JPH10182154A - Production of multiple titanium oxide film - Google Patents
Production of multiple titanium oxide filmInfo
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- JPH10182154A JPH10182154A JP34794996A JP34794996A JPH10182154A JP H10182154 A JPH10182154 A JP H10182154A JP 34794996 A JP34794996 A JP 34794996A JP 34794996 A JP34794996 A JP 34794996A JP H10182154 A JPH10182154 A JP H10182154A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、水熱合成法によっ
て基板上の所望の位置に形成された複合チタン酸化物膜
の製造方法に関する。複合チタン酸化物膜は、コンデン
サをはじめとし、赤外線や超音波などの検出器、また、
アクチュエータや圧電ブザー、マイクロマシンなどに使
用されている。The present invention relates to a method for producing a composite titanium oxide film formed at a desired position on a substrate by a hydrothermal synthesis method. The composite titanium oxide film is used to detect infrared and ultrasonic detectors, including capacitors,
It is used for actuators, piezoelectric buzzers, micro machines, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この複合チタン酸化物膜の製造方法とし
ては、スパッタリング法やＣＶＤ法などのような真空プ
ロセスの他に、ゾルゲル法や水熱合成法などの湿式プロ
セスが採用されている。この中で水熱合成法は、大面積
に結晶性の優れた複合チタン酸化物膜を低コストで形成
できる利点がある。また、水熱合成法では、溶液中での
反応であるために基板表面全体に膜が形成される。2. Description of the Related Art As a method for producing a composite titanium oxide film, a wet process such as a sol-gel method or a hydrothermal synthesis method is employed in addition to a vacuum process such as a sputtering method or a CVD method. Among them, the hydrothermal synthesis method has an advantage that a large area composite titanium oxide film having excellent crystallinity can be formed at low cost. In the hydrothermal synthesis method, a film is formed on the entire surface of the substrate because the reaction is performed in a solution.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近年、複合チタン酸化
物膜を種々のデバイスに適用することが試みられてお
り、自由な形状、あるいは所望の形状に選択的に複合チ
タン酸化物膜を形成することが要求されている。しかし
ながら、スパッタリング法やＣＶＤ法、ゾルゲル法にお
いては基板全面に複合チタン酸化物膜を形成した後、塩
素系ガスやフッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチン
グやレーザー化学エッチングを用いて、所望の形状の複
合チタン酸化物膜を得ている。このような方法の場合、
加工時のダメージにより、得られた複合酸化物膜に微小
亀裂が入ったり、結晶性が損なわれる結果、電気特性の
劣化を起こすことがある。In recent years, attempts have been made to apply the composite titanium oxide film to various devices, and the composite titanium oxide film is selectively formed into a free shape or a desired shape. Is required. However, in a sputtering method, a CVD method, or a sol-gel method, after forming a composite titanium oxide film on the entire surface of a substrate, a desired shape is formed by reactive ion etching using a chlorine-based gas or a fluorine-based gas or laser chemical etching. Is obtained. In this case,
Damage during processing may cause micro cracks in the obtained composite oxide film or impair the crystallinity, resulting in deterioration of electrical characteristics.
【０００４】本発明は水熱合成法によって基板上の所望
の位置に、所望の形状で複合チタン酸化物膜を形成する
方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a method for forming a composite titanium oxide film in a desired shape at a desired position on a substrate by a hydrothermal synthesis method.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、水熱合成法に
より基板上に複合チタン酸化物膜を形成する方法におい
て、前記基板がチタンを構成元素として含まない基板か
らなり、かつ基板上にＴｉ金属が所望の形状にパターニ
ングされている基板を使用して水熱合成を行うことによ
り、前記パターニングされたＴｉ金属上にのみ選択的に
複合チタン酸化物膜を形成することを特徴とする複合チ
タン酸化物膜の製造方法に関する。According to the present invention, there is provided a method for forming a composite titanium oxide film on a substrate by hydrothermal synthesis, wherein the substrate comprises a substrate containing no titanium as a constituent element, and Performing a hydrothermal synthesis using a substrate on which a Ti metal is patterned into a desired shape, thereby selectively forming a composite titanium oxide film only on the patterned Ti metal. The present invention relates to a method for manufacturing a titanium oxide film.
