JPH10190406A - 高周波弾性表面波フィルタとその製造方法 - Google Patents

高周波弾性表面波フィルタとその製造方法

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JPH10190406A
JPH10190406A JP27868597A JP27868597A JPH10190406A JP H10190406 A JPH10190406 A JP H10190406A JP 27868597 A JP27868597 A JP 27868597A JP 27868597 A JP27868597 A JP 27868597A JP H10190406 A JPH10190406 A JP H10190406A
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piezoelectric substrate
acoustic wave
surface acoustic
wave filter
package
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JP27868597A
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Inventor
Yutaka Taguchi
豊 田口
Kazuo Eda
和生 江田
Keiji Onishi
慶治 大西
Shunichi Seki
関  俊一
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波弾性表面波フィルタにおいて、寄生成分
により周波数特性が左右される。 【解決手段】圧電性基板101上の2カ所以上の接地端
子104a,b,cを、圧電性基板101上およびパッ
ケージ110内で接続しない。また、パッケージ110
の入力端子102および出力端子103と接地端子10
4a,b,cとの間の容量Cと、該高周波弾性表面波フ
ィルタの通過中心周波数Fの関係を(但し容量Cの単位
は(ファラット゛(F))、通過中心周波数Fの単位は(Hz)であ
る)、 【数1】1/(2πFC)>130 とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波フィルタ、
特に高周波領域において使用する弾性表面波フィルタに
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、フィルタに使用するため、弾性表
面波素子の研究が盛んに行なわれてきた。特に最近の移
動体通信の発達、高周波化により、弾性表面波素子特に
弾性表面波フィルタの開発が盛んに行なわれている。
【0003】従来から高周波帯、特に数100MHzにお
いて、弾性表面波素子でフィルタを構成する方法は数種
類の方法が知られている。代表的なものとして特開昭5
2ー19044に示されるような弾性表面波共振子を複
数個使用してフィルタを構成するラダー型といわれるも
の、特開昭58ー154917に示されるような多電極
型といわれるもの、特開平3ー222512、昭61ー
230419、平1ー231417に示されるような弾
性表面波共振器を隣接して設置し、共振子間の結合を利
用した、いわゆる縦モード型などがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】最近、移動体通信の発
達により使用周波数帯が準マイクロ波の領域へ上がって
いる。従来であれば弾性表面波フィルタの特性はその電
極構成、圧電性基板の特性によって決定されていたが使
用周波数が高周波化されることによりそれ以外の要因、
特に寄生容量、インダクタの影響が無視できなくなって
きた。つまり寄生容量、インダクタの影響により弾性表
面波フィルタの特性が予想特性からはずれることが多く
なってきた。
【0005】例えば、図24は、圧電性基板として64
度YカットX伝搬のLiNbO3基板を使用し、中心周波数が
950MHzである3電極縦モード型フィルタの周波数
特性の計算値である。このフィルタを従来の構成で作製
した例が図26に示されている。即ち、図26は、従来
の高周波弾性表面波フィルタの構成図であり、特開平4
−33405にも記載されているように高周波でも良好
な接地端子を得るために、2つの接地端子を圧電性基板
101上で共通化104aしており、さらに、それを1
つの接地端子104cと、パッケージにおいて電気的に
接続して共通にしている。符号は図1の符号と同じなの
