JPH10170657A - 面積型x線検出器、並びに面積型x線検出器及び大面積型x線検出器を動作させる方法 - Google Patents
面積型x線検出器、並びに面積型x線検出器及び大面積型x線検出器を動作させる方法Info
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- JPH10170657A JPH10170657A JP9229101A JP22910197A JPH10170657A JP H10170657 A JPH10170657 A JP H10170657A JP 9229101 A JP9229101 A JP 9229101A JP 22910197 A JP22910197 A JP 22910197A JP H10170657 A JPH10170657 A JP H10170657A
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- 238000011017 operating method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KLPWJLBORRMFGK-UHFFFAOYSA-N Molindone Chemical compound O=C1C=2C(CC)=C(C)NC=2CCC1CN1CCOCC1 KLPWJLBORRMFGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 239000002872 contrast media Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229940028394 moban Drugs 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
- H04N5/321—Transforming X-rays with video transmission of fluoroscopic images
- H04N5/325—Image enhancement, e.g. by subtraction techniques using polyenergetic X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20184—Detector read-out circuitry, e.g. for clearing of traps, compensating for traps or compensating for direct hits
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードを効率的にリセットするこ
とのできる面積型X線検出器、並びに面積型X線検出器
及び大面積型X線検出器を動作させる方法を提供する。 【解決手段】 大面積型固体X線検出器12は、フォト
ダイオード36で構成されていると共に行と列とを成し
て配列されている複数のセル22を採用している。フォ
トダイオード36は、充電され、照射線量に比例してフ
ォトダイオード36の電荷を放電させるX線で照射さ
れ、次いで、再充電されて照射の量が決定される。イメ
ージング走査に続いて非イメージング走査を用いること
により、暗電流の影響を減少させながらゴースト画像の
ない状態で、これらと矛盾なくフォトダイオード36の
高速走査を行うことができる。非イメージング走査は、
電荷の回復のために、イメージング走査よりも長い割合
をそれぞれ占める走査時間を用いている。この非イメー
ジング時間を実質的に短縮するために、フォトダイオー
ド36の同時的な非イメージング再充電が行われる。
とのできる面積型X線検出器、並びに面積型X線検出器
及び大面積型X線検出器を動作させる方法を提供する。 【解決手段】 大面積型固体X線検出器12は、フォト
ダイオード36で構成されていると共に行と列とを成し
て配列されている複数のセル22を採用している。フォ
トダイオード36は、充電され、照射線量に比例してフ
ォトダイオード36の電荷を放電させるX線で照射さ
れ、次いで、再充電されて照射の量が決定される。イメ
ージング走査に続いて非イメージング走査を用いること
により、暗電流の影響を減少させながらゴースト画像の
ない状態で、これらと矛盾なくフォトダイオード36の
高速走査を行うことができる。非イメージング走査は、
電荷の回復のために、イメージング走査よりも長い割合
をそれぞれ占める走査時間を用いている。この非イメー
ジング時間を実質的に短縮するために、フォトダイオー
ド36の同時的な非イメージング再充電が行われる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線検出器に関し、具
体的には、大面積型の固体(ソリッド・ステート)X線
検出器に関する。
体的には、大面積型の固体(ソリッド・ステート)X線
検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】最初期のX線画像は、X線放射線の面積
型ビームが患者を通過した後に、ビームを写真フィルム
に照射することにより作成されていた。写真形式のフィ
ルムは依然として、多くの放射線写真法について、高い
画像分解能が要求される場合には特に、優れた媒体であ
る。写真フィルムは、X線放射線を可視光に変換するこ
とによりX線放射線に対するフィルムの感度を増大させ
る発光体スクリーン(phosphor screen)と結合され得
る。
型ビームが患者を通過した後に、ビームを写真フィルム
に照射することにより作成されていた。写真形式のフィ
ルムは依然として、多くの放射線写真法について、高い
画像分解能が要求される場合には特に、優れた媒体であ
る。写真フィルムは、X線放射線を可視光に変換するこ
とによりX線放射線に対するフィルムの感度を増大させ
る発光体スクリーン(phosphor screen)と結合され得
る。
【0003】しかしながら、しばしば、医師にとって
は、心臓カテーテル法等の処置を実行しながら、実時間
でX線画像を見る必要がある。これらの状況では、X線
フィルムは、画像光増幅器(image intensifier)及び
テレビ・カメラで置き換えられる。X線は、画像光増幅
器の前面で発光体スクリーンに入射すると、微弱な光画
像を発生し、この光画像は、画像光増幅器によって増幅
されると共に、テレビ・カメラによって読み込まれる。
画像光増幅器を用いることにより、実時間の画像を収集
しながら、患者に放射線を連続して照射する必要性に相
応するように、X線の照射線量をより低くすることがで
きる。
は、心臓カテーテル法等の処置を実行しながら、実時間
でX線画像を見る必要がある。これらの状況では、X線
フィルムは、画像光増幅器(image intensifier)及び
テレビ・カメラで置き換えられる。X線は、画像光増幅
器の前面で発光体スクリーンに入射すると、微弱な光画
像を発生し、この光画像は、画像光増幅器によって増幅
されると共に、テレビ・カメラによって読み込まれる。
画像光増幅器を用いることにより、実時間の画像を収集
しながら、患者に放射線を連続して照射する必要性に相
応するように、X線の照射線量をより低くすることがで
きる。
【0004】いくつかの状況では、X線画像を、計算機
によって処理するためにディジタル表現に変換すること
が望ましい。画像のディジタル表現は、例えば、画像の
縁を強調するように処理され得る。ディジタル消去血管
造影法(アンジオグラフィ)のようないくつかの手法
は、患者に造影剤を注入して取得される1つの画像と、
