JPH10190138A - Driving circuit for optical device - Google Patents

Driving circuit for optical device

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JPH10190138A
JPH10190138A JP34090796A JP34090796A JPH10190138A JP H10190138 A JPH10190138 A JP H10190138A JP 34090796 A JP34090796 A JP 34090796A JP 34090796 A JP34090796 A JP 34090796A JP H10190138 A JPH10190138 A JP H10190138A
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transistor
voltage
control signal
circuit
resistor
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Isao Tsuyama
功 津山
Tomoji Kuroyanagi
智司 黒柳
Tetsuya Nishi
哲也 西
Kenichi Sato
健一 佐藤
Masabumi Koga
正文 古賀
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Fujitsu Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lower the voltage of a driving circuit for an optical device, such as the semiconductor laser, optical switch, etc., and to reduce the power consumption of the circuit. SOLUTION: A driving circuit for optical device is provided with transistors Q1-Qn which are respectively connected in series with a plurality of optical devices P1-Pn, a resistor RE, switch circuits S1-Sn for turning on the transistors Q1Qn by using control signals, and an operation amplifier OPA which forms a constant-current circuit by inputting the voltage across both ends of the resistor RE to its (-) terminal and a reference voltage Vr to its (+) terminal and applying its output voltage across the bases of the transistors through the switch circuits S1-Sn between power terminals. Since the transistors Q1-Qn which are respectively connected in series with the optical devices P1-Pn are constituted in one stage, the voltage of the driving circuit can be lowered and the power consumption of the circuit can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザや光
スイッチ等の光デバイスの駆動回路に関する。電気光学
効果素子,熱光学効果素子,液晶等を利用して光信号の
切替えや強度変調等を行う光スイッチ素子、或いは半導
体レーザや発光ダイオード等の光源素子等を含む光デバ
イスは、小型化と共に駆動電圧の低電圧化が進められて
いる。それに伴って駆動回路の低電圧化並びに低消費電
力化が要望されている。
The present invention relates to a driving circuit for an optical device such as a semiconductor laser or an optical switch. An optical device including an electro-optic effect device, a thermo-optic effect device, an optical switch device for switching an optical signal or modulating an intensity by using a liquid crystal, or an optical device including a light source device such as a semiconductor laser or a light-emitting diode is becoming smaller. Drive voltages have been reduced. Accordingly, there is a demand for lower voltage and lower power consumption of drive circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は従来例の駆動回路の説明図であ
り、P1〜Pnは光デバイス、Q1〜Qnは光デバイス
P1〜Pn対応に接続したトランジスタ、Q0は定電流
回路を構成する制御用トランジスタ、RE は抵抗、OP
Aは演算増幅器、Vrは基準電圧、VC ,VE は電源電
圧、I1〜Inは駆動電流を示す。なお、光デバイスP
1〜Pnは入力光信号を選択して出力光信号とする光ス
イッチの場合を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is an explanatory view of a conventional driving circuit, wherein P1 to Pn are optical devices, Q1 to Qn are transistors connected corresponding to the optical devices P1 to Pn, and Q0 is a control for forming a constant current circuit. Transistor, RE is a resistor, OP
A operational amplifier, Vr is the reference voltage, V C, V E is the power supply voltage, I1 to indicate the drive current. The optical device P
1 to Pn show the case of an optical switch that selects an input optical signal and uses it as an output optical signal.

【0003】トランジスタQ1〜Qnのコレクタを光デ
バイスP1〜Pnの駆動用端子に接続し、ベースに制御
信号を印加し、エミッタを共通に接続して制御用トラン
ジスタQ0のコレクタに接続し、制御用トランジスタQ
0のエミッタに抵抗RE を接続し、ベースに演算増幅器
OPAの出力電圧を印加するように構成し、演算増幅器
OPAは、抵抗RE の端子電圧と基準電圧とを比較し
て、その差分に相当する出力電圧を制御用トランジスタ
Q0のベースに印加することにより、制御用トランジス
タQ0を含めて定電流回路を構成している。
The collectors of the transistors Q1 to Qn are connected to the driving terminals of the optical devices P1 to Pn, a control signal is applied to the base, the emitters are connected in common, and the collectors are connected to the collector of the control transistor Q0. Transistor Q
0 of emitter connected to resistor R E, and configured to apply the output voltage of the operational amplifier OPA base, the operational amplifier OPA compares the terminal voltage and the reference voltage of the resistor R E, to the difference By applying a corresponding output voltage to the base of the control transistor Q0, a constant current circuit including the control transistor Q0 is formed.

