JPH10173001A - Solder bump forming member, its manufacturing method, manufacturing method of board with solder bump and reproducing method for damaged solder bump of board with solder bump - Google Patents

Solder bump forming member, its manufacturing method, manufacturing method of board with solder bump and reproducing method for damaged solder bump of board with solder bump

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JPH10173001A
JPH10173001A JP8325473A JP32547396A JPH10173001A JP H10173001 A JPH10173001 A JP H10173001A JP 8325473 A JP8325473 A JP 8325473A JP 32547396 A JP32547396 A JP 32547396A JP H10173001 A JPH10173001 A JP H10173001A
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JP
Japan
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solder
substrate
solder bump
base material
forming member
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JP8325473A
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Japanese (ja)
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Haruhiko Murata
晴彦 村田
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Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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    • H01L24/98Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
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    • H01L2224/11003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solder bump forming member, its manufacturing method, a manufacturing method for boards with solder bumps and a reproducing method for damaged solder bumps of boards with solder bumps capable of performing the reproduction of solder bumps, etc., on a MCM (multichip module) board for example at a low cost and with an excellent mass productivity. SOLUTION: A sheet of solder foil 13 is put on a coarsened base material 3 and is stuck by a press. Next, an epoxy dry film 15 is glued on the surface of the solder foil 13. Next, ultrasonic rays are emitted on sites where solder is to be left unremoved, and the epoxy dry film 15 is hardened. After that, etching resists 17 are formed by melting and removing unrequisite parts of the dry film 15. Next, unnecessary solders in parts uncovered by the etching resists 17 are melted and removed. Next, the base material 3 is dipped in acetone, and the etching resists 17 are removed from the upside of a solder preform 5, and a solder bump forming member 1 is completed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフリップチ
ップ接合用基板やボールグリッドアレイ基板等の半田バ
ンプを有する例えば樹脂配線基板に対して、その半田バ
ンプの形成に用いられる半田バンプ形成用部材、その製
造方法、半田バンプ付基板の製造方法及び半田バンプ付
基板の損傷半田バンプの再生方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solder bump forming member used for forming a solder bump on, for example, a resin wiring board having solder bumps such as a flip chip bonding board and a ball grid array board. The present invention relates to a method for manufacturing the same, a method for manufacturing a substrate with solder bumps, and a method for regenerating damaged solder bumps on a substrate with solder bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、例えば集積回路チップを集積
回路基板に実装する場合には、集積回路チップ及び集積
回路基板の接合面に、格子状又は千鳥状に複数の端子を
形成し、これによって両者を接合するフリップチップと
呼ばれる方式が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, when an integrated circuit chip is mounted on an integrated circuit board, a plurality of terminals are formed in a lattice or staggered pattern on a joint surface between the integrated circuit chip and the integrated circuit board. A method called a flip chip for joining the two is known.

【0003】また、集積回路チップを搭載した集積回路
基板とプリント基板(マザーボード等)との接合におい
ては、集積回路基板の他方の接合面(集積回路チップを
搭載した接合面とは反対側の接合面)に、接合用の高融
点半田やCu等のボールを用いて格子状に複数の端子を
形成し、これによってプリント基板と接合する方式も知
られており、このような基板はボールグリッドアレイ
(BGA)基板と呼ばれる。
[0003] Further, in joining an integrated circuit board on which an integrated circuit chip is mounted and a printed board (such as a motherboard), the other joining surface of the integrated circuit board (the joining surface opposite to the joining surface on which the integrated circuit chip is mounted) is connected. On the other hand, a method is known in which a plurality of terminals are formed in a grid pattern using high-melting solder or Cu balls for bonding on a surface, and the terminals are bonded to a printed circuit board. (BGA) substrate.

【0004】これらの格子状又は千鳥状の面接合端子と
なる半田バンプを形成する方法としては、例えば下記
〜の各種の方法が知られている。 半田ペースト印刷法 基板上に形成した下地導電性パッドの上に、印刷によっ
て半田ペーストを配置し、その後、加熱して半田ペース
トを溶融させることよって、パッド上に半球状又は球状
の半田バンプを形成する方法。
[0004] As a method for forming these solder bumps serving as lattice-shaped or staggered surface bonding terminals, for example, the following various methods are known. Solder paste printing method Solder paste is placed by printing on the underlying conductive pad formed on the substrate, and then heated to melt the solder paste, forming a hemispherical or spherical solder bump on the pad how to.

【0005】半田プリフォーム搭載法 半田プリフォームを基板のパッド上に搭載した後に、加
熱して半田プリフォームを溶融させることによって半田
バンプを形成する方法。 半田ボンディング法 半田をボンディングで基板のパッド上に付着させた後
に、加熱して半田を溶融させることによって半田バンプ
を形成する方法。
[0005] Solder preform mounting method A method of mounting a solder preform on a pad of a substrate and then heating and melting the solder preform to form a solder bump. Solder bonding method A method of forming solder bumps by applying solder to a substrate pad by bonding and then heating and melting the solder.

【0006】ボール搭載法 少量の共晶半田ペーストを基板のパッド上に塗布し、こ
の上にボールを搭載した後に、加熱して共晶半田ペース
トを溶融させることによってボールをパッドに固着して
半田バンプを形成する方法。
Ball mounting method A small amount of eutectic solder paste is applied on a pad of a substrate, and after mounting the ball thereon, the ball is fixed to the pad by heating and melting the eutectic solder paste to form a solder. A method of forming a bump.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記〜
のような方法で半田バンプを形成する場合には、下記の
ような問題があり、一層の改善が求められている。例え
ば、フリップチップ接合によるマルチチップモジュール
(以下MCM基板と記す)の製造では、搭載した複数の
集積回路チップ(半導体素子)のうちの幾つかに不良が
発見された場合、その不良半導体素子のみを取り外し、
代りに良品の半導体素子を搭載し直すが、不良半導体素
子を取り外す際に、MCM基板上に形成されていた半田
バンプを形成する半田の一部が不良半導体素子とともに
除去されるために、再度半導体素子を搭載するために
は、MCM基板上の各バンプ毎に半田を補充して半田バ
ンプを形成し直す必要がある。
SUMMARY OF THE INVENTION
When the solder bumps are formed by the method described above, there are the following problems, and further improvement is required. For example, in the manufacture of a multi-chip module (hereinafter, referred to as an MCM substrate) by flip chip bonding, if a defect is found in some of a plurality of integrated circuit chips (semiconductor elements) mounted, only the defective semiconductor element is removed. removal,
Instead, mount a good semiconductor element again, but when removing the defective semiconductor element, a part of the solder that forms the solder bumps formed on the MCM substrate is removed together with the defective semiconductor element, so the semiconductor In order to mount the element, it is necessary to replenish the solder for each bump on the MCM substrate to re-form the solder bump.

【0008】この場合、MCM基板上には、取り外され
ていない他の半導体素子が搭載されており、平面ではな
いため、前記従来技術の半田ペースト印刷法は適用で
きない。また、前記半田プリフォーム搭載法及びボ
ール搭載法は半田搭載設備のコストが高く、半田ボン
ディング法は量産性に乏しく、いずれの方法も最善とは
いい難い。
In this case, since the other semiconductor element which has not been removed is mounted on the MCM substrate and is not flat, the conventional solder paste printing method cannot be applied. In addition, the solder preform mounting method and the ball mounting method have a high cost for solder mounting equipment, and the solder bonding method has poor mass productivity, and it is difficult to say that either method is the best.

【0009】本発明は、例えばMCM基板における半田
バンプの再生などを安価で且つ量産性良く行うことがで
きる、半田バンプ形成用部材、その製造方法、半田バン
プ付基板の製造方法及び半田バンプ付基板の損傷半田バ
ンプの再生方法を提供することを目的とする。
The present invention provides a solder bump forming member, a method of manufacturing the same, a method of manufacturing a board with a solder bump, and a board with a solder bump, which can regenerate solder bumps on an MCM substrate at low cost and with good productivity. It is an object of the present invention to provide a method of reproducing a damaged solder bump.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1の半田バンプ形成用部材の発明では、半田に
対して濡れ性の低い材料からなる基材と、この基材表面
に、加熱溶融後にこの基材から分離可能に固着されてな
る半田材料と、を有する。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a member for forming a solder bump, comprising: a base made of a material having low wettability to solder; And a solder material which is fixed so as to be separable from the substrate after heating and melting.

【0011】つまり、本発明では、バンプ形成用部材に
使用される基材は、半田に対して濡れ性の低い(即ち半
田と反応して接着し難い)材料から構成されているの
で、半田材料を加熱溶融して例えば基板のパッド上に半
田バンプを形成した後に、半田バンプから基材を(基材
に半田バンプが付着して基板から脱落することなく)容
易に分離することができる。
That is, in the present invention, since the base material used for the bump forming member is made of a material having low wettability to the solder (that is, it is difficult to adhere to the solder by reacting with the solder). Can be easily separated from the solder bumps (without the solder bumps adhering to the base material and falling off the substrate) after the solder bumps are formed on the pads of the substrate by heating and melting.

【0012】請求項2の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記半田材料が、基板表面の半田バンプが形成され
る所定位置に対応する位置に固着されている。そのた
め、半田バンプ形成用部材上の半田材料を、基板の所定
位置に合わせて配置して(例えば半田材料を基板のパッ
ドの接触又は近接させて)、加熱溶融することにより、
基板の所定位置に半田バンプを形成することができる。
In the second aspect of the present invention, the solder material is fixed to the surface of the substrate at a position corresponding to a predetermined position where the solder bump is to be formed. Therefore, by disposing the solder material on the solder bump forming member at a predetermined position on the substrate (for example, by bringing the solder material into contact with or close to the pads of the substrate) and melting by heating,
Solder bumps can be formed at predetermined positions on the substrate.

【0013】特に、基板に所定のパターン状に多数の半
田バンプを形成する場合には、半田バンプ形成用部材上
にそのパターンに合わせて半田材料を配置することによ
り、一度の加熱溶融により、パターン状に多数の半田バ
ンプを形成することが可能である。
In particular, when a large number of solder bumps are formed in a predetermined pattern on a substrate, a solder material is arranged on a member for forming a solder bump in accordance with the pattern, so that the pattern is heated and melted once. It is possible to form a large number of solder bumps in a shape.

【0014】請求項3の半田バンプ形成用部材の発明
は、基板表面の所定位置に半田バンプを形成するための
半田バンプ形成用部材であって、半田に対して濡れ性の
低い材料からなる基材と、この基材表面の前記基板表面
の所定位置に対応する位置に、加熱溶融によりこの基材
から前記基板表面に半田を移転可能に固着されてなる半
田材料と、を有する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a member for forming a solder bump for forming a solder bump at a predetermined position on a surface of a substrate, wherein the member comprises a material having low wettability to solder. A material, and a solder material which is fixed at a position corresponding to a predetermined position on the surface of the substrate on the surface of the substrate so that solder can be transferred from the substrate to the surface of the substrate by heating and melting.

【0015】そのため、半田バンプ形成用部材の半田材
料を、基板の所定位置に合わせて配置して、半田材料を
加熱溶融することにより半田を移転させて、基板の所定
位置に半田バンプを形成でき、しかも、半田バンプ形成
後は、半田バンプから基材を容易に取り去ることができ
る。
Therefore, the solder material of the solder bump forming member is arranged at a predetermined position on the substrate, and the solder is transferred by heating and melting the solder material to form a solder bump at the predetermined position on the substrate. Moreover, after the formation of the solder bumps, the base material can be easily removed from the solder bumps.

【0016】請求項4の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記基材の表面のうち、前記半田材料の固着位置、
または固着位置及びその近傍が、その周囲の表面より低
位とされている。つまり、半田材料の周囲の基材が壁の
様に高くなっているので、半田材料の加熱溶融時に、半
田材料がずれたりせず、正確な位置に半田バンプを形成
することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, a fixing position of the solder material on the surface of the base material;
Alternatively, the fixing position and the vicinity thereof are lower than the surrounding surface. That is, since the base material around the solder material is as high as a wall, the solder material does not shift during the heating and melting of the solder material, and the solder bump can be formed at an accurate position.

【0017】請求頃5の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記基材表面のうち、少なくとも前記半田材料の固
着位置の周囲または固着位置とその近傍の周囲に、半田
に対して濡れ性の低い材料からなる半田ダムを有する。
本発明では、前記請求項4と同様に、半田材料の周囲が
半田ダムにより壁の様に高くなっているので、半田材料
の加熱溶融時に、半田材料がずれたりせず、正確な位置
に半田バンプを形成することができる。
In the invention of a solder bump forming member according to claim 5, low wettability with respect to the solder is provided at least on the periphery of the fixing position of the solder material or on the periphery of the fixing position on the base material surface. It has a solder dam made of material.
In the present invention, as in claim 4, the periphery of the solder material is raised like a wall by the solder dam. Therefore, when the solder material is heated and melted, the solder material does not shift, and the solder material can be accurately positioned. A bump can be formed.

【0018】請求項6の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記基材が、シート状基材である。つまり、基材が
シート状であるので、半田バンプの形成後に基材を半田
バンプから剥す作業が容易になる。
According to the invention of claim 6 of the present invention, the substrate is a sheet-shaped substrate. That is, since the base material is in a sheet shape, the operation of peeling the base material from the solder bumps after the formation of the solder bumps is facilitated.

【0019】請求項7の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記基材のうち、前記半田材料が固着されている表
面の平面寸法が、前記基板に搭載される半導体素子の平
面寸法と同寸とされている。そのため、この半田バンプ
形成用部材を用いて基板に半田バンプを形成するとき
に、基材表面の平面寸法を基準として基材の位置合わせ
をすれば、半田バンプ形成用部材を基板上の所定位置に
配置できるので、例えば集積回路チップの接続用の半田
バンプを容易に形成することができる。
In the invention of a solder bump forming member according to claim 7, the planar dimension of the surface of the substrate to which the solder material is fixed is the same as the planar dimension of the semiconductor element mounted on the substrate. It has been. Therefore, when a solder bump is formed on a substrate using the solder bump forming member, if the base material is aligned with reference to the planar dimension of the base material surface, the solder bump forming member can be positioned at a predetermined position on the substrate. Therefore, for example, solder bumps for connecting an integrated circuit chip can be easily formed.

【0020】特に、シート状の基材の寸法・形状が、例
えば集積回路チップの寸法・形状と同じである場合に
は、通常の半導体素子搭載機を用いて、半田バンプ形成
用部材を基板上の所定の位置に配置することができるの
で、作業性を著しく向上させることができる。
In particular, when the dimensions and shape of the sheet-shaped base material are the same as those of the integrated circuit chip, for example, the members for forming the solder bumps are placed on the substrate by using an ordinary semiconductor device mounting machine. , The workability can be significantly improved.

