JPH10177061A - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JPH10177061A
JPH10177061A JP9324950A JP32495097A JPH10177061A JP H10177061 A JPH10177061 A JP H10177061A JP 9324950 A JP9324950 A JP 9324950A JP 32495097 A JP32495097 A JP 32495097A JP H10177061 A JPH10177061 A JP H10177061A
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output
pins
mode control
integrated circuit
pin
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JP9324950A
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Japanese (ja)
Inventor
J Graber Joel
ジェイ.グラバー ジョエル
E Stith Donald
イー.ステイス ドナルド
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Texas Instruments Inc
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Texas Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit that can shorten the time required for executing leakage tests. SOLUTION: The integrated circuit 45 has a functional network 44, a plurality of output buffers 6, which respectively have inputs coupled with the network and, at the same time, outputs respectively coupled with corresponding ones of a plurality of output pins, a plurality of mode control pins M for receiving operation mode codes, and an output disabling logic circuit 41, which have inputs coupled with the mode control pins M, generates disabling signals in response to a plurality of mode control pins M, which receive first operation mode codes, and receives second operation mode codes, which are the logical complements of the first disabling signals in response to the mode control pins. In the integrated circuit 45, the output buffers 6 respectively receive the disabling signals, which make the buffers 6 to set their corresponding signal pins to high-impedance states in response to the disabling signals.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路技術に関
し、特に、集積回路の漏れ試験に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to integrated circuit technology, and more particularly, to a leakage test of an integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の集積回路は、完成した回路が適切
な機能的仕様およびパラメータ仕様に適合することを保
証するために、その製造工程中に何回も試験されるのが
一般的である。代表的には、やや複雑な集積回路では、
仕様に適合しないデバイスのパッケージ化に関連する費
用の発生を避けるため、少なくとも一度はウエファの形
態で試験される。さらに、顧客仕様との適合性を保証す
るため、少なくとも一度はパッケージ化の形態でも試験
される。多くの温度(例えば、仕様温度範囲の高温極値
および低温極値)において付加的試験が行われることも
ある。焼き込みや他の類似の処理を受ける複雑な集積回
路は、焼き込み前に特別に試験されることになる。した
がって、不具合のデバイスが焼き込み容積を占有するこ
とがない、すなわち、他のデバイスの焼き込みをすばや
く行うことができる。最後に、パッケージ化されたデバ
イスは、最終製品の品質の部分検査として、特別な連続
的試験を受ける。技術的に基本的であるように、 各事例
の試験は、予め準備された試験プログラムにしたがっ
て、試験で必要な制御電圧レベルおよび信号を印加する
ように、 また、その集積回路の応答を解釈して仕様書と
の適合性を判断するように自動化された試験装置によっ
て行なわれる。
2. Description of the Related Art Modern integrated circuits are typically tested many times during their manufacturing process to ensure that the completed circuit meets appropriate functional and parameter specifications. . Typically, for more complex integrated circuits,
It is tested at least once in wafer form to avoid the costs associated with packaging devices that do not meet specifications. In addition, they are tested at least once in packaged form to ensure compliance with customer specifications. Additional tests may be performed at many temperatures (eg, extreme hot and cold extremes of the specified temperature range). Complex integrated circuits that undergo burning or other similar processing will be specially tested before burning. Therefore, the defective device does not occupy the burning volume, that is, the burning of another device can be performed quickly. Finally, the packaged device undergoes a special continuous test as a partial inspection of the quality of the final product. As is technically basic, the tests in each case are performed according to a pre-prepared test program, so as to apply the control voltage levels and signals required for the test and to interpret the response of the integrated circuit. This is done by automated test equipment to determine compliance with specifications.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、代表的
な試験プログラムでは、集積回路を、機能性(すなわ
ち、或るサイクルタイムおよび電圧条件で完全に動作す
ることを保証すること)の面、および機能デバイスが電
力消費などの或るパラメータに適合することを判断する
ことの面の両方から評価している。また、普通のパラメ
トリック試験は、集積回路の端子すなわちピンが集積回
路の内部ノードから十分に電気的に絶縁されていること
を判定するための、入力漏れおよび出力漏れの試験を含
んでいる。集積回路のピンでの過度の漏れは、システム
周辺に過度の負荷を引き起こす。さらに、入力漏れおよ
び出力漏れは、度々集積回路自体内(例えば、酸化物漏
洩、すなわち金属フィラメントやポリシリコン)、また
は集積回路のパッケージ内(例えば、交差した結線、チ
ップの結合パッドでの結合損傷)のいずれかにおける製
造欠陥を示している。個々のピンにおける漏れの典型的
な仕様限界は、最大電源電圧と接地との間の電圧におい
て、10μA(マイクロアンペア)の単位にあるDC
(直流)電流である。予期される通り、漏れ電流は、一
般に2つの電圧極値において最大となる。したがって、
漏れ試験は、典型的にはそれらの電圧極値の1つをピン
に印加し、崩壊までの過渡期間を待って(したがって、
DC電流のみを残し)、その後、現に試験を行っている
ピンに入り込むまたはピンを源流とする電流を、仕様限
界と比較することによって行われる。その試験は、もう
一方の電圧極値をピンに印加することによって繰り返し
行われる。
As mentioned above, a typical test program involves integrating an integrated circuit in terms of functionality (ie, ensuring that it will fully operate under certain cycle times and voltage conditions). , And determining that a functional device meets certain parameters, such as power consumption. Common parametric tests also include input and output leakage tests to determine that the terminals or pins of the integrated circuit are sufficiently electrically isolated from the internal nodes of the integrated circuit. Excessive leakage at integrated circuit pins causes excessive loading around the system. In addition, input and output leakage often occurs within the integrated circuit itself (eg, oxide leakage, ie, metal filaments or polysilicon) or within the package of the integrated circuit (eg, cross-connects, bond damage at bond pads on the chip). ) Indicates a manufacturing defect. A typical specification limit for leakage at individual pins is a DC between 10 μA (microamps) at a voltage between the maximum supply voltage and ground.
(DC) current. As expected, the leakage current is generally greatest at the two voltage extremes. Therefore,
Leak testing typically applies one of those voltage extremes to the pins and waits for a transient period to collapse (thus,
This is done by comparing the current into or out of the pin currently being tested against the specification limits. The test is repeated by applying the other voltage extreme to the pin.

【0004】ほとんどの集積回路端子は、欠陥が存在し
ない場合には極めて小量の電流のみを漏洩するので、従
来の漏れ試験は、多くの端子に共通電圧を印加し、落ち
着くまでの過渡期間を待ち、その後各ピンに流れる電流
を測定することによって行う、いわゆる「一斉射撃] 方
式で行われるのが普通である。例えば、集積回路の1つ
おきのピンが、最大電源電圧(すなわち、技術によって
決まる、3.6ボルトから5.5ボルト)にバイアスさ
れ、残りのピンは接地される。(30ミリ秒の単位にあ
る)適切な遅延時間が経過した後、そのバイアスによっ
て決められる各ピンの電流が測定され、試験限界と比較
される。最近の自動化された試験装置は一般に試験を受
けているデバイスの各ピンのパラメトリック測定装置を
有するので、それぞれの集積回路ピンでの個々の漏れ電
流の測定は、並行して行われる。その後、その試験は、
逆バイアス構造にして繰り返し行われる。特に、(その
数が何百にも及ぶ)非常に多くのピンを有するマイクロ
プロセッサなどの集積回路の場合には、さらに、漏れ故
障は、最近の集積回路ではそれほど頻繁には起こらない
ので、一斉射撃方式の漏れ試験によって、待ちと測定の
間隔の繰り返しを省け、多くの試験時間を節約できる。
Since most integrated circuit terminals leak only a very small amount of current in the absence of defects, conventional leakage tests apply a common voltage to many terminals and reduce the transient period before settling. This is usually done in a so-called "fire-and-fire" manner, which is performed by waiting and then measuring the current flowing through each pin, for example, where every other pin of the integrated circuit is connected to the maximum supply voltage (ie, depending on the technology). Determined from 3.6 volts to 5.5 volts), and the remaining pins are grounded.After an appropriate delay time (in units of 30 milliseconds), each pin is determined by that bias. The current is measured and compared to the test limits, since modern automated test equipment generally has a parametric measurement device for each pin of the device under test. Measurement of the individual leakage current at Les integrated circuit pins, are performed in parallel. Thereafter, the test is
This is repeated with a reverse bias structure. Especially in the case of integrated circuits such as microprocessors having a very large number of pins (hundreds of hundreds), moreover, leakage failures occur less frequently in modern integrated circuits, The shooting leak test saves a lot of testing time by eliminating the repetition of waiting and measurement intervals.