注入しないで取得されるもう1つの画像との2つの画像
を互いに減算することを要求する。この減算は、ディジ
タル画像で容易に行うことができる。
によって処理するためにディジタル表現に変換すること
が望ましい。画像のディジタル表現は、例えば、画像の
縁を強調するように処理され得る。ディジタル消去血管
造影法(アンジオグラフィ)のようないくつかの手法
は、患者に造影剤を注入して取得される1つの画像と、
注入しないで取得されるもう1つの画像との2つの画像
を互いに減算することを要求する。この減算は、ディジ
タル画像で容易に行うことができる。
【0005】ディジタル画像は、従来の写真フィルムを
走査することにより、又はフィルムと同様に照射され、
次いで、読み取り装置に渡されて、走査されると共にデ
ィジタル化される光刺激の可能な発光体プレートを用い
ることにより、取得され得る。代替的には、画像光増幅
器及びテレビ・カメラのシステム上でテレビ・カメラに
よって出力された電気信号を、高速アナログ−ディジタ
ル変換器の使用を介して直接的にディジタル信号に変換
することもできる。
走査することにより、又はフィルムと同様に照射され、
次いで、読み取り装置に渡されて、走査されると共にデ
ィジタル化される光刺激の可能な発光体プレートを用い
ることにより、取得され得る。代替的には、画像光増幅
器及びテレビ・カメラのシステム上でテレビ・カメラに
よって出力された電気信号を、高速アナログ−ディジタ
ル変換器の使用を介して直接的にディジタル信号に変換
することもできる。
【0006】大面積型集積回路アレイ(LCD形式の計
算機表示装置に用いられているような)を構築する作製
技術が改善されたことにより、処理装置に直接的にディ
ジタル信号を供給する大面積型固体X線検出器を構築す
ることに相当な関心が寄せられてきた。このような検出
器の設計の1つが、1991年2月26日に付与され、
本出願と同一の譲受人に譲渡され、ここに参照されるべ
き米国特許第4,996,413号に記載されている。
この検出器の設計は、フォトダイオードと、薄膜トラン
ジスタ・スイッチとで構成されているセルの配列を採用
しており、このセルの配列は、発光体の下方で列と行と
を成して設けられている。各々のダイオードに関連して
いる固有の静電容量が先ず充電され、次いで配列がX線
で照射される。発光体に入射するX線フォトンは光フォ
トンを発生し、次いで、光フォトンはフォトダイオード
に入射し、その結果、フォトダイオードの固有の静電容
量から電荷が失われる。ある照射時間の後に、電荷がフ
ォトダイオードに回復される。各々のフォトダイオード
に回復される電荷量は、各々のフォトダイオードによっ
て受け取られるX線の照射線量を示している。回復され
た電荷を示す電気信号は、ディジタル化されると共に、
ディジタル画像として記憶される。
算機表示装置に用いられているような)を構築する作製
技術が改善されたことにより、処理装置に直接的にディ
ジタル信号を供給する大面積型固体X線検出器を構築す
ることに相当な関心が寄せられてきた。このような検出
器の設計の1つが、1991年2月26日に付与され、
本出願と同一の譲受人に譲渡され、ここに参照されるべ
き米国特許第4,996,413号に記載されている。
この検出器の設計は、フォトダイオードと、薄膜トラン
ジスタ・スイッチとで構成されているセルの配列を採用
しており、このセルの配列は、発光体の下方で列と行と
を成して設けられている。各々のダイオードに関連して
いる固有の静電容量が先ず充電され、次いで配列がX線
で照射される。発光体に入射するX線フォトンは光フォ
トンを発生し、次いで、光フォトンはフォトダイオード
に入射し、その結果、フォトダイオードの固有の静電容
量から電荷が失われる。ある照射時間の後に、電荷がフ
ォトダイオードに回復される。各々のフォトダイオード
に回復される電荷量は、各々のフォトダイオードによっ
て受け取られるX線の照射線量を示している。回復され
た電荷を示す電気信号は、ディジタル化されると共に、
ディジタル画像として記憶される。
【0007】適当な空間分解能を提供するために、多数
のフォトダイオードが用いられている。必要な充電兼測
定回路要素(circuitry)に各々のフォトダイオードを
接続するのに必要な配線は、個別のアドレス指定が可能
な列及び行にフォトダイオードを接続することによって
減少する。具体的には、各々のフォトダイオードは、固
体スイッチを介して、所与の列内で他のすべてのフォト
ダイオードと共通の列導体に接続される。従って、フォ
トダイオードは、時分割多重化によって、一度に1つず
つ読み出されることにより配線を共有することができ
る。具体的には、単一の列導体は、所与の列内のすべて
のフォトダイオードに対して充電電流を供給するもので
あると共に、その列のフォトダイオードに供給された充
電電流の量を定量化することができるその列について独
立した測定回路に接続されている。固体スイッチの制御
端子は、作動指示(assert)されているときにフォトダ
イオードへ電流を流すものであり、所与の行のすべての
ダイオードに共通の行導体に接続されている。このよう
にして、フォトダイオードの照射後に、フォトダイオー
ド配列は、1つの行導体を選択的に作動指示することに
より走査されて、所与の行内のすべてのフォトダイオー
ドを充電することができる。その行の1つのフォトダイ
オードのみが各々の列導体に接続されているので、所与
の行導体が作動指示されているときに列導体を通過して
流れる電流の量は、単一のフォトダイオードの再充電量
に関連付けられる。この過程は、フォトダイオードの各
々が再充電されて、所要の回復電荷量が測定されるま
で、各々の行導体を順次作動指示しながら繰り返され
る。
のフォトダイオードが用いられている。必要な充電兼測
定回路要素(circuitry)に各々のフォトダイオードを
接続するのに必要な配線は、個別のアドレス指定が可能
な列及び行にフォトダイオードを接続することによって
減少する。具体的には、各々のフォトダイオードは、固
体スイッチを介して、所与の列内で他のすべてのフォト
ダイオードと共通の列導体に接続される。従って、フォ
トダイオードは、時分割多重化によって、一度に1つず
つ読み出されることにより配線を共有することができ
る。具体的には、単一の列導体は、所与の列内のすべて
のフォトダイオードに対して充電電流を供給するもので
あると共に、その列のフォトダイオードに供給された充
電電流の量を定量化することができるその列について独
立した測定回路に接続されている。固体スイッチの制御
端子は、作動指示(assert)されているときにフォトダ
イオードへ電流を流すものであり、所与の行のすべての
ダイオードに共通の行導体に接続されている。このよう
にして、フォトダイオードの照射後に、フォトダイオー
ド配列は、1つの行導体を選択的に作動指示することに
より走査されて、所与の行内のすべてのフォトダイオー
ドを充電することができる。その行の1つのフォトダイ
オードのみが各々の列導体に接続されているので、所与
の行導体が作動指示されているときに列導体を通過して
流れる電流の量は、単一のフォトダイオードの再充電量
に関連付けられる。この過程は、フォトダイオードの各
々が再充電されて、所要の回復電荷量が測定されるま
で、各々の行導体を順次作動指示しながら繰り返され
る。
【0008】各々の列導体に対して、列導体に流入する
電荷を測定するように、積分器が取り付けられている。
積分器は、各々の行が作動指示されている時間にわたっ
て列導体に流入する電流を積分して、総電荷量の測定値
を発生する。積分の最後に且つ電荷測定よりも前に、積