【0021】請求項8の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記半田材料の頂部が、平坦である。このように頂
部が平坦であると、半田材料を溶融させたときに半田頂
部の高さが高くなるので、基板上に設けた半田バンプ用
のパッド等と接触し易くなり、確実に半田を基板側に移
転させて半田バンプを形成できる。
According to the invention of claim 8 of the present invention, the top of the solder material is flat. When the top is flat as described above, the height of the solder top is increased when the solder material is melted, so that it is easy to come into contact with a solder bump pad or the like provided on the substrate, and the solder is securely transferred to the substrate. Side to form a solder bump.

【0022】特に、基材表面の所定位置に半田箔等の平
らな半田材料を配置することにより、頂部が平坦な半田
材料を形成すると、半田材料の高さが揃っているので、
コーポラナリティが良好で基板の全てのパッドに接しや
すく、確実に半田バンプの形成を行なうことができる。
In particular, when a flat solder material such as a solder foil is arranged at a predetermined position on the surface of the base material to form a solder material having a flat top, the height of the solder material is uniform.
Good coplanarity, easy contact with all pads on the substrate, and reliable formation of solder bumps.

【0023】請求項9の半田バンプ形成用部材の発明で
は、前記半田材料が、フラックスにより前記基材に固着
されている。フラックスは低温では固化しているので、
半田材料を基材に固着することができる。しかも、半田
材料が溶融したときには、半田の酸化を防ぎ、半田等の
酸化膜を除去することにより、半田が基板に設けた半田
バンプ用パッド等に、強固に半田付けされるのを助ける
働きをする。
According to a ninth aspect of the present invention, the solder material is fixed to the base material by a flux. Since the flux is solidified at low temperatures,
The solder material can be fixed to the base material. Moreover, when the solder material is melted, it prevents the solder from being oxidized and removes an oxide film such as solder, thereby helping the solder to be firmly soldered to a solder bump pad or the like provided on the substrate. I do.

【0024】請求項10の半田バンプ形成用部材の発明
では、前記半田材料が、圧着により前記基材に固着され
ている。このようにすると、加熱して半田材料を溶融さ
せるだけで、半田に対して濡れ性の低い基材から容易に
半田が分離でき、基板に移転させることができる。
In a tenth aspect of the present invention, the solder material is fixed to the substrate by pressure bonding. In this case, the solder can be easily separated from the base material having low wettability with respect to the solder simply by heating to melt the solder material, and can be transferred to the substrate.

【0025】なお、例えば、基材表面の所定位置に圧着
されて配置された半田箔等の様に、圧着して固着可能な
材料を採用でき、この半田バンプ形成用部材を用いて半
田バンプの形成を行なうことができる。請求項11の半
田バンプ形成用部材の発明では、前記基材表面のうち、
少なくとも半田材料が固着されている部分が粗面であ
る。
For example, a material that can be fixed by pressure bonding, such as a solder foil or the like that is pressed and positioned at a predetermined position on the surface of the base material, can be used. The formation can be performed. In the invention of the member for forming a solder bump according to claim 11, of the surface of the base material,
At least the portion where the solder material is fixed is a rough surface.

【0026】つまり、前記基材表面が粗面であると、半
田材料が基材に強く固着され、取り扱い等において半田
材料の脱落が生じ難いので好適である。請求項12の半
田バンプ形成用部材の製造方法の発明は、基板表面の所
定位置に半田バンプを形成するための半田バンプ形成用
部材の製造方法であって、半田に対して濡れ性の低い材
料からなる基材の表面に、半田薄板を圧着する工程と、
この半田薄板のうち、前記基板表面の所定位置に対応す
る部分以外の不要部分を除去する工程と、を有する。
That is, it is preferable that the surface of the base material is rough because the solder material is strongly fixed to the base material and the solder material hardly falls off during handling. The invention of a method for manufacturing a member for forming a solder bump according to claim 12 is a method for manufacturing a member for forming a solder bump for forming a solder bump at a predetermined position on a substrate surface, wherein the material has low wettability to solder. Pressure bonding a solder thin plate to the surface of a base material consisting of
Removing unnecessary portions of the thin solder plate other than portions corresponding to predetermined positions on the substrate surface.

【0027】これによって、基板表面の所定位置に高さ
の揃ったかつ頂部の平坦な半田バンプを形成することが
できる。また、本発明の場合には、例えば半田箔の様な
半田薄板を使用して単に圧着すればよいので、半田ペー
ストを用いる場合における塗布・溶融等の工程が不要と
なる。
Thus, solder bumps having a uniform height and a flat top can be formed at predetermined positions on the substrate surface. Further, in the case of the present invention, since it is sufficient to simply press-bond using, for example, a solder thin plate such as a solder foil, steps such as coating and melting when using a solder paste are unnecessary.

【0028】請求項13の半田バンプ形成用部材の製造
方法の発明では、前記基材の表面が、粗面である。よっ
て、半田バンプ形成用部材の製造時に、半田材料が基材
表面から脱落し難い。
[0028] In the invention of the thirteenth aspect, the surface of the base material is rough. Therefore, it is difficult for the solder material to fall off from the surface of the base material during the manufacture of the solder bump forming member.

【0029】請求項14の半田バンプ形成用部材の製造
方法の発明では、前記半田薄板のうち、不要部分を除去
する工程が、前記半田薄板上にエッチングレジストを塗
布する工程と、該エッチングレジストに対して露光・現
像を行って、前記不要部分を露出させる工程と、前記半
田薄板のうち、露出した不要部分をエッチングにより除
去する工程と、残余の該エッチングレジストを除去する
工程と、を有する。
According to a fourteenth aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a member for forming a solder bump, wherein the step of removing an unnecessary portion of the solder thin plate includes the steps of: applying an etching resist on the solder thin plate; The method further includes a step of exposing and developing the unnecessary portion to expose the unnecessary portion, a step of removing the exposed unnecessary portion of the solder thin plate by etching, and a step of removing the remaining etching resist.

【0030】これにより、必要な半田薄板の箇所のみを
正確に残すことができるので、半田バンプを寸法精度及
び位置精度よく形成することができ、微小な大きさ、あ
るいは狭ピッチにて半田バンプを形成することができ
る。請求項15の半田バンプ形成用部材の製造方法の発
明は、基板表面の所定位置に半田バンプを形成するため
の半田バンプ形成用部材の製造方法であって、半田に対
して濡れ性の低い材料からなる基材の表面のうち、前記
基板表面の所定位置に対応した位置に半田ペーストを塗
布する工程と、加熱によりこの半田ペーストを溶融させ
た後に冷却する工程と、を有する。
Thus, only the necessary portions of the solder thin plate can be accurately left, so that the solder bumps can be formed with high dimensional accuracy and position accuracy, and the solder bumps can be formed with a small size or a narrow pitch. Can be formed. The invention of a method for manufacturing a member for forming a solder bump according to claim 15 is a method for manufacturing a member for forming a solder bump for forming a solder bump at a predetermined position on a substrate surface, wherein the material has low wettability to solder. A step of applying a solder paste to a position corresponding to a predetermined position on the surface of the substrate, and a step of melting the solder paste by heating and then cooling it.

【0031】このようにすると、形成したい位置に半田
材料を形成することができ、しかも、印刷条件やマスク
の開口等の調整をすることにより、各々の半田材料の半
田体積を調整することができる。その上、半田ペースト
を溶融させた後に冷却することによって、半田ペースト
に含まれていたフラックスが略球状となった半田材料を
基板に固着するため、固着のための特別な作業等が不要
になる。
By doing so, the solder material can be formed at the desired position, and the solder volume of each solder material can be adjusted by adjusting the printing conditions and the opening of the mask. . In addition, by cooling after melting the solder paste, the solder material in which the flux contained in the solder paste has become substantially spherical is fixed to the substrate, so that special work for fixing is unnecessary. .

【0032】請求項16の半田バンプ形成用部材の製造
方法の発明では、前記基材の表面のうち、前記半田材料
の固着位置、または固着位置及びその近傍が、その周囲
の表面より低位とされている基材を用いる。このように
すると、加熱により半田ペースト中の半田が溶融・凝集
して略球状となっても、半田材料が周囲より低位とされ
る部分に止まって基材に固着されるので、半田材料の位
置ずれをなくし、あるいは小さくできる。また、ひいて
は基板上に形成する半田バンプの位置がずれることがな
い。
In the method of manufacturing a solder bump forming member according to the present invention, the fixing position of the solder material, or the fixing position and the vicinity thereof, on the surface of the base material are lower than the surrounding surface. Use a substrate that has In this way, even if the solder in the solder paste melts and agglomerates into a substantially spherical shape due to the heating, the solder material stops at a portion lower than the surroundings and is fixed to the base material. The displacement can be eliminated or reduced. Further, the position of the solder bump formed on the substrate does not shift.

【0033】請求項17の半田バンプ形成用部材の製造
方法の発明では、前記基材の表面のうち、少なくとも前
記半田材料の固着位置の周囲または固着位置とその近傍
の周囲に、半田に対して濡れ性の低い材料からなる半田
ダムを有する基材を用いる。そのため、前記請求項16
と同様に、半田材料の位置ずれをなくし、あるいは小さ
くでき、ひいては半田バンプの位置がずれることがな
い。
In the method for manufacturing a solder bump forming member according to the present invention, at least the periphery of the fixing position of the solder material or the periphery of the fixing position and the vicinity thereof on the surface of the base material, A base material having a solder dam made of a material having low wettability is used. Therefore, the claim 16
In the same manner as described above, the displacement of the solder material can be eliminated or reduced, and the position of the solder bump will not be displaced.

【0034】尚、前記半田ペーストを塗布する工程の前
に、前記基材の表面のうち、少なくとも前記半田材料の
固着位置の周囲または固着位置とその近傍の周囲に、半
田レジストからなる半田ダムを形成する工程を有するこ
とを特徴とする請求項15に記載の半田バンプ形成用部
材の製造方法を採用できる。
Prior to the step of applying the solder paste, a solder dam made of a solder resist is formed on at least the periphery of the fixing position of the solder material or the periphery of the fixing position on the surface of the base material. The method for manufacturing a member for forming a solder bump according to claim 15 can be employed.

【0035】この様に、半田ダムを形成する場合に、半
田レジスト(例えば東京応化(株)製OPSR−560
0)により半田ダムを形成すると、印刷・乾燥・露光・
現像によって容易に正確なパターンが形成できる。請求
項18の半田バンプ付基板の製造方法の発明は、半田バ
ンプ形成用部材を用いて基板表面の所定位置に半田バン
プを形成した半田バンプ付基板の製造方法であって、前
記半田材料が前記基板の所定位置に接触又は近接するよ
うに前記半田バンプ形成用部材を位置合わせして基板表
面上に配置する工程と、加熱によりこの半田材料を溶融
させて、半田をこの基板の所定位置に移転させた後に冷
却する工程と、この基板表面から前記基材を除去する工
程と、を有する。
As described above, when a solder dam is formed, a solder resist (for example, OPSR-560 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is used.
When the solder dam is formed by 0), printing, drying, exposure,
An accurate pattern can be easily formed by development. An invention of a method for manufacturing a board with solder bumps according to claim 18, wherein the method for manufacturing a board with solder bumps, wherein solder bumps are formed at predetermined positions on the board surface using a member for forming solder bumps, wherein the solder material is A step of aligning the solder bump forming member so as to be in contact with or in proximity to a predetermined position on the substrate, and disposing the solder bump forming member on the substrate surface; and melting the solder material by heating to transfer the solder to the predetermined position on the substrate. And a step of cooling the substrate and removing the substrate from the surface of the substrate.

【0036】つまり、半田バンプ形成用部材上の半田材
料を溶融して、基板の例えば半田バンプ用パッド上に移
すことにより半田バンプを形成することができる。この
ようにすれば、基板上に半田バンプ形成用部材を位置合
わせして配置し、加熱することにより、一挙に半田を移
転させて、基板表面の所定位置に半田バンプを形成し
て、半田バンプ付基板を製造することができる。
That is, a solder bump can be formed by melting a solder material on a solder bump forming member and transferring it to a substrate, for example, a solder bump pad. By doing so, the solder bump forming member is aligned and arranged on the substrate, and heated to transfer the solder all at once, forming the solder bump at a predetermined position on the substrate surface, and forming the solder bump. An attached substrate can be manufactured.

【0037】請求項19の半田バンプ付基板の製造方法
の発明では、前記加熱冷却工程において、前記基材で溶
融した半田を前記基板表面側に押圧しつつ冷却・固化さ
せて、前記半田バンプの頂部を平坦にする。これによ
り、基板表面の所定位置に、頂部が平坦でコーポラナリ
ティが小さい半田バンプを形成した半田バンプ付基板を
製造することができる。
According to the invention of claim 19, in the heating and cooling step, the solder melted in the base material is cooled and solidified while being pressed against the surface of the substrate to form the solder bump. Flatten the top. This makes it possible to manufacture a substrate with solder bumps in which solder bumps having a flat top and low coplanarity are formed at predetermined positions on the substrate surface.

【0038】このようにすると、半田バンプに接合すべ
き例えば集積回路チップとの接合性が高くなり、しかも
接合作業が簡易化される等の利点がある。特に半田バン
プ形成用部材として、ガラス、セラミックなどの剛性材
を用いる場合には、自重により又は加重することによ
り、頂部の潰れる程度を調節することができる。
In this manner, there are advantages that the bonding property with, for example, an integrated circuit chip to be bonded to the solder bumps is improved, and that the bonding operation is simplified. In particular, when a rigid material such as glass or ceramic is used as the solder bump forming member, the degree of collapse of the top can be adjusted by its own weight or by applying weight.

【0039】請求項20の半田バンプ付基板の製造方法
の発明では、前記基材が、この基材の表面のうち、前記
半田材料の固着位置、または固着位置及びその近傍が、
その周囲の表面より低位とされている基材であり、前記
押圧時に、この基材の該周囲の表面を基板の表面に接触
させて、この基板表面から前記半田バンプの頂部までの
高さを、前記基材の周囲の表面から前記半田材料の固着
位置までの深さによって規制する。
According to a twentieth aspect of the invention of the method for manufacturing a substrate with solder bumps, the base material has a surface where the solder material is fixed, or the fixed position and the vicinity of the fixed position.
A base material that is lower than its surrounding surface, and at the time of the pressing, the surrounding surface of the base material is brought into contact with the surface of the substrate to increase the height from the substrate surface to the top of the solder bump. It is regulated by the depth from the peripheral surface of the base material to the fixing position of the solder material.