で図1の説明を援用する。この図26のフィルタの特性
を実測すると図25のようになる。図25から分かるよ
うに、従来の構成では、特に帯域外減衰量が図24の計
算値と一致していないことがわかる。
【0006】また、同一システム用であってもユーザー
により希望フィルタ特性が異なるが、従来の構造のフィ
ルタで、それに応えようとすると、複雑な寄生インダク
タが存在するため、設計が煩雑化し、生産管理、在庫管
理の煩雑化の原因となっていた。複雑なインダクタが生
じる原因は、図26図のように、圧電基盤101上で接
地端子104a,bが共通化され、また、104cはパ
ッケージ110で共通化されている(B−B’の図参
照)からである。なお、図28は従来の高周波弾性表面
波フィルタの模式図である。接地端子がパッケージ内で
共通であり、寄生インタクタンス115が存在する。
【0007】本発明は、従来の弾性表面波フィルタのこ
のような課題を考慮し、計算値に近いフィルタを作製す
ることができ、フィルタの作製精度を向上させることが
できる高周波弾性表面波フィルタを提供することを目的
とする。
【0008】また、本発明は、同一の圧電性基板、櫛形
電極の設計でありながら、所望の帯域外減衰の異なった
特性のフィルタを得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】われわれは高周波弾性表
面波フィルタに存在する寄生インダクタの影響を調査し
た。通常、圧電性基板上の弾性表面波を利用するフィル
タは前述のように縦モード共振子型とラダー型があげら
れる。これらの形式においては圧電性基板上に入力端
子、出力端子、接地端子が存在するがこの接地端子は2
カ所以上存在する場合が多い。種々検討した結果、この
接地端子をどこでお互いに接続するかということでフィ
ルタの特性が左右されることが多いということがわかっ
た。そこでこの接地端子を圧電性基板上でも、また圧電
性基板を格納しているパッケージ内でも接続せずに、最
終実装している基板上で接続することにより、より計算
に近い特性を持ったフィルタを作成することができるこ
とを発見した。
【0010】また、こうすることにより接地端子に異な
った値のインダクタをそれぞれ接続した状態を作り出す
ことができ、同一の圧電性基板、櫛形電極の設計であり
ながらその特性をコントロールする幅を広げることがで
きることを発見した。
【0011】一方、われわれは高周波弾性表面波フィル
タに存在する寄生容量、特にフィルタの信号線と接地端
子間に入る容量の影響を調査した。この容量値は主とし
て圧電体を格納しているパッケージの構造に起因する。
この容量はシミュレーション及び実測によって求められ
る。この容量値が大きくなると高周波弾性表面波フィル
タの外部回路との整合性が劣化し、その結果通過帯域の
帯域内リップルが大きくなる。理想的にはこの容量はな
い方がよいが、まったく0にすることは上記本発明でも
実質上は不可能である。
【0012】そこでこのパッケージの信号線(入力用端
子、出力用端子)と接地端子の間の容量Cと該弾性表面
波フィルタの通過中心周波数Fの関係が(但し容量Cの
単位は(ファラット゛(F)、入力用端子と出力用端子とで寄生容
量が異なる場合は大きい方)、通過中心周波数Fの単位
は(Hz)である)、(数1)
【0013】
【数1】1/(2πFC)> 130 であれば帯域内リップルをほぼ1.5dB以内にするこ
とができ特性上大きな影響ないことがわかった。
【0014】本発明は、圧電性基板上に櫛形電極を複数
形成してなる弾性表面波フィルタにおいて、圧電性基板
と、入力用の端子と、出力用の端子と、前記圧電性基板
上に設けられた少なくとも2カ所の接地端子とを備え、
それらの接地端子が前記圧電性基板上において接続され
てなく、さらに該圧電性基板を格納するパッケージにお
いても接続されていないことを特徴とする高周波弾性表
面波フィルタである。
【0015】また、本発明は、圧電性基板上に櫛形電極
を複数形成してなる弾性表面波フィルタにおいて、圧電
性基板と、入力用の端子と、出力用の端子と、前記圧電
性基板上に設けられた少なくとも2カ所の接地端子とを
備え、それらの接地端子の一部は前記圧電性基板上にお
いて接続されてなく、且つ該圧電性基板を格納してある
パッケージにおいても接続されておらず、また、それら
の接地端子の残りは前記圧電性基板あるいは前記パッケ
ージで接続されていることを特徴とする高周波弾性表面
波フィルタである。
【0016】また、本発明は、圧電性基板上に櫛形電極
を複数形成してなる弾性表面波フィルタにおいて、圧電