分器は、短時間「据え置き」(settle)されて、雑音ス
パイクの影響を排除しなければならない。雑音スパイク
は、列導体に結合されている固体スイッチの切り換えに
起因して、交差している行導体と列導体とによって発生
する。電荷測定の後に、積分器は次の行が測定されるよ
りも前にリセットされなければならない。
電荷を測定するように、積分器が取り付けられている。
積分器は、各々の行が作動指示されている時間にわたっ
て列導体に流入する電流を積分して、総電荷量の測定値
を発生する。積分の最後に且つ電荷測定よりも前に、積
分器は、短時間「据え置き」(settle)されて、雑音ス
パイクの影響を排除しなければならない。雑音スパイク
は、列導体に結合されている固体スイッチの切り換えに
起因して、交差している行導体と列導体とによって発生
する。電荷測定の後に、積分器は次の行が測定されるよ
りも前にリセットされなければならない。
【0009】様々な理由から、パネル全体の走査及びX
線画像の収集に要求される時間量を減少させることが望
ましい。例えば、フォトダイオードの暗電流は、光が存
在しない場合であっても、フォトダイオードによって蓄
積されている電荷を放電させる。所与の行についての順
次的な走査と走査との間の時間が長いほど、検知される
信号に対する暗電流の寄与は大きくなる。更に、いくつ
かのX線イメージング(作像)用途は、高速の画像収集
を要求し、このことは、行速度を速めることを意味して
いると共に、任意の所与の行における作動指示及び信号
積分に費やされ得る時間の量を制限する。この時間は、
上述のように積分器を安定化させると共にリセットする
必要性によって更に短縮される。
線画像の収集に要求される時間量を減少させることが望
ましい。例えば、フォトダイオードの暗電流は、光が存
在しない場合であっても、フォトダイオードによって蓄
積されている電荷を放電させる。所与の行についての順
次的な走査と走査との間の時間が長いほど、検知される
信号に対する暗電流の寄与は大きくなる。更に、いくつ
かのX線イメージング(作像)用途は、高速の画像収集
を要求し、このことは、行速度を速めることを意味して
いると共に、任意の所与の行における作動指示及び信号
積分に費やされ得る時間の量を制限する。この時間は、
上述のように積分器を安定化させると共にリセットする
必要性によって更に短縮される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】高速の行速度、並びに
所要の安定化時間及びリセット時間に対する必要性の結
果として、フォトダイオードの電荷は、完全に回復され
ない可能性がある。この回復されない電荷のため、「ゴ
ースト画像」が発生され、ゴースト画像は、検出器配列
の次回の走査の際に得られる画像に重ね合わされる。ゴ
ースト画像の規模は、各々の行の走査中の再充電時間を
延長することにより減少され得るが、これにより、行速
度は低下して、画像が得られるフレーム・レートを制限
するので、望ましくない。
所要の安定化時間及びリセット時間に対する必要性の結
果として、フォトダイオードの電荷は、完全に回復され
ない可能性がある。この回復されない電荷のため、「ゴ
ースト画像」が発生され、ゴースト画像は、検出器配列
の次回の走査の際に得られる画像に重ね合わされる。ゴ
ースト画像の規模は、各々の行の走査中の再充電時間を
延長することにより減少され得るが、これにより、行速
度は低下して、画像が得られるフレーム・レートを制限
するので、望ましくない。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、画像の収集後
に2回目のリセット走査を実行することにより、行速度
を実質的に低下させることなくゴースト画像の規模を減
少させる。その際、各行は、2回目には完全に走査され
るが、画像は収集されず、又、電荷は測定されない。電
荷が測定されないので、行走査時間のうち再充電に費や
される部分は、この部分が行走査時間に等しくなるま
で、又は行走査時間よりも長くなるまで、用途に応じて
増大されることができ、フォトダイオードを再充電する
際のこの走査の有効性が大幅に増大される。
に2回目のリセット走査を実行することにより、行速度
を実質的に低下させることなくゴースト画像の規模を減
少させる。その際、各行は、2回目には完全に走査され
るが、画像は収集されず、又、電荷は測定されない。電
荷が測定されないので、行走査時間のうち再充電に費や
される部分は、この部分が行走査時間に等しくなるま
で、又は行走査時間よりも長くなるまで、用途に応じて
増大されることができ、フォトダイオードを再充電する
際のこの走査の有効性が大幅に増大される。
【0012】具体的には、本発明は、大面積型X線検出
器を提供し、この大面積型X線検出器は、あるフレーム
・レートで、反復的な画像信号を発生すると共に、行と
列とを成して配列された充電可能な複数の固体セルを含
んでいる。各々の列のセルには電荷積分器が取り付けら
れており、各々の列のセルに送達された総電荷量の読み
取り値を提供する。収集回路要素は先ず、ある行速度
で、一度に1行ずつ行われるセルの各々の行についての
1回の走査中にわたって画像信号を収集する。この走査
は、第1の所定の時間にわたってこの行のセルを充電す
る工程と、電荷積分器によって、この列のセルに送達さ
れた総電荷量を測定する工程と、電荷積分器をリセット
する工程とを含んでいる。画像信号が取得された後に、
収集制御回路要素は、上述の行速度で、一度に1行ずつ
行われる行の各々についての2回目の走査中にわたっ
て、検出器のセルをリセットする。各々の行のリセット
は、第1の所定の時間よりも長い第2の所定の時間にわ
たってこの行のセルを充電することを含んでいる。
器を提供し、この大面積型X線検出器は、あるフレーム
・レートで、反復的な画像信号を発生すると共に、行と
列とを成して配列された充電可能な複数の固体セルを含
んでいる。各々の列のセルには電荷積分器が取り付けら
れており、各々の列のセルに送達された総電荷量の読み
取り値を提供する。収集回路要素は先ず、ある行速度
で、一度に1行ずつ行われるセルの各々の行についての
1回の走査中にわたって画像信号を収集する。この走査
は、第1の所定の時間にわたってこの行のセルを充電す
る工程と、電荷積分器によって、この列のセルに送達さ
れた総電荷量を測定する工程と、電荷積分器をリセット
する工程とを含んでいる。画像信号が取得された後に、
収集制御回路要素は、上述の行速度で、一度に1行ずつ
行われる行の各々についての2回目の走査中にわたっ
て、検出器のセルをリセットする。各々の行のリセット
は、第1の所定の時間よりも長い第2の所定の時間にわ
たってこの行のセルを充電することを含んでいる。
【0013】このように、本発明の1つの目的は、行速
度及び行シーケンスがハードウェア内で固定されている
ときに用いることができるフォトダイオードの効率的な
リセットを提供することにある。このリセットは、通常
の画像収集走査を用いて達成されるが、但し、リセット
時間は、画像が収集されている場合に使用され得るリセ
ット時間を上回って増大させられていることが通常とは
異なる。
度及び行シーケンスがハードウェア内で固定されている
ときに用いることができるフォトダイオードの効率的な
リセットを提供することにある。このリセットは、通常
の画像収集走査を用いて達成されるが、但し、リセット
時間は、画像が収集されている場合に使用され得るリセ
ット時間を上回って増大させられていることが通常とは
異なる。
【0014】走査回路要素が一度に多数の行を作動させ
ることを許容しているような場合には、収集制御電子回