【0040】このようにすると、基材の低位部分の深さ
によって半田バンプの頂部の高さが規制されるので、深
さを適切に設定することにより、容易に半田バンプ頂部
の高さを設定することができる。請求項21の半田バン
プ付基板の製造方法の発明では、前記半田バンプ形成用
部材を前記基板の表面上に配置する工程において、この
基板表面上に設けた突起により、該半田バンプ形成用部
材の位置を規制して位置合わせを行う。
In this case, since the height of the top of the solder bump is regulated by the depth of the lower portion of the base material, the height of the top of the solder bump can be easily set by appropriately setting the depth. can do. In the method of manufacturing a board with solder bumps according to claim 21, in the step of arranging the solder bump forming member on the surface of the board, the protrusion provided on the board surface causes the solder bump forming member to Adjust the position by regulating the position.

【0041】この突起により、半田バンプ形成用部材の
位置を決めることができるので、位置合わせを容易に且
つ精度よく行うことができ、よって、半田バンプを正確
な位置に形成することができる。尚、前記半田バンプ形
成用部材の位置の規制は、前記突起をこの半田バンプ形
成用部材の側端部に接触させることにより行うことを特
徴とする請求項21に記載の半田バンプ付基板の製造方
法を採用できる。
Since the position of the solder bump forming member can be determined by the projection, the alignment can be performed easily and accurately, and the solder bump can be formed at an accurate position. 22. The method according to claim 21, wherein the position of the solder bump forming member is regulated by bringing the protrusion into contact with a side end of the solder bump forming member. Method can be adopted.

【0042】つまり、半田バンプ形成用部材の位置の規
制は、突起を半田バンプ形成用部材の側端部に接触させ
て行うことができる。このようにすると、位置合わせが
容易にでき、位置合わせ精度も突起の位置精度にまで高
めることができる。また、前記半田バンプ形成用部材の
位置の規制は、前記突起をこの半田バンプ形成用部材に
形成した透孔または盲孔に挿入させることにより行うこ
とを特徴とする請求項21に記載の半田バンプ付基板の
製造方法も採用できる。
That is, the position of the solder bump forming member can be regulated by bringing the protrusion into contact with the side end of the solder bump forming member. In this case, the positioning can be easily performed, and the positioning accuracy can be increased to the positioning accuracy of the protrusion. 22. The solder bump according to claim 21, wherein the position of the solder bump forming member is regulated by inserting the protrusion into a through hole or a blind hole formed in the solder bump forming member. The manufacturing method of the attached substrate can also be adopted.

【0043】つまり、半田バンプ形成用部材の位置の規
制は、突起をこの半田バンプ形成用部材に形成した透孔
または盲孔に挿入させることにより行うことができる。
このようにすると、突起の数を減らすことができ、ま
た、位置決めも容易で、位置合わせ精度も高くすること
ができる。
That is, the position of the solder bump forming member can be regulated by inserting the projection into a through hole or a blind hole formed in the solder bump forming member.
By doing so, the number of protrusions can be reduced, positioning is easy, and positioning accuracy can be increased.

【0044】請求項22の半田バンプ付基板の製造方法
の発明では、前記基板として、この基板の表面の所定位
置には、すでに半田バンプが形成され、かつこの形成さ
れた半田バンプから少なくとも一部の半田が除去された
基板を用いる。つまり、何らかの原因により、一旦形成
された半田バンプから少なくとも一部の半田が除去され
た場合に、この基板に例えば集積回路チップを搭載する
場合には、再度半田バンプを形成しなければならない
が、上述した半田バンプ形成用部材を使用することによ
り、この様な基板に対しても、容易に半田バンプを形成
することができる。
According to a twenty-second aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a board with solder bumps, wherein the board has a solder bump formed at a predetermined position on a surface of the board, and at least a part of the formed solder bump. A substrate from which the solder has been removed is used. In other words, if for some reason at least a portion of the solder bumps once formed are removed, for example when an integrated circuit chip is mounted on this substrate, the solder bumps must be formed again, By using the above-described solder bump forming member, a solder bump can be easily formed even on such a substrate.

【0045】請求項23の半田バンプ付基板の製造方法
の発明では、前記基板として、前記半田バンプ形成用部
材によって半田バンプを形成する部分以外の部分に、少
なくとも1つの集積回路チップが半田バンプによって接
続されている基板を用いる。例えば集積回路チップが既
に搭載されている基板に対して、更に例えば集積回路チ
ップを搭載しようとする場合には、その搭載箇所に半田
バンプを形成する必要があるが、従来の半田ペースト印
刷法では、既に搭載された集積回路チップが邪魔にな
り、また、他の従来の方法では作業性が悪いため、半田
バンプを形成することが難しかった。
According to a twenty-third aspect of the present invention, at least one integrated circuit chip is formed of a solder bump on a portion other than a portion where a solder bump is formed by the solder bump forming member. Use the connected substrate. For example, when an integrated circuit chip is to be mounted on a substrate on which the integrated circuit chip has already been mounted, solder bumps need to be formed at the mounting position. In addition, it is difficult to form the solder bumps because the already mounted integrated circuit chip is in the way, and the other conventional methods have poor workability.

【0046】これに対して、本発明では、上述した半田
バンプ形成用部材を使用することにより、例えば集積回
路チップを搭載しようとする制限された箇所に、半田バ
ンプを容易に形成することができる。特に、搭載しよう
とする集積回路チップと同じ平面寸法の基材を用いた半
田バンプ形成用部材を用いると、集積回路チップと同様
にして位置合わせをすることで、基板上に半田バンプ形
成用部材を配置できるので好適である。
On the other hand, according to the present invention, the use of the above-described solder bump forming member allows solder bumps to be easily formed at, for example, a limited place where an integrated circuit chip is to be mounted. . In particular, when a solder bump forming member using a base material having the same plane size as an integrated circuit chip to be mounted is used, alignment is performed in the same manner as an integrated circuit chip, so that a solder bump forming member is formed on a substrate. Can be arranged, which is preferable.

【0047】請求項24の半田バンプ付基板の損傷半田
バンプの再生方法の発明では、半田バンプにより他の基
板との接続を行い、その後該他の基板を除去した基板の
損傷半田バンプを再生する方法であって、前記半田材料
が該基板の損傷半田バンプに接触又は近接するように前
記半田バンプ形成用部材を位置合わせして基板表面上に
配置する工程と、加熱によりこの半田材料を溶解させ
て、半田をこの基板の所定位置に移転させた後に冷却す
る工程と、この基板表面から前記基材を除去する工程
と、を有する。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, there is provided a method for regenerating a damaged solder bump on a substrate having a solder bump, wherein the connection with another substrate is made by the solder bump, and thereafter, the damaged solder bump on the substrate from which the other substrate has been removed is regenerated. A method of positioning the solder bump forming member on a substrate surface such that the solder material contacts or approaches a damaged solder bump on the substrate, and dissolving the solder material by heating. And transferring the solder to a predetermined position on the substrate and then cooling, and removing the substrate from the surface of the substrate.

【0048】例えば集積回路チップを加熱によって基板
から取り外した場合には、通常、半田バンプ中の半田の
約70%程度が同時に除去されていわゆる損傷半田バン
プとなるので、再度集積回路チップを搭載する場合に
は、除去された分の半田を補充して半田バンプを正常な
形状に形成しなければならない。
For example, when the integrated circuit chip is removed from the substrate by heating, about 70% of the solder in the solder bumps is usually removed at the same time, resulting in a so-called damaged solder bump. Therefore, the integrated circuit chip is mounted again. In this case, the solder bumps must be formed in a normal shape by replenishing the removed solder.

【0049】本発明では、その様な損傷半田バンプに対
して、半田バンプ形成用部材の半田材料を用いることに
より、半田バンプを正常なものに再生することができ
る。従って、半田バンプの再生のためには、除去された
分の半田量を有する半田材料をもつ半田バンプ形成用部
材を用いるとよい。
In the present invention, by using the solder material of the solder bump forming member for such a damaged solder bump, the solder bump can be regenerated to a normal one. Therefore, in order to regenerate the solder bumps, it is preferable to use a solder bump forming member having a solder material having an amount of the removed solder.

【0050】請求項25の半田バンプ付基板の損傷半田
バンプの再生方法の発明では、前記基板は、少なくとも
1つの集積回路チップが半田バンプによって接続されて
いる基板である。つまり、基板表面に複数の集積回路チ
ップが搭載されている場合に、例えば1つの不良な集積
回路チップを除去すると、その集積回路チップの部分の
みがスペースが空けられた基板となり、この様な基板に
再度集積回路チップを搭載する場合には、空けられた狭
い空間に再度半田バンプを形成しなければならず、例え
ば半田ペースト印刷法を適用することは困難である。
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, there is provided a method for regenerating a damaged solder bump on a substrate having solder bumps, wherein the substrate is a substrate to which at least one integrated circuit chip is connected by solder bumps. That is, when a plurality of integrated circuit chips are mounted on the substrate surface, for example, if one defective integrated circuit chip is removed, only the portion of the integrated circuit chip becomes a substrate with a space, and such a substrate is removed. In order to mount the integrated circuit chip again, solder bumps must be formed again in the narrow space, and it is difficult to apply, for example, a solder paste printing method.

【0051】そこで、本発明では、上述した様な半田バ
ンプ形成用部材を使用することにより、その様な狭い空
間にも、容易に且つ能率よく半田バンプを再生して、再
度良品の集積回路チップを搭載することができる。尚、
前記各請求項の発明おいては、下記の構成を採用でき
る。
Therefore, in the present invention, by using the above-described solder bump forming member, the solder bumps can be easily and efficiently regenerated in such a narrow space, and the non-defective integrated circuit chip is again produced. Can be mounted. still,
In the invention of each of the above claims, the following configuration can be adopted.

【0052】・前記基材の材料としては、半田と反応し
て接着し難い材料が用いられるが、それらの材料は、半
田を加熱する際の温度に耐え得る材料である。例えば、
ガラスエポキシ等の複合材料、シリコーンゴム、ガラ
ス、アルミナや窒化珪素等のセラミック、ステンレスや
チタン等の金属、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチ
レン(テフロン;商標)及びエポキシ等の耐熱性樹脂等
を使用できる。尚、半田バンプの形成の際に目視で位置
合わせを行う場合には、ポリイミドやガラスなどの透明
性材料を用いることが望ましい。
As the material of the base material, a material which reacts with the solder and hardly adheres is used, and these materials are materials which can withstand the temperature when heating the solder. For example,
Composite materials such as glass epoxy, silicone rubber, glass, ceramics such as alumina and silicon nitride, metals such as stainless steel and titanium, heat-resistant resins such as polyimide, polytetrafluoroethylene (Teflon; trademark), and epoxy can be used. In addition, when positioning is performed visually when forming the solder bumps, it is desirable to use a transparent material such as polyimide or glass.

【0053】・半田材料の半田としては、Pb−Sn系
の軟ろうの他、例えばバンプ材料として使用されるAu
−Sn系、Au−Si系等、450℃以下の低融点を有
する広義のろう材を意味する。尚、半田材料中には、半
田以外にフラックス等を含んでいてもよい。
As the solder of the solder material, in addition to Pb-Sn based soft solder, for example, Au used as a bump material is used.
It means a brazing material in a broad sense having a low melting point of 450 ° C. or less, such as —Sn based and Au—Si based. The solder material may contain a flux and the like in addition to the solder.

【0054】・前記溶融する温度としては、半田ペース
ト等の融点(即ち半田の融点)以上であればよいが、例
えば融点の10〜40℃高い温度を採用できる。 ・前記基板としては、集積回路チップが実装される配線
基板(特に複数の集積回路チップが搭載されるMCM基
板)や、配線基板と接合されるプリント基板などが挙げ
られる。
The melting temperature may be higher than the melting point of the solder paste or the like (that is, the melting point of the solder). For example, a temperature higher by 10 to 40 ° C. than the melting point can be adopted. -Examples of the substrate include a wiring substrate on which an integrated circuit chip is mounted (particularly, an MCM substrate on which a plurality of integrated circuit chips are mounted), and a printed circuit board bonded to the wiring substrate.

【0055】[0055]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態の例
(実施例)について説明する。 (実施例1)ここでは、複数の半導体素子(以下集積回
路チップと称す)をフェースダウンで実装する樹脂積層
基板(マルチチップモジュール基板、以下単にMCM基
板と称す)において、一旦搭載し、その後取り外した不
良集積回路チップの代替品を再度MCM基板に搭載する
ために、半田バンプ形成用部材を用いて半田バンプを再
生する場合を例を挙げて説明する。
Next, an example (embodiment) of an embodiment of the present invention will be described. (Example 1) Here, in a resin laminated substrate (multi-chip module substrate, hereinafter simply referred to as MCM substrate) on which a plurality of semiconductor elements (hereinafter, referred to as integrated circuit chips) are mounted face down, once mounted, then removed. An example will be described in which a solder bump is regenerated by using a solder bump forming member in order to mount a defective integrated circuit chip substitute on the MCM substrate again.

【0056】a)まず、本実施例の半田バンプ形成用部
材の構造について説明する。図1(a)に示す様に、本
実施例の半田バンプ形成用部材1は、ポリテトラフルオ
ロエチレン(テフロン;商標)からなる耐熱性を有する
シート状の基材3の一方の表面に、共晶半田からなる円
板形の多数の半田プリフォーム5が固着されたものであ
る。
A) First, the structure of the member for forming a solder bump of this embodiment will be described. As shown in FIG. 1A, the solder bump forming member 1 of this embodiment is provided on one surface of a heat-resistant sheet-shaped base material 3 made of polytetrafluoroethylene (Teflon; trademark). A large number of disk-shaped solder preforms 5 made of crystal solder are fixed.

【0057】前記基材3は、縦12mm×横17mm×
厚み0.1mmの寸法を有し、この基材3表面は、半田
プリフォーム5が固着し易い様に粗化されている。ま
た、基材3の縦横の寸法は、図1(b)に示すMCM基
板7に搭載する集積回路チップ9a〜9d(以下9と総
称する)の寸法と同じとされている。尚、図1(b)の
MCM基板7には、3箇所に集積回路チップ9a〜9c
が取り付けられているが、図の右下の1箇所は図示しな
い不良集積回路チップが取り外されて、半田量の少なく
なった損傷半田バンプ11aが露出している。
The base material 3 is 12 mm long × 17 mm wide ×
It has a thickness of 0.1 mm, and the surface of the substrate 3 is roughened so that the solder preform 5 can be easily fixed. The vertical and horizontal dimensions of the base material 3 are the same as the dimensions of the integrated circuit chips 9a to 9d (hereinafter, collectively referred to as 9) mounted on the MCM substrate 7 shown in FIG. The MCM substrate 7 shown in FIG. 1B has three integrated circuit chips 9a to 9c.
However, a defective integrated circuit chip (not shown) has been removed from one location at the lower right of the figure, and the damaged solder bump 11a with a reduced amount of solder has been exposed.

