JPH10173261A

JPH10173261A - 半導体発光素子駆動回路および画像記録装置

Info

Publication number: JPH10173261A
Application number: JP33198196A
Authority: JP
Inventors: Chikao Ikeda; 周穂池田
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1996-12-12
Filing date: 1996-12-12
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体発光素子の発熱による出力変動を精度よ
く補正することのできる半導体発光素子駆動回路、およ
びこの半導体発光素子駆動回路を用いた画像記録装置を
提供することを目的とする。【解決手段】レーザダイオード１４にバイアス電流を供
給するバイアス電流源１０ｂと、所定の変調信号に応じ
て変動する変調電流を供給する変調電流源１０ａと、レ
ーザダイオード１４の温度による出力変化を補正するた
めの、積分器１９および電圧電流変換器２０からなる補
正回路１０ｃとを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子
を、例えばレーザゼログラフィー方式の画像記録装置の
静電潜像形成用光源などの用途に用いる場合の、半導体
発光素子を駆動するための半導体発光素子駆動回路、お
よびその半導体発光素子駆動回路を用いた画像記録装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えばレーザゼログラフィー方式
の画像記録装置では、レーザ光をパルス幅変調すること
により感光体上の潜像電位を制御して画像の濃淡を表現
している。図９は、レーザ駆動電流の波形（図９
（ａ））およびそのレーザ駆動電流により駆動される半
導体レーザからのレーザ光出力波形（図９（ｂ））を示
すグラフである。

【０００３】一般に半導体レーザは、レーザ光出力の動
特性を向上させるために、レーザ発振閾値以下の一定の
バイアス電流を変調電流に重畳したレーザ駆動電流で駆
動される。図９（ａ）には、バイアス電流に変調電流が
重畳されたレーザ駆動電流の波形が示されている。図９
（ａ）に示すように、一定レベルのバイアス電流が供給
されているところに、時刻ｔ1 から時刻ｔ2 までの間、
所定レベルの変調電流が重畳されて半導体レーザに供給
された場合に、半導体レーザからのレーザ光出力は、図
９（ｂ）に示すように、最初のレーザ点灯時ｔ1 には所
定のパルスピーク値Ｐ１を示すが、その瞬間から徐々に
減衰していき、レーザ消灯時ｔ2 にはレーザ光出力はＰ
１より低いＰ１’レベルまで低下する。次に時刻ｔ3 で
半導体レーザが再び点灯された時も、点灯時にパルスピ
ーク値Ｐ２を示した後、徐々に減衰し時刻ｔ4 ではＰ
２’に低下する。

【０００４】ここで、２回目に点灯された時刻ｔ3 時点
のパルスピーク値Ｐ２は、最初のパルスピーク値Ｐ１よ
りも低い値を示している。このように、後続するパルス
ピーク値が始めのパルスピーク値よりも低い値を示す現
象はパターン効果と呼ばれ、このパルスピーク値の差は
前回のレーザ消灯時刻から次回のレーザ点灯時刻までの
時間間隔が短いほど大きい。

【０００５】このように、半導体レーザを同一レベルの
レーザ駆動電流で駆動してもレーザ光出力が時間の経過
と共に低下するため、レーザゼログラフィー方式の画像
記録装置において、例えば、レーザ光の走査方向に垂直
な方向に延びる帯状パターンを同一濃度で印字しようと
した場合、半導体レーザの点灯開始時と半導体レーザの
消灯時とでレーザ光出力レベルが異なってくるため、パ
ターンの幅内で濃度むらを生じる。また、レーザ光の走
査方向に垂直な方向に並んで延びる複数の帯状パターン
を同一濃度で印字しようとした場合は、上述のパターン
効果のために、パターン幅内だけでなく、隣り合うパタ
ーンどうしの間にも濃度むらを生じる。このように、レ
ーザ光出力レベルが変動し濃度むらを生じるのは、半導
体レーザチップが駆動電流により発熱しチップ温度が上
昇してレーザの駆動状態が変化するためであることが知
られている。

【０００６】図１０は、レーザ駆動電流に対するレーザ
光出力の関係を示すグラフである。図１０に示すよう
に、レーザチップの温度が低い時の電流発光量特性Ａ
は、レーザ駆動電流をゼロから徐々に増加していき、レ
ーザ発振閾値と呼ばれる値Ｉｔｈ₁ を越えるとレーザ光
出力は急激に増加する。レーザ駆動電流がレーザ発振閾
値Ｉｔｈ₁ を超えた後はレーザ光出力はレーザ駆動電流
にほぼ比例して増大していく。このレーザ発振閾値は、
レーザチップの温度が上昇すると（電流発光量特性
Ｂ）、それにつれてレーザ発振閾値Ｉｔｈ₂ は高電流側
にシフトする。したがって、例えば、図１０に示すレー
ザ駆動電流Ｉで半導体レーザを駆動したとき、レーザ駆
動直後はレーザチップの温度が低くレーザ発振閾値Ｉｔ
ｈ₁ が低いためレーザ出力レベルＬ１は高い値を示す
が、連続して駆動している間にレーザチップ温度が上昇
しそれに伴ってレーザ発振閾値Ｉｔｈ₂ が上昇するた
め、同一のレーザ駆動電流Ｉで駆動を続けるとレーザ光
出力はＬ２のように低下する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような問題に対し
さまざまな対策が提案されている。これらの対策に共通
しているのは、レーザの駆動状態を反映する何らかの物
理量を検出しその物理量から駆動状態を推定して駆動電
流を調整するという方法を採用していることである。こ
れらの対策を検出対象別に分類すると次の４通りの方式
に分けられる。

【０００８】第一の方式は、変調するパターンを検出す
るものであり、特開昭４９−１２２９９０号公報には、
ディジタルの符号化パルスパターンを検出しその検出状
態に応じた補正パルス電流をレーザ駆動電流に重畳する
方法が開示されている。しかし、この方法はディジタル
のパルスパターンを検出して補正するものであるためア
ナログ的な補正ができず温度補正の精度が低いという問
題がある。

【０００９】第二の方式は、パルス変調された駆動信号
を検出しこれにアナログ的演算を施し、その演算結果に
基づいてレーザ駆動電流を補正する方式である。この方
式の一例として特公昭５８−５１４３５号公報を挙げる
ことができる。この公報に開示されているレーザ駆動回
路では、入力された変調信号をそのまま増幅した信号
と、入力された変調信号を積分回路により積分してから
増幅した信号とを和回路で加算することにより、レーザ
駆動信号を生成している。

