成して、対向基板46が完成する。
On the other hand, on one main surface of the glass substrate 41, a chromium film is formed and pixel openings 43R, 43B, 43G are formed to form a black matrix 42. In addition, coloring layers 44R, 44B, 44G are formed corresponding to the pixel openings 43R, 43B, 43G of the black matrix 42, and further, a counter electrode is formed.
The counter substrate 46 is completed by forming 45.

【0032】そして、アクティブマトリクス基板37およ
び対向基板46のそれぞれの一主面上には、全面に配向膜
51,52を形成し、これら配向膜51,52の表面を所定の方
向に布などで擦ることにより、配向処理を施こす。
On one main surface of each of the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46, an alignment film is formed on the entire surface.
An alignment process is performed by forming 51 and 52 and rubbing the surfaces of the alignment films 51 and 52 in a predetermined direction with a cloth or the like.

【0033】さらに、アクティブマトリクス基板37と対
向基板46とのそれぞれの一主面を対向し、互いの配向膜
51,52の配向軸がほぼ90°になるように組み合わせ、
周囲にシール領域54を形成して、アクティブマトリクス
基板37と対向基板46との間隙に液晶を封止挟持して液晶
層53を形成し、液晶表示パネル58を完成する。
Furthermore, one main surface of each of the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46 faces each other, and
Combination such that the orientation axes of 51 and 52 are almost 90 °,
A liquid crystal layer 53 is formed by forming a seal region 54 around the periphery and sealing and sandwiching liquid crystal in a gap between the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46, thereby completing a liquid crystal display panel 58.

【0034】そして、複数個、たとえば2個の液晶表示
パネル58を接合して大画面のアクティブマトリクス型液
晶表示装置60を形成する場合は、図4に示すように、表
示領域の左辺に外部駆動回路との接続端子を設けた第1
の液晶表示パネル581 と、表示領域の右辺に外部駆動回
路との接続端子を設けた第2の液晶表示パネル582
を、それぞれ外部駆動回路との接続端子の無い側の表示
領域端を向かい合わせ、接着剤で結合部59を形成して結
合する。
When a large-screen active matrix type liquid crystal display device 60 is formed by joining a plurality of, for example, two, liquid crystal display panels 58, as shown in FIG. First connection terminal provided with a connection terminal
The liquid crystal display panel 58 1, and a liquid crystal display panel 58 2 second in which a connection terminal with an external drive circuit to the right side of the display area, without the side of the display area end of the connection terminal to an external driving circuit, respectively Facing each other, a bonding portion 59 is formed with an adhesive and bonded.

【0035】さらに、第1の液晶表示パネル581 と第2
の液晶表示パネル582 を結合した後、アクティブマトリ
クス基板37および対向基板46の他主面側に、それぞれ偏
光板56,57を貼着し、大画面のアクティブマトリクス型
液晶表示装置60が完成する。
[0035] In addition, the first liquid crystal display panel 58 1 and the second
After combining the liquid crystal display panel 58 and second, in the other main surface of the active matrix substrate 37 and the counter substrate 46, respectively attached polarizing plates 56 and 57, an active matrix type liquid crystal display device 60 is completed with a large screen .

【0036】次に、上記実施の形態の作用について説明
する。
Next, the operation of the above embodiment will be described.

【0037】上述のように、結合部59に隣接した赤色の
着色層44R および緑色の着色層44Gに対応した画素開口
部43R ,43G の開口率は、結合部59に隣接しない青色の
着色層44B に対応した画素開口部43B の開口率より小さ
いので、シール領域54の十分な結合領域を確保しながら
も、従来と比較して画素開口部43R ,43B ,43G 全体の
平均開口率を改善している。
As described above, the aperture ratios of the pixel openings 43R and 43G corresponding to the red coloring layer 44R and the green coloring layer 44G adjacent to the joint 59 are different from those of the blue coloring layer 44B not adjacent to the joint 59. Since the aperture ratio of the pixel aperture 43B corresponding to the pixel aperture 43B is smaller than that of the related art, the average aperture ratio of the entire pixel apertures 43R, 43B, and 43G is improved while securing a sufficient coupling area of the seal area 54. I have.