【0058】一方、各半田プリフォーム5は、形成する
各半田バンプ11(図3参照)の位置と対応する位置に
配置されている。つまり、後に詳述する様に、半田バン
プ形成用部材1をMCM基板7上に向かい合わせること
により半田バンプ11を形成するので、半田プリフォー
ム5の配置パターンは、半田バンプ11の配置パターン
とは対称なパターンとなっている。また、各半田プリフ
ォーム5の寸法は、半田バンプ11の再生に必要な体積
(半田バンプの半田体積5.75×10-4mm 3の70
%)を確保するために、φ0.1mm×厚み0.05m
mとされている。 つまり、1個の半田バンプ11の体
積は、通常5.75×10-4mm3であるが、不良集積
回路チップを取り外す際に、半田バンプ11の7割程度
が不良集積回路チップと共に除去されるので、半田バン
プ11を再生するためには、その除去された7割分を加
えればよい。
On the other hand, each solder preform 5 is formed.
At the position corresponding to the position of each solder bump 11 (see FIG. 3)
Are located. In other words, as described in detail below,
The member 1 for forming a tape on the MCM substrate 7
The solder bumps 11 are formed by
The arrangement pattern of the solder bump 11 is the arrangement pattern of the solder bump 11.
Is a symmetrical pattern. In addition, each solder pre-
The size of the form 5 is the volume required for the regeneration of the solder bump 11.
(5.75 × 10 solder volume of solder bump-Fourmm ThreeOf 70
%) To secure φ0.1mm x thickness 0.05m
m. That is, the body of one solder bump 11
The product is usually 5.75 × 10-FourmmThreeBut the accumulation of defects
When removing the circuit chip, about 70% of the solder bump 11
Is removed together with the defective integrated circuit chip.
To regenerate step 11, add 70% of the removed
You can get it.

【0059】b)次に、半田バンプ形成用部材1の製造
方法について説明する。 基板3と半田プリフォーム5の圧着 まず、図2(a)に示す様に、厚み0.1mmのテフロ
ンシートである基板3の片面3aを、半田プリフォーム
5との密着性を高めるために、研磨によってその表面を
粗化する(表面粗度Ra約5μm)。尚、更に、クロム
酸カリウムや過マンガン酸カリウムで基材表面をエッチ
ングし、微細な凹凸状に粗面化を行って、より密着強度
を上げることもできる。ただし、最終的に、基材3と半
田は分離させるので、エッチング後の半田プリフォーム
5が例えばφ50μm以上の広い面積を有する場合は、
エッチングによる粗化は必ずしも必要ない。
B) Next, a method of manufacturing the solder bump forming member 1 will be described. First, as shown in FIG. 2A, one side 3a of the substrate 3 which is a Teflon sheet having a thickness of 0.1 mm is attached to the solder preform 5 in order to enhance the adhesion with the solder preform 5. The surface is roughened by polishing (surface roughness Ra about 5 μm). Further, the adhesion strength can be further increased by etching the surface of the base material with potassium chromate or potassium permanganate to roughen the surface into fine irregularities. However, finally, since the base material 3 and the solder are separated, if the solder preform 5 after etching has a large area of, for example, φ50 μm or more,
Roughening by etching is not always necessary.

【0060】次に、図2(b)に示す様に、基材3上に
(半田プリフォーム5となる)厚み0.05μmの半田
箔13を載せ、図示しないプレス機にて10kg/cm
2の圧力をかけて圧着する。尚、プレス機内は真空と
し、空気の巻き込みによる圧着不良、半田の酸化を防止
する。
Next, as shown in FIG. 2 (b), a solder foil 13 having a thickness of 0.05 μm (to be a solder preform 5) is placed on the base material 3 and is pressed at 10 kg / cm by a press (not shown).
Crimping by applying pressure of 2 . The inside of the press machine is evacuated to prevent poor pressure bonding due to air entrapment and oxidation of solder.

【0061】エッチングエジスト17の形成 図2(c)に示す様に、一般のフォトエッチング法を用
いるため、ネガ型紫外線硬化のエポキシドライフィルム
15を半田箔13の表面に貼り付る。次に、図2(d)
に示す様に、半田を残したいところに紫外線を照射し
て、ドライフィルム15を硬化させ、その後、炭酸ナト
リウム溶液で不要部分のドライフィルム15を溶解除去
して、半田プリフォーム5の形成箇所にエッチングレジ
スト17を形成する。
As shown in FIG. 2C, a negative type ultraviolet curing epoxy dry film 15 is attached to the surface of the solder foil 13 as shown in FIG. Next, FIG.
As shown in (2), the dry film 15 is cured by irradiating ultraviolet rays to the place where the solder is to be left, and then the unnecessary portion of the dry film 15 is dissolved and removed with a sodium carbonate solution. An etching resist 17 is formed.

【0062】半田箔13のエッチング 図2(e)に示す様に、基材3に圧着された半田箔15
を硝酸に浸潰させ、エッチングレジスト17で被覆され
ていない部分の不要半田を溶解除去し、所定のパターン
に配置された(エッチングレジスト17を載せた状態
の)複数の半田プリフォーム5を形成する。
Etching of Solder Foil 13 As shown in FIG. 2E, the solder foil 15
Is immersed in nitric acid to dissolve and remove unnecessary solder from portions not covered with the etching resist 17 to form a plurality of solder preforms 5 (in a state where the etching resist 17 is placed) arranged in a predetermined pattern. .

【0063】エッチングレジスト17の除去 図2(f)に示す様に、基材3をアセトンに浸潰し、エ
ッチングレジスト17を半田プリフォーム5上から除去
する。以上の工程により、テフロン製の基材3上に、共
晶半田の半田プリフォーム5が所定の配置パターンで圧
着された半田バンプ形成用部材1が製造される。
Removal of Etching Resist 17 As shown in FIG. 2F, the substrate 3 is immersed in acetone, and the etching resist 17 is removed from the solder preform 5. Through the above steps, the solder bump forming member 1 in which the solder preform 5 of eutectic solder is pressed on the Teflon base material 3 in a predetermined arrangement pattern is manufactured.

【0064】c)次に、半田バンプ形成用部材1を用い
て行う損傷半田バンプ11aの再生方法について説明す
る。例えば、図1(b)のMCM基板7に搭載された4
つの集積回路チップ9のうちの一つ(図の右下部分)が
不良品であった場合には、加熱して半田バンプ11を溶
融させて不良集積回路チップを除去するが、その際に
は、半田バンプ11の7割程度が不良集積回路チップと
ともに除去され、MCM基板7側には、パッド19(図
3参照)上に損傷半田バンプ11aが残される。従っ
て、代替の良品の集積回路チップ9dをその場所に搭載
するためには、パッド19上に半田バンプ11を再生し
なければならない。以下、その再生方法を説明する。
C) Next, a method of reproducing the damaged solder bump 11a using the solder bump forming member 1 will be described. For example, the 4C mounted on the MCM substrate 7 in FIG.
If one of the integrated circuit chips 9 (lower right portion in the drawing) is defective, the solder bumps 11 are melted by heating to remove the defective integrated circuit chip. Approximately 70% of the solder bump 11 is removed together with the defective integrated circuit chip, and the damaged solder bump 11a is left on the pad 19 (see FIG. 3) on the MCM substrate 7 side. Therefore, in order to mount the replacement non-defective integrated circuit chip 9d at that location, the solder bumps 11 must be reproduced on the pads 19. Hereinafter, the reproducing method will be described.

【0065】まず、図3(a)に示す様に、本実施例の
半田バンプ形成用部材1を、基材3上の半田プリフォー
ム5がMCM基板7側(即ちパッド19側)に向くよう
に配置する。このとき、基板7のパッド19を覆うよう
にフラックス14を塗布しておく。
First, as shown in FIG. 3A, the solder bump forming member 1 of the present embodiment is placed such that the solder preform 5 on the base material 3 faces the MCM substrate 7 (ie, the pad 19 side). To place. At this time, the flux 14 is applied so as to cover the pads 19 of the substrate 7.

【0066】そして、図3(b)に示す様に、各半田プ
リフォーム5の位置と各パッド19の位置が一致する様
に位置合わせてして、半田バンプ形成用部材1とMCM
基板7とを重ね合わせる。これにより、各半田プリフォ
ーム5と各パッド19上の損傷半田バンプ11aとが接
触又は近接する。尚、実際には、パッド19上に損傷半
田バンプ11aがあるが、図では省略してある(以下同
様)。
Then, as shown in FIG. 3B, the positions of the solder preforms 5 and the positions of the pads 19 are aligned so that the solder bump forming member 1 and the MCM are aligned.
The substrate 7 is overlaid. As a result, each solder preform 5 and the damaged solder bump 11a on each pad 19 come into contact with or approach each other. Although there is actually a damaged solder bump 11a on the pad 19, it is omitted in the figure (the same applies hereinafter).

【0067】特に、本実施例では、基材3の平面寸法は
集積回路チップ9dと同じにしてあるので、集積回路チ
ップ9dの搭載に使用する周知のチップマウンターを使
用して、半田バンプ形成用部材1の位置合わせを行なう
ことができる。次に、半田バンプ形成用部材1とMCM
基板7を重ね合わせた状態で、図示しない遠赤外線半田
リフロー炉に通し、半田プリフォーム5を約220℃加
熱して溶融する。これにより、図3(c)に示す様に、
溶融した半田は、半田の濡れ性の低い基材3側から落下
して半田の濡れ性の高いパッド19上に移転する。つま
り、基材3はテフロンであるので半田の濡れ性が低く、
一方、パッド19上には損傷半田バンプ11aがあり半
田の濡れ性が高いので、溶融した半田の殆んど総てがパ
ッド19側に移転する。よって、損傷半田バンプ11a
の体積と移転した半田の体積とが合わさって、通常の体
積を有する半田バンプ11が再生される。
In particular, in this embodiment, since the planar size of the substrate 3 is the same as that of the integrated circuit chip 9d, a known chip mounter used for mounting the integrated circuit chip 9d is used to form the solder bumps. The positioning of the member 1 can be performed. Next, the solder bump forming member 1 and the MCM
In a state in which the substrates 7 are superimposed on each other, the solder preforms 5 are passed through a far-infrared solder reflow furnace (not shown) to be heated at about 220 ° C. and melted. As a result, as shown in FIG.
The melted solder falls from the side of the base material 3 with low solder wettability and moves onto the pad 19 with high solder wettability. That is, since the base material 3 is Teflon, the wettability of the solder is low,
On the other hand, since the damaged solder bump 11a is on the pad 19 and the wettability of the solder is high, almost all of the molten solder is transferred to the pad 19 side. Therefore, the damaged solder bump 11a
And the volume of the transferred solder are combined to regenerate the solder bump 11 having a normal volume.

【0068】その後、図3(d)に示す様に、冷却した
後に基材3を剥すが、基材3には半田は殆ど付着しな
い。その後、フラックス14を溶剤で除去する。尚、本
実施例では、基材3は薄くその重量は僅かであるので、
半田バンプ11は潰されることなく、その底部を除いて
ほぼ球状である。
After that, as shown in FIG. 3D, the substrate 3 is peeled off after cooling, but the solder hardly adheres to the substrate 3. After that, the flux 14 is removed with a solvent. In this embodiment, since the base material 3 is thin and its weight is small,
The solder bumps 11 are not crushed and are substantially spherical except for the bottom.

【0069】従って、その後に、この再生された半田バ
ンプ11と良品の集積回路チップ9dを、加熱・冷却に
より接合することによって、4個の集積回路チップ9a
〜9dを有するMCM基板7を完成することができる。
この様に、本実施例では、MCM基板7から一部の不良
集積回路チップを取り外した後に再度代替の集積回路チ
ップ9dを搭載する場合に、半田バンプ形成用部材1を
用いて、必要な半田バンプ11の再生を容易に行なうこ
とができる。
Thereafter, the regenerated solder bumps 11 and non-defective integrated circuit chips 9d are joined by heating and cooling, thereby forming four integrated circuit chips 9a.
To 9d can be completed.
As described above, in this embodiment, when a part of the defective integrated circuit chip is removed from the MCM substrate 7 and the alternative integrated circuit chip 9d is mounted again, the necessary solder is formed by using the solder bump forming member 1. Reproduction of the bump 11 can be easily performed.

【0070】特に、MCM基板7上の所定箇所のみに半
田バンプ11を再生する場合には、従来の半田ペースト
印刷法では他の集積回路チップ9a〜9cが邪魔になっ
て使用できず、また従来の半田プリフォーム搭載法では
手間がかかり過ぎるが、本実施例の半田バンプ形成用部
材1を使用することにより、1個の集積回路チップ9d
の搭載に必要な配置パターンの半田バンプ11を一度に
再生でき、作業性に優れている。
In particular, when the solder bumps 11 are reproduced only at predetermined positions on the MCM substrate 7, the other integrated circuit chips 9a to 9c cannot be used in the conventional solder paste printing method, and the conventional solder paste printing method cannot be used. However, the use of the solder bump forming member 1 of the present embodiment makes it possible to use a single integrated circuit chip 9d.
The solder bumps 11 of the arrangement pattern required for mounting the semiconductor device can be reproduced at a time, and the workability is excellent.

【0071】また、半田バンプ形成用部材1(基材3)
の外形は、集積回路チップ9dの外形と合わせてあるの
で、チップマウンターを使用して位置合わせでき、その
点からも作業性が高い。尚、集積回路チップ9dを搭載
する場合には、再生した半田バンプ11を加熱するが、
その際に他の良品の集積回路チップ9a〜9cを接合し
ている半田バンプ11も溶融してしまうので、予め他の
良品の集積回路チップ9a〜9cとMCM基板7との接
合部に樹脂(アンダーフィル)を注入し、樹脂を硬化さ
せて樹脂モールドしてから、集積回路チップ9dの搭載
を行なうことが望ましい。 (実施例2)次に、実施例2について説明するが、前記
実施例1と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
Further, the solder bump forming member 1 (base material 3)
Is aligned with the external shape of the integrated circuit chip 9d, so that it can be positioned using a chip mounter, and the workability is also high in that respect. When the integrated circuit chip 9d is mounted, the regenerated solder bump 11 is heated.
At that time, the solder bumps 11 joining the other non-defective integrated circuit chips 9a to 9c are also melted. It is desirable to mount the integrated circuit chip 9d after injecting an underfill), curing the resin, and molding the resin. (Embodiment 2) Next, Embodiment 2 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 1 will be omitted or simplified.

【0072】本実施例では、樹脂製のMCM基板の表面
に、半田バンプ形成用部材の位置決め用突起が設けられ
ている。この位置決め用突起は、特願平8−16599
2号に記載がある様に、半田バンプ形成用部材の外周の
側端部に接触してその前後左右の動きを規制するための
ものであり、そのため、図4に示す様に、位置決め用突
起27は、半田バンプ形成用部材23の外周の4辺に対
応して2個づつ計8箇所に設けられている。
In this embodiment, a positioning projection of a member for forming a solder bump is provided on the surface of a resin-made MCM substrate. This positioning projection is disclosed in Japanese Patent Application No. Hei 8-16599.
As described in No. 2, it is for contacting the side edge of the outer periphery of the solder bump forming member to regulate the front-rear and left-right movement, and therefore, as shown in FIG. Numerals 27 are provided at a total of eight locations, two for each of the four sides on the outer periphery of the solder bump forming member 23.