【0004】従って、何れか一つの制御信号が例えばト
ランジスタQ2のベースに入力されると、そのトランジ
スタQ2はオンとなり、制御用トランジスタQ0と演算
増幅器OPAとにより構成された定電流回路に流れる一
定化された電流がトランジスタQ2を介して光デバイス
P2に供給され、この光デバイスP2がオンとなること
により、この光デバイスP2を介して光信号が出力され
る。即ち、制御信号によって光デバイスP1〜Pnの何
れかを選択してオンとすることができる。
Accordingly, when any one of the control signals is input to, for example, the base of the transistor Q2, the transistor Q2 is turned on, and the constant current flowing through the constant current circuit formed by the control transistor Q0 and the operational amplifier OPA is obtained. The supplied current is supplied to the optical device P2 via the transistor Q2, and when the optical device P2 is turned on, an optical signal is output via the optical device P2. That is, any one of the optical devices P1 to Pn can be selected and turned on by the control signal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来例の駆動回路は、
光デバイスP1〜Pnと、トランジスタQ1〜Qnと、
制御用トランジスタQ0と、抵抗RE との直列回路に、
電源電圧VC ,VE が印加される構成となり、トランジ
スタQ1〜Qnと制御用トランジスタQ0との直列2段
構成であるから、最低でも2個のトランジスタのコレク
タ・エミッタ間電圧を必要とすることになる。従って、
低電圧化並びに低消費電力化にも限度があった。本発明
は、トランジスタの1段構成により、低電圧化並びに低
消費電力化を図ることを目的とする。
The drive circuit of the prior art is
Optical devices P1 to Pn, transistors Q1 to Qn,
A control transistor Q0, a series circuit of a resistor R E,
Since the power supply voltages V C and V E are applied and the transistors Q1 to Qn and the control transistor Q0 are in a two-stage series configuration, a voltage between the collector and the emitter of at least two transistors is required. become. Therefore,
There is also a limit to the reduction in voltage and power consumption. An object of the present invention is to achieve low voltage and low power consumption with a single-stage transistor structure.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の光デバイスの駆
動回路は、(1)電源端子間に複数の光デバイスとそれ
ぞれ直列に接続したトランジスタQ1〜Qn及び抵抗R
E と、制御信号によってトランジスタQ1〜Qnをオン
とする為のスイッチ回路S1〜Snと、抵抗R E の両端
の電圧を基準電圧と比較してオン状態のスイッチ回路を
介してトランジスタに帰還し、定電流回路を構成する演
算増幅器OPAとを備えている。即ち、光デバイスに直
列に接続したトランジスタQ1〜Qnは、1段構成とな
るから、低電圧化並びに低消費電力化を図ることができ
る。
According to the present invention, there is provided a drive for an optical device of the present invention.
The driving circuit consists of (1) a plurality of optical devices between
Transistors Q1-Qn and a resistor R connected in series
EAnd the transistors Q1 to Qn are turned on by the control signal.
Switch circuits S1 to Sn and a resistor R EBoth ends of
Of the ON state by comparing the voltage of
Back to the transistor through the
And an operational amplifier OPA. That is, the optical device
The transistors Q1 to Qn connected to the column have a one-stage configuration.
Therefore, lower voltage and lower power consumption can be achieved.
You.

【0007】又(2)電源端子間に複数の光デバイスと
それぞれ直列に接続したトランジスタ及び抵抗と、電源
端子間に接続した制御用トランジスタ及び抵抗と、この
制御用トランジスタに接続した抵抗の両端の電圧と基準
電圧とを比較して、制御用トランジスタに帰還して定電
流回路を構成する演算増幅器と、この演算増幅器の出力
電圧を、制御信号に従ってトランジスタのベースに印加
するスイッチ回路とを備えている。即ち、光デバイスに
直列に接続したトランジスタは、1段構成となり、又制
御用トランジスタと演算増幅器とによる定電流回路の演
算増幅器の出力電圧を、制御信号に従ってスイッチ回路
を介してトランジスタに帰還するから、複数の光デバイ
スを同時に駆動することができる。
(2) Transistors and resistors respectively connected in series with a plurality of optical devices between power supply terminals, control transistors and resistors connected between power supply terminals, and both ends of the resistor connected to the control transistor An operational amplifier that compares a voltage with a reference voltage and feeds back to the control transistor to form a constant current circuit; and a switch circuit that applies an output voltage of the operational amplifier to a base of the transistor according to a control signal. I have. That is, the transistor connected in series to the optical device has a one-stage configuration, and the output voltage of the operational amplifier of the constant current circuit including the control transistor and the operational amplifier is fed back to the transistor via the switch circuit according to the control signal. , A plurality of optical devices can be driven simultaneously.

【0008】又(3)スイッチ回路は、トランジスタの
ベースと制御信号の入力端子との間に、この制御信号が
逆バイアス状態で印加されるように接続した第1のダイ
オードと、演算増幅器の出力端子とトランジスタのベー
スとの間に、第1のダイオードが制御信号により逆バイ
アス状態の時に順バイアス状態となって、演算増幅器の
出力電圧をトランジスタのベースに印加する第2のダイ
オードとにより構成することができる。
(3) The switch circuit includes a first diode connected between the base of the transistor and an input terminal of the control signal so that the control signal is applied in a reverse bias state, and an output of the operational amplifier. A second diode is provided between the terminal and the base of the transistor, the first diode being in a forward-biased state when the first diode is in a reverse-biased state by a control signal, and applying the output voltage of the operational amplifier to the base of the transistor. be able to.

【0009】又(4)スイッチ回路は、制御信号を一方
はそのまま、他方はインバータINVを介してそれぞれ
ゲートに印加する相補型の電界効果トランジスタQP,
QNの並列接続により構成することができる。
(4) The switch circuit applies a complementary field-effect transistor QP, which applies a control signal to one of the gates of the other through the inverter INV.
It can be configured by QN parallel connection.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
の説明図であり、P1〜Pnは光デバイス、Q1〜Qn
はトランジスタ、R1〜Rn,RE は抵抗、S1〜Sn
はスイッチ回路、OPAは演算増幅器、Vrは基準電
圧、VC ,VE は電源電圧、VB はバイアス用の電圧を
示す。
FIG. 1 is an explanatory view of a first embodiment of the present invention, wherein P1 to Pn are optical devices, and Q1 to Qn.
The transistor, R1~Rn, R E is resistance, S1~Sn
Represents a switch circuit, OPA represents an operational amplifier, Vr represents a reference voltage, V C and VE represent a power supply voltage, and V B represents a bias voltage.