【０００６】本発明によれば、複合チタン酸化物膜を作
製する場合に、基板上の膜を形成する必要のある部分だ
けにチタン金属を形成した基板を使用することにより、
所望の位置に、所望の形状で複合チタン酸化物膜を形成
させることができる。According to the present invention, when a composite titanium oxide film is produced, a substrate in which titanium metal is formed only on a portion of the substrate where a film needs to be formed is used.
A composite titanium oxide film can be formed at a desired position in a desired shape.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明において基板の構成元素と
してチタンが含まれている場合には、水熱合成の反応条
件によっては複合チタン酸化物膜をパターニングされた
Ｔｉ金属上にのみ選択的に所望の形状に形成することが
できない場合がある。したがって、チタンを構成元素と
して含まない基板を使用する必要があり、そのような基
板としては、例えばニッケル、銅、金、白金などの単元
素からなる金属や、それらの合金が好適に使用される。
また、基板としてポリマーやガラスなども用いることが
できる。基板は平面状のものに限定されるものではな
く、例えば棒状、円筒状などの自由な形状からなる基板
を挙げることができる。さらに、基板は単一構成のもの
に限定されるものではなく、例えばガラス基板上にニッ
ケルや銅、白金などを積層したものでもよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, when titanium is contained as a constituent element of a substrate, a composite titanium oxide film is selectively formed only on a patterned Ti metal depending on reaction conditions of hydrothermal synthesis. In some cases, the desired shape cannot be formed. Therefore, it is necessary to use a substrate that does not contain titanium as a constituent element. For such a substrate, for example, a metal composed of a single element such as nickel, copper, gold, and platinum, or an alloy thereof is preferably used. .
Alternatively, a polymer, glass, or the like can be used as the substrate. The substrate is not limited to a flat substrate, and examples thereof include a substrate having a free shape such as a rod shape or a cylindrical shape. Further, the substrate is not limited to a single structure, and for example, a substrate obtained by stacking nickel, copper, platinum, or the like on a glass substrate may be used.
【０００８】これらの基板上に所望の形状にチタン金属
をパターニングする。これらチタン金属の形成方法とし
ては、スパッタリング法、真空蒸着法、メッキ法などの
膜形成方法を挙げることができる。また、所望の形状に
する方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法にて
チタン金属を基板上へ形成する際にシャドウマスクを用
いる方法や、基板全面にチタン金属を形成した後、フォ
トリソグラフィーを用いて所望の形状に形成する方法を
挙げることができる。[0008] Titanium metal is patterned on these substrates into a desired shape. Examples of the method for forming these titanium metals include a film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a plating method. In addition, as a method for forming a desired shape, a method using a shadow mask when forming titanium metal on a substrate by a sputtering method or a vacuum evaporation method, or using a photolithography after forming the titanium metal on the entire surface of the substrate, To form a desired shape.
【０００９】本発明において、所望の形状にチタン金属
をパターニングする際のチタン金属の厚さとしては０．
０１μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜１μｍが
望ましい。In the present invention, when the titanium metal is patterned into a desired shape, the thickness of the titanium metal is 0.1 mm.
It is preferably from 01 μm to 10 μm, more preferably from 0.1 μm to 1 μm.
【００１０】以上詳述したように、あらかじめ所望の形
状にチタン金属をパターニングした基板を用いて水熱合
成法により複合チタン酸化物膜を形成することにより、
所望の位置に、所望の形状で複合チタン酸化物膜を形成
することができる。本発明の方法により得られる複合チ
タン酸化物膜は、成膜後の後加工が不要であり、加工時
のダメージがなく、電気特性の劣化を起こすことがな
い。As described in detail above, a composite titanium oxide film is formed by a hydrothermal synthesis method using a substrate in which titanium metal is patterned in a desired shape in advance.