【0038】また、結合部59に隣接した赤色の着色層44
R および緑色の着色層44G に対応した画素開口部43R ,
43G を、青色の着色層44B に対応した画素開口部43B 側
に、オフセットしたことにより、赤色、青色および緑色
の着色層44R ,44G ,44B に対応した画素開口部43R ,
43B ,43G の組み合わせを最小単位とするドット毎のピ
ッチは等間隔になる。
The red colored layer 44 adjacent to the joint 59
R and the pixel openings 43R corresponding to the green colored layer 44G,
43G is offset toward the pixel opening 43B corresponding to the blue coloring layer 44B, so that the pixel openings 43R, 44R, 44G, 44G corresponding to the red, blue, and green coloring layers 44R, 44G, 44B.
The pitch of each dot having the combination of 43B and 43G as the minimum unit is equal.

【0039】さらに、青色の着色層44B に対応した画素
開口部43B の開口率は、赤色の着色層44R および緑色の
着色層44G に対応した画素開口部43R ,43G の開口率よ
り大きく形成されることにより、青色の輝度が比較的低
い3波長型蛍光ランプを用いても、自然に近い色を容易
に得ることができる。
Further, the aperture ratio of the pixel opening 43B corresponding to the blue coloring layer 44B is formed larger than the aperture ratio of the pixel opening 43R, 43G corresponding to the red coloring layer 44R and the green coloring layer 44G. This makes it possible to easily obtain a color close to nature even if a three-wavelength fluorescent lamp having a relatively low blue luminance is used.

【0040】なお、バックライトに用いられる3波長型
蛍光ランプで、輝度を上げることが困難な青色の着色層
44B に対応した画素開口部43B の開口率を選択的に改善
したが、使用する光源の色別の輝度に応じて他の色を選
択して開口率を改善してもよい。
A three-wavelength fluorescent lamp used for a backlight is a blue colored layer whose luminance is difficult to increase.
Although the aperture ratio of the pixel opening 43B corresponding to 44B is selectively improved, the aperture ratio may be improved by selecting another color according to the luminance of each color of the light source to be used.

【0041】次に、他の実施の形態を図6ないし図8を
参照して説明する。
Next, another embodiment will be described with reference to FIGS.

【0042】この図6ないし図8に示す実施の形態は、
図1ないし図5に示す実施の形態において、ブラックマ
トリクス42の開口パターンを、結合部59の隣接部で開口
率を最小とし、結合部59から離れるに従って連続的に開
口率が大きくなり、周辺部において開口率最大となるよ
うにしている。すなわち、左側に位置する第1の液晶表
示パネル581 では、結合部59側から青色、緑色および赤
色の着色層44B ,44G,44R に対応した画素開口部43B
,43G ,43R の順に開口率が大きくなり、右側に位置
する第2の液晶パネル582 では、結合部59側から赤色、
緑色および青色の着色層44R ,44G ,44B に対応した画
素開口部43R ,43G ,43B の順に開口率が大きくなる。
このため、十分な結合領域を確保しながらも、画素開口
部43R ,43B ,43G の平均開口率を改善できる。
The embodiment shown in FIGS. 6 to 8
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 5, the opening ratio of the opening pattern of the black matrix 42 is minimized in the portion adjacent to the connecting portion 59, and the opening ratio continuously increases as the distance from the connecting portion 59 increases. At the maximum aperture ratio. That is, the first liquid crystal display panel 58 first, the blue from the coupling portion 59 side, green and red colored layers 44B, 44G, the pixel opening 43B corresponding to 44R on the left side
, 43G, the aperture ratio increases in the order of 43R, the second liquid crystal panel 58 2, red from the coupling portion 59 side located on the right side,
The aperture ratios increase in the order of the pixel openings 43R, 43G, 43B corresponding to the green and blue coloring layers 44R, 44G, 44B.
Therefore, it is possible to improve the average aperture ratio of the pixel openings 43R, 43B, and 43G while securing a sufficient coupling region.

【0043】また、この場合の開口率分布は、従来の図
9破線Bに示すものに比べても、図9の破線Aに示すよ
うに、結合部59の中心で最も低く、周辺になるにつれ開
口率が高くなるため、従来の図10破線Bに示すものに
比べても、図10の破線Aに示す中央で最も輝度が高い
配光特性のバックライトと組み合わせれば、全体の開口
率を低く抑えた場合と比較して、消費電力を小さくでき
る。
The aperture ratio distribution in this case is lower at the center of the coupling portion 59 as shown by the broken line A in FIG. Since the aperture ratio is high, the overall aperture ratio can be reduced by combining the backlight with the light distribution characteristic having the highest luminance at the center indicated by the broken line A in FIG. Power consumption can be reduced as compared with the case where the power consumption is suppressed low.