【００１０】図１１は、特公昭５８−５１４３５号公報
に開示されたレーザ駆動回路の出力波形の説明図であ
る。図１１（ａ）は、補正を行わなかったときのレーザ
駆動電流の波形であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）
の波形のレーザ駆動電流で駆動されたレーザからのレー
ザ光出力波形である。図１１（ｂ）に示すように、レー
ザ光出力は、レーザがオンになった瞬間にパルスピーク
値を示した後、徐々にレーザ光出力が減少している。図
１１（ｃ）は、積分回路で作られる、図１１（ａ）のレ
ーザ駆動電流の積分波形であり、図１１（ｄ）は、図１
１（ａ）に示す波形と、それを積分した後の図１１
（ｃ）に示す波形とを加算した波形である。図１１
（ｄ）の波形のレーザ駆動電流によりレーザを駆動する
ことにより、波形の頭部の傾斜部分が互いに相殺され
て、図１１（ｅ）に示すような、図１１（ａ）の波形に
近い波形を持つレーザ光出力が得られる。このような、
積分回路を通した変調信号を元の変調信号に重畳する方
法と類似の方法が、上記のほかにも多数提案されてい
る。例えば、特開昭６３−２１３９８３号公報には、前
述の特開昭５８−５１４３５号公報に示された回路と基
本的には同様の考え方に基づく、最初に変調信号で増幅
しておいてからローパスフィルタ（積分器）を通した信
号をレーザ駆動電流に重畳する方法が開示されている。

【００１１】以上説明した第二の方式は、パルス信号の
積分波形がレーザチップの温度変化と必ずしも正確に対
応していないため十分な温度補正精度を確保しにくいと
いう問題がある。第三の方式は、レーザチップの温度を
実際に検出しその検出結果に基づいて温度補正を行うも
のである。レーザチップ温度の検出には、例えば、感温
素子としてサーミスタなどが用いられるか、あるいはダ
イオードの順電圧降下などが利用される。例えば、特開
平１−１８３８７２号公報には、温度検出回路部をレー
ザチップに近接させて設置し、この温度検出回路部によ
りレーザチップの温度を検出しその検出出力で直流バイ
アス制御を行いレーザチップの温度変化に対する安定性
を持たせたレーザ駆動回路が開示されている。また、特
開昭５５−１１４７号公報には、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ
ＥｍｉｔｔｅｄＤｉｏｄｅ：発光ダイオード）の駆動
回路の基準電位にシリコンダイオードの順方向電圧を利
用することにより、温度変動によるＬＥＤの発光量への
影響を補正するようにした発光素子駆動回路が開示され
ている。

【００１２】しかし、これらの感温素子を用いる方式に
は次のような問題点がある。すなわち、これらの感温素
子と半導体発光素子とを必ずしも十分な熱的結合状態に
保つことができるとは限らず、検出された温度と半導体
発光素子の真の温度との間に差が生じたり、あるいは温
度の検出に時間的な遅れが生じたりすることがある。ま
た、正確な温度を検出するために同一の半導体発光素子
を並べて配置し、片方を温度モニタとして利用すること
も考えられるが、そのためには発光素子が２つ必要とな
りコストアップを招くという問題もある。また、同一温
度条件とするには同一の熱発生量が必要であるが、発光
素子の駆動には大電流が必要であり温度補正のために２
倍の電流を流すことは非効率的である。

【００１３】このほかに、半導体レーザの温度を検出す
る方法として、半導体レーザのアノードとカソードとの
間の電圧から温度を検出する方法も提案されているが、
半導体レーザの温度と半導体レーザのアノード・カソー
ド間電圧とを直接対応させて温度検出するためには定電
流で半導体レーザを駆動する必要がある。しかし、強度
変調では駆動電流は常に変動しているため、この方式を
実現させるためには極めて複雑な処理が必要となり、コ
ストアップを招きやすい。

【００１４】第四の方式は、発光素子の駆動電流を検出
しハイパスフィルタを通して入力に帰還させることによ
り第二の方式と同様の効果を得ようとするものでる。例
えば、特公平６−２６４２１号公報には、発光素子の駆
動電流を一部分岐させ電流電圧変換しハイパスフィルタ
を通過させた電圧を発光レベル信号にネガティブフィー
ドバックすることによって発光素子の駆動電流の急激な
変化を抑制し、図１１（ａ）〜図１１（ｅ）におけると
同様、積分波形の合成により温度補正を行う発光素子駆
動回路が開示されている。この方法では、検出された電
流を電流電圧変換した後ハイパスフィルタを通してから
駆動回路にフィードバックするので、この駆動回路を、
駆動信号が高速でオンオフされる用途に用いる場合はフ
ィードバックが追従し切れず、例えば、駆動信号の立ち
上がり時、フィードバックがかかるまでの間、温度補正
無しの状態になってしまうという問題がある。

【００１５】さらに、以上の問題のほかに、最近の半導
体レーザの性能向上に伴い新たな問題が発生している。
すなわち、最近の半導体レーザは、短波長化、閾値電流
の低下に伴い発光効率は１０％を越えるまでに改善され
てきており、このような高発光効率のレーザにおいて
は、発熱による出力変動を補正するに際して光放射によ
って失われるエネルギーを考慮しなければ補正量が過大
となってしまう。ところが従来提案されてきた方法で
は、前述の第三の方式（レーザチップ温度を検出して補
正する方式）を除いては、温度補正のための信号を、単
に変調信号から生成しており、レーザ光放射によるエネ
ルギー消費が考慮されていない。

【００１６】図１２は、半導体レーザの駆動エネルギー
の内訳を示すグラフである。図１２に示すように、半導
体レーザの駆動エネルギーは光放射のエネルギーＡ、光
放射に伴って生じる熱エネルギーＢ、および発振維持に
必要な熱エネルギーＣの３種類に分類することができ
る。前述の４種類の方式のうち第三の方式以外の方式で
は、半導体レーザの駆動エネルギー（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）全て
を温度補正用の信号として用いて温度補正を行ってい
る。しかし、半導体レーザの駆動エネルギーと半導体レ
ーザの温度とは単純な比例関係にはない。すなわち、図
１２に示すレーザ発振閾値Ｉｔｈを越えるレーザ駆動電
流では、駆動エネルギーのうちの一定比率のエネルギー
が光放射エネルギーＡとして放射されており、この光放
射エネルギーＡは半導体レーザを発熱させる熱エネルギ
ーとはならない。従って、全駆動エネルギー（Ａ＋Ｂ＋
Ｃ）をそのまま温度補正用の信号として温度補正を行う
と、図１２での光放射エネルギーＡに相当する部分が過
大評価されたまま温度補正が行われる。この現象につい
て、従来の温度補正方式による実際のレーザ駆動例に基
づき以下に説明する。