【0073】従って、この位置決め用突起27を利用し
て半田バンプ28を再生する場合には、下記の手順で行
なう。まず、図5(a)に示す様に、基材21上に半田
プリフォーム22を有する半田バンプ形成用部材23
を、その半田プリフォーム22の側を下に向けて(即ち
MCM基板24のパッド26側に向けて)、高さ0.1
mmの位置決め用突起27の間に位置する様に配置す
る。図5では左右の位置決め用突起27しか記載されて
いない。尚、半田バンプ28の再生の際には、パッド2
6上に損傷半田バンプがあるが、それは図示しない。
Therefore, when reproducing the solder bumps 28 using the positioning projections 27, the following procedure is performed. First, as shown in FIG. 5A, a solder bump forming member 23 having a solder preform 22 on a substrate 21 is formed.
With the solder preform 22 facing downward (ie, facing the pad 26 of the MCM board 24) and a height of 0.1
It is arranged so as to be located between the positioning projections 27 mm. In FIG. 5, only the left and right positioning projections 27 are shown. When the solder bump 28 is reproduced, the pad 2
There are damaged solder bumps on 6, which are not shown.

【0074】次に、図5(b)に示す様に、半田バンプ
形成用部材23を位置決め用突起27の間に下降させ
て、MCM基板24上に載置する。つまり、半田バンプ
形成用部材23の4辺に対応した4箇所の位置決め用突
起27の間に、半田バンプ形成用部材23を置く。これ
により、各半田プリフォーム22と各パッド26の位置
が一致するとともに、それらが接触又は近接する。
Next, as shown in FIG. 5B, the solder bump forming member 23 is lowered between the positioning projections 27 and mounted on the MCM substrate 24. That is, the solder bump forming member 23 is placed between the four positioning projections 27 corresponding to the four sides of the solder bump forming member 23. Thus, the positions of the solder preforms 22 and the pads 26 coincide with each other, and they come into contact with or approach each other.

【0075】次に、図5(c)に示す様に、加熱して半
田プリフォーム22を溶融させて半田バンプ28を形成
する。その後、図5(d)に示す様に、冷却した後に基
材21を取り除く。この様に、本実施例では、位置決め
用突起27を用いて、半田バンプ形成用部材23の位置
決めを行なうことができるので、チップマウンターを使
用しなくとも、人手にて容易に位置決めを行なうことが
できる。つまり、4角形の4辺の位置に形成された位置
決め用突起27の間に、半田バンプ形成用部材23を載
せるだけでよいので、作業が極めて容易である。
Next, as shown in FIG. 5C, a solder bump 28 is formed by heating to melt the solder preform 22. Thereafter, as shown in FIG. 5D, the substrate 21 is removed after cooling. As described above, in the present embodiment, the positioning of the solder bump forming member 23 can be performed using the positioning projections 27, so that the positioning can be easily performed manually without using a chip mounter. it can. That is, the solder bump forming member 23 only has to be placed between the positioning protrusions 27 formed at the positions of the four sides of the quadrangle, so that the work is extremely easy.

【0076】(1)尚、この位置決め用突起27は、半
田バンプ形成用部材21の側端部を規制する突起であれ
ばよく、その限りにおいて、その個数や形状や材質に限
定はない。また、この位置決め用突起27は、MCM基
板24の製造時に一体に形成してもよく、又は後に接着
等により突起をMCM基板に取り付けてもよい。
(1) The positioning projection 27 may be any projection that regulates the side end of the solder bump forming member 21, and the number, shape and material are not limited. The positioning projection 27 may be formed integrally when the MCM substrate 24 is manufactured, or the projection may be attached to the MCM substrate later by bonding or the like.

【0077】(2)本実施例では、位置決め用突起27
は、半田バンプ形成用部材23の側端部を規制する様に
構成したが、例えば半田バンプ形成用部材側に位置決め
用突起が嵌入する貫通孔又は凹部を設け、これによって
半田バンプ形成用部材の位置決めを行なってもよい。
(2) In this embodiment, the positioning projection 27
Is configured to regulate the side end portion of the solder bump forming member 23. For example, a through hole or a concave portion into which a positioning projection is fitted is provided on the solder bump forming member side, thereby forming the solder bump forming member. Positioning may be performed.

【0078】(3)また、逆に、半田バンプ形成用部材
側に突起を設け、MCM基板側に貫通孔又は凹部を設け
て位置決めを行なってもよい。 (実施例3)次に、実施例3について説明するが、前記
実施例1と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
(3) Conversely, positioning may be performed by providing a projection on the solder bump forming member side and providing a through hole or a concave portion on the MCM substrate side. (Embodiment 3) Next, Embodiment 3 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 1 will be omitted or simplified.

【0079】本実施例では、半田バンプ形成用部材の基
材上に一旦半田ボールを形成し、この半田ボールをMC
M基板側に移転して半田バンプの再生を行なうものであ
る。 a)まず、半田バンプ形成用部材の製造方法について説
明する。まず、図6(a)に示す様に、半田バンプ形成
部材31の基材32として、シート状の厚み0.lmm
のガラスエポキシ基板を使用する。尚、表面粗化は特に
必要ない。
In this embodiment, a solder ball is once formed on the substrate of the member for forming a solder bump, and this solder ball is
The transfer to the M substrate side regenerates the solder bumps. a) First, a method for manufacturing a solder bump forming member will be described. First, as shown in FIG. 6A, a sheet-like thickness of 0.1 mm is used as the base material 32 of the solder bump forming member 31. lmm
Use a glass epoxy substrate. Incidentally, surface roughening is not particularly required.

【0080】次に、図6(b)に示す様に、基材32の
上に、厚さ0.05mmのメタルマスク33を載置す
る。このメタルマスク33には、共晶半田ペースト34
を配置する部分(即ち半田ボール36を形成する部分)
にφ0.14mmの開口部37が設けられている。
Next, as shown in FIG. 6B, a metal mask 33 having a thickness of 0.05 mm is placed on the base material 32. This metal mask 33 has a eutectic solder paste 34
(That is, the part where the solder ball 36 is formed)
Is provided with an opening 37 of φ0.14 mm.

【0081】次に、図6(c)に示す様に、共晶半田ペ
ースト34をスキージ印刷して、メタルマスク33の開
口部37に共晶半田ペースト34を充填する。この共晶
半田ペースト34の体積の50%はフラックス分であ
り、残りの50%が63Sn−37Pbの組成の共晶半
田粉末である。尚、開口部37の容積は、半田バンプ3
8(図7参照)の再生を行なうために、通常の半田バン
プ38の体積の1.4倍に設定されている。つまり、再
生に必要な共晶半田の量は通常の半田バンプ38の半田
量の70%であるので、共晶半田ペースト中のフラック
ス分を加味するとこの2倍、すなわち通常の半田バンプ
38の体積の140%に設定されている。
Next, as shown in FIG. 6C, the eutectic solder paste 34 is squeegee-printed, and the opening 37 of the metal mask 33 is filled with the eutectic solder paste 34. Fifty percent of the volume of the eutectic solder paste 34 is a flux component, and the remaining 50% is eutectic solder powder having a composition of 63Sn-37Pb. The volume of the opening 37 is determined by the solder bump 3
8 (see FIG. 7), the volume is set to 1.4 times the volume of the normal solder bump 38. In other words, the amount of eutectic solder required for regeneration is 70% of the amount of solder of the normal solder bumps 38. Therefore, when the amount of flux in the eutectic solder paste is taken into account, the amount is twice as large, ie, the volume of the normal solder bumps 38 It is set to 140%.

【0082】次に、図6(d)に示す様に、メタルマス
ク33を取り除いて、半田バンプ38の配置パターンに
対応した(即ち対称の)共晶半田ペースト34の配置パ
ターンを形成する。次に、図6(e)に示す様に、遠赤
外線半田リフロー炉にて220℃で加熱し、共晶半田ペ
ースト34中の共晶半田を溶融させて半田ボール36を
形成する。つまり、加熱によって、共晶半田粉末が溶融
・凝集して半田ボール36になる。その後、冷却すると
フラックス39が固化し、このフラックス39により半
田ボール36が基材32に固着される。
Next, as shown in FIG. 6D, the metal mask 33 is removed, and an arrangement pattern of the eutectic solder paste 34 corresponding to the arrangement pattern of the solder bumps 38 is formed. Next, as shown in FIG. 6E, the solder ball 36 is formed by heating at 220 ° C. in a far-infrared solder reflow furnace to melt the eutectic solder in the eutectic solder paste 34. That is, the eutectic solder powder is melted and agglomerated into a solder ball 36 by heating. Thereafter, when cooled, the flux 39 solidifies, and the solder ball 36 is fixed to the base material 32 by the flux 39.

【0083】この工程により、基材32上に半田ボール
36が固着した半田バンプ形成用部材31が製造され
る。 b)次に、半田バンプ形成用部材31を用いた損傷半田
バンプの再生方法について説明する。
By this step, the solder bump forming member 31 in which the solder balls 36 are fixed on the base material 32 is manufactured. b) Next, a method of reproducing a damaged solder bump using the solder bump forming member 31 will be described.

【0084】まず、図7(a)に示すMCM基板41上
に、図7(b)に示す様に、パッド42を覆うように均
一にフラックス43を塗布する。なお、フラックス43
は、半田ボール36側にフラックス39があるので塗布
しなくとも良く、また、例えば実施例1の場合より少量
塗布することでも足りる。なお、パッド42上には損傷
半田バンプがあるが、省略してあるのは実施例1,2と
同様である。
First, a flux 43 is applied uniformly on the MCM substrate 41 shown in FIG. 7A so as to cover the pads 42 as shown in FIG. 7B. The flux 43
Need not be applied because the flux 39 is present on the solder ball 36 side. For example, it is sufficient to apply a smaller amount than in the case of the first embodiment. Although there is a damaged solder bump on the pad 42, it is omitted as in the first and second embodiments.

【0085】次に、図7(c)に示す様に、半田バンプ
形成用部材31を半田ボール36を下側にして配置し
て、各半田ボール36と各パッド42の位置合わせをす
る。次に、図7(d)に示す様に、半田バンプ形成用部
材31をMCM基板41上に載置した状態で、遠赤外線
半田リフロー炉にて220℃で加熱する。これにより、
フラックス39が再び液状化し、半田ボール36は基材
32から剥がれ落ちるとともに、その半田ボール36は
再度溶融し、濡れ性の低い基材32から濡れ性の高いパ
ッド42(即ち損傷半田バンプ)側に移転する。従っ
て、この半田ボール36と損傷半田バンプとが溶融して
一体となり、通常の体積の半田バンプ38が形成され
る。
Next, as shown in FIG. 7C, the solder bump forming member 31 is arranged with the solder balls 36 facing down, and the positions of the solder balls 36 and the pads 42 are aligned. Next, as shown in FIG. 7D, with the solder bump forming member 31 placed on the MCM substrate 41, the member is heated at 220 ° C. in a far-infrared solder reflow furnace. This allows
The flux 39 is liquefied again, and the solder balls 36 are peeled off from the base material 32, and the solder balls 36 are melted again, and are transferred from the base material 32 with low wettability to the pads 42 (ie, damaged solder bumps) with high wettability. Relocate. Therefore, the solder ball 36 and the damaged solder bump are melted and integrated to form a normal volume solder bump 38.

【0086】次に、図7(e)に示す様に、半田を共晶
点である183℃以下に冷却・固化した後に、基材32
を剥す。なお、フラックス39は50℃以下となると再
び固化し、基材32が剥し難くなるので、50℃以上の
温度で剥すと容易に基材32を剥すことができる。その
後、MCM基板41上のフラックス43を溶剤により除
去する。
Next, as shown in FIG. 7 (e), after the solder was cooled and solidified to eutectic point of 183 ° C. or less, the base material 32 was cooled.
Peel off. Note that the flux 39 solidifies again at a temperature of 50 ° C. or less, and the base material 32 is hardly peeled off. After that, the flux 43 on the MCM substrate 41 is removed with a solvent.

【0087】この工程により、MCM基板41上に、半
田バンプ38を再生することができる。この様に、本実
施例では、共晶半田ペースト34をスキージ印刷すると
いう方法を利用して、基材32上に半田ボール36を形
成できるので、半田バンプ形成用部材31の製造が簡易
化されるという利点がある。また、フラックス39によ
って半田ボール36が基材32に固着されているので、
半田バンプ18を形成するための作業中に、半田ボール
36が脱落し難いという効果がある。 (実施例4)次に、実施例4について説明するが、前記
実施例3と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
Through this step, the solder bumps 38 can be reproduced on the MCM substrate 41. As described above, in this embodiment, since the solder balls 36 can be formed on the base material 32 by using the method of squeegee printing the eutectic solder paste 34, the manufacturing of the solder bump forming member 31 is simplified. The advantage is that Further, since the solder balls 36 are fixed to the base material 32 by the flux 39,
During the operation for forming the solder bumps 18, there is an effect that the solder balls 36 are hard to fall off. (Embodiment 4) Next, Embodiment 4 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 3 will be omitted or simplified.

【0088】本実施例では、半田バンプ形成用部材の基
材に凹部を設け、この凹部に半田ボールを形成するもの
である。以下、半田バンプ形成用部材の製造方法を説明
する。まず、図8(a)に示す様に、厚み0.2mmの
ガラスエポキシ樹脂からなる基材51の表面に、形成す
る半田ボール52の配置パターンに対応して、ドリルや
レーザ等を用いて、φ0.14mm、深さ0.02mm
の凹部53を形成する。
In the present embodiment, a concave portion is provided in the base material of the solder bump forming member, and a solder ball is formed in the concave portion. Hereinafter, a method for manufacturing a member for forming a solder bump will be described. First, as shown in FIG. 8A, a drill, a laser, or the like is used on the surface of a base material 51 made of glass epoxy resin having a thickness of 0.2 mm in accordance with the arrangement pattern of the solder balls 52 to be formed. φ0.14mm, depth 0.02mm
Is formed.