【0005】出力端子と関係するピンの漏れ試験では、
もちろん、それらに接続された出力バッファすなわち駆
動回路網は不能化され、高インピーダンス状態に置かれ
ることが必要である。出力バッファ回路網の不能化およ
び可能化は、典型的には最近のマイクロプロセッサと同
様にして、集積回路の内部機能によって制御される。あ
るいは、代替案として、出力可能化ピンに加えられる外
部信号によって制御されるようにしてもよい。いずれの
場合にも、出力バッファの不能化は、図1に関連して説
明されるように、集積回路の漏れ試験の複雑さを現わし
ている。
In a leak test of a pin related to an output terminal,
Of course, the output buffers or drive networks connected to them need to be disabled and placed in a high impedance state. The disabling and enabling of the output buffer circuitry is controlled by the internal functions of the integrated circuit, typically similar to modern microprocessors. Alternatively, it may alternatively be controlled by an external signal applied to the output enable pin. In either case, disabling the output buffer represents the complexity of leak testing integrated circuits, as described in connection with FIG.

【0006】図1において、従来の集積回路2は、マイ
クロプロセッサ中心部などの複雑な論理回路網である機
能回路網4を有する。機能回路4は、ピンP0からPn
を介して、外部装置にデータを与えたり、外部装置から
データを得るといったやり取りを行う。この例におい
て、ピンP0、P1、およびPnは出力ピンであり、ピ
ンP2は共通入出力ピンである。もちろん、専用の入力
ピンも、典型的な従来の集積回路に含まれていて、出力
およびI/Oと同時に、同様な漏れ試験が行われる。P
0からPnの各ピンは、対応する出力バッファ60 から
6nの出力によって駆動される。各バッファは、対応す
るデータ線D0からDnに乗っている機能回路からのデ
ータ信号を受ける入力を有する。共通の入出力ピンがP
2の場合、入力バッファ72は、ピンP2に接続された
入力および機能回路4への線DI2のデータを駆動する
出力を有する。
In FIG. 1, a conventional integrated circuit 2 has a functional network 4 which is a complicated logic network such as a central part of a microprocessor. The function circuit 4 includes pins P0 to Pn
, An exchange of giving data to an external device or obtaining data from the external device is performed. In this example, pins P0, P1, and Pn are output pins, and pin P2 is a common input / output pin. Of course, dedicated input pins are also included in typical conventional integrated circuits, and a similar leak test is performed simultaneously with the output and I / O. P
Each pin from 0 of Pn are driven from the corresponding output buffer 6 0 by the output of 6n. Each buffer has an input for receiving a data signal from a functional circuit on the corresponding data line D0 to Dn. Common I / O pin is P
In case 2, the input buffer 72 has an input connected to pin P2 and an output driving the data on line DI2 to the functional circuit 4.

【0007】この例では、出力バッファ60 から6nの
それぞれは、出力可能化ピンOE上の外部信号に応答し
て、可能化および不能化される。いくつかの従来のVL
SI論理回路においては、それぞれ出力バッファ6のバ
ンクを制御する、数多くの出力可能化ピンOE(または
内部信号)が与えられる。入力バッファ5は出力可能化
ピンOEを受け、それに応答して線ENを駆動し、その
関連の出力バッファ6 0 から6nのそれぞれを制御す
る。出力バッファ60 の構成が、図1に詳細に示されて
いる。この例では、出力バッファ60 は、プッシュプル
型である。さらに、それはn−チャネル プルアップ
トランジスタ9PUおよびn−チャネルプルダウン ト
ランジスタ9PDを有する。そのトランジスタ9PUの
ソース・ドレイン通路は電源ノード(例えば、Vdd)
とピンP0間に接続されている。さらに、トランジスタ
9PDのソース・ドレイン通路はピンP0と接地間に接
続されている。トランジスタ9のそれぞれは、比較的大
きなものであって、ピンP0の特定の出力負荷状態に対
して適切な出力駆動を与える。プルアップ トランジス
タのゲートは、AND機能8Hによって駆動される。一
方、プルダウン トランジスタのゲートは、AND機能
8Lによって駆動される。ANDゲート8Hおよび8L
は、それぞれそれらの入力において線ENおよびデータ
線D0を受ける。ANDゲート8Lは、「高」状態に駆
動された線ENおよび「低」状態であるデータ線D0の
組み合わせに応答して、その出力を「高」状態に駆動し
て、トランジスタ9PDを導通させる。一方、AND機
能8Hは、線ENおよび高論理レベルにあるデータ線D
0の両方に応答して、その出力を「高」状態に駆動し
て、トランジスタ9PUを導通させる。したがって、出
力バッファ60 は、線ENが「高」状態にある限りピン
P0をデータ線D0の状態に駆動する。逆に、 線ENが
「低」(すなわち、ピンOEが「低」)であれば、トラ
ンジスタ9PUおよび9PDの双方が非導通であり、ピ
ンP0を「高」インピーダンス状態に置く。出力バッフ
ァ61 、62 、6nも図1に示された出力バッファ60
と同様に構成される。
In this example, the output buffer 60From 6n
Each responds to an external signal on output enable pin OE
Enabled and disabled. Some conventional VL
In the SI logic circuit, the output buffer 6
A number of output enable pins OE (or
Internal signal). Input buffer 5 output enabled
Receives pin OE and in response drives line EN,
Associated output buffer 6 0To each of 6n
You. Output buffer 60Is shown in detail in FIG.
I have. In this example, the output buffer 60Is a push-pull
Type. In addition, it is an n-channel pull-up
Transistor 9PU and n-channel pull-down
It has a transistor 9PD. The transistor 9PU
The source / drain path is a power supply node (for example, Vdd)
And the pin P0. In addition, transistors
The source / drain path of 9PD is connected between pin P0 and ground.
Has been continued. Each of the transistors 9 is relatively large
For a particular output load condition on pin P0.
To provide the appropriate output drive. Pull Up Transis
The data gate is driven by the AND function 8H. one
On the other hand, the gate of the pull-down transistor
Driven by 8L. AND gates 8H and 8L
Is the line EN and data at their inputs, respectively.
Receive line D0. AND gate 8L drives to the "high" state.
Of the activated line EN and the data line D0 in the "low" state.
In response to the combination, drive its output to a "high" state.
To turn on the transistor 9PD. On the other hand, AND machine
No. 8H is connected to line EN and data line D at a high logic level.
In response to both zeros, drive its output to a "high" state.
Then, the transistor 9PU is turned on. Therefore, out
Force buffer 60Is a pin as long as line EN is in the "high" state.
P0 is driven to the state of the data line D0. Conversely, the line EN
If it is "low" (ie, pin OE is "low"),
Transistors 9PU and 9PD are both non-conductive and
Put P0 in a "high" impedance state. Output buffer
A61, 6Two, 6n are the output buffers 6 shown in FIG.0
The configuration is the same as

【0008】従来の集積回路2のすべてのピンについて
漏れの試験を行うために、3つのパスが必要である。第
1に、出力可能化ピンOEが「低」状態に駆動され、 出
力バッファ60 から6nのすべてが不能化され、それら
のピンP0からPnが高インピーダンス状態に置かれ
る。その後、好ましくは、1つおきのピンをVdd電源
電圧にバイアスするとともに、残りのピンを第1の接地
して、いずれのピンからピンへの漏れが測定されること
を保証することによって、「一斉射撃」漏れ試験が行わ
れる。例えば、第1の一斉漏れ試験は、ピンP0、P2
等の偶数番のピンにVddのバイアスをかけるととも
に、ピンP1等の奇数番のピンを接地して、すべての出
力可能化ピンOEを「低」状態にバイアスすることによ
って行われる。必要な整定時間(例えば、30ミリ秒)
の後、「高」状態にバイアスされているピンのそれぞれ
に流れる電流、および「低」状態にバイアスされている
ピンのそれぞれに流れる電流が、別個に(好ましくは、
互いに並行して)測定され、試験限界と比較される。そ
の後、第2のパス一斉試験が行われる。出力可能化ピン
OEが「低」状態に維持され、出力バッファ60 から6
2 、6nのすべてを不能化させる。しかし、試験されて
いるピンのそれぞれのバイアスは逆になっている(すな
わち、ピンP0、P2等は接地され、ピンP1等はVd
dにバイアスされている)。その後、この状態に対し
て、待ち時間および電流測定が繰り返される。
[0008] Three passes are required to perform a leak test on all pins of the conventional integrated circuit 2. First, the output enable pin OE is driven "low" state, all the output buffer 6 0 6n is disabled, Pn are placed in a high impedance state from their pin P0. Thereafter, preferably by biasing every other pin to the Vdd supply voltage and the remaining pins to the first ground to ensure that any pin-to-pin leakage is measured, A “fire” leak test is performed. For example, in the first simultaneous leak test, the pins P0, P2
This is done by biasing even numbered pins such as Vdd at Vdd, and grounding odd numbered pins such as pin P1 to bias all output enable pins OE to a "low" state. Required settling time (for example, 30 ms)
After that, the current flowing through each of the pins that are biased to a “high” state and the current flowing through each of the pins that are biased to a “low” state are separately (preferably,
Measured (in parallel with each other) and compared to the test limits. Thereafter, a second pass simultaneous test is performed. Output enable pin OE is kept "low" state, the output buffer 6 0 6
2. Disable all 6n. However, the bias of each of the pins being tested is reversed (ie, pins P0, P2, etc. are grounded, pins P1 etc. are at Vd
d). Thereafter, the waiting time and the current measurement are repeated for this state.