【００１７】図１３は、従来方式により、レーザ発振閾
値電流より高い電流でキャリブレーションを行った場合
の半導体レーザの予測温度の説明図である。図１３は、
図１１を参照して説明した、第二の方式、すなわち積分
波形を加算する方式における、半導体レーザの駆動信号
から予測した半導体レーザの予測温度Ｔ１と半導体レー
ザの実際の温度Ｔ２とが示されている。一般に、半導体
レーザでは、レーザ発振閾値に対して一定割合の電流を
バイアス電流として常時流すことにより高速動作を行わ
せており、図１３においても、駆動信号の最小値はバイ
アスレベルと一致させてある。図１３に示すように、駆
動信号の増加に従い半導体レーザチップの実際の温度Ｔ
２は増加しているが、その増加の程度はレーザ発振閾値
電流Ｉｔｈを境として減少している。すなわち、駆動信
号がバイアス電流からレーザ発振閾値電流Ｉｔｈに至る
領域での半導体レーザチップの温度上昇の傾きに比べ、
レーザ発振閾値電流Ｉｔｈ以上の領域での半導体レーザ
チップの温度上昇の傾きは緩やかになっている。これ
は、レーザ発振閾値電流Ｉｔｈ以上の領域では半導体レ
ーザチップの光放射によるエネルギー消費のため熱エネ
ルギーの増加分が減少するからである。

【００１８】図１３に示す温度補正方式では、駆動信号
に一定の補正係数を乗じた値をレーザチップの予測温度
Ｔ１としその予測温度Ｔ１に基づいてバイアス電流を補
正している。予測温度Ｔ１は、図１３に示すように、一
本の直線として示される。駆動信号に対する補正係数
は、キャリブレーション点の駆動信号を定め、その電流
値で半導体レーザを発光させ、そのとき発光直後と一定
時間経過後とでレーザ光出力レベルが変化しないよう
に、実験的に定められる。図１３では、駆動信号レベル
がレーザ発振閾値電流Ｉｔｈよりも大きい電流値Ｉｃ₁
をキャリブレーション点と定め、このキャリブレーショ
ン点Ｉｃ₁ において駆動信号に乗ずる補正係数を調整
し、駆動信号からの予測温度Ｔ１と実際の温度Ｔ２とを
一致させている。

【００１９】図１４は、図１３に示すようにレーザ発振
閾値電流より高い電流でキャリブレーションを行った場
合のレーザ駆動回路のタイムチャートを示す図である。
従来の温度補正方式により、レーザ発振閾値電流Ｉｔｈ
より高い電流値Ｉｃ₁点でキャリブレーションを行った
場合の、変調信号波形が図１４（ａ）に、積分器からの
出力波形が図１４（ｂ）に、加算器からの出力波形が図
１４（ｃ）に、またレーザ光出力波形が図１４（ｄ）に
示されている。

【００２０】図１４（ｄ）に示すように、時刻ｔ1 時点
において電流値Ｉｃ₁ （図１３参照）で最初にキャリブ
レーションを行った後、時刻ｔ2 時点において、キャリ
ブレーション時と同一レベルＩｃ₁ の変調信号を再度入
力した場合にはレーザ光出力レベルは変動せず同一の出
力が得られる。ところが、次に時刻ｔ3 時点において、
図１３に駆動信号レベルＳ１として示した低い駆動信号
レベルで変調を行った場合には、Ｓ１における予測温度
Ｔ１が実際の温度Ｔ２よりも低く評価されるため、図１
３に矢印で示した『過小評価分』だけ補正量が過小とな
る。その結果、図１４（ｄ）に示すように、時刻ｔ3 で
のレーザ光出力レベルは、立上がり後に次第に低下して
いく。一方、レーザ発振閾値電流付近の電流でキャリブ
レーションを行った場合は、上記とは逆に、レーザ光出
力レベルは立上がり後に次第に上昇していく現象を示
す。

【００２１】図１５は、従来方式により、レーザ発振閾
値電流付近の電流でキャリブレーションを行った場合の
半導体レーザの予測温度の説明図である。図１５に示す
ように、レーザ発振閾値電流Ｉｔｈに近いＩｃ₂ 点でキ
ャリブレーションを行った場合は、レーザ光放射に消費
されるエネルギーが極めて少なく、半導体レーザへの投
入電力がほとんど熱エネルギーとなる。そのため、投入
電力に対するレーザ素子の温度上昇の割合が大きくな
り、したがって、駆動信号に対する補正係数として大き
な値が設定される。

【００２２】図１６は、図１５に示すようにレーザ発振
閾値電流付近の電流でキャリブレーションを行った場合
のレーザ駆動回路のタイムチャートを示す図である。従
来の温度補正方式により、レーザ発振閾値電流Ｉｔｈ付
近の電流値Ｉｃ₂ 点でキャリブレーションを行った場合
の、変調信号波形が図１６（ａ）に、積分器からの出力
波形が図１６（ｂ）に、加算器からの出力波形が図１６
（ｃ）に、またレーザ光出力波形が図１６（ｄ）に示さ
れている。

【００２３】図１６（ｄ）に示すように、時刻ｔ1 時点
において最初にキャリブレーションを行った後、時刻ｔ
2 時点においてキャリブレーション時と同一レベルの変
調信号を再度入力した場合には、図１４におけると同
様、レーザ光出力レベルは変動せず同一のレーザ光出力
が得られる。ところが、次に時刻ｔ3 時点において、図
１５に駆動信号レベルＳ２として示した高い駆動信号レ
ベルで変調を行った場合には、Ｓ２における予測温度Ｔ
１が実際の温度Ｔ２よりも高く評価されるため、図１５
に矢印で示した『過大評価分』だけ補正量が過大とな
る。その結果、図１６（ｄ）に示すように、時刻ｔ3 時
点でのレーザ出力レベルが立上がり後に次第に上昇して
いく。これは、図１３、図１４の場合と逆に、小光量領
域でキャリブレーションを行ったため、駆動信号に対す
る補正係数が大きく設定され、Ｓ２のような大信号が入
力される領域では、実際の温度Ｔ２よりも予測温度Ｔ１
が高くなり補正量が過大となるためである。