A composite titanium oxide film can be formed at a desired position in a desired shape. The composite titanium oxide film obtained by the method of the present invention does not require post-processing after film formation, does not suffer any damage during processing, and does not cause deterioration in electrical characteristics.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below in detail with reference to Examples, but it should not be construed that the present invention is limited thereto.
【００１２】実施例１ 図１は本発明の具体的実施例を示す赤外線センサ用焦電
体素子の縦断面図である。図中、１はニッケル金属基板
であり、２はチタン金属層、３は水熱合成法により形成
された複合チタン酸化物の一つであるチタン酸ジルコン
酸鉛膜（焦電体層）、４は焦電体層上に形成された受光
電極である。図１に示すような赤外線検出用焦電体素子
を以下のような方法により製造した。ニッケル金属基板
１として厚さ２０μｍのものを使用し、該ニッケル金属
基板１の片面に電子ビーム加熱による真空蒸着法により
０．１μｍのチタン薄膜２を形成した。このチタン薄膜
２を形成する際に、ニッケル金属基板１に密着して所望
の形状に穴を開けたシャドウマスクを用い、穴を開けた
部分にのみチタン薄膜２が形成されるようにした。その
後、水熱合成法によりチタンジルコン酸鉛の焦電体層３
を１０μｍの厚さで形成した。焦電体層３の形成は具体
的には、次のようにして行った。Embodiment 1 FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a pyroelectric element for an infrared sensor showing a specific embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a nickel metal substrate, 2 is a titanium metal layer, 3 is a lead zirconate titanate film (pyroelectric layer), which is one of composite titanium oxides formed by hydrothermal synthesis, and 4 Is a light receiving electrode formed on the pyroelectric layer. An infrared detecting pyroelectric element as shown in FIG. 1 was manufactured by the following method. A nickel metal substrate 1 having a thickness of 20 μm was used, and a 0.1 μm titanium thin film 2 was formed on one surface of the nickel metal substrate 1 by a vacuum evaporation method using electron beam heating. When the titanium thin film 2 was formed, a shadow mask in which a hole was formed in a desired shape in close contact with the nickel metal substrate 1 was used, and the titanium thin film 2 was formed only in the portion where the hole was formed. Thereafter, the pyroelectric layer 3 of lead titanium zirconate is formed by a hydrothermal synthesis method.
Was formed with a thickness of 10 μm. The formation of the pyroelectric layer 3 was specifically performed as follows.
【００１３】Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６mmol、ＺｒＯ
Ｃｌ2 水溶液２mmol、ＴｉＣｌ4 水溶液０．０２mmolお
よびＫＯＨ水溶液０．３ molの混合溶液（溶液合計量１
５０ｍｌ）中に、所望の形状にチタン薄膜２を形成した
ニッケル金属基板１を浸漬し、１８０℃で１０時間の水
熱処理を行いＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成させ
た。次に結晶成長のためＰｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６mm
ol、ＺｒＯＣｌ2 水溶液３．２mmol、ＴｉＣｌ4 水溶液
１２．８mmolおよびＫＯＨ水溶液２．２４ molの混合溶
液（溶液合計量６４０ｍｌ）中に投入し、１３０℃、１
０時間の水熱処理を行ってＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜を
形成した。その後、熱純水中で煮沸洗浄を２時間、１mo
l/l 酢酸水溶液中で超音波洗浄３分間×２回、およびさ
らに超純水中で超音波洗浄３分間×２回を行い、１００
℃で２時間乾燥を行った。An aqueous solution of Pb (NO 3 ) 2 16 mmol, ZrO
A mixed solution of 2 mmol of a Cl 2 aqueous solution, 0.02 mmol of a TiCl 4 aqueous solution and 0.3 mol of a KOH aqueous solution (total amount of solution: 1
The nickel metal substrate 1 on which the titanium thin film 2 was formed in a desired shape was immersed in 50 ml) and subjected to a hydrothermal treatment at 180 ° C. for 10 hours to generate Pb (ZrTi) O 3 crystal nuclei. Next, a Pb (NO 3 ) 2 aqueous solution 16 mm for crystal growth
ol, 3.2 mmol of a ZrOCl 2 aqueous solution, 12.8 mmol of a TiCl 4 aqueous solution and 2.24 mol of a KOH aqueous solution (total amount of the solution: 640 ml).