【0009】しかしながら、従来の装置では、出力バッ
ファ60 から6nを不能化するために低状態に保持され
なければならない出力可能化ピンが、高電圧にバイアス
される場合には、出力可能化ピンOEが試験されなかっ
た。したがって、完全な漏れ試験を行うためには、30
ミリ秒の単位の整定時間を含む、高電圧(Vdd)にバ
イアスされた出力可能化ピンOEの個別の漏れ試験を分
離して行う必要があった。したがって、このような、お
よび類似の従来の集積回路の漏れ試験では、3つのパス
が必要である。
However, in the conventional apparatus, when the output enable pin must be held low is biased to a high voltage in order to disable the 6n from the output buffer 6 0, output enable pin OE was not tested. Therefore, to perform a complete leak test, 30
Separate leak testing of the high voltage (Vdd) biased output enable pin OE, including the settling time in milliseconds, had to be performed separately. Thus, leak testing of such and similar conventional integrated circuits requires three passes.

【0010】上述のように、或る型の従来の集積回路
は、各バンクが典型的には内部論理機能によって発生さ
れる分離出力可能化信号の制御下にある、ピンのバンク
を含んでいる。そのようなバンク内に配列されている出
力ピンの漏れ試験は、数対のパスを必要とする。出力バ
ッファの1つのバンクに対応している各対のパスは、一
度に不能化される。さらに、出力バッファの1つ以上の
バンクを不能化させるために必要な指示列の実行は、比
較的厄介であり、漏れ試験中の過渡の整定に要する待ち
時間自体に加えて、そのような前処理に対する余分な試
験時間を必要とする。
As noted above, certain types of conventional integrated circuits include a bank of pins, each bank being under the control of a separate output enable signal, typically generated by internal logic functions. . Leak testing of output pins arranged in such a bank requires several pairs of passes. Each pair of paths corresponding to one bank of the output buffer is disabled at one time. Furthermore, the execution of the instructions required to disable one or more banks of output buffers is relatively cumbersome, and in addition to the latency required to settle the transients during the leak test itself, such a priori is required. Requires extra test time for processing.

【0011】特に、集積回路が一層複雑になるにしたが
って、また、自動化試験装置がより高価になるにしたが
って、特に、ますます高速化する集積回路の試験におい
ては、試験時間単位の費用が増大し続けている。したが
って、試験プログラムの正確性や完全性を犠牲にするこ
となく、各集積回路の試験に要する時間を低減すること
が望ましい。したがって、本発明の目的は、漏れ試験を
実行するに要する時間が低減される、集積回路を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、そのような漏れ試
験を実行する方法を提供することにある。本発明のさら
に他の目的は、すべてのデバイスピンの漏れ試験を完全
に行うことができる集積回路および方法を提供すること
にある。
In particular, as integrated circuits become more complex and automated test equipment becomes more expensive, especially in the testing of increasingly faster integrated circuits, the cost per test time increases. continuing. Therefore, it is desirable to reduce the time required to test each integrated circuit without sacrificing the accuracy or completeness of the test program. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an integrated circuit in which the time required to perform a leak test is reduced. Another object of the present invention is to provide a method for performing such a leak test. It is yet another object of the present invention to provide an integrated circuit and method that can fully perform a leak test on all device pins.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、出力バッファ
を不能化させる少なくとも2つの相補的コードを受ける
ための複数個のモード制御ピンを与えることによって、
マイクロプロセッサなどの集積回路内で実施される。モ
ード制御ピンは、集積回路の動作モードの制御用にすで
に与えられている。ここでは、出力バッファを不能化さ
せるために、少なくとも2つのモードが利用される。漏
れ試験は、信号ピンを第1の状態に設定しながら、モー
ド制御ピンを第1の不能化状態に置くことによって行わ
れる。待ち時間が過ぎた後、モード制御ピンを含む、試
験下のピンに出入りする漏れ電流が測定され、制限値と
比較される。漏れ試験は、その後、信号ピンを第2の相
補的バイアス状態に設定しながら、モード制御ピンを第
2の相補的不能化状態に置き、特定の整定時間を待ち、
そして再びモード制御ピンを含む、試験下のピンからの
漏れ電流を測定する事によって完了する。モード制御ピ
ンのそれぞれは、2つのパスにおける各バイアスレベル
で試験されるので、漏れ試験は、2つのパスの後終了さ
れる。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises providing a plurality of mode control pins for receiving at least two complementary codes that disable an output buffer.
It is implemented in an integrated circuit such as a microprocessor. Mode control pins are already provided for controlling the operating mode of the integrated circuit. Here, at least two modes are used to disable the output buffer. The leak test is performed by setting the mode control pin to a first disabled state while setting the signal pin to the first state. After the waiting time has elapsed, the leakage current into and out of the pin under test, including the mode control pin, is measured and compared to a limit value. The leak test then places the mode control pin in the second complementary disable state while setting the signal pin in the second complementary bias state and waits for a specific settling time,
The process is then completed by measuring the leakage current from the pin under test, again including the mode control pins. Since each of the mode control pins is tested at each bias level in the two passes, the leak test is terminated after the two passes.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図2を参照する。図2には、本発
明の第1の好適な実施例に係る模範的な集積回路25が
示されている。ここでは、集積回路の構造の1つの例の
みが示されているが、本発明はそのまま、様々な構造の
マイクロプロセッサ等の様々な型の集積回路に利用でき
る事は明らかである。したがって、本発明は、シリコン
基板、絶縁体上のシリコン、ガリウムヒ化物、および他
の製造技術において、また、MOS、CMOS、BiC
MOS、あるいは他のデバイス形態を用いて作られる集
積回路において実現される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. FIG. 2 shows an exemplary integrated circuit 25 according to a first preferred embodiment of the present invention. Here, only one example of the structure of the integrated circuit is shown, but it is clear that the present invention can be used as it is for various types of integrated circuits such as microprocessors of various structures. Thus, the present invention is directed to silicon substrates, silicon on insulators, gallium arsenide, and other manufacturing technologies, as well as MOS, CMOS, BiC
Implemented in integrated circuits made using MOS, or other device configurations.

【0014】図2に示されるように、集積回路25は、
機能回路24を有し、その機能回路は、外部の装置やサ
ブシステムとデジタルあるいはアナログ情報の通信が適
切に行える型のものであれば、どのような型の機能回路
であっても良い。本発明は、数百の外部端子すなわちピ
ンを含んでいる最近のマイクロプロセッサ等のVLSI
論理装置との関連で使用される場合に特に有効である。
以下の説明では、集積回路25の外部端子を「ピン」と
して参照する。もちろん、本発明は、外部端子が集積回
路チップ自体(すなわち、ウエファ形態の集積回路の漏
れ試験)、例えばピン−グリッド−アレイ、デュアル−
イン−ライン、およびシングル−イン−ラインのパッケ
ージにおいて使用されるパッケージピン、J型リードお
よびテープキャリアパッケージにおいて使用されるよう
なリード、例えば表面マウントチップキャリアパッケー
ジにおいて使用されるランド、および様々な代替パッケ
ージ形態で実装される他の形態の端子に結合されている
集積回路の漏れ試験にも適用され得る。
As shown in FIG. 2, the integrated circuit 25
It has a functional circuit 24, and the functional circuit may be of any type as long as it can appropriately communicate digital or analog information with an external device or subsystem. The present invention relates to a VLSI such as a modern microprocessor containing hundreds of external terminals or pins.
Particularly effective when used in connection with a logic device.
In the following description, the external terminals of the integrated circuit 25 will be referred to as “pins”. Of course, the present invention provides that the external terminals are integrated circuit chips themselves (i.e., leak testing of integrated circuits in wafer form), e.g.
Package pins used in in-line and single-in-line packages, leads as used in J-shaped leads and tape carrier packages, such as lands used in surface mount chip carrier packages, and various alternatives The present invention can also be applied to a leak test of an integrated circuit coupled to another type of terminal mounted in a package form.