【0011】又スイッチ回路S1〜Snは、例えば、下
方に示すように、pチャネル電界効果トランジスタQP
と、nチャネル電界効果トランジスタQNとの相補型の
電界効果トランジスタを並列に接続し、制御信号cnt
を一方のゲートにはそのまま、他方のゲートにはインバ
ータINVを介して印加する構成のアナログスイッチ回
路とすることができる。
The switch circuits S1 to Sn include, for example, a p-channel field effect transistor QP as shown below.
And an n-channel field effect transistor QN and a complementary field effect transistor are connected in parallel, and a control signal cnt
Can be applied to one gate as it is, and to the other gate via an inverter INV.

【0012】又光デバイスP1〜Pn対応のトランジス
タQ1〜Qnと、抵抗R1〜Rnと、スイッチ回路S1
〜Snと、共通の抵抗RE と、演算増幅器OPAとを含
み、トランジスタQ1〜Qnのコレクタに光デバイスP
1〜Pnの駆動端子を接続し、コレクタに共通の抵抗R
E を接続し、ベースにスイッチ回路S1〜Snを介して
演算増幅器OPAの出力端子を接続すると共に、抵抗R
1〜Rnを接続し、演算増幅器OPAの−端子に抵抗R
E の両端の電圧を入力し、+端子に基準電圧Vrを入力
し、それらの差分に相当する出力電圧を、制御信号によ
ってオンとなったスイッチ回路を介してトランジスタの
ベースに印加する構成を有するものである。
Also, transistors Q1 to Qn corresponding to the optical devices P1 to Pn, resistors R1 to Rn, and a switch circuit S1
, Sn, a common resistor R E, and an operational amplifier OPA.
1 to Pn, and a common resistor R
E , the output terminal of the operational amplifier OPA is connected to the base via the switch circuits S1 to Sn, and the resistor R
1 to Rn, and a resistor R is connected to the negative terminal of the operational amplifier OPA.
The voltage at both ends of E is input, the reference voltage Vr is input to the + terminal, and the output voltage corresponding to the difference is applied to the base of the transistor via the switch circuit turned on by the control signal. Things.

【0013】従って、光デバイスP1〜Pnと、トラン
ジスタQ1〜Qnと、抵抗RE との直列回路に電源電圧
C ,VE が印加され、スイッチ回路S1〜Snを相補
型の電界効果トランジスタQP,QNにより構成した場
合、制御信号cntが何れか一つのスイッチ回路に入力
されることにより、そのスイッチ回路はオンとなり、演
算増幅器OPAの出力電圧がトランジスタのベースに印
加されて、そのトランジスタはオン状態となる。
[0013] Thus, the optical device P1 to Pn, and the transistor Q1 to Qn, the resistor power supply voltage V C to the series circuit of the R E, V E is applied, the switch circuit S1~Sn of complementary field effect transistor QP , QN, the control signal cnt is input to one of the switch circuits, the switch circuit is turned on, the output voltage of the operational amplifier OPA is applied to the base of the transistor, and the transistor is turned on. State.

【0014】例えば、スイッチ回路S2が制御信号によ
りオンとなると、演算増幅器OPAの出力電圧がトラン
ジスタQ2のベースに印加されて、このトランジスタQ
2はオン状態となり、光デバイスP2にトランジスタQ
2及び抵抗RE を介して電流が流れる。この電流に比例
した抵抗RE の両端の電圧と、基準電圧Vrとを演算増
幅器OPAに入力し、その差分に対応する出力電圧とな
るから、その出力電圧が零となるように、トランジスタ
Q2を介して流れる電流が制御される。
For example, when the switch circuit S2 is turned on by a control signal, the output voltage of the operational amplifier OPA is applied to the base of the transistor Q2,
2 is turned on, and the transistor Q is connected to the optical device P2.
Current flows through the 2 and resistor R E. The voltage across the resistor R E which is proportional to this current, and a reference voltage Vr inputted to the operational amplifier OPA, since the output voltage corresponding to the difference, so that the output voltage becomes zero, transistor Q2 The current flowing through is controlled.

【0015】即ち、制御信号cntによりオンとなった
スイッチ回路と、このオンとなったスイッチ回路がベー
スに接続されたトランジスタと、抵抗RE と、演算増幅
器OPAとにより、定電流回路を構成するボルテージフ
ォロワ型の電圧−電流変換器が形成される。この場合、
演算増幅器OPAの開放利得が充分に大きく、且つ入力
インピーダンスが充分に高いと、演算増幅器OPAの−
端子には+端子と同一の電位Vrが生じることになるか
ら、I=(Vr−VE )/RE の一定の電流が光デバイ
スに供給される。
[0015] That is, a switch circuit turned on by the control signal cnt, a transistor switch circuit is connected to the base became this on, the resistance R E, by an operational amplifier OPA, constitute a constant current circuit A voltage follower type voltage-current converter is formed. in this case,
If the open gain of the operational amplifier OPA is sufficiently large and the input impedance is sufficiently high,-
Is because so that the same potential Vr and + terminal occurs terminal, a constant current I = (Vr-V E) / R E is supplied to the optical device.