【００２４】このように、レーザ発振閾値に対して一定
割合の電流をバイアス電流として設定している場合、従
来方式によりレーザ素子の温度補正を行うと、キャリブ
レーションが行われた駆動信号レベルから離れた駆動信
号レベルの領域では正しい温度補正が行われないという
不具合が発生する。本発明は、上記の事情に鑑み、半導
体発光素子の発熱による出力変動を精度よく補正するこ
とのできる半導体発光素子駆動回路、およびこの半導体
発光素子駆動回路を用いた画像記録装置を提供すること
を目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の第１の半導体発光素子駆動回路は、半導体発光素
子に所定時間にわたり一定なバイアス電流とその所定時
間内において所定の変調信号に応じて変動する変調電流
とが重畳されてなる駆動電流を供給する電流源と、上記
駆動電流が上記半導体発光素子に供給されることにより
半導体発光素子で消費される電気エネルギーのうちの、
上記変調電流が上記半導体発光素子に供給されることに
より上記半導体発光素子で消費される電気エネルギーな
いし該電気エネルギーに相関を有する量に基づいて、上
記半導体発光素子の出力変化を補正する補正回路とを備
えたことを特徴とする。

【００２６】また、上記の目的を達成する本発明の第２
の半導体発光素子駆動回路は、半導体発光素子に所定時
間にわたり一定なバイアス電流とその所定時間内におい
て所定の変調信号に応じて変動する変調電流とが重畳さ
れてなる駆動電流を供給する電流源と、上記駆動電流が
上記半導体発光素子に供給されることにより上記半導体
発光素子で消費される電気エネルギーと半導体発光素子
から発せられる光のエネルギーとの差のエネルギーない
し該差のエネルギーに相関を有する量に基づいて、上記
半導体発光素子の出力変化を補正する補正回路とを備え
たことを特徴とする。

【００２７】また、上記の目的を達成する本発明の第１
の画像記録装置は、画像を記録する過程に、画像情報を
担持する光ビームにより所定の被走査体上を走査する過
程を含む画像記録装置において、光ビームを出射する半
導体発光素子、上記半導体発光素子から出射した光ビー
ムにより、所定の被走査体上を走査する走査光学系、上
記半導体発光素子に所定時間にわたり一定なバイアス電
流とその所定時間内において所定の変調信号に応じて変
動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流を供給する
電流源、および上記駆動電流が上記半導体発光素子に供
給されることにより上記半導体発光素子で消費される電
気エネルギーのうちの、上記変調電流が上記半導体発光
素子に供給されることにより上記半導体発光素子で消費
される電気エネルギーないし該電気エネルギーに相関を
有する量に基づいて、上記半導体発光素子の出力変化を
補正する補正回路を備えたことを特徴とする。

【００２８】また、上記の目的を達成する本発明の第２
の画像記録装置は、画像を記録する過程に、画像情報を
担持する光ビームにより所定の被走査体上を走査する過
程を含む画像記録装置において、光ビームを出射する半
導体発光素子、上記半導体発光素子から出射した光ビー
ムにより、所定の被走査体上を走査する走査光学系、上
記半導体発光素子に所定時間にわたり一定なバイアス電
流とその所定時間内において所定の変調信号に応じて変
動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流を供給する
電流源、上記半導体発光素子から発せられる光を受光す
る光センサ、および上記駆動電流が上記半導体発光素子
に供給されることにより上記半導体発光素子で消費され
る電気エネルギーと、上記光センサにより受光された上
記半導体発光素子から発せられる光のエネルギーとの差
のエネルギーないし該差のエネルギーに相関を有する量
に基づいて、半導体発光素子の出力変化を補正する補正
回路を備えたことを特徴とする。

【００２９】ここで、本発明における「エネルギーない
し該エネルギーに相関を有する量」は、そのエネルギー
ないしそのエネルギーに相関を有する量をモニタするこ
とのできる量であればよく、そのエネルギーないしその
エネルギーに相関を有する量を直接に知る必要はない。
また、本発明における「エネルギーに相関を有する量」
とは、例えば、電気エネルギーにおいて、その電気エネ
ルギーの変動範囲内において電圧がほぼ一定であって定
数と見なし得るような場合の電流量などをいう。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態のうち、
先ず、第１の実施形態について説明する。なお、この第
１の実施形態は、本発明の第１の半導体発光素子駆動回
路の実施形態に相当するものである。図１は、本発明の
第１の実施形態の半導体発光素子駆動回路のブロック図
である。

【００３１】図１に示された半導体発光素子駆動回路１
０は、レーザゼログラフィー方式の画像記録装置におけ
るレーザダイオード１４を駆動するための回路であり、
レーザダイオード１４に変調電流を供給する変調電流源
回路１０ａと、レーザダイオード１４にバイアス電流を
供給するバイアス電流源回路１０ｂと、レーザダイオー
ド１４の発熱による出力変動を補正するための補正回路
１０ｃとからなる。変調電流源回路１０ａは、アンプ１
１、サンプルホールダ２１、Ｄ／Ａコンバータ１６、お
よび電圧電流変換器１７から構成され、バイアス電流源
回路１０ｂは、アンプ１２、サンプルホールダ２２、お
よびバイアス用電圧電流変換器１５から構成され、補正
回路１０ｃは、積分器１９、および電圧電流変換器２０
から構成される。

【００３２】なお、本発明にいう電流源は、上記変調電
流源回路１０ａおよびバイアス電流源回路１０ｂの総称
であり、上記バイアス電流源回路１０ｂは所定時間にわ
たり一定なバイアス電流を半導体発光素子（レーザダイ
オード１４）に供給するものであり、上記変調電流源回
路１０ａはその所定時間内において所定の変調信号に応
じて変動する変調電流を半導体発光素子に供給するもの
であり、半導体発光素子には上記のバイアス電流と変調
電流とが重畳されてなる駆動電流が供給される。