【0015】図2の模範的な集積回路25において、信
号ピンP0、P1、およびPnは、例として示されてい
る。この例においては、信号ピンP0は共通入出力ピン
であり、一方、ピンP1、Pnは、出力ピンである。信
号ピンP0、P1、およびPnのそれぞれは、対応する
出力バッファ60 、61 、6nによって駆動される。そ
れら出力バッファのそれぞれは、機能回路24からの対
応するデータ信号線D0、D1、Dnに結合された入力
を有する。入力バッファ70 は、共通入出力ピンP0の
状態を受信し、機能回路24に結合された信号線DI0
を駆動する。出力バッファ60 、61 、6n(およびそ
の他のもの、図示せず)のそれぞれは、高論理レベルに
ある線ENで可能化され、かつ低論理レベルにある線E
Nで不能化されるようにして、線ENによって制御され
る。出力バッファ60 から6nは、図1に関連して上述
された単純なプッシュプル駆動回路等の従来の設計にし
たがって構成され得る。代替案として、出力バッファ6
0 から6nは、オープンドレイン駆動回路, アクテイブ
プルアップ回路を有するシングルエンデッド駆動回路な
ど、または他の従来方法で構成され得る。別の代替案で
は、双方向性送受信機が集積回路25内に設けられる。
その例では、出力バッファ6がそれらの送受信機内に入
れられることになり、方向性制御信号との組み合わせら
れた出力可能化信号によって動作可能にされる。いずれ
の場合にも、本発明の実施例に係る出力バッファ60
ら6nは、線EN、例えばゲート線ENによって選択的
に高インピーダンス状態になるように構成される。した
がって、各駆動トランジスタは、不能化レベル(この例
では低論理レベル)にある線ENに応答して非導通にさ
れるようになる。
In the exemplary integrated circuit 25 of FIG. 2, signal pins P0, P1, and Pn are shown by way of example. In this example, the signal pin P0 is a common input / output pin, while the pins P1 and Pn are output pins. Each signal pin P0, P1, and Pn, are driven by a corresponding output buffer 6 0, 6 1, 6n. Each of these output buffers has an input coupled to a corresponding data signal line D0, D1, Dn from functional circuit 24. Input buffer 7 0, common input and output states of pins P0 receives, coupled to the functional circuit 24 signal lines DI0
Drive. Each of output buffers 6 0 , 6 1 , 6n (and others, not shown) is enabled by a line EN at a high logic level and a line E at a low logic level.
Controlled by line EN, as disabled by N. From the output buffer 6 0 6n may be constructed in accordance with conventional design simple such as a push-pull drive circuit which is described above in connection with FIG. Alternatively, output buffer 6
0 to 6n can be configured in an open drain drive circuit, a single-ended drive circuit with an active pull-up circuit, or the like, or other conventional methods. In another alternative, a bidirectional transceiver is provided within integrated circuit 25.
In that example, output buffers 6 would be placed in their transceivers and enabled by an output enable signal combined with a directional control signal. In either case, 6n from the output buffer 6 0 according to an embodiment of the present invention, the line EN, eg selectively configured to be in a high impedance state by the gate line EN. Thus, each drive transistor becomes non-conductive in response to line EN being at the disabled level (low logic level in this example).

【0016】図2に示された本発明の実施例によれば、
集積回路25は、多重モード制御ピンM3からM0を有
する。モード制御ピンM3からM0は、それぞれ外部か
ら集積回路25に与えられるモード制御信号を受信し、
それらのモード制御信号を入力バッファ153 から15
0 に与える。入力バッファ153 から150 のそれぞれ
の出力は、集積回路25の動作を様々なモードで制御す
るために、機能回路24上に送られる。集積回路25が
動作する動作モードの例は、1つ以上の通常動作モー
ド、および例えば機能回路24の走査試験等の、1つ以
上の特別な試験モードを含んでいる。本発明のこの例に
おいては、4個のモード制御ピンM3からM0が設けら
れているので、16個の動作モードが利用可能である。
この例では、4個のモード制御ピンM3からM0が表わ
されているが、もちろん利用したい所望数のモードによ
って、それ以上のまたはそれ以下のモード制御ピンを設
ける事もできる。現に説明されるように、16個の利用
可能なモードの2つは、現に説明しているような出力不
能化論理21の制御では、本発明の実施例にしたがっ
て、出力バッファ60 から6nの不能化に割り当てられ
る。
According to the embodiment of the invention shown in FIG.
Integrated circuit 25 has multi-mode control pins M3 to M0. The mode control pins M3 to M0 respectively receive a mode control signal externally applied to the integrated circuit 25,
These mode control signals are supplied to the input buffers 15 3 to 15
Give to 0 . Each output of the input buffer 15 3 to 15 0, in order to control the operation of the integrated circuit 25 in various modes, and sent on to the functional circuit 24. Examples of operating modes in which the integrated circuit 25 operates include one or more normal operating modes and one or more special test modes, such as a scan test of the functional circuit 24, for example. In this example of the invention, four mode control pins M3 to M0 are provided, so that sixteen operating modes are available.
In this example, four mode control pins M3 to M0 are shown; however, more or less mode control pins can be provided depending on the desired number of modes to be used. In fact, as described, two of the 16 available modes are actually in control of the output disable logic 21, such as described in accordance with embodiments of the present invention, from the output buffer 6 0 6n Assigned to disabling.

【0017】入力バッファ153 から150 の出力は、
集積回路25の出力不能化論理回路21内のAND機能
200 、201 の入力に与えられる。AND機能2
0 、201 は、モード制御ピンM3からM0に与えら
れる相補的状態に対して高論理レベルの出力を与えるよ
うに構成される。この例では、AND機能200 は、低
論理レベルを受けるモード制御ピンM3、M2、M0の
それぞれと高論理レベルを受けるモード制御ピンM1の
組み合わせに応答して、活性出力を与える(すなわち、
0010のモード制御コード)。他方、AND機能20
1 は、高論理レベルを受けるモード制御ピンM3、M
2、M0のそれぞれと低論理レベルを受けるモード制御
ピンM1の組み合わせに応答して、活性出力を与える
(すなわち、1101のモード制御コード)。
[0017] The output of the input buffer 15 3 15 0,
AND function 20 0 Output disable logic circuit 21 of integrated circuit 25 is supplied to 20 of the input. AND function 2
0 0, 20 1 is configured to provide an output of the high logic level for complementary states given from the mode control pin M3 to M0. In this example, the AND function 20 0, in response to a combination of mode control pin M1 undergoing respectively a high logic level of the mode control pins M3, M2, M0 receiving a low logic level, providing an active output (i.e.,
0010 mode control code). On the other hand, AND function 20
1 is the mode control pins M3, M that receive a high logic level
2, an active output is provided in response to a combination of each of M0 and a mode control pin M1 receiving a low logic level (ie, a mode control code of 1101).

【0018】出力不能化論理回路21は、また、AND
機能200 、201 の出力を受ける入力を有するNOR
機能22を含んでいる。入力バッファ5は、出力可能化
ピンOEの状態を受け、この状態をNOR機能22の第
3の入力に加える。この接続によって、集積回路25が
通常動作にあるとき(すなわち、この例では、モード制
御ピンM3からM0が0010または1101以外のコ
ードを受けるとき)、出力バッファ60 から6nの不能
化および可能化の制御を出力可能化ピンOEでできるよ
うになる。NOR機能22は、その出力にある線ENを
駆動する。また、このNOR機能は、高レベルの出力可
能化ピンOEとの組み合わせで、高論理レベルに駆動す
るAND機能200 、201 のどちらにも応答せずに、
線ENが高論理レベルにあるように構成される。換言す
れば、線ENは、低レベルにある出力可能化ピンOE、
またはAND機能200 、201 の1つにその出力を主
張させる場合のいずれかと整合しているモード制御ピン
M3からM0の論理レベルとの組み合わせ、のいずれか
に応答して、NOR機能22によって低レベルに駆動さ
れる。
The output disabling logic circuit 21 also has an AND
Function 20 0, NOR having an input for receiving the 20 first output
Function 22 is included. The input buffer 5 receives the state of the output enable pin OE and adds this state to the third input of the NOR function 22. This connection when the integrated circuit 25 is in normal operation (i.e., in this example, when M0 from the mode control pin M3 receives a code other than 0010 or 1101), disabling and enabling of 6n from the output buffer 6 0 Can be controlled by the output enable pin OE. NOR function 22 drives line EN at its output. Further, the NOR function, in combination with the output enable pin OE high level, without answering to either the AND function 20 0, 20 1 to drive a high logic level,
Line EN is configured to be at a high logic level. In other words, the line EN is at the low level of the output enable pins OE,
Or in response to any one of mode control pin M3 which is consistent with any of the case of assert its output to one of the AND function 20 0, 20 1 combination of logic levels of M0, of the NOR function 22 Driven to low level.