【0016】又トランジスタQ1〜Qnのベースに接続
した抵抗R1〜Rnに対して、共通に接続した端子の電
位VB について、VB =Vr+Vth(但し、Vth=トラ
ンジスタQ1〜Qnの閾値)近傍に設定することによ
り、トランジスタQ1〜Qnを高速駆動して光デバイス
P1〜Pnの高速駆動が可能となる。又パワーダウン等
の為に、トランジスタQ1〜Qnを総てオフ状態とする
場合は、VB ≒VE とすることができる。
[0016] Also with respect to resistance R1~Rn connected to the base of transistor Q1 to Qn, the potential V B terminal connected to a common, V B = Vr + V th ( where, V th = transistor threshold Q1 to Qn) By setting it near, the transistors Q1 to Qn can be driven at high speed, and the optical devices P1 to Pn can be driven at high speed. When all the transistors Q1 to Qn are turned off for power down or the like, V B ≒ V E can be satisfied.

【0017】前述のように、光デバイスP1〜Pnに対
して1段構成のトランジスタQ1〜Qnにより駆動する
ことが可能となり、従来例の2段構成に比較して低電圧
化並びに低消費電力化が可能となる。又この実施の形態
は、複数の光デバイスP1〜Pnの何れか一つを選択し
て駆動する構成の場合であるが、光デバイスP1〜Pn
を複数のグループとし、各グループ対応に前述の駆動回
路を設けることにより、グループ毎に一つの光デバイス
を選択駆動し、全体として複数の光デバイスを同時に駆
動する構成とすることも可能である。
As described above, the optical devices P1 to Pn can be driven by the one-stage transistors Q1 to Qn, and the voltage and power consumption are reduced as compared with the conventional two-stage configuration. Becomes possible. In this embodiment, a configuration is adopted in which any one of the plurality of optical devices P1 to Pn is selected and driven.
May be divided into a plurality of groups, and the above-described drive circuits may be provided for each group, so that one optical device is selectively driven for each group, and a plurality of optical devices can be simultaneously driven as a whole.

【0018】又スイッチ回路S1〜Snを、相補型の電
界効果トランジスタQP,QNにより構成した場合、単
一の電界効果トランジスタにより構成した場合に比較し
て、制御信号cntの電圧値のばらつきによるオン抵抗
のばらつきを低減することができ、光デバイスP1〜P
nの選択駆動を安定化することができる。
When the switch circuits S1 to Sn are constituted by complementary field-effect transistors QP and QN, the on-state due to the variation in the voltage value of the control signal cnt is smaller than that when the switch circuits S1 to Sn are constituted by a single field-effect transistor. Resistance variations can be reduced, and the optical devices P1 to P
The selection driving of n can be stabilized.

【0019】図2は本発明の第2の実施の形態の説明図
であり、図1と同一符号は同一部分を示し、D11〜D
1nは第1のダイオード、D21〜D2nは第2のダイ
オード、PV1〜PVnは電圧駆動の光デバイス、RP
1〜RPnは電流・電圧変換用の抵抗を示す。
FIG. 2 is an explanatory view of a second embodiment of the present invention. The same reference numerals as in FIG.
1n is a first diode, D21 to D2n are second diodes, PV1 to PVn are voltage-driven optical devices, RP
1 to RPn indicate resistors for current / voltage conversion.

【0020】この実施の形態は、図1に於けるスイッチ
回路S1〜Snを、第1のダイオードD11〜D1nと
第2のダイオードD21〜D2nとにより構成した場合
を示し、トランジスタQ1〜Qnのベースに抵抗R1〜
Rnを介して電圧VB を印加し、且つ第1のダイオード
D11〜D1nを、制御信号が逆バイアス状態で印加さ
れる極性でトランジスタQ1〜Qnのベースと制御信号
の入力端子との間に接続し、又第2のダイオードD21
〜Q2nを、第1のダイオードD11〜D1nが逆バイ
アス状態の時に、共通の抵抗RE の両端の電圧が演算増
幅器OPAを介してトランジスタのベースに帰還される
極性でトランジスタQ1〜Qnのベースと演算増幅器O
PAの出力端子との間に接続する。
This embodiment shows a case where the switch circuits S1 to Sn in FIG. 1 are constituted by first diodes D11 to D1n and second diodes D21 to D2n, and the bases of transistors Q1 to Qn are shown. And resistors R1 to
The voltage V B is applied through Rn, and connecting the first diode D11~D1n, between the base of the transistor Q1~Qn in polarity control signal is applied in a reverse bias state and the input terminal of the control signal And the second diode D21
The ~Q2n, when the first diode D11~D1n reverse bias state, and the base of the polarity transistor Q1~Qn the voltage across the common resistor R E is fed back to the base of the transistor via the operational amplifier OPA Operational amplifier O
Connect between PA output terminal.