性基板と、入力用の端子と、出力用の端子と、前記圧電
性基板上に設けられた少なくとも3カ所の接地端子とを
備え、それらの接地端子の一部(A)は前記圧電性基板
上において接続されてなく、且つ該圧電性基板を格納し
てあるパッケージにおいても接続されておらず、また、
それらの接地端子の残り(B)は前記圧電性基板あるい
は前記パッケージで接続されており、前記接地端子の一
部(A)は複数個あり、それぞれに接続されているイン
ダクタの値が異なっていることを特徴とする高周波弾性
表面波フィルタである。
【0017】また、本発明は、圧電性基板上に櫛形電極
を複数形成してなる弾性表面波フィルタの製造方法にお
いて、圧電性基板と、入力用の端子と、出力用の端子
と、前記圧電性基板上に設けられた少なくとも2カ所の
接地端子とを備え、それらの接地端子の一部は前記圧電
性基板上において接続されてなく、且つ該圧電性基板を
格納してあるパッケージにおいても接続されておらず、
また、それらの接地端子の残りは前記圧電性基板あるい
は前記パッケージで接続されている高周波弾性表面波フ
ィルタを製造する際、それぞれの接地端子に接続されて
いるインダクタの値を調整することによって、所定のフ
ィルタ特性を得ることを特徴とする高周波弾性表面波フ
ィルタの製造方法である。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0019】(実施の形態1)図1は本発明に係る高周
波弾性表面波フィルタの実施の形態1を示す図であり、
高周波弾性表面波フィルタの内観図および図1中のA−
A’間とB−B’間の断面図を示している。101は圧
電性基板、102は圧電性基板上の入力端子、103は
圧電性基板上の出力端子、104a−cは圧電性基板上
の接地端子、110は圧電性基板を格納しているパッケ
ージ、111はパッケージの入力端子、112はパッケ
ージの出力端子、113a−dはパッケージの接地端
子、114はパッケージの外部接地端子である。
【0020】本実施の形態では、圧電性基板101とし
て64度YカットX伝搬のLINbO3基板を使用し、3電極
縦モード型の高周波弾性表面波フィルタを作製した。3
電極縦モード型フィルタは、入力櫛形電極105、出力
櫛形電極106および反射器107により構成される。
この3電極縦モード型フィルタ部分の設計は、図24に
示した従来例と同一である。また、本実施の形態での構
成は、圧電性基板101上の接地端子104a−cは圧
電性基板101上で接続されておらず、かつ、これら接
地端子104a−cは電気的に独立したパッケージ11
0の接地端子に接続されている。従って、本実施の形態
の高周波弾性表面波フィルタの接地端子104a−c
は、使用に当たりパッケージ110の外部接地端子11
4を経て最終実装されている基板上で接続されている。
【0021】以上のような構成にすることにより、パッ
ケージ110内での接地端子104a−cの接続がな
く、接地端子の面積が小さくすることができる。従っ
て、従来のパッケージのような接地端子の接続による接
続ラインのインダクタがなく、また、広面積の共通接地
端子がないため、この共通接地端子が原因となる寄生容
量は存在しない。よって、接地端子に係わる寄生インダ
クタおよび寄生容量を極力小さくすることができる。図
27は本発明の高周波弾性表面波フィルタの模式図であ
る。接地端子がパッケージ内でも独立している。
【0022】図2は前記本実施の形態の高周波弾性表面
波フィルタの実測の周波数特性図である。従来の高周波
弾性表面波フィルタと比較して、帯域外特性が改善さ
れ、設計値と一致した周波数特性を得ることができる。
【0023】以上のように、本実施の形態の高周波弾性
表面波フィルタによれば、接地端子に係わる寄生インダ
クタおよび寄生容量を小さくすることができ、設計値と
一致した良好な周波数特性が得られる。
【0024】(実施の形態2)図3は本発明に係る高周
波弾性表面波フィルタの実施の形態2を示す図である。
図1の実施の形態1との相違は、図1の圧電性基板上の
接地端子104aと104bが圧電性基板101上で接
続されているだけである。この場合の実測の周波数特性
を図4に示す。図2の実施の形態1と比較して、通過帯
域外のストップバンドがやや不明瞭になるだけで特性に
大きな変化はなかった。
【0025】次に、比較のために、図5のように、図1
の圧電性基板101上の接地端子104a、104bお
よび104cが全て共通接続されている場合を製造し
た。図1の接地端子104は入出力櫛形電極の間S,S