【0019】図2に示されたような集積回路25の構成
によれば、モード制御ピンM3からM0に加えられる2
つのビット毎相補的コードは、出力可能化ピンOEの状
態に関係なく、出力バッファ60 から6nを不能化する
ように動作可能である。これは、出力可能化ピンOEに
高バイアスおよび低バイアスの両方で、ピンP0からP
nと一緒に一斉漏れ検出を受けさせる事を可能にする。
さらに、モード制御ピンM3からM0の2つの不能化組
み合わせは、互いに論理的な相補的関係にあるので、モ
ード制御ピンM3からM0の十分かつ完全な漏れ試験
が、信号ピンP0からPnおよび出力可能化ピンOEと
一緒に、一斉方式で同時に行える。本発明の好適な実施
例に係る漏れ試験を行うための集積回路25の動作につ
いて、図3を参照して説明する。
According to the configuration of the integrated circuit 25 as shown in FIG. 2, 2 is applied to the mode control pins M3 to M0.
One bit per complementary code, regardless of the state of the output enable pin OE, it is operable to disable the 6n from the output buffer 6 0. This is because the output enable pin OE is both high and low bias at pins P0 through P0.
It is possible to receive simultaneous leak detection together with n.
Further, since the two disabling combinations of mode control pins M3 to M0 are logically complementary to each other, a sufficient and complete leak test of mode control pins M3 to M0 can be performed on signal pins P0 to Pn and output pins. It can be performed simultaneously with the OE pin in a simultaneous manner. The operation of the integrated circuit 25 for performing a leak test according to the preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0020】図3に表わされた漏れ試験のシーケンス
は、いくつかの製造および認可試験のいずれか1つまた
はすべてにおいて有用な、集積回路25を試験するため
の全試験プログラムの一部分として自動化された試験装
置によって実行されるものである。模範的なプログラム
は、各ピンが集積回路25内の回路網に接続されている
こと(すなわち、すべての結線が接続されていること)
を確かめるための簡単な連続性試験で開始され、続い
て、図3の漏れ試験等のパラメトリック試験および電力
損失試験を行い、所望される程度に、集積回路25の実
際の動作および境界走査試験を含む厳しい機能試験を行
う。
The sequence of the leak test depicted in FIG. 3 is automated as part of a full test program for testing integrated circuit 25, useful in any one or all of several manufacturing and qualification tests. It is performed by a test apparatus. An exemplary program is that each pin is connected to a network in the integrated circuit 25 (ie, all connections are connected).
Starting with a simple continuity test to ascertain the actual operation and boundary scan test of the integrated circuit 25 to the extent desired, such as the leak test of FIG. Perform rigorous functional tests, including:

【0021】図3を参照する。本発明の好適な実施例に
係る漏れ試験は、いくつかの予備的な試験の後、処理3
0を開始し、その処理において、第1の不能化コードが
モード制御ピンM3からM0に加えられる。例えば、図
2を参照する。第1の不能化コードは、AND機能20
0 がその出力を高レベルに駆動し、NOR機能22を駆
動して線ENを低レベルにさせ、出力バッファ60 から
6nを動作不能にさせるように、ピンM3からM0上の
コード0010に応答する。第1の不能化コードは、好
ましくは、モード制御ピンM3からM0に加えられ、モ
ード制御ピンM3、M2、M0が完全に接地され、モー
ド制御ピンM1が完全にVdd(好ましくは、その最大
特定電圧)に駆動される。その結果、漏れ試験は、処理
32において、モード制御ピンM3からM0に関して同
時に実行され得る。
Referring to FIG. The leak test according to the preferred embodiment of the present invention, after some preliminary tests,
0, in which process a first disabling code is applied to the mode control pins M3 to M0. For example, refer to FIG. The first disabling code is AND function 20
0 drives its output to a high level, to the line EN drives the NOR function 22 to a low level, so as to inoperable to 6n from the output buffer 6 0, the response from the pin M3 code 0010 on M0 I do. The first disabling code is preferably applied to the mode control pins M3 to M0, the mode control pins M3, M2, M0 are fully grounded, and the mode control pin M1 is fully Vdd (preferably its maximum specified). Voltage). As a result, a leak test may be performed simultaneously on the mode control pins M3 to M0 in operation 32.

【0022】動作不能にされた出力バッファ60 から6
nに関して、次に処理32が実行され、漏れ試験の第1
パスを行う。処理32において、漏れ試験が行われる他
のピン(図示せず)と同様に、信号ピンP0からPnの
それぞれおよび出力可能化ピンOEは、仕様電圧の極値
の1つにバイアスされる。例えば、試験されるすべての
ピンは接地にバイアスされ得るし、すべてのピンは最大
電源電圧にバイアスされ得る。あるいは、いくつかは、
接地にバイアスされ、他は最大電源電圧にバイアスされ
得る。好適な方法は、ピンを交互に接地および最大電源
電圧Vddにバイアスすることによって、隣接するピン
間の漏れを試験することである。上記のごとく、モード
制御ピンM3からM0は、すでに好適な、第1の不能化
コード(この例においては0010)と関連する電圧極
値にバイアスされている。その後、選択されたバイアス
条件(図3の状態1)が、所定の待ち期間(例えば、3
0ミリ秒の単位)にわたって維持され、過渡状態を整定
する。待ち期間の後、高レベルにバイアスされたピンお
よび接地レベルにバイアスされたピンの両方に対して、
試験下の各ピンに引かれる電流が測定される。この電流
測定は、すべての信号ピンP0からPnにおいてだけで
なく、出力可能化ピンOEおよびモード制御ピンM3か
らM0においても行われる。
[0022] from the output buffer 6 0, which is inoperable 6
n, then operation 32 is performed, and the first of the leak tests is performed.
Make a pass. In process 32, each of the signal pins P0 to Pn and the output enable pin OE are biased to one of the extremes of the specified voltage, as are the other pins (not shown) on which the leak test is performed. For example, all pins tested may be biased to ground, and all pins may be biased to the maximum supply voltage. Alternatively, some
Others may be biased to ground and others to a maximum supply voltage. A preferred method is to test for leakage between adjacent pins by alternately biasing the pins to ground and the maximum power supply voltage Vdd. As mentioned above, the mode control pins M3 to M0 are already biased to a suitable voltage extremum associated with the first disabling code (0010 in this example). Thereafter, the selected bias condition (state 1 in FIG. 3) is changed for a predetermined waiting period (for example, 3).
0 msec) and settles the transient. After the waiting period, for both the high biased and ground biased pins,
The current drawn by each pin under test is measured. This current measurement is performed not only on all signal pins P0 to Pn, but also on output enable pin OE and mode control pins M3 to M0.

【0023】上述のように、近年の自動化試験装置は、
典型的には、デバイスの各ピンのパラメトリック測定ユ
ニットを有する。したがって、処理32において実行さ
れる電流測定では、デバイスのすべてのピンにおける個
々の漏れ電流を、同時にかつ並行して、好ましい形で測
定する。そのような漏れ電流の並行測定は、ピン毎にバ
イアスをかけて行う適切な漏れ試験を保証するだけでな
く、すべてのピンに対する漏れ電流測定を一度に効率的
に行う。代替案として、特に、自動化試験装置が各デバ
イスピンに対するパラメトリック測定ユニットを含んで
いない場合には、漏れ電流は多くのピンに対して集合的
に測定することができる。これは、例えば、高レベルに
バイアスされるすべてのピンによって引かれる集合漏れ
電流を測定し、かつ低レベルにバイアスされるすべての
ピンにおいて発生される集合漏れ電流を測定することに
よって行われる。
As described above, recent automated test equipment is
Typically, it has a parametric measurement unit for each pin of the device. Thus, the current measurement performed in process 32 measures the individual leakage currents at all pins of the device simultaneously and in parallel, in a favorable manner. Such a parallel measurement of leakage current not only ensures proper leakage testing with a pin-by-pin bias, but also efficiently performs leakage current measurements on all pins at once. Alternatively, the leakage current can be measured collectively for many pins, especially if the automated test equipment does not include a parametric measurement unit for each device pin. This is done, for example, by measuring the collective leakage current drawn by all pins biased high and measuring the collective leakage current generated at all pins biased low.

【0024】本発明の好適な実施例においては、判定3
3では、測定された漏れ電流のいずれかがその該当ピン
に対する適切な仕様限界値を超えるか否かを判断する。
上記のように、この典型的な限界値の値は、10μAの
単位にある。もし、測定された漏れ電流のいずれかがそ
の該当ピンに対する適切な仕様限界値を超えている場合
には(すなわち、判定がNO)、試験される集積回路2
5は、試験プログラムから落とされ、廃棄されることに
なる。もし、測定された漏れ電流のいずれもその該当ピ
ンに対する適切な仕様限界値を超えていない場合には
(すなわち、判定がYES)、1つのピンにも過剰な漏
れはなく、制御は処理36に移る。
In a preferred embodiment of the present invention, the decision 3
At 3, it is determined whether any of the measured leakage currents exceeds an appropriate specification limit for that pin.
As mentioned above, this typical limit value is in the order of 10 μA. If any of the measured leakage currents exceed the appropriate specification limits for that pin (i.e., NO determination), the integrated circuit 2 to be tested
5 will be dropped from the test program and discarded. If none of the measured leakage currents exceeds the appropriate specification limit for that pin (i.e., YES), there is no excessive leakage at one pin and control returns to step 36. Move on.

【0025】本発明の好適な実施例に係る処理36で
は、モード制御ピンM3からM0が、処理30の不能化
コードに対して相補的である第2の不能化コードに設定
される。この例では、モード制御ピンM3からM0は、
1101のコードを受ける。再び、処理30と同様に、
第2のコードを持つモード制御ピンM3からM0のバイ
アスが、仕様限界値にされる。すなわち、モード制御ピ
ンM3、M2、M0が、最大電源電圧値Vddに、モー
ド制御ピンM1が、接地され、この相補的なバイアス状
態でモード制御ピンM3からM0の漏れ試験を行わせ
る。
In operation 36 according to the preferred embodiment of the present invention, mode control pins M3 through M0 are set to a second disabling code that is complementary to the disabling code of operation 30. In this example, the mode control pins M3 to M0 are:
The code of 1101 is received. Again, as in process 30,
The bias on the mode control pins M3 to M0 having the second code is set to the specification limit. That is, the mode control pins M3, M2, and M0 are set to the maximum power supply voltage value Vdd, and the mode control pin M1 is grounded, and a leak test of the mode control pins M3 to M0 is performed in the complementary bias state.