【0021】制御信号が入力されずに、第1のダイオー
ドD11〜D1nが抵抗R1〜Rnを介して電圧VB
より順バイアス状態となっていると、トランジスタQ1
〜Qnはオフ状態となる。又例えば、第1のダイオード
D12に制御信号が逆バイアス状態となるように印加さ
れると、トランジスタQ2のベースに抵抗R2を介して
電圧VB が印加され、トランジスタQ2はオン状態とな
り、又ダイオードD22は順バイアス状態となる。そし
て、演算増幅器OPAの−端子に、抵抗RE の両端の電
圧が入力され、+端子に基準電圧Vrに入力されるか
ら、それらの差分に相当する出力電圧が第2のダイオー
ドD21〜D2nに逆バイアス状態で加えられ、ダイオ
ードD22を介してトランジスタQ2のベースに演算増
幅器OPAの出力電圧が帰還されることになるから、I
=(Vr−VE )/RE の一定の電流が流れるボルテー
ジフォロワ型の電圧−電流変換器が形成される。
[0021] without the control signal is input, the first diode D11~D1n becomes forward biased by a voltage V B through a resistor R1 to Rn, the transistor Q1
To Qn are turned off. Also for example, when the control signal to the first diode D12 is applied to a reverse bias state, a voltage V B is applied through a resistor R2 to the base of the transistor Q2, the transistor Q2 is turned on, and the diode D22 is in a forward bias state. Then, the operational amplifier OPA - the terminal, the voltage across the resistor R E is input from the input to the reference voltage Vr to the positive terminal, the output voltage corresponding to the difference between these second diode D21~D2n Since the output voltage of the operational amplifier OPA is fed back to the base of the transistor Q2 via the diode D22 in a reverse bias state,
= (Vr-V E) / R voltage of the voltage follower type which constant current flows in the E - current converter is formed.

【0022】又抵抗RP2に一定の電流Iが流れるか
ら、電圧駆動の光デバイスPV2に一定電圧が印加され
て駆動されることになる。従って、電圧駆動の光スイッ
チ等の光デバイスPV1〜PVnを総てオフ又は何れか
一つをオンとして駆動することができる。この場合、制
御信号を基準電圧Vr近傍を中心にした振幅値とするこ
とにより、高速駆動が可能となる。又パワーダウン等の
為にトランジスタQ1〜Qnを総てオフとする場合を含
む時は、制御信号のローレベルを電圧VE とほぼ同一電
位とすれば良いことになる。
Since a constant current I flows through the resistor RP2, a constant voltage is applied to the voltage-driven optical device PV2 to drive it. Therefore, all the optical devices PV1 to PVn such as voltage-driven optical switches can be turned off or any one of them can be turned on. In this case, by setting the control signal to have an amplitude value centered on the vicinity of the reference voltage Vr, high-speed driving can be performed. Also when including the case to all off the transistor Q1~Qn for such power-down would the low level of the control signal may be substantially the same potential as the voltage V E.

【0023】図3は本発明の第3の実施の形態の説明図
であり、図1と同一符号は同一部分を示し、Q0は制御
用トランジスタ、S0は制御用のスイッチ回路、R0,
E0〜REnは抵抗である。
FIG. 3 is an explanatory view of a third embodiment of the present invention. The same reference numerals as in FIG. 1 denote the same parts, Q0 is a control transistor, S0 is a control switch circuit, and R0,
R E0 to R En are resistors.

【0024】この実施の形態は、光デバイスP1〜Pn
の駆動端子にコレクタを接続したトランジスタQ1〜Q
nのエミッタにそれぞれ抵抗RE1〜REnを接続し、制御
用トランジスタQ0のエミッタに接続した抵抗RE0の両
端の電圧を演算増幅器OPAの−端子に入力し、+端子
に基準電圧Vrを入力し、制御用のスイッチS0を介し
て制御用トランジスタQ0のベースに演算増幅器OPA
の出力電圧を加えると共に、この出力電圧をスイッチS
1〜Snを介してトランジスタQ1〜Qnのベースに加
える構成としたものである。
In this embodiment, the optical devices P1 to Pn
Transistors Q1 to Q2 whose collectors are connected to the drive terminals of
The resistors R E1 to R En are respectively connected to the emitters of n, the voltage across the resistor R E0 connected to the emitter of the control transistor Q0 is input to the minus terminal of the operational amplifier OPA, and the reference voltage Vr is input to the plus terminal. The operational amplifier OPA is connected to the base of the control transistor Q0 via the control switch S0.
And the output voltage of the switch S
This is configured to be added to the bases of the transistors Q1 to Qn via 1 to Sn.

【0025】従って、制御用のスイッチS0をオンとす
ることにより、トランジスタQ0,抵抗RE0,演算増幅
器OPAトランジスタを含めてボルテージフォロワ型の
電圧−電流変換器が形成され、トランジスタQ0には基
準電圧Vrに対応した一定の電流が流れる。この場合、
制御用のスイッチS0は省略し、常時制御用のトランジ
スタQ0をオン状態としておくことができる。
Therefore, by turning on the control switch S0, a voltage follower type voltage-current converter including the transistor Q0, the resistor R E0 and the operational amplifier OPA transistor is formed. A constant current corresponding to Vr flows. in this case,
The control switch S0 can be omitted, and the control transistor Q0 can be kept on at all times.