【００３３】次に、この半導体発光素子駆動回路１０の
動作について図１および図２を参照しながら説明する。
図２は、図１に示す第１の実施形態の半導体発光素子駆
動回路１０のタイムチャートを示す図である。図２
（ａ）および図２（ｂ）は、図示しない画像記録装置か
ら出力された同期信号に基づいて生成された、それぞれ
サンプルホールダ２２およびサンプルホールダ２１に入
力されるＳ／Ｈ信号の波形を示し、図２（ｃ）は半導体
発光素子駆動回路１０に入力される変調信号の波形を示
し、図２（ｄ）は積分器１９からの出力波形を示し、図
２（ｅ）はレーザダイオード１４に供給されるレーザ駆
動電流の波形を示し、図２（ｆ）はレーザダイオード１
４から出力されるレーザ光出力の波形を示している。

【００３４】この画像記録装置では、先ず、感光体（図
示せず）に近接して配置された図示しない受光素子に向
けてレーザダイオード１４からレーザビームが照射され
トリガーパルスが発せられ、変調電流源回路１０ａのＤ
／Ａコンバータ１６に最小レベルの変調信号を入力する
ことにより変調電流源回路１０ａからレーザダイオード
１４に供給される変調電流をゼロとする。このとき、サ
ンプルホールダ２１はホールド状態にある。この状態で
バイアス電流の設定を行う。すなわち、時刻ｔ1 の時点
で、バイアス電流源回路１０ｂのサンプルホールダ２２
を、入力側の信号をそのまま出力側に伝えるスルー状態
とした上で、レーザダイオード１４から発せられたレー
ザ光の一部をフォトダイオード１３で受光することによ
り得られたモニタ電圧が、微小光量に対応する第２の基
準電圧Ｖ２に一致するよう、アンプ１２による光量自動
制御を行う。光量自動制御の結果、フォトダイオード１
３の出力が第２の基準電圧Ｖ２と一致した時点で、サン
プルホールダ２２をホールド状態とし、そのときの電圧
をサンプルホールダ２２にホールドする。こうして、バ
イアス電流源回路１０ｂにレーザ発振閾値にほぼ等しい
バイアス電流が設定される。

【００３５】次に、変調電流源回路１０ａのＤ／Ａコン
バータ１６に最大レベルの変調信号を入力し、サンプル
ホールダ２２をホールド状態としたままで、時刻ｔ2 の
時点において、変調電流源回路１０ａのサンプルホール
ダ２１をスルー状態とし、レーザダイオード１４から発
せられたレーザ光の一部をフォトダイオード１３で受光
することにより得られたモニタ電圧が、描画に必要な最
大光量に対応する第１の基準電圧Ｖ１に一致するよう、
アンプ１１による光量自動制御を行う。光量自動制御の
結果、フォトダイオード１３の出力が第１の基準電圧Ｖ
１に一致すると、サンプルホールダ２１をホールド状態
とし、そのときの電圧をサンプルホールダ２１にホール
ドする。このようにして、微小光量時および描画光量時
における自動光量設定（ＡＰＣ）が終了し、サンプルホ
ールダ２１，２２にそれぞれ所定の電圧がホールドされ
た状態で、Ｄ／Ａコンバータ１６に入力された変調信号
に基づく変調電流（図２（ｃ）：ｔ3 〜ｔ4 ）がレーザ
ダイオード１４に供給され、レーザダイオード１４から
出射されたレーザビームによる、感光体の一回の主走査
が行われる。

【００３６】ところで、この半導体発光素子駆動回路１
０には、前述のように、積分器１９および電圧電流変換
器２０から成る補正回路１０ｃが備えられており、この
補正回路１０ｃにより、レーザダイオード１４で消費さ
れる電気エネルギーのうちの、変調電流がレーザダイオ
ード１４に供給されることによりレーザダイオード１４
で消費される電気エネルギーに相関を有する量、すなわ
ちこの実施形態では変調電流の電流量に基づいて、レー
ザダイオード１４の出力変化を補正するよう構成されて
いる。

【００３７】すなわち、この半導体発光素子駆動回路１
０では、変調電流によるレーザダイオード１４の温度上
昇をレーザダイオード１４で消費される電気エネルギー
のうちの変調電流により消費される電流量により予測し
その予測温度に応じて駆動電流を補正している。次に、
補正回路１０ｃの動作について説明する。変調電流源回
路１０ａのＤ／Ａコンバータ１６の出力は補正回路１０
ｃの積分器１９にも接続されている。Ｄ／Ａコンバータ
１６からの出力は、レーザダイオード１４で消費される
電気エネルギーのうちの、変調電流がレーザダイオード
１４に供給されることによりレーザダイオード１４で消
費される電気エネルギーに相関を有する量である。積分
器１９はその出力を積分し、電圧電流変換器２０はそれ
を電流に変換してレーザダイオード１４に出力する（図
２（ｄ））。このようにして、レーザダイオード１４に
は、描画光量で自動光量設定された変調電流源回路１０
ａからの変調電流と、微小光量で自動光量設定されたバ
イアス電流源回路１０ｂからのバイアス電流と、補正回
路１０ｃからの補正用電流の３つが重畳されたレーザ駆
動電流が供給され（図２（ｅ））、レーザダイオード１
４からは、図２（ｆ）に示すような、変調信号（図２
（ｃ））に忠実なパワーのレーザ光が出力される。

【００３８】このように、補正回路１０ｃを備えたこと
により、本実施形態の半導体発光素子駆動回路１０で
は、図９（ｂ）を参照して説明したレーザ光出力レベル
の変動を生じることなく、変調信号の波形とほぼ同一の
波形を持つレーザ光出力を得ることができる。次に、図
２の時刻ｔ5 および時刻ｔ6 において、次の主走査ライ
ンに対応する、微小光量および描画光量における自動光
量設定が行われる。２回目の主走査では、時刻ｔ₇ に、
短時間だけ、図２（ｃ）に示す変調信号が入力されるが
それ以外の時間は変調信号の入力レベルはゼロである。

【００３９】上記のように、本実施形態の半導体発光素
子駆動回路１０では、レーザダイオード１４で消費され
る電気エネルギーのうちの、変調電流がレーザダイオー
ド１４に供給されることによりレーザダイオード１４で
消費されるエネルギーに相関を有する電流量に基づいて
レーザダイオード１４の温度を予測し、その予測温度に
応じて駆動電流を補正しているが、このような方法によ
りレーザダイオード１４の温度を予測できる理由につい
て次に説明する。