【0089】次に、図8(b)に示す様に、前記実施例
3と同様なスキージ印刷等により、この凹部53の位置
にフラックス56により固着された半田ボール52を形
成し、半田バンプ形成用部材54とする。この様に、本
実施例の半田バンプ形成用部材54では、半田ボール5
2が基材51の凹部53内に一部が入り込む様に配置さ
れるとともに、フラックス56にて固着されているの
で、半田ボール52の固着位置がずれたりせず、正確な
配置パターンを形成できるという利点がある。
Next, as shown in FIG. 8B, a solder ball 52 fixed by a flux 56 is formed at the position of the concave portion 53 by squeegee printing or the like as in the third embodiment, and a solder bump is formed. Member 54. As described above, in the solder bump forming member 54 of the present embodiment, the solder balls 5
2 is arranged so as to partially enter the concave portion 53 of the base material 51 and is fixed by the flux 56, so that the fixing position of the solder ball 52 does not shift and an accurate arrangement pattern can be formed. There is an advantage.

【0090】尚、基材51が、ガラス板やステンレス板
の場合は、エッチングによっても凹部を形成でき、セラ
ミックス板の場合は、穴あけしたグリーンシートを積層
し焼成することによっても凹部を形成できる。 (実施例5)次に、実施例5について説明するが、前記
実施例3と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
When the substrate 51 is a glass plate or a stainless steel plate, the concave portions can be formed by etching, and when the substrate is a ceramic plate, the concave portions can be formed also by laminating and firing perforated green sheets. (Embodiment 5) Next, Embodiment 5 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 3 will be omitted or simplified.

【0091】本実施例では、半田バンプ形成用部材の基
材の表面に、環状に凸部を設けて凹部を形成し、この凸
部に囲まれた凹部に半田ボールを形成するものである。
以下、半田バンプ形成用部材の製造方法を説明する。ま
ず、基材として、厚み0.1mmのガラスエポキシ基板
を用いる。なお、この後のソルダーレジストと基材との
密着を向上させるために、表面研磨およびクロム酸カリ
ウムや過マンガン酸カリウムで樹脂表面をエッチング
し、微細な凹凸状に表面粗化を行っておくことが好まし
い。
In this embodiment, a concave portion is formed by providing an annular convex portion on the surface of the base material of the solder bump forming member, and a solder ball is formed in the concave portion surrounded by the convex portion.
Hereinafter, a method for manufacturing a member for forming a solder bump will be described. First, a glass epoxy substrate having a thickness of 0.1 mm is used as a base material. In order to improve the adhesion between the solder resist and the substrate, the surface must be polished and the resin surface etched with potassium chromate or potassium permanganate to roughen the surface into fine irregularities. Is preferred.

【0092】次に、図9(a)に示す様に、この表面粗
化した基材61上に、ネガ型感光性エポキシ樹脂を10
μmの厚みで印刷し、エポキシ樹脂層62を形成する。
次に、図9(b)に示す様に、エポキシ樹脂層62に対
して露光・現像を行なって、図示しないMCM基板上の
パッドのパターンに対応したパターンのソルダーレジス
ト(半田ダム)63を形成する。つまり、このソルダー
レジスト63に囲まれた円柱状の部分が、半田ボール6
4の位置を定める凹部66となる。尚、基材61の厚み
が薄く、片側のみにソルダーレジスト63を形成すると
基材61に反りが発生する場合には、裏面にもソルダー
レジストを全面に形成すると反りの発生を押さえられ
る。
Next, as shown in FIG. 9A, a negative photosensitive epoxy resin is
Printing is performed with a thickness of μm to form an epoxy resin layer 62.
Next, as shown in FIG. 9B, the epoxy resin layer 62 is exposed and developed to form a solder resist (solder dam) 63 having a pattern corresponding to the pad pattern on the MCM substrate (not shown). I do. That is, the columnar portion surrounded by the solder resist 63 corresponds to the solder ball 6.
The recess 66 determines the position of the fourth. In the case where the thickness of the base material 61 is small and the solder resist 63 is formed only on one side, the base material 61 warps. If the solder resist is formed on the entire back surface, the warpage can be suppressed.

【0093】次に、図9(c)に示す様に、基材61上
のソルダーレジスト63の上に、メタルマスク67を載
置する。このメタルマスク67には、半田ボール64を
形成する箇所、即ち凹部66と同じ箇所に開口部68が
設けられている。次に、図9(d)に示す様に、共晶半
田ペースト65をスキージ印刷して、メタルマスク67
の開口部68及び凹部66に、前記実施例3と同様な共
晶半田ペースト65を充填する。尚、開口部68及び凹
部66を合計した共晶半田ペーストの容積は、通常の半
田バンプの体積の1.4倍に設定されている。
Next, as shown in FIG. 9C, a metal mask 67 is placed on the solder resist 63 on the base material 61. The metal mask 67 is provided with an opening 68 at a location where the solder ball 64 is to be formed, that is, at the same location as the recess 66. Next, as shown in FIG. 9D, the eutectic solder paste 65 is squeegee-printed to form a metal mask 67.
Is filled with the eutectic solder paste 65 similar to that of the third embodiment. The total volume of the eutectic solder paste including the opening 68 and the concave portion 66 is set to 1.4 times the volume of a normal solder bump.

【0094】次に、図9(e)に示す様に、メタルマス
ク67を取り除いて、基材61上に共晶半田ペースト6
5の配置パターンを形成する。次に、図9(f)に示す
様に、遠赤外線半田リフロー炉にて220℃で加熱し、
共晶半田を溶融して半田ボール64を形成する。このと
き、ソルダーレジスト63は、溶融した半田をせき止
め、ソルダーレジスト63に囲まれた位置から溶融した
半田がズレないようにしている。
Next, as shown in FIG. 9E, the metal mask 67 is removed, and the eutectic solder paste 6
5 are formed. Next, as shown in FIG. 9 (f), it was heated at 220 ° C. in a far-infrared solder reflow furnace,
The eutectic solder is melted to form solder balls 64. At this time, the solder resist 63 dams the melted solder so that the melted solder does not shift from a position surrounded by the solder resist 63.

【0095】その後冷却することにより、基材61上の
凹部66にて、フラックス67によって固着された半田
ボール64を有する半田バンプ形成用部材69が形成さ
れる。この様に、本実施例の半田バンプ形成用部材69
では、前記実施例4と同様に、凹部66内に一部が入り
込む様にして半田ボール64が配置されているので、半
田ボール64の固着位置がずれたりせず、正確な配置パ
ターンを形成できるという利点がある。 (実施例6)次に、実施例6について説明するが、前記
実施例3と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
Thereafter, by cooling, the solder bump forming member 69 having the solder balls 64 fixed by the flux 67 is formed in the concave portion 66 on the base material 61. As described above, the solder bump forming member 69 according to the present embodiment is used.
Since the solder balls 64 are arranged so as to partially enter the recesses 66 in the same manner as in the fourth embodiment, the fixing position of the solder balls 64 does not shift and an accurate arrangement pattern can be formed. There is an advantage. (Embodiment 6) Next, Embodiment 6 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 3 will be omitted or simplified.

【0096】本実施例では、半田バンプ形成用部材の重
量を大きくして、形成される半田バンプの頂部を平坦に
する。例えば前記実施例3では、基材の自重は0.02
gと軽量であるが、本実施例では、基材として、縦12
mm×横17mm×厚み2mmガラス板を使用するの
で、その自重は1gと重い。尚、基材の反りは1μm未
満である。
In this embodiment, the weight of the solder bump forming member is increased, and the top of the formed solder bump is made flat. For example, in Example 3, the weight of the base material is 0.02.
g, but in this embodiment, the base material is 12
Since a glass plate of mm × 17 mm × 2 mm thick is used, its own weight is as heavy as 1 g. The warpage of the substrate is less than 1 μm.

【0097】以下、この半田バンプ形成用部材を用いた
半田バンプの形成方法について説明する。まず、図10
(a)に示すMCM基板71上に、図10(b)に示す
様に、パッド72を覆うように均一にフラックス73を
塗布する。尚、パッド72上には損傷半田バンプがある
が、省略してある。
Hereinafter, a method for forming a solder bump using the member for forming a solder bump will be described. First, FIG.
As shown in FIG. 10B, a flux 73 is applied evenly on the MCM substrate 71 shown in FIG. Although there is a damaged solder bump on the pad 72, it is omitted.

【0098】次に、図10(c)に示す様に、前記実施
例3の図6にて示した様な構成(但し基材の種類は異な
る)の半田バンプ形成用部材74を、半田ボール76を
下側にして、各半田ボール76と各パッド72の位置合
わせを行なう。次に、図10(d)に示す様に、半田バ
ンプ形成用部材74をMCM基板71上に載置した状態
で、遠赤外線半田リフロー炉にて220℃で加熱する。
これにより、フラックス77が再度液状化して、半田ボ
ール76が基材78と固着しなくなるとともに、半田ボ
ール76は再度溶融し、濡れ性の低い基材78から濡れ
性の高いパッド72(即ち損傷半田バンプ)側に移転す
る。そして、この半田の溶融の際には、基材78の自重
により、溶融した半田は押圧されてその頂部が平坦な半
田バンプ79となる。
Next, as shown in FIG. 10 (c), the solder bump forming member 74 having the structure shown in FIG. The solder balls 76 and the pads 72 are aligned with the 76 facing downward. Next, as shown in FIG. 10D, the solder bump forming member 74 is heated at 220 ° C. in a far-infrared solder reflow furnace in a state of being placed on the MCM substrate 71.
As a result, the flux 77 is again liquefied and the solder balls 76 are not fixed to the base material 78, and the solder balls 76 are melted again and the high wettability pad 72 (that is, the damaged solder) is removed from the low wettability base material 78. Move to the (bump) side. When the solder is melted, the molten solder is pressed by its own weight of the base material 78 to form a solder bump 79 having a flat top.

【0099】次に、図10(e)に示す様に、冷却した
後に、半田バンプ79から基材78を剥す。その後、M
CM基板71上のフラックス73を溶剤により除去す
る。この工程により、MCM基板71上に、半田バンプ
79を再生することができるとともに、同時に半田バン
プ79の頂部を平坦にすることができる。
Next, as shown in FIG. 10E, the substrate 78 is peeled from the solder bumps 79 after cooling. Then M
The flux 73 on the CM substrate 71 is removed with a solvent. By this step, the solder bumps 79 can be reproduced on the MCM substrate 71, and at the same time, the tops of the solder bumps 79 can be flattened.

【0100】この様に、本実施例では、重量のある半田
バンプ形成用部材74の基材78を用いて、溶融した半
田の頂部を押圧することによって、例えば高さ30〜6
0μmで、直径100μmの平坦な頂部を有する半田バ
ンプ79を形成することができる。
As described above, in the present embodiment, by pressing the top of the molten solder by using the heavy base material 78 of the solder bump forming member 74, for example, a height of 30 to 6
A 0 μm, 100 μm diameter solder bump 79 having a flat top can be formed.

【0101】また、頂部が平坦であることと基材78の
反りが小さいことにより、コーポラナリティを10μm
以下に小さくできる。そのため、この半田バンプ79に
より、図示しない集積回路チップとの接合性を高めるこ
とができる。尚、本実施例では、基材78自身の重さに
よって、半田バンプ79の頂部を平坦にしたが、更に基
材78に錘を載せたり押圧することにより、半田バンプ
79の高さ及び平坦な部分の大きさを調節することがで
きる。 (実施例7)次に、実施例7について説明するが、前記
実施例6と同様な部分の説明は省略又は簡略化する。
Further, the flatness of the top and the small warpage of the base material 78 reduce the corporality to 10 μm.
It can be reduced below. Therefore, the solder bumps 79 can enhance the bonding with an integrated circuit chip (not shown). In the present embodiment, the top of the solder bump 79 is flattened by the weight of the base material 78 itself, but the height and flatness of the solder bump 79 are further increased by placing or pressing a weight on the base material 78. The size of the part can be adjusted. (Embodiment 7) Next, Embodiment 7 will be described, but the description of the same parts as in Embodiment 6 will be omitted or simplified.

【0102】本実施例では、半田バンプ形成用部材によ
り、形成される半田バンプの頂部を押圧して平坦にする
が、凹部の深さを設定することにより、半田バンプの高
さを規定するものである。以下、この半田バンプ形成用
部材を用いた半田バンプの形成方法について説明する。
In the present embodiment, the top of the solder bump to be formed is pressed and flattened by the member for forming the solder bump, but the height of the solder bump is defined by setting the depth of the concave portion. It is. Hereinafter, a method of forming a solder bump using the member for forming a solder bump will be described.

【0103】まず、図11(a)に示すMCM基板81
上に、図11(b)に示す様に、パッド82を覆うよう
に均一にフラックス83を塗布する。尚、パッド82上
には損傷半田バンプがあるが、省略してある。次に、図
11(c)に示す様に、半田バンプ形成用部材84を半
田ボール86を下側にして、各半田ボール86と各パッ
ド82の位置合わせを行なう。
First, the MCM substrate 81 shown in FIG.
As shown in FIG. 11B, a flux 83 is uniformly applied to cover the pad 82. Although there are damaged solder bumps on the pads 82, they are omitted. Next, as shown in FIG. 11C, the solder balls 86 and the pads 82 are aligned with the solder bump forming member 84 with the solder balls 86 facing down.

【0104】ここで使用する半田バンプ形成用部材84
の基材87は、例えば重さ2gのガラス板からなり、そ
の表面(図の下方)には、φ0.14mm×深さ30μ
mの凹部88が形成してある。この凹部88は、前記実
施例4の様に、ドリルやレーザで形成してもよく、或は
前記実施例5の様に、基材上に設けたエッチングレジス
トからなる突起によって周囲を囲んで凹部88を形成し
てもよい。
The solder bump forming member 84 used here.
The base material 87 is made of, for example, a glass plate weighing 2 g, and has a surface (at the bottom of the figure) of φ0.14 mm × depth 30 μ
m recesses 88 are formed. The recess 88 may be formed by a drill or a laser as in the fourth embodiment, or may be surrounded by a protrusion made of an etching resist provided on a base material as in the fifth embodiment. 88 may be formed.

【0105】次に、図11(d)に示す様に、半田バン
プ形成用部材84をMCM基板81上に載置した状態
で、遠赤外線半田リフロー炉にて220℃で加熱する。
これにより、フラックス89が再度液状化して、半田ボ
ール86が基材87と固着しなくなるとともに、半田ボ
ール86は再度溶融し、濡れ性の低い基材87から濡れ
性の高いパッド82(即ち損傷半田バンプ)側に移転す
る。
Next, as shown in FIG. 11D, the solder bump forming member 84 is heated at 220 ° C. in a far-infrared solder reflow furnace in a state of being placed on the MCM substrate 81.
As a result, the flux 89 is liquefied again, so that the solder balls 86 no longer adhere to the base material 87, and the solder balls 86 are melted again, and the high wettability pads 82 (that is, damaged solder Move to the (bump) side.