【0026】又R0=R1=R2・・・・=Rnとして
比較的高抵抗とし、又RE0=RE1=RE2・・・=REn
することにより、スイッチ回路S1〜Snを制御信号に
よって同時に複数個オンとした時に、オン状態のスイッ
チ回路S1〜Sn対応のトランジスタQ1〜Qnがオン
となって、同時に複数の光デバイスP1〜Pnをそれぞ
れ同一の電流によって駆動することができる。
By setting R0 = R1 = R2... = Rn to make the resistance relatively high, and by setting R E0 = R E1 = R E2 ... = R En to control the switch circuits S1 to Sn. When the plurality of switches are simultaneously turned on, the transistors Q1 to Qn corresponding to the switch circuits S1 to Sn in the on state are turned on, and the plurality of optical devices P1 to Pn can be simultaneously driven by the same current.

【0027】この実施の形態に於いても、光デバイスP
1〜Pnに対して1段構成のトランジスタQ1〜Qnに
より駆動することが可能となり、従来例の2段構成に比
較して低電圧化並びに低消費電力化が可能となる。又前
述の第1,第2の実施の形態は、何れか一つのトランジ
スタをオンとする場合を示すが、この第3の実施の形態
に於いては、同時に複数のトランジスタをオンとして、
複数の光デバイスに同一の電流を供給して駆動すること
ができる。
In this embodiment, the optical device P
1 to Pn can be driven by one-stage transistors Q1 to Qn, so that lower voltage and lower power consumption can be achieved as compared with the conventional two-stage transistor. Although the first and second embodiments show a case where any one of the transistors is turned on, in the third embodiment, a plurality of transistors are turned on at the same time.
A plurality of optical devices can be driven by supplying the same current.

【0028】図4は本発明の第4の実施の形態の説明図
であり、図3と同一符号は同一部分を示し、D11〜D
1nは第1のダイオード、D20〜D2nは第2のダイ
オードであり、図3に於けるスイッチ回路S0〜Snを
第1,第2のダイオードにより構成した場合を示す。
FIG. 4 is an explanatory view of a fourth embodiment of the present invention, wherein the same reference numerals as in FIG.
1n is a first diode, D20 to D2n are second diodes, and show a case where the switch circuits S0 to Sn in FIG. 3 are constituted by first and second diodes.

【0029】トランジスタQ0〜Qnのベースに、抵抗
R0〜Rnを接続して電圧VB を印加する構成とし、且
つ第1のダイオードD11〜D1nを、制御信号の入力
端子とトランジスタQ1〜Qnのベースとの間に、制御
信号が逆バイアスとなる極性で接続する。又第2のダイ
オードD21〜D2nを、演算増幅器OPAの出力端子
とトランジスタQ1〜Qnのベースとの間に、第1のダ
イオードD11〜D1nが逆バイアス状態の時に電圧V
B により順バイアスとなる極性で接続する。
The base of the transistor Q0~Qn, by connecting a resistor R0~Rn a structure for applying a voltage V B, and the first diode D11~D1n, based input terminal of transistor Q1~Qn control signal And the control signal is connected with a polarity that causes a reverse bias. The second diodes D21 to D2n are connected between the output terminal of the operational amplifier OPA and the bases of the transistors Q1 to Qn when the first diodes D11 to D1n are in a reverse bias state.
Connect with a polarity that becomes a forward bias by B.

【0030】従って、制御用のトランジスタQ0は、抵
抗R0を介してベース電流が流れる状態となるから、常
時オン状態となり、抵抗RE0の両端の電圧と基準電圧V
rとが演算増幅器OPAに入力され、第2のダイオード
D20を介して制御用トランジスタQ0のベースに帰還
される構成となるから、前述の場合の同様に、ボルテー
ジフォロワ型の電圧−電流変換器が形成され、制御用ト
ランジスタQ0には一定の電流が流れる。
Accordingly, the control transistor Q0 is in a state where the base current flows through the resistor R0, and is always on, and the voltage across the resistor RE0 and the reference voltage V
r is input to the operational amplifier OPA and is fed back to the base of the control transistor Q0 via the second diode D20. Therefore, as in the case described above, the voltage follower type voltage-current converter is used. Thus, a constant current flows through the control transistor Q0.

【0031】第1のダイオードD11〜D1nに制御信
号が加えられない場合は、総て順バイアス状態となっ
て、トランジスタQ1〜Qnはオフ状態となる。そし
て、制御信号が例えば第1のダイオードD11,D12
の逆バイアス状態で加えられると、第2のダイオードD
21,D22が電圧VB により抵抗R1,R2を介して
順バイアス状態となり、この時の演算増幅器OPAの出
力電圧により、トランジスタQ1,Q2のベース電圧が
所定値となり、トランジスタQ1,Q2はオン状態とな
ると共に、一定の電流が流れるように制御されることに
なる。即ち、複数のトランジスタを同時にオンとして、
複数の光デバイスを同時に駆動することができる。
When no control signal is applied to the first diodes D11 to D1n, all the transistors are in a forward bias state, and the transistors Q1 to Qn are turned off. When the control signal is, for example, the first diodes D11 and D12
Applied in a reverse bias condition of the second diode D
21, D22 is forward biased via the resistor R1, R2 by voltage V B, the output voltage of the operational amplifier OPA at this time, the base voltage of the transistor Q1, Q2 becomes a predetermined value, the transistors Q1, Q2 is turned on At the same time, control is performed so that a constant current flows. That is, turning on a plurality of transistors simultaneously,
A plurality of optical devices can be driven simultaneously.