路要素は、第2の所定の時間にわたって多数の行のフォ
トダイオードを充電することにより、検出器の複数の行
のセルの電荷を同時に回復することができる。このよう
に、本発明のもう1つの目的は、通常ならば単一の行の
走査時間であるような時間中に、多数の行のフォトダイ
オードの2回目の充電を同時に実行することにより、フ
レーム・レートへの影響を最小化しながら、「ゴースト
画像」の規模を減少させる方法を提供することにある。
ることを許容しているような場合には、収集制御電子回
路要素は、第2の所定の時間にわたって多数の行のフォ
トダイオードを充電することにより、検出器の複数の行
のセルの電荷を同時に回復することができる。このよう
に、本発明のもう1つの目的は、通常ならば単一の行の
走査時間であるような時間中に、多数の行のフォトダイ
オードの2回目の充電を同時に実行することにより、フ
レーム・レートへの影響を最小化しながら、「ゴースト
画像」の規模を減少させる方法を提供することにある。
【0015】本発明の以上の目的及び利点、並びにその
他の目的及び利点は、以下の記載から明らかになろう。
この記載において、本明細書の一部を形成していると共
に、説明の目的のために本発明の好ましい実施例を示し
ている図面を参照する。このような実施例は、本発明の
要旨全体を表現しているのでは必ずしもなく、従って、
本発明の要旨を判断するためには、特許請求の範囲を参
照すべきである。
他の目的及び利点は、以下の記載から明らかになろう。
この記載において、本明細書の一部を形成していると共
に、説明の目的のために本発明の好ましい実施例を示し
ている図面を参照する。このような実施例は、本発明の
要旨全体を表現しているのでは必ずしもなく、従って、
本発明の要旨を判断するためには、特許請求の範囲を参
照すべきである。
【0016】
【実施例】ここで図1を参照すると、本発明の配列12
を組み込んだX線システム10は、X線管14を有して
おり、X線管14は、コリメートされて患者20の区域
18を通過する面積型X線ビーム16を形成している。
ビーム16は、患者20の内部構造によってビーム16
の多数の射線に沿って減衰され、次いで、X線ビーム1
6の軸線に垂直な平面内の区域を全体的に覆って広がっ
ている検出器の面積型配列12によって受け取られる。
を組み込んだX線システム10は、X線管14を有して
おり、X線管14は、コリメートされて患者20の区域
18を通過する面積型X線ビーム16を形成している。
ビーム16は、患者20の内部構造によってビーム16
の多数の射線に沿って減衰され、次いで、X線ビーム1
6の軸線に垂直な平面内の区域を全体的に覆って広がっ
ている検出器の面積型配列12によって受け取られる。
【0017】面積型配列12は、列と行とを成して直線
状に配列されている複数の個別のセル22に分割されて
いる。当業者には理解されるであろうが、列及び行の配
向は任意である。但し、記載を明確にするために、行は
水平に延在し、列は垂直に延在するものと仮定する。以
下に詳述するが、動作中に、セル22の各行は、各々の
セル22からのデータが読み出し回路30によって読み
取られ得るように、走査回路28によって一度に1行ず
つ走査される。各々のセル22は、その表面で受け取ら
れる放射線の強度を独立に測定するので、読み出された
データは、モニタ26上に表示されるべき画像であって
使用者によって普通に眺められる画像24内の1ピクセ
ル(画素)分の情報を提供する。
状に配列されている複数の個別のセル22に分割されて
いる。当業者には理解されるであろうが、列及び行の配
向は任意である。但し、記載を明確にするために、行は
水平に延在し、列は垂直に延在するものと仮定する。以
下に詳述するが、動作中に、セル22の各行は、各々の
セル22からのデータが読み出し回路30によって読み
取られ得るように、走査回路28によって一度に1行ず
つ走査される。各々のセル22は、その表面で受け取ら
れる放射線の強度を独立に測定するので、読み出された
データは、モニタ26上に表示されるべき画像であって
使用者によって普通に眺められる画像24内の1ピクセ
ル(画素)分の情報を提供する。
【0018】バイアス回路32は、セル22に対するバ
イアス電圧を制御するものであるが、これについては後
述する。バイアス回路32、走査回路28及び読み出し
回路30の各々は、収集制御及び画像処理回路34と交
信しており、収集制御及び画像処理回路34は、電子プ
ロセッサ(図示されていない)によって各回路30、2
8及び32の動作を制御している。収集制御及び画像処
理回路34は又、X線管14を制御しており、X線管1
4をオン、オフすると共に、管電流を制御し、このよう
にして、ビーム16内のX線の流束量及び/又は管電
圧、従ってビーム16のX線のエネルギを制御してい
る。
イアス電圧を制御するものであるが、これについては後
述する。バイアス回路32、走査回路28及び読み出し
回路30の各々は、収集制御及び画像処理回路34と交
信しており、収集制御及び画像処理回路34は、電子プ
ロセッサ(図示されていない)によって各回路30、2
8及び32の動作を制御している。収集制御及び画像処
理回路34は又、X線管14を制御しており、X線管1
4をオン、オフすると共に、管電流を制御し、このよう
にして、ビーム16内のX線の流束量及び/又は管電
圧、従ってビーム16のX線のエネルギを制御してい
る。
【0019】収集制御及び画像処理回路34は又、各々
のセル22によって供給されたデータに基づいてモニタ
26に対して画像データを供給している。ここで図2を
参照すると、配列12の所与のセル22′が、FET
(電界効果トランジスタ)38のソースにそのカソード
を接続されているフォトダイオード36を含んでいる。
多くのFETデバイスについては、ドレインとソースと
は互いに交換可能であって、従って、いずれの呼称につ
いても、単に図面の便宜を図ったのみであることが当業
者には理解されるであろう。フォトダイオード36は、
フォトダイオード36の面積がセル22′の全面積を覆
って実質的に広がり得るようにして、アモルファス・シ
リコン基材上で組み立てられ得る。FET38は、薄膜
トランジスタであってもよい。
のセル22によって供給されたデータに基づいてモニタ
26に対して画像データを供給している。ここで図2を
参照すると、配列12の所与のセル22′が、FET
(電界効果トランジスタ)38のソースにそのカソード
を接続されているフォトダイオード36を含んでいる。
多くのFETデバイスについては、ドレインとソースと
は互いに交換可能であって、従って、いずれの呼称につ
いても、単に図面の便宜を図ったのみであることが当業
者には理解されるであろう。フォトダイオード36は、
フォトダイオード36の面積がセル22′の全面積を覆
って実質的に広がり得るようにして、アモルファス・シ
リコン基材上で組み立てられ得る。FET38は、薄膜
トランジスタであってもよい。
【0020】FET38のドレインは、列導体42に接
続されており、列導体42は、セル22′と同一の列に
あるセル内のすべてのFETのドレインを連結してい
る。列導体42は、電荷積分器44に接続されており、
後に詳述するが、電荷積分器44は、FET38がオン
であるときに、フォトダイオード36のカソードに対し
て、本質的に一定の基準電圧を供給している。
続されており、列導体42は、セル22′と同一の列に
あるセル内のすべてのFETのドレインを連結してい
る。列導体42は、電荷積分器44に接続されており、
後に詳述するが、電荷積分器44は、FET38がオン
であるときに、フォトダイオード36のカソードに対し
て、本質的に一定の基準電圧を供給している。