【００４０】本実施形態では、レーザダイオード１４が
微小光量で発光する程度の、レーザ発振閾値に等しい電
流がバイアス電流として設定される。この設定状態にお
ける半導体レーザの予測温度と実際の温度との関係を図
３に示す。図３は、バイアス電流をレーザ発振閾値と等
しい値に設定した場合の半導体レーザの予測温度と実際
の温度との関係を示すグラフである。

【００４１】半導体レーザの発光効率は、レーザ閾値電
流Ｉｔｈ以上の領域では温度によらず一定であるため、
バイアス電流をレーザ閾値電流Ｉｔｈと等しい値に設定
し、図３に示すように、レーザ閾値電流Ｉｔｈに近い駆
動信号レベルＩｃでキャリブレーションを行って駆動信
号から半導体レーザの予測温度を求めるための係数を設
定することにより、すべての駆動信号レベルに対して実
際の温度Ｔ１と予測温度Ｔ２とを一致させることができ
る。

【００４２】このように、バイアス電流をレーザ閾値電
流Ｉｔｈと等しい値に設定することにより予測温度Ｔ２
が駆動信号に対し直線関係が成立する領域内で、図１に
示す補正回路１０ｃを用いて温度補正を行うことによ
り、レーザダイオード１４の発熱による出力変化が補正
され、図２（ｆ）に示すように、時刻ｔ3 時点で入力が
開始された変調信号（図２（ｃ））に忠実な波形のレー
ザ光出力を得ることができる。

【００４３】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。この第２の実施形態は、本発明の第２の半導体
発光素子駆動回路に関する実施形態である。前述の本発
明の第１の半導体発光素子駆動回路においては、補正回
路は、半導体発光素子に供給される供給電流により半導
体発光素子で消費される電気エネルギーのうちの、駆動
電流が半導体発光素子に供給されることにより半導体発
光素子で消費される電気エネルギーないしその電気エネ
ルギーに相関を有する量に基づいて、半導体発光素子の
出力変化を補正するものであるが、次に説明する本発明
の第２の半導体発光素子駆動回路においては、補正回路
は、半導体発光素子で消費される電気エネルギーと半導
体発光素子から発せられる光のエネルギーとの差のエネ
ルギーないしその差のエネルギーに相関を有する量に基
づいて、半導体発光素子の出力変化を補正するものであ
る。

【００４４】図４は、本発明の第２の実施形態の半導体
発光素子駆動回路を示すブロック図である。図４に示す
半導体発光素子駆動回路５０には、変調信号のタイミン
グ調整を行う位相回路５１、位相回路５１の出力を増幅
する増幅器５２、増幅器５２および増幅器５９からの出
力を加算する和回路５３、和回路５３の出力を増幅する
増幅器５４、レーザ光を出射するレーザダイオード５
５、レーザダイオード５５からの光放射エネルギーを検
出する光センサ５６、変調信号から、変調信号と強度レ
ベルを合わせた光センサ５６からの検出信号を差し引く
引算回路５７、引算回路５７の出力を積分する積分器５
８、および積分器５８の出力を増幅する増幅器５９が備
えられている。

【００４５】次に、この半導体発光素子駆動回路５０の
動作について説明する。変調信号は、タイミング調整用
の位相回路５１および引算回路５７に入力される。位相
回路５１に入力された変調信号は、位相回路５１でタイ
ミング調整が行われた後、増幅器５２に入力され増幅器
５２で増幅された後、和回路５３に入力される。引算回
路５７には、光センサ５６からの検出信号が入力され
る。光センサ５６からの検出信号は変調信号と強度レベ
ルを合わされた後、変調信号から引き算される。

【００４６】ここで、引算回路５７に入力される変調信
号は、レーザダイオード５５で消費されるエネルギーに
相関を有する値であり、同時に引算回路５７に入力され
る光センサ５６からの検出信号は、レーザダイオード５
５から発せられる光のエネルギーに相関を有する値であ
るから、この両者の差は、レーザダイオード５５で熱エ
ネルギーとして消費されるエネルギーとの間に相関を有
している。従って、引算回路５７からの、熱エネルギー
と相関を有する信号が積分器５８に入力され、積分器５
８で積分され増幅器５９で増幅された後、和回路５３に
おいて増幅器５２からの出力に加算されることにより、
光の放射エネルギー分が差し引かれた、熱エネルギーの
みによる温度補正を行うことができる。

【００４７】図５は、図４に示す半導体発光素子駆動回
路の要部である引算回路および積分器の回路図である。
図５に示すように、引算回路５７は、演算増幅器による
差動増幅回路５７ａで構成されている。この場合、差動
増幅回路５７ａの入力インピーダンスが低いため、差動
増幅回路５７ａの前段に増幅器５７ｂ，５７ｃを設置し
てある。増幅器５７ｂ，５７ｃの増幅度は調節可能であ
り、変調信号レベルに対する光センサ出力レベルを調整
できるよう構成されている。引算回路５７の出力はＲＣ
ローパスフィルターで構成された積分器５８に入力さ
れ、積分器５８の出力が増幅器５９で増幅された後、和
回路５３（図４参照）に入力される。

【００４８】図６は、図４に示す第２の実施形態の半導
体発光素子駆動回路のタイムチャートを示す図である。
図６（ａ）には、位相回路５１（図４参照）および引算
回路５７に入力される変調信号の波形、図６（ｂ）に
は、光センサ５６が検出した信号の波形、図６（ｃ）に
は、変調信号（図６（ａ））と光信号（図６（ｂ））と
の差の信号波形、図６（ｄ）には、積分器５８の出力波
形、図６（ｅ）には、レーザダイオード５５の駆動電流
の波形、図６（ｆ）には、レーザダイオード５５の光出
力の波形が示されている。図６（ａ）に示すように、時
刻ｔ1 において、変調電流の増幅器ゲイン設定が行われ
た後、時刻ｔ2 から時刻ｔ3 にかけて、第１回目の主走
査に対応する変調信号が入力される。光センサ５６は、
図６（ｂ）に示すような検出信号を引算回路５７に出力
する。引算回路５７は、変調信号（図６（ａ））から、
光センサ５６からの検出信号（図６（ｂ））を差し引
き、図６（ｃ）に示すような差信号を生成し、積分器５
８に出力する。積分器５８はその差信号を積分し図６
（ｄ）に示すような積分器出力を増幅器５９に出力す
る。和回路５３は、変調信号が位相回路５１でタイミン
グ調整が行われ増幅器５２で増幅された信号と、増幅器
５９からの信号とを加算し図６（ｅ）に示すようなレー
ザ駆動電流を合成する。和回路５３の出力は、増幅器５
４で増幅された後、レーザダイオード５５に供給され
る。このように引算回路５７により、レーザダイオード
５５で消費されるエネルギーに相関を有する電流量か
ら、レーザダイオード５５から発せられる光のエネルギ
ーに相関を有する電流量を差し引くことによって、レー
ザダイオード５５で消費された熱エネルギーが求めら
れ、その熱エネルギーに基づいて、レーザダイオード５
５の発熱による出力変化が補正されたレーザ光出力（図
６（ｆ））を得ることができる。