【0032】図5は本発明の実施の形態の印加電圧の説
明図であり、(A)は、光デバイス対応のトランジスタ
Q1〜Qnを制御信号によって制御して、光デバイスの
駆動を行う前述の各実施の形態に於いて、電圧VE を接
地Gの電位とし、電圧VB を基準電圧Vrと同一電位と
した場合を示し、高速動作が可能となる。なお、Erは
基準電圧電源を示す。
FIG. 5 is an explanatory diagram of applied voltages according to the embodiment of the present invention. FIG. 5 (A) shows an example in which transistors Q1 to Qn corresponding to an optical device are controlled by control signals to drive the optical device. in each embodiment, the voltage V E and the potential of the ground G, showing a case in which the voltage V B and the reference voltage Vr and the same potential, high-speed operation becomes possible. Er indicates a reference voltage power supply.

【0033】又図5の(B)は、電圧VE 及び電圧VB
を接地Gの電位とした場合を示し、トランジスタQ1〜
Qnを総てオフとする状態を含む場合である。なお、
(A),(B)に於いて電圧VC は図示を省略している
が、電圧VE に対する電位として光デバイスを介して印
加する構成となる。
FIG. 5B shows the voltage V E and the voltage V B
Is set to the potential of the ground G, and the transistors Q1 to
This is a case including a state in which all Qn are turned off. In addition,
Although the voltage V C is not shown in (A) and (B), the voltage V C is applied as a potential with respect to the voltage V E via an optical device.

【0034】図6は本発明の実施の形態の光信号装置の
適用例の説明図であり、VC ,VE,VB ,Vrは前述
の各実施の形態に於ける電圧を示し、又(A)は、発光
波長λ1〜λnの半導体レーザLD1〜LDnを光デバ
イスとした場合を示す。従って、制御信号(図示せず)
により選択した半導体レーザLD1〜LDnを駆動回路
により駆動して所望の波長の光信号を発生させることが
できる。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an application example of the optical signal device according to the embodiment of the present invention, where V C , V E , V B , and Vr indicate voltages in each of the above embodiments. (A) shows a case where the semiconductor lasers LD1 to LDn having the emission wavelengths λ1 to λn are used as an optical device. Therefore, a control signal (not shown)
, The semiconductor lasers LD1 to LDn selected can be driven by a drive circuit to generate an optical signal of a desired wavelength.

【0035】又図6の(B)は、光スイッチPS1〜P
Snを光デバイスとした場合を示し、制御信号(図示せ
ず)により選択した光スイッチPS1〜PSnをオンと
して、入力光信号を出力することができる。又光デバイ
スとして、光増幅器や光変調器を用いることも可能であ
る。
FIG. 6B shows optical switches PS1-P.
This shows a case where Sn is an optical device, and the optical switches PS1 to PSn selected by a control signal (not shown) can be turned on to output an input optical signal. In addition, an optical amplifier or an optical modulator can be used as the optical device.

【0036】本発明は、前述の各実施の形態にのみ限定
されるものではなく、種々付加変更することができる。
例えば、光デバイスに接続したトランジスタQ1〜Qn
は、電界効果トランジスタとすることも可能である。又
演算増幅器OPAを含めて集積回路化することも容易で
ある。
The present invention is not limited to the above embodiments, but can be variously modified.
For example, transistors Q1 to Qn connected to an optical device
Can be a field effect transistor. Further, it is easy to form an integrated circuit including the operational amplifier OPA.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、光デバ
イスP1〜Pnの駆動端子にトランジスタQ1〜Qnと
抵抗RE とを接続し、制御信号によってオンとなるスイ
ッチ回路S1〜Snを介して演算増幅器OPAの出力電
圧をトランジスタQ1〜Qnのベースに印加するように
接続し、抵抗RE の両端の電圧と基準電圧Vrとを演算
増幅器OPAに入力して、その出力電圧を、制御信号に
よってオンとなるスイッチ回路を介してトランジスタの
ベースに帰還し、ボルテージフォロワ型の電圧−電流変
換器を形成することより、制御信号によって選択された
光デバイスP1〜Pnに定電流を供給して駆動するもの
で、光デバイスP1〜Pnに対してトランジスタQ1〜
Qnによる1段構成の駆動回路となるから、低電圧化並
びに低消費電力化が可能となる利点がある。
As described above, according to the present invention, the driving terminal of the optical device P1~Pn connects the transistor Q1~Qn and resistor R E, via a switch circuit S1~Sn which is turned on by a control signal the output voltage of the operational amplifier OPA is connected to apply to the base of the transistor Q1~Qn Te, a voltage with a reference voltage Vr across the resistor R E is input to the operational amplifier OPA, the output voltage, the control signal Is fed back to the base of the transistor through the switch circuit which is turned on by the switch to form a voltage follower type voltage-current converter, thereby supplying and driving a constant current to the optical devices P1 to Pn selected by the control signal. The transistors Q1 to Q1 are connected to the optical devices P1 to Pn.
Since the driving circuit has a one-stage configuration using Qn, there is an advantage that low voltage and low power consumption can be achieved.