を経て、接地端子104a、bに接続している。この場
合の実測周波数特性を図6に示す。この場合、帯域外減
衰量が計算値より大きく劣化していることが分かる。こ
れは従来でも述べたように、共通化のための接続部が寄
生容量、寄生インダクタを発生しているためである。
【0026】以上より、3電極縦モード型のフィルタに
おいては入力側の櫛形電極の接地端子と出力側の櫛形電
極の接地端子は分離しておくことがよいことがわかる。
【0027】(実施の形態3)次に本発明の実施の形態
3を示す。圧電性基板として36度YカットX伝搬のLi
TaO3を使用し、ラダー型フィルタを構成した。その構成
を図7に示す。201が入力端子、202が出力端子、
203、204が接地端子、205が直列に接続されて
いる弾性表面波共振子、206が並列に接続されている
弾性表面波共振子である。
【0028】このフィルタの理論上の特性を図8に示
す。そこで、まず接地端子203、204が圧電性基板
上で接続した場合の特性を図9に示す。帯域外減衰量、
特に通過帯域より低いところに影響が大きくでている。
【0029】次に接地端子203、204を圧電性基板
を格納しているパッケージ内で接続した場合の特性を図
10に示す。図9よりは影響は軽減されているもののま
だ影響は残っている。
【0030】次に接地端子203、204をパッケージ
の外の最終実装基板で接続した場合、ほぼ計算どおりの
特性が得られた。
【0031】(実施の形態4)次に本発明の実施の形態
4を示す。圧電性基板として36度YカットX伝搬のLi
TaO3を使用し、ラダー型フィルタを構成した。本実施の
形態での構成は、圧電性基板上の接地端子は圧電性基板
上で接続されておらず、かつ、これら接地端子はパッケ
ージの外部接地端子を経て最終実装されている基板上で
接続されている。その回路構成を図11に示す。301
が入力端子、302が出力端子、303、304が接地
端子、305が直列に接続されている弾性表面波共振
子、306が並列に接続されている弾性表面波共振子で
ある。さらに、307、308が並列に接続されている
弾性表面波共振子に直列に接続されているそれぞれのイ
ンダクタである。上記接地端子が最終実装されている基
板上で接続されているから、それぞれのインダクタは、
圧電性基板上で共通接続されている場合に比べて、単純
な発生の仕方をするので、調整が簡単になる。そこで3
07、308の値が同一の場合の特性を図12、異なら
せた場合の特性を図13に示す。
【0032】このように簡単にこの値を調整することに
より帯域外減衰の特性を変更することができる。このイ
ンダクタをそれぞれ変更するには、図1のボンディング
ワイヤやビアの長さ、大きさを変更し、また図3の場合
は、さらに、共通化のための接続部の長さ、大きさを変
更して、インダクタを調節する事が容易に出来る。
【0033】なお、本発明の接地端子は上記実施の形態
では3個であったが、それ以上要するに複数個であれば
よい。
【0034】(実施の形態5)次に本発明の実施の形態
5を示す。圧電性基板として36度YカットX伝搬のLi
TaO3基板を使用し、ラダー型のフィルタを使用した。そ
の模式図を図14に示す。401がパッケージの入力端
子、402がパッケージの出力端子、403、404が
接地端子、405が入力側の信号線−接地端子間の容
量、406が出力側の信号線ー接地端子間の容量、40
7が直列に接続されている共振子、408が並列に接続
されている共振子である。
【0035】中心周波数が1.75GHzのフィルタを
作製した。まずこの信号線−接地端子間容量が0pFの場
合の特性を図15、図16に示す。図16は図15の通
過帯域付近を拡大した図である。これは実測できないの
でシミュレーションである。このようにきれいな波形を
示している。次に405、406が0.4pFの場合、
つまり上記(数1)の左辺が227.3の場合の特性を
図17、図18に示す。図18は図17 の通過帯域付
近を拡大した図である。このように図15の場合より通
過帯域内のリップルが大きくなっているが十分使用に耐
えうる特性を持っていることがわかる。次に405、4
06が0.7pFの場合、つまり(数1)の左辺がほぼ
130の場合の特性を図19、図20に示す。図20は
図19の通過帯域付近を拡大した図である。図15、図
17と比較すると特性が劣化し、特に通過帯域内のリッ
プルが1.5dB程度となり使用できるぎりぎりであること
がわかる。次に405、406が1.0pF の場合、つ
まり(数1)の左辺がほぼ90.9の場合の特性を図2
1、図22に示す。図22は図21の通過帯域付近を拡