【００４９】次に、上記の半導体発光素子駆動回路が、
画像記録装置のレーザダイオードの駆動回路（ＬＤドラ
イバ）として組み込まれてなる本発明の画像記録装置の
一実施形態について説明する。図７は、本発明の画像記
録装置の一実施形態を示すブロック図であり、図８は、
図７に示す画像記録装置のレーザ走査系の構成図であ
る。

【００５０】図７に示す画像記録装置は、その構成が信
号処理系１１０、レーザ走査系１２０、および画像出力
系１３０に大別される。画像を読み取って画像信号を得
る例えばデジタルスキャナ等の画像生成系１０１で得ら
れた画像信号が、信号処理系１１０を構成する画像信号
処理システム１１１に入力されると、この画像処理シス
テム１１１では、画像出力系１３０を構成する電子写真
プロセス１３２の機構を制御する機構制御部１３１から
の制御情報、例えば現像条件等の情報を受け、それに適
合するように、入力された画像信号に適切な画像処理、
例えば階調処理や色補正処理等が施され、その画像処理
後の画像信号がレーザ変調信号生成部１１２に入力され
る。レーザ変調信号生成部１１２では、入力された画像
信号に基づいて、レーザ走査系１２０を構成するレーザ
ダイオード１２２から出射されるレーザ光の変調強度を
表わすレーザ変調信号を生成する。このレーザ変調信号
の生成にあたっては、レーザ走査系１２０を構成する走
査レーザ光の同期検知手段１２６からの情報を受け、レ
ーザ走査と同期するようにレーザ変調信号が生成され
る。この走査レーザ光の同期検知手段１２６は、本実施
形態では、図８に示すように、ミラー１２６＿１と光セ
ンサ１２６＿２とからなり、光センサ１２６＿２から
は、レーザダイオード１２２から出射したレーザ光が図
８に示す矢印Ａ方向に一回偏向される毎に同期パルスが
出力される。

【００５１】図７に示すレーザ変調信号生成部１１２で
生成されたレーザ変調信号Ｓ_L は、レーザ走査系１２０
を構成するＬＤ（レーザダイオード）ドライバ１２１に
入力される。ＬＤドライバ１２１には、機構制御部１３
１からの機構制御情報Ｓ_C も入力され、ＬＤドライバ１
２１は、その機構制御に合わせて、レーザダイオード
（ＬＤ）１２２を駆動する。レーザダイオード１２２
は、ＬＤドライバ１２１の駆動により時系列的な強度変
調を伴ったレーザ光を出射し、その出射レーザ光は、レ
ンズ１２３＿１，アパーチャ１２３＿２，シリンドリカ
ルレンズ１２３＿３からなるプレポリゴン光学系１２３
を経由し、矢印Ｂ方向に回転するポリゴンミラー１２４
＿１を含む光偏向器１２４により矢印Ａ方向に繰り返し
偏向され、さらにｆθレンズ１２５＿１，およびシリン
ドリカルミラー１２５＿２からなるポストポリゴン光学
系１２５を経由し、画像出力系１３０を構成する、矢印
Ｃ方向に回転する感光体１３３上を矢印Ａ’方向に繰り
返し走査（主走査）する。

【００５２】この感光体１３３は、光の照射により表面
の抵抗値が変化する性質を有し、画像情報を担持したレ
ーザ光により走査されることにより、その表面に静電潜
像が形成される。この感光体１３３に形成された静電潜
像は所定の電子写真プロセス１３２を経て、所定の用紙
上に、画像生成系１０１で得られた画像信号が担持する
画像のハードコピー１０２が生成される。

【００５３】なお、本実施形態のＬＤドライバ１２１と
しては、図１もしくは図４を参照して説明した、本発明
にいう半導体発光素子駆動回路が用いられる。このう
ち、図１に示した、本発明の第１の半導体発光素子駆動
回路を組み込こむことにより、本発明の第１の画像記録
装置が構成され、図４に示した本発明の第２の半導体発
光素子駆動回路を組み込こむことにより、本発明の第２
の画像記録装置が構成される。従って、このように構成
された本発明の第１および第２の画像記録装置によれ
ば、半導体発光素子の発熱による出力変動が補正され、
画像濃度の変動が抑えられるため高画質の画像記録を行
うことができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体発
光素子駆動回路によれば、半導体発光素子の温度による
出力変動補正を行う際に、駆動電流が半導体発光素子に
供給されることにより半導体発光素子で消費される電気
エネルギーのうちの、変調電流が半導体発光素子に供給
されることにより半導体発光素子で消費される電気エネ
ルギーないしその電気エネルギーに相関を有する量に基
づいて、半導体発光素子の出力変化を補正する補正回路
を用いて補正するか、あるいは、駆動電流が半導体発光
素子に供給されることにより半導体発光素子で消費され
る電気エネルギーと半導体発光素子から発せられる光の
エネルギーとの差のエネルギーないしその差のエネルギ
ーに相関を有する量に基づいて、半導体発光素子の出力
変化を補正する補正回路を用いて補正が行われる。従っ
て、半導体発光素子の全消費エネルギーを、半導体発光
素子が発熱で消費したエネルギーと半導体発光素子が光
放射で消費したエネルギーとを分離し、その両者のうち
のいずれか一方を用いて半導体発光素子の発熱による出
力変動を補正するので、高効率の半導体レーザを用いた
半導体発光素子駆動回路でも、半導体発光素子の出力変
動を高精度で補正することができる。