Hydrothermal treatment was performed for 0 hour to form a Pb (ZrTi) O 3 film. Then, boil and wash in hot pure water for 2 hours, 1mo
The ultrasonic cleaning was performed twice in a l / l acetic acid aqueous solution for 3 minutes × 2 times, and the ultrasonic cleaning was further performed in ultrapure water for 3 minutes × 2 times.
Drying was performed at 2 ° C. for 2 hours.
【００１４】ついで、所定位置に穴を開けたシャドウマ
スクを用いてスパッタリング法で所定の位置に０．１μ
ｍのニッケルクロムからなる受光用の電極４を形成し
た。以上のようにして作製された赤外線センサ用焦電体
素子はあらかじめ形成したチタン薄膜２上にのみチタン
酸ジルコン酸鉛膜３が形成されており、形成されたチタ
ン酸ジルコン酸鉛膜３には反応性イオンエッチング等の
加工が不要となり、微小亀裂等のダメージの無いチタン
酸ジルコン酸鉛３であった。また、全面にチタン酸ジル
コン酸鉛３を形成した後、反応性イオンエッチングによ
り所望の形状に加工された素子に比べ、性能評価指数Ｆ
ｖは、本実施例の素子で０．３８×１０-10 〔Ｃ・ｃｍ
／Ｊ〕、反応性イオンエッチングにより加工された素子
では、０．２５×１０-10 〔Ｃ・ｃｍ／Ｊ〕と約１．５
倍の検出感度を示した。Next, a shadow mask having a hole formed in a predetermined position is used to form a 0.1 .mu.
A light receiving electrode 4 made of m-nickel chromium was formed. In the pyroelectric element for an infrared sensor manufactured as described above, the lead zirconate titanate film 3 is formed only on the titanium thin film 2 formed in advance. Processing such as reactive ion etching was not required, and lead zirconate titanate 3 was free from damage such as microcracks. Also, after forming lead zirconate titanate 3 on the entire surface, the performance evaluation index F is higher than that of a device processed into a desired shape by reactive ion etching.
v is 0.38 × 10 −10 [C · cm] in the device of this example.
/ J], and 0.25 × 10 −10 [C · cm / J], which is about 1.5 for a device processed by reactive ion etching.
The detection sensitivity was doubled.
【００１５】実施例２ 図２は本発明の他の実施例を示す片持ち梁の縦断面図で
ある。図２において１はニッケル金属基板であり、２は
チタン金属層、３は水熱合成法により形成した複合チタ
ン酸化物の一つであるチタン酸ジルコン酸鉛膜、５はチ
タン酸ジルコン酸鉛膜上に形成したＡｕ電極である。Embodiment 2 FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a cantilever showing another embodiment of the present invention. In FIG. 2, 1 is a nickel metal substrate, 2 is a titanium metal layer, 3 is a lead zirconate titanate film which is one of composite titanium oxides formed by a hydrothermal synthesis method, and 5 is a lead zirconate titanate film. It is an Au electrode formed thereon.