【0106】そして、この半田の溶融の際には、基材8
7は自重により降下して、凹部88の周囲の凸状の端部
91にてMCM基板81に当接する。これにより、溶融
した半田は押圧されて、形成される半田バンプ92の頂
部が平坦になるが、半田バンプ92の平坦な頂部の高さ
は、凹部88の深さによって定まることになる。
When the solder is melted, the base material 8
7 descends by its own weight and abuts on the MCM substrate 81 at the convex end 91 around the concave portion 88. As a result, the molten solder is pressed to flatten the top of the solder bump 92 to be formed. The height of the flat top of the solder bump 92 is determined by the depth of the concave portion 88.

【0107】次に、図11(e)に示す様に、冷却した
後に、半田バンプ92から基材87を剥す。その後、M
CM基板81上のフラックス83を溶剤により除去す
る。この様に、本実施例では、凹部88を有する基材8
7を備えた半田バンプ形成用部材84を用いて、溶融し
た半田の頂部を押圧することによって、頂部が平坦な半
田バンプ92を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 11E, after cooling, the base material 87 is peeled off from the solder bumps 92. Then M
The flux 83 on the CM substrate 81 is removed with a solvent. As described above, in the present embodiment, the base material 8 having the concave portions 88 is formed.
By pressing the top of the molten solder using the solder bump forming member 84 provided with 7, the solder bump 92 having a flat top can be formed.

【0108】また、凹部88の深さを決めることで、半
田バンプ92の高さ(30μm)を設定することができ
る。更に、この場合、半田が溶融した状態でも、基材8
7は端部91がMCM基板81に当接することにより一
定以上に下降しないので、基材87の重さをそれほど精
密に決める必要がなく、大きめに設定しておくだけで、
半田バンプ92の高さを正確に設定することができる。
Further, by determining the depth of the concave portion 88, the height (30 μm) of the solder bump 92 can be set. Further, in this case, even if the solder is in a molten state,
7 does not descend more than a certain amount due to the end portion 91 abutting on the MCM substrate 81, so it is not necessary to determine the weight of the base material 87 so precisely.
The height of the solder bump 92 can be set accurately.

【0109】尚、本実施例では、凹部88の深さによっ
て半田バンプ92の高さを設定したが、例えば凹部のな
い平坦な基材を用いる場合には、MCM基板側に所定の
高さの突起(所望の半田バンプの高さと同じ高さの突
起)を形成しておけば、同様に半田バンプの高さを設定
することができる。
In this embodiment, the height of the solder bump 92 is set according to the depth of the concave portion 88. However, for example, when a flat base material having no concave portion is used, a predetermined height of the solder bump 92 is provided on the MCM substrate side. If the projections (projections having the same height as the desired solder bumps) are formed, the height of the solder bumps can be set similarly.

【0110】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。 (1)例えば前記実施例では、複数の集積回路チップを
搭載するMCM基板を例に挙げたが、本発明は、1個の
集積回路チップを搭載する基板にも適用できる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that the present invention can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. (1) For example, in the above embodiment, an MCM substrate on which a plurality of integrated circuit chips are mounted has been described as an example, but the present invention can be applied to a substrate on which one integrated circuit chip is mounted.

【0111】(2)また、前記実施例では、半田バンプ
を再生する場合を例に挙げたが、本発明は、それに限ら
ず、パッド上に半田バンプを初めて形成する場合にも適
用できる。但し、その場合は、当然ながらパッド上には
損傷半田バンプは存在しないので、通常の半田バンプの
体積となる様に、半田バンプ形成用部材側の半田材料の
量を設定しておく。例えば、半田箔を使用する場合に
は、半田バンプの体積と同体積の半田プリフォームを形
成する。また、半田が50%、フラックスが50%の半
田ペーストを使用する場合は、各半田バンプの体積の2
倍の半田ペーストを各々の位置に配置する。
(2) In the above-described embodiment, the case where the solder bump is reproduced is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to the case where the solder bump is formed on the pad for the first time. However, in this case, since the damaged solder bump does not exist on the pad, the amount of the solder material on the solder bump forming member side is set so that the volume of the solder bump is normal. For example, when using a solder foil, a solder preform having the same volume as the volume of the solder bump is formed. When a solder paste of 50% solder and 50% flux is used, the volume of each solder bump is 2%.
Double solder paste is placed at each position.

【0112】(3)前記実施例では、集積回路チップを
搭載するための半田バンプを形成する場合を例に挙げた
が、本発明は、集積回路チップ等を搭載する基板を他の
プリント基板に接合する場合に使用されるBGAなどの
半田バンプの形成及び再生にも適用できる。
(3) In the above embodiment, the case where the solder bump for mounting the integrated circuit chip is formed has been described as an example. However, the present invention relates to the case where the substrate on which the integrated circuit chip is mounted is mounted on another printed circuit board. The present invention can also be applied to formation and reproduction of solder bumps such as BGA used for bonding.

【0113】(4)前記基板の材料としては、樹脂以外
に、アルミナ、AlN、ムライト、ガラスセラミック等
のセラミックスを採用することもできる。 (5)前記半田材料の材質としては、基材の材質が半田
の溶融温度に耐え得るように選択すればよく、基材にセ
ラミックを用いる場合などでは、Pb90%半田などの
高融点半田や、Au−Sn、Au−Geなどの軟ろう
や、AgやIn入り半田等どれでも使用可能である。ま
た、半田に含まれるフラックスの種類も、(還元性の小
さなものから)Rタイプ、RMAタイプ、RAタイプの
どれでも使用できる。
(4) As the material of the substrate, ceramics such as alumina, AlN, mullite, glass ceramic and the like can be used in addition to resin. (5) The material of the solder material may be selected so that the material of the base material can withstand the melting temperature of the solder. For example, when ceramic is used for the base material, a high melting point solder such as 90% Pb solder, Any soft solder such as Au-Sn or Au-Ge, or solder containing Ag or In can be used. Also, the type of flux contained in the solder may be any of the R type, RMA type, and RA type (from the one having a small reducing property).

【0114】(6)前記基材の凹部の形成方法として
は、前記実施例以外に、凹部に対応する貫通穴を設けた
ステンレス板と平板状のステンレス板とを貼り合わせる
方法や、凹部に対応する貫通穴を設けたセラミックグリ
ーンシートと平板状のグリーンシートとを積層後焼成す
る方法を採用できる。
(6) As a method of forming the concave portion of the base material, in addition to the above-described embodiment, a method of attaching a stainless steel plate having a through hole corresponding to the concave portion to a flat stainless steel plate, or a method corresponding to the concave portion may be employed. Then, a method of laminating a ceramic green sheet provided with a through hole and a flat green sheet, followed by firing may be employed.

【0115】[0115]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1の発明で
は、バンプ形成用部材に使用される基材は、半田に対し
て濡れ性の低い材料から構成されているので、半田材料
を加熱溶融して例えば基板のパッド上に半田バンプを形
成した後に、半田バンプから基材を容易に分離すること
ができる。
As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, the base material used for the bump forming member is made of a material having low wettability with respect to the solder. After heating and melting to form, for example, solder bumps on the pads of the substrate, the base material can be easily separated from the solder bumps.

【0116】請求項2の発明では、半田バンプ形成用部
材上の半田材料を、基板の所定位置に合わせて配置して
加熱溶融することにより、基板の所定位置に半田バンプ
を形成することができる。請求項3の発明では、半田バ
ンプ形成用部材の半田材料を、基板の所定位置に合わせ
て配置して、半田材料を加熱溶融により、基板の所定位
置に移転させて半田バンプを形成でき、しかも、半田バ
ンプ形成後は、半田バンプから基材を容易に分離するこ
とができる。
According to the second aspect of the present invention, solder bumps can be formed at predetermined positions on the substrate by disposing the solder material on the members for forming solder bumps at predetermined positions on the substrate and melting by heating. . According to the third aspect of the present invention, the solder material of the member for forming the solder bump is arranged at a predetermined position on the substrate, and the solder material is transferred to a predetermined position on the substrate by heating and melting to form a solder bump. After the formation of the solder bumps, the base material can be easily separated from the solder bumps.

【0117】請求項4の発明では、半田材料の周囲が壁
の様に高くなっているので、半田材料の加熱溶融時に、
半田材料がずれたりせず、正確な位置に半田バンプを形
成することができる。請求頃5の発明では、前記請求項
4と同様に、半田材料の周囲が半田ダムにより壁の様に
高くなっているので、半田材料の加熱溶融時に、半田材
料がずれたりせず、正確な位置に半田バンプを形成する
ことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the periphery of the solder material is as high as a wall, when the solder material is heated and melted,
Solder bumps can be formed at accurate positions without displacement of the solder material. In the invention according to claim 5, as in claim 4, the periphery of the solder material is raised like a wall by the solder dam, so that when the solder material is heated and melted, the solder material does not shift and accurate. A solder bump can be formed at the position.

【0118】請求項6の発明では、基材がシート状であ
るので、半田バンプの形成後に基材を半田バンプから剥
す作業が容易になる。請求項7の発明では、この半田バ
ンプ形成用部材を用いて基板に半田バンプを形成する
と、例えば集積回路チップの接続用の半田バンプを容易
に形成することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the base material is in the form of a sheet, the operation of peeling the base material from the solder bumps after the formation of the solder bumps becomes easy. According to the seventh aspect of the present invention, when a solder bump is formed on a substrate using the solder bump forming member, for example, a solder bump for connecting an integrated circuit chip can be easily formed.

【0119】請求項8〜10の発明では、この半田バン
プ形成用部材を用いて、容易に半田バンプを形成でき
る。請求項11の発明では、基材の表面が粗面である
と、半田材料が基材に強く固着され脱落が生じ難い。
According to the inventions of claims 8 to 10, solder bumps can be easily formed using the solder bump forming member. According to the eleventh aspect of the present invention, when the surface of the base material is rough, the solder material is strongly fixed to the base material, and the solder material hardly falls off.

【0120】請求項12の発明では、半田薄板を使用し
て単に圧着すればよいので、半田ペーストを用いる際の
塗布・溶融等の工程が不要となる。請求項13の発明で
は、半田バンプ形成用部材の製造時に、半田材料が基材
表面から脱落し難い。
According to the twelfth aspect of the present invention, since it is only necessary to perform pressure bonding using a thin solder plate, steps such as application and melting when using a solder paste are unnecessary. According to the thirteenth aspect of the present invention, it is difficult for the solder material to fall off from the surface of the base material when the solder bump forming member is manufactured.

【0121】請求項14の発明では、必要な半田薄板の
箇所のみを正確に残すことができるので、半田バンプを
形成する精度が向上する。請求項15の発明では、基板
表面の所定位置に半田バンプを形成することができる。
また、例えば不要な箇所をマスクして半田ペーストによ
る印刷を行うことにより、必要な箇所のみに半田材料を
付着させることができ、作業性が高い。
According to the fourteenth aspect of the present invention, only the necessary portions of the solder thin plate can be accurately left, so that the accuracy of forming the solder bumps is improved. According to the fifteenth aspect, the solder bump can be formed at a predetermined position on the substrate surface.
Further, for example, by performing printing with a solder paste while masking an unnecessary portion, a solder material can be attached only to a necessary portion, and workability is high.

【0122】請求項16の発明では、溶融した半田材料
ひいては半田バンプの位置がずれることがない。請求項
17の発明では、前記請求項16と同様に、溶融した半
田材料ひいては半田バンプの位置がずれることがない。
According to the sixteenth aspect of the present invention, the position of the molten solder material and thus the position of the solder bumps do not shift. According to the seventeenth aspect, similarly to the sixteenth aspect, the position of the molten solder material and thus the position of the solder bump do not shift.

【0123】請求項18の発明では、半田バンプ形成用
部材上の半田材料を溶融して、基板の例えばパッド上に
移することができる。これにより、基板表面の所定位置
に半田バンプを形成した半田バンプ付基板を製造するこ
とができる。請求項19の発明では、基板表面の所定位
置に、頂部が平坦な半田バンプを形成した半田バンプ付
基板を製造することができる。
According to the eighteenth aspect of the present invention, the solder material on the solder bump forming member can be melted and transferred to, for example, pads on the substrate. Thereby, a board with solder bumps in which solder bumps are formed at predetermined positions on the board surface can be manufactured. According to the nineteenth aspect of the present invention, it is possible to manufacture a board with solder bumps in which solder bumps having flat tops are formed at predetermined positions on the board surface.

【0124】請求項20の発明では、半田バンプの高さ
を基材の低位の深さによって設定することができる。請
求項21の発明では、突起により、半田バンプ形成用部
材の位置が決まるので、位置合わせを容易に且つ精度よ
く行うことができ、よって、半田バンプを正確な位置に
形成することができる。
According to the twentieth aspect, the height of the solder bump can be set by the lower depth of the base material. According to the twenty-first aspect, since the position of the solder bump forming member is determined by the projection, the alignment can be performed easily and accurately, and the solder bump can be formed at an accurate position.

【0125】請求項22及び23の発明では、上述した
半田バンプ形成用部材を使用することにより、例えば集
積回路チップを搭載しようとする制限された箇所に、半
田バンプを容易に形成することができる。請求項24の
発明では、損傷半田バンプに対して、半田バンプ形成用
部材の半田材料を用いることにより、半田バンプを正常
なものに容易に再生することができる。
According to the twenty-second and twenty-third aspects of the present invention, by using the above-described member for forming a solder bump, for example, a solder bump can be easily formed at a limited place where an integrated circuit chip is to be mounted. . According to the twenty-fourth aspect, by using the solder material of the solder bump forming member for the damaged solder bump, the solder bump can be easily regenerated to a normal one.

【0126】請求項25の発明では、上述した半田バン
プ形成用部材を使用することにより、狭い空間にも、容
易に且つ能率よく半田バンプを形成して、再度良品の集
積回路チップを搭載することができる。
According to the twenty-fifth aspect of the present invention, by using the above-described member for forming a solder bump, it is possible to easily and efficiently form a solder bump even in a small space and mount a good integrated circuit chip again. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施例1を示し、(a)は半田バンプ形成用
部材を拡大して示す斜視図、(b)はMCM基板て示す
平面図である。
1A and 1B show a first embodiment, in which FIG. 1A is an enlarged perspective view showing a solder bump forming member, and FIG. 1B is a plan view showing an MCM substrate.

【図2】 実施例1の半田バンプ形成用部材の製造方法
を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view illustrating a method for manufacturing a solder bump forming member of Example 1.

【図3】 実施例1の半田バンプ付MCM基板の製造方
法を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a method of manufacturing the MCM substrate with solder bumps according to the first embodiment.

【図4】 実施例2のMCM基板上の突起の配置状態を
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view illustrating an arrangement of protrusions on an MCM substrate according to a second embodiment.

【図5】 実施例2の半田バンプ付MCM基板の製造方
法を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view illustrating a method for manufacturing the MCM substrate with solder bumps according to the second embodiment.

【図6】 実施例3の半田バンプ形成用部材の製造方法
を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view illustrating a method for manufacturing a solder bump forming member of Example 3.