【００５５】また、本発明の画像記録装置によれば、上
記のように、半導体発光素子の発熱による出力変動を高
精度で補正する半導体発光素子駆動回路が組み込まれて
いるため、画像濃度の変動の少ない高画質の画像を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の半導体発光素子駆動
回路のブロック図である。

【図２】図１に示す第１の実施形態の半導体発光素子駆
動回路のタイムチャートを示す図である。

【図３】バイアス電流をレーザ発振閾値と等しい値に設
定した場合の半導体レーザの予測温度と実際の温度との
関係を示すグラフである。

【図４】本発明の第２の実施形態の半導体発光素子駆動
回路を示すブロック図である。

【図５】図４に示す半導体発光素子駆動回路の要部であ
る引算回路および積分器の回路図である。

【図６】図４に示す第２の実施形態の半導体発光素子駆
動回路のタイムチャートを示す図である。

【図７】本発明の画像記録装置の一実施形態を示すブロ
ック図である。

【図８】図７に示す画像記録装置のレーザ走査系の構成
図である。

【図９】レーザ駆動電流の波形およびそのレーザ駆動電
流により駆動される半導体レーザからのレーザ光出力波
形を示すグラフである。

【図１０】レーザ駆動電流に対するレーザ光出力の関係
を示すグラフである。

【図１１】特公昭５８−５１４３５号公報に開示された
レーザ駆動回路の出力波形の説明図である。

【図１２】半導体レーザの駆動エネルギーの内訳を示す
グラフである。

【図１３】従来方式により、レーザ発振閾値電流より高
い電流でキャリブレーションを行った場合の半導体レー
ザの予測温度の説明図である。

【図１４】図１３に示すようにレーザ発振閾値電流より
高い電流でキャリブレーションを行った場合のレーザ駆
動回路のタイムチャートを示す図である。

【図１５】従来方式により、レーザ発振閾値電流付近の
電流でキャリブレーションを行った場合の半導体レーザ
の予測温度の説明図である。

【図１６】図１５に示すようにレーザ発振閾値電流付近
の電流でキャリブレーションを行った場合のレーザ駆動
回路のタイムチャートを示す図である。

【符号の説明】

１０，３０半導体発光素子駆動回路１０ａ変調電流源回路１０ｂバイアス電流源回路１０ｃ補正回路１１，１２アンプ１３フォトダイオード１４レーザダイオード１５，１７，２０電圧電流変換器１６Ｄ／Ａコンバータ１９積分器２１，２２サンプルホールダ５０半導体発光素子駆動回路５１位相回路５２，５４，５９増幅器５３和回路５５レーザダイオード５６光センサ５７引算回路５７ａ差動増幅回路５７ｂ，５７ｃ増幅器５８積分器１０１画像生成系１０２ハードコピー１１０信号処理系１１１画像信号処理システム１１２レーザ変調信号生成部１２０レーザ走査系１２１ＬＤドライバ１２２レーザダイオード１２３プレポリゴン光学系１２３＿１レンズ１２３＿２アパーチャ１２３＿３シリンドリカルレンズ１２４光偏向器１２４＿１ポリゴンミラー１２５ポストポリゴン光学系１２５＿１ｆθレンズ１２５＿２シリンドリカルミラー１２６同期検知手段１２６＿１ミラー１２６＿２光センサ１３０画像出力系１３１機構制御部１３２電子写真プロセス１３３感光体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体発光素子に所定時間にわたり一定
なバイアス電流と該所定時間内において所定の変調信号
に応じて変動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流
を供給する電流源と、前記駆動電流が前記半導体発光素子に供給されることに
より該半導体発光素子で消費される電気エネルギーのう
ちの、前記変調電流が該半導体発光素子に供給されるこ
とにより該半導体発光素子で消費される電気エネルギー
ないし該電気エネルギーに相関を有する量に基づいて、
該半導体発光素子の出力変化を補正する補正回路とを備
えたことを特徴とする半導体発光素子駆動回路。
【請求項２】半導体発光素子に所定時間にわたり一定
なバイアス電流と該所定時間内において所定の変調信号
に応じて変動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流
を供給する電流源と、前記駆動電流が前記半導体発光素子に供給されることに
より該半導体発光素子で消費される電気エネルギーと該
半導体発光素子から発せられる光のエネルギーとの差の
エネルギーないし該差のエネルギーに相関を有する量に
基づいて、該半導体発光素子の出力変化を補正する補正
回路とを備えたことを特徴とする半導体発光素子駆動回
路。
【請求項３】画像を記録する過程に、画像情報を担持
する光ビームにより所定の被走査体上を走査する過程を
含む画像記録装置において、光ビームを出射する半導体発光素子、前記半導体発光素子から出射した光ビームにより、所定
の被走査体上を走査する走査光学系、前記半導体発光素子に所定時間にわたり一定なバイアス
電流と該所定時間内において所定の変調信号に応じて変
動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流を供給する
電流源、および前記駆動電流が前記半導体発光素子に供
給されることにより該半導体発光素子で消費される電気
エネルギーのうちの、前記変調電流が該半導体発光素子
に供給されることにより該半導体発光素子で消費される
電気エネルギーないし該電気エネルギーに相関を有する
量に基づいて、該半導体発光素子の出力変化を補正する
補正回路を備えたことを特徴とする画像記録装置。
【請求項４】画像を記録する過程に、画像情報を担持
する光ビームにより所定の被走査体上を走査する過程を
含む画像記録装置において、光ビームを出射する半導体発光素子、前記半導体発光素子から出射した光ビームにより、所定
の被走査体上を走査する走査光学系、前記半導体発光素子に所定時間にわたり一定なバイアス
電流と該所定時間内において所定の変調信号に応じて変
動する変調電流とが重畳されてなる駆動電流を供給する
電流源、前記半導体発光素子から発せられる光を受光する光セン
サ、および前記駆動電流が前記半導体発光素子に供給さ
れることにより該半導体発光素子で消費される電気エネ
ルギーと、前記光センサによりモニタされた前記半導体
発光素子から発せられる光のエネルギーとの差のエネル
ギーないし該差のエネルギーに相関を有する量に基づい
て、該半導体発光素子の出力変化を補正する補正回路を
備えたことを特徴とする画像記録装置。