【0021】フォトダイオード36のアノードは、バイ
アス制御器46に接続されており、バイアス制御器46
は、通常の動作中には、フォトダイオード36のアノー
ドに対して負電圧を印加している。このようにして、F
ET38が導電しているときに、フォトダイオード36
に関連している接合容量が充電される。但し、フォトダ
イオード36は逆バイアスを印加されているので、DC
電流は流れない。
アス制御器46に接続されており、バイアス制御器46
は、通常の動作中には、フォトダイオード36のアノー
ドに対して負電圧を印加している。このようにして、F
ET38が導電しているときに、フォトダイオード36
に関連している接合容量が充電される。但し、フォトダ
イオード36は逆バイアスを印加されているので、DC
電流は流れない。
【0022】FET38のゲートは、行導体40に接続
されており、行導体40は、このゲートを、セル22′
と同一の行にある他のセルの他のFETのゲートと連結
している。FET38のゲートにおける電圧は、FET
38のドレインとソースとの間の電流の流れを制御して
おり、このようにして、行導体40は、1つの信号が、
ある行内の各々のセルのFETを通過する電流の流れを
制御することを可能にするように作用している。
されており、行導体40は、このゲートを、セル22′
と同一の行にある他のセルの他のFETのゲートと連結
している。FET38のゲートにおける電圧は、FET
38のドレインとソースとの間の電流の流れを制御して
おり、このようにして、行導体40は、1つの信号が、
ある行内の各々のセルのFETを通過する電流の流れを
制御することを可能にするように作用している。
【0023】各々の行導体40は、ドライバ41に接続
されており、ドライバ41は、行導体40を、FET3
8のドレイン及びソースの両者の高めの電圧を一般的に
上回る電圧にあるハイ状態、又は、FET38のドレイ
ン及びソースの低めの電圧を一般的に下回る電圧にある
ロウ状態に維持することが可能である。このように、行
導体40がハイ状態に維持されているときには、FET
38を通過して電流が流れることができ、ロウ状態に維
持されているときには、FET38を通過する電流は流
れない。
されており、ドライバ41は、行導体40を、FET3
8のドレイン及びソースの両者の高めの電圧を一般的に
上回る電圧にあるハイ状態、又は、FET38のドレイ
ン及びソースの低めの電圧を一般的に下回る電圧にある
ロウ状態に維持することが可能である。このように、行
導体40がハイ状態に維持されているときには、FET
38を通過して電流が流れることができ、ロウ状態に維
持されているときには、FET38を通過する電流は流
れない。
【0024】配列12の各々のセル22は、類似した構
造を有していると共に、セル22′に関して記載した方
式と同一の方式で、セル22の各々の列について独立し
た列導体42と電荷積分器44とが設けられている状態
で、且つセル22の各々の行について独立した行導体4
0とドライバ41とが設けられている状態で、接続され
ている。
造を有していると共に、セル22′に関して記載した方
式と同一の方式で、セル22の各々の列について独立し
た列導体42と電荷積分器44とが設けられている状態
で、且つセル22の各々の行について独立した行導体4
0とドライバ41とが設けられている状態で、接続され
ている。
【0025】ここで図2及び図3を参照すると、電荷積
分器44は、演算増幅器48の反転入力の所で列導体4
2を受け入れており、演算増幅器48の正入力は、列導
体42について所望される基準電圧に接続されている。
演算増幅器48は、高い入力インピーダンス、低いオフ
セット及び低いドリフトを有するように選択されてい
る。演算増幅器48の出力は、既知の値を有している基
準コンデンサ50を介して、演算増幅器48の反転入力
に接続されている。演算増幅器48の出力から列導体4
2へ流れる電流は、コンデンサ50を充電する。従っ
て、コンデンサ50の電圧は、演算増幅器の出力電圧5
2として反映されており、出力電圧52は、積分器44
が最後にリセットされてから列導体42に導電した総電
荷量を表す。
分器44は、演算増幅器48の反転入力の所で列導体4
2を受け入れており、演算増幅器48の正入力は、列導
体42について所望される基準電圧に接続されている。
演算増幅器48は、高い入力インピーダンス、低いオフ
セット及び低いドリフトを有するように選択されてい
る。演算増幅器48の出力は、既知の値を有している基
準コンデンサ50を介して、演算増幅器48の反転入力
に接続されている。演算増幅器48の出力から列導体4
2へ流れる電流は、コンデンサ50を充電する。従っ
て、コンデンサ50の電圧は、演算増幅器の出力電圧5
2として反映されており、出力電圧52は、積分器44
が最後にリセットされてから列導体42に導電した総電
荷量を表す。
【0026】積分器44のリセットは、線54上のリセ
ット信号によって達成され、リセット信号は、FET5
6をオンにし、コンデンサ50に分路を設け(shuntin
g)、このようにしてコンデンサ50を放電して、増幅
器48の出力52を基準電圧に復帰させる。ここで図5
を参照すると、配列12の動作中に、所与のセル22の
フォトダイオード36は、このフォトダイオード36用
の行導体40の作動指示中にわたって、列導体42上を
フォトダイオード36へ流れる電流によって充電され
る。図6に示すように、フォトダイオード36の初回の
充電の完了後には、フォトダイオード36に跨がる電圧
は、バイアス電圧と積分器44の基準電圧との差によっ
て決定されるその最大値V0 に近付いている。
ット信号によって達成され、リセット信号は、FET5
6をオンにし、コンデンサ50に分路を設け(shuntin
g)、このようにしてコンデンサ50を放電して、増幅
器48の出力52を基準電圧に復帰させる。ここで図5
を参照すると、配列12の動作中に、所与のセル22の
フォトダイオード36は、このフォトダイオード36用
の行導体40の作動指示中にわたって、列導体42上を
フォトダイオード36へ流れる電流によって充電され
る。図6に示すように、フォトダイオード36の初回の
充電の完了後には、フォトダイオード36に跨がる電圧
は、バイアス電圧と積分器44の基準電圧との差によっ
て決定されるその最大値V0 に近付いている。
【0027】図7に示すように、行導体40が作動指示
解除(deassert)された状態で、フォトダイオード36
の上方に配置されているシンチレータ35へのX線ビー
ム16による放射が、光フォトンを発生し、光フォトン
は、フォトダイオード36に跨がる電圧が何らかの照射
レベル−Ve に低下するように、フォトダイオード36
上の電荷58を放電する。
解除(deassert)された状態で、フォトダイオード36
の上方に配置されているシンチレータ35へのX線ビー
ム16による放射が、光フォトンを発生し、光フォトン
は、フォトダイオード36に跨がる電圧が何らかの照射
レベル−Ve に低下するように、フォトダイオード36
上の電荷58を放電する。
【0028】図8に示すように、行導体40が再び作動
指示されると、電圧が最終レベル−Vf に上昇するまで
当該フォトダイオード36に関連している行導体40を
作動指示することにより、列導体42を介して電荷がフ
ォトダイオード36に回復される。このようにして、X
線の照射量は、図7の距離60によって示されているV
0 と−Ve との間の差となるのであるが、測定される電
荷量は、−Ve と−V f との間の差となる。
指示されると、電圧が最終レベル−Vf に上昇するまで
当該フォトダイオード36に関連している行導体40を