【0026】その後、処理38が実行され、第2の一斉
漏れ試験を行う。処理38では、信号ピンP0からPn
のそれぞれ、出力可能化ピンOE,および漏れ試験され
る事が好ましい他のピンが、その値からこれらのピンが
処理32においてバイアスされた値の逆電圧極値(図3
の状態2)にバイアスされる。この逆バイアスによっ
て、各ピンが、高電圧および低電圧での両方における漏
れ(すなわち、それぞれ接地への漏れおよびVddへの
漏れ)に対して試験されるようになる。再び30ミリ秒
単位の待ち時間の後、それらのピンのそれぞれに流れる
漏れ電流が、処理32に対して説明された方法と同様に
測定される。処理38における電流測定は、すべての信
号ピンP0からPn、出力可能化ピンOE,およびモー
ド制御ピンM3からM0で行われる。判定39において
は、測定された漏れ電流のそれぞれが、適切なピン限界
値と比較される。もし、測定された漏れ電流のいずれか
がその試験限界値を超えている場合には(すなわち、判
定39がNO)、試験される集積回路25は、仕様を満
足しないので、廃棄されることになる。もし、測定され
た漏れ電流のいずれもその試験限界値を超えていない場
合には(すなわち、判定39がYES)、1つのピンに
も過剰な漏れはなく、集積回路25の漏れ試験が完了す
る。その後、制御は特別な試験プログラム内の次の試験
に移る。
Thereafter, a process 38 is executed to perform a second simultaneous leak test. In the process 38, the signal pins P0 to Pn
Respectively, the output enable pin OE, and the other pins that are preferably tested for leakage, are determined from their values by the reverse voltage extremes of the values at which these pins were biased in process 32 (FIG.
State 2). This reverse bias causes each pin to be tested for leakage at both high and low voltages (ie, leakage to ground and leakage to Vdd, respectively). Again, after a latency of the order of 30 milliseconds, the leakage current flowing in each of those pins is measured in a manner similar to that described for process 32. The current measurement in process 38 is performed on all signal pins P0 to Pn, output enable pin OE, and mode control pins M3 to M0. In decision 39, each of the measured leakage currents is compared to an appropriate pin limit. If any of the measured leakage currents exceed the test limit (i.e., decision 39 is NO), the integrated circuit 25 being tested does not meet specifications and will be discarded. Become. If none of the measured leakage currents exceeds its test limit (ie, decision 39 is YES), there is no excessive leakage at one pin and the leakage test of integrated circuit 25 is completed. . Thereafter, control passes to the next test in the special test program.

【0027】本発明のこの実施例によれば、出力可能化
ピンOEは、集積回路25内の出力バッファ60 から6
nを普通に動作可能にする電圧(この例では高レベル)
を含んでいる、両方の電圧極値において漏れが試験され
る。出力可能化ピンOEの漏れ試験は、信号ピンP0か
らPnの漏れ試験と同時に行われる。さらに、モード制
御ピンM3からM0が出力バッファ60 から6nを動作
不能にさせる不能化コードにより、モード制御ピンM3
からM0のそれぞれもまた、両方の電圧極値において、
信号ピンP0からPnおよび出力可能化ピンOEと同時
に、漏れが試験される。したがって、本発明の好適な実
施例の結果、必要とされる特定の漏れ試験を完全に完了
させるために、漏れ試験の余分なパスが要求されない。
したがって、必要な待ち時間を含む、そのような付加的
パスに要する時間が試験プログラムから削除される。
According to this embodiment of the [0027] present invention, the output enable pin OE from the output buffer 6 0 in the integrated circuit 25 6
n is a voltage that enables normal operation (high level in this example)
The leak is tested at both voltage extremes, including The leak test of the output enable pin OE is performed simultaneously with the leak test of the signal pins P0 to Pn. Furthermore, by disabling code M0 from the mode control pin M3 causes the inoperative to 6n from the output buffer 6 0, mode control pins M3
To M0 also at both voltage extremes,
The leak is tested simultaneously with the signal pins P0 to Pn and the output enable pin OE. Thus, as a result of the preferred embodiment of the present invention, no extra pass of the leak test is required to completely complete the specific leak test required.
Thus, the time required for such additional passes, including the required latency, is eliminated from the test program.

【0028】図4を参照する。本発明の代替実施例に係
る集積回路45の構成について説明する。図2の集積回
路25の構成要素と同じである図4に示された集積回路
45の構成要素は、同一の符号によって参照される。集
積回路45は、この例では、機能回路44を含む。この
機能回路44は、上述の集積回路25内の機能回路24
と類似しており、その外部にある装置またはサブシステ
ムとデジタルまたはアナログ通信が適切に行えるもので
あれば、いかなる型の機能回路でもよい。
Referring to FIG. A configuration of an integrated circuit 45 according to an alternative embodiment of the present invention will be described. Components of the integrated circuit 45 shown in FIG. 4 that are the same as components of the integrated circuit 25 of FIG. 2 are referred to by the same reference numerals. The integrated circuit 45 includes a functional circuit 44 in this example. This functional circuit 44 is a functional circuit 24 in the integrated circuit 25 described above.
Any type of functional circuit may be used, as long as it can perform digital or analog communication with external devices or subsystems.

【0029】しかし、集積回路45においては、ピンす
なわち端子が、機能回路44によって発生される信号に
応答して別々に動作可能または動作不能にされるグルー
プに、グループ化すなわちバンク(列)化されて配列さ
れている。図4に示されているように、ピンP0、P1
は、1つのバンク内にあって、出力可能化線ENa上の
可能化および不能化信号によって動作可能および動作不
能にさせられる、対応する出力バッファ60 、61 を有
している。ピンP2、P3は、第2のバンク内にあっ
て、別の出力可能化線ENb上の可能化および不能化信
号によってそれぞれ制御される、対応する出力バッファ
2 、63 を有している。各バンクと関連して、図4で
は2つのピンが示されているが、もちろん、各バンクに
は例えばバンク当たり64個から72個までの多数のピ
ンを含ませる事ができる。可能化線ENa、ENbは、
機能回路44内の内部機能によって発生される、例えば
或るプログラム指令の実行に応答して作り出される、線
OEa、OEb上の出力可能化信号に応答して、出力不
能化論理回路41によって発生される。
However, in integrated circuit 45, the pins or terminals are grouped or banked into groups that are separately enabled or disabled in response to signals generated by functional circuit 44. Are arranged. As shown in FIG. 4, pins P0, P1
Is there in one bank, the output enable line is caused to allow and inoperable operation by enabling and disabling signal on ENa, and a corresponding output buffer 6 0, 6 1. Pins P2, P3 are be in a second bank have respectively controlled by enabling and disabling signal on another of the output enable line ENb, the output buffer 6 2, 6 3 corresponding . Although two pins are shown in FIG. 4 in association with each bank, each bank can of course include a large number of pins, for example, 64 to 72 pins per bank. The enabling lines ENa, ENb are:
Generated by output disable logic 41 in response to an output enable signal on lines OEa, OEb generated by internal functions within function circuit 44, for example, generated in response to execution of certain program commands. You.

【0030】本発明の第2の実施例に係る、出力不能化
論理回路41は、入力バッファ15 3 から150 を介し
て、モード制御ピンM3からM0に結合されている。集
積回路25におけるように、入力バッファ153 から1
0 のそれぞれは、その関連のモード制御ピンM3 から
0 で外部モード制御コードの1ビットを受け、そのビ
ットを、そのビットに応答して所望の動作モードを選択
する機能回路網44に送る。入力バッファ153 から1
0 の出力におけるモード制御ピンM 3 からM0 の状態
もまた、集積回路45の出力不能化論理41内のAND
機能200 、201 に送られる。同様に、集積回路25
内の出力不能化論理21の場合と同じように、AND機
能200 、201 は、モード制御ピンM3 からM0 で受
信された相補的モード制御コードに対して高論理レベル
を与えるように構成される。この例では、集積回路25
におけるように、AND機能200 は0010のモード
制御コードに応答して活性出力を与える。一方、AND
機能201 は、モード制御ピンM3 からM0 にある11
01のモード制御コードに応答して活性出力を与える。
Output disabling according to the second embodiment of the present invention
The logic circuit 41 includes the input buffer 15 ThreeFrom 150Through
And are coupled to mode control pins M3 to M0. Collection
As in the integrated circuit 25, the input buffer 15ThreeFrom 1
50Each have their associated mode control pin MThreeFrom
M0Receives one bit of the external mode control code, and
The desired operating mode in response to that bit.
To the functional network 44 to perform. Input buffer 15ThreeFrom 1
50Mode control pin M at the output of ThreeTo M0State
Also, the AND in the output disable logic 41 of the integrated circuit 45
Function 200, 201Sent to Similarly, the integrated circuit 25
As in the case of the output disabling logic 21 in FIG.
No. 200, 201Is the mode control pin MThreeTo M0Received at
High logic level for transmitted complementary mode control code
Is configured to give In this example, the integrated circuit 25
As in AND function 200Is the mode of 0010
An active output is provided in response to the control code. On the other hand, AND
Function 201Is the mode control pin MThreeTo M011 in
An active output is provided in response to the mode control code of 01.