大した図である。図15、図17、図19と比較すると
特性が劣化し、特に通過帯域内のリップルが2dBを越え
使用困難であることがわかる。
【0036】以上のように種々の中心周波数および信号
線−接地端子間の容量を変数とした(数1)の値と通過
帯域内リップルの関係を詳しく調べた結果を図23に示
す。図23からわかるように(数1)の値によって通過
帯域内リップルの値が連続的に変化することがわかる。
実用上許容できる通過帯域内リップルを1.5dBとすると
その境目は(数1)の値が130であり、130より大
きいと通過帯域内リップルは許容できる範囲内にある
が、130より小さくなると通過帯域内リップルが1.5d
B以上となり特性劣化が顕著となる。
【0037】なお、以上の実施の形態においては圧電性
基板として36度YカットX伝搬のLiTaO3を使用した
が、同様の効果が得られる圧電性基板であればよいこと
はいうまでもない。例えば水晶、41度YカットX伝搬
のLiNbO3でも同様の効果が得られる。また、電極は特に
指定していないがアルミニウム、銅をドープしたアルミ
ニウムなどでもその効果は変わらない。
【0038】また、フィルタのラダー型などのタイプに
ついても、任意のタイプに、本発明の全ては適用可能で
ある。
【0039】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明によればより計算値に近い高周波弾性表面波フィ
ルタを作成することができ、高周波弾性表面波フィルタ
の作製精度を向上させることができる。
【0040】また、本発明は、同一の圧電性基板、櫛形
電極の設計でありながら帯域外減衰の異なった特性の高
周波弾性表面波フィルタを得ることができる。
【0041】さらに、本発明によれば圧電性基板を収納
するパッケージの寄生成分の影響を把握することがで
き、かつその影響を考慮に入れた高周波弾性表面波フィ
ルタを作製することができ、高周波弾性表面波フィルタ
の作製精度、特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる高周波弾性表面波フィルタの実
施の形態1を示す構成図である。
【図2】本発明の実施の形態1における高周波弾性表面
波フィルタの周波数特性図である。
【図3】本発明に係わる高周波弾性表面波フィルタの実
施の形態2を示す構成図である。
【図4】本発明の実施の形態2における高周波弾性表面
波フィルタの周波数特性図である。
【図5】圧電性基板上の接地端子を全て圧電性基板上で
接続した高周波弾性表面波フィルタの構成図である。
【図6】圧電性基板上の接地端子を全て圧電性基板上で
接続した高周波弾性表面波フィルタの周波数特性図であ
る。
【図7】本発明に係わる高周波弾性表面波フィルタの実
施の形態3を示す構成図である。
【図8】本発明の実施の形態3における高周波弾性表面
波フィルタの理論周波数特性図である。
【図9】本発明の実施の形態3における高周波弾性表面
波フィルタの周波数特性図である。
【図10】本発明の実施の形態3における高周波弾性表
面波フィルタの周波数特性図である。
【図11】本発明に係わる高周波弾性表面波フィルタの
実施の形態4を示す構成図である。
【図12】本発明の実施の形態4における高周波弾性表
面波フィルタの周波数特性図である。
【図13】本発明の実施の形態4における高周波弾性表
面波フィルタの周波数特性図である。
【図14】本発明に係わる高周波弾性表面波フィルタの
実施の形態5を示す構成図である。
【図15】本発明の実施の形態5における高周波弾性表
面波フィルタの理論周波数特性図である。
【図16】図15において通過帯域付近を拡大した周波
数特性図である。
【図17】本発明の実施に形態5においてCが0.4p
Fのときの高周波弾性表面波フィルタの周波数特性図で
ある。
【図18】図17において通過帯域付近を拡大した周波
数特性図である。
【図19】本発明の実施に形態5においてCが0.7p
Fのときの高周波弾性表面波フィルタの周波数特性図で
ある。
【図20】図19において通過帯域付近を拡大した周波
数特性図である。
【図21】本発明の実施に形態5においてCが1.0p
Fのときの高周波弾性表面波フィルタの周波数特性図で
ある。
【図22】図21において通過帯域付近を拡大した周波
数特性図である。
【図23】本発明の実施の形態5において高周波弾性表
面波フィルタの中心周波数および信号線−接地端子間の
容量と通過帯域内リップルとの関係図である。
【図24】64度YカットX伝搬のLiNbO3基板を用いた