作動指示することにより、列導体42を介して電荷がフ
ォトダイオード36に回復される。このようにして、X
線の照射量は、図7の距離60によって示されているV
0 と−Ve との間の差となるのであるが、測定される電
荷量は、−Ve と−V f との間の差となる。
【0029】実際には、−Vf は、フォトダイオード3
6のいくつかの特性の結果として、又、オン状態にある
FET38の限界の抵抗の結果として、V0 よりも幾分
低くなる。V0 とVf との間の差、即ち、フォトダイオ
ード36上の電荷58が完全に回復されない分の量は、
X線の次回の照射中に、追加的なX線照射量として出現
する。このようにして、V0 とVf との間の差は、次回
に収集される画像の電荷回復誤差を発生する。V0 とV
f との間の差に起因する誤差は一般的には、前回の画像
の信号レベルに比例しているので、誤差は一般的には、
カレント(現在)の画像に重ね合わされるゴースト画像
として反映される。
6のいくつかの特性の結果として、又、オン状態にある
FET38の限界の抵抗の結果として、V0 よりも幾分
低くなる。V0 とVf との間の差、即ち、フォトダイオ
ード36上の電荷58が完全に回復されない分の量は、
X線の次回の照射中に、追加的なX線照射量として出現
する。このようにして、V0 とVf との間の差は、次回
に収集される画像の電荷回復誤差を発生する。V0 とV
f との間の差に起因する誤差は一般的には、前回の画像
の信号レベルに比例しているので、誤差は一般的には、
カレント(現在)の画像に重ね合わされるゴースト画像
として反映される。
【0030】ここで図2及び図4を参照すると、フォト
ダイオード36を完全に再充電させることに関するこの
不十分さは部分的には、各々の行の読み出し中に行導体
40が作動指示され得る時間量に対する制限のためであ
る。所与の行Nについて、行導体40は、収集時間62
にわたって作動指示される。収集時間62にわたって、
FET38は、オンにされ、電流をFET38を通過さ
せて流して、フォトダイオード36を再充電する。積分
器44の出力52は、列導体42上をフォトダイオード
36に向かって流れる総電荷量を反映するように上昇す
る。全体的な上昇は、列導体42と行導体40との間に
設けられている寄生結合容量68(図2に示されてい
る)に部分的に起因している雑音スパイクによって中断
される。これらのスパイクが存在するため、積分器44
からの出力信号52が収集制御及び画像処理回路34
(図1に示されている)によって読み込まれるよりも前
に満了するような据え置き時間69が割り当てられる。
積分器44の出力の読み込みの終結に当たって、積分器
44は、リセット線54(図3に示されている)の作動
指示によって時間70にわたってリセットされる。この
リセットは、電荷積分器が所与の列内のすべてのセル2
2によって共有されているので、次の行の収集よりも前
に生じていることが要求される。
ダイオード36を完全に再充電させることに関するこの
不十分さは部分的には、各々の行の読み出し中に行導体
40が作動指示され得る時間量に対する制限のためであ
る。所与の行Nについて、行導体40は、収集時間62
にわたって作動指示される。収集時間62にわたって、
FET38は、オンにされ、電流をFET38を通過さ
せて流して、フォトダイオード36を再充電する。積分
器44の出力52は、列導体42上をフォトダイオード
36に向かって流れる総電荷量を反映するように上昇す
る。全体的な上昇は、列導体42と行導体40との間に
設けられている寄生結合容量68(図2に示されてい
る)に部分的に起因している雑音スパイクによって中断
される。これらのスパイクが存在するため、積分器44
からの出力信号52が収集制御及び画像処理回路34
(図1に示されている)によって読み込まれるよりも前
に満了するような据え置き時間69が割り当てられる。
積分器44の出力の読み込みの終結に当たって、積分器
44は、リセット線54(図3に示されている)の作動
指示によって時間70にわたってリセットされる。この
リセットは、電荷積分器が所与の列内のすべてのセル2
2によって共有されているので、次の行の収集よりも前
に生じていることが要求される。
【0031】時間62、69及び70の合計は、暗電流
がフォトダイオード36上の電荷を減少させることを防
止するように、望ましいだけ高速の行速度の時間を構成
している。この行速度の短い時間内で、次の行の収集よ
りも前に積分器の据え置き時間及びリセット時間を設け
る必要性から、実際の収集時間62は更に制限される。
がフォトダイオード36上の電荷を減少させることを防
止するように、望ましいだけ高速の行速度の時間を構成
している。この行速度の短い時間内で、次の行の収集よ
りも前に積分器の据え置き時間及びリセット時間を設け
る必要性から、実際の収集時間62は更に制限される。
【0032】ここで図9を併せて参照すると、各々の行
(N、N+1、N+2等)についての各々の連続した行
導体40は、収集時間62にわたって順次作動指示され
ている。上述のように、収集時間中に、フォトダイオー
ド36の静電容量は再充電されるが、完全には再充電さ
れない。図示のように、所与の時刻には1つの行導体4
0のみが作動指示されており、又、収集時間62は、行
走査時間74の一部でしかない。各々の行走査時間74
中に、収集時間62の後に、照射信号が配列12の1行
の各々のセル22から受け取られる。
(N、N+1、N+2等)についての各々の連続した行
導体40は、収集時間62にわたって順次作動指示され
ている。上述のように、収集時間中に、フォトダイオー
ド36の静電容量は再充電されるが、完全には再充電さ
れない。図示のように、所与の時刻には1つの行導体4
0のみが作動指示されており、又、収集時間62は、行
走査時間74の一部でしかない。各々の行走査時間74
中に、収集時間62の後に、照射信号が配列12の1行
の各々のセル22から受け取られる。
【0033】各々の行の走査が完了したときに(即ち、
配列12の各々の行についての各々の行導体40が1回
作動指示された後に)、収集制御及び画像処理回路34
は、図10に示すように、リセット走査として2回目に
各々の行を走査して、フォトダイオードの電荷回復誤差
を減少させる。ここで再び、行導体40は又、一度に1
行ずつ、各々の行走査時間74にわたって1度ずつ作動
指示されるが、収集作動指示時間62よりも長く、且つ
行走査時間74までの時間76にわたって作動指示され
る。より長いこの回復時間76は、照射信号が読み出さ
れておらず、従って積分器44に対する据え置き時間又
はリセット時間が要求されていないので、許容され得
る。事実、図10のこの走査中には、リセット線54
は、積分器44を常にリセットしておくと共に積分器4
4が飽和するのを防止するように、連続的に作動指示さ
れていてもよい。図8を瞥見すると、図10のリセット
走査によって、Vf の値は、V0 の値と等しくないまで
も、V0 の値に一層近付き、このようにして以降の走査
からあらゆるゴースト画像が減少する。
配列12の各々の行についての各々の行導体40が1回
作動指示された後に)、収集制御及び画像処理回路34
は、図10に示すように、リセット走査として2回目に
各々の行を走査して、フォトダイオードの電荷回復誤差
を減少させる。ここで再び、行導体40は又、一度に1
行ずつ、各々の行走査時間74にわたって1度ずつ作動
指示されるが、収集作動指示時間62よりも長く、且つ
行走査時間74までの時間76にわたって作動指示され
る。より長いこの回復時間76は、照射信号が読み出さ
れておらず、従って積分器44に対する据え置き時間又