【0044】なお、上記実施の形態では、2個の液晶表
示パネル581 ,582 を結合して大型にしたが、4個ある
いはその他複数の液晶表示パネルを結合しても同様の効
果を得ることができる。
In the above-described embodiment, the two liquid crystal display panels 58 1 and 58 2 are combined to increase the size. However, the same effect can be obtained by combining four or a plurality of other liquid crystal display panels. be able to.

【0045】また、赤色、青色および緑色の着色層44R
,44G ,44B およびブラックマトリクス42を対向基板4
6側に設けた場合について説明したが、アクティブマト
リクス基板37側に設けても同等の効果が得られる。
The red, blue and green colored layers 44R
, 44G, 44B and the black matrix 42 to the opposite substrate 4
Although the case where it is provided on the sixth side has been described, the same effect can be obtained by providing it on the active matrix substrate 37 side.

【0046】さらに、半導体としてアモルファスシリコ
ンを用いた逆スタガード型の薄膜トランジスタ35を有す
るマトリクスアレイ基板37について説明したが、半導体
として多結晶シリコンを用いた場合でも、順スタガード
型の薄膜トランジスタを用いた場合でも、同様の効果を
得ることができる。
Further, the matrix array substrate 37 having the inverted staggered type thin film transistor 35 using amorphous silicon as the semiconductor has been described. However, even when the polycrystalline silicon is used as the semiconductor or the forward staggered type thin film transistor is used. The same effect can be obtained.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明によれば、結合部に隣接する画素
開口部の開口率よりも、表示領域の平均開口率が大きい
ので、結合部で十分に結合領域を確保しつつ表示領域の
平均開口率を改善でき、複数の液晶表示パネルを結合し
た大画面のアクティブマトリクス型液晶表示装置を、良
好な歩留まりで、表示輝度を高くしたり消費電力を小さ
くできる。
According to the present invention, since the average aperture ratio of the display area is larger than the aperture ratio of the pixel opening adjacent to the joint, the average of the display area can be sufficiently secured at the joint. The aperture ratio can be improved, and a large screen active matrix type liquid crystal display device in which a plurality of liquid crystal display panels are combined can increase display luminance and reduce power consumption with a good yield.

【0048】また、結合部に隣接する色の着色層の画素
開口部の開口率よりも、結合部に隣接しない色に対応す
る着色層の画素開口部が大きいので、結合部で十分に結
合領域を確保しつつ表示領域の平均開口率を改善でき
る。
Further, since the pixel opening of the color layer corresponding to the color not adjacent to the coupling portion is larger than the aperture ratio of the pixel opening of the coloring layer of the color adjacent to the coupling portion, the coupling portion can sufficiently cover the coupling region. While improving the average aperture ratio of the display area.

【0049】さらに、比較的大きな輝度が得にくい青色
の着色層に対応する画素開口部を大きくすることによ
り、赤、緑および青の輝度を均衡させ、所望の色に近付
けることができる。
Further, by increasing the size of the pixel opening corresponding to the blue colored layer for which it is difficult to obtain a relatively large luminance, it is possible to balance the luminances of red, green, and blue and to approach a desired color.

【0050】またさらに、結合部から離れるに従って連
続的に画素開口部を大きくしたことにより、結合部で十
分に結合領域を確保しつつ表示領域の平均開口率を改善
できる。
Furthermore, the average aperture ratio of the display area can be improved while securing a sufficient coupling region at the coupling portion by continuously increasing the pixel aperture as the distance from the coupling portion increases.

【0051】また、バックライトの配光特性を画素開口
率の変化に対応させることにより、消費電力を抑えると
ともに、明るさの均衡を図ることができる。
Further, by making the light distribution characteristics of the backlight correspond to changes in the pixel aperture ratio, it is possible to suppress power consumption and balance brightness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の一実施の形態の一部を
切り欠いた平面図である。
FIG. 1 is a partially cutaway plan view of an embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】同上図1のII−II断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II of FIG.

【図3】同上図1のIII −III 断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line III-III of FIG. 1;

【図4】同上2個の液晶表示パネルの結合を示す説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory view showing coupling of two liquid crystal display panels according to the first embodiment.

【図5】同上液晶表示装置の状態を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a state of the liquid crystal display device.

【図6】同上他の実施の形態の液晶表示装置の一部を切
り欠いた平面図である。
FIG. 6 is a plan view of the liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, with a portion cut away.

【図7】同上図6のVII −VII 断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 6;

【図8】同上液晶表示装置の状態を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a state of the liquid crystal display device.