【図7】 実施例3の半田バンプ付MCM基板の製造方
法を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing the MCM substrate with solder bumps according to the third embodiment.

【図8】 実施例4の半田バンプ形成用部材の製造方法
を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view illustrating a method for manufacturing a solder bump forming member of Example 4.

【図9】 実施例5の半田バンプ形成用部材の製造方法
を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory view showing a method for manufacturing a member for forming a solder bump of Example 5.

【図10】 実施例6の半田バンプ付MCM基板の製造
方法を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram illustrating a method of manufacturing the MCM substrate with solder bumps according to the sixth embodiment.

【図11】 実施例7の半田バンプ付MCM基板の製造
方法を示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory view showing a method for manufacturing the MCM substrate with solder bumps of Example 7.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,23,31,54,69,84…半田バンプ形成用
部材 3,21,32,51,61,78,87…基材 5,22…半田プリフォーム 7,24,41,71,81…マルチチップモジュール
(MCM基板) 9a,9b,9c,9d,9…集積回路チップ(半導体
素子) 11,28,38,79,92…半田バンプ 11a…損傷半田バンプ 14,39,43,56,67,73,77,83,8
9…フラックス 19,26,42,72,82…パッド 27…位置決め用突起 36,36,52,64,76,86…半田ボール 37,65…共晶半田ペースト 53,66,88…凹部
1, 23, 31, 54, 69, 84: solder bump forming member 3, 21, 32, 51, 61, 78, 87: base material 5, 22: solder preform 7, 24, 41, 71, 81 ... Multi-chip module (MCM substrate) 9a, 9b, 9c, 9d, 9 ... Integrated circuit chip (semiconductor element) 11, 28, 38, 79, 92 ... Solder bump 11a ... Damaged solder bump 14, 39, 43, 56, 67 , 73,77,83,8
9 Flux 19, 26, 42, 72, 82 Pad 27 Positioning projection 36, 36, 52, 64, 76, 86 Solder ball 37, 65 Eutectic solder paste 53, 66, 88 recess

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半田に対して濡れ性の低い材料からなる
基材と、 この基材表面に、加熱溶融後にこの基材から分離可能に
固着されてなる半田材料と、 を有することを特徴とする半田バンプ形成用部材。
1. A base material made of a material having low wettability with respect to solder, and a solder material fixed to the surface of the base material after heating and melting so as to be separable from the base material. For forming solder bumps.
【請求項2】 前記半田材料が、基板表面の半田バンプ
が形成される所定位置に対応する位置に固着されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半田バンプ形成用部
材。
2. The solder bump forming member according to claim 1, wherein the solder material is fixed at a position corresponding to a predetermined position on the surface of the substrate where the solder bump is formed.
【請求項3】 基板表面の所定位置に半田バンプを形成
するための半田バンプ形成用部材であって、 半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材と、 この基材表面の前記基板表面の所定位置に対応する位置
に、加熱溶融によりこの基材から前記基板表面に半田を
移転可能に固着されてなる半田材料と、 を有することを特徴とする半田バンプ形成用部材。
3. A solder bump forming member for forming solder bumps at predetermined positions on a substrate surface, the substrate comprising a material having low wettability to solder, and the substrate surface on the substrate surface. A solder bump forming member comprising: a solder material formed by transferring and transferring solder from the base material to the surface of the substrate by heating and melting at a position corresponding to the predetermined position.
【請求項4】 前記基材の表面のうち、前記半田材料の
固着位置、または固着位置及びその近傍が、その周囲の
表面より低位とされていることを特徴とする請求項1〜
3のいずれかに記載の半田バンプ形成用部材。
4. The fixing position of the solder material, or the fixing position and its vicinity, on the surface of the base material, is lower than the surrounding surface.
4. The member for forming a solder bump according to any one of 3.
【請求項5】 前記基材表面のうち、少なくとも前記半
田材料の固着位置の周囲または固着位置とその近傍の周
囲に、半田に対して濡れ性の低い材料からなる半田ダム
を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記
載の半田バンプ形成用部材。
5. A solder dam made of a material having low wettability to solder is provided at least on the periphery of the fixing position of the solder material or around the fixing position and the vicinity thereof on the surface of the base material. The member for forming a solder bump according to claim 1.
【請求項6】 前記基材が、シート状基材であることを
特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半田バンプ
形成用部材。
6. The solder bump forming member according to claim 1, wherein the substrate is a sheet-shaped substrate.
【請求項7】 前記基材のうち、前記半田材料が固着さ
れている表面の平面寸法が、前記基板に搭載される半導
体素子の平面寸法と同寸とされていることを特徴とする
請求項2〜6のいずれかに記載の半田バンプ形成用部
材。
7. The semiconductor device according to claim 7, wherein a planar dimension of a surface of the base material to which the solder material is fixed is the same as a planar dimension of a semiconductor element mounted on the substrate. 7. The solder bump forming member according to any one of 2 to 6.
【請求項8】 前記半田材料の頂部が、平坦であること
を特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の半田バン
プ形成用部材。
8. The solder bump forming member according to claim 1, wherein a top portion of the solder material is flat.
【請求項9】 前記半田材料が、フラックスにより前記
基材に固着されていることを特徴とする請求項1〜8の
いずれかに記載の半田バンプ形成用部材。
9. The member for forming a solder bump according to claim 1, wherein the solder material is fixed to the base material by a flux.
【請求項10】 前記半田材料が、圧着により前記基材
に固着されていることを特徴とする請求項1〜8のいず
れかに記載の半田バンプ形成用部材。
10. The member for forming a solder bump according to claim 1, wherein said solder material is fixed to said base material by pressure bonding.
【請求項11】 前記基材表面のうち、少なくとも半田
材料が固着されている部分が粗面であることを特徴とす
る請求項10に記載の半田バンプ形成用部材。
11. The solder bump forming member according to claim 10, wherein at least a portion of the base material surface to which the solder material is fixed is a rough surface.
【請求項12】 基板表面の所定位置に半田バンプを形
成するための半田バンプ形成用部材の製造方法であっ
て、 半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材の表面に、
半田薄板を圧着する工程と、 この半田薄板のうち、前記基板表面の所定位置に対応す
る部分以外の不要部分を除去する工程と、 を有することを特徴とする半田バンプ形成用部材の製造
方法。
12. A method of manufacturing a solder bump forming member for forming a solder bump at a predetermined position on a substrate surface, comprising:
A method for manufacturing a member for forming a solder bump, comprising: a step of crimping a solder thin plate; and a step of removing an unnecessary portion of the thin solder plate other than a portion corresponding to a predetermined position on the substrate surface.
【請求項13】 前記基材の表面が、粗面であることを
特徴とする請求項12に記載の半田バンプ形成用部材の
製造方法。
13. The method according to claim 12, wherein the surface of the base material is a rough surface.
【請求項14】 前記半田薄板のうち、不要部分を除去
する工程が、 前記半田薄板上にエッチングレジストを塗布する工程
と、 該エッチングレジストに対して露光・現像を行って、前
記不要部分を露出させる工程と、 前記半田薄板のうち、露出した不要部分をエッチングに
より除去する工程と、残余の該エッチングレジストを除
去する工程と、 を有することを特徴とする請求項12または13に記載
の半田バンプ形成用部材の製造方法。
14. A step of removing an unnecessary portion of the solder thin plate, a step of applying an etching resist on the solder thin plate, and exposing and developing the etching resist to expose the unnecessary portion. 14. The solder bump according to claim 12, further comprising: removing an unnecessary portion of the thin solder plate by etching, and removing the remaining etching resist. 15. A method for manufacturing a forming member.
【請求項15】 基板表面の所定位置に半田バンプを形
成するための半田バンプ形成用部材の製造方法であっ
て、 半田に対して濡れ性の低い材料からなる基材の表面のう
ち、前記基板表面の所定位置に対応した位置に半田ペー
ストを塗布する工程と、 加熱によりこの半田ペーストを溶融させた後に冷却する
工程と、 を有することを特徴とする半田バンプ形成用部材の製造
方法。
15. A method of manufacturing a solder bump forming member for forming a solder bump at a predetermined position on a surface of a substrate, the method comprising the steps of: A method for manufacturing a member for forming a solder bump, comprising: a step of applying a solder paste to a position corresponding to a predetermined position on a surface; and a step of cooling the solder paste after melting the solder paste by heating.
【請求項16】 前記基材の表面のうち、前記半田材料
の固着位置、または固着位置及びその近傍が、その周囲
の表面より低位とされている基材を用いることを特徴と
する請求項15に記載の半田バンプ形成用部材の製造方
法。
16. The base material, wherein a fixing position of the solder material, or a fixing position and its vicinity in the surface of the base material are lower than the surrounding surface. 3. The method for manufacturing a member for forming a solder bump according to claim 1.
【請求項17】 前記基材の表面のうち、少なくとも前
記半田材料の固着位置の周囲または固着位置とその近傍
の周囲に、半田に対して濡れ性の低い材料からなる半田
ダムを有する基材を用いることを特徴とする請求項15
に記載の半田バンプ形成用部材の製造方法。
17. A base material having a solder dam made of a material having low wettability with respect to the solder at least around a position where the solder material is fixed or around the position where the solder material is fixed, on the surface of the base material. 16. A method according to claim 15, wherein:
3. The method for manufacturing a member for forming a solder bump according to claim 1.
【請求項18】 前記請求項1〜11のいずれかに記載
の半田バンプ形成用部材を用いて基板表面の所定位置に
半田バンプを形成した半田バンプ付基板の製造方法であ
って、 前記半田材料が前記基板の所定位置に接触又は近接する
ように前記半田バンプ形成用部材を位置合わせして基板
表面上に配置する工程と、 加熱によりこの半田材料を溶融させて、半田をこの基板
の所定位置に移転させた後に冷却する工程と、 この基板表面から前記基材を除去する工程と、 を有することを特徴とする半田バンプ付基板の製造方
法。
18. A method for manufacturing a board with solder bumps, wherein a solder bump is formed at a predetermined position on the surface of a board using the member for forming solder bumps according to claim 1. Positioning the solder bump forming member on the substrate surface such that the solder bump forming member contacts or approaches a predetermined position on the substrate; and heating the solder material to melt the solder material, thereby transferring the solder to the predetermined position on the substrate. A method of manufacturing a board with solder bumps, comprising: a step of cooling after transferring to a substrate; and a step of removing the base material from the surface of the board.
【請求項19】 前記加熱冷却工程において、 前記基材で溶融した半田を前記基板表面側に押圧しつつ
冷却・固化させて、前記半田バンプの頂部を平坦にする
ことを特徴とする請求項18に記載の半田バンプ付基板
の製造方法。
19. The heating and cooling step, wherein the solder melted in the base material is cooled and solidified while being pressed against the surface of the substrate to flatten the top of the solder bump. 3. The method for manufacturing a substrate with solder bumps according to item 1.
【請求項20】 前記基材が、この基材の表面のうち、
前記半田材料の固着位置、または固着位置及びその近傍
が、その周囲の表面より低位とされている基材であり、 前記押圧時に、この基材の該周囲の表面を基板の表面に
接触させて、 この基板表面から前記半田バンプの頂部までの高さを、
前記基材の周囲の表面から前記半田材料の固着位置まで
の深さによって規制することを特徴とする請求項19に
記載の半田バンプ付基板の製造方法。
20. The method according to claim 19, wherein the base material is a surface of the base material.
The fixing position of the solder material, or the fixing position and the vicinity thereof is a base material that is lower than the surrounding surface, and at the time of pressing, the surrounding surface of the base material is brought into contact with the surface of the substrate. The height from the substrate surface to the top of the solder bump is
20. The method for manufacturing a substrate with solder bumps according to claim 19, wherein the substrate is regulated by a depth from a peripheral surface of the base material to a fixing position of the solder material.
【請求項21】 前記半田バンプ形成用部材を前記基板
の表面上に配置する工程において、 この基板表面上に設けた突起により、該半田バンプ形成
用部材の位置を規制して位置合わせを行うことを特徴と
する請求項18〜20のいずれかに記載の半田バンプ付
基板の製造方法。
21. In the step of arranging the solder bump forming member on the surface of the substrate, positioning is performed by regulating the position of the solder bump forming member by a protrusion provided on the substrate surface. The method for manufacturing a substrate with solder bumps according to any one of claims 18 to 20, wherein:
【請求項22】 前記基板として、この基板の表面の所
定位置には、すでに半田バンプが形成され、かつこの形
成された半田バンプから少なくとも一部の半田が除去さ
れた基板を用いることを特徴とする請求項18〜21の
いずれかに記載の半田バンプ付基板の製造方法。
22. A substrate wherein a solder bump is already formed at a predetermined position on the surface of the substrate and at least a part of the solder is removed from the formed solder bump. The method for manufacturing a substrate with solder bumps according to claim 18.
【請求項23】 前記基板として、前記半田バンプ形成
用部材によって半田バンプを形成する部分以外の部分
に、少なくとも1つの集積回路チップが半田バンプによ
って接続されている基板を用いることを特徴とする請求
項18〜22のいずれかに記載の半田バンプ付基板の製
造方法。
23. A substrate wherein at least one integrated circuit chip is connected by a solder bump to a portion other than a portion where a solder bump is formed by the solder bump forming member, as the substrate. Item 23. The method for manufacturing a substrate with solder bumps according to any one of Items 18 to 22.
【請求項24】 半田バンプにより他の基板との接続を
行い、その後該他の基板を除去した基板の損傷半田バン
プを再生する方法であって、 前記半田材料が該基板の損傷半田バンプに接触又は近接
するように前記請求項1〜11のいずれかに記載の半田
バンプ形成用部材を位置合わせして基板表面上に配置す
る工程と、 加熱によりこの半田材料を溶融させて、半田をこの基板
の所定位置に移転させた後に冷却する工程と、 この基板表面から前記基材を除去する工程と、 を有することを特徴とする半田バンプ付基板の損傷半田
バンプの再生方法。
24. A method of connecting to another substrate by means of a solder bump, and thereafter regenerating the damaged solder bump of the substrate from which the other substrate has been removed, wherein the solder material contacts the damaged solder bump of the substrate. Or a step of positioning the member for forming a solder bump according to any one of claims 1 to 11 so as to be close to the surface of the substrate, and melting the solder material by heating to form a solder on the substrate. A method of regenerating damaged solder bumps on a substrate with solder bumps, comprising: a step of cooling after transferring to a predetermined position; and a step of removing the substrate from the surface of the substrate.
【請求項25】 前記基板は、少なくとも1つの集積回
路チップが半田バンプによって接続されている基板であ
ることを特徴とする請求項24に記載の半田バンプ付基
板の損傷半田バンプの再生方法。
25. The method according to claim 24, wherein the substrate is a substrate to which at least one integrated circuit chip is connected by solder bumps.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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