【００１６】図２に示すような片持ち梁を図３に示す以
下のような方法により製造した。（ａ）に示すようにニ
ッケル金属基板１として厚さ２０μｍのものを使用し、
該ニッケル金属基板の片面にスパッタリング法により
０．１μｍのチタン薄膜２を全面に形成した。次に
（ｂ）〜（ｅ）に示すようにフォトリソグラフィ技術を
用い、チタン薄膜２を長さ１０ｍｍ、幅１００μｍ、チ
タン薄膜２の間隔５０μｍの形状に形成した。このチタ
ン膜２の加工は具体的には次のようにして行った。A cantilever as shown in FIG. 2 was manufactured by the following method as shown in FIG. As shown in (a), a nickel metal substrate 1 having a thickness of 20 μm is used,
On one surface of the nickel metal substrate, a 0.1 μm titanium thin film 2 was formed on the entire surface by a sputtering method. Next, as shown in (b) to (e), the titanium thin film 2 was formed into a shape having a length of 10 mm, a width of 100 μm, and an interval of 50 μm between the titanium thin films 2 by using a photolithography technique. The processing of the titanium film 2 was specifically performed as follows.
【００１７】（ｂ）に示すようにニッケル金属基板１上
に形成した全面チタン薄膜２上へフォトレジスト６（ポ
ジ型）をスピンコーターにて１μｍ厚さに形成した後、
（ｃ）に示すように所望の形状のみ紫外線が照射されな
いフォトマスクを用いて露光を行い、さらに現像を行う
ことで所望の形状以外のフォトレジストを除去し、所望
の形状の部分のみチタン薄膜２上がフォトレジストにて
覆われ、他の部分はチタン薄膜２を露出させた。次に
（ｄ）に示すようにＨＦ（５０％）とＨ2 Ｏの容量比が
１対５０のエッチング液にて１５秒間浸漬し、露出した
チタン薄膜２を除去した。次に（ｅ）に示すようにレジ
スト剥離液にてチタン薄膜上のレジスト６を除去し、洗
浄を行ってチタン薄膜２を所望の形状に形成した。As shown in FIG. 2B, a photoresist 6 (positive type) is formed on the entire surface of the titanium thin film 2 formed on the nickel metal substrate 1 to a thickness of 1 μm by a spin coater.
As shown in (c), exposure is performed using a photomask in which only the desired shape is not irradiated with ultraviolet light, and further development is performed to remove the photoresist other than the desired shape, and only the titanium thin film 2 having the desired shape is removed. The top was covered with a photoresist, and the other portions exposed the titanium thin film 2. Next, as shown in (d), the exposed titanium thin film 2 was removed by immersion for 15 seconds in an etchant having a volume ratio of HF (50%) to H 2 O of 1:50. Next, as shown in (e), the resist 6 on the titanium thin film was removed with a resist stripper, and the titanium thin film 2 was formed into a desired shape by washing.
【００１８】その後、（ｆ）に示すように水熱合成法に
よりチタン酸ジルコン酸鉛膜３を１０μｍの厚さで形成
した。チタン酸ジルコン酸鉛３の形成は実施例１と同様
である。Thereafter, a lead zirconate titanate film 3 having a thickness of 10 μm was formed by hydrothermal synthesis as shown in FIG. The formation of the lead zirconate titanate 3 is the same as in the first embodiment.
【００１９】ついで、（ｇ）に示すように長さ９ｍｍ、
幅４０μｍの形状に穴を開けたシャドウマスクを用い電
子ビーム加熱による真空蒸着法で所定の位置に０．２μ
ｍ厚さのＡｌからなる電極５を形成した。Then, as shown in FIG.
Using a shadow mask having a hole with a width of 40 μm, 0.2 μm was placed at a predetermined position by a vacuum evaporation method using electron beam heating.
An electrode 5 made of Al having a thickness of m was formed.