【0038】又制御用トランジスタと抵抗と演算増幅器
とによりボルテージフォロワ型の電圧−電流変換器を形
成すると共に、その演算増幅器の出力電圧を、光デバイ
スP1〜Pnに接続したトランジスタQ1〜Qnのベー
スに、制御信号によってオンとなるスイッチ回路を介し
て加える構成とすることにより、複数の光デバイスを同
時に定電流で駆動することができる。この場合も、光デ
バイスP1〜Pnに対してトランジスタQ1〜Qnによ
る1段構成の駆動回路となり、従来例に比較して低電圧
化が可能となると共に、低消費電力が可能となる利点が
ある。
A voltage follower type voltage-to-current converter is formed by the control transistor, the resistor, and the operational amplifier, and the output voltage of the operational amplifier is connected to the bases of the transistors Q1 to Qn connected to the optical devices P1 to Pn. In addition, by using a configuration that is applied via a switch circuit that is turned on by a control signal, a plurality of optical devices can be simultaneously driven with a constant current. Also in this case, the optical devices P1 to Pn have a one-stage drive circuit composed of the transistors Q1 to Qn, so that the voltage can be reduced and the power consumption can be reduced as compared with the conventional example. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施の形態の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態の印加電圧の説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram of an applied voltage according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態の光信号装置の適用例の説
明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of an application example of the optical signal device according to the embodiment of the present invention.

【図7】従来例の駆動回路の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional driving circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

P1〜Pn 光デバイス Q1〜Qn トランジスタ OPA 演算増幅器 S1〜Sn スイッチ回路 RE ,R1〜Rn 抵抗P1~Pn optical device Q1~Qn transistor OPA operational amplifier S1~Sn switch circuit R E, R1 to Rn resistance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒柳 智司 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 西 哲也 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐藤 健一 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 古賀 正文 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Satoshi Kuroyanagi 4-1-1 Kamikadanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Tetsuya Nishi 4-1-1 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture No. 1 Inside Fujitsu Ltd. No. Japan Telegraph and Telephone Corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源端子間に複数の光デバイスとそれぞ
れ直列に接続したトランジスタ及び抵抗と、 制御信号によって前記トランジスタをオンとする為のス
イッチ回路と、 前記抵抗の両端の電圧を基準電圧と比較してオン状態の
前記スイッチ回路を介して前記トランジスタに帰還し、
定電流回路を構成する演算増幅器とを備えたことを特徴
とする光デバイスの駆動回路。
1. A transistor and a resistor respectively connected in series with a plurality of optical devices between power supply terminals, a switch circuit for turning on the transistor by a control signal, and comparing a voltage across the resistor with a reference voltage. Feedback to the transistor through the switch circuit in the ON state,
An optical device driving circuit, comprising: an operational amplifier constituting a constant current circuit.
【請求項2】 電源端子間に複数の光デバイスとそれぞ
れ直列に接続したトランジスタ及び抵抗と、 電源端子間に接続した制御用トランジスタ及び抵抗と、 該制御用トランジスタに接続した前記抵抗の両端の電圧
と基準電圧とを比較して該制御用トランジスタに帰還し
て定電流回路を構成する演算増幅器と、 該演算増幅器の出力電圧を、制御信号に従って前記トラ
ンジスタのベースに印加するスイッチ回路とを備えたこ
とを特徴とする光デバイスの駆動回路。
2. A transistor and a resistor respectively connected in series with a plurality of optical devices between power supply terminals, a control transistor and a resistor connected between power supply terminals, and a voltage across the resistor connected to the control transistor. An operational amplifier that compares the reference voltage with the reference voltage and feeds back to the control transistor to form a constant current circuit; and a switch circuit that applies the output voltage of the operational amplifier to the base of the transistor according to a control signal. A drive circuit for an optical device, comprising:
【請求項3】 前記スイッチ回路は、前記トランジスタ
のベースと前記制御信号の入力端子との間に、該制御信
号が逆バイアス状態で印加されるように接続した第1の
ダイオードと、前記演算増幅器の出力端子と前記トラン
ジスタのベースとの間に、前記第1のダイオードが前記
制御信号により逆バイアス状態の時に順バイアス状態と
なって前記演算増幅器の出力電圧を前記トランジスタの
ベースに印加する第2のダイオードとにより構成したこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の光デバイスの駆動
回路。
3. A switch circuit comprising: a first diode connected between a base of the transistor and an input terminal of the control signal so that the control signal is applied in a reverse bias state; Between the output terminal of the first transistor and the base of the transistor, the first diode being in a forward bias state when the control signal is in a reverse bias state, and applying the output voltage of the operational amplifier to the base of the transistor. 3. A driving circuit for an optical device according to claim 1, wherein the driving circuit comprises a diode.
【請求項4】 前記スイッチ回路は、前記制御信号を一
方はそのまま、他方はインバータを介してそれぞれゲー
トに印加する相補型の電界効果トランジスタの並列接続
により構成したことを特徴とする請求項1又は2記載の
光デバイスの駆動回路。
4. The switch circuit according to claim 1, wherein one side of the control signal is applied as it is, and the other side of the switch circuit is connected in parallel to complementary field effect transistors that apply the gates to respective gates via an inverter. 3. A drive circuit for an optical device according to item 2.
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WO2008137674A3 (en) * 2007-05-02 2011-07-14 Texas Instruments Incorporated Backlight device

Cited By (3)

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