はリセット時間が要求されていないので、許容され得
る。事実、図10のこの走査中には、リセット線54
は、積分器44を常にリセットしておくと共に積分器4
4が飽和するのを防止するように、連続的に作動指示さ
れていてもよい。図8を瞥見すると、図10のリセット
走査によって、Vf の値は、V0 の値と等しくないまで
も、V0 の値に一層近付き、このようにして以降の走査
からあらゆるゴースト画像が減少する。
【0034】図10のリセット走査の終結に当たって、
図9による2回目のイメージング走査を取得することが
でき、次いで、図10による後続のリセット走査が行わ
れ、以下同様に続く。第2の実施例では、収集制御及び
画像処理回路34が、順次的な走査以外の走査方式で行
導体40を制御するのに十分な柔軟性を有している場合
に、図9のイメージング・シーケンスの後に、多数の行
の行導体40が同時に作動指示される。行導体40のこ
の同時的な作動指示はやはり、収集されるべき画像がな
く、従って、所与の列の多数のダイオードに流れる電荷
を識別できないことについては重要性がないので、初め
て可能となっている。図11の走査において、多数の列
のフォトダイオード36が同時に再充電され得るので、
配列12全体についての再充電時間は、実質的に短縮さ
れ、極端な場合には単一の走査時間74中に生じること
ができる。
図9による2回目のイメージング走査を取得することが
でき、次いで、図10による後続のリセット走査が行わ
れ、以下同様に続く。第2の実施例では、収集制御及び
画像処理回路34が、順次的な走査以外の走査方式で行
導体40を制御するのに十分な柔軟性を有している場合
に、図9のイメージング・シーケンスの後に、多数の行
の行導体40が同時に作動指示される。行導体40のこ
の同時的な作動指示はやはり、収集されるべき画像がな
く、従って、所与の列の多数のダイオードに流れる電荷
を識別できないことについては重要性がないので、初め
て可能となっている。図11の走査において、多数の列
のフォトダイオード36が同時に再充電され得るので、
配列12全体についての再充電時間は、実質的に短縮さ
れ、極端な場合には単一の走査時間74中に生じること
ができる。
【0035】この第2の実施例は、取り扱われている特
定の用途の制限によってのみ制限される。本記載から、
一度に作動指示される行の数が、1行からすべての行に
到るまで変化し得ること、行の作動指示時間は、全体的
に増大させるか、又は部分的に増大させるかのいずれか
の方式で、行走査時間74を超過して延長され得るこ
と、及びこれらのことは、別個のリセット走査として
か、又は毎回の作像走査に付随させるかのいずれかで、
個別に又は組み合わせて実現され得ることが明らかであ
ろう。
定の用途の制限によってのみ制限される。本記載から、
一度に作動指示される行の数が、1行からすべての行に
到るまで変化し得ること、行の作動指示時間は、全体的
に増大させるか、又は部分的に増大させるかのいずれか
の方式で、行走査時間74を超過して延長され得るこ
と、及びこれらのことは、別個のリセット走査として
か、又は毎回の作像走査に付随させるかのいずれかで、
個別に又は組み合わせて実現され得ることが明らかであ
ろう。
【0036】しかしながら、代替的には、図11のリセ
ット走査は、フォトダイオード36のより完全な再充電
が行えるように、いくつかの行走査時間74にわたって
継続することができる。このように、フォトダイオード
36のリセットを延長すると、高照射処置に続いて低照
射処置が直ちに行われる場合に特に有用である。このよ
うな場合には、高照射は、1つ又はそれ以上のフォトダ
イオード36から電荷を実質的に放電させてしまってい
る可能性があるので、その結果、イメージング・シーケ
ンス中の再充電が実質的に不完全になるからである。
ット走査は、フォトダイオード36のより完全な再充電
が行えるように、いくつかの行走査時間74にわたって
継続することができる。このように、フォトダイオード
36のリセットを延長すると、高照射処置に続いて低照
射処置が直ちに行われる場合に特に有用である。このよ
うな場合には、高照射は、1つ又はそれ以上のフォトダ
イオード36から電荷を実質的に放電させてしまってい
る可能性があるので、その結果、イメージング・シーケ
ンス中の再充電が実質的に不完全になるからである。
【0037】本発明の要旨の範囲内に包含され得る様々
な実施例について公衆に告知するために、冒頭に特許請
求の範囲を掲げる。
な実施例について公衆に告知するために、冒頭に特許請
求の範囲を掲げる。
【図1】本発明の大面積型検出器を示す遠近図であっ
て、X線処置中に患者を通過するX線を受け取る位置に
設けられた検出器セルの行と列とで構成されている検出
器の図である。
て、X線処置中に患者を通過するX線を受け取る位置に
設けられた検出器セルの行と列とで構成されている検出
器の図である。
【図2】図1の検出器の部分概略図であって、それぞれ
が固体スイッチとフォトダイオードとで構成されてお
り、列が電荷積分器に取り付けられた状態で行と列とを
成して互いに接続されている6つの検出器セルを示す図
である。
が固体スイッチとフォトダイオードとで構成されてお
り、列が電荷積分器に取り付けられた状態で行と列とを
成して互いに接続されている6つの検出器セルを示す図
である。
【図3】図2の電荷積分器の概略図であって、その検知
線、出力線及びリセット線を示しており、検知線が検出
器のある列に取り付けられている状態を示している図で
ある。
線、出力線及びリセット線を示しており、検知線が検出
器のある列に取り付けられている状態を示している図で
ある。
【図4】図2の行の各線への作動指示の相対的なタイミ
ングを示すタイミング線図である(2つの異なる行につ
いて示す。)。
ングを示すタイミング線図である(2つの異なる行につ
いて示す。)。
【図5】画像収集中の個々のセルのフォトダイオードの
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
【図6】画像収集中の個々のセルのフォトダイオードの
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
【図7】画像収集中の個々のセルのフォトダイオードの
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
【図8】画像収集中の個々のセルのフォトダイオードの
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
静電容量の充電及び放電を示すグラフ図であって、ここ
で、X線の照射後に回復された電荷は、照射線量の測定
値であり、典型的な走査の制限の下での静電容量の不完
全な再充電を示す図である。
【図9】典型的な画像収集中の図1の配列についての行
の各線への作動指示を示す線図である。
の各線への作動指示を示す線図である。
【図10】図9と同様の図であって、本発明によるリセ
ット走査についての行の各線への作動指示を示す図であ
る。
ット走査についての行の各線への作動指示を示す図であ
る。
【図11】図9及び図10と同様の図であって、本発明
による行の各線の同時的な作動による検出器配列の多数
の行のセルの平行的なリセットを示す図である。
による行の各線の同時的な作動による検出器配列の多数
の行のセルの平行的なリセットを示す図である。