【００２０】最後に、（ｈ）に示すように露出している
ニッケル基板１をＦｅＣｌ3 水溶液にてエッチングする
ことで、表面に露出しているニッケル部分を貫通させ
た。このとき、チタン薄膜２を形成している部分の下地
のニッケル基板１は裏面からのエッチングにより最初の
１／２の１０μｍの厚さに減少していた。Finally, as shown in (h), the exposed nickel substrate 1 was etched with an aqueous solution of FeCl 3 to penetrate the exposed nickel portion on the surface. At this time, the thickness of the nickel substrate 1 under the portion where the titanium thin film 2 was formed was reduced to the first half of 10 μm by etching from the back surface.
【００２１】以上のようにして作製された片持ち梁はあ
らかじめ所定の形状に形成したチタン薄膜２上にのみチ
タン酸ジルコン酸鉛膜３が形成されており、形成された
チタン酸ジルコン酸鉛膜３には反応性イオンエッチング
等の加工が不要となることから、微小亀裂等のダメージ
の無いチタン酸ジルコン酸鉛膜であった。また、全面に
チタン酸ジルコン酸鉛３を形成した後、反応性イオンエ
ッチングにより同様の形状に加工された片持ち梁に比べ
２．５倍の変位を示した。In the cantilever manufactured as described above, the lead zirconate titanate film 3 is formed only on the titanium thin film 2 formed in a predetermined shape in advance, and the formed lead zirconate titanate film is formed. Sample No. 3 was a lead zirconate titanate film free from damages such as microcracks because processing such as reactive ion etching was not required. After the lead zirconate titanate 3 was formed on the entire surface, the displacement was 2.5 times as large as that of the cantilever beam processed into the same shape by the reactive ion etching.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明によれば、基板上の所望の位置に
複合チタン酸化物を形成することができるため、複合チ
タン酸化物の形成後の加工が不要となり、その結果、形
状加工の際のダメージが発生しないため、各種デバイス
の特性を向上させることができる。According to the present invention, since the composite titanium oxide can be formed at a desired position on the substrate, the processing after the formation of the composite titanium oxide becomes unnecessary, and as a result, the Since no damage occurs, the characteristics of various devices can be improved.
【図１】本発明により作製した赤外線検出器用焦電体素
子の一実施例を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of a pyroelectric element for an infrared detector manufactured according to the present invention.
【図２】本発明により作製した片持ち梁の縦断面図であ
る。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a cantilever manufactured according to the present invention.
【図３】本発明により作製した片持ち梁の作製工程を示
した縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a process of manufacturing a cantilever manufactured according to the present invention.
１ ニッケル金属基板 ２ チタン薄膜 ３ 複合チタン酸化物膜 ４ 受光電極 ５ Ａｌ電極 ６ フォトレジスト膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 nickel metal substrate 2 titanium thin film 3 composite titanium oxide film 4 light receiving electrode 5 aluminum electrode 6 photoresist film
Claims (1)
化物膜を形成する方法において、前記基板がチタンを構
成元素として含まない基板からなり、かつ基板上にＴｉ
金属が所望の形状にパターニングされている基板を使用
して水熱合成を行うことにより、前記パターニングされ
たＴｉ金属上にのみ選択的に複合チタン酸化物膜を形成
することを特徴とする複合チタン酸化物膜の製造方法。1. A method for forming a composite titanium oxide film on a substrate by a hydrothermal synthesis method, wherein the substrate comprises a substrate containing no titanium as a constituent element, and
Forming a composite titanium oxide film only on the patterned Ti metal by hydrothermal synthesis using a substrate on which the metal is patterned in a desired shape; A method for manufacturing an oxide film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34794996A JPH10182154A (en) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | Production of multiple titanium oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34794996A JPH10182154A (en) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | Production of multiple titanium oxide film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182154A true JPH10182154A (en) | 1998-07-07 |
Family
ID=18393704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34794996A Pending JPH10182154A (en) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | Production of multiple titanium oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10182154A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015381A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | Surface-mounting type composite electronic component and manufacture thereof |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34794996A patent/JPH10182154A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015381A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | Surface-mounting type composite electronic component and manufacture thereof |
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