【0031】しかし、本発明の第2の実施例によれば、
出力不能化論理41もまた、2つのNOR機能42a、
42bを有する。それらのNOR機能のそれぞれは、A
ND機能200 、201 の出力に接続された入力を有す
る。さらに、NOR機能42aは、機能回路網44から
の線OEa上の出力可能信号を受けるための入力を有す
る。一方、NOR機能42bは、機能回路網44からの
線OEb上の出力可能信号を受けるための入力を有す
る。この例では、NOR機能42aは、高レベルである
AND機能200 、201 の出力、または低レベルであ
る機能回路網44からの信号線OEaのいずれかに応答
して、線ENaを低レベルに駆動し、出力バッファ
0 、61 を動作不能にさせる。一方、NOR機能42
bは、高レベルであるAND機能200 、201 の出
力、または低レベルである機能回路網44からの信号線
OEbのいずれかに応答して、線ENbを低レベルに駆
動し、出力バッファ62 、63 を動作不能にさせる。し
たがって、通常動作(すなわち、0010または110
1以外のモード制御コード)では、機能回路網44は、
出力バッファ60 、61 と62 、63 のバンクを別々に
動作可能および動作不能にできる。
However, according to the second embodiment of the present invention,
Output disable logic 41 also has two NOR functions 42a,
42b. Each of those NOR functions is A
Having ND function 20 0, 20 1 of input connected to the output. In addition, NOR function 42a has an input for receiving an output enable signal on line OEa from functional circuitry 44. On the other hand, NOR function 42b has an input for receiving an output enable signal on line OEb from functional network 44. In this example, NOR function 42a in response to one of the signal lines OEa from AND function 20 0, 20 1 of the output or function circuitry 44 is low level, a high level, a line ENa low level driven in, causing the output buffer 6 0, 6 1 inoperable. On the other hand, the NOR function 42
b drives line ENb low in response to either the output of AND function 20 0 , 20 1 being high or signal line OEb from functional network 44 being low, and the output buffer 6 2 and 6 3 are disabled. Therefore, normal operation (ie, 0010 or 110
In a mode control code other than 1), the functional network 44
Output buffer 6 0, 6 1 and 6 2, 6 3 of the bank can be separately inoperable possible and operation.

【0032】本発明のこの実施例のモード制御ピンM3
からM0は、AND機能200 、201 およびNOA機
能42a、42bの動作によって、マスター出力不能化
制御ピンとして作用する。モード制御ピンM3からM0
で相補的不能化コード(この例では、0010、110
1)のいずれかを受けると、NOR機能42a、42b
は、ともにそれらの対応する出力線ENa、ENbを低
レベルに駆動し、機能回路網44からの線OEa、OE
b上の出力可能化信号の状態に関係なく、集積回路45
内の出力バッファ60から63のすべてを動作不能にす
る。この装置は、機能回路44の動作による出力バッフ
ァ6の厄介な前処理を要求することなく、試験されるす
べての信号ピンPに対して高および低バイアスにおける
一斉漏れ試験を可能にさせる。したがって、図3に関連
して述られた漏れ試験の方法は、本発明のこの第2の実
施例に係る集積回路45に与えられ得る。
The mode control pin M3 of this embodiment of the present invention
M0 is, the AND function 20 0, 20 1 and NOA function 42a, the operation of 42b, acts as a master output disable control pin from. Mode control pins M3 to M0
At the complementary disabling code (in this example, 0010, 110
When any of the above 1) is received, the NOR functions 42a and 42b
Drive their corresponding output lines ENa, ENb low, and output lines OEa, OE from functional network 44.
b, regardless of the state of the output enable signal on
Disables all of the output buffers 60 to 63 within. This arrangement allows simultaneous leakage testing at high and low bias for all signal pins P tested without requiring cumbersome pre-processing of output buffer 6 by operation of functional circuit 44. Accordingly, the leak test method described in connection with FIG. 3 may be provided to an integrated circuit 45 according to this second embodiment of the present invention.

【0033】図2に関して説明された本発明の実施例に
おけるように、モード制御ピンM3からM0の2つの不
能化組み合わせの相補的性質が、信号ピンP0からP6
と同時に、モード制御ピンM3からM0の十分かつ完全
な一斉漏れ試験を可能にさせる。したがって、すべての
出力バッファ6が、機能回路44等による一連の指令の
実行による出力バッファ6の厄介な前処理を要求するこ
となく、2つの相補的不能化コードの1つをモード制御
ピンM0からM3に印加することによって不能化され
る。したがって、本発明の好適な各実施例において、す
べての信号ピンおよびモード制御ピン、更に、存在する
場合には、その集積回路のいかなる出力可能化ピンにつ
いても漏れ試験が効率的に実施され得る集積回路が与え
られる。この効率は、出力バッファを動作不能にさせる
際に使用されるピンに加えられる漏れ試験の付加的パス
の削除により、特に、モード制御ピンが出力バッファを
動作不能にさせるために使用された場合に、大きいもの
となる。以上、本発明と好適な実施例に即して説明した
が、本発明は実施例に限定されるものではなく、本発明
の効果を奏する実施例の改良は、本発明の保護範囲に含
まれるものである。
As in the embodiment of the invention described with reference to FIG. 2, the complementary nature of the two disabling combinations of mode control pins M3 to M0 is similar to that of signal pins P0 to P6.
At the same time, it enables a full and complete simultaneous leak test of the mode control pins M3 to M0. Thus, all output buffers 6 can pass one of the two complementary disabling codes from mode control pin M0 without requiring cumbersome pre-processing of output buffer 6 by executing a series of commands, such as by functional circuit 44. Disabled by applying to M3. Thus, in each of the preferred embodiments of the present invention, an integrated leak test can be efficiently performed on all signal and mode control pins, and, if present, any output enable pins of the integrated circuit. A circuit is provided. This efficiency is due to the elimination of additional leakage test paths applied to the pins used in disabling the output buffer, especially when the mode control pins are used to disable the output buffer. , Will be bigger. As described above, the present invention and the preferred embodiments have been described. However, the present invention is not limited to the embodiments, and improvements in the embodiments that achieve the effects of the present invention are included in the protection scope of the present invention. Things.