【図9】同上液晶表示装置の開口率分布を示すグラフで
ある。
FIG. 9 is a graph showing an aperture ratio distribution of the liquid crystal display device.

【図10】同上バックライトの輝度分布を示す配光特性
図である。
FIG. 10 is a light distribution characteristic diagram showing a luminance distribution of the backlight.

【図11】従来例の液晶表示装置の一部を切り欠いた平
面図である。
FIG. 11 is a plan view of a conventional liquid crystal display device with a part cut away.

【図12】同上図11のXII −XII 断面図である。FIG. 12 is a sectional view taken along the line XII-XII of FIG. 11;

【図13】同上液晶表示装置の状態を示す模式図であ
る。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a state of the liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23 走査線 31 画素電極 33 信号線 35 スイッチング素子としての薄膜トランジスタ 37 アクティブマトリクス基板 42 ブラックマトリクス 43R ,43G ,43B 画素開口部 44R ,44G ,44B 着色層 45 対向電極 46 対向基板 53 液晶層 59 結合部 23 Scanning line 31 Pixel electrode 33 Signal line 35 Thin film transistor as switching element 37 Active matrix substrate 42 Black matrix 43R, 43G, 43B Pixel opening 44R, 44G, 44B Color layer 45 Counter electrode 46 Counter substrate 53 Liquid crystal layer 59 Coupling part

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の走査線、これら走査線に交差した
複数の信号線、これら走査線および信号線に接続された
スイッチング素子、これらスイッチング素子と電気的に
接続された画素電極を有するアクティブマトリクス基板
と、このアクティブマトリクス基板に対向して配設され
前記画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板
と、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板
の少なくとも一方に設けられ画素開口部を有するブラッ
クマトリクスと、前記画素開口部に設けられた着色層
と、配向処理を施され前記アクティブマトリクス基板お
よび前記対向基板との間に挟持された液晶層とを具備し
たアクティブマトリクス型液晶表示パネルを、結合部で
連続して結合して表示領域を形成したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、 前記結合部に隣接する画素開口部の開口率よりも、前記
表示領域の平均開口率の方が大きいことを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置。
An active matrix having a plurality of scanning lines, a plurality of signal lines intersecting the scanning lines, switching elements connected to the scanning lines and the signal lines, and pixel electrodes electrically connected to the switching elements. A substrate, a counter substrate disposed to face the active matrix substrate and having a counter electrode facing the pixel electrode, and a black having a pixel opening provided in at least one of the active matrix substrate and the counter substrate. An active matrix type liquid crystal display panel comprising a matrix, a coloring layer provided in the pixel opening, and a liquid crystal layer which has been subjected to an alignment process and is sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate is combined. Active matrix type liquid crystal display device with a display area formed by combining The active matrix type liquid crystal display device, wherein an average aperture ratio of the display area is larger than an aperture ratio of a pixel aperture adjacent to the coupling portion.
【請求項2】 結合部に隣接する色の着色層に対応する
画素開口部より、結合部に隣接しない色に対応する着色
層の画素開口部が大きいことを特徴とする請求項第1記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. The pixel opening of a colored layer corresponding to a color that is not adjacent to a coupling portion is larger than a pixel opening corresponding to a coloring layer of a color adjacent to the coupling portion. Active matrix type liquid crystal display device.
【請求項3】 着色層は、赤、緑および青を有し、 大きな画素開口部に対応する着色層は青であることを特
徴とする請求項第1または2記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the colored layer has red, green and blue, and the colored layer corresponding to the large pixel opening is blue. .
【請求項4】 画素開口部は、結合部に隣接する部分に
おいて最小で、前記結合部から離れるに従って連続的に
大きくなることを特徴とする請求項第1ないし3いずれ
か記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. The active matrix type liquid crystal according to claim 1, wherein the pixel opening is minimum at a portion adjacent to the coupling portion and continuously increases as the distance from the coupling portion increases. Display device.
【請求項5】 アクティブマトリクス型液晶表示パネル
の背面にバックライトを備え、 画素開口率の変化に対応して前記バックライトの配光特
性を変化させたことを特徴とする請求項第1ないし4い
ずれか記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. The backlight according to claim 1, wherein a backlight is provided on a back surface of the active matrix type liquid crystal display panel, and a light distribution characteristic of the backlight is changed according to a change in a pixel aperture ratio. The active matrix liquid crystal display device according to any one of the above.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100593611B1 (en) * 1999-09-20 2006-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display

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