中心周波数が950MHzである3電極縦モードフィル
タの理論周波数特性図である。
【図25】従来の構成による高周波弾性表面波フィルタ
の周波数特性図である。
【図26】従来の高周波弾性表面波フィルタの構成図で
ある。
【図27】本発明の高周波弾性表面波フィルタの模式図
である。
【図28】従来の高周波弾性表面波フィルタの模式図で
ある。
【符号の説明】
101 圧電性基板 102 圧電性基板上の入力端子 103 圧電性基板上の出力端子 104a、104b、104c、104d 圧電性基板
上の接地端子 110 圧電性基板を収納しているパッケージ 111 パッケージの入力端子 112 パッケージの出力端子 113a、113b、113c、113d パッケージ
の接地端子 114 パッケージの外部接地端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 俊一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電性基板上に櫛形電極を複数形成して
    なる弾性表面波フィルタにおいて、圧電性基板と、入力
    用の端子と、出力用の端子と、前記圧電性基板上に設け
    られた少なくとも2カ所の接地端子とを備え、それらの
    接地端子が前記圧電性基板上において接続されてなく、
    さらに該圧電性基板を格納するパッケージにおいても接
    続されていないことを特徴とする高周波弾性表面波フィ
    ルタ。
  2. 【請求項2】 それぞれの接地端子に接続されているイ
    ンダクタの値が異なっていることを特徴とする請求項1
    記載の高周波弾性表面波フィルタ。
  3. 【請求項3】 圧電性基板上に櫛形電極を複数形成して
    なる弾性表面波フィルタにおいて、圧電性基板と、入力
    用の端子と、出力用の端子と、前記圧電性基板上に設け
    られた少なくとも2カ所の接地端子とを備え、それらの
    接地端子の一部は前記圧電性基板上において接続されて
    なく、且つ該圧電性基板を格納してあるパッケージにお
    いても接続されておらず、また、それらの接地端子の残
    りは前記圧電性基板あるいは前記パッケージで接続され
    ていることを特徴とする高周波弾性表面波フィルタ。
  4. 【請求項4】 圧電性基板上に櫛形電極を複数形成して
    なる弾性表面波フィルタにおいて、圧電性基板と、入力
    用の端子と、出力用の端子と、前記圧電性基板上に設け
    られた少なくとも3カ所の接地端子とを備え、それらの
    接地端子の一部(A)は前記圧電性基板上において接続
    されてなく、且つ該圧電性基板を格納してあるパッケー
    ジにおいても接続されておらず、また、それらの接地端
    子の残り(B)は前記圧電性基板あるいは前記パッケー
    ジで接続されており、前記接地端子の一部(A)は複数
    個あり、それぞれに接続されているインダクタの値が異
    なっていることを特徴とする高周波弾性表面波フィル
    タ。
  5. 【請求項5】 圧電性基板上に櫛形電極を複数形成して
    なる弾性表面波フィルタにおいて、信号の入力用端子及
    び出力用端子と、接地端子との間の容量C(ファラット゛(F))
    と該弾性表面波フィルタの通過中心周波数FHz)の関係
    が、 【数1】1/(2πFC)> 130 であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれ
    かに記載の高周波弾性表面波フィルタ。
  6. 【請求項6】 圧電性基板上に櫛形電極を複数形成して
    なる弾性表面波フィルタの製造方法において、圧電性基
    板と、入力用の端子と、出力用の端子と、前記圧電性基
    板上に設けられた少なくとも2カ所の接地端子とを備
    え、それらの接地端子の一部は前記圧電性基板上におい
    て接続されてなく、且つ該圧電性基板を格納してあるパ
    ッケージにおいても接続されておらず、また、それらの
    接地端子の残りは前記圧電性基板あるいは前記パッケー
    ジで接続されている高周波弾性表面波フィルタを製造す
    る際、それぞれの接地端子に接続されているインダクタ
    の値を調整することによって、所定のフィルタ特性を得
    ることを特徴とする高周波弾性表面波フィルタの製造方
    法。
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