【0034】以上の説明に関し更に以下の項を開示す
る。 1.機能回路網と、それぞれが機能回路網に結合された
入力を有するとともに、複数個の出力ピンの内の関連す
る1個に結合された出力を有する、複数個の出力バッフ
ァと、動作モードコードを受けるための、複数個のモー
ド制御ピンと、モード制御ピンに結合された入力を有
し、第1の動作モードコードを受ける複数個のモード制
御ピンに応答して不能化信号を発生し、複数個のモード
制御ピンに応答して第1の不能化コードの論理相補であ
る第2の動作モードコードを受けるための、出力不能化
論理回路とを備え、上記複数個の出力バッファのそれぞ
れが、不能化信号に応答して複数個の出力バッファがそ
れらの関連信号ピンを高インピーダンス状態にする当該
不能化信号を受けることを特徴とする集積回路。 2.第1項に記載の集積回路において、さらに上記出力
不能化論理回路の他の入力に結合され、出力不能化信号
を受けるための、出力可能化ピンを備え、上記出力不能
化論理回路はまた、出力不能化信号を受ける出力可能化
ピンに応答して不能化信号を発生することを特徴とする
集積回路。 3.第1項に記載の集積回路において、上記出力不能化
論理回路はまた、機能回路網に結合された入力を有し、
第1の出力不能化信号を受けるとともに、上記出力不能
化論理回路はまた、第1の出力不能化信号の受信に応答
して不能化信号を発生することを特徴とする集積回路。 4.第3項に記載の集積回路において、上記出力不能化
論理回路はまた、機能回路網に結合された入力を有し、
第2の出力不能化信号を受けること、上記出力不能化論
理回路は、第1の出力不能化信号の受信に応答して複数
個の出力バッファの第1バンクに対して不能化信号を発
生すること、上記出力不能化論理回路は、第2の出力不
能化信号の受信に応答して複数個の出力バッファの第2
バンクに対して不能化信号を発生すること、さらに、上
記出力不能化論理回路はまた、第1または第2の動作モ
ードコードのいずれかを受ける複数個のモード制御ピン
に応答して複数個の出力バッファ第1および第2のバン
クに対して不能化信号を発生することを特徴とする集積
回路。 5.第1項に記載の集積回路において、上記モード制御
ピンが機能回路網にも結合され、それに対して動作モー
ドコードを与えることを特徴とする集積回路。 6.第1項に記載の集積回路において、さらに、複数個
のモード制御入力バッファを備え、それぞれが複数個の
モード制御ピンの1つに結合された入力を有するととも
に、上記出力不能化論理回路に結合された出力を有する
ことを特徴とする集積回路。 7.第1項に記載の集積回路において、さらに、上記出
力可能化ピンに結合された入力および上記出力不能化論
理回路に結合された出力を有する入力バッファを備えて
いることを特徴とする集積回路。 8.第1項に記載の集積回路において、信号ピンの1つ
に結合された入力および機能回路網に結合された出力を
有する、少なくとも1個の入力バッファを備えているこ
とを特徴とする集積回路。 9.第1項に記載の集積回路において、上記出力不能化
論理回路は、第1の動作モードコードを受けるモード制
御ピンに応答して不能化信号を発生するため、複数個の
モード制御ピンに結合されかつ出力バッファの制御入力
に結合された第1の論理積論理機能と、第2の動作モー
ドコードを受けるモード制御ピンに応答して不能化信号
を発生するため、複数個のモード制御ピンに結合されか
つ出力バッファの制御入力に結合された第2の論理積論
理機能と、を備えていることを特徴とする集積回路。 10.第9項に記載の集積回路において、上記出力不能化
論理回路は、さらに、第1または第2の動作モードコー
ドのいずれかを受けるモード制御ピンに応答して、また
は出力不能化信号を受ける出力可能化ピンに応答して不
能化信号を発生するため、第1および第2の論理積論理
機能の出力に結合された入力を有し、出力可能化ピンに
結合された入力を有し、さらに出力バッファの制御入力
に結合された出力を有する論理和論理機能を備えている
ことを特徴とする集積回路。 11.外部端子において漏れを効率的に試験可能な集積回
路45が、開示されている。その集積回路45は、出力
不能化論理41によって発生される信号ENの状態に応
じて動作可能および動作不可能にされる出力バッファ6
によって駆動される信号ピンPを有する。モード制御ピ
ンMは、互いに相補的ではあるがそれぞれが出力バッフ
ァ6を動作不可能にさせるように働く2つの動作モード
コードを受ける。また、出力可能化ピンOEは、出力不
能化論理41に結合され、通常動作において出力バッフ
ァを動作不能にさせる。代わりに、出力可能化信号OE
a,OEbが、出力バッファ6のバンクを制御するため
の機能回路網44によって発生される。その後、出力不
能化コードの1つをモード制御ピンMに印加して、信号
ピンPおよび出力可能化ピンOEを第1の状態に偏倚さ
せ、設定までの過渡的期間を待って、その後、各ピンの
電流を仕様限界値と比較することによって、漏れ試験が
実施される。相補的出力不能化コードを制御ピンMに印
加し、それを繰り返すことによって他の電圧状態での漏
れが試験される。すべての出力バッファ6が動作不可能
にされることを保証しながら、信号ピンPと一緒にモー
ド制御ピンMおよび出力可能化ピンOEが試験されるの
で、第3の漏れ段階を行う必要がなくなる。
With respect to the above description, the following items are further disclosed. 1. A functional network, a plurality of output buffers each having an input coupled to the functional network and having an output coupled to an associated one of the plurality of output pins, and an operating mode code. A plurality of mode control pins for receiving a first operating mode code, the mode control pins having an input coupled to the mode control pins for receiving the first operating mode code; Output disabling logic for receiving a second operating mode code which is a logical complement of the first disabling code in response to a mode control pin of An integrated circuit, wherein a plurality of output buffers receive the disabling signal that places their associated signal pins in a high impedance state in response to the disabling signal. 2. The integrated circuit of claim 1, further comprising an output enable pin coupled to another input of said output disable logic for receiving an output disable signal, said output disable logic also comprising: An integrated circuit for generating a disable signal in response to an output enable pin receiving an output disable signal. 3. 2. The integrated circuit of claim 1, wherein said output disable logic also has an input coupled to a functional network;
An integrated circuit for receiving a first output disabling signal and wherein the output disabling logic circuit also generates a disabling signal in response to receiving the first output disabling signal. 4. 4. The integrated circuit of claim 3, wherein said output disable logic also has an input coupled to a functional network,
Upon receiving a second output disabling signal, the output disabling logic generates a disabling signal for a first bank of the plurality of output buffers in response to receiving the first output disabling signal. The output disabling logic circuit may be configured to respond to the reception of the second output disabling signal in response to receiving the second output disabling signal.
Generating a disabling signal for the bank; further, the output disabling logic circuit also includes a plurality of mode control pins responsive to receiving a first or second operating mode code. An integrated circuit for generating a disable signal for output buffer first and second banks. 5. The integrated circuit of claim 1, wherein said mode control pin is also coupled to a functional network to provide an operating mode code thereto. 6. 2. The integrated circuit of claim 1, further comprising a plurality of mode control input buffers, each having an input coupled to one of the plurality of mode control pins, and coupled to the output disable logic circuit. An integrated circuit having a modified output. 7. The integrated circuit of claim 1, further comprising an input buffer having an input coupled to said output enable pin and an output coupled to said output disable logic. 8. 2. The integrated circuit of claim 1, further comprising at least one input buffer having an input coupled to one of the signal pins and an output coupled to the functional network. 9. 2. The integrated circuit of claim 1 wherein said output disable logic is coupled to a plurality of mode control pins for generating a disable signal in response to a mode control pin receiving a first operating mode code. A first AND logic function coupled to the control input of the output buffer; and a plurality of mode control pins for generating the disable signal in response to the mode control pin receiving the second operation mode code. And a second AND logic function coupled to the control input of the output buffer. Ten. 10. The integrated circuit according to claim 9, wherein said output disabling logic circuit further comprises an output responsive to a mode control pin receiving either the first or second operation mode code or receiving an output disable signal. Having an input coupled to the outputs of the first and second AND logic functions, generating an disable signal in response to the enable pin, having an input coupled to the output enable pin; An integrated circuit having an OR logic function having an output coupled to a control input of an output buffer. 11. An integrated circuit 45 capable of efficiently testing for leakage at external terminals is disclosed. The integrated circuit 45 is enabled and disabled according to the state of the signal EN generated by the output disable logic 41.
Has a signal pin P driven. The mode control pins M receive two operating mode codes that are complementary to each other but each serve to render the output buffer 6 inoperable. Output enable pin OE is also coupled to output disable logic 41 to disable the output buffer in normal operation. Instead, the output enable signal OE
a, OEb are generated by a functional network 44 for controlling the banks of the output buffer 6. Thereafter, one of the output disable codes is applied to the mode control pin M to bias the signal pin P and the output enable pin OE to the first state, and waits for a transitional period until the setting, and thereafter, A leak test is performed by comparing the pin current to specification limits. The leakage at other voltage conditions is tested by applying a complementary output disable code to control pin M and repeating it. Since the mode control pin M and the output enable pin OE are tested together with the signal pin P, ensuring that all output buffers 6 are disabled, there is no need to perform a third leakage stage. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の集積回路における出力回路の一部を概略
的に示した電気回路図である。
FIG. 1 is an electric circuit diagram schematically showing a part of an output circuit in a conventional integrated circuit.

【図2】本発明の第1の好適な実施例に係る集積回路に
おける出力回路網の一部を概略的に示した電気回路図で
ある。
FIG. 2 is an electric circuit diagram schematically showing a part of an output network in the integrated circuit according to the first preferred embodiment of the present invention;

【図3】本発明の好適な実施例に係る漏れ方法の動作を
説明するためのフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating an operation of a leakage method according to a preferred embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の好適な実施例に係る集積回路に
おける出力回路網の一部を概略的に示した電気回路図で
ある。
FIG. 4 is an electric circuit diagram schematically showing a part of an output network in an integrated circuit according to a second preferred embodiment of the present invention.

【符号の説明】 6 出力バッファ 41 出力不能化論理 44 機能回路網 45 集積回路[Description of Signs] 6 Output buffer 41 Output disable logic 44 Functional circuit network 45 Integrated circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 機能回路網と、それぞれが機能回路網に
結合された入力を有するとともに、複数個の出力ピンの
内の関連する1個に結合された出力を有する、複数個の
出力バッファと、 動作モードコードを受けるための、複数個のモード制御
ピンと、 モード制御ピンに結合された入力を有し、第1の動作モ
ードコードを受ける複数個のモード制御ピンに応答して
不能化信号を発生し、複数個のモード制御ピンに応答し
て第1の不能化コードの論理相補である第2の動作モー
ドコードを受けるための、出力不能化論理回路とを備
え、 上記複数個の出力バッファのそれぞれが、不能化信号に
応答して複数個の出力バッファがそれらの関連信号ピン
を高インピーダンス状態にする当該不能化信号を受ける
ことを特徴とする集積回路。
A functional network and a plurality of output buffers each having an input coupled to the functional network and having an output coupled to an associated one of the plurality of output pins. A mode control pin for receiving an operation mode code; and an input coupled to the mode control pin, wherein the disable signal is provided in response to the plurality of mode control pins for receiving the first operation mode code. An output disabling logic circuit for receiving, in response to a plurality of mode control pins, a second operating mode code that is a logical complement of the first disabling code, the output buffer comprising: Wherein each of the plurality of output buffers receives the disabling signal in response to the disabling signal, the output buffers placing their associated signal pins in a high impedance state.
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