10 X線システム 12 面積型検出器配列 14 X線管 16 面積型X線ビーム 18 区域 20 患者 22、22′ 検出器セル 24 画像 26 モニタ 28 走査回路 30 読み出し回路 32 バイアス回路 34 収集制御及び画像処理回路 35 シンチレータ 36 フォトダイオード 38、56 FET 40 行導体 41 ドライバ 42 列導体 44 電荷積分器 46 バイアス制御器 48 演算増幅器 50 基準コンデンサ 52 出力線 54 リセット線 58 電荷 60 距離(X線照射量) 62 収集時間 68 寄生接合容量 69 据え置き時間 70 リセット時間 74 行走査時間 76 回復時間
フロントページの続き (72)発明者 ローレンス・リチャード・スクレネス アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ハー トランド、ワレン・ドライブ、エヌ6980番 (72)発明者 ジーン−クラウデ・モーバン アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、ウェスト・ハドレイ・ストリ ート、9515番
Claims (4)
- 【請求項1】 あるフレーム・レートで反復的な画像信
号を発生する面積型X線検出器であって、 (1) 行と列とを成して配列されている充電可能な複
数の固体セルと、 (2) 各々の列の前記セルに取り付けられており、各
々の列の前記セルに送達された総電荷量の読み取り値を
供給する電荷積分器と、 (3) (a) ある行速度で、一度に1行ずつ行われ
る前記セルの行の各々についての1回の走査中にわたっ
て、画像信号を収集する工程であって、各々の行につい
ての前記走査は、(i)第1の所定の時間にわたって前
記行の前記セルを充電することと、(ii)前記電荷積分
器により、前記行の各々のセルに送達された前記総電荷
量を測定することと、(iii )前記電荷積分器をリセッ
トすることとを含んでいる、画像を収集する工程と、 (b) 前記行速度で、一度に1行ずつ行われる前記セ
ルの行の各々についての1回の走査中にわたって、前記
検出器のセルの電荷を回復する工程であって、各々の行
のリセットは、前記第1の所定の時間よりも長い第2の
所定の時間にわたって前記行の前記セルを充電すること
を含んでいる、前記検出器のセルの電荷を回復する工程
とを実行するようにプログラムされている収集制御電子
回路要素とを備えた面積型X線検出器。 - 【請求項2】 あるフレーム・レートで反復的な画像信
号を発生する面積型X線検出器であって、 (1) 行と列とを成して配列されている充電可能な複
数の固体セルと、 (2) 各々の列の前記セルに取り付けられており、各
々の列の前記セルに送達された総電荷量の読み取り値を
供給する電荷積分器と、 (3) (a) ある行速度で、一度に1行ずつ行われ
る前記セルの行の各々についての1回の走査中にわたっ
て、画像信号を収集する工程であって、各々の行につい
ての前記走査は、(i)第1の所定の時間にわたって前
記行の前記セルを充電することと、(ii)前記電荷積分
器により、前記行の各々のセルに送達された前記総電荷
量を測定することと、(iii )前記電荷積分器をリセッ
トすることとを含んでいる、画像を収集する工程と、 (b) 第2の所定の時間にわたって多数の行の前記セ
ルを充電することにより、前記検出器の多数の前記セル
の電荷を同時に回復する工程とを実行するようにプログ
ラムされている収集制御電子回路要素とを備えた面積型
X線検出器。 - 【請求項3】 あるフレーム・レートで反復的な画像信
号を発生する面積型X線検出器を動作させる方法であっ
て、該面積型X線検出器は、行と列とを成して配列され
ている充電可能な複数の固体セルを、電荷積分器が各々
の列の前記セルに取り付けられて各々の列の前記セルに
送達される総電荷量の読み取り値を供給する状態で含ん
でおり、 (a) ある行速度で、一度に1行ずつ行われる前記セ
ルの行の各々についての1回の走査中にわたって、画像
信号を収集する工程であって、各々の行の前記走査は、
(i)第1の所定の時間にわたって前記行の前記セルを
充電することと、(ii)前記電荷積分器により、前記行
の各々のセルに送達された前記総電荷量を測定すること
と、(iii )前記電荷積分器をリセットすることとを含
んでいる、画像を収集する工程と、 (b) 前記行速度で、一度に1行ずつ行われる前記セ
ルの行の各々についての1回の走査中にわたって、前記
検出器のセルの電荷を回復する工程であって、各々の行
のリセットは、前記第1の所定の時間よりも長い第2の
所定の時間にわたって前記行の前記セルを充電すること
を含んでいる、前記検出器のセルの電荷を回復する工程
とを備えた面積型X線検出器を動作させる方法。 - 【請求項4】 あるフレーム・レートで反復的な画像信
号を発生する大面積型X線検出器を動作させる方法であ
って、該面積型X線検出器は、行と列とを成して配列さ
れている充電可能な複数の固体セルを、電荷積分器が各
々の列の前記セルに取り付けられて各々の列の前記セル
に送達される総電荷量の読み取り値を供給する状態で含
んでおり、 (a) ある行速度で、一度に1行ずつ行われる前記セ
ルの行の各々についての1回の走査中にわたって、画像
信号を収集する工程であって、各々の行の前記走査は、
(i)第1の所定の時間にわたって前記行の前記セルを
充電することと、(ii)前記電荷積分器により、前記行
の各々のセルに送達された前記総電荷量を測定すること
と、(iii )前記電荷積分器をリセットすることとを含
んでいる、画像を収集する工程と、 (b) 前記行速度で、一度に行われるセルの多数の行
についての1回の走査中にわたって、前記検出器のセル
の電荷を回復する工程であって、多数の行のリセット
は、第2の所定の時間にわたって多数の行の前記セルを
充電することを含んでいる、前記検出器のセルの電荷を
回復する工程とを備えた大面積型X線検出器を動作させ
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/703,237 US5668375A (en) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | Fast scan reset for a large area x-ray detector |
US08/703237 | 1996-08-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10170657A true JPH10170657A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=24824597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9229101A Pending JPH10170657A (ja) | 1996-08-26 | 1997-08-26 | 面積型x線検出器、並びに面積型x線検出器及び大面積型x線検出器を動作させる方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5668375A (ja) |
EP (1) | EP0833505A3 (ja) |
JP (1) | JPH10170657A (ja) |
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Carbone et al. | Large format CID X-ray image sensors |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070